JPH10206246A - 物体温度の非接触測定装置及び方法 - Google Patents
物体温度の非接触測定装置及び方法Info
- Publication number
- JPH10206246A JPH10206246A JP9346525A JP34652597A JPH10206246A JP H10206246 A JPH10206246 A JP H10206246A JP 9346525 A JP9346525 A JP 9346525A JP 34652597 A JP34652597 A JP 34652597A JP H10206246 A JPH10206246 A JP H10206246A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- conductive element
- adjusting
- zero
- heat flux
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 24
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract 4
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 claims description 31
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 24
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 claims 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 31
- 238000004616 Pyrometry Methods 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/16—Special arrangements for conducting heat from the object to the sensitive element
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/0003—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry for sensing the radiant heat transfer of samples, e.g. emittance meter
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K1/00—Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
- G01K1/16—Special arrangements for conducting heat from the object to the sensitive element
- G01K1/165—Special arrangements for conducting heat from the object to the sensitive element for application in zero heat flux sensors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K13/00—Thermometers specially adapted for specific purposes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
おいて物体の温度を測定するためのシステム及び方法を
得ること。 【解決手段】このシステムは、物体の温度を測定するた
めの、物体に接近して配置されるべき温度測定装置を有
する。この温度測定装置は、熱伝導素子204、第1と
第2の温度センサ206と208、及び温度調節手段を
含む。第1と第2の温度センサは伝導素子204に取付
けられ、その各々が伝導素子の温度を測定する。温度調
節手段は、第1と第2の温度センサにおける温度が実質
的に同じになるまで伝導素子の温度をヒータ210によ
り調節する。これらの温度が等しくされたとき、伝導素
子への熱フラックスはゼロになり、伝導素子の温度が物
体の温度を表す。これにより、この装置は物体の温度を
非接触で正確に測ることができる。
Description
触測定するための方法および装置に関し、特に集積回路
の製造中に半導体ウェハの温度を非接触で測定する方法
および装置に関する。
中に半導体ウェハの正確な温度測定をする必要がある。
正確な温度測定は、製造プロセスの制御の重要な一部で
ある。前面の温度がプロセス特性を決定するので、ウェ
ハの前面の温度測定は、しばしば望ましいことである
ら、その温度測定はウェハ表面に接触することなく行わ
れなければならない。ウェハの前面に対して接触する
と、ウェハは汚染され、製造されたデバイスは損傷され
る。更に、ウエハの面に接触することにより、局部的に
ウェハの温度の望ましくない乱れが起きる。輻射による
高温測定法は、波長のある制限された帯域で高温物体に
よって放射される輻射を測定する非接触の温度測定技術
である。この技術は、一般に正確に、速く、しかも容易
に行われる。しかし、製造プロセスが低温処理へ移るに
従って、高温測定法を用いる温度測定は適当でなくな
る。この高温測定技術の1つの欠点は、温度測定が低温
(600℃以下)において益々雑音的になる。代表的な
冷たい壁の化学的気相堆積法が450℃から850℃の
温度範囲で動作する場合、600℃以下の温度測定の正
