JPH10199794A - Aligner and its method - Google Patents
Aligner and its methodInfo
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- JPH10199794A JPH10199794A JP398597A JP398597A JPH10199794A JP H10199794 A JPH10199794 A JP H10199794A JP 398597 A JP398597 A JP 398597A JP 398597 A JP398597 A JP 398597A JP H10199794 A JPH10199794 A JP H10199794A
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- contraction
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置および方
法に関する。[0001] The present invention relates to an exposure apparatus and method.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、露光装置として、例えばレンズ縮
小投影露光装置は、露光ステージの上に載置された基板
(シリコンウェハー)を1ショットずつステップ移動さ
せて基板に割り当てられたショットにパターンを露光す
る。ここで、ショットとは1回の露光で照射される領域
であり、例えば1枚の基板には64(=8×8)のショ
ットが割り当てられている(図2参照)。2. Description of the Related Art Conventionally, as an exposure apparatus, for example, a lens reduction projection exposure apparatus moves a substrate (silicon wafer) mounted on an exposure stage step by step by one shot to form a pattern on a shot assigned to the substrate. Expose. Here, a shot is an area irradiated by one exposure, and for example, 64 (= 8 × 8) shots are assigned to one substrate (see FIG. 2).
【0003】露光ステージに載置された基板は高温工程
などのプロセス処理の影響で通常、伸縮している状態に
あるので、ステップ移動させる基板のステップ量はその
伸縮量に応じて設定される。このとき、伸縮量はショッ
トに形成された位置検出マークの座標を例えば10ショ
ット分統計処理することにより理論値との差から算出さ
れ、算出された伸縮量に基づいて全てのショットの座標
が算出される。[0003] The substrate mounted on the exposure stage is usually expanded and contracted by the influence of a process such as a high-temperature process. Therefore, the step amount of the substrate to be step-moved is set in accordance with the amount of expansion and contraction. At this time, the amount of expansion and contraction is calculated from the difference from the theoretical value by statistically processing, for example, 10 shots of the coordinates of the position detection mark formed on the shot, and the coordinates of all shots are calculated based on the calculated amount of expansion and contraction. Is done.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、高温工
程などのプロセス処理の影響により基板は単に伸縮する
だけでなく、拡大して見るとうねっていたり傾いていた
りする場合がある(図5参照)。従来では基板が傾いて
いる状態であっても、そのまま位置検出マークの座標を
測定していたので、伸縮量に誤差が生じていた。すなわ
ち、図6に示すように測定される位置検出マークの座標
には誤差(x/cosθ−x)が生じているので、その
ままパータンを露光すると誤差分だけ合わせずれが生じ
てしまう。However, the substrate may not only expand and contract due to the effects of a process such as a high-temperature process, but may also undulate or tilt when viewed in an enlarged manner (see FIG. 5). Conventionally, even when the substrate is tilted, the coordinates of the position detection marks are measured as they are, so that an error occurs in the amount of expansion and contraction. That is, since an error (x / cos θ−x) is generated in the coordinates of the position detection mark measured as shown in FIG. 6, if the pattern is exposed as it is, a misalignment will occur due to the error.
【0005】そこで、本発明は、基板の伸縮量を算出し
てステップ移動させる際、合わせずれが生じることなく
パターンを露光することができる露光装置および方法を
提供することを目的とする。Accordingly, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus and method capable of exposing a pattern without causing misalignment when calculating the amount of expansion and contraction of a substrate and performing step movement.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の請求項1に記載の露光装置は、露光ステー
ジに載置された基板の伸縮量を算出する伸縮量算出手段
を備え、該算出された伸縮量に応じたステップ量だけ前
記基板を移動して露光する露光装置において、前記露光
ステージに載置された基板の傾き量を算出する傾き量算
出手段と、該算出された傾き量で前記算出される伸縮量
を補正する伸縮量補正手段とを備えたことを特徴とす
る。To achieve the above object, an exposure apparatus according to a first aspect of the present invention includes an expansion / contraction amount calculating means for calculating an expansion / contraction amount of a substrate placed on an exposure stage. An exposure apparatus for moving and exposing the substrate by a step amount according to the calculated expansion and contraction amount, and an inclination amount calculating means for calculating an inclination amount of the substrate mounted on the exposure stage; An expansion / contraction amount correction unit that corrects the calculated expansion / contraction amount with the amount of inclination.
