JPH10163297A - 縦型熱処理炉内への薄板状被処理物の搬入出装置およびこれを用いた薄板状被処理物の搬入出方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スループットを向上させる。被処理物の支持
および温度分布の均一性を優れたものにする。 【解決手段】 キャリヤ１とボート２と半導体ウェハ移
載手段３とを備えている。移載手段３は、半導体ウェハ
載置フィンガ８およびこれよりも下方に位置する半導体
ウェハ持上げフィンガ９からなり、かつ両フィンガ８、
９間にボート２の支持リング６が入り込むようになされ
た対を備えている。両フィンガ８、９は水平移動自在で
ある。持上げフィンガ９は、上下方向に伸縮自在の半導
体ウェハ持上げ部材13を有している。載置フィンガ８が
ボートの支持リング６の上方に、持上げフィンガ９が同
支持リング６の下方にそれぞれ位置した状態で、持上げ
部材13は支持リング６および載置フィンガ８と干渉しな
い。上記状態で、持上げ部材13の伸長時にはその上端が
載置フィンガ８よりも上方に来、収縮時にはその上端が
支持リング６の下方に来る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は縦型熱処理炉内へ
の薄板状被処理物の搬入出装置およびこれを用いた薄板
状被処理物の搬入出方法に関する。

【０００２】

【従来の技術と発明が解決しようとする課題】薄板状被
処理物、たとえば半導体ウェハに、酸化膜の形成、ドー
パントの拡散、アニールあるいはＣＶＤ等の熱処理を施
す装置において、半導体ウェハの縦型熱処理炉内への搬
入出は、通常、複数の半導体ウェハを保持するキャリア
と、複数の半導体ウェハを保持しうるとともに上下動自
在であり、かつ上昇時に縦型熱処理炉内に挿入されるボ
ートと、キャリアとボートとの間で半導体ウェハを移載
する移載手段とを備えている装置を用いて行われてい
た。

【０００３】従来、この種の搬入出装置としては、基
台、および同一円周上に位置するように基台上に立設さ
れた複数の支柱よりなり、各支柱にウェハ係止部が形成
されたボートと、上下動自在であるとともに水平移動自
在であり、かつ隣り合う２つの支柱からなる全ての組の
うちのいずれか１つの組の支柱間からボート内に侵入し
うる被処理物載置フィンガとからなるものが用いられて
いた。

【０００４】しかしながら、上記従来の装置では次のよ
うな問題があった。すなわち、半導体ウェハに熱処理を
施す場合、半導体ウェハの面内の温度分布の均一性を保
つことによって、半導体ウェハ面内での処理の均一性を
保つとともに形成される各種膜、たとえば酸化膜の膜厚
の均一性を保ち、しかも半導体ウェハのスリップや反り
を防止することが要求される。ところが、最近および将
来の半導体ウェハの大口径化（８〜１２インチ）にとも
ない、従来の装置のボートを上昇させて縦型熱処理炉内
に挿入して半導体ウェハに熱処理を施した場合、自重が
増加したにもかかわらず、半導体ウェハが支柱に形成さ
れたウェハ係止部で支持されているだけであるので、自
重による反りやスリップ等の欠陥の発生をさけられず、
しかも半導体ウェハの面内の温度分布の均一性を保つこ
とができず、その結果上述のような要求を満たすことは
できなかった。

【０００５】そこで、このような問題を解決するため
に、特開平６−４５２６９号公報には、半導体ウェハを
リングで支持する形式の次の３つの装置が記載されてい
る。

【０００６】その第１の装置は、基台、同一円周上に位
置するように基台上に立設された複数の支柱、および上
下方向に間隔をおいて支柱に取付けられた複数の支持リ
ングよりなるボートと、基台に支持リング内を通って上
下動しうるように設けられかつ上面に複数の突起を有す
るウェハ持上げ部材、および水平移動自在でありかつボ
ート内に侵入して隣り合う支持リング間に入り込みうる
被処理物載置フィンガよりなるウェハ移載手段とを備え
たものである。この装置では、半導体ウェハの搬入時に
は、半導体ウェハが載置された被処理物載置フィンガ
を、ボートの支持リングの上方まで移動させた後、ウェ
ハ持上げ部材を上昇させて突起により半導体ウェハを持
上げ、ついで被処理物載置フィンガをボートから退出さ
せた後ウェハ持上げ部材を下降させて半導体ウェハを支
持リング上に載せ換えるようになっている。また、半導
体ウェハの搬出時には、ウェハ持上げ部材を上昇させて
突起により支持リングに載置されている半導体ウェハを
持上げ、ついで被処理物載置フィンガを持上げられた半
導体ウェハと支持リングとの間に移動させた後ウェハ持
上げ部材を下降させて半導体ウェハを被処理物載置フィ
ンガ上に載せ換え、ついでフィンガをボートから退出さ
せるようになっている。

【０００７】しかしながら、上記第１の装置の場合、半
導体ウェハの搬入出を１枚ずつしか行うことができな
い。すなわち、搬入時には最上部の支持リングから順
に、また搬出時には最下部の支持リングから順にそれぞ
れ１枚ずつ行わなければならない。したがって、搬入出
に極めて長い時間を必要とし、ひいては熱処理に要する
時間も長くなって、スループットが低下する。しかも、
半導体ウェハの移載の順序が制限されるので、全ての半
導体ウェハをボートに搭載した後、ダミー用ウェハ、モ
ニタ用ウェハ、補充用ウェハを所望の支持リングに載置
することはできない。

【０００８】上記公報に記載されている第２の装置は、
基台、同一円周上に位置するように基台上に立設された
複数の支柱、および上下方向に間隔をおいて支柱に取付
けられた複数の支持リングよりなるボートと、被処理物
載置フィンガおよびこれよりも下方に位置する被処理物
持上げフィンガからなり、かつ両フィンガ間にボートの
支持リングが入り込むようになされた対を備えた移載手
段とからなり、移載手段の両フィンガがそれぞれ水平移
動自在であるとともに別個に作動するようになされ、被
処理物持上げフィンガが上下動自在であり、被処理物持
上げフィンガの上面に上下方向にのびる複数のウェハ突
上げ棒が設けられているものである。この装置では、半
導体ウェハの搬入時には、半導体ウェハが載置された被
処理物載置フィンガをボートの支持リングの上方まで移
動させるとともに被処理物持上げフィンガを支持リング
の下方に移動させた後、被処理物持上げフィンガを上昇
させることによりウェハ突上げ棒で半導体ウェハを持上
げ、ついで被処理物載置フィンガをボートから退出させ
た後ウェハ持上げフィンガを下降させて半導体ウェハを
支持リング上に載せ換えるようになっている。また、半
導体ウェハの搬出時には、ウェハ持上げフィンガを支持
リングの下方に移動させた後このフィンガを上昇させて
突上げ棒により支持リングに載置されている半導体ウェ
ハを持上げ、ついで被処理物載置フィンガを支持リング
の上方まで移動させた後ウェハ持上げフィンガを下降さ
せて半導体ウェハを被処理物載置フィンガ上に載せ換
え、ついで両フィンガをボートから退出させるようにな
っている。

【０００９】しかしながら、上記第２の装置の場合、ウ
ェハ持上げフィンガに突上げ棒が設けられているため、
このフィンガを支持リングの下方に移動させるには、隣
り合う支持リングのピッチを小さくすることはできな
い。したがって、ボートに１度に搭載することのできる
半導体ウェハの枚数を多くすることができず、１度の熱
処理で処理できる枚数も少なくなって、スループットが
低下する。

【００１０】上記公報に記載されている第３の装置は、
基台、同一円周上に位置するように基台上に立設された
複数の支柱、および上下方向に間隔をおいて支柱に取付
けられた複数の支持リングよりなるボートと、上下動お
よび水平移動自在でかつ隣り合う支持リング間に入り込
みうる被処理物載置フィンガ、ならびにボートと相対的
に上下動するとともに水平移動自在である複数のウェハ
支持歯よりなる移載手段とからなり、支持リングの外周
縁にウェハ支持歯が入りうるウェハ支持歯と同数の切欠
きが形成されたものである。この装置では、半導体ウェ
ハの搬入時には、半導体ウェハが載置された被処理物載
置フィンガをボートの支持リングの上方まで移動させた
後、ウェハ支持歯を支持リングの上方における切欠きと
対応する位置に移動させ、ついで被処理物載置フィンガ
を下降させることにより半導体ウェハをウェハ支持歯に
より支持し、その後ウェハ支持歯をボートに対して相対
的に下降させて切欠きに通し、半導体ウェハを支持リン
グ上に載せ換えるようになっている。また、半導体ウェ
ハの搬出時には、ウェハ支持歯を支持リングの切欠き内
に移動させた後ウェハ支持歯をボートに対して相対的に
上昇させることにより半導体ウェハをウェハ支持歯で支
持し、その後被処理物載置フィンガをボートの支持リン
グの上方でかつウェハ支持歯で支持されている半導体ウ
ェハの下方の高さ位置まで移動させ、ついで被処理物載
置フィンガを上昇させて半導体ウェハを被処理物載置フ
ィンガ上に載せ換え、ついでフィンガをボートから退出
させるようになっている。

【００１１】しかしながら、上記第３の装置の場合、ウ
ェハ支持歯における支持リングの切欠き内に存在する部
分だけで半導体ウェハを支持することになるので、半導
体ウェハを安定して支持するためには、切欠きを大きく
してこの中に入るウェハ支持歯を大きくする必要があ
る。その結果、半導体ウェハ、特に大口径のものに熱処
理を施す場合、半導体ウェハの面内の温度分布の均一性
を保てなくなるおそれがある。したがって、半導体ウェ
ハ面内での処理が不均一になるとともに形成される各種
膜、たとえば酸化膜の膜厚が不均一になり、しかも半導
体ウェハにスリップや反りが生じるおそれがある。

