JPH10199453A - Electron source integrated vacuum airtight vessel and activating method of getter - Google Patents
Electron source integrated vacuum airtight vessel and activating method of getterInfo
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- JPH10199453A JPH10199453A JP1183897A JP1183897A JPH10199453A JP H10199453 A JPH10199453 A JP H10199453A JP 1183897 A JP1183897 A JP 1183897A JP 1183897 A JP1183897 A JP 1183897A JP H10199453 A JPH10199453 A JP H10199453A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、内部を真空に保持
する電子源内蔵真空容器に関するものである。特に、電
界放出型表示装置（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄ
ｅｖｉｃｅ、以下、ＦＥＤという）に適用して好適なも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum vessel with a built-in electron source for keeping the inside of the vacuum chamber. In particular, a field emission type display device (Field Emission D)
device (hereinafter, referred to as FED).
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ガラス等の真空容器に冷陰極を内
蔵しミクロンサイズの真空微細構造を集積した真空マイ
クロエレクトロニクスが注目を集めている。この真空マ
イクロエレクトロニクスの応用として、能動素子、磁気
等を検出する各種センサ、撮像管やリソグラフィー用電
子ビーム装置、薄型フラットパネル表示装置などの電子
源内蔵真空容器が研究開発されている。2. Description of the Related Art In recent years, vacuum microelectronics in which a cold cathode is built in a vacuum container such as glass and a microscopic vacuum microstructure is integrated has attracted attention. As applications of this vacuum microelectronics, research and development have been made on active elements, various sensors for detecting magnetism, etc., vacuum vessels with built-in electron sources such as image pickup tubes, electron beam devices for lithography, and thin flat panel display devices.
【０００３】薄型フラットパネル表示装置は、１つの画
素に複数の微小冷陰極を対応させたものである。この微
小冷陰極としては、電界放出素子、ＭＩＭ型電子放出素
子、表面伝導型電子放出素子、ＰＮ接合型電子放出素子
などを用いた各種のものが提案されている。これらのう
ち、最も代表的なものは、日経エレクトロニクス，Ｎ
ｏ．６５４（１９９６．１．２９）ｐ．８９−９８等に
記載されているような、電界放出素子を用いたＦＥＤで
ある。その一例として、スピント（Ｓｐｉｎｄｔ）型と
呼ばれる電界放出素子が知られている。In a thin flat panel display device, a plurality of micro cold cathodes correspond to one pixel. Various types of micro cold cathodes using a field emission device, an MIM type electron emission device, a surface conduction type electron emission device, a PN junction type electron emission device, and the like have been proposed. The most representative of these is Nikkei Electronics, N
o. 654 (1996.1.29) p. An FED using a field emission device as described in 89-98 and the like. As one example, a field emission element called a Spindt type is known.
【０００４】カソード基板上にカソード電極がストライ
プ状に設けられ、その上に絶縁層が一面に形成されてい
る。絶縁層の上にゲート電極が、カソード電極と直交す
る方向にストライプ状に形成されている。各カソード電
極と各ゲート電極とが交差する部分において、ゲート電
極およびその下の絶縁層を貫通する複数の開口部が設け
られている。この中には、カソード電極上にコーン状の
エミッタが形成されている。カソード電極と絶縁層の間
に抵抗層を形成する場合もある。このような構成におい
て、アノード電極にアノード電圧を供給しておき、ゲー
ト電極の各ストライプを順次走査しつつ、カソード電極
の各ストライプにそれぞれ画像信号を供給することによ
り、コーン状のエミッタから電子が放出され、アノード
電極に設けられた蛍光体が発光することにより表示動作
が行なわれる。[0004] A cathode electrode is provided on a cathode substrate in a stripe shape, and an insulating layer is formed all over the cathode electrode. A gate electrode is formed on the insulating layer in a stripe shape in a direction orthogonal to the cathode electrode. At a portion where each cathode electrode and each gate electrode intersect, a plurality of openings penetrating the gate electrode and the insulating layer thereunder are provided. In this, a cone-shaped emitter is formed on the cathode electrode. In some cases, a resistance layer is formed between the cathode electrode and the insulating layer. In such a configuration, an anode voltage is supplied to the anode electrode, and an image signal is supplied to each stripe of the cathode electrode while sequentially scanning each stripe of the gate electrode, so that electrons are emitted from the cone-shaped emitter. The emitted light is emitted from the phosphor provided on the anode electrode to perform a display operation.
【０００５】図５は、電子源内蔵真空気密容器の概要構
成を示す平面図である。図中、１はカソード基板、２は
アノード基板、３はゲッターボックス、４は連通孔、５
は排気管である。電子源内蔵真空気密容器は、カソード
基板１とアノード基板２とが微少間隔、約２００μｍ〜
５００μｍ離隔されて斜め上方向にずらせて対向させて
配置させている。その結果、２辺の端部はカソード基板
１より外方に突き出している。その内の１辺の端部にお
いて、突き出したアノード基板２の一部を覆うような配
置で、矩形状のゲッター室３が設けられている。カソー
ド基板１とアノード基板２とは、ゲッター室３の部分を
除き、周辺部分をフリットガラスなどのシール部材によ
り封着されている。このゲッターボックス３は、連通孔
４を介して一般にＰ管と呼ばれている排気管５につなが
っている。FIG. 5 is a plan view showing a schematic structure of a vacuum-tight container with a built-in electron source. In the figure, 1 is a cathode substrate, 2 is an anode substrate, 3 is a getter box, 4 is a communication hole, 5
Is an exhaust pipe. In the vacuum-tight container with a built-in electron source, the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 have a very small distance of about 200 μm.
