JPH10213722A - 半導体レーザモジュール - Google Patents
半導体レーザモジュールInfo
- Publication number
- JPH10213722A JPH10213722A JP1640397A JP1640397A JPH10213722A JP H10213722 A JPH10213722 A JP H10213722A JP 1640397 A JP1640397 A JP 1640397A JP 1640397 A JP1640397 A JP 1640397A JP H10213722 A JPH10213722 A JP H10213722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- substrate
- lens
- height
- lens holder
- Prior art date
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- Pending
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- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザモジュールの薄型化を図る。
【解決手段】 ヒートシンク11に搭載された半導体レ
ーザ1は、基板4の上面に固定され、基板4は、電子冷
却器5の上面に固定されている。レンズ2を保持するレ
ンズホルダ7は、基板4の延長された部分に設けた支持
部12により支持され、基板4上にあるレーザダイオー
ド1を基板表面に近い位置に下げるとともに、レンズ2
を半導体レーザダイオード1と同じレベルに下げること
が可能であり、これにより半導体レーザモジュールの高
さを低くすることができる。
ーザ1は、基板4の上面に固定され、基板4は、電子冷
却器5の上面に固定されている。レンズ2を保持するレ
ンズホルダ7は、基板4の延長された部分に設けた支持
部12により支持され、基板4上にあるレーザダイオー
ド1を基板表面に近い位置に下げるとともに、レンズ2
を半導体レーザダイオード1と同じレベルに下げること
が可能であり、これにより半導体レーザモジュールの高
さを低くすることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信や光情報処
理等に用いられる、温度調整機能を有する半導体レーザ
モジュールに関する。
理等に用いられる、温度調整機能を有する半導体レーザ
モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】図3は、光ファイバ伝送装置などの信号
光源として用いられる半導体レーザモジュールの従来の
構造例を示す断面図である。
光源として用いられる半導体レーザモジュールの従来の
構造例を示す断面図である。
【0003】モジュールパッケージ6の内部に半導体レ
ーザ1および半導体レーザ1からの出射光を集光するレ
ンズ2が置かれ、レンズ2で集光された半導体レーザ1
からの出射光が結合される光ファイバ3がモジュールパ
ッケージ6の側面にファイバホルダ10によって保持さ
れている。
ーザ1および半導体レーザ1からの出射光を集光するレ
ンズ2が置かれ、レンズ2で集光された半導体レーザ1
からの出射光が結合される光ファイバ3がモジュールパ
ッケージ6の側面にファイバホルダ10によって保持さ
れている。
【0004】モジュールパッケージ6の底面に半導体レ
ーザ1の温度を調整する電子冷却器5が置かれ、その上
面にある基板4の一部が高くなった凸型状部分にヒート
シンク11に搭載された半導体レーザ1が置かれ、また
基板4の平坦部にレンズホルダ7に保持されたレンズ2
が置かれ、この時半導体レーザ1とレンズ2と光ファイ
バ3は結合効率を最適にするため、一直線上に配置され
るように、基板の凸型状部分の高さとレンズホルダ7の
形状、およびファイバホルダ10の高さが定められてい
る。
ーザ1の温度を調整する電子冷却器5が置かれ、その上
面にある基板4の一部が高くなった凸型状部分にヒート
シンク11に搭載された半導体レーザ1が置かれ、また
基板4の平坦部にレンズホルダ7に保持されたレンズ2
が置かれ、この時半導体レーザ1とレンズ2と光ファイ
バ3は結合効率を最適にするため、一直線上に配置され
るように、基板の凸型状部分の高さとレンズホルダ7の
形状、およびファイバホルダ10の高さが定められてい
る。
【0005】近年、光ファイバ伝送装置では、高密度実
装するため、信号光源等に用いられる半導体レーザモジ
ュールの高さを低くすることが要求されているが、図3
はこの高さが主としてレンズを保持するレンズホルダお
よび電子冷却器の高さによって決定されることを示して
いる。
装するため、信号光源等に用いられる半導体レーザモジ
ュールの高さを低くすることが要求されているが、図3
はこの高さが主としてレンズを保持するレンズホルダお
よび電子冷却器の高さによって決定されることを示して
いる。
【0006】半導体レーザモジュールの薄型化の従来技
術として、例えば特開平4−355706号公報には、
温度調整用の電子冷却器の上部絶縁板上にパターンを形
