JPH10135387A - Manufacturing method of lead frame - Google Patents

Manufacturing method of lead frame

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JPH10135387A
JPH10135387A JP29112997A JP29112997A JPH10135387A JP H10135387 A JPH10135387 A JP H10135387A JP 29112997 A JP29112997 A JP 29112997A JP 29112997 A JP29112997 A JP 29112997A JP H10135387 A JPH10135387 A JP H10135387A
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JP
Japan
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lead frame
base material
plating
photosensitive film
substrate
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JP29112997A
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Japanese (ja)
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Kyokuretsu Ryu
旭烈 柳
Sokin Ri
相均 李
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Hanwha Aerospace Co Ltd
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Samsung Aerospace Industries Ltd
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the cost of the manufacture of a lead frame as simplifying its processes, by performing its plating-layer forming process after its etching process, and by making its plating-layer peeling process omissible. SOLUTION: Preheating a base material 21, a laminater-roll is utilized to laminate photosensitive films 22 on both the surfaces of the base material 21. Then, utilizing parallel beam exposure devices and photomasks 23, the exposures of the photosensitive films 22 laminated on the base material 21 are performed. Thereafter, exposing the etched portions of the base material 21 to the external by developing the films 22, an etching liquid is sprayed thereon to form through portions 24. Subsequently, after removing photosensitive films 22a left on the base material 21 and applying the strike platings of Ag, selective platings are applied to certain portions of the base material 21 to form plating layers 25 on the base material 21. Thereafter, post-plating processings are applied thereto, and further, after the positions for putting chips on a lead frame are prepared by usual down-set processes, a taping process for sticking on the lead frame a tape for preventing its deformation is performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はリードフレーム製造
方法に係り、より詳細には微細パターン加工が可能な連
続的なリードフレーム製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame, and more particularly, to a continuous method for manufacturing a lead frame capable of processing fine patterns.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来のリードフレームの製造は、基材に
パターンを転写するフォト過程、リードフレームの形状
を作るエッチング過程、基材の一部に選択的にメッキを
施すメッキ過程、チップが載置される場所を設けるダウ
ンセット及びリードフレームの変形を防止するためのテ
ーピング過程を含む。2. Description of the Related Art Conventionally, a lead frame is manufactured by a photo process of transferring a pattern to a substrate, an etching process of forming a shape of a lead frame, a plating process of selectively plating a part of the substrate, and a chip mounting process. And a taping process to prevent deformation of the lead frame and a lead frame for providing a place where the lead frame is placed.

【０００３】このようなリードフレーム製造方法につい
てより具体的に説明すると、まず基材に付着した不純物
の除去を行う。次いで、液状のレジスト組成物を基材の
両面にコーティングした後、露光及び現像し、基材をエ
ッチングしてリードフレームパターンを作成する。この
パターンの所定部位をメッキし、さらにダウンセット及
びテーピング工程を経ることによってリードフレームが
製造される。[0003] More specifically, such a method for manufacturing a lead frame is described below. First, impurities attached to a substrate are removed. Next, a liquid resist composition is coated on both sides of the substrate, and then exposed and developed, and the substrate is etched to form a lead frame pattern. A lead frame is manufactured by plating a predetermined portion of the pattern and further performing a downset and taping process.

【０００４】しかし、このような従来のリードフレーム
製造方法は各過程が各々個別の装置で不連続的に行わ
れ、各過程の間になされる作業者の手作業のために不良
が発生しやすく、また製造に長時間を要するという問題
点があった。However, in such a conventional method for manufacturing a lead frame, each process is discontinuously performed by an individual device, and defects are apt to occur due to manual operation of an operator during each process. In addition, there is a problem that it takes a long time to manufacture.

【０００５】一方、ストリップ状の連続的な基材を用い
て単一の装置で上記の各過程を連続的に進行してリード
フレームを製造する方法が米国特許第５，３０５，０４
３号明細書に開示されている。On the other hand, US Pat. No. 5,305,04 discloses a method of manufacturing a lead frame by continuously performing the above-described steps in a single apparatus using a continuous strip-shaped substrate.
No. 3 discloses it.

