JPH10144211A - 厚膜パターン形成方法 - Google Patents

厚膜パターン形成方法

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JPH10144211A
JPH10144211A JP30434396A JP30434396A JPH10144211A JP H10144211 A JPH10144211 A JP H10144211A JP 30434396 A JP30434396 A JP 30434396A JP 30434396 A JP30434396 A JP 30434396A JP H10144211 A JPH10144211 A JP H10144211A
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film pattern
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Masaaki Asano
雅朗 浅野
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 パターン形成用ペーストが焼成工程を経ても
寸法変化を起こさないようにし、小さな間隔で厚膜パタ
ーンを形成する。 【解決手段】 基板上にパターン形成用ペーストをパタ
ーニングし、焼成工程を経て基板に密着したパターン層
を形成する工程を含む厚膜パターン形成方法において、
加熱時に収縮防止作用がある材料により基板11上に収
縮防止層12を形成し、その収縮防止層12の上にさら
に下地層13を形成し、その下地層13の上にパターン
形成用ペースト14をパターニングするようにし、収縮
防止層12、下地層13及びパターン層を同時に焼成す
る。焼成時において収縮防止層12が寸法変化を起こさ
ず、したがってその上にあるパターン形成用ペースト1
4が焼成工程を経ても幅方向に収縮を起こさない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル(PDP)、フィールドエミッションディス
プレイ(FED)、液晶表示装置(LCD)、蛍光表示
装置、混成集積回路等の製造過程において基板上に所定
形状の厚膜パターンを形成する方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の厚膜パターン形成方法と
しては、ガラスやセラミックス基板上に導体或いは絶縁
体用のペーストをスクリーン印刷法によりパターン状に
塗布した後、焼成工程を経て基板に密着したパターンを
形成する方法が知られている。また別の方法としては、
基板上の全面に感光性ペーストを塗布し、フォトリソグ
ラフィ法でパターニングを行ってから、パターン形成用
ペーストを焼成する方法も知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のよう
なパターン形成用のペーストは焼成時にライン全体が収
縮する。具体的には線幅収縮率は10〜30%程度であ
る。例えば、線幅収縮率が20%のペーストを使用し、
線幅100μmのパターンを100μm間隔で塗布して
焼成したとすると、焼成後は線幅が80μm、線間は1
20μmとなってしまう。一方、スクリーン印刷法や感
光性ペーストを用いたフォトリソグラフィ法でライン状
パターンを形成する場合、解像度からして線間は20μ
mが限界である。したがって、図1のように、焼成前の
線幅をAμmとすると、焼成後の線間Bは〔2×(0.
1×A)+20〕μmとなる。例えば、焼成前の線幅A
を100μmと仮定すると、焼成後の線間Bは40μm
となってしまう。また、現状のAC型PDPにおけるア
ドレス電極の線幅を70μm程度と仮定すると、34μ
m以下の線間は形成することができないことになり、高
精細なPDPの製造が難しくなる。
【0004】また、AC型PDPの2分割駆動を考えた
場合、図2のようにアドレス電極を2分割する必要があ
るが、焼成時における矢印方向の収縮は線幅Aの20%
程度である。したがって線幅と同様、焼成後の間隔Dは
〔2×(0.1×A)+20〕μmとなる。例えば、現
状のAC型PDPを考えると、線幅は70μmなので3
4μm以下の間隔を設けることは不可能である。しか
し、間隔Dが大きくなると、パネルの中央部分が点灯し
なくなったり、点灯したとしても放電が他と異なった
り、断線しているのが目視で確認できてしまう。
【0005】本発明は、上記のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、パターン形
成用ペーストが焼成工程を経ても寸法変化を起こさない
ようにした厚膜パターン形成方法を提供することにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、基板上にパターン形成用ペーストをパ
ターニングし、焼成工程を経て基板に密着したパターン
層を形成する工程を含む厚膜パターン形成方法におい
て、加熱時に収縮防止作用がある材料により基板上に収
縮防止層を形成し、その収縮防止層の上にさらに下地層
を形成し、その下地層の上にパターン形成用ペーストを
パターニングするようにし、収縮防止層、下地層及びパ
ターン層を同時に焼成するようにしたことを特徴とす
る。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明で使用できる基板として
は、ガラス、金属、セラミック等を挙げることができ
る。ここではガラス基板を使用し、そのガラス基板上に
厚膜パターンとして電極を形成する場合を例に挙げて説
明する。
【0008】まず、図3(a)に示すように、ガラス基
板11の上に収縮防止層12を形成する。具体的には、
アルミナ、シリカ、酸化硼素、酸化チタン、酸化マグネ
シウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バ
リウム、炭酸カルシウム等の1種若しくは2種以上の無
機粉体であって、下地層やパターン層の焼成温度で軟化
しない、すなわち650℃以下で軟化しない無機材料を
バインダー樹脂、溶剤と混合してペースト化したもの
や、フィルム形成してシート化したものを用いて形成さ
れる。この無機粉体としては平均粒径0.1〜2.0μ
mのものが好ましく用いられる。
【0009】上記の収縮防止層は、焼成時においてパタ
ーンの水平方向には殆ど収縮せずに垂直方向(膜厚方
向)にのみ収縮するものである。すなわち、収縮防止層
を形成するこれらのペーストやシートは、熱による膨張
と樹脂が飛ぶ時の収縮が略釣り合っているので寸法変化
を起こさない。
【0010】さらに、図3(b)に示すように、収縮防
止層12の上に下地層13を形成する。この下地層13
は電極との密着性を向上させ、マイグレーション防止を
図るためのもので、PbO系、Bi2 3 系、ZnO系
等の低温度で軟化するガラスを含有したペーストを塗布
して形成する。ガラス基板11に形成した収縮防止層1
2は絶縁性はあるが熱で溶融しないため、成膜性に劣る
ことから、直接その上に電極を形成すると電極の剥離等
が起こる。したがって、熱で溶融して収縮防止層12に
浸透するような下地層13を設けることで、成膜性、機
械的強度を向上させるものである。
【0011】次に、図3(c)に示すように、収縮防止
層12と下地層13とを形成したガラス基板11に電極
ペースト14をスクリーン印刷法等の手段によりパター
ニングする。或いは、感光性の電極ペーストを全面に塗
布して乾燥させるか、若しくは一旦フィルム上に電極ペ
ースト層を形成してこれを基板に転写した後、フォトリ
ソグラフィ法でパターニングを行うようにしてもよい。
【0012】次いで、焼成を行って電極ペースト14か
ら樹脂分を飛ばし、図3(d)に示すように密着状態の
電極15を形成する。この焼成工程では、300〜40
0℃で電極ペースト中の樹脂分が飛んで膜減りを起こ
し、水平方向に収縮しようとするが、アルミナを主体と
する粉体が熱膨張することで、みかけ上は水平方向には
収縮しないので、電極15は線幅が変化せず剥離するこ
ともない。さらに、450〜600℃になるとガラスフ
リットの軟化による収縮が起こり、さらには溶融して下
地層13と密着する。また、下地層13は溶融して収縮
防止層12に溶け込んで一体化した混合層16になる。
そして、焼成を終えると冷却されるが、混合層16の熱
膨張率は金属シート11と電極15の熱膨張率と同じな
ので、電極15は寸法変化や剥離等の現象を起こさな
い。このようにして、金属シート11上には、650℃
以下で軟化しない無機粉体がリッチな層から徐々に65
0℃以下の軟化点を有するガラスリッチな層へと変化す
る傾斜構造の混合層16が形成され、その上に電極15
のパターンが形成された状態になる。
【0013】
【実施例】平均粒径1.0μm程度のアルミナ80重量
%とシリカ20重量%の混合粉体にバインダー樹脂を添
加してペースト化した材料を用意し、ガラス基板上にこ
のペースト材料をコーティングして収縮防止層を形成し
た。乾燥後、その収縮防止層の上にPbO系のガラスを
含有したペーストをコーティングして下地層を形成し
た。
【0014】続いて、下記組成Aの感光性樹脂を含有す
る下記組成Bの感光性電極ペーストを用意し、これを収
縮防止層と下地層が形成されたガラス基板上にスクリー
ン印刷によりコーティングし、乾燥膜厚15μmの電極
ペースト層を形成した。そして、マスクを介して電極ペ
ースト層を露光し、現像工程を経て線幅50μm、線間
20μmの電極パターン層を形成した。
【0015】 <組成A> アルカリ現像型バインダーポリマー 100重量部 (メチルメタクリレート/メタクリル酸共重合体) ポリオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレート 60重量部 光開始剤(チバガイギー社製「イルガキュア907」) 10重量部
【0016】 <組成B> 組成Aの感光性樹脂 20重量部 銀粉(平均粒径) 70重量部 ガラスフリット 5重量部 {主成分:Bi2 3 、SiO2 、B2 3 (無アルカリ)、 平均粒径:1μm、軟化点:600℃} ジプロピレングリコールモノメチルエーテル 20重量部 増粘剤 1重量部
【0017】次いで、収縮防止層、下地層及び電極パタ
ーン層を一括で焼成して、膜厚6μm、線幅48μm、
線間22μmのPDP用アドレス電極を形成した。これ
により、膜厚が5μm以上で且つ線幅30μm以下の微
細な電極パターンを形成することができた。
【0018】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、加熱
時に収縮防止作用がある材料により基板上に収縮防止層
を形成し、その収縮防止層の上にさらに下地層を形成
し、その下地層の上にパターン形成用ペーストをパター
ニングするようにし、これらを同時に焼成するようにし
たので、焼成時において収縮防止層が寸法変化を起こさ
ず、したがってその上にあるパターン形成用ペーストが
焼成工程を経ても幅方向に収縮を起こさないことから、
焼成前の間隔、すなわち小さな間隔で厚膜パターンを形
成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】ライン状パターンの焼成前と焼成後における線
幅と線間の関係を示す説明図である。
【図2】ライン状パターンを2分割した場合の焼成前と
焼成後における間隔の関係を示す説明図である。
【図3】本発明に係る厚膜パターン形成方法を説明する
ための工程図である。
【符号の説明】
A 線幅(焼成前) B 線間(焼成後) D 間隔(焼成後) 11 基板 12 収縮防止層 13 下地層 14 電極ペースト 15 電極 16 混合層

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上にパターン形成用ペーストをパタ
    ーニングし、焼成工程を経て基板に密着したパターン層
    を形成する工程を含む厚膜パターン形成方法において、
    加熱時に収縮防止作用がある材料により基板上に収縮防
    止層を形成し、その収縮防止層の上にさらに下地層を形
    成し、その下地層の上にパターン形成用ペーストをパタ
    ーニングするようにし、収縮防止層、下地層及びパター
    ン層を同時に焼成するようにしたことを特徴とする厚膜
    パターン形成方法。
  2. 【請求項2】 650℃以下で軟化しない無機粉体とバ
    インダー樹脂からなる材料により収縮防止層を形成する
    請求項1に記載の厚膜パターン形成方法。
  3. 【請求項3】 請求項1に記載の方法で形成される厚膜
    パターンであって、膜厚が5μm以上で且つ線間が30
    μm以下である厚膜パターン。
  4. 【請求項4】 請求項1に記載の方法で形成された厚膜
    パターンを有する基板であって、基板上に650℃以下
    で軟化しない無機粉体がリッチな層から徐々に650℃
    以下の軟化点を有するガラスリッチな層が形成され、そ
    の上に厚膜パターンが形成されてなる厚膜パターン付き
    基板。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003015546A (ja) * 2001-07-04 2003-01-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法、ならびにフラットパネルディスプレイおよびその製造方法
CN108058482A (zh) * 2018-01-23 2018-05-22 滁州英诺信电器有限公司 Pet基材印刷防收缩工艺

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