JPH10165876A - Substrate treating device - Google Patents
Substrate treating deviceInfo
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- JPH10165876A JPH10165876A JP32843396A JP32843396A JPH10165876A JP H10165876 A JPH10165876 A JP H10165876A JP 32843396 A JP32843396 A JP 32843396A JP 32843396 A JP32843396 A JP 32843396A JP H10165876 A JPH10165876 A JP H10165876A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネル用
ガラス基板、半導体ウエハ、半導体製造用のマスク基板
等の基板に、密閉空間内において所定の処理を施す基板
処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for performing predetermined processing in a closed space on a substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display panel, a semiconductor wafer, a mask substrate for manufacturing a semiconductor, and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の基板処理装置の一つとして、例え
ば特開平７−２８３１０８号公報にスピンコータなどの
塗布装置によって基板の上面に塗布された塗布液を減圧
乾燥する減圧乾燥装置が開示されている。2. Description of the Related Art As one of conventional substrate processing apparatuses, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-283108 discloses a reduced-pressure drying apparatus for drying a coating liquid applied to the upper surface of a substrate by a coating apparatus such as a spin coater. I have.
【０００３】この減圧乾燥装置は、ケース本体と、ケー
ス本体に設けられ、その上面に塗布装置によって塗布液
が塗布された基板の下面に当接して基板を水平に支持す
る複数の支持ピンと、ケース本体に対して昇降自在な蓋
と、ケース本体および蓋によって形成される密閉空間内
の雰囲気を排気する真空ポンプなどに接続された排気配
管と、排気配管の途中に設けられた切替弁を介して、密
閉空間内にガス供給源からガスを供給する供給配管とを
有している。This vacuum drying apparatus is provided with a case main body, a plurality of support pins provided on the case main body, and supporting the substrate horizontally by contacting the lower surface of the substrate having an upper surface coated with a coating liquid by a coating device; Via a lid that can be raised and lowered with respect to the main body, an exhaust pipe connected to a vacuum pump that exhausts the atmosphere in the enclosed space formed by the case main body and the lid, and a switching valve provided in the middle of the exhaust pipe. And a supply pipe for supplying gas from a gas supply source in the closed space.
【０００４】上述の減圧乾燥装置を用いて基板の上面に
塗布された塗布液を乾燥させる手順は、まず、蓋を下降
させて、ケース本体および蓋によって支持ピン上に支持
された基板の周囲に密閉空間を形成した後、密閉空間内
の雰囲気を排気配管から排気することにより、密閉空間
内を減圧状態とし、基板に塗布された塗布液を乾燥させ
る。そして、切替弁を切り替えて、供給配管から密閉空
間へガスを供給し、減圧状態を解除した後、蓋を上昇さ
せて、搬送ロボットによって基板を支持ピン上から搬出
するというものである。The procedure for drying the coating solution applied to the upper surface of the substrate by using the above-described vacuum drying apparatus is as follows. First, the lid is lowered to surround the substrate supported on the support pins by the case body and the lid. After the closed space is formed, the atmosphere in the closed space is exhausted from the exhaust pipe to reduce the pressure in the closed space, and the coating liquid applied to the substrate is dried. Then, the switching valve is switched to supply gas from the supply pipe to the closed space, release the depressurized state, raise the lid, and carry out the substrate from the support pins by the transfer robot.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
減圧乾燥装置では、蓋の開閉動作に長時間を要するの
で、基板を支持して減圧乾燥する処理時間が長くなり、
基板と支持ピンとの温度差により生じる基板上の温度の
ばらつきが塗布液の乾燥に影響を及ぼし、基板の上面に
塗布された塗布液の乾燥むらが生じるという問題があ
る。この乾燥むらは、例えば、基板が液晶表示器用の場
合においては、液晶表示器により表示される画像の画像
むらの原因となる。However, in the above-mentioned vacuum drying apparatus, since the opening and closing operation of the lid requires a long time, the processing time of supporting the substrate and drying under reduced pressure becomes long.
There is a problem that the temperature variation on the substrate caused by the temperature difference between the substrate and the support pins affects the drying of the coating liquid, and the coating liquid applied on the upper surface of the substrate has uneven drying. For example, when the substrate is used for a liquid crystal display, the drying unevenness causes image unevenness of an image displayed by the liquid crystal display.
【０００６】上述の乾燥むらの発生は、前記処理時間を
短縮し、前記温度差による影響を抑制することにより防
止できる。ここで、前記処理時間とは、搬送ロボットに
より基板が支持ピン上に載置されてから、蓋の下降が完
了するまでの下降時間と、支持ピン上の基板が減圧乾燥
される乾燥処理時間と、乾燥処理時間経過後、蓋の上昇
開始から、基板が支持ピン上から搬送ロボットによって
搬出されるまでの上昇時間との合計時間である。したが
って、処理時間を短縮するためには、前述の下降時間、
乾燥処理時間、上昇時間をそれぞれ短縮すればよいが、
乾燥処理時間は、塗布液を充分に乾燥させるために、所
定時間より短縮させることができない。そこで、蓋の昇
降速度を増大させて、蓋の下降時間および上昇時間を短
縮することが考えられるが、昇降速度を所定速度以上に
増大させると、蓋の移動によりケース本体上のパーティ
クルが巻き上げられ、基板に付着するという問題が生
じ、蓋の下降速度を増大させると、蓋がケース本体に当
接する際の速度が大きくなり、蓋とケース本体との接触
箇所が磨耗する度合いが大きくなるという問題が生じ
る。[0006] The occurrence of the uneven drying can be prevented by shortening the processing time and suppressing the influence of the temperature difference. Here, the processing time is a descent time from when the substrate is placed on the support pins by the transfer robot to when the lowering of the lid is completed, and a drying processing time when the substrate on the support pins is dried under reduced pressure. This is the total time from the start of lifting of the lid after the elapse of the drying processing time to the time required for the substrate to be unloaded from the support pins by the transfer robot. Therefore, in order to shorten the processing time, the above-described descent time,
It is only necessary to shorten the drying time and the rise time, respectively.
The drying time cannot be shorter than the predetermined time in order to sufficiently dry the coating solution. Therefore, it is conceivable to increase the elevating speed of the lid to shorten the descent time and the elevating time of the lid.However, if the elevating speed is increased to a predetermined speed or more, particles on the case body are wound up by the movement of the lid. When the lowering speed of the lid is increased, the speed at which the lid comes into contact with the case body increases, and the degree of wear of the contact portion between the lid and the case body increases. Occurs.
【０００７】そこで、本発明は前記問題点に鑑み、蓋ま
たはケース本体の移動によるパーティクルの巻上げ、お
よびケース本体および蓋の接触箇所の磨耗を防止しつ
つ、基板の受入れから搬出までの時間を短縮可能な基板
処理装置を提供することを目的とする。[0007] In view of the above problems, the present invention reduces the time from receipt of a substrate to unloading of a substrate while preventing winding of particles due to movement of a lid or a case main body, and abrasion of contact portions between the case main body and the lid. It is an object to provide a possible substrate processing apparatus.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の技術的手段は、密閉空間内で基板に所定の処理を施す
基板処理装置において、相対的に開閉可能に設けられ、
互いに当接して閉じた状態で密閉空間を形成するケース
本体および蓋と、ケース本体に設けられ、密閉空間内に
て基板を支持する支持部材と、蓋およびケース本体の少
なくとも一方を往復移動させ、ケース本体と蓋とを互い
に開閉させる移動手段と、移動手段によりケース本体と
蓋とが互いに近接して閉じる方向に移動される際の近接
速度をケース本体と蓋との間の距離の減少に応じて遅く
し、ケース本体と蓋とが互いに離反して開く方向に移動
される際の離反速度を距離の増大に応じて速くする速度
制御手段と、を備えることを特徴とする。A technical means for achieving the above object is provided in a substrate processing apparatus for performing a predetermined processing on a substrate in a closed space, and is provided so as to be relatively openable and closable,
A case body and a lid that form a sealed space in a closed state in contact with each other, a support member provided in the case body and supporting the substrate in the sealed space, and at least one of the lid and the case body is reciprocated, A moving means for opening and closing the case body and the lid with each other, and an approach speed when the case body and the lid are moved in the closing direction close to each other by the moving means in accordance with a decrease in the distance between the case body and the lid. And a speed control means for increasing a separation speed when the case body and the lid are moved in a direction of opening apart from each other in accordance with an increase in the distance.
【０００９】また、速度制御手段は、近接速度および離
反速度を段階的に変化させることを特徴とする。Further, the speed control means is characterized in that the approach speed and the separation speed are changed stepwise.
