JPH10214041A - 液晶表示パネルとその製造方法 - Google Patents
液晶表示パネルとその製造方法Info
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- JPH10214041A JPH10214041A JP1581297A JP1581297A JPH10214041A JP H10214041 A JPH10214041 A JP H10214041A JP 1581297 A JP1581297 A JP 1581297A JP 1581297 A JP1581297 A JP 1581297A JP H10214041 A JPH10214041 A JP H10214041A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表示品位の優れ安定した品質の液晶表示パネ
ルを提供することを目的とする。 【解決手段】 電極配線の上層に着色顔料粒子と液晶と
高分子材料からなる着色液晶層１７と、その上層に対向
透明電極１９を有している。着色液晶層は電着法で成膜
される。これによると、従来、着色層を有した絶縁基板
を削減でき、高い開口率で明るく高品質な表示を実現で
きる。
ルを提供することを目的とする。 【解決手段】 電極配線の上層に着色顔料粒子と液晶と
高分子材料からなる着色液晶層１７と、その上層に対向
透明電極１９を有している。着色液晶層は電着法で成膜
される。これによると、従来、着色層を有した絶縁基板
を削減でき、高い開口率で明るく高品質な表示を実現で
きる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置の重要
な構成部品の一つである液晶表示パネルに関するもので
ある。
な構成部品の一つである液晶表示パネルに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、軽量，薄型，低消費電力を特徴し
た液晶表示パネルは、携帯端末用、あるいはモービルコ
ンピュータの表示ディスプレイとして使用されている。
今後、液晶表示パネルはさらなる軽量・薄型化の向上と
低消費電力化あるいは高輝度化にむけて、透過率の向上
が望まれている。また、コストダウンについても市場の
強い要望がある。
た液晶表示パネルは、携帯端末用、あるいはモービルコ
ンピュータの表示ディスプレイとして使用されている。
今後、液晶表示パネルはさらなる軽量・薄型化の向上と
低消費電力化あるいは高輝度化にむけて、透過率の向上
が望まれている。また、コストダウンについても市場の
強い要望がある。
【０００３】図７と図８は従来の液晶表示パネルを示し
ている。液晶表示パネルは、アレイ基板Ａと対向基板Ｂ
とを樹脂接着剤６１にて貼合わせ、スペーサー６０によ
り形成された間隙に液晶と高分子材料を混合した組成物
６２を充填して構成されている。
ている。液晶表示パネルは、アレイ基板Ａと対向基板Ｂ
とを樹脂接着剤６１にて貼合わせ、スペーサー６０によ
り形成された間隙に液晶と高分子材料を混合した組成物
６２を充填して構成されている。
【０００４】アレイ基板Ａには、スイッチング素子群５
１と画素電極群５２と信号配線電極群（映像信号線５４
ａ、走査信号線５４ｂ）からなる画像表示領域Ｃを有し
た透明な絶縁基板５５が設けられている。対向基板Ｂに
は、透明共通電極５７と遮光層５８と赤，緑，青の３色
からなる着色層５９を有した透明な絶縁基板５６が設け
られている。スペーサー６０はガラスファイバー或いは
樹脂微粒子からなっている。
１と画素電極群５２と信号配線電極群（映像信号線５４
ａ、走査信号線５４ｂ）からなる画像表示領域Ｃを有し
た透明な絶縁基板５５が設けられている。対向基板Ｂに
は、透明共通電極５７と遮光層５８と赤，緑，青の３色
からなる着色層５９を有した透明な絶縁基板５６が設け
られている。スペーサー６０はガラスファイバー或いは
樹脂微粒子からなっている。
【０００５】この液晶表示パネルでは、画素電極群５２
にスイッチング素子５１を介して選択的に電圧を印加す
ることにより任意の情報を表示することができる（文
献：液晶 応用編 岡村光治ほか 培風館）。
にスイッチング素子５１を介して選択的に電圧を印加す
ることにより任意の情報を表示することができる（文
献：液晶 応用編 岡村光治ほか 培風館）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図７に示すように、ア
レイ基板Ａに形成された信号配線電極とスイッチング素
子を遮光するため、アレイ基板Ａと対向基板Ｂとの貼り
合わせ精度を考慮して、遮光層５８の窓と窓の間の幅が
決定される。
レイ基板Ａに形成された信号配線電極とスイッチング素
子を遮光するため、アレイ基板Ａと対向基板Ｂとの貼り
合わせ精度を考慮して、遮光層５８の窓と窓の間の幅が
決定される。