They are arranged at a distance of 500 μm and diagonally upward to face each other. As a result, the ends of the two sides protrude outward from the cathode substrate 1. A rectangular getter chamber 3 is provided at one end of the rectangular getter chamber 3 so as to cover a part of the protruding anode substrate 2. The cathode substrate 1 and the anode substrate 2 have their peripheral parts sealed with a sealing member such as frit glass, except for the getter chamber 3. The getter box 3 is connected to an exhaust pipe 5 generally called a P pipe via a communication hole 4.
【０００６】このような電子源内蔵真空気密容器におい
ては、カソード基板１とアノード基板２とが微少間隔離
隔されて配置されているが、その間の空間を真空にする
必要がある。そのため、製造時において、排気工程後に
残存しているガスを吸着させるためのゲッターが、ゲッ
ターボックス３に収納されている。In such a vacuum airtight container with a built-in electron source, the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 are arranged at a very small distance from each other, but the space between them must be evacuated. Therefore, at the time of manufacturing, a getter for adsorbing the gas remaining after the evacuation step is housed in the getter box 3.
【０００７】図６は、真空気密容器内に収納される従来
のゲッターの外観を示す図である。図中、３１はリング
状蒸発型ゲッター、３２はペレット状非蒸発型ゲッター
である。図６（Ａ）において、リング状蒸発型ゲッター
３１は、例えば、ＢａＡｌ4の粉末がリング状の金属ケ
ースに入れられたもので、真空気密容器の外側から高周
波を印加して金属リングに渦電流を流して高周波加熱
し、ＢａＡｌ4 からＢａを蒸発させ真空気密容器の内部
壁面にゲッターミラー（鏡面）を蒸着させる。電子源が
駆動されているときには、内壁に吸蔵されていた微小な
ガスが放出されて内部を汚染したり真空度を低減させる
ため、このゲッターミラーが放出されたガスを吸着して
真空気密容器内部を清浄かつ真空に保持する。FIG. 6 is a view showing the appearance of a conventional getter housed in a vacuum-tight container. In the drawing, reference numeral 31 denotes a ring-shaped evaporable getter, and 32 denotes a pellet-shaped non-evaporable getter. In FIG. 6A, a ring-shaped evaporable getter 31 is, for example, one in which BaAl 4 powder is put in a ring-shaped metal case, and an eddy current is applied to the metal ring by applying a high frequency from outside the vacuum-tight container. , And high-frequency heating to evaporate Ba from BaAl 4 and deposit a getter mirror (mirror surface) on the inner wall surface of the vacuum-tight container. When the electron source is driven, the minute gas that has been occluded on the inner wall is released to contaminate the interior and reduce the degree of vacuum. Is kept clean and under vacuum.
【０００８】しかし、このリング状蒸発型ゲッター３１
は、直径が約７ｍｍφ、厚さが約１ｍｍ程度であり、自
体の形状も大きいが、加熱時に所定の角度で蒸発拡散す
るため、内部壁面までの距離を十分取らないと転写され
る面積が小さくゲッターミラーの蒸着面積を十分にとれ
ない。そのため、カソード基板１とアノード基板２との
間の微少間隔の間に挿入することができず、ゲッターボ
ックス３を設けているが、ゲッターボックス３が大きく
ないとリング状蒸発型ゲッター３１を用いる効果が小さ
い。そのため、ゲッターボックス３を設けずに排気管５
の付け根の管内に収納したものもある。また、Ｂａと反
応しないメタンガスは、取り除くことができないという
問題もある。However, this ring-shaped evaporable getter 31
Has a diameter of about 7mmφ and a thickness of about 1mm, and has a large shape.However, since it evaporates and diffuses at a predetermined angle during heating, the area to be transferred is small if the distance to the inner wall is not sufficient. The getter mirror cannot have a sufficient vapor deposition area. Therefore, the getter box 3 cannot be inserted between the cathode substrate 1 and the anode substrate 2 at a minute interval, and the getter box 3 is provided. Is small. Therefore, the exhaust pipe 5 is provided without providing the getter box 3.
Some are stored in the tube at the base of the nose. There is also a problem that methane gas that does not react with Ba cannot be removed.
【０００９】一方、図６（Ｂ）において、ペレット状非
蒸発型ゲッター３２としては、例えば、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｚ
ｒとＡｌの合金（例えば、Ｚｒ：８４％，Ａｌ：１６
％）あるいはＶ（バナジウム）があり、これらの粉末を
焼結させてペレット状にしたものである。最初は酸化防
止のため窒化膜で覆ってあるが、収納後、高周波や赤外
線などで一度高温で加熱することによって活性化させ、
窒化物が表面から拡散して内部に取り込まれ、表面に合
金面が露出するようにする。このペレット状非蒸発型ゲ
ッター３２は、内壁面との距離を大きくとる必要はない
が、やはり、厚みがあるため、大きなゲッターボックス
３を用いるか、排気管５の付け根の管内に収容するしか
ない。On the other hand, in FIG. 6B, as the pellet-type non-evaporable getter 32, for example, Zr, Ti, Z
alloy of r and Al (for example, Zr: 84%, Al: 16
%) Or V (vanadium), and these powders are sintered into pellets. Initially, it is covered with a nitride film to prevent oxidation, but after storage, it is activated by heating at high temperature once with high frequency or infrared,
The nitride diffuses from the surface and is taken in, so that the alloy surface is exposed on the surface. Although the pellet-like non-evaporable getter 32 does not need to have a large distance from the inner wall surface, it still has to be accommodated in the pipe at the base of the exhaust pipe 5 because the getter box 3 has a large thickness. .
【００１０】なお、このペレット状非蒸発型ゲッター３
２を常に活性化しておくためには、常時加熱して、内部
に繰り返し取り込まれるようにする必要がある。メタン
も表面に吸着させることができるが、ＺｒＣ（ジルコニ
ウムカーバイド）の型にならないと内部には取り込まれ
ないため、加熱温度を高くする必要がある。The pellet-like non-evaporable getter 3
In order to keep 2 activated, it is necessary to constantly heat it so that it is repeatedly taken in. Methane can also be adsorbed on the surface, but will not be incorporated inside unless it is in the form of ZrC (zirconium carbide), so the heating temperature must be increased.
【００１１】したがって、上述したリング状蒸発型ゲッ
ター３１、ペレット状非蒸発型ゲッター３２は、いずれ
も形状、特に高さ方向の距離をとる必要があることか
ら、電子源内蔵真空気密容器のように、厚みを薄くする
必要のある場合に厚みの制約が大きかった。また、ペレ
ット状非蒸発型ゲッター３２については、常時活性化さ
せておくための加熱手段を必要としていた。Therefore, the above-mentioned ring-shaped evaporable getter 31 and pellet-shaped non-evaporable getter 32 need to have a shape, particularly a distance in the height direction. However, when it is necessary to reduce the thickness, the thickness is greatly restricted. In addition, the pellet-type non-evaporable getter 32 requires a heating means for constantly activating it.
【００１２】[0012]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点を解決するためになされたもので、内部を高真空に
保持することのできるゲッターを収納するゲッターボッ
クスの厚みを薄くすることができる電子源内蔵真空気密
容器を提供することを目的とするものである。また、高
真空の保持を能動的に継続して行うことができる電子源
内蔵真空気密容器のゲッターの活性化方法を提供するこ
とを目的とするものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to reduce the thickness of a getter box for accommodating a getter capable of maintaining a high vacuum inside. It is an object of the present invention to provide a vacuum-tight container having a built-in electron source. It is another object of the present invention to provide a method for activating a getter of a vacuum-tight container with a built-in electron source, which can continuously maintain a high vacuum.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
おいては、電子源内蔵真空気密容器において、電子源が
形成されカソード電極を有する第１の基板と、該第１の
基板に対し電子放出方向に所定間隔をおいて設けられ一
端が該第１の基板の一端より突き出た第２の基板と、前
記第１の基板の前記一端を間にして前記第２の基板の突
き出し部分と対向して設けられ排気管に連通する孔を有
する底板と、該底板と前記第１および第２の基板との間
に側板を有し、内部が真空状態にされた電子源内蔵真空
気密容器であって、非蒸発型ゲッターが前記第１の基板
と前記底板との間に収納され、前記非蒸発型ゲッターを
通電加熱する電源供給線が前記第１の基板の前記底板側
を通って外部に引き出されるものである。したがって、
本来的に厚みの薄い電子源内蔵真空容器の裏面にゲッタ
ー収納部を厚みを薄くして設けることができるととも
に、非蒸発型ゲッターを加熱して活性化するための電源
供給線の引き出しも容易である。また、非蒸発型ゲッタ
ーを用いるため、メタンガスを吸着することができる。According to the first aspect of the present invention, in a vacuum-tight container with a built-in electron source, a first substrate on which an electron source is formed and having a cathode electrode; A second substrate provided at a predetermined interval in the emission direction and having one end protruding from one end of the first substrate; and a protruding portion of the second substrate opposed to the one end of the first substrate. A bottom plate provided with a hole communicating with the exhaust pipe, and a side plate between the bottom plate and the first and second substrates. A non-evaporable getter is housed between the first substrate and the bottom plate, and a power supply line for energizing and heating the non-evaporable getter is drawn out to the outside through the bottom plate side of the first substrate. It is what is done. Therefore,
A thinner getter housing can be provided on the back of the originally thin vacuum chamber with a built-in electron source, and the power supply line for heating and activating the non-evaporable getter can be easily pulled out. is there. Further, since a non-evaporable getter is used, methane gas can be adsorbed.
