JPH10193256A - Manufacture of wafer and manufacture of semiconductor device - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To substantially eliminate discharge of a used abrasive to the environment, and avoid a problem of environmental pollution by the used abrasive even if the production of semiconductor devices suddenly increases further in the future by forming an abrasive material as an abrasive containing a Mn oxide as an abrasive grain. SOLUTION: As Si ingot 1 is cut by using a cutter 2 using a band saw. In this case, an abrasive material containing MgO2 as an abrasive grain is used. To put it more concretely, an abrasive by typically dispersing an abrasive grain composed of electrolytic MnO2 for a battery having a particle diameter of about 10 to 30μm in pure water, is sprayed on a cylindrical ingot piece at wafer cutting time. This used abrasive can be easily reproduced after being dissolved. Time necessary to cut an 8 inch wafer by a band saw when such an MnO2 abrasive grain is used for cutting, is equal to a case where a diamond abrasive grain is used.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は一般に半導体装置の
製造に関し、特にウェハの研磨方法およびかかる方法で
研磨したウェハを使った半導体装置の製造方法に関す
る。半導体装置は一般に半導体ウェハ上に形成される。
特に、Ｓｉウェハは様々な半導体装置の基板として広く
使われている。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates generally to the manufacture of semiconductor devices, and more particularly to a method of polishing a wafer and a method of manufacturing a semiconductor device using a wafer polished by such a method. A semiconductor device is generally formed on a semiconductor wafer.
In particular, Si wafers are widely used as substrates for various semiconductor devices.

【０００２】Ｓｉウェハは、一般にＣＺ法等により形成
されたＳｉ単結晶インゴットを円筒形状に研削し、得ら
れた円筒形状の単結晶体をスライスして形成される。各
々のウェハは、片面が鏡面研磨され、鏡面研磨された面
上に様々な工程を施すことにより半導体装置が形成され
る。An Si wafer is generally formed by grinding a Si single crystal ingot formed by the CZ method or the like into a cylindrical shape, and slicing the obtained cylindrical single crystal. Each wafer is mirror-polished on one side, and a semiconductor device is formed by performing various processes on the mirror-polished surface.

【０００３】[0003]

【従来の技術】従来の半導体装置は、６インチ径あるい
は８インチ径のウェハ上に形成されるのが主流となって
いたが、半導体装置の製造費用を低下させるため、１２
インチ径のウェハの使用が検討されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor device is mainly formed on a wafer having a diameter of 6 inches or 8 inches.
The use of inch diameter wafers is being considered.

【０００４】６インチ径あるいは８インチ径のウェハを
スライスする場合には、インゴットの切断に内周刃を使
ったスライサーが一般に使われているが、１２インチ径
あるいはそれを超える径のウェハをスライスする場合に
は、ワイヤソーあるいはバンドソーを使う必要がある。
ワイヤソーあるいはバンドソーを使ったスライスでは、
ダイヤモンド砥粒を埋め込んだ厚さが約１ｍｍ程度の金
属のワイヤあるいはバンドによりインゴットが研削・切
断されるが、その際切断速度を上昇させるため、また一
度の切断で多数のスライスが得られるように、油中にダ
イヤモンド砥粒を分散させた研磨剤が使われることが多
い。[0004] When slicing a 6-inch or 8-inch diameter wafer, a slicer using an inner peripheral blade is generally used for cutting an ingot, but a wafer having a diameter of 12 inches or more is sliced. In this case, it is necessary to use a wire saw or a band saw.
When slicing using a wire saw or band saw,
The ingot is ground and cut by a metal wire or band with a thickness of about 1 mm in which diamond abrasive grains are embedded. In order to increase the cutting speed, a large number of slices can be obtained in one cut. In many cases, an abrasive in which diamond abrasive grains are dispersed in oil is used.

