JPH10195656A - Production of oxide thin film and production device used therefor - Google Patents
Production of oxide thin film and production device used thereforInfo
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- JPH10195656A JPH10195656A JP34999096A JP34999096A JPH10195656A JP H10195656 A JPH10195656 A JP H10195656A JP 34999096 A JP34999096 A JP 34999096A JP 34999096 A JP34999096 A JP 34999096A JP H10195656 A JPH10195656 A JP H10195656A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、種々のデバイスに
用いられる酸化物薄膜の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing an oxide thin film used for various devices.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ペロブスカイト型酸化物、イルメナイト
型酸化物、ウルツアイト型酸化物およびビスマス層状酸
化物などに代表される酸化物誘電体・圧電体や、スピネ
ル型酸化物、ガーネット型酸化物およびマグネトプラム
バイト型酸化物に代表される酸化物磁性体や、ＮａＣｌ
型酸化物およびコランダム型酸化物に代表される酸化物
絶縁体の薄膜は、多くのデバイスへの応用が考えられて
いる。これらの薄膜の形成には、真空蒸着法、スパッタ
法、レーザアブレーション法、ＣＶＤ（化学蒸着）法、
ＭＯＣＶＤ（有機金属化学蒸着）法、プラズマＣＶＤな
ど様々な製造方法が検討されている。2. Description of the Related Art Oxide dielectrics and piezoelectrics typified by perovskite oxide, ilmenite oxide, wurtzite oxide and bismuth layered oxide, spinel oxide, garnet oxide and magnetoplum Oxide magnetic material represented by bite type oxide, NaCl
A thin film of an oxide insulator typified by a type oxide and a corundum type oxide is considered to be applied to many devices. These thin films are formed by vacuum deposition, sputtering, laser ablation, CVD (chemical vapor deposition),
Various manufacturing methods such as MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) and plasma CVD have been studied.
【０００３】これらのなかでも出発原料にβ−ジケトン
金属錯体、金属アルコキシドまたはシクロペンタジエニ
ル化合物をもちいたＭＯＣＶＤ法は、 （１）出発原料が化学的に安定で、毒性や発火性などの
危険性が無く、安全である。 （２）出発原料の分解温度が低いため低温での結晶成長
が可能である。 （３）膜組成および成膜速度が出発原料の気化温度やキ
ャリアガス流量により容易に制御できる。 （４）基板上で緩やかに反応が起きるため、基板や結晶
表面のダメージがなく、良質の薄膜が得られる。 （５）装置コストが安い。 などの特長があり、酸化物薄膜の製造に優れている。こ
の製造方法は、減圧にした反応チャンバー内に設けた基
板ホルダによって保持されかつ所定温度に加熱保持され
た基板上の全面に、原料ガスおよび反応ガスである酸素
をシャワー状に供給するようにしたものである（藤本、
清水、塩崎、深川、中谷：半導体・集積回路技術シンポ
ジウム講演論文集、１９９２、ｐ．１２０〜１２５）。[0003] Among these, the MOCVD method using a β-diketone metal complex, metal alkoxide or cyclopentadienyl compound as a starting material is as follows: (1) The starting material is chemically stable, and there is a danger of toxicity and ignitability. Safe and safe. (2) Since the decomposition temperature of the starting material is low, crystal growth at a low temperature is possible. (3) The film composition and the film formation rate can be easily controlled by the vaporization temperature of the starting material and the flow rate of the carrier gas. (4) Since the reaction occurs slowly on the substrate, there is no damage to the substrate or the crystal surface, and a good quality thin film can be obtained. (5) The equipment cost is low. It is excellent in manufacturing oxide thin films. In this manufacturing method, a raw material gas and oxygen as a reaction gas are supplied in a shower manner to the entire surface of a substrate held by a substrate holder provided in a reduced-pressure reaction chamber and heated and held at a predetermined temperature. (Fujimoto,
Shimizu, Shiozaki, Fukagawa, Nakatani: Symposium on Semiconductor and Integrated Circuit Technology, 1992, p. 120-125).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ＭＯＣＶＤ法によっても、出発原料に用いるβ−ジケト
ン金属錯体、金属アルコキシドまたはシクロペンタジエ
ニル化合物は、蒸気圧が低く、基板上に大面積に均一に
かつ大量に原料ガスを供給することが難しいため、高品
質の酸化物薄膜を大面積に均一かつ高速に製造すること
は困難であった。However, even with the above-mentioned MOCVD method, the β-diketone metal complex, metal alkoxide or cyclopentadienyl compound used as a starting material has a low vapor pressure and is uniformly formed over a large area on a substrate. As a result, it is difficult to supply a high-quality oxide thin film over a large area uniformly and at high speed.
