JPH10163709A - アイソレータ - Google Patents
アイソレータInfo
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- JPH10163709A JPH10163709A JP8319018A JP31901896A JPH10163709A JP H10163709 A JPH10163709 A JP H10163709A JP 8319018 A JP8319018 A JP 8319018A JP 31901896 A JP31901896 A JP 31901896A JP H10163709 A JPH10163709 A JP H10163709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- port
- isolator
- center conductor
- center
- angle
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/38—Circulators
- H01P1/383—Junction circulators, e.g. Y-circulators
- H01P1/387—Strip line circulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/32—Non-reciprocal transmission devices
- H01P1/36—Isolators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/24—Terminating devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/12—Coupling devices having more than two ports
Landscapes
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
- Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】挿入損失を低減することができるアイソレータ
を提供する。 【解決手段】入力ポートＰ１に接続される中心導体２と
出力ポートＰ２に接続される中心導体３との交差角度θ
１は１４０度に設定され、終端ポートＰ３に接続される
中心導体４と前記２本の中心導体２、３との交差角度θ
２、θ３はそれぞれ１１０度に設定され、終端ポートＰ
３に接続される終端抵抗Ｒの抵抗値は３００Ωに設定さ
れている。
を提供する。 【解決手段】入力ポートＰ１に接続される中心導体２と
出力ポートＰ２に接続される中心導体３との交差角度θ
１は１４０度に設定され、終端ポートＰ３に接続される
中心導体４と前記２本の中心導体２、３との交差角度θ
２、θ３はそれぞれ１１０度に設定され、終端ポートＰ
３に接続される終端抵抗Ｒの抵抗値は３００Ωに設定さ
れている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等の携帯
用移動通信機器に使用されるアイソレータに関する。
用移動通信機器に使用されるアイソレータに関する。
【０００２】
【従来の技術】アイソレータは、減衰量が信号を伝送方
向には極めて小さく、逆方向には極めて大きい特性を有
しており、携帯電話等の送受信回路部等に採用されてい
る。このようなアイソレータは、図６に示すように、３
本の中心導体３０、３０、３０を互いに電気的絶縁状態
にかつ所定角度をなすように交差させて配置し、各中心
導体３０の一端部の各ポートＰ１，Ｐ２，Ｐ３に整合用
容量Ｃを接続するとともに他端部をアースに接続し、上
記各中心導体３０の交差部分にフェライト３１を当接さ
せるとともに直流磁界を印加し、上記いずれか１つのポ
ートＰ３に終端抵抗を接続して構成されている。
向には極めて小さく、逆方向には極めて大きい特性を有
しており、携帯電話等の送受信回路部等に採用されてい
る。このようなアイソレータは、図６に示すように、３
本の中心導体３０、３０、３０を互いに電気的絶縁状態
にかつ所定角度をなすように交差させて配置し、各中心