【０００５】また、従来より、スライスされたウェハの
表面を鏡面研磨するために、コロイダルシリカ研磨剤を
使った研磨工程が施されている。図５は、従来のウェハ
の製造工程を示すフローチャートである。図５を参照す
るに、まずステップＳ１において、ＣＺ法等の周知の結
晶成長方法により、単結晶Ｓｉインゴットが融液から引
き上げられる。次に、ステップＳ２において、得られた
Ｓｉインゴットのテールとトップが切断除去され、さら
に、得られたインゴットは、次のステップＳ３で行われ
る円筒研削工程に適した長さの円筒インゴットピースに
分割される。Conventionally, a polishing process using a colloidal silica abrasive has been performed to mirror-polish the surface of a sliced wafer. FIG. 5 is a flowchart showing a conventional wafer manufacturing process. Referring to FIG. 5, first, in step S1, a single crystal Si ingot is pulled up from the melt by a known crystal growth method such as the CZ method. Next, in step S2, the tail and top of the obtained Si ingot are cut and removed, and the obtained ingot is divided into cylindrical ingot pieces having a length suitable for the cylindrical grinding process performed in the next step S3. Is done.

【０００６】さらに、ステップＳ３において円筒研削さ
れた後、各々の円筒インゴットピースは、ステップＳ４
の工程において、ワイヤソーあるいはバンドソーを使っ
て個々のウェハにスライスされる。一般に工程Ｓ４で
は、スライスは、前記円筒インゴットピースの複数の箇
所で同時に実行され、その結果、複数のウェハが同時に
スライスされる。Further, after the cylindrical grinding in step S3, each cylindrical ingot piece is removed in step S4.
In this step, the wafer is sliced into individual wafers using a wire saw or a band saw. Generally, in step S4, slicing is performed simultaneously at multiple locations on the cylindrical ingot piece, resulting in multiple wafers being sliced simultaneously.

【０００７】次に、ステップＳ５の工程で、得られた各
々のウェハについて、一部を直線状にカットしてオリエ
ンテーションフラットを形成し、さらに取り扱いを容易
にするために、ウェハのエッジを面取りしてカケの発生
を抑止する。さらに、このようにして処理されたウェハ
をステップＳ６のラッピング工程においてラッピング
し、厚さを所定値に揃え、さらにステップＳ７のエッチ
ング工程において表面をＨＦ，酢酸およびＨＮＯ₃ の混
合液でエッチングし、ウェハ表面の欠陥および汚染を除
去する。Next, in the process of step S5, a part of each of the obtained wafers is cut into a straight line to form an orientation flat, and the edge of the wafer is chamfered for easier handling. To prevent chipping. Further, the wafer thus treated is wrapped in a lapping step of step S6, the thickness is adjusted to a predetermined value, and the surface is etched with a mixed solution of HF, acetic acid and HNO ₃ in an etching step of step S7, Removes wafer surface defects and contamination.

【０００８】このように処理されたウェハは、さらにス
テップＳ８において、素子を形成する側の面がコロイダ
ルシリカを使った研磨剤により鏡面研磨され、さらにス
テップＳ９において、ＮＨ₄ ＯＨおよびＨ₂ Ｏ₂ をベー
スとした洗浄液により洗浄され、砥粒が除去される。さ
らにステップＳ９において引き続き酸洗浄を行って、金
属汚染を除去することにより、半導体装置の形成に適し
たウェハが得られる。The wafer thus processed is further mirror-polished at step S8 with an abrasive using colloidal silica at step S8, and further, at step S9, NH ₄ OH and H ₂ O ₂ And the abrasive particles are removed. Further, in step S9, acid cleaning is continuously performed to remove metal contamination, whereby a wafer suitable for forming a semiconductor device can be obtained.

【０００９】図６は、図５のステップＳ４におけるスラ
イス工程を、バンドソーを使った場合を例に示す。図６
を参照するに、円筒研削された円筒インゴットピース１
が、複数のダイヤモンドソー２Ａ〜２Ｄを含むカッター
２の往復運動により切断され、その際ダイヤモンド砥粒
を含んだ油をシャワーすることにより、スライスの速度
が向上する。FIG. 6 shows an example of the slicing step in step S4 of FIG. 5 using a band saw. FIG.
As shown in FIG.
Is cut by the reciprocating motion of the cutter 2 including the plurality of diamond saws 2A to 2D. At that time, the oil containing the diamond abrasive grains is showered, whereby the slice speed is improved.

【００１０】図７は、図５のステップＳ８における研磨
工程を示す。図７を参照するに、ウェハ１０は、所定速
度で回転する研磨ヘッド１１上に、真空チャックにより
吸着され、研磨ヘッドは、前記ウェハを、所定速度で回
転する定盤１２に、所定の力で押しつける。定盤１２上
には研磨布１２Ａが装着されており、研磨布上にはコロ
イダルシリカ研磨剤が供給装置１３より滴下される。FIG. 7 shows a polishing step in step S8 of FIG. Referring to FIG. 7, a wafer 10 is held by a vacuum chuck on a polishing head 11 rotating at a predetermined speed, and the polishing head applies the wafer to a surface plate 12 rotating at a predetermined speed with a predetermined force. Press on. A polishing cloth 12A is mounted on the surface plate 12, and a colloidal silica abrasive is dropped on the polishing cloth from a supply device 13.

