JPH10166135A - タフピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方法 - Google Patents
タフピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方法Info
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- JPH10166135A JPH10166135A JP32515196A JP32515196A JPH10166135A JP H10166135 A JPH10166135 A JP H10166135A JP 32515196 A JP32515196 A JP 32515196A JP 32515196 A JP32515196 A JP 32515196A JP H10166135 A JPH10166135 A JP H10166135A
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- pitch copper
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- ingot
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 新規設備およびラインの変更が不要で、か
つ、不純物元素であるSなどを含有していても熱間加工
割れの生じないタフピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方
法を提供するものである。 【解決手段】 Sを含有し、かつ、S以外の不可避的不
純物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊を熱間加工して所望
の製品を製造する際に、そのタフピッチ銅鋳塊における
単位結晶粒界面積当たりの見掛けのS量[見掛けの粒界
S濃度:CS (g/mm2 )]が5.9×10-8(g/
mm2 )以下となるように上記タフピッチ銅鋳塊の結晶
粒サイズを制御するようにしたものである。
つ、不純物元素であるSなどを含有していても熱間加工
割れの生じないタフピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方
法を提供するものである。 【解決手段】 Sを含有し、かつ、S以外の不可避的不
純物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊を熱間加工して所望
の製品を製造する際に、そのタフピッチ銅鋳塊における
単位結晶粒界面積当たりの見掛けのS量[見掛けの粒界
S濃度:CS (g/mm2 )]が5.9×10-8(g/
mm2 )以下となるように上記タフピッチ銅鋳塊の結晶
粒サイズを制御するようにしたものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、タフピッチ銅鋳塊
の熱間加工割れ防止方法に係り、特に、Sを含有したタ
フピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方法に関するもので
ある。
の熱間加工割れ防止方法に係り、特に、Sを含有したタ
フピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方法に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】タフピッチ銅鋳塊を熱間または冷間加工
して所望の製品を得ようとする場合、銅中の不純物量が
多いと、鋳塊加工時に割れ(クラック)が発生すること
がある。そして、この加工時の割れは、後工程の加工
(圧延、鍛造、引抜きなど)によっても完全に除かれる
ことはなく、最終製品に履歴として残留し、その品質や
特性などに少なからず影響を及ぼすとされている。
して所望の製品を得ようとする場合、銅中の不純物量が
多いと、鋳塊加工時に割れ(クラック)が発生すること
がある。そして、この加工時の割れは、後工程の加工
(圧延、鍛造、引抜きなど)によっても完全に除かれる
ことはなく、最終製品に履歴として残留し、その品質や
特性などに少なからず影響を及ぼすとされている。
【0003】また、加工性に及ぼす銅中の不純物元素の
影響は、冷間加工よりも熱間加工の場合においてより顕