導体３０の一端部の各ポートＰ１，Ｐ２，Ｐ３に整合用
容量Ｃを接続するとともに他端部をアースに接続し、上
記各中心導体３０の交差部分にフェライト３１を当接さ
せるとともに直流磁界を印加し、上記いずれか１つのポ
ートＰ３に終端抵抗を接続して構成されている。
【０００３】上記アイソレータを構成する場合、従来、
各中心導体３０の交差角度は全て設計では１２０度（実
際の加工公差は±１度）に設定され、終端ポートＰ３に
接続される終端抵抗の抵抗値は約５０Ωに設定されてい
る。
各中心導体３０の交差角度は全て設計では１２０度（実
際の加工公差は±１度）に設定され、終端ポートＰ３に
接続される終端抵抗の抵抗値は約５０Ωに設定されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近の携帯電話におい
ては、小型化とともにより長い連続通話時間を達成する
ために低消費電力化の要請が強く、アイソレータの挿入
損失の改善（低損失化）がさらに強く要求されている。
ては、小型化とともにより長い連続通話時間を達成する
ために低消費電力化の要請が強く、アイソレータの挿入
損失の改善（低損失化）がさらに強く要求されている。
【０００５】ところで、従来のアイソレータは非線形電
力増幅器を使用したアナログ携帯電話機用を前提に設計
されており、良好なアイソレーション（逆方向での減衰
量）が要求されていた。例えば１０ｄＢ〜１５ｄＢ程度
のアイソレーションが必要とされ、このときの挿入損失
は約０．５ｄＢであった。このため、従来のアイソレー
タは最適なアイソレーション特性を得るために、上記の
ように３本の中心導体の各交差角度が１２０度に設定さ
れていた。しかしながら、この交差角度の設定は挿入損
失の低減の観点から見ると大きな障害となっていた。
力増幅器を使用したアナログ携帯電話機用を前提に設計
されており、良好なアイソレーション（逆方向での減衰
量）が要求されていた。例えば１０ｄＢ〜１５ｄＢ程度
のアイソレーションが必要とされ、このときの挿入損失
は約０．５ｄＢであった。このため、従来のアイソレー
タは最適なアイソレーション特性を得るために、上記の
ように３本の中心導体の各交差角度が１２０度に設定さ
れていた。しかしながら、この交差角度の設定は挿入損
失の低減の観点から見ると大きな障害となっていた。
【０００６】一方、デジタル携帯電話では直線電力増幅
器が用いられ、外来波による相互変調歪が発生しにくい
ため、アイソレーションは小さくてもよいが、低消費電
力を重視した挿入損失の小さなアイソレータが要求され
ている。
器が用いられ、外来波による相互変調歪が発生しにくい
ため、アイソレーションは小さくてもよいが、低消費電
力を重視した挿入損失の小さなアイソレータが要求され
ている。
【０００７】そこで、本発明の目的は、挿入損失を低減
することができるアイソレータを提供することにある。
することができるアイソレータを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に係る発明は、磁性体に３本の中心導体が
電気的絶縁状態でかつ所定角度をなすように交差させて
配置され、該交差部分に直流磁界が印加され、各中心導
体の一端がそれぞれに対応するポートに接続され、他端
がアースに接続され、各ポートとアース間に整合用容量
が接続され、１つのポートに終端抵抗が接続されてなる
アイソレータにおいて、入力ポートに接続された中心導
体と出力ポートに接続された中心導体との交差角度を１
３０度〜１５０度に設定するとともに、終端ポートに対
応する中心導体と前記２つの中心導体との交差角度をほ
ぼ同じ値に設定し、かつ終端ポートに接続される終端抵
抗の抵抗値を２００Ω〜５００Ωに設定したことを特徴
とするものである。
に、請求項１に係る発明は、磁性体に３本の中心導体が
電気的絶縁状態でかつ所定角度をなすように交差させて
配置され、該交差部分に直流磁界が印加され、各中心導
体の一端がそれぞれに対応するポートに接続され、他端
がアースに接続され、各ポートとアース間に整合用容量
が接続され、１つのポートに終端抵抗が接続されてなる
アイソレータにおいて、入力ポートに接続された中心導
体と出力ポートに接続された中心導体との交差角度を１
３０度〜１５０度に設定するとともに、終端ポートに対
