JPH1012554A - 化合物半導体の製造方法 - Google Patents
化合物半導体の製造方法Info
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- JPH1012554A JPH1012554A JP16154296A JP16154296A JPH1012554A JP H1012554 A JPH1012554 A JP H1012554A JP 16154296 A JP16154296 A JP 16154296A JP 16154296 A JP16154296 A JP 16154296A JP H1012554 A JPH1012554 A JP H1012554A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】得られる化合物半導体の膜厚、組成の均一性お
よび結晶性が優れ、かつ原料効率が高い３−５族化合物
半導体を工業的に製造できる方法を提供する。 【解決手段】有機金属気相成長法によりサセプタに載置
された基板上に一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、
０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）で表わされる３−５族化合物半導体層を含む化合物
半導体を製造する方法において、該化合物半導体が成長
する方向に基板２表面に立てた法線が水平面となす角が
下向きに０度以上９０度以下となるように、基板２をサ
セプタ１に載置し、原料ガスの供給を基板２より下方か
ら行ない、かつ該一般式Ｉｎx ＧａyＡｌz Ｎ（ｘ、
ｙ、ｚの定義は、前記の定義と同じである。）で表わさ
れる３−５族化合物半導体層を成長させるときには、水
素分圧が０．１気圧以下であるキャリアガスを用いる化
合物半導体の製造方法。
よび結晶性が優れ、かつ原料効率が高い３−５族化合物
半導体を工業的に製造できる方法を提供する。 【解決手段】有機金属気相成長法によりサセプタに載置
された基板上に一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、
０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）で表わされる３−５族化合物半導体層を含む化合物
半導体を製造する方法において、該化合物半導体が成長
する方向に基板２表面に立てた法線が水平面となす角が
下向きに０度以上９０度以下となるように、基板２をサ
セプタ１に載置し、原料ガスの供給を基板２より下方か
ら行ない、かつ該一般式Ｉｎx ＧａyＡｌz Ｎ（ｘ、
ｙ、ｚの定義は、前記の定義と同じである。）で表わさ
れる３−５族化合物半導体層を成長させるときには、水
素分圧が０．１気圧以下であるキャリアガスを用いる化
合物半導体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機金属気相成長
法による化合物半導体の製造方法に関する。
法による化合物半導体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）で表わされる３−５族化合物半導体は、その混晶比
を変えることでバンドギャップを紫外から可視領域にか
けて変化できるため、短波長発光素子用材料として有用
である。とくにＩｎＮを混晶比で１０％以上含むものは
バンドギャップが可視領域に当たるため、表示用途に重
要である。
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）で表わされる３−５族化合物半導体は、その混晶比
を変えることでバンドギャップを紫外から可視領域にか
けて変化できるため、短波長発光素子用材料として有用
である。とくにＩｎＮを混晶比で１０％以上含むものは
バンドギャップが可視領域に当たるため、表示用途に重
要である。
【０００３】該３−５族化合物半導体の製造方法として
は、分子線エピタキシー法（以下、ＭＢＥ法と記すこと