【００１０】なお、本発明における「密閉空間」には、
完全な密閉空間のみでなく、半密閉空間も含まれるもの
とする。The "closed space" in the present invention includes:
It shall include not only a completely enclosed space but also a semi-enclosed space.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１実施形態の
基板処理装置１を示す正面図である。この基板処理装置
１は、スピンコータ等により上面にレジスト液が塗布さ
れた基板３の周囲の雰囲気を減圧してレジスト液を乾燥
させるための減圧乾燥装置であり、装置本体５上に設置
されるケース本体７と、ケース本体７に対して接離可能
に装置本体５により支持された蓋９とにより形成される
密閉空間内の雰囲気を、装置本体５内に備えられた真空
ポンプ１１により排気し、密閉空間内を減圧し、基板３
の上面に塗布されたレジスト液を乾燥させるようになっ
ている。FIG. 1 is a front view showing a substrate processing apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1 is a decompression drying apparatus for drying the resist solution by depressurizing the atmosphere around the substrate 3 on which the resist solution is applied on the upper surface by a spin coater or the like. An atmosphere in a closed space formed by the main body 7 and the lid 9 supported by the apparatus main body 5 so as to be able to approach and separate from the case main body 7 is evacuated by a vacuum pump 11 provided in the apparatus main body 5, The pressure in the enclosed space is reduced, and the substrate 3
The resist liquid applied on the upper surface of the substrate is dried.
【００１２】ケース本体７の上面には、基板３の下面に
当接して基板３を水平な状態で支持する複数の支持ピン
１３（支持部材）が突設されており、この支持ピン１３
上に基板３が載置された状態で、蓋９をケース本体７に
装着すると、基板３の周囲の空間が外部と遮断されるよ
うになっている。また、ケース本体７の上面の蓋９と当
接する部分には、Ｏリング１５が備えられている。A plurality of support pins 13 (support members) projecting from the upper surface of the case body 7 to abut on the lower surface of the substrate 3 and support the substrate 3 in a horizontal state.
When the lid 9 is mounted on the case body 7 with the substrate 3 placed thereon, the space around the substrate 3 is shut off from the outside. Further, an O-ring 15 is provided in a portion of the upper surface of the case body 7 which comes into contact with the lid 9.
【００１３】蓋９は、装置本体５に昇降（開閉）可能に
取付けられた支持フレーム１７に固定されている。ま
た、装置本体５には蓋９を昇降移動させるエアシリンダ
１９（移動手段）が固定されており、このエアシリンダ
１９が、蓋９および支持フレーム１７全体を昇降移動さ
せるようになっている。The lid 9 is fixed to a support frame 17 mounted on the apparatus main body 5 so as to be able to move up and down (open and close). An air cylinder 19 (moving means) for moving the lid 9 up and down is fixed to the apparatus main body 5, and the air cylinder 19 moves the lid 9 and the entire support frame 17 up and down.
【００１４】装置本体５内には、前述の真空ポンプ１１
の他に、減圧状態を解除するために密閉空間内に所定の
ガスを供給するガス供給部２１と、エアシリンダ１９に
圧縮空気を供給し、エアシリンダ１９を駆動する空気供
給部２３とが備えられている。真空ポンプ１１が接続さ
れる排気配管と、ガス供給部２１が接続される供給配管
とは、密閉空間内の雰囲気の排気および密閉空間内にガ
スを供給するための配管２５に切替弁（図示せず）を介
して接続されている。そして、配管２５は、ケース本体
７に設けられる排気および給気のための孔部２７に気密
に連通している。In the apparatus main body 5, the above-described vacuum pump 11 is provided.
In addition, a gas supply unit 21 that supplies a predetermined gas into the closed space to release the reduced pressure state, and an air supply unit 23 that supplies compressed air to the air cylinder 19 and drives the air cylinder 19 are provided. Have been. An exhaust pipe to which the vacuum pump 11 is connected and a supply pipe to which the gas supply unit 21 is connected are provided with a switching valve (not shown) for exhausting the atmosphere in the enclosed space and supplying gas to the enclosed space. Zu) is connected through. The pipe 25 is airtightly connected to a hole 27 provided in the case body 7 for exhaust and air supply.
【００１５】図２は、空気供給部２３およびエアシリン
ダ１９の構成を示す図である。空気供給部２３は、エア
シリンダ１９に圧縮空気を供給するポンプ部３１と、こ
のポンプ部３１からエアシリンダ１９の上側の給排気孔
１９ａに至る配管３３に並列状態で介在する第１および
第２流速制御部３５，３７と、ポンプ部３１からエアシ
リンダ１９の下側の給排気孔１９ｂに至る配管３９に並
列状態で介在する第３および第４流速制御部４１，４３
と、第１ないし第４流速制御部３５，３７，４１，４３
毎に設けられる４個の電磁弁４５ａないし４５ｄと、エ
アシリンダ１９に設けられたセンサ４７，４９，５１
（後述）からの信号に基づいて、電磁弁４５ａないし４
５ｄを制御する制御部５３とを備えて構成される。ここ
で、空気供給部２３とセンサ４７，４９，５１とが、後
述するように蓋９の移動速度を制御する速度制御手段と
しての機能を有している。FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the air supply unit 23 and the air cylinder 19. The air supply unit 23 includes a pump unit 31 that supplies compressed air to the air cylinder 19, and first and second pump units 31 interposed in parallel with a pipe 33 that extends from the pump unit 31 to a supply / exhaust hole 19 a on the upper side of the air cylinder 19. Third and fourth flow rate control sections 41, 43 interposed in parallel with flow rate control sections 35, 37 and a pipe 39 extending from the pump section 31 to the air supply / exhaust hole 19b below the air cylinder 19.
And the first to fourth flow rate control units 35, 37, 41, 43
And four solenoid valves 45a to 45d provided for each of the sensors 47, 49, 51 provided in the air cylinder 19.
(Described later), the solenoid valves 45a through 45
And a control unit 53 for controlling 5d. Here, the air supply unit 23 and the sensors 47, 49, and 51 have a function as speed control means for controlling the moving speed of the lid 9 as described later.
【００１６】第１ないし第４の各流速制御部３５，３
７，４１，４３は、図３に示されるように、逆止弁５５
と絞り５７とが並列に接続されて構成されている。逆止
弁５５は、ポンプ部３１側からエアシリンダ１９側への
空気は通過させるが、反対にエアシリンダ１９側からポ
ンプ部３１側への空気は遮断するようになっている。し
たがって、空気が各流速制御部３５，３７，４１，４３
をエアシリンダ１９側に向けて通過する際には、空気は
絞り５７による影響を殆ど受けることなく流速制御部３
５，３７，４１，４３を通過し、反対に空気が各流速制
御部３５，３７，４１，４３をポンプ部３１側へ通過す
る際には、絞り５７により空気の流速が低下されるよう
になっている。また、第１流速制御部３５の絞り５７と
第２流速制御部３７の絞り５７とは、空気の流速を低下
させる度合いが異なっており、同様に第３流速制御部４
１の絞り５７と第４流速制御部４３の絞り５７とは、空
気の流速を低下させる度合いが異なっている。First to fourth flow rate control units 35, 3
7, 41 and 43 are check valves 55 as shown in FIG.
And the diaphragm 57 are connected in parallel. The check valve 55 allows air from the pump section 31 side to the air cylinder 19 side to pass through, but conversely blocks air from the air cylinder 19 side to the pump section 31 side. Therefore, the air flows into each of the flow rate control units 35, 37, 41, 43.
When passing through the air cylinder 19 toward the air cylinder 19 side, the air is hardly affected by the throttle 57 and
5, 37, 41, and 43, and conversely, when the air passes through the respective flow rate control units 35, 37, 41, and 43 toward the pump unit 31, the throttle 57 reduces the air flow rate. Has become. The throttle 57 of the first flow rate control unit 35 and the throttle 57 of the second flow rate control unit 37 have different degrees of decreasing the air flow rate, and similarly, the third flow rate control unit 4
The first throttle 57 and the throttle 57 of the fourth flow rate control unit 43 differ in the degree to which the air flow rate is reduced.
【００１７】このため、配管３３を介してエアシリンダ
１９に一定出力で圧縮空気を供給し、蓋９を下降させて
いる状態において、電磁弁４５ｃ，４５ｄを制御して、
エアシリンダ１９から排気される空気を第３流速制御部
４１を通過させている状態から第４流速制御部４３を通
過させている状態に、或いは、第４流速制御部４３を通
過させている状態から第３流速制御部４１を通過させて
いる状態に切り替えると、これに応じて蓋９の下降速度
が変化するようになっている。また、同様に、配管３９
を介してエアシリンダ１９に一定出力で圧縮空気を供給
し、蓋９を上昇させている状態において、電磁弁４５
ａ，４５ｂを制御して、エアシリンダ１９から排気され
る空気を第１流速制御部３５を通過させている状態から
第２流速制御部３７を通過させている状態に、或いは、
第２流速制御部３７を通過させている状態から第１流速
制御部３５を通過させている状態に切り替えると、これ
に応じて蓋９の上昇速度が変化するようになっている。For this reason, compressed air is supplied at a constant output to the air cylinder 19 via the pipe 33, and while the lid 9 is lowered, the solenoid valves 45c and 45d are controlled to
The state in which the air exhausted from the air cylinder 19 is passing through the third flow rate control unit 41 from the state in which it is passing through the third flow rate control unit 41, or the state in which the air exhausted from the air cylinder 19 is passing through the fourth flow rate control unit 43 When the state is switched to the state of passing through the third flow rate control unit 41, the lowering speed of the lid 9 changes accordingly. Similarly, the pipe 39
Compressed air is supplied at a constant output to the air cylinder 19 through the
a, 45b is controlled so that the air exhausted from the air cylinder 19 is passed through the first flow rate control unit 35 to the state where it is passed through the second flow rate control unit 37, or
When switching from the state of passing through the second flow rate control unit 37 to the state of passing through the first flow rate control unit 35, the rising speed of the lid 9 changes accordingly.