【０００６】図１はこのような従来の連続的なリードフ
レーム製造方法を示した模式的な製造工程図である。ま
ず、供給されたリードフレーム基材１１を前処理し、ス
トライクメッキを施す。これは、後続の工程で形成され
るメッキ層１２と基材１１との間の密着性を向上させる
ためである。次いで、基材１１の一部に選択的にメッキ
を施してメッキ層１２を形成する（過程Ａ）。FIG. 1 is a schematic manufacturing process diagram showing such a conventional continuous lead frame manufacturing method. First, the supplied lead frame base material 11 is pre-processed and subjected to strike plating. This is to improve the adhesion between the plating layer 12 and the substrate 11 formed in a subsequent step. Next, a part of the base material 11 is selectively plated to form a plating layer 12 (process A).

【０００７】次いで、メッキ層１２が形成された基材１
１の両面に感光性フィルム（レジスト）１３をラミネー
ト（過程Ｂ）した後、フォトマスク１４を利用して露光
及び現像することにより感光性フィルムパターン１３ａ
を形成する（過程Ｃ及びＤ）。露光及び現像工程によっ
て基材１１上のメッキ層の一部１５が外部に露出され
る。露出されたメッキ層１５は後述するエッチング工程
においてエッチング液によってエッチングされないの
で、ここで剥離して除去される。Next, the base material 1 on which the plating layer 12 is formed
After laminating a photosensitive film (resist) 13 on both sides (process B), the photosensitive film pattern 13a is exposed and developed using a photomask 14.
(Steps C and D). A part 15 of the plating layer on the substrate 11 is exposed to the outside by the exposure and development processes. Since the exposed plating layer 15 is not etched by an etching solution in an etching step described later, it is separated and removed here.

【０００８】次いで、エッチング液を噴射して基材１１
に貫通部１６を形成し、リードフレーム形状を完成（過
程Ｅ）した後、感光性フィルムパターン１３ａを除去す
る（過程Ｆ）。さらにこの後、チップが置かれる位置を
形成するダウンセット及びリードフレームの変形を防止
するためのテーピング工程を連続的に実施する。Next, an etching solution is sprayed to the substrate 11.
After the penetrating portion 16 is formed and the lead frame shape is completed (step E), the photosensitive film pattern 13a is removed (step F). Further, thereafter, a taping process for preventing deformation of the lead frame and a lead frame for forming a position where the chip is to be placed is continuously performed.

【０００９】しかし、このような従来の連続的なリード
フレーム製造方法には、次のような問題点がある。However, such a conventional continuous lead frame manufacturing method has the following problems.

【００１０】１．メッキ層が先に形成されるので後続す
る感光性フィルムのラミネーション工程においてメッキ
層と感光性フィルムとの密着性が低くなり、露光時に乱
反射がはげしく微細パターン加工が困難となる。[0010] 1. Since the plating layer is formed first, in the subsequent lamination process of the photosensitive film, the adhesion between the plating layer and the photosensitive film is reduced, and irregular reflection is increased at the time of exposure, making fine pattern processing difficult.

【００１１】２．エッチング工程によってメッキ層が除
去されないので、メッキ層を除去するための一連の剥離
工程が必要である。2. Since the plating layer is not removed by the etching step, a series of peeling steps for removing the plating layer is required.

【００１２】３．前述した製造方法は全工程を実施する
のに長時間（最小２４時間）を要するので非能率的であ
り、これによってコスト高となる。3. The above-described manufacturing method is inefficient because it takes a long time (minimum 24 hours) to perform all the steps, thereby increasing the cost.

【００１３】[0013]

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、上述のような問題を解決し、改善された、微細パタ
ーン加工の可能な連続的なリードフレームの製造方法を
提供することである。SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and provide an improved method of manufacturing a continuous lead frame capable of processing a fine pattern. .

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の目的を達成する
ために、ａ）基材を予熱した後、その両面に感光性フィ
ルムをラミネートする過程と、ｂ）前記ラミネートされ
た基材を露光及び現像して感光性フィルムパターンを形
成する過程と、ｃ）前記過程ｂ）の結果物をエッチング
してリードフレームパターンを形成する過程と、ｄ）前
記感光性フィルムパターンを除去する過程と、ｅ）前記
過程ｄ）の結果物を選択的にメッキしてメッキ層を形成
する過程と、ｆ）ダウンセット及びテーピング工程を実
施する過程とを含むリードフレーム製造方法を提供す
る。In order to achieve the object of the present invention, a) a step of preheating a substrate and then laminating a photosensitive film on both sides thereof; and b) exposing the laminated substrate to light. Forming a photosensitive film pattern by developing and developing; c) etching a resultant of the step b) to form a lead frame pattern; d) removing the photosensitive film pattern; A method for manufacturing a lead frame includes the steps of: (e) selectively plating the resultant of the step (d) to form a plating layer; and (f) performing a downset and taping step.

【００１５】本発明によるリードフレームの製造方法に
おいて、前記基材としてはメッキ可能ならばどのような
材料でも使用することができるが、望ましくは鉄-ニッ
ケル合金または銅合金などを使うとよい。また、感光性
フィルムとしては厚さが１乃至１００μｍのドライフィ
ルムを使用することが望ましい。In the method for manufacturing a lead frame according to the present invention, any material can be used as the base material as long as it can be plated. Preferably, an iron-nickel alloy or a copper alloy is used. It is preferable to use a dry film having a thickness of 1 to 100 μm as the photosensitive film.

【００１６】また、前記過程ａ）で、基材は３０乃至８
０℃で予熱され、感光性フィルムは１乃至６kgf/cm2の
圧力及び８０乃至１４０℃の温度でラミネートされる。In the step a), the base material is 30 to 8
Preheated at 0 ° C, the photosensitive film is laminated at a pressure of 1-6 kgf / cm 2 and a temperature of 80-140 ° C.

【００１７】前記過程ｃ）で、エッチング工程は望まし
くはエッチング液を噴射することによりなされるが、こ
の時望ましい噴射圧力は０.５乃至６.０kgf/cm2であ
る。In the step (c), the etching process is preferably performed by spraying an etchant. At this time, a preferable spray pressure is 0.5 to 6.0 kgf / cm 2 .

【００１８】また、前記過程ｄ）及びｅ）の間にアルカ
リ電解脱脂、酸洗浄またはストライクメッキなどのよう
なメッキ前処理過程をさらに実施できる。In addition, a plating pretreatment process such as alkaline electrolytic degreasing, acid cleaning or strike plating may be further performed between the processes d) and e).

【００１９】[0019]

【発明の実施の形態】本発明によるリードフレーム製造
方法では、基材としては前述したようにメッキが可能な
らば特に制限なく任意の材料を使用することが可能であ
るが、望ましくは幅が１乃至２０インチ（２．５４乃至
５０．８ｃｍ）のストリップ状の連続した鉄−ニッケル
合金または銅合金などが使われる。また、感光性フィル
ムとしては、望ましくは厚さが１乃至１００μｍのドラ
イフィルムが使われる。ドライフィルムを使用すると、
エッチング時高圧噴射が可能な微細ピッチを形成でき、
高集積率を有する小さなサイズの半導体装置の製造が可
能である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the method for manufacturing a lead frame according to the present invention, any material can be used as the base material without any particular limitation as long as plating is possible as described above. A continuous iron-nickel alloy or copper alloy in the form of a strip having a size of 20 to 20 inches (2.54 to 50.8 cm) is used. In addition, a dry film having a thickness of 1 to 100 μm is preferably used as the photosensitive film. When using dry film,
A fine pitch that can be sprayed at high pressure during etching can be formed,
A small-sized semiconductor device having a high integration rate can be manufactured.

【００２０】基材と感光性フィルム間の密着性をより向
上させるため、感光性フィルムをラミネーションする前
に基材を前処理してもよい。このような前処理として、
アルカリ電解脱脂、マイクロエッチングのような化学的
処理及び/または正面処理のような機械的処理を基材に
施すことができる。In order to further improve the adhesion between the substrate and the photosensitive film, the substrate may be pre-treated before laminating the photosensitive film. As such preprocessing,
Chemical treatment such as alkaline electrolytic degreasing, microetching and / or mechanical treatment such as frontal treatment can be applied to the substrate.

【００２１】感光性フィルムのラミネーション工程はラ
ミネータロールを利用して基材の両面に感光性フィルム
を熱圧着することにより行うことができる。圧着状態
は、基材の予熱温度、用いられるロールの圧力及び温度
によって影響を受ける。望ましい工程条件は、ロールの
圧力は１乃至６kgf/cm2、ロールの温度は８０乃至１４
０℃、及び基材の予熱温度は３０乃至８０℃である。The lamination step of the photosensitive film can be carried out by thermocompression-bonding the photosensitive film to both sides of the substrate using a laminator roll. The pressed state is affected by the preheating temperature of the substrate, the pressure and temperature of the roll used. Desirable process conditions include a roll pressure of 1 to 6 kgf / cm 2 and a roll temperature of 80 to 14
0 ° C, and the preheating temperature of the substrate is 30 to 80 ° C.

【００２２】露光及び現像工程では、露光は平行光を利
用して実施することが望ましい。散乱光を利用して露光
する場合には解像力が低下し、微細パターンの形成が難
しいという問題がある。露光後、未露光部位を現像液で
溶解させてエッチングされる部位を露出する。この時、
使用され得る現像液の種類は感光性フィルムの種類によ
って変わる。In the exposure and development steps, it is desirable that the exposure is performed using parallel light. In the case of performing exposure using scattered light, there is a problem that the resolving power is reduced and it is difficult to form a fine pattern. After exposure, unexposed portions are dissolved with a developing solution to expose portions to be etched. At this time,
The type of developer that can be used depends on the type of photosensitive film.

【００２３】エッチング工程は前述したようにエッチン
グ液を噴霧することによって実施され、この時望ましい
噴霧圧力は０.５乃至６.０kgf/cm2である。The etching process is performed by spraying an etchant as described above, and a preferable spray pressure is 0.5 to 6.0 kgf / cm 2 .

【００２４】次いで、未除去の感光性フィルムを剥離、
除去してリードフレームの両面を露出させる。Next, the unremoved photosensitive film is peeled off,
Remove to expose both sides of lead frame.

【００２５】さらに、メッキ層形成工程において、基材
の所定部位を選択的にメッキしてメッキ層を形成する。
この時、メッキ層の材料としては銀が望ましいが、金ま
たはその他のメッキができる金属も使用し得る。また、
基材とメッキ層間の密着性を改善するために、感光性フ
ィルムが除去されたリードフレームに対し、アルカリ電
解脱脂、酸洗浄またはストライクメッキなどのようなメ
ッキ前処理工程をさらに実施してもよい。Further, in a plating layer forming step, a predetermined portion of the base material is selectively plated to form a plating layer.
At this time, silver is preferable as the material of the plating layer, but gold or other metal that can be plated may be used. Also,
In order to improve the adhesion between the substrate and the plating layer, the lead frame from which the photosensitive film has been removed may be further subjected to a pre-plating treatment step such as alkaline electrolytic degreasing, acid cleaning or strike plating. .

【００２６】その後のダウンセット及びテーピング工程
は通常の方法によって実施できる。The subsequent downset and taping steps can be carried out by a usual method.

【００２７】[0027]

【実施例】以下図面を参照して本発明を説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.

【００２８】図２には本発明による連続的なリードフレ
ーム製造方法の模式的な製造工程が図示されている。ま
ず、装置に入れられた基材２１を前処理して５０℃で予
熱する。次いで、圧力６kgf/cm2、温度１１０℃で、ラ
ミネータロールを利用して基材２１の両面に厚さ３０μ
ｍの感光性フィルム２２をラミネートする（過程Ａ）。FIG. 2 illustrates a schematic manufacturing process of a continuous lead frame manufacturing method according to the present invention. First, the substrate 21 placed in the apparatus is pretreated and preheated at 50 ° C. Then, at a pressure of 6 kgf / cm 2 and a temperature of 110 ° C., a thickness of 30 μm is applied to both surfaces of the base material 21 using a laminator roll.
m of the photosensitive film 22 is laminated (process A).

【００２９】次いで、過程Ｂで、平行光露光器（図示せ
ず）及びフォトマスク２３を利用して、基材２１にラミ
ネートされた感光性フィルム２２を露光した後、現像し
て基材２１のエッチング部位を露出させる。Next, in a process B, the photosensitive film 22 laminated on the base material 21 is exposed using a parallel light exposure device (not shown) and a photomask 23, and is developed and developed. Exposing the etched part.

【００３０】次に、過程Ｂの結果物に１.２kgf/cm2の圧
力でエッチング液を噴霧して貫通部２４を形成する（過
程Ｃ）。Next, an etching solution is sprayed on the resultant of the process B at a pressure of 1.2 kgf / cm 2 to form the penetrating portion 24 (process C).

【００３１】続いて、基材２１に残っている感光性フィ
ルム２２aを除去し、銀のストライクメッキを施した
後、基材２１の一部を選択的にメッキしてメッキ層２５
を形成する（過程Ｄ）。メッキ層２５は、後のチップと
リードフレームのワイヤーボンディングにおいて、接着
力を向上させる働きをする。その後、メッキ後処理を施
し、さらに通常のダウンセット工程によってリードフレ
ームの上にチップが置かれる位置を用意した後、リード
フレームの変形を防止するためのテープを付着するテー
ピング工程を実施する。Subsequently, the photosensitive film 22a remaining on the substrate 21 is removed, and after strike plating with silver, a part of the substrate 21 is selectively plated to form a plating layer 25.
(Step D). The plating layer 25 functions to improve the adhesive strength in the later wire bonding of the chip and the lead frame. Thereafter, a post-plating process is performed, and a position for placing the chip on the lead frame is prepared by a normal downset process, and then a taping step of attaching a tape for preventing deformation of the lead frame is performed.

【００３２】[0032]

【発明の効果】本発明の連続的なリードフレームの製造
方法によると、メッキ層形成工程をエッチング工程の後
に実施することによって、メッキを先に行う場合に必要
であった一連のメッキ層剥離工程が省略できるので工程
が大幅に単純になり、これに従いコスト節減効果も期待
される。また、感光性フィルムとしてドライフィルムを
使用するので高圧噴射エッチングによる微細ピッチエッ
チング加工が可能である。本発明のリードフレームの製
造方法では、露光時乱反射の問題がないだけでなく製造
工程が連続的に進行され得る。According to the continuous lead frame manufacturing method of the present invention, by performing the plating layer forming step after the etching step, a series of plating layer peeling steps required when plating is first performed. Can be omitted, the process is greatly simplified, and a cost saving effect is expected accordingly. Further, since a dry film is used as the photosensitive film, a fine pitch etching process by high-pressure jet etching is possible. In the method for manufacturing a lead frame according to the present invention, not only the problem of irregular reflection at the time of exposure is eliminated but also the manufacturing process can be continuously performed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】従来の連続的なリードフレーム製造方法を示し
た模式的な製造工程図である。FIG. 1 is a schematic manufacturing process diagram showing a conventional continuous lead frame manufacturing method.

【図２】本発明に基づく連続的なリードフレーム製造方
法を示した模式的な製造工程図である。FIG. 2 is a schematic manufacturing process diagram showing a continuous lead frame manufacturing method according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１１ 基材 １２ メッキ層 １３ 感光性フィルム １３a 感光性フィルムパターン １４ フォトマスク １５ 露出されたメッキ層 １６ 貫通部 ２１ 基材 ２２ 感光性フィルム ２２a エッチング過程後に残っている感光性フィルム ２３ フォトマスク ２４ 貫通部 ２５ メッキ層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Base material 12 Plating layer 13 Photosensitive film 13a Photosensitive film pattern 14 Photomask 15 Exposed plating layer 16 Penetration part 21 Base material 22 Photosensitive film 22a Photosensitive film remaining after etching process 23 Photomask 24 Penetration part 25 plating layer

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 ａ）基材を予熱した後、その両面に感
光性フィルムをラミネートする過程と、 ｂ）前記ラミネートされた基材を露光及び現像して感光
性フィルムパターンを形成する過程と、 ｃ）前記過程ｂ）の結果物をエッチングしてリードフレ
ームパターンを形成する過程と、 ｄ）前記感光性フィルムパターンを除去する過程と、 ｅ）前記過程ｄ）の結果物を選択的にメッキしてメッキ
層を形成する過程と、 ｆ）ダウンセット及びテーピング工程を実施する過程と
を含むリードフレーム製造方法。1. a) preheating the substrate and then laminating a photosensitive film on both sides thereof; b) exposing and developing the laminated substrate to form a photosensitive film pattern; c) etching the resultant of step b) to form a lead frame pattern; d) removing the photosensitive film pattern; and e) selectively plating the resultant of step d). And f) performing a downset and taping step. 【請求項２】 前記感光性フィルムがドライフィルム
であることを特徴とする請求項１に記載の連続的なリー
ドフレーム製造方法。2. The method according to claim 1, wherein the photosensitive film is a dry film. 【請求項３】 前記ドライフィルムの厚さが１乃至１
００ミクロンであることを特徴とする請求項２に記載の
リードフレーム製造方法。3. The dry film having a thickness of 1 to 1
3. The method according to claim 2, wherein the thickness is 00 microns. 【請求項４】 前記過程ａ）で基材を３０乃至８０℃
で予熱することを特徴とする請求項１に記載のリードフ
レーム製造方法。4. In the step a), the substrate is heated to 30 to 80 ° C.
The method for manufacturing a lead frame according to claim 1, wherein the preheating is performed by using a preheating method. 【請求項５】 前記過程ａ）で前記ラミネーティング
工程が１乃至６kgf/cm2の圧力及び８０乃至１４０℃の
温度で実施されることを特徴とする請求項１に記載のリ
ードフレーム製造方法。5. The method according to claim 1, wherein the laminating step is performed at a pressure of 1 to 6 kgf / cm 2 and a temperature of 80 to 140 ° C. in the step a). 【請求項６】 前記過程ｃ）のエッチングがエッチン
グ液を噴射して貫通部を形成することを特徴とする請求
項１に記載のリードフレーム製造方法。6. The method according to claim 1, wherein the etching in the step (c) is performed by spraying an etchant to form a through portion. 【請求項７】 前記過程ｄ）と過程ｅ）との間にメッ
キ前処理過程をさらに含むことを特徴とする請求項１に
記載のリードフレーム製造方法。7. The method of claim 1, further comprising a pre-plating process between the steps d) and e). 【請求項８】 前記メッキ前処理過程がアルカリ電解
脱脂、酸洗浄またはストライクメッキによって実施され
ることを特徴とする請求項７に記載のリードフレーム製
造方法。8. The method according to claim 7, wherein the plating pre-treatment process is performed by alkaline electrolytic degreasing, acid cleaning, or strike plating.
JP29112997A 1996-10-24 1997-10-23 Manufacturing method of lead frame Pending JPH10135387A (en)

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