JPH10190117A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
- Publication number
- JPH10190117A JPH10190117A JP8347837A JP34783796A JPH10190117A JP H10190117 A JPH10190117 A JP H10190117A JP 8347837 A JP8347837 A JP 8347837A JP 34783796 A JP34783796 A JP 34783796A JP H10190117 A JPH10190117 A JP H10190117A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- light
- processing apparatus
- pulse
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
ファーストパルス問題が生じることがなく、またQスイ
ッチ繰り返し周波数が変動しても安定したレーザパルス
幅を得られるようにし、不定間隔で配置された加工点を
高速に連続加工する。 【解決手段】AOQスイッチ素子14を備えたレーザ発
振器11を有し、Qスイッチレーザパルス光を加工面上
に一定または不定な時間間隔で照射するレーザ加工装置
において、レーザ発振器11のレーザ媒質にNd:YA
G結晶よりも励起上準位寿命が短いNd:YVO4結晶
13を用いる。
Description
ス列のレーザ光照射により加工を行うレーザ加工装置に
関し、特にウエハのマーキングやIC内の配線を切断す
るレーザ加工装置に関する。
ッチレーザでは、連続発振するレーザにQスイッチをか
けることにより高いピーク強度を持つ連続パルスが得ら
れ、少ない平均パワーで熱影響の少ない加工を実現でき
る。この特徴から、LSIの製造工程において、基板と
なるウェハのレーザマーキング加工や、LSI内部の配
線、欠陥回路を冗長回路へ切り替えるためのヒューズの
切断などに、連続励起(CW励起)のQスイッチレーザ
が用いられている。
断では、1パルスのQスイッチレーザ光でヒューズの切
断が行われる。切断すべきヒューズの間隔が数μmから
数mmまで変化する場合、光走査速度を一定とすると、
Qスイッチレーザパルス時間間隔はそのヒューズ間隔に
応じて大きく変動する。また、レーザ加工されたドット
の集合体で文字パターンを形成する方法をとるウエハの
文字マーキングにおいても、冗長回路用ヒューズ切断の
場合と同様、Qスイッチレーザパルス時間間隔がドット
間隔に応じて大きく変化する。このようなQスイッチレ
ーザパルス時間間隔の変化はQスイッチ周波数の変化と
等価であることから、加工点が不定間隔になっている場
合にはその間隔に応じてQスイッチ周波数を変化させて
いた。
エハマーキングなどの用途に使われる従来の代表的なレ
ーザ加工装置として、レーザダイオード(以下LDと記
す)励起Nd:YAG(yttrium aluminium garnet)レ
ーザ、LD励起Nd:YLFレーザがある。どちらのレ
ーザも発振波長は1μm台であり、LDで励起するため
ランプ励起方式のものに比べて安定なQスイッチパルス
列が得られる。また、LDを使うことにより長期間保守
が不要で、安定な装置稼働が実現できる。
ザマーキング装置の一例として、図4に示すような構成
のものがある。図4において、レーザマーキング装置
は、Nd:YAGレーザおよび超音波Qスイッチユニッ
トを含むレーザヘッド100と、X方向の光走査を行う
ためのX軸ミラー101aおよびX軸スキャナー102
aと、Y方向の光走査を行うためのY軸ミラー101b
およびY軸スキャナー102bと、これら構成部を制御
する制御部103と、加工対象物が固定されるXYステ
ージ104とから構成されている。このレーザマーキン
グ装置は、レーザヘッド100からのレーザ光をX軸ス
キャナー102aおよびY軸スキャナー102bによっ
てスキャンし、プログラムされた文字、図形を高速に、
高精度でマーキングする。
ーザ加工装置では、レーザパルス幅およびレーザエネル
ギーレベルを可変できる、高精度、高スループットのレ
ーザリペア装置も実現されている。
現するために、米国特許明細書5,473,624号に
述べられているような加工対象物に吸収しやすい波長を
選んだレーザ加工装置も発表されている。
た従来の各レーザ加工装置には以下のような課題があ
る。
YLFレーザを搭載したレーザ加工装置では、高い繰り
返し周波数でQスイッチをかけたとき、ファーストパル
スと呼ばれる問題が顕著となる。ここでいうファースト
パルス問題とは、長時間(ms程度)停止後に高繰り返
しQレート(〜2kHz以上)で発振を開始した場合、
第2ショット以降のQスイッチパルスのピーク強度に比
べて、最初のQスイッチパルスだけピーク強度が高くな
ることをいい、具体的には以下のようなことが問題とな
る。
(A)〜(C)を例としてあげてある。Qスイッチパル
ス列(A)はQスイッチ繰り返し周波数が低く、パルス
時間間隔が広いが、Qスイッチパルス列(B)、(C)
となるにつれてQスイッチ繰り返し周波数が上がりパル
ス時間間隔が短くなっている。Qスイッチパルス列
(A)は、Nd:YAGの場合1kHz以下に該当し、
Qスイッチパルス列(B)および(C)は1kHz以上
の繰り返し周波数に相当する。Qスイッチパルス列
(B)および(C)の例からわかるように、最初の1パ
ルスはQスイッチパルス列(A)と同じピーク出力が得
られるが、2パルス目以降は、繰り返し周波数に反比例
する形でピーク強度が下がっている。これは、第1パル
スでは十分時間をかけて励起されて反転分布が形成され
るため、十分に高いピークのQスイッチレーザパルスが
出力されるのに対し、2パルス目以降では、YAG(ま
たはYLF)結晶中のNdの励起上準位の寿命より励起
時間が短いために、十分な反転分布が形成されないうち
にQスイッチパルスが出力されてしまい、パルスエネル
ギーおよびピーク強度が低くなってしまうことによる。
ッチをかけたときに第1パルスのパルスエネルギーおよ
びピーク強度が第2パルス目以降のものより高くなって
しまうレーザ加工装置では、加工開始位置における加工
や時間間隔のあいた後の加工は、十分時間をかけて励起
された第1パルスにより加工が施されるため、パルスエ
ネルギーおよびピーク強度が強すぎて、加工対象にダメ
ージを与える場合がある。
体を加工するレーザトリマなどでは、第1パルスを除去
するファーストパルスキラーを装備して、トリミング開
始位置で強すぎる加工とならないように工夫する方法が
提案されているが、この方法は単パルスから数パルスで
加工が行われるメモリリペアやウエハーマーカでは有効
な手段ではなく、高速繰り返しで加工しようとした場合
には加工ばらつきが生じる。
工時間の短縮を図る場合に特に問題となる。具体的に説
明すると、加工時間を短縮するためには、光走査速度を
高速化する必要がある。加工位置間隔が数μmから数m
mと大きくばらつく場合は、光走査速度を一定とする
と、レーザQスイッチ時間間隔が大きくばらつくことに
なる。たとえば、最小加工位置間隔が5μmで最大位置
間隔が1mmの場合、走査速度を50mm/sとする
と、Qスイッチレートが10kHzから50Hzまで変
化することになる。50Hzではファーストパルスは問
題とならないが、10kHzの場合はファーストパルス
の問題が顕著となる。なお、最小加工位置間隔のところ
は光走査速度を低くして加工を行うようにすれば、ファ
ーストパルス問題をなくすことができる(Qスイッチ繰
り返し周波数をファーストパルス問題が生じないレベル
まで低くすることができる)が、この場合は、光走査速
度を低くした分だけ加工処理時間が長くなり、加工時間
の短縮にそぐわない。以上のように、従来のレーザ加工
装置では、例えば最小加工位置間隔が5μmのものを5
0mm/sといった走査速度で加工することはできなか
った。
に、Qスイッチ周波数の変動に依存してQスイッチパル
ス光のピーク強度およびパルス幅が変動するという問題
もある。具体的に説明すると、レーザQスイッチ時間間
隔が大きくばらつく場合、すなわちQスイッチ周波数が
変化する場合には、そのQスイッチ周波数の変化に依存
してQスイッチレーザ光のピーク強度およびパルス幅が
変化してしまうため、例えば1ショット毎のQスイッチ
レーザパルスの安定性がゴミ発生の少ないクリーンな加
工を実現する上で重要とされるウエハマーキングでは、
そのピーク強度およびパルス幅の変化が問題となる。こ
こで、ピーク強度の変動とは、上述の図3に示したよう
に、Qスイッチ周波数が低いQスイッチパルス列(A)
に比べ、Qスイッチパルス列(B)、(C)とQスイッ
チ周波数が高くなるにつれてピーク強度が低くなること
をいう。
YAGレーザやNd:YLFレーザを搭載したレーザ加
工装置では、Qスイッチレーザパルスピーク強度および
パルス幅を一定に保ちながら、不定間隔で配置された加
工点を高速で連続加工することは困難であった。
を解決し、例えば1kHz以上のQスイッチ繰り返し周
波数でもファーストパルス問題が生じることがなく、ま
たQスイッチ繰り返し周波数が変動しても安定したレー
ザパルス幅を得られ、不定間隔で配置された加工点を高
速かつ連続に加工できるレーザ加工装置を提供すること
にある。
が変動しても安定したQスイッチレーザ光ピーク強度を
得られるレーザ加工装置を提供することにある。
るため、第1の発明のレーザ加工装置は、Qスイッチ素
子を備えたレーザ発振器を有し、前記レーザ発振器から
のQスイッチレーザパルス光を加工面上に一定または不
定な時間間隔で照射するレーザ加工装置において、前記
レーザ発振器のレーザ媒質にNd:YAG結晶よりも励
起上準位寿命が短いレーザ媒質を用いたことを特徴とす
る。
質にNd:YVO4結晶を用いた構成としてもよい。
イッチ素子を用いた構成としてもよい。
の発明のレーザ加工装置は、Qスイッチ素子を備えたレ
ーザ発振器を有し、前記レーザ発振器からのQスイッチ
レーザパルス光を加工面上に一定または不定な時間間隔
で照射するレーザ加工装置において、前記加工面上に照
射されるQスイッチレーザパルス光の光路中に設けら