【００１２】この発明の目的は、上記問題を解決し、半
導体ウェハのような薄板状被処理物、特に大口径のもの
に熱処理を施す場合にも反りやスリップの発生を防止し
て歩留りを向上させることができるとともに、被処理物
の面内の温度分布の均一性を保つことができ、しかもス
ループットを向上させることのできる縦型熱処理炉内へ
の薄板状被処理物の搬入出装置およびこれを用いた薄板
状被処理物の搬入出方法を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段と発明の効果】この発明の
請求項１の縦型熱処理炉内への薄板状被処理物の搬入出
装置は、複数の薄板状被処理物を保持するキャリアと、
複数の被処理物を保持しうるとともに上下動自在であ
り、かつ上昇時に縦型熱処理炉内に挿入されるボート
と、キャリアとボートとの間で被処理物を移載する被処
理物移載手段とを備えた縦型熱処理炉内への薄板状被処
理物の搬入出装置であって、ボートが、基台と、基台上
に立設された３つ以上の支柱と、上下方向に間隔をおい
て支柱に取付けられかつ被処理物を支持する複数の支持
リングとを備えており、隣り合う２つの支柱からなる全
ての組により形成される間隔のうちの１つの間隔が被処
理物よりも大とされて被処理物通過空間となされるとと
もにこの被処理物通過空間を通して被処理物が移載手段
と支持リングとの間で載せ換えられるようになされてお
り、被処理物移載手段が、被処理物載置フィンガおよび
これよりも下方に位置する被処理物持上げフィンガから
なり、かつ両フィンガ間にボートの支持リングが入り込
むようになされた対を備えており、両フィンガが水平移
動自在であり、被処理物持上げフィンガが、上下方向に
伸縮自在の被処理物持上げ部材を有しており、被処理物
載置フィンガがボートの支持リングの上方に、被処理物
持上げフィンガが同支持リングの下方にそれぞれ位置し
た状態で、被処理物持上げ部材が支持リングおよび被処
理物載置フィンガと干渉しないようになされ、同じく上
記状態で、被処理物持上げ部材が伸長するとその上端が
被処理物載置フィンガよりも上方に来るとともに、収縮
するとその上端が支持リングの下方に来るようになされ
ているものである。

【００１４】上記請求項１の装置によれば、ボートが、
基台と、基台上に立設された３つ以上の支柱と、上下方
向に間隔をおいて支柱に取付けられかつ被処理物を支持
する複数の支持リングとを備えているので、支持リング
に被処理物を載置した状態でボートを上昇させて縦型熱
処理炉内に挿入し、被処理物に熱処理を施す場合、支持
リングの温度分布が均一になり、その結果被処理物の温
度分布の均一性が保たれる。したがって、被処理物の面
内での処理が均一になるとともに形成される各種膜、た
とえば酸化膜の膜厚が均一になり、しかも被処理物にス
リップや反りが生じることが防止され、結果として歩留
りの向上に寄与しうる。

【００１５】また、被処理物移載手段が、被処理物載置
フィンガおよびこれよりも下方に位置する被処理物持上
げフィンガからなり、かつ両フィンガ間にボートの支持
リングが入り込むようになされた対を備えており、両フ
ィンガが水平移動自在であり、被処理物持上げフィンガ
が、上下方向に伸縮自在の被処理物持上げ部材を有して
おり、被処理物載置フィンガがボートの支持リングの上
方に、被処理物持上げフィンガが同支持リングの下方に
それぞれ位置した状態で、被処理物持上げ部材が支持リ
ングおよび被処理物載置フィンガと干渉しないようにな
され、同じく上記状態で、被処理物持上げ部材が伸長す
るとその上端が被処理物載置フィンガよりも上方に来る
とともに、収縮するとその上端が支持リングの下方に来
るようになされているので、ボートの支持リング間の間
隔を、被処理物持上げフィンガの上面に上下方向にのび
る突上げ棒が固定状に設けられている従来の第２の装置
に比べて、小さくすることができる。したがって、ボー
トに１度に搭載する被処理物の数を多くすることがで
き、１度に多数の被処理物に熱処理を施すことができる
ことになってスループットが向上する。しかも、被処理
物載置フィンガおよび被処理物持上げフィンガからなる
対を複数対設けておけば、１度の作業で複数の被処理物
の搬入出を行うことができて、全ての被処理物の搬入出
に要する時間が短くなり、ひいては熱処理装置内滞留時
間も短くなる。したがって、スループットが向上する。
また、薄板状被処理物が半導体ウェハの場合、一旦全て
の半導体ウェハをボートに搭載した後にも、ダミー用ウ
ェハ、モニタ用ウェハ、補充用ウェハ等を所望の支持リ
ングに載置することができる。さらに、従来の第３の装
置のように支持リングに切欠きを形成することなく被処
理物を搬入出することができ、熱処理時の被処理物の温
度分布の均一性が優れたものになる。

【００１６】上記請求項１の装置において、ボートの基
台上に、支持リングを支持しうる少なくとも１つの可動
支柱が、被処理物通過空間に位置するように立設され、
全ての支柱および可動支柱が同一円周上に配され、可動
支柱が、被処理物通過空間に位置してこの空間を閉じか
つ支持リングを支持する閉位置と、被処理物通過空間か
ら退いてこの空間を開きかつ被処理物の通過を許容する
開位置との間で移動するようになされていることが好ま
しい。この場合、支持リングに被処理物を載置した状態
でボートを上昇させて縦型熱処理炉内に挿入し、被処理
物に熱処理を施す場合、支持リングの温度分布が請求項
１の装置に比べて一層均一になり、その結果被処理物の
温度分布の均一性がより確実に保たれるとともに、支持
リングの支持が均等になる。したがって、被処理物の面
内での処理が均一になるとともに形成される各種膜、た
とえば酸化膜の膜厚が均一になり、しかも被処理物にス
リップや反りが生じることが防止される。ここで、可動
支柱と支持リングとの間で摺動や摩擦を起すことなく円
滑な動作を確保するために、可動支柱は上下動自在とな
っていることが好ましい。なお、ボートの基台上に、支
柱の他に少なくとも１つの可動支柱が立設されている装
置の場合、支柱および可動支柱がそれぞれ近接して２本
以上立設されるとともに近接したものどうしが対または
群をなし、これらの対または群が周方向に等角度間隔で
配されていることがある。

【００１７】ボートの基台上に、支柱の他に少なくとも
１つの可動支柱が立設され、全ての支柱および可動支柱
が同一円周上に配されている装置の場合、全ての支柱お
よび可動支柱が周方向に等角度間隔で配されていること
がよい。この場合、被処理物に熱処理を施すさいに、支
持リングの温度分布がより一層均一になり、その結果被
処理物の温度分布の均一性がより確実に保たれるととも
に、支持リングの支持が均等になる。

【００１８】この発明の請求項４の縦型熱処理炉内への
薄板状被処理物の搬入方法は、請求項１記載の装置を用
いて縦型熱処理炉内へ薄板状被処理物を搬入する方法で
あって、キャリアから取出した被処理物を載置している
被処理物載置フィンガと、被処理物持上げ部材が収縮し
ている被処理物持上げフィンガとを、被処理物通過空間
を通してボート内に侵入させてそれぞれ１つの支持リン
グの上方および下方に位置させる第１工程と、第１工程
後被処理物持上げ部材を伸長させることにより被処理物
を被処理物持上げ部材で支持して被処理物載置フィンガ
から持上げる第２工程と、第２工程後被処理物載置フィ
ンガを被処理物通過空間を通してボートから退出させる
第３工程と、第３工程後被処理物持上げ部材を収縮させ
ることにより被処理物を支持リング上に載せ換える第４
工程と、第４工程後被処理物持上げフィンガを被処理物
通過空間を通してボートから退出させる第５工程とを含
み、第１〜第５工程を少なくとも１回行うことを特徴と
するものである。

【００１９】上記請求項４の方法によれば、被処理物載
置フィンガおよび被処理物持上げフィンガからなる対を
複数用いて作業を行えば、１度の作業で複数の被処理物
の搬入を行うことができて、全ての被処理物の搬入に要
する時間が短くなり、ひいては熱処理装置内滞留時間も
短くなる。したがって、スループットが向上する。ま
た、薄板状被処理物が半導体ウェハの場合、一旦全ての
半導体ウェハをボートに搭載した後にも、ダミー用ウェ
ハ、モニタ用ウェハ、補充用ウェハ等を所望の支持リン
グに載置することができる。さらに、従来の第３の装置
のように支持リングに切欠きを形成することなく被処理
物を搬入することができ、熱処理時の被処理物の温度分
布の均一性が優れたものになる。

【００２０】この発明の請求項５の縦型熱処理炉内への
薄板状被処理物の搬入方法は、請求項２または３記載の
装置を用いて縦型熱処理炉内へ薄板状被処理物を搬入す
る方法であって、請求項４記載の方法における最初の第
１工程の前に、可動支柱を開位置に移動させておくとと
もに、最後の第５工程後可動支柱を閉位置に移動させて
支持リングを支持させることを特徴とするものである。

【００２１】上記請求項５記載の方法によれば、被処理
物の搬入のさいに、可動支柱が邪魔になることはない。
しかも、支持リングに被処理物を載置した状態でボート
を上昇させて縦型熱処理炉内に挿入し、被処理物に熱処
理を施す場合、支持リングの温度分布が請求項４の方法
に比べて一層均一になり、その結果被処理物の温度分布
の均一性がより確実に保たれるとともに、支持リングの
支持が均等になる。