【０００５】本発明は、従来技術におけるこれらの問題
点を解決し、結晶性が高く、誘電特性、圧電特性、磁気
特性、電気特性、絶縁特性等の諸特性に優れた酸化物薄
膜を大面積に均一かつ高速で製造することのできる酸化
物薄膜の製造方法を提供することを目的とする。The present invention solves these problems in the prior art and provides a large-area oxide thin film having high crystallinity and excellent properties such as dielectric properties, piezoelectric properties, magnetic properties, electrical properties, and insulating properties. It is an object of the present invention to provide a method for producing an oxide thin film which can be produced uniformly and at high speed.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明の酸化物薄膜の製
造方法は、排気手段を有する反応チャンバ内に配された
基板の表面に反応ガスを供給するとともに、同表面の一
部の領域のみにβ−ジケトン金属錯体または金属アルコ
キシドまたはシクロペンタジエニル化合物等の蒸気から
なる原料ガスを選択的に供給し、さらに基板を加熱しな
がら回転させることによって基板上に酸化物を化学蒸着
するものである。According to a method of manufacturing an oxide thin film of the present invention, a reaction gas is supplied to a surface of a substrate provided in a reaction chamber having an exhaust means, and only a part of the surface is provided. Is selectively supplied with a raw material gas comprising a vapor of a β-diketone metal complex or a metal alkoxide or a cyclopentadienyl compound, and further rotating the substrate while heating to chemically deposit an oxide on the substrate. is there.
【０００７】[0007]
【発明の実施の形態】本発明の酸化物薄膜の製造方法
は、所定温度に加熱保持された基板の表面に原料ガスお
よび反応ガスを供給することにより基板の表面に酸化物
薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法であって、原料ガ
スを反応ガスの供給領域内の特定の領域のみに供給し、
基板を原料ガスの供給領域を部分的に含む反応ガスの供
給領域で回転させることを特徴とするものである。これ
により、基板表面の原料ガスの供給される領域では酸化
物あるいはその他の化合物からなる薄膜が形成される。
基板が回転し、同領域外に移動すると、形成された薄膜
は、酸化およびアニールされる。このように、薄膜の形
成と、酸化・アニールを交互に繰り返しながら酸化物薄
膜を成長させるものである。このとき、基板回転数を１
〜５０００回転／分とすることが好ましい。また、成膜
時の真空度を０．１〜５００Ｔｏｒｒとすることが好ま
しい。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The method for producing an oxide thin film according to the present invention comprises an oxidizing method for forming an oxide thin film on the surface of a substrate by supplying a raw material gas and a reaction gas to the surface of the substrate heated and held at a predetermined temperature. A method for producing a material thin film, wherein a source gas is supplied only to a specific region in a supply region of a reaction gas,
The substrate is rotated in a reaction gas supply region partially including a source gas supply region. As a result, a thin film made of an oxide or another compound is formed in a region of the substrate surface where the source gas is supplied.
As the substrate rotates and moves out of the region, the formed thin film is oxidized and annealed. Thus, the oxide thin film is grown while alternately repeating the formation of the thin film and the oxidation and annealing. At this time, the substrate rotation speed is set to 1
It is preferable to set it to 5,000 rpm. Further, it is preferable that the degree of vacuum at the time of film formation be 0.1 to 500 Torr.