【００１８】ここでは、第１および第３流速制御部３
５，４１の絞り５７よりも第２および第４流速制御部３
７，４３の絞り５７の方が、空気の流速を低下させる度
合いが大きくなるように設定されているので、エアシリ
ンダ１９から排気される空気が、第１、第３流速制御部
３５，４１を通過している状態の方が、第２、第４流速
制御部３７，４３を通過している状態よりも蓋９の移動
速度が速くなるようになっている。Here, the first and third flow rate control units 3
The second and fourth flow rate control units 3 are smaller than the throttles 57 of 5, 41.
Since the throttles 57 of the nozzles 7 and 43 are set so as to increase the degree of decreasing the flow velocity of the air, the air exhausted from the air cylinder 19 causes the first and third flow velocity control units 35 and 41 to pass through. The moving speed of the lid 9 is higher in the passing state than in the passing states of the second and fourth flow rate control units 37 and 43.
【００１９】エアシリンダ１９のシリンダ部１９ｃの側
壁には、シリンダ部１９ｃ内を上下に移動するピストン
１９ｄに備えられた永久磁石等の磁気を発する磁気発生
手段５９が発する磁気を検知する３個のセンサ４７，４
９，５１が備えられており、磁気発生手段５９が発する
磁気をセンサ４７，４９，５１で検知することにより、
シリンダ部１９ｃ内におけるピストン１９ｄの位置、即
ち、ケース本体７と蓋９との間の距離が検出されるよう
になっている。ここで、センサ４７は、シリンダ部１９
ｃ内におけるピストン１９ｄの上限位置Ａ１に対応する
位置に備えられており、センサ４９は、シリンダ部１９
ｃ内におけるピストン１９ｄの下限位置Ａ２に対応する
位置に備えられており、センサ５１は、上限位置Ａ１と
下限位置Ａ２との間の中間位置Ａ３、ここでは上限位置
Ａ１と下限位置Ａ２との中心位置に備えられている。On the side wall of the cylinder portion 19c of the air cylinder 19, three magnets for detecting magnetism generated by magnetism generating means 59 such as a permanent magnet provided on a piston 19d moving up and down in the cylinder portion 19c are detected. Sensor 47, 4
9 and 51 are provided, and the sensors 47, 49 and 51 detect the magnetism generated by the magnetism generating means 59,
The position of the piston 19d in the cylinder portion 19c, that is, the distance between the case body 7 and the lid 9 is detected. Here, the sensor 47 is connected to the cylinder 19
c, the sensor 49 is provided at a position corresponding to the upper limit position A1 of the piston 19d.
c, the sensor 51 is provided at a position corresponding to the lower limit position A2 of the piston 19d, and the sensor 51 is provided at an intermediate position A3 between the upper limit position A1 and the lower limit position A2, here the center of the upper limit position A1 and the lower limit position A2. It is equipped with a position.
【００２０】配管３３および３９の流速制御部３５，３
７，４１，４３のポンプ部３１側に挿入される電磁弁４
５ａ，４５ｂおよび４５ｃ，４５ｄは、配管３３，３９
が接続される２つの接続口と、エアシリンダ１９からの
空気を外部に排気するための排気口とを有しており、２
つの接続口間を連通させて配管３３，３９をポンプ部３
１側とエアシリンダ１９側との間で連通させる第１の状
態と、ポンプ部３１側の接続口を閉鎖してエアシリンダ
１９側の接続口と排気口とを連通させ、配管３３，３９
をエアシリンダ１９側から排気口を介して外部に開放す
る第２の状態と、２つの接続口間、および各接続口と排
気口との間を遮断する第３の状態とを有している。この
ような電磁弁４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄは、制御
部５３からの信号によってその状態が第１ないし第３の
状態間で切り替わるようになっている。The flow rate control units 35 and 3 of the pipes 33 and 39
Solenoid valve 4 inserted on the pump section 31 side of 7, 41, 43
5a, 45b and 45c, 45d are pipes 33, 39
Are connected, and an exhaust port for exhausting air from the air cylinder 19 to the outside is provided.
The pipes 33 and 39 are connected to the pump section 3 by connecting the two connection ports.
The first state of communication between the first side and the air cylinder 19 side, and the connection port on the pump section 31 side is closed to allow the connection port on the air cylinder 19 side and the exhaust port to communicate with each other.
A second state in which the air outlet is opened from the air cylinder 19 side to the outside through the exhaust port, and a third state in which the two ports are connected and the connection between each port and the exhaust port is shut off. . The states of the solenoid valves 45a, 45b, 45c, and 45d are switched between the first to third states by a signal from the control unit 53.
【００２１】次に、蓋９の開閉動作について説明する。
蓋９が閉じられる際には、制御部５３により、電磁弁４
５ａ，４５ｂのうちの少なくともいずれか一方が第３の
状態から第１の状態に切り替えられ、電磁弁４５ｄが第
３の状態のままで、電磁弁４５ｃが第３の状態から第２
の状態に切り替えられた状態で、配管３３を介してポン
プ部３１よるエアシリンダ１９への圧縮空気の供給が開
始される。このように圧縮空気が供給されると、エアシ
リンダ１９から排気される空気は、第３流速制御部４１
を通過して、電磁弁４５ｃから放出されので、ピストン
１９ｄがシリンダ部１９ｃ内を第１速度で上限位置Ａ１
から下方に進み、これに伴って蓋９がケース本体７に向
けて第１速度で下降する。そして、ピストン１９ｄが中
間位置Ａ３に到達すると、制御部５３により、電磁弁４
５ｃが第２の状態から第３の状態に切り替えられて電磁
弁４５ｄが第３の状態から第２の状態に切り替えられ、
エアシリンダ１９から排気される空気が第４流速制御部
４３を通過して電磁弁４５ｄから外部に放出されるよう
になり、ピストン１９ｄの下方への移動速度が低下し、
これに伴って蓋９が前記第１速度よりも遅い第２速度で
降下するようになる。さらに、ピストン１９ｄが下方に
進み、下限位置Ａ２に到達し、蓋９がケース本体７に当
接して蓋９が閉じられると、制御部５３により全ての電
磁弁４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄが第３の状態に切
り替えられ、蓋９の閉じ動作が完了する。Next, the opening and closing operation of the lid 9 will be described.
When the lid 9 is closed, the controller 53 controls the solenoid valve 4
At least one of 5a and 45b is switched from the third state to the first state, the electromagnetic valve 45d remains in the third state, and the electromagnetic valve 45c is moved from the third state to the second state.
In this state, the supply of the compressed air to the air cylinder 19 by the pump unit 31 through the pipe 33 is started. When the compressed air is supplied in this manner, the air exhausted from the air cylinder 19 is supplied to the third flow rate control unit 41.
Through the solenoid valve 45c, the piston 19d moves in the cylinder portion 19c at the first speed at the upper limit position A1.
, The lid 9 descends toward the case body 7 at the first speed. When the piston 19d reaches the intermediate position A3, the control unit 53 controls the solenoid valve 4
5c is switched from the second state to the third state, the solenoid valve 45d is switched from the third state to the second state,
The air exhausted from the air cylinder 19 passes through the fourth flow rate control unit 43 and is discharged from the solenoid valve 45d to the outside, and the downward moving speed of the piston 19d decreases,
Along with this, the lid 9 descends at the second speed lower than the first speed. Further, when the piston 19d advances downward and reaches the lower limit position A2, and the lid 9 contacts the case body 7 and the lid 9 is closed, the control unit 53 causes all the solenoid valves 45a, 45b, 45c, and 45d to move to the first position. 3 and the closing operation of the lid 9 is completed.