著であるため、鋳塊を加工して得られる製品の品質や特
性などを低下させないためには、特に熱間加工時におけ
る鋳塊の割れを防止することが必要である。
影響は、冷間加工よりも熱間加工の場合においてより顕
著であるため、鋳塊を加工して得られる製品の品質や特
性などを低下させないためには、特に熱間加工時におけ
る鋳塊の割れを防止することが必要である。
【0004】タフピッチ銅の熱間加工性に悪影響を及ぼ
す不純物元素の一つとしてSが挙げられる。
す不純物元素の一つとしてSが挙げられる。
【0005】Sを含有し、かつ、S以外の不可避的不純
物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊の部分断面顕微鏡写真
の模式図を図1に示す。図1(a)は熱間圧延加工前、
図1(b)は熱間圧延加工後を示している。
物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊の部分断面顕微鏡写真
の模式図を図1に示す。図1(a)は熱間圧延加工前、
図1(b)は熱間圧延加工後を示している。
【0006】図1(a)に示すタフピッチ銅鋳塊1に熱
間圧延加工を施すことによって、図1(b)に示すよう
に、タフピッチ銅鋳塊11の結晶粒界3に沿って熱間加
工割れ(粒界割れ)4およびボイド(空隙)5が発生す
る。このタフピッチ銅鋳塊11について電子プローブX
線微小分析を行ったところ、結晶粒界3にはSが検出さ
れる。
間圧延加工を施すことによって、図1(b)に示すよう
に、タフピッチ銅鋳塊11の結晶粒界3に沿って熱間加
工割れ(粒界割れ)4およびボイド(空隙)5が発生す
る。このタフピッチ銅鋳塊11について電子プローブX
線微小分析を行ったところ、結晶粒界3にはSが検出さ
れる。
【0007】すなわち、タフピッチ銅鋳塊11における
熱間圧延加工時の熱間加工割れ4およびボイド5は、結
晶粒界3に存在するS系物質に起因すると考えられる。
したがって、この熱間加工割れ4を防止するためには、
タフピッチ銅鋳塊1の鋳造工程の前段階において精練な
どを行い、タフピッチ銅中の不純物元素であるSなどを
除去することが必要となる。
熱間圧延加工時の熱間加工割れ4およびボイド5は、結
晶粒界3に存在するS系物質に起因すると考えられる。
したがって、この熱間加工割れ4を防止するためには、
タフピッチ銅鋳塊1の鋳造工程の前段階において精練な
どを行い、タフピッチ銅中の不純物元素であるSなどを
除去することが必要となる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、タフピ
ッチ銅鋳塊1の鋳造工程の前段階において精練などによ
って、タフピッチ銅中の不純物元素であるSなどの除去
はできるものの、次のような問題点がある。
ッチ銅鋳塊1の鋳造工程の前段階において精練などによ
って、タフピッチ銅中の不純物元素であるSなどの除去
はできるものの、次のような問題点がある。
【0009】 溶融タフピッチ銅鋳塊を精練するため
の新規設備が必要である。
の新規設備が必要である。
【0010】 の設備の導入に伴う実操業ラインの
変更が必要である。
変更が必要である。
【0011】そこで本発明は、上記課題を解決し、新規
設備およびラインの変更が不要で、かつ、不純物元素で
あるSなどを含有していても熱間加工割れの生じないタ
フピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方法を提供すること
にある。
設備およびラインの変更が不要で、かつ、不純物元素で
あるSなどを含有していても熱間加工割れの生じないタ
フピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方法を提供すること
にある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に請求項1の発明は、Sを含有し、かつ、S以外の不可
避的不純物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊を熱間加工し
て所望の製品を製造する際に、そのタフピッチ銅鋳塊に
おける単位結晶粒界面積当たりの見掛けのS量[見掛け
の粒界S濃度:CS (g/mm2 )]が5.9×10-8
(g/mm2 )以下となるように上記タフピッチ銅鋳塊
の結晶粒サイズを制御するようにしたものである。
に請求項1の発明は、Sを含有し、かつ、S以外の不可
