JPH10144776A - Vacuum chuck for holding si wafer - Google Patents
Vacuum chuck for holding si waferInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程や検査工程などにおいて使用されるＳｉウェハ保持用
真空チャックに関し、特に、露光装置においてウェハを
保持したりそのウェハを平面矯正することができるＳｉ
ウェハ保持用真空チャックに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum chuck for holding a Si wafer used in a manufacturing process or an inspection process of a semiconductor device, and more particularly, it can hold a wafer in an exposure apparatus or flatten the wafer. Si
The present invention relates to a vacuum chuck for holding a wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体集積回路の高集積化に伴って、半
導体ウェハ表面上に超微細パターンを形成する技術が要
求されるようになってきており、このような微細パター
ンの形成に用いられる露光装置として、高解像度の投影
レンズを搭載した投影露光装置を用いることが主流とな
ってきている。このような投影レンズの高解像度化に伴
って、投影レンズの焦点深度は浅くなる傾向にあり、そ
のために、投影露光の対象となるウェハ表面はその平面
性を厳密に維持することが要求される。2. Description of the Related Art Along with the high integration of semiconductor integrated circuits, a technique for forming an ultrafine pattern on the surface of a semiconductor wafer has been required, and the exposure used for forming such a fine pattern has been required. It is becoming mainstream to use a projection exposure apparatus equipped with a high-resolution projection lens as an apparatus. As the resolution of the projection lens increases, the depth of focus of the projection lens tends to be shallow, and therefore, it is required that the wafer surface to be subjected to projection exposure maintain its flatness strictly. .
【０００３】ウェハ表面の平面性を阻害する要因の１つ
として、ウェハ保持用真空チャックの保持面とウェハ面
との間に介在する異物が挙げられる。この異物は１μｍ
程度の大きさであってもウェハ表面上に凹凸が形成され
る原因となり、その結果として露光精度の不良を生じる
ので無視することができない。このような異物の存在に
よるウェハ表面上における露光精度の不良の問題を解決
するために、真空チャックの保持面とウェハ面との接触
面積を減少させることが検討されている。たとえば、ウ
ェハと接触する保持面の一部に溝が形成された真空チャ
ックや、さらにはウェハ面と接触する多数の小さな突起
面を有するピンコンタクト方式の真空チャックが提案さ
れている（特開平４−３２３８５０号公報および本願の
図１参照）。One of the factors that hinder the flatness of the wafer surface is foreign matter interposed between the holding surface of the wafer holding vacuum chuck and the wafer surface. This foreign matter is 1 μm
Even a small size may cause irregularities to be formed on the wafer surface, and as a result, may result in poor exposure accuracy and cannot be ignored. In order to solve the problem of poor exposure accuracy on the wafer surface due to the presence of such foreign matter, it has been studied to reduce the contact area between the holding surface of the vacuum chuck and the wafer surface. For example, a vacuum chuck in which a groove is formed in a part of a holding surface that comes into contact with a wafer, and a pin contact type vacuum chuck that has a large number of small protruding surfaces that come into contact with the wafer surface have been proposed (Japanese Patent Laid-Open No. Hei 4 (1994)). -323850 and FIG. 1 of the present application).
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】他方、投影露光装置の
光源からの露光エネルギはウェハ上のフォトレジストへ
のパターン転写に消費されるが、その露光エネルギの大
半は熱に変換されてＳｉウェハ内に熱蓄積される。この
ウェハ内に蓄積された熱はウェハ保持台を介して熱伝導
によって放熱されるが、前述のように近年のウェハ保持
台はウェハとの接触面積が低減させられているので、ウ
ェハ内に蓄積された熱がウェハ保持台を介して放熱され
にくくなっている。その結果、ウェハ内に蓄積された熱
はそのウェハの局部的な熱膨張による変形を生じ、ウェ
ハ面上の露光精度不良を生じる原因となる。On the other hand, the exposure energy from the light source of the projection exposure apparatus is consumed for transferring the pattern to the photoresist on the wafer, but most of the exposure energy is converted to heat and stored in the Si wafer. Heat is accumulated. The heat accumulated in the wafer is radiated by heat conduction through the wafer holder. However, as described above, the recent wafer holder has a reduced contact area with the wafer, so that the heat accumulated in the wafer is reduced. The generated heat is less likely to be dissipated through the wafer holder. As a result, the heat accumulated in the wafer causes deformation due to local thermal expansion of the wafer, which causes exposure accuracy defects on the wafer surface.