【００１４】請求項２に記載の発明においては、電子源
内蔵真空気密容器において、電子源が形成されカソード
電極を有する第１の基板と、該第１の基板に対し電子放
出方向に所定間隔をおいて設けられ一端が該第１の基板
の一端より突き出た第２の基板と、前記第１の基板の厚
みと略同じ厚みで前記第１の基板の一端と対向して凹部
が設けられた側板と、前記第１の基板の前記一端と前記
側板とを間にして前記第２の基板の突き出し部分と対向
して設けられ排気管に連通する孔を有する底板を有し、
内部が真空状態にされた電子源内蔵真空気密容器であっ
て、非蒸発型ゲッターが前記凹部に収納され、前記非蒸
発型ゲッターを通電加熱する電源供給線が前記底板上を
通って外部に引き出されているものである。したがっ
て、請求項１に記載の発明と同様の作用効果を奏すると
ともに、ゲッター収納部をさらに薄くすることができ
る。According to a second aspect of the present invention, in the vacuum-tight container having a built-in electron source, a first substrate having an electron source formed thereon and having a cathode electrode is provided at a predetermined distance from the first substrate in an electron emission direction. A second substrate having one end protruding from one end of the first substrate, and a concave portion provided with a thickness substantially equal to the thickness of the first substrate and facing one end of the first substrate. A side plate, a bottom plate having a hole provided between the one end of the first substrate and the side plate and opposed to the protruding portion of the second substrate and communicating with an exhaust pipe;
A vacuum-tight container with a built-in electron source in which a vacuum state is provided, a non-evaporable getter is housed in the recess, and a power supply line for energizing and heating the non-evaporable getter is drawn out to the outside through the bottom plate. It is what has been. Therefore, the same effect as that of the first aspect can be obtained, and the thickness of the getter storage portion can be further reduced.
【００１５】請求項３に記載の発明においては、請求項
１または２に記載の電子源内蔵真空気密容器において、
前記非蒸発型ゲッターは、通電されて自己発熱するもの
である。また、請求項４に記載の発明においては、請求
項１または２に記載の電子源内蔵真空気密容器におい
て、前記非蒸発型ゲッターは、抵抗加熱体を有するバル
クゲッターである。したがって、外部から通電加熱でき
る非蒸発型ゲッターを容易に実現することができる。According to a third aspect of the present invention, in the vacuum-tight container with a built-in electron source according to the first or second aspect,
The non-evaporable getter self-heats when energized. According to a fourth aspect of the present invention, in the vacuum-tight container with a built-in electron source according to the first or second aspect, the non-evaporable getter is a bulk getter having a resistance heater. Therefore, a non-evaporable getter which can be electrically heated from the outside can be easily realized.
【００１６】請求項５に記載の発明においては、請求項
１ないし４のいずれか１項に記載の電子源内蔵真空気密
容器において、前記非蒸発型ゲッターに加えて蒸発型ゲ
ッターを収納するものである。したがって、蒸発型ゲッ
ターによっても常時真空度を高めることができる。According to a fifth aspect of the present invention, in the vacuum-tight container with a built-in electron source according to any one of the first to fourth aspects, an evaporable getter is housed in addition to the non-evaporable getter. is there. Therefore, the degree of vacuum can be constantly increased by the evaporable getter.
【００１７】請求項６に記載の発明においては、請求項
１ないし５のいずれか１項に記載の電子源内蔵真空気密
容器を用いたゲッターの活性化方法において、前記電子
源内蔵真空気密容器の電子源の駆動中に前記非蒸発型ゲ
ッターを前記電源供給線を通して通電加熱するものであ
る。したがって、電子源を駆動して使用している状態に
おいて発生するガスを非蒸発型ゲッターの内部に取り込
むことができ、しかも、非蒸発型ゲッターを常時連続し
て容易に加熱することができる。その結果、高真空の保
持を能動的に継続して行うことができる。According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for activating a getter using the vacuum-tight container with a built-in electron source according to any one of the first to fifth aspects. While the electron source is being driven, the non-evaporable getter is energized and heated through the power supply line. Therefore, the gas generated while the electron source is being driven and used can be taken into the non-evaporable getter, and the non-evaporable getter can be constantly and easily heated. As a result, the high vacuum can be actively and continuously maintained.
【００１８】[0018]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の電子源内蔵真空
気密容器の第１の実施の形態を説明するための部分的な
平面図および正面断面図である。図１（Ａ）は、図５に
おいてアノード基板２を剥がした状態の平面図であり、
図１（Ｂ）は、図１（Ａ）にアノード基板２が付けられ
た状態で矢示Ａ，Ａに沿った正面断面図である。図２
は、図１に示した電子源内蔵真空気密容器の左側面の部
分的な拡大断面図であり、図１（Ｂ）に示した矢示Ｂ，
Ｂに沿った断面図である。図中、図５と同様な部分には
同じ符号を付して説明を省略する。３ａは側板、３ｂは
底板、１１は非蒸発型ゲッターであり、１１ａは非蒸発
型ゲッター本体部、１１ｂは抵抗加熱体、１２は引き出
し線である、封着材の図示は省略している。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a partial plan view and a front sectional view for explaining a first embodiment of a vacuum-tight container with a built-in electron source according to the present invention. FIG. 1A is a plan view showing a state where the anode substrate 2 in FIG. 5 is peeled off.
FIG. 1B is a front sectional view along arrows A, A in a state where the anode substrate 2 is attached to FIG. 1A. FIG.
FIG. 2 is a partially enlarged sectional view of the left side of the vacuum-tight container with a built-in electron source shown in FIG. 1, and arrows B and B shown in FIG.
It is sectional drawing along B. In the figure, the same parts as those in FIG. 3a is a side plate, 3b is a bottom plate, 11 is a non-evaporable getter, 11a is a non-evaporable getter main body, 11b is a resistance heating element, 12 is a lead wire, and a sealing material is not shown.
【００１９】図１（Ａ）に示すように、電子源が形成さ
れカソード電極を有するカソード基板１の左端からさら
に左に突き出すように図示上下方向に長いゲッターボッ
クス３が設けられている。このゲッターボックス３は、
底板３ｂと側板３ａに囲まれて形成されている。このゲ
ッターボックス３内のカソード基板１の下面側に非蒸発
型ゲッター１１が収納されている。非蒸発型ゲッター１
１は、中心に通電により発熱するニクロム線等の抵抗加
熱体１１ｂを有し、その周囲に、例えば、Ｚｒ−Ａｌ合
金よりなる粉末を焼結させることにより、略円柱状で長
い非蒸発型ゲッター本体部１１ａを形成したものであ
る。As shown in FIG. 1A, a getter box 3 which is long in the vertical direction in the figure is provided so as to protrude further to the left from the left end of a cathode substrate 1 having an electron source formed thereon and having a cathode electrode. This getter box 3
It is formed so as to be surrounded by the bottom plate 3b and the side plate 3a. A non-evaporable getter 11 is accommodated in the getter box 3 on the lower surface side of the cathode substrate 1. Non-evaporable getter 1
Reference numeral 1 denotes a non-evaporable getter having a substantially columnar and long shape by sintering a powder made of, for example, a Zr-Al alloy around a resistance heating body 11b such as a nichrome wire which generates heat by energization. The main body 11a is formed.
【００２０】図１（Ｂ）に示すように、アノード基板２
は、カソード基板１に対し電子放出方向に所定間隔をお
いてカソード基板１の左端からさらに突き出して設けら
れ、ゲッターボックス３の上開口部の封止部分となって
おり、カソード基板１とアノード基板２間の間隙は、ゲ
ッターボックス３の内部につながる。一方、ゲッターボ
ックス３の底板３ｂは、カソード基板１の左端を間にし
てアノード基板２の左端の突き出し部分と対向して設け
られ、連通孔４を有し下面に排気管が取り付けられてい
る。この連通孔４によりゲッターボックス３は、排気管
５の内部につながる。したがって、非蒸発型ゲッター１
１は、カソード基板１と底板３ｂとの間に収納されてい
る。As shown in FIG. 1B, the anode substrate 2
Is provided at a predetermined interval in the electron emission direction from the cathode substrate 1 and further protrudes from the left end of the cathode substrate 1, and serves as a sealing portion of the upper opening of the getter box 3. The gap between the two leads to the inside of the getter box 3. On the other hand, the bottom plate 3b of the getter box 3 is provided to face the left end of the anode substrate 2 with the left end of the cathode substrate 1 interposed therebetween, has a communication hole 4, and has an exhaust pipe attached to the lower surface. The communication hole 4 connects the getter box 3 to the inside of the exhaust pipe 5. Therefore, the non-evaporable getter 1
1 is accommodated between the cathode substrate 1 and the bottom plate 3b.
【００２１】図２に示すように、非蒸発型ゲッター１１
の長手方向の両端部で抵抗加熱体１１ｂと引き出し線１
２とが接続され、この引き出し線１２はカソード基板１
の下面とゲッターボックス３の側板３ａ間の封着部を通
って外部に引き出されている。As shown in FIG. 2, the non-evaporable getter 11
Resistance heating element 11b and lead wire 1 at both ends in the longitudinal direction of
2 are connected to the cathode substrate 1
Of the getter box 3 and the side plate 3a of the getter box 3, and are drawn out to the outside.
【００２２】上述した非蒸発型ゲッター１１の活性化方
法について説明する。電子源内蔵真空気密容器の製造プ
ロセスにおいて、管内から排気管５を通してガスを抜
き、排気管５のチップカットにより内部を気密に保つ。
この後、ゲッターボックス３より導出された引き出し線
１２に電源を供給し抵抗加熱体１１ｂを加熱し、非蒸発
型ゲッター本体部１１ａを約４００℃にして電子源内蔵
真空気密容器内の管壁より放出されたガスを有効に非蒸
発型ゲッター本体部１１ａに吸着させることができる。
同時に、電子源内蔵真空気密容器自体もオーブンに入れ
て周囲から加熱してベーキングをするとよい。さらに、
このとき電子源を駆動させて電子照射を行うことによ
り、ガスをイオン化させ、ガスを有効に非蒸発型ゲッタ
ー１１に吸収させることができる。A method for activating the non-evaporable getter 11 will be described. In the manufacturing process of the vacuum tight container with a built-in electron source, gas is extracted from the inside of the tube through the exhaust pipe 5, and the inside of the exhaust pipe 5 is kept airtight by cutting off the chip.
Thereafter, power is supplied to the lead wire 12 led out from the getter box 3 to heat the resistance heating body 11b, the non-evaporable getter main body 11a is set to about 400 ° C., and from the tube wall in the vacuum tight container with a built-in electron source. The released gas can be effectively adsorbed on the non-evaporable getter main body 11a.
At the same time, the vacuum-tight container with a built-in electron source itself may be placed in an oven and heated from the surroundings for baking. further,
At this time, by driving the electron source to perform electron irradiation, the gas can be ionized and the gas can be effectively absorbed by the non-evaporable getter 11.
【００２３】しかし、製造プロセス時にのみ行う活性化
だけでは、電子源を駆動してＦＥＤをディスプレイなど
として実使用している状態において発生するガスを非蒸
発型ゲッター１１の内部に取り込むことができない。そ
のため、電子源を駆動している状況下において、ゲッタ
ーボックス３より導出された引き出し線１２により電源
を供給し常にバルクゲッターを活性化状態とする。これ
により、電子源の駆動時に管内部で発生したガスが常に
非蒸発型ゲッター１１に吸着され内部が高真空に保たれ
る。従来の高周波加熱や赤外線加熱は、電子源の駆動状
態において常に行うことが困難であった。However, the activation which is performed only during the manufacturing process alone cannot drive the electron source to take in the gas generated when the FED is actually used as a display or the like into the non-evaporable getter 11. Therefore, while the electron source is being driven, power is supplied through the lead 12 drawn out from the getter box 3 and the bulk getter is always activated. Thereby, the gas generated inside the tube when the electron source is driven is always adsorbed by the non-evaporable getter 11 and the inside is kept at a high vacuum. Conventional high-frequency heating and infrared heating have been difficult to always perform while the electron source is driven.
【００２４】図３は、本発明の電子源内蔵真空気密容器
の第２の実施の形態を説明するための部分的な平面図お
よび正面断面図である。図３（Ａ）は、図５においてア
ノード基板２を剥がした状態の平面図であり、図３
（Ｂ）は、図３（Ａ）にアノード基板２が付けられた状
態で矢示Ａ，Ａに沿った正面断面図である。図４は、図
３に示した電子源内蔵真空気密容器の左側面の部分的な
拡大断面図であり、図３（Ｂ）に示した矢示Ｂ，Ｂに沿
った断面図である。図中、図５，図１と同様な部分には
同じ符号を付して説明を省略する。２１はゲッターボッ
クス、２１ａは段差材、２１ｂは底板、２２はフリット
ガラス等の封着材である。この実施の形態は、図１，図
２に示した第１の実施の形態に比べて、ゲッターボック
スの厚みをさらに薄くした構造のものである。製造方法
および非蒸発型ゲッターの活性化方法については、図
１，図２を参照して説明した第１の実施の形態と同様で
ある。FIG. 3 is a partial plan view and a front sectional view for explaining a second embodiment of the vacuum-tight container with a built-in electron source according to the present invention. FIG. 3A is a plan view showing a state where the anode substrate 2 is peeled off in FIG.
FIG. 3B is a front sectional view taken along arrows A, A in a state where the anode substrate 2 is attached to FIG. 3A. FIG. 4 is a partially enlarged sectional view of the left side surface of the vacuum-tight container with a built-in electron source shown in FIG. 3, and is a sectional view taken along arrows B and B shown in FIG. In the figure, the same parts as those in FIGS. 5 and 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. 21 is a getter box, 21a is a step member, 21b is a bottom plate, and 22 is a sealing material such as frit glass. This embodiment has a structure in which the thickness of the getter box is further reduced as compared with the first embodiment shown in FIGS. The method of manufacturing and the method of activating the non-evaporable getter are the same as in the first embodiment described with reference to FIGS.
【００２５】図３（Ａ）に示すように、このゲッターボ
ックス２１は、底板２１ｂと段差材２１ａからなる。こ
の段差材２１ａは、カソード基板１と同じ厚みで凹部を
有する略コの字状の側板であり、カソード基板１の一端
に対向して封着材２２で溶着されている。底板２１ｂ
は、カソード基板１の一端および段差材２１ａを間に挟
んでアノード基板２の突き出し部分と対向して設けら
れ、排気管５につながる連通孔４を有する。非蒸発型ゲ
ッター１１は、カソード基板１の一端および段差材２１
ａの間に形成されたゲッターボックス内に収納される。As shown in FIG. 3A, the getter box 21 includes a bottom plate 21b and a step member 21a. The step member 21 a is a substantially U-shaped side plate having the same thickness as the cathode substrate 1 and having a concave portion, and is welded to the cathode substrate 1 with a sealing material 22 so as to face one end of the cathode substrate 1. Bottom plate 21b
Is provided to face the protruding portion of the anode substrate 2 with one end of the cathode substrate 1 and the step member 21a interposed therebetween, and has a communication hole 4 connected to the exhaust pipe 5. The non-evaporable getter 11 includes one end of the cathode substrate 1 and the step member 21.
a is stored in the getter box formed between them.
【００２６】図３（Ｂ）に示すように、このゲッターボ
ックスの厚みは、カソード基板１の厚みに略等しく約１
ｍｍ厚の薄いものであるが、非蒸発型ゲッター１１は、
細くすることができるために収納が可能である。カソー
ド基板１および段差材２１ａが中間層となり、この上下
にアノード基板２および底板２１が封着材２２により溶
着されている。As shown in FIG. 3B, the thickness of the getter box is substantially equal to the thickness of the cathode substrate 1 and about 1
mm thick, but the non-evaporable getter 11
It can be stored because it can be made thin. The cathode substrate 1 and the step member 21a form an intermediate layer, and the anode substrate 2 and the bottom plate 21 are welded to the upper and lower sides thereof with a sealing material 22.