【００２２】蓋９を開かせる際には、制御部５３によ
り、電磁弁４５ｃ，４５ｄのうちの少なくともいずれか
一方が第３の状態から第１の状態に切り替えられ、電磁
弁４５ａが第３の状態のままで、電磁弁４５ｂが第３の
状態から第２の状態に切り替えられた状態で、配管３９
を介してポンプ部３１よるエアシリンダ１９への圧縮空
気の供給が開始される。このように圧縮空気が供給され
ると、エアシリンダ１９から排気される空気は、第２流
速制御部３７を通過して電磁弁４５ｂを介して外部に放
出されので、ピストン１９ｄがシリンダ部１９ｃ内を第
３速度で下限位置Ａ２から上方に進み、これに伴って蓋
９がケース本体７から遠ざかるように第３速度で上昇す
る。そして、ピストン１９ｄが中間位置Ａ３に到達する
と、制御部５３により、電磁弁４５ｂが第２の状態から
第３の状態に切り替えられて電磁弁４５ａが第３の状態
から第２の状態に切り替えられ、エアシリンダ１９から
排気される空気が第１流速制御部３５を通過して電磁弁
４５ａから外部に放出されるようになり、ピストン１９
ｄの上方への移動速度が速くなり、これに伴って蓋９が
前記第３速度よりも速い第４速度で上昇するようにな
る。ピストン１９ｄがさらに上方に進み、上限位置Ａ１
に到達し、蓋９が完全に開かれると、制御部５３により
全ての電磁弁４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，４５ｄが第３の
状態に切り替えられ、蓋９の開き動作が完了する。When the lid 9 is opened, at least one of the solenoid valves 45c and 45d is switched from the third state to the first state by the control unit 53, and the solenoid valve 45a is switched to the third state. In the state where the solenoid valve 45b is switched from the third state to the second state while maintaining the state, the piping 39
, The supply of compressed air to the air cylinder 19 by the pump unit 31 is started. When the compressed air is supplied in this manner, the air exhausted from the air cylinder 19 passes through the second flow rate control unit 37 and is discharged to the outside via the electromagnetic valve 45b, so that the piston 19d moves inside the cylinder unit 19c. At the third speed, and the lid 9 rises at the third speed so that the lid 9 moves away from the case body 7. When the piston 19d reaches the intermediate position A3, the control unit 53 switches the solenoid valve 45b from the second state to the third state, and switches the solenoid valve 45a from the third state to the second state. The air exhausted from the air cylinder 19 passes through the first flow rate control unit 35 and is discharged to the outside from the solenoid valve 45a.
The upward moving speed of d increases, and accordingly, the lid 9 rises at the fourth speed higher than the third speed. The piston 19d moves further upward, and the upper limit position A1
And the lid 9 is completely opened, the control unit 53 switches all the solenoid valves 45a, 45b, 45c, and 45d to the third state, and the opening operation of the lid 9 is completed.
【００２３】蓋９が下降する際の前記第２速度は、蓋９
とケース本体７との当接により生じる蓋９とケース本体
７との接触箇所、例えばＯリング１５等の磨耗、および
衝撃の大きさが許容限度内にある上限の速度に設定され
ており、蓋９が上昇する際の前記第３速度は、蓋９がケ
ース本体７から離反する際に蓋９が周囲のパーティクル
を巻き上げない上限の速度に設定されている。この第２
速度と第３速度は同一速度でもよいし、異なる速度でも
よい。また、前記第１速度と第４速度とは、同一速度で
もよいし、異なる速度でもよい。The second speed when the lid 9 descends is determined by the
The contact speed between the cover 9 and the case body 7 caused by the contact between the cover 9 and the case body 7, for example, the wear of the O-ring 15 or the like, and the magnitude of the impact are set to an upper limit speed within an allowable limit. The third speed at which the cover 9 rises is set to an upper limit speed at which the cover 9 does not wind up surrounding particles when the cover 9 separates from the case body 7. This second
The speed and the third speed may be the same speed or different speeds. The first speed and the fourth speed may be the same speed or different speeds.
【００２４】この装置を用いた基板３の乾燥処理の手順
を説明すると、上面にレジスト液が塗布された基板３が
搬送ロボット等により支持ピン１３上に載置されると、
上述のようにして蓋９が下降され、蓋９が閉じられ、蓋
９およびケース本体７とにより基板３の周囲に密閉空間
が形成される。このように蓋９が閉じられると、真空ポ
ンプ１１により密閉空間内が減圧され、所定時間が経過
するまで、即ち基板３に塗布されたレジスト液が完全に
乾燥するまでこのままの状態が保たれ、前記所定時間が
経過すると、配管２５に接続された前述の切替弁が真空
ポンプ１１側からガス供給部２１側に切替えられ、減圧
されている密閉空間内にガス供給部２１によりガスが供
給され、密閉空間内の減圧状態が解除された後、上述の
ようにして蓋９が上昇され、蓋９が開かれる。蓋９が開
かれると、支持ピン１３上に載置された基板３が搬送ロ
ボット等により搬出される。The procedure of the drying process of the substrate 3 using this apparatus will be described. When the substrate 3 coated with the resist liquid on the upper surface is placed on the support pins 13 by a transfer robot or the like,
As described above, the lid 9 is lowered, the lid 9 is closed, and a closed space is formed around the substrate 3 by the lid 9 and the case body 7. When the lid 9 is closed in this way, the inside of the sealed space is depressurized by the vacuum pump 11, and this state is maintained until a predetermined time elapses, that is, until the resist liquid applied to the substrate 3 is completely dried. When the predetermined time has elapsed, the switching valve connected to the pipe 25 is switched from the vacuum pump 11 side to the gas supply unit 21 side, and gas is supplied from the gas supply unit 21 into the depressurized closed space, After the depressurized state in the closed space is released, the lid 9 is raised and the lid 9 is opened as described above. When the lid 9 is opened, the substrate 3 placed on the support pins 13 is carried out by a transfer robot or the like.
【００２５】以上のように、本実施形態によれば、蓋９
の開閉時、蓋９がケース本体７から充分に離れていると
き、即ちピストン１９ｄが上限位置Ａ１と中間位置Ａ２
との間にあるときには、蓋９が速度の速い第１または第
４速度で移動され、蓋９がケース本体７の比較的近傍に
位置しているときには、即ちピストン１９ｄが中間位置
Ａ３と下限位置Ａ２との間にあるときには、蓋９の速度
の遅い第２または第３速度で移動されるようになってい
るので、蓋９とケース本体７との接触箇所の磨耗、およ
び蓋９によるパーティクルの巻上げを防止しつつ、蓋９
の開閉に要する時間を短縮することができ、その結果基
板３の減圧乾燥の処理時間を短縮することができる。処
理時間を短縮することによって、基板と支持ピンとの温
度差がレジスト液の乾燥に与える影響を抑制するするこ
とができ、レジスト液の乾燥むらが生じるのを防止する
ことができる。As described above, according to the present embodiment, the lid 9
When the lid 9 is opened and closed, when the lid 9 is sufficiently separated from the case body 7, that is, when the piston 19d is moved from the upper limit position A1 to the intermediate position A2.
When the cover 9 is moved at the first or fourth speed at a high speed, and when the cover 9 is located relatively close to the case body 7, that is, when the piston 19d is moved between the intermediate position A3 and the lower limit position A2, the lid 9 is moved at the second or third speed where the speed of the lid 9 is low, so that the contact point between the lid 9 and the case body 7 is worn, and While preventing winding up, the lid 9
The time required for opening and closing the substrate 3 can be reduced, and as a result, the processing time for drying the substrate 3 under reduced pressure can be reduced. By shortening the processing time, the influence of the temperature difference between the substrate and the support pins on the drying of the resist solution can be suppressed, and unevenness in the drying of the resist solution can be prevented.
【００２６】なお、本実施例では、センサ５１の設置位
置をシリンダ部１９ｃ内におけるピストン１９ｄの上限
位置Ａ１と下限位置Ａ２との間の中心に設定したが、前
記設置位置を上限位置Ａ１と下限位置Ａ２との間の中心
よりも下方に設定して、蓋９の開閉に要する時間のさら
に短縮するようにしてもよい。In this embodiment, the installation position of the sensor 51 is set at the center between the upper limit position A1 and the lower limit position A2 of the piston 19d in the cylinder portion 19c. The time required for opening and closing the lid 9 may be further set to be lower than the center between the positions A2.
【００２７】図４は、本発明の第２実施形態の基板処理
装置に備えられるエアシリンダ６１、およびエアシリン
ダ６１に圧縮空気を供給する空気供給部６３の構成を示
す図である。本実施形態の基板処理装置は、前述の第１
実施形態の基板処理装置１と同様に基板の減圧乾燥を行
う減圧乾燥装置であり、第１実施形態の基板処理装置１
と対応する部分には同一の参照符号を付して説明を省略
する。FIG. 4 is a diagram showing the configuration of an air cylinder 61 provided in a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention, and an air supply unit 63 for supplying compressed air to the air cylinder 61. The substrate processing apparatus according to the present embodiment includes the first
This is a reduced-pressure drying apparatus that performs reduced-pressure drying of a substrate in the same manner as the substrate processing apparatus 1 of the embodiment.