【０００８】本発明の酸化物薄膜の製造方法は、以下の
酸化物からなる薄膜を大面積に均一かつ高速で製造する
ことができる。 １）酸化アルミニウム、Ｆｅ2Ｏ3およびそれらを主成分
とする酸化物に代表されるコランダム型酸化物 ２）ＢａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｔｉ，Ｚｒ）Ｏ
3 およびそれらを主成分とする酸化物に代表されるペロ
ブスカイト型酸化物 ３）ＭｇＴｉＯ3、ＬｉＮｂＯ3 、ＬｉＴａＯ3およびそ
れらを主成分とする酸化物に代表されるイルメナイト型
酸化物 ４）ＺｎＯおよびそれを主成分とする酸化物に代表され
るウルツアイト型酸化物 ５）ＢａＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9、 ＳｒＢｉ2Ｎｂ2Ｏ9、 ＳｒＢ
ｉ2Ｔａ2Ｏ9、ＳｒＢｉ2ＴａＮｂ2Ｏ9、ＢａＢｉ2Ｔａ2
Ｏ9、ＳｒＢｉ4Ｔａ4Ｏ15、ＰｂＢｉ2Ｔａ2Ｏ9、ＰｂＢ
ｉ2Ｎｂ2Ｏ9、ＢａＢｉ2ＴａＮｂＯ9およびそれらを主
成分とする酸化物に代表されるビスマス層状酸化物 ６）ＭｇＡｌ2Ｏ4、（Ｎｉ,Ｚｎ）Ｆｅ2Ｏ4、（Ｍｎ,Ｚ
ｎ）Ｆｅ2Ｏ4、ＣｏＦｅ2Ｏ3およびそれらを主成分とす
る酸化物に代表されるスピネル型酸化物 ７）Ｙ3Ｆｅ5Ｏ12、Ｂｉ3Ｆｅ5Ｏ12およびそれらを主成
分とする酸化物に代表されるガーネット型酸化物 ８）ＢａＦｅ12Ｏ19、ＳｒＦｅ12Ｏ19、ＰｂＦｅ12Ｏ19
およびそれらを主成分とする酸化物に代表されるマグネ
トプラムバイト型酸化物 ９）ＭｇＯ、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＣｄＯ
およびそれらを主成分とする酸化物に代表されるＮａＣ
ｌ型酸化物According to the method for producing an oxide thin film of the present invention, a thin film composed of the following oxides can be produced uniformly over a large area at a high speed. 1) Corundum type oxides represented by aluminum oxide, Fe 2 O 3 and oxides containing these as main components 2) BaTiO 3 , SrTiO 3 , Pb (Ti, Zr) O
3 ) Perovskite oxides represented by oxides containing them as main components 3) MgO 3 , LiNbO 3 , LiTaO 3 and ilmenite oxides represented by oxides containing them as main components 4) ZnO and it 5) BaBi 2 Nb 2 O 9 , SrBi 2 Nb 2 O 9 , SrB
i 2 Ta 2 O 9 , SrBi 2 TaNb 2 O 9 , BaBi 2 Ta 2
O 9 , SrBi 4 Ta 4 O 15 , PbBi 2 Ta 2 O 9 , PbB
Bismuth layered oxides represented by i 2 Nb 2 O 9 , BaBi 2 TaNbO 9 and oxides containing these as main components 6) MgAl 2 O 4 , (Ni, Zn) Fe 2 O 4 , (Mn, Z
n) Spinel-type oxides represented by Fe 2 O 4 , CoFe 2 O 3 and oxides containing these as main components 7) Y 3 Fe 5 O 12 , Bi 3 Fe 5 O 12 and those containing these as main components Garnet-type oxides represented by oxides 8) BaFe 12 O 19 , SrFe 12 O 19 , PbFe 12 O 19
And magneto-plumbite type oxides represented by oxides containing them as main components. 9) MgO, NiO, CoO, BaO, SrO, CdO
And NaC represented by oxides containing these as main components
l-type oxide
【０００９】好ましい実施の形態としては、原料ガス
に、β−ジケトン金属錯体、金属アルコキシドおよびシ
クロペンタジエニル化合物からなる群より選択される少
なくとも一種の化合物の蒸気を用いるものである。コラ
ンダム型酸化物、ペロブスカイト型酸化物、イルメナイ
ト型酸化物、ウルツアイト型酸化物、ビスマス層状酸化
物、スピネル型酸化物、ガーネット型酸化物、マグネト
プラムバイト型酸化物およびＮａＣｌ型酸化物のいずれ
の酸化物薄膜を製造する場合においても、それらを構成
する金属を含むβ−ジケトン金属錯体、金属アルコキシ
ドまたはシクロペンタジエニル化合物を出発原料に用い
ることにより、大面積に均一かつ高速で製造することが
できる。反応ガスには、Ｏ2、Ｎ2Ｏ、Ｈ2ＯおよびＯ3を
用いることができる。In a preferred embodiment, a vapor of at least one compound selected from the group consisting of a β-diketone metal complex, a metal alkoxide and a cyclopentadienyl compound is used as a raw material gas. Oxidation of any of corundum oxide, perovskite oxide, ilmenite oxide, wurtzite oxide, bismuth layered oxide, spinel oxide, garnet oxide, magnetoplumbite oxide and NaCl oxide Even in the case of producing thin material films, by using a β-diketone metal complex containing a metal constituting them, a metal alkoxide or a cyclopentadienyl compound as a starting material, a large area can be uniformly and rapidly produced. . O 2 , N 2 O, H 2 O and O 3 can be used as the reaction gas.
【００１０】本発明の酸化物薄膜製造装置は、密閉され
た反応チャンバと、反応チャンバの内部を減圧する排気
手段と、反応チャンバ内に配された基板を保持するため
の基板ホルダと、基板ホルダを回転させる回転手段と、
基板を加熱するための加熱手段と、基板の表面に反応ガ
スを供給する反応ガス供給手段と、基板の表面の一部の
領域のみに原料ガスを供給する原料ガス供給手段を備え
たものである。An apparatus for producing an oxide thin film according to the present invention comprises a closed reaction chamber, exhaust means for reducing the pressure inside the reaction chamber, a substrate holder for holding a substrate disposed in the reaction chamber, and a substrate holder. Rotating means for rotating
The apparatus includes a heating unit for heating the substrate, a reaction gas supply unit for supplying a reaction gas to the surface of the substrate, and a source gas supply unit for supplying the source gas only to a partial region of the surface of the substrate. .
【００１１】[0011]
【実施例】本発明の一実施例の酸化物薄膜の製造方法を
図面を用いて詳細に説明する。本実施例で用いた酸化物
薄膜の製造装置を図１に示す。反応チャンバ１内には、
基板３を保持する基板ホルダ４が配されており、回転機
構８により図中矢印方向に所定速度で回転する。基板ホ
ルダ４には基板３を加熱するためのヒータ２が内蔵され
ている。また、反応チャンバ１の下部には、反応チャン
バ１の内部を低圧状態にするための排気手段５が設けら
れている。基板ホルダ４の上部には、原料ガス供給手段
７および反応ガス供給手段６が設けられている。原料ガ
ス供給手段７は、バルブ１１を通じて出発原料１５の入
った気化器１２、さらにはバルブ１３を通じてキャリア
ガスボンベ１４とつながっている。また、反応ガス供給
手段６は、反応ガス供給バルブ９を通じて反応ガスボン
ベ１０とつながっている。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method for manufacturing an oxide thin film according to one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows an apparatus for manufacturing an oxide thin film used in this example. In the reaction chamber 1,
A substrate holder 4 for holding the substrate 3 is provided, and is rotated at a predetermined speed in a direction indicated by an arrow in FIG. The substrate holder 4 has a built-in heater 2 for heating the substrate 3. Further, an evacuation unit 5 for lowering the inside of the reaction chamber 1 to a low pressure state is provided below the reaction chamber 1. Above the substrate holder 4, a source gas supply unit 7 and a reaction gas supply unit 6 are provided. The source gas supply means 7 is connected to a vaporizer 12 containing a starting material 15 through a valve 11 and to a carrier gas cylinder 14 through a valve 13. The reaction gas supply means 6 is connected to a reaction gas cylinder 10 through a reaction gas supply valve 9.