【００２２】この発明の請求項６の縦型熱処理炉内から
の薄板状被処理物の搬出方法は、請求項１記載の装置を
用いて縦型熱処理炉内から薄板状被処理物を搬出する方
法であって、被処理物持上げ部材が収縮している被処理
物持上げフィンガを、被処理物通過空間を通してボート
内に侵入させ、被処理物を支持している支持リングの下
方に位置させる第１工程と、第１工程後被処理物持上げ
部材を伸長させることにより被処理物を被処理物持上げ
部材で支持して支持リングから持上げる第２工程と、第
２工程後被処理物載置フィンガを被処理物通過空間を通
してボート内に侵入させ、上記支持リングの上方に位置
させる第３工程と、第３工程後被処理物持上げ部材を収
縮させることにより被処理物を被処理物載置フィンガ上
に載せ換える第４工程と、両フィンガを被処理物通過空
間を通してボートから退出させる第５工程とを含み、第
１〜第５工程を少なくとも１回行うことを特徴とするも
のである。

【００２３】上記請求項６の方法によれば、被処理物載
置フィンガおよび被処理物持上げフィンガからなる対を
複数用いて作業を行えば、１度の作業で複数の被処理物
の搬出を行うことができて、全ての被処理物の搬出に要
する時間が短くなり、ひいては熱処理装置内滞留時間も
短くなる。したがって、スループットが向上する。ま
た、薄板状被処理物が半導体ウェハの場合、一旦全ての
製品半導体ウェハをボートからおろした後にも、ダミー
用ウェハ、モニタ用ウェハ、補充用ウェハ等を支持リン
グからおろすことができる。さらに、従来の第３の装置
のように支持リングに切欠きを形成することなく被処理
物を搬出することができ、熱処理時の被処理物の温度分
布の均一性が優れたものになる。

【００２４】この発明の請求項７の縦型熱処理炉内から
の薄板状被処理物の搬出方法は、請求項２または３記載
の装置を用いて縦型熱処理炉内から薄板状被処理物を搬
出する方法であって、請求項６記載の方法における最初
の第１工程の前に、可動支柱を開位置に移動させておく
とともに、最後の第５工程後可動支柱を閉位置に移動さ
せて支持リングを支持させることを特徴とするものであ
る。

【００２５】上記請求項７記載の方法によれば、被処理
物の搬出のさいに、可動支柱が邪魔になることはない。
しかも、支持リングに被処理物を載置した状態でボート
を上昇させて縦型熱処理炉内に挿入し、被処理物に熱処
理を施す場合、支持リングの温度分布が請求項６の方法
に比べて一層均一になり、その結果被処理物の温度分布
の均一性がより確実に保たれるとともに、支持リングの
支持が均等になる。

【００２６】この発明の請求項８の縦型熱処理炉内への
薄板状被処理物の搬入出装置は、複数の薄板状被処理物
を保持するキャリアと、複数の被処理物を保持しうると
ともに上下動自在であり、かつ上昇時に縦型熱処理炉内
に挿入されるボートと、キャリアとボートとの間で被処
理物を移載する被処理物移載手段とを備えた縦型熱処理
炉内への薄板状被処理物の搬入出装置であって、ボート
が、基台と、基台上に立設された４つ以上の支柱と、上
下方向に間隔をおいて支柱に取付けられかつ被処理物を
支持する複数の支持リングとを備えており、被処理物移
載手段が、上下動自在であるとともに水平移動自在であ
り、かつボート内に侵入して隣り合う支持リング間に入
り込みうる被処理物載置フィンガを備えており、ボート
の全ての支柱が少なくとも３つの固定支柱と残りの可動
支柱とからなり、固定支柱の中の隣り合う２つの支柱の
組により形成される間隔のうちの１つの間隔が被処理物
よりも大とされて被処理物通過空間となされるととも
に、被処理物通過空間に可動支柱が位置させられ、可動
支柱が、上下動自在であるとともに、被処理物通過空間
に位置してこの空間を閉じる閉位置と、被処理物通過空
間から退いてこの空間を開きかつ被処理物の通過を許容
する開位置との間で移動するようになされ、ボートの各
支持リングが、固定支柱に取付けられかつ被処理物を載
置しうる固定円弧状部分と、可動支柱に取付けられて可
動支柱とともに移動し、かつ被処理物の一部を支持しう
る可動円弧状部分とより構成されているものである。こ
こで、支持リングと被処理物との間で摺動や摩擦を起す
ことなく円滑な動作を確保するために、可動支柱は上下
動自在となっている。

【００２７】上記請求項８の装置によれば、上述した請
求項１の装置と同様の作用効果を奏する。また、ボート
の全ての支柱が少なくとも３つの固定支柱と残りの可動
支柱とからなり、固定支柱の中の隣り合う２つの支柱の
組により形成される間隔のうちの１つの間隔が被処理物
よりも大とされて被処理物通過空間となされるととも
に、被処理物通過空間に可動支柱が位置させられ、可動
支柱が、上下動自在であるとともに、被処理物通過空間
に位置してこの空間を閉じる閉位置と、被処理物通過空
間から退いてこの空間を開きかつ被処理物の通過を許容
する開位置との間で移動するようになされ、ボートの各
支持リングが、固定支柱に取付けられかつ被処理物を載
置しうる固定円弧状部分と、可動支柱に取付けられかつ
可動支柱とともに移動し、かつ被処理物の一部を支持し
うる可動円弧状部分とより構成されているので、可動支
柱を開位置に移動させておけば、被処理物の搬入出を支
障なく行うことができる。

【００２８】上記請求項８記載の装置において、支柱お
よび可動支柱がそれぞれ近接して２本以上立設されると
ともに近接したものどうしが対または群をなし、これら
の対または群が周方向に等角度間隔で配されていること
がある。

【００２９】上記請求項８記載の装置において、全ての
固定支柱および可動支柱が、同一円周上において周方向
に等角度間隔で配されていることが好ましい。この場
合、支持リングに被処理物を載置した状態でボートを上
昇させて縦型熱処理炉内に挿入し、被処理物に熱処理を
施す場合、支持リングの温度分布が請求項７の装置に比
べて一層均一になり、その結果被処理物の温度分布の均
一性がより確実に保たれるとともに、支持リングの支持
が均等になる。したがって、被処理物の面内での処理が
均一になるとともに形成される各種膜、たとえば酸化膜
の膜厚が均一になり、しかも被処理物にスリップや反り
が生じることが防止され、結果として歩留りの向上に寄
与しうる。

【００３０】この発明の請求項１０の縦型熱処理炉内へ
の薄板状被処理物の搬入方法は、請求項８記載の装置を
用いて縦型熱処理炉内へ薄板状被処理物を搬入する方法
であって、可動支柱を下降させて支持リングの可動円弧
状部分を固定円弧状部分よりも下方に位置させた後、可
動支柱を開位置に移動させる第１工程と、第１工程後キ
ャリアから取出した被処理物を載置している被処理物載
置フィンガを、被処理物通過空間を通してボート内に侵
入させ、支持リングの固定円弧状部分の上方に入り込ま
せる第２工程と、第２工程後被処理物載置フィンガを下
降させて被処理物を支持リングの固定円弧状部分上に載
せ換える第３工程と、第３工程後被処理物載置フィンガ
を被処理物通過空間を通してボートから退出させる第４
工程と、第４工程後可動支柱を閉位置に移動させるとと
もに上昇させて支持リングの可動円弧状部分で被処理物
の一部を支持させる第５工程とを含み、第１工程と第５
工程との間に第２〜第４工程を少なくとも１回行うこと
を特徴とするものである。

【００３１】上記請求項１０の方法によれば、上述した
請求項４の方法と同様な作用効果を奏する。

【００３２】この発明の請求項１１の縦型熱処理炉から
の薄板状被処理物の搬出方法は、請求項８記載の装置を
用いて縦型熱処理炉内から薄板状被処理物を搬出する方
法であって、可動支柱を下降させて被処理物を支持して
いる支持リングの可動円弧状部分を固定円弧状部分より
も下方に位置させた後、可動支柱を開位置に移動させる
第１工程と、第１工程後被処理物載置フィンガを、被処
理物通過空間を通してボート内に侵入させ、被処理物を
支持している支持リングの固定円弧状部分の下方に入り
込ませる第２工程と、第２工程後被処理物載置フィンガ
を上昇させることにより被処理物を被処理物載置フィン
ガ上に載せ換える第３工程と、被処理物載置フィンガを
被処理物通過空間を通してボートから退出させる第４工
程と、第４工程後可動支柱を閉位置に移動させるととも
に上昇させて可動円弧状部分を固定円弧状部分と同一高
さ位置に来させる第５工程とを含み、第１工程と第５工
程との間に第２〜第４工程を少なくとも１回行うことを
特徴とするものである。

【００３３】上記請求項１１の方法によれば、上述した
請求項６の方法と同様な作用効果を奏する。

【００３４】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を、
図面を参照して説明する。なお、全図面を通じて同一物
および同一部分には同一符号を付して重複する説明を省
略する。

【００３５】実施形態１ この実施形態は図１〜図５に示すものである。

【００３６】図１はこの発明の装置の全体構成を示し、
図２は図１の要部を示し、図３は被処理物載置フィンガ
および被処理物持上げフィンガがボート内に侵入した状
態を示し、図４は被処理物持上げフィンガの被処理物持
上げ部材の部分を示し、図５は搬入方法を工程順に示
す。