The same reference numerals are given to portions corresponding to and the description thereof will be omitted.
【００２８】本実施形態の基板処理装置のエアシリンダ
６１の側壁部には、ピストン１９ｄの上限位置Ａ１に対
応したセンサ４７、およびピストン１９ｄの下限位置Ａ
２に対応したセンサ４９の他に、上限位置Ａ１と下限位
置Ａ２との間の２箇所に設定されるピストン１９ｄの中
間位置Ａ４，Ａ５にそれぞれ対応した２個のセンサ６
５，６７が設けられており、蓋９の開閉時、空気供給部
６３が、センサ４７，４９，６５，６７を通じてピスト
ン１９ｄの位置を検出し、これに基づいて前述の空気供
給部２３と同様にしてエアシリンダ６１から排出される
空気の流速を調節することにより、蓋９の移動速度が、
各センサ４７，４９，６５，６７間毎に変化されるよう
になっている。The sensor 47 corresponding to the upper limit position A1 of the piston 19d and the lower limit position A of the piston 19d are provided on the side wall of the air cylinder 61 of the substrate processing apparatus of the present embodiment.
2, two sensors 6 corresponding to the intermediate positions A4 and A5 of the piston 19d set at two positions between the upper limit position A1 and the lower limit position A2, respectively.
When the lid 9 is opened and closed, the air supply unit 63 detects the position of the piston 19d through the sensors 47, 49, 65, and 67, and based on the detected position, the same as the air supply unit 23 described above. By adjusting the flow velocity of the air discharged from the air cylinder 61 in the above manner, the moving speed of the lid 9 becomes
It is adapted to be changed for each of the sensors 47, 49, 65, 67.
【００２９】本実施形態では、ピストン１９ｄが上側の
中間位置Ａ４と下側の中間位置Ａ５との間にあるとき、
即ち、蓋９が、蓋９が開かれた状態にあるときの蓋９の
上限位置と、蓋９が閉じられた状態にあるときの蓋９の
下限位置とからそれぞれ所定の距離だけ離間した中間領
域にあるときには、蓋９の開閉に要する時間の短縮を図
るため、蓋９が高速で移動するようにしてある。ピスト
ン１９ｄが上限位置Ａ１と上側の中間位置Ａ４との間に
あるときの蓋９の移動速度と、ピストン１９ｄが下側の
中間位置Ａ５と下限位置Ａ２との間にあるときの蓋９の
移動速度は、蓋９とケース本体７との接触箇所の磨耗防
止、パーティクルの巻上げ防止、および蓋９の移動開始
時に蓋９を支持する支持フレーム１７等に過大な負担が
掛かるのを防止するために、ピストン１９ｄが中間位置
Ａ４と中間位置Ａ５との間にあるときの移動速度よりも
遅く設定してある。In this embodiment, when the piston 19d is located between the upper intermediate position A4 and the lower intermediate position A5,
That is, the lid 9 is separated from the upper limit position of the lid 9 when the lid 9 is opened and the lower limit position of the lid 9 when the lid 9 is closed by a predetermined distance. When in the area, the lid 9 moves at high speed in order to reduce the time required for opening and closing the lid 9. The moving speed of the lid 9 when the piston 19d is between the upper limit position A1 and the upper intermediate position A4, and the movement of the lid 9 when the piston 19d is between the lower intermediate position A5 and the lower limit position A2. The speed is set to prevent abrasion of the contact portion between the lid 9 and the case main body 7, to prevent the particles from being rolled up, and to prevent an excessive load from being applied to the support frame 17 supporting the lid 9 when the lid 9 starts to move. , Is set lower than the moving speed when the piston 19d is between the intermediate position A4 and the intermediate position A5.
【００３０】これによって、蓋９が閉じられる際には、
蓋９の下降速度が低速、高速、低速の順に変化し、蓋９
が開かれる際には、蓋９の上昇速度が低速、高速、低速
の順に変化するようになっている。Thus, when the lid 9 is closed,
The lowering speed of the lid 9 changes in the order of low speed, high speed, and low speed.
When the is opened, the rising speed of the lid 9 changes in the order of low speed, high speed, and low speed.
【００３１】以上のように第２実施形態によっても、蓋
９とケース本体７との接触箇所の磨耗、および蓋９によ
るパーティクルの巻上げを防止しつつ、蓋９の開閉に要
する時間を短縮し、減圧乾燥の処理時間を短縮すること
ができ、これによって、レジスト液の乾燥むらが生じる
のを防止することができるという第１実施形態と同様な
効果を奏すると共に、蓋９を閉じる際の蓋９の下降開始
時、蓋９を開ける際の蓋９の上昇停止時に蓋９を支持す
る支持フレーム１７等への負担や衝撃を軽減することが
できる。As described above, also according to the second embodiment, the time required for opening and closing the lid 9 can be reduced while preventing abrasion of the contact portion between the lid 9 and the case body 7 and winding of particles by the lid 9. It is possible to shorten the processing time of the drying under reduced pressure, thereby achieving the same effect as in the first embodiment in that the unevenness in the drying of the resist solution can be prevented. The load and impact on the support frame 17 that supports the lid 9 when the lid 9 is opened and when the lid 9 is lifted and stopped when the lid 9 is opened can be reduced.
【００３２】図５は本発明の第３実施形態の基板処理装
置１ａの背面図であり、図６は図５のVI−VI線断面図で
ある。この基板処理装置１ａは、第１実施形態の基板処
理装置１と同様に減圧乾燥装置であり、基板処理装置１
と対応する部分には、同一の参照符号を付して説明を省
略する。FIG. 5 is a rear view of a substrate processing apparatus 1a according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a sectional view taken along line VI-VI of FIG. This substrate processing apparatus 1a is a reduced-pressure drying apparatus like the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment.
The same reference numerals are given to the portions corresponding to and the description will be omitted.
【００３３】この基板処理装置１ａでは、モータ７１で
ボールねじ７３のねじ軸７３ａを正逆転させ蓋９を開閉
駆動するようにしている。モータ７１によりボールねじ
７３びねじ軸７３ａが回転駆動されると、蓋９を支持す
る支持フレーム１７に固定されたナット体７３ｂがモー
タ７１の回転方向に応じてねじ軸７３ａ上を上下方向に
移動し、これによって蓋９が昇降移動するようになって
いる。In the substrate processing apparatus 1a, the screw shaft 73a of the ball screw 73 is rotated forward and reverse by the motor 71 to open and close the lid 9. When the ball screw 73 and the screw shaft 73a are rotationally driven by the motor 71, the nut body 73b fixed to the support frame 17 supporting the lid 9 moves vertically on the screw shaft 73a according to the rotation direction of the motor 71. Thus, the lid 9 moves up and down.
【００３４】モータ７１は、制御部７４により制御さ
れ、蓋９の開閉時、所定の回転数だけ正逆転すると自動
的に停止するようになっている。制御部７４には、蓋９
の昇降速度を変化させるための速度制御部７５（速度制
御手段）が備えられており、蓋９の開閉時、蓋９の昇降
速度がその昇降変位に応じて変化されるようになってい
る。The motor 71 is controlled by the control unit 74, and is automatically stopped when the cover 9 is opened and closed when the motor 71 rotates forward and backward by a predetermined number of revolutions. The control unit 74 includes the lid 9
A speed control unit 75 (speed control means) for changing the elevating speed of the lid 9 is provided. When the lid 9 is opened and closed, the elevating speed of the lid 9 is changed according to the elevating displacement.
【００３５】速度制御部７５による蓋９の速度制御は、
蓋９の閉じ動作の際には、蓋９がケース本体７に近づく
のにしたがって連続的に蓋９の下降速度が遅くなるよう
に、蓋９の開き動作の際には、蓋９がケース本体７から
離れるのにしたがって連続的に蓋９の移動速度が速くな
るように行われるようになっている。なお、蓋９がケー
ス本体７に当接する際の蓋９の下降速度は、蓋９とケー
ス本体７との接触箇所の磨耗等が許容範囲内にある上限
の速度に設定されており、蓋９がケース本体７から離反
する際の蓋９の上昇速度は、蓋９がパーティクルを巻上
げない上限の速度に設定されている。The speed control of the lid 9 by the speed control unit 75 is as follows.
During the opening operation of the lid 9, the lid 9 is moved so that the lowering speed of the lid 9 continuously decreases as the lid 9 approaches the case body 7. 7, the moving speed of the lid 9 is continuously increased. The lowering speed of the lid 9 when the lid 9 comes into contact with the case body 7 is set to an upper limit speed at which abrasion or the like of a contact portion between the lid 9 and the case body 7 is within an allowable range. The rising speed of the lid 9 when the lid 9 separates from the case body 7 is set to an upper limit speed at which the lid 9 does not wind up particles.