避的不純物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊を熱間加工し
て所望の製品を製造する際に、そのタフピッチ銅鋳塊に
おける単位結晶粒界面積当たりの見掛けのS量[見掛け
の粒界S濃度:CS (g/mm2 )]が5.9×10-8
(g/mm2 )以下となるように上記タフピッチ銅鋳塊
の結晶粒サイズを制御するようにしたものである。
【0013】請求項2の発明は、上記タフピッチ銅鋳塊
の結晶粒サイズが、溶融タフピッチ銅の低温鋳造、鋳造
時における溶融タフピッチ銅への超音波の付与、または
鋳造時における溶融タフピッチ銅の電磁攪拌などによっ
て制御される請求項1記載のタフピッチ銅鋳塊の熱間加
工割れ防止方法である。
の結晶粒サイズが、溶融タフピッチ銅の低温鋳造、鋳造
時における溶融タフピッチ銅への超音波の付与、または
鋳造時における溶融タフピッチ銅の電磁攪拌などによっ
て制御される請求項1記載のタフピッチ銅鋳塊の熱間加
工割れ防止方法である。
【0014】以上の構成によれば、Sを含有し、かつ、
S以外の不可避的不純物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊
を熱間加工して所望の製品を製造する際に、そのタフピ
ッチ銅鋳塊における単位結晶粒界面積当たりの見掛けの
S量[見掛けの粒界S濃度:CS (g/mm2 )]が
5.9×10-8(g/mm2 )以下となるように上記タ
フピッチ銅鋳塊の結晶粒サイズを制御したため、新規設
備およびラインの変更が不要で、かつ、不純物元素であ
るSなどを含有していても熱間加工割れの生じないタフ
ピッチ銅鋳塊を得ることができる。
S以外の不可避的不純物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊
を熱間加工して所望の製品を製造する際に、そのタフピ
ッチ銅鋳塊における単位結晶粒界面積当たりの見掛けの
S量[見掛けの粒界S濃度:CS (g/mm2 )]が
5.9×10-8(g/mm2 )以下となるように上記タ
フピッチ銅鋳塊の結晶粒サイズを制御したため、新規設
備およびラインの変更が不要で、かつ、不純物元素であ
るSなどを含有していても熱間加工割れの生じないタフ
ピッチ銅鋳塊を得ることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【0016】上述したように、Sを含有し、かつ、S以
外の不可避的不純物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊の熱
間加工時の割れは結晶粒界に沿って生じており、また、
その結晶粒界からはSが検出されている。このことか
ら、熱間加工割れはS系物質の存在による結晶粒界の脆
化によるものと考えられる。
外の不可避的不純物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊の熱
間加工時の割れは結晶粒界に沿って生じており、また、
その結晶粒界からはSが検出されている。このことか
ら、熱間加工割れはS系物質の存在による結晶粒界の脆
化によるものと考えられる。
【0017】本発明者らは鋭意研究した結果、結晶粒界
の脆化の対応策として、結晶粒界の面積の増加、すなわ
ち、結晶粒の微細化を行うことによって、有害なSを分
散させると共にタフピッチ銅鋳塊の単位結晶粒界面積当
たりのS量(見掛けの粒界S濃度)を減少させ、タフピ
ッチ銅鋳塊の熱間加工割れ感受性を低減させることがで
きるということを見出だした。
の脆化の対応策として、結晶粒界の面積の増加、すなわ
ち、結晶粒の微細化を行うことによって、有害なSを分
散させると共にタフピッチ銅鋳塊の単位結晶粒界面積当
たりのS量(見掛けの粒界S濃度)を減少させ、タフピ
ッチ銅鋳塊の熱間加工割れ感受性を低減させることがで
きるということを見出だした。
【0018】本発明のタフピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ
防止方法は、Sを含有し、かつ、S以外の不可避的不純
物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊を熱間加工して所望の
製品を製造する際に、そのタフピッチ銅鋳塊における単
位結晶粒界面積当たりの見掛けのS量[見掛けの粒界S
濃度:CS (g/mm2 )]が5.9×10-8(g/m