【０００５】このような熱変形の課題を解決するため
に、従来から熱伝導性のよいウェハ保持台が用いられて
きた。しかし、従来用いられてきたＡｌ系の合金によっ
て形成されたウェハ保持台はＳｉウェハよりも硬度が低
いので、長期間使用すればウェハと接触するウェハ吸着
面における突起部に傷がついたり、それらの突起部が摩
耗して吸着面の平坦性が維持され得ないという課題があ
る。[0005] In order to solve such a problem of thermal deformation, a wafer holding table having good heat conductivity has been conventionally used. However, since a wafer holder made of an Al-based alloy, which has been conventionally used, has a lower hardness than a Si wafer, if it is used for a long period of time, the protrusions on the wafer suction surface that comes into contact with the wafer may be damaged, However, there is a problem that the flatness of the suction surface cannot be maintained due to wear of the projections.
【０００６】最近、このような摩耗の課題を解決するた
めに、特開平４−３２３８５０号公報はＴｉＢ2 および
ＳｉＣのようにＡｌ系合金に比べて高い硬度を有し、か
つ放電加工が可能な導電性セラミックスからなるウェハ
保持台を開示している。これらのうち、ＴｉＢ2 は熱伝
導性が低いが、ＳｉＣは熱伝導性が高いのでウェハの熱
放散に関してもウェハ保持台の材料として好ましいもの
である。また、ＳｉＣは特に耐摩耗性に優れるので、ウ
ェハ保持台の吸着面の平坦性を長期間にわたって高精度
で維持することができるという効果を有している。しか
しながら、これらのＳｉＣやＴｉＢ2 のウェハ保持台を
使用すると、逆にＳｉウェハ面に傷をつけることが多い
という問題が生じてきた。Recently, in order to solve such a problem of abrasion, Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 4-323850 has a higher hardness than Ti-based alloys such as TiB 2 and SiC and is capable of electric discharge machining. A wafer holder made of conductive ceramics is disclosed. Among them, TiB 2 has a low thermal conductivity, but SiC has a high thermal conductivity, so that it is also preferable as a material for the wafer holder with respect to heat dissipation of the wafer. Further, since SiC is particularly excellent in abrasion resistance, it has an effect that the flatness of the suction surface of the wafer holding table can be maintained with high accuracy for a long period of time. However, the use of these SiC or TiB 2 wafer holders has a problem that the surface of the Si wafer is often scratched.
【０００７】以上のような先行技術の課題に鑑み、本発
明は、Ｓｉウェハ中の熱を熱伝導によって効率的に放散
させることができ、Ｓｉウェハ面に傷をつけることがな
く、さらにウェハを保持するための吸着面の平面性が長
期間にわたって高精度で維持され得るＳｉウェハ保持用
真空チャックを提供することを目的としている。In view of the above-mentioned problems in the prior art, the present invention can efficiently dissipate heat in a Si wafer by heat conduction, without damaging the surface of the Si wafer and further reducing the wafer size. It is an object of the present invention to provide a vacuum chuck for holding a Si wafer that can maintain the flatness of a suction surface for holding with high accuracy for a long period of time.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明によるＳｉウェハ
保持用真空チャックは、Ｓｉウェハに接するその真空チ
ャック本体が窒化アルミニウムの主成分を有し、かつ８
００から１５００の範囲内のビッカース硬度を有してい
ることを特徴としている。According to the present invention, there is provided a vacuum chuck for holding a Si wafer, wherein the main body of the vacuum chuck in contact with the Si wafer has a main component of aluminum nitride;
It has a Vickers hardness in the range of 00 to 1500.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】本発明者らは種々の実験を行な
い、その結果に基づいて本発明に想到するに至った。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present inventors conducted various experiments, and based on the results, came to the present invention.
【００１０】まず、本発明者達がＳｉウェハのビッカー
ス硬度を測定したところ、それはウェハ面の結晶方位や
ウェハ中の酸素をゲッタリングするための熱処理によっ
て変動するが、その値は１０００〜１３００の範囲内に
あった。他方、ＳｉＣは２０００以上のビッカース硬度
を有し、そのために、ＳｉＣ製の保持台上にＳｉウェハ
を真空吸引するときまたはその保持台上に搭載している
間にウェハ面上に傷を生じる場合の多いことが判明し
た。First, when the present inventors measured the Vickers hardness of a Si wafer, it varied depending on the crystal orientation of the wafer surface and the heat treatment for gettering oxygen in the wafer. Was within range. On the other hand, SiC has a Vickers hardness of 2000 or more, and therefore, when a Si wafer is vacuum-sucked on a holding table made of SiC or when a scratch is formed on the wafer surface while being mounted on the holding table. It turns out that there are many.
【００１１】そこで、本発明者らは熱伝導性のよいＡｌ
Ｎセラミックスに着目し、この硬度を制御することによ
ってＳｉＣ製のウェハ保持台におけるような問題を解決
することを試みた。Therefore, the inventors of the present invention have proposed Al
Attention was paid to N ceramics, and by controlling this hardness, an attempt was made to solve the problem as in the wafer holder made of SiC.
【００１２】この場合に、焼結の不十分なＡｌＮのビッ
カース硬度は８００未満になり、そのような焼結の不十
分なＡｌＮ製のウェハ保持台は耐久性に課題があること
がわかった。他方、熱間静水圧焼結（ＨＩＰ）によって
閉気孔を消滅させるまで緻密化したＡｌＮはそのビッカ
ース硬度が１５００を越え、このような高硬度のＡｌＮ
製のウェハ保持台はウェハの真空吸引時または搭載時に
ウェハ面に傷をつける場合が多いことが判明した。In this case, the Vickers hardness of the insufficiently sintered AlN is less than 800, and it has been found that such an insufficiently sintered AlN wafer holder has a problem in durability. On the other hand, AlN densified by hot isostatic sintering (HIP) until the closed pores are eliminated has a Vickers hardness exceeding 1500, and such high hardness AlN
It has been found that a wafer holding table made of a product often damages the wafer surface during vacuum suction or mounting of the wafer.
【００１３】以上のような本発明者達の実験に基づく知
見から、本発明者達は、主成分として熱伝導性のよいＡ
ｌＮを含みかつ８００〜１５００の範囲内にあるビッカ
ース硬度を有する材料で形成された本体を含む真空チャ
ックがウェハ内に蓄積された熱を効率よく放散しかつウ
ェハ面に傷をつけることがない好ましいものであること
を見出した。From the above-mentioned findings based on the experiments of the present inventors, the present inventors have found that A as a main component has good thermal conductivity.
A vacuum chuck including a body made of a material having a Vickers hardness in the range of 800 to 1500 containing 1N efficiently dissipates heat accumulated in the wafer and does not damage the wafer surface. Was found.
【００１４】[0014]
【実施例】９９．９％の純度と１．２μｍの平均粒径を
有するＡｌＮ粉末に３ｗｔ％のＹ 2 Ｏ3 と２ｗｔ％のＣ
ａＯ粉末を添加した原料粉末が、アクリル系樹脂やポリ
ビニルアルコール等の有機バインダおよびエタノールと
混合されて、スラリー状にされた。このようなスラリー
状の原料は、スプレイドライヤによって乾燥されて造粒
された。スプレイドライヤでは、比較的薄い円板状のド
ラムの内部にスラリーを注入して、そのドラムの回転遠
心力によって、ドラムの円周面に設けられた複数の噴出
孔から約２００℃に加熱された乾燥室にスラリーを噴出
させることによって造粒する。こうして得られた造粒粉
は、等方的プレスを用いて窒素雰囲気中で１６００℃，
１７００℃，もしくは１８００℃で焼結され、またはそ
のように１７００℃で焼結された後にさらに窒素中で１
８００℃の温度の下で１０００ｋｇ／ｃｍ2 の圧力によ
る熱間静水圧焼結を行なうことによって真空チャック用
の基材に成形された。EXAMPLE The purity of 99.9% and the average particle size of 1.2 μm were determined.
3wt% Y in AlN powder TwoOThreeAnd 2wt% C
Raw material powder to which aO powder is added is
Organic binder such as vinyl alcohol and ethanol
It was mixed and slurried. Such slurry
Raw material is dried by a spray dryer and granulated
Was done. Spray dryers have a relatively thin disk
Inject the slurry into the ram and rotate the drum
Multiple spouts provided on the circumferential surface of the drum by heart force
Slurry is ejected from the hole into the drying chamber heated to about 200 ℃
Granulate by letting it go. Granulated powder thus obtained
1600 ° C. in a nitrogen atmosphere using an isotropic press
Sintered at 1700 ° C or 1800 ° C or
After sintering at 1700 ° C as in
1000 kg / cm at a temperature of 800 ° C.TwoDepending on the pressure
For vacuum chucks by performing hot isostatic sintering
Molded into a substrate.
【００１５】このようにして得られた焼結体の硬度測定
が次のように行なわれた。得られた焼結基材から硬度測
定用サンプルとして２０ｍｍの直径と１０ｍｍの厚さを
有するサンプルが切出され、それらのサンプルの円形の
一面が研削およびラッピング加工によって鏡面に仕上げ
られた。硬度測定はビッカース硬度計を用いて行なわ
れ、サンプルの鏡面仕上げされた面にダイヤモンド圧子
を加重１ｋｇで２０秒間印加することによって測定され
た。これらの測定されたＡｌＮ基材のビッカース硬度が
次の表１に示されている。[0015] The hardness of the thus obtained sintered body was measured as follows. A sample having a diameter of 20 mm and a thickness of 10 mm was cut out from the obtained sintered substrate as a sample for measuring hardness, and one circular surface of the sample was mirror-finished by grinding and lapping. The hardness was measured using a Vickers hardness tester, and the hardness was measured by applying a diamond indenter to the mirror-finished surface of the sample at a load of 1 kg for 20 seconds. The measured Vickers hardness of the AlN substrate is shown in Table 1 below.
【００１６】[0016]
【表１】 [Table 1]
【００１７】次に、表１に示されているようなＡｌＮ基
材の加工を行なって、真空チャックが作製された。基材
の加工方法は作製される真空チャックの形状によって異
なるが、ここでは図１に示された形状の真空チャックを
例にとって説明する。Next, the AlN substrate as shown in Table 1 was processed to produce a vacuum chuck. The method of processing the base material varies depending on the shape of the vacuum chuck to be manufactured. Here, the vacuum chuck having the shape shown in FIG. 1 will be described as an example.
【００１８】図１（Ａ）は真空チャックの一例の上面を
概略的に示しており、図１（Ｂ）は図１（Ａ）中の線１
Ｂ−１Ｂに沿った断面構造を概略的に示している。な
お、図１（Ｂ）の断面図においては真空チャックに吸引
保持されたウェハも併せて示されているが、図１（Ａ）
の平面図においてはそのウェハが除去された真空チャッ
クが示されている。FIG. 1A schematically shows an upper surface of an example of the vacuum chuck, and FIG. 1B is a line 1 in FIG. 1A.
The cross-sectional structure along B-1B is schematically shown. Note that in the cross-sectional view of FIG. 1B, a wafer sucked and held by a vacuum chuck is also shown.
In the plan view, the vacuum chuck from which the wafer has been removed is shown.
【００１９】図１において、真空チャック本体１１はＡ
ｌＮ焼結体によって形成されている。この真空チャック
本体１１の上面の円周に沿って円輪状の突起であるリム
１５が形成されている。また、リム１５で囲まれた内側
には、減圧室１６と小さな上表面を有する複数の突起１
２とが形成されている。また、真空チャック本体１１の
内部には減圧排気用貫通孔１４が形成されており、その
貫通孔１４の排気孔端部には通常は金属材料で形成され
たニップル１７が装着されている。In FIG. 1, the vacuum chuck body 11 is
It is formed of an 1N sintered body. A rim 15 which is a ring-shaped projection is formed along the circumference of the upper surface of the vacuum chuck body 11. Inside the rim 15, a plurality of projections 1 having a reduced pressure chamber 16 and a small upper surface are provided.
2 are formed. Further, a reduced pressure exhaust through hole 14 is formed inside the vacuum chuck body 11, and a nipple 17 usually made of a metal material is attached to an end of the exhaust hole of the through hole 14.
【００２０】図１に示されているような真空チャックを
形成する場合、たとえば約２００ｍｍの直径を有する円
板形状のＡｌＮ基材を焼結によって作製し、その上面に
研削およびラッピング加工を施して高精度の平坦面を形
成する。このような高精度の平坦面を形成するのは、後
工程で突起１２およびリム１５を形成したときにその平
坦面がそれらの突起とリムの上面を形成してウェハ１３
に接する吸着面となるからである。When forming a vacuum chuck as shown in FIG. 1, for example, a disk-shaped AlN substrate having a diameter of about 200 mm is produced by sintering, and its upper surface is ground and lapped. Form a highly accurate flat surface. The reason why such a high-precision flat surface is formed is that when the projections 12 and the rim 15 are formed in a later step, the flat surfaces form the projections and the upper surface of the rim and the wafer 13
This is because the suction surface is in contact with the surface.
