JPH10178229A - Method and device of driving semiconductor laser, and radiograph reader - Google Patents

Method and device of driving semiconductor laser, and radiograph reader

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JPH10178229A
JPH10178229A JP8336453A JP33645396A JPH10178229A JP H10178229 A JPH10178229 A JP H10178229A JP 8336453 A JP8336453 A JP 8336453A JP 33645396 A JP33645396 A JP 33645396A JP H10178229 A JPH10178229 A JP H10178229A
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JP
Japan
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semiconductor laser
current
control
radiation image
apc
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Application number
JP8336453A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroaki Yasuda
裕昭 安田
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Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
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Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a semiconductor laser from quickly braking down when the life of a semiconductor laser in a semiconductor laser drive comes to an end. SOLUTION: A current detection means 16 detects the current in a semiconductor laser 12 and a selector switch 24 selects an APC control means 20 if the current is less than the reference value and a light output from the semiconductor laser 12 is kept constant. As the current in the semiconductor laser 12 reaches the reference value as the life of the semiconductor laser 12 coming to an end, the selector 24 selects an ACC control means 22 so that the current in the semiconductor laser 12 nay be kept constant.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザの発
光量を制御する半導体レーザ駆動方法およびその装置に
関し、より詳細には半導体レーザの発光量を安定化させ
る半導体レーザ駆動方法およびその装置、並びに該半導
体レーザ駆動装置を用いた励起光光源を備えた放射線画
像読取装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and a device for driving a semiconductor laser for controlling the light emission amount of a semiconductor laser, and more particularly to a method and a device for driving a semiconductor laser for stabilizing the light emission amount of a semiconductor laser. The present invention relates to a radiation image reading apparatus provided with an excitation light source using the semiconductor laser driving device.

【0002】[0002]

【従来の技術】コンパクトデイスクプレーヤ、ミニデイ
スクプレーヤ等のピックアップ部の読取光源や、放射線
画像読取装置(例えば、特公平 3−79695号、特
開平7−191421号等)、蛍光診断装置(例えば、
特開平1−136630号、特開平7−59783号
等)等の励起光源として半導体レーザが使用されている
ことは良く知られている。ここで、放射線画像読取装置
とは、放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シ
ートに励起光を照射し、この蓄積性蛍光体シートに蓄積
記録された前記放射線画像情報に応じて輝尽発光する輝
尽発光光を検出してこの放射線画像情報を読み取る医用
画像読取装置の一種である。また、蛍光診断装置とは、
腫瘍親和性を有し光により励起されたとき蛍光を発する
光感受性物質を予め生体の腫瘍部分に吸収させておき、
その部分に光感受性物質の励起波長領域にある励起光を
照射して蛍光を生じさせ、この蛍光による画像を表示し
て腫瘍部分を診断する医用画像読取装置の一種である。
2. Description of the Related Art A reading light source of a pickup section of a compact disk player, a mini disk player or the like, a radiation image reading apparatus (for example, Japanese Patent Publication No. 3-79695, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-191421, etc.), and a fluorescence diagnostic apparatus (for example,
It is well known that a semiconductor laser is used as an excitation light source as disclosed in JP-A-1-136630 and JP-A-7-59783. Here, the radiation image reading device is a device that irradiates excitation light to a stimulable phosphor sheet on which radiation image information is accumulated and recorded, and irradiates in accordance with the radiation image information accumulated and recorded on the stimulable phosphor sheet. This is a type of medical image reading apparatus that detects the emitted stimulating light to read the radiation image information. In addition, the fluorescence diagnostic device,
A photosensitizer that has tumor affinity and emits fluorescence when excited by light is previously absorbed in the tumor part of the living body,
This is a type of medical image reading apparatus that irradiates the part with excitation light in the excitation wavelength region of the photosensitive substance to generate fluorescence, displays an image based on the fluorescence, and diagnoses a tumor part.