m2 )以下となるように上記タフピッチ銅鋳塊の結晶粒
サイズを制御するものである。
防止方法は、Sを含有し、かつ、S以外の不可避的不純
物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊を熱間加工して所望の
製品を製造する際に、そのタフピッチ銅鋳塊における単
位結晶粒界面積当たりの見掛けのS量[見掛けの粒界S
濃度:CS (g/mm2 )]が5.9×10-8(g/m
m2 )以下となるように上記タフピッチ銅鋳塊の結晶粒
サイズを制御するものである。
【0019】本発明のタフピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ
防止方法を以下に述べる。
防止方法を以下に述べる。
【0020】本発明においては、タフピッチ銅鋳塊にお
ける単位結晶粒界面積当たりの見掛けのS量[見掛けの
粒界S濃度:CS (g/mm2 )]を、 CS ≡[鋳塊のS量(g)/結晶粒界面積(mm2 )] と定義している。
ける単位結晶粒界面積当たりの見掛けのS量[見掛けの
粒界S濃度:CS (g/mm2 )]を、 CS ≡[鋳塊のS量(g)/結晶粒界面積(mm2 )] と定義している。
【0021】ここで、タフピッチ銅鋳塊中の実際の「結
晶粒界面積」の測定は不可能であるため、タフピッチ銅
鋳塊の任意面の結晶粒界の総延長である「トータル結晶
粒界Σl(mm)」を実測し、この値にタフピッチ銅鋳
塊の単位厚み1mmを乗じた値を「結晶粒界面積[Σl
×1(mm)]」としている。
晶粒界面積」の測定は不可能であるため、タフピッチ銅
鋳塊の任意面の結晶粒界の総延長である「トータル結晶
粒界Σl(mm)」を実測し、この値にタフピッチ銅鋳
塊の単位厚み1mmを乗じた値を「結晶粒界面積[Σl
×1(mm)]」としている。
【0022】このタフピッチ銅鋳塊の見掛けの粒界S濃
度であるCS (g/mm2 )が5.9×10-8(g/m
m2 )以下となるように、鋳造時におけるタフピッチ銅
鋳塊の結晶粒サイズを制御する。その後、タフピッチ銅
鋳塊に熱間加工(圧延、鍛造、引抜きなど)を施す。こ
こで、タフピッチ銅鋳塊の結晶粒サイズの制御は、例え
ば、溶融タフピッチ銅の低温鋳造、鋳造時における溶融
タフピッチ銅への超音波の付与、または鋳造時における
溶融タフピッチ銅の電磁攪拌などによって行う。
度であるCS (g/mm2 )が5.9×10-8(g/m
m2 )以下となるように、鋳造時におけるタフピッチ銅
鋳塊の結晶粒サイズを制御する。その後、タフピッチ銅
鋳塊に熱間加工(圧延、鍛造、引抜きなど)を施す。こ
こで、タフピッチ銅鋳塊の結晶粒サイズの制御は、例え
ば、溶融タフピッチ銅の低温鋳造、鋳造時における溶融
タフピッチ銅への超音波の付与、または鋳造時における
溶融タフピッチ銅の電磁攪拌などによって行う。
【0023】本発明によれば、鋳造時におけるタフピッ
チ銅鋳塊の結晶粒サイズを制御しているため、熱間加工
時におけるタフピッチ銅鋳塊の熱間加工割れを防ぐこと
ができると共に、最終製品の品質や特性などを向上させ
ることが可能となる。
チ銅鋳塊の結晶粒サイズを制御しているため、熱間加工
時におけるタフピッチ銅鋳塊の熱間加工割れを防ぐこと
ができると共に、最終製品の品質や特性などを向上させ
ることが可能となる。
【0024】本発明においては、タフピッチ銅を用いて
いるが、タフピッチ銅では、予め200〜500ppm
程度の酸素を含有しているため、酸化されやすい不純物
元素がタフピッチ銅中に混入した場合、その元素がタフ
ピッチ銅中の酸素と結合して酸化物となる可能性があ
る。
いるが、タフピッチ銅では、予め200〜500ppm
程度の酸素を含有しているため、酸化されやすい不純物
元素がタフピッチ銅中に混入した場合、その元素がタフ
ピッチ銅中の酸素と結合して酸化物となる可能性があ
る。
【0025】一方、酸素をほとんど含有しない無酸素銅
(O2 濃度:10ppm程度)の場合、無酸素銅中に混
入した不純物元素は、タフピッチ銅の場合と比較すると
当然異なる挙動をとることが考えられるが、無酸素銅鋳
塊の結晶粒を微細化し、結晶粒界に存在する有害元素で
あるSを分散させることは、熱間加工割れの防ぐための
手段として有効である。タフピッチ銅以上に酸素を含有
する銅または無酸素銅よりも酸素含有量の少ない銅(例
えば、OFHC)のいずれの場合においても、鋳塊の結
晶粒を微細化することは、その熱間加工割れの防止策と
して有効となる。
