JPH10144211A - 厚膜パターン形成方法 - Google Patents
厚膜パターン形成方法Info
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- JPH10144211A JPH10144211A JP30434396A JP30434396A JPH10144211A JP H10144211 A JPH10144211 A JP H10144211A JP 30434396 A JP30434396 A JP 30434396A JP 30434396 A JP30434396 A JP 30434396A JP H10144211 A JPH10144211 A JP H10144211A
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Abstract
寸法変化を起こさないようにし、小さな間隔で厚膜パタ
ーンを形成する。 【解決手段】 基板上にパターン形成用ペーストをパタ
ーニングし、焼成工程を経て基板に密着したパターン層
を形成する工程を含む厚膜パターン形成方法において、
加熱時に収縮防止作用がある材料により基板11上に収
縮防止層12を形成し、その収縮防止層12の上にさら
に下地層13を形成し、その下地層13の上にパターン
形成用ペースト14をパターニングするようにし、収縮
防止層12、下地層13及びパターン層を同時に焼成す
る。焼成時において収縮防止層12が寸法変化を起こさ
ず、したがってその上にあるパターン形成用ペースト1
4が焼成工程を経ても幅方向に収縮を起こさない。
Description
レイパネル(PDP)、フィールドエミッションディス
プレイ(FED)、液晶表示装置(LCD)、蛍光表示
装置、混成集積回路等の製造過程において基板上に所定
形状の厚膜パターンを形成する方法に関するものであ
る。
しては、ガラスやセラミックス基板上に導体或いは絶縁
体用のペーストをスクリーン印刷法によりパターン状に
塗布した後、焼成工程を経て基板に密着したパターンを
形成する方法が知られている。また別の方法としては、
基板上の全面に感光性ペーストを塗布し、フォトリソグ
ラフィ法でパターニングを行ってから、パターン形成用
ペーストを焼成する方法も知られている。
なパターン形成用のペーストは焼成時にライン全体が収
縮する。具体的には線幅収縮率は10〜30%程度であ
る。例えば、線幅収縮率が20%のペーストを使用し、
線幅100μmのパターンを100μm間隔で塗布して
焼成したとすると、焼成後は線幅が80μm、線間は1
20μmとなってしまう。一方、スクリーン印刷法や感
光性ペーストを用いたフォトリソグラフィ法でライン状
パターンを形成する場合、解像度からして線間は20μ
mが限界である。したがって、図1のように、焼成前の
線幅をAμmとすると、焼成後の線間Bは〔2×(0.
1×A)+20〕μmとなる。例えば、焼成前の線幅A
を100μmと仮定すると、焼成後の線間Bは40μm
となってしまう。また、現状のAC型PDPにおけるア
ドレス電極の線幅を70μm程度と仮定すると、34μ
m以下の線間は形成することができないことになり、高
精細なPDPの製造が難しくなる。
場合、図2のようにアドレス電極を2分割する必要があ
るが、焼成時における矢印方向の収縮は線幅Aの20%
程度である。したがって線幅と同様、焼成後の間隔Dは
〔2×(0.1×A)+20〕μmとなる。例えば、現
状のAC型PDPを考えると、線幅は70μmなので3
4μm以下の間隔を設けることは不可能である。しか
し、間隔Dが大きくなると、パネルの中央部分が点灯し
なくなったり、点灯したとしても放電が他と異なった
り、断線しているのが目視で確認できてしまう。
れたものであり、その目的とするところは、パターン形
成用ペーストが焼成工程を経ても寸法変化を起こさない
ようにした厚膜パターン形成方法を提供することにあ
る。
めに、本発明は、基板上にパターン形成用ペーストをパ
ターニングし、焼成工程を経て基板に密着したパターン
層を形成する工程を含む厚膜パターン形成方法におい
て、加熱時に収縮防止作用がある材料により基板上に収
縮防止層を形成し、その収縮防止層の上にさらに下地層
を形成し、その下地層の上にパターン形成用ペーストを
パターニングするようにし、収縮防止層、下地層及びパ
ターン層を同時に焼成するようにしたことを特徴とす
る。
は、ガラス、金属、セラミック等を挙げることができ
る。ここではガラス基板を使用し、そのガラス基板上に
厚膜パターンとして電極を形成する場合を例に挙げて説
明する。
板11の上に収縮防止層12を形成する。具体的には、
アルミナ、シリカ、酸化硼素、酸化チタン、酸化マグネ
シウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バ
リウム、炭酸カルシウム等の1種若しくは2種以上の無
機粉体であって、下地層やパターン層の焼成温度で軟化
しない、すなわち650℃以下で軟化しない無機材料を
バインダー樹脂、溶剤と混合してペースト化したもの
や、フィルム形成してシート化したものを用いて形成さ
れる。この無機粉体としては平均粒径0.1〜2.0μ
mのものが好ましく用いられる。
ーンの水平方向には殆ど収縮せずに垂直方向(膜厚方
向)にのみ収縮するものである。すなわち、収縮防止層
を形成するこれらのペーストやシートは、熱による膨張
と樹脂が飛ぶ時の収縮が略釣り合っているので寸法変化
を起こさない。
止層12の上に下地層13を形成する。この下地層13
は電極との密着性を向上させ、マイグレーション防止を
図るためのもので、PbO系、Bi2 O3 系、ZnO系
等の低温度で軟化するガラスを含有したペーストを塗布
して形成する。ガラス基板11に形成した収縮防止層1
2は絶縁性はあるが熱で溶融しないため、成膜性に劣る
ことから、直接その上に電極を形成すると電極の剥離等
が起こる。したがって、熱で溶融して収縮防止層12に
浸透するような下地層13を設けることで、成膜性、機
械的強度を向上させるものである。
層12と下地層13とを形成したガラス基板11に電極
ペースト14をスクリーン印刷法等の手段によりパター
ニングする。或いは、感光性の電極ペーストを全面に塗
布して乾燥させるか、若しくは一旦フィルム上に電極ペ
ースト層を形成してこれを基板に転写した後、フォトリ
ソグラフィ法でパターニングを行うようにしてもよい。
ら樹脂分を飛ばし、図3(d)に示すように密着状態の
電極15を形成する。この焼成工程では、300〜40
0℃で電極ペースト中の樹脂分が飛んで膜減りを起こ
し、水平方向に収縮しようとするが、アルミナを主体と
する粉体が熱膨張することで、みかけ上は水平方向には
収縮しないので、電極15は線幅が変化せず剥離するこ
ともない。さらに、450〜600℃になるとガラスフ
リットの軟化による収縮が起こり、さらには溶融して下
地層13と密着する。また、下地層13は溶融して収縮
防止層12に溶け込んで一体化した混合層16になる。
そして、焼成を終えると冷却されるが、混合層16の熱
膨張率は金属シート11と電極15の熱膨張率と同じな
ので、電極15は寸法変化や剥離等の現象を起こさな
い。このようにして、金属シート11上には、650℃
以下で軟化しない無機粉体がリッチな層から徐々に65
0℃以下の軟化点を有するガラスリッチな層へと変化す
る傾斜構造の混合層16が形成され、その上に電極15
のパターンが形成された状態になる。
%とシリカ20重量%の混合粉体にバインダー樹脂を添
加してペースト化した材料を用意し、ガラス基板上にこ
のペースト材料をコーティングして収縮防止層を形成し
た。乾燥後、その収縮防止層の上にPbO系のガラスを
含有したペーストをコーティングして下地層を形成し
た。
る下記組成Bの感光性電極ペーストを用意し、これを収
縮防止層と下地層が形成されたガラス基板上にスクリー
ン印刷によりコーティングし、乾燥膜厚15μmの電極
ペースト層を形成した。そして、マスクを介して電極ペ
ースト層を露光し、現像工程を経て線幅50μm、線間
20μmの電極パターン層を形成した。
ーン層を一括で焼成して、膜厚6μm、線幅48μm、
線間22μmのPDP用アドレス電極を形成した。これ
により、膜厚が5μm以上で且つ線幅30μm以下の微
細な電極パターンを形成することができた。
時に収縮防止作用がある材料により基板上に収縮防止層
を形成し、その収縮防止層の上にさらに下地層を形成
し、その下地層の上にパターン形成用ペーストをパター
ニングするようにし、これらを同時に焼成するようにし
たので、焼成時において収縮防止層が寸法変化を起こさ
ず、したがってその上にあるパターン形成用ペーストが
焼成工程を経ても幅方向に収縮を起こさないことから、
焼成前の間隔、すなわち小さな間隔で厚膜パターンを形
成することができる。
幅と線間の関係を示す説明図である。
焼成後における間隔の関係を示す説明図である。
ための工程図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 基板上にパターン形成用ペーストをパタ
ーニングし、焼成工程を経て基板に密着したパターン層
を形成する工程を含む厚膜パターン形成方法において、
加熱時に収縮防止作用がある材料により基板上に収縮防
止層を形成し、その収縮防止層の上にさらに下地層を形
成し、その下地層の上にパターン形成用ペーストをパタ
ーニングするようにし、収縮防止層、下地層及びパター
ン層を同時に焼成するようにしたことを特徴とする厚膜
パターン形成方法。 - 【請求項2】 650℃以下で軟化しない無機粉体とバ
インダー樹脂からなる材料により収縮防止層を形成する
請求項1に記載の厚膜パターン形成方法。 - 【請求項3】 請求項1に記載の方法で形成される厚膜
パターンであって、膜厚が5μm以上で且つ線間が30
μm以下である厚膜パターン。 - 【請求項4】 請求項1に記載の方法で形成された厚膜
パターンを有する基板であって、基板上に650℃以下
で軟化しない無機粉体がリッチな層から徐々に650℃
以下の軟化点を有するガラスリッチな層が形成され、そ
の上に厚膜パターンが形成されてなる厚膜パターン付き
基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30434396A JP3681024B2 (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 厚膜パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30434396A JP3681024B2 (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 厚膜パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10144211A true JPH10144211A (ja) | 1998-05-29 |
JP3681024B2 JP3681024B2 (ja) | 2005-08-10 |
Family
ID=17931877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30434396A Expired - Fee Related JP3681024B2 (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 厚膜パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3681024B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003015546A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法、ならびにフラットパネルディスプレイおよびその製造方法 |
CN108058482A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-05-22 | 滁州英诺信电器有限公司 | Pet基材印刷防收缩工艺 |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP30434396A patent/JP3681024B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003015546A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法、ならびにフラットパネルディスプレイおよびその製造方法 |
CN108058482A (zh) * | 2018-01-23 | 2018-05-22 | 滁州英诺信电器有限公司 | Pet基材印刷防收缩工艺 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3681024B2 (ja) | 2005-08-10 |
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