JPH101553A - 防汚性プラスチックフィルムの製法 - Google Patents
防汚性プラスチックフィルムの製法Info
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- JPH101553A JPH101553A JP8174256A JP17425696A JPH101553A JP H101553 A JPH101553 A JP H101553A JP 8174256 A JP8174256 A JP 8174256A JP 17425696 A JP17425696 A JP 17425696A JP H101553 A JPH101553 A JP H101553A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波プラズマＣＶＤ方式により、特定の機能
を持つ有機化合物の皮膜、特に撥水性・防汚性などの機
能性皮膜を、プラスチックフィルム表面に連続的に付与
することで高い生産性を有し、かつ高品位である、プラ
スチックフィルム、好ましくは、反射防止プラスチック
フィルムの防汚層の形成方法を提供すること。 【解決手段】高周波プラズマＣＶＤ（ケミカル・ヴェー
パー・デポジット）連続加工装置を用い、かつ高周波出
力を１０〜５０ｗとして、連続して走行するプラスチッ
クフィルムに、パーフルオロ基を含有する反応性有機化
合物を反応蒸着して有機化合物皮膜を連続的に形成する
ことを特徴とする防汚性プラスチックフィルムの製法。
を持つ有機化合物の皮膜、特に撥水性・防汚性などの機
能性皮膜を、プラスチックフィルム表面に連続的に付与
することで高い生産性を有し、かつ高品位である、プラ
スチックフィルム、好ましくは、反射防止プラスチック
フィルムの防汚層の形成方法を提供すること。 【解決手段】高周波プラズマＣＶＤ（ケミカル・ヴェー
パー・デポジット）連続加工装置を用い、かつ高周波出
力を１０〜５０ｗとして、連続して走行するプラスチッ
クフィルムに、パーフルオロ基を含有する反応性有機化
合物を反応蒸着して有機化合物皮膜を連続的に形成する
ことを特徴とする防汚性プラスチックフィルムの製法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＶＤ（ケミカル
・ヴェーパー・デポジット）方式により、プラスチック
フィルム表面に、連続的に撥水・防汚性などの特定の機
能を持つ有機化合物の皮膜を形成するための防汚性プラ
スチックフィルムの製法に関する。本発明は、特に薄膜
を利用した反射防止加工されたプラスチックフィルム表
面に、連続的に撥水・防汚性などの特定の機能を持つ有
機化合物の皮膜を形成するための方法に関する。
・ヴェーパー・デポジット）方式により、プラスチック
フィルム表面に、連続的に撥水・防汚性などの特定の機
能を持つ有機化合物の皮膜を形成するための防汚性プラ
スチックフィルムの製法に関する。本発明は、特に薄膜
を利用した反射防止加工されたプラスチックフィルム表
面に、連続的に撥水・防汚性などの特定の機能を持つ有
機化合物の皮膜を形成するための方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】単層あるいは多層の薄膜からなる反射防
止加工がなされた光学素子では、不純物を含んだ水と接
触した結果として起こる白化（水やけ）や、油性の汚れ
が付く事により反射干渉色の変化が生じるという欠点が
あった。
止加工がなされた光学素子では、不純物を含んだ水と接
触した結果として起こる白化（水やけ）や、油性の汚れ
が付く事により反射干渉色の変化が生じるという欠点が
あった。
【０００３】これに対し、特開平6-122776及び特開平6-
122778では、低表面エネルギー性物質を気化させ、眼鏡
やレンズなどの反射防止層付きの被処理物体を収納した
減圧処理室に導入し、プラズマ雰囲気下にて被処理物体
の表面に接触させることにより、被処理物体の表面に低
表面エネルギー性皮膜を形成する表面処理の方法とその
ための装置が提案されている。
122778では、低表面エネルギー性物質を気化させ、眼鏡
やレンズなどの反射防止層付きの被処理物体を収納した
減圧処理室に導入し、プラズマ雰囲気下にて被処理物体
の表面に接触させることにより、被処理物体の表面に低
表面エネルギー性皮膜を形成する表面処理の方法とその
ための装置が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この例におい
ては、被処理物体はレンズなどの型物品であり、またバ
ッチ式で施されるため、生産性が低かった。
ては、被処理物体はレンズなどの型物品であり、またバ
