JPH1019687A - 半導体素子製造用拡散炉のプロセス温度検出方法及びその装置 - Google Patents
半導体素子製造用拡散炉のプロセス温度検出方法及びその装置Info
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- JPH1019687A JPH1019687A JP8309011A JP30901196A JPH1019687A JP H1019687 A JPH1019687 A JP H1019687A JP 8309011 A JP8309011 A JP 8309011A JP 30901196 A JP30901196 A JP 30901196A JP H1019687 A JPH1019687 A JP H1019687A
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- thermocouple
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- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 プロセスチューブ内の温度をその全長にわた
って検出してプロセス温度を一定に保持させることによ
り、プロセスチューブ内のウェーハの位置に関係なく均
一な工程を行うことができるようにする半導体素子製造
用拡散炉のプロセス温度検出装置を提供する。 【解決手段】 プロセスチューブ１１内に設置された一
つの熱電対１４と、プロセスチューブの外部に設置され
て熱電対の一端に連結された移送部材１６と、移送部材
の直線移動を案内するガイドレール１７と、熱電対がプ
ロセスチューブの全長にわたって一定の速度で移動する
ように移送部材を直線移動させる駆動部１８とからな
る。
って検出してプロセス温度を一定に保持させることによ
り、プロセスチューブ内のウェーハの位置に関係なく均
一な工程を行うことができるようにする半導体素子製造
用拡散炉のプロセス温度検出装置を提供する。 【解決手段】 プロセスチューブ１１内に設置された一
つの熱電対１４と、プロセスチューブの外部に設置され
て熱電対の一端に連結された移送部材１６と、移送部材
の直線移動を案内するガイドレール１７と、熱電対がプ
ロセスチューブの全長にわたって一定の速度で移動する
ように移送部材を直線移動させる駆動部１８とからな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子製造工程
に用いられる拡散炉（diffusion furnace）に関し、さ
らに詳しくは、拡散工程に必要なプロセス温度をプロセ
スチューブの全長にわたって測定して、拡散炉の特性で
あるヒートブロック（heat block）形成及び均熱長の位
置を確認することにより、拡散工程の処理条件を正確に
設定するように構成された半導体素子製造用拡散炉のプ
ロセス温度検出方法及びその装置に関する。
に用いられる拡散炉（diffusion furnace）に関し、さ
らに詳しくは、拡散工程に必要なプロセス温度をプロセ
スチューブの全長にわたって測定して、拡散炉の特性で
あるヒートブロック（heat block）形成及び均熱長の位
置を確認することにより、拡散工程の処理条件を正確に
設定するように構成された半導体素子製造用拡散炉のプ
ロセス温度検出方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、拡散工程はウェーハ上に酸化膜
を形成するための工程であり、この工程によって形成さ
れた酸化膜はウェーハの表面保護、拡散マスキング（Di
ffusion Masking）、誘電体などの機能を持つ。このよ
うな拡散工程は拡散炉内で化学的反応によってなされ
る。
を形成するための工程であり、この工程によって形成さ
れた酸化膜はウェーハの表面保護、拡散マスキング（Di
ffusion Masking）、誘電体などの機能を持つ。このよ
うな拡散工程は拡散炉内で化学的反応によってなされ
る。
【０００３】図３は従来の拡散炉の構造を概略的に示
す。図３に示すように、拡散炉内にはウェーハが入れら
れる石英のプロセスチューブ１が設置されており、この
プロセスチューブ１の外側にはプロセスチューブ１の内
部温度を上昇させるためのヒータ２が設置されている。
そして、ヒータ２に電力を印加してプロセスチューブ１
を加熱することにより、プロセスチューブ１内の温度を
所定のプロセス温度に保持し、プロセスチューブ１内に
化学反応ガスを注入してウェーハ上に酸化膜を形成す
る。ここで、拡散工程においてプロセスチューブ１内の
温度を一定に保持することが非常に重要であり、熱電対
（Thermocouple）を用いてプロセスチューブ１内の温度