【０００７】信号配線が遮光されずに露出していると、
外光が配線により反射し、表示がギラついたり、コント
ラストが低下が生じる。また、スイッチング素子が十分
遮光されないとＴＦＴの抵抗が低下し、画素電位の低下
が生じ、これもコントラストの低下、または表示ムラが
発生する。
外光が配線により反射し、表示がギラついたり、コント
ラストが低下が生じる。また、スイッチング素子が十分
遮光されないとＴＦＴの抵抗が低下し、画素電位の低下
が生じ、これもコントラストの低下、または表示ムラが
発生する。
【０００８】したがって、遮光効果を得るためには十分
な幅が必要となり、これが、液晶表示パネルとして完成
したとき、光が透過する画素領域はアレイ基板Ａの上の
画素電極面積より小さくなる。すなわち、透過率が低下
し、輝度が低下するとういう課題がある。あるいは、高
輝度を得るためには、より明るい光源を必要とし、消費
電力が増加する。
な幅が必要となり、これが、液晶表示パネルとして完成
したとき、光が透過する画素領域はアレイ基板Ａの上の
画素電極面積より小さくなる。すなわち、透過率が低下
し、輝度が低下するとういう課題がある。あるいは、高
輝度を得るためには、より明るい光源を必要とし、消費
電力が増加する。
【０００９】また、軽量化、薄型化を実現するために
は、絶縁基板５５または絶縁基板５６の厚みを薄くする
必要があるが、薄い基板では機械的にそりやひずみが生
じやすくなり、複雑なプロセスを要する大面積基板の製
造は高度な技術を要し、高歩留まりを得るのは困難であ
る。
は、絶縁基板５５または絶縁基板５６の厚みを薄くする
必要があるが、薄い基板では機械的にそりやひずみが生
じやすくなり、複雑なプロセスを要する大面積基板の製
造は高度な技術を要し、高歩留まりを得るのは困難であ
る。
【００１０】また、従来の液晶表示パネルの製造方法で
は、対向基板Ｂに着色層５９を形成する工程、かつ、ア
レイ基板Ａと対向基板Ｂを貼り合わせる工程と、これに
液晶を充填する工程が必然的に発生し、設備投資、歩留
まり低下、工数増加などコストアップとなった。
は、対向基板Ｂに着色層５９を形成する工程、かつ、ア
レイ基板Ａと対向基板Ｂを貼り合わせる工程と、これに
液晶を充填する工程が必然的に発生し、設備投資、歩留
まり低下、工数増加などコストアップとなった。
【００１１】そこで本発明は、上記の欠点を解消し、か
つ、表示品位の優れ、かつ、軽量、薄型で、しかも、安
定した品質と低コストな液晶表示パネルを提供すること
を目的とする。
つ、表示品位の優れ、かつ、軽量、薄型で、しかも、安
定した品質と低コストな液晶表示パネルを提供すること
を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】これらの課題を解決する
ために本発明は、電極配線の上層に着色顔料粒子と液晶
と高分子材料からなる着色液晶層と、その上層に対向透
明電極を具備した構成とするものである。
ために本発明は、電極配線の上層に着色顔料粒子と液晶
と高分子材料からなる着色液晶層と、その上層に対向透
明電極を具備した構成とするものである。
【００１３】または、少なくとも表示領域における電極
配線または画素電極の周辺に遮光帯が具備され、かつ、
電極配線の上層に着色顔料粒子と液晶と高分子材料から
なる着色液晶層と、その上層に対向透明電極を具備した
構成とするものである。
配線または画素電極の周辺に遮光帯が具備され、かつ、
電極配線の上層に着色顔料粒子と液晶と高分子材料から
なる着色液晶層と、その上層に対向透明電極を具備した
構成とするものである。
【００１４】または、これらの構成の着色液晶層の上層
に透明絶縁基板を具備した構成とするものである。さら
に、上記着色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色
液晶層が電着法で成膜することを特徴とした製造方法で
ある。
に透明絶縁基板を具備した構成とするものである。さら
に、上記着色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色
液晶層が電着法で成膜することを特徴とした製造方法で
ある。
【００１５】この本発明の液晶表示パネルとその製造方
法によると、表示品位の優れ、かつ、軽量、薄型で、し
かも、安定した品質と低コストな液晶表示パネルが得ら
れる。
法によると、表示品位の優れ、かつ、軽量、薄型で、し
かも、安定した品質と低コストな液晶表示パネルが得ら
れる。
【００１６】
【発明の実施の形態】請求項１記載の液晶表示パネル
は、導電性薄膜からなる複数の電極配線を具備した絶縁
基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の上層に、着
色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色液晶層と、
その上層に対向透明電極を具備したことを特徴とし、従
来、着色層を有した絶縁基板を削減でき、高い開口率で
明るく高品質な表示を実現できる。
は、導電性薄膜からなる複数の電極配線を具備した絶縁
基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の上層に、着
色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色液晶層と、
その上層に対向透明電極を具備したことを特徴とし、従
来、着色層を有した絶縁基板を削減でき、高い開口率で
明るく高品質な表示を実現できる。
【００１７】請求項２記載の液晶表示パネルは、請求項
１において、電極配線にスイッチング素子と画素電極が
具備されることを特徴とし、クロストークを低減でき、
優れた階調性を実現できる。
１において、電極配線にスイッチング素子と画素電極が
具備されることを特徴とし、クロストークを低減でき、
優れた階調性を実現できる。
【００１８】請求項３記載の液晶表示パネルは、請求項
１または請求項２において、表示領域の電極配線または
画素電極の周辺に遮光帯を具備したことを特徴とし、外
光の反射を抑え、かつ、スイッチング素子の電気特性を
維持し、より高品質な画像表示性能を実現できる。
１または請求項２において、表示領域の電極配線または
画素電極の周辺に遮光帯を具備したことを特徴とし、外
光の反射を抑え、かつ、スイッチング素子の電気特性を
維持し、より高品質な画像表示性能を実現できる。
【００１９】請求項４記載の液晶表示パネルは、請求項
１，請求項２，請求項３の何れかにおいて、導電性薄膜
からなる複数の電極配線を具備した絶縁基板の少なくと
も表示領域の前記電極配線の上層に、着色顔料粒子と液
晶と高分子材料からなる着色液晶層と、その上層に対向
透明電極とさらに前記対向透明電極の上に絶縁物を具備
したことを特徴とし、着色液晶層と透明電極の保護を
し、高耐久な液晶表示パネルを実現できる。
１，請求項２，請求項３の何れかにおいて、導電性薄膜
からなる複数の電極配線を具備した絶縁基板の少なくと
も表示領域の前記電極配線の上層に、着色顔料粒子と液
晶と高分子材料からなる着色液晶層と、その上層に対向
透明電極とさらに前記対向透明電極の上に絶縁物を具備
したことを特徴とし、着色液晶層と透明電極の保護を
し、高耐久な液晶表示パネルを実現できる。
【００２０】請求項５記載の液晶表示パネルの製造方法
は、導電性薄膜からなる複数の電極配線を具備した絶縁
基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の上層に、着
色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色液晶層を電
着法で成膜し、その上層に対向透明電極を形成すること
を特徴とし、従来の着色層の作製工程と、対向基板とア
レイ基板を貼り合わせる工程の削減と、対向基板とアレ
イ基板の貼り合わせ後に高分子分散液晶を充填する工程
を削減できる。
は、導電性薄膜からなる複数の電極配線を具備した絶縁
基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の上層に、着
色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色液晶層を電
着法で成膜し、その上層に対向透明電極を形成すること
を特徴とし、従来の着色層の作製工程と、対向基板とア
レイ基板を貼り合わせる工程の削減と、対向基板とアレ
イ基板の貼り合わせ後に高分子分散液晶を充填する工程
を削減できる。
【００２１】請求項６記載の液晶表示パネルの製造方法
は、導電性薄膜からなる複数の電極配線を具備した絶縁
基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の上層に、着
色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色液晶層を電
着法で成膜し、その上層に対向透明電極とさらに前記対
向透明電極の上に絶縁物を形成することを特徴とし、従
来の着色層の作製工程と、対向基板とアレイ基板の貼り
合わせ後に充填する高分子分散液晶の工程を削減でき
る。
は、導電性薄膜からなる複数の電極配線を具備した絶縁
基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の上層に、着
色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色液晶層を電
着法で成膜し、その上層に対向透明電極とさらに前記対
向透明電極の上に絶縁物を形成することを特徴とし、従
来の着色層の作製工程と、対向基板とアレイ基板の貼り
合わせ後に充填する高分子分散液晶の工程を削減でき
る。
【００２２】以下、本発明の各実施の形態を図１〜図６
に基づいて説明する。 （実施の形態１）図１と図２は（実施の形態１）の液晶
表示パネルを示す。
に基づいて説明する。 （実施の形態１）図１と図２は（実施の形態１）の液晶
表示パネルを示す。
【００２３】この液晶表示パネルは、ガラスからなる絶
縁基板１１の上に、複数の走査信号配線１２と前記走査
信号配線の上にゲート絶縁膜１３と前記ゲート絶縁膜の
上層に画像信号配線１４とスイッチング素子としてＴＦ
Ｔ１５と画素電極１６とを有し、さらに前記画素電極の
上層に着色液晶層１７と前記着色液晶層１７の周辺に絶
縁膜１８が位置し、前記着色液晶層１７と絶縁膜１８の
上に対向電極１９を備えている。
縁基板１１の上に、複数の走査信号配線１２と前記走査
信号配線の上にゲート絶縁膜１３と前記ゲート絶縁膜の
上層に画像信号配線１４とスイッチング素子としてＴＦ
Ｔ１５と画素電極１６とを有し、さらに前記画素電極の
上層に着色液晶層１７と前記着色液晶層１７の周辺に絶
縁膜１８が位置し、前記着色液晶層１７と絶縁膜１８の
上に対向電極１９を備えている。
【００２４】走査信号配線１２はスパッタにて成膜した
アルミニウム 200ｎｍからなり、ゲート絶縁膜１３はス
パッタにて成膜した酸化タンタル膜 50 ｎｍとプラズマ
ＣＶＤで生成した膜厚 350ｎｍの窒化珪素の２層構造か
らなる。
アルミニウム 200ｎｍからなり、ゲート絶縁膜１３はス
パッタにて成膜した酸化タンタル膜 50 ｎｍとプラズマ
ＣＶＤで生成した膜厚 350ｎｍの窒化珪素の２層構造か
らなる。
【００２５】画素電極１６はスパッタにより生成した膜
厚 100ｎｍのインジウム−錫酸化物（以下ＩＴＯ）であ
り、ＴＦＴ１５はプラズマＣＶＤで生成した膜厚 50 ｎ
ｍの非晶質珪素を半導体とした。アルミニウム 350ｎｍ
とチタン 70 ｎｍの２層構造にて画像信号配線１４を形
成した。
厚 100ｎｍのインジウム−錫酸化物（以下ＩＴＯ）であ
り、ＴＦＴ１５はプラズマＣＶＤで生成した膜厚 50 ｎ
ｍの非晶質珪素を半導体とした。アルミニウム 350ｎｍ
とチタン 70 ｎｍの２層構造にて画像信号配線１４を形
成した。
【００２６】この上にプラズマＣＶＤで成膜した膜厚 1
000 ｎｍの窒化珪素膜１８を設け、画素電極１６の上の
み、窒化珪素膜を取り除き、開口した。そして、前記画
素電極上に電着法によって、所定の画素電極上に赤，
緑，青の顔料と高分子分散液晶を形成して着色液晶層１
７を得た。さらに、対向電極１９はスパッタにより生成
した膜厚 100ｎｍのＩＴＯであった。
000 ｎｍの窒化珪素膜１８を設け、画素電極１６の上の
み、窒化珪素膜を取り除き、開口した。そして、前記画
素電極上に電着法によって、所定の画素電極上に赤，
緑，青の顔料と高分子分散液晶を形成して着色液晶層１
７を得た。さらに、対向電極１９はスパッタにより生成
した膜厚 100ｎｍのＩＴＯであった。
【００２７】具体的には、上記のように複数の走査信号
配線１２と前記走査配線の上のゲート絶縁膜１３と前記
ゲート絶縁膜の上層の画像信号配線１４とスイッチング
素子としてＴＦＴ１５と画素電極１６とを作成した絶縁
基板１１の上に、プラズマＣＶＤで成膜した膜厚 1000
ｎｍの窒化珪素１８を設け、フォトリソグラフィーにて
パターンを形成し、３フッ素化硫黄ガスを主成分とした
エッチングガスにてドライエッチングを行い、画素電極
１６の上のみ、窒化珪素膜を取り除く。
配線１２と前記走査配線の上のゲート絶縁膜１３と前記
ゲート絶縁膜の上層の画像信号配線１４とスイッチング
素子としてＴＦＴ１５と画素電極１６とを作成した絶縁
基板１１の上に、プラズマＣＶＤで成膜した膜厚 1000
ｎｍの窒化珪素１８を設け、フォトリソグラフィーにて
パターンを形成し、３フッ素化硫黄ガスを主成分とした
エッチングガスにてドライエッチングを行い、画素電極
１６の上のみ、窒化珪素膜を取り除く。
【００２８】この後、絶縁基板１１の上の走査電極配線
１２と画素信号配線１４との信号供給端子に駆動回路を
接続し、まず、高分子の水溶液に液晶を乳化・分散さ
せ、かつ、赤色の顔料と界面活性剤を混合した電着槽に
絶縁基板１１を浸漬し、赤を選択的に電着させたい画素
の電極に＋５Ｖの電圧が印加されるように電圧を供給
し、この状態を５分間継続した。この後、電着槽から絶
縁基板１１を取り出し、純水にて洗浄した。
１２と画素信号配線１４との信号供給端子に駆動回路を
接続し、まず、高分子の水溶液に液晶を乳化・分散さ
せ、かつ、赤色の顔料と界面活性剤を混合した電着槽に
絶縁基板１１を浸漬し、赤を選択的に電着させたい画素
の電極に＋５Ｖの電圧が印加されるように電圧を供給
し、この状態を５分間継続した。この後、電着槽から絶
縁基板１１を取り出し、純水にて洗浄した。
【００２９】前記の作業を緑色と青色についても同様に
繰り返すことにより、カラーフィルターと高分子分散液
晶を同時に形成し、着色液晶層１７を得た。この時の膜
厚は、 1.0μｍであった。
繰り返すことにより、カラーフィルターと高分子分散液
晶を同時に形成し、着色液晶層１７を得た。この時の膜
厚は、 1.0μｍであった。
【００３０】さらに、この上に対向電極１９をスパッタ
により 100ｎｍ膜厚で形成した。 （実施の形態２）図３と図４は（実施の形態２）を示
す。
により 100ｎｍ膜厚で形成した。 （実施の形態２）図３と図４は（実施の形態２）を示
す。
【００３１】この実施の形態では、（実施の形態１）に
おける走査信号配線１２とＴＦＴ１５と画素信号配線１
４の上層に、遮光帯として膜厚１μｍの黒色樹脂膜から
なるブラックマトリックス（以下、樹脂ＢＭと称す）２
１を設けた。
おける走査信号配線１２とＴＦＴ１５と画素信号配線１
４の上層に、遮光帯として膜厚１μｍの黒色樹脂膜から
なるブラックマトリックス（以下、樹脂ＢＭと称す）２
１を設けた。
【００３２】さらに、着色液晶層１７と樹脂ＢＭ２１の
上に平坦化膜層２０を形成し、（実施の形態１）と同
様、ＩＴＯによる対向電極１９を備えた構成とした。こ
の構成により、樹脂ＢＭ２１と着色液晶層１７の膜厚に
かかわりなく、パネル表面の平滑性を得ることができ、
これによる液晶表示パネル表面の外光による乱反射を防
ぐことができ、より高品質な表示特性が得られた。な
お、樹脂ＢＭ２１を形成した後、絶縁膜にて画素電極間
を分離してもよい。
上に平坦化膜層２０を形成し、（実施の形態１）と同
様、ＩＴＯによる対向電極１９を備えた構成とした。こ
の構成により、樹脂ＢＭ２１と着色液晶層１７の膜厚に
かかわりなく、パネル表面の平滑性を得ることができ、
これによる液晶表示パネル表面の外光による乱反射を防
ぐことができ、より高品質な表示特性が得られた。な
お、樹脂ＢＭ２１を形成した後、絶縁膜にて画素電極間
を分離してもよい。
【００３３】具体的には、上記のように走査信号配線１
２とＴＦＴ１５と画素信号配線１４と画素電極１６まで
作製された絶縁基板１１の上に、樹脂ＢＭ２１は炭素を
主体とした黒色顔料を５ｗｔ％混入したポリイミド樹脂
を用い、基板の全体にスピンコートにより塗布し、 220
℃で 30 分間硬化させた。
２とＴＦＴ１５と画素信号配線１４と画素電極１６まで
作製された絶縁基板１１の上に、樹脂ＢＭ２１は炭素を
主体とした黒色顔料を５ｗｔ％混入したポリイミド樹脂
を用い、基板の全体にスピンコートにより塗布し、 220
℃で 30 分間硬化させた。
【００３４】次に、直接フォトリソグラフィーを行い、
パターニングを行った。光学濃度が“３”以上となるよ
う膜厚を調整した。または、直接フォトリソグラフィー
の代わりに、感光性レジストを用い、樹脂ＢＭ２１の上
にパターンを形成し、ドライエッチングにより、画素電
極部を開口してもよい。
パターニングを行った。光学濃度が“３”以上となるよ
う膜厚を調整した。または、直接フォトリソグラフィー
の代わりに、感光性レジストを用い、樹脂ＢＭ２１の上
にパターンを形成し、ドライエッチングにより、画素電
極部を開口してもよい。
【００３５】その後、着色液晶層を（実施の形態１）の
製造方法と同様に形成する。この上に、平坦化膜２０と
なる紫外線硬化性アクリル樹脂材料をスピンコートによ
り全面に塗布し、 200℃にて加熱し、フォトリソグラフ
ィーにより必要な電極端子を取り出し、さらに、 3000
ｍＪの紫外線を照射し脱色して、良好な平坦な透明膜を
得た。そして、（実施の形態１）の製造方法と同様にＩ
ＴＯによる対向電極１９を形成した。
製造方法と同様に形成する。この上に、平坦化膜２０と
なる紫外線硬化性アクリル樹脂材料をスピンコートによ
り全面に塗布し、 200℃にて加熱し、フォトリソグラフ
ィーにより必要な電極端子を取り出し、さらに、 3000
ｍＪの紫外線を照射し脱色して、良好な平坦な透明膜を
得た。そして、（実施の形態１）の製造方法と同様にＩ
ＴＯによる対向電極１９を形成した。
【００３６】（実施の形態３）図５は（実施の形態３）
を示す。この実施の形態の液晶表示パネルは、（実施の
形態１）における液晶表示パネルの対向電極１９の上に
透明絶縁基板２２を具備した構成である。
を示す。この実施の形態の液晶表示パネルは、（実施の
形態１）における液晶表示パネルの対向電極１９の上に
透明絶縁基板２２を具備した構成である。
【００３７】ガラスからなる絶縁基板１１上に、ゲート
絶縁膜１３と複数の走査信号配線１２と画像信号配線１
４と前記ゲート絶縁膜の上層にとスイッチング素子とし
てＴＦＴ１５と画素電極１６とを有し、前記画素電極の
上層に着色液晶層１７と前記着色液晶層の周辺に絶縁膜
１８が位置し、前記着色液晶層と絶縁膜の上に対向電極
１９を備えている。これまでの構成は（実施の形態１）
と同じ構成である。
絶縁膜１３と複数の走査信号配線１２と画像信号配線１
４と前記ゲート絶縁膜の上層にとスイッチング素子とし
てＴＦＴ１５と画素電極１６とを有し、前記画素電極の
上層に着色液晶層１７と前記着色液晶層の周辺に絶縁膜
１８が位置し、前記着色液晶層と絶縁膜の上に対向電極