ッチ式で施されるため、生産性が低かった。
【０００５】本発明は、上記の従来の問題点を解決しよ
うというものであり、高周波プラズマＣＶＤ方式によ
り、特定の機能を持つ有機化合物の皮膜、特に撥水性・
防汚性などの機能性皮膜を、フィルム表面に連続的に付
与することで高い生産性を有し、かつ高品位である、プ
ラスチックフィルム、好ましくは、反射防止プラスチッ
クフィルムの防汚層の形成方法に関するものである。
うというものであり、高周波プラズマＣＶＤ方式によ
り、特定の機能を持つ有機化合物の皮膜、特に撥水性・
防汚性などの機能性皮膜を、フィルム表面に連続的に付
与することで高い生産性を有し、かつ高品位である、プ
ラスチックフィルム、好ましくは、反射防止プラスチッ
クフィルムの防汚層の形成方法に関するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らの鋭意検討に
よれば、本発明の上記目的は、下記のような構成を有す
る本発明によって工業的に有利に達成された。
よれば、本発明の上記目的は、下記のような構成を有す
る本発明によって工業的に有利に達成された。
【０００７】［１］下記の装置部品を構成要素としてな
る、高周波プラズマＣＶＤ（ケミカル・ヴェーパー・デ
ポジット）連続加工装置を用い、かつ高周波出力を10〜
50ｗとして、連続して走行するプラスチックフィルム
に、パーフルオロ基を含有する反応性有機化合物を反応
蒸着して有機化合物皮膜を連続的に形成することを特徴
とする防汚性プラスチックフィルムの製法。
る、高周波プラズマＣＶＤ（ケミカル・ヴェーパー・デ
ポジット）連続加工装置を用い、かつ高周波出力を10〜
50ｗとして、連続して走行するプラスチックフィルム
に、パーフルオロ基を含有する反応性有機化合物を反応
蒸着して有機化合物皮膜を連続的に形成することを特徴
とする防汚性プラスチックフィルムの製法。
【０００８】(a) 真空系（真空ポンプ及び真空容器） (b) フィルム搬送系（フィルムの繰り出しロール系、及
び連続的に繰り出しロール系から繰り出し走行するフィ
ルム面にＣＶＤ蒸着が可能なフィルム走行領域、及びフ
ィルム走行領域にてＣＶＤ蒸着されたフィルムの巻き取
りロール系） (c) プラズマ蒸着系（高周波プラズマ発生装置及びフィ
ルム走行領域(b) に隣接するプラズマ発生領域） (d) 材料供給系（プラズマ重合によって有機化合物皮膜
を形成しうるパーフルオロ基を含有する反応性有機化合
物を充填する加熱可能な容器、及び容器からこの反応性
有機化合物を気化して、真空系(a) 内部のプラズマ発生
領域(c) に導入する配管装置） ［２］プラスチックフィルムの走行速度が１〜５０ ｍ
／ｍｉｎであることを特徴とする上記［１］記載の防汚
性プラスチックフィルムの製法。
び連続的に繰り出しロール系から繰り出し走行するフィ
ルム面にＣＶＤ蒸着が可能なフィルム走行領域、及びフ
ィルム走行領域にてＣＶＤ蒸着されたフィルムの巻き取
りロール系） (c) プラズマ蒸着系（高周波プラズマ発生装置及びフィ
ルム走行領域(b) に隣接するプラズマ発生領域） (d) 材料供給系（プラズマ重合によって有機化合物皮膜
を形成しうるパーフルオロ基を含有する反応性有機化合
物を充填する加熱可能な容器、及び容器からこの反応性
有機化合物を気化して、真空系(a) 内部のプラズマ発生
領域(c) に導入する配管装置） ［２］プラスチックフィルムの走行速度が１〜５０ ｍ
／ｍｉｎであることを特徴とする上記［１］記載の防汚
性プラスチックフィルムの製法。
【０００９】［３］パーフルオロ基を含有する反応性有
機化合物の導入方向が、フィルム走行方向より０deg か
ら４５ deg の角度であることを特徴とする上記［１］
もしくは上記［２］に記載の防汚性プラスチックフィル
ムの製法。
機化合物の導入方向が、フィルム走行方向より０deg か
ら４５ deg の角度であることを特徴とする上記［１］
もしくは上記［２］に記載の防汚性プラスチックフィル
ムの製法。
【００１０】［４］多層の薄膜による反射防止加工を施
してあり、反射防止加工がされている面に有機化合物皮
膜を連続的に形成することを特徴とする上記［１］〜上
記［３］のいずれかに記載の防汚性プラスチックフィル
ムの製法。
してあり、反射防止加工がされている面に有機化合物皮
膜を連続的に形成することを特徴とする上記［１］〜上
記［３］のいずれかに記載の防汚性プラスチックフィル
ムの製法。
【００１１】［５］最表層が酸化ケイ素からなる、薄膜
による単層あるいは多層の反射防止加工を施してあるプ
ラスチックフィルムに、反射防止加工がされている面に
有機化合物皮膜を連続的に形成することを特徴とする上
記［４］記載の防汚性プラスチックフィルムの製法。