(O2 濃度:10ppm程度)の場合、無酸素銅中に混
入した不純物元素は、タフピッチ銅の場合と比較すると
当然異なる挙動をとることが考えられるが、無酸素銅鋳
塊の結晶粒を微細化し、結晶粒界に存在する有害元素で
あるSを分散させることは、熱間加工割れの防ぐための
手段として有効である。タフピッチ銅以上に酸素を含有
する銅または無酸素銅よりも酸素含有量の少ない銅(例
えば、OFHC)のいずれの場合においても、鋳塊の結
晶粒を微細化することは、その熱間加工割れの防止策と
して有効となる。
【0026】
【実施例】不可避的不純物とSのみを含むタフピッチ銅
において、S濃度を3、5、8、19、31(mass
ppm)と変化させたタフピッチ銅をAr雰囲気の加
熱炉において溶融し、溶融タフピッチ銅(以下、S−
3、S−5、S−8、S−19、S−31と呼ぶ)と
し、それぞれの溶融タフピッチ銅を用い、結晶粒サイズ
が0.5、1.0、2.0、3.0mmのタフピッチ銅
鋳塊を作製する。
において、S濃度を3、5、8、19、31(mass
ppm)と変化させたタフピッチ銅をAr雰囲気の加
熱炉において溶融し、溶融タフピッチ銅(以下、S−
3、S−5、S−8、S−19、S−31と呼ぶ)と
し、それぞれの溶融タフピッチ銅を用い、結晶粒サイズ
が0.5、1.0、2.0、3.0mmのタフピッチ銅
鋳塊を作製する。
【0027】この時における、結晶粒サイズの制御は、
溶融タフピッチ銅の温度を変えることによって行った。
具体的には、1,110〜1,200℃の温度範囲でそ
れぞれ30分保持し、溶湯を鋳型に流し込んだ後に空冷
することによって、結晶粒サイズの異なるタフピッチ銅
を作製した。
溶融タフピッチ銅の温度を変えることによって行った。
具体的には、1,110〜1,200℃の温度範囲でそ
れぞれ30分保持し、溶湯を鋳型に流し込んだ後に空冷
することによって、結晶粒サイズの異なるタフピッチ銅
を作製した。
【0028】また、それぞれのタフピッチ銅鋳塊1mm
3 に含まれるS量は、S−3で2.7×10-8(g)、
S−5で4.4×10-8(g)、S−8で7.1×10
-8(g)、S−19で1.7×10-7(g)、S−31
で2.8×10-7(g)である。
3 に含まれるS量は、S−3で2.7×10-8(g)、
S−5で4.4×10-8(g)、S−8で7.1×10
-8(g)、S−19で1.7×10-7(g)、S−31
で2.8×10-7(g)である。
【0029】その後、これらのタフピッチ銅鋳塊を、A
r雰囲気で800℃、30min加熱保持し、続いて加
工度30%で熱間圧延する。熱間圧延後のタフピッチ銅
鋳塊表面における熱間加工割れの有無を、倍率約10倍
の実態顕微鏡で表面観察することで評価した。
r雰囲気で800℃、30min加熱保持し、続いて加
工度30%で熱間圧延する。熱間圧延後のタフピッチ銅
鋳塊表面における熱間加工割れの有無を、倍率約10倍
の実態顕微鏡で表面観察することで評価した。
【0030】各タフピッチ銅鋳塊の諸元(鋳塊中のS濃
度(mass ppm)、鋳塊1mm3 中のS含有量
(g)、結晶粒サイズ(切片法により算出:mm)、鋳
塊1mm3 中の結晶粒界面積(mm2 )、見掛けの粒界
S濃度CS (g/mm2 ))および熱間加工割れの有無
を表1に示す。ここで、表1における○印は熱間加工割
れ「無し」を、×印は熱間加工割れ「有り」を表してい
る。
度(mass ppm)、鋳塊1mm3 中のS含有量
(g)、結晶粒サイズ(切片法により算出:mm)、鋳
塊1mm3 中の結晶粒界面積(mm2 )、見掛けの粒界
S濃度CS (g/mm2 ))および熱間加工割れの有無
を表1に示す。ここで、表1における○印は熱間加工割
れ「無し」を、×印は熱間加工割れ「有り」を表してい
る。
【0031】
【表1】
【0032】表1に示すように、S−3の溶融タフピッ
チ銅を鋳造して作製したタフピッチ銅鋳塊は、全ての結
晶粒サイズ(0.5、1.0、2.0、3.0(m
m))において、見掛けの粒界S濃度CS が5.9×1
0-8(g/mm2 )以下であるため、熱間加工割れは発
生していない。
チ銅を鋳造して作製したタフピッチ銅鋳塊は、全ての結
晶粒サイズ(0.5、1.0、2.0、3.0(m
m))において、見掛けの粒界S濃度CS が5.9×1
0-8(g/mm2 )以下であるため、熱間加工割れは発
生していない。
【0033】S−5の溶融タフピッチ銅を鋳造して作製
したタフピッチ銅鋳塊は、結晶粒サイズが0.5、1.