応する中心導体と前記２つの中心導体との交差角度をほ
ぼ同じ値に設定し、かつ終端ポートに接続される終端抵
抗の抵抗値を２００Ω〜５００Ωに設定したことを特徴
とするものである。
【０００９】アイソレータにおいて、２本の中心導体の
交差角度をその直流バイアス磁界による高周波磁界の回
転角と対応させることにより、２本の中心導体の交差角
度を大きくするほどアイソレーション特性は悪化するも
のの挿入損失を低減することができる。
交差角度をその直流バイアス磁界による高周波磁界の回
転角と対応させることにより、２本の中心導体の交差角
度を大きくするほどアイソレーション特性は悪化するも
のの挿入損失を低減することができる。
【００１０】つまり、上記の構成によれば、入力ポート
に接続される中心導体と出力ポートに接続される中心導
体との交差角度は１２０度よりも大きく設定されてお
り、信号の伝送方向の減衰量すなわち挿入損失を大幅に
低減することができる。
に接続される中心導体と出力ポートに接続される中心導
体との交差角度は１２０度よりも大きく設定されてお
り、信号の伝送方向の減衰量すなわち挿入損失を大幅に
低減することができる。
【００１１】この場合、終端ポートに接続される中心導
体を前記２本の中心導体の交差角度を２等分するように
配置したとき、挿入損失及びアイソレーションは最適と
なる。また、最良のアイソレーションを得る終端抵抗の
抵抗値も入出力ポートに接続される２本の中心導体の交
差角度に対応して大きな値となる。
体を前記２本の中心導体の交差角度を２等分するように
配置したとき、挿入損失及びアイソレーションは最適と
なる。また、最良のアイソレーションを得る終端抵抗の
抵抗値も入出力ポートに接続される２本の中心導体の交
差角度に対応して大きな値となる。
【００１２】そして、入出力ポートに接続される２本の
中心導体の交差角度が１３０度未満では挿入損失の改善
度合いが小さく、上記交差角度が１５０度を越える場合
は、必要とするアイソレーションが得られず、また２本
の中心導体がアース側の磁性体周辺部で重なり合うとい
う問題もあり、入出力ポートに接続される２つの中心導
体の交差角度は１３０度〜１５０度に設定される。
中心導体の交差角度が１３０度未満では挿入損失の改善
度合いが小さく、上記交差角度が１５０度を越える場合
は、必要とするアイソレーションが得られず、また２本
の中心導体がアース側の磁性体周辺部で重なり合うとい
う問題もあり、入出力ポートに接続される２つの中心導
体の交差角度は１３０度〜１５０度に設定される。
【００１３】また、終端抵抗は２００Ω〜５００Ωの間
のアイソレーションが最良値となる抵抗値に設定され
る。
のアイソレーションが最良値となる抵抗値に設定され
る。
【００１４】なお、終端ポートに接続される中心導体の
ポート側はいずれの側に引き出してもよい
ポート側はいずれの側に引き出してもよい
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明をその実施例を示す
図面に基づいて説明する。図１及び図２は、本発明の第
１実施例によるアイソレータを説明するための図であ
り、図１はアイソレータの回路構造図、図２は３本の中
心導体の交差角度を示す構成図である。
図面に基づいて説明する。図１及び図２は、本発明の第
１実施例によるアイソレータを説明するための図であ
り、図１はアイソレータの回路構造図、図２は３本の中
心導体の交差角度を示す構成図である。
【００１６】本実施例のアイソレータは、３本の中心導
体２、３、４を互いに電気的絶縁状態で、かつ交差させ
て配置し、各中心導体２〜４の交差部分にフェライト５
の一主面を当接するとともに、図示しない永久磁石によ
り直流バイアス磁界Ｈｅｘを印加して構成されている。
各中心導体２〜４、フェライト５、及び永久磁石は図示
しない磁気閉回路を構成する磁性体ヨーク内に収容され
ている。
体２、３、４を互いに電気的絶縁状態で、かつ交差させ
て配置し、各中心導体２〜４の交差部分にフェライト５
の一主面を当接するとともに、図示しない永久磁石によ
り直流バイアス磁界Ｈｅｘを印加して構成されている。
各中心導体２〜４、フェライト５、及び永久磁石は図示
しない磁気閉回路を構成する磁性体ヨーク内に収容され
ている。
【００１７】各中心導体２〜４の一端はアースに接続さ