がある。）、ハイドライド気相成長法（以下、ＨＶＰＥ
法と記すことがある。）、有機金属気相成長法（以下、
ＭＯＶＰＥ法と記すことがある。）等が挙げられる。こ
の中で、ＭＯＶＰＥ法は、加熱された基板上に該化合物
半導体の構成元素を含む原料ガスをキャリアガスととも
に吹き付け、原料ガスの基板付近での熱分解により該化
合物半導体の結晶を成長させる方法である。ＭＯＶＰＥ
法では、原料の濃度、種類等を制御することで、微細な
層構造の形成が可能であり、また反応炉の形状等を適切
なものとすることで、均一で大面積の膜形成を行なうこ
とができるため重要である。
は、分子線エピタキシー法（以下、ＭＢＥ法と記すこと
がある。）、ハイドライド気相成長法（以下、ＨＶＰＥ
法と記すことがある。）、有機金属気相成長法（以下、
ＭＯＶＰＥ法と記すことがある。）等が挙げられる。こ
の中で、ＭＯＶＰＥ法は、加熱された基板上に該化合物
半導体の構成元素を含む原料ガスをキャリアガスととも
に吹き付け、原料ガスの基板付近での熱分解により該化
合物半導体の結晶を成長させる方法である。ＭＯＶＰＥ
法では、原料の濃度、種類等を制御することで、微細な
層構造の形成が可能であり、また反応炉の形状等を適切
なものとすることで、均一で大面積の膜形成を行なうこ
とができるため重要である。
【０００４】ところで、該化合物半導体のＭＯＶＰＥ法
による成長においては以下述べるような問題点がある。
まず第１に、均一性のよいＩｎを含む層の成長が難しい
点である。第２に、結晶性の高いＩｎを含む該化合物半
導体成長が難しい点である。この２点は、基板を１枚処
理できる程度の小型のＭＯＶＰＥ装置でも問題ではある
が、特に工業的生産に重要な複数枚の基板上に一括して
成長できる大型の装置ではさらに顕著な問題となる。第
３に、該化合物半導体の成長においては、小型の成長装
置では原料効率が他の化合物半導体とほぼ同等であるの
に対して、大型の成長装置では著しく低下する点であ
る。以下、これらの点について詳しく説明する。
による成長においては以下述べるような問題点がある。
まず第１に、均一性のよいＩｎを含む層の成長が難しい
点である。第２に、結晶性の高いＩｎを含む該化合物半
導体成長が難しい点である。この２点は、基板を１枚処
理できる程度の小型のＭＯＶＰＥ装置でも問題ではある
が、特に工業的生産に重要な複数枚の基板上に一括して
成長できる大型の装置ではさらに顕著な問題となる。第
３に、該化合物半導体の成長においては、小型の成長装
置では原料効率が他の化合物半導体とほぼ同等であるの
に対して、大型の成長装置では著しく低下する点であ
る。以下、これらの点について詳しく説明する。
【０００５】第一に、該３−５族化合物半導体におい
て、Ｉｎを含むものと含まないものでは、化学的および
熱的安定性、成長の容易さ等において大きな差が認めら
れる。つまり、Ｉｎを含まないものは、概して水素に対
して安定である。また、１１００℃程度の高温において
も、アンモニア等の窒素源が存在する場合、熱的な劣化
が少ない。実際、ＭＯＶＰＥ法ではサファイア等の基板
上に適当なバッファ層を用い、水素をキャリアガスとし
て、１０００℃以上の高温で高品質な該化合物半導体を
成長できることが知られている。
て、Ｉｎを含むものと含まないものでは、化学的および
熱的安定性、成長の容易さ等において大きな差が認めら
れる。つまり、Ｉｎを含まないものは、概して水素に対
して安定である。また、１１００℃程度の高温において
も、アンモニア等の窒素源が存在する場合、熱的な劣化
が少ない。実際、ＭＯＶＰＥ法ではサファイア等の基板
上に適当なバッファ層を用い、水素をキャリアガスとし
て、１０００℃以上の高温で高品質な該化合物半導体を
成長できることが知られている。
【０００６】一方、Ｉｎを含む化合物半導体は、Ｉｎを
含まないものに比べて分解温度が比較的低く、水素に対
して不安定であることが知られている。また、Ｉｎを含
む該化合物半導体は、Ｉｎを含まないものに比べて伝導
性制御、特にｐ型伝導性制御が難しいことが知られてい
る。具体的には、ＧａＮまたはＡｌＮを混晶比として、