を検出してヒータ２を制御するようになっている。
す。図３に示すように、拡散炉内にはウェーハが入れら
れる石英のプロセスチューブ１が設置されており、この
プロセスチューブ１の外側にはプロセスチューブ１の内
部温度を上昇させるためのヒータ２が設置されている。
そして、ヒータ２に電力を印加してプロセスチューブ１
を加熱することにより、プロセスチューブ１内の温度を
所定のプロセス温度に保持し、プロセスチューブ１内に
化学反応ガスを注入してウェーハ上に酸化膜を形成す
る。ここで、拡散工程においてプロセスチューブ１内の
温度を一定に保持することが非常に重要であり、熱電対
（Thermocouple）を用いてプロセスチューブ１内の温度
を検出してヒータ２を制御するようになっている。
【０００４】即ち、プロセスチューブ１の内部には内側
熱電対４が設置され、プロセスチューブ１の外部には外
側熱電対３がそれぞれ設置されている。ヒータ２の温度
制御は主に外側熱電対３によって行われ、内側熱電対４
はプロセスチューブ１内の実際の温度を検出して、これ
により外側熱電対３の設置位置の関係上プロセスチュー
ブ１内の温度を正確に検出し得ないという問題を補償し
ている。なお、内側熱電対４は保護用チューブ５によっ
て保護されている。
熱電対４が設置され、プロセスチューブ１の外部には外
側熱電対３がそれぞれ設置されている。ヒータ２の温度
制御は主に外側熱電対３によって行われ、内側熱電対４
はプロセスチューブ１内の実際の温度を検出して、これ
により外側熱電対３の設置位置の関係上プロセスチュー
ブ１内の温度を正確に検出し得ないという問題を補償し
ている。なお、内側熱電対４は保護用チューブ５によっ
て保護されている。
【０００５】このような熱電対を用いたプロセスチュー
ブ１内の温度の検出は、水平形拡散炉の場合には通常３
箇所で行われ、また、垂直形拡散炉の場合には通常４箇
所で行われる。水平形拡散炉の場合はその長さは１６０
０ｍｍであり、検出ポイントは約２５０〜３５０ｍｍの
距離を置いて互いに離隔しており、第２検出ポイントｂ
を中心として第１検出ポイントａが前方に、第３検出ポ
イントｃが後方にそれぞれ位置している。従って、第１
乃至第３検出ポイントａ〜ｃに内側熱電対４がそれぞれ
位置するようにして、第１乃至第３検出ポイントａ〜ｃ
の温度を測定するように構成されている。
ブ１内の温度の検出は、水平形拡散炉の場合には通常３
箇所で行われ、また、垂直形拡散炉の場合には通常４箇
所で行われる。水平形拡散炉の場合はその長さは１６０
０ｍｍであり、検出ポイントは約２５０〜３５０ｍｍの
距離を置いて互いに離隔しており、第２検出ポイントｂ
を中心として第１検出ポイントａが前方に、第３検出ポ
イントｃが後方にそれぞれ位置している。従って、第１
乃至第３検出ポイントａ〜ｃに内側熱電対４がそれぞれ
位置するようにして、第１乃至第３検出ポイントａ〜ｃ
の温度を測定するように構成されている。
【０００６】図４はこのような従来のプロセス温度検出
方法によって検出した温度特性曲線を示す図であって、
内側及び外側熱電対４，３によってヒータ２が制御さ
れ、プロセスチューブ１内の一定区間が所定温度の均熱
長に形成される。従って、安定した工程を行うために
は、この均熱長の中心に複数のウェーハを積載した石英
ボート６を正確にローディングして位置させなければな
らない。
方法によって検出した温度特性曲線を示す図であって、
内側及び外側熱電対４，３によってヒータ２が制御さ
れ、プロセスチューブ１内の一定区間が所定温度の均熱
長に形成される。従って、安定した工程を行うために
は、この均熱長の中心に複数のウェーハを積載した石英
ボート６を正確にローディングして位置させなければな
らない。
【０００７】ここで、拡散炉の特性上、「Ａ」領域と
「Ｂ」領域では外部に露出されて熱損失が発生する。従
って、一定の温度に維持するために、「Ａ」領域と
「Ｂ」領域のためにヒータ２の加熱温度を点線で示すよ
うにかなり上げるようなヒートブロック（heat block)
を形成する。
「Ｂ」領域では外部に露出されて熱損失が発生する。従
って、一定の温度に維持するために、「Ａ」領域と
「Ｂ」領域のためにヒータ２の加熱温度を点線で示すよ
うにかなり上げるようなヒートブロック（heat block)
を形成する。
【０００８】しかしながら、従来の温度検出方法では検
出ポイントが３箇所に限定されているので、検出ポイン
トａ〜ｃの間の中間領域の温度は検出することはできな
い。ところが、検出ポイントａ〜ｃの間にも僅かな温度
差があり、全体領域にわたって内部の温度を正確に検出
することができず、内部を所望の温度に保持することは
困難であった。
出ポイントが３箇所に限定されているので、検出ポイン
トａ〜ｃの間の中間領域の温度は検出することはできな
い。ところが、検出ポイントａ〜ｃの間にも僅かな温度
