JPH10144667A - プラズマ処理方法 - Google Patents
プラズマ処理方法Info
- Publication number
- JPH10144667A JPH10144667A JP32091496A JP32091496A JPH10144667A JP H10144667 A JPH10144667 A JP H10144667A JP 32091496 A JP32091496 A JP 32091496A JP 32091496 A JP32091496 A JP 32091496A JP H10144667 A JPH10144667 A JP H10144667A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gas
- plasma
- particles
- vacuum vessel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空容器内部のパーティクルを低減し、被処
理基板に対して安定したプラズマ処理を行なうこと。 【解決手段】 プラズマ処理装置において、成膜処理が
終了した後、クリ−ニングガスを導入し、クリ−ニング
ガスをプラズマ化することにより真空容器２の内部に付
着したＣＦ膜を除去するクリ−ニングを行なう。この後
ＣＦ系のガス例えばＣ4 Ｆ8 ガスを６０ｓｃｃｍの流量
で導入すると共に、プラズマガス例えばＡｒガスを１５
０ｓｃｃｍの流量で導入することにより、圧力０．２Ｐ
ａ、マイクロ波電力２７００ｋＷの条件下でプリコ−ト
を行なう。このようにすると、真空容器２の内壁面がＣ
Ｆ系の膜よりなるプリコ−ト膜で覆われる。この後成膜
処理を行なうと、プリコ−ト膜は成膜ガスとは反応しに
くいのでパーティクルの発生が抑えられる。
理基板に対して安定したプラズマ処理を行なうこと。 【解決手段】 プラズマ処理装置において、成膜処理が
終了した後、クリ−ニングガスを導入し、クリ−ニング
ガスをプラズマ化することにより真空容器２の内部に付
着したＣＦ膜を除去するクリ−ニングを行なう。この後
ＣＦ系のガス例えばＣ4 Ｆ8 ガスを６０ｓｃｃｍの流量
で導入すると共に、プラズマガス例えばＡｒガスを１５
０ｓｃｃｍの流量で導入することにより、圧力０．２Ｐ
ａ、マイクロ波電力２７００ｋＷの条件下でプリコ−ト
を行なう。このようにすると、真空容器２の内壁面がＣ
Ｆ系の膜よりなるプリコ−ト膜で覆われる。この後成膜
処理を行なうと、プリコ−ト膜は成膜ガスとは反応しに
くいのでパーティクルの発生が抑えられる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば半導体ウエハ
などの被処理基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ
処理方法に関する。
などの被処理基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ
処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の配線パタ−ンとしては主にア
ルミニウム配線が用いられ、これを絶縁するための層間
絶縁膜としてはＳｉＯ2 膜やＳｉＯＦ膜が用いられてお
り、これらの形成方法としては膜質が良好なことから、
例えばマイクロ波と磁界とを組み合わせたＥＣＲ（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃ
ｅ）プラズマ処理が用いられる傾向にある。
ルミニウム配線が用いられ、これを絶縁するための層間
絶縁膜としてはＳｉＯ2 膜やＳｉＯＦ膜が用いられてお
り、これらの形成方法としては膜質が良好なことから、
例えばマイクロ波と磁界とを組み合わせたＥＣＲ（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃ
ｅ）プラズマ処理が用いられる傾向にある。
【０００３】このＥＣＲプラズマ処理を行うプラズマ処
理装置の一例を図１１に挙げると、真空容器１０のプラ
ズマ生成室１Ａ内に例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を導波管１１を介して供給すると同時に、所定の大きさ
例えば８７５ガウスの磁界を電磁コイル１２により印加
して、マイクロ波と磁界との相互作用（共鳴）により例
えばＡｒガスやＯ2 ガス等のプラズマガスや、成膜室１
Ｂ内に導入された反応性ガス例えばＳｉＨ4 ガスをプラ
ズマ化し、このプラズマによりＳｉＨ4 ガスの活性種を
形成してＡｌＮ（窒化アルミニウム）製の載置台１３上
に載置された半導体ウエハＷ表面に薄膜を形成するよう
になっている。
理装置の一例を図１１に挙げると、真空容器１０のプラ
ズマ生成室１Ａ内に例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波
を導波管１１を介して供給すると同時に、所定の大きさ
例えば８７５ガウスの磁界を電磁コイル１２により印加
して、マイクロ波と磁界との相互作用（共鳴）により例
えばＡｒガスやＯ2 ガス等のプラズマガスや、成膜室１
Ｂ内に導入された反応性ガス例えばＳｉＨ4 ガスをプラ
ズマ化し、このプラズマによりＳｉＨ4 ガスの活性種を
形成してＡｌＮ（窒化アルミニウム）製の載置台１３上
に載置された半導体ウエハＷ表面に薄膜を形成するよう
になっている。
【０００４】このようなプラズマ処理装置では、ＳｉＯ
2 膜等の成膜処理を行うと真空容器１０の壁面や載置台
１３の周辺にもこれらの膜が付着してしまうが、成膜処
理が進みこの膜の膜厚がある程度の厚さになると付着し
た膜が剥がれてパーティクルの原因となることから、Ｓ
ｉＯ2 膜等の成膜処理を行った後、これらの付着した膜
を除去するために所定のクリ−ニングが行われている。
2 膜等の成膜処理を行うと真空容器１０の壁面や載置台
１３の周辺にもこれらの膜が付着してしまうが、成膜処
理が進みこの膜の膜厚がある程度の厚さになると付着し
た膜が剥がれてパーティクルの原因となることから、Ｓ
ｉＯ2 膜等の成膜処理を行った後、これらの付着した膜
を除去するために所定のクリ−ニングが行われている。
【０００５】例えばＳｉＯ2 膜等を除去するためのクリ
−ニングは、例えばウエハＷを１２枚成膜する毎に例え
ば２０分程度行われており、クリ−ニングガスとしてＣ
Ｆ4ガスやＮＦ3 ガスなどのＦ系のガスを真空容器１０
内に導入し、このガスをプラズマにより活性化させ、こ
の活性種を付着した膜に反応させて除去している。
−ニングは、例えばウエハＷを１２枚成膜する毎に例え
ば２０分程度行われており、クリ−ニングガスとしてＣ
Ｆ4ガスやＮＦ3 ガスなどのＦ系のガスを真空容器１０
内に導入し、このガスをプラズマにより活性化させ、こ
の活性種を付着した膜に反応させて除去している。
【０００６】そしてクリ−ニングを終了した後、真空容
器１０の内壁に残存しているパーティクルの飛散を防ぐ
等のため所定のプリコ−トが行なわれている。このプリ
コ−トは真空容器１０の内壁にプリコ−ト膜を成膜する
ものであるが、例えばＳｉＯ2 膜等の成膜処理の場合に
は、プリコ−ト膜はＳｉＯ2 膜やＳｉＦ4 膜等により形
成されている。
器１０の内壁に残存しているパーティクルの飛散を防ぐ
等のため所定のプリコ−トが行なわれている。このプリ
コ−トは真空容器１０の内壁にプリコ−ト膜を成膜する
ものであるが、例えばＳｉＯ2 膜等の成膜処理の場合に
は、プリコ−ト膜はＳｉＯ2 膜やＳｉＦ4 膜等により形
成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】ところでＳｉＯ2
膜は誘電率が「４」程度、ＳｉＯＦ膜は誘電率が「３．
５」程度であるが、近年高速デバイスの要求が高まり、
これにより誘電率の低い層間絶縁膜が要求されている。
そこでこのような誘電率が低い層間絶縁膜として、
「２．５」以下の誘電率を達成し得る、フッ素添加カ−
ボン膜（以下ＣＦ膜という）が注目されている。
膜は誘電率が「４」程度、ＳｉＯＦ膜は誘電率が「３．
５」程度であるが、近年高速デバイスの要求が高まり、
これにより誘電率の低い層間絶縁膜が要求されている。
そこでこのような誘電率が低い層間絶縁膜として、
「２．５」以下の誘電率を達成し得る、フッ素添加カ−
ボン膜（以下ＣＦ膜という）が注目されている。
【０００８】このＣＦ膜も上述のプラズマ処理装置によ
り成膜できるが、ＣＦ膜の成膜処理の際に、プリコ−ト
膜をＳｉＯ2 膜やＳｉＦ4 膜等により形成すると、プリ
コ−ト膜とＣＦ膜の原料ガス例えばＣ4 Ｆ8 ガス等のＣ
Ｆ系のガスとが反応してパーティクルが発生しやすいと
いう問題があり、ＣＦ膜を成膜処理する際のプリコ−ト
には未知な部分が多い。
り成膜できるが、ＣＦ膜の成膜処理の際に、プリコ−ト
膜をＳｉＯ2 膜やＳｉＦ4 膜等により形成すると、プリ
コ−ト膜とＣＦ膜の原料ガス例えばＣ4 Ｆ8 ガス等のＣ
Ｆ系のガスとが反応してパーティクルが発生しやすいと
いう問題があり、ＣＦ膜を成膜処理する際のプリコ−ト
には未知な部分が多い。
【０００９】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は真空容器の内部のパーティクル
を低減することにより、被処理基板に対して安定した成
膜処理を行なうことができるプラズマ処理方法を提供す
ることにある。
ものであり、その目的は真空容器の内部のパーティクル
を低減することにより、被処理基板に対して安定した成
膜処理を行なうことができるプラズマ処理方法を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、被処
理基板の載置台が内部に設けられた真空容器内におい
て、処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処
理基板に対してプラズマ処理を行なうためのプラズマ処
理方法において、クリ−ニングガスをプラズマ化し、そ
のプラズマにより前記真空容器内部に付着したフッ素添
加カ−ボン膜を除去するクリ−ニング工程と、次いでプ
リコ−トガスをプラズマ化し、そのプラズマにより前記
真空容器の内壁にプリコ−ト膜を成膜するプリコ−ト工
程と、続いて処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマに
より被処理基板に対してフッ素添加カ−ボン膜を成膜す
る成膜処理工程と、を含むことを特徴とする。
理基板の載置台が内部に設けられた真空容器内におい
て、処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処
理基板に対してプラズマ処理を行なうためのプラズマ処
理方法において、クリ−ニングガスをプラズマ化し、そ
のプラズマにより前記真空容器内部に付着したフッ素添
加カ−ボン膜を除去するクリ−ニング工程と、次いでプ
リコ−トガスをプラズマ化し、そのプラズマにより前記
真空容器の内壁にプリコ−ト膜を成膜するプリコ−ト工
程と、続いて処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマに
より被処理基板に対してフッ素添加カ−ボン膜を成膜す
る成膜処理工程と、を含むことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のプラズマ処理方法の一実
施の形態について説明する。先ず本発明方法が実施され
るプラズマ処理装置の一例について図１により説明す
る。このプラズマ処理装置はＥＣＲ（電子サイクロトロ
ン共鳴）を用いた装置である。図中２は例えばアルミニ
ウム等により形成された真空容器であり、この真空容器
２は上方に位置してプラズマを発生させる円筒状のプラ
ズマ室２１と、この下方に連通させて連結され、プラズ
マ室２１より内径の大きい円筒状の成膜室２２とからな
る。
施の形態について説明する。先ず本発明方法が実施され
るプラズマ処理装置の一例について図１により説明す
る。このプラズマ処理装置はＥＣＲ（電子サイクロトロ
ン共鳴）を用いた装置である。図中２は例えばアルミニ
ウム等により形成された真空容器であり、この真空容器
２は上方に位置してプラズマを発生させる円筒状のプラ
ズマ室２１と、この下方に連通させて連結され、プラズ
マ室２１より内径の大きい円筒状の成膜室２２とからな
る。
【００１２】この真空容器２の上端面はマイクロ波を透
過するための透過窓２３により構成されている。透過窓
２３の上面にはプラズマ室２１内に例えば２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を供給するための導波管３１が設けられ
ており、この導波管３１の他端側にはマイクロ波発振器
３２に接続されている。この例では導波管３１とマイク
ロ波発振器３２とにより高周波供給手段が構成されてい
る。
過するための透過窓２３により構成されている。透過窓
２３の上面にはプラズマ室２１内に例えば２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を供給するための導波管３１が設けられ
ており、この導波管３１の他端側にはマイクロ波発振器
３２に接続されている。この例では導波管３１とマイク
ロ波発振器３２とにより高周波供給手段が構成されてい
る。
【００１３】プラズマ室２１を区画する側壁の外周囲に
は、これに接近させて磁界形成手段としてリング状のメ
インソレノイドコイル３３（以下メインコイル３３とい
う）が配置されており、プラズマ室２１に例えば上方か
ら下方に向かう例えば８７５ガウスの磁界を形成し得る
ようになっている。また成膜室２２の底壁の下方側には
リング状のサブソレノイドコイル３４（以下サブコイル
３４という）が配置されている。
は、これに接近させて磁界形成手段としてリング状のメ
インソレノイドコイル３３（以下メインコイル３３とい
う）が配置されており、プラズマ室２１に例えば上方か
ら下方に向かう例えば８７５ガウスの磁界を形成し得る
ようになっている。また成膜室２２の底壁の下方側には
リング状のサブソレノイドコイル３４（以下サブコイル
３４という）が配置されている。
【００１４】またプラズマ室２１を区画する側壁には、
その周方向に沿って均等に配置したプラズマガスノズル
２４が設けられている。このノズル２４には図示しない
プラズマガス源及びクリ−ニングガス源が接続されてお
り、プラズマ室２１内の上部にプラズマガスやクリ−ニ
ングガスを均等に供給し得るようになっている。なお図
中ノズル２４は図面の煩雑化を避けるため２本しか記載
していないが、実際にはそれ以上設けている。
その周方向に沿って均等に配置したプラズマガスノズル
２４が設けられている。このノズル２４には図示しない
プラズマガス源及びクリ−ニングガス源が接続されてお
り、プラズマ室２１内の上部にプラズマガスやクリ−ニ
ングガスを均等に供給し得るようになっている。なお図
中ノズル２４は図面の煩雑化を避けるため２本しか記載
していないが、実際にはそれ以上設けている。
【００１５】一方成膜室２２内には、その上部側に成膜
室２２室内に成膜ガスやプリコ−トガスを導入するため
のガス吹き出し口２５ａが形成されたリング状のガスリ
ング２５が設けられており、このガスリング２５には図
示しない成膜ガス源やプリコ−トガス源が接続されてい
る。また成膜室２２内のほぼ中央には被処理基板例えば
半導体ウエハＷ（以下ウエハＷという）を載置するため
載置台４が昇降自在に設けられている。この載置台４
は、例えばアルミニウム等により形成された本体４１に
ヒ−タを内蔵したセラミックス体４２を設けてなり、載
置面は静電チャックとして構成されている。さらに載置
台４のセラミック静電チャック４２にはウエハＷにイオ
ンを引き込むためのバイアス印加の為の電極４３を内蔵
し、電極４３にはプラズマ引込み用の例えば高周波電源
４４が接続されている。さらにまた成膜室２２の底部に
は、図示しない排気口が形成されている。
室２２室内に成膜ガスやプリコ−トガスを導入するため
のガス吹き出し口２５ａが形成されたリング状のガスリ
ング２５が設けられており、このガスリング２５には図
示しない成膜ガス源やプリコ−トガス源が接続されてい
る。また成膜室２２内のほぼ中央には被処理基板例えば
半導体ウエハＷ（以下ウエハＷという）を載置するため
載置台４が昇降自在に設けられている。この載置台４
は、例えばアルミニウム等により形成された本体４１に
ヒ−タを内蔵したセラミックス体４２を設けてなり、載
置面は静電チャックとして構成されている。さらに載置
台４のセラミック静電チャック４２にはウエハＷにイオ
ンを引き込むためのバイアス印加の為の電極４３を内蔵
し、電極４３にはプラズマ引込み用の例えば高周波電源
４４が接続されている。さらにまた成膜室２２の底部に
は、図示しない排気口が形成されている。
【００１６】次に上述の装置にて実施される本発明のプ
ラズマ処理方法について説明する。先ずＣＦ膜の成膜処