０．３程度まで含むＧａＡｌＮは、発光素子において良
好なｐ型層として用いることができるものが得られてい
る。しかし、Ｉｎを含む化合物半導体では、ｐ型のもの
が得られてはいるが、充分なキャリア濃度が得られてお
らず、実用的な発光素子のｐ型層としては用いることが
できない。
含まないものに比べて分解温度が比較的低く、水素に対
して不安定であることが知られている。また、Ｉｎを含
む該化合物半導体は、Ｉｎを含まないものに比べて伝導
性制御、特にｐ型伝導性制御が難しいことが知られてい
る。具体的には、ＧａＮまたはＡｌＮを混晶比として、
０．３程度まで含むＧａＡｌＮは、発光素子において良
好なｐ型層として用いることができるものが得られてい
る。しかし、Ｉｎを含む化合物半導体では、ｐ型のもの
が得られてはいるが、充分なキャリア濃度が得られてお
らず、実用的な発光素子のｐ型層としては用いることが
できない。
【０００７】ところで、低電圧で駆動できる発光素子を
実現するためには、電荷注入層として高品質のｐ型層と
ｎ型層が必要であるが、上記のような理由からＩｎを含
む層を活性層とする発光素子を作製する場合でも、電荷
注入層はＩｎを含まない該化合物半導体で形成するのが
一般的である。
実現するためには、電荷注入層として高品質のｐ型層と
ｎ型層が必要であるが、上記のような理由からＩｎを含
む層を活性層とする発光素子を作製する場合でも、電荷
注入層はＩｎを含まない該化合物半導体で形成するのが
一般的である。
【０００８】以上説明したように、該Ｉｎを含む化合物
半導体を用いた発光素子の製造においては、成長温度、
キャリアガスを１つの製造工程において大きく変更する
必要があるが、これらの製造条件は、膜厚分布、組成分
布等に大きく影響することが知られている。このため、
１つの工程で膜厚、組成の均一性が良好であっても、温
度やキャリアガスの異なる他の工程ではこれらの均一性
が充分良好なものとするのは困難であった。さらに、工
業的規模に用いることができる大型装置、とくに多数枚
のウエファを同時に処理できる規模のものにおいては、
膜厚、組成の不均一性に伴う歩留まりの低下が避けられ
なかった。
半導体を用いた発光素子の製造においては、成長温度、
キャリアガスを１つの製造工程において大きく変更する
必要があるが、これらの製造条件は、膜厚分布、組成分
布等に大きく影響することが知られている。このため、
１つの工程で膜厚、組成の均一性が良好であっても、温
度やキャリアガスの異なる他の工程ではこれらの均一性
が充分良好なものとするのは困難であった。さらに、工
業的規模に用いることができる大型装置、とくに多数枚
のウエファを同時に処理できる規模のものにおいては、
膜厚、組成の不均一性に伴う歩留まりの低下が避けられ
なかった。
【０００９】第二に、活性層として用いるＩｎを含む該
化合物半導体層は、充分高品質でなければ、高い発光効
率の素子を作製することができない。ジャパニーズ ジ
ャーナル オブ アプライド フィジックス（３４巻
（１９９５年）Ｌ７９７ページ）では、２インチ基板１
枚を処理できる装置で、Ｉｎを含む層を活性層とする高
い発光効率の発光素子が実現できることが報告されてい
る。一方、２インチ基板を複数枚処理できる装置でも同
様の素子の作製が試みられている。これらの大型の装置
でもＧａＮ、ＧａＡｌＮ等のＩｎを含まない該化合物半
導体では、小型の装置と同等の高品質の結晶が得られて
いる（ジャーナル オブ バキューム サイエンス ア
ンド テクノロジー Ｂ１３巻（１９９５年）２０７５
ページ）。ところが、このような大型の装置を用いた場
合には、上述のような発光素子について、いまだに実用
可能な輝度は実現できていない。このことは、大型装置
では高品質のＩｎを含む該化合物半導体の成長が非常に
難しいことを示している。さらに、ＩｎＧａＡｌＰ、Ｉ
ｎＧａＡｓ等の化合物半導体では、工業的規模での複数
枚基板が処理できるＭＯＶＰＥ装置で充分高品質の結晶
が成長できることが知られており、上述のような問題
が、Ｉｎを含む化合物半導体に一般的な問題ではなく、
Ｉｎと窒素を同時に含む化合物半導体に特有な問題であ