【００１１】[0011]

【発明が解決しようとする課題】図６のバンドソーを使
ったカッター２では、バンドソー２Ａ〜２Ｄの往復運動
速度が遅いため、切断速度を向上させるために、先にも
説明したダイヤモンド砥粒を油中に分散させた研磨剤を
スプレー等により使用することが不可欠になる。しか
し、このようなダイヤモンドを使った研磨剤は高価であ
り、半導体装置の製造費用を上昇させてしまう。これに
対して、アルミナ（Ａｌ₂ Ｏ₃ ）のような安価な砥粒を
使う場合もあるが、この場合には切断速度が低下する問
題点の他に、使用済みの砥粒が磨耗しており、回収して
再利用することは困難である問題点を有する。結果的
に、このような安価な研磨剤を使っても、研磨剤に実質
的な費用がかかり、半導体装置の製造費用はあまり低下
しない。In the cutter 2 using the band saw shown in FIG. 6, the reciprocating speed of the band saws 2A to 2D is low. It is essential to use the abrasive dispersed therein by spraying or the like. However, such a polishing agent using diamond is expensive and increases the manufacturing cost of the semiconductor device. On the other hand, inexpensive abrasive grains such as alumina (Al ₂ O ₃ ) may be used. In this case, in addition to the problem that the cutting speed is reduced, the used abrasive grains are worn out. Therefore, there is a problem that it is difficult to collect and reuse it. As a result, even if such an inexpensive polishing agent is used, a substantial cost is required for the polishing agent, and the manufacturing cost of the semiconductor device is not significantly reduced.

【００１２】また、従来は、図７の研磨工程において、
供給装置１３から滴下される研磨剤としてコロイダルシ
リカが使われているが、半導体装置の生産量の増大に伴
い、コロイダルシリカ研磨剤の消費量も近年急増してお
り、このような割合で半導体装置の増産が継続すると、
廃棄されたコロイダルシリカ研磨剤による環境問題も将
来浮上してくるおそれがある。研磨剤自体の回収は行わ
れているが、使用済み研磨剤中にはウェハの破片や研磨
布の破片等が含まれており、コロイダルシリカ研磨剤あ
るいはアルミナ研磨剤の場合、これらの破片の分離が困
難で、このため回収した研磨剤を再生して再利用するこ
とが困難である。Conventionally, in the polishing step of FIG.
Colloidal silica is used as the polishing agent dropped from the supply device 13. However, with the increase in the production of semiconductor devices, the consumption of the colloidal silica polishing agent has increased rapidly in recent years. As production increases,
Environmental problems due to discarded colloidal silica abrasives may emerge in the future. Although the abrasive itself is collected, the used abrasive contains wafer fragments and polishing cloth fragments. In the case of colloidal silica abrasive or alumina abrasive, these fragments are separated. Therefore, it is difficult to regenerate and reuse the collected abrasive.

【００１３】一方、本発明の発明者は、先にＭｎ酸化物
がＳｉ基板あるいはＳｉ基板上に形成された酸化膜のＣ
ＭＰ（化学機械研磨）工程において有効な研磨剤となる
ことを発見し、かかるＭｎ酸化物によるＣＭＰ工程を使
った半導体装置の製造方法を提案した（特願平７−１６
９０４８，特願平７−１６９０５７，特願平８−１４９
５２６，特願平８−１６７６２１等）。特に、ＭｎＯ₂
は、Ｗ等の金属あるいはＳｉの効果的な研磨剤となり、
Ｍｎ₂ Ｏ₃ あるいはＭｎ₃ Ｏ₄ はＳｉＯ₂ 等の酸化膜の
効果的な研磨剤となることが確認された。On the other hand, the inventor of the present invention has proposed that the Mn oxide is formed on the Si substrate or the oxide film formed on the Si substrate.
They discovered that they would be effective abrasives in the MP (chemical mechanical polishing) process, and proposed a method of manufacturing a semiconductor device using such a Mn oxide CMP process (Japanese Patent Application No. 7-16).
9048, Japanese Patent Application No. 7-169057, Japanese Patent Application No. 8-149
526, Japanese Patent Application No. 8-167621, etc.). In particular, MnO ₂
Is an effective abrasive for metals such as W or Si,
It has been confirmed that Mn ₂ O ₃ or Mn ₃ O ₄ is an effective abrasive for an oxide film such as SiO ₂ .