差があり、全体領域にわたって内部の温度を正確に検出
することができず、内部を所望の温度に保持することは
困難であった。
【０００９】さらに、複数のウェーハを積載した石英ボ
ート６のローディングに際して、正確な均熱長及びヒー
トブロックの位置を第１乃至第３検出ポイントａ〜ｃだ
けでの測定では検出することができないので、通常プロ
セスチューブ１の中間位置に当たる第２検出ポイントｂ
を中心として石英ボート６をローディングさせている。
言い換えれば、均熱長の中心位置に石英ボート６を正確
に配置しなければ、石英ボートに積載したウェーハの位
置によってウェーハに対する酸化膜の形成は変化するの
で、拡散工程において均一に酸化膜を形成することはで
きない。
ート６のローディングに際して、正確な均熱長及びヒー
トブロックの位置を第１乃至第３検出ポイントａ〜ｃだ
けでの測定では検出することができないので、通常プロ
セスチューブ１の中間位置に当たる第２検出ポイントｂ
を中心として石英ボート６をローディングさせている。
言い換えれば、均熱長の中心位置に石英ボート６を正確
に配置しなければ、石英ボートに積載したウェーハの位
置によってウェーハに対する酸化膜の形成は変化するの
で、拡散工程において均一に酸化膜を形成することはで
きない。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の温
度制御及び検出方法においては、石英ボートのローディ
ング位置の設定が難しく、第１乃至第３検出ポイント間
の領域において温度の変化があっても温度を正確に検出
することができず、従って、拡散工程に影響を与える特
定のプロセス条件の設定が困難であるという問題があっ
た。
度制御及び検出方法においては、石英ボートのローディ
ング位置の設定が難しく、第１乃至第３検出ポイント間
の領域において温度の変化があっても温度を正確に検出
することができず、従って、拡散工程に影響を与える特
定のプロセス条件の設定が困難であるという問題があっ
た。
【００１１】そこで、本発明の目的は、プロセスチュー
ブ内の温度をその全長にわたって検出してプロセス温度
を一定に保持することによって、プロセスチューブ内の
ウェーハの位置に関係なく均一な工程を行うことができ
るようにした半導体素子製造用拡散炉のプロセス温度検
出方法及びその装置を提供することにある。
ブ内の温度をその全長にわたって検出してプロセス温度
を一定に保持することによって、プロセスチューブ内の
ウェーハの位置に関係なく均一な工程を行うことができ
るようにした半導体素子製造用拡散炉のプロセス温度検
出方法及びその装置を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、プロセスチューブ内
の均熱長及びヒートブロックの位置を正確に測定してウ
ェーハを積載した石英ボートを均熱長の中心に正確に位
置させることによって、安定した工程を行うことができ
るようにした半導体素子製造用拡散炉のプロセス温度検
出方法及びその装置を提供することにある。
の均熱長及びヒートブロックの位置を正確に測定してウ
ェーハを積載した石英ボートを均熱長の中心に正確に位
置させることによって、安定した工程を行うことができ
るようにした半導体素子製造用拡散炉のプロセス温度検
出方法及びその装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に基づく半導体素子製造用拡散炉のプロセス
温度検出方法は、半導体素子製造用拡散炉内に設置され
たプロセスチューブ内のプロセス温度を検出するための
方法において、前記プロセスチューブ内に一つの熱電対
を設置して、この熱電対をプロセスチューブの一端から
他端まで移動させながらプロセスチューブ内の全長にわ
たってプロセス温度を検出することを特徴とする。前記
熱電対の移動速度は５０〜３００ｍｍ／時とすることが
好ましく、これにより迅速かつ正確に検出することがで
きる。
に、本発明に基づく半導体素子製造用拡散炉のプロセス
温度検出方法は、半導体素子製造用拡散炉内に設置され
たプロセスチューブ内のプロセス温度を検出するための
方法において、前記プロセスチューブ内に一つの熱電対
を設置して、この熱電対をプロセスチューブの一端から
他端まで移動させながらプロセスチューブ内の全長にわ
たってプロセス温度を検出することを特徴とする。前記
熱電対の移動速度は５０〜３００ｍｍ／時とすることが
好ましく、これにより迅速かつ正確に検出することがで
きる。
【００１４】また、本発明に基づく半導体素子製造用拡
散炉のプロセス温度検出装置は、プロセスチューブ内に
設置された一つの熱電対と、前記プロセスチューブの外
部に設置されて熱電対の一端に連結された移送部材と、
前記移送部材の直線移動を案内するガイドレールと、前