ることを示している。
化合物半導体層は、充分高品質でなければ、高い発光効
率の素子を作製することができない。ジャパニーズ ジ
ャーナル オブ アプライド フィジックス（３４巻
（１９９５年）Ｌ７９７ページ）では、２インチ基板１
枚を処理できる装置で、Ｉｎを含む層を活性層とする高
い発光効率の発光素子が実現できることが報告されてい
る。一方、２インチ基板を複数枚処理できる装置でも同
様の素子の作製が試みられている。これらの大型の装置
でもＧａＮ、ＧａＡｌＮ等のＩｎを含まない該化合物半
導体では、小型の装置と同等の高品質の結晶が得られて
いる（ジャーナル オブ バキューム サイエンス ア
ンド テクノロジー Ｂ１３巻（１９９５年）２０７５
ページ）。ところが、このような大型の装置を用いた場
合には、上述のような発光素子について、いまだに実用
可能な輝度は実現できていない。このことは、大型装置
では高品質のＩｎを含む該化合物半導体の成長が非常に
難しいことを示している。さらに、ＩｎＧａＡｌＰ、Ｉ
ｎＧａＡｓ等の化合物半導体では、工業的規模での複数
枚基板が処理できるＭＯＶＰＥ装置で充分高品質の結晶
が成長できることが知られており、上述のような問題
が、Ｉｎを含む化合物半導体に一般的な問題ではなく、
Ｉｎと窒素を同時に含む化合物半導体に特有な問題であ
ることを示している。
【００１０】第三の問題点としては、該化合物半導体の
成長では、成長装置の大型化にともない３族原料の効率
が大きく低下することが挙げられる。原料効率が低下す
ると、３族原料のコストが増大するという問題が生じ
る。また、３族原料のうちＩｎ原料は特に原料効率の低
下が生じやすい。このため、表示用途として重要な高い
Ｉｎ組成の該化合物半導体の成長が大型の成長装置では
難しくなる。さらに３族原料の原料効率の低下にともな
い成長時間を長くしなければならない場合がある。この
場合、生産性が低下する、あるいは５族原料の使用量が
増大し５族原料のコストおよび５族原料の除害コストの
増大という問題も引き起こす。上記の点も、該化合物反
動体で特に顕著な問題である。
成長では、成長装置の大型化にともない３族原料の効率
が大きく低下することが挙げられる。原料効率が低下す
ると、３族原料のコストが増大するという問題が生じ
る。また、３族原料のうちＩｎ原料は特に原料効率の低
下が生じやすい。このため、表示用途として重要な高い
Ｉｎ組成の該化合物半導体の成長が大型の成長装置では
難しくなる。さらに３族原料の原料効率の低下にともな
い成長時間を長くしなければならない場合がある。この
場合、生産性が低下する、あるいは５族原料の使用量が
増大し５族原料のコストおよび５族原料の除害コストの
増大という問題も引き起こす。上記の点も、該化合物反
動体で特に顕著な問題である。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、得ら
れる化合物半導体の膜厚、組成の均一性および結晶性が
優れ、かつ原料効率が高い３−５族化合物半導体を工業
的に製造できる方法を提供することにある。
れる化合物半導体の膜厚、組成の均一性および結晶性が
優れ、かつ原料効率が高い３−５族化合物半導体を工業
的に製造できる方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、これらの
問題を解決するために鋭意検討を行った結果、３−５族
化合物半導体の製造において、基板の保持方法と原料の
供給方法を特定の関係にすることにより上記の問題を解
決でき、均一性に優れた高品質の３−５族化合物半導体
が製造できることを見出し、本発明に至った。すなわ
ち、本発明は、有機金属気相成長法によりサセプタに載
置された基板上に一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただ
し、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１）で表わされる３−５族化合物半導体層を含む化合
物半導体を製造する方法において、該化合物半導体が成