【0003】このような各種装置において光源として使
用されている半導体レーザは、小型であること、安価で
あること、取り扱いが容易であること等から、従来の固
体レーザ、ガスレーザ等に代えて使用されることが多く
なってきており、急速にその需要が増大している。この
半導体レーザを各種装置の光源として使用する場合、読
取精度の安定化のため、定常状態において半導体レーザ
の光出力(発光量)が一定となるようにAPC(Automa
tic Power Control)制御を行うのが一般的である。こ
のAPC制御は、通常以下のような構成を採って実現し
ている。即ち、半導体レーザの発光量をフォトダイオー
ド等の光検出素子により検出し、光検出素子の出力信号
が一定の値となるようにオペアンプ等からなる負帰還回
路を構成することにより実現している。
A semiconductor laser used as a light source in such various devices is used in place of a conventional solid-state laser, gas laser, or the like because of its small size, low cost, and easy handling. And its demand is rapidly increasing. When this semiconductor laser is used as a light source for various devices, an APC (Automaton) is used so that the light output (light emission amount) of the semiconductor laser is constant in a steady state in order to stabilize the reading accuracy.
tic Power Control) control. This APC control is usually realized by adopting the following configuration. That is, the light emission amount of the semiconductor laser is detected by a photodetector such as a photodiode, and a negative feedback circuit including an operational amplifier or the like is configured so that an output signal of the photodetector has a constant value.

【0004】ところで、半導体レーザは、使用による経
時劣化のため、同じ光出力を得るために必要な電流量は
漸次増加するという特性を有することも良く知られてい
る(図2参照)。また、この半導体レーザは、過電流が
流れると破壊するという特性を有しており、使用に際し
ては半導体レーザの最大許容電流値(Imax)を越えない
ように十分注意をして使用する必要がある(図2参
照)。
By the way, it is well known that a semiconductor laser has a characteristic that the amount of current required to obtain the same optical output gradually increases due to aging with use (see FIG. 2). In addition, this semiconductor laser has a characteristic of being destroyed when an overcurrent flows, and it is necessary to use the semiconductor laser with sufficient care so as not to exceed the maximum allowable current value (Imax) of the semiconductor laser when used. (See FIG. 2).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ようなAPC制御を行い発光させ続けると、半導体レー
ザの寿命劣化のため半導体レーザに流れる電流が益々増
大することとなる。このため、結果として半導体レーザ
の劣化を助長し、ひいては半導体レーザの最大許容電流
値を超えて破壊に至らしめることとなる。即ち、半導体
レーザが寿命時期に至った場合に、APC制御により半
導体レーザの発光をしつづけると、半導体レーザに流れ
る電流が急激に増大し破壊までの時間を早めることとな
る。
However, if the above-described APC control is performed and the light emission is continued, the current flowing through the semiconductor laser increases due to the deterioration of the life of the semiconductor laser. For this reason, as a result, the deterioration of the semiconductor laser is promoted, and as a result, the semiconductor laser exceeds the maximum allowable current value and is broken. That is, when the semiconductor laser reaches the end of its life, if the semiconductor laser continues to emit light by the APC control, the current flowing through the semiconductor laser rapidly increases, and the time until destruction is shortened.

