JPH10141925A - 外観検査装置 - Google Patents

外観検査装置

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Publication number
JPH10141925A
JPH10141925A JP8294032A JP29403296A JPH10141925A JP H10141925 A JPH10141925 A JP H10141925A JP 8294032 A JP8294032 A JP 8294032A JP 29403296 A JP29403296 A JP 29403296A JP H10141925 A JPH10141925 A JP H10141925A
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JP
Japan
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image
sample
semiconductor device
appearance
inspection
Prior art date
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Pending
Application number
JP8294032A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiya Tamura
佳哉 田村
Shunichi Nojima
俊一 野島
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Asia Electronics Co
Original Assignee
Toshiba Corp
Asia Electronics Co
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Asia Electronics Co filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP8294032A priority Critical patent/JPH10141925A/ja
Publication of JPH10141925A publication Critical patent/JPH10141925A/ja
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  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】半導体装置の外観を省スペース、省コストで、
短時間のうちに正確に検査することが困難であった。 【解決手段】半導体装置11の上方、且つ、周囲にはミ
ラー光学系13が配置されている。撮像装置12は、半
導体装置11の上面の画像、及びミラー光学系13を介
した4つの側面の画像を同時に撮像する。画像処理装置
14は、撮像装置12から供給される映像信号と第2の
メモリ19に記憶された基本パターンとを比較し、半導
体装置の外観を検査する。したがって、側面の画像を撮
像し、検査するために、複数台のカメラ、及び画像処理
装置を必要としないため、省スペース、省コストで、短
時間のうちに正確に半導体装置の外観を検査できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体装
置の外観を検査する場合に用いられる外観検査装置に関
する。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体装置は、製造工程の各種
段階において、その外観が検査される。図4は、従来の
外観検査装置を示すものである。この装置は、半導体装
置40を撮像する例えばCCDカメラからなる撮像装置
41と、この撮像装置41から出力される映像信号が供
給され、画像を処理する画像処理装置42とから構成さ
れている。この画像処理装置42は撮像装置41から供
給された映像信号と半導体装置の外観を示す基本パター
ンとを比較し、半導体装置の外観を検査する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記従来の
外観検査装置において、撮像装置41は、半導体装置4
0の上方に設置される。このため、前記撮像装置41に
より撮像された画像は、図5に示すように、半導体装置
の上面のみである。したがって、検査対象項目はマー
ク、モールドに限られてしまい、半導体装置の側面に設
けられたリードのスキューやコプラナリティ等の検査に
この外観検査装置を使用することができなかった。この
ため、これらの検査は殆どを目視検査などの官能的検査
で対応しなければならなかった。この官能的検査は、検
査結果が人間系の不確実性に依存するため、検査基準が
均一化せず、しかも不良の見落とし等が発生する問題を
有している。
【0004】また、リードのトリミングやフォーミング
工程の後に外観検査を行う場合、検査がリードの検査に
限定されており、他の検査は行っていない。このため、
全ての外観を検査するために複数回の外観検査工程を必
要とする問題も生ずる。
【0005】一方、半導体装置の側面を自動的に検査す
る方法として、複数台のカメラを用意し、半導体装置の
側面、平面を各カメラによって撮像する方法が考えられ
る。しかし、この場合、複数台のカメラを設置するため
に広いスペースを必要とする。しかも、これらカメラか
ら出力される映像信号を、1つの画像処理装置によって
処理する場合、多大な検査時間を必要とする。また、複
数台のカメラから出力される映像信号を、複数の画像処
理装置によって処理する場合、画像処理装置のコストが
増大する等の問題が発生する。
【0006】この発明は、上記課題を解決するものであ
り、その目的とするところは、検査対象物の平面部、側
面部の画像を一画面として撮像し、処理することによ
り、半導体装置の外観を省スペース、省コストで、短時
間のうちに正確に検査可能な外観検査装置を提供しよう
とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記課題を
解決するため、試料の周囲に配置され、前記試料の側面
の画像を反射する複数のミラーと、前記試料の上方に配
置され、試料の上面の画像、及び前記複数のミラーによ
って反射された試料の側面の画像を撮像する撮像手段
と、前記撮像手段から供給される映像信号に濃淡画像処
理を施し、前記試料の外観を検査する検査手段とを有し
ている。
【0008】また、前記ミラーは、前記撮像手段の視線
に対して45°より小さい角度に設定され、前記ミラー
は、前記試料の上方に配置される。さらに、ミラーは、
前記撮像手段の視線に対して45°に設定してもよい。
【0009】また、撮像手段は、試料の上面の画像及び
前記複数のミラーによって反射された試料の側面の画像
を同時に取込み、検査手段は、前記撮像手段から供給さ
れる映像信号と、予め記憶された基本パターンとを比較
して、前記試料の外観を検査する。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。図1は、この発明の第1
の実施の形態に係わる半導体装置の外観検査装置を示す
ものである。図1において、試料としての半導体装置1
1の上方には例えばCCDカメラからなる撮像装置12
が配置されている。前記半導体装置11と撮像装置12
の相互間には、ミラー光学系13が配置されている。
【0011】図2は、ミラー光学系13を示している。
このミラー光学系13は前記半導体装置11の4辺近傍
に配置された例えば4つのミラー13a、13b、13
c、13dによって構成され、これらミラー13a〜1
3dによって、半導体装置11の4つの側面の画像が前
記撮像装置12に導かれる。これらミラー13a〜13
dは、各反射面を撮像装置12の視線に対して、45°
より小さい角度に設定することにより、ミラー光学系1
3を半導体装置11の上方に設置することができる。撮
像装置12は、半導体装置11の上面の画像と、ミラー
光学系13を介して導かれる4つの側面の画像を同時に
撮像することができる。
【0012】前記撮像装置12には画像処理装置14が
接続されている。この画像処理装置14は、例えばイン
ターフェイス(I/F)回路15、バスライン16、マ
イクロプセッサ17、第1、第2のメモリ18、19、
表示装置20、通信装置21によって構成されている。
前記インターフェイス回路15は撮像装置12に接続さ
れている。このインターフェイス回路15にはバスライ
ン16が接続されている。このバスライン16にはマイ
クロプセッサ17、第1、第2のメモリ18、19、表
示装置20、通信装置21が接続されている。マイクロ
プセッサ17は後述するように、画像処理装置14の全
体的な制御を行う。前記第1のメモリ18は前記撮像装
置12から出力された映像信号を記憶する。前記第2の
メモリ19は、例えば前記マイクロプセッサ17を制御
するための基本プログラム、各種検査用のプログラム、
及び半導体装置11の上面及び各側面の基本パターン、
マークの基本パターン等を記憶する。前記表示装置20
は検査結果等を表示する。前記通信装置21は図示せぬ
他の装置とデータを授受する。
【0013】上記構成において、前記撮像装置12から
出力された映像信号はインターフェイス回路15、バス
ライン16を介して第1のメモリ18に記憶される。こ
の第1のメモリ18に記憶された映像信号は濃淡画像処
理される。この濃淡画像処理は例えば二値化処理、多値
化処理、ヒストグラム処理に代表される。
【0014】この後、検査対象に応じた処理がなされ
る。例えばモールドに生じたボイド、傷、欠け等の凹凸
の検査の場合、マイクロプセッサ17は、前記検査用の
プログラムの指示に従って、例えばヒストグラム処理さ
れたデータを用いて、その有無を検出し、表示装置20
に表示する。
【0015】また、マークの検査は、例えば二値化処理
されたデータと第2のメモリ19に記憶されたマークの
基本パターンとが比較される。すなわち、マイクロプセ
ッサ17は、前記検査用のプログラムの指示に従って、
第1のメモリ18に記憶された映像信号と第2のメモリ
19に記憶された基本パターンとを比較し、この比較結
果を例えば表示装置20に表示する。
【0016】リードのスキュー、コプラナリティ等の検
査は、例えば二値化、又は、多値化処理されたデータと
基本パターンとが比較される。前記半導体装置11のモ
ールドに生じたボイド、傷、欠け等の検査は、試料上面
部、及び4つの側面部の画像を用いて行われる。また、
前記半導体装置11に設けられたマークの検査は、第1
のメモリ18に記憶された半導体装置11の上面の画像
を用いて検査される。さらに、リードのスキュー、コプ
ラナリティ等の検査は、試料上面部、及び4つの側面部
の画像を用いて行われる。
【0017】尚、試料上面部を撮像する光路と、試料側
面を撮像する光路とでは、後者の方がミラーを介在する
分だけ長くなる。したがって、この光路差よりも大きな
被写界深度を有するレンズ、及び絞りを用いる必要があ
る。
【0018】また、上述したように、ミラー光学系13
を構成するミラーは反射面を撮像装置12の視線に対し
て、45°より小さい角度に設定している。このため、
試料の側面を撮像した画像は歪むため、画像処理におい
ては、歪みを考慮して検査する必要がある。したがっ
て、例えば画像処理に用いる基本パターンを予め歪みを
考慮したパターンとしたり、歪みを補正した後、基本パ
ターンと比較する等の対策が必要である。
【0019】上記第1の実施の形態によれば、試料とし
ての半導体装置11の上方、且つ、周囲にミラー光学系
13を配置し、撮像装置12によって、半導体装置11
の上面の画像、及びミラー光学系13を介した4つの側
面の画像を同時に撮像処理可能としている。したがっ
て、側面の画像を撮像し、検査するために、複数台のカ
メラを必要としないため、これらカメラを設置するため
の広いスペースを必要としない。
【0020】しかも、1台の撮像装置によって5つの面
の画像を同時に撮像し、画像処理装置に取り込むことが
できる。このため、複数台のカメラによって撮像し、1
つの画像処理装置を使用する場合に比べて画像の処理時
間を短縮することができ、さらに、複数台のカメラ、複
数の画像処理装置を使用する場合に比べて装置構成を簡
単化でき、コストの高騰を防止できる。
【0021】また、ミラー光学系13を構成するミラー
は反射面を撮像装置12の視線に対して、45°より小
さい角度に設定している。このため、ミラー光学系13
を半導体装置11の上方に設置した状態で、半導体装置
の側面の画像を撮像することができる。したがって、ミ
ラー光学系13の設置場所が限定されないため、製造途
中において、リードフレームに一体化された半導体装置
の側面等を撮像することも可能である。
【0022】図3は、この発明の第2の実施の形態を示
している。図3において、図1と同一部分には同一符号
を付す。前記第1の実施の形態では、ミラー光学系13
を構成するミラーの反射面を撮像装置12の視線に対し
て、45°より小さい角度に設定した。これに対して、
この実施の形態では、ミラーの反射面を撮像装置12の
視線に対して45°に設定している。すなわち、試料と
しての半導体装置11はステージ31上に載置されてい
る。この半導体装置11の周囲には、ミラー光学系13
を構成するミラー32が配置される。
【0023】このような構成とした場合、ミラー光学系
13を半導体装置11の周囲に配置できるため、撮像し
た半導体装置の側面の画像は歪まない。したがって、画
像処理を簡略化できるとともに、検査精度を向上でき
る。
【0024】尚、上記実施の形態は、この発明を半導体
装置の外観を検査する場合について説明したが、この発
明は、半導体装置に限定されるものではなく、各種装置
の外観検査に適用できることは言うまでもない。その
他、この発明の要旨を変えない範囲において種々変形実
施可能なことは勿論である。
【0025】
【発明の効果】以上、詳述したようにこの発明によれ
ば、検査対象物の平面部、側面部の画像を一画面として
撮像し、処理することにより、半導体装置の外観を省ス
ペース、省コストで、短時間のうちに正確に検査可能な
外観検査装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態を示す構成図。
【図2】図2は図1の一部を示す上面図。
【図3】この発明の第2の実施の形態を示す構成図。
【図4】従来の半導体装置の外観検査装置を示す構成
図。
【図5】従来の撮像画像を説明するために示す図。
【符号の説明】
11…半導体装置、 12…撮像装置、 13…ミラー光学系、 13a〜13d…ミラー、 14…画像処理装置、 17…マイクロプセッサ、 18、19…第1、第2のメモリ、 20…表示装置。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 試料の周囲に配置され、前記試料の側面
    の画像を反射する複数のミラーと、 前記試料の上方に配置され、試料の上面の画像、及び前
    記複数のミラーによって反射された試料の側面の画像を
    撮像する撮像手段と、 前記撮像手段から供給される映像信号に濃淡画像処理を
    施し、前記試料の外観を検査する検査手段とを具備する
    ことを特徴とする外観検査装置。
  2. 【請求項2】 前記ミラーは、前記撮像手段の視線に対
    して45°より小さい角度に設定されることを特徴とす
    る請求項1記載の外観検査装置。
  3. 【請求項3】 前記ミラーは、前記試料の上方に配置さ
    れることを特徴とする請求項2記載の外観検査装置。
  4. 【請求項4】 前記ミラーは、前記撮像手段の視線に対
    して45°に設定されることを特徴とする請求項1記載
    の外観検査装置。
  5. 【請求項5】 前記検査手段は、前記撮像手段から供給
    される映像信号と、予め記憶された基本パターンとを比
    較し、前記試料の外観を検査することを特徴とする請求
    項1記載の外観検査装置。
  6. 【請求項6】 前記撮像手段は、前記試料の上面の画像
    及び前記複数のミラーによって反射された試料の側面の
    画像を同時に取込むことを特徴とする請求項1記載の外
    観検査装置。
JP8294032A 1996-11-06 1996-11-06 外観検査装置 Pending JPH10141925A (ja)

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JP8294032A JPH10141925A (ja) 1996-11-06 1996-11-06 外観検査装置

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ID=17802390

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10244054A1 (de) * 2002-09-21 2003-10-09 Eads Deutschland Gmbh Vorrichtung zur optischen Inspektion verdeckter Lötverbindungen
JP2009276338A (ja) * 2008-04-14 2009-11-26 Ueno Seiki Kk 外観検査装置
JP5803034B1 (ja) * 2014-11-05 2015-11-04 アキム株式会社 搬送装置、搬送方法
JP5828180B1 (ja) * 2014-11-05 2015-12-02 アキム株式会社 外観検査付搬送装置、外観検査付搬送方法
CN108918528A (zh) * 2018-06-01 2018-11-30 深圳回收宝科技有限公司 一种终端检测方法、装置及存储介质
CN113008138A (zh) * 2021-02-23 2021-06-22 中科(深圳)智慧信息科技有限公司 一种基于视觉识别技术的产品加工定位***及方法

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040106