による単層あるいは多層の反射防止加工を施してあるプ
ラスチックフィルムに、反射防止加工がされている面に
有機化合物皮膜を連続的に形成することを特徴とする上
記［４］記載の防汚性プラスチックフィルムの製法。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体的に説明す
る。
る。
【００１３】本発明は、撥水性・撥油性といった防汚性
能を持つ薄膜を作ることが目的であるが、水の接触角が
９０deg 以上であればこの目的に有効な薄膜である。ま
た、油性マジックを塗布して24時間後に拭き取る際、１
０ストローク以下で拭き取ることができれば良好な撥油
性を持っているといえる。
能を持つ薄膜を作ることが目的であるが、水の接触角が
９０deg 以上であればこの目的に有効な薄膜である。ま
た、油性マジックを塗布して24時間後に拭き取る際、１
０ストローク以下で拭き取ることができれば良好な撥油
性を持っているといえる。
【００１４】本発明において使用するプラスチックフィ
ルムとしては、有機高分子からなるものであれば特に制
限がないが、透明性、形態保持性、耐久性などがあるも
のが望ましく、たとえばポリオレフィン系樹脂、ポリエ
ーテル系樹脂、ポリメタクリル酸系樹脂、ポリエステル
系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート
系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ
イミド系樹脂、マレイミド系樹脂、ポリスルフィド系樹
脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹
脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリフォスファゼン系
樹脂、セルロース系樹脂、ポリウレタン系樹脂、などか
らなるフィルムが挙げられる。コスト面で性能、ポリエ
ステル系樹脂フィルム、特にポリエチレンテレフタレー
トフィルムやポリカーボネート系樹脂フィルムが好まし
く用いられる。また、光学的異方性がないという点では
１軸延伸フィルム、例えばトリアセチルセルロースフィ
ルムが好ましい。
ルムとしては、有機高分子からなるものであれば特に制
限がないが、透明性、形態保持性、耐久性などがあるも
のが望ましく、たとえばポリオレフィン系樹脂、ポリエ
ーテル系樹脂、ポリメタクリル酸系樹脂、ポリエステル
系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート
系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ
イミド系樹脂、マレイミド系樹脂、ポリスルフィド系樹
脂、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹
脂、ジアリルフタレート系樹脂、ポリフォスファゼン系
樹脂、セルロース系樹脂、ポリウレタン系樹脂、などか
らなるフィルムが挙げられる。コスト面で性能、ポリエ
ステル系樹脂フィルム、特にポリエチレンテレフタレー
トフィルムやポリカーボネート系樹脂フィルムが好まし
く用いられる。また、光学的異方性がないという点では
１軸延伸フィルム、例えばトリアセチルセルロースフィ
ルムが好ましい。
【００１５】プロセスを実現するために必要な設備につ
いて、図1 に基づいて説明する。
いて、図1 に基づいて説明する。
【００１６】真空系は、真空容器1 、及びこれを所要の
減圧状態に調整するための真空ポンプ系2 から成る。真
空ポンプ系は、所要の減圧状態をつくり、また維持する
ために、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポン
プ、拡散ポンプ、クライオポンプなどの真空ポンプによ
り構成する。このとき、排気速度の向上や、良好な減圧
状態の維持のために、減圧能力の異なる複数のポンプ
を、直列・並列に適切に組み合わせて用いることが望ま
しい。
減圧状態に調整するための真空ポンプ系2 から成る。真
空ポンプ系は、所要の減圧状態をつくり、また維持する
ために、ロータリーポンプ、メカニカルブースターポン
プ、拡散ポンプ、クライオポンプなどの真空ポンプによ
り構成する。このとき、排気速度の向上や、良好な減圧
状態の維持のために、減圧能力の異なる複数のポンプ
を、直列・並列に適切に組み合わせて用いることが望ま
しい。
【００１７】また、真空容器は、加工時の圧力は６〜１
０×１０-4 Torの範囲が防汚性を得るために好適であ
り、７〜９×１０-4 Torr の範囲がより好ましい。６×