【００１２】以下、本製造装置を用いて酸化物薄膜を製
造する方法について説明する。まず、反応チャンバ１内
を排気手段５によって排気し、反応チャンバ１内を低圧
状態にする。次いで、ヒータ２によって基板３を加熱
し、基板ホルダ４を回転させながら、目的とする酸化物
薄膜を形成するための原料ガスおよび反応ガスを、それ
ぞれ気化器１２および反応ガスボンベ１０より、原料ガ
ス供給手段７および反応ガス供給手段６によって反応チ
ャンバ１内に供給する。Hereinafter, a method for manufacturing an oxide thin film using the present manufacturing apparatus will be described. First, the inside of the reaction chamber 1 is evacuated by the evacuation unit 5, and the inside of the reaction chamber 1 is brought into a low pressure state. Next, while heating the substrate 3 by the heater 2 and rotating the substrate holder 4, the source gas and the reactive gas for forming the target oxide thin film are supplied from the vaporizer 12 and the reactive gas cylinder 10, respectively. The reaction gas is supplied into the reaction chamber 1 by the means 7 and the reaction gas supply means 6.
【００１３】図２は、基板ホルダ４周りの斜視図（ただ
し基板３は省略している）である。図２に示すように、
加熱した基板３の表面に、原料ガス供給手段７から原料
ガス、反応ガス供給手段６から反応ガスをそれぞれ供給
すると、基板３の表面のうち、原料ガスおよび反応ガス
と接触する成膜領域２０において原料ガスの熱分解と酸
化反応が進行し、化合物薄膜が形成される。ここで、基
板３を回転させ、形成された化合物薄膜が原料ガスと接
触しない酸化アニール領域２１に達すると、薄膜は酸化
されるとともにアニールされる。酸化およびアニールさ
れた薄膜が再び成膜領域２０に達すると、酸化アニール
処理された薄膜の上にさらに薄膜が形成される。このよ
うにして、成膜と、酸化、アニールを繰り返すことによ
り、大面積に均一に成膜できることが可能となるばかり
でなく、高堆積速度で成膜した場合においても、出発原
料に含まれているカーボンなどの不純物が混入しない高
品質の酸化物薄膜を製造することができる。FIG. 2 is a perspective view around the substrate holder 4 (however, the substrate 3 is omitted). As shown in FIG.
When a source gas is supplied from the source gas supply unit 7 and a reaction gas is supplied from the reaction gas supply unit 6 to the heated surface of the substrate 3, the film formation region 20 of the surface of the substrate 3 which comes into contact with the source gas and the reaction gas is provided. Thermal decomposition and oxidation reaction of the raw material gas proceed, and a compound thin film is formed. Here, when the substrate 3 is rotated and the formed compound thin film reaches the oxidation annealing region 21 where it does not come into contact with the source gas, the thin film is oxidized and annealed. When the oxidized and annealed thin film reaches the film formation region 20 again, another thin film is formed on the thin film subjected to the oxidation annealing treatment. By repeating film formation, oxidation, and annealing in this manner, not only can a film be uniformly formed over a large area, but also if the film is formed at a high deposition rate, it is included in the starting material. It is possible to manufacture a high-quality oxide thin film in which impurities such as carbon are not mixed.
【００１４】以下、酸化物薄膜としてコランダム型結晶
構造の酸化アルミニウム薄膜を製造する方法について具
体的に説明する。出発原料１５にはアルミニウムアセチ
ルアセトナートＡｌ（Ｃ5Ｈ7Ｏ2）3を用いた。気化器１
２に出発原料１５を入れ、これを１６０℃に加熱保持し
た。基板３には６インチシリコンウエハを４枚用い、こ
れらを基板ホルダ４により保持し、さらにヒータ２によ
り８５０℃に加熱保持した。Hereinafter, a method for producing an aluminum oxide thin film having a corundum crystal structure as an oxide thin film will be specifically described. Using aluminum acetylacetonate Al (C 5 H 7 O 2 ) 3 in the starting material 15. Vaporizer 1
Starting material 15 was placed in 2 and heated and maintained at 160 ° C. Four 6-inch silicon wafers were used as the substrate 3, these were held by the substrate holder 4, and further heated and held at 850 ° C. by the heater 2.
【００１５】まず、バルブ１４を開き、キャリアガスで
あるアルゴンを流量１０００ｓｃｃｍで気化器１２に供
給した。次いで、バルブ１１を開き、アルミニウムアセ
チルアセトナートの蒸気を、アルゴンガスとともに原料
ガス供給手段７により反応チャンバ１内に供給した。さ
らにバルブ９を開き、反応ガスとしての酸素を流量８０
０ｓｃｃｍで反応ガス供給手段６により反応チャンバ１
内に供給した。このようにして３０分間反応させ、基板
３上に酸化アルミニウム薄膜を形成した。なお、このと
きの基板３の回転数は４００回転／分とし、成膜時の真
空度は５Ｔｏｒｒとした。その後、基板３を室温付近ま
で冷却し、反応チャンバ１から取り出した。First, the valve 14 was opened, and argon as a carrier gas was supplied to the vaporizer 12 at a flow rate of 1000 sccm. Next, the valve 11 was opened, and the vapor of aluminum acetylacetonate was supplied into the reaction chamber 1 by the raw material gas supply means 7 together with the argon gas. Further, the valve 9 is opened and oxygen as a reaction gas is supplied at a flow rate of 80.
0 sccm and the reaction chamber 1 by the reaction gas supply means 6
Supplied within. In this way, the reaction was performed for 30 minutes to form an aluminum oxide thin film on the substrate 3. At this time, the rotation speed of the substrate 3 was set to 400 rotations / minute, and the degree of vacuum at the time of film formation was set to 5 Torr. After that, the substrate 3 was cooled to around room temperature and taken out of the reaction chamber 1.
【００１６】得られた薄膜の結晶構造をＸ線回折により
調べた結果、コランダム型の結晶構造をしていた。得ら
れた薄膜を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。そ
の結果、膜厚は４μｍで、結晶子の粒径は０．２μｍで
あった。膜はがれやクラックは見られなかった。なお、
形成された薄膜の膜厚分布は、４枚の基板３のいずれに
おいても２％以内であり、膜組成のばらつきも３％以内
であった。また、オージェ電子分光分析（ＡＥＳ）法に
より膜組成を調べた。その結果、ＡｌとＯ以外の不純物
によるピークは見られなかった。As a result of examining the crystal structure of the obtained thin film by X-ray diffraction, it was found that the thin film had a corundum type crystal structure. The obtained thin film was observed with a scanning electron microscope (SEM). As a result, the film thickness was 4 μm, and the crystallite particle size was 0.2 μm. No peeling or cracking of the film was observed. In addition,
The thickness distribution of the formed thin film was within 2% in any of the four substrates 3, and the variation in the film composition was also within 3%. The film composition was examined by Auger electron spectroscopy (AES). As a result, no peak due to impurities other than Al and O was observed.
【００１７】[0017]
【発明の効果】本発明によれば、基板上にて酸化物薄膜
の形成と同薄膜の酸化およびアニールとを交互に繰り返
しながら成膜することができるため、高品質の酸化物薄
膜を大面積に均一かつ高速に製造することができる。According to the present invention, it is possible to form a thin oxide film on a substrate while alternately repeating the formation and oxidation and annealing of the thin oxide film. It can be manufactured uniformly and at high speed.
【図１】本発明の実施例に用いた酸化物薄膜製造装置の
断面図である。FIG. 1 is a sectional view of an oxide thin film manufacturing apparatus used in an embodiment of the present invention.
【図２】同製造装置の基板ホルダ周りの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a periphery of a substrate holder of the manufacturing apparatus.
１ 反応チャンバ ２ ヒータ ３ 基板 ４ 基板ホルダ ５ 排気手段 ６ 反応ガス供給手段 ７ 原料ガス供給手段 ８ 回転機構 ９ バルブ １０ 反応ガスボンベ １１ バルブ １２ 気化器 １３ バルブ １４ キャリアガスボンベ １５ 出発原料 ２０ 成膜領域 ２１ 酸化アニール領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Reaction chamber 2 Heater 3 Substrate 4 Substrate holder 5 Exhaust means 6 Reaction gas supply means 7 Source gas supply means 8 Rotation mechanism 9 Valve 10 Reaction gas cylinder 11 Valve 12 Vaporizer 13 Valve 14 Carrier gas cylinder 15 Starting material 20 Film formation area 21 Oxidation Annealed area
Claims (3)
原料ガスおよび反応ガスを供給することにより前記基板
の表面に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の製造方法で
あって、前記原料ガスを前記反応ガスの供給領域内の特
定の領域のみに供給し、前記基板を前記原料ガスの供給
領域を部分的に含む前記反応ガスの供給領域で回転させ
ることを特徴とする酸化物薄膜の製造方法。1. A method for producing an oxide thin film, wherein a source gas and a reaction gas are supplied to a surface of a substrate heated and held at a predetermined temperature to form an oxide thin film on the surface of the substrate. Is supplied only to a specific region in the reaction gas supply region, and the substrate is rotated in the reaction gas supply region partially including the source gas supply region. Method.
体、金属アルコキシドおよびシクロペンタジエニル化合
物からなる群より選択される少なくとも一種の化合物の
蒸気である請求項１記載の酸化物薄膜の製造方法。2. The method for producing an oxide thin film according to claim 1, wherein the source gas is a vapor of at least one compound selected from the group consisting of a β-diketone metal complex, a metal alkoxide and a cyclopentadienyl compound. .
ャンバの内部を減圧する排気手段と、前記反応チャンバ
内に配された基板を保持するための基板ホルダと、前記
基板ホルダを回転させる回転手段と、前記基板を加熱す
るための加熱手段と、前記基板の表面に反応ガスを供給
する反応ガス供給手段と、前記基板の表面の一部の領域
のみに原料ガスを供給する原料ガス供給手段を備えた酸
化物薄膜製造装置。3. A closed reaction chamber, exhaust means for reducing the pressure inside the reaction chamber, a substrate holder for holding a substrate disposed in the reaction chamber, and rotating means for rotating the substrate holder. Heating means for heating the substrate, reaction gas supply means for supplying a reaction gas to the surface of the substrate, and source gas supply means for supplying a source gas only to a partial region of the surface of the substrate. Oxide thin film manufacturing equipment equipped.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34999096A JPH10195656A (en) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | Production of oxide thin film and production device used therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34999096A JPH10195656A (en) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | Production of oxide thin film and production device used therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10195656A true JPH10195656A (en) | 1998-07-28 |
Family
ID=18407492
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34999096A Pending JPH10195656A (en) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | Production of oxide thin film and production device used therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10195656A (en) |
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1996
- 1996-12-27 JP JP34999096A patent/JPH10195656A/en active Pending
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