【００１４】一方、インゴットの切断時、あるいはウェ
ハ全面の研磨時にＭｎ酸化物を砥粒として使うことは従
来提案されておらず、またその効果も確認されていな
い。そこで、本発明は上記の課題を解決したウェハの製
造方法、およびかかるウェハを使った半導体装置の製造
方法を提供することを概括的課題とする。On the other hand, the use of Mn oxide as abrasive grains at the time of cutting an ingot or polishing the entire surface of a wafer has not been proposed so far, and its effect has not been confirmed. Accordingly, it is a general object of the present invention to provide a method of manufacturing a wafer that solves the above-mentioned problems, and a method of manufacturing a semiconductor device using such a wafer.

【００１５】[0015]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題
を、請求項１に記載したように、ウェハの表面を、全面
にわたり、研磨剤により研磨する工程を含むウェハの製
造方法において、前記研磨剤はＭｎ酸化物を砥粒として
含む研磨剤であることを特徴とするウェハの製造方法に
より、または請求項２に記載したように、単結晶インゴ
ットを切断してウェハを形成する切断工程を含むウェハ
の製造方法において、前記切断工程において、Ｍｎ酸化
物よりなる砥粒を含む研磨剤を使うことを特徴とするウ
ェハの製造方法により、または請求項３に記載したよう
に、前記ウェハはＳｉ単結晶よりなり、前記研磨剤はＭ
ｎＯ₂ を主成分とすることを特徴とする請求項１または
２記載のウェハの製造方法により、または請求項４に記
載したように、単結晶インゴットを切断してウェハを形
成する切断工程と、前記ウェハの表面を全面にわたり研
磨剤により研磨する工程と、前記研磨されたウェハ表面
上に半導体装置を形成する工程とを含む半導体装置の製
造方法において、前記研磨剤はＭｎ酸化物を砥粒として
含む研磨剤であることを特徴とする半導体装置の製造方
法により、または請求項５に記載したように、前記切断
工程においても、前記Ｍｎ酸化物を砥粒として含む研磨
剤を使うことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の
製造方法により、または請求項６に記載したように、前
記ウェハはＳｉ単結晶よりなり、前記研磨剤はＭｎＯ₂
を主成分とすることを特徴とする請求項４または５記載
の半導体装置の製造方法により、解決する。According to the present invention, there is provided a method of manufacturing a wafer, comprising the step of polishing the entire surface of a wafer with an abrasive as set forth in claim 1. The abrasive is an abrasive containing Mn oxide as abrasive grains, or a cutting step of forming a wafer by cutting a single crystal ingot as described in claim 2 or as described in claim 2. In the method of manufacturing a wafer including a wafer, an abrasive containing abrasive grains made of Mn oxide is used in the cutting step, or the wafer is formed of Si. Consisting of a single crystal, wherein the abrasive is M
a step of cutting a single crystal ingot to form a wafer by a method of manufacturing a wafer according to claim 1 or 2, wherein nO ₂ is a main component; A step of polishing the entire surface of the wafer with an abrasive, and a step of forming a semiconductor device on the polished wafer surface, a method of manufacturing a semiconductor device, wherein the abrasive uses Mn oxide as abrasive grains. A method for manufacturing a semiconductor device, characterized in that it is an abrasive containing, or as described in claim 5, also in the cutting step, an abrasive containing the Mn oxide as abrasive grains is used. According to a fourth aspect of the present invention, the wafer is made of a Si single crystal, and the polishing agent is MnO _2.
The problem is solved by the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 4 or 5, wherein

【００１６】本発明によれば、酸に可溶なＭｎ酸化物を
砥粒としてウェハの鏡面研磨あるいはインゴットの切断
を行うことで、使用済みの研磨剤を溶解した後で容易に
再生することができる。換言すると、本発明により、使
用済みの研磨剤の環境への排出を実質的にゼロにするこ
とが可能で、半導体装置の生産量が将来さらに急増して
も、使用済み研磨剤による環境汚染の問題を回避するこ
とができる。また、インゴットの切断工程において、Ｍ
ｎ酸化物を砥粒として含む研磨剤を使用することによ
り、切断速度が増大することが見出された。特に、Ｍｎ
Ｏ₂ を砥粒として使うことにより、ウェハの研磨速度お
よびインゴットの切断速度のいずれもが増大することが
発見された。Ｍｎ酸化物は安価であり、従って半導体装
置の製造費用を大きく低減させることが可能である。According to the present invention, it is possible to easily regenerate the used abrasive after dissolving the used abrasive by performing the mirror polishing of the wafer or the cutting of the ingot using the Mn oxide soluble in acid as abrasive grains. it can. In other words, according to the present invention, it is possible to substantially eliminate the discharge of the used abrasive to the environment, and to reduce the environmental pollution caused by the used abrasive even if the production volume of semiconductor devices further increases in the future. Problems can be avoided. In the ingot cutting step, M
It has been found that the use of an abrasive containing n-oxide as abrasive grains increases the cutting speed. In particular, Mn
It has been discovered that the use of O ₂ as abrasive grains increases both the wafer polishing rate and the ingot cutting rate. Mn oxides are inexpensive, and thus can significantly reduce the manufacturing cost of semiconductor devices.

【００１７】[0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１実施例を、図
１を参照しながら説明する。図１は、図６と同様なバン
ドソーを使ったカッター２を使った本発明の第１実施例
によるＳｉインゴットの切断の例を示す。図１中、先に
説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. FIG. 1 shows an example of cutting a Si ingot according to a first embodiment of the present invention using a cutter 2 using a band saw similar to FIG. In FIG. 1, the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted.

【００１８】図１のカッター２では、図６の場合に使わ
れていたダイヤモンド砥粒の代わりにＭｎＯ₂ を主成分
とする砥粒を使う。より具体的には、図１の実施例では
粒径が約１０〜３０μｍの電池用電解ＭｎＯ₂ よりなる
砥粒を、典型的には純水中に分散させた研磨剤を、ウェ
ハ切断時に円筒インゴットピース上にスプレーする。In the cutter 2 shown in FIG. 1, an abrasive mainly composed of MnO ₂ is used instead of the diamond abrasive used in the case of FIG. More specifically, in the embodiment of FIG. 1, abrasive particles made of electrolytic MnO ₂ for a battery having a particle size of about 10 to 30 μm are typically dispersed in pure water. Spray on ingot piece.

【００１９】図２は、かかるＭｎＯ₂ 砥粒を切断に使っ
た場合のバンドソーによる８インチウェハの切断に要す
る時間を、従来のダイヤモンド砥粒を使った場合と、同
一条件下で比較して示す図である。図２を参照するに、
ＭｎＯ₂ を砥粒として使った場合でも、ダイヤモンド砥
粒を使った場合と同等の切断速度が得られることがわか
る。FIG. 2 shows the time required for cutting an 8-inch wafer with a band saw when using such MnO ₂ abrasive grains for cutting under the same conditions as when using conventional diamond abrasive grains. FIG. Referring to FIG.
It can be seen that even when MnO ₂ is used as abrasive grains, a cutting speed equivalent to that when diamond abrasive grains are used can be obtained.

【００２０】図３は図７と同様な研磨装置を使った、本
発明の第２実施例によるＳｉウェハの研磨の例を示す。
従って、図３中、先に説明した部分には同一の参照符号
を付し、説明を省略する。図３を参照するに、本実施例
では、研磨剤供給装置１３から滴下される研磨剤とし
て、コロイダルシリカのかわりに０．１μｍ程度の粒径
のＭｎＯ₂ を使う。FIG. 3 shows an example of polishing a Si wafer according to a second embodiment of the present invention using a polishing apparatus similar to that of FIG.
Therefore, in FIG. 3, the parts described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof will be omitted. Referring to FIG. 3, in the present embodiment, MnO ₂ having a particle size of about 0.1 μm is used instead of colloidal silica as the abrasive dropped from the abrasive supply device 13.

【００２１】図４は、図３の装置を使って８インチ径の
Ｓｉウェハ１０の全面を研磨した場合の所要時間を、同
一の条件下においてコロイダルシリカを使って研磨した
場合の所要時間と比較して示す。図４を参照するに、研
磨剤としてＭｎＯ₂ を使うことにより、ウェハ研磨に要
する時間が実質的に減少し、ウェハ１０の製造スループ
ット、従ってウェハ１０上に形成される半導体装置の製
造スループットが向上する。FIG. 4 shows a comparison between the time required for polishing the entire surface of an 8-inch diameter Si wafer 10 using the apparatus of FIG. 3 and the time required for polishing using colloidal silica under the same conditions. Shown. Referring to FIG. 4, the use of MnO ₂ as a polishing agent substantially reduces the time required for polishing a wafer, thereby improving the manufacturing throughput of the wafer 10 and therefore the semiconductor device formed on the wafer 10. I do.

【００２２】前記図１あるいは図３の工程では、研磨剤
として、Ｓｉに対する研磨速度が大きいＭｎＯ₂ を使う
のが好ましいが、研磨剤中に若干のＭｎ₂ Ｏ₃ あるいは
Ｍｎ ₃ Ｏ₄ が含まれていてもよい。ＭｎＯ₂ は電池の材
料として大量に生産されており、容易かつ安価に入手す
ることができる。In the step of FIG. 1 or FIG.
MnO with high polishing rate for Si_Twouse
Is preferable, but some Mn is contained in the abrasive._TwoO_ThreeOr
Mn _ThreeO_FourMay be included. MnO_TwoIs the material of the battery
It is produced in large quantities as a raw material and can be obtained easily and inexpensively.
Can be

【００２３】[0023]

【発明の効果】請求項１記載の本発明の特徴によれば、
ウェハの表面を、研磨剤により全面にわたり研磨する工
程を含むウェハの製造方法において、前記研磨剤として
Ｍｎ酸化物を砥粒として含む研磨剤を使うことにより、
安価に、かつ効率よくウェハを製造することが可能にな
る。According to the features of the present invention described in claim 1,
In a wafer manufacturing method including a step of polishing the entire surface of the wafer with an abrasive, by using an abrasive containing Mn oxide as abrasive grains as the abrasive,
Wafers can be manufactured efficiently at low cost.

【００２４】請求項２記載の本発明の特徴によれば、単
結晶インゴットを切断してウェハを形成する切断工程を
含むウェハの製造方法において、前記切断工程におい
て、Ｍｎ酸化物よりなる砥粒を含む研磨剤を使うことに
より、インゴットの切断を、高価なダイヤモンド砥粒を
使うことなく、迅速に実行することができ、ウェハの製
造費用が実質的に安くなる。According to a second aspect of the present invention, there is provided a wafer manufacturing method including a cutting step of cutting a single crystal ingot to form a wafer. By using the abrasive containing, the ingot can be cut quickly without using expensive diamond abrasive grains, and the manufacturing cost of the wafer is substantially reduced.

【００２５】請求項３記載の本発明の特徴によれば、前
記研磨剤としてＭｎＯ₂ を主成分とする研磨剤を使うこ
とにより、Ｓｉよりなウェハあるいはインゴットを特に
効率よく製造することが可能になる。請求項４〜６記載
の本発明の特徴によれば、単結晶インゴットを切断して
ウェハを形成する切断工程と、前記ウェハの表面を全面
にわたり研磨剤により研磨する工程と、前記研磨された
ウェハ表面上に半導体装置を形成する工程とを含む半導
体装置の製造方法において、前記研磨剤として、安価な
Ｍｎ酸化物を砥粒として含む研磨剤を使うことにより、
ウェハが安価、かつ効率的に製造でき、その結果半導体
装置の製造費用が低下する。According to the third aspect of the present invention, a wafer or ingot made of Si can be manufactured particularly efficiently by using an abrasive mainly composed of MnO ₂ as the abrasive. Become. According to the features of the present invention as set forth in claims 4 to 6, a cutting step of cutting a single crystal ingot to form a wafer, a step of polishing an entire surface of the wafer with an abrasive, and a step of polishing the polished wafer And a step of forming a semiconductor device on the surface, in the method of manufacturing a semiconductor device, as the abrasive, by using an abrasive containing inexpensive Mn oxide as abrasive grains,
Wafers can be manufactured inexpensively and efficiently, and as a result, the manufacturing cost of semiconductor devices decreases.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の第１実施例による半導体ウェハの製造
プロセスの一部を示す図である。FIG. 1 is a view showing a part of a semiconductor wafer manufacturing process according to a first embodiment of the present invention.