れており、他端２ａ，３ａ，４ａはそれぞれ入力ポート
Ｐ１、出力ポートＰ２、終端ポートＰ３に接続され、各
ポートＰ１〜Ｐ３には整合用容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が並
列接続され、終端ポートＰ３には終端抵抗Ｒが並列接続
されている。
れており、他端２ａ，３ａ，４ａはそれぞれ入力ポート
Ｐ１、出力ポートＰ２、終端ポートＰ３に接続され、各
ポートＰ１〜Ｐ３には整合用容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３が並
列接続され、終端ポートＰ３には終端抵抗Ｒが並列接続
されている。
【００１８】具体的には、３本の中心導体２、３、４は
薄板状の金属板からなり、そのアース部を円板状のフェ
ライト５の下面に当接し、各中心導体２〜４の主要部を
フェライト５の上面に絶縁シート（図示せず）を介在さ
せて折り曲げて配置し、各中心導体２〜４のそれぞれの
先端はフェライト５の外周から外方に突出して配置さ
れ、各中心導体２〜４の先端部がそれぞれのポートＰ１
〜Ｐ３となっている。各中心導体２〜４の主要部は、挿
入損失をより低減するために２つのラインで形成されて
いる。
薄板状の金属板からなり、そのアース部を円板状のフェ
ライト５の下面に当接し、各中心導体２〜４の主要部を
フェライト５の上面に絶縁シート（図示せず）を介在さ
せて折り曲げて配置し、各中心導体２〜４のそれぞれの
先端はフェライト５の外周から外方に突出して配置さ
れ、各中心導体２〜４の先端部がそれぞれのポートＰ１
〜Ｐ３となっている。各中心導体２〜４の主要部は、挿
入損失をより低減するために２つのラインで形成されて
いる。
【００１９】そして、入力ポートＰ１に接続される中心
導体２と出力ポートＰ２に接続される中心導体３との交
差角度θ１は１４０度に設定され、終端ポートＰ３に接
続される中心導体４と前記２本の中心導体２、３との交
差角度θ２、θ３はそれぞれ１１０度に設定され、終端
ポートＰ３に接続される終端抵抗Ｒの抵抗値は３００Ω
に設定されている。
導体２と出力ポートＰ２に接続される中心導体３との交
差角度θ１は１４０度に設定され、終端ポートＰ３に接
続される中心導体４と前記２本の中心導体２、３との交
差角度θ２、θ３はそれぞれ１１０度に設定され、終端
ポートＰ３に接続される終端抵抗Ｒの抵抗値は３００Ω
に設定されている。
【００２０】なお、本実施例のように２本の中心導体の
交差角度を１２０度より大きくした場合、一般的に、従
来よりも高い直流バイアス磁界Ｈｅｘが印加される。す
なわち、フェライト５に印加される直流バイアス磁界Ｈ
ｅｘは、フェライトの磁性体損失がより小さくなるよう
に交差角度に応じて適宜設定されている。
交差角度を１２０度より大きくした場合、一般的に、従
来よりも高い直流バイアス磁界Ｈｅｘが印加される。す
なわち、フェライト５に印加される直流バイアス磁界Ｈ
ｅｘは、フェライトの磁性体損失がより小さくなるよう
に交差角度に応じて適宜設定されている。
【００２１】本実施例の構成においては、入出力ポート
に対応する２本の中心導体２、３の交差角度θ１は１４
０度に設定され、従来の１２０度よりも大きく設定した
ので、入力ポートＰ１から出力ポートＰ２への信号の減
衰量すなわち挿入損失は大幅に低減されている。また、
終端ポートＰ３に対応する中心導体４は前記２本の中心
導体２、３の交差角度を２等分するように配置して、ア
イソレーションが最適となるように構成されている。ま
た、本実施例では、アイソレーションは終端抵抗Ｒが３
００Ωのとき最良値となる。
に対応する２本の中心導体２、３の交差角度θ１は１４
０度に設定され、従来の１２０度よりも大きく設定した
ので、入力ポートＰ１から出力ポートＰ２への信号の減
衰量すなわち挿入損失は大幅に低減されている。また、
終端ポートＰ３に対応する中心導体４は前記２本の中心
導体２、３の交差角度を２等分するように配置して、ア
イソレーションが最適となるように構成されている。ま
た、本実施例では、アイソレーションは終端抵抗Ｒが３
００Ωのとき最良値となる。
【００２２】図３及び図４は、本実施例の構成と従来の
構成（交差角度１２０度、終端抵抗５０Ω）での挿入損