【0007】また、1回の露光で照射される領域を示す
ショットが前記基板に複数割り当てられており、前記伸
縮量算出手段は、前記ショットに形成された位置検出マ
ークの座標を測定する座標測定手段を備え、前記伸縮量
補正手段は、該測定された位置検出マークの座標を前記
傾き量で補正することが好ましい。さらに、前記傾き量
算出手段は、前記ショットの少なくとも2箇所に光源か
らの光が照射される測定領域を設定し、該設定された測
定領域で反射される光が合焦するように前記基板が載置
された露光ステージを移動させ、該移動量から前記傾き
量を算出することか好ましい。また、レンズ縮小投影露
光装置に適用されることが好ましい。A plurality of shots indicating an area irradiated in one exposure are assigned to the substrate, and the expansion / contraction amount calculating means measures a coordinate of a position detection mark formed on the shot. It is preferable that a means for correcting the amount of expansion and contraction is provided, and the means for correcting the amount of expansion and contraction corrects the coordinates of the measured position detection mark with the amount of inclination. Further, the tilt amount calculating means sets a measurement area where at least two points of the shot are irradiated with light from a light source, and sets the substrate such that the light reflected by the set measurement area is focused. Preferably, the mounted exposure stage is moved, and the tilt amount is calculated from the movement amount. Further, it is preferable that the present invention is applied to a lens reduction projection exposure apparatus.
【0008】請求項5に記載の露光方法は、露光ステー
ジに載置された基板の伸縮量を算出し、該算出された伸
縮量に応じたステップ量だけ前記基板を移動して露光す
る露光方法において、前記露光ステージに載置された基
板の傾き量を算出し、該算出された傾き量で前記算出さ
れる伸縮量を補正することを特徴とする。An exposure method according to claim 5, wherein the amount of expansion and contraction of the substrate placed on the exposure stage is calculated, and the substrate is exposed by moving the substrate by a step amount corresponding to the calculated amount of expansion and contraction. Wherein the amount of inclination of the substrate placed on the exposure stage is calculated, and the calculated amount of expansion / contraction is corrected using the calculated amount of inclination.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】本発明の露光装置および方法の実
施の形態について説明する。本実施形態における露光装
置はレンズ縮小投影露光装置に適用される。図1は実施
の形態における露光装置の要部の構成を概略的に示す図
である。露光装置は装置本体1、縮小投影レンズ4、露
光ステージ5などから構成されている。また、装置本体
1には全体を制御する制御部(図示せず)が設けられて
おり、制御部は後述する伸縮量算出処理手順などの制御
プログラムを実行して露光ステージ5をステップ移動さ
せ、露光ステージ5に載置されたシリコンウェハーなど
の基板6の上に縮小投影レンズ4を介してパターンを露
光する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of an exposure apparatus and method according to the present invention will be described. The exposure apparatus according to the present embodiment is applied to a lens reduction projection exposure apparatus. FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a main part of an exposure apparatus according to an embodiment. The exposure apparatus includes an apparatus body 1, a reduction projection lens 4, an exposure stage 5, and the like. Further, the apparatus main body 1 is provided with a control unit (not shown) for controlling the whole, and the control unit executes a control program such as an expansion / contraction amount calculation processing procedure to be described later to move the exposure stage 5 step by step. A pattern is exposed on a substrate 6 such as a silicon wafer mounted on an exposure stage 5 via a reduction projection lens 4.