【００３６】ここで、図６中、７７は配管２５に接続さ
れる切替弁であり、７９は切替弁７７と真空ポンプ１１
との間に接続される排気配管であり、８１は切替弁７７
とガス供給部２１との間に接続される供給配管であり、
８３は支持フレーム１７を昇降可能に支持するガイドで
ある。Here, in FIG. 6, 77 is a switching valve connected to the pipe 25, and 79 is the switching valve 77 and the vacuum pump 11
And 81 is an exhaust pipe connected between the
And a supply pipe connected between the gas supply unit 21 and
A guide 83 supports the support frame 17 so as to be able to move up and down.
【００３７】したがって、本実施形態によれば、蓋９と
ケース本体７との接触箇所の磨耗、および蓋９によるパ
ーティクルの巻上げを防止しつつ、蓋９の開閉に要する
時間を短縮し、減圧乾燥の処理時間を短縮することがで
き、これによって、レジスト液の乾燥むらが生じるのを
防止することができるという第１実施形態と同様な効果
を奏すると共に、蓋９の移動速度が連続的に変化される
ので、蓋９を支持する支持フレーム１７等への負担や衝
撃を軽減することができる。Therefore, according to the present embodiment, the time required for opening and closing the lid 9 is reduced while preventing the abrasion of the contact portion between the lid 9 and the case body 7 and the lifting of particles by the lid 9, and drying under reduced pressure. The same effect as that of the first embodiment can be obtained, whereby the unevenness in the drying of the resist solution can be prevented, and the moving speed of the lid 9 is continuously changed. Therefore, the load and impact on the support frame 17 for supporting the lid 9 and the like can be reduced.
【００３８】なお、本実施例では、蓋９の位置を検出す
るためのセンサを用いずに蓋９の移動速度を制御する構
成としたが、蓋９のケース本体７に対する位置を検出す
る磁気センサ等のセンサを設け、このセンサからの信号
に基づいてモータ７１の回転速度を制御し、蓋９の移動
速度を制御するようにしてもよい。In this embodiment, the moving speed of the cover 9 is controlled without using a sensor for detecting the position of the cover 9. However, a magnetic sensor for detecting the position of the cover 9 with respect to the case body 7 is used. And the like, and the rotational speed of the motor 71 may be controlled based on a signal from the sensor to control the moving speed of the lid 9.
【００３９】図７は、本発明の第４実施形態の基板処理
装置１ｂを示す側面図であり、図示の便宜上装置本体５
の外壁等を取り除いている。本実施形態の基板処理装置
１ｂは、上述の第１および第３実施形態の基板処理装置
１，１ａと同様に減圧乾燥装置であり、基板処理装置
１，１ａと対応する部分には同一の参照符号を付して説
明を省略する。FIG. 7 is a side view showing a substrate processing apparatus 1b according to a fourth embodiment of the present invention.
The outer walls of the building have been removed. The substrate processing apparatus 1b of the present embodiment is a reduced-pressure drying apparatus like the substrate processing apparatuses 1 and 1a of the above-described first and third embodiments, and the same reference numerals are used for parts corresponding to the substrate processing apparatuses 1 and 1a. The description is omitted by attaching reference numerals.
【００４０】この基板処理装置１ｂでは、蓋９の昇降速
度が上述の第１実施形態の基板処理装置１と同様にして
変化されるようになっていると共に、基板３を支持する
複数の支持ピン９１がエアシリンダ９３により昇降移動
されるようになっている。In the substrate processing apparatus 1b, the lifting speed of the lid 9 is changed in the same manner as in the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment, and a plurality of support pins for supporting the substrate 3 are provided. 91 is moved up and down by an air cylinder 93.
【００４１】各支持ピン９１は、ケース本体７の複数箇
所に設けられた貫通孔９５を介してその先端部がケース
本体７の上面から突出した状態で、基端部がフレーム９
７に固定されており、エアシリンダ９３がフレーム９７
を昇降移動させることにより、支持ピン９１の基板３を
支持する先端部のケース本体７上面からの突出高さが変
化するようになっている。Each support pin 91 has its base end protruding from the upper surface of the case main body 7 through through holes 95 provided at a plurality of positions of the case main body 7, and has its base end at the frame 9.
7 and the air cylinder 93 is
Is moved up and down, so that the height of the protruding end of the support pin 91 supporting the substrate 3 from the upper surface of the case body 7 is changed.
【００４２】このように昇降移動可能に設けられる支持
ピン９１は、支持ピン９１上への基板３の載置が行われ
る際、および支持ピン９１上からの基板３の搬出が行わ
れる際には、基板３の載置および搬出が容易なように突
出高さが大きくなるように、フレーム９７が上昇された
状態にあり、蓋９がケース本体７に装着される際には、
密閉空間の容量を小さくして速やかに減圧が行われるよ
うにするために、突出高さが小さくなるようにフレーム
９７が下降された状態にある。The support pins 91 provided so as to be able to move up and down move when the substrate 3 is mounted on the support pins 91 and when the substrate 3 is carried out from the support pins 91. The frame 97 is in a raised state so that the protruding height is large so that the mounting and unloading of the substrate 3 is easy, and when the lid 9 is mounted on the case body 7,
In order to reduce the capacity of the closed space so that the pressure is quickly reduced, the frame 97 is lowered so that the protrusion height is reduced.
【００４３】エアシリンダ９３の側壁部には、フレーム
９７を駆動するピストン９３ａの上限位置、下限位置を
検出するセンサ１０１，１０３の他に、前記上限位置と
下限位置との中間、例えば上限位置と下限位置との中心
にピストン９３ａが到達したことを検出するセンサ１０
５が設けられている。このようなエアシリンダ９３は、
空気供給部１０７から供給される圧縮空気により駆動さ
れるようになっており、この空気供給部１０７が、セン
サ１０１，１０３，１０５からの信号に基づいて、エア
シリンダ９３から排気される空気の流速を上述の第１実
施形態の場合と同様にして制御することにより、支持ピ
ン９１の昇降速度が変化されるようになっている。ここ
で、各センサ１０１，１０３，１０５は、磁気センサで
あり、ピストン９１ａに設置された磁気発生手段が発す
る磁気を検出することにより、ピントン９１ａが各セン
サ１０１，１０３，１０５に対向する位置に到達したこ
とを検出するようになっている。On the side wall portion of the air cylinder 93, in addition to the sensors 101 and 103 for detecting the upper limit position and the lower limit position of the piston 93a for driving the frame 97, the intermediate position between the upper limit position and the lower limit position, for example, the upper limit position. Sensor 10 for detecting that piston 93a has reached the center of the lower limit position
5 are provided. Such an air cylinder 93 is
The air supply unit 107 is driven by compressed air supplied from the air supply unit 107, and the air supply unit 107 detects the flow rate of air exhausted from the air cylinder 93 based on signals from the sensors 101, 103, and 105. Is controlled in the same manner as in the above-described first embodiment, so that the elevating speed of the support pin 91 is changed. Here, each of the sensors 101, 103, and 105 is a magnetic sensor, and detects the magnetism generated by the magnetism generating means provided on the piston 91a, so that the pinton 91a is located at a position facing each of the sensors 101, 103, and 105. It detects that it has arrived.
【００４４】具体的には、支持ピン９１の昇降速度は、
エアシリンダ９３のピストン９１ａがセンサ１０３とセ
ンサ１０５との間にあり、支持ピン９１上に載置された
基板３がケース本体７上面と近接した位置にあるときに
は、基板９３の昇降によるパーティクルの巻上げが生じ
ないような速度に設定されており、ピストン９１ａがセ
ンサ１０１とセンサ１０５との間にあり、支持ピン９１
上に載置された基板３がケース本体７上面と充分に離れ
た位置にあるときには、支持ピン９１の昇降動作が速や
かに完了するように、ピストン９１ａがセンサ１０３と
センサ１０５との間にあるときよりも速い速度に設定さ
れている。Specifically, the lifting speed of the support pin 91 is
When the piston 91a of the air cylinder 93 is located between the sensor 103 and the sensor 105 and the substrate 3 placed on the support pins 91 is in a position close to the upper surface of the case main body 7, the particles are lifted up and down by the substrate 93 The piston 91a is located between the sensor 101 and the sensor 105 and the support pin 91
When the substrate 3 placed on the upper side is at a position sufficiently distant from the upper surface of the case body 7, the piston 91a is located between the sensor 103 and the sensor 105 so that the raising and lowering operation of the support pin 91 is completed quickly. It is set to a faster speed than when.