【００３７】図１〜図３において、縦型熱処理炉内への
半導体ウェハ（薄板状被処理物）の搬入出装置は、複数
の半導体ウェハ(S) を保持するキャリア(1) と、複数の
半導体ウェハ(S) を保持しうるとともに上下動自在であ
り、かつ上昇時に図示しない縦型熱処理炉内に挿入され
るボート(2) と、キャリア(1) とボート(2) との間で半
導体ウェハ(S) を移載する半導体ウェハ移載手段(3) と
を備えている。

【００３８】ボート(2) は、基台(4) と、同一円周上に
位置するように基台(4) 上に立設された３つ以上、たと
えば４つの支柱(5) と、上下方向に間隔をおいて支柱
(5) に取付けられかつ半導体ウェハ(S) を支持する複数
の支持リング(6) とを備えている。図示は省略したが、
支持リング(6) は、支柱(5) に形成された切欠き内に嵌
め入れられて固定されている。隣り合う２つの支柱(5)
からなる全ての組により形成される間隔のうちの１つの
間隔は半導体ウェハ(S) の直径よりも大とされて半導体
ウェハ通過空間となされている。他の残りの隣り合う２
つの支柱(5) の組により形成される間隔は、互いに等し
くなっている。

【００３９】半導体ウェハ移載手段(3) は、上下動する
エレベータ(7) と、エレベータ(7)上に設けられた半導
体ウェハ載置フィンガ(8) およびこれよりも下方に位置
する半導体ウェハ持上げフィンガ(9) からなり、かつ両
フィンガ(8)(9)間にボート(2) の支持リング(6) が入り
込むようになされた対を、上下方向に並ぶように複数備
えている。各フィンガ(8)(9)は、エレベータ(7)上に設
けられ、かつそれぞれ１つの垂直軸線の回りに回転自在
であるとともに、水平方向に伸縮しうる第１および第２
の２つのアーム(11)(12)の先端に上下方向に所定間隔を
おいて設けられている。したがって、両フィンガ(8)(9)
はそれぞれ水平移動自在であるとともに別個に作動する
ようになされている。

【００４０】半導体ウェハ持上げフィンガ(9) の上面に
は、上下方向に伸縮自在の複数、たとえば４つの半導体
ウェハ持上げ部材(13)が設けられている。図４に示すよ
うに、半導体ウェハ持上げフィンガ(9) は中空状であ
り、その内部に流体通路(14)が形成されている。半導体
ウェハ持上げフィンガ(9) の上壁(9a)における所定位置
に貫通穴(15)が形成されている。そして、下端部が上壁
(9a)における貫通穴(15)の周囲の部分に固定されたテフ
ロン、耐熱ゴム、ステンレス鋼等からなるベローズ(16)
と、ベローズ(16)の上端開口を塞ぐようにベローズ(16)
上端に固定されたテフロン等の耐熱樹脂からなる当接板
(17)により半導体ウェハ持上げ部材(13)が構成され、流
体通路(14)を通してベローズ(16)内に窒素ガス、空気等
の作動流体を供給すると、ベローズ(16)が伸長して持上
げ部材(13)が伸長し（図４鎖線参照）、供給した空気を
排出すると持上げ部材(13)が収縮するようになっている
（図４実線参照）。持上げ部材(13)の収縮時には、ベロ
ーズ(16)はそのほぼ全体が貫通穴(15)内に位置している
ことが好ましく、さらには、当接板(17)の上面がフィン
ガ(9) の上面と面一になる程度に貫通穴(15)内に収納さ
れることが望ましい。なお、持上げ部材(13)の伸縮時に
は、その動作が急激にならないように、作動流体の供給
および排出時のスピードをコントロールする公知の手段
を設けておくのがよい。

【００４１】図３に示すように、半導体ウェハ持上げ部
材(13)は、互いに対をなすフィンガ(8)(9)のうち半導体
ウェハ載置フィンガ(8) がボート(2) の支持リング(6)
の上方に、半導体ウェハ持上げフィンガ(9) が同支持リ
ング(6) の下方にそれぞれ位置した状態で、支持リング
(6) および半導体ウェハ載置フィンガ(8) と干渉しない
ようになされ、同じく上記状態で、図２に示すように、
半導体ウェハ持上げ部材(13)が伸長するとその上端が半
導体ウェハ載置フィンガ(8) よりも上方に来るととも
に、収縮するとその上端が支持リング(6) の下方に来る
ようになされている。

【００４２】このような構成の装置を用いての縦型熱処
理炉内への半導体ウェハ(S) の搬入方法を、図５を参照
して説明する。

【００４３】まず、キャリア(1) から取出した半導体ウ
ェハ(S) を載置している半導体ウェハ載置フィンガ(8)
と、半導体ウェハ持上げ部材(13)が収縮している半導体
ウェハ持上げフィンガ(9) とからなる全ての対を、それ
ぞれ半導体ウェハ通過空間を通してボート(2) 内に侵入
させ、半導体ウェハ載置フィンガ(8) を支持リング(6)
の上方に、半導体ウェハ持上げフィンガ(9) を支持リン
グ(6) の下方にそれぞれ位置させる（図５(a) 参照）。

【００４４】ついで、半導体ウェハ持上げ部材(13)を伸
長させることにより半導体ウェハ(S) を半導体ウェハ持
上げ部材(13)で支持して半導体ウェハ載置フィンガ(8)
から持上げた後（図５(b) 参照）、半導体ウェハ載置フ
ィンガを半導体ウェハ通過空間を通してボート(2) から
退出させる（図５(c) 参照）。

【００４５】ついで、半導体ウェハ持上げ部材(13)を収
縮させることにより半導体ウェハ(S) を支持リング(6)
上に載せ換えた後（図５(d) 参照）、半導体ウェハ持上
げフィンガ(9) を半導体ウェハ通過空間を通してボート
(2) から退出させる。

【００４６】このような操作を繰り返すことにより、キ
ャリア(1) 内の全ての半導体ウェハ(S) をボート(2) に
搭載する。なお、半導体ウェハ(S) のボート(2) への搭
載のさいは、順序を問わず、任意の位置の支持リング
(6) への移載が可能である。

【００４７】最後に、ボート(2) を上昇させて縦型熱処
理炉内へ挿入する。こうして、縦型熱処理炉内への半導
体ウェハ(S) の搬入が完了する。

【００４８】また、縦型熱処理炉からの半導体ウェハ
(S) の搬出は次のようにして行われる。

【００４９】まず、熱処理終了後ボート(2) を下降させ
る。ついで、半導体ウェハ持上げ部材(13)が収縮してい
る半導体ウェハ持上げフィンガ(9) を、半導体ウェハ通
過空間を通してボート(2) 内に侵入させ、半導体ウェハ
(S) を支持している支持リング(6) の下方に位置させ
る。

【００５０】ついで、半導体ウェハ持上げ部材(13)を伸
長させることにより半導体ウェハ(S) を半導体ウェハ持
上げ部材(13)で支持して支持リング(6) から持上げた
後、半導体ウェハ載置フィンガ(8) を半導体ウェハ通過
空間を通してボート(2) 内に侵入させ、上記支持リング
(6) の上方に位置させる。

【００５１】ついで、半導体ウェハ持上げ部材(13)を収
縮させることにより半導体ウェハ(S) を半導体ウェハ載
置フィンガ(8) 上に載せ換えた後、両フィンガ(8)(9)を
半導体ウェハ通過空間を通してボート(2) から退出させ
る。なお、支持リング(6) から半導体ウェハ載置フィン
ガ(8) への半導体ウェハ(S) の移載は、順序を問わず、
任意の位置の支持リング(6) から行うことが可能であ
る。

【００５２】最後に、半導体ウェハ載置フィンガ(8) 上
の半導体ウェハ(S) をキャリア(1)に移し換える。

【００５３】このような操作を繰り返すことにより、ボ
ート(2) の全ての半導体ウェハ(S)をキャリア(1) に搭
載する。

【００５４】図６〜図１１は、それぞれ半導体ウェハ持
上げフィンガ(9) の持上げ部材の変形例を示す。なお、
持上げ部材の変形例の説明において、各図面の左右を左
右というものとする。

【００５５】図６において、半導体ウェハ持上げフィン
ガ(9) の上壁(9a)に形成された貫通穴(15)内に固定シリ
ンダ(20)が嵌め止められ、固定シリンダ(20)内に、径の
異なる複数、たとえば３つの可動シリンダ(21A)(21B)(2
1C) が上下動自在に嵌められ、最も内側の可動シリンダ
(21C) 内にプランジャ(22)が上下動自在に嵌められ、す
べてのシリンダ(20)(21A)(21B)(21C) およびプランジャ
(22)により持上げ部材(23)が構成されている。固定シリ
ンダ(20)の上端に内向きフランジ(20a) が一体に形成さ
れるとともに、最も外側の可動シリンダ(21A) の下端に
外向きフランジ(21a) が一体に形成され、これにより最
も外側の可動シリンダ(21A) の上方への抜けが防止され
ている。また、最も内側の可動シリンダ(21C) の上端に
内向きフランジ(21b) が一体に形成されるとともに、プ
ランジャ(22)の下端に外向きフランジ(22a) が一体に形
成され、これによりプランジャ(22)の上方への抜けが防
止されている。さらに、最も外側および中間の可動シリ
ンダ(21A)(21B)の上端に内向きフランジ(21c) が一体に
形成されるとともに、中間および最も内側の可動シリン
ダ(21B)(21C)の下端に外向きフランジ(21d) が一体に形
成され、これにより中間および最も内側の可動シリンダ
(21B)(21C)の上方への抜けが防止されている。固定シリ
ンダ(20)の下端はフィンガ(9) の下壁(9b)に当接してい
る。固定シリンダ(20)の周壁内面に最も外側の可動シリ
ンダ(21A) の下降位置を規制する内向き突起(20b) が形
成され、この内向き突起(20b) よりも下方の部分に流体
流通穴(20c) が形成されている。プランジャ(22)の上端
にはテフロンからなる板状プランジャヘッド(24)が金属
板(25)を介して固定されている。