【0006】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、半導体レーザの発光量を安定化させつつ長寿命
化を図ることのできる半導体レーザ駆動方法およびその
装置、並びにこの半導体レーザ駆動装置を用いた励起光
光源を備えた放射線画像読取装置を提供することを目的
とするものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and a semiconductor laser driving method and apparatus capable of stabilizing the light emission amount of a semiconductor laser and extending the life thereof, and this semiconductor laser driving apparatus. It is an object of the present invention to provide a radiation image reading apparatus provided with an excitation light source using the above.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ駆動方法は、APC制御とACC(Automatic Curren
t Control)制御の何れか1つの選択が可能であり、選
択された制御方法によって半導体レーザの発光量を制御
する半導体レーザ駆動方法であり、上記半導体レーザに
流れる電流の大きさを検出し、この電流の大きさが所定
の基準値以下の場合は上記APC制御を選択し、上記基
準値に達した場合には上記ACC制御を選択することを
特徴とするものである。
SUMMARY OF THE INVENTION A semiconductor laser driving method according to the present invention includes APC control and ACC (Automatic Currend).
t Control) is a method of driving a semiconductor laser that controls the amount of light emitted by the semiconductor laser according to the selected control method, and detects the magnitude of the current flowing through the semiconductor laser. When the magnitude of the current is equal to or less than a predetermined reference value, the APC control is selected, and when the current reaches the reference value, the ACC control is selected.

【0008】ここで「APC制御」とは、半導体レーザ
の光出力が一定となるように半導体レーザに流れる電流
量を制御することをいう。また、[ACC制御」とは、
半導体レーザに流れる電流値が一定となるように制御す
ることをいう。
Here, "APC control" refers to controlling the amount of current flowing through the semiconductor laser so that the optical output of the semiconductor laser becomes constant. [ACC control]
This refers to controlling the current value flowing through the semiconductor laser to be constant.

【0009】また、本発明による半導体レーザ駆動装置
は、上記方法に従って半導体レーザの発光量を制御する
半導体レーザ駆動装置であって、半導体レーザの発光量
をAPC制御するAPC制御手段とACC制御するAC
C制御手段の何れか1つを選択する選択手段と、上記電
流の大きさを検出する電流検出手段とを有しており、上
記選択手段が上記電流の大きさが所定の基準値以下の場
合は上記APC制御手段を選択し、上記電流の大きさが
上記基準値に達した場合には上記ACC制御手段を選択
することを特徴とするものである。
A semiconductor laser driving device according to the present invention is a semiconductor laser driving device for controlling the light emission amount of a semiconductor laser according to the above-mentioned method, wherein APC control means for APC controlling the light emission amount of the semiconductor laser and AC
C means for selecting any one of the control means, and current detecting means for detecting the magnitude of the current, wherein the selecting means determines that the magnitude of the current is equal to or less than a predetermined reference value. Selects the APC control means, and selects the ACC control means when the magnitude of the current reaches the reference value.

【0010】また、本発明による放射線画像読取装置
は、放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性蛍光体シー
トに励起光を照射する励起光照射手段と、上記蓄積性蛍
光体シートに蓄積記録された上記放射線画像情報に応じ
て輝尽発光する輝尽発光光を検出してこの放射線画像情
報を読み取る読取手段とを有する放射線画像読取装置で
あって、上記励起光照射手段が、上述の半導体レーザ駆
動装置により構成される励起光光源を有することを特徴
とするものである。
Further, the radiation image reading apparatus according to the present invention includes an excitation light irradiating means for irradiating excitation light to the stimulable phosphor sheet on which the radiation image information is stored and recorded, and the stimulable phosphor sheet stored and recorded on the stimulable phosphor sheet. A reading means for detecting the stimulating light emitted in response to the radiation image information and reading the radiation image information, wherein the excitation light irradiating means includes the semiconductor laser drive. It is characterized by having an excitation light source constituted by the device.

【0011】[0011]

【発明の効果】本発明による半導体レーザ駆動方法およ
び装置によれば、半導体レーザに流れる電流量が所定の
基準値以下の場合にはAPC制御により半導体レーザの
光出力が制御され、所定の基準値に達するとACC制御
により制御されるので、発光しつづけても半導体レーザ
に流れる電流量が急激に増大するということがない。一
方、ACC制御が動作している場合には半導体レーザの
光出力は漸次低下するものの、ある程度安定となってい
る。即ち、APC制御のように発光量が正確に一定と言
うことはできないが、何ら制御しないのに対して少なく
とも一定の電流値に対応する発光量に制御されており、
経時劣化により漸次発光量が低下していくにとどまる。
According to the method and apparatus for driving a semiconductor laser according to the present invention, when the amount of current flowing through the semiconductor laser is less than a predetermined reference value, the optical output of the semiconductor laser is controlled by APC control, and Is reached, the control is performed by the ACC control, so that the amount of current flowing through the semiconductor laser does not suddenly increase even if the light emission continues. On the other hand, when the ACC control is operating, the optical output of the semiconductor laser gradually decreases, but is stabilized to some extent. That is, the light emission amount cannot be said to be exactly constant as in the case of the APC control, but the light emission amount is controlled to at least a constant current value without performing any control.
The amount of light emission only gradually decreases due to deterioration over time.

【0012】したがって、所定の基準値以下の場合には
APC制御により半導体レーザの光出力を一定に保つこ
とができ、所定の基準値に達したらAPC制御をACC
制御に変更することにより、半導体レーザに流れる電流
が急激に増大するということがなく破壊に至るまでの時
間を長くすることができ、しかも、半導体レーザの発光
量はACC制御によりある程度の安定化が図られてい
る。
Therefore, when the light output is below the predetermined reference value, the optical output of the semiconductor laser can be kept constant by the APC control.
By changing to the control, the current flowing through the semiconductor laser does not suddenly increase, and the time until destruction can be extended, and the light emission amount of the semiconductor laser can be stabilized to some extent by the ACC control. It is planned.

【0013】本発明による半導体レーザ駆動装置により
構成される励起光光源を放射線画像読取装置に適用する
ことによって、当該装置が完全に使用できなくなるまで
の時間を長くすることができる。したがって、例えば、
ランプや警告音等による警告手段を当該装置に付設する
ことで、APC制御からACC制御に変更されたことを
装置使用者に知らしめ、半導体レーザの交換等を促すこ
とができる。また、即時の交換ができないとしても、装
置が完全にダウンするまでのつなぎの時間を確保するこ
とができる。その間にも放射線画像読取装置の使用を継
続でき、かつ、適正な対処方法を施すことができ、急に
当該装置がダウンするという問題が解決される。
By applying the excitation light source constituted by the semiconductor laser driving device according to the present invention to a radiation image reading device, it is possible to extend the time until the device becomes completely unusable. So, for example,
By attaching a warning means such as a lamp or a warning sound to the apparatus, it is possible to inform the user of the apparatus that the control has been changed from the APC control to the ACC control and to prompt the user to replace the semiconductor laser. Also, even if immediate replacement is not possible, a connection time until the device is completely down can be secured. In the meantime, the use of the radiation image reading apparatus can be continued and an appropriate countermeasure can be taken, thereby solving the problem that the apparatus suddenly goes down.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の半
導体レーザ駆動方法および装置の一実施の形態について
詳細に説明する。図1は本発明の実施の形態による半導
体レーザ駆動装置の概略図である。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a semiconductor laser driving method and apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor laser driving device according to an embodiment of the present invention.

【0015】APC制御手段20が選択手段24の一方の入
力部に接続されており、ACC制御手段22が選択手段24
の他方の入力部に接続されいる。選択手段24は電流検出
手段16の出力情報に基づいて、APC制御手段20とAC
C制御手段22のうちの一方を選択する。選択手段24によ
り選択された制御手段の出力はトランジスタやFET等
の電流制御素子14の制御入力端子(ベースまたはゲー
ト)に接続される。
APC control means 20 is connected to one input of selection means 24, and ACC control means 22 is connected to selection means 24.
Is connected to the other input section. The selection means 24 communicates with the APC control means 20 based on the output information of the current detection means 16.
One of the C control means 22 is selected. The output of the control means selected by the selection means 24 is connected to the control input terminal (base or gate) of the current control element 14 such as a transistor or FET.

【0016】電源10が半導体レーザ12のアノードに接続
され、半導体レーザ12のカソードが電流制御素子14に接
続される。電流制御素子14の他端は、電流検出手段16を
介して接地される。
A power supply 10 is connected to the anode of the semiconductor laser 12, and the cathode of the semiconductor laser 12 is connected to the current control element 14. The other end of the current control element 14 is grounded via current detection means 16.

【0017】電源10は正電圧を有する電源であり半導体
レーザ12に流れる電流を供給する。電流制御素子14は上
記選択された制御手段の出力に基づいて半導体レーザ12
に流れる電流量を制御する。
The power supply 10 is a power supply having a positive voltage and supplies a current flowing to the semiconductor laser 12. The current control element 14 controls the semiconductor laser 12 based on the output of the selected control means.
To control the amount of current flowing through.

【0018】APC制御手段20およびACC制御手段22
は、オペアンプ等による制御アンプ(図示せず)を有し
ており、電流制御素子14とともに選択手段24を介して半
導体レーザ12に流れる電流を制御する帰還制御ループを
構成する。
APC control means 20 and ACC control means 22
Has a control amplifier (not shown) such as an operational amplifier, and forms a feedback control loop for controlling a current flowing to the semiconductor laser 12 via the selection means 24 together with the current control element 14.

【0019】APC制御手段20は半導体レーザ12の発光
量をフォトダイオード等の光検出素子(図示せず)によ
り検出し、この光検出素子の出力信号(発光量)が一定
の値となるように電流制御素子14を制御する帰還制御ル
ープを構成する。即ち、APC制御手段20は、半導体レ
ーザ12の光出力が一定となるように動作する。また、A
CC制御手段22は半導体レーザ12に流れる電流量を抵抗
等により電圧に変換することで検出し、抵抗両端に発生
する電圧値が一定の値となるように電流制御素子14を制
御する帰還制御ループを構成する。即ち、ACC制御手
段22は半導体レーザ12に流れる電流量が一定となるよう
に動作する。尚、半導体レーザ12に流れる電流量を検出
する手段は、後述の電流検出手段16と兼用することもで
きる。
The APC control means 20 detects the amount of light emitted from the semiconductor laser 12 by a photodetector (not shown) such as a photodiode, so that the output signal (light emission) of the photodetector becomes a constant value. A feedback control loop for controlling the current control element 14 is formed. That is, the APC control means 20 operates so that the optical output of the semiconductor laser 12 becomes constant. Also, A
The CC control means 22 detects the amount of current flowing through the semiconductor laser 12 by converting the amount of current into a voltage using a resistor or the like, and controls the current control element 14 so that the voltage value generated across the resistor becomes a constant value. Is configured. That is, the ACC control means 22 operates so that the amount of current flowing through the semiconductor laser 12 becomes constant. Incidentally, the means for detecting the amount of current flowing through the semiconductor laser 12 can also be used as the current detecting means 16 described later.

【0020】一方、電流検出手段16は半導体レーザ12に
流れる電流量を検出し、電流量が所定の基準値を超える
か否かを判断する。そして、電流量が所定の基準値以下
の場合には選択手段24がAPC制御手段20を選択し、電
流量が所定の基準値に達した場合には選択手段24がAC
C制御手段22を選択するように出力情報を選択手段24に
伝える。
On the other hand, the current detecting means 16 detects the amount of current flowing through the semiconductor laser 12, and determines whether the amount of current exceeds a predetermined reference value. When the current amount is equal to or less than the predetermined reference value, the selection unit 24 selects the APC control unit 20, and when the current amount reaches the predetermined reference value, the selection unit 24 selects the APC control unit 20.
The output information is transmitted to the selection unit 24 so as to select the C control unit 22.

【0021】したがって、本構成の半導体レーザ駆動装
置によれば、半導体レーザ12に流れる電流量が所定の基
準値以下の場合にはAPC制御により半導体レーザ12に
流れる電流量が制御され、また、電流量が所定の基準値
に達した場合にはACC制御により半導体レーザ12に流
れる電流量が制御される。即ち、APC制御手段20が選
択されているときは、半導体レーザ12の光出力が一定
(Po)となるように制御され、ACC制御手段22が選択
されているときは、半導体レーザ12に流れる電流量が一
定となるように制御されることとなる。
Therefore, according to the semiconductor laser driving device of this configuration, when the amount of current flowing through the semiconductor laser 12 is equal to or less than a predetermined reference value, the amount of current flowing through the semiconductor laser 12 is controlled by APC control. When the amount reaches a predetermined reference value, the amount of current flowing through the semiconductor laser 12 is controlled by ACC control. That is, when the APC control means 20 is selected, the optical output of the semiconductor laser 12 is controlled to be constant (Po), and when the ACC control means 22 is selected, the current flowing through the semiconductor laser 12 is controlled. The amount will be controlled to be constant.

【0022】ここで、上記所定の基準値を、例えば半導
体レーザ12の経時劣化による寿命電流値(図2中のIo)
に設定すると半導体レーザ12が寿命に達したときに、A
PC制御手段20からACC制御手段22に切り替わること
となる。仮に、この時、APC制御手段20を選択しつづ
けた場合は、図2中の破線で示すように半導体レーザ12
に流れる電流が急激に増大する。つまり、半導体レーザ
12の寿命に達すると電流が加速度的に増大し破壊に至っ
てしまう。
Here, the above-mentioned predetermined reference value is, for example, a lifetime current value (Io in FIG. 2) due to aging of the semiconductor laser 12.
When the semiconductor laser 12 reaches the end of its life,
The control is switched from the PC control means 20 to the ACC control means 22. At this time, if the APC control means 20 is continuously selected, the semiconductor laser 12 is turned off as shown by the broken line in FIG.
The current flowing through increases rapidly. In other words, a semiconductor laser
When the life of 12 is reached, the current increases at an accelerated rate, leading to destruction.

【0023】しかし、本構成のように半導体レーザ12の
寿命に達したときには、APC制御手段20からACC制
御手段22に切り替わるようにすることで、半導体レーザ
12に流れる電流が急激に増大するということがなくな
り、半導体レーザ12の光出力が徐々に低下するものの、
寿命に達しても暫くの間は安定に発光を継続させること
ができる(図2中の実線参照)。
However, when the semiconductor laser 12 reaches the end of its life as in this configuration, the semiconductor laser 12 is switched from the APC control means 20 to the ACC control means 22.
Although the current flowing through 12 does not suddenly increase and the optical output of the semiconductor laser 12 gradually decreases,
Light emission can be stably continued for a while even after the life is reached (see the solid line in FIG. 2).

【0024】また、本発明による半導体レーザ駆動装置
を励起光源(レーザ光源)に適用し、このレーザ光源を
使用して特開平7−191421号等に記載の放射線画
像読取装置を構成することも可能である。図3は放射線
画像読取装置を構成する画像読取部の光ビーム走査装置
の概略構成図であり、この光ビーム走査装置は、本発明
による半導体レーザ駆動装置を適用したレーザ光源31を
備えている。この光ビーム走査装置について簡単に説明
する。
Also, the semiconductor laser driving device according to the present invention can be applied to an excitation light source (laser light source), and a radiation image reading apparatus described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-191421 can be constructed using this laser light source. It is. FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a light beam scanning device of an image reading unit included in the radiation image reading device. The light beam scanning device includes a laser light source 31 to which the semiconductor laser driving device according to the present invention is applied. This light beam scanning device will be briefly described.

【0025】光ビーム走査装置は、所定の波長のレーザ
光Lを出射する本発明の半導体レーザ駆動装置を適用し
たレーザ光源31、この出射されたレーザ光Lを反射偏向
する回転多面鏡32、この回転多面鏡32を回転駆動するモ
ータ33、レーザ光Lを集光するfθレンズ34、集光され
たレーザ光Lを反射して向きを変える反射光学系35から
なる。このレーザ光Lの照射によって、蓄積記録されて
いる放射線画像情報に応じた光量で発光する輝尽発光光
Aを集光する光ガイド36、集光された輝尽発光光Aを増
幅して光電変換するフォトマルチプライヤ37などの画像
情報読取手段が蓄積性蛍光体シート40に蓄積記録された
放射線画像情報を読み取る。
The light beam scanning device includes a laser light source 31 to which the semiconductor laser driving device of the present invention for emitting a laser beam L of a predetermined wavelength is applied, a rotating polygon mirror 32 for reflecting and deflecting the emitted laser beam L, It comprises a motor 33 for rotating and driving the rotary polygon mirror 32, an fθ lens 34 for condensing the laser light L, and a reflection optical system 35 for reflecting and converging the condensed laser light L. By the irradiation of the laser light L, the light guide 36 for condensing the photostimulated luminescence light A which emits light with an amount corresponding to the accumulated and recorded radiation image information, and the condensed photostimulated light A is amplified and Image information reading means such as a photomultiplier 37 for conversion reads the radiation image information stored and recorded on the stimulable phosphor sheet 40.

【0026】放射線画像情報の蓄積記録された蓄積性蛍
光体シート40は搬送手段60に載置されて矢印X方向に搬
送され、画像読取部に搬入される。画像読取部において
は、レーザ光源31より出射したレーザ光Lは、モータ33
により高速回転駆動される回転多面鏡32により所定の方
向に偏向され、この変更されたレーザ光Lはfθレンズ
34により集光され、さらに反射光学系35により反射され
て蓄積性蛍光体シート40を照射する。このとき回転多面
鏡32の矢印K方向への回転により、レーザ光Lは蓄積性
蛍光体シート40を矢印Y方向に主走査し、蓄積性蛍光体
シート40は、この主走査と搬送手段60の矢印X方向への
移動(副走査)とが組み合わされて、均一にレーザ光L
を照射される。
The stimulable phosphor sheet 40 on which the radiation image information has been stored is placed on the conveying means 60, conveyed in the direction of the arrow X, and carried into the image reading section. In the image reading unit, the laser light L emitted from the laser light source 31
The laser beam L is deflected in a predetermined direction by a rotary polygon mirror 32 driven at a high speed by the rotation of the fθ lens.
The light is condensed by 34 and further reflected by the reflection optical system 35 to irradiate the stimulable phosphor sheet 40. At this time, due to the rotation of the rotary polygon mirror 32 in the direction of the arrow K, the laser beam L scans the stimulable phosphor sheet 40 in the main direction in the arrow Y direction. The movement (sub-scanning) in the direction of the arrow X is combined with the laser light L uniformly.
Is irradiated.

【0027】レーザ光Lを照射された蓄積性蛍光体シー
ト40の表面からは、蓄積記録された放射線画像情報に応
じた輝尽発光光Aが発光し、この輝尽発光光Aは光ガイ
ド36によって集光されて読み取られ、フォトマルチプラ
イヤ37により増幅されたうえで電気信号S0に光電変換さ
れる。
From the surface of the stimulable phosphor sheet 40 irradiated with the laser light L, stimulated emission light A corresponding to the accumulated and recorded radiation image information is emitted. the read being condensed, is photoelectrically converted into an electric signal S 0 after having been amplified by the photomultiplier 37.

【0028】従って、本発明による半導体レーザ駆動装
置を放射線画像読取装置の励起光光源(レーザ光源)と
して使用することにより、当該装置が完全にダウンして
しまうまでの時間を長くでき、装置に対する信頼性が向
上する。
Therefore, by using the semiconductor laser driving device according to the present invention as an excitation light source (laser light source) of a radiation image reading device, the time until the device is completely down can be extended, and the reliability of the device can be improved. The performance is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態による半導体レーザ駆動装
置の概略図
FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor laser driving device according to an embodiment of the present invention.

【図2】上記実施の形態による半導体レーザ駆動装置の
寿命特性を説明する説明図
FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating a life characteristic of the semiconductor laser driving device according to the embodiment.

【図3】本発明による半導体レーザ駆動装置を用いた励
起光源を備えた光ビーム走査装置の概略構成図
FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a light beam scanning device provided with an excitation light source using a semiconductor laser driving device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 電源 12 半導体レーザ 14 電流制御素子 16 電流検出手段 20 APC制御手段 22 ACC制御手段 24 選択手段 31 レーザ光源 32 回転多面鏡 33 モータ 34 fθレンズ 35 反射光学系 36 光ガイド 37 フォトマルチプライヤ 40 蓄積性蛍光体シート 60 搬送手段 10 Power supply 12 Semiconductor laser 14 Current control element 16 Current detection means 20 APC control means 22 ACC control means 24 Selection means 31 Laser light source 32 Rotating polygon mirror 33 Motor 34 fθ lens 35 Reflective optical system 36 Light guide 37 Photomultiplier 40 Accumulation Phosphor sheet 60 Conveying means

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 APC制御とACC制御の何れか1つの
選択が可能であり、選択された制御方法によって半導体
レーザの発光量を制御する半導体レーザ駆動方法におい
て、 前記半導体レーザに流れる電流の大きさを検出し、 該電流の大きさが所定の基準値以下の場合は前記APC
制御を選択し、 前記基準値に達した場合には前記ACC制御を選択する
ことを特徴とする半導体レーザ駆動方法。
1. A method of driving a semiconductor laser in which the amount of light emitted from a semiconductor laser is controlled by a selected control method, wherein one of APC control and ACC control can be selected. If the magnitude of the current is equal to or less than a predetermined reference value, the APC
A semiconductor laser driving method, wherein control is selected, and when the reference value is reached, the ACC control is selected.
【請求項2】 半導体レーザの発光量をAPC制御する
APC制御手段とACC制御するACC制御手段の何れ
か1つを選択する選択手段と、 前記電流の大きさを検出する電流検出手段とを有してお
り、 前記選択手段が前記電流の大きさが所定の基準値以下の
場合は前記APC制御手段を選択し、前記電流の大きさ
が前記基準値に達した場合には前記ACC制御手段を選
択することを特徴とする半導体レーザ駆動装置。
2. A semiconductor device comprising: APC control means for performing APC control of the light emission amount of the semiconductor laser; and ACC control means for performing ACC control; and current detection means for detecting the magnitude of the current. When the magnitude of the current is equal to or less than a predetermined reference value, the selection means selects the APC control means. When the magnitude of the current reaches the reference value, the ACC control means is activated. A semiconductor laser driving device characterized by selecting.
【請求項3】 放射線画像情報が蓄積記録された蓄積性
蛍光体シートに励起光を照射する励起光照射手段と、 前記蓄積性蛍光体シートに蓄積記録された前記放射線画
像情報に応じて輝尽発光する輝尽発光光を検出して該放
射線画像情報を読み取る読取手段とを有する放射線画像
読取装置において、 前記励起光照射手段が、請求項2記載の半導体レーザ駆
動装置により構成される励起光光源を有することを特徴
とする放射線画像読取装置
3. An excitation light irradiating means for irradiating excitation light to a stimulable phosphor sheet on which radiation image information is accumulated and recorded, and stimulating light according to the radiation image information accumulated and recorded on the stimulable phosphor sheet. 3. A radiation image reading apparatus comprising: reading means for detecting emitted stimulating light and reading the radiation image information, wherein the excitation light irradiating means is constituted by the semiconductor laser driving device according to claim 2. Radiation image reading device characterized by having
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