理工程について説明すると、図示しないロ−ドロック室
から例えば表面にアルミニウム配線が形成されたウエハ
Ｗを搬入して載置台４上に載置する。続いて真空容器２
の内部を所定の真空度まで真空引きし、プラズマガスノ
ズル２４からプラズマ室２１内へプラズマガス例えばＡ
ｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、ガス
リング２５から成膜室２２内へ成膜ガス例えばＣ4 Ｆ8
ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々流量６０ｓｃｃｍ及び３０
ｓｃｃｍで導入する。そして真空容器２内を例えばプロ
セス圧力０．２Ｐａに維持し、かつ載置台４に１３．５
６ＭＨｚ、１５００Ｗのバイアス電圧を印加すると共
に、載置台４の表面温度を３２０℃に設定する。
ラズマ処理方法について説明する。先ずＣＦ膜の成膜処
理工程について説明すると、図示しないロ−ドロック室
から例えば表面にアルミニウム配線が形成されたウエハ
Ｗを搬入して載置台４上に載置する。続いて真空容器２
の内部を所定の真空度まで真空引きし、プラズマガスノ
ズル２４からプラズマ室２１内へプラズマガス例えばＡ
ｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、ガス
リング２５から成膜室２２内へ成膜ガス例えばＣ4 Ｆ8
ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々流量６０ｓｃｃｍ及び３０
ｓｃｃｍで導入する。そして真空容器２内を例えばプロ
セス圧力０．２Ｐａに維持し、かつ載置台４に１３．５
６ＭＨｚ、１５００Ｗのバイアス電圧を印加すると共
に、載置台４の表面温度を３２０℃に設定する。
【００１７】マイクロ波発振器３２からの２．４５ＧＨ
ｚの高周波（マイクロ波）は、導波管３１を搬送されて
透過窓２３を透過してプラズマ室２１内に導入される。
このプラズマ室２１内には、メインコイル３３とサブコ
イル３４により発生したミラ−磁界が８７５ガウスの強
さで印加されており、この磁界とマイクロ波との相互作
用で電子サイクロトロン共鳴が生じ、この共鳴によりＡ
ｒガスがプラズマ化され、かつ高密度化される。
ｚの高周波（マイクロ波）は、導波管３１を搬送されて
透過窓２３を透過してプラズマ室２１内に導入される。
このプラズマ室２１内には、メインコイル３３とサブコ
イル３４により発生したミラ−磁界が８７５ガウスの強
さで印加されており、この磁界とマイクロ波との相互作
用で電子サイクロトロン共鳴が生じ、この共鳴によりＡ
ｒガスがプラズマ化され、かつ高密度化される。
【００１８】プラズマ室２１より成膜室２２内に流れ込
んだプラズマ流は、ここに供給されているＣ4 Ｆ8 ガス
及びＣ2 Ｈ4 ガスを活性化させて活性種を形成する。一
方ウエハＷ上に輸送された活性種はＣＦ膜として成膜さ
れるが、その際プラズマ引込用のバイアス電圧により、
ウエハＷに引き込まれたＡｒイオンが、スパッタエッチ
ング作用によりウエハＷ表面のパターン上の角部に成膜
したＣＦ膜を削り取り、間口を広げながら、パターン溝
底部からＣＦ膜を成膜し、凹部にボイドなくＣＦ膜が埋
め込まれる。
んだプラズマ流は、ここに供給されているＣ4 Ｆ8 ガス
及びＣ2 Ｈ4 ガスを活性化させて活性種を形成する。一
方ウエハＷ上に輸送された活性種はＣＦ膜として成膜さ
れるが、その際プラズマ引込用のバイアス電圧により、
ウエハＷに引き込まれたＡｒイオンが、スパッタエッチ
ング作用によりウエハＷ表面のパターン上の角部に成膜
したＣＦ膜を削り取り、間口を広げながら、パターン溝
底部からＣＦ膜を成膜し、凹部にボイドなくＣＦ膜が埋
め込まれる。
【００１９】続いて成膜処理工程の後に行なわれる行わ
れるクリ−ニング工程について説明する。ウエハＷに対
して所定の成膜処理を行なうと、例えば載置台４表面の
ウエハＷの周辺や載置台４の外周囲部分、ガス吹き出し
口２５ａ周辺等の成膜ガスが到達する場所にもＣＦ膜が
付着してしまう。クリ−ニングとはこのように真空容器
２の内部に付着したＣＦ膜を除去するために行われる処
理であり、例えば１２枚のウエハＷに成膜処理を行なっ
た後に行われる。
れるクリ−ニング工程について説明する。ウエハＷに対
して所定の成膜処理を行なうと、例えば載置台４表面の
ウエハＷの周辺や載置台４の外周囲部分、ガス吹き出し
口２５ａ周辺等の成膜ガスが到達する場所にもＣＦ膜が
付着してしまう。クリ−ニングとはこのように真空容器
２の内部に付着したＣＦ膜を除去するために行われる処
理であり、例えば１２枚のウエハＷに成膜処理を行なっ
た後に行われる。
【００２０】具体的には１２枚目のウエハＷを真空容器
２から搬出した後、プラズマ室２１内にプラズマガスノ
ズル２４からクリ−ニングガス例えばＯ2 ガスを例えば
２００ｓｃｃｍの流量で導入し、かつマイクロ波発振器
３２から２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入すると共
に、例えばメインコイル３３を作動させて磁界を８７５
ガウスの強さで印加することにより行われる。
２から搬出した後、プラズマ室２１内にプラズマガスノ
ズル２４からクリ−ニングガス例えばＯ2 ガスを例えば
２００ｓｃｃｍの流量で導入し、かつマイクロ波発振器
３２から２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入すると共
に、例えばメインコイル３３を作動させて磁界を８７５
ガウスの強さで印加することにより行われる。
【００２１】このようにすると成膜室２２の内部では磁
界とマイクロ波との相互作用で電子サイクロトロン共鳴
が生じ、この共鳴によりＯ2 ガスがプラズマ化され、か
つ高密度化される。そしてプラズマ化により生じた例え
ばＯのラジカルやイオンからなるＯの活性種がガス吹き
出し口２５ａや載置台４の周辺に付着したＣＦ膜と反応
し、ＣＦ膜を例えばＣＯ2 ガスやＦ2 ガスに分解して飛
散させ、図示しない排気口を介して成膜室２２の外部へ
除去する。
界とマイクロ波との相互作用で電子サイクロトロン共鳴
が生じ、この共鳴によりＯ2 ガスがプラズマ化され、か
つ高密度化される。そしてプラズマ化により生じた例え
ばＯのラジカルやイオンからなるＯの活性種がガス吹き
出し口２５ａや載置台４の周辺に付着したＣＦ膜と反応
し、ＣＦ膜を例えばＣＯ2 ガスやＦ2 ガスに分解して飛
散させ、図示しない排気口を介して成膜室２２の外部へ
除去する。
【００２２】次いでクリ−ニング工程の後に行なわれる
プリコ−ト工程について説明する。プリコ−ト工程では
上述の真空容器２の内壁にプリコ−ト膜が成膜される。
具体的にはクリ−ニングが終了した後、プラズマ室２１
内にガスリング２５からプリコ−トガスとしてＣＦ系の
ガス例えばＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓ
ｃｃｍ及び３０ｓｃｃｍの流量で導入し、プラズマガス
ノズル２４からプラズマガス例えばＡｒガスを１５０ｓ
ｃｃｍの流量で導入すると共に、マイクロ波発振器３２
から２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、例えばメイ
ンコイル３３を作動させて磁界を８７５ガウスの強さで
印加することにより行われる。
プリコ−ト工程について説明する。プリコ−ト工程では
上述の真空容器２の内壁にプリコ−ト膜が成膜される。
具体的にはクリ−ニングが終了した後、プラズマ室２１
内にガスリング２５からプリコ−トガスとしてＣＦ系の
ガス例えばＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓ
ｃｃｍ及び３０ｓｃｃｍの流量で導入し、プラズマガス
ノズル２４からプラズマガス例えばＡｒガスを１５０ｓ
ｃｃｍの流量で導入すると共に、マイクロ波発振器３２
から２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入し、例えばメイ
ンコイル３３を作動させて磁界を８７５ガウスの強さで
印加することにより行われる。
【００２３】このようにすると成膜室２２の内部では磁
界とマイクロ波との相互作用で電子サイクロトロン共鳴
が生じ、この共鳴により前記プラズマガスがプラズマ化
され、かつ高密度化される。そしてプラズマ室２１より
成膜室２２に流れ込んだプラズマ流は、ここに供給され
ている前記プリコ−トガスを活性化させて活性種を形成
し、これにより真空容器２の内壁に例えば膜厚２μｍの
ＣＦ膜によりなるプリコ−ト膜が成膜される。
界とマイクロ波との相互作用で電子サイクロトロン共鳴
が生じ、この共鳴により前記プラズマガスがプラズマ化
され、かつ高密度化される。そしてプラズマ室２１より
成膜室２２に流れ込んだプラズマ流は、ここに供給され
ている前記プリコ−トガスを活性化させて活性種を形成
し、これにより真空容器２の内壁に例えば膜厚２μｍの
ＣＦ膜によりなるプリコ−ト膜が成膜される。
【００２４】このようにしてプリコ−ト工程が行なわれ
た後、ウエハＷを真空容器２内に搬入して載置台４上に
載置し、上述のＣＦ膜の成膜処理工程が行なわれる。
た後、ウエハＷを真空容器２内に搬入して載置台４上に
載置し、上述のＣＦ膜の成膜処理工程が行なわれる。
【００２５】本実施の形態では、クリ−ニング工程の後
にＣＦ系のガスによるプリコ−ト工程が行なわれるので
次のような効果が得られる。先ず第１に成膜処理の際に
パーティクルの飛散が防止できる。即ちクリ−ニングを
行なうと、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、真空容器
２の内壁に付着したＣＦ膜Ｍの大部分が除去されるが、
当該内壁面に少量のパーティクルＰＴが残存してしま
う。これはクリ−ニングの際にＣＦ膜Ｍの取り残しがあ
ったり、もともと真空容器２の内壁にアルミニウムや窒
素が混入したＣＦ膜Ｍが付着している場合には、クリ−
ニングしてもこれらアルミニウムや窒素が除去できない
からである。
にＣＦ系のガスによるプリコ−ト工程が行なわれるので
次のような効果が得られる。先ず第１に成膜処理の際に
パーティクルの飛散が防止できる。即ちクリ−ニングを
行なうと、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、真空容器
２の内壁に付着したＣＦ膜Ｍの大部分が除去されるが、
当該内壁面に少量のパーティクルＰＴが残存してしま
う。これはクリ−ニングの際にＣＦ膜Ｍの取り残しがあ
ったり、もともと真空容器２の内壁にアルミニウムや窒
素が混入したＣＦ膜Ｍが付着している場合には、クリ−
ニングしてもこれらアルミニウムや窒素が除去できない
からである。
【００２６】このような場合にプリコ−トを行なうと、
プリコ−ト膜ＰＭは真空容器２の内壁面にパーティクル
ＰＴを封じ込めるように形成されるので、その後のＣＦ
膜の成膜処理の際のパーティクルの飛散が抑えられる。
即ち本実施の形態では、プリコ−ト膜がウエハＷに形成
されるＣＦ膜の組成に近い膜により形成されており、例
えば図３（ａ）に示すように真空容器２の内壁面にプリ
コ−ト膜が形成される。
プリコ−ト膜ＰＭは真空容器２の内壁面にパーティクル
ＰＴを封じ込めるように形成されるので、その後のＣＦ
膜の成膜処理の際のパーティクルの飛散が抑えられる。
即ち本実施の形態では、プリコ−ト膜がウエハＷに形成
されるＣＦ膜の組成に近い膜により形成されており、例
えば図３（ａ）に示すように真空容器２の内壁面にプリ
コ−ト膜が形成される。
【００２７】この膜は上述のように成膜されるＣＦ膜と
組成が似ているため、成膜処理の際に成膜ガスと反応す
るおそれがなく、このため成膜処理の際に成膜ガスとプ
リコ−ト膜ＰＭが反応してパーティクルを生成したり、
プリコ−ト膜ＰＭが除去されて前記内壁面に付着してい
たパーティクルＰＴが飛散したりすることが抑えられ
る。これに対し例えばプリコ−ト膜をＳｉＯ2 膜により
形成すると（図３（ｂ）参照）、この膜は成膜処理の際
にＣＦ膜の成膜ガスであるＣＦ系のガスと反応しやす
く、このためパーティクルが発生しやすい。
組成が似ているため、成膜処理の際に成膜ガスと反応す
るおそれがなく、このため成膜処理の際に成膜ガスとプ
リコ−ト膜ＰＭが反応してパーティクルを生成したり、
プリコ−ト膜ＰＭが除去されて前記内壁面に付着してい
たパーティクルＰＴが飛散したりすることが抑えられ
る。これに対し例えばプリコ−ト膜をＳｉＯ2 膜により
形成すると（図３（ｂ）参照）、この膜は成膜処理の際
にＣＦ膜の成膜ガスであるＣＦ系のガスと反応しやす
く、このためパーティクルが発生しやすい。
【００２８】第２に成膜処理の際にウエハＷに形成され
るＣＦ膜の深さ方向の膜質を均一にすることができる。
即ちクリ−ニング終了後直ちに成膜処理を行なうと、処
理の初期段階では真空容器２のアルミニウムの内壁面に
ＣＦ膜が成膜されてしまい、これによりアルミニウムと
反応しやすい成膜ガスが消費されてしまう。従ってＣ4
Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ4 ガスの流量比が変わって成膜ガスの
組成が変化してしまうので、処理の初期段階とその後で
はウエハＷに形成されるＣＦ膜の膜質、特に深さ方向の
膜質が変化してしまう。
るＣＦ膜の深さ方向の膜質を均一にすることができる。
即ちクリ−ニング終了後直ちに成膜処理を行なうと、処
理の初期段階では真空容器２のアルミニウムの内壁面に
ＣＦ膜が成膜されてしまい、これによりアルミニウムと
反応しやすい成膜ガスが消費されてしまう。従ってＣ4
Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ4 ガスの流量比が変わって成膜ガスの
組成が変化してしまうので、処理の初期段階とその後で
はウエハＷに形成されるＣＦ膜の膜質、特に深さ方向の
膜質が変化してしまう。
【００２９】一方クリ−ニング終了後にプリコ−ト工程
を行なうと、この工程で予め真空容器２の内壁にＣＦ膜
からなるプリコ−ト膜が形成されるため、成膜処理の際
にはこのプリコ−ト膜の上面にＣＦ膜が形成されること
になる。ところがこのようにプリコ−ト膜の上面にＣＦ
膜が形成される場合は、プリコ−ト膜自体がウエハＷに
成膜されるＣＦ膜に近い組成であるため、プリコ−ト膜
の表面に成膜される場合もウエハＷ上に成膜される場合
も同じように成膜ガスが消費されると考えられる。従っ
てアルミニウムの表面に成膜される場合のようにＣ4 Ｆ
8 ガスとＣ2 Ｈ4 ガスの流量比が変わってしまうおそれ
はないので、処理の初期段階とその後の段階とでは成膜
ガスの組成は変化しないため、ウエハＷに形成されるＣ
Ｆ膜の膜質特に深さ方向の膜質を均一にすることができ
る。
を行なうと、この工程で予め真空容器２の内壁にＣＦ膜
からなるプリコ−ト膜が形成されるため、成膜処理の際
にはこのプリコ−ト膜の上面にＣＦ膜が形成されること
になる。ところがこのようにプリコ−ト膜の上面にＣＦ
膜が形成される場合は、プリコ−ト膜自体がウエハＷに
成膜されるＣＦ膜に近い組成であるため、プリコ−ト膜
の表面に成膜される場合もウエハＷ上に成膜される場合
も同じように成膜ガスが消費されると考えられる。従っ
てアルミニウムの表面に成膜される場合のようにＣ4 Ｆ
8 ガスとＣ2 Ｈ4 ガスの流量比が変わってしまうおそれ
はないので、処理の初期段階とその後の段階とでは成膜
ガスの組成は変化しないため、ウエハＷに形成されるＣ
Ｆ膜の膜質特に深さ方向の膜質を均一にすることができ
る。
【００３０】第３に成膜処理の際に、真空容器２の内壁
面に成膜されるＣＦ膜の膜剥がれを防止することができ
る。即ちクリ−ニング終了後に成膜処理を行なうと、上
述のように真空容器２の内壁面にＣＦ膜Ｍが成膜されて
しまうが、ここでアルミニウムの内壁面とＣＦ膜Ｍとは
密着性が悪いので、処理が進みＣＦ膜Ｍの付着量が多く
なってくると、前記内壁面からＣＦ膜Ｍが剥がれてしま
うことがある。このようにＣＦ膜Ｍが剥がれるとパーテ
ィクルの原因になるし、もともと前記内壁面に付着して
いたパーティクルＰＴが現れて飛散してしまう。
面に成膜されるＣＦ膜の膜剥がれを防止することができ
る。即ちクリ−ニング終了後に成膜処理を行なうと、上
述のように真空容器２の内壁面にＣＦ膜Ｍが成膜されて
しまうが、ここでアルミニウムの内壁面とＣＦ膜Ｍとは
密着性が悪いので、処理が進みＣＦ膜Ｍの付着量が多く
なってくると、前記内壁面からＣＦ膜Ｍが剥がれてしま
うことがある。このようにＣＦ膜Ｍが剥がれるとパーテ
ィクルの原因になるし、もともと前記内壁面に付着して
いたパーティクルＰＴが現れて飛散してしまう。
【００３１】一方クリ−ニング終了後にプリコ−ト工程
を行なうと、この工程で予め真空容器２の内壁にＣＦ膜
からなるプリコ−ト膜が形成されており、成膜処理の際
にはこのプリコ−ト膜の上面にＣＦ膜が形成されること
になる。ここでプリコ−トの条件と成膜処理の条件とは