【００５６】そして、流体通路(14)から流体流通穴(20
c) を通して固定シリンダ(20)内に窒素ガス、空気等の
作動流体を供給すると、可動シリンダ(21A)(21B)(21C)
およびプランジャ(22)が順次上昇し、これにより持上げ
部材(23)が伸長するようになっている。また、供給した
空気、窒素ガス等を排出すると、可動シリンダ(21A)(21
B)(21C) およびプランジャ(22)が順次下降し、これによ
り持上げ部材(23)が収縮するようになっている。持上げ
部材(23)の収縮時には可動シリンダ(21A)(21B)(21C) お
よびプランジャ(22)はほぼ全体がフィンガ(9) 内に収納
されるようになっている。

【００５７】なお、持上げ部材(23)は、テフロン、耐熱
ゴム等からなるカバーにより覆われていることが好まし
い。また、持上げ部材(23)の伸縮時には、その動作が急
激にならないように、作動流体の供給および排出時のス
ピードをコントロールする公知の手段を設けておくのが
よい。

【００５８】図７において、ベローズ(16)と当接板(17)
により半導体ウェハ持上げ部材(26)が構成されている。
ベローズ(16)内に圧縮コイルばね(27)が配置されてお
り、その下端がフィンガ(9) 内に配置された貫通穴(15)
よりも大きいばね受け板(28)により受けられている。当
接板(17)の下面におけるばね(27)に囲まれた部分に下方
に突出したブラケット(29)が設けられ、このブラケット
(29)に当接板引下げ用ワイヤ(31)の一端が固定されてい
る。フィンガ(9) 内におけるばね受け板(28)よりも下方
の部分に、水平軸の回りに回転自在のプーリ(32)が設け
られており、ワイヤ(31)がばね受け板(28)に形成された
貫通穴(28a) に通され、プーリ(32)に掛けられて左向き
に向きが変えられている。

【００５９】図示の状態は、持上げ部材(26)が伸長状態
と収縮状態との中間に位置する状態である。この状態か
らワイヤ(31)が左方に引張られると、ばね(27)の弾発力
に抗して当接板(17)が下降するとともにベローズ(16)が
収縮し、これにより持上げ部材(26)が収縮する。また、
ワイヤ(31)への引張り力を解除すると、ばね(27)の弾発
力によって当接板(17)が上昇するとともにベローズ(16)
が伸長し、これにより持上げ部材(26)が伸長する。

【００６０】なお、持上げ部材(26)の伸縮時に、当接板
(17)が水平状態を保つように、図６に示すようなシリン
ダ(20)(21A)(21B)(21C) やプランジャ(22)を併用するこ
とが好ましい。また、持上げ部材(26)の伸縮時には、そ
の動作が急激にならないように、ワイヤ(31)の操作スピ
ードをコントロールする公知の手段を設けておくのがよ
い。

【００６１】図８において、半導体ウェハ持上げフィン
ガ(9) 内には、貫通穴(15)を通って上方に突出した逆Ｖ
字状突出部(35)を有する金属製板ばね(36)が配置されて
いる。板ばね(36)の右端部はフィンガ(9) に固定されて
いる。板ばね(36)の突出部(35)は、周縁部がフィンガ
(9) の上壁(9a)上面における貫通穴(15)の周囲の部分に
固定された耐熱合成樹脂製弾性膜(37)により覆われてい
る。そして、板ばね(36)の突出部(35)および弾性膜(37)
により半導体ウェハ持上げ部材(38)が構成されている。

【００６２】図示の状態は、持上げ部材(38)が伸長状態
と収縮状態との中間に位置する状態である。この状態か
ら板ばね(36)が左方に引張られると、突出部(35)が下方
に凹み、これにより持上げ部材(38)が収縮する。板ばね
(36)を右方に押すと、突出部(35)が上方に突出し、これ
により持上げ部材(38)が伸長する。

【００６３】なお、この持上げ部材において、板ばねが
非金属有機材料からなる場合には、弾性膜は必ずしも必
要としない。また、持上げ部材(38)の伸縮時には、その
動作が急激にならないように、板ばね(36)の操作スピー
ドをコントロールする公知の手段を設けておくのがよ
い。

【００６４】図９において、半導体ウェハ持上げフィン
ガ(9) 内における貫通穴(15)よりも左方の部分には、左
右方向にのびるロッド(41)が配置されている。また、フ
ィンガ(9) 内における貫通穴(15)よりも右方の部分に、
左右方向と直交する水平ピン(42)により第１リンク(43)
の右端部が回転自在に取付けられている。第１リンク(4
3)は右端部から左斜め上方にのびており、貫通穴(15)か
ら外方に突出している。また、ロッド(41)の右端部に水
平ピン(42)と平行な水平ピン(44)により第２リンク(45)
の左端部が連結されている。第２リンク(45)は左端部か
ら右斜め上方にのびており、その右端部は水平ピン(42)
(44)と平行な水平ピン(46)により第１リンク(43)の左端
部に連結されている。両リンク(43)(45)の貫通穴(15)か
ら外方に突出した部分は、周縁部がフィンガ(9) の上壁
(9a)上面における貫通穴(15)の周囲の部分に固定された
耐熱合成樹脂製弾性膜(47)により覆われている。そし
て、両リンク(43)(45)および弾性膜(47)により半導体ウ
ェハ持上げ部材(48)が構成されている。

【００６５】図示の状態は、持上げ部材(48)が伸長状態
と収縮状態との中間に位置する状態である。この状態か
らロッド(41)が左方に移動させると、両リンク(43)(45)
の連結部が最も下方に位置し、これにより持上げ部材(4
8)が収縮する。ロッド(41)を右方に移動させると、ロッ
ド(41)の右端部と水平ピン(42)との間隔が狭まることに
よって両リンク(43)(45)の連結部が上方に突出し、これ
により持上げ部材(48)が伸長する。

【００６６】なお、持上げ部材(48)の伸縮時には、その
動作が急激にならないように、ロッド(41)の操作スピー
ドをコントロールする公知の手段を設けておくのがよ
い。

【００６７】図１０において、半導体ウェハ持上げ部材
(50)を構成する当接板(17)の下面に永久磁石(51)が取付
けられるとともに、フィンガ(9) の下壁(9b) 上に永久
磁石(51)と対向するように電磁石(52)が取付けられてい
る。

【００６８】図示の状態は、電磁石(52)への通電が停止
させられ、自重および永久磁石(51)の重量によって当接
板(17)が下降するとともにベローズ(16)が収縮し、これ
により持上げ部材(50)が収縮している状態である。電磁
石(52)に通電すると、磁気反発力によって当接板(17)が
上昇するとともにベローズ(16)が伸長し、これにより持
上げ部材(50)が伸長する。

【００６９】なお、収縮状態において、電磁石(52)に逆
向きに通電すると、磁気吸引力により永久磁石(51)と電
磁石(52)が吸着しあい、持上げ部材(50)は収縮状態に保
持される。また、持上げ部材(50)の伸縮時には、その動
作が急激にならないように、遅延回路等の公知の手段を
設けておくのがよい。

【００７０】図１１において、半導体ウェハ持上げ部材
(55)を構成する当接板(17)の下面に上部電極(56)が取付
けられるとともに、フィンガ(9) の下壁 (9b) 上に上部
電極(56)と対向するように下部電極(57)が取付けられて
いる。

【００７１】図示の状態は、両電極(56)(57)への通電が
停止させられ、自重および上部電極(56)の重量によって
当接板(17)が下降するとともにベローズ(16)が収縮し、
これにより持上げ部材(55)が収縮している状態である。
両電極(56)(57)に、同一極性となるように通電すると、
電気反発力によって当接板(17)が上昇するとともにベロ
ーズ(16)が伸長し、これにより持上げ部材(55)が伸長す
る。

【００７２】なお、収縮状態において、電磁石(52)に逆
向きに通電すると、磁気吸引力により永久磁石(51)と電
磁石(52)が吸着しあい、持上げ部材(50)は収縮状態に保
持される。また、持上げ部材(50)の伸縮時には、その動
作が急激にならないように、遅延回路等の公知の手段を
設けておくのがよい。

【００７３】上述した持上げ部材の変形例において、図
６に示すものの場合には、その収縮時に、プランジャヘ
ッド(24)の上面がフィンガ(9) の上面と面一になるよう
に構成されることが好ましく、図７、図１０および図１
１に示すものの場合には、その収縮時に、当接板(17)の
上面がフィンガ(9) の上面と面一になるように構成され
ることが好ましく、図８および図９に示すものの場合に
は、その収縮時に、弾性膜(37)(47)の上面がほぼ水平面
となるように構成されることが好ましい。