１０-4Torr 未満の圧力ではグロー放電プラズマ放電が
不安定となり、水の接触角が低下したり、バラツを生じ
たりする。１０×１０-4 Torr を超える圧力では水の接
触角や拭き取り性が低下するため、十分な防汚性能を期
待できないので好ましくない。。
０×１０-4 Torの範囲が防汚性を得るために好適であ
り、７〜９×１０-4 Torr の範囲がより好ましい。６×
１０-4Torr 未満の圧力ではグロー放電プラズマ放電が
不安定となり、水の接触角が低下したり、バラツを生じ
たりする。１０×１０-4 Torr を超える圧力では水の接
触角や拭き取り性が低下するため、十分な防汚性能を期
待できないので好ましくない。。
【００１８】フィルム搬送系は、フィルムの繰り出しロ
ール系3 、及び連続的にフィルム面にＣＶＤ蒸着が可能
なフィルム走行領域、及びフィルム走行領域にてＣＶＤ
蒸着されたフィルムの巻き取りロール系4 によって構成
される。表面加工を施されるフィルムは、ロールに巻か
れた状態で繰り出しロール系にセットされる。ここから
連続的に繰り出されたフィルムはフィルム走行領域に導
かれ、これに隣接したプラズマ蒸着系に面する方の片面
にＣＶＤ蒸着され、巻き取りロール系によって連続的に
巻きとられる。巻き取り方向は、蒸着面を外側にする方
がカールを少なくでき後工程のハンドリング性や製品の
歩留まりが向上するので好ましい。
ール系3 、及び連続的にフィルム面にＣＶＤ蒸着が可能
なフィルム走行領域、及びフィルム走行領域にてＣＶＤ
蒸着されたフィルムの巻き取りロール系4 によって構成
される。表面加工を施されるフィルムは、ロールに巻か
れた状態で繰り出しロール系にセットされる。ここから
連続的に繰り出されたフィルムはフィルム走行領域に導
かれ、これに隣接したプラズマ蒸着系に面する方の片面
にＣＶＤ蒸着され、巻き取りロール系によって連続的に
巻きとられる。巻き取り方向は、蒸着面を外側にする方
がカールを少なくでき後工程のハンドリング性や製品の
歩留まりが向上するので好ましい。
【００１９】フィルムの走行速度は１〜５０ ｍ／ｍｉ
ｎの範囲が生産性と防汚性能を両立させる意味で好適で
ある。これを実際に蒸着系で蒸着される時間（蒸着系を
通過するのに要する時間）に換算すると、４５．６〜
０．９秒にあたる。さらに ２〜３０ ｍ／ｍｉｎ、２
２．８〜１．５２秒にするのがより好ましい。５０ ｍ
／ｍｉｎ を超える場合はグロー放電プラズマが不安定
となって防汚性が低下し、好ましくない。また、１ ｍ
／ｍｉｎ未満では、高い生産性が期待できな ので好ま
しくない。
ｎの範囲が生産性と防汚性能を両立させる意味で好適で
ある。これを実際に蒸着系で蒸着される時間（蒸着系を
通過するのに要する時間）に換算すると、４５．６〜
０．９秒にあたる。さらに ２〜３０ ｍ／ｍｉｎ、２
２．８〜１．５２秒にするのがより好ましい。５０ ｍ
／ｍｉｎ を超える場合はグロー放電プラズマが不安定
となって防汚性が低下し、好ましくない。また、１ ｍ
／ｍｉｎ未満では、高い生産性が期待できな ので好ま
しくない。
【００２０】また、被膜の材料となる有機化合物がフィ
ルムの裏へ回り込む事を防止するために、巻出し・巻取
り系と膜形成領域（フィルム走行系とプラズマ蒸着系か
ら成る領域）は、障壁9 によって実質的に上室・下室の
２室に分離することが好ましい。さらに、障壁9 を２段
にししてそれぞれ排気を行い、回りこむガスを防止する
のがより好ましい。
ルムの裏へ回り込む事を防止するために、巻出し・巻取
り系と膜形成領域（フィルム走行系とプラズマ蒸着系か
ら成る領域）は、障壁9 によって実質的に上室・下室の
２室に分離することが好ましい。さらに、障壁9 を２段
にししてそれぞれ排気を行い、回りこむガスを防止する
のがより好ましい。
【００２１】プラズマ蒸着系は、高周波プラズマ発生装
置6 と、フィルム走行領域に隣接するプラズマ発生領域
によって構成される。さらに、グロー放電プラズマを安
定化させるために、グロー放電プラズマガス密集箱8 を
用いる事が好ましい。ここに材料供給系から被膜の材料
となる有機化合物単体を供給し、これをプラズマで活性
化することで有機化合物被膜を成膜する。
置6 と、フィルム走行領域に隣接するプラズマ発生領域
によって構成される。さらに、グロー放電プラズマを安
定化させるために、グロー放電プラズマガス密集箱8 を
用いる事が好ましい。ここに材料供給系から被膜の材料
となる有機化合物単体を供給し、これをプラズマで活性
化することで有機化合物被膜を成膜する。
【００２２】プラズマ発生装置の高周波出力は１０〜５
０ｗり低出力範囲が生産性・防汚性を両立するために好
適である。さらに、２５〜３５ｗの範囲がより好まし