記熱電対が前記プロセスチューブの一端から他端までそ
の全長にわたって一定の速度で移動するように前記移送
部材を直線移動させる駆動部とからなることを特徴とす
る。
散炉のプロセス温度検出装置は、プロセスチューブ内に
設置された一つの熱電対と、前記プロセスチューブの外
部に設置されて熱電対の一端に連結された移送部材と、
前記移送部材の直線移動を案内するガイドレールと、前
記熱電対が前記プロセスチューブの一端から他端までそ
の全長にわたって一定の速度で移動するように前記移送
部材を直線移動させる駆動部とからなることを特徴とす
る。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付の図面を参照して本発
明による半導体素子製造用拡散炉のプロセス温度検出方
法及びその装置を詳細に説明する。
明による半導体素子製造用拡散炉のプロセス温度検出方
法及びその装置を詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明による拡散炉の構造を概略的
に示す。図１に示すように、拡散炉内には、拡散工程を
行うために、ウェーハを積載した石英ボート１９が入れ
られるプロセスチューブ１１が設置されており、このプ
ロセスチューブ１１の外部にはプロセスチューブ１１を
加熱して内部の温度を所定のプロセス温度に上げるため
のヒータ１２が設置されている。
に示す。図１に示すように、拡散炉内には、拡散工程を
行うために、ウェーハを積載した石英ボート１９が入れ
られるプロセスチューブ１１が設置されており、このプ
ロセスチューブ１１の外部にはプロセスチューブ１１を
加熱して内部の温度を所定のプロセス温度に上げるため
のヒータ１２が設置されている。
【００１７】ヒータ１２の加熱温度はプロセスチューブ
１１の外部に設置された外側熱電対１３によって制御さ
れ、外側熱電対１３によって検出されたプロセス温度の
変化によってヒータ１２の加熱温度を制御することによ
り、プロセス温度を所定の範囲内に一定に保持するよう
になっている。
１１の外部に設置された外側熱電対１３によって制御さ
れ、外側熱電対１３によって検出されたプロセス温度の
変化によってヒータ１２の加熱温度を制御することによ
り、プロセス温度を所定の範囲内に一定に保持するよう
になっている。
【００１８】ここで、外側熱電対１３は、プロセスチュ
ーブ１１の長手方向に対して中央に位置する第２検出ポ
イントｂと、この第２検出ポイントｂを中心として約２
５０〜３５０ｍｍ離れた前方及び後方位置にそれぞれ位
置する第１及び第３検出ポイントａ，ｃとに設置され、
第１乃至第３検出ポイントａ〜ｃでプロセスチューブ１
１の内部温度を検出する。
ーブ１１の長手方向に対して中央に位置する第２検出ポ
イントｂと、この第２検出ポイントｂを中心として約２
５０〜３５０ｍｍ離れた前方及び後方位置にそれぞれ位
置する第１及び第３検出ポイントａ，ｃとに設置され、
第１乃至第３検出ポイントａ〜ｃでプロセスチューブ１
１の内部温度を検出する。
【００１９】さらに、プロセスチューブ１１内には、プ
ロセスチューブ１１内の実際の温度を検出して外側熱電
対１３の誤差を補償するために、内側熱電対１４が設置
されている。内側熱電対１４は、石英の保護用チューブ
１５によって保護されるとともに、プロセスチューブ１
１の長手方向に移動可能に設置され、従って、プロセス
チューブ１１の全長にわたってプロセス温度を検出する
ことができる。即ち、プロセスチューブ１１内の内側熱
電対１４は、プロセスチューブ１１の外部に設置された
移送部材１６に連結されて、この移送部材１６の直線移
動に従ってプロセスチューブ１１内を長手方向に移動す
る。
ロセスチューブ１１内の実際の温度を検出して外側熱電
対１３の誤差を補償するために、内側熱電対１４が設置
されている。内側熱電対１４は、石英の保護用チューブ
１５によって保護されるとともに、プロセスチューブ１
１の長手方向に移動可能に設置され、従って、プロセス
チューブ１１の全長にわたってプロセス温度を検出する
ことができる。即ち、プロセスチューブ１１内の内側熱
電対１４は、プロセスチューブ１１の外部に設置された
移送部材１６に連結されて、この移送部材１６の直線移
動に従ってプロセスチューブ１１内を長手方向に移動す
る。
【００２０】移送部材１６はガイドレール１７に案内さ
れており、移送部材１６は下部の駆動部１８によって直
線往復運動する。ガイドレール１７の長さを内側熱電対
１４の移動距離より少なくとも長く形成することによっ
て、内側熱電対１４がプロセスチューブ１１の一端から
他端まで全体の長さにわたって移動可能とすることが好
ましい。
れており、移送部材１６は下部の駆動部１８によって直
線往復運動する。ガイドレール１７の長さを内側熱電対