長する方向に基板表面に立てた法線が水平面となす角が
下向きに０度以上９０度以下となるように、基板をサセ
プタに載置し、原料ガスの供給を基板より下方から行な
い、かつ該一般式Ｉｎx Ｇａ y Ａｌz Ｎ（ｘ、ｙ、ｚの
定義は、前記の定義と同じである。）で表わされる３−
５族化合物半導体層を成長させるときには、水素分圧が
０．１気圧以下であるキャリアガスを用いる化合物半導
体の製造方法に係るものである。次に、本発明を詳細に
説明する。
問題を解決するために鋭意検討を行った結果、３−５族
化合物半導体の製造において、基板の保持方法と原料の
供給方法を特定の関係にすることにより上記の問題を解
決でき、均一性に優れた高品質の３−５族化合物半導体
が製造できることを見出し、本発明に至った。すなわ
ち、本発明は、有機金属気相成長法によりサセプタに載
置された基板上に一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただ
し、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ
＝１）で表わされる３−５族化合物半導体層を含む化合
物半導体を製造する方法において、該化合物半導体が成
長する方向に基板表面に立てた法線が水平面となす角が
下向きに０度以上９０度以下となるように、基板をサセ
プタに載置し、原料ガスの供給を基板より下方から行な
い、かつ該一般式Ｉｎx Ｇａ y Ａｌz Ｎ（ｘ、ｙ、ｚの
定義は、前記の定義と同じである。）で表わされる３−
５族化合物半導体層を成長させるときには、水素分圧が
０．１気圧以下であるキャリアガスを用いる化合物半導
体の製造方法に係るものである。次に、本発明を詳細に
説明する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の３−５族化合物半導体の
製造方法は、有機金属気相成長法によりサセプタに載置
された基板上に化合物半導体を製造する方法において、
化合物半導体が成長する方向に基板表面に立てた法線
（以下、基板表面に立てた法線と単に記すことがあ
る。）が水平面となす角が下向きに０度以上下向きに９
０度以下となるように、基板をサセプタに載置すること
を特徴とする。すなわち、結晶成長面方向へ基板上に立
てた法線が水平方向または水平方向より下方に向いてい
ることを特徴とする。具体的には、基板が水平面に垂直
に載置されるもの、または鉛直方向下向きのもの、およ
びその中間の方向を向いたものが挙げられる。
製造方法は、有機金属気相成長法によりサセプタに載置
された基板上に化合物半導体を製造する方法において、
化合物半導体が成長する方向に基板表面に立てた法線
（以下、基板表面に立てた法線と単に記すことがあ
る。）が水平面となす角が下向きに０度以上下向きに９
０度以下となるように、基板をサセプタに載置すること
を特徴とする。すなわち、結晶成長面方向へ基板上に立
てた法線が水平方向または水平方向より下方に向いてい
ることを特徴とする。具体的には、基板が水平面に垂直
に載置されるもの、または鉛直方向下向きのもの、およ
びその中間の方向を向いたものが挙げられる。
【００１４】さらに、本発明の３−５族化合物半導体の
製造方法は、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、０
＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
で表わされる３−５族化合物半導体層を成長させるとき
には、水素分圧が０．１気圧以下であるキャリアガスを
用いることを特徴とする。また、該Ｉｎを含む化合物半
導体層を成長させ、次に別の化合物半導体層を成長させ
るときにも、該Ｉｎを含む化合物半導体層への悪影響を
避けるために、水素分圧が０．１気圧以下であるキャリ
アガスを用いることが好ましい。具体的には、キャリア
ガスとしては、窒素、アルゴン、ヘリウム等のガスを単
独または混合して用いることができる。ただし、該キャ
リアガス中の水素分圧が０．１気圧を超えると、高いＩ