成し、その上に直接、半導体レーザおよびレンズホルダ
を固定することにより、従来設けていた基板を不要と
し、その分の厚みを削減し薄型化を図る構造が提案され
ているが、この構造では、レンズホルダが電子冷却器上
に固定されており、上記の要求を十分に解決するものと
はなっていない。
術として、例えば特開平4−355706号公報には、
温度調整用の電子冷却器の上部絶縁板上にパターンを形
成し、その上に直接、半導体レーザおよびレンズホルダ
を固定することにより、従来設けていた基板を不要と
し、その分の厚みを削減し薄型化を図る構造が提案され
ているが、この構造では、レンズホルダが電子冷却器上
に固定されており、上記の要求を十分に解決するものと
はなっていない。
【0007】また、特開平7−15091号公報には、
半導体レーザおよびレンズホルダを電子冷却器と同一平
面上に配置することにより薄型化を図る構造が提案され
ているが、この構造では、冷却すべき半導体レーザが電
子冷却器の真上に位置していないため、電子冷却器の冷
却能力が低下するという欠点がある。これを補うため、
電子冷却器を2個用いるとする構成も提案されている
が、この場合はモジュールとしての消費電力が増加する
という欠点がある。
半導体レーザおよびレンズホルダを電子冷却器と同一平
面上に配置することにより薄型化を図る構造が提案され
ているが、この構造では、冷却すべき半導体レーザが電
子冷却器の真上に位置していないため、電子冷却器の冷
却能力が低下するという欠点がある。これを補うため、
電子冷却器を2個用いるとする構成も提案されている
が、この場合はモジュールとしての消費電力が増加する
という欠点がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザモ
ジュールでは、半導体レーザとレンズと光ファイバが一
直線上に配置されており、半導体レーザおよびレンズは
通常電子冷却器上に実装されている。そのため、半導体
レーザモジュールの高さは構成部品であるレンズホルダ
や凸型状の基板や電子冷却器等の高さによって決定され
る。したがって、高さを低くするための一つの方法とし
ては、これら構成部品を小型化することが考えられる。
しかし、それには限界があり、例えば、レンズホルダに
保持されるレンズは、半導体レーザからの出射光を効率
よく光ファイバに結合するために、レンズへの入射光に
対するNA(開口数)を大きくする必要があるが、NA
を大きくしたまま外径を小さくすることには物理的に限
界がある。また、基板では、レンズホルダを配置する部
分の厚さについて、強度上の限界があり、所定厚以上と
する必要があり、さらに、電子冷却器では、高さを低く
すると冷却能力が低下するという問題がある。
ジュールでは、半導体レーザとレンズと光ファイバが一
直線上に配置されており、半導体レーザおよびレンズは
通常電子冷却器上に実装されている。そのため、半導体
レーザモジュールの高さは構成部品であるレンズホルダ
や凸型状の基板や電子冷却器等の高さによって決定され
る。したがって、高さを低くするための一つの方法とし
ては、これら構成部品を小型化することが考えられる。
しかし、それには限界があり、例えば、レンズホルダに
保持されるレンズは、半導体レーザからの出射光を効率
よく光ファイバに結合するために、レンズへの入射光に
対するNA(開口数)を大きくする必要があるが、NA
を大きくしたまま外径を小さくすることには物理的に限
界がある。また、基板では、レンズホルダを配置する部
分の厚さについて、強度上の限界があり、所定厚以上と
する必要があり、さらに、電子冷却器では、高さを低く
すると冷却能力が低下するという問題がある。
【0009】以上のように従来の半導体レーザモジュー
ルでは、構成部品であるレンズ、レンズホルダ、基板、
電子冷却器等の寸法上の制約があり、それらの高さを容
易に低くできないという問題があり、また電子冷却器を
半導体レーザと同一面上に置くことには冷却効率上の問
題があった。
ルでは、構成部品であるレンズ、レンズホルダ、基板、
電子冷却器等の寸法上の制約があり、それらの高さを容
易に低くできないという問題があり、また電子冷却器を
半導体レーザと同一面上に置くことには冷却効率上の問
題があった。
【0010】本発明の目的は、高密度実装の要求に応
え、半導体レーザモジュールの高さを低くすることがで
きる電子冷却器付きの半導体レーザモジュールを提供す
ることである。
え、半導体レーザモジュールの高さを低くすることがで
きる電子冷却器付きの半導体レーザモジュールを提供す
ることである。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザモ
ジュールは、レンズホルダの水平位置を冷却器の上面の
範囲外かつ基板外に定め、レンズの軸の高さを、基板上
に置かれる半導体レーザの出射光の光軸の高さに拘ら
ず、光軸の高さと同じにする。
ジュールは、レンズホルダの水平位置を冷却器の上面の
範囲外かつ基板外に定め、レンズの軸の高さを、基板上
に置かれる半導体レーザの出射光の光軸の高さに拘ら
ず、光軸の高さと同じにする。
【0012】レンズホルダは、基板に一体成形され、か
つ基板の光ファイバ方向に延長された部分に設けられて
いるレンズホルダ支持部に支持されてもよい。