異なり、このため形成される膜の膜質が異なるので、プ
リコ−トの際アルミニウム製の真空容器２の内壁面にプ
リコ−ト膜が形成されるとしても、このプリコ−ト膜の
アルミニウムに対する密着性は、成膜処理の際に前記内
壁面に成膜されるＣＦ膜よりは大きい。また成膜処理の
際、プリコ−ト膜の上面にＣＦ膜が成膜されるが、プリ
コ−ト膜とＣＦ膜とはもともと密着性が大きいので、両
者間に膜剥がれが生じるおそれはない。このようにプリ
コ−トを行なうと膜剥がれが抑えられるので、膜剥がれ
が原因となるパーティクルの発生を抑えることができ
る。
を行なうと、この工程で予め真空容器２の内壁にＣＦ膜
からなるプリコ−ト膜が形成されており、成膜処理の際
にはこのプリコ−ト膜の上面にＣＦ膜が形成されること
になる。ここでプリコ−トの条件と成膜処理の条件とは
異なり、このため形成される膜の膜質が異なるので、プ
リコ−トの際アルミニウム製の真空容器２の内壁面にプ
リコ−ト膜が形成されるとしても、このプリコ−ト膜の
アルミニウムに対する密着性は、成膜処理の際に前記内
壁面に成膜されるＣＦ膜よりは大きい。また成膜処理の
際、プリコ−ト膜の上面にＣＦ膜が成膜されるが、プリ
コ−ト膜とＣＦ膜とはもともと密着性が大きいので、両
者間に膜剥がれが生じるおそれはない。このようにプリ
コ−トを行なうと膜剥がれが抑えられるので、膜剥がれ
が原因となるパーティクルの発生を抑えることができ
る。
【００３２】ここで本実施の形態の効果を確認するため
に行なった実験例について説明する。実験装置として図
１に示すプラズマ処理装置を用い、マイクロ波電力２７
００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、高周波電力を印加せず
にプリコ−トガスとしてＣ4Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガス
を６０ｓｃｃｍ及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共
に、プラズマガスとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流
量で導入して、プリコ−ト膜ＰＭを２μｍ形成した。
に行なった実験例について説明する。実験装置として図
１に示すプラズマ処理装置を用い、マイクロ波電力２７
００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、高周波電力を印加せず
にプリコ−トガスとしてＣ4Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガス
を６０ｓｃｃｍ及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共
に、プラズマガスとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流
量で導入して、プリコ−ト膜ＰＭを２μｍ形成した。
【００３３】この後、マイクロ波電力２７００Ｗ、高周
波電力１５００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、成膜ガスと
してＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ
及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、プラズマガ
スとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、８インチサイズのウエハＷ上にＣＦ膜を０．
５μｍ形成し、ＸＰＳ分析（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により、ウエハＷ上に形成
されたＣＦ膜の深さ方向における均一性を測定した。ま
たプリコ−トを行なわない場合においても同様の条件で
ウエハＷ上にＣＦ膜を形成し、ＸＰＳ分析を行なった。
これらの結果を図４及び図５に夫々示す。
波電力１５００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、成膜ガスと
してＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ
及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、プラズマガ
スとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、８インチサイズのウエハＷ上にＣＦ膜を０．
５μｍ形成し、ＸＰＳ分析（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により、ウエハＷ上に形成
されたＣＦ膜の深さ方向における均一性を測定した。ま
たプリコ−トを行なわない場合においても同様の条件で
ウエハＷ上にＣＦ膜を形成し、ＸＰＳ分析を行なった。
これらの結果を図４及び図５に夫々示す。
【００３４】図４及び図５においては、ＣＦ膜中の１Ｓ
軌道のＣ（炭素）とＦ（フッ素）のＣＦ膜の深さ方向に
おける原子濃度が示されており、図中のＣＦ膜の深さは
「１」が最表面であり、「０」に近付くに連れて深くな
るように示されている。この結果より、プリコ−トを行
なわない場合（図５参照）はＣＦ膜の深さが大きくなる
に連れてＣ濃度は大きくなり、Ｆ濃度が小さくなるのに
対して、プリコ−トを行なった場合はＣＦ膜の深さが大
きくなってもＣＦ膜中のＣ濃度及びＦ濃度が一定である
ことが確認され、これによりプリコ−トを行なった場合
（図４参照）はＣＦ膜の深さ方向に対する均一性が向上
することが確認された。
軌道のＣ（炭素）とＦ（フッ素）のＣＦ膜の深さ方向に
おける原子濃度が示されており、図中のＣＦ膜の深さは
「１」が最表面であり、「０」に近付くに連れて深くな
るように示されている。この結果より、プリコ−トを行
なわない場合（図５参照）はＣＦ膜の深さが大きくなる
に連れてＣ濃度は大きくなり、Ｆ濃度が小さくなるのに
対して、プリコ−トを行なった場合はＣＦ膜の深さが大
きくなってもＣＦ膜中のＣ濃度及びＦ濃度が一定である
ことが確認され、これによりプリコ−トを行なった場合
（図４参照）はＣＦ膜の深さ方向に対する均一性が向上
することが確認された。
【００３５】続いて前実験例と同様の条件でプリコ−ト
を行なった後、１２枚のウエハＷに対して全実験例と同
様の条件でＣＦ膜を成膜し、ウエハＷ上に存在する０．
２５μｍ以上の大きさのパーティクル量をウエハ用異物
検査装置により測定した。またプリコ−トを行なわない
場合についても同様にウエハＷの成膜処理を行ない、パ
ーティクル量を測定した。これらの結果を図６及び図７
に夫々示す。
を行なった後、１２枚のウエハＷに対して全実験例と同
様の条件でＣＦ膜を成膜し、ウエハＷ上に存在する０．
２５μｍ以上の大きさのパーティクル量をウエハ用異物
検査装置により測定した。またプリコ−トを行なわない
場合についても同様にウエハＷの成膜処理を行ない、パ
ーティクル量を測定した。これらの結果を図６及び図７
に夫々示す。
【００３６】図６及び図７においては、横軸にウエハＷ
の処理枚数を示すが、この結果より、プリコ−トを行な
った場合には、プリコ−トを行なわない場合に比べてウ
エハＷ２枚目までのパーティクル量が極端に少なくなる
ことが確認され、これによりプリコ−トを行なった場合
はパーティクル発生量がかなり少なくなることが確認さ
れた。
の処理枚数を示すが、この結果より、プリコ−トを行な
った場合には、プリコ−トを行なわない場合に比べてウ
エハＷ２枚目までのパーティクル量が極端に少なくなる
ことが確認され、これによりプリコ−トを行なった場合
はパーティクル発生量がかなり少なくなることが確認さ
れた。
【００３７】このように本実施の形態では、真空容器２
内のパーティクル量を低減できるので、その後の成膜処
理工程において被処理基板に対して安定した処理を行な
うことができる。
内のパーティクル量を低減できるので、その後の成膜処
理工程において被処理基板に対して安定した処理を行な
うことができる。
【００３８】続いて本発明のさらに他の実施の形態につ
いて説明する。本実施の形態が上述の実施の形態と異な
る点は、本実施の形態が上述の実施の形態と異なる点
は、プリコ−トガスとして二重結合あるいは三重結合の
ガス例えばＣ2 Ｆ2 ガスやＣ2Ｆ4 ガスや、一つのＣに
４個のＣＦ基が結合している分子構造のガス例えばＣ
（ＣＦ3 ）4 ＣガスやＣ（Ｃ2 Ｆ5 ）4 ガス等を用いる
ことである。プリコ−トとしてこのようなガスを用いる
とパーティクルの発生量が低減するという効果がある。
いて説明する。本実施の形態が上述の実施の形態と異な
る点は、本実施の形態が上述の実施の形態と異なる点
は、プリコ−トガスとして二重結合あるいは三重結合の
ガス例えばＣ2 Ｆ2 ガスやＣ2Ｆ4 ガスや、一つのＣに
４個のＣＦ基が結合している分子構造のガス例えばＣ
（ＣＦ3 ）4 ＣガスやＣ（Ｃ2 Ｆ5 ）4 ガス等を用いる
ことである。プリコ−トとしてこのようなガスを用いる
とパーティクルの発生量が低減するという効果がある。
【００３９】ここで本実施の形態の効果を確認するため
に行なった実験例について説明する。実験装置として図
１に示すプラズマ処理装置を用い、マイクロ波電力２７
００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、高周波電力を印加せず
に、プリコ−トガスとしてＣ2 Ｆ4 ガスを６０ｓｃｃｍ
の流量で導入すると共に、プラズマガスとしてＡｒガス
を２００ｓｃｃｍの流量で導入して、プリコ−ト膜ＰＭ
を２μｍ形成した。
に行なった実験例について説明する。実験装置として図
１に示すプラズマ処理装置を用い、マイクロ波電力２７
００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、高周波電力を印加せず
に、プリコ−トガスとしてＣ2 Ｆ4 ガスを６０ｓｃｃｍ
の流量で導入すると共に、プラズマガスとしてＡｒガス
を２００ｓｃｃｍの流量で導入して、プリコ−ト膜ＰＭ
を２μｍ形成した。
【００４０】この後、マイクロ波電力２７００Ｗ、高周
波電力１５００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、成膜ガスと
してＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ
及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、プラズマガ
スとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、８インチサイズのウエハＷにＣＦ膜を０．２
５μｍ形成した。この成膜処理を６０枚のウエハＷに対
して行ない、ウエハＷ上に存在する０．２５μｍ以上の
大きさのパーティクル量をウエハ用異物検査装置により
測定した。
波電力１５００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、成膜ガスと
してＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ
及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、プラズマガ
スとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、８インチサイズのウエハＷにＣＦ膜を０．２
５μｍ形成した。この成膜処理を６０枚のウエハＷに対
して行ない、ウエハＷ上に存在する０．２５μｍ以上の
大きさのパーティクル量をウエハ用異物検査装置により
測定した。
【００４１】またマイクロ波電力２０００Ｗ、高周波電
力２０００Ｗ、圧力０．３Ｐａの下で、プリコ−トガス
としてＳｉＨ4 ガスを８０ｓｃｃｍの流量で導入すると
共に、プラズマガスとしてＯ2 ガス及びＡｒガスを夫々
１００ｓｃｃｍ及び２００ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、プリコ−ト膜としてＳｉＯ2 膜を１．０μｍ
形成した場合についても同様にウエハＷの成膜処理を行
ない、パーティクル量を測定した。これらの結果を図８
に示す。
力２０００Ｗ、圧力０．３Ｐａの下で、プリコ−トガス
としてＳｉＨ4 ガスを８０ｓｃｃｍの流量で導入すると
共に、プラズマガスとしてＯ2 ガス及びＡｒガスを夫々
１００ｓｃｃｍ及び２００ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、プリコ−ト膜としてＳｉＯ2 膜を１．０μｍ
形成した場合についても同様にウエハＷの成膜処理を行
ない、パーティクル量を測定した。これらの結果を図８
に示す。
【００４２】図８においては横軸にウエハＷの処理枚数
を示すが、この結果よりＣ2 Ｆ4 ガスによりプリコ−ト
を行なった場合には、ＳｉＨ4 ガスを導入してＳｉＯ2
膜からなるプリコ−ト膜を形成した場合に比べてパーテ
ィクル量が極端に少なくなることが確認された。
を示すが、この結果よりＣ2 Ｆ4 ガスによりプリコ−ト
を行なった場合には、ＳｉＨ4 ガスを導入してＳｉＯ2
膜からなるプリコ−ト膜を形成した場合に比べてパーテ
ィクル量が極端に少なくなることが確認された。
【００４３】この理由については以下のように考えられ
る。即ちＳｉＯ2 膜からなるプリコ−ト膜を形成した場
合は、既述のようにプリコ−ト膜と成膜ガスとが反応し
やすく、この結果この反応によりパーティクルが生成し
たり、またプリコ−ト膜が真空容器２の内壁面から剥が
れてパーティクルの原因となったり、プリコ−ト膜が除
去されて前記内壁面に付着していたパーティクルが飛散
したりすると考えられ、これによりパーティクル量が多
くなると推察される。
る。即ちＳｉＯ2 膜からなるプリコ−ト膜を形成した場
合は、既述のようにプリコ−ト膜と成膜ガスとが反応し
やすく、この結果この反応によりパーティクルが生成し
たり、またプリコ−ト膜が真空容器２の内壁面から剥が
れてパーティクルの原因となったり、プリコ−ト膜が除
去されて前記内壁面に付着していたパーティクルが飛散
したりすると考えられ、これによりパーティクル量が多
くなると推察される。
【００４４】一方Ｃ2 Ｆ4 ガスによりプリコ−トを行な
った場合は、例えば図９に示すように、プリコ−ト膜の
Ｃ−Ｃ結合が三次元綱状的に形成され、つまりＣ−Ｃの
ネットワ−ク構造が形成されるので、プリコ−ト膜が緻
密になり強固になる。従って既述の通りプリコ−ト膜は
もともと成膜ガスとは反応しにくいが、膜がＣ−Ｃのネ
ットワ−ク構造を形成することによって、より反応しに
くい状態となるので、この結果成膜ガスとの反応に起因
するパーティクルの発生が抑えられると考えられる。
った場合は、例えば図９に示すように、プリコ−ト膜の
Ｃ−Ｃ結合が三次元綱状的に形成され、つまりＣ−Ｃの
ネットワ−ク構造が形成されるので、プリコ−ト膜が緻
密になり強固になる。従って既述の通りプリコ−ト膜は
もともと成膜ガスとは反応しにくいが、膜がＣ−Ｃのネ
ットワ−ク構造を形成することによって、より反応しに
くい状態となるので、この結果成膜ガスとの反応に起因
するパーティクルの発生が抑えられると考えられる。
【００４５】またＣＦ膜はＣの量が増えると密着性が増
加する傾向にあるが、上述のネットワ−ク構造ではＣの
量が増加するので、真空容器２の内壁面とプリコ−ト膜
との密着性が大きくなる。従ってプリコ−ト膜が真空容
器２の内壁面から剥がれにくくなるので、この膜剥がれ
に起因するパーティクルの発生も抑えられると考えられ
る。従ってＣ2 Ｆ4 ガスによりプリコ−トを行なった場
合は、これらの相乗効果によりパーティクルの発生を大
幅に低減できると推察される。
加する傾向にあるが、上述のネットワ−ク構造ではＣの
量が増加するので、真空容器２の内壁面とプリコ−ト膜
との密着性が大きくなる。従ってプリコ−ト膜が真空容
器２の内壁面から剥がれにくくなるので、この膜剥がれ
に起因するパーティクルの発生も抑えられると考えられ
る。従ってＣ2 Ｆ4 ガスによりプリコ−トを行なった場
合は、これらの相乗効果によりパーティクルの発生を大
幅に低減できると推察される。
【００４６】このように本実施の形態では、真空容器２
内のパーティクル量を大幅に低減できるので、その後の
成膜処理工程において被処理基板に対してより安定した
処理を行なうことができる。
内のパーティクル量を大幅に低減できるので、その後の
成膜処理工程において被処理基板に対してより安定した
処理を行なうことができる。
【００４７】続いて本発明のさらに他の実施の形態につ
いて説明する。本実施の形態が上述の実施の形態と異な
る点は、プリコ−ト膜をａ−ＣｉＨ膜（水素化アモルフ
ァスカ−ボン、以下「ａ−Ｃ膜」という）により形成し
たことである。この際、ａ−Ｃ膜は、プリコ−トガスと
してＣk Ｈs ガス（ｋ、ｓは整数）単独、あるいはＣk
Ｈs ガス＋Ｈ2 ガスを用いることにより形成され、この
ようにプリコ−ト膜としてａ−Ｃ膜を用いると、プリコ
−ト膜と真空容器２の内壁面との密着性が高まり、パー
ティクルの発生量が低減するという効果がある。
いて説明する。本実施の形態が上述の実施の形態と異な
る点は、プリコ−ト膜をａ−ＣｉＨ膜（水素化アモルフ
ァスカ−ボン、以下「ａ−Ｃ膜」という）により形成し
たことである。この際、ａ−Ｃ膜は、プリコ−トガスと
してＣk Ｈs ガス（ｋ、ｓは整数）単独、あるいはＣk
Ｈs ガス＋Ｈ2 ガスを用いることにより形成され、この
ようにプリコ−ト膜としてａ−Ｃ膜を用いると、プリコ
−ト膜と真空容器２の内壁面との密着性が高まり、パー
ティクルの発生量が低減するという効果がある。
【００４８】ここで本実施の形態の効果を確認するため
に行なった実験例について説明する。実験装置として図
１に示すプラズマ処理装置を用い、マイクロ波電力２５
００Ｗ、圧力０．３Ｐａの下で、高周波電力を印加せず
に、プリコ−トガスとしてＣ2 Ｈ4 ガスを１００ｓｃｃ
ｍの流量で導入すると共に、プラズマガスとしてＡｒガ
スを３００ｓｃｃｍの流量で導入して、プリコ−ト膜Ｐ
Ｍを２μｍ形成した。
に行なった実験例について説明する。実験装置として図
１に示すプラズマ処理装置を用い、マイクロ波電力２５
００Ｗ、圧力０．３Ｐａの下で、高周波電力を印加せず
に、プリコ−トガスとしてＣ2 Ｈ4 ガスを１００ｓｃｃ
ｍの流量で導入すると共に、プラズマガスとしてＡｒガ
スを３００ｓｃｃｍの流量で導入して、プリコ−ト膜Ｐ
Ｍを２μｍ形成した。
【００４９】この後、マイクロ波電力１５００Ｗ、高周
波電力１５００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、成膜ガスと
してＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ
及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、プラズマガ
スとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、８インチサイズのウエハＷにＣＦ膜を０．２
５μｍ形成した。この成膜処理を４０枚のウエハＷに対
して行ない、ウエハＷ上に存在する０．２５μｍ以上の
大きさのパーティクル量をウエハ用異物検査装置により
測定した。
波電力１５００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、成膜ガスと
してＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ
及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、プラズマガ
スとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、８インチサイズのウエハＷにＣＦ膜を０．２
５μｍ形成した。この成膜処理を４０枚のウエハＷに対
して行ない、ウエハＷ上に存在する０．２５μｍ以上の
大きさのパーティクル量をウエハ用異物検査装置により
測定した。
【００５０】またマイクロ波電力２０００Ｗ、高周波電
力２０００Ｗ、圧力０．３Ｐａの下で、プリコ−トガス
としてＳｉＨ4 ガスを８０ｓｃｃｍの流量で導入すると
共に、プラズマガスとしてＯ2 ガス及びＡｒガスを夫々
１００ｓｃｃｍ及び２００ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、プリコ−ト膜としてＳｉＯ2 膜を１．０μｍ
形成した場合についても同様にウエハＷの成膜処理を行
ない、パーティクル量を測定した。これらの結果を図１
０に示す。
力２０００Ｗ、圧力０．３Ｐａの下で、プリコ−トガス
としてＳｉＨ4 ガスを８０ｓｃｃｍの流量で導入すると
共に、プラズマガスとしてＯ2 ガス及びＡｒガスを夫々
１００ｓｃｃｍ及び２００ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、プリコ−ト膜としてＳｉＯ2 膜を１．０μｍ
形成した場合についても同様にウエハＷの成膜処理を行
ない、パーティクル量を測定した。これらの結果を図１
０に示す。
【００５１】図１０においては横軸にウエハＷの処理枚
数を示すが、この結果よりａ−Ｃ膜膜からなるプリコ−
ト膜を形成した場合には、ＳｉＯ2 膜からなるプリコ−
ト膜を形成した場合に比べてパーティクル量が大幅に少
なくなることが確認された。この理由については以下の
ように考えられる。即ちＳｉＯ2 膜からなるプリコ−ト
膜を形成した場合は、既述のようにプリコ−ト膜と成膜
ガスとが反応しやすく、この結果この反応に起因してパ
ーティクル量が多くなると推察される。
数を示すが、この結果よりａ−Ｃ膜膜からなるプリコ−
ト膜を形成した場合には、ＳｉＯ2 膜からなるプリコ−
ト膜を形成した場合に比べてパーティクル量が大幅に少
なくなることが確認された。この理由については以下の
ように考えられる。即ちＳｉＯ2 膜からなるプリコ−ト
膜を形成した場合は、既述のようにプリコ−ト膜と成膜
ガスとが反応しやすく、この結果この反応に起因してパ
ーティクル量が多くなると推察される。
【００５２】一方ａ−Ｃ膜からなるプリコ−ト膜を形成
した場合には、ａ−Ｃ膜はウエハＷに成膜されるＣＦ膜
と組成が類似しているので成膜ガスとは反応しにくく、
成膜ガスとの反応に起因するパーティクルの発生が抑え
られる上、ａ−Ｃ膜はアルミニウム製の真空容器２の内
壁面との密着性が大きい。このためプリコ−ト膜が真空
容器２の内壁面から剥がれにくくなり、長時間膜剥がれ
が起こらなくなるので、この膜剥がれに起因するパーテ
ィクルの発生が抑えられると考えられる。従ってａ−Ｃ
膜からなるプリコ−ト膜を形成した場合はパーティクル
の発生を大幅に低減できると推察される。
した場合には、ａ−Ｃ膜はウエハＷに成膜されるＣＦ膜
と組成が類似しているので成膜ガスとは反応しにくく、
成膜ガスとの反応に起因するパーティクルの発生が抑え
られる上、ａ−Ｃ膜はアルミニウム製の真空容器２の内
壁面との密着性が大きい。このためプリコ−ト膜が真空
容器２の内壁面から剥がれにくくなり、長時間膜剥がれ
が起こらなくなるので、この膜剥がれに起因するパーテ
ィクルの発生が抑えられると考えられる。従ってａ−Ｃ
膜からなるプリコ−ト膜を形成した場合はパーティクル
の発生を大幅に低減できると推察される。
【００５３】このように本実施の形態では、真空容器２
内のパーティクル量を大幅に低減できるので、その後の
成膜処理工程において被処理基板に対してより安定した
処理を行なうことができる。
内のパーティクル量を大幅に低減できるので、その後の
成膜処理工程において被処理基板に対してより安定した
処理を行なうことができる。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、真空容器の内部のパー
ティクルを低減することができ、被処理基板に対して安
定したプラズマ処理を行なうことができる。
ティクルを低減することができ、被処理基板に対して安
定したプラズマ処理を行なうことができる。
【図１】本発明方法を実施するためのプラズマ処理装置
の一例を示す断面図である。
の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の作用を説明するための説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の実施の形態の作用を説明するための説
明図である。
明図である。
【図４】本発明の実施の形態の効果を確認するために行
なった実験例の結果を示すための原子濃度とＣＦ膜の深
さとの関係を示す特性図である。
なった実験例の結果を示すための原子濃度とＣＦ膜の深
さとの関係を示す特性図である。
【図５】本発明の実施の形態の効果を確認するために行
なった実験例の結果を示すための原子濃度とＣＦ膜の深
さとの関係を示す特性図である。
なった実験例の結果を示すための原子濃度とＣＦ膜の深
さとの関係を示す特性図である。
【図６】本発明の実施の形態の効果を確認するために行
なった実験例の結果を示すためのパーティクル量とウエ
ハの処理枚数との関係を示す特性図である。
なった実験例の結果を示すためのパーティクル量とウエ
ハの処理枚数との関係を示す特性図である。
【図７】本発明の実施の形態の効果を確認するために行
なった実験例の結果を示すためのパーティクル量とウエ
ハの処理枚数との関係を示す特性図である。
なった実験例の結果を示すためのパーティクル量とウエ
ハの処理枚数との関係を示す特性図である。
【図８】本発明の他の実施の形態の効果を確認するため
に行なった実験例の結果を示すためのパーティクル量と
ウエハの処理枚数との関係を示す特性図である。
に行なった実験例の結果を示すためのパーティクル量と
ウエハの処理枚数との関係を示す特性図である。
【図９】本発明の他の実施の形態の作用を説明するため
の説明図である。
の説明図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施の形態の効果を確認
するために行なった実験例の結果を示すためのパーティ
クル量とウエハの処理枚数との関係を示す特性図であ
る。
するために行なった実験例の結果を示すためのパーティ
クル量とウエハの処理枚数との関係を示す特性図であ
る。
【図１１】従来のプラズマ処理装置を示す断面図であ
る。
る。
２ 真空容器 ２１ プラズマ室 ２２ 成膜室 ４ 載置台 Ｍ ＣＦ膜 ＰＴ パーティクル
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図９】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図１０】
【図１１】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年９月１８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 プラズマ処理方法
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば半導体ウエハ
などの被処理基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ
処理方法に関する。
などの被処理基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ
処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の配線パタ−ンとしては主にア
ルミニウム配線が用いられ、これを絶縁するための層間
絶縁膜としてはＳｉＯ2 膜やＳｉＯＦ膜が用いられてお
り、これらの形成方法としては膜質が良好なことから、
例えばマイクロ波と磁界とを組み合わせたＥＣＲ（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃ
ｅ）プラズマ処理が用いられる傾向にある。
ルミニウム配線が用いられ、これを絶縁するための層間
絶縁膜としてはＳｉＯ2 膜やＳｉＯＦ膜が用いられてお
り、これらの形成方法としては膜質が良好なことから、
例えばマイクロ波と磁界とを組み合わせたＥＣＲ（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃ
ｅ）プラズマ処理が用いられる傾向にある。
【０００３】このＥＣＲプラズマ処理を行うプラズマ処
理装置の一例を図１１に挙げると、真空容器のプラズマ
生成室１Ａ内に例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導
波管１１を介して供給すると同時に、所定の大きさ例え
ば８７５ガウスの磁界を電磁コイル１２により印加し
て、マイクロ波と磁界との相互作用（共鳴）により例え
ばＡｒガスやＯ2 ガス等のプラズマガスや、成膜室１Ｂ
内に導入された反応性ガス例えばＳｉＨ4 ガスをプラズ
マ化し、このプラズマによりＳｉＨ4 ガスの活性種を形
成してＡｌＮ（窒化アルミニウム）製の載置台１３上に
載置された半導体ウエハＷ表面に薄膜を形成するように
なっている。
理装置の一例を図１１に挙げると、真空容器のプラズマ
生成室１Ａ内に例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導
波管１１を介して供給すると同時に、所定の大きさ例え
ば８７５ガウスの磁界を電磁コイル１２により印加し
て、マイクロ波と磁界との相互作用（共鳴）により例え
ばＡｒガスやＯ2 ガス等のプラズマガスや、成膜室１Ｂ
内に導入された反応性ガス例えばＳｉＨ4 ガスをプラズ
マ化し、このプラズマによりＳｉＨ4 ガスの活性種を形
成してＡｌＮ（窒化アルミニウム）製の載置台１３上に
載置された半導体ウエハＷ表面に薄膜を形成するように
なっている。
【０００４】このようなプラズマ処理装置では、ＳｉＯ
2 膜等の成膜処理を行うと真空容器１０の壁面や載置台
１３の周辺にもこれらの膜が付着してしまうが、成膜処
理が進みこの膜の膜厚がある程度の厚さになると付着し
た膜が剥がれてパーティクルの原因となることから、Ｓ
ｉＯ2 膜等の成膜処理を行った後、これらの付着した膜
を除去するために所定のクリ−ニングが行われている。
2 膜等の成膜処理を行うと真空容器１０の壁面や載置台
１３の周辺にもこれらの膜が付着してしまうが、成膜処
理が進みこの膜の膜厚がある程度の厚さになると付着し
た膜が剥がれてパーティクルの原因となることから、Ｓ
ｉＯ2 膜等の成膜処理を行った後、これらの付着した膜
を除去するために所定のクリ−ニングが行われている。
【０００５】例えばＳｉＯ2 膜等を除去するためのクリ
−ニングは、例えばウエハＷを１２枚成膜する毎に例え
ば２０分程度行われており、クリ−ニングガスとしてＣ
Ｆ4ガスやＮＦ3 ガスなどのＦ系のガスを真空容器１０
内に導入し、このガスをプラズマにより活性化させ、こ
の活性種を付着した膜に反応させて除去している。
−ニングは、例えばウエハＷを１２枚成膜する毎に例え
ば２０分程度行われており、クリ−ニングガスとしてＣ
Ｆ4ガスやＮＦ3 ガスなどのＦ系のガスを真空容器１０
内に導入し、このガスをプラズマにより活性化させ、こ
の活性種を付着した膜に反応させて除去している。
【０００６】そしてクリ−ニングを終了した後、真空容
器１０の内壁に残存しているパーティクルの飛散を防ぐ
等のため所定のプリコ−トが行なわれている。このプリ
コ−トは真空容器１０の内壁にプリコ−ト膜を成膜する
ものであるが、例えばＳｉＯ2 膜等の成膜処理の場合に
は、プリコ−ト膜はＳｉＯ2 膜やＳｉＦ4 膜等により形
成されている。
器１０の内壁に残存しているパーティクルの飛散を防ぐ
等のため所定のプリコ−トが行なわれている。このプリ
コ−トは真空容器１０の内壁にプリコ−ト膜を成膜する
ものであるが、例えばＳｉＯ2 膜等の成膜処理の場合に
は、プリコ−ト膜はＳｉＯ2 膜やＳｉＦ4 膜等により形
成されている。
【０００７】
【発明が解決しようとしている課題】ところでＳｉＯ2
膜は誘電率が「４」程度、ＳｉＯＦ膜は誘電率が「３．
５」程度であるが、近年高速デバイスの要求が高まり、
これにより誘電率の低い層間絶縁膜が要求されている。
そこでこのような誘電率が低い層間絶縁膜として、
「２．５」以下の誘電率を達成し得る、フッ素添加カ−
ボン膜（以下ＣＦ膜という）が注目されている。
膜は誘電率が「４」程度、ＳｉＯＦ膜は誘電率が「３．
５」程度であるが、近年高速デバイスの要求が高まり、
これにより誘電率の低い層間絶縁膜が要求されている。
そこでこのような誘電率が低い層間絶縁膜として、
「２．５」以下の誘電率を達成し得る、フッ素添加カ−
ボン膜（以下ＣＦ膜という）が注目されている。
【０００８】このＣＦ膜も上述のプラズマ処理装置によ
り成膜できるが、ＣＦ膜の成膜処理の際に、プリコ−ト
膜をＳｉＯ2 膜やＳｉＦ4 膜等により形成すると、プリ
コ−ト膜とＣＦ膜の原料ガス例えばＣ4 Ｆ8 ガス等のＣ
Ｆ系のガスとが反応してパーティクルが発生しやすいと
いう問題があり、ＣＦ膜を成膜処理する際のプリコ−ト
には未知な部分が多い。
り成膜できるが、ＣＦ膜の成膜処理の際に、プリコ−ト
膜をＳｉＯ2 膜やＳｉＦ4 膜等により形成すると、プリ
コ−ト膜とＣＦ膜の原料ガス例えばＣ4 Ｆ8 ガス等のＣ
Ｆ系のガスとが反応してパーティクルが発生しやすいと
いう問題があり、ＣＦ膜を成膜処理する際のプリコ−ト
には未知な部分が多い。
【０００９】本発明はこのような事情のもとになされた
ものであり、その目的は真空容器の内部のパーティクル
を低減することにより、被処理基板に対して安定した成
膜処理を行なうことができるプラズマ処理方法を提供す
ることにある。
ものであり、その目的は真空容器の内部のパーティクル
を低減することにより、被処理基板に対して安定した成
膜処理を行なうことができるプラズマ処理方法を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このため本発明は、真空
容器内に設けられた載置台に被処理基板を載置して、成
膜ガスをプラズマ化し、このプラズマにより当該被処理
基板にフッ素添加カ−ボン膜を成膜する成膜処理工程
と、次いでクリ−ニングガスをプラズマ化し、このプラ
ズマにより前記真空容器内に付着したフッ素添加カ−ボ
ン膜を除去するクリ−ニング工程と、続いて前処理成膜
ガスをプラズマ化し、このプラズマにより前記真空容器
の内壁にパーティクル発生防止のための薄膜例えばフッ
素添加カ−ボン膜や水素化アモルファスカ−ボン膜を形
成する前処理成膜工程と、を含むことを特徴とする。こ
こでフッ素添加カ−ボン膜を形成するための前処理成膜
ガスとしては、二重結合又は三重結合を含む炭素とフッ
素の化合物を含むガスを用いることができる。
容器内に設けられた載置台に被処理基板を載置して、成
膜ガスをプラズマ化し、このプラズマにより当該被処理
基板にフッ素添加カ−ボン膜を成膜する成膜処理工程
と、次いでクリ−ニングガスをプラズマ化し、このプラ
ズマにより前記真空容器内に付着したフッ素添加カ−ボ
ン膜を除去するクリ−ニング工程と、続いて前処理成膜
ガスをプラズマ化し、このプラズマにより前記真空容器
の内壁にパーティクル発生防止のための薄膜例えばフッ
素添加カ−ボン膜や水素化アモルファスカ−ボン膜を形
成する前処理成膜工程と、を含むことを特徴とする。こ
こでフッ素添加カ−ボン膜を形成するための前処理成膜
ガスとしては、二重結合又は三重結合を含む炭素とフッ
素の化合物を含むガスを用いることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明のプラズマ処理方法の一実
施の形態について説明する。先ず本発明方法が実施され
るプラズマ処理装置の一例について図１により説明す
る。このプラズマ処理装置はＥＣＲ（電子サイクロトロ
ン共鳴）を用いた装置である。図中２は例えばアルミニ
ウム等により形成された真空容器であり、この真空容器
２は上方に位置してプラズマを発生させる円筒状のプラ
ズマ室２１と、この下方に連通させて連結され、プラズ
マ室２１より内径の大きい円筒状の成膜室２２とからな
る。
施の形態について説明する。先ず本発明方法が実施され
るプラズマ処理装置の一例について図１により説明す
る。このプラズマ処理装置はＥＣＲ（電子サイクロトロ
ン共鳴）を用いた装置である。図中２は例えばアルミニ
ウム等により形成された真空容器であり、この真空容器
２は上方に位置してプラズマを発生させる円筒状のプラ
ズマ室２１と、この下方に連通させて連結され、プラズ
マ室２１より内径の大きい円筒状の成膜室２２とからな
る。
【００１２】この真空容器２の上端面はマイクロ波を透
過するための透過窓２３により構成されている。透過窓
２３の上面にはプラズマ室２１内に例えば２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を供給するための導波管３１が設けられ
ており、この導波管３１の他端側にはマイクロ波発振器
３２に接続されている。この例では導波管３１とマイク
ロ波発振器３２とにより高周波供給手段が構成されてい
る。
過するための透過窓２３により構成されている。透過窓
２３の上面にはプラズマ室２１内に例えば２．４５ＧＨ
ｚのマイクロ波を供給するための導波管３１が設けられ
ており、この導波管３１の他端側にはマイクロ波発振器
３２に接続されている。この例では導波管３１とマイク
ロ波発振器３２とにより高周波供給手段が構成されてい
る。
【００１３】プラズマ室２１を区画する側壁の外周囲に
は、これに接近させて磁界形成手段としてリング状のメ
インソレノイドコイル３３（以下メインコイル３３とい
う）が配置されており、プラズマ室２１に例えば上方か
ら下方に向かう例えば８７５ガウスの磁界を形成し得る
ようになっている。また成膜室２２の底壁の下方側には
リング状のサブソレノイドコイル３４（以下サブコイル
３４という）が配置されている。
は、これに接近させて磁界形成手段としてリング状のメ
インソレノイドコイル３３（以下メインコイル３３とい
う）が配置されており、プラズマ室２１に例えば上方か
ら下方に向かう例えば８７５ガウスの磁界を形成し得る
ようになっている。また成膜室２２の底壁の下方側には
リング状のサブソレノイドコイル３４（以下サブコイル
３４という）が配置されている。
【００１４】またプラズマ室２１を区画する側壁には、
その周方向に沿って均等に配置したプラズマガスノズル
２４が設けられている。このノズル２４には図示しない
プラズマガス源及びクリ−ニングガス源が接続されてお
り、プラズマ室２１内の上部にプラズマガスやクリ−ニ
ングガスを均等に供給し得るようになっている。なお図
中ノズル２４は図面の煩雑化を避けるため２本しか記載
していないが、実際にはそれ以上設けている。
その周方向に沿って均等に配置したプラズマガスノズル
２４が設けられている。このノズル２４には図示しない
プラズマガス源及びクリ−ニングガス源が接続されてお
り、プラズマ室２１内の上部にプラズマガスやクリ−ニ
ングガスを均等に供給し得るようになっている。なお図
中ノズル２４は図面の煩雑化を避けるため２本しか記載
していないが、実際にはそれ以上設けている。
【００１５】一方成膜室２２内には、その上部側に成膜
室２２室内に成膜ガスや前処理成膜ガスであるプリコ−
トガスを導入するためのガス吹き出し口２５ａが形成さ
れたリング状のガスリング２５が設けられており、この
ガスリング２５には図示しない成膜ガス源やプリコ−ト
ガス源が接続されている。また成膜室２２内のほぼ中央
には被処理基板例えば半導体ウエハＷ（以下ウエハＷと
いう）を載置するため載置台４が昇降自在に設けられて
いる。この載置台４は、例えばアルミニウム等により形
成された本体４１にヒ−タを内蔵したセラミックス体４
２を設けてなり、載置面は静電チャックとして構成され
ている。さらに載置台４のセラミック静電チャック４２
にはウエハＷにイオンを引き込むためのバイアス印加の
為の電極４３を内蔵し、電極４３にはプラズマ引込み用
の例えば高周波電源４４が接続されている。さらにまた
成膜室２２の底部には、図示しない排気口が形成されて
いる。
室２２室内に成膜ガスや前処理成膜ガスであるプリコ−
トガスを導入するためのガス吹き出し口２５ａが形成さ
れたリング状のガスリング２５が設けられており、この
ガスリング２５には図示しない成膜ガス源やプリコ−ト
ガス源が接続されている。また成膜室２２内のほぼ中央
には被処理基板例えば半導体ウエハＷ（以下ウエハＷと
いう）を載置するため載置台４が昇降自在に設けられて
いる。この載置台４は、例えばアルミニウム等により形
成された本体４１にヒ−タを内蔵したセラミックス体４
２を設けてなり、載置面は静電チャックとして構成され
ている。さらに載置台４のセラミック静電チャック４２
にはウエハＷにイオンを引き込むためのバイアス印加の
為の電極４３を内蔵し、電極４３にはプラズマ引込み用
の例えば高周波電源４４が接続されている。さらにまた
成膜室２２の底部には、図示しない排気口が形成されて
いる。
【００１６】次に上述の装置にて実施される本発明のプ
ラズマ処理方法について説明する。先ずＣＦ膜の成膜処
理工程について説明すると、図示しないロ−ドロック室
から例えば表面にアルミニウム配線が形成されたウエハ
Ｗを搬入して載置台４上に載置する。続いて真空容器２
の内部を所定の真空度まで真空引きし、プラズマガスノ
ズル２４からプラズマ室２１内へプラズマガス例えばＡ
ｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、ガス
リング２５から成膜室２２内へ成膜ガス例えばＣ4 Ｆ8
ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々流量６０ｓｃｃｍ及び３０
ｓｃｃｍで導入する。そして真空容器２内を例えばプロ
セス圧力０．２Ｐａに維持し、かつ載置台４に１３．５
６ＭＨｚ、１５００Ｗのバイアス電圧を印加すると共
に、載置台４の表面温度を３２０℃に設定する。
ラズマ処理方法について説明する。先ずＣＦ膜の成膜処
理工程について説明すると、図示しないロ−ドロック室
から例えば表面にアルミニウム配線が形成されたウエハ
Ｗを搬入して載置台４上に載置する。続いて真空容器２
の内部を所定の真空度まで真空引きし、プラズマガスノ
ズル２４からプラズマ室２１内へプラズマガス例えばＡ
ｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、ガス
リング２５から成膜室２２内へ成膜ガス例えばＣ4 Ｆ8
ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々流量６０ｓｃｃｍ及び３０
ｓｃｃｍで導入する。そして真空容器２内を例えばプロ
セス圧力０．２Ｐａに維持し、かつ載置台４に１３．５
６ＭＨｚ、１５００Ｗのバイアス電圧を印加すると共
に、載置台４の表面温度を３２０℃に設定する。
【００１７】マイクロ波発振器３２からの２．４５ＧＨ
ｚの高周波（マイクロ波）は、導波管３１を搬送されて
透過窓２３を透過してプラズマ室２１内に導入される。
このプラズマ室２１内には、メインコイル３３とサブコ
イル３４により発生したミラ−磁界が８７５ガウスの強
さで印加されており、この磁界とマイクロ波との相互作
用で電子サイクロトロン共鳴が生じ、この共鳴によりＡ
ｒガスがプラズマ化され、かつ高密度化される。
ｚの高周波（マイクロ波）は、導波管３１を搬送されて
透過窓２３を透過してプラズマ室２１内に導入される。
このプラズマ室２１内には、メインコイル３３とサブコ
イル３４により発生したミラ−磁界が８７５ガウスの強
さで印加されており、この磁界とマイクロ波との相互作
用で電子サイクロトロン共鳴が生じ、この共鳴によりＡ
ｒガスがプラズマ化され、かつ高密度化される。
【００１８】プラズマ室２１より成膜室２２内に流れ込
んだプラズマ流は、ここに供給されているＣ4 Ｆ8 ガス
及びＣ2 Ｈ4 ガスを活性化（プラズマ化）させて活性種
（プラズマ）を形成する。一方ウエハＷ上に輸送された
活性種はＣＦ膜として成膜されるが、その際プラズマ引
込用のバイアス電圧により、ウエハＷに引き込まれたＡ
ｒイオンが、スパッタエッチング作用によりウエハＷ表
面のパターン上の角部に成膜したＣＦ膜を削り取り、間
口を広げながら、パターン溝底部からＣＦ膜を成膜し、
凹部にボイドなくＣＦ膜が埋め込まれる。
んだプラズマ流は、ここに供給されているＣ4 Ｆ8 ガス
及びＣ2 Ｈ4 ガスを活性化（プラズマ化）させて活性種
（プラズマ）を形成する。一方ウエハＷ上に輸送された
活性種はＣＦ膜として成膜されるが、その際プラズマ引
込用のバイアス電圧により、ウエハＷに引き込まれたＡ
ｒイオンが、スパッタエッチング作用によりウエハＷ表
面のパターン上の角部に成膜したＣＦ膜を削り取り、間
口を広げながら、パターン溝底部からＣＦ膜を成膜し、
凹部にボイドなくＣＦ膜が埋め込まれる。
【００１９】続いて成膜処理工程の後に行われるクリ−
ニング工程について説明する。ウエハＷに対して所定の
成膜処理を行なうと、例えば載置台４表面のウエハＷの
周辺や載置台４の外周囲部分、ガス吹き出し口２５ａ周
辺等の成膜ガスが到達する場所にもＣＦ膜が付着してし
まう。クリ−ニングとはこのように真空容器２の内部に
付着したＣＦ膜を除去するために行われる処理であり、
例えば１２枚のウエハＷに成膜処理を行なった後に行わ
れる。
ニング工程について説明する。ウエハＷに対して所定の
成膜処理を行なうと、例えば載置台４表面のウエハＷの
周辺や載置台４の外周囲部分、ガス吹き出し口２５ａ周
辺等の成膜ガスが到達する場所にもＣＦ膜が付着してし
まう。クリ−ニングとはこのように真空容器２の内部に
付着したＣＦ膜を除去するために行われる処理であり、
例えば１２枚のウエハＷに成膜処理を行なった後に行わ
れる。
【００２０】具体的には１２枚目のウエハＷを真空容器
２から搬出した後、プラズマ室２１内にプラズマガスノ
ズル２４からクリ−ニングガス例えばＯ2 ガスを例えば
２００ｓｃｃｍの流量で導入し、かつマイクロ波発振器
３２から２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入すると共
に、例えばメインコイル３３を作動させて磁界を８７５
ガウスの強さで印加することにより行われる。
２から搬出した後、プラズマ室２１内にプラズマガスノ
ズル２４からクリ−ニングガス例えばＯ2 ガスを例えば
２００ｓｃｃｍの流量で導入し、かつマイクロ波発振器
３２から２．４５ＧＨｚのマイクロ波を導入すると共
に、例えばメインコイル３３を作動させて磁界を８７５
ガウスの強さで印加することにより行われる。
【００２１】このようにすると成膜室２２の内部では磁
界とマイクロ波との相互作用で電子サイクロトロン共鳴
が生じ、この共鳴によりＯ2 ガスがプラズマ化され、か
つ高密度化される。そしてプラズマ化により生じた例え
ばＯのラジカルやイオンからなるＯの活性種がガス吹き
出し口２５ａや載置台４の周辺に付着したＣＦ膜と反応
し、ＣＦ膜を例えばＣＯ2 ガスやＦ2 ガスに分解して飛
散させ、図示しない排気口を介して成膜室２２の外部へ
除去する。
界とマイクロ波との相互作用で電子サイクロトロン共鳴
が生じ、この共鳴によりＯ2 ガスがプラズマ化され、か
つ高密度化される。そしてプラズマ化により生じた例え
ばＯのラジカルやイオンからなるＯの活性種がガス吹き
出し口２５ａや載置台４の周辺に付着したＣＦ膜と反応
し、ＣＦ膜を例えばＣＯ2 ガスやＦ2 ガスに分解して飛
散させ、図示しない排気口を介して成膜室２２の外部へ
除去する。
【００２２】次いでクリ−ニング工程の後に行なわれる
前処理成膜工程であるプリコ−ト工程について説明す
る。プリコ−ト工程では上述の真空容器２の内壁にプリ
コ−ト膜が成膜される。具体的にはクリ−ニングが終了
した後、プラズマ室２１内にガスリング２５からプリコ
−トガスとしてＣＦ系のガス例えばＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ
2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ及び３０ｓｃｃｍの流量
で導入し、プラズマガスノズル２４からプラズマガス例
えばＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入すると共
に、マイクロ波発振器３２から２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波を導入し、例えばメインコイル３３を作動させて磁
界を８７５ガウスの強さで印加することにより行われ
る。
前処理成膜工程であるプリコ−ト工程について説明す
る。プリコ−ト工程では上述の真空容器２の内壁にプリ
コ−ト膜が成膜される。具体的にはクリ−ニングが終了
した後、プラズマ室２１内にガスリング２５からプリコ
−トガスとしてＣＦ系のガス例えばＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ
2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ及び３０ｓｃｃｍの流量
で導入し、プラズマガスノズル２４からプラズマガス例
えばＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入すると共
に、マイクロ波発振器３２から２．４５ＧＨｚのマイク
ロ波を導入し、例えばメインコイル３３を作動させて磁
界を８７５ガウスの強さで印加することにより行われ
る。
【００２３】このようにすると成膜室２２の内部では磁
界とマイクロ波との相互作用で電子サイクロトロン共鳴
が生じ、この共鳴により前記プラズマガスがプラズマ化
され、かつ高密度化される。そしてプラズマ室２１より
成膜室２２に流れ込んだプラズマ流は、ここに供給され
ている前記プリコ−トガスを活性化させて活性種を形成
し、これにより真空容器２の内壁に例えば膜厚２μｍの
ＣＦ膜よりなるパ−ティクル発生防止のための薄膜であ
るプリコ−ト膜が成膜される。
界とマイクロ波との相互作用で電子サイクロトロン共鳴
が生じ、この共鳴により前記プラズマガスがプラズマ化
され、かつ高密度化される。そしてプラズマ室２１より
成膜室２２に流れ込んだプラズマ流は、ここに供給され
ている前記プリコ−トガスを活性化させて活性種を形成
し、これにより真空容器２の内壁に例えば膜厚２μｍの
ＣＦ膜よりなるパ−ティクル発生防止のための薄膜であ
るプリコ−ト膜が成膜される。
【００２４】このようにしてプリコ−ト工程が行なわれ
た後、ウエハＷを真空容器２内に搬入して載置台４上に
載置し、上述のＣＦ膜の成膜処理工程が行なわれる。
た後、ウエハＷを真空容器２内に搬入して載置台４上に
載置し、上述のＣＦ膜の成膜処理工程が行なわれる。
【００２５】本実施の形態では、クリ−ニング工程の後
にＣＦ系のガスによるプリコ−ト工程が行なわれるので
次のような効果が得られる。先ず第１に成膜処理の際に
パーティクルの飛散が防止できる。即ちクリ−ニングを
行なうと、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、真空容器
２の内壁に付着したＣＦ膜Ｍの大部分が除去されるが、
当該内壁面に少量のパーティクルＰＴが残存してしま
う。これはクリ−ニングの際にＣＦ膜Ｍの取り残しがあ
ったり、もともと真空容器２の内壁にアルミニウムや窒
素が混入したＣＦ膜Ｍが付着している場合には、クリ−
ニングしてもこれらアルミニウムや窒素が除去できない
からである。
にＣＦ系のガスによるプリコ−ト工程が行なわれるので
次のような効果が得られる。先ず第１に成膜処理の際に
パーティクルの飛散が防止できる。即ちクリ−ニングを
行なうと、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、真空容器
２の内壁に付着したＣＦ膜Ｍの大部分が除去されるが、
当該内壁面に少量のパーティクルＰＴが残存してしま
う。これはクリ−ニングの際にＣＦ膜Ｍの取り残しがあ
ったり、もともと真空容器２の内壁にアルミニウムや窒
素が混入したＣＦ膜Ｍが付着している場合には、クリ−
ニングしてもこれらアルミニウムや窒素が除去できない
からである。
【００２６】このような場合にプリコ−トを行なうと、
プリコ−ト膜ＰＭは真空容器２の内壁面にパーティクル
ＰＴを封じ込めるように形成されるので、その後のＣＦ
膜の成膜処理の際のパーティクルの飛散が抑えられる。
即ち本実施の形態では、プリコ−ト膜がウエハＷに形成
されるＣＦ膜の組成に近い膜により形成されており、例
えば図３（ａ）に示すように真空容器２の内壁面にプリ
コ−ト膜が形成される。
プリコ−ト膜ＰＭは真空容器２の内壁面にパーティクル
ＰＴを封じ込めるように形成されるので、その後のＣＦ
膜の成膜処理の際のパーティクルの飛散が抑えられる。
即ち本実施の形態では、プリコ−ト膜がウエハＷに形成
されるＣＦ膜の組成に近い膜により形成されており、例
えば図３（ａ）に示すように真空容器２の内壁面にプリ
コ−ト膜が形成される。
【００２７】この膜は上述のように成膜されるＣＦ膜と
組成が似ているため、成膜処理の際に成膜ガスと反応す
るおそれがなく、このため成膜処理の際に成膜ガスとプ
リコ−ト膜ＰＭが反応してパーティクルを生成したり、
プリコ−ト膜ＰＭが除去されて前記内壁面に付着してい
たパーティクルＰＴが飛散したりすることが抑えられ
る。これに対し例えばプリコ−ト膜をＳｉＯ2 膜により
形成すると（図３（ｂ）参照）、この膜は成膜処理の際
にＣＦ膜の成膜ガスであるＣＦ系のガスと反応しやす
く、このためパーティクルが発生しやすい。
組成が似ているため、成膜処理の際に成膜ガスと反応す
るおそれがなく、このため成膜処理の際に成膜ガスとプ
リコ−ト膜ＰＭが反応してパーティクルを生成したり、
プリコ−ト膜ＰＭが除去されて前記内壁面に付着してい
たパーティクルＰＴが飛散したりすることが抑えられ
る。これに対し例えばプリコ−ト膜をＳｉＯ2 膜により
形成すると（図３（ｂ）参照）、この膜は成膜処理の際
にＣＦ膜の成膜ガスであるＣＦ系のガスと反応しやす
く、このためパーティクルが発生しやすい。
【００２８】第２に成膜処理の際にウエハＷに形成され
るＣＦ膜の深さ方向の膜質を均一にすることができる。
即ちクリ−ニング終了後直ちに成膜処理を行なうと、処
理の初期段階では真空容器２のアルミニウムの内壁面に
ＣＦ膜が成膜されてしまい、これによりアルミニウムと
反応しやすい成膜ガスが消費されてしまう。従ってＣ4
Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ4 ガスの流量比が変わって成膜ガスの
組成が変化してしまうので、処理の初期段階とその後で
はウエハＷに形成されるＣＦ膜の膜質、特に深さ方向の
膜質が変化してしまう。
るＣＦ膜の深さ方向の膜質を均一にすることができる。
即ちクリ−ニング終了後直ちに成膜処理を行なうと、処
理の初期段階では真空容器２のアルミニウムの内壁面に
ＣＦ膜が成膜されてしまい、これによりアルミニウムと
反応しやすい成膜ガスが消費されてしまう。従ってＣ4
Ｆ8 ガスとＣ2 Ｈ4 ガスの流量比が変わって成膜ガスの
組成が変化してしまうので、処理の初期段階とその後で
はウエハＷに形成されるＣＦ膜の膜質、特に深さ方向の
膜質が変化してしまう。
【００２９】一方クリ−ニング終了後にプリコ−ト工程
を行なうと、この工程で予め真空容器２の内壁にＣＦ膜
からなるプリコ−ト膜が形成されるため、成膜処理の際
にはこのプリコ−ト膜の上面にＣＦ膜が形成されること
になる。ところがこのようにプリコ−ト膜の上面にＣＦ
膜が形成される場合は、プリコ−ト膜自体がウエハＷに
成膜されるＣＦ膜に近い組成であるため、プリコ−ト膜
の表面に成膜される場合もウエハＷ上に成膜される場合
も同じように成膜ガスが消費されると考えられる。従っ
てアルミニウムの表面に成膜される場合のようにＣ4 Ｆ
8 ガスとＣ2 Ｈ4 ガスの流量比が変わってしまうおそれ
はないので、処理の初期段階とその後の段階とでは成膜
ガスの組成は変化しないため、ウエハＷに形成されるＣ
Ｆ膜の膜質特に深さ方向の膜質を均一にすることができ
る。
を行なうと、この工程で予め真空容器２の内壁にＣＦ膜
からなるプリコ−ト膜が形成されるため、成膜処理の際
にはこのプリコ−ト膜の上面にＣＦ膜が形成されること
になる。ところがこのようにプリコ−ト膜の上面にＣＦ
膜が形成される場合は、プリコ−ト膜自体がウエハＷに
成膜されるＣＦ膜に近い組成であるため、プリコ−ト膜
の表面に成膜される場合もウエハＷ上に成膜される場合
も同じように成膜ガスが消費されると考えられる。従っ
てアルミニウムの表面に成膜される場合のようにＣ4 Ｆ
8 ガスとＣ2 Ｈ4 ガスの流量比が変わってしまうおそれ
はないので、処理の初期段階とその後の段階とでは成膜
ガスの組成は変化しないため、ウエハＷに形成されるＣ
Ｆ膜の膜質特に深さ方向の膜質を均一にすることができ
る。
【００３０】第３に成膜処理の際に、真空容器２の内壁
面に成膜されるＣＦ膜の膜剥がれを防止することができ
る。即ちクリ−ニング終了後に成膜処理を行なうと、上
述のように真空容器２の内壁面にＣＦ膜Ｍが成膜されて
しまうが、ここでアルミニウムの内壁面とＣＦ膜Ｍとは
密着性が悪いので、処理が進みＣＦ膜Ｍの付着量が多く
なってくると、前記内壁面からＣＦ膜Ｍが剥がれてしま
うことがある。このようにＣＦ膜Ｍが剥がれるとパーテ
ィクルの原因になるし、もともと前記内壁面に付着して
いたパーティクルＰＴが現れて飛散してしまう。
面に成膜されるＣＦ膜の膜剥がれを防止することができ
る。即ちクリ−ニング終了後に成膜処理を行なうと、上
述のように真空容器２の内壁面にＣＦ膜Ｍが成膜されて
しまうが、ここでアルミニウムの内壁面とＣＦ膜Ｍとは
密着性が悪いので、処理が進みＣＦ膜Ｍの付着量が多く
なってくると、前記内壁面からＣＦ膜Ｍが剥がれてしま
うことがある。このようにＣＦ膜Ｍが剥がれるとパーテ
ィクルの原因になるし、もともと前記内壁面に付着して
いたパーティクルＰＴが現れて飛散してしまう。
【００３１】一方クリ−ニング終了後にプリコ−ト工程
を行なうと、この工程で予め真空容器２の内壁にＣＦ膜
からなるプリコ−ト膜が形成されており、成膜処理の際
にはこのプリコ−ト膜の上面にＣＦ膜が形成されること
になる。ここでプリコ−トの条件と成膜処理の条件とは
異なり、このため形成される膜の膜質が異なるので、プ
リコ−トの際アルミニウム製の真空容器２の内壁面にプ
リコ−ト膜が形成されるとしても、このプリコ−ト膜の
アルミニウムに対する密着性は、成膜処理の際に前記内
壁面に成膜されるＣＦ膜よりは大きい。また成膜処理の
際、プリコ−ト膜の上面にＣＦ膜が成膜されるが、プリ
コ−ト膜とＣＦ膜とはもともと密着性が大きいので、両
者間に膜剥がれが生じるおそれはない。このようにプリ
コ−トを行なうと膜剥がれが抑えられるので、膜剥がれ
が原因となるパーティクルの発生を抑えることができ
る。
を行なうと、この工程で予め真空容器２の内壁にＣＦ膜
からなるプリコ−ト膜が形成されており、成膜処理の際
にはこのプリコ−ト膜の上面にＣＦ膜が形成されること
になる。ここでプリコ−トの条件と成膜処理の条件とは
異なり、このため形成される膜の膜質が異なるので、プ
リコ−トの際アルミニウム製の真空容器２の内壁面にプ
リコ−ト膜が形成されるとしても、このプリコ−ト膜の
アルミニウムに対する密着性は、成膜処理の際に前記内
壁面に成膜されるＣＦ膜よりは大きい。また成膜処理の
際、プリコ−ト膜の上面にＣＦ膜が成膜されるが、プリ
コ−ト膜とＣＦ膜とはもともと密着性が大きいので、両
者間に膜剥がれが生じるおそれはない。このようにプリ
コ−トを行なうと膜剥がれが抑えられるので、膜剥がれ
が原因となるパーティクルの発生を抑えることができ
る。
【００３２】ここで本実施の形態の効果を確認するため
に行なった実験例について説明する。実験装置として図
１に示すプラズマ処理装置を用い、マイクロ波電力２７
００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、高周波電力を印加せず
にプリコ−トガスとしてＣ4Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガス
を６０ｓｃｃｍ及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共
に、プラズマガスとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流
量で導入して、プリコ−ト膜ＰＭを２μｍ形成した。
に行なった実験例について説明する。実験装置として図
１に示すプラズマ処理装置を用い、マイクロ波電力２７
００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、高周波電力を印加せず
にプリコ−トガスとしてＣ4Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガス
を６０ｓｃｃｍ及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共
に、プラズマガスとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流
量で導入して、プリコ−ト膜ＰＭを２μｍ形成した。
【００３３】この後、マイクロ波電力２７００Ｗ、高周
波電力１５００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、成膜ガスと
してＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ
及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、プラズマガ
スとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、８インチサイズのウエハＷ上にＣＦ膜を０．
５μｍ形成し、ＸＰＳ分析（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により、ウエハＷ上に形成
されたＣＦ膜の深さ方向における均一性を測定した。ま
たプリコ−トを行なわない場合においても同様の条件で
ウエハＷ上にＣＦ膜を形成し、ＸＰＳ分析を行なった。
これらの結果を図４及び図５に夫々示す。
波電力１５００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、成膜ガスと
してＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ
及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、プラズマガ
スとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、８インチサイズのウエハＷ上にＣＦ膜を０．
５μｍ形成し、ＸＰＳ分析（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏ
Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により、ウエハＷ上に形成
されたＣＦ膜の深さ方向における均一性を測定した。ま
たプリコ−トを行なわない場合においても同様の条件で
ウエハＷ上にＣＦ膜を形成し、ＸＰＳ分析を行なった。
これらの結果を図４及び図５に夫々示す。
【００３４】図４及び図５においては、ＣＦ膜中の１Ｓ
軌道のＣ（炭素）とＦ（フッ素）のＣＦ膜の深さ方向に
おける原子濃度が、Ｃの原子濃度は□、Ｆの原子濃度は
○で夫々示されており、図中のＣＦ膜の深さは「１」が
最表面であり、「０」に近付くに連れて深くなるように
示されている。この結果より、プリコ−トを行なわない
場合（図５参照）はＣＦ膜の深さが大きくなるに連れて
Ｃ濃度は大きくなり、Ｆ濃度が小さくなるのに対して、
プリコ−トを行なった場合はＣＦ膜の深さが大きくなっ
てもＣＦ膜中のＣ濃度及びＦ濃度が一定であることが確
認され、これによりプリコ−トを行なった場合（図４参
照）はＣＦ膜の深さ方向に対する均一性が向上すること
が確認された。
軌道のＣ（炭素）とＦ（フッ素）のＣＦ膜の深さ方向に
おける原子濃度が、Ｃの原子濃度は□、Ｆの原子濃度は
○で夫々示されており、図中のＣＦ膜の深さは「１」が
最表面であり、「０」に近付くに連れて深くなるように
示されている。この結果より、プリコ−トを行なわない
場合（図５参照）はＣＦ膜の深さが大きくなるに連れて
Ｃ濃度は大きくなり、Ｆ濃度が小さくなるのに対して、
プリコ−トを行なった場合はＣＦ膜の深さが大きくなっ
てもＣＦ膜中のＣ濃度及びＦ濃度が一定であることが確
認され、これによりプリコ−トを行なった場合（図４参
照）はＣＦ膜の深さ方向に対する均一性が向上すること
が確認された。
【００３５】続いて前実験例と同様の条件でプリコ−ト
を行なった後、１２枚のウエハＷに対して全実験例と同
様の条件でＣＦ膜を成膜し、ウエハＷ上に存在する０．
２５μｍ以上の大きさのパーティクル量をウエハ用異物
検査装置により測定した。またプリコ−トを行なわない
場合についても同様にウエハＷの成膜処理を行ない、パ
ーティクル量を測定した。これらの結果を図６及び図７
に夫々示す。
を行なった後、１２枚のウエハＷに対して全実験例と同
様の条件でＣＦ膜を成膜し、ウエハＷ上に存在する０．
２５μｍ以上の大きさのパーティクル量をウエハ用異物
検査装置により測定した。またプリコ−トを行なわない
場合についても同様にウエハＷの成膜処理を行ない、パ
ーティクル量を測定した。これらの結果を図６及び図７
に夫々示す。
【００３６】図６及び図７においては、横軸にウエハＷ
の処理枚数を示すが、この結果より、プリコ−トを行な
った場合には、プリコ−トを行なわない場合に比べてウ
エハＷ２枚目までのパーティクル量が極端に少なくなる
ことが確認され、これによりプリコ−トを行なった場合
はパーティクル発生量がかなり少なくなることが確認さ
れた。
の処理枚数を示すが、この結果より、プリコ−トを行な
った場合には、プリコ−トを行なわない場合に比べてウ
エハＷ２枚目までのパーティクル量が極端に少なくなる
ことが確認され、これによりプリコ−トを行なった場合
はパーティクル発生量がかなり少なくなることが確認さ
れた。
【００３７】このように本実施の形態では、真空容器２
内のパーティクル量を低減できるので、その後の成膜処
理工程において被処理基板に対して安定した処理を行な
うことができる。
内のパーティクル量を低減できるので、その後の成膜処
理工程において被処理基板に対して安定した処理を行な
うことができる。
【００３８】続いて本発明のさらに他の実施の形態につ
いて説明する。本実施の形態が上述の実施の形態と異な
る点は、本実施の形態が上述の実施の形態と異なる点
は、プリコ−トガスとして二重結合あるいは三重結合の
ガス例えばＣ2 Ｆ2 ガスやＣ2Ｆ4 ガスや、一つのＣに
４個のＣＦ基が結合している分子構造のガス例えばＣ
（ＣＦ3 ）4 ＣガスやＣ（Ｃ2 Ｆ5 ）4 ガス等を用いる
ことである。プリコ−トとしてこのようなガスを用いる
とパーティクルの発生量が低減するという効果がある。
いて説明する。本実施の形態が上述の実施の形態と異な
る点は、本実施の形態が上述の実施の形態と異なる点
は、プリコ−トガスとして二重結合あるいは三重結合の
ガス例えばＣ2 Ｆ2 ガスやＣ2Ｆ4 ガスや、一つのＣに
４個のＣＦ基が結合している分子構造のガス例えばＣ
（ＣＦ3 ）4 ＣガスやＣ（Ｃ2 Ｆ5 ）4 ガス等を用いる
ことである。プリコ−トとしてこのようなガスを用いる
とパーティクルの発生量が低減するという効果がある。
【００３９】ここで本実施の形態の効果を確認するため
に行なった実験例について説明する。実験装置として図
１に示すプラズマ処理装置を用い、マイクロ波電力２７
００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、高周波電力を印加せず
に、プリコ−トガスとしてＣ2 Ｆ4 ガスを６０ｓｃｃｍ
の流量で導入すると共に、プラズマガスとしてＡｒガス
を２００ｓｃｃｍの流量で導入して、プリコ−ト膜ＰＭ
を２μｍ形成した。
に行なった実験例について説明する。実験装置として図
１に示すプラズマ処理装置を用い、マイクロ波電力２７
００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、高周波電力を印加せず
に、プリコ−トガスとしてＣ2 Ｆ4 ガスを６０ｓｃｃｍ
の流量で導入すると共に、プラズマガスとしてＡｒガス
を２００ｓｃｃｍの流量で導入して、プリコ−ト膜ＰＭ
を２μｍ形成した。
【００４０】この後、マイクロ波電力２７００Ｗ、高周
波電力１５００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、成膜ガスと
してＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ
及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、プラズマガ
スとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、８インチサイズのウエハＷにＣＦ膜を０．２
５μｍ形成した。この成膜処理を６０枚のウエハＷに対
して行ない、ウエハＷ上に存在する０．２５μｍ以上の
大きさのパーティクル量をウエハ用異物検査装置により
測定した。
波電力１５００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、成膜ガスと
してＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ
及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、プラズマガ
スとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、８インチサイズのウエハＷにＣＦ膜を０．２
５μｍ形成した。この成膜処理を６０枚のウエハＷに対
して行ない、ウエハＷ上に存在する０．２５μｍ以上の
大きさのパーティクル量をウエハ用異物検査装置により
測定した。
【００４１】またマイクロ波電力２０００Ｗ、高周波電
力２０００Ｗ、圧力０．３Ｐａの下で、プリコ−トガス
としてＳｉＨ4 ガスを８０ｓｃｃｍの流量で導入すると
共に、プラズマガスとしてＯ2 ガス及びＡｒガスを夫々
１００ｓｃｃｍ及び２００ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、プリコ−ト膜としてＳｉＯ2 膜を１．０μｍ
形成した場合についても同様にウエハＷの成膜処理を行
ない、パーティクル量を測定した。これらの結果を図８
に示す。
力２０００Ｗ、圧力０．３Ｐａの下で、プリコ−トガス
としてＳｉＨ4 ガスを８０ｓｃｃｍの流量で導入すると
共に、プラズマガスとしてＯ2 ガス及びＡｒガスを夫々
１００ｓｃｃｍ及び２００ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、プリコ−ト膜としてＳｉＯ2 膜を１．０μｍ
形成した場合についても同様にウエハＷの成膜処理を行
ない、パーティクル量を測定した。これらの結果を図８
に示す。
【００４２】図８においては横軸にウエハＷの処理枚数
を示すが、この結果よりＣ2 Ｆ4 ガスによりプリコ−ト
を行なった場合（図中□で示す）は、ＳｉＨ4 ガスを導
入してＳｉＯ2 膜からなるプリコ−ト膜を形成した場合
（図中○で示す）に比べてパーティクル量が極端に少な
くなることが確認された。
を示すが、この結果よりＣ2 Ｆ4 ガスによりプリコ−ト
を行なった場合（図中□で示す）は、ＳｉＨ4 ガスを導
入してＳｉＯ2 膜からなるプリコ−ト膜を形成した場合
（図中○で示す）に比べてパーティクル量が極端に少な
くなることが確認された。
【００４３】この理由については以下のように考えられ
る。即ちＳｉＯ2 膜からなるプリコ−ト膜を形成した場
合は、既述のようにプリコ−ト膜と成膜ガスとが反応し
やすく、この結果この反応によりパーティクルが生成し
たり、またプリコ−ト膜が真空容器２の内壁面から剥が
れてパーティクルの原因となったり、プリコ−ト膜が除
去されて前記内壁面に付着していたパーティクルが飛散
したりすると考えられ、これによりパーティクル量が多
くなると推察される。
る。即ちＳｉＯ2 膜からなるプリコ−ト膜を形成した場
合は、既述のようにプリコ−ト膜と成膜ガスとが反応し
やすく、この結果この反応によりパーティクルが生成し
たり、またプリコ−ト膜が真空容器２の内壁面から剥が
れてパーティクルの原因となったり、プリコ−ト膜が除
去されて前記内壁面に付着していたパーティクルが飛散
したりすると考えられ、これによりパーティクル量が多
くなると推察される。
【００４４】一方Ｃ2 Ｆ4 ガスによりプリコ−トを行な
った場合は、例えば図９に示すように、プリコ−ト膜の
Ｃ−Ｃ結合が三次元綱状的に形成され、つまりＣ−Ｃの
ネットワ−ク構造が形成されるので、プリコ−ト膜が緻
密になり強固になる。従って既述の通りプリコ−ト膜は
もともと成膜ガスとは反応しにくいが、膜がＣ−Ｃのネ
ットワ−ク構造を形成することによって、より反応しに
くい状態となるので、この結果成膜ガスとの反応に起因
するパーティクルの発生が抑えられると考えられる。
った場合は、例えば図９に示すように、プリコ−ト膜の
Ｃ−Ｃ結合が三次元綱状的に形成され、つまりＣ−Ｃの
ネットワ−ク構造が形成されるので、プリコ−ト膜が緻
密になり強固になる。従って既述の通りプリコ−ト膜は
もともと成膜ガスとは反応しにくいが、膜がＣ−Ｃのネ
ットワ−ク構造を形成することによって、より反応しに
くい状態となるので、この結果成膜ガスとの反応に起因
するパーティクルの発生が抑えられると考えられる。
【００４５】またＣＦ膜はＣの量が増えると密着性が増
加する傾向にあるが、上述のネットワ−ク構造ではＣの
量が増加するので、真空容器２の内壁面とプリコ−ト膜
との密着性が大きくなる。従ってプリコ−ト膜が真空容
器２の内壁面から剥がれにくくなるので、この膜剥がれ
に起因するパーティクルの発生も抑えられると考えられ
る。従ってＣ2 Ｆ4 ガスによりプリコ−トを行なった場
合は、これらの相乗効果によりパーティクルの発生を大
幅に低減できると推察される。
加する傾向にあるが、上述のネットワ−ク構造ではＣの
量が増加するので、真空容器２の内壁面とプリコ−ト膜
との密着性が大きくなる。従ってプリコ−ト膜が真空容
器２の内壁面から剥がれにくくなるので、この膜剥がれ
に起因するパーティクルの発生も抑えられると考えられ
る。従ってＣ2 Ｆ4 ガスによりプリコ−トを行なった場
合は、これらの相乗効果によりパーティクルの発生を大
幅に低減できると推察される。
【００４６】このように本実施の形態では、真空容器２
内のパーティクル量を大幅に低減できるので、その後の
成膜処理工程において被処理基板に対してより安定した
処理を行なうことができる。
内のパーティクル量を大幅に低減できるので、その後の
成膜処理工程において被処理基板に対してより安定した
処理を行なうことができる。
【００４７】続いて本発明のさらに他の実施の形態につ
いて説明する。本実施の形態が上述の実施の形態と異な
る点は、プリコ−ト膜をａ−Ｃ：Ｈ膜（水素化アモルフ
ァスカ−ボン、以下「ａ−Ｃ膜」という）により形成し
たことである。この際、ａ−Ｃ膜は、プリコ−トガスと
してＣk Ｈs ガス（ｋ、ｓは整数）単独、あるいはＣk
Ｈs ガス＋Ｈ2 ガスを用いることにより形成され、この
ようにプリコ−ト膜としてａ−Ｃ膜を用いると、プリコ
−ト膜と真空容器２の内壁面との密着性が高まり、パー
ティクルの発生量が低減するという効果がある。
いて説明する。本実施の形態が上述の実施の形態と異な
る点は、プリコ−ト膜をａ−Ｃ：Ｈ膜（水素化アモルフ
ァスカ−ボン、以下「ａ−Ｃ膜」という）により形成し
たことである。この際、ａ−Ｃ膜は、プリコ−トガスと
してＣk Ｈs ガス（ｋ、ｓは整数）単独、あるいはＣk
Ｈs ガス＋Ｈ2 ガスを用いることにより形成され、この
ようにプリコ−ト膜としてａ−Ｃ膜を用いると、プリコ
−ト膜と真空容器２の内壁面との密着性が高まり、パー
ティクルの発生量が低減するという効果がある。
【００４８】ここで本実施の形態の効果を確認するため
に行なった実験例について説明する。実験装置として図
１に示すプラズマ処理装置を用い、マイクロ波電力２５
００Ｗ、圧力０．３Ｐａの下で、高周波電力を印加せず
に、プリコ−トガスとしてＣ2 Ｈ4 ガスを１００ｓｃｃ
ｍの流量で導入すると共に、プラズマガスとしてＡｒガ
スを３００ｓｃｃｍの流量で導入して、プリコ−ト膜Ｐ
Ｍを２μｍ形成した。
に行なった実験例について説明する。実験装置として図
１に示すプラズマ処理装置を用い、マイクロ波電力２５
００Ｗ、圧力０．３Ｐａの下で、高周波電力を印加せず
に、プリコ−トガスとしてＣ2 Ｈ4 ガスを１００ｓｃｃ
ｍの流量で導入すると共に、プラズマガスとしてＡｒガ
スを３００ｓｃｃｍの流量で導入して、プリコ−ト膜Ｐ
Ｍを２μｍ形成した。
【００４９】この後、マイクロ波電力１５００Ｗ、高周
波電力１５００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、成膜ガスと
してＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ
及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、プラズマガ
スとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、８インチサイズのウエハＷにＣＦ膜を０．２
５μｍ形成した。この成膜処理を４０枚のウエハＷに対
して行ない、ウエハＷ上に存在する０．２５μｍ以上の
大きさのパーティクル量をウエハ用異物検査装置により
測定した。
波電力１５００Ｗ、圧力０．２Ｐａの下で、成膜ガスと
してＣ4 Ｆ8 ガス及びＣ2 Ｈ4 ガスを夫々６０ｓｃｃｍ
及び３０ｓｃｃｍの流量で導入すると共に、プラズマガ
スとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、８インチサイズのウエハＷにＣＦ膜を０．２
５μｍ形成した。この成膜処理を４０枚のウエハＷに対
して行ない、ウエハＷ上に存在する０．２５μｍ以上の
大きさのパーティクル量をウエハ用異物検査装置により
測定した。
【００５０】またマイクロ波電力２０００Ｗ、高周波電
力２０００Ｗ、圧力０．３Ｐａの下で、プリコ−トガス
としてＳｉＨ4 ガスを８０ｓｃｃｍの流量で導入すると
共に、プラズマガスとしてＯ2 ガス及びＡｒガスを夫々
１００ｓｃｃｍ及び２００ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、プリコ−ト膜としてＳｉＯ2 膜を１．０μｍ
形成した場合についても同様にウエハＷの成膜処理を行
ない、パーティクル量を測定した。これらの結果を図１
０に示す。
力２０００Ｗ、圧力０．３Ｐａの下で、プリコ−トガス
としてＳｉＨ4 ガスを８０ｓｃｃｍの流量で導入すると
共に、プラズマガスとしてＯ2 ガス及びＡｒガスを夫々
１００ｓｃｃｍ及び２００ｓｃｃｍの流量で導入するこ
とにより、プリコ−ト膜としてＳｉＯ2 膜を１．０μｍ
形成した場合についても同様にウエハＷの成膜処理を行
ない、パーティクル量を測定した。これらの結果を図１
０に示す。
【００５１】図１０においては横軸にウエハＷの処理枚
数を示すが、この結果よりａ−Ｃ膜膜からなるプリコ−
ト膜を形成した場合（図中□で示す）には、ＳｉＯ2 膜
からなるプリコ−ト膜を形成した場合（図中○で示す）
に比べてパーティクル量が大幅に少なくなることが確認
された。この理由については以下のように考えられる。
即ちＳｉＯ2 膜からなるプリコ−ト膜を形成した場合
は、既述のようにプリコ−ト膜と成膜ガスとが反応しや
すく、この結果この反応に起因してパーティクル量が多
くなると推察される。
数を示すが、この結果よりａ−Ｃ膜膜からなるプリコ−
ト膜を形成した場合（図中□で示す）には、ＳｉＯ2 膜
からなるプリコ−ト膜を形成した場合（図中○で示す）
に比べてパーティクル量が大幅に少なくなることが確認
された。この理由については以下のように考えられる。
即ちＳｉＯ2 膜からなるプリコ−ト膜を形成した場合
は、既述のようにプリコ−ト膜と成膜ガスとが反応しや
すく、この結果この反応に起因してパーティクル量が多
くなると推察される。
【００５２】一方ａ−Ｃ膜からなるプリコ−ト膜を形成
した場合には、ａ−Ｃ膜はウエハＷに成膜されるＣＦ膜
と組成が類似しているので成膜ガスとは反応しにくく、
成膜ガスとの反応に起因するパーティクルの発生が抑え
られる上、ａ−Ｃ膜はアルミニウム製の真空容器２の内
壁面との密着性が大きい。このためプリコ−ト膜が真空
容器２の内壁面から剥がれにくくなり、長時間膜剥がれ
が起こらなくなるので、この膜剥がれに起因するパーテ
ィクルの発生が抑えられると考えられる。従ってａ−Ｃ
膜からなるプリコ−ト膜を形成した場合はパーティクル
の発生を大幅に低減できると推察される。
した場合には、ａ−Ｃ膜はウエハＷに成膜されるＣＦ膜
と組成が類似しているので成膜ガスとは反応しにくく、
成膜ガスとの反応に起因するパーティクルの発生が抑え
られる上、ａ−Ｃ膜はアルミニウム製の真空容器２の内
壁面との密着性が大きい。このためプリコ−ト膜が真空
容器２の内壁面から剥がれにくくなり、長時間膜剥がれ
が起こらなくなるので、この膜剥がれに起因するパーテ
ィクルの発生が抑えられると考えられる。従ってａ−Ｃ
膜からなるプリコ−ト膜を形成した場合はパーティクル
の発生を大幅に低減できると推察される。
【００５３】このように本実施の形態では、真空容器２
内のパーティクル量を大幅に低減できるので、その後の
成膜処理工程において被処理基板に対してより安定した
処理を行なうことができる。
内のパーティクル量を大幅に低減できるので、その後の
成膜処理工程において被処理基板に対してより安定した
処理を行なうことができる。
【００５４】
【発明の効果】本発明によれば、真空容器の内部のパー
ティクルを低減することができ、被処理基板に対して安
定したプラズマ処理を行なうことができる。
ティクルを低減することができ、被処理基板に対して安
定したプラズマ処理を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法を実施するためのプラズマ処理装置
の一例を示す断面図である。
の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の作用を説明するための説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の実施の形態の作用を説明するための説
明図である。
明図である。
【図４】本発明の実施の形態の効果を確認するために行
なった実験例の結果を示すための原子濃度とＣＦ膜の深
さとの関係を示す特性図である。
なった実験例の結果を示すための原子濃度とＣＦ膜の深
さとの関係を示す特性図である。
【図５】本発明の実施の形態の効果を確認するために行
なった実験例の結果を示すための原子濃度とＣＦ膜の深
さとの関係を示す特性図である。
なった実験例の結果を示すための原子濃度とＣＦ膜の深
さとの関係を示す特性図である。
【図６】本発明の実施の形態の効果を確認するために行
なった実験例の結果を示すためのパーティクル量とウエ
ハの処理枚数との関係を示す特性図である。
なった実験例の結果を示すためのパーティクル量とウエ
ハの処理枚数との関係を示す特性図である。
【図７】本発明の実施の形態の効果を確認するために行
なった実験例の結果を示すためのパーティクル量とウエ
ハの処理枚数との関係を示す特性図である。
なった実験例の結果を示すためのパーティクル量とウエ
ハの処理枚数との関係を示す特性図である。
【図８】本発明の他の実施の形態の効果を確認するため
に行なった実験例の結果を示すためのパーティクル量と
ウエハの処理枚数との関係を示す特性図である。
に行なった実験例の結果を示すためのパーティクル量と
ウエハの処理枚数との関係を示す特性図である。
【図９】本発明の他の実施の形態の作用を説明するため
の説明図である。
の説明図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施の形態の効果を確認
するために行なった実験例の結果を示すためのパーティ
クル量とウエハの処理枚数との関係を示す特性図であ
る。
するために行なった実験例の結果を示すためのパーティ
クル量とウエハの処理枚数との関係を示す特性図であ
る。
【図１１】従来のプラズマ処理装置を示す断面図であ
る。
る。
【符号の説明】 ２ 真空容器 ２１ プラズマ室 ２２ 成膜室 ４ 載置台 Ｍ ＣＦ膜 ＰＴ パーティクル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戸澤 昌紀 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 (72)発明者 中瀬 りさ 神奈川県津久井郡城山町町屋１丁目２番41 号 東京エレクトロン東北株式会社相模事 業所内 (72)発明者 斎藤 正英 東京都港区赤坂５丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 被処理基板の載置台が内部に設けられた
真空容器内において、処理ガスをプラズマ化し、そのプ
ラズマにより被処理基板に対してプラズマ処理を行なう
ためのプラズマ処理方法において、 クリ−ニングガスをプラズマ化し、そのプラズマにより
前記真空容器内部に付着したフッ素添加カ−ボン膜を除
去するクリ−ニング工程と、 次いでプリコ−トガスをプラズマ化し、そのプラズマに
より前記真空容器の内壁にプリコ−ト膜を成膜するプリ
コ−ト工程と、 続いて処理ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被
処理基板に対してフッ素添加カ−ボン膜を成膜する成膜
処理工程と、 を含むことを特徴とするプラズマ処理方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32091496A JP3323764B2 (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 処理方法 |
| US09/101,554 US6443165B1 (en) | 1996-11-14 | 1997-11-13 | Method for cleaning plasma treatment device and plasma treatment system |
| KR10-1998-0705379A KR100502945B1 (ko) | 1996-11-14 | 1997-11-13 | 플라즈마처리장치의세정방법 |
| TW086116933A TW411527B (en) | 1996-11-14 | 1997-11-13 | Cleaning method for plasma processing system and plasma processing method |
| EP97912453A EP0933806A4 (en) | 1996-11-14 | 1997-11-13 | CLEANING A PLASMA APPARATUS AND TREATMENT |
| PCT/JP1997/004145 WO1998021749A1 (fr) | 1996-11-14 | 1997-11-13 | Procede de nettoyage d'un dispositif de traitement au plasma et procede de traitement au plasma |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32091496A JP3323764B2 (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144667A true JPH10144667A (ja) | 1998-05-29 |
| JP3323764B2 JP3323764B2 (ja) | 2002-09-09 |
Family
ID=18126686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32091496A Expired - Fee Related JP3323764B2 (ja) | 1996-11-14 | 1996-11-14 | 処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3323764B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051452A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JP2004047655A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| WO2006067995A1 (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Tokyo Electron Limited | 成膜方法および記憶媒体 |
| US7803705B2 (en) | 2004-01-13 | 2010-09-28 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing method of semiconductor device and film deposition system |
| US8017197B2 (en) | 2003-11-19 | 2011-09-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
| KR101414295B1 (ko) * | 2005-01-18 | 2014-07-02 | 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 | 반도체 장치 |
| JP2016012712A (ja) * | 2014-06-02 | 2016-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| WO2016056399A1 (ja) * | 2014-10-07 | 2016-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| CN110140193A (zh) * | 2016-12-16 | 2019-08-16 | 应用材料公司 | 用于实现高温处理而没有腔室漂移的方法 |
| WO2021033579A1 (ja) * | 2019-08-21 | 2021-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および成膜方法 |
| KR20230136206A (ko) | 2021-02-05 | 2023-09-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
-
1996
- 1996-11-14 JP JP32091496A patent/JP3323764B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003051452A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-21 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JP2004047655A (ja) * | 2002-07-11 | 2004-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US8017197B2 (en) | 2003-11-19 | 2011-09-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
| US7803705B2 (en) | 2004-01-13 | 2010-09-28 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing method of semiconductor device and film deposition system |
| WO2006067995A1 (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Tokyo Electron Limited | 成膜方法および記憶媒体 |
| JP2006169617A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-06-29 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法および記憶媒体 |
| KR101414295B1 (ko) * | 2005-01-18 | 2014-07-02 | 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠 | 반도체 장치 |
| KR20170009843A (ko) * | 2014-06-02 | 2017-01-25 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
| JP2016012712A (ja) * | 2014-06-02 | 2016-01-21 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| US10068778B2 (en) | 2014-06-02 | 2018-09-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method and plasma processing apparatus |
| WO2016056399A1 (ja) * | 2014-10-07 | 2016-04-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| JP2016076625A (ja) * | 2014-10-07 | 2016-05-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| CN110140193A (zh) * | 2016-12-16 | 2019-08-16 | 应用材料公司 | 用于实现高温处理而没有腔室漂移的方法 |
| JP2020502803A (ja) * | 2016-12-16 | 2020-01-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | チャンバドリフティングなしで高温処理を可能にする方法 |
| WO2021033579A1 (ja) * | 2019-08-21 | 2021-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および成膜方法 |
| JP2021031706A (ja) * | 2019-08-21 | 2021-03-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置および成膜方法 |
| US20220316065A1 (en) * | 2019-08-21 | 2022-10-06 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and film forming method |
| US11972929B2 (en) | 2019-08-21 | 2024-04-30 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and film forming method |
| KR20230136206A (ko) | 2021-02-05 | 2023-09-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3323764B2 (ja) | 2002-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI819037B (zh) | 基板之處理方法及電漿處理裝置 | |
| US7977243B2 (en) | Barrier metal film production apparatus, barrier metal film production method, metal film production method, and metal film production apparatus | |
| US7101815B2 (en) | Method for improving thickness uniformity of deposited ozone-TEOS silicate glass layers | |
| US8313635B2 (en) | Bare aluminum baffles for resist stripping chambers | |
| JP3571404B2 (ja) | プラズマｃｖｄ装置及びその場クリーニング後処理方法 | |
| US7989365B2 (en) | Remote plasma source seasoning | |
| US6443165B1 (en) | Method for cleaning plasma treatment device and plasma treatment system | |
| US20030192569A1 (en) | Fluorine process for cleaning semiconductor process chamber | |
| JP5289863B2 (ja) | アモルファスカーボンナイトライド膜の形成方法、多層レジスト膜、半導体装置の製造方法および制御プログラムが記憶された記憶媒体 | |
| JP2008181710A (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
| WO2005050726A1 (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 | |
| US20040168705A1 (en) | Method of cleaning a surface of a material layer | |
| JP3323764B2 (ja) | 処理方法 | |
| TW200823977A (en) | Plasma doping method and plasma doping apparatus | |
| US20010001741A1 (en) | Process for the production of semiconductor device | |
| JP2004363558A (ja) | 半導体装置の製造方法およびプラズマエッチング装置のクリーニング方法 | |
| JPH07201749A (ja) | 薄膜形成方法 | |
| JPH0437121A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07201738A (ja) | 薄膜形成前処理方法および薄膜形成方法 | |
| KR102694258B1 (ko) | 비정질 실리콘막의 형성 방법 | |
| JP2000096239A (ja) | 誘導結合型プラズマｃｖｄ方法及びそのための誘導結合型プラズマｃｖｄ装置 | |
| JP4141021B2 (ja) | プラズマ成膜方法 | |
| JPH0614522B2 (ja) | 表面処理方法及び表面処理装置 | |
| JPH11330063A (ja) | プラズマ処理装置のクリ−ニング方法 | |
| JPH10144666A (ja) | プラズマ処理装置のクリ−ニング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110628 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110628 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140628 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |