JPH10190059A

JPH10190059A - 窒化化合物半導体素子及びその製造方法

Info

Publication number: JPH10190059A
Application number: JP34783996A
Authority: JP
Inventors: Atsushi Yamaguchi; 敦史山口; Haruo Sunakawa; 晴夫砂川
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1996-12-26
Filing date: 1996-12-26
Publication date: 1998-07-21

Abstract

(57)【要約】【課題】プロセスが容易で特性の優れた窒化化合物半
導体素子、及び該素子の製造方法を提供する。【解決手段】窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒
化インジウムの中から選ばれる１種の層、あるいはこれ
らの中から選ばれる２種以上の混晶の層を有する窒化化
合物半導体素子であって、（０００１）面以外の面方位
のウルツ鉱構造を有する窒化ガリウム系半導体基板を有
し、該半導体基板が、窒化ガリウム、窒化アルミニウム
及び窒化インジウムの中から選ばれる１種の窒化ガリウ
ム系半導体、あるいはこれらの中から選ばれる２種以上
の混晶の窒化ガリウム系半導体からなることを特徴とす
る窒化化合物半導体素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、III−Ｖ族化合物
半導体素子及びその製造方法に関し、特に、Ｖ族元素が
窒素である窒化化合物半導体素子及びその製造方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】窒化ガリウム（ＧａＮ）や窒化アルミニ
ウム（ＡｌＮ）は、バンドギャップが大きく、そのバン
ドギャップエネルギーは紫外光に対応する。これら窒化
ガリウムや窒化アルミニウムと窒化インジウム（Ｉｎ
Ｎ）との混晶である窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａ
Ｎ）や窒化インジウムアルミニウム（ＩｎＡｌＮ）、窒
化インジウムガリウムアルミニウム（ＩｎＧａＡｌＮ）
も、組成によって青色光や紫外光に対応するバンドギャ
ップをもつ。

【０００３】このため、これらの窒素を含むIII−Ｖ族
化合物半導体（以下「窒化ガリウム系半導体」とい
う。）は、青色光や紫外光の発光デバイスの材料とし
て、また高耐圧あるいは耐高温環境電子デバイスの材料
として注目されている。中村（S.Nakamura）他は、Jpn.
J.Appl.Phys.Vol.35,p.L74(1996)に、これらの化合物半
導体を使用した青色レーザーダイオードの作製を報告し
ている。図５はこのレーザーダイオードの断面図であ
る。

【０００４】図５に示すように、中村らによるレーザー
ダイオードは、（０００１）面を表面とするサファイア
基板５０１上に厚さ３０ｎｍの窒化ガリウムバッファ層
５０２と、ケイ素（Ｓｉ）が添加された厚さ３μｍのｎ
型窒化ガリウム層５０３と、ケイ素が添加された厚さ
０．１μｍのｎ型Ｉｎ_0.1Ｇａ_0.9Ｎ層５０４と、ケイ素
が添加された厚さ０．４μｍのｎ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ
層５０５と、ケイ素が添加された厚さ０．１μｍのｎ型
窒化ガリウム層５０６と、厚さ２．５ｎｍのＩｎ _0.2Ｇ
ａ_0.8Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍのＩｎ_0.05Ｇａ_0.95Ｎ
障壁層の２６周期からなる多重量子井戸層５０７と、マ
グネシウム（Ｍｇ）が添加された厚さ２０ｎｍのｐ型Ａ
ｌ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ層５０８と、マグネシウムが添加された
厚さ０．１μｍのｐ型窒化ガリウム層５０９と、マグネ
シウムが添加された厚さ０．４μｍのｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ
_0.85Ｎ層５１０と、マグネシウムが添加された厚さ０．
５μｍのｐ型窒化ガリウム層５１１とを順次積層した構
造である。そして、最上層の窒化ガリウム層５１１上
に、ニッケル（Ｎｉ）と金（Ａｕ）の２層からなるｐ電
極５１２を設け、ｎ型窒化ガリウム層５０３上に、チタ
ン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の２層からなるｎ電
極５１３を設けている。レーザーのキャビティーミラー
面としては反応性イオンエッチングによってエッチング
した面を用いている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述の中村らによる青
色レーザーダイオードをはじめとして窒化ガリウムを用
いた半導体素子は、そのほとんどが（０００１）面を表
面とするサファイア基板上に作製されている。

【０００６】しかしながら、（０００１）面を表面とす
るサファイア基板は、へき開することが容易でない上に
硬いため、この基板上にデバイスを作製することは容易
ではない。

【０００７】また、サファイアは絶縁体であるため、通
常の発光デバイスのように基板を電極の一方に用いるこ
とは不可能であり、窒化化合物成長層に２つの電極をプ
ロセス形成しなければならないという欠点がある。

【０００８】また、サファイア基板上に窒化ガリウム系
半導体を成長した後に室温まで冷却する際に、サファイ
ア基板と窒化ガリウム系半導体の熱膨張係数の差のため
に、素子の内部に歪みや欠陥が生じ、素子特性に悪い影
響を及ぼすという欠点もある。

【０００９】さらにレーザーダイオードにおいては、通
常、へき開面をレーザー発振のためのキャビティーミラ
ー面として利用するが、ヘき開面を形成できない（００
０１）面を表面とするサファイア基板を用いる場合には
この方法を利用することができず、上述のようにドライ
エッチングでキャビティミラー面を形成しなければなら
ない等の手間のかかる方法を用いざるを得ない。

【００１０】以上のように、窒化ガリウム系化合物半導
体デバイスの作製において、サファイア基板を用いるこ
とは欠点が多い。

【００１１】また、窒化ガリウム系半導体は、価電子帯
の状態密度が大きいため、良好なレーザーダイオード特
性を得ることが難しいと考えられている。これを解決す
る手段として、堂免他は、第４３回応用物理学関係連合
講演会予稿集No.1,p.336(1996)の中で、窒化ガリウム系
半導体に（０００１）面内に異方的な歪みをかけると、
価電子帯状態密度が低減できるという方法を提案してい
る。

【００１２】しかしながら、（０００１）面内に異方的
な歪みをかけるには、窒化ガリウム系半導体をｃ軸方位
でない方向に成長させて格子不整合なヘテロ構造を作製
するのが最も簡単な方法であるが、通常、サファイア基
板上では面方位によらず窒化ガリウム系半導体はｃ軸方
向に成長しやすいために、サファイア基板を利用する従
来の方法で（０００１）面内に異方的な歪みをかけるこ
とは困難である。

【００１３】そこで本発明の目的は、プロセスが容易で
特性の優れた窒化化合物半導体素子、及びプロセスが容
易な該素子の製造方法を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の目
的を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を
完成した。

【００１５】第１の発明は、窒化ガリウム、窒化アルミ
ニウム及び窒化インジウムの中から選ばれる１種の層、
あるいはこれらの中から選ばれる２種以上の混晶の層を
有する窒化化合物半導体素子であって、（０００１）面
以外の面方位のウルツ鉱構造を有する窒化ガリウム系半
導体基板を有し、該半導体基板が、窒化ガリウム、窒化
アルミニウム及び窒化インジウムの中から選ばれる１種
の窒化ガリウム系半導体、あるいはこれらの中から選ば
れる２種以上の混晶の窒化ガリウム系半導体からなるこ
とを特徴とする窒化化合物半導体素子に関する。

【００１６】第２の発明は、閃亜鉛鉱型結晶構造を有す
る半導体の（１００）基板またはその１５度以内の傾斜
基板上に、III族原料として塩化物を用いた気相成長法
によって窒化ガリウム系半導体を成長した後に、溶液エ
ッチングによって前記基板の閃亜鉛鉱型結晶構造を有す
る半導体を取り除き、次いで、このようにして作製され
た、（０００１）面以外の面方位のウルツ鉱構造を有す
る窒化ガリウム系半導体基板上に、半導体層を成長する
ことを特徴とする第１の発明の窒化化合物半導体素子の
製造方法に関する。

【００１７】

【発明の実施の形態】まず、本発明の窒化化合物半導体
素子が特性の優れたものとなる理由、及び本発明の製造
方法で本発明の素子を容易に作製できる理由について、
本発明者らによる新たな知見に基づいて、以下に説明す
る。

【００１８】本発明者らが「山口他、Jpn.J.Appl.Phys.
Vol.35p.L873(1996)」の中で報告しているように、III
族元素の原料として塩化物を用いた気相成長法で窒化ガ
リウム系半導体を砒化ガリウム（１００）基板またはそ
の１５度以内の傾斜基板上に成長すると、ｃ軸が砒化ガ
リウムの［１１１］方向に向いたウルツ鉱構造の良質な
窒化ガリウム系半導体層が成長する。

【００１９】この方法により、砒化ガリウム基板上に１
００μｍ程度の厚さの窒化ガリウム系半導体層を成長し
た後に、溶液選択エッチングにより砒化ガリウム基板を
取り除くと、ピンセットでハンドリングが可能な窒化ガ
リウム系半導体基板が作製される。そして、この窒化ガ
リウム系半導体基板のｃ軸は基板面に垂直な方向から５
５度程度傾いた方向を向いている。

【００２０】このようにして作製された基板上に、ＭＯ
ＣＶＤ法やＭＢＥ法などの成長法で窒化ガリウム系半導
体の素子構造を作製すると、次のような利点がある。ま
ず、この素子構造は窒化ガリウム系半導体の（１，１，
−２，０）面などでへき開できるために、素子分離など
のプロセスが容易である。また、気相成長法で成長する
窒化ガリウム系半導体層をｎドープ層またはｐドープ層
にしておけば、基板の裏面で電極をとることが可能にな
るので、発光ダイオード構造やレーザーダイオード構造
を作製する際のプロセスが簡単になる。また、溶液エッ
チングで砒化ガリウム基板を取り除くことによって、砒
化ガリウム基板と窒化ガリウム系半導体との熱膨張係数
差に起因して内在する歪みや欠陥もなくすことができる
ので、良好なデバイス特性が実現できる。さらに、レー
ザーダイオードの場合には、へき開面をキャビティーミ
ラー面に利用できるだけでなく、窒化ガリウム系半導体
のｃ軸が基板面に垂直ではないことから、格子不整合の
ヘテロ構造によってｃ面内に異方的な歪みを容易にかけ
ることができ、価電子帯の状態密度を低減し、レーザー
特性を大幅に向上させることができる。

【００２１】上記の説明では、初めに用いる基板として
砒化ガリウム基板を例に用いて説明したが、本発明は砒
化ガリウム基板に限定されるものではなく、インジウム
リン基板やガリウムリン基板などの閃亜鉛鉱型構造の結
晶構造を持つすべての化合物半導体基板において同様の
効果が得られる。

【００２２】以下、本発明の実施の形態を図面を参照し
て詳細に説明する。

【００２３】第１の実施の形態図１は、砒化ガリウム基板１０１の表面に成長した窒化
ガリウム膜の概略断面図である。この窒化ガリウム膜
は、後述する成長装置（図４）によって、砒化ガリウム
基板上に形成される。

【００２４】図１において、砒化ガリウム基板１０１の
表面は、（１００）面から２度傾斜している。この砒化
ガリウム基板（砒化ガリウム（１００）２度傾斜基板）
１０１上に、厚さ５０ｎｍの窒化ガリウム低温成長バッ
ファ層１０２と、厚さ１００μｍの窒化ガリウム高温成
長層１０３が順次成長されている。

【００２５】膜の成長は次の通りに行った。図４に示す
成長装置を用い、まず砒化ガリウム基板１０１を基板温
度６３０〜６４０℃で５分間処理することによって砒化
ガリウム基板表面の酸化膜を除去した。

【００２６】次に、基板温度を４８５℃まで下げ、窒化
ガリウム低温成長バッファ層１０２を３０分間成長させ
た。

【００２７】その後、基板温度を９５０℃まで上げて窒
化ガリウム高温成長層１０３を２時間成長させた。

【００２８】このようにして砒化ガリウム基板１０１上
に成長させた窒化ガリウム層の結晶構造を、４軸ゴニオ
メータＸ線回析装置によって調べたところ、窒化ガリウ
ム膜（窒化ガリウム低温バッファ層１０２及び窒化ガリ
ウム高温成長層１０３）は、すべて、ウルツ鉱型の結晶
構造を有していることがわかった。そして、このウルツ
鉱型結晶構造の窒化ガリウムのｃ軸は、基板である砒化
ガリウムの＜１１１＞方向とほぼ同じ方向を向いている
こともわかった。ただし、ウルツ鉱型結晶構造の窒化ガ
リウムのｃ軸と砒化ガリウムの＜１１１＞方向は、完全
には一致しておらず、両者の格子定数の不整合などに起
因して、１〜５度程度ずれている。

【００２９】さらに、電子顕微鏡写真によると、このウ
ルツ鉱型構造の窒化ガリウム層は、閃亜鉛鉱型の窒化ガ
リウムの混入がほとんどなく、良質な結晶であることが
わかった。

【００３０】（１００）面からの傾斜角度を変えた砒化
ガリウム基板に対して同様の実験を行ったところ、傾斜
してない（１００）基板から１５度傾斜した基板までの
すべての砒化ガリウム基板上で、砒化ガリウムの＜１１
１＞方向とほぼ同じ方向にｃ軸を向けたウルツ鉱型結晶
構造の良質な窒化ガリウムが成長することが確認され
た。

【００３１】そして、図１の砒化ガリウム基板上の窒化
ガリウム膜を、硫酸と過酸化水素水と水の混合液に浸し
たところ、砒化ガリウムのみが選択的に溶液エッチング
されて、厚さ約１００μｍの窒化ガリウム基板が得られ
た。

【００３２】図４は、窒化ガリウム膜の成長に用いた成
長装置を説明する概略構成図である。この成長装置は、
III族原料に塩化物を用いる気相成長法によってIII−Ｖ
族化合物半導体層を基板上に形成する際に使用されるも
のである。

【００３３】この成長装置は、その内部に、ガリウム
（Ｇａ）原料を保持するガリウムソースボート４０１
と、インジウム（Ｉｎ）原料を保持するインジウムソー
スボート４０３と、砒化ガリウム基板４０７を保持する
ための基板ホルダ４０６とを有している。砒化ガリウム
基板４０７は、例えば、粘着によって基板ホルダ４０６
に取り付けられる。そして、導入管４０２から塩化水素
（ＨＣｌ）ガスと水素ガスとの混合ガスを導入すること
により、ガリウムソースボート４０１上のガリウムが塩
化ガリウムとなって、水素キャリアガスにより下流側に
輸送され砒化ガリウム基板４０７の位置に達する。同様
に、導入管４０４から塩化水素ガスと水素ガスの混合ガ
スを導入することによって、インジウムソースボート４
０３上のインジウムが塩化インジウムとなって、水素キ
ャリアガスにより下流側に輸送され、砒化ガリウム基板
４０７の位置に到達する。また、Ｖ族元素である窒素
は、バイパス管４０５を通して、アンモニアと水素ガス
の混合物として導入される。なお、各ソースボート４０
１、４０３の近傍でのガスの混合を避けるため、これら
のソースボート４０１、４０３の間には、分離壁４０８
が設けられている。

【００３４】基板ホルダ４０６に貼り付けられた砒化ガ
リウム基板４０７上に窒化ガリウム層を成長させる場合
には、装置全体を所定の温度に加熱し、バイパス管４０
５から水素希釈アンモニアガスを導入し、さらに導入管
４０２から水素希釈塩化水素を導入して塩化ガリウムを
発生させ、アンモニアと塩化ガリウムを砒化ガリウム基
板４０７に到達させればよい。同様に、窒化インジウム
層を成長させる場合には、砒化ガリウム基板４０７を加
熱し、導入管４０４から水素希釈塩化水素ガスを導入し
て塩化インジウム発生させるとともに、バイパス管４０
５から水素希釈塩化水素ガスを導入すればよい。導入管
４０２、４０４の両方から水素希釈塩化水素ガスを導入
した場合には塩化ガリウムと塩化インジウムが同時に生
成し、砒化ガリウム基板４０７上に窒化インジウムガリ
ウム層が成長する。

【００３５】第２の実施の形態図２は、本発明を適用して作製した窒化ガリウム系半導
体による発光ダイオード素子の概略断面図である。基板
には第１の実施の形態で述べたのとほぼ同様の方法で作
製した窒化ガリウム基板２０１を用いた。ただし、成長
時にセレン化水素ガスをさらに同時に供給することによ
ってｎ型窒化ガリウム基板としたした点が第１の実施の
形態と異なっている。

【００３６】このｎ型窒化ガリウム基板２０１上に、Ｍ
ＯＣＶＤ法により、ケイ素が添加された厚さ３μｍのｎ
型窒化ガリウム層２０２と、厚さ１００ｎｍの不純物無
添加のＩｎ_0.1Ｇａ_0.9Ｎ層２０３と、マグネシウムを添
加した厚さ１μｍのｐ型窒化ガリウム層２０４を順次成
長した。最後に、ｎ型窒化ガリウム基板２０１の裏面側
にｎ電極２０５を設け、ｐ型窒化ガリウム層２０４の上
にｐ電極２０６を設けて、発光ダイオードを作製した。

【００３７】この発光ダイオード素子は、基板の裏側に
電極の一方を設けた構造であるため、電極を２つとも素
子の表側につけなければならない従来のサファイア基板
上の発光ダイオード素子よりも作製が容易である。

【００３８】また、電子顕微鏡写真や発光スペクトル測
定でこの成長膜の膜質を調べたところ、従来のサファイ
ア基板上の膜に比べて、飛躍的に欠陥が少なくなり、光
学的品質も良くなっていることがわかった。これは、窒
化ガリウム基板上に成長することによって、従来のサフ
ァイア基板上の膜のような基板と成長膜との熱膨張係数
差に起因する欠陥がなくなったためと考えられる。そし
て、この発光ダイオード素子は、従来のサファイア基板
上に作製した発光ダイオード素子と比べて３倍程度の強
い輝度を示した。

【００３９】第３の実施の形態図３は、本発明を適用して作製した窒化ガリウム系半導
体による半導体レーザー素子の概略斜視図である。素子
の作製に用いたｎ型窒化ガリウム基板２０１及びその上
に成長した膜構造は第２の実施の形態における発光ダイ
オード素子と同じであるが、電流狭窄のためにｐ電極３
０６をストライプ状にしている点と、窒化ガリウム系半
導体のへき開によってへき開面３０７を露出させキャビ
ティーミラー面として利用している点が異なっている。
ヘき開面３０７は、窒化ガリウム系半導体の（１，１，
−２，０）面であって、基板面に垂直である。

【００４０】半導体レーザーでは、一般に、キャビティ
ーミラー面の平坦性と１対のキャビティーミラー面の間
の平行性とがレーザー特性に大きく影響する。従来のよ
うにサファイア基板上にレーザー素子を作製した場合に
は、キャビティーミラー面としてへき開面を利用できな
いため、ドライエッチング等の方法によってキャビティ
ーミラー面をつくる必要があり、複雑な工程を経ざるを
得ない上に、平坦性も平行性も良いものが得られない。
それに比べて、本実施の形態の半導体レーザー素子は、
へき開を利用して平坦で平行性の良いキャビティーミラ
ー面を形成することができる。

【００４１】また、本実施の形態の半導体レーザー素子
では、第２の実施の形態の場合と同様に、基板と成長膜
との熱膨張係数に差がないため、光学的品質が非常に良
い膜が得られる。

【００４２】さらに、活性層であるＩｎＧａＮ層２０３
には上下の窒化ガリウム層２０２、２０４との格子定数
の違いから、２軸性の歪みがかかっている。このＩｎＧ
ａＮ層２０３ではｃ軸の向きが基板に垂直方向ではない
ので、この歪みはｃ面内に異方的な歪みとなる。このた
め、このレーザー素子では活性層の価電子帯の状態密度
が低減され、優れた特性が実現できる。実際に、７７Ｋ
パルス発振でのしきい値電流密度が、従来のサファイア
基板上に作製したレーザー素子に比べて約半分になるこ
とが確認された。

【００４３】第１〜第３の実施の形態は、具体的に説明
した構造及び製造方法に限定されるものではなく、砒化
ガリウム以外の閃亜鉛鉱型結晶構造を有する化合物半導
体（例えば、立方晶の炭化珪素やセレン化亜鉛）の（１
００）基板またはその１５度以内の傾斜基板を、窒化ガ
リウム系半導体基板をつくるための初めの基板として用
いる場合、及び、窒化インジウム、窒化アルミニウム、
窒化ガリウムの任意の組成の混晶を成長層に含む場合に
も適用される。

【００４４】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、閃亜鉛鉱型結晶構造を有する半導体の（１０
０）基板またはその１５度以内の傾斜基板上に、III族
原料として塩化物を用いた気相成長法により窒化ガリウ
ム系半導体を成長した後に、溶液エッチングにより前記
基板の閃亜鉛鉱型結晶構造を有する半導体を取り除くこ
とによって作製した（０００１）面以外の面方位のウル
ツ鉱構造窒化ガリウム系半導体基板上に半導体層を形成
して素子を作製することによって、プロセスが容易で特
性の優れた半導体素子が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における、砒化ガリウム基板上に成長し
た窒化ガリウム膜の概略断面図である。

【図２】本発明を適用して作製した窒化ガリウム系化合
物半導体による発光ダイオード素子の概略断面図であ
る。

【図３】本発明を適用して作製した窒化ガリウム系化合
物半導体による半導体レーザー素子の概略斜視図であ
る。

【図４】本発明における窒化ガリウム膜の成長に用いる
成長装置の概略構成図である。

【図５】従来技術によってサファイア基板上に作製した
半導体レーザー素子の概略断面図である。

【符号の説明】

１０１砒化ガリウム基板１０２窒化ガリウム低温成長バッファ層１０３窒化ガリウム高温成長層２０１ｎ型窒化ガリウム基板２０２ケイ素が添加されたｎ型窒化ガリウム層２０３不純物無添加のＩｎ_0.1Ｇａ_0.9Ｎ層２０４マグネシウムを添加したｐ型窒化ガリウム層２０５ｎ電極２０６、３０６ｐ電極３０７へき開面４０１ガリウムソースボート４０２、４０４導入管４０３インジウムソースボート４０５バイパス管４０６基板ホルダ４０７砒化ガリウム基板４０８分離壁５０１（０００１）面を表面とするサファイア基板５０２窒化ガリウムバッファ層５０３ケイ素が添加されたｎ型窒化ガリウム層５０４ケイ素が添加されたｎ型Ｉｎ_0.1Ｇａ_0.9Ｎ層５０５ケイ素が添加されたｎ型Ａｌ_0.15Ｇａ_0.85Ｎ層５０６ケイ素が添加されたｎ型窒化ガリウム層５０７Ｉｎ_0.2Ｇａ_0.8Ｎ量子井戸層とＩｎ_0.05Ｇａ
_0.95Ｎ障壁層の２６周期からなる多重量子井戸層５０８マグネシウムが添加されたｐ型Ａｌ_0.2Ｇａ_0.8
Ｎ層５０９マグネシウムが添加されたｐ型窒化ガリウム層５１０マグネシウムが添加されたｐ型Ａｌ_0.15Ｇａ
_0.85Ｎ層５１１マグネシウムが添加されたｐ型窒化ガリウム層５１２ニッケルと金の２層からなるｐ電極５１３チタンとアルミニウムの２層からなるｎ電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩ // Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 29/14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】窒化ガリウム、窒化アルミニウム及び窒
化インジウムの中から選ばれる１種の層、あるいはこれ
らの中から選ばれる２種以上の混晶の層を有する窒化化
合物半導体素子であって、（０００１）面以外の面方位
のウルツ鉱構造を有する窒化ガリウム系半導体基板を有
し、該半導体基板が、窒化ガリウム、窒化アルミニウム
及び窒化インジウムの中から選ばれる１種の窒化ガリウ
ム系半導体、あるいはこれらの中から選ばれる２種以上
の混晶の窒化ガリウム系半導体からなることを特徴とす
る窒化化合物半導体素子。
【請求項２】素子構造が発光ダイオード構造である請
求項１記載の窒化化合物半導体素子。
【請求項３】素子構造が半導体レーザー構造である請
求項１記載の窒化化合物半導体素子。
【請求項４】閃亜鉛鉱型結晶構造を有する半導体の
（１００）基板またはその１５度以内の傾斜基板上に、
III族原料として塩化物を用いた気相成長法によって窒
化ガリウム系半導体を成長した後に、溶液エッチングに
よって前記基板の閃亜鉛鉱型結晶構造を有する半導体を
取り除き、次いで、このようにして作製された、（００
０１）面以外の面方位のウルツ鉱構造を有する窒化ガリ
ウム系半導体基板上に、半導体層を成長することを特徴
とする請求項１記載の窒化化合物半導体素子の製造方
法。
【請求項５】閃亜鉛鉱型結晶構造を有する基板とし
て、砒化ガリウム（１００）基板またはその１５度以内
の傾斜基板を用いる請求項４記載の窒化化合物半導体素
子の製造方法。
【請求項６】素子構造が発光ダイオード構造である請
求項５記載の窒化化合物半導体素子の製造方法。
【請求項７】素子構造が半導体レーザー構造である請
求項５記載の窒化化合物半導体素子の製造方法。