【図２】図１の実施例におけるインゴットスライスの際
の切断速度を、従来例と比較して示す図。FIG. 2 is a diagram showing a cutting speed in ingot slicing in the embodiment of FIG. 1 in comparison with a conventional example.

【図３】本発明の第２実施例による半導体ウェハの製造
プロセスの一部を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a part of a semiconductor wafer manufacturing process according to a second embodiment of the present invention.

【図４】図３の実施例におけるＳｉウェハの研磨速度
を、従来例と比較して示す図である。4 is a diagram showing a polishing rate of a Si wafer in the embodiment of FIG. 3 in comparison with a conventional example.

【図５】従来の半導体ウェハの製造プロセスを示すフロ
ーチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing a conventional semiconductor wafer manufacturing process.

【図６】図５の工程の一部を示す図である。FIG. 6 is a view showing a part of the step of FIG. 5;

【図７】図５の工程の一部を示す図である。FIG. 7 is a view showing a part of the step of FIG. 5;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ インゴット ２ カッター ２Ａ〜２Ｄ バンドソー １０ ウェハ １１ 研磨ヘッド １２ 定盤 １２Ａ 研磨布 １３ 研磨剤供給装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Ingot 2 Cutter 2A-2D band saw 10 Wafer 11 Polishing head 12 Surface plate 12A Polishing cloth 13 Abrasive supply device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中村 亘 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 有本 由弘 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内 (72)発明者 塙 健三 埼玉県上尾市原市1380−１ (72)発明者 加藤 和彦 埼玉県北足立郡伊那町大針336−４ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Wataru Nakamura 4-1-1, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (72) Inventor Yoshihiro Arimoto 4-chome, Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa No. 1 Fujitsu Limited (72) Inventor Kenzo Hanawa 1380-1 Hara-shi, Ageo-shi, Saitama Prefecture

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 ウェハの表面を、研磨剤により全面にわ
たり研磨する工程を含むウェハの製造方法において、前
記研磨剤はＭｎ酸化物を砥粒として含む研磨剤であるこ
とを特徴とするウェハの製造方法。1. A wafer manufacturing method including a step of polishing an entire surface of a wafer with an abrasive, wherein the abrasive is an abrasive containing Mn oxide as abrasive grains. Method. 【請求項２】 単結晶インゴットを切断してウェハを形
成する切断工程を含むウェハの製造方法において、前記
切断工程において、Ｍｎ酸化物よりなる砥粒を含む研磨
剤を使うことを特徴とするウェハの製造方法。2. A wafer manufacturing method including a cutting step of cutting a single crystal ingot to form a wafer, wherein in the cutting step, an abrasive containing abrasive grains made of Mn oxide is used. Manufacturing method. 【請求項３】 前記ウェハはＳｉ単結晶よりなり、前記
研磨剤はＭｎＯ₂ を主成分とすることを特徴とする請求
項１または２記載のウェハの製造方法。3. The wafer manufacturing method according to claim 1, wherein the wafer is made of a Si single crystal, and the polishing agent contains MnO ₂ as a main component. 【請求項４】 単結晶インゴットを切断してウェハを形
成する切断工程と、前記ウェハの表面を全面にわたり研
磨剤により研磨する工程と、前記研磨されたウェハ表面
上に半導体装置を形成する工程とを含む半導体装置の製
造方法において、前記研磨剤はＭｎ酸化物を砥粒として
含む研磨剤であることを特徴とする半導体装置の製造方
法。4. A step of cutting a single crystal ingot to form a wafer, a step of polishing the entire surface of the wafer with an abrasive, and a step of forming a semiconductor device on the polished wafer surface. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the abrasive is an abrasive containing Mn oxide as abrasive grains. 【請求項５】 前記切断工程においても、前記Ｍｎ酸化
物を砥粒として含む研磨剤を使うことを特徴とする請求
項４記載の半導体装置の製造方法。5. The method according to claim 4, wherein an abrasive containing the Mn oxide as abrasive grains is used in the cutting step. 【請求項６】 前記ウェハはＳｉ単結晶よりなり、前記
研磨剤はＭｎＯ₂ を主成分とすることを特徴とする請求
項４または５記載の半導体装置の製造方法。6. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein the wafer is made of a single crystal of Si, and the polishing agent contains MnO ₂ as a main component.