い。１０ｗ未満ではグロー放電プラズマプラズマが不安
定になって均一に成膜できず、また５０ｗを超えると水
の接触角や拭き取り性能がが低下するため、十分な防汚
性能を期待できないので好ましくない。
０ｗり低出力範囲が生産性・防汚性を両立するために好
適である。さらに、２５〜３５ｗの範囲がより好まし
い。１０ｗ未満ではグロー放電プラズマプラズマが不安
定になって均一に成膜できず、また５０ｗを超えると水
の接触角や拭き取り性能がが低下するため、十分な防汚
性能を期待できないので好ましくない。
【００２３】プラズマ発生の電源としては、グロー放電
の均一性や安定性の面から高周波（０．１ＭＨｚ〜１Ｇ
Ｈｚ）が好適である。さらに、フィルムの損傷との両立
を考慮すると、１３．５６ＭＨｚがもっとも好ましい。
プラズマて電極としては、丸形よりは矩形のものを用い
た方が、防汚性能の幅方向の均一性が良く、好ましい。
また、蒸着時には、成膜の基板となるフィルムの温度
は、３０℃以上に維持すると水の接触角は向上し、高い
防汚性能が得られるので好ましい。
の均一性や安定性の面から高周波（０．１ＭＨｚ〜１Ｇ
Ｈｚ）が好適である。さらに、フィルムの損傷との両立
を考慮すると、１３．５６ＭＨｚがもっとも好ましい。
プラズマて電極としては、丸形よりは矩形のものを用い
た方が、防汚性能の幅方向の均一性が良く、好ましい。
また、蒸着時には、成膜の基板となるフィルムの温度
は、３０℃以上に維持すると水の接触角は向上し、高い
防汚性能が得られるので好ましい。
【００２４】材料供給系は、有機化合物を充填する加熱
可能な容器7 、及び容器から有機化合物を気化してプラ
ズマ発生領域に導入する配管装置によって構成される。
有機化合物を充填後、減圧及び加熱することでこれを気
化し、加熱・保温可能な配管によってプラズマ蒸着系に
導く。
可能な容器7 、及び容器から有機化合物を気化してプラ
ズマ発生領域に導入する配管装置によって構成される。
有機化合物を充填後、減圧及び加熱することでこれを気
化し、加熱・保温可能な配管によってプラズマ蒸着系に
導く。
【００２５】プラズマ蒸着系に導入されるとき、ガスの
流入する方向は、フィルム搬送方向より０ deg（平行）
から４５ degの角度になるように設定すると均一性が向
上する。より好ましくは０ degにするのが望ましい。
流入する方向は、フィルム搬送方向より０ deg（平行）
から４５ degの角度になるように設定すると均一性が向
上する。より好ましくは０ degにするのが望ましい。
【００２６】蒸着されるフィルムは、連続した長尺プラ
スチックフィルムであり、好ましくは、少なくともその
片面に単層あるいは多層の薄膜による反射防止加工を施
してある。ここでいう反射防止フィルムとは、予めハー
ドコート層が付与されたプラスチックフィルムに、真空
蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方
法で反射防止層が形成されたものである。ここで、付与
する方法は、ドライプロセスであれば上記の方法に限定
されない。本発では、真空中で脱ガスのないドライプロ
セスが加工安定性の点で好適である。また、その最表層
は、金属、金属化合物、あるいは酸化物からなる。特に
酸化ケイ素を用いると、成膜に用いられる有機化合物と
の間で反応が起こり、防汚層成膜後の密着強度や安定性
が向上して、機械的特性の点で好ましい。また、有機化
合物単体の裏回り防止とブロッキング防止のために、裏
面には保護フィルムが張ってあることが好ましい。
スチックフィルムであり、好ましくは、少なくともその
片面に単層あるいは多層の薄膜による反射防止加工を施
してある。ここでいう反射防止フィルムとは、予めハー
ドコート層が付与されたプラスチックフィルムに、真空
蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングなどの方
法で反射防止層が形成されたものである。ここで、付与
する方法は、ドライプロセスであれば上記の方法に限定
されない。本発では、真空中で脱ガスのないドライプロ
セスが加工安定性の点で好適である。また、その最表層
は、金属、金属化合物、あるいは酸化物からなる。特に
酸化ケイ素を用いると、成膜に用いられる有機化合物と
の間で反応が起こり、防汚層成膜後の密着強度や安定性
が向上して、機械的特性の点で好ましい。また、有機化
合物単体の裏回り防止とブロッキング防止のために、裏
面には保護フィルムが張ってあることが好ましい。
【００２７】有機化合物は、減圧状態で気化蒸発して成
膜できる程度の蒸気圧を持ち、かつ、グロー放電雰囲気
で活性化されて搬送中の基板と反応し、高密度化する高
分子被膜を形成出来る化合物であり、このような化合物
としては、エポキシ基、アミノ基、ビニル基、アルコキ
シル基など各種反応基を持った、アルキルシランあるい
はフルオロアルキルシラン系統のシランカップリング剤
といわれる化合物群が好ましく用いられる。このような
化合物として、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−
テトラハイドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカ
フルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロトリクロロ
シラン、オクタフルオロシクロブタン、パーフルオロメ
チルシクロヘキサン、パーフルオロ−ｎ−ヘキサン、パ
ーフルオロ−ｎ−ヘプタン、テトラデカフルオロ−２−
メチルペンタン、パーフルオロドデカン、パーフルオロ
エイコサン、パーフルオロデカン酸、パーフルオロオク
タン酸、３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロ
−２−ペンタノール、ヘプタデカフルオロ−１，１，
２，２−テトラハイドロデシルアミンなどが挙げられ
る。
膜できる程度の蒸気圧を持ち、かつ、グロー放電雰囲気
で活性化されて搬送中の基板と反応し、高密度化する高
分子被膜を形成出来る化合物であり、このような化合物
としては、エポキシ基、アミノ基、ビニル基、アルコキ
シル基など各種反応基を持った、アルキルシランあるい
はフルオロアルキルシラン系統のシランカップリング剤
といわれる化合物群が好ましく用いられる。このような
化合物として、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−
テトラハイドロデシルトリメトキシシラン、ヘプタデカ
フルオロ−１，１，２，２−テトラハイドロトリクロロ
シラン、オクタフルオロシクロブタン、パーフルオロメ
チルシクロヘキサン、パーフルオロ−ｎ−ヘキサン、パ
ーフルオロ−ｎ−ヘプタン、テトラデカフルオロ−２−
メチルペンタン、パーフルオロドデカン、パーフルオロ
エイコサン、パーフルオロデカン酸、パーフルオロオク
タン酸、３，３，４，４，５，５，５−ヘプタフルオロ
−２−ペンタノール、ヘプタデカフルオロ−１，１，
２，２−テトラハイドロデシルアミンなどが挙げられ
る。
【００２８】また、被膜の厚みは、供給系の加熱温度、
流量、フィルムの搬送速度によってコントロールする。
この時、数十オングストロームの膜厚にコントロールす
れば、基板の反射防止膜の光学的特性を阻害することは
ないので好ましい。
流量、フィルムの搬送速度によってコントロールする。
この時、数十オングストロームの膜厚にコントロールす
れば、基板の反射防止膜の光学的特性を阻害することは
ないので好ましい。
【００２９】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により具体
的に説明するが、本発明は、これに限定されるものでは
ない。なお、明細書及び実施例、比較例中の各特性値は
次の方法に従って測定した。
的に説明するが、本発明は、これに限定されるものでは
ない。なお、明細書及び実施例、比較例中の各特性値は
次の方法に従って測定した。
【００３０】水の接触角は協和界面科学（株）製品のＦ
ＡＣＥ接触角計を用い、液滴法によって求めた。
ＡＣＥ接触角計を用い、液滴法によって求めた。
【００３１】マジック拭き取り性は、ペンてる（株）製
品の油圧フェルトペン（黒、赤）を用いる。これを防汚
層に塗布し、２４時間後に白十字（株）製の救急綿にて
塗布層を拭き取り、拭き取れるまでの回数を求めた。
品の油圧フェルトペン（黒、赤）を用いる。これを防汚
層に塗布し、２４時間後に白十字（株）製の救急綿にて
塗布層を拭き取り、拭き取れるまでの回数を求めた。
【００３２】［実施例１］厚さ１８８μｍ、幅５０ｃ
ｍ、長さ１００ｍのＰＥＴフィルムの片面に４μｍのハ
ードコート層を設け、その上にさらに以下のような構成
から成る反射防止膜が形成されたフィルムを用意した。
ｍ、長さ１００ｍのＰＥＴフィルムの片面に４μｍのハ
ードコート層を設け、その上にさらに以下のような構成
から成る反射防止膜が形成されたフィルムを用意した。
【００３３】第1 層：ITO 、第2 層：SiO 2 、第3 層：
ITO 、第4 層：SiO 2 なお、各層の厚みは光学的に設計・計算された光学厚み
からなる。また、可視光線の波長範囲では、平均反射率
は１％以下という高い反射防止性能を有している。この
反射防止面の防汚処理前の水の接触角は３０ deg、マジ
ックが拭き取れるまでのストローク数は５０回以上であ
り、防汚性能はきわめて低い。
ITO 、第4 層：SiO 2 なお、各層の厚みは光学的に設計・計算された光学厚み
からなる。また、可視光線の波長範囲では、平均反射率
は１％以下という高い反射防止性能を有している。この
反射防止面の防汚処理前の水の接触角は３０ deg、マジ
ックが拭き取れるまでのストローク数は５０回以上であ
り、防汚性能はきわめて低い。
【００３４】この反射防止面に、図１に示す高周波プラ
ズマＣＶＤ（ケミカル・ヴェーパー・デポジット）連続
加工装置を用い、下記条件で厚さ約15オングストローム
のパーフルオロアルキルシラン縮合物から成る被膜を形
成した。
ズマＣＶＤ（ケミカル・ヴェーパー・デポジット）連続
加工装置を用い、下記条件で厚さ約15オングストローム
のパーフルオロアルキルシラン縮合物から成る被膜を形
成した。
【００３５】有機化合物：（ヘプタデカフロロ-1,1,2,2
- テトラヒドロデシル）-1-1- トリメトキシシラン 加工時圧力：真空容器を４×１０-5 Torr に到達させた
後に有機化合物を導入し、高周波ＣＶＤ成膜時は定常状
態で７×１０-4 Torr を保持 高周波電源周波数：１３．５６ＭＨｚ 高周波出力：３０ｗ フィルム走行速度：６ｍ／ｍｉｎ 有機化合物を充填する加熱可能な容器の加熱温度：９５
℃ 有機化合物のガス流入方向：０ deg（平行） この時、形成された高分子膜は次のような良好な防汚性
能を示した。
- テトラヒドロデシル）-1-1- トリメトキシシラン 加工時圧力：真空容器を４×１０-5 Torr に到達させた
後に有機化合物を導入し、高周波ＣＶＤ成膜時は定常状
態で７×１０-4 Torr を保持 高周波電源周波数：１３．５６ＭＨｚ 高周波出力：３０ｗ フィルム走行速度：６ｍ／ｍｉｎ 有機化合物を充填する加熱可能な容器の加熱温度：９５
℃ 有機化合物のガス流入方向：０ deg（平行） この時、形成された高分子膜は次のような良好な防汚性
能を示した。
【００３６】水の接触角：１０６ deg マジックが拭き取れるまでのストローク数：３回（Ｎ数
１０の平均） 1 バッチで形成出来る面積：５０ｍ2 また、成膜前と後では、反射率やその分光特性に違いは
見られなかった。
１０の平均） 1 バッチで形成出来る面積：５０ｍ2 また、成膜前と後では、反射率やその分光特性に違いは
見られなかった。
【００３７】［比較例１］実施例１と同じ条件で、高周
波出力のみを本発明の範囲よりも大きい６０ｗとして被
膜の形成を行なった。この時形成された高分子膜は、以
下のように接触角は低く、マジックは拭き取りにくかっ
た。 水の接触角：１０３ ｄｅｇ マジックが拭き取れるまでのストローク数：１３回（Ｎ
数１０の平均）
波出力のみを本発明の範囲よりも大きい６０ｗとして被
膜の形成を行なった。この時形成された高分子膜は、以
下のように接触角は低く、マジックは拭き取りにくかっ
た。 水の接触角：１０３ ｄｅｇ マジックが拭き取れるまでのストローク数：１３回（Ｎ
数１０の平均）
【００３８】
【発明の効果】本発明の方法により、次のような性能を
有した防汚性プラスチックフィルムを高い生産性で取得
出来る。
有した防汚性プラスチックフィルムを高い生産性で取得
出来る。
【００３９】(1) 接触角１００ ｄｅｇ以上 (2) マジックの拭き取り回数10回以下 (3) 基板である反射防止膜の反射率に影響を与えない。
図1 は本発明で使用する高周波プラズマＣＶＤ（ケミカ
ル・ヴェーパー・デポジット）連続加工装置装置の一例
の概念図を示す。
ル・ヴェーパー・デポジット）連続加工装置装置の一例
の概念図を示す。
1 ： 真空容器 2 ： 真空ポンプ系 3 ： 繰り出しロール系 4 ： 巻取りロール系 5 ： 搬送ロール 6 ： 高周波プラズマ発生装置 7 ： 有機化合物を充填する加熱可能な容器 8 ： グロー放電プラズマ密集箱 9 ： 障壁
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠山 俊六 静岡県三島市長伏33の１ 東洋メタライジ ング株式会社三島工場内
Claims (5)
- 【請求項１】下記の装置部品を構成要素としてなる、高
周波プラズマＣＶＤ（ケミカル・ヴェーパー・デポジッ
ト）連続加工装置を用い、かつ高周波出力を１０〜５０
ｗとして、連続して走行するプラスチックフィルムに、
パーフルオロ基を含有する反応性有機化合物を反応蒸着
して有機化合物皮膜を連続的に形成することを特徴とす
る防汚性プラスチックフィルムの製法。 (a) 真空系（真空ポンプ及び真空容器） (b) フィルム搬送系（フィルムの繰り出しロール系、及
び連続的に繰り出しロール系から繰り出し走行するフィ
ルム面にＣＶＤ蒸着が可能なフィルム走行領域、及びフ
ィルム走行領域にてＣＶＤ蒸着されたフィルムの巻き取
りロール系） (c) プラズマ蒸着系（高周波プラズマ発生装置及びフィ
ルム走行領域(b) に隣接するプラズマ発生領域） (d) 材料供給系（プラズマ重合によって有機化合物皮膜
を形成しうるパーフルオロ基を含有する反応性有機化合
物を充填する加熱可能な容器、及び容器からこの反応性
有機化合物を気化して、真空系(a) 内部のプラズマ発生
領域(c) に導入する配管装置） - 【請求項２】プラスチックフィルムの走行速度が１〜５
０ ｍ／ｍｉｎであることを特徴とする請求項１記載の
防汚性プラスチックフィルムの製法。 - 【請求項３】パーフルオロ基を含有する反応性有機化合
物の導入方向が、フィルム走行方向より０deg から４５
deg の角度であることを特徴とする請求項１もしくは
請求項２に記載の防汚性プラスチックフィルムの製法。 - 【請求項４】連続して走行するプラスチックフィルムが
少なくともその片面に単層あるいは多層の薄膜による反
射防止加工を施してあり、反射防止加工がされている面
に有機化合物皮膜を連続的に形成することを特徴とする
請求項１〜３のいずれかに記載の防汚性プラスチックフ
ィルムの製法。 - 【請求項５】最表層が酸化ケイ素からなる、薄膜による
単層あるいは多層の反射防止加工を施してあるプラスチ
ックフィルムに、反射防止加工がされている面に有機化
合物皮膜を連続的に形成することを特徴とする請求項４
記載の防汚性プラスチックフィルムの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8174256A JPH101553A (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 防汚性プラスチックフィルムの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8174256A JPH101553A (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 防汚性プラスチックフィルムの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH101553A true JPH101553A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=15975458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8174256A Pending JPH101553A (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 防汚性プラスチックフィルムの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH101553A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286932A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Toppan Printing Co Ltd | 偏光フィルムまたは偏光子用保護フィルムの製造方法 |
| JP2004302086A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法 |
| JP2005514310A (ja) * | 2002-01-14 | 2005-05-19 | エシロール アテルナジオナール カンパニー ジェネラーレ デ オプティック | 眼用レンズの処理方法 |
-
1996
- 1996-06-13 JP JP8174256A patent/JPH101553A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002286932A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-03 | Toppan Printing Co Ltd | 偏光フィルムまたは偏光子用保護フィルムの製造方法 |
| JP2005514310A (ja) * | 2002-01-14 | 2005-05-19 | エシロール アテルナジオナール カンパニー ジェネラーレ デ オプティック | 眼用レンズの処理方法 |
| JP2004302086A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法 |
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