確性がどうしても必要である。高温測定法の他の欠点
は、それがスプリアスな輻射に敏感であり、またウェハ
から放射される輻射とウェハから反射され、或いはウェ
ハをとおして伝達される輻射の間で区別することができ
ないことである。ウェハ製造において、ウェハはしばし
ば背面に対して加熱されるので、加熱源からウェハを通
して伝達される輻射は、高温測定法の温度測定を実質的
に不明瞭にする。従って、高温測定法は、多くのウェハ
処理ステップ中に実行できる温度測定技術ではない。
の場所で非接触モードで物体の正確な温度測定をしばし
ば必要とする。従って、少なくとも0℃から1000℃
までの温度範囲にわてって正確な温度測定を行うことが
できる非接触温度測定方法および装置に対する必要性が
ある。
技術を用いることによって、少なくとも0℃から100
0℃までの温度範囲で正確な非接触温度測定を可能にす
る、非接触温度測定方法および装置である。本発明の温
度測定装置は、物体の温度を測定するために、物体に接
近して第1端に位置されるべき熱伝導性素子を含む。熱
伝導性素子は、熱フラックスが伝導性素子の第1端に導
びかれるように、物体からの熱エネルギーを吸収する。
温度調節装置が伝導性素子の温度を調節するように配置
される。温度調節装置は、伝導性素子の第1端への熱フ
ラックスがゼロに減少されるように、伝導性素子が物体
と熱平衡にされるまで、伝導性素子の温度を調節する。
位置に取付けられる。第1の温度センサーは、第2の温
度センサーより伝導性素子の第1端に接近して取り付け
られる。温度調節装置を制御するために温度調節制御が
行われる。調節制御は、調節装置を作動させて、2つの
温度センサーが実質的に同じ温度(例えば、±0.5
℃)を測定するまで、伝導性素子の温度を調節する。そ
の点で、伝導性素子は物体と熱平衡にあり、その結果伝
導性素子への正味の熱フラックスはゼロであり、且つ温
度センサーにおける温度は物体の温度を表す。
のような物体の温度を測定するためのシステム100の
好適な実施の形態が示されている。このシステム100
は、ゼロ熱フラックスに基づく非接触温度測定を達成す
る。システム100は、温度測定装置104、冷却液源
106、及びデータプロセッサ114とメモリ108を
含む制御装置107を有する。メモリ108は動作シス
テム110と制御プログラム112を含む。図1の好適
な実施形態において、測定装置104がウェハ102の
温度を測定するために配置される場合、その装置104
はウェハに102に接近して配置されるべきである。測
定装置104は第1の温度出力122と第2の温度出力
124を連続して発生し、各々の出力は装置104の温
度を表す。2つの温度出力122と124はインタフェ
ース116へ供給され、そしてメモリ108に記憶され
る。
112を実行し、第1と第2の温度出力122と124
の値に基づいたヒータ電力信号120に対する適切な値
を計算する。好適な実施の形態において、冷却液供給ラ
イン126を介して測定装置をとおる冷却液の流れは一
定である。測定装置への冷却液の流れはウェハ102の
温度で、或いはその温度以下で装置の温度を維持するよ
うに働く。ヒータコイル210(図2参照)によって測
定装置へ伝達される熱の量は、ヒータ電力信号120を
介してヒータコイル210へ伝達される電力の量によっ
て支配される。測定装置104によって測定された熱フ
ラックスが、測定装置104がウェハ102と熱平衡に
あることを指示するゼロになるまで、冷却液の循環とヒ
ータ電力信号120は、測定装置104の温度を調節す
るために協力して動作する。ゼロの熱フラックス状態
は、第1の温度出力122と第2の温度出力124が実
質的に等しい(例えば、±0.5℃)場合に達成され
る。ゼロの熱フラックス状態に達すると、ウェハ102
の温度は第1と第2の温度出力122と124によって
表される。温度測定装置104の動作は図2を参照する
ことによって明らかになるであろう。
いられるべき環境に依存して、熱平衡と一致するセンサ
の温度測定の最大の差は測定されている温度に依存して
変化する。代表的には、600℃以下のような低い温度
測定に対して、センサの測定の小さな差は高い温度測定
に対してよりも必要とされる。例えば、±0.5℃のセ
ンサの最大差は600℃以下の温度に対して用いられて
よい。第2の好適な実施の形態において、測定装置をと
おる冷却液の流れが可変で、データプロセッサ114は
冷却液の循環制御信号118を計算して、冷却液源10
6から冷却液の供給ライン126を介して測定装置10
4への冷却液の循環を調節する。冷却液の循環制御信号
118は、ウェハ102の温度、或いはそれ以下に測定
装置104の温度を維持するように動作する。
断面図が示されている。温度測定装置104は、この実
施形態において円筒状に形成された熱伝導素子204を
有する。好適な実施形態において、熱伝導素子はアルミ
ナ(アルミニウム酸化物)から形成される。応用によれ
ば、熱伝導素子は良好な熱伝導体であるが、しかし制御
装置が温度センサ206、208間で熱の平衡および非
平衡の間で区別することができるように、充分な熱勾配
を生じることができるものの材料から形成される必要が
ある。図2に示されるように、測定装置104は、その
端部の一方、即ち第1の端部でウェハ102から距離δ
に配置されるべきである。距離δは伝導素子204の直
径より非常に小さくなければならない。第1の温度セン
サ206は第1の端部近くの伝導素子204に取り付け
られる。第2の温度センサ208は、第1の端部からは
なれ、しかも第1の温度センサ206から離間されて伝
導素子204に取り付けられる。好適な実施の形態にお
いて、電気ヒータコイル210が伝導素子204に取付
けられて、第2の温度センサ208に近接するゾーンを
加熱する。冷却液の入口214と出口216は、冷却液
供給ライン126に接続されて、冷却液源106から測
定装置104へ冷却液212の循環を与える。冷却液2
12は、伝導素子204の第1の端部の反対側で循環さ
れ、伝導素子204の温度を下げるように働く。冷却液
212と電気ヒータ210は、伝導素子204の温度を
調節するために共に機能する。
素子204と冷却液212を取り囲む絶縁シース202
も有する。この絶縁シースは、測定装置104の熱安定
性と温度測定の精度を向上するように、同軸状の熱フラ
ックスに対して絶縁するのに充分な材料で具現化される
べきである。例えば、絶縁シースはクォーツ、即ち融解
石英から形成された中空のチューブである。更に、融解
石英、即ちクォーツのチューブは、追加の熱絶縁を与え
る小さな空隙によって、棒状の伝導素子から分離されて
もよい。温度測定装置104の動作は図1と図2を参照
して理解することができる。測定装置104をウェハか
ら距離δだけ離して位置決めした後、伝導素子204は
ウェハ102から放射される熱エネルギーを吸収する。
第1と第2の温度センサ206と208は、伝導素子2
04の第1の温度と第2の温度を測定する。好適な実施
の形態において、伝導素子204は、ウェハ102の温
度、或いはそれより僅か下の温度に維持される必要があ
る。その結果、第1の温度の初期値は第2の温度の初期
値より大きく、熱フラックスは伝導素子204をとおっ
て導通する。第1と第2の温度読み取りはメモリ108
に順に供給される第1と第2の温度出力122と124
に結合される。データプロセッサ114は制御プログラ
ムを実行し、第1と第2の温度出力122と124に基
づいて、ヒータ電力信号120の適切な値を計算する。
その後、ヒータ電力信号120は電気ヒータコイル21
0を作動して、伝導素子204の温度を、第1の温度が
第2の温度と実質的に等しく(例えば、±0.5℃)ま
で上昇する。これら2つの温度が等しくなると、伝導素
子204はウェハ102と熱平衡にあると言われ、ウェ
ハから伝導素子への熱フラックスはゼロにである。熱フ
ラックスがゼロになると、伝導素子204の温度はウェ
ハの温度と等しくなる。ウェハ102の温度は、メモリ
108に記憶された第1の温度出力122、或いは第2
の温度出力124の何れかに等しい。
確な非接触温度測定を行うことができる。この測定装置
の利点は、それがウェハ102の温度で動作して、ウェ
ハ102の表面温度の乱れを最小にすることである。こ
の測定装置の他の利点は、高温(例えば、1000℃或
いはそれより高い温度)ばかりでなく、低温(例えば、
0℃或いはそれより低い温度)において正確であること
である。本発明は、幾つかの特定の実施形態に関して説
明されたが、それは本発明の例示であり、本発明を限定
して解釈されるべきでない。当業者は、請求項によって
定義された本発明の真の精神および範囲から逸脱するこ
となく、いろいろな変更を行なうことができるであろ
う。
置の好適な実施形態のブロック図である。
装置の断面図である。
Claims (15)
- 【請求項1】温度測定装置であって、 第1の端部を有する熱伝導素子、前記第1の端部が物体
から離れて、接触しない距離に配置され、前記物体は前
記伝導素子の方向に熱エネルギーを放射し、前記距離は
第1の端部の大きさより小さいことを特徴とし、 前記第1の端部への熱フラックスがゼロであるように、
前記伝導素子を前記物体と熱平衡にするために、前記熱
伝導素子の温度を調節するための温度調節手段、及び前
記第1への熱フラックスがゼロであるとき、前記第1の
温度は前記物体の温度を表すように、前記伝導素子の第
1の温度を測定するための、前記伝導素子に取付けられ
た第1の温度センサ、を有することを特徴とする装置。 - 【請求項2】更に、前記伝導素子の第2の温度を測定す
るための、前記伝導素子に取付けられた第2の温度セン
サ、前記第1の温度センサは、前記第2の温度センサよ
り前記第1の端部に接近して配置され、及び前記伝導素
子は前記物体と熱平衡にあり、前記第1の端部への熱フ
ラックスがゼロであるように、前記第1と第2の温度を
等しくするために、前記温度調節手段を作動するための
温度調節制御装置、を有することを特徴とする請求項1
に記載の装置。 - 【請求項3】前記温度調節手段は、前記第2の温度セン
サに接近したゾーンを加熱するための、前記伝導素子に
取付けられた電気ヒータ、 前記装置に冷却液を循環するための冷却液の入口と出
口、及び前記物体の温度、或いはそれ以下に前記装置の
温度を維持するために、前記装置へ冷却液を導くため
の、前記冷却液の入口と出口に結合された冷却液源、を
有することを特徴とする請求項2に記載の装置。 - 【請求項4】更に、前記装置を熱的に安定するために、
前記第1の端部を除いて前記装置の全てを実質的に取り
囲む熱的に絶縁するシース、を有することを特徴とする
請求項3に記載の装置。 - 【請求項5】前記熱伝導素子はアルミナから作られた円
筒状の棒であることを特徴とする請求項1に記載の装
置。 - 【請求項6】前記第1と第2の温度センサは熱伝対を含
むことを特徴とする請求項2に記載の装置。 - 【請求項7】更に、互いに離間し、且つ第1の温度セン
サから離間した前記伝導素子に取付けられた複数の温度
センサを有し、 前記温度調節手段は、第1の温度センサと複数の温度セ
ンサの温度を等しくすることによって、前記伝導素子を
前記物体と熱平衡にすることを特徴とする請求項1に記
載の装置。 - 【請求項8】非接触温度測定システムであって、 物体の温度を測定するための、熱伝導素子及び第1の温
度センサを有する温度測定装置、 前記熱伝導素子は、前記物体から離れた距離に位置され
るべき第1の端部を有し、前記距離は前記第1の端部の
大きさより小さく、 第1の温度センサは前記熱伝導素子に取付けられて、前
記第1の端部への熱フラックスがゼロであるとき前記物
体の温度を表すように、前記熱伝導素子の第1の温度を
測定し、 前記第1の端部に吸収された熱フラックスがゼロである
ように、前記伝導素子を前記物体と熱平衡にするため
に、前記伝導素子の温度を調節するための温度調節手
段、 前記温度調節手段を調節するための、温度調節制御信号
を発生するデータプロセッサ、及び前記第1の温度セン
サからの第1の温度を受信し、前記温度調節手段を調節
するために、命令を含む前記データプロセッサによって
実行のための制御プログラムを記憶するメモリであっ
て、更に前記第1の温度を表すデータを記憶するメモ
リ、を有することを特徴とするシステム。 - 【請求項9】前記第1の温度センサが前記第2の温度セ
ンサより前記第1の端部に接近して配置された場合に、
前記温度測定装置は、更に前記伝導素子の第2の温度を
測定するための、前記伝導素子に取付けられた第2の温
度センサを有し、 前記メモリは、更に前記第2の温度の値を更に記憶し、 前記データプロセッサは、前記第1と第2の温度に基づ
いて、前記温度調節制御信号を発生し、且つ前記温度調
節制御信号は、前記第1の端部への熱フラックスがゼロ
であるように、第1と第2の温度を等しくするように、
前記温度調節手段を調節する、ことを特徴とする請求項
8に記載のシステム。 - 【請求項10】前記温度調節手段は、 前記伝導素子の温度を上昇するための、ヒータ電力制御
信号によって制御された電気ヒータ、及び前記装置へ冷
却液の循環を与えるための、冷却循環制御信号によって
制御された冷却液源を備え、 前記データプロセッサは、前記第1の端部への熱フラッ
クスがゼロであるように、第1と第2の温度を等しくす
るように、前記ヒータ電力と冷却液の循環制御信号を発
生することを特徴とする請求項9に記載のシステム。 - 【請求項11】前記温度測定装置は、前記装置を熱的に
安定するために、前記第1の端部を除いて絶縁シースに
よって実質的に囲まれていることを特徴する請求項10
に記載のシステム。 - 【請求項12】温度測定システム上で実行されるプログ
ラムによってアクセスするためのデータを記憶するメモ
リであって、 温度測定装置と温度調節手段を制御するための命令を含
む制御手順、前記装置は物体の温度を測定するために用
いられ、且つ熱伝導素子と前記伝導素子に取付けられた
複数の温度センサからなり、 前記制御手順は、前記伝導素子へ吸収される熱フラック
スがゼロであるように、前記複数の温度センサにおける
温度を等しくするように、前記複数の温度センサと命令
によってなされた温度測定を表すデータを記憶し、前記
温度調節手段の動作を調節するための少なくとも1つの
制御信号を計算する命令を含む、ことを特徴とするメモ
リ。 - 【請求項13】前記温度調節手段は、電気ヒータと冷却
液源を含み、 前記制御手順は、複数の温度センサにおける温度を等し
くするために、ヒータ電力を調節することによって前記
ヒータを調節する第1の制御信号を発生する命令を含
み、且つ前記制御手順は、更に前記物体の温度或いはそ
れ以下に前記装置の温度を維持するための前記装置に、
冷却液の循環を制御することによって前記冷却源を調節
するために、第2の制御信号を発生する命令を含む、こ
とを特徴とする請求項12に記載のメモリ。 - 【請求項14】物体の温度を測定する方法であって、 前記物体に接近するが、接触しないで温度測定装置を位
置するステップであって、前記装置は熱伝導素子と前記
熱伝導素子に取付けられた複数の温度センサを有し、 前記複数の温度センサから複数の温度測定を得るステッ
プ、及び前記伝導素子への熱フラックスがゼロであり、
前記複数の温度測定が前記物体の温度を表すことを指示
して、前記複数の温度測定が実質的に等しくなるまで、
前記伝導素子の温度を調節するステップ、を有すること
を特徴とする方法。 - 【請求項15】更に、前記伝導素子の温度を調節するた
めに、電気ヒータと冷却液源を設けるステップと、 複数の温度測定が同じになるまで前記伝導素子の温度を
上昇するように電気ヒータを調節するステップと、 前記物体の温度、或いはそれ以下に前記装置の温度を維
持するために、前記装置への冷却液の循環を制御するス
テップ、を有することを特徴とする請求項14に記載の
方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/768,915 US5884235A (en) | 1996-12-17 | 1996-12-17 | Non-contact, zero-flux temperature sensor |
US08/768915 | 1996-12-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10206246A true JPH10206246A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=25083864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9346525A Pending JPH10206246A (ja) | 1996-12-17 | 1997-12-16 | 物体温度の非接触測定装置及び方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5884235A (ja) |
JP (1) | JPH10206246A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012504750A (ja) * | 2008-07-31 | 2012-02-23 | ジーイー・インフラストラクチャー・センシング・インコーポレイテッド | 温度平衡を用いる温度センサ用のシステム及び方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB0103886D0 (en) * | 2001-02-16 | 2001-04-04 | Baumbach Per L | Temperature measuring device |
US6641301B2 (en) * | 2001-04-09 | 2003-11-04 | Exergen Corporation | Radiation detector with passive air purge and reduced noise |
JP3812884B2 (ja) * | 2001-06-27 | 2006-08-23 | 日本電信電話株式会社 | 温度検出方法および温度検出器 |
US6907364B2 (en) * | 2002-09-16 | 2005-06-14 | Onwafer Technologies, Inc. | Methods and apparatus for deriving thermal flux data for processing a workpiece |
EP2419004B1 (en) * | 2009-04-15 | 2017-07-19 | 3M Innovative Properties Company | Deep tissue temperature probe constructions |
US9310257B2 (en) * | 2009-04-15 | 2016-04-12 | 3M Innovative Properties Company | Deep tissue temperature probe constructions |
US8226294B2 (en) * | 2009-08-31 | 2012-07-24 | Arizant Healthcare Inc. | Flexible deep tissue temperature measurement devices |
US8292502B2 (en) | 2010-04-07 | 2012-10-23 | Arizant Healthcare Inc. | Constructions for zero-heat-flux, deep tissue temperature measurement devices |
US8292495B2 (en) | 2010-04-07 | 2012-10-23 | Arizant Healthcare Inc. | Zero-heat-flux, deep tissue temperature measurement devices with thermal sensor calibration |
US9134186B2 (en) | 2011-02-03 | 2015-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Process condition measuring device (PCMD) and method for measuring process conditions in a workpiece processing tool configured to process production workpieces |
US9354122B2 (en) | 2011-05-10 | 2016-05-31 | 3M Innovative Properties Company | Zero-heat-flux, deep tissue temperature measurement system |
JP2023534894A (ja) * | 2020-06-30 | 2023-08-15 | マツクス-プランク-ゲゼルシヤフト ツール フエルデルング デル ヴイツセンシヤフテン エー フアウ | 蒸発したソース材料のフラックス分布を制御するための方法、ソース表面で反射された電磁放射を測定するための検出器、及び、電磁放射を用いた熱蒸発のためのシステム |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0250841B1 (de) * | 1986-06-20 | 1994-07-27 | Lehmann, Martin | Verfahren zum berührungslosen Messen einer Temperatur von einem Körper sowie Anordnung hierfür |
US5294200A (en) * | 1989-11-01 | 1994-03-15 | Luxtron Corporation | Autocalibrating dual sensor non-contact temperature measuring device |
US5054936A (en) * | 1989-11-16 | 1991-10-08 | Jacob Fraden | Sensor for active thermal detection |
US5106200A (en) * | 1990-12-20 | 1992-04-21 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for measuring temperature of wafer |
JP3451107B2 (ja) * | 1992-10-05 | 2003-09-29 | 株式会社エコ・トゥエンティーワン | 電子冷却装置 |
US5645349A (en) * | 1994-01-10 | 1997-07-08 | Thermoscan Inc. | Noncontact active temperature sensor |
US5464284A (en) * | 1994-04-06 | 1995-11-07 | Luxtron Corporation | Autocalibrating non-contact temperature measuring technique employing dual recessed heat flow sensors |
US5730528A (en) * | 1996-08-28 | 1998-03-24 | Lockheed Martin Energy Systems, Inc. | High temperature thermometric phosphors for use in a temperature sensor |
-
1996
- 1996-12-17 US US08/768,915 patent/US5884235A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-12-16 JP JP9346525A patent/JPH10206246A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012504750A (ja) * | 2008-07-31 | 2012-02-23 | ジーイー・インフラストラクチャー・センシング・インコーポレイテッド | 温度平衡を用いる温度センサ用のシステム及び方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5884235A (en) | 1999-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6798036B2 (en) | Temperature measuring method and apparatus in semiconductor processing apparatus, and semiconductor processing method and apparatus | |
US6191399B1 (en) | System of controlling the temperature of a processing chamber | |
US7311782B2 (en) | Apparatus for active temperature control of susceptors | |
JP4495340B2 (ja) | ウェーハ温度ランピング中でのウェーハの放射状温度勾配制御方法および装置 | |
JPH10206246A (ja) | 物体温度の非接触測定装置及び方法 | |
US4956043A (en) | Dry etching apparatus | |
TW473807B (en) | Adaptive temperature controller and method of operation | |
JP2014153168A (ja) | 放射率測定装置及び放射率測定方法 | |
JPH0792037A (ja) | 温度計校正装置 | |
JP4829833B2 (ja) | 温度推定方法および温度推定装置 | |
JP3931357B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH06117938A (ja) | 基準黒体の温度制御装置 | |
JPH03145121A (ja) | 半導体熱処理用温度制御装置 | |
JP2982026B2 (ja) | 温度測定装置とこれを用いた被加熱体の温度測定装置 | |
JP2002353116A (ja) | 荷電粒子描画装置 | |
JPH0476618B2 (ja) | ||
KR100331023B1 (ko) | 냉각수단을 구비한 히터 조립체 | |
JP2003195952A (ja) | 熱媒流体を用いて対象物の温度を調節するための装置及び方法 | |
JPH10104147A (ja) | 熱重量測定装置 | |
JP2001289714A (ja) | 基板の温度計測方法及び計測装置、並びに基板の処理装置 | |
KR101002939B1 (ko) | 히터의 다중 온도 제어시스템 | |
KR100858529B1 (ko) | 반도체 제조장비의 온도제어장치 | |
JPH04363026A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPS62144211A (ja) | 温度制御装置 | |
JPH02166728A (ja) | 半導体熱処理装置およびその制御方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041216 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041216 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060904 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20061204 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20061207 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070611 |