【００４５】したがって、本実施形態によれば、本実施
形態では、蓋９とケース本体７との接触箇所の磨耗、お
よび蓋９によるパーティクルの巻上げを防止しつつ、蓋
９の開閉に要する時間を短縮し、減圧乾燥の処理時間を
短縮することができ、これによって、レジスト液の乾燥
むらが生じるのを防止することができるという第１実施
形態と同様な効果を奏する一方、基板３が載置される支
持ピン９１を昇降移動させることにより基板３の搬入お
よび搬出が容易になると共に、支持ピン９１上に載置さ
れた基板３がケース本体７上面と近接した位置にあると
きには、基板９３の昇降によるパーティクルの巻上げが
生じないような速度で支持ピン９１が昇降され、支持ピ
ン９１上に載置された基板３がケース本体７上面と充分
に離れた位置にあるときには、支持ピン９１が高速で昇
降されるようになっているので、パーティクルの巻上げ
を生じることなく、かつ速やかに支持ピン９１の昇降動
作を行うことができ、支持ピン９１を昇降させることに
よる処理時間の増加を最小限に抑制することができる。Therefore, according to the present embodiment, the time required for opening and closing the lid 9 can be reduced while preventing the contact portion between the lid 9 and the case main body 7 from being worn and the particles from being rolled up by the lid 9. It is possible to shorten the processing time of the drying under reduced pressure, thereby achieving the same effect as in the first embodiment in that the unevenness in the drying of the resist solution can be prevented. By moving the supporting pins 91 up and down, the loading and unloading of the substrate 3 is facilitated, and when the substrate 3 placed on the supporting pins 91 is at a position close to the upper surface of the case body 7, the The support pins 91 are raised and lowered at such a speed that the particles do not wind up due to the vertical movement, and the substrate 3 placed on the support pins 91 is located at a position sufficiently separated from the upper surface of the case body 7. Sometimes, the support pins 91 are raised and lowered at a high speed, so that the support pins 91 can be raised and lowered quickly without causing the particles to be wound up, and the processing by raising and lowering the support pins 91 can be performed. An increase in time can be minimized.
【００４６】図８は、本発明の第５実施形態の基板処理
装置１ｃの構成を示す断面図である。本実施形態の基板
処理装置１ｃは、基板３にレジスト液を塗布するための
スピンコータであり、装置本体１１１の上面に回転可能
に備えられた回転台１１３（ケース本体）には、上方に
開口する基板収容部１１３ａが設けられている。基板収
容部１１３ａの開口部には、支持フレーム１１５により
昇降可能に支持された蓋１１７が装着されるようになっ
ている。この蓋１１７が基板収容部１１３ａの開口部に
装着されると、基板収容部１１３ａ内が半密閉空間とな
るようになっている。FIG. 8 is a sectional view showing the structure of a substrate processing apparatus 1c according to a fifth embodiment of the present invention. The substrate processing apparatus 1c of the present embodiment is a spin coater for applying a resist liquid to the substrate 3, and opens upward on a turntable 113 (case main body) rotatably provided on the upper surface of the apparatus main body 111. A substrate accommodating section 113a is provided. A lid 117 supported by a support frame 115 so as to be able to move up and down is attached to the opening of the substrate accommodating portion 113a. When the lid 117 is attached to the opening of the substrate accommodating portion 113a, the inside of the substrate accommodating portion 113a becomes a semi-closed space.
【００４７】蓋１１７は、回転台１１３に装着された状
態で回転台１１３と一体になって回転するので、回転可
能に支持フレーム１１５によって支持されている。回転
台１１３の基板収容部１１３ａ内の底面には、基板３を
支持する複数の支持ピン１１１９と、基板３の四隅に係
合する対をなす４組の係合ピン１２１とが設けられてい
る。このように構成される回転台１１３は、モータ１２
３により回転駆動される。The lid 117 rotates integrally with the turntable 113 in a state of being mounted on the turntable 113, and is rotatably supported by the support frame 115. A plurality of support pins 1119 that support the substrate 3 and four pairs of engagement pins 121 that engage with four corners of the substrate 3 are provided on the bottom surface of the turntable 113 in the substrate housing portion 113a. . The turntable 113 configured in this manner is provided with the motor 12
3 is driven to rotate.
【００４８】蓋１１７は、第１実施形態の基板処理装置
１のエアシリンダ１９と同様な構成のエアシリンダ１２
５により昇降移動されるようになっており、このエアシ
リンダ１２５は、上述の基板処理装置１の空気供給部２
３と同様な構成の空気供給部１２７により駆動されるよ
うになっている。本実施形態の基板処理装置１ｃのエア
シリンダ１２５および空気供給部１２７が、基板処理装
置１のエアシリンダ１９および空気供給部２３と対応す
る部分には、同一の参照符号を付して説明を省略する。The lid 117 has an air cylinder 12 having the same configuration as the air cylinder 19 of the substrate processing apparatus 1 of the first embodiment.
The air cylinder 125 is moved up and down by the air supply unit 2 of the substrate processing apparatus 1.
3 is driven by an air supply unit 127 having the same configuration as that of the air supply unit 3. Portions of the substrate processing apparatus 1c corresponding to the air cylinder 19 and the air supply unit 23 of the substrate processing apparatus 1c corresponding to the air cylinder 19 and the air supply unit 23 of the substrate processing apparatus 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. I do.
【００４９】本実施形態でも蓋１１７の昇降速度が、蓋
１１７の昇降移動に伴って変化されるようになってい
る。即ち、蓋１１７を閉じる際には、エアシリンダ１９
ｄのピストン１９ｄがセンサ４７の位置からセンサ５１
の位置まで下降し、蓋１１７と回転台１１３との距離が
所定距離以下になると、蓋１１７の開閉を速やかに行う
ために高速度で下降させていた蓋１１７の下降速度が、
蓋１１７と回転台１１３との接触箇所の磨耗等が許容範
囲内にある上限の速度にまで減速される。蓋１１７を開
く際には、シリンダ１９ｄがセンサ４９の位置からセン
サ５１の位置に到達し、蓋９と回転台１１３との間の距
離が所定距離以上になると、蓋１１７の上昇によりパー
ティクルの巻上げが生じない上限の速度で上昇させてい
た蓋１１７の上昇速度が、蓋１１７の開き動作が速やか
に行われるように加速される。Also in this embodiment, the elevating speed of the lid 117 is changed with the elevating movement of the lid 117. That is, when closing the lid 117, the air cylinder 19
d from the position of the sensor 47 to the sensor 51
When the distance between the lid 117 and the turntable 113 becomes equal to or less than a predetermined distance, the descent speed of the lid 117, which has been lowered at a high speed in order to quickly open and close the lid 117,
Wear or the like at the contact point between the lid 117 and the turntable 113 is reduced to an upper limit speed within an allowable range. When the lid 117 is opened, when the cylinder 19d reaches the position of the sensor 51 from the position of the sensor 49 and the distance between the lid 9 and the turntable 113 becomes a predetermined distance or more, the particles are wound up by raising the lid 117. The rising speed of the lid 117, which has been raised at the upper limit speed at which the occurrence does not occur, is accelerated so that the opening operation of the lid 117 is performed promptly.
【００５０】したがって、本実施形態によれば、蓋１１
７と回転台１１３との接触箇所の磨耗、および蓋１１７
によるパーティクルの巻上げを防止しつつ、蓋１１７の
開閉に要する時間を短縮し、基板３の搬入から搬出まで
の処理時間を短縮することができる。Therefore, according to the present embodiment, the lid 11
Of the contact point between the rotary table 113 and the rotary table 113 and the lid 117
Thus, the time required for opening and closing the lid 117 can be reduced, and the processing time from the loading of the substrate 3 to the unloading thereof can be reduced while preventing the particles from being wound up.
【００５１】なお、上述の各実施形態では、基板処理装
置の具体的な例として減圧乾燥装置、スピンコータの例
を挙げたが、スピンスクラバ、ＨＭＤＳオーブン等でも
よく、この他、基板に所定の処理を施すための密閉空間
（半密閉空間も含む）を形成するためのケース本体と蓋
とが互いに接離可能に設けられている構成であれば任意
の装置に本発明を適応することができる。In each of the above embodiments, a specific example of the substrate processing apparatus is a vacuum drying apparatus and a spin coater. However, a spin scrubber, an HMDS oven, or the like may be used. The present invention can be applied to any device as long as the case main body and the lid for forming a closed space (including a semi-closed space) for performing the process are provided so as to be able to approach and separate from each other.
【００５２】また、上述の各実施形態では、定位置にて
固定されたケース本体等に対して蓋が接離移動ようにな
っているが、反対に蓋に対してケース本体等が接離移動
するようにし、ケース本体等の移動速度を変化させるよ
うにしてもよい。In each of the above-described embodiments, the lid moves toward and away from the case body fixed at a fixed position. On the contrary, the case body moves toward and away from the lid. The moving speed of the case body or the like may be changed.