【００２１】ＡｌＮ基材の上面で突起部１２とリム１５
が形成されるべき位置にマスクが付与され、そのマスク
を介してサンドブラスト加工処理が施される。そのよう
なマスク材を付与する方法は特に限定されるものではな
いが、凸版印刷用の写真製版技術を応用することによっ
て、所定パターンを有する感光性樹脂硬化体をＡｌＮ基
材表面に接着することによって行なうことができる。The protrusion 12 and the rim 15 are formed on the upper surface of the AlN substrate.
A mask is provided at the position where is to be formed, and sandblasting is performed through the mask. The method of applying such a mask material is not particularly limited, but by applying a photomechanical technology for letterpress printing, a photosensitive resin cured body having a predetermined pattern is adhered to the AlN substrate surface. Can be done by
【００２２】このとき、マスク形成用の紫外線感光樹脂
はサンドブラスト加工によって削られにくい弾性の大き
なものである必要があり、具体例としては、ウレタン系
樹脂，アクリル系樹脂等を用いることができる。また、
マスクの形状は特に限定されるものではないが、複数の
突起１２の各々を形成するためのマスクは円形が好まし
く、その直径は０．３〜０．５ｍｍ程度であることが好
ましい。At this time, the ultraviolet-sensitive resin for forming the mask needs to have a large elasticity which is not easily removed by sandblasting, and specific examples thereof include urethane-based resins and acrylic-based resins. Also,
Although the shape of the mask is not particularly limited, the mask for forming each of the plurality of projections 12 is preferably circular, and the diameter is preferably about 0.3 to 0.5 mm.
【００２３】このようにマスクが貼り付けられたＡｌＮ
基材表面に、サンドブラスト加工処理が施される。この
とき、研磨材としてたとえば７μｍ〜２５０μｍ程度の
平均粒径を有するアルミナ，炭化珪素等の粒子をＡｌＮ
基材表面に吹付けて表面研磨を行なうのが好ましい。こ
のサンドブラスト加工処理において、ＡｌＮ基材表面の
うちマスク材が貼り付けられた部分は研磨されず、マス
ク材が貼り付けられていない部分のみが一定の深さに研
磨され、突起部１２とリム１５が形成される。これらの
突起部１２とリム１５の高さは、約０．１〜０．６ｍｍ
の範囲内にあることが好ましい。The AlN to which the mask is attached as described above
The surface of the base material is subjected to a sandblasting process. At this time, for example, particles of alumina, silicon carbide or the like having an average particle size of about 7 μm to 250 μm are used as the abrasive.
The surface is preferably polished by spraying the surface of the base material. In this sandblasting process, the portion of the AlN base material surface to which the mask material has been adhered is not polished, and only the portion of the AlN base material to which the mask material has not been adhered is polished to a certain depth. Is formed. The height of the projection 12 and the rim 15 is about 0.1 to 0.6 mm.
Is preferably within the range.
【００２４】サンドブラスト加工処理が行なわれた後、
ＡｌＮ基材上面に形成された突起部１２に対して１〜５
０μｍ程度のダイヤモンド砥粒を付着させたブラシを接
触させて移動させることによってブラシ研磨処理を施
し、突起部１２の上部を尖鋭化させる。この方法によっ
て、ウェハを保持するための吸着面となる突起部１２の
先端上面の面積が小さくなり、かつ高精度の平坦性を有
するＡｌＮ製真空チャックが作製され得る。なお、減圧
排気用貫通孔１４は、真空チャックの吸着面の加工を行
なう前に形成しておくのが好ましい。After the sandblasting process is performed,
1 to 5 with respect to the protrusion 12 formed on the upper surface of the AlN base material.
A brush having diamond abrasive grains of about 0 μm attached thereto is brought into contact with and moved to perform a brush polishing process, thereby sharpening the upper portion of the protrusion 12. By this method, the area of the upper surface of the tip of the projection 12 serving as the suction surface for holding the wafer is reduced, and an AlN vacuum chuck having high-precision flatness can be manufactured. In addition, it is preferable to form the through-hole 14 for evacuation before evacuation of the suction surface of the vacuum chuck.
【００２５】さらに、従来例による真空チャックとし
て、Ａｌ，Ａｌ2 Ｏ3 ，およびＳｉＣのそれぞれを基材
として、上述のＡｌＮ真空チャックの加工プロセスと同
様のプロセスを用いて真空チャックが作製された。これ
らの従来例による真空チャックの種々の特性も表１に示
されている。Further, as a conventional vacuum chuck, a vacuum chuck was manufactured using Al, Al 2 O 3 , and SiC as base materials and using the same process as the above-described AlN vacuum chuck processing process. Various characteristics of these conventional vacuum chucks are also shown in Table 1.
【００２６】以上のようにして作製されて表１に示され
た真空チャックを比較すれば、実施例１および２の真空
チャックは耐摩耗性が高く、長期間の使用によっても突
起部１２とリム１５が変形しにくいので、真空チャック
の吸着面における高精度の平坦性を長期間にわたって維
持することができた。また、Ｓｉウェハの吸着面に発生
する傷は皆無であった。さらに、熱変形によるウェハの
反りも発生することがなかった。Comparing the vacuum chucks manufactured as described above and shown in Table 1, the vacuum chucks of Examples 1 and 2 have high abrasion resistance, and even when used for a long period of time, the protrusions 12 and the rims are not affected. Since 15 is not easily deformed, high-precision flatness of the suction surface of the vacuum chuck can be maintained for a long period of time. Further, there was no scratch generated on the suction surface of the Si wafer. Further, no warping of the wafer due to thermal deformation occurred.
【００２７】他方、比較例１の基材を用いた真空チャッ
クは、実施例１および２の真空チャックに比べて、その
寿命（吸着面の高精度の平坦性を維持できる期間）は約
３０％短かった。On the other hand, the life of the vacuum chuck using the base material of Comparative Example 1 (the period during which highly accurate flatness of the suction surface can be maintained) is about 30% compared to the vacuum chucks of Examples 1 and 2. It was short.
【００２８】比較例２のＡｌＮ基材を用いた真空チャッ
クでは、実施例１および２と同様に長期間にわたって吸
着面の平坦性を維持することができたが、処理されたＳ
ｉウェハの約１０％においてウェハの吸着面に傷が発生
しているのが見られた。The vacuum chuck using the AlN substrate of Comparative Example 2 could maintain the flatness of the suction surface for a long period of time as in Examples 1 and 2, but the treated S
About 10% of the i-wafers were found to have scratches on the suction surface of the wafer.
【００２９】従来例１によるＡｌ2 Ｏ3 製真空チャック
は、ウェハ面上の傷の発生とチャックの寿命とに関して
は実施例１および２による真空チャックと同等であった
が、ウェハの処理枚数が増大したときにＡｌ2 Ｏ3 製真
空チャックの熱放散性が不十分になり、ウェハに反りが
発生した。The Al 2 O 3 vacuum chuck according to the conventional example 1 is equivalent to the vacuum chucks according to the first and second embodiments in terms of the occurrence of scratches on the wafer surface and the life of the chuck, but the number of processed wafers is small. When it increased, the heat dissipation of the Al 2 O 3 vacuum chuck became insufficient, and the wafer was warped.
【００３０】従来例２のＳｉＣ製真空チャックでは、チ
ャックの寿命および熱によるウェハの反りの発生の防止
の点では問題ないが、処理されたウェハの約１５％にお
いてウェハ面上に傷が発生した。The SiC vacuum chuck of Conventional Example 2 has no problem in terms of the life of the chuck and prevention of wafer warpage due to heat, but scratches occur on the wafer surface in about 15% of the processed wafers. .
【００３１】従来例３によるＡｌ製真空チャックでは、
ウェハ面上の傷の発生防止および熱によるウェハの反り
の発生防止の点では問題ないが、真空チャックの吸着面
の平坦性を維持し得る寿命が実施例１および２に比べて
約５０％であった。In the Al vacuum chuck according to Conventional Example 3,
Although there is no problem in preventing the generation of scratches on the wafer surface and the generation of warpage of the wafer due to heat, the life that can maintain the flatness of the suction surface of the vacuum chuck is about 50% as compared with the first and second embodiments. there were.