0、2.0(mm)においては、見掛けの粒界S濃度C
S が5.9×10-8(g/mm2 )以下であるため、熱
間加工割れは発生していないが、結晶粒サイズが3.0
(mm)においては、見掛けの粒界S濃度CS が6.3
×10-8(g/mm2 )と規定範囲外であるため、熱間
加工割れが発生していた。
したタフピッチ銅鋳塊は、結晶粒サイズが0.5、1.
0、2.0(mm)においては、見掛けの粒界S濃度C
S が5.9×10-8(g/mm2 )以下であるため、熱
間加工割れは発生していないが、結晶粒サイズが3.0
(mm)においては、見掛けの粒界S濃度CS が6.3
×10-8(g/mm2 )と規定範囲外であるため、熱間
加工割れが発生していた。
【0034】S−8の溶融タフピッチ銅を鋳造して作製
したタフピッチ銅鋳塊は、結晶粒サイズが0.5、1.
0、2.0(mm)においては、見掛けの粒界S濃度C
S が5.9×10-8(g/mm2 )以下であるため、熱
間加工割れは発生していないが、結晶粒サイズが3.0
(mm)においては、見掛けの粒界S濃度CS が9.7
×10-8(g/mm2 )と規定範囲外であるため、熱間
加工割れが発生していた。
したタフピッチ銅鋳塊は、結晶粒サイズが0.5、1.
0、2.0(mm)においては、見掛けの粒界S濃度C
S が5.9×10-8(g/mm2 )以下であるため、熱
間加工割れは発生していないが、結晶粒サイズが3.0
(mm)においては、見掛けの粒界S濃度CS が9.7
×10-8(g/mm2 )と規定範囲外であるため、熱間
加工割れが発生していた。
【0035】S−19の溶融タフピッチ銅を鋳造して作
製したタフピッチ銅鋳塊は、結晶粒サイズが0.5、
1.0(mm)においては、見掛けの粒界S濃度CS が
5.9×10-8(g/mm2 )以下であるため、熱間加
工割れは発生していないが、結晶粒サイズが2.0、
3.0(mm)においては、見掛けの粒界S濃度CS が
それぞれ1.3×10-7、2.7×10-7(g/m
m2 )と規定範囲外であるため、熱間加工割れが発生し
ていた。
製したタフピッチ銅鋳塊は、結晶粒サイズが0.5、
1.0(mm)においては、見掛けの粒界S濃度CS が
5.9×10-8(g/mm2 )以下であるため、熱間加
工割れは発生していないが、結晶粒サイズが2.0、
3.0(mm)においては、見掛けの粒界S濃度CS が
それぞれ1.3×10-7、2.7×10-7(g/m
m2 )と規定範囲外であるため、熱間加工割れが発生し
ていた。
【0036】S−31の溶融タフピッチ銅を鋳造して作
製したタフピッチ銅鋳塊は、全ての結晶粒サイズ(0.
5、1.0、2.0、3.0(mm))において、見掛
けの粒界S濃度CS がそれぞれ6.1×10-8、9.7
×10-8、2.0×10-7、4.5×10-7(g/mm
2 )と規定範囲外であるため、熱間加工割れが発生して
いた。
製したタフピッチ銅鋳塊は、全ての結晶粒サイズ(0.