【００２７】図４に示すように、非蒸発型ゲッター１１
の長手方向の両端部で抵抗加熱体１１ｂと引き出し線１
２とが接続され、この引き出し線１２は底板２１ｂの上
面とカソード基板１の下面との間の封着部を通って外部
に引き出されている。As shown in FIG. 4, the non-evaporable getter 11
Resistance heating element 11b and lead wire 1 at both ends in the longitudinal direction of
2 are connected to each other, and the lead line 12 is drawn out through a sealing portion between the upper surface of the bottom plate 21b and the lower surface of the cathode substrate 1.
【００２８】上述した説明では、非蒸発型ゲッター１１
としては、内部の抵抗加熱体１１ｂにより加熱される円
柱状の非蒸発型ゲッター本体部１１ａを有するものを用
いたが、このようなバルクゲッターに限らず、ＺｒやＴ
ｉなどの非蒸発型ゲッターのワイヤー（線条）を用いこ
のワイヤーに通電することにより、非蒸発型ゲッター自
体に通電して自己発熱させるようにすることもできる。
この場合も、ゲッターボックスの厚みを薄くすることが
できる。また、上述した非蒸発型ゲッター１１の断面を
円形でなく扁平にしたり、あるいは全体を薄い平板状に
することにより、表面積を大きくして収納することがで
きる。この場合、内部の抵抗加熱体１１ｂも１本の線状
ではなく、細長い平板状にしたり、複数本のワイヤを並
行させて内部に設けてもよい。非蒸発型ゲッター自体に
通電して自己発熱させる場合にも、同様に、線状に限ら
ず、扁平あるいは平板状にしたり、複数本のワイヤを並
べたものにしてもよい。In the above description, the non-evaporable getter 11
Used is one having a columnar non-evaporable getter main body 11a heated by an internal resistance heating element 11b, but is not limited to such a bulk getter, and may be Zr or Tr.
When a non-evaporable getter wire such as i is used and a current is applied to this wire, the non-evaporable getter itself can be energized to generate heat.
Also in this case, the thickness of the getter box can be reduced. In addition, the cross-section of the non-evaporable getter 11 may be flat instead of circular, or the whole may be formed as a thin flat plate, so that the getter 11 can be stored with a large surface area. In this case, the internal resistance heating body 11b may be formed in an elongated flat plate shape instead of a single linear shape, or a plurality of wires may be provided inside in parallel. Similarly, when the non-evaporable getter itself is energized to generate heat by itself, the shape is not limited to a linear shape, but may be a flat or flat shape or a plurality of wires arranged.
【００２９】また、上述した説明では、非蒸発型ゲッタ
ーのみを用いた例を示したが、蒸発型ゲッターを、排気
管５の根元部に収納することにより、非蒸発型ゲッター
および蒸発型ゲッターを併用して用いることも可能であ
る。In the above description, an example using only the non-evaporable getter has been described. However, the non-evaporable getter and the evaporable getter are accommodated in the base of the exhaust pipe 5 by being accommodated. It is also possible to use them in combination.
【００３０】[0030]
【発明の効果】上述した説明から明らかなように、本発
明は、電子源内蔵真空気密容器において、内部を高真空
に保持するゲッターを収納するゲッターボックスの厚み
を薄くすることができる。また、ゲッターを常に活性化
させておき高真空の保持を能動的に継続して行うことが
できる。As is apparent from the above description, according to the present invention, the thickness of the getter box for accommodating the getter for keeping the inside at a high vacuum can be reduced in the vacuum-tight container with the built-in electron source. In addition, the getter is always activated, and the high vacuum can be actively and continuously maintained.
【図１】本発明の電子源内蔵真空気密容器の第１の実施
の形態を説明するための部分的な平面図および正面断面
図である。FIG. 1 is a partial plan view and a front cross-sectional view for explaining a first embodiment of a vacuum-tight container with a built-in electron source according to the present invention.
【図２】図１に示した電子源内蔵真空気密容器の左側面
の部分的な拡大断面図である。FIG. 2 is a partially enlarged sectional view of a left side surface of the vacuum-tight container with a built-in electron source shown in FIG. 1;
【図３】本発明の電子源内蔵真空気密容器の第２の実施
の形態を説明するための部分的な平面図および正面断面
図である。FIG. 3 is a partial plan view and a front cross-sectional view for explaining a second embodiment of the vacuum-tight container with a built-in electron source according to the present invention.
【図４】図３に示した電子源内蔵真空気密容器の左側面
の部分的な拡大断面図である。4 is a partially enlarged cross-sectional view of the left side surface of the vacuum-tight container with a built-in electron source shown in FIG. 3;
【図５】電子源内蔵真空気密容器の概要構成を示す平面
図である。FIG. 5 is a plan view showing a schematic configuration of a vacuum-tight container with a built-in electron source.
【図６】真空気密容器内に収納される従来のゲッターの
外観を示す図である。FIG. 6 is a view showing the appearance of a conventional getter housed in a vacuum-tight container.
１ カソード基板 ２ アノード基板 ３，２１ ゲッターボックス ４ 連通孔 ５ 排気管 １１ 非蒸発型ゲッター １１ａ 非蒸発型ゲッター本体部 １１ｂ 抵抗加熱体 １２ 引き出し線 ２２ 封着材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Cathode substrate 2 Anode substrate 3, 21 Getter box 4 Communication hole 5 Exhaust pipe 11 Non-evaporable getter 11a Non-evaporable getter main body 11b Resistance heating body 12 Leader 22 Sealing material
Claims (6)
第１の基板と、該第１の基板に対し電子放出方向に所定
間隔をおいて設けられ一端が該第１の基板の一端より突
き出た第２の基板と、前記第１の基板の前記一端を間に
して前記第２の基板の突き出し部分と対向して設けられ
排気管に連通する孔を有する底板と、該底板と前記第１
および第２の基板との間に側板を有し、内部が真空状態
にされた電子源内蔵真空気密容器であって、非蒸発型ゲ
ッターが前記第１の基板と前記底板との間に収納され、
前記非蒸発型ゲッターを通電加熱する電源供給線が前記
第１の基板の前記底板側を通って外部に引き出されるこ
とを特徴とする電子源内蔵真空気密容器。A first substrate on which an electron source is formed and having a cathode electrode; a first substrate provided at a predetermined distance from the first substrate in an electron emission direction, and one end protruding from one end of the first substrate. A second substrate, a bottom plate having a hole provided between the one end of the first substrate and facing the protruding portion of the second substrate and communicating with an exhaust pipe;
A side plate between the first substrate and the second substrate, wherein the non-evaporable getter is housed between the first substrate and the bottom plate. ,
A power supply line for energizing and heating the non-evaporable getter is drawn out to the outside through the bottom plate side of the first substrate.
第１の基板と、該第１の基板に対し電子放出方向に所定
間隔をおいて設けられ一端が該第１の基板の一端より突
き出た第２の基板と、前記第１の基板の厚みと略同じ厚
みで前記第１の基板の一端と対向して凹部が設けられた
側板と、前記第１の基板の前記一端と前記側板とを間に
して前記第２の基板の突き出し部分と対向して設けられ
排気管に連通する孔を有する底板を有し、内部が真空状
態にされた電子源内蔵真空気密容器であって、非蒸発型
ゲッターが前記凹部に収納され、前記非蒸発型ゲッター
を通電加熱する電源供給線が前記底板上を通って外部に
引き出されていることを特徴とする電子源内蔵真空気密
容器。2. A first substrate on which an electron source is formed and having a cathode electrode, provided at a predetermined distance from the first substrate in an electron emission direction, one end of which protrudes from one end of the first substrate. A second substrate, a side plate having a thickness substantially equal to the thickness of the first substrate and provided with a concave portion facing one end of the first substrate, and the one end and the side plate of the first substrate; A vacuum-tight container with a built-in electron source, having a bottom plate provided with a hole communicating with the exhaust pipe and provided in opposition to the protruding portion of the second substrate, and a non-evaporable type; A vacuum airtight container with a built-in electron source, characterized in that a getter is housed in the recess, and a power supply line for electrically heating the non-evaporable getter is drawn out through the bottom plate.
己発熱するものであることを特徴とする請求項１または
２に記載の電子源内蔵真空気密容器。3. The vacuum-tight container with a built-in electron source according to claim 1, wherein the non-evaporable getter is self-heating when energized.
有するバルクゲッターであることを特徴とする請求項１
または２に記載の電子源内蔵真空気密容器。4. The method according to claim 1, wherein the non-evaporable getter is a bulk getter having a resistance heater.
Or a vacuum-tight container with a built-in electron source according to 2.
ッターを収納することを特徴とする請求項１ないし４の
いずれか１項に記載の電子源内蔵真空気密容器。5. The vacuum-tight container with a built-in electron source according to claim 1, wherein an evaporable getter is accommodated in addition to the non-evaporable getter.
の電子源内蔵真空気密容器を用い、前記電子源内蔵真空
気密容器の電子源の駆動中に前記非蒸発型ゲッターを前
記電源供給線を通して通電加熱することを特徴とするゲ
ッターの活性化方法。6. The power supply for the non-evaporable getter using the vacuum-tight container with a built-in electron source according to claim 1 while driving the electron source of the vacuum-tight container with a built-in electron source. A method for activating a getter, comprising heating by heating through a wire.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183897A JPH10199453A (en) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | Electron source integrated vacuum airtight vessel and activating method of getter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1183897A JPH10199453A (en) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | Electron source integrated vacuum airtight vessel and activating method of getter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199453A true JPH10199453A (en) | 1998-07-31 |
Family
ID=11788881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1183897A Withdrawn JPH10199453A (en) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | Electron source integrated vacuum airtight vessel and activating method of getter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10199453A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007012557A (en) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | Field emission type image display device |
| JP2007157682A (en) * | 2005-11-10 | 2007-06-21 | Hitachi High-Technologies Corp | Charged particle beam apparatus |
| JP2008130376A (en) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Mt Picture Display Co Ltd | Vacuum device |
| WO2018151253A1 (en) * | 2017-02-20 | 2018-08-23 | Ｎｅｃネットワーク・センサ株式会社 | Microwave electron tube, getter, microwave amplification device and power source |
-
1997
- 1997-01-08 JP JP1183897A patent/JPH10199453A/en not_active Withdrawn
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