【００７４】実施形態２ この実施形態は図１２および図１３に示すものである。

【００７５】図１２および図１３において、ボート(2)
の基台(60)は、その周面における半導体ウェハ通過空間
に対応する部分の周方向の両側部分に、それぞれ凹所(6
1)が形成された基台本体(62)と、基台本体(62)の凹所(6
1)内に配された可動部分(63)とよりなる。凹所(61)の上
端は基台本体(62)の上面に開口している。基台本体(62)
の周面における両凹所(61)の近傍に、それぞれ径方向斜
め外方に突出した上下１対のブラケット(64)が設けられ
ている。各可動部分(63)には、径方向斜め外方に突出
し、先端が上下のブラケット(64)間に嵌まり込む突出部
(63a) が設けられている。突出部(63a) は上下のブラケ
ット(64)間で若干上下動するようになっている。そし
て、上下１対のブラケット(64)および突出部(63a) に通
され、突出部(63a) に固定されるとともに、ブラケット
(64)に回転自在に支持された鉛直ピン(65)により、各可
動部分(63)が回動自在に取付けられている。鉛直ピン(6
5)は下方にのびており、基台(60)の下方に設けられた適
当な公知の駆動機構(67)によって凹所(61)内に嵌まり込
んだ閉位置（図１３参照）と、凹所(61)から出た開位置
（図１２参照）との間で回動させられるようになってい
る。また、各可動部分(63)は、基台(60)の下方に設けら
れたカム装置(68)によって、基台本体(62)を貫通した鉛
直ロッド(69)およびその上端に固定された昇降板(91)を
介して上下動するようになされている。

【００７６】ボート(2) の基台(60)における各可動部分
(63)上に、支持リング(6) を支持しうる少なくとも１
つ、たとえば１つの可動支柱(66)が立設されている。可
動支柱(66)は支柱(5) が立設されているのと同一円周上
に立設されている。可動支柱(66)の周面には、可動部分
(63)が基台本体(62)の凹所(61)内に存在する場合に、支
持リング(6) の一部が嵌まる切欠き(66a) が形成されて
いる。切欠き(66a) の上下方向の幅は可動部分(63)が上
下動する距離と等しいか、あるいはこれよりも大きくな
っており、可動部分(63)が上昇位置にあるときに支持リ
ング(6) が切欠き(66a) の下端で支持され、下降位置に
あるときにも支持リング(6) が切欠き(66a) 内に嵌まる
ようになっている。全ての支柱(5) および可動支柱(66)
は周方向に等角度間隔となっている。

【００７７】可動支柱(66)は、ボート(2) の可動部分(6
3)の上下動および回動により、半導体ウェハ通過空間に
位置してこの空間を閉じかつ支持リング(6) を支持する
閉位置と、半導体ウェハ通過空間から退いてこの空間を
開きかつ半導体ウェハ(S) の通過を許容する開位置との
間で移動するようになされている。すなわち、可動支柱
(66)は、可動部分(63)が凹所(61)内に嵌まり込んだ閉位
置にある場合に閉位置に位置し、可動部分(63)が凹所(6
1)から出た開位置にある場合に開位置に位置する。

【００７８】その他の構成は実施形態１と同じであり、
同一物および同一部分には同一符号を付す。また、この
実施形態の場合も、持上げ部材として図６〜図１１に示
すものを用いることができる。

【００７９】このような構成の装置を用いての縦型熱処
理炉内への半導体ウェハ(S) の搬入方法は、次の通りで
ある。

【００８０】すなわち、実施形態１の装置を用いての搬
入方法において、キャリア(1) から取出した半導体ウェ
ハ(S) を載置している半導体ウェハ載置フィンガ(8)
と、半導体ウェハ持上げ部材(13)が収縮している半導体
ウェハ持上げフィンガ(9) とからなる全ての対を、それ
ぞれ半導体ウェハ通過空間を通してボート(2) 内に侵入
させ、半導体ウェハ載置フィンガ(8) を支持リング(6)
の上方に、半導体ウェハ持上げフィンガ(9) を同支持リ
ング(6) の下方にそれぞれ位置させる前に、ボート(2)
の可動部分(63)を下降させてから外側に回動させること
により可動支柱(66)を開位置に移動させておく。なお、
可動部分(63)の回動は、その下降位置でのみ行いうるよ
うにインターロックされている。

【００８１】また、キャリア(1) 内の全ての半導体ウェ
ハ(S) をボート(2) に搭載し、最後に半導体ウェハ持上
げフィンガ(9) を半導体ウェハ通過空間を通してボート
(2)から退出させた後に、ボート(2) の可動部分(63)を
内側に回動させてその切欠き(66a) 内に支持リング(6)
の一部を嵌め入れた後、上昇させることにより可動支柱
(66)を閉位置に移動させるとともに、可動支柱(66)によ
っても支持リング(6)を支持させる。

【００８２】また、縦型熱処理炉からの半導体ウェハ
(S) の搬出は次のようにして行われる。

【００８３】すなわち、実施形態１の装置を用いての搬
出方法において、半導体ウェハ持上げ部材(13)が収縮し
ている半導体ウェハ持上げフィンガ(9) を、半導体ウェ
ハ通過空間を通してボート(2) 内に侵入させ、半導体ウ
ェハ(S) を支持している支持リング(6) の下方に位置さ
せる前に、ボート(2) の可動部分(63)を下降させてから
外側に回動させることにより可動支柱(66)を開位置に移
動させておく。

【００８４】また、最後に両フィンガ(8)(9)を半導体ウ
ェハ通過空間を通してボート(2) から退出させた後に、
ボート(2) の可動部分(63)を内側に回動させてその切欠
き(66a) 内に支持リング(6) の一部を嵌め入れた後、上
昇させることにより可動支柱(66)を閉位置に移動させる
とともに、可動支柱(66)によっても支持リング(6) を支
持させる。

【００８５】上記実施形態１および２においては、載置
フィンガ(8) および持上げフィンガ(9) は１つのエレベ
ータ(7) 上に設けられ、両フィンガ(8)(9)がキャリア
(1) とボート(2) との間に配されているが、これに限る
ものではなく、持上げフィンガ(9) は、ボート(2) 内に
侵入しうるのであれば、たとえばボート(2) を挟んで載
置フィンガ(8) とは対向する位置や、その他適当な位置
に配されていてもよい。

【００８６】実施形態３ この実施形態は図１４〜図１６に示すものである。

【００８７】図１４はこの発明の装置の全体構成を示
し、図１５はそのボートおよび移載手段の部分を示し、
図１６は搬入方法を工程順に示す。

【００８８】図１４において、縦型熱処理炉内への半導
体ウェハの搬入出装置は、複数の半導体ウェハ(S) を保
持するキャリア(1) と、複数の半導体ウェハ(S) を保持
しうるとともに上下動自在であり、かつ上昇時に図示し
ない縦型熱処理炉内に挿入されるボート(70)と、キャリ
ア(1) とボート(70)との間で半導体ウェハ(S) を移載す
る半導体ウェハ移載手段(71)とを備えている。

【００８９】ボート(70)は、基台(72)と、同一円周上に
位置するように基台(72)上に立設された４つ以上、たと
えば６つの支柱(73A)(73B)と、上下方向に間隔をおいて
支柱(73A)(73B)に取付けられかつ半導体ウェハ(S) を支
持する複数の支持リング(74)とを備えている。

【００９０】ボート(70)の基台(72)は、円柱状でその上
端の一部が平面から見て弓形に切除された形状の基台本
体(75)と、基台本体(75)の切除部(75a) に配された平面
から見て半弓形の２つの可動部分(76)とよりなる。基台
本体(75)の周面における切除部(75a) の両側には、それ
ぞれ径方向斜め外方に突出した上下１対のブラケット(7
7)が設けられている。各可動部分(76)には、径方向斜め
外方に突出し、その先端が上下のブラケット(77)間に嵌
まり込む突出部(76a) が設けられている。突出部(76a)
は上下のブラケット(77)間で若干上下動するようになっ
ている。そして、上下１対のブラケット(77)および突出
部(76a) に通され、突出部(76a) に固定されるととも
に、ブラケット(77)に回転自在に支持された鉛直ピン(7
8)により、各可動部分(76)が基台本体(75)に回動自在に
取付けられている。鉛直ピン(78)は下方にのびており、
基台(72)の下方に設けられた適当な公知の駆動機構(95)
によって切除部(75a) 内に位置する閉位置（図１５実線
参照）と、切除部(75a) から出た開位置（図１５鎖線参
照）との間で回動させられるようになっている。また、
各可動部分(76)は、基台(72)の下方に設けられたカム装
置(79)によって、基台本体(75)を貫通した鉛直ロッド(8
1)およびその上端に固定された昇降板(96)を介して上下
動するようになされている。

【００９１】ボート(70)の全ての支柱(73A)(73B)は少な
くとも３つ、たとえば４つの固定支柱(73A) と残り、た
とえば２つの可動支柱(73B) とからなる。固定支柱(73
A) はボート(70)の基台本体(75)の上面に立設され、可
動支柱(73B) はボート(70)の可動部分(76)の上面に立設
されている。全ての固定支柱(73A)および可動支柱(73B)
は、周方向に等角度間隔で配されている。基台本体(75)
の切除部(75a) の両側に位置する２つの固定支柱(73A)
の組により形成される間隔は半導体ウェハ(S) の直径よ
りも大とされてここに半導体ウェハ通過空間が形成され
ている。したがって、半導体ウェハ通過空間に可動支柱
(73B) が位置するようになっている。可動支柱(73B)
は、ボート(70)の基台(72)の可動部分(76)とともに上下
動自在であるとともに、可動部分(76)が回動することに
より、半導体ウェハ通過空間に位置してこの空間を閉じ
る閉位置と、半導体ウェハ通過空間から退いてこの空間
を開きかつ半導体ウェハ(S) の通過を許容する開位置と
の間で移動するようになされている。すなわち、可動支
柱(73B) は、可動部分(76)が切除部(75a) 内に位置する
閉位置にある場合に閉位置に位置し、可動部分(76)が切
除部(75a) から出た開位置にある場合に開位置に位置す
る。

【００９２】ボート(70)の各支持リング(74)は、固定支
柱(73A) に取付けられかつ半導体ウェハ(S) を載置しう
る固定円弧状部分(74A) と、各可動支柱(73B) に取付け
られて可動支柱(73B) とともに移動し、かつ半導体ウェ
ハ(S) の一部を支持しうる可動円弧状部分(74B) とより
構成されている。図示は省略したが、固定円弧状部分(7
4A) および可動円弧状部分(74B) は、それぞれ固定支柱
(73A) および可動支柱(73B) に形成された切欠き内に嵌
め入れられて固定されている。

【００９３】半導体ウェハ移載手段(71)は、上下動する
エレベータ(82)と、エレベータ(82)上に設けられ、かつ
ボート(70)内に侵入して隣り合う支持リング(74)間に入
り込みうる半導体ウェハ載置フィンガ(83)とからなる。
半導体ウェハ載置フィンガ(83)は、エレベータ(82)上に
設けられ、かつ１つの垂直軸線の回りに回転自在である
とともに、水平方向に伸縮しうるアーム(84)の先端に上
下方向に所定間隔をおいて設けられている。したがっ
て、フィンガ(83)は上下動自在でかつ水平移動自在であ
る。

【００９４】このような構成の装置を用いての縦型熱処
理炉内への半導体ウェハ(S) の搬入方法は、次の通りで
ある。

【００９５】まず、カム装置(79)によりによりボート(7
0)の基台(72)の可動部分(76)を下降させることによっ
て、可動支柱(73B) を下降させ、支持リング(74)の可動
円弧状部分(74B) を固定円弧状部分(74A) よりも下方に
位置させた後、可動部分(76)を外方に回動させることに
よて、可動支柱(73B) を開位置に移動させる。なお、可
動部分(76)の回動は、その下降位置でのみ行いうるよう
にインターロックされている。

【００９６】ついで、キャリア(1) から取出した半導体
ウェハ(S) を載置している半導体ウェハ載置フィンガ(8
3)を、半導体ウェハ通過空間を通してボート(70)内に侵
入させ、隣り合う２つの支持リング(74)の固定円弧状部
分(74A) 間に入り込ませた後、半導体ウェハ載置フィン
ガ(83)を下降させて半導体ウェハ(S) を上記２つの支持
リング(74)のうち下側支持リング(74)の固定円弧状部分
(74A) 上に載せ換える。

【００９７】ついで、半導体ウェハ載置フィンガ(83)を
半導体ウェハ通過空間を通してボート(70)から退出させ
る。このような操作を繰り返すことにより、キャリア
(1) 内の全ての半導体ウェハ(S) をボート(70)に搭載す
る。

【００９８】ついで、ボート(70)の基台(72)の可動部分
(76)を内方に回動させることによって可動支柱(73B) を
閉位置に移動させるとともに（図１６(a) 参照）、カム
装置(79)により可動部分(76)を上昇させることによって
可動支柱(73B) を上昇させ、支持リング(74)の可動円弧
状部分(74B) を固定円弧状部分(74A) と同位置高さ位置
にして半導体ウェハ(S) の一部を支持させる（図１６
(b) 参照）。

【００９９】最後に、ボート(70)を上昇させて縦型熱処
理炉内へ挿入する。こうして、縦型熱処理炉内への半導
体ウェハ(S) の搬入が完了する。

【０１００】また、縦型熱処理炉からの半導体ウェハ
(S) の搬出は次のようにして行われる。

【０１０１】まず、熱処理終了後ボート(70)を下降させ
る。ついで、カム装置(79)によりボート(70)の基台(72)
の可動部分(76)を下降させることによって可動支柱(73
B) を下降させ、半導体ウェハ(S) を支持している支持
リング(74)の可動円弧状部分(74B) を固定円弧状部分(7
4A) よりも下方に位置させた後、可動部分(76)を外方に
回動させることによって可動支柱(73B) を開位置に移動
させる。

【０１０２】ついで、半導体ウェハ載置フィンガ(83)
を、半導体ウェハ通過空間を通してボート(70)内に侵入
させ、半導体ウェハ(S) を支持している隣り合う２つの
支持リング(74)の固定円弧状部分(74A) 間に入り込ませ
た後、後半導体ウェハ載置フィンガ(83)を上昇させるこ
とにより半導体ウェハ(S) を半導体ウェハ載置フィンガ
(83)上に載せ換える。

【０１０３】ついで、半導体ウェハ載置フィンガ(83)を
半導体ウェハ通過空間を通してボート(70)から退出させ
る。このような操作を繰り返すことにより、ボート(70)
の全ての半導体ウェハ(S) をキャリア(1) に搭載する。

【０１０４】ついで、ボート(70)の可動部分(76)を内方
に回動させることによって可動支柱(73B) を閉位置に移
動させるとともに、カム装置(79)により可動部分(76)を
上昇させることによって可動支柱(73B) を上昇させて可
動円弧状部分(74B) を固定円弧状部分(74A) と同一高さ
位置に来させる。

【０１０５】図１７は実施形態２におけるボートの変形
例を示す。

【０１０６】図１７において、ボート(90)の基台本体(7
5)の切除部(75a) に、平面から見て弓形の１つの可動部
分(85)が配されている。基台本体(75)の周面における切
除部(75a) の片側に、径方向斜め外方に突出した上下１
対のブラケット(86)が設けられている。可動部分(85)に
は、径方向斜め外方に突出し、先端が上下のブラケット
(86)間に嵌まり込む突出部(85a) が設けられている。突
出部(85a) は上下のブラケット(86)間で若干上下動する
ようになっている。そして、上下１対のブラケット(86)
および突出部(85a) に通された鉛直ピン(87)により、可
動部分(85)が基台本体(75)に回動自在に取付けられてお
り、図１４〜図１６に示すものと同様に、基台(72)の下
方に設けられた適当な駆動機構によって切除部(75a) 内
に位置する閉位置（図１７実線参照）と、切除部(75a)
から出た開位置（図１７鎖線参照）との間で回動させら
れるようになっている。また、図示は省略したが可動部
分(85)は、図１４〜図１６に示すものと同様に、基台(7
2)の下方に設けられたカム装置によって、基台本体(75)
を貫通した鉛直ロッドを介して上下動するようになされ
ている。

【０１０７】可動支柱(73B) は、可動部分(85)の上面に
立設され、可動部分(85)とともに上下動自在であるとと
もに、可動部分(85)が回動することにより、半導体ウェ
ハ通過空間に位置してこの空間を閉じる閉位置と、半導
体ウェハ通過空間から退いてこの空間を開きかつ半導体
ウェハ(S) の通過を許容する開位置との間で移動するよ
うになされている。すなわち、可動支柱(73B) は、可動
部分(85)が切除部(75a) 内に位置する閉位置にある場合
に閉位置に移動し、可動部分(85)が切除部(75a) から出
た開位置にある場合に開位置に移動する。

【０１０８】ボート(90)の各支持リング(88)は、固定支
柱(73A) に取付けられかつ半導体ウェハ(S) を載置しう
る固定円弧状部分(88A) と、可動支柱(73B) に取付けら
れかつ可動支柱(73B) とともに移動し、かつ半導体ウェ
ハ(S) の一部を支持しうる可動円弧状部分(88B) とより
構成されている。

【０１０９】このようなボート(90)の場合も、実施形態
３の場合と同様にして半導体ウェハの搬入出が行われ
る。

【０１１０】なお、この発明において、各支柱の数は、
上記実施形態１〜３で図示されたものに限られず、適宜
変更可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明による縦型熱処理炉内への薄板状半導
体ウェハの搬入出装置の実施形態１を示す正面図であ
る。

【図２】図１の要部拡大図である。

【図３】図１の装置の半導体ウェハ載置フィンガおよび
半導体ウェハ持上げフィンガがボート内に侵入した状態
を示す水平拡大断面図である。

【図４】図１の装置の半導体ウェハ持上げフィンガを拡
大して示す垂直断面図である。

【図５】図１の装置を用いての縦型熱処理炉内への半導
体ウェハの搬入方法を工程順に示す図である。

【図６】半導体ウェハ持上げ部材の第１の変形例を示す
図４相当の図である。

【図７】半導体ウェハ持上げ部材の第２の変形例を示す
図４相当の図である。

【図８】半導体ウェハ持上げ部材の第３の変形例を示す
図４相当の図である。

【図９】半導体ウェハ持上げ部材の第４の変形例を示す
図４相当の図である。

【図１０】半導体ウェハ持上げ部材の第５の変形例を示
す図４相当の図である。

【図１１】半導体ウェハ持上げ部材の第６の変形例を示
す図４相当の図である。

【図１２】この発明による縦型熱処理炉内への薄板状半
導体ウェハの搬入出装置の実施形態２のボートおよび半
導体ウェハ移載手段を示す水平断面図である。

【図１３】同じくボートの一部を示す正面図である。

【図１４】この発明による縦型熱処理炉内への薄板状半
導体ウェハの搬入出装置の実施形態３を示す正面図であ
る。

【図１５】図１４の装置のボートおよび半導体ウェハ移
載手段を示す水平断面図である。

【図１６】図１４の装置を用いての縦型熱処理炉内への
半導体ウェハの搬入方法を工程順に示す図である。

【図１７】ボートの変形例を示す図１５相当の図であ
る。

【符号の説明】

(1) キャリア (2)(70)(90) ボート (3)(71) 半導体ウェハ移載手段 (4)(60)(72) 基台 (5) 支柱 (6)(74)(88) 支持リング (8)(83) 半導体ウェハ載置フィンガ (9) 半導体ウェハ持上げフィン
ガ (13)(26)(38)(48)(50)(55) 半導体ウェハ持上げ部材 (66) 可動支柱 (73A) 固定支柱 (73B) 可動支柱 (74A)(88A) 固定円弧状部分 (74B)(88B) 可動円弧状部分 (S) 半導体ウェハ（薄板状被処
理物）

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の薄板状被処理物を保持するキャリ
   アと、複数の被処理物を保持しうるとともに上下動自在
   であり、かつ上昇時に縦型熱処理炉内に挿入されるボー
   トと、キャリアとボートとの間で被処理物を移載する被
   処理物移載手段とを備えた縦型熱処理炉内への薄板状被
   処理物の搬入出装置であって、 ボートが、基台と、基台上に立設された３つ以上の支柱
   と、上下方向に間隔をおいて支柱に取付けられかつ被処
   理物を支持する複数の支持リングとを備えており、隣り
   合う２つの支柱からなる全ての組により形成される間隔
   のうちの１つの間隔が被処理物よりも大とされて被処理
   物通過空間となされるとともにこの被処理物通過空間を
   通して被処理物が移載手段と支持リングとの間で載せ換
   えられるようになされており、 被処理物移載手段が、被処理物載置フィンガおよびこれ
   よりも下方に位置する被処理物持上げフィンガからな
   り、かつ両フィンガ間にボートの支持リングが入り込む
   ようになされた対を備えており、両フィンガが水平移動
   自在であり、被処理物持上げフィンガが、上下方向に伸
   縮自在の被処理物持上げ部材を有しており、被処理物載
   置フィンガがボートの支持リングの上方に、被処理物持
   上げフィンガが同支持リングの下方にそれぞれ位置した
   状態で、被処理物持上げ部材が支持リングおよび被処理
   物載置フィンガと干渉しないようになされ、同じく上記
   状態で、被処理物持上げ部材が伸長するとその上端が被
   処理物載置フィンガよりも上方に来るとともに、収縮す
   るとその上端が支持リングの下方に来るようになされて
   いる縦型熱処理炉内への薄板状被処理物の搬入出装置。
2. 【請求項２】 ボートの基台上に、支持リングを支持し
   うる少なくとも１つの可動支柱が、被処理物通過空間に
   位置するように立設され、全ての支柱および可動支柱が
   同一円周上に配され、可動支柱が、被処理物通過空間に
   位置してこの空間を閉じかつ支持リングを支持する閉位
   置と、被処理物通過空間から退いてこの空間を開きかつ
   被処理物の通過を許容する開位置との間で移動するよう
   になされている請求項１記載の縦型熱処理炉内への薄板
   状被処理物の搬入出装置。
3. 【請求項３】 全ての支柱および可動支柱が周方向に等
   角度間隔で配されている請求項２記載の縦型熱処理炉内
   への薄板状被処理物の搬入出装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の装置を用いて縦型熱処理
   炉内へ薄板状被処理物を搬入する方法であって、 キャリアから取出した被処理物を載置している被処理物
   載置フィンガと、被処理物持上げ部材が収縮している被
   処理物持上げフィンガとを、被処理物通過空間を通して
   ボート内に侵入させてそれぞれ１つの支持リングの上方
   および下方に位置させる第１工程と、第１工程後被処理
   物持上げ部材を伸長させることにより被処理物を被処理
   物持上げ部材で支持して被処理物載置フィンガから持上
   げる第２工程と、第２工程後被処理物載置フィンガを被
   処理物通過空間を通してボートから退出させる第３工程
   と、第３工程後被処理物持上げ部材を収縮させることに
   より被処理物を支持リング上に載せ換える第４工程と、
   第４工程後被処理物持上げフィンガを被処理物通過空間
   を通してボートから退出させる第５工程とを含み、第１
   〜第５工程を少なくとも１回行うことを特徴とする縦型
   熱処理炉内への薄板状被処理物の搬入方法。
5. 【請求項５】 請求項２または３記載の装置を用いて縦
   型熱処理炉内へ薄板状被処理物を搬入する方法であっ
   て、 請求項４記載の方法における最初の第１工程の前に、可
   動支柱を開位置に移動させておくとともに、最後の第５
   工程後可動支柱を閉位置に移動させて支持リングを支持
   させることを特徴とする請求項４記載の縦型熱処理炉内
   への薄板状被処理物の搬入方法。
6. 【請求項６】 請求項１記載の装置を用いて縦型熱処理
   炉内から薄板状被処理物を搬出する方法であって、 被処理物持上げ部材が収縮している被処理物持上げフィ
   ンガを、被処理物通過空間を通してボート内に侵入さ
   せ、被処理物を支持している支持リングの下方に位置さ
   せる第１工程と、第１工程後被処理物持上げ部材を伸長
   させることにより被処理物を被処理物持上げ部材で支持
   して支持リングから持上げる第２工程と、第２工程後被
   処理物載置フィンガを被処理物通過空間を通してボート
   内に侵入させ、上記支持リングの上方に位置させる第３
   工程と、第３工程後被処理物持上げ部材を収縮させるこ
   とにより被処理物を被処理物載置フィンガ上に載せ換え
   る第４工程と、両フィンガを被処理物通過空間を通して
   ボートから退出させる第５工程とを含み、第１〜第５工
   程を少なくとも１回行うことを特徴とする縦型熱処理炉
   内からの薄板状被処理物の搬出方法。
7. 【請求項７】 請求項２または３記載の装置を用いて縦
   型熱処理炉内から薄板状被処理物を搬出する方法であっ
   て、 請求項６記載の方法における最初の第１工程の前に、可
   動支柱を開位置に移動させておくとともに、最後の第５
   工程後可動支柱を閉位置に移動させて支持リングを支持
   させることを特徴とする請求項６記載の縦型熱処理炉内
   からの薄板状被処理物の搬出方法。
8. 【請求項８】 複数の薄板状被処理物を保持するキャリ
   アと、複数の被処理物を保持しうるとともに上下動自在
   であり、かつ上昇時に縦型熱処理炉内に挿入されるボー
   トと、キャリアとボートとの間で被処理物を移載する被
   処理物移載手段とを備えた縦型熱処理炉内への薄板状被
   処理物の搬入出装置であって、 ボートが、基台と、基台上に立設された４つ以上の支柱
   と、上下方向に間隔をおいて支柱に取付けられかつ被処
   理物を支持する複数の支持リングとを備えており、被処
   理物移載手段が、上下動自在であるとともに水平移動自
   在であり、かつボート内に侵入して隣り合う支持リング
   間に入り込みうる被処理物載置フィンガを備えており、
   ボートの全ての支柱が少なくとも３つの固定支柱と残り
   の可動支柱とからなり、固定支柱の中の隣り合う２つの
   支柱の組により形成される間隔のうちの１つの間隔が被
   処理物よりも大とされて被処理物通過空間となされると
   ともに、被処理物通過空間に可動支柱が位置させられ、
   可動支柱が、上下動自在であるとともに、被処理物通過
   空間に位置してこの空間を閉じる閉位置と、被処理物通
   過空間から退いてこの空間を開きかつ被処理物の通過を
   許容する開位置との間で移動するようになされ、ボート
   の各支持リングが、固定支柱に取付けられかつ被処理物
   を載置しうる固定円弧状部分と、可動支柱に取付けられ
   て可動支柱とともに移動し、かつ被処理物の一部を支持
   しうる可動円弧状部分とより構成されている縦型熱処理
   炉内への薄板状被処理物の搬入出装置。
9. 【請求項９】 全ての固定支柱および可動支柱が、同一
   円周上において周方向に等角度間隔で配されている請求
   項８記載の縦型熱処理炉内への薄板状被処理物の搬入出
   装置。
10. 【請求項１０】 請求項８記載の装置を用いて縦型熱処
    理炉内へ薄板状被処理物を搬入する方法であって、 可動支柱を下降させて支持リングの可動円弧状部分を固
    定円弧状部分よりも下方に位置させた後、可動支柱を開
    位置に移動させる第１工程と、第１工程後キャリアから
    取出した被処理物を載置している被処理物載置フィンガ
    を、被処理物通過空間を通してボート内に侵入させ、支
    持リングの固定円弧状部分の上方に入り込ませる第２工
    程と、第２工程後被処理物載置フィンガを下降させて被
    処理物を支持リングの固定円弧状部分上に載せ換える第
    ３工程と、第３工程後被処理物載置フィンガを被処理物
    通過空間を通してボートから退出させる第４工程と、第
    ４工程後可動支柱を閉位置に移動させるとともに上昇さ
    せて支持リングの可動円弧状部分で被処理物の一部を支
    持させる第５工程とを含み、第１工程と第５工程との間
    に第２〜第４工程を少なくとも１回行うことを特徴とす
    る縦型熱処理炉内への薄板状被処理物の搬入方法。
11. 【請求項１１】 請求項８記載の装置を用いて縦型熱処
    理炉内から薄板状被処理物を搬出する方法であって、 可動支柱を下降させて被処理物を支持している支持リン
    グの可動円弧状部分を固定円弧状部分よりも下方に位置
    させた後、可動支柱を開位置に移動させる第１工程と、
    第１工程後被処理物載置フィンガを、被処理物通過空間
    を通してボート内に侵入させ、被処理物を支持している
    支持リングの固定円弧状部分の下方に入り込ませる第２
    工程と、第２工程後被処理物載置フィンガを上昇させる
    ことにより被処理物を被処理物載置フィンガ上に載せ換
    える第３工程と、被処理物載置フィンガを被処理物通過
    空間を通してボートから退出させる第４工程と、第４工
    程後可動支柱を閉位置に移動させるとともに上昇させて
    可動円弧状部分を固定円弧状部分と同一高さ位置に来さ
    せる第５工程とを含み、第１工程と第５工程との間に第
    ２〜第４工程を少なくとも１回行うことを特徴とする縦
    型熱処理炉内からの薄板状被処理物の搬出方法。