【0010】図2は基板6の平面を示す図である。1枚
の基板6には1回の露光で照射される領域を示すショッ
トが8×8(=64)箇所に割り当てられている。ま
た、この露光装置では光源7、振動子3、受光スリット
2、オートフォーカスセンサ9、中継基板8などから露
光ステージ5に載置された基板の傾き量を測定する傾き
量測定機構が構成されており、光源7から基板6に向け
て照射された光がオートフォーカスセンサ9で合焦する
ように露光ステージ5を上下に動かし、その移動量から
後述するようにショットの傾き量θを測定する。露光ス
テージ5に載置されたシリコンウェハーなどの基板6
は、前述したように高温工程などのプロセス処理の影響
で伸縮していたり、傾いていたりするので、これらを考
慮して露光ステージ5を移動させるステップ量を設定し
なければならない。FIG. 2 is a plan view of the substrate 6. Shots indicating regions irradiated by one exposure are assigned to 8 × 8 (= 64) locations on one substrate 6. Further, in this exposure apparatus, a tilt amount measuring mechanism configured to measure the tilt amount of the substrate placed on the exposure stage 5 from the light source 7, the vibrator 3, the light receiving slit 2, the autofocus sensor 9, the relay substrate 8, and the like is configured. The exposure stage 5 is moved up and down so that the light emitted from the light source 7 toward the substrate 6 is focused by the autofocus sensor 9, and the amount of tilt θ of the shot is measured from the amount of movement as described later. Substrate 6 such as a silicon wafer mounted on exposure stage 5
As described above, the length of the exposure stage 5 is expanded or contracted or inclined by the influence of the process such as the high-temperature process. Therefore, the step amount for moving the exposure stage 5 must be set in consideration of these factors.
【0011】図3は伸縮量算出処理手順を示すフローチ
ャートである。まず、基板6に割り当てられた64ショ
ットのうち任意の10ショットに形成された位置検出マ
ーク16の座標xを測定する(ステップS1)。図5は
位置検出マーク16が形成されたショットを示す図であ
る。同図(A)はショットの平面を示し、同図(B)は
その傾きを示す。FIG. 3 is a flowchart showing the procedure for calculating the amount of expansion and contraction. First, the coordinates x of the position detection marks 16 formed in arbitrary 10 shots among the 64 shots allocated to the substrate 6 are measured (step S1). FIG. 5 is a view showing a shot in which the position detection mark 16 is formed. FIG. 1A shows a plane of a shot, and FIG. 1B shows its inclination.
【0012】つづいて、位置検出マーク16の座標が測
定されたショットの傾き量θを測定する(ステップS
2)。図4はショットの傾き量θの測定手順を示すフロ
ーチャートである。ショットの中心Oから距離G離れた
測定点a1、測定点a2をショットの隅に設定し(ステ
ップS11)、設定された測定点a1の高さF1および
測定点a2の高さF2を測定する(ステップS12)。
光源7から設定された測定点a1、a2に向けて光を照
射し、反射された光がオートフォーカスセンサ9で合焦
するように露光ステージ5を上下に動かし、その移動量
から測定点a1の高さF1および測定点a2の高さF2
を測定する。測定された高さF1、F2から1ショット
の傾き量θを〔数1〕にしたがって算出する(ステップ
S13)。Subsequently, the inclination θ of the shot at which the coordinates of the position detection mark 16 are measured is measured (step S).
2). FIG. 4 is a flowchart showing a procedure for measuring the shot tilt amount θ. The measurement point a1 and the measurement point a2 which are away from the center O of the shot by the distance G are set at the corners of the shot (step S11), and the height F1 of the set measurement point a1 and the height F2 of the measurement point a2 are measured (step S11). Step S12).
Light is emitted from the light source 7 toward the set measurement points a1 and a2, and the exposure stage 5 is moved up and down so that the reflected light is focused by the autofocus sensor 9. Height F1 and height F2 of measurement point a2
Is measured. The inclination amount θ of one shot is calculated from the measured heights F1 and F2 according to [Equation 1] (step S13).
【0013】[0013]
【数1】θ=tan-1((F1−F2)/2G)## EQU1 ## θ = tan-1 ((F1-F2) / 2G)
【0014】つづいて、〔数2〕によりステップS1で
測定された位置検出マークの座標xをステップ2で測定
されたショットの傾き量θで補正する(ステップS
3)。Then, the coordinate x of the position detection mark measured in step S1 is corrected by [Equation 2] using the inclination θ of the shot measured in step 2 (step S2).
3).