つ基板の光ファイバ方向に延長された部分に設けられて
いるレンズホルダ支持部に支持されてもよい。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【0014】図1は、本発明による半導体レーザモジュ
ールの構造例を示す断面図である。
ールの構造例を示す断面図である。
【0015】図1に示す半導体レーザモジュールが図3
に示す従来例の半導体レーザモジュールと異なる点は、
基板4が電子冷却器5の上面の範囲から光ファイバを引
込むファイバホルダ10の方向に延長され、この延長部
分にレンズホルダ7を支持する支持部12が設けられて
いることである。
に示す従来例の半導体レーザモジュールと異なる点は、
基板4が電子冷却器5の上面の範囲から光ファイバを引
込むファイバホルダ10の方向に延長され、この延長部
分にレンズホルダ7を支持する支持部12が設けられて
いることである。
【0016】図2は基板4およびその延長部分に設けら
れた支持部12の間にレンズ2を保持するレンズホルダ
7が支持されている状況を示す基板部の上面図である。
半導体レーザ1が搭載されたヒートシンク11は基板4
上で電子冷却器5の上面に当る部分に置かれている。
れた支持部12の間にレンズ2を保持するレンズホルダ
7が支持されている状況を示す基板部の上面図である。
半導体レーザ1が搭載されたヒートシンク11は基板4
上で電子冷却器5の上面に当る部分に置かれている。
【0017】図1に示すように基板4は図3にあるよう
な凸型状部分が無くなり、レーザダイオード1の出射光
の光軸は低くなっているが、レンズホルダ7はこれに合
せて低い位置に支持され、レンズ2の軸の高さははファ
イバホルダ10の高さとともにレーザダイオード1の出
射光の光軸と同じレベルに調整され、従って半導体レー
ザモジュールの高さを低くすることができる。
な凸型状部分が無くなり、レーザダイオード1の出射光
の光軸は低くなっているが、レンズホルダ7はこれに合
せて低い位置に支持され、レンズ2の軸の高さははファ
イバホルダ10の高さとともにレーザダイオード1の出
射光の光軸と同じレベルに調整され、従って半導体レー
ザモジュールの高さを低くすることができる。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、レンズホ
ルダの配置位置を電子冷却器の上部からファイバホルダ
側に移動させることにより、レンズホルダの下線を、電
子冷却器の上部にある半導体レーザの基板の表面の高さ
よりも下方に移動させる余裕が生じ、半導体レーザの基
板上の高さを下げ基板の表面に近接させるとともに、レ
ンズの軸も同じレベルに下げることが可能となり、半導
体レーザモジュールの高さを低くすることができる効果
がある。
ルダの配置位置を電子冷却器の上部からファイバホルダ
側に移動させることにより、レンズホルダの下線を、電
子冷却器の上部にある半導体レーザの基板の表面の高さ
よりも下方に移動させる余裕が生じ、半導体レーザの基
板上の高さを下げ基板の表面に近接させるとともに、レ
ンズの軸も同じレベルに下げることが可能となり、半導
体レーザモジュールの高さを低くすることができる効果
がある。
【図1】本発明の半導体レーザモジュールの構造例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図2】図1に示す半導体レーザモジュールの基板部の
上面図である。
上面図である。
【図3】従来の半導体レーザモジュールの構造例を示す
断面図である。
断面図である。
1 半導体レーザ 2 レンズ 3 光ファイバ 4 基板 5 電子冷却器 6 モジュールパッケージ 7 レンズホルダ 10 ファイバホルダ 11 ヒートシンク 12 支持部
Claims (2)
- 【請求項1】 モジュールパッケージの内部底面におか
れた電子冷却器の上面に固定された基板上かつ前記電子
冷却器の上面の範囲内にヒートシンクを介して搭載され
る半導体レーザと、前記モジュールパッケージ内に置か
れ、レンズホルダに保持されるレンズと、前記モジュー
ルパッケージの側面から前記基板に平行に引込まれる光
ファイバとが一直線上に配置され、前記半導体レーザか
ら出射される出射光を前記レンズを介し、前記光ファイ
バに結合する半導体レーザモジュールにおいて、 前記レンズホルダの水平位置を前記冷却器の上面の範囲
外かつ前記基板外に定め、前記レンズの軸の高さを、前
記半導体レーザの出射光の光軸の高さに拘らず前記光軸
の高さと同じにすることを特徴とする半導体レーザモジ
ュール。 - 【請求項2】 前記レンズホルダは、前記基板に一体成
形され、かつ前記基板の光ファイバ方向に延長された部
分に設けられているレンズホルダ支持部に支持される請
求項1に記載の半導体レーザモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1640397A JPH10213722A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 半導体レーザモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1640397A JPH10213722A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 半導体レーザモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10213722A true JPH10213722A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11915289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1640397A Pending JPH10213722A (ja) | 1997-01-30 | 1997-01-30 | 半導体レーザモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10213722A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000064018A1 (fr) * | 1999-04-20 | 2000-10-26 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Module laser a semi-conducteur |
JP2001004881A (ja) * | 1999-04-20 | 2001-01-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュール |
KR100326048B1 (ko) * | 1999-09-16 | 2002-03-07 | 윤종용 | 광 수신 모듈 |
WO2002039154A1 (en) * | 2000-11-07 | 2002-05-16 | The Furukawa Electric Co.,Ltd. | Semiconductor laser module, and raman amplifier using the semiconductor laser module |
KR100403723B1 (ko) * | 2001-06-23 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | 히트 싱크를 구비한 광 서브-어셈블리 |
WO2011152180A1 (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-08 | 株式会社Qdレーザ | レーザモジュールおよびその製造方法 |
-
1997
- 1997-01-30 JP JP1640397A patent/JPH10213722A/ja active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000064018A1 (fr) * | 1999-04-20 | 2000-10-26 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Module laser a semi-conducteur |
JP2001004881A (ja) * | 1999-04-20 | 2001-01-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュール |
US6496524B2 (en) | 1999-04-20 | 2002-12-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Laser diode module |
KR100326048B1 (ko) * | 1999-09-16 | 2002-03-07 | 윤종용 | 광 수신 모듈 |
WO2002039154A1 (en) * | 2000-11-07 | 2002-05-16 | The Furukawa Electric Co.,Ltd. | Semiconductor laser module, and raman amplifier using the semiconductor laser module |
JP2002148489A (ja) * | 2000-11-07 | 2002-05-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザモジュールおよびその半導体レーザモジュールを用いたラマンアンプ |
KR100403723B1 (ko) * | 2001-06-23 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | 히트 싱크를 구비한 광 서브-어셈블리 |
WO2011152180A1 (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-08 | 株式会社Qdレーザ | レーザモジュールおよびその製造方法 |
JP2011253865A (ja) * | 2010-06-01 | 2011-12-15 | Qd Laser Inc | レーザモジュールおよびその製造方法 |
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