１４の移動距離より少なくとも長く形成することによっ
て、内側熱電対１４がプロセスチューブ１１の一端から
他端まで全体の長さにわたって移動可能とすることが好
ましい。
【００２１】このように構成された半導体素子製造用拡
散炉において、駆動部１８によって移送部材１６を駆動
してガイドレール１７に沿って直線運動させると、これ
に連結された内側熱電対１４はプロセスチューブ１１内
を長手方向に直線移動しながら、プロセスチューブ１１
内の全長にわたってプロセス温度を検出する。この時、
熱電対の移動速度は５０〜３００ｍｍ／時に設定するこ
とが好ましい。もし移送速度を５０ｍｍ／時より遅くし
た場合には、正確なプロセス温度の検出は可能となる
が、プロセス温度の検出速度が遅くなって効率が低下す
る。一方、移送速度を３００ｍｍ／時より速くした場合
には、迅速な検出は可能となるが、正確な検出が困難と
なる。
散炉において、駆動部１８によって移送部材１６を駆動
してガイドレール１７に沿って直線運動させると、これ
に連結された内側熱電対１４はプロセスチューブ１１内
を長手方向に直線移動しながら、プロセスチューブ１１
内の全長にわたってプロセス温度を検出する。この時、
熱電対の移動速度は５０〜３００ｍｍ／時に設定するこ
とが好ましい。もし移送速度を５０ｍｍ／時より遅くし
た場合には、正確なプロセス温度の検出は可能となる
が、プロセス温度の検出速度が遅くなって効率が低下す
る。一方、移送速度を３００ｍｍ／時より速くした場合
には、迅速な検出は可能となるが、正確な検出が困難と
なる。
【００２２】図２は本発明に基づくプロセス温度検出方
法によって検出されたプロセス温度の特性曲線図であ
る。図２に示すように、一つの内側熱電対１４がプロセ
スチューブ１１の全長にわたって移動しながら温度を検
出するので、均熱長の位置及びヒートブロックの形成地
点を正確に検出することができるばかりでなく、プロセ
スチューブ１１の全長における微細な領域の温度を検出
することができる。
法によって検出されたプロセス温度の特性曲線図であ
る。図２に示すように、一つの内側熱電対１４がプロセ
スチューブ１１の全長にわたって移動しながら温度を検
出するので、均熱長の位置及びヒートブロックの形成地
点を正確に検出することができるばかりでなく、プロセ
スチューブ１１の全長における微細な領域の温度を検出
することができる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、プロセスチューブ内の
プロセス温度を所定の値に保持することが可能となり、
ウェーハを積載した石英ボートのローディング時にも石
英ボートを均熱長の中央位置に正確にローディングさせ
ることができるので、安定した均熱長内で均一な拡散工
程を行うことができる。
プロセス温度を所定の値に保持することが可能となり、
ウェーハを積載した石英ボートのローディング時にも石
英ボートを均熱長の中央位置に正確にローディングさせ
ることができるので、安定した均熱長内で均一な拡散工
程を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による拡散炉の構造を概略的に示す図で
ある。
ある。
【図２】本発明のプロセス温度検出方法によるプロセス
温度の特性曲線図である。
温度の特性曲線図である。
【図３】従来の拡散炉の構造を概略的に示す図である。
【図４】従来のプロセス温度検出方法によるプロセス温
度の特性曲線図である。
度の特性曲線図である。
１１ プロセスチューブ １２ ヒータ １３，１４ 熱電対 １５ 保護用チューブ １６ 移送部材 １７ ガイドレール １８ 駆動部 １９ 石英ボート
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体素子製造用拡散炉内に設置された
プロセスチューブ内のプロセス温度を検出するための方
法において、 前記プロセスチューブ内に一つの熱電対を設置して、こ
の熱電対を前記プロセスチューブの一端から他端まで移
動させながら前記プロセスチューブ内の全長にわたって
プロセス温度を検出することを特徴とする半導体素子製
造用拡散炉のプロセス温度検出方法。 - 【請求項２】 前記熱電対の移動速度は５０〜３００ｍ
ｍ／時であることを特徴とする請求項１記載のプロセス
温度検出方法。 - 【請求項３】 プロセスチューブ内に設置された一つの
熱電対と、 前記プロセスチューブの外部に設置されて熱電対の一端
に連結された移送部材と、 前記移送部材の直線移動を案内するガイドレールと、 前記熱電対が前記プロセスチューブの一端から他端まで
その全長にわたって一定の速度で移動するように前記移
送部材を直線移動させる駆動部と、からなることを特徴
とする半導体素子製造用拡散炉のプロセス温度検出装