【００５３】さらに、上述の各実施形態では、真空ポン
プ１１、ガス供給部２１、および空気供給部２３，６
３，１２７内のポンプ部３１が、基板処理装置１，１
ａ，１ｂ，１ｃ内に設けられているが、これらを装置内
に設けず、例えば、液晶表示パネルの製造工場などに工
場設備として設けた真空源（真空ポンプ）、ガス供給
源、圧空源（ポンプ）と基板処理装置１，１ａ，１ｂ，
１ｃとを所定の配管でそれぞれ接続する構成としてもよ
い。Further, in each of the above embodiments, the vacuum pump 11, the gas supply unit 21, and the air supply units 23, 6
The pump unit 31 in the substrate processing apparatus 1
a, 1b, and 1c, but are not provided in the apparatus. For example, a vacuum source (vacuum pump), a gas supply source, a compressed air source ( Pump) and the substrate processing apparatuses 1, 1a, 1b,
1c may be connected to each other by a predetermined pipe.
【００５４】[0054]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、蓋とケ
ース本体とが互いに開閉するときの開閉速度が、蓋とケ
ース本体との間の距離に応じて増減するので、ケース本
体と蓋とが互いに近接する方向に移動される際には前記
距離の減少に応じて前記開閉速度が遅くなり、ケース本
体と蓋とが互いに離反する方向に移動される際には前記
距離の増大に応じて前記開閉速度が速くなることによっ
て、蓋またはケース本体の移動によるパーティクルの巻
上げ、およびケース本体および蓋の接触箇所の磨耗を防
止しつつ、基板の受入れから搬出までの時間を短縮する
ことができる。As described above, according to the present invention, the opening / closing speed when the lid and the case main body open and close with each other increases and decreases according to the distance between the lid and the case main body. When the lid is moved in the direction approaching each other, the opening / closing speed is reduced in accordance with the decrease in the distance, and when the case body and the lid are moved in the direction away from each other, the distance is increased. By increasing the opening / closing speed accordingly, it is possible to reduce the time from receiving the substrate to unloading the substrate while preventing the winding of the particles due to the movement of the lid or the case main body and the wear of the contact portion between the case main body and the lid. it can.
【図１】本発明の第１実施形態の基板処理装置の側面図
である。FIG. 1 is a side view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１の基板処理装置に備えられるエアシリンダ
および空気供給部のブロック図である。FIG. 2 is a block diagram of an air cylinder and an air supply unit provided in the substrate processing apparatus of FIG.
【図３】図２の空気供給部に備えられる第１ないし第４
流速制御部の構成を示す図である。FIG. 3 is a view showing first to fourth elements provided in the air supply unit of FIG. 2;
It is a figure showing composition of a flow control part.
【図４】本発明の第２実施形態の基板処理装置に備えら
れるエアシリンダおよび空気供給部の構成を示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram illustrating a configuration of an air cylinder and an air supply unit provided in a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第３実施形態の基板処理装置の背面図
である。FIG. 5 is a rear view of the substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図６】図５のVI−VI線断面図である。6 is a sectional view taken along line VI-VI of FIG.
【図７】本発明の第４実施形態の基板処理装置の側面図
である。FIG. 7 is a side view of a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第５実施形態の基板処理装置の断面図
である。FIG. 8 is a sectional view of a substrate processing apparatus according to a fifth embodiment of the present invention.
１，１ａ，１ｂ，１ｃ 基板処理装置 ３ 基板 ７ ケース本体 ９ 蓋 １３ 支持ピン １９ エアシリンダ ２３ 空気供給部 ４７，４９，５１ センサ ６１ エアシリンダ ６３ 空気供給部 ６５，６７ センサ ７１ モータ ７５ 速度制御部 ９１ 支持ピン １１３ 回転台 １１７ 蓋 １２５ エアシリンダ １２７ 空気供給部 1, 1a, 1b, 1c Substrate processing apparatus 3 Substrate 7 Case body 9 Lid 13 Support pin 19 Air cylinder 23 Air supply unit 47, 49, 51 Sensor 61 Air cylinder 63 Air supply unit 65, 67 Sensor 71 Motor 75 Speed control unit 91 Support pin 113 Turntable 117 Lid 125 Air cylinder 127 Air supply unit
Claims (2)
板処理装置において、 相対的に開閉可能に設けられ、互いに当接して閉じた状
態で前記密閉空間を形成するケース本体および蓋と、 前記ケース本体に設けられ、前記密閉空間内にて基板を
支持する支持部材と、 前記蓋およびケース本体の少なくとも一方を往復移動さ
せ、前記ケース本体と前記蓋とを互いに開閉させる移動
手段と、 前記移動手段により前記ケース本体と前記蓋とが互いに
近接して閉じる方向に移動される際の近接速度を前記ケ
ース本体と前記蓋との間の距離の減少に応じて遅くし、
前記ケース本体と前記蓋とが互いに離反して開く方向に
移動される際の離反速度を前記距離の増大に応じて速く
する速度制御手段と、を備えることを特徴とする基板処
理装置。1. A substrate processing apparatus for performing a predetermined process on a substrate in a closed space, comprising: a case main body and a lid, which are relatively openably and closably provided and abut on each other to form the closed space in a closed state; A support member provided in the case main body and supporting a substrate in the closed space; a moving unit configured to reciprocate at least one of the lid and the case main body to open and close the case main body and the lid with each other; The moving speed decreases the approach speed when the case body and the lid are moved in the direction of closing close to each other in accordance with a decrease in the distance between the case body and the lid,
A substrate processing apparatus comprising: a speed control unit configured to increase a separation speed when the case body and the lid are moved in a direction in which the case body and the lid are separated from each other and open, in accordance with an increase in the distance.
び前記離反速度を段階的に変化させることを特徴とする
請求項１に記載の基板処理装置。2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said speed control means changes said approach speed and said separation speed stepwise.
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|---|---|---|---|
| JP32843396A JP3442948B2 (en) | 1996-12-09 | 1996-12-09 | Substrate processing equipment |
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100504535B1 (en) * | 2002-03-25 | 2005-08-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | bonding device for liquid crystal display and method for operating the same |
| JP2006346647A (en) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | Functional droplet coater, display unit, and electronic instrument |
| US7343695B2 (en) | 2000-02-23 | 2008-03-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Vacuum drying apparatus and vacuum drying method |
| KR101073271B1 (en) * | 2006-12-05 | 2011-10-12 | 가부시키가이샤 시마쓰세사쿠쇼 | Pallet conveyance device and substrate inspection device |
| KR101327148B1 (en) * | 2010-12-23 | 2013-11-07 | 주식회사 케이씨텍 | Appratus and method for setting attitude of slit nozzle for coating substrate |
| CN103545234A (en) * | 2012-07-11 | 2014-01-29 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Lifting device, semiconductor chip production metal etching equipment and method |
| WO2014184921A1 (en) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | 株式会社市丸技研 | Linear motion mechanism for tire vulcanizer and center mechanism for tire vulcanizer |
| CN110416120A (en) * | 2018-04-30 | 2019-11-05 | 细美事有限公司 | Substrate board treatment and method |
| KR20200070172A (en) * | 2018-04-30 | 2020-06-17 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method for treating substrate |
-
1996
- 1996-12-09 JP JP32843396A patent/JP3442948B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7343695B2 (en) | 2000-02-23 | 2008-03-18 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Vacuum drying apparatus and vacuum drying method |
| KR100504535B1 (en) * | 2002-03-25 | 2005-08-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | bonding device for liquid crystal display and method for operating the same |
| JP2006346647A (en) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Seiko Epson Corp | Functional droplet coater, display unit, and electronic instrument |
| KR101073271B1 (en) * | 2006-12-05 | 2011-10-12 | 가부시키가이샤 시마쓰세사쿠쇼 | Pallet conveyance device and substrate inspection device |
| KR101327148B1 (en) * | 2010-12-23 | 2013-11-07 | 주식회사 케이씨텍 | Appratus and method for setting attitude of slit nozzle for coating substrate |
| CN103545234A (en) * | 2012-07-11 | 2014-01-29 | 上海华虹Nec电子有限公司 | Lifting device, semiconductor chip production metal etching equipment and method |
| WO2014184921A1 (en) * | 2013-05-16 | 2014-11-20 | 株式会社市丸技研 | Linear motion mechanism for tire vulcanizer and center mechanism for tire vulcanizer |
| JP5707002B1 (en) * | 2013-05-16 | 2015-04-22 | 株式会社市丸技研 | Linear motion mechanism of tire vulcanizer and central mechanism of tire vulcanizer |
| US9427924B2 (en) | 2013-05-16 | 2016-08-30 | Ichimaru-Giken Co., Ltd. | Direct acting mechanism of tire curing device and central mechanism of tire curing device |
| CN110416120A (en) * | 2018-04-30 | 2019-11-05 | 细美事有限公司 | Substrate board treatment and method |
| KR20190125678A (en) * | 2018-04-30 | 2019-11-07 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method for treating substrate |
| KR20200070172A (en) * | 2018-04-30 | 2020-06-17 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method for treating substrate |
| KR20210063296A (en) * | 2020-06-03 | 2021-06-01 | 세메스 주식회사 | Apparatus and Method for treating substrate |
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