【0015】[0015]
【数2】xa=x/θ−xXa = x / θ-x
【0016】ここで、xはショットの傾き量θを補正す
る前の位置検出マーク16の座標であり、xaはショッ
トの傾き量θを補正した後の位置検出マーク16の座標
である。図6はショットの傾きおよびx、θの関係を示
す図である。Here, x is the coordinates of the position detection mark 16 before correcting the shot tilt amount θ, and xa is the coordinates of the position detection mark 16 after correcting the shot tilt amount θ. FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the shot inclination and x and θ.
【0017】ショットの傾き量θが補正された位置検出
マーク16の座標xaを統計処理し、基板6の中心から
位置検出マーク16までの距離を理論値A、実測値A’
として伸縮量Bを〔数3〕にしたがって算出する(ステ
ップS4)。Statistical processing is performed on the coordinates xa of the position detection mark 16 in which the shot tilt amount θ has been corrected, and the distance from the center of the substrate 6 to the position detection mark 16 is calculated by the theoretical value A and the measured value A ′.
Is calculated according to [Equation 3] (step S4).
【0018】[0018]
【数3】伸縮量B=(A’−A)/A## EQU3 ## The amount of expansion and contraction B = (A'-A) / A
【0019】これにより、高温工程などのプロセス処理
によって伸縮した基板6の伸縮量が正確に算出される。
この後、ショット間のステップピッチをCとして、露光
装置は〔数4〕に示すステップ量で露光ステージ5を順
次移動させて各ショットにパターンを露光する。Thus, the amount of expansion and contraction of the substrate 6 expanded and contracted by a process such as a high-temperature process is accurately calculated.
Thereafter, with the step pitch between shots as C, the exposure apparatus sequentially moves the exposure stage 5 by a step amount shown in [Equation 4] to expose a pattern to each shot.
【0020】[0020]
【数4】 ステップ量=(1+伸縮量B)×ステップピッチC## EQU00004 ## Step amount = (1 + extension / contraction amount B) .times.step pitch C
【0021】このように、本実施形態の露光装置によれ
ば、各ショットの傾き量θを考慮して伸縮量を算出する
ことにより基板6を正確にステップ移動させることがで
き、合わせずれが生じることなく基板にパターンを露光
できる。尚、上記実施形態では、X座標についてだけ示
したが、Y座標についても同様にショットの傾き量θを
考慮して伸縮量を算出してもよい。また、本実施形態で
は位置検出マーク16が測定されたショットについてだ
けその傾き量θを測定したが、基板6に割り当てられた
全てのショットについてその傾き量θを測定して統計処
理を行ってもよい。さらに、統計処理を行うことによっ
て各ショットの傾き量がわかるショットだけを選択して
測定してもよい。As described above, according to the exposure apparatus of the present embodiment, the substrate 6 can be accurately step-moved by calculating the amount of expansion and contraction in consideration of the amount of inclination θ of each shot, and misalignment occurs. The pattern can be exposed on the substrate without any need. In the above-described embodiment, only the X coordinate is shown. However, the Y coordinate may be calculated in consideration of the inclination θ of the shot. Further, in the present embodiment, the tilt amount θ is measured only for the shot in which the position detection mark 16 is measured. However, the statistical processing may be performed by measuring the tilt amount θ for all shots allocated to the substrate 6. Good. Furthermore, it is also possible to select and measure only shots for which the amount of inclination of each shot is known by performing statistical processing.
【0022】[0022]
【発明の効果】本発明の請求項1に記載の露光装置によ
れば、伸縮量算出手段により露光ステージに載置された
基板の伸縮量を算出し、該算出された伸縮量に応じたス
テップ量だけ前記基板を移動して露光する際、傾き量算
出手段により前記露光ステージに載置された基板の傾き
量を算出し、伸縮量補正手段により該算出された傾き量
で前記算出される伸縮量を補正するので、基板の伸縮量
を算出してステップ移動させる際、合わせずれが生じる
ことなくパターンを露光することができる。According to the exposure apparatus of the first aspect of the present invention, the amount of expansion and contraction of the substrate placed on the exposure stage is calculated by the amount of expansion and contraction calculation means, and the step corresponding to the calculated amount of expansion and contraction is performed. When exposing the substrate by moving the substrate by an amount, the amount of inclination of the substrate mounted on the exposure stage is calculated by the amount of inclination calculating means, and the calculated expansion and contraction is performed by the calculated amount of inclination by the expansion and contraction amount correcting means. Since the amount is corrected, the pattern can be exposed without causing misalignment when calculating the amount of expansion and contraction of the substrate and moving the substrate in steps.
【0023】請求項2に記載の露光装置によれば、1回
の露光で照射される領域を示すショットが前記基板に複
数割り当てられており、前記伸縮量算出手段は、前記シ
ョットに形成された位置検出マークの座標を測定する座
標測定手段を備え、前記伸縮量補正手段は、該測定され
た位置検出マークの座標を前記傾き量で補正するので、
ショット単位に複数測定することにより統計処理の精度
を高めることができる。また、位置検出マークの座標の
測定および傾き量の算出を同一のショット内で行うこと
ができ、効率を高めることができる。According to the exposure apparatus of the present invention, a plurality of shots indicating an area irradiated by one exposure are assigned to the substrate, and the expansion / contraction amount calculating means is provided for the shot. It is provided with coordinate measuring means for measuring the coordinates of the position detection mark, and the expansion and contraction amount correction means corrects the measured coordinates of the position detection mark with the inclination amount,
The accuracy of the statistical processing can be improved by performing a plurality of measurements for each shot. Further, the measurement of the coordinates of the position detection mark and the calculation of the amount of tilt can be performed within the same shot, and the efficiency can be improved.
【0024】請求項3に記載の露光装置によれば、前記
傾き量算出手段は、前記ショットの少なくとも2箇所に
光源からの光が照射される測定領域を設定し、該設定さ
れた測定領域で反射される光が合焦するように前記基板
が載置された露光ステージを移動させ、該移動量から前
記傾き量を算出するので、傾き量測定機構を容易に付属
させることができ、露光ステージの機能を活かして簡単
に傾き量を測定できる。According to the third aspect of the present invention, the tilt amount calculating means sets a measurement area where at least two points of the shot are irradiated with light from a light source, and sets the measurement area in the set measurement area. The exposure stage on which the substrate is mounted is moved so that the reflected light is focused, and the inclination amount is calculated from the movement amount, so that an inclination amount measurement mechanism can be easily attached, and the exposure stage By utilizing the function of, the amount of tilt can be easily measured.
【0025】請求項4に記載の露光装置によれば、レン
ズ縮小投影露光装置に適用されるので、レンズ縮小投影
露光装置においてパターンの合わせずれを解消できる。According to the exposure apparatus of the fourth aspect, since the present invention is applied to a lens reduction projection exposure apparatus, pattern misalignment can be eliminated in the lens reduction projection exposure apparatus.
【0026】請求項5に記載の露光方法によれば、露光
ステージに載置された基板の伸縮量を算出し、該算出さ
れた伸縮量に応じたステップ量だけ前記基板を移動して
露光する露光方法において、前記露光ステージに載置さ
れた基板の傾き量を算出し、該算出された傾き量で前記
算出される伸縮量を補正するので、基板の伸縮量を算出
してステップ移動させる際、合わせずれが生じることな
くパターンを露光することができる。According to the exposure method of the present invention, the amount of expansion and contraction of the substrate mounted on the exposure stage is calculated, and the substrate is exposed by moving the substrate by a step amount according to the calculated amount of expansion and contraction. In the exposure method, the amount of inclination of the substrate placed on the exposure stage is calculated, and the calculated amount of expansion and contraction is corrected with the calculated amount of inclination. The pattern can be exposed without causing misalignment.
【図1】実施の形態における露光装置の要部の構成を概
略的に示す図である。FIG. 1 is a diagram schematically showing a configuration of a main part of an exposure apparatus according to an embodiment.
【図2】基板6の平面を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a plane of a substrate 6;
【図3】伸縮量算出処理手順を示すフローチャートであ
る。FIG. 3 is a flowchart illustrating an expansion / contraction amount calculation processing procedure;
【図4】ショットの傾き量θの測定手順を示すフローチ
ャートである。FIG. 4 is a flowchart showing a procedure for measuring a shot tilt amount θ.