れ、該Qスイッチレーザパルス光の光強度を連続可変す
る光減衰手段と、前記Qスイッチ素子のQスイッチ周波
数の変動に応じて前記光減衰手段による光減衰を制御
し、前記レーザ発振器の出力光強度を一定に保つ光強度
制御手段と、を有することを特徴とする。
レーザ発振器からのQスイッチレーザパルス光を検出す
る光検出器を有し、該光検出器による光検出に基づいて
前記レーザ発振器の発光時刻をモニターし、直前にモニ
タされた発光時刻から次回の発光時刻までの時間間隔を
予めプログラムされたシーケンスに基づいて計数し、該
計数時間に応じて前記光減衰手段による光減衰を制御す
るようにしてもよい。この場合、前記光強度制御手段
が、前記光検出器による光検出に基づいて前記レーザ発
振器の出力光強度をモニターし、該モニタした出力光強
度が設定入力された光強度に保たれるように前記光減衰
手段による光減衰を制御するようにしてもよい。
ザパルス光の透過率を可変するものであってもよい。
より構成されたものであってもよい。
も、前記レーザ発振器のレーザ媒質にNd:YAG結晶
よりも励起上準位寿命が短いレーザ媒質を用いた構成と
してもよい。この場合、前記レーザ発振器のレーザ媒質
にNd:YVO4結晶を用いてもよい。
イッチ素子を用いた構成としてもよい。
うな作用により前述の課題が解決される。
形成されないうちに誘導放出がなされることに起因する
ことから、レーザ媒質の励起上準位寿命が短いものほど
ファーストパルスの問題は生じ難い。本発明では、レー
ザ発振器のレーザ媒質にNd:YAG結晶よりも励起上
準位寿命が短いレーザ媒質を用いているので、従来のN
d:YAG結晶を用いたものに比べてファーストパルス
の問題は生じ難く、このファーストパルスの問題が生じ
難くなった分、Qスイッチ周波数を高くすることができ
る。
を用いた場合には、Nd:YVO4の励起上準位寿命は
90μsで、Nd:YAGの励起上準位寿命230μs
の半分以下であることから、Qスイッチ1パルスあたり
のエネルギーは高くとれないが、逆に高い繰り返しQレ
ートまでパルス幅の変化は少なくなるため、ファースト
パルス問題が発生しにくくなる。加えて、このNd:Y
VO4結晶を用いた場合には、後述の実施形態で説明す
るように、得られるパルス幅も安定したものとなる。
変動に応じてQスイッチレーザパルス光の光強度を連続
可変するようにしたものにおいては、Qスイッチ周波数
が変動してもQスイッチレーザパルス光の光強度は一定
に保たれるので、従来のようなQスイッチ周波数の変動
による光強度の変動は生じない。
ザパルスの発光時刻から次に発光するまでの時間間隔を
計数し、その計数時間に応じてQスイッチレーザパルス
光の光強度の調節がなされるものにおいては、加工開始
位置における加工や時間間隔のあいた後の加工の際のQ
スイッチレーザパルス光の光強度も一定に保たれること
になるので、上述のファーストパルスの問題も解決され
る。
図面を参照して説明する。
施形態のレーザ加工装置の概略を示す構成図である。同
図において、11はレーザ発振器であり、集光光学部材
を含む励起用レーザダイオード(LD)12、Nd:Y
VO4結晶13、Qスイッチのための超音波(AO)Q
素子14、出力ミラー15の基本部品から構成される。
ここでは、励起用LD12からの励起光をNd:YVO
4結晶端面に集光する端面励起方式を採用しており、出
力ミラー15とNd:YVO4結晶13の結晶端面間で
共振器が構成される。
行方向に折り返しミラー16が配置されており、該折り
返しミラー16にて反射された光の進行方向に集光レン
ズ17と、加工対象物20が配置されるXYステージ1
9とが順次配置されており、レーザ発振器11からのレ
ーザ光が集光レンズ17によってXYステージ19上の
加工対象物20の加工面に集光されるようになってい
る。
およびXYステージ19の移動制御を行う。この制御部
18では、XYステージを駆動(移動指令信号)しなが
らXYステージ19から出力される位置信号を基にステ
ージに固定された加工対象物20上におけるレーザ光の
集光位置を示す位置座標情報を得て、レーザ光の集光位
置が所定の位置を通過するときにQスイッチパルスを出
すようQスイッチ指令信号を出力してレーザ発振器11
を駆動制御する。
は、制御部18が記憶装置(不図示)に記憶したプログ
ラムにしたがってレーザ発振器11およびXYステージ
19の制御を行うことで、例えば文字、図形を高速に高
精度でマーキングしたり、冗長回路用ヒューズの切断を
行ったりすることができる。
な構成は、レーザ発振器11のレーザ媒質に、Nd:Y
AGよりも励起上準位寿命が短いレーザ媒質であるN
d:YVO4結晶13を用いたことにある。このNd:
YVO4結晶は励起上準位寿命が90μsとNd:YA
G(〜230μs)の半分以下であり、高い繰り返しQ
レートまで、パルス幅の変化は少なく、ファーストパル
ス問題が発生じにくい。したがって、不定間隔に配置さ
れた加工点でも高速連続加工が可能になる。
のような結果を得られている。レーザ発振器11の出力
は、1パルスあたりのエネルギーが4μJ/pで、Qス
イッチ繰り返し周波数を10kHzとしたとき、パルス
幅が2.7nsとなる。ここで、Qスイッチ繰り返し周
波数を1kHzとしたきのパルス幅は、2.3nsとな
った。このように、本形態のレーザ加工装置では、Qス
イッチ繰り返し周波数が10kHzから1kHzに変動
しても、パルス幅は2.7nsから2.3nsに変化す
るだけで、その変化率は10%程度にとどまっている。
これに対し、Nd:YLFレーザでは、構成は異なるが
例をあげると、Qスイッチ繰り返し周波数が1kHzで
はパルス幅は13nsで、10kHzに変動した場合は
パルス幅は43nsに変化し、3.3倍の変化となっ
た。この結果から分かるように、本形態のレーザ加工装
置では、パルス幅は従来のNd:YLFレーザなどに比
べて極めて安定したものになっている。
は、例えば10kHz程度までの高いQスイッチ繰り返
し周波数までファーストパルス問題が発生しにくいた
め、光走査速度を上げることができ、加工処理時間を短
縮することができる。加えて、安定したパルス幅を得ら
れることから、ウエハマーキング加工においてゴミ発生
の少ないクリーンな加工を実現することが可能となる。
施形態のものに、正確な照射パワー制御を行う構成を加
え、Qスイッチ繰り返し周波数が変動しても安定したQ
スイッチレーザ光のピーク強度を得られるようにしたも
のについて説明する。図2は本発明の第2の実施形態の
レーザ加工装置の構成図である。
制御を行うために、上述の図1に示した構成のレーザ光
路中に連続可変の光減衰器としてAO偏向素子21を設
け、レーザ発信器の出力光強度を制御するように構成さ
れている。すなわち、レーザ発信器11から出射した光
の進行方向にビームスプリッタ23が配置され、このビ
ームスプリッタ23を透過した光の進行方向にAO偏向
素子21と、走査ミラー16を内部に備えたガルバノメ
ータ29とが順次配置され、ビームスプリッタ23にて
反射された光の進行方向に光検出器22が配置され、走
査ミラー16にて反射された光の進行方向に集光レンズ
17および加工対象物20が配置されている。ここで
は、ガルバノメータ29を駆動(回転指令信号)してレ
ーザ発信器11からのレーザ光をスキャンするように構
成されているので、集光レンズ17にはfθレンズが用
いられる。
制御動作を説明する。
スプリッタ23で一部が反射されて光検知器22でその
反射光の強度が検出される。光検知器22で反射光の強
度が検出されると、制御部18ではその光検知器22に
よる反射光の検出(レーザ強度検出信号)に基づいて、
その発光時刻と光強度がモニターされる。
では、そのモニタした発光時刻から次回の発光までの時
間間隔を計数し、その計数した時間間隔に依存した減衰
率をAO偏光素子21に設定する(AO素子駆動信
号)。ここで、次回の発光時刻は、予めプログラムされ
ているシーケンスに基づいて求められる。また、制御部
18は光強度をモニタしており、モニタしたレーザ光の
光強度が例えばキーボード等の外部入力部(不図示)に
より設定された光強度となるように減衰率を設定する
(AO素子駆動信号)。このように、制御部18は次回
の発光までの時間間隔に応じて減衰率の設定を行うと同
時に、出力されるレーザ光の光強度が外部より設定され
た光強度に保たれるように減衰率の設定を行う。
と、AO偏光素子21は設定された減衰率に応じてレー
ザ発振器11から出力されたレーザパルス光を減衰させ
る。このAO偏光素子21にて減衰したレーザパルス光
はガルバノメータ29に入射する。ガルバノメータ29
では、走査ミラーが制御部18からの回転指令信号によ
り駆動され、入射したレーザパルス光を加工対象物20
に対してスキャンする。
は、直前にモニタされたQスイッチレーザパルスの発光
時刻から次に発光するまでの時間間隔を計数し、その計
数時間に応じた減衰率が設定される。すなわち、Qスイ
ッチ繰り返し周波数が変動の応じて減衰率の設定がなさ
れる。この結果、レーザ出力に対するQスイッチ繰り返
し周波数の変動の依存性をなくすことができる。
強度に保たれるように減衰率の設定が行われるので、所
望の光強度に設定することができるとともに、レーザ光
の光強度を一定に保つことができる。この結果、レーザ
装置の劣化や環境温度の変動などによるレーザ出力の変
動をなくすことができる。
発光時刻から予めプログラムされているシーケンスにお
ける次回の発光時刻までの時間間隔を計数するようにな
っているが、直前に出力予めプログラムされているシー
ケンスに基づいて、直前に出力された時刻と次回の出力
時刻とを求め、その時間間隔を計数するようにしてもよ
い。
ーザ媒質にNd:YVO4結晶を用いているが、これに
限定されるものではない。例えば従来から用いられてい
るNd:Y。AG結晶を用いた場合には、ピーク強度の
安定性やファーストパルスの問題を解消することができ
る。
AO偏向素子を用いているが、これに限定されるもので
はなく、例えば透過率を可変するようなものを用いても
よい。
低エネルギーのレーザパルスで加工できる半導体分野で
の加工用途に対して、従来Qスイッチ動作に不向きとさ
れていた励起上準位寿命の短いレーザ媒質を採用したこ
とにより、高い繰り返しQレートまでファーストパルス
問題が発生しにくなり、その分Qスイッチ周波数を高く
できるので、光走査速度を高速にでき、加工時間を短縮
することができる。この結果として、不定間隔に配置さ
れた加工位置でも高速連続加工を行うことができる。
保つことができるので、従来にない安定したレーザ加工
を実現することができる。特に、レーザ媒質にNd:Y
VO 4結晶を用いたものにおいては、パルス幅も安定し
たものとなるので、例えば1ショット毎のQスイッチレ
ーザパルスの安定性がゴミ発生の少ないクリーンな加工
を実現する上で重要とされるウエハマーキングにおい
て、良好なレーザ加工を実現することができる。
略を示す構成図である。
成図である。
ング装置の一例を示すブロック図である。
Claims (11)
- 【請求項1】 Qスイッチ素子を備えたレーザ発振器を
有し、前記レーザ発振器からのQスイッチレーザパルス
光を加工面上に一定または不定な時間間隔で照射するレ
ーザ加工装置において、 前記レーザ発振器のレーザ媒質にNd:YAG結晶より
も励起上準位寿命が短いレーザ媒質を用いたことを特徴
とするレーザ加工装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載のレーザ加工装置におい
て、 前記レーザ発振器のレーザ媒質にNd:YVO4結晶を
用いたことを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項3】 請求項1または請求項2に記載のレーザ
加工装置において、前記Qスイッチ素子に超音波Qスイ
ッチ素子を用いたことを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項4】 Qスイッチ素子を備えたレーザ発振器を
有し、前記レーザ発振器からのQスイッチレーザパルス
光を加工面上に一定または不定な時間間隔で照射するレ
ーザ加工装置において、 前記加工面上に照射されるQスイッチレーザパルス光の
光路中に設けられ、該Qスイッチレーザパルス光の光強
度を連続可変する光減衰手段と、 前記Qスイッチ素子のQスイッチ周波数の変動に応じて
前記光減衰手段による光減衰を制御し、前記レーザ発振
器の出力光強度を一定に保つ光強度制御手段と、を有す
ることを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項5】 請求項4に記載のレーザ加工装置におい
て、 前記光強度制御手段は、前記レーザ発振器からのQスイ
ッチレーザパルス光を検出する光検出器を有し、該光検
出器による光検出に基づいて前記レーザ発振器の発光時
刻をモニターし、直前にモニタされた発光時刻から次回
の発光時刻までの時間間隔を予めプログラムされたシー
ケンスに基づいて計数し、該計数時間に応じて前記光減
衰手段による光減衰を制御することを特徴とするレーザ
加工装置。 - 【請求項6】 請求項5に記載のレーザ加工装置におい
て、 前記光強度制御手段は、前記光検出器による光検出に基
づいて前記レーザ発振器の出力光強度をモニターし、該
モニタした出力光強度が設定入力された光強度に保たれ
るように前記光減衰手段による光減衰を制御することを
特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項7】 請求項4に記載のレーザ加工装置におい
て、 前記光減衰手段はQスイッチレーザパルス光の透過率を
可変することを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項8】 請求項4に記載のレーザ加工装置におい
て、 前記光減衰手段が超音波偏向素子より構成されたことを
特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項9】 請求項4から請求項8のいずれか1項に
記載のレーザ加工装置において、 前記レーザ発振器のレーザ媒質にNd:YAG結晶より
も励起上準位寿命が短いレーザ媒質を用いたことを特徴
とするレーザ加工装置。 - 【請求項10】 請求項9に記載のレーザ加工装置にお
いて、 前記レーザ発振器のレーザ媒質にNd:YVO4結晶を
用いたことを特徴とするレーザ加工装置。 - 【請求項11】 請求項9に記載のレーザ加工装置にお
いて、 前記Qスイッチ素子に超音波Qスイッチ素子を用いたこ
とを特徴とするレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8347837A JP2885209B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8347837A JP2885209B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | レーザ加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10190117A true JPH10190117A (ja) | 1998-07-21 |
JP2885209B2 JP2885209B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=18392948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8347837A Expired - Fee Related JP2885209B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2885209B2 (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004009139A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | New Wave Research | ダイを製造する方法及びシステム |
US7052976B2 (en) | 2002-11-05 | 2006-05-30 | New Wave Research | Method and apparatus for cutting devices from conductive substrates secured during cutting by vacuum pressure |
US7112518B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-09-26 | New Wave Research | Method and apparatus for cutting devices from substrates |
JP2006305633A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Vitro Laser Gmbh | 透明な材料本体の表面下にマーキングを施す方法とそのための装置及び材料本体 |
JP2007096041A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ光源 |
WO2008060407A2 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Coherent, Inc. | Repetitively pulsed laser and amplifier with dual resonator for pulse-energy management |
KR100887709B1 (ko) | 2007-07-12 | 2009-03-12 | 신정식 | 레이저 마킹기를 이용한 건조/반건조 오징어의 마킹 방법 |
JP2009212108A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ発振方法、レーザ、レーザ加工方法、及びレーザ測定方法 |
US7649924B2 (en) | 2006-11-15 | 2010-01-19 | Coherent, Inc. | First-pulse suppression in a regenerative amplifier |
US7692854B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-04-06 | Coherent, Inc. | Repetitively pulsed laser and amplifier with dual resonator for pulse-energy management |
JP2012165010A (ja) * | 2012-04-25 | 2012-08-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ光源 |
JP2016068109A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | ブラザー工業株式会社 | レーザ加工装置 |
JP7250231B1 (ja) * | 2022-09-15 | 2023-03-31 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置、レーザ加工装置、学習装置、推論装置、レーザ加工システムおよびレーザ加工方法 |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP8347837A patent/JP2885209B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6960739B2 (en) | 2002-06-10 | 2005-11-01 | New Wave Research | Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser |
US7112518B2 (en) | 2002-06-10 | 2006-09-26 | New Wave Research | Method and apparatus for cutting devices from substrates |
US7169688B2 (en) | 2002-06-10 | 2007-01-30 | New Wave Research, Inc. | Method and apparatus for cutting devices from substrates |
JP2004009139A (ja) * | 2002-06-10 | 2004-01-15 | New Wave Research | ダイを製造する方法及びシステム |
US8822882B2 (en) | 2002-06-10 | 2014-09-02 | New Wave Research | Scribing sapphire substrates with a solid state UV laser with edge detection |
US7052976B2 (en) | 2002-11-05 | 2006-05-30 | New Wave Research | Method and apparatus for cutting devices from conductive substrates secured during cutting by vacuum pressure |
JP2006305633A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Vitro Laser Gmbh | 透明な材料本体の表面下にマーキングを施す方法とそのための装置及び材料本体 |
US7876794B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-01-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser light source |
JP2007096041A (ja) * | 2005-09-29 | 2007-04-12 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ光源 |
WO2008060407A2 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Coherent, Inc. | Repetitively pulsed laser and amplifier with dual resonator for pulse-energy management |
WO2008060407A3 (en) * | 2006-11-15 | 2009-07-02 | Coherent Inc | Repetitively pulsed laser and amplifier with dual resonator for pulse-energy management |
US7649924B2 (en) | 2006-11-15 | 2010-01-19 | Coherent, Inc. | First-pulse suppression in a regenerative amplifier |
KR100887709B1 (ko) | 2007-07-12 | 2009-03-12 | 신정식 | 레이저 마킹기를 이용한 건조/반건조 오징어의 마킹 방법 |
US7692854B2 (en) | 2007-10-22 | 2010-04-06 | Coherent, Inc. | Repetitively pulsed laser and amplifier with dual resonator for pulse-energy management |
JP2009212108A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-09-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ発振方法、レーザ、レーザ加工方法、及びレーザ測定方法 |
JP2012165010A (ja) * | 2012-04-25 | 2012-08-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ光源 |
JP2016068109A (ja) * | 2014-09-29 | 2016-05-09 | ブラザー工業株式会社 | レーザ加工装置 |
JP7250231B1 (ja) * | 2022-09-15 | 2023-03-31 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置、レーザ加工装置、学習装置、推論装置、レーザ加工システムおよびレーザ加工方法 |
WO2024057493A1 (ja) * | 2022-09-15 | 2024-03-21 | 三菱電機株式会社 | レーザ装置、レーザ加工装置、学習装置、推論装置、レーザ加工システムおよびレーザ加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2885209B2 (ja) | 1999-04-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5248602B2 (ja) | 走査窓内で横に分散されたレーザパルスを用いて半導体構造を加工するためのシステム及び方法 | |
US8198566B2 (en) | Laser processing of workpieces containing low-k dielectric material | |
US6947454B2 (en) | Laser pulse picking employing controlled AOM loading | |
US5059764A (en) | Diode-pumped, solid state laser-based workstation for precision materials processing and machining | |
US7599407B2 (en) | Laser control method, laser apparatus, laser treatment method used for the same, laser treatment apparatus | |
JPH10305384A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2885209B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JP5082798B2 (ja) | レーザ発振装置及びその制御方法 | |
KR101358241B1 (ko) | 동시에 모드-잠겨진, q-스위치된 레이저 | |
JPH08141758A (ja) | ビームスキャン式レーザマーキング方法および装置 | |
JP2009538539A (ja) | 短パルス固体uvレーザによるマイクロマシニング | |
JP2002192368A (ja) | レーザ加工装置 | |
JPH11170072A (ja) | レーザー加工方法及び装置、並びに非導電性透明基板の回路形成方法及び装置 | |
WO2013084413A1 (en) | Laser processing apparatus, laser processing method, substrate for ink jet head, and manufacturing method of ink jet head | |
JP2004358507A (ja) | レーザ加工装置とレーザ加工方法 | |
JP2003205376A (ja) | レーザリペア方法およびレーザリペア装置 | |
JP3487404B2 (ja) | 半導体レーザ励起qスイッチ発振固体レーザ装置 | |
JP3132555B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
JPH0145225B2 (ja) | ||
JPH11151584A (ja) | レーザ加工方法及びその装置 | |
JP2002336980A (ja) | レーザ加工方法及びその装置 | |
JP2007275908A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2002252402A (ja) | レーザ発振器およびそのレーザパルス制御方法 | |
JP4197435B2 (ja) | レーザ装置 | |
JP2004082131A (ja) | レーザ加工方法及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080212 Year of fee payment: 9 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080212 Year of fee payment: 9 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080212 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090212 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100212 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100212 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110212 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120212 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120212 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130212 Year of fee payment: 14 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |