JPH10172950A - Substrate treatment apparatus - Google Patents

Substrate treatment apparatus

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JPH10172950A
JPH10172950A JP8325331A JP32533196A JPH10172950A JP H10172950 A JPH10172950 A JP H10172950A JP 8325331 A JP8325331 A JP 8325331A JP 32533196 A JP32533196 A JP 32533196A JP H10172950 A JPH10172950 A JP H10172950A
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processing
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純 渡辺
Takeya Morinishi
健也 森西
Akira Izumi
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To separate a treatment liquid excellently. SOLUTION: A splash guard 55 movable upwards and downwards is arranged so as to surround a spin chuck 51 rotatable holding a wafer W. Below the splash guard 55, a treatment cup 54 having a first tank 71 for retrieving a chemical and a second tank 72 for the waste liquid of a treatment liquid is provided. On the internal wall surface of the splash guard 55, first and second guide areas 91 and 92 separated up and down by a transverse protrusion 90 projecting inside are provided. A treatment liquid scattering around from the wafer W hits the first or second guide area 91 or 92, and is received by the first or second tank 71 or 72 below it. By controlling the height of the splash guard 55, it is possible to make the treatment liquid hit the first or second guide area 91 or 92.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用ガラス基板などの被処理基板に対して処理
を施すための基板処理装置に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing processing on a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体装置や液晶表示装置の製造工程に
は、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板のよう
な被処理基板に処理液を供給することにより、被処理基
板の表面やその表面に形成された薄膜に対する処理を施
す工程が含まれる。このような工程を実施するための装
置は、たとえば、実開平５−２０２３１号公報に開示さ
れており、その構成は、本願の図１０に示されている。2. Description of the Related Art In a manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a processing liquid is supplied to a substrate to be processed such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display panel, so that the surface of the substrate to be processed or the surface thereof is formed. A step of performing a process on the formed thin film is included. An apparatus for performing such a process is disclosed, for example, in Japanese Utility Model Laid-Open No. 5-20231, and the configuration is shown in FIG. 10 of the present application.

【０００３】この装置は、基板Ｗを保持した状態で回転
可能なスピンチャック３０と、支軸３を介してスピンチ
ャック３０を高速回転するためのモータ５と、処理され
る基板Ｗを包囲して処理室を形成する容器１０と、基板
Ｗに対して斜め上方または斜め下方から処理液を供給す
るための処理液ノズル８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄとを備え
ている。容器１０の底部には、基板Ｗの処理のために使
用された後の処理液を排出するための排出口１１が形成
されている。The apparatus surrounds a spin chuck 30 rotatable while holding a substrate W, a motor 5 for rotating the spin chuck 30 at a high speed via a spindle 3, and a substrate W to be processed. The apparatus includes a container 10 forming a processing chamber, and processing liquid nozzles 8a, 8b, 8c, 8d for supplying a processing liquid to the substrate W from obliquely above or below. A discharge port 11 for discharging the processing liquid used for processing the substrate W is formed at the bottom of the container 10.

【０００４】容器１０の下方には排出口１１に対向する
リング状の樋溝１７を有するほぼ円盤状の樋部材１５
が、支軸３を包囲する保護筒４に回転自在に取り付けら
れている。樋溝１７の底部の所定の一箇所には、排液流
下口１８が形成されている。また樋部材１５の外周には
リングギア２８が固定されており、このリングギア２８
には、モータ２６の駆動軸に取り付けられた駆動ギア２
７が噛合している。A substantially disk-shaped gutter member 15 having a ring-shaped gutter groove 17 facing the discharge port 11 is provided below the container 10.
Is rotatably attached to a protective cylinder 4 surrounding the support shaft 3. A drain outlet 18 is formed at a predetermined location on the bottom of the gutter groove 17. A ring gear 28 is fixed to the outer periphery of the gutter member 15.
The drive gear 2 attached to the drive shaft of the motor 26
7 are engaged.

【０００５】樋部材１５のさらに下方には、処理液を廃
棄するための廃棄ドレン口２１ａと、処理液を回収する
ための回収ドレン口２１ｂとが設けられている。このよ
うな構成により、モータ２６を駆動することによって、
樋部材１５の排液流下口１８を廃棄ドレン口２１ａまた
は回収ドレン口２１ｂのいずれかの上方に選択的に位置
させることができる。これにより、たとえば、エッチン
グ液や現像液のような薬液を基板に供給する際には、排
液流下口１８を回収ドレン口２１ｂの上方に位置させる
ことによって、薬液を再利用のために回収することがで
きる。これに対して、たとえば、基板Ｗに付いた薬液を
洗い落とすために基板Ｗに純水を噴射するような場合に
は、排液流下口１８を廃棄ドレン口２１ａの上方に位置
させることによって、洗浄処理に用いられた後の水を廃
棄することができる。[0005] Further below the gutter member 15, a waste drain port 21a for discarding the processing liquid and a recovery drain port 21b for recovering the processing liquid are provided. By driving the motor 26 with such a configuration,
The drainage outlet 18 of the gutter member 15 can be selectively positioned above either the waste drain port 21a or the recovery drain port 21b. Thus, for example, when supplying a chemical solution such as an etching solution or a developing solution to the substrate, the drain solution flow port 18 is located above the recovery drain port 21b, thereby collecting the chemical solution for reuse. be able to. On the other hand, for example, in a case where pure water is sprayed on the substrate W in order to wash off the chemical solution attached to the substrate W, the drainage flow outlet 18 is positioned above the waste drain port 21a, thereby cleaning the substrate W. The water used for the treatment can be discarded.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の構成で
は、容器１０から排液口１１を経て円盤状の樋部材１５
の流下口１８に至る経路は、エッチング処理などのため
の薬液と、洗浄処理に使用された後の水とで共通であ
る。すなわち、回収対象の処理液と廃棄対象の処理液と
が共通の経路を通る。そのため、これらの２液の混合を
避けることができず、分離が不完全になる。その結果、
上記共通の経路に付着した薬液の液滴が洗浄処理に使用
された後の純水とともに廃棄されるから、薬液が無駄に
なり、薬液消費量が多いという問題があった。また、薬
液の回収時には、上記共通の経路に付着した水滴が混入
するから、薬液の濃度が低くなり、薬液による基板処理
能力が徐々に低下していくという問題もあった。However, in the above-described structure, the disk-shaped gutter member 15 from the container 10 via the drain port 11 is provided.
The path leading to the flow-down port 18 is common to the chemical solution for the etching process and the like and the water used for the cleaning process. That is, the processing liquid to be collected and the processing liquid to be discarded pass through a common path. Therefore, mixing of these two liquids cannot be avoided, resulting in incomplete separation. as a result,
Since the liquid droplets of the chemical liquid attached to the common path are discarded together with the pure water after being used for the cleaning process, there is a problem that the chemical liquid is wasted and the consumption of the chemical liquid is large. Further, at the time of collecting the chemical solution, there is a problem that the concentration of the chemical solution is reduced because the water droplets attached to the common path are mixed, and the substrate processing ability by the chemical solution is gradually reduced.

【０００７】一方、円盤状の樋部材１５は、ギア駆動機
構によって回転され、この樋部材１５の回転によって薬
液と純水との分離が達成されているから、ギア駆動機構
の摺動部からの発塵が基板処理に悪影響を及ぼすおそれ
があった。そこで、本発明の目的は、上述の技術的課題
を解決し、処理液の分離を良好に行うことができ、しか
も、発塵をも低減できる基板処理装置を提供することで
ある。On the other hand, the disk-shaped gutter member 15 is rotated by a gear driving mechanism, and the rotation of the gutter member 15 achieves separation of the chemical solution and pure water. Dust generation may adversely affect substrate processing. Therefore, an object of the present invention is to solve the above-mentioned technical problem, and to provide a substrate processing apparatus that can satisfactorily separate a processing liquid and reduce dust generation.

【０００８】[0008]

【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の
目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板を保
持した状態で回転する基板保持台と、この基板保持台に
保持された基板の表面に第１の処理液および第２の処理
液を選択的に供給するための処理液供給手段と、上記基
板を取り囲むように設けられ、上記基板保持台の回転軸
に対してほぼ回転対称に形成された内壁面を有し、上記
基板保持台とともに回転される基板から飛散する上記第
１の処理液および第２の処理液を誘導するための誘導部
材と、上記誘導部材の内壁面に形成され、上記基板保持
台とともに回転状態にある基板から飛散する上記第１の
処理液が当たるべき第１誘導エリアと、上記誘導部材の
内壁面において上記第１誘導エリアよりも上方に形成さ
れ、上記基板保持台とともに回転状態にある基板から飛
散する上記第２の処理液が当たるべき第２誘導エリア
と、上記第１誘導エリアと上記第２誘導エリアとの境界
部に形成され、上記基板保持台に向かって内方に突出し
た横向き凸部と、上記誘導部材を、上記基板保持台に対
して相対的に上下動させるための上下駆動手段と、上記
基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の上記
第１誘導エリアによって誘導された上記第１の処理液を
受け入れるとともに、この受け入れられた第１の処理液
を排出するための排出口を有する第１の槽と、上記基板
保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の上記第２
誘導エリアによって誘導された上記第２の処理液を受け
入れるとともに、この受け入れられた第２の処理液を排
出するための排出口を有する第２の槽と、上記第１の処
理液が上記基板保持台に保持された基板に供給される際
には、上記上下駆動手段を制御し、当該基板から飛散す
る第１の処理液が上記第１誘導エリアに当たるように、
上記誘導部材の上記基板保持台に対する相対的な高さを
制御する第１制御手段と、上記第２の処理液が上記基板
保持台に保持された基板に供給される際には、上記上下
駆動手段を制御し、当該基板から飛散する第２の処理液
が上記第２誘導エリアに当たるように、上記誘導部材の
上記基板保持台に対する相対的な高さを制御する第２制
御手段とを含むことを特徴とする基板処理装置である。According to the first aspect of the present invention, there is provided a substrate holding table which rotates while holding a substrate, and wherein the substrate holding table is rotated by the substrate holding table. A processing liquid supply means for selectively supplying a first processing liquid and a second processing liquid to the surface of the substrate; and a processing liquid supply means provided to surround the substrate and substantially rotated about a rotation axis of the substrate holding table. A guide member having a symmetrically formed inner wall surface for guiding the first processing liquid and the second processing liquid scattered from the substrate rotated together with the substrate holding table; and an inner wall surface of the guide member. And a first guide area to which the first processing liquid scattered from the substrate being rotated together with the substrate holding table is to be applied, and an inner wall surface of the guide member formed above the first guide area. , Above substrate holding And a second guide area to which the second processing liquid scattered from the rotating substrate is to be applied, and a boundary between the first guide area and the second guide area. An inwardly protruding lateral projection, up and down driving means for moving the guide member up and down relatively to the substrate holding table, and disposed below the substrate holding table; A first tank having a discharge port for receiving the first processing liquid guided by the first guiding area, and discharging the received first processing liquid; The second member of the guide member,
A second tank having a discharge port for receiving the second processing liquid guided by the guiding area and discharging the received second processing liquid; When supplied to the substrate held on the table, the vertical driving means is controlled so that the first processing liquid scattered from the substrate hits the first guide area.
First control means for controlling the relative height of the guide member with respect to the substrate holding table; and the vertical drive when the second processing liquid is supplied to the substrate held by the substrate holding table. Second control means for controlling means and controlling the relative height of the guide member with respect to the substrate holding table so that the second processing liquid scattered from the substrate hits the second guide area. Is a substrate processing apparatus.

【０００９】この構成によれば、誘導部材の基板保持台
に対する相対的な上下動により、基板の表面から飛散し
た第１の処理液は第１誘導エリアから第１の槽に導か
れ、基板の表面から飛散した第２の処理液は第２誘導エ
リアから第２の槽に導かれる。これにより、第１の処理
液と第２の処理液との分離が達成される。したがって、
第１の処理液と第２の処理液とが共通の経路を通ること
がないから、第１の処理液と第２の処理液とを良好に分
離することができる。しかも、ギア駆動機構などを用い
ていないので、発塵が少なく、したがって、基板の処理
を良好に行うことができる。According to this structure, the first processing liquid scattered from the surface of the substrate is guided from the first guiding area to the first tank by the vertical movement of the guide member relative to the substrate holding table, and the first processing liquid is supplied to the first tank. The second processing liquid scattered from the surface is guided from the second guiding area to the second tank. Thereby, separation of the first processing liquid and the second processing liquid is achieved. Therefore,
Since the first processing liquid and the second processing liquid do not pass through a common path, the first processing liquid and the second processing liquid can be satisfactorily separated. In addition, since no gear driving mechanism is used, the generation of dust is small, and thus the substrate can be satisfactorily processed.

【００１０】また、第１誘導エリアと第２誘導エリアと
の境界部には、基板保持台に向かって内方に突出した横
向き凸部が形成されているから、第１誘導エリアと第２
誘導エリアとの間における処理液の分離も良好である。
請求項２記載の発明は、上記上下駆動手段を制御し、上
記誘導部材の処理液付着部位が上記基板保持台に保持さ
れた基板よりも下方に位置するように、上記誘導部材の
上記基板保持台に対する相対的な高さを制御する第３制
御手段をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の基
板処理装置である。[0010] Further, since a laterally protruding portion projecting inward toward the substrate holding table is formed at the boundary between the first guiding area and the second guiding area, the first guiding area and the second guiding area are formed.
The separation of the processing liquid from the induction area is also good.
The invention according to claim 2 controls the vertical driving means so that the substrate holding portion of the guide member is positioned such that the treatment liquid attachment portion of the guide member is located below the substrate held by the substrate holding table. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising third control means for controlling a height relative to the table.

【００１１】この構成によれば、誘導部材の処理液付着
部位（処理液が付着している可能性のある部位）を基板
保持台に保持された基板よりも下方に位置させることが
できる。そのため、たとえば、基板保持台に基板をセッ
トしたり、基板保持台から基板を取り出したりする際
に、誘導部材に付着した処理液が基板に落下することを
防ぐことができる。[0011] According to this configuration, the processing liquid adhering portion of the guide member (the portion on which the processing liquid may be adhering) can be positioned below the substrate held on the substrate holding table. Therefore, for example, when the substrate is set on the substrate holder or when the substrate is removed from the substrate holder, it is possible to prevent the processing liquid attached to the guide member from dropping onto the substrate.

【００１２】請求項３記載の発明は、上記第１誘導エリ
アの上記横向き凸部の近傍の部位に設けられ、上方に窪
み、下方に開放した下向き凹部をさらに備えていること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板処理
装置である。この構成では、横向き凸部の近傍に設けら
れた下向き凹部は、第１誘導エリアに当たった処理液が
第２誘導エリアに入り込むことを防止する。また、この
下向き凹部の働きにより、第２誘導エリアに当たった処
理液が第１誘導エリアに入り込むことを防止することも
できる。これにより、処理液の分離を一層確実に行うこ
とができる。The invention according to claim 3 is characterized in that the first guide area is further provided with a downwardly concave portion which is provided near the laterally protruding portion and which is recessed upward and opened downward. A substrate processing apparatus according to claim 1 or 2. In this configuration, the downward recess provided near the lateral projection prevents the processing liquid that has hit the first guide area from entering the second guide area. Further, by the function of the downward concave portion, it is possible to prevent the processing liquid that has hit the second guiding area from entering the first guiding area. Thereby, separation of the processing liquid can be performed more reliably.

【００１３】請求項４記載の発明は、上記第２誘導エリ
アに設けられ、上記基板保持台から離反する方向に向か
って窪み、上記基板保持台の方向に開放した横向き凹部
をさらに備えていることを特徴とする請求項１ないし３
のいずれかに記載の基板処理装置である。この構成で
は、第２の誘導エリアに設けられた横向き凹部は、第２
の誘導エリアに当たった処理液が上方に飛び出すことを
防止する。これにより、周囲の汚染を防止でき、かつ、
処理液を確実に第２の槽に導くことができる。The invention according to claim 4 further comprises a lateral recess provided in the second guiding area, recessed in a direction away from the substrate holder, and opened in the direction of the substrate holder. 4. The method according to claim 1, wherein
A substrate processing apparatus according to any one of the above. In this configuration, the lateral recess provided in the second guiding area is the second recess.
To prevent the processing liquid having hit the guide area from jumping upward. This can prevent surrounding contamination, and
The processing liquid can be reliably guided to the second tank.

【００１４】請求項５記載の発明は、上記横向き凹部の
上部において上方に延びて形成された上向き凸部をさら
に備えていることを特徴とする請求項４記載の基板処理
装置である。この構成では、上記横向き凹部の上方に延
びる上向き凸部により、処理液が周囲に飛散することを
確実に防止できる。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the fourth aspect, further comprising an upwardly protruding portion formed to extend upward above the laterally concave portion. In this configuration, the upward projection extending above the lateral depression can reliably prevent the processing liquid from scattering around.

【００１５】請求項６記載の発明は、上記第１の槽およ
び第２の槽は、一方が他方を外方から取り囲むように配
設されており、内側に配置された槽は、受け入れた処理
液を廃液するための廃液槽であり、外方に配置された槽
は、受け入れた処理液を再利用のために回収するための
回収槽であることを特徴とする請求項１ないし５のいず
れかに記載の基板処理装置である。According to a sixth aspect of the present invention, the first tank and the second tank are arranged so that one of them surrounds the other from the outside, and the tank arranged inside is provided with the received treatment. 6. A waste liquid tank for discharging a liquid, wherein the tank disposed outside is a recovery tank for collecting the received processing liquid for reuse. A substrate processing apparatus according to any one of the first to third aspects.

【００１６】この構成では、内側に廃液槽が配置され、
外側に回収槽が配置されているから、回収すべき処理液
が廃液槽に入り込むことはあっても、廃液すべき処理液
が回収槽に入り込むことを確実に防止できる。なぜな
ら、基板保持台から離反する方向に飛び出す処理液は、
それが廃液されるべきものであれば、外側の回収槽に達
する前に、廃液槽に対応している誘導エリアによって廃
液槽に導かれるからである。In this configuration, the waste liquid tank is disposed inside,
Since the recovery tank is disposed outside, the processing liquid to be recovered may enter the waste tank, but the processing liquid to be drained can be reliably prevented from entering the recovery tank. This is because the processing liquid that jumps out of the substrate holding table
If it is to be drained, it is guided to the waste tank by the guidance area corresponding to the waste tank before reaching the outer collection tank.

【００１７】請求項７記載の発明は、上記基板保持台ま
たは上記基板保持台に保持されたダミー基板に向けて洗
浄液を供給するための洗浄液供給手段と、上記洗浄液供
給手段から洗浄液を供給させるとともに、上記基板保持
台を回転させ、これにより、上記基板保持台またはダミ
ー基板から飛散して上記誘導部材に当たる洗浄液によ
り、この誘導部材の洗浄を行うための洗浄制御手段とを
さらに備えていることを特徴とする請求項１ないし６の
いずれかに記載の基板処理装置である。According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to the substrate holding table or the dummy substrate held by the substrate holding table, and a cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply means. Rotating the substrate holder, whereby the cleaning member scatters from the substrate holder or the dummy substrate and hits the guide member, and a cleaning control unit for cleaning the guide member. A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein:

【００１８】この構成により、洗浄のための構成を特別
に設けることなく、誘導部材の洗浄を自動的に行うこと
ができる。これにより、処理液が誘導部材に付着して結
晶化し、これがパーティクルとなることを防止できる。
請求項８記載の発明は、上記誘導部材の上下動を案内す
るために鉛直方向に沿って配置されたガイド軸と、この
ガイド軸を取り囲むように配設され、上記誘導部材の上
下移動に伴って伸縮する蛇腹とをさらに備えていること
を特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の基板
処理装置である。According to this configuration, the guide member can be automatically cleaned without specially providing a configuration for cleaning. Thus, it is possible to prevent the treatment liquid from adhering to the guide member and crystallizing, thereby forming particles.
According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a guide shaft arranged vertically to guide the vertical movement of the guide member, and the guide shaft is arranged so as to surround the guide shaft. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising a bellows that expands and contracts.

【００１９】この構成により、ガイド軸の摺動部におけ
る発塵の基板処理への影響は、蛇腹によって防止でき
る。これにより、発塵を抑制できるから、良好な基板処
理が達成される。さらには、処理液雰囲気とガイド軸と
が蛇腹で隔絶されるから、ガイド軸の腐食を防止でき
る。請求項９記載の発明は、上記ガイド軸は、上記蛇腹
の内部空間と上記蛇腹の外部空間とを連通させるための
連通経路が内部に形成されたものであることを特徴する
請求項８記載の基板処理装置である。According to this configuration, the influence of dust generation on the substrate processing by the sliding portion of the guide shaft can be prevented by the bellows. Thereby, dust generation can be suppressed, so that good substrate processing can be achieved. Further, since the treatment liquid atmosphere and the guide shaft are separated by the bellows, corrosion of the guide shaft can be prevented. According to a ninth aspect of the present invention, in the ninth aspect, the guide shaft has a communication path formed therein for communicating the inner space of the bellows and the outer space of the bellows. It is a substrate processing apparatus.

【００２０】この構成によれば、蛇腹の内部空間は外部
空間と連通しているから、蛇腹が伸縮しても内部空気の
減圧や圧縮が生じない。そのため、蛇腹をスムーズに伸
縮させることができるので、誘導部材の上下動をスムー
ズに行わせることができる。請求項１０記載の発明は、
上記第１の槽および上記第２の槽を上方に向けて付勢す
る付勢手段と、上記誘導部材に対して固定的に設けられ
た誘導部材側当接部と、上記第１の槽および上記第２の
槽に対して固定的に設けられた槽側当接部と、を備え、
上記上下駆動手段は、上記誘導部材を上下動させるもの
であり、上記誘導部材側当接部および上記槽側当接部
は、上記誘導部材を所定位置まで下降させる過程で、両
当接部が当接し、その後は、上記誘導部材の下降に伴っ
て、上記第１および第２の槽も、上記付勢手段の付勢力
に抗して下降するように配設されていることを特徴とす
る請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置で
ある。According to this configuration, since the internal space of the bellows communicates with the external space, no decompression or compression of the internal air occurs even if the bellows expands and contracts. Therefore, the bellows can be smoothly expanded and contracted, so that the guide member can be smoothly moved up and down. The invention according to claim 10 is
An urging means for urging the first tank and the second tank upward, a guide member-side abutting portion fixedly provided to the guide member, A tank-side contact portion fixedly provided to the second tank,
The vertical drive means is for moving the guide member up and down, and the guide member-side contact portion and the tank-side contact portion have both contact portions in a process of lowering the guide member to a predetermined position. Abutting, and thereafter, the first and second tanks are arranged so as to descend against the urging force of the urging means as the guiding member descends. A substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9.

【００２１】この構成によれば、誘導部材を下降させて
いくと、誘導部材側当接部が槽側当接部に当接し、その
後は、誘導部材とともに第１および第２の槽が下降す
る。また、誘導部材を上昇させれば、付勢手段の働きに
より、第１および第２の槽も同時に上昇する。これによ
り、誘導部材を上下動させるための１つの上下駆動機構
によって、誘導部材ならびに第１および第２の槽をそれ
ぞれ異なる態様で昇降させることができる。According to this structure, when the guide member is lowered, the guide member-side contact portion contacts the tank-side contact portion, and thereafter, the first and second tanks are lowered together with the guide member. . Further, if the guide member is raised, the first and second tanks are simultaneously raised by the action of the urging means. Thus, the guide member and the first and second tanks can be raised and lowered in different modes by one vertical drive mechanism for vertically moving the guide member.

【００２２】また、誘導部材のみならず第１および第２
の槽をも昇降させるようにしたことにより、槽と誘導部
材との間隔を短くできるので、槽の高さが低くなり、ま
た、単純な形状の誘導部材によって、処理液を第１の槽
または第２の槽に確実に導くことができる。請求項１１
記載の発明は、上記誘導部材の内壁面は、不連続点の無
い滑らかな曲面から成っていることを特徴とする請求項
１ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置である。In addition to the guide member, the first and second
By also raising and lowering the tank, the distance between the tank and the guide member can be shortened, so that the height of the tank is reduced, and the treatment liquid is supplied to the first tank or the guide tank by a simple guide member. It can be reliably led to the second tank. Claim 11
The described invention is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein an inner wall surface of the guide member is formed of a smooth curved surface having no discontinuity.

【００２３】この構成によれば、誘導部材の内壁面に処
理液が滞留することがなく、したがって、滞留した処理
液が基板表面に飛散したりするおそれがない。これによ
り、基板処理を良好に行える。請求項１２記載の発明
は、上記処理液供給手段は、上記基板保持台に保持され
た基板の下面の回転中心位置に向けて処理液を供給する
ものであることを特徴とする請求項１ないし１１のいず
れかに記載の基板処理装置である。According to this configuration, the processing liquid does not stay on the inner wall surface of the guide member, and therefore, the staying processing liquid does not scatter on the substrate surface. Thereby, substrate processing can be performed favorably. According to a twelfth aspect of the present invention, the processing liquid supply means supplies the processing liquid toward a rotation center position of a lower surface of the substrate held by the substrate holding table. 12. The substrate processing apparatus according to any one of 11.

【００２４】この構成によれば、処理液を基板の下面の
回転中心に向けて供給することができるから、この供給
された処理液は基板の下面を伝い、ほとんど落下するこ
となく、第１または第２誘導エリアに導かれる。したが
って、処理液の回収または廃棄の効率がよい。According to this structure, the processing liquid can be supplied toward the center of rotation of the lower surface of the substrate. Therefore, the supplied processing liquid travels along the lower surface of the substrate and hardly drops. It is led to the second guidance area. Therefore, the efficiency of collection or disposal of the processing liquid is high.

【００２５】[0025]

【発明の実施の形態】以下では、本発明の実施の形態
を、添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、この
発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面
図である。この基板処理装置は、処理対象の基板である
ウエハＷに対して薬液や純水を用いた洗浄処理を施すた
めのものであり、ウエハＷを保持して回転するための基
板保持台であるスピンチャック５１と、スピンチャック
５１に保持されたウエハＷの表面にフッ酸などの薬液や
純水などの処理液を吐出するためのノズル１Ａ，１Ｂ
と、スピンチャック５１に保持された状態のウエハＷの
下面の中央に向けて処理液を吐出するための中心軸ノズ
ル１Ｃ（下面ノズル）と、主としてスピンチャック５１
の洗浄のためにスピンチャック５１に向けて斜め下方か
ら純水を供給するための洗浄用ノズル１Ｄとを有してい
る。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. This substrate processing apparatus is for performing a cleaning process using a chemical solution or pure water on a wafer W which is a substrate to be processed, and is a spin holder serving as a substrate holding table for holding and rotating the wafer W. A chuck 51 and nozzles 1A and 1B for discharging a chemical solution such as hydrofluoric acid or a processing liquid such as pure water onto the surface of the wafer W held by the spin chuck 51.
A central shaft nozzle 1 </ b> C (lower surface nozzle) for discharging the processing liquid toward the center of the lower surface of the wafer W held by the spin chuck 51,
And a cleaning nozzle 1D for supplying pure water obliquely downward to the spin chuck 51 for cleaning.

【００２６】スピンチャック５１は、処理室５３内に収
容されている。処理室５３は、処理カップ５４と、この
処理カップ５４に対して上下動する誘導部材としてのス
プラッシュガード５５とによって形成されている。処理
カップ５４の底面の中央部を挿通するように回転軸５７
が配置されており、この回転軸５７の上端に設けられた
取り付けフランジ５８には、取付け円板６０がボルト５
９によって固定されている。The spin chuck 51 is housed in a processing chamber 53. The processing chamber 53 is formed by a processing cup 54 and a splash guard 55 as a guide member that moves up and down with respect to the processing cup 54. The rotating shaft 57 is inserted through the center of the bottom surface of the processing cup 54.
A mounting disk 60 is attached to a mounting flange 58 provided at an upper end of the rotating shaft 57 by a bolt 5.
9 fixed.

【００２７】取付け円板６０の上面には、ウエハＷの縁
部を保持するための３本のチャックピン６３が、取付け
円板６０の周縁に沿って等間隔で立設されている。ただ
し、図１においては、図面が煩雑になることを避けるた
めに、１本のチャックピン６３のみが示されている。チ
ャックピン６３は、ウエハＷを下方向から保持するため
の水平なウエハ載置面と、ウエハＷの周端面を規制する
ためのウエハ規制用立ち上がり面とを有している。チャ
ックピン６３の基端部には、揺動アーム部６４が形成さ
れている。この揺動アーム部６４の先端は、リンク６５
の一端に回動自在に連結されている。リンク６５の他端
は、スピンチャック５１の中央付近に設けられた操作円
板６６に回動自在に連結されている。この操作円板６６
は、図外のチャック駆動機構によって、回転軸５７まわ
りに所定角度範囲だけ回動されるようになっている。こ
の操作円板６６を回動させると、リンク６５を介して揺
動アーム部６４を揺動させることができ、結果として、
チャックピン６３が鉛直軸まわりに回動する。したがっ
て、チャックピン６３のウエハ規制用立ち上がり面を、
チャックピン６３の回動軸線６８に近接した第１面と、
この第１面よりも回動軸線６８から離間した位置にあ
り、かつ、第１面に対して所定の角度をなす第２面とで
構成しておけば、チャックピン６３の回動によって、ウ
エハＷをチャックしたり、開放したりすることができ
る。On the upper surface of the mounting disk 60, three chuck pins 63 for holding the edge of the wafer W are provided upright at regular intervals along the periphery of the mounting disk 60. However, in FIG. 1, only one chuck pin 63 is shown to avoid complicating the drawing. The chuck pins 63 have a horizontal wafer mounting surface for holding the wafer W from below and a wafer regulating rising surface for regulating the peripheral end surface of the wafer W. A swing arm 64 is formed at the base end of the chuck pin 63. The tip of the swing arm 64 is connected to a link 65.
Is rotatably connected to one end. The other end of the link 65 is rotatably connected to an operation disk 66 provided near the center of the spin chuck 51. This operation disk 66
Is rotated around a rotating shaft 57 within a predetermined angle range by a chuck driving mechanism (not shown). By rotating the operation disk 66, the swing arm 64 can be swung through the link 65, and as a result,
The chuck pin 63 rotates around a vertical axis. Therefore, the wafer regulating rising surface of the chuck pin 63 is
A first surface close to the rotation axis 68 of the chuck pin 63;
If the second surface is located at a position more distant from the rotation axis 68 than the first surface and forms a predetermined angle with respect to the first surface, the rotation of the chuck pin 63 causes the wafer to rotate. W can be chucked or released.

【００２８】回転軸５７の中心には、処理液供給管６１
が挿通しており、この処理液供給管６１の上端に、上述
の中心軸ノズル１Ｃが設けられている。回転軸５７の下
端付近には、駆動源としてのモータ６２などを備えた回
転駆動機構７０が結合されている。この回転駆動機構７
０によってスピンチャック５１を回転させた状態で、ノ
ズル１Ａないし１Ｄから薬液や純水を供給することによ
って、ウエハＷに対する処理を行ったり、スピンチャッ
ク５１の洗浄を行ったりすることができる。これらのノ
ズル１Ａないし１Ｄには、処理液供給部８０から、薬液
や純水が供給されるようになっている。この処理液供給
部８０は、薬液を貯留しておくための薬液タンク、純水
を貯留しておくための純水タンク、および薬液を純水を
選択的に各ノズルに供給するための複数の弁が備えられ
ている。この処理液供給部８０と、上述のノズル１Ａな
いし１Ｄにより、処理液供給手段および洗浄液供給手段
が構成されている。At the center of the rotating shaft 57, a processing liquid supply pipe 61 is provided.
The central axis nozzle 1C is provided at the upper end of the processing liquid supply pipe 61. In the vicinity of the lower end of the rotating shaft 57, a rotation driving mechanism 70 having a motor 62 and the like as a driving source is coupled. This rotation drive mechanism 7
By supplying a chemical solution or pure water from the nozzles 1A to 1D in a state where the spin chuck 51 is rotated by 0, processing on the wafer W or cleaning of the spin chuck 51 can be performed. A chemical liquid or pure water is supplied to the nozzles 1A to 1D from the processing liquid supply unit 80. The treatment liquid supply unit 80 includes a chemical liquid tank for storing a chemical liquid, a pure water tank for storing pure water, and a plurality of chemical liquids for selectively supplying pure water to each nozzle. A valve is provided. The processing liquid supply unit 80 and the above-described nozzles 1A to 1D constitute a processing liquid supply unit and a cleaning liquid supply unit.

【００２９】処理カップ５４は、ほぼ有底円筒形状の容
器であり、底面には、円筒状の仕切板部７３が上方に向
けて突出して形成されている。これにより、仕切板部７
３と処理カップ５４の外壁５４ａとの間には、平面視に
おいてドーナツ形状の第１の槽７１が形成されており、
仕切板部材７３の内側にはほぼ円筒状の第２の槽７２が
形成されている。第１の槽７１は、エッチング液のよう
な薬液を回収するための回収槽であって、その底面に
は、回収配管７５に結合された回収用排液口７１ａが形
成されている。回収配管７５は、回収した薬液を浄化す
るためのフィルタ（図示せず）を介して、処理液供給部
８０に備えられた所定の薬液タンクに結合されている。
また、第２の槽７２は、ウエハＷの洗浄処理後の純水の
ように廃棄すべき処理液を受けるための廃液槽であっ
て、その底面には、廃液配管７６に結合された廃液用排
液口７２ａが形成されている。The processing cup 54 is a substantially cylindrical container having a bottom, and a cylindrical partition plate 73 is formed on the bottom surface thereof so as to protrude upward. Thereby, the partition plate portion 7
3 and the outer wall 54a of the processing cup 54, a donut-shaped first tank 71 is formed in a plan view.
Inside the partition plate member 73, a substantially cylindrical second tank 72 is formed. The first tank 71 is a collecting tank for collecting a chemical solution such as an etching liquid, and has a collecting drainage port 71 a connected to a collecting pipe 75 on the bottom surface thereof. The collection pipe 75 is connected to a predetermined chemical tank provided in the processing liquid supply unit 80 via a filter (not shown) for purifying the collected chemical.
The second tank 72 is a waste liquid tank for receiving a processing liquid to be discarded, such as pure water after the cleaning processing of the wafer W, and has a bottom for a waste liquid coupled to a waste liquid pipe 76. A drain port 72a is formed.

【００３０】一方、スプラッシュガード５５は、回転軸
５７の中心を通る軸線に対してほぼ回転対称な形状を有
している。そして、処理カップ５４を包囲する円筒状の
支持部材７８に取り付けられている。この円筒状の支持
部材７８は、後述する上下駆動機構８１によって上下移
動されるようになっており、これにより、スプラッシュ
ガード５５は、スピンチャック５１に対して上下動でき
るようになっている。On the other hand, the splash guard 55 has a substantially rotationally symmetric shape with respect to an axis passing through the center of the rotating shaft 57. Then, it is attached to a cylindrical support member 78 surrounding the processing cup 54. The cylindrical support member 78 is moved up and down by an up-down drive mechanism 81 described later, so that the splash guard 55 can move up and down with respect to the spin chuck 51.

【００３１】スプラッシュガード５５は、回転軸５７に
対して回転対称な形状を有する内壁面５５ａを有してい
る。この内壁面５５ａにおいて、その下端から上方に所
定距離だけ離間した位置には、スピンチャック５１に向
かって内方に突出した横向き凸部９０が形成されてい
る。この横向き凸部９０は、スプラッシュガード５５の
内壁面５５ａの領域を、下方側の第１誘導エリア９１
と、上方側の第２誘導エリア９２とに二分している。換
言すれば、横向き凸部９０は、第１誘導エリア９１と第
２誘導エリア９２との境界部に形成されている。第１誘
導エリア９１は、回収すべき薬液を第１の槽７１に誘導
するための領域である。また、第２誘導エリア９２は、
廃棄すべき処理液を第２の槽７２に誘導するための領域
である。The splash guard 55 has an inner wall surface 55a having a rotationally symmetric shape with respect to the rotation shaft 57. On the inner wall surface 55a, a laterally protruding portion 90 projecting inward toward the spin chuck 51 is formed at a position separated from the lower end by a predetermined distance upward. The laterally protruding portion 90 divides the area of the inner wall surface 55 a of the splash guard 55 into a first guiding area 91 on the lower side.
And a second guiding area 92 on the upper side. In other words, the horizontal protrusion 90 is formed at the boundary between the first guide area 91 and the second guide area 92. The first guiding area 91 is an area for guiding the chemical to be collected to the first tank 71. In addition, the second guidance area 92
This is an area for guiding the processing liquid to be discarded to the second tank 72.

【００３２】横向き凸部９０の先端部（スピンチャック
５１に最も近接した部位）には、下方に垂れ下がった舌
部９０ａが形成されている。これにより、第１誘導エリ
ア９１には、結果として、上方に窪み、かつ、下方に開
放した下向き凹部９３が形成されている。この下向き凹
部９３の天面９３ａは、上方に向かうほど径が小さくな
るように形成された傾斜面とされている。この天面９３
ａの下方側には、垂直な円筒面９３ｂが連なっている。A tongue portion 90a that hangs downward is formed at the tip of the lateral projection 90 (the portion closest to the spin chuck 51). As a result, in the first guidance area 91, as a result, a downward recess 93 that is depressed upward and opened downward is formed. The top surface 93a of the downward concave portion 93 is an inclined surface formed such that the diameter decreases as going upward. This top surface 93
A vertical cylindrical surface 93b is continued below a.

【００３３】一方、第２誘導エリア９２の上方側の部位
には、上方に向かうほど径が小さくなるように形成され
た傾斜面からなる天面９５ａが形成されており、この天
面９５ａの下方側には、鉛直な円筒面９５ｂが連なって
いる。したがって、天面９５ａ、円筒面９５ｂ、および
横向き凸部９０の上面とによって、スピンチャック５１
から離反する方向に向かって窪み、かつ、スピンチャッ
ク５１の方向に開放した横向き凹部９５が形成されてい
る。On the other hand, a top surface 95a is formed in an upper portion of the second guiding area 92, and is formed of an inclined surface whose diameter decreases as going upward. On the side, a vertical cylindrical surface 95b continues. Therefore, the spin chuck 51 is formed by the top surface 95 a, the cylindrical surface 95 b, and the upper surface of the lateral projection 90.
A lateral recess 95 is formed which is depressed in a direction away from the spin chuck 51 and is opened in the direction of the spin chuck 51.

【００３４】横向き凹部９５の天面９５ａの上端側から
連なるように、さらに上方に延びて、鉛直な円筒内壁面
を有する上向き凸部９６が形成されている。この基板処
理装置においては、スピンチャック５１の上下方向位置
は一定に保持される一方で、スプラッシュガード５５お
よび処理カップ５４が、必要に応じて昇降されるように
なっている。具体的には、スプラッシュガード５５は、
スピンチャック５１によって保持されて回転状態にある
ウエハＷから周囲に飛び出す処理液が第１誘導エリア９
１に当たる第１高さ（Ｈ１）と、同じくスピンチャック
５１に保持されて回転状態にあるウエハＷから周囲に飛
び出す処理液が第２誘導エリア９２に当たる第２の高さ
（Ｈ２）と、スプラッシュガード５５の上端５５ｂがス
ピンチャック５１におけるウエハ保持高さ（ＨＷ）より
も下に位置する第３の高さ（Ｈ３）との、３つの高さに
選択的に制御される。また、処理カップ５４は、スピン
チャック５１におけるウエハ保持高さ（ＨＷ）とほぼ同
じ高さに上端５４ａが位置する処理高さ（ＨＰ）と、ス
プラッシュガード５５が上記第３の高さ（Ｈ３）に位置
するときに、このスプラッシュガード５５との干渉を避
けることができる退避高さ（ＨＲ）とに選択的に制御さ
れる。An upward convex portion 96 having a vertical cylindrical inner wall surface is formed so as to extend further upward so as to continue from the upper end side of the top surface 95a of the lateral concave portion 95. In this substrate processing apparatus, the vertical position of the spin chuck 51 is kept constant, while the splash guard 55 and the processing cup 54 are raised and lowered as necessary. Specifically, the splash guard 55
The processing liquid that is held by the spin chuck 51 and jumps out from the rotating wafer W to the periphery is supplied to the first guiding area 9.
1; a second height (H2) at which the processing liquid, which is also held by the spin chuck 51 and jumps out of the rotating wafer W to the periphery, hits a second guiding area 92; and a splash guard. The upper end 55b of 55 is selectively controlled to three heights: a third height (H3) located below the wafer holding height (HW) of the spin chuck 51. The processing cup 54 has a processing height (HP) at which the upper end 54a is located at substantially the same height as the wafer holding height (HW) of the spin chuck 51, and the splash guard 55 has the third height (H3). , Is selectively controlled to a retreat height (HR) at which interference with the splash guard 55 can be avoided.

【００３５】処理カップ５４の側壁５４ｂは、スプラッ
シュガード５５の側壁と支持部材７８との間に入り込ん
でいる。この処理カップ５４の上端５４ａの上方には、
スプラッシュガード５５の上向き凸部９６付近から外方
向に張り出して形成された取り付けフランジ５５ｃが位
置しており、この取り付けフランジ５５ｃに螺合するボ
ルト７９によって、支持部材７８の取り付けが達成され
ている。The side wall 54b of the processing cup 54 enters between the side wall of the splash guard 55 and the support member 78. Above the upper end 54a of the processing cup 54,
A mounting flange 55c formed to protrude outward from the vicinity of the upward convex portion 96 of the splash guard 55 is located, and the mounting of the support member 78 is achieved by a bolt 79 screwed to the mounting flange 55c.

【００３６】図２は、スプラッシュガード５５および処
理カップ５４を昇降するための構成を説明するための断
面図である。スプラッシュガード５５を支持する円筒状
の支持部材７８の下端は、水平に配置された板状のスプ
ラッシュガードベース１００に固定されている。このス
プラッシュガードベース１００の下面には、鉛直方向に
沿って平行に配置された一対の蛇腹（ベローズ）１０
１，１０２の上側フランジ１０１ａ，１０２ａが固定さ
れている。これらの一対の蛇腹１０１，１０２の下側フ
ランジ１０１ｂ，１０２ｂは、基板処理装置のベース１
２０に水平に取り付けられたスピンベース１２３に固定
されている。そして、蛇腹１０１，１０２の内部には、
スプラッシュガードシャフト（ガイド軸）１０３，１０
４がそれぞれ挿通しており、これらは、スピンベース１
２３に固定されたボールブッシュ１０５，１０６をスラ
イド自在に挿通している。スプラッシュガードシャフト
１０３，１０４の上端は、蛇腹１０１，１０２の上側フ
ランジ１０１ａ，１０２ａに固定されており、それらの
下端は、ボルト１０７，１０８によって、上側可動プレ
ート１２５に固定されている。FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a structure for moving the splash guard 55 and the processing cup 54 up and down. The lower end of the cylindrical support member 78 that supports the splash guard 55 is fixed to a plate-like splash guard base 100 that is disposed horizontally. On the lower surface of the splash guard base 100, a pair of bellows (bellows) 10 arranged in parallel along the vertical direction.
The upper flanges 101a and 102a of the first and second 102 are fixed. The lower flanges 101b and 102b of the pair of bellows 101 and 102 are connected to the base 1 of the substrate processing apparatus.
20 is fixed to a spin base 123 mounted horizontally. And inside the bellows 101 and 102,
Splash guard shaft (guide shaft) 103, 10
4 are inserted, and these are spin bases 1
The ball bushes 105 and 106 fixed to 23 are slidably inserted. The upper ends of the splash guard shafts 103, 104 are fixed to the upper flanges 101a, 102a of the bellows 101, 102, and the lower ends thereof are fixed to the upper movable plate 125 by bolts 107, 108.

【００３７】上側可動プレート１２５において、一対の
シャフト１０３，１０４の間の部位には、ボールナット
１３６が固定されている。このボールナット１３６に
は、鉛直方向に沿うねじ軸１３７が螺合している。この
ねじ軸１３７の上端および下端付近は、それぞれ軸受け
１３８，１３９によって支持されており、さらにその下
端には、モータ１４０からの駆動力がベルト１４１を介
して伝達されるプーリー１４２が固定されている。した
がって、モータ１４０を回転させることにより、上側可
動プレート１２５を上下動させることができ、スプラッ
シュガード５５を上下動させることができる。こうし
て、支持部材７８、スプラッシュガードシャフト１０
３、ねじ軸１３７、ボールナット１３６、およびモータ
１４０などにより、上下駆動機構８１が構成されてい
る。In the upper movable plate 125, a ball nut 136 is fixed between the pair of shafts 103 and 104. The ball nut 136 is screwed with a screw shaft 137 extending in the vertical direction. The upper and lower ends of the screw shaft 137 are supported by bearings 138 and 139, respectively, and a pulley 142 to which a driving force from a motor 140 is transmitted via a belt 141 is fixed to the lower end. . Therefore, by rotating the motor 140, the upper movable plate 125 can be moved up and down, and the splash guard 55 can be moved up and down. Thus, the support member 78, the splash guard shaft 10
The vertical drive mechanism 81 includes the screw shaft 137, the ball nut 136, the motor 140, and the like.

【００３８】スプラッシュガード５５の高さを上記の第
１、第２および第３の高さ（Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３）に選択
的に制御するために、上側可動プレート１２５の可動範
囲には、上下方向に間隔を開けて、上下可動プレート１
２５の位置を検出するためのフォトマイクロセンサセン
サ１５１，１５２，１５３が配置されている。一方、処
理カップ５４はカップベース１６０に固定されている。
このカップベース１６０の下面には、鉛直方向に沿って
配置された一対の蛇腹（ベローズ）１６１，１６２の上
側フランジ１６１ａ，１６２ａが固定されている。これ
らの蛇腹１６１，１６２の下側フランジ１６１ｂ，１６
２ｂは、スピンベース１２３の上面に固定されている。
スピンベース１２３の下面において蛇腹１６１，１６２
に対応する位置には、それぞれボールブッシュ１６３，
１６４が固定されており、このボールブッシュ１６３，
１６４、スピンベース１２３および蛇腹１６１，１６２
を挿通するように、一対の処理カップシャフト（ガイド
軸）１６５，１６６が鉛直方向に沿って配置されてい
る。この一対の処理カップシャフト１６５，１６６の各
上端は、フランジ１６１，１６２の上側フランジ１６１
ａ，１６２ａにそれぞれ固定されており、また、これら
の処理カップシャフト１６５，１６６の各下端は、下側
可動プレート１６７に固定されている。In order to selectively control the height of the splash guard 55 to the first, second, and third heights (H1, H2, H3), the movable range of the upper movable plate 125 is The vertical movable plate 1
Photomicrosensor sensors 151, 152, and 153 for detecting the positions of 25 are arranged. On the other hand, the processing cup 54 is fixed to the cup base 160.
On the lower surface of the cup base 160, upper flanges 161a, 162a of a pair of bellows (bellows) 161, 162 arranged along the vertical direction are fixed. The lower flanges 161b, 161 of these bellows 161, 162
2b is fixed to the upper surface of the spin base 123.
Bellows 161 and 162 on the lower surface of the spin base 123
The positions corresponding to the ball bush 163,
164 is fixed, and this ball bush 163,
164, spin base 123 and bellows 161, 162
, A pair of processing cup shafts (guide shafts) 165 and 166 are arranged along the vertical direction. The upper ends of the pair of processing cup shafts 165 and 166 are connected to upper flanges 161 of the flanges 161 and 162, respectively.
a, 162a, and the lower ends of the processing cup shafts 165, 166 are fixed to the lower movable plate 167.

【００３９】蛇腹１６１，１６２の内部空間において
は、上側フランジ１６１ａ，１６２ａと下側フランジ１
６１ｂ，１６２ｂとの間には、圧縮コイルばね１５８，
１５９が処理カップシャフト１６５，１６６に巻装され
て装着されている。スピンベース１２３の下面には、一
対のボス１２６，１２７が突設されており、この一対の
ボス１２６，１２７の下方には、それぞれ、シャフト１
２８，１２９が固定されている。これらのシャフト１２
８，１２９は、下側可動プレート１６７をスライド自在
に挿通しており、この下側可動プレート１６７よりも上
方側の部位には、ナット１３０，１３１が螺合してい
る。一方、シャフト１２８，１２９において上側可動プ
レート１２５よりも下方側の部位には、圧縮コイルばね
１３２，１３３が巻装されており、また、各シャフト１
２８，１２９の下端には、圧縮コイルばね１３２，１３
３の脱落を防ぐためのナット１３４，１３５などが取り
付けられている。In the interior space of the bellows 161, 162, the upper flanges 161a, 162a and the lower flange 1
61b, 162b, between the compression coil spring 158,
159 is wound around and mounted on the processing cup shafts 165 and 166. A pair of bosses 126 and 127 protrude from the lower surface of the spin base 123, and a shaft 1 is provided below the pair of bosses 126 and 127, respectively.
28 and 129 are fixed. These shafts 12
8 and 129 slidably penetrate the lower movable plate 167, and nuts 130 and 131 are screwed into portions above the lower movable plate 167. On the other hand, compression coil springs 132 and 133 are wound around portions of the shafts 128 and 129 below the upper movable plate 125.
Compression coil springs 132, 13
The nuts 134, 135, etc., for preventing the 3 from falling off are attached.

【００４０】このように、下側可動プレート１６７は、
圧縮コイルばね１５８，１５９，１３２，１３３によっ
て、上方に向けて弾発的に付勢されており、かつ、その
上方への変位は、ナット１３０，１３１によって規制さ
れている。上側可動プレート１２５には、一対の当接ピ
ン（誘導部材側当接部）１６８，１６９が下方に向けて
突設されている。これらの当接ピン１６８，１６９の頭
部（下方側端部）は、モータ１４０を駆動することによ
って上側可動プレート１２５を下方に向けて変位させる
と、その変位の過程で下側可動プレート１６７の当接部
（槽側当接部）１６７Ａ，１６７Ｂに当接する。したが
って、その後、さらにモータ１４０を駆動して上側可動
プレート１２５を下降させることにより、圧縮コイルば
ね１５８，１５９，１３２，１３３のばね力に抗して下
側可動プレート１６７を下方に変位させることができ
る。つまり、当接ピン１６８が下側可動プレート１６７
に当接した後には、スプラッシュガード５５および処理
カップ５４を共に下降させていくことができる。As described above, the lower movable plate 167 is
The compression coil springs 158, 159, 132, 133 are elastically urged upward, and their upward displacement is regulated by nuts 130, 131. The upper movable plate 125 is provided with a pair of contact pins (guide member side contact portions) 168 and 169 projecting downward. When the upper movable plate 125 is displaced downward by driving the motor 140, the heads (lower end portions) of these contact pins 168 and 169 become displaced in the process of displacing the lower movable plate 167. It contacts the contact portions (tank-side contact portions) 167A and 167B. Therefore, after that, by further driving the motor 140 to lower the upper movable plate 125, the lower movable plate 167 can be displaced downward against the spring force of the compression coil springs 158, 159, 132, 133. it can. That is, the contact pin 168 is connected to the lower movable plate 167.
, The splash guard 55 and the processing cup 54 can be lowered together.

【００４１】処理カップ５４の高さを上記の処理高さ
（ＨＰ）および退避高さ（ＨＲ）に選択的に制御するた
めに、下側可動プレート１６７の可動範囲には、上下方
向に間隔を開けて、この下側可動プレート１６７の位置
を検出するためのフォトマイクロセンサ１５５，１５６
が配置されている。図３は、処理カップ５４およびスプ
ラッシュガード５５のスムーズな上下動を達成するため
の構成を示す断面図である。この図３には、蛇腹１０１
に関連する構成が示されているが、蛇腹１０２，１６
１，１６２に関しても同様な構成が採用されている。In order to selectively control the height of the processing cup 54 to the processing height (HP) and the retreat height (HR), the movable range of the lower movable plate 167 has an interval in the vertical direction. Open, photomicrosensors 155 and 156 for detecting the position of lower movable plate 167
Is arranged. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration for achieving a smooth vertical movement of the processing cup 54 and the splash guard 55. FIG. 3 shows the bellows 101
Is shown, the bellows 102, 16
A similar configuration is adopted for 1,162.

【００４２】蛇腹１０１の内部に挿通されているスプラ
ッシュガードシャフト１０３は、内部に空気流通路１９
０が形成された中空構造のものとなっている。そして、
スプラッシュガードシャフト１０３において、蛇腹１０
１の上側フランジ１０１ａの近傍の部位には、空気流通
路１９０と蛇腹１０１の内部空間１９５とを連通させる
ための連通路１９１が形成されている。また、蛇腹１０
１の外部に延び出ているスプラッシュガードシャフト１
０３の下端付近には、空気流通路１９０と外部空間とを
連通させるための連通路１９２が形成されている。The splash guard shaft 103 inserted inside the bellows 101 is provided inside the airflow passage 19.
0 is formed in a hollow structure. And
In the splash guard shaft 103, the bellows 10
A communication passage 191 for communicating the air flow passage 190 with the internal space 195 of the bellows 101 is formed in a portion near the upper flange 101a. In addition, bellows 10
Splash guard shaft 1 extending to the outside of 1
A communication passage 192 for communicating the air flow passage 190 with the external space is formed near the lower end of the valve 03.

【００４３】これにより、蛇腹１０１が伸長するときに
は、蛇腹１０１の外部の空気が、連通路１９２、空気流
通路１９０および連通路１９１を通って、蛇腹１０１の
内部空間１９５に導かれる。また、蛇腹１０１が収縮す
るときには、蛇腹１０１の内部空間１９５内の空気が、
連通路１９１、空気流通路１９０および連通路１９２を
通って外部空間に導かれる。このように、蛇腹１０１と
外部空間とを連通させる連通経路を設けていることによ
り、蛇腹１０１が伸縮する際に、蛇腹１０１の内部空気
の減圧や圧縮が生じない。Thus, when the bellows 101 extends, the air outside the bellows 101 is guided to the internal space 195 of the bellows 101 through the communication passage 192, the air flow passage 190, and the communication passage 191. When the bellows 101 contracts, the air in the internal space 195 of the bellows 101 becomes
The air is guided to the external space through the communication passage 191, the air flow passage 190, and the communication passage 192. As described above, by providing the communication path that allows the bellows 101 to communicate with the external space, when the bellows 101 expands and contracts, decompression and compression of the air inside the bellows 101 do not occur.

【００４４】このように、蛇腹１０１，１０２，１６
１，１６２の伸縮がスムーズになされるから、スプラッ
シュガード５５および処理カップ５４のスムーズな上下
動が達成される。図４、図５および図６は、処理工程の
各段階におけるスプラッシュガード５５および処理カッ
プ５４などの位置関係を示す図解図である。図４は、薬
液洗浄時の位置関係を示し、図５は、純水リンス時の位
置関係を示し、図６は、ウエハ搬入／搬出時の位置関係
を示す。As described above, the bellows 101, 102, 16
Since the expansion and contraction of 1,162 is performed smoothly, the up-and-down movement of the splash guard 55 and the processing cup 54 is achieved smoothly. 4, 5, and 6 are illustrative views showing the positional relationship of the splash guard 55, the processing cup 54, and the like at each stage of the processing process. FIG. 4 shows a positional relationship at the time of chemical cleaning, FIG. 5 shows a positional relationship at the time of pure water rinsing, and FIG. 6 shows a positional relationship at the time of loading / unloading the wafer.

【００４５】まず、処理の概要について説明する。はじ
めに、１枚のウエハＷが図示しない搬送ロボットによっ
て搬入され、このウエハＷがスピンチャック５１に水平
に保持される。その後、スピンチャック５１が回転さ
れ、これによりウエハＷがその中心を通る鉛直軸まわり
に高速回転される。この高速回転されているウエハＷの
上面および／または下面に向けて、処理液吐出ノズル１
Ａや中心軸ノズル１Ｃから薬液が吐出され、エッチング
液などを用いた薬液洗浄処理が行われる。その後、ウエ
ハＷの上下面の洗浄のために、たとえば、ノズル１Ｂお
よび１Ｃから純水が吐出され、薬液が洗い流される（純
水リンス処理）。そして、純水の吐出を停止し、ウエハ
Ｗの上下面の水分を振り切った後に、スピンチャック５
１の回転が停止され、ウエハＷが搬送ロボットによって
装置外に搬出される。First, an outline of the processing will be described. First, one wafer W is loaded by a transfer robot (not shown), and the wafer W is horizontally held by the spin chuck 51. Thereafter, the spin chuck 51 is rotated, whereby the wafer W is rotated at high speed around a vertical axis passing through the center thereof. The processing liquid discharge nozzle 1 is directed toward the upper surface and / or lower surface of the high-speed rotating wafer W.
The chemical solution is discharged from A and the central shaft nozzle 1C, and a chemical solution cleaning process using an etching solution or the like is performed. Thereafter, for cleaning the upper and lower surfaces of the wafer W, for example, pure water is discharged from the nozzles 1B and 1C, and the chemical solution is washed away (pure water rinsing process). Then, the discharge of the pure water is stopped, and the water on the upper and lower surfaces of the wafer W is shaken off.
1 is stopped, and the wafer W is carried out of the apparatus by the transfer robot.

【００４６】薬液洗浄処理時には、図４に示すように、
処理カップ５４は処理高さＨＰにあり、スプラッシュガ
ード５５は、第１の高さＨ１にある。このとき、下側可
動プレート１６７はナット１３０，１３１に当接してい
て、上方への変位が規制された状態にある。また、当接
ピン１６８，１６９は、下側可動プレート１６７から離
間している。そして、上側可動プレート１２５は、フォ
トマイクロセンサ１５１によって検出されており、下側
可動プレート１６７は、フォトマイクロセンサ１５５に
よって検出されている。During the chemical cleaning process, as shown in FIG.
The processing cup 54 is at a processing height HP, and the splash guard 55 is at a first height H1. At this time, the lower movable plate 167 is in contact with the nuts 130 and 131, and is in a state where upward displacement is restricted. Further, the contact pins 168 and 169 are separated from the lower movable plate 167. The upper movable plate 125 is detected by the photo micro sensor 151, and the lower movable plate 167 is detected by the photo micro sensor 155.

【００４７】この状態では、上述のように、第１誘導エ
リア９１がウエハＷの高さに導かれている。ノズル１
Ａ，１ＣからウエハＷに供給された薬液は、ウエハＷの
上面および／または下面を伝い、遠心力によって、その
周囲に飛び出す。この薬液は、第１誘導エリア９１に当
たり、第１の槽７１に導かれる。このとき横向き凸部９
０は、薬液が第２誘導エリア９２に流出することを防止
する。とくに、この実施形態においては、舌部９０ａが
横向き凸部９０の先端に形成されていて、第１誘導エリ
ア９１の上部に下向き凹部９３が形成されているから、
第１誘導エリア９１に当たった薬液が第２誘導エリア９
２に流出するおそれはない。In this state, the first guiding area 91 is guided to the height of the wafer W as described above. Nozzle 1
The chemical solution supplied to the wafer W from A and 1C travels along the upper surface and / or lower surface of the wafer W, and jumps out around the wafer W by centrifugal force. This chemical solution hits the first guiding area 91 and is led to the first tank 71. At this time, the horizontal projection 9
0 prevents the chemical solution from flowing out to the second guiding area 92. In particular, in this embodiment, the tongue 90a is formed at the tip of the lateral projection 90, and the downward recess 93 is formed above the first guidance area 91.
The chemical liquid that has hit the first guiding area 91 is in the second guiding area 9.
There is no danger of spilling into 2.

【００４８】一方、純水リンス処理時には、図５に示す
ように、処理カップ５４は、薬液洗浄処理時と同様に処
理高さＨＰにあり、スプラッシュガード５５は、第１の
高さＨ１よりも低い第２の高さＨ２に導かれている。こ
の状態では、スピンチャック５１に保持されたウエハＷ
の上面および／または下面を伝って周囲に飛散する処理
液（この場合には純水）は、第２誘導エリア９２に当た
り、この第２誘導エリア９２によって第２の槽７２に導
かれる。また、上側可動プレート１２５は、フォトマイ
クロセンサ１５２によって検出されており、下側可動プ
レート１６７はフォトマイクロセンサ１５５によって検
出されている。On the other hand, during the pure water rinsing process, as shown in FIG. 5, the processing cup 54 is at the processing height HP as in the case of the chemical liquid cleaning process, and the splash guard 55 is higher than the first height H1. It is led to a low second height H2. In this state, the wafer W held by the spin chuck 51 is
The processing liquid (pure water in this case) that scatters around along the upper surface and / or lower surface of the storage device strikes the second guiding area 92, and is guided to the second tank 72 by the second guiding area 92. The upper movable plate 125 is detected by the photo micro sensor 152, and the lower movable plate 167 is detected by the photo micro sensor 155.

【００４９】図５の状態では、上側可動プレート１２５
と下側可動プレート１６７とが近接しており、当接ピン
１６８，１６９は、下側可動プレート１６７の上面に当
接している。また、第１の槽７１と第２の槽７２とを仕
切る仕切部材７３の先端は、第１誘導エリア９１に形成
された下向き凹部９３に入りんでいる。そのため、第２
誘導エリア９２に当たった処理液（洗浄処理に用いられ
た後の純水）が、第１の槽７１に導かれることはない。
このとき、第２誘導エリア９１に形成された横向き凹部
９０は、第２誘導エリア９２に当たった処理液が装置外
部に飛び出すことを防止する。また、横向き凸部９０の
先端に下向きに形成された舌部９０ａは、第２誘導エリ
ア９２からの処理液を、その下方の第２の槽７２にスム
ーズに導く。さらに、第２誘導エリア９２の上方に形成
された上向き凸部９６は、ウエハＷから飛散する処理液
のしぶきが装置外部に飛び出すことを防止する。この点
については、スプラッシュガード５５が第１の高さＨ１
にある場合も同様である。In the state of FIG. 5, the upper movable plate 125
And the lower movable plate 167 are close to each other, and the contact pins 168 and 169 are in contact with the upper surface of the lower movable plate 167. Further, the tip of a partition member 73 that separates the first tank 71 and the second tank 72 enters a downward recess 93 formed in the first guiding area 91. Therefore, the second
The processing liquid (pure water used for the cleaning processing) that has hit the induction area 92 is not guided to the first tank 71.
At this time, the lateral recess 90 formed in the second guiding area 91 prevents the processing liquid that has hit the second guiding area 92 from jumping out of the apparatus. Further, the tongue 90 a formed downward at the tip of the lateral projection 90 smoothly guides the processing liquid from the second guide area 92 to the second tank 72 below. Further, the upward projection 96 formed above the second guiding area 92 prevents splashes of the processing liquid scattered from the wafer W from jumping out of the apparatus. In this regard, the splash guard 55 has a first height H1.
The same applies to the case where

【００５０】ウエハＷをこの基板処理装置に搬入する
際、およびウエハＷをこの基板処理装置から搬出する際
には、図６に示すように、スプラッシュガード５５は、
第２の高さＨ２よりもさらに低い第３の高さＨ３に導か
れる。スプラッシュガード５５が第２の高さＨ２にある
ときに、当接ピン１６８，１６９が下側可動プレート１
６７に当接しているので、スプラッシュガード５５が第
２の高さＨ２から第３の高さＨ３に導かれるときには、
同時に下側可動プレート１６７も下降し、処理カップ５
４が退避高さＨＲに導かれる。When the wafer W is loaded into the substrate processing apparatus and when the wafer W is unloaded from the substrate processing apparatus, as shown in FIG.
It is led to a third height H3 that is even lower than the second height H2. When the splash guard 55 is at the second height H2, the contact pins 168 and 169 are
67, the splash guard 55 is guided from the second height H2 to the third height H3.
At the same time, the lower movable plate 167 also descends, and the processing cup 5
4 is guided to the retreat height HR.

【００５１】スプラッシュガード５５を第３の高さＨ３
から上昇させるときには、圧縮コイルばね１５８，１５
９，１３２，１３３の働きによって、処理カップ５４も
同時に上昇する。こうして、１つの上下駆動機構８１に
より、スプラッシュガード５５と処理カップ５４との２
つの部材を、それぞれ、異なる態様で動作させることが
できる。しかも、処理カップ５４が上下動することによ
って、スプラッシュガード５５を下降させたときに、こ
のスプラッシュガード５５と処理カップ５４との干渉を
避けることができる。そのため、処理カップ５４の高さ
を低くすることができ、装置を小型化できるという利点
がある。これにより、スプラッシュガード５５の形状を
単純にできるという効果も得られる。The splash guard 55 is moved to the third height H3.
, The compression coil springs 158, 15
9, 132, 133, the processing cup 54 is simultaneously raised. In this way, the two upper and lower drive mechanisms 81 are used to connect the splash guard 55 and the processing cup 54 to each other.
Each of the two members can be operated in a different manner. In addition, when the splash guard 55 is lowered by moving the processing cup 54 up and down, interference between the splash guard 55 and the processing cup 54 can be avoided. Therefore, there is an advantage that the height of the processing cup 54 can be reduced and the apparatus can be downsized. Thereby, the effect that the shape of the splash guard 55 can be simplified can be obtained.

【００５２】なお、図６の状態では、上側可動プレート
１２５は、フォトマイクロセンサ１５３によって検出さ
れており、下側可動プレート１６７は、フォトマイクロ
センサ１５６によって検出されている。スプラッシュガ
ード５５が第３の高さＨ３に位置しているとき、このス
プラッシュガード５５の上端は、スピンチャック５１に
よるウエハ保持高さＨＷよりも低い位置にある。この状
態で、図示しない搬送ロボットとスピンチャック５１と
の間でウエハＷの受け渡しが行われる。その際、スプラ
ッシュガード５５の処理液付着部位（すなわち、内壁
面）は、ウエハＷよりも下方にあるので、ウエハＷの受
け渡しをする際に、スプラッシュガード５５からの処理
液がウエハＷに落下するおそれはない。In the state shown in FIG. 6, the upper movable plate 125 is detected by the photo micro sensor 153, and the lower movable plate 167 is detected by the photo micro sensor 156. When the splash guard 55 is located at the third height H3, the upper end of the splash guard 55 is at a position lower than the wafer holding height HW of the spin chuck 51. In this state, the transfer of the wafer W is performed between the transfer robot (not shown) and the spin chuck 51. At this time, since the processing liquid adhering portion (that is, the inner wall surface) of the splash guard 55 is below the wafer W, the processing liquid from the splash guard 55 drops onto the wafer W when the wafer W is transferred. There is no fear.

【００５３】図７は、上記の基板処理装置の要部の電気
的構成を示すブロック図であり、スピンチャック５１を
回転駆動するための回転駆動機構７０と、処理液供給部
８０と、スプラッシュガード５５および処理カップ５４
を昇降するための上下駆動機構８１とを制御するための
構成が示されている。回転駆動機構７０の動作、処理液
供給部８０の動作および上下駆動機構８１の動作は、Ｃ
ＰＵ、ＲＯＭおよびＲＡＭを含む制御部２００により、
当該ＲＯＭまたはＲＡＭに格納されたプログラムに従っ
て制御される。FIG. 7 is a block diagram showing an electrical configuration of a main part of the above-described substrate processing apparatus. The rotary driving mechanism 70 for rotating the spin chuck 51, a processing liquid supply unit 80, a splash guard 55 and processing cup 54
1 shows a configuration for controlling a vertical drive mechanism 81 for moving up and down. The operation of the rotation drive mechanism 70, the operation of the processing liquid supply unit 80, and the operation of the vertical drive mechanism 81
By the control unit 200 including PU, ROM and RAM,
It is controlled according to a program stored in the ROM or RAM.

【００５４】制御部２００には、フォトマイクロセンサ
１５１，１５２，１５３，１５５，１５６からの出力信
号が与えられており、これらのセンサの出力に基づい
て、制御部２００は、上下駆動機構８１のモータ１４０
（図２参照）を、正転／逆転駆動する。これにより、制
御部２００は、スプラッシュガード５５を、第１の高さ
Ｈ１、第２の高さＨ２、第３の高さＨ３に制御する。こ
れにより、結果として、制御部２００は、処理カップ５
４の高さを、処理高さＨＰまたは退避高さＨＲに制御す
ることになる。Output signals from the photomicrosensors 151, 152, 153, 155, and 156 are given to the control unit 200. Based on the outputs of these sensors, the control unit 200 Motor 140
(See FIG. 2) is driven forward / reverse. Thereby, the control unit 200 controls the splash guard 55 to the first height H1, the second height H2, and the third height H3. Thereby, as a result, the control unit 200 sets the processing cup 5
4 is controlled to the processing height HP or the retreat height HR.

【００５５】すなわち、制御部２００は、第１の処理液
としての薬液がウエハＷに供給される際に、スプラッシ
ュガード５５を第１の高さＨ１に制御する第１制御手段
としての機能と、第２の処理液としての純水がウエハＷ
に供給される際に、スプラッシュガード５５の高さを第
２の高さＨ２に制御する第２制御手段としての機能と、
ウエハＷの搬入／搬出の際にスプラッシュガード５５の
高さを第３の高さＨ３に制御する第３制御手段としての
機能を有している。That is, when the chemical liquid as the first processing liquid is supplied to the wafer W, the control unit 200 functions as a first control means for controlling the splash guard 55 to the first height H1. Pure water as the second processing liquid is supplied to the wafer W
A function as a second control means for controlling the height of the splash guard 55 to the second height H2 when supplied to the
It has a function as a third control means for controlling the height of the splash guard 55 to the third height H3 when loading / unloading the wafer W.

【００５６】さらに、制御部２００は、スプラッシュガ
ード５５の自動洗浄を実行するために各部の動作を制御
する洗浄制御手段としての機能をも有している。すなわ
ち、たとえば、第１誘導エリア９１に付着した薬液を洗
い落とす場合に、制御部２００は、上下駆動機構８１の
モータ１４０を制御し、スプラッシュガード５５を第１
の高さＨ１に導く。また、制御部２００は、回転駆動機
構７０のモータ６２を制御し、スピンチャック５１を回
転駆動させる。この状態で、制御部２００は、さらに、
処理液供給部８０を制御して、ノズル１Ｂから、純水を
洗浄液として吐出させる。この純水は、取付け円板６０
を伝って、回転軸５７から離反する方向に導かれ、取付
け円板６０から第１誘導エリア９１に導かれることにな
る。これにより、薬液を誘導するための第１誘導エリア
９１に付着した薬液を洗い流すことができる。洗浄用の
純水は、ノズル１Ｄから供給されてもよく、この場合に
は、取付け円板６０の下面の洗浄とスプラッシュガード
５５の洗浄とを同時に行うことができる。Further, the control section 200 also has a function as a cleaning control means for controlling the operation of each section to execute the automatic cleaning of the splash guard 55. That is, for example, when washing out the chemical solution attached to the first guide area 91, the control unit 200 controls the motor 140 of the up-down drive mechanism 81 to move the splash guard 55 to the first position.
To the height H1. Further, the control unit 200 controls the motor 62 of the rotation drive mechanism 70 to rotate the spin chuck 51. In this state, the control unit 200 further
The processing liquid supply unit 80 is controlled to discharge pure water as a cleaning liquid from the nozzle 1B. This pure water is supplied to the mounting disc 60.
And is guided in a direction away from the rotation shaft 57, and is guided from the mounting disk 60 to the first guidance area 91. Thereby, the chemical liquid attached to the first guiding area 91 for guiding the chemical liquid can be washed away. The pure water for cleaning may be supplied from the nozzle 1D. In this case, cleaning of the lower surface of the mounting disk 60 and cleaning of the splash guard 55 can be performed simultaneously.

【００５７】なお、第１誘導エリア９１の洗浄を良好に
行うためには、スプラッシュガード５５を第１の高さＨ
１よりも若干低い高さに制御し、取付け円板６０からの
水が第１誘導エリア９１の内壁面に隈なく行き渡るよう
にすることが好ましい。また、洗浄処理の際に、ウエハ
Ｗと同等の形状を有するダミー基板をスピンチャック５
１に保持させておき、このダミー基板を回転させるとと
もに、このダミー基板の上面中央に向けてノズル１Ｂか
ら純水を供給するようにしてもよい。この場合には、ス
プラッシュガード５５を第１の高さＨ１に制御すること
によって、第１誘導エリア９１の洗浄を良好に行える。
また、この場合には、中心軸ノズル１Ｃから純水をウエ
ハＷの下面中央に向けて供給するようにし、ウエハＷの
下面を伝って周辺に飛散する水により第１誘導エリア９
１の洗浄を行うことができる。In order to clean the first guiding area 91 satisfactorily, the splash guard 55 must be set at the first height H.
It is preferable to control the height to be slightly lower than 1 so that the water from the mounting disk 60 can be completely distributed on the inner wall surface of the first guiding area 91. Further, at the time of the cleaning process, a dummy substrate having a shape equivalent to that of the wafer W is placed on the spin chuck 5.
1, the dummy substrate may be rotated, and pure water may be supplied from the nozzle 1B toward the center of the upper surface of the dummy substrate. In this case, the first guide area 91 can be cleaned well by controlling the splash guard 55 to the first height H1.
Further, in this case, pure water is supplied from the central axis nozzle 1C toward the center of the lower surface of the wafer W, and the first guide area 9 is supplied by water scattered around the lower surface of the wafer W to the periphery.
1 can be performed.

【００５８】同様にして、スプラッシュガード５５の高
さを第２の高さＨ２（または高さＨ２よりも若干高い高
さ）に制御することによって、第２誘導エリア９２の洗
浄も行える。ただし、この実施形態においては、第２誘
導エリア９２は、純水の誘導のためのエリアであるの
で、第２誘導エリア９２の洗浄は、第１誘導エリア９１
の洗浄ほど重要ではない。Similarly, by controlling the height of the splash guard 55 to the second height H2 (or a height slightly higher than the height H2), the second guide area 92 can be cleaned. However, in this embodiment, since the second guiding area 92 is an area for guiding pure water, the cleaning of the second guiding area 92 is performed in the first guiding area 91.
Not as important as washing.

【００５９】以上のようにこの実施形態の基板処理装置
によれば、スプラッシュガード５５の内壁面に第１誘導
エリア９１および第２誘導エリア９２が設けられ、さら
に、これらの境界部には横向き凸部９０が形成されてい
る。そして、このような構成のスプラッシュガード５５
が上下されることにより、ウエハＷから周囲に飛散する
薬液は第１誘導エリア９１に当たるようにされて第１の
水槽７１に導かれ、また、ウエハＷから周囲に飛散する
純水は第２誘導エリア９２に当たるようにされて第２の
槽７２に導かれる。As described above, according to the substrate processing apparatus of this embodiment, the first guide area 91 and the second guide area 92 are provided on the inner wall surface of the splash guard 55, and furthermore, the boundary portions thereof are laterally convex. A part 90 is formed. And the splash guard 55 having such a configuration is used.
Is moved up and down, the chemical liquid scattered from the wafer W to the periphery is brought into contact with the first guiding area 91 and guided to the first water tank 71, and the pure water scattered from the wafer W to the surroundings is converted into the second guiding liquid. It is guided to the second tank 72 so as to hit the area 92.

【００６０】こうして、スプラッシュガード５５を上下
することによって、薬液と純水とを分離することができ
る。この場合に、薬液と純水とは共通の経路を通ること
がないから、「従来の技術」の項で指摘した薬液と純水
との混合に起因する種々の問題が克服される。さらに
は、ウエハＷの下面への処理液の供給は、中心軸ノズル
１Ｃから行われるので、ウエハＷの下面中央に向けて、
ウエハＷの下面に近接した位置から処理液が供給される
ことになる。そのため、ウエハＷの下面に供給された処
理液は、ほとんど落下することなく、ウエハＷの下面を
伝って、第１誘導エリア９１または第２誘導エリア９２
に導かれることになる。これにより、薬液の回収、およ
び処理に使用された後の純水の廃棄を、良好に行うこと
ができる。In this way, the chemical solution and the pure water can be separated by moving the splash guard 55 up and down. In this case, since the chemical solution and the pure water do not pass through a common route, the various problems caused by the mixing of the chemical solution and the pure water pointed out in the section of “Prior Art” can be overcome. Furthermore, since the supply of the processing liquid to the lower surface of the wafer W is performed from the central axis nozzle 1C,
The processing liquid is supplied from a position close to the lower surface of the wafer W. Therefore, the processing liquid supplied to the lower surface of the wafer W hardly falls and travels along the lower surface of the wafer W to form the first guiding area 91 or the second guiding area 92.
Will be led to. This makes it possible to satisfactorily collect the chemical solution and dispose of the pure water after being used for the treatment.

【００６１】しかも、処理液の分離のために、従来技術
のようなギア駆動機構を用いていないから、発塵の問題
も生じない。また、スプラッシュガード５５および処理
カップ５４の上下動を許容するための摺動部にはボール
ブッシュ１０５，１０６，１６３，１６４が採用されて
いるので、すべり軸受けを用いる場合に比較して発塵が
少ない。しかも、この部分の摺動によって発塵が生じた
としても、この発塵の拡散は蛇腹１０１，１０２，１６
１，１６２によって防止される。これにより、発塵をほ
とんど生じさせることなくスプラッシュガード５５およ
び処理カップ５４の上下動を達成できる。しかも、すべ
り軸受けを用いれば、摺動不良が発生しやすいため、上
下動の際に振動が発生する可能性があり、スプラッシュ
ガードに付着した液滴が飛散してウエハＷの表面に付着
するおそれがあるが、ボールブッシュを用いた本実施形
態の構成においては、このような問題が生じることもな
い。また、蛇腹１０１，１０２，１６１，１６２を用い
ていることにより、薬液雰囲気とシャフト１０３，１０
４，１６５，１６６とが隔離されるから、シャフト１０
３，１０４，１６５，１６６の腐食を防止できるという
効果もある。Further, since no gear driving mechanism as in the prior art is used for separating the processing solution, there is no problem of dust generation. Further, since the ball bushes 105, 106, 163, and 164 are employed in the sliding portion for allowing the vertical movement of the splash guard 55 and the processing cup 54, dust is generated as compared with the case where a slide bearing is used. Few. Moreover, even if dust is generated by sliding of this portion, the diffusion of the dust is caused by the bellows 101, 102, 16
1,162. Thus, the vertical movement of the splash guard 55 and the processing cup 54 can be achieved with almost no generation of dust. In addition, if a slide bearing is used, poor sliding is likely to occur, so that vibration may occur during vertical movement, and droplets adhering to the splash guard may scatter and adhere to the surface of the wafer W. However, such a problem does not occur in the configuration of the present embodiment using the ball bush. Further, by using the bellows 101, 102, 161, 162, the chemical solution atmosphere and the shafts 103, 10
4,165,166 is isolated from the shaft 10
There is also an effect that corrosion of 3,104,165,166 can be prevented.

【００６２】さらに、この実施形態においては、廃棄す
べき処理液を受けるための第２の槽７２は、回収すべき
処理液を受けるための第１の槽７１よりも、ウエハＷの
回転軸に対して内側に位置している。これにより、廃棄
すべき処理液が回収すべき処理液に混入することを防止
することができる。さらに詳細に説明すれば、薬液処理
時には、第１誘導エリア９１から第１の槽７１に薬液が
導かれるが、ウエハＷから周囲に飛散する薬液がすべて
第１誘導エリア９１に到達できるとは限らないし、ま
た、第１誘導エリア９１から一部の薬液が仕切部材７３
よりも内側の第２の槽７２にまで飛び散るおそれもあ
る。これに対して、純水リンス処理時には、処理液は必
ず仕切り部材７３よりも内側に導かれるのであり、洗浄
処理後の純水が第１の槽７１に導かれるおそれはない。Further, in this embodiment, the second tank 72 for receiving the processing liquid to be discarded is located closer to the rotation axis of the wafer W than the first tank 71 for receiving the processing liquid to be collected. It is located inside. Thereby, it is possible to prevent the processing liquid to be discarded from being mixed into the processing liquid to be recovered. More specifically, during the chemical treatment, the chemical is guided from the first guiding area 91 to the first tank 71, but not all the chemical scattered from the wafer W to the surroundings can reach the first guiding area 91. In addition, a part of the chemical solution is supplied from the first guiding area 91 to the partition member 73.
There is also a possibility that the water may scatter to the second tank 72 inside. On the other hand, at the time of the pure water rinsing treatment, the treatment liquid is always guided to the inside of the partition member 73, and there is no possibility that the pure water after the cleaning treatment is guided to the first tank 71.

【００６３】もしも、薬液の回収を第２の槽７２によっ
て行い、洗浄処理に用いられた後の純水の廃棄を第１の
槽７１により行おうとすると、この純水のうち若干量は
第２の槽７１に入り込むおそれがある。そうすると、回
収すべき薬液に純水が混入することになり、薬液の濃度
が若干低下するおそれがある。これに対して、この実施
形態のように、外側に配置された第１の槽７１によって
薬液の回収を行えば、上記の問題は生じない。廃棄すべ
き純水を受けるための第２の槽７２に若干量の薬液が飛
び散ったとしても、大きな問題はない。If the chemical solution is collected in the second tank 72 and the pure water used for the cleaning treatment is to be discarded in the first tank 71, a small amount of the pure water is removed from the second tank 72. May enter the tank 71. Then, pure water is mixed into the chemical solution to be collected, and the concentration of the chemical solution may be slightly reduced. On the other hand, if the chemical solution is collected by the first tank 71 disposed outside as in this embodiment, the above problem does not occur. Even if a small amount of the chemical solution splatters into the second tank 72 for receiving the pure water to be discarded, there is no major problem.

【００６４】また、本実施形態において用いられている
スプラッシュガード５５は、図１から明らかなように、
内壁面５５ａのいたるところが不連続点のない滑らかな
曲面で構成されている。つまり、内壁面５５ａには角部
が存在しない。そのため、内壁面５５ａに処理液が滞留
するおそれがなく、当然に、滞留した処理液のウエハ表
面への飛散による悪影響が生じるおそれがない。なお、
内壁面５５ａが完全に滑らかな表面でなくとも同様の効
果を達成することができ、処理液の滞留が生じないかぎ
りにおいて、十分に大きな角度で連接する平面の組み合
わせによって内壁面５５ａが構成されていてもよい。The splash guard 55 used in the present embodiment is, as apparent from FIG.
Everywhere on the inner wall surface 55a is formed of a smooth curved surface without any discontinuity. That is, there is no corner on the inner wall surface 55a. Therefore, there is no possibility that the processing liquid stays on the inner wall surface 55a, and naturally, there is no possibility that the staying processing liquid has an adverse effect due to scattering on the wafer surface. In addition,
The same effect can be achieved even if the inner wall surface 55a is not a completely smooth surface, and the inner wall surface 55a is constituted by a combination of planes connected at a sufficiently large angle as long as the processing liquid does not stay. You may.

【００６５】さらに、本実施形態では、スプラッシュガ
ード５５と、処理カップ５４とが別部品となっているか
ら、スプラッシュガードを容易に取り外して、その洗浄
や交換を行うことができるという利点もある。この実施
形態の説明は以上のとおりであるが、本発明はこの実施
形態に限定されるものではない。たとえば、上記の実施
の形態においては、２種類の処理液が分離される例を取
ったが、スプラッシュガード５５に３つ以上の誘導エリ
アを設け、３種類以上の処理液を分離できるようにして
もよい。ただし、この場合には、誘導エリアの個数に対
応する個数の槽を処理カップ５４に設ける必要がある。Further, in the present embodiment, since the splash guard 55 and the processing cup 54 are separate parts, there is an advantage that the splash guard can be easily removed and the washing or replacement can be performed. The description of this embodiment is as described above, but the present invention is not limited to this embodiment. For example, in the above embodiment, an example is described in which two types of processing liquids are separated. However, three or more guide areas are provided in the splash guard 55 so that three or more types of processing liquids can be separated. Is also good. However, in this case, it is necessary to provide the processing cup 54 with a number of tanks corresponding to the number of guidance areas.

【００６６】３種類の処理液を分離するための構成例
は、図８に示されている。すなわち、この例では、スプ
ラッシュガード５５Ａには、２つの横向き凸部２１１お
よび２１２が上下方向に間隔を開けて形成されており、
各横向き凸部２１１および２１２の先端には、下方に向
けて舌部２１１ａおよび２１２ａがそれぞれ形成されて
いる。これにより、第１の処理液は横向き凸部２１１の
下方の第１誘導エリア２２１から、その下方の第１の槽
２３１に導かれる。また、第２の処理液は横向き凸部２
１１と横向き凸部２１２との間の第２誘導エリア２２２
から、舌部２１１ａに案内され、その下方の第２の槽２
３２に導かれる。同様に、第３の処理液は、横向き凸部
２１２の上方の第３誘導エリア２２３から、舌部２１２
ａに案内され、その下方の第３の槽２３３に導かれる。
ウエハＷからの第１の処理液、第２の処理液および第３
の処理液をそれぞれ第１、第２および第３の誘導エリア
２２１，２２２，２２３に選択的に当てるためにスプラ
ッシュガード５５Ａが上下動される点は、上記の実施形
態の場合と同様である。FIG. 8 shows an example of a structure for separating three types of processing liquids. That is, in this example, the splash guard 55A is formed with two horizontal convex portions 211 and 212 spaced apart in the vertical direction.
Tongues 211a and 212a are formed downward at the tips of the laterally protruding portions 211 and 212, respectively. As a result, the first processing liquid is guided from the first guiding area 221 below the horizontal protrusion 211 to the first tank 231 below it. In addition, the second processing liquid is formed by
11 and the second guiding area 222 between the horizontal protrusion 212
From the tongue portion 211a, and the second tank 2 below the tongue portion 211a.
It is led to 32. Similarly, the third processing liquid is supplied from the third guiding area 223 above the horizontal projection 212 to the tongue 212.
a and is guided to the third tank 233 below it.
A first processing liquid, a second processing liquid, and a third processing liquid from the wafer W;
The point that the splash guard 55A is moved up and down in order to selectively apply the processing liquid to the first, second, and third guiding areas 221, 222, and 223, respectively, is the same as in the above-described embodiment.

【００６７】また、上記の実施形態では、第１誘導エリ
ア９１に対応する第１の槽７１が、第２の誘導エリア９
２に対応する第２の槽よりも外側に配置されている例に
ついて説明したが、図９に示すように、第１誘導エリア
２５１に対応する第１の槽２４１を、第２誘導エリア２
５２に対応する第２の槽２４２の内側に配置することも
可能である。より、具体的に説明すれば、図９に示され
たスプラッシュガード５５Ｂには、第１誘導エリア２５
１と第２誘導エリア２５２との境界部に、内方に向かっ
て突出した横向き凸部２５３が形成されている。この横
向き凸部２５３の基部には、第１の誘導エリア２５２に
当たった処理液を下方に案内するための処理液通路２５
５が形成されている。また、横向き凸部２５３の先端付
近には、下方に突出した案内部材２５４が形成されてお
り、この案内部材２５４の表面が第１誘導エリア２５１
を構成している。In the above embodiment, the first tank 71 corresponding to the first guide area 91 is provided in the second guide area 9.
Although the example in which the first tank 241 corresponding to the first guiding area 251 is disposed outside the second tank corresponding to the second guiding area 2
It is also possible to arrange inside the second tank 242 corresponding to 52. More specifically, the splash guide 55B shown in FIG.
At the boundary between the first and second guiding areas 252, a laterally protruding portion 253 protruding inward is formed. A processing liquid passage 25 for guiding the processing liquid that has hit the first guide area 252 downward is provided at the base of the lateral projection 253.
5 are formed. A guide member 254 protruding downward is formed near the tip of the lateral projection 253, and the surface of the guide member 254 is formed in the first guide area 251.
Is composed.

【００６８】ウエハＷから飛散して第１誘導エリア２５
１に当たった処理液は、案内部材２５４に沿って下方に
落下し、内側に配置された第１の槽２４１に導かれる。
また、ウエハＷから飛散して第２誘導エリア２５２に当
たった処理液は、処理液通路２５５を通って下方に落下
し、外側に配置された第２の槽２４２に受け入れられ
る。The first guiding area 25 scattered from the wafer W
The treatment liquid that has hit 1 falls down along the guide member 254 and is guided to the first tank 241 disposed inside.
Further, the processing liquid scattered from the wafer W and hitting the second guide area 252 falls downward through the processing liquid passage 255 and is received by the second tank 242 disposed outside.

【００６９】さらに、上記の実施形態においては、スプ
ラッシュガード５５を上下動させることによってウエハ
からの処理液を所定の誘導エリアに当てるようにしてい
るが、スピンチャック５１を上下動することによって、
スプラッシュガード５５の所定の誘導エリアに処理液が
当たるようにしてもよい。ただし、スピンチャック５１
の上下動を行わない上記の実施形態の構成の方が、スピ
ンチャック５１に関連する駆動機構のシールが容易であ
る。Further, in the above embodiment, the processing liquid from the wafer is applied to the predetermined guiding area by moving the splash guard 55 up and down. However, by moving the spin chuck 51 up and down,
The processing liquid may be applied to a predetermined guide area of the splash guard 55. However, the spin chuck 51
In the configuration of the above-described embodiment in which the vertical movement is not performed, the sealing of the drive mechanism related to the spin chuck 51 is easier.

【００７０】また、上記の実施形態では、ウエハに対す
る処理を施す装置を例に取ったが、この発明は、液晶表
示装置用ガラス基板のような他の基板に対する処理を施
すための装置にも同様に適用することができる。その
他、特許請求の範囲に記載された範囲で種々の変更を施
すことが可能である。In the above embodiment, an apparatus for performing processing on a wafer is taken as an example. However, the present invention is similarly applied to an apparatus for performing processing on another substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device. Can be applied to In addition, various changes can be made within the scope described in the claims.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構
成を示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図２】スプラッシュガードおよび処理カップを昇降す
るための構成を説明するための断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining a configuration for raising and lowering a splash guard and a processing cup.

【図３】スプラッシュガードおよび処理カップの昇降を
スムーズに行わせるための構成を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a configuration for smoothly lifting and lowering a splash guard and a processing cup.

【図４】薬液洗浄処理時の各部の位置関係を示す図解図
である。FIG. 4 is an illustrative view showing a positional relationship of each part during a chemical liquid cleaning process;

【図５】純水リンス処理時の各部の位置関係を示す図解
図である。FIG. 5 is an illustrative view showing a positional relationship of each part during a pure water rinsing process;

【図６】ウエハ搬入／搬出時における各部の位置関係を
示す図解図である。FIG. 6 is an illustrative view showing a positional relationship of each part when loading / unloading the wafer;

【図７】上記基板処理装置の電気的構成を示すブロック
図である。FIG. 7 is a block diagram illustrating an electrical configuration of the substrate processing apparatus.

【図８】この発明の他の実施形態の構成を説明するため
の断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a configuration of another embodiment of the present invention.

【図９】この発明のさらに他の実施形態の構成を説明す
るための断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration of still another embodiment of the present invention.

【図１０】従来の基板処理装置の構成を示す断面図であ
る。FIG. 10 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a conventional substrate processing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ ノズル ５１ スピンチャック ５４ 処理カップ ５５ スプラッシュガード ５７ 回転軸 ６２ モータ ７０ 回転駆動機構 ７１ 第１の槽 ７２ 第２の槽 ７３ 仕切部材 ８０ 処理液供給部 ８１ 上下駆動機構 ９０ 横向き凸部 ９１ 第１誘導エリア ９２ 第２誘導エリア ９３ 下向き凹部 ９５ 横向き凹部 ９６ 上向き凸部 １０１，１０２ 蛇腹 １０３，１０４ スプラッシュガードシャフト １０５，１０６ ボールブッシュ １２５ 上側可動プレート １３２，１３３，１５８，１５９ 圧縮コイルばね １４０ モータ １５１，１５２，１５３，１５５，１５６ フォトマ
イクロセンサ １６１，１６２ 蛇腹 １６３，１６４ ボールブッシュ １６５，１６６ 処理カップシャフト １６７ 下側可動プレート １６８，１６９ 当接ピン １９０ 空気流通路 １９１ 連通路 １９２ 連通路 ２００ 制御部1A, 1B, 1C, 1D Nozzle 51 Spin chuck 54 Processing cup 55 Splash guard 57 Rotary shaft 62 Motor 70 Rotary drive mechanism 71 First tank 72 Second tank 73 Partition member 80 Processing liquid supply unit 81 Vertical drive mechanism 90 Sideways Convex part 91 First guide area 92 Second guide area 93 Downward concave part 95 Lateral concave part 96 Upward convex part 101, 102 Bellows 103, 104 Splash guard shaft 105, 106 Ball bush 125 Upper movable plate 132, 133, 158, 159 Compression coil Spring 140 Motor 151, 152, 153, 155, 156 Photomicrosensor 161, 162 Bellows 163, 164 Ball bush 165, 166 Processing cup shaft 167 Lower movable plate 168, 169 Contact pin 19 Air flow passage 191 communicating passage 192 communicating passage 200 controller

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】基板を保持した状態で回転する基板保持台
と、 この基板保持台に保持された基板の表面に第１の処理液
および第２の処理液を選択的に供給するための処理液供
給手段と、 上記基板を取り囲むように設けられ、上記基板保持台の
回転軸に対してほぼ回転対称に形成された内壁面を有
し、上記基板保持台とともに回転される基板から飛散す
る上記第１の処理液および第２の処理液を誘導するため
の誘導部材と、 上記誘導部材の内壁面に形成され、上記基板保持台とと
もに回転状態にある基板から飛散する上記第１の処理液
が当たるべき第１誘導エリアと、 上記誘導部材の内壁面において上記第１誘導エリアより
も上方に形成され、上記基板保持台とともに回転状態に
ある基板から飛散する上記第２の処理液が当たるべき第
２誘導エリアと、 上記第１誘導エリアと上記第２誘導エリアとの境界部に
形成され、上記基板保持台に向かって内方に突出した横
向き凸部と、 上記誘導部材を、上記基板保持台に対して相対的に上下
動させるための上下駆動手段と、 上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
上記第１誘導エリアによって誘導された上記第１の処理
液を受け入れるとともに、この受け入れられた第１の処
理液を排出するための排出口を有する第１の槽と、 上記基板保持台よりも下方に配設され、上記誘導部材の
上記第２誘導エリアによって誘導された上記第２の処理
液を受け入れるとともに、この受け入れられた第２の処
理液を排出するための排出口を有する第２の槽と、 上記第１の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基
板から飛散する第１の処理液が上記第１誘導エリアに当
たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
対的な高さを制御する第１制御手段と、 上記第２の処理液が上記基板保持台に保持された基板に
供給される際には、上記上下駆動手段を制御し、当該基
板から飛散する第２の処理液が上記第２誘導エリアに当
たるように、上記誘導部材の上記基板保持台に対する相
対的な高さを制御する第２制御手段とを含むことを特徴
とする基板処理装置。1. A substrate holding table rotating while holding a substrate, and a processing for selectively supplying a first processing liquid and a second processing liquid to a surface of the substrate held by the substrate holding table. A liquid supply means, provided so as to surround the substrate, having an inner wall surface formed to be substantially rotationally symmetric with respect to a rotation axis of the substrate holder, and scattered from the substrate rotated together with the substrate holder. A guiding member for guiding the first processing liquid and the second processing liquid; and the first processing liquid formed on the inner wall surface of the guiding member and scattered from the substrate being rotated together with the substrate holding table. A first guiding area to be contacted, and a second processing liquid formed above the first guiding area on the inner wall surface of the guiding member and scattered from the substrate being rotated together with the substrate holding table. 2 lead d A rear, a laterally protruding portion formed at a boundary between the first guiding area and the second guiding area, and protruding inward toward the substrate holding table; A vertical drive unit for relatively vertically moving the first processing liquid disposed below the substrate holding table, receiving the first processing liquid guided by the first guiding area of the guiding member, A first tank having a discharge port for discharging the received first processing liquid, and a first tank disposed below the substrate holding table and guided by the second guidance area of the guidance member. A second tank having a discharge port for receiving the second processing liquid and discharging the received second processing liquid; and supplying the first processing liquid to the substrate held on the substrate holding table. When it is over First control means for controlling the vertical drive means, and controlling the relative height of the guide member with respect to the substrate holding table so that the first processing liquid scattered from the substrate hits the first guide area; When the second processing liquid is supplied to the substrate held by the substrate holding table, the vertical driving unit is controlled so that the second processing liquid scattered from the substrate hits the second guiding area. And a second control means for controlling a relative height of the guide member with respect to the substrate holding table. 【請求項２】上記上下駆動手段を制御し、上記誘導部材
の処理液付着部位が上記基板保持台に保持された基板よ
りも下方に位置するように、上記誘導部材の上記基板保
持台に対する相対的な高さを制御する第３制御手段をさ
らに含むことを特徴とする請求項１記載の基板処理装
置。2. The method according to claim 1, further comprising controlling the vertical driving unit so that the treatment liquid adhering portion of the guide member is positioned below the substrate held by the substrate holder. 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising third control means for controlling a target height. 【請求項３】上記第１誘導エリアの上記横向き凸部の近
傍の部位に設けられ、上方に窪み、下方に開放した下向
き凹部をさらに備えていることを特徴とする請求項１ま
たは請求項２に記載の基板処理装置。3. The apparatus according to claim 1, further comprising a downward recess provided in a portion of the first guide area near the lateral protrusion, recessed upward and opened downward. A substrate processing apparatus according to claim 1. 【請求項４】上記第２誘導エリアに設けられ、上記基板
保持台から離反する方向に向かって窪み、上記基板保持
台の方向に開放した横向き凹部をさらに備えていること
を特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の基板
処理装置。4. The apparatus according to claim 1, further comprising a lateral recess provided in said second guiding area, recessed in a direction away from said substrate holder, and opened toward said substrate holder. 4. The substrate processing apparatus according to any one of 1 to 3. 【請求項５】上記横向き凹部の上部において上方に延び
て形成された上向き凸部をさらに備えていることを特徴
とする請求項４記載の基板処理装置。5. The substrate processing apparatus according to claim 4, further comprising an upwardly protruding portion formed above the laterally concave portion so as to extend upward. 【請求項６】上記第１の槽および第２の槽は、一方が他
方を外方から取り囲むように配設されており、内側に配
置された槽は、受け入れた処理液を廃液するための廃液
槽であり、外方に配置された槽は、受け入れた処理液を
再利用のために回収するための回収槽であることを特徴
とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装
置。6. The first tank and the second tank are disposed so that one of them surrounds the other from outside, and the tank disposed inside is provided for draining the received processing liquid. 6. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the waste liquid tank is disposed outside, and the tank disposed outside is a recovery tank for collecting the received processing liquid for reuse. apparatus. 【請求項７】上記基板保持台または上記基板保持台に保
持されたダミー基板に向けて洗浄液を供給するための洗
浄液供給手段と、 上記洗浄液供給手段から洗浄液を供給させるとともに、
上記基板保持台を回転させ、これにより、上記基板保持
台またはダミー基板から飛散して上記誘導部材に当たる
洗浄液により、この誘導部材の洗浄を行うための洗浄制
御手段とをさらに備えていることを特徴とする請求項１
ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。7. A cleaning liquid supply means for supplying a cleaning liquid to the substrate holding table or a dummy substrate held by the substrate holding table, and a cleaning liquid supplied from the cleaning liquid supply means.
Cleaning control means for rotating the substrate holder, thereby cleaning the guide member with a cleaning liquid scattered from the substrate holder or the dummy substrate and hitting the guide member. Claim 1
7. The substrate processing apparatus according to any one of items 6 to 6. 【請求項８】上記誘導部材の上下動を案内するために鉛
直方向に沿って配置されたガイド軸と、 このガイド軸を取り囲むように配設され、上記誘導部材
の上下移動に伴って伸縮する蛇腹とをさらに備えている
ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の
基板処理装置。8. A guide shaft arranged vertically to guide the vertical movement of the guide member, and a guide shaft is provided so as to surround the guide shaft, and expands and contracts with the vertical movement of the guide member. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, further comprising a bellows. 【請求項９】上記ガイド軸は、上記蛇腹の内部空間と上
記蛇腹の外部空間とを連通させるための連通経路が内部
に形成されたものであることを特徴する請求項８記載の
基板処理装置。9. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the guide shaft has a communication path formed therein for communicating the internal space of the bellows with the external space of the bellows. . 【請求項１０】上記第１の槽および上記第２の槽を上方
に向けて付勢する付勢手段と、 上記誘導部材に対して固定的に設けられた誘導部材側当
接部と、 上記第１の槽および上記第２の槽に対して固定的に設け
られた槽側当接部と、を備え、 上記上下駆動手段は、上記誘導部材を上下動させるもの
であり、 上記誘導部材側当接部および上記槽側当接部は、上記誘
導部材を所定位置まで下降させる過程で、両当接部が当
接し、その後は、上記誘導部材の下降に伴って、上記第
１および第２の槽も、上記付勢手段の付勢力に抗して下
降するように配設されていることを特徴とする請求項１
ないし９のいずれかに記載の基板処理装置。10. An urging means for urging the first tank and the second tank upward, an abutting member-side contact portion fixedly provided with respect to the guiding member, A tank-side abutting portion fixedly provided with respect to the first tank and the second tank, wherein the up-down drive means moves the guide member up and down; In the process of lowering the guide member to a predetermined position, the abutment portion and the tank-side abutment portion make contact with both abutment portions, and thereafter, as the guide member descends, 2. The tank of claim 1, wherein said tank is also arranged to descend against the urging force of said urging means.
10. The substrate processing apparatus according to any one of claims 9 to 9. 【請求項１１】上記誘導部材の内壁面は、不連続点の無
い滑らかな曲面から成っていることを特徴とする請求項
１ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置。11. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the inner wall surface of the guide member has a smooth curved surface with no discontinuity. 【請求項１２】上記処理液供給手段は、上記基板保持台
に保持された基板の下面の回転中心位置に向けて処理液
を供給するものであることを特徴とする請求項１ないし
１１のいずれかに記載の基板処理装置。12. The processing liquid supply means according to claim 1, wherein the processing liquid supply means supplies the processing liquid toward a rotation center position on a lower surface of the substrate held by the substrate holding table. A substrate processing apparatus according to any one of the above.
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