5、1.0、2.0、3.0(mm))において、見掛
けの粒界S濃度CS がそれぞれ6.1×10-8、9.7
×10-8、2.0×10-7、4.5×10-7(g/mm
2 )と規定範囲外であるため、熱間加工割れが発生して
いた。
【0037】すなわち、タフピッチ銅鋳塊中に不純物元
素であるSなどを多少含有していても、タフピッチ銅鋳
塊中の結晶粒サイズを微細化して見掛けの粒界S濃度C
S を5.9×10-8(g/mm2 )以下とすることによ
り、熱間加工割れ感受性を低減することができる。これ
によって、製品の品質および特性の向上を図ることがで
きると共に、生産性の向上および低コスト化を図ること
ができる。
素であるSなどを多少含有していても、タフピッチ銅鋳
塊中の結晶粒サイズを微細化して見掛けの粒界S濃度C
S を5.9×10-8(g/mm2 )以下とすることによ
り、熱間加工割れ感受性を低減することができる。これ
によって、製品の品質および特性の向上を図ることがで
きると共に、生産性の向上および低コスト化を図ること
ができる。
【0038】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、タフピッ
チ銅鋳塊中に不純物元素であるSなどが含有されていて
も、タフピッチ銅鋳塊中の結晶粒サイズを微細化して見
掛けの粒界S濃度CS を5.9×10-8(g/mm2 )
以下とすることによって、熱間加工割れ感受性を低減し
ているため、新規設備およびラインの変更が不要である
という優れた効果を発揮する。
チ銅鋳塊中に不純物元素であるSなどが含有されていて
も、タフピッチ銅鋳塊中の結晶粒サイズを微細化して見
掛けの粒界S濃度CS を5.9×10-8(g/mm2 )
以下とすることによって、熱間加工割れ感受性を低減し
ているため、新規設備およびラインの変更が不要である
という優れた効果を発揮する。
【図1】従来のタフピッチ銅鋳塊の部分断面顕微鏡写真
の模式図である。(a)は熱間圧延加工前、(b)は熱
間圧延加工後を示している。
の模式図である。(a)は熱間圧延加工前、(b)は熱
間圧延加工後を示している。
1、11 タフピッチ銅鋳塊 2 結晶粒 3 結晶粒界 4 熱間加工割れ 5 ボイド(空隙)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市川 貴朗 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社パワーシステム研究所内 (72)発明者 根本 孝 茨城県日立市日高町5丁目1番1号 日立 電線株式会社パワーシステム研究所内 (72)発明者 角田 博昭 茨城県日立市川尻町4丁目10番1号 日立 電線株式会社豊浦工場内
Claims (2)
- 【請求項1】 Sを含有し、かつ、S以外の不可避的不
純物を適宜含んだタフピッチ銅鋳塊を熱間加工して所望
の製品を製造する際に、そのタフピッチ銅鋳塊における
単位結晶粒界面積当たりの見掛けのS量[見掛けの粒界
S濃度:CS (g/mm2 )]が5.9×10-8(g/
mm2 )以下となるように上記タフピッチ銅鋳塊の結晶
粒サイズを制御するようにしたことを特徴とするタフピ
ッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方法。 - 【請求項2】 上記タフピッチ銅鋳塊の結晶粒サイズ
が、溶融タフピッチ銅の低温鋳造、鋳造時における溶融
タフピッチ銅への超音波の付与、または鋳造時における
溶融タフピッチ銅の電磁攪拌などによって制御される請
求項1記載のタフピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32515196A JPH10166135A (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | タフピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32515196A JPH10166135A (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | タフピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10166135A true JPH10166135A (ja) | 1998-06-23 |
Family
ID=18173612
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32515196A Pending JPH10166135A (ja) | 1996-12-05 | 1996-12-05 | タフピッチ銅鋳塊の熱間加工割れ防止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10166135A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001016646A1 (fr) * | 1999-09-01 | 2001-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Panneau d'affichage a cristaux liquides et son procede de production |
-
1996
- 1996-12-05 JP JP32515196A patent/JPH10166135A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001016646A1 (fr) * | 1999-09-01 | 2001-03-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Panneau d'affichage a cristaux liquides et son procede de production |
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