【００３２】なお、ＳｉＣにおいても焼結条件を調節す
ることによって硬度を変えることは可能である。しか
し、ＳｉＣはＡｌＮに比べて本質的に硬度が高い。した
がって、ＳｉＣ製真空チャックとして機能する最低条件
としての緻密質焼結体（ウェハの真空吸着が可能になる
程度に気孔が少ないことが必要）ではビッカース硬度が
１５００以上となり、本発明によるビッカース硬度範囲
である８００〜１５００に調整されたＳｉＣ真空チャッ
クを得ることはできない。The hardness of SiC can be changed by adjusting the sintering conditions. However, SiC is inherently higher in hardness than AlN. Therefore, the Vickers hardness of the dense sintered body (requiring that the number of pores is small enough to enable vacuum suction of a wafer) as a minimum condition to function as a SiC vacuum chuck is 1500 or more, and the Vickers hardness range according to the present invention is It is not possible to obtain a SiC vacuum chuck adjusted to 800-1500.
【００３３】[0033]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、Ｓｉウ
ェハ保持用真空チャックは熱伝導性の良好なＡｌＮを主
成分としかつ８００〜１５００の範囲内のビッカース硬
度を有するので、吸着面の高精度の平坦性を長期間にわ
たって保つことができかつウェハ面に傷をつけたり熱変
形によるウェハの反りを生じることのない高性能のＳｉ
ウェハ保持用真空チャックを提供することができる。As described above, according to the present invention, the vacuum chuck for holding a Si wafer contains AlN having good thermal conductivity as a main component and has a Vickers hardness in the range of 800 to 1500. High-performance Si that can maintain high-precision flatness over a long period of time and does not damage the wafer surface or cause warpage of the wafer due to thermal deformation
A vacuum chuck for holding a wafer can be provided.
【図１】（Ａ）はウェハ保持用真空チャックの一例を示
す模式的な平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）中の線１Ｂ−
１Ｂに沿った概略的な断面図である。FIG. 1A is a schematic plan view showing an example of a wafer holding vacuum chuck, and FIG. 1B is a line 1B- in FIG.
It is a schematic sectional drawing which followed 1B.
１１ 真空チャック本体 １２ 突起部 １３ Ｓｉウェハ １４ 減圧排気用貫通孔 １５ 突起リム １６ 減圧室 １７ ニップル DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Vacuum chuck main body 12 Projection part 13 Si wafer 14 Depressurization exhaust through-hole 15 Projection rim 16 Decompression chamber 17 Nipple
Claims (1)
て、Ｓｉウェハに接するその真空チャックの本体は、 窒化アルミニウムの主成分を有し、かつ８００から１５
００の範囲内のビッカース硬度を有していることを特徴
とするＳｉウェハ保持用真空チャック。1. A vacuum chuck for holding a Si wafer, wherein a main body of the vacuum chuck in contact with the Si wafer has a main component of aluminum nitride and is 800 to 15%.
A Si wafer holding vacuum chuck having a Vickers hardness within the range of 00.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30159996A JPH10144776A (en) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | Vacuum chuck for holding si wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30159996A JPH10144776A (en) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | Vacuum chuck for holding si wafer |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144776A true JPH10144776A (en) | 1998-05-29 |
Family
ID=17898892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30159996A Pending JPH10144776A (en) | 1996-11-13 | 1996-11-13 | Vacuum chuck for holding si wafer |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144776A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100752091B1 (en) * | 2000-03-13 | 2007-08-28 | 가부시키가이샤 니콘 | Apparatus for supporting substrate, and exposure apparatus having the same |
| JP2008039529A (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Okayama Univ | Method and apparatus for identifying crystal azimuth |
| EP1901111A2 (en) * | 2006-09-12 | 2008-03-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for making flexible displays |
| CN110370052A (en) * | 2019-08-07 | 2019-10-25 | 沈阳飞机工业（集团）有限公司 | A kind of vacuum cap type fixture and its clamping method with self-centering function |
-
1996
- 1996-11-13 JP JP30159996A patent/JPH10144776A/en active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| KR100752091B1 (en) * | 2000-03-13 | 2007-08-28 | 가부시키가이샤 니콘 | Apparatus for supporting substrate, and exposure apparatus having the same |
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| EP1901111A3 (en) * | 2006-09-12 | 2011-07-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus for making flexible displays |
| CN110370052A (en) * | 2019-08-07 | 2019-10-25 | 沈阳飞机工业（集团）有限公司 | A kind of vacuum cap type fixture and its clamping method with self-centering function |
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