失とアイソレーションの周波数特性を示す図である。厚
み０．５ｍｍ、直径３．６ｍｍのフェライト、厚み０．
０５ｍｍ、ライン幅０．３５ｍｍ×２本の中心導体、中
心周波数約９４０ＭＨｚのアイソレータの実測値であ
る。
構成（交差角度１２０度、終端抵抗５０Ω）での挿入損
失とアイソレーションの周波数特性を示す図である。厚
み０．５ｍｍ、直径３．６ｍｍのフェライト、厚み０．
０５ｍｍ、ライン幅０．３５ｍｍ×２本の中心導体、中
心周波数約９４０ＭＨｚのアイソレータの実測値であ
る。
【００２３】図３及び図４に示すように、所要の帯域幅
例えば±１７．５ＭＨｚでのアイソレーションは、本実
施例のものでは約１０ｄＢとなり、従来のもの（約２０
ｄＢ）に比べ悪化しているものの、挿入損失は、本実施
例のものでは約０．２５ｄＢと従来のもの（約０．４５
ｄＢ）に比べ大幅に低減されている。
例えば±１７．５ＭＨｚでのアイソレーションは、本実
施例のものでは約１０ｄＢとなり、従来のもの（約２０
ｄＢ）に比べ悪化しているものの、挿入損失は、本実施
例のものでは約０．２５ｄＢと従来のもの（約０．４５
ｄＢ）に比べ大幅に低減されている。
【００２４】上記のように、本実施例のアイソレータ
は、アイソレーション特性は低下するものの挿入損失が
大幅に低減されており、携帯電話の消費電力を大幅に低
減し、電池運用時の連続通話時間を延ばすことができ
る。特に、ある程度のアイソレーション特性であればよ
いデジタル携帯電話機には好適な特性である。
は、アイソレーション特性は低下するものの挿入損失が
大幅に低減されており、携帯電話の消費電力を大幅に低
減し、電池運用時の連続通話時間を延ばすことができ
る。特に、ある程度のアイソレーション特性であればよ
いデジタル携帯電話機には好適な特性である。
【００２５】上記実施例では入出力ポートに対応する２
本の中心導体の交差角度を１４０度に設定した場合を例
にとって説明したが、これに限るものではなく、上記２
本の中心導体の交差角度は、要求される特性に応じて１
３０度〜１５０度の範囲内で適宜設定することができ
る。
本の中心導体の交差角度を１４０度に設定した場合を例
にとって説明したが、これに限るものではなく、上記２
本の中心導体の交差角度は、要求される特性に応じて１
３０度〜１５０度の範囲内で適宜設定することができ
る。
【００２６】この交差角度の範囲の設定理由は、交差角
度が１３０度未満では挿入損失の改善度合いが小さく、
交差角度が１５０度を越える場合は、必要とするアイソ
レーションが得られず、また２本の中心導体がアース側
の磁性体周辺部で重なり合うという問題を回避するため
である。
度が１３０度未満では挿入損失の改善度合いが小さく、
交差角度が１５０度を越える場合は、必要とするアイソ
レーションが得られず、また２本の中心導体がアース側
の磁性体周辺部で重なり合うという問題を回避するため
である。
【００２７】そして、終端ポートに接続される終端抵抗
は、設定された交差角度に応じて２００Ω〜５００Ωの
間のアイソレーションが最良値となる抵抗値に設定され
る。この終端抵抗の抵抗値は、通常、交差角度が大きく
なるほどより大きな値が選定される。
は、設定された交差角度に応じて２００Ω〜５００Ωの
間のアイソレーションが最良値となる抵抗値に設定され
る。この終端抵抗の抵抗値は、通常、交差角度が大きく
なるほどより大きな値が選定される。
【００２８】なお、終端ポートＰ３に接続される中心導
体４のポート側（ホットエンド）は、通常、上記実施例
のように中心導体２、３の入出力ポート側と反対の側に
引き出されるように配置されるが、例えば、図５に示す
ように、中心導体４のポート側を中心導体２、３のポー
ト側と同じ方向に引き出すようにしてもよい。図５にお
いて、中心導体２、３の交差角度θ１は１４０度、中心
導体４と中心導体２、３とのそれぞれの交差角度θ２、
θ３は７０度に設定されている。
体４のポート側（ホットエンド）は、通常、上記実施例
のように中心導体２、３の入出力ポート側と反対の側に
引き出されるように配置されるが、例えば、図５に示す
ように、中心導体４のポート側を中心導体２、３のポー
ト側と同じ方向に引き出すようにしてもよい。図５にお
いて、中心導体２、３の交差角度θ１は１４０度、中心
導体４と中心導体２、３とのそれぞれの交差角度θ２、
θ３は７０度に設定されている。
【００２９】図５に示すように中心導体を配置した場
合、小型化に有利な構造とすることができる場合があ
る。図５に示す構成においても、第１実施例で説明した
ものと同様の効果を得ることができる。
合、小型化に有利な構造とすることができる場合があ
る。図５に示す構成においても、第１実施例で説明した
ものと同様の効果を得ることができる。
【００３０】また、中心導体の構造としては、上記各実
施例のようにフェライトの両面に金属導体を巻回したも
のの他に、誘電体基板の両面にエッチング等により中心
電極をパターン形成し、各電極をスルーホールで接続し
たもの、さらに誘電体、磁性体セラミックシートに中心
電極をパターン形成し、これを積層して一体焼結したも
の等があり、いずれの構成の中心導体であっても本発明
を適用することができる。
施例のようにフェライトの両面に金属導体を巻回したも
のの他に、誘電体基板の両面にエッチング等により中心
電極をパターン形成し、各電極をスルーホールで接続し
たもの、さらに誘電体、磁性体セラミックシートに中心
電極をパターン形成し、これを積層して一体焼結したも
の等があり、いずれの構成の中心導体であっても本発明
を適用することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るアイ
ソレータによれば、入出力ポートに接続された２本の中
心導体の交差角度は１３０度〜１５０度に設定されてい
るので、挿入損失を低減することができ、本発明に係る
アイソレータを用いれば、携帯電話等の携帯用移動通信
機器の消費電力を低減することができる。
ソレータによれば、入出力ポートに接続された２本の中
心導体の交差角度は１３０度〜１５０度に設定されてい
るので、挿入損失を低減することができ、本発明に係る
アイソレータを用いれば、携帯電話等の携帯用移動通信
機器の消費電力を低減することができる。
【図１】第１実施例に係るアイソレータを説明するため
の等価回路図である。
の等価回路図である。
【図２】第１実施例に係るアイソレータの中心導体の交
差角度を示す図である。
差角度を示す図である。
【図３】第１実施例と従来のアイソレータの挿入損失の
周波数特性を示す図である。
周波数特性を示す図である。
【図４】第１実施例と従来のアイソレータのアイソレー
ションの周波数特性を示す図である。
ションの周波数特性を示す図である。
【図５】第２実施例に係るアイソレータの中心導体の交
差角度を示す図である。
差角度を示す図である。
【図６】従来のアイソレータを説明するための等価回路
図である。
図である。
２〜４ 中心導体 ５ フェライト（磁性体） Ｐ１ 入力ポート Ｐ２ 出力ポート Ｐ３ 終端ポート Ｃ１〜Ｃ３ 整合用容量 Ｒ 終端抵抗 θ１〜θ３ 交差角度
Claims (1)
- 【請求項１】 磁性体に３本の中心導体が電気的絶縁状
態でかつ所定角度をなすように交差させて配置され、該
交差部分に直流磁界が印加され、各中心導体の一端がそ
れぞれに対応するポートに接続され、他端がアースに接
続され、各ポートとアース間に整合用容量が接続され、
１つのポートに終端抵抗が接続されてなるアイソレータ
において、 入力ポートに接続された中心導体と出力ポートに接続さ
れた中心導体との交差角度を１３０度〜１５０度に設定
するとともに、終端ポートに対応する中心導体と前記２
本の中心導体との交差角度をほぼ同じ値に設定し、かつ
終端ポートに接続される終端抵抗の抵抗値を２００Ω〜
５００Ωに設定したことを特徴とするアイソレータ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8319018A JPH10163709A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | アイソレータ |
| DE69715785T DE69715785T2 (de) | 1996-11-29 | 1997-11-28 | Isolator |
| CA002222832A CA2222832C (en) | 1996-11-29 | 1997-11-28 | Isolator |
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