置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960020403A KR100219413B1 (ko) | 1996-06-07 | 1996-06-07 | 반도체소자 제조용 확산로의 공정온도 검출을 통한 반도체소자 제조방법 |
| KR1996-20403 | 1996-06-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1019687A true JPH1019687A (ja) | 1998-01-23 |
Family
ID=19461148
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8309011A Pending JPH1019687A (ja) | 1996-06-07 | 1996-11-20 | 半導体素子製造用拡散炉のプロセス温度検出方法及びその装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1019687A (ja) |
| KR (1) | KR100219413B1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245202A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Denso Corp | 熱処理装置 |
| WO2020008806A1 (ja) * | 2018-07-05 | 2020-01-09 | 株式会社カネカ | センサシステム |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237729B2 (ja) * | 1982-09-25 | 1987-08-13 | Matsushita Electric Works Ltd | |
| JPS63211720A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Toshiba Corp | 半導体熱処理炉の温度分布調整方法 |
| JPS63241922A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Toshiba Corp | オ−トプロフアイル装置 |
| JPS6449220A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-23 | Tel Sagami Ltd | Heat treatment furnace |
-
1996
- 1996-06-07 KR KR1019960020403A patent/KR100219413B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-11-20 JP JP8309011A patent/JPH1019687A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237729B2 (ja) * | 1982-09-25 | 1987-08-13 | Matsushita Electric Works Ltd | |
| JPS63211720A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Toshiba Corp | 半導体熱処理炉の温度分布調整方法 |
| JPS63241922A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-07 | Toshiba Corp | オ−トプロフアイル装置 |
| JPS6449220A (en) * | 1987-08-19 | 1989-02-23 | Tel Sagami Ltd | Heat treatment furnace |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006245202A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | Denso Corp | 熱処理装置 |
| WO2020008806A1 (ja) * | 2018-07-05 | 2020-01-09 | 株式会社カネカ | センサシステム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100219413B1 (ko) | 1999-09-01 |
| KR980005407A (ko) | 1998-03-30 |
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