１９を備えている。これまでの構成は（実施の形態１）
と同じ構成である。
【００３８】この上層に透明絶縁基板としてガラス基板
２２を用いた構成とした。これによって、着色液晶層１
７と対向電極１９の保護を行うことができ、機械的な耐
久性を高めることができた。
２２を用いた構成とした。これによって、着色液晶層１
７と対向電極１９の保護を行うことができ、機械的な耐
久性を高めることができた。
【００３９】具体的には、複数の走査信号配線１２とＴ
ＦＴ１５と画素信号配線１４と画素電極１６と前記画素
電極の上層に着色液晶層１７と前記着色液晶層の周辺に
絶縁膜１８が位置し、前記着色液晶層と絶縁膜の上に対
向電極１９を備えたガラスからなる絶縁基板１１の上
に、ガラスからなる透明絶縁基板２２を貼り合わせた。
ＦＴ１５と画素信号配線１４と画素電極１６と前記画素
電極の上層に着色液晶層１７と前記着色液晶層の周辺に
絶縁膜１８が位置し、前記着色液晶層と絶縁膜の上に対
向電極１９を備えたガラスからなる絶縁基板１１の上
に、ガラスからなる透明絶縁基板２２を貼り合わせた。
【００４０】なお、本発明では保護基板としてガラスを
用いたが、アクリル系樹脂をはじめとする樹脂でもよ
い。 （実施の形態４）図６は（実施の形態４）を示す。
用いたが、アクリル系樹脂をはじめとする樹脂でもよ
い。 （実施の形態４）図６は（実施の形態４）を示す。
【００４１】この実施の形態の液晶表示パネルは、（実
施の形態２）における液晶表示パネルの対向電極１９の
上に透明絶縁基板２２を具備した構成の液晶表示パネル
である。
施の形態２）における液晶表示パネルの対向電極１９の
上に透明絶縁基板２２を具備した構成の液晶表示パネル
である。
【００４２】ガラスからなる絶縁基板１１上に、ゲート
絶縁膜１３と複数の走査信号配線１２と画像信号配線１
４と前記ゲート絶縁膜の上層にスイッチング素子として
ＴＦＴ１５と画素電極１６とを有し、走査信号配線１２
とＴＦＴ１５と画素信号配線１４の上層に、遮光帯とし
て膜厚１μｍの黒色樹脂膜からなる樹脂ＢＭ２１を設け
た。
絶縁膜１３と複数の走査信号配線１２と画像信号配線１
４と前記ゲート絶縁膜の上層にスイッチング素子として
ＴＦＴ１５と画素電極１６とを有し、走査信号配線１２
とＴＦＴ１５と画素信号配線１４の上層に、遮光帯とし
て膜厚１μｍの黒色樹脂膜からなる樹脂ＢＭ２１を設け
た。
【００４３】さらに、着色液晶層１７と樹脂ＢＭ２１の
上に平坦化膜層２０を形成し、（実施の形態１）同様
に、ＩＴＯによる対向電極１９を備えた構成とした。こ
れまでの構成は（実施の形態２）と同じ構成である。さ
らに、この上層に透明絶縁基板としてガラス基板２２を
設けた。
上に平坦化膜層２０を形成し、（実施の形態１）同様
に、ＩＴＯによる対向電極１９を備えた構成とした。こ
れまでの構成は（実施の形態２）と同じ構成である。さ
らに、この上層に透明絶縁基板としてガラス基板２２を
設けた。
【００４４】これによって、着色液晶層１７と対向電極
１９の保護を行うことができ、機械的な耐久性を高める
ことができた。なお、本発明では保護基板としてガラス
を用いたが、アクリル系樹脂をはじめとする樹脂でもよ
い。
１９の保護を行うことができ、機械的な耐久性を高める
ことができた。なお、本発明では保護基板としてガラス
を用いたが、アクリル系樹脂をはじめとする樹脂でもよ
い。
【００４５】上記の各実施の形態では、透過型で、かつ
スイッチング素子として非晶質珪素ＴＦＴを用いたアク
ティブマトリックス液晶表示パネルの場合を例に挙げて
説明したが、スイッチング素子として、金属−絶縁物−
金属構造（ＭＩＭ）およびダイオード構造など２端子回
路からなるものでもよい。
スイッチング素子として非晶質珪素ＴＦＴを用いたアク
ティブマトリックス液晶表示パネルの場合を例に挙げて
説明したが、スイッチング素子として、金属−絶縁物−
金属構造（ＭＩＭ）およびダイオード構造など２端子回
路からなるものでもよい。
【００４６】また、画素電極がアルミニウムまたは銀か
らなる反射型の液晶表示パネルに適用しても有効であ
る。また、スイッチング素子、走査信号配線、画素信号
配線を有しないパッシブマトリックス、あるいはドット
マトリックス、セグメント式液晶表示パネルに適用して
もよい。
らなる反射型の液晶表示パネルに適用しても有効であ
る。また、スイッチング素子、走査信号配線、画素信号
配線を有しないパッシブマトリックス、あるいはドット
マトリックス、セグメント式液晶表示パネルに適用して
もよい。
【００４７】
【発明の効果】請求項１記載の液晶表示パネルは、表示
電極の上層に着色顔料と高分子材料と液晶からなる着色
液晶層を有することを特徴とし、従来、着色層を有した
絶縁基板を削減できるため、より薄く、軽量にすること
ができる。
電極の上層に着色顔料と高分子材料と液晶からなる着色
液晶層を有することを特徴とし、従来、着色層を有した
絶縁基板を削減できるため、より薄く、軽量にすること
ができる。
【００４８】また、着色層を有した絶縁基板の作製と、
これとの貼り合せ工程の削減することができ、より高い
開口率で明るく高品質な表示と、より低コストな液晶表
示パネルを実現できる。
これとの貼り合せ工程の削減することができ、より高い
開口率で明るく高品質な表示と、より低コストな液晶表
示パネルを実現できる。
【００４９】請求項２記載の液晶表示パネルは、請求項
１において、電極配線にスイッチング素子と画素電極が
具備されることを特徴とし、クロストークを低減でき、
優れた階調性を実現できる。
１において、電極配線にスイッチング素子と画素電極が
具備されることを特徴とし、クロストークを低減でき、
優れた階調性を実現できる。
【００５０】請求項３記載の液晶表示パネルは、請求項
１，請求項２の何れかにおいて、表示領域の電極配線ま
たは画素電極の周辺に遮光帯が具備したことを特徴と
し、外光の反射を抑え、スイッチング素子の電気特性を
維持し、より高品質な画像表示性能を実現できる。
１，請求項２の何れかにおいて、表示領域の電極配線ま
たは画素電極の周辺に遮光帯が具備したことを特徴と
し、外光の反射を抑え、スイッチング素子の電気特性を
維持し、より高品質な画像表示性能を実現できる。
【００５１】請求項４記載の液晶表示パネルは、請求項
１，請求項２，請求項３の何れかにおいて、着色液晶層
の上層に透明な絶縁物を具備することを特徴とし、着色
液晶層と透明電極の保護をし、高耐久な液晶表示パネル
を実現できる。
１，請求項２，請求項３の何れかにおいて、着色液晶層
の上層に透明な絶縁物を具備することを特徴とし、着色
液晶層と透明電極の保護をし、高耐久な液晶表示パネル
を実現できる。
【００５２】請求項５記載の液晶表示パネルの製造方法
は、導電性薄膜からなる複数の電極配線を具備した絶縁
基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の上層に、着
色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色液晶層を電
着法で成膜し、その上層に対向透明電極を形成するた
め、従来の着色層の作製工程と、対向基板とアレイ基板
を貼り合わせる工程の削減と、対向基板とアレイ基板の
貼り合わせ後に高分子分散液晶を充填する工程とを削減
でき、より簡易に製造できるため、低コストを実現でき
る。
は、導電性薄膜からなる複数の電極配線を具備した絶縁
基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の上層に、着
色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色液晶層を電
着法で成膜し、その上層に対向透明電極を形成するた
め、従来の着色層の作製工程と、対向基板とアレイ基板
を貼り合わせる工程の削減と、対向基板とアレイ基板の
貼り合わせ後に高分子分散液晶を充填する工程とを削減
でき、より簡易に製造できるため、低コストを実現でき
る。
【００５３】請求項６記載の液晶表示パネルの製造方法
は、導電性薄膜からなる複数の電極配線を具備した絶縁
基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の上層に、着
色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色液晶層を電
着法で成膜し、その上層に対向透明電極とさらに前記対
向透明電極の上に絶縁物を形成するため、従来の着色層
の作製工程と、対向基板とアレイ基板の貼り合わせ後に
充填する高分子分散液晶の工程を削減でき、より簡易に
製造できるため、低コストを実現できる。
は、導電性薄膜からなる複数の電極配線を具備した絶縁
基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の上層に、着
色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色液晶層を電
着法で成膜し、その上層に対向透明電極とさらに前記対
向透明電極の上に絶縁物を形成するため、従来の着色層
の作製工程と、対向基板とアレイ基板の貼り合わせ後に
充填する高分子分散液晶の工程を削減でき、より簡易に
製造できるため、低コストを実現できる。
【００５４】以上のように本発明によれば、着色層を有
した絶縁基板を削減できるため、より薄く、軽量にする
ことができる。また、対向基板との貼り合せる必要が無
く、このため遮光層の幅を小さくすることができ、より
高い開口率を達成でき、明るく高品質な画像表示を得る
ことができる。
した絶縁基板を削減できるため、より薄く、軽量にする
ことができる。また、対向基板との貼り合せる必要が無
く、このため遮光層の幅を小さくすることができ、より
高い開口率を達成でき、明るく高品質な画像表示を得る
ことができる。
【００５５】さらに、前記着色層を有した絶縁基板の作
製が不必要であり、かつ、貼り合わせ工程の削減と、高
分子分散液晶の充填工程が削減でき、設備投資が少な
く、歩留まり向上、工数削減など低コストな液晶表示パ
ネルを実現することができる。
製が不必要であり、かつ、貼り合わせ工程の削減と、高
分子分散液晶の充填工程が削減でき、設備投資が少な
く、歩留まり向上、工数削減など低コストな液晶表示パ
ネルを実現することができる。
【図１】（実施の形態１）における液晶表示パネルの一
部の平面図
部の平面図
【図２】図１のＸ−Ｘ′断面図
【図３】（実施の形態２）における液晶表示パネルの一
部の平面図
部の平面図
【図４】図３のＸ−Ｘ′断面図
【図５】（実施の形態３）における液晶表示パネルの一
部の平面図
部の平面図
【図６】（実施の形態４）における液晶表示パネルの一
部の平面図
部の平面図
【図７】従来の一般的な液晶表示パネルの一部の平面図
【図８】図７のＸ−Ｘ′断面図
１１ 絶縁基板 １２ 走査信号電極 １３ ゲート絶縁膜 １４ 画像信号配線 １５ スイッチング素子 １６ 画素電極 １７ 着色液晶層 １８ 絶縁膜 １９ 対向電極 ２０ 平坦化膜層 ２１ 遮光層
Claims (6)
- 【請求項１】 導電性薄膜からなる複数の電極配線を具
備した絶縁基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の
上層に、着色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色
液晶層と、その上層に対向透明電極を具備した液晶表示
パネル。 - 【請求項２】 導電性薄膜からなる複数の電極配線にス
イッチング素子と画素電極が具備され、これらによりマ
トリックス状の画像表示領域を構成した請求項１記載の
液晶表示パネル。 - 【請求項３】 表示領域の電極配線または画素電極の周
辺に遮光帯を具備した請求項１，請求項２の何れかに記
載の液晶表示パネル。 - 【請求項４】 導電性薄膜からなる複数の電極配線を具
備した絶縁基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の
上層に、着色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色
液晶層と、その上層に対向透明電極とさらに前記対向透
明電極の上に絶縁物を具備した請求項１，請求項２，請
求項３の何れかに記載の液晶表示パネル。 - 【請求項５】 導電性薄膜からなる複数の電極配線を具
備した絶縁基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の
上層に、着色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色
液晶層を電着法で成膜し、その上層に対向透明電極を形
成する液晶表示パネルの製造方法。 - 【請求項６】導電性薄膜からなる複数の電極配線を具備
した絶縁基板の少なくとも表示領域の前記電極配線の上
層に、着色顔料粒子と液晶と高分子材料からなる着色液
晶層を電着法で成膜し、その上層に対向透明電極とさら
に前記対向透明電極の上に絶縁物を形成する液晶表示パ
ネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1581297A JPH10214041A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 液晶表示パネルとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1581297A JPH10214041A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 液晶表示パネルとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10214041A true JPH10214041A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11899266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1581297A Pending JPH10214041A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 液晶表示パネルとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10214041A (ja) |
-
1997
- 1997-01-30 JP JP1581297A patent/JPH10214041A/ja active Pending
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