【図5】位置検出マークが形成されたショットを示す図
である。FIG. 5 is a view showing a shot on which a position detection mark is formed.
【図6】ショットの傾きおよびx、θの関係を示す図で
ある。FIG. 6 is a diagram illustrating a relationship between a shot inclination and x and θ.
1……装置本体、2……受光スリット、3……振動子、
4……縮小投影レンズ、5……露光ステージ、6……基
板、7……光源、16……位置検出マーク1 ... device main body, 2 ... light receiving slit, 3 ... vibrator,
4 ... reduction projection lens, 5 ... exposure stage, 6 ... substrate, 7 ... light source, 16 ... position detection mark
Claims (5)
を算出する伸縮量算出手段を備え、 該算出された伸縮量に応じたステップ量だけ前記基板を
移動して露光する露光装置において、 前記露光ステージに載置された基板の傾き量を算出する
傾き量算出手段と、 該算出された傾き量で前記算出される伸縮量を補正する
伸縮量補正手段とを備えたことを特徴とする露光装置。An exposure apparatus, comprising: an expansion / contraction amount calculating unit configured to calculate an expansion / contraction amount of a substrate placed on an exposure stage, wherein the exposure apparatus moves and exposes the substrate by a step amount corresponding to the calculated expansion / contraction amount. A tilt amount calculating unit that calculates a tilt amount of the substrate placed on the exposure stage; and a stretching amount correcting unit that corrects the calculated stretching amount with the calculated tilt amount. Exposure equipment.
ットが前記基板に複数割り当てられており、 前記伸縮量算出手段は、前記ショットに形成された位置
検出マークの座標を測定する座標測定手段を備え、 前記伸縮量補正手段は、該測定された位置検出マークの
座標を前記傾き量で補正することを特徴とする請求項1
記載の露光装置。2. A plurality of shots indicating an area irradiated by one exposure are assigned to the substrate, and the expansion / contraction amount calculating means measures a coordinate of a position detection mark formed on the shot. 2. The apparatus according to claim 1, wherein the expansion / contraction amount correction unit corrects the coordinates of the measured position detection mark with the inclination amount.
Exposure apparatus according to the above.
少なくとも2箇所に光源からの光が照射される測定領域
を設定し、該設定された測定領域で反射される光が合焦
するように前記基板が載置された露光ステージを移動さ
せ、該移動量から前記傾き量を算出することを特徴とす
る請求項2記載の露光装置。3. The tilt amount calculating means sets a measurement area where at least two positions of the shot are irradiated with light from a light source, and focuses the light reflected by the set measurement area. 3. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the exposure stage on which the substrate is mounted is moved, and the amount of tilt is calculated from the amount of movement.
とを特徴とする請求項1記載の露光装置。4. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is applied to a lens reduction projection exposure apparatus.
を算出し、 該算出された伸縮量に応じたステップ量だけ前記基板を
移動して露光する露光方法において、 前記露光ステージに載置された基板の傾き量を算出し、 該算出された傾き量で前記算出される伸縮量を補正する
ことを特徴とする露光方法。5. An exposure method for calculating an amount of expansion and contraction of a substrate mounted on an exposure stage, and moving and exposing the substrate by a step amount according to the calculated amount of expansion and contraction, wherein the substrate is mounted on the exposure stage. An exposure method comprising: calculating a calculated tilt amount of the substrate; and correcting the calculated expansion / contraction amount by the calculated tilt amount.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP398597A JPH10199794A (en) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | Aligner and its method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP398597A JPH10199794A (en) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | Aligner and its method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10199794A true JPH10199794A (en) | 1998-07-31 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP398597A Pending JPH10199794A (en) | 1997-01-13 | 1997-01-13 | Aligner and its method |
Country Status (1)
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JP (1) | JPH10199794A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001077012A (en) * | 1999-09-09 | 2001-03-23 | Canon Inc | Projection aligner and manufacture of device |
WO2018144129A1 (en) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | Applied Materials, Inc. | Method of pattern placement correction |
-
1997
- 1997-01-13 JP JP398597A patent/JPH10199794A/en active Pending
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