ｎＮ混晶比の該化合物半導体を成長すると充分な結晶性
が得られない場合があるので好ましくない。
製造方法は、一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、０
＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
で表わされる３−５族化合物半導体層を成長させるとき
には、水素分圧が０．１気圧以下であるキャリアガスを
用いることを特徴とする。また、該Ｉｎを含む化合物半
導体層を成長させ、次に別の化合物半導体層を成長させ
るときにも、該Ｉｎを含む化合物半導体層への悪影響を
避けるために、水素分圧が０．１気圧以下であるキャリ
アガスを用いることが好ましい。具体的には、キャリア
ガスとしては、窒素、アルゴン、ヘリウム等のガスを単
独または混合して用いることができる。ただし、該キャ
リアガス中の水素分圧が０．１気圧を超えると、高いＩ
ｎＮ混晶比の該化合物半導体を成長すると充分な結晶性
が得られない場合があるので好ましくない。
【００１５】また、該Ｉｎを含む層以外の化合物半導体
層を成長させるときのキャリアガスとしては、水素、窒
素、アルゴン、ヘリウム等のガスを単独または混合して
用いることができる。これらのキャリアガスのなかで
は、動粘係数が大きく対流を起こしにくいという点で水
素とヘリウムが挙げられる。ただし、ヘリウムは他のガ
スに比べて高価である。水素、窒素およびアルゴンは比
較的安価であるため、大量にキャリアガスを使用する場
合には好適に用いることができる。必要に応じてこれら
のガスにヘリウム等を混合して用いてもよい。
層を成長させるときのキャリアガスとしては、水素、窒
素、アルゴン、ヘリウム等のガスを単独または混合して
用いることができる。これらのキャリアガスのなかで
は、動粘係数が大きく対流を起こしにくいという点で水
素とヘリウムが挙げられる。ただし、ヘリウムは他のガ
スに比べて高価である。水素、窒素およびアルゴンは比
較的安価であるため、大量にキャリアガスを使用する場
合には好適に用いることができる。必要に応じてこれら
のガスにヘリウム等を混合して用いてもよい。
【００１６】さらに、工業的には、サセプタは、２枚以
上の基板を載置することができることが好ましい。すな
わち、１回に２枚以上の基板を用いて化合物半導体を成
長できるいわゆる多数枚取り方法が好ましい。サセプタ
と呼ばれる基板を載置する治具は、多数枚取りの方法で
は、基板の保持される角度により大きく形状が変わる。
すなわち基板表面に立てた法線方向が鉛直方向下向き
（地球中心に向かう方向）または鉛直方向下向きとほぼ
同方向である場合、極めて平坦な構造とすることができ
るが、該法線の方向が鉛直方向下向きからずれるにした
がい、サセプタは立体的な構造になる。サセプタがこの
ように立体的となる例を図１に、平面的になる例を図２
に示す。さらに、サセプタは、得られる化合物半導体が
より均一となるためには該化合物半導体を成長させる基
板を自公転させる機構を有することが好ましい。
上の基板を載置することができることが好ましい。すな
わち、１回に２枚以上の基板を用いて化合物半導体を成
長できるいわゆる多数枚取り方法が好ましい。サセプタ
と呼ばれる基板を載置する治具は、多数枚取りの方法で
は、基板の保持される角度により大きく形状が変わる。
すなわち基板表面に立てた法線方向が鉛直方向下向き
（地球中心に向かう方向）または鉛直方向下向きとほぼ
同方向である場合、極めて平坦な構造とすることができ
るが、該法線の方向が鉛直方向下向きからずれるにした
がい、サセプタは立体的な構造になる。サセプタがこの
ように立体的となる例を図１に、平面的になる例を図２
に示す。さらに、サセプタは、得られる化合物半導体が
より均一となるためには該化合物半導体を成長させる基
板を自公転させる機構を有することが好ましい。
【００１７】サセプタの構造が上記のように立体的にな
るにしたがい、一般にサセプタ重量が増すまたは保持機
構が複雑になる等の問題が生じる。また、製造方法のス
ループットを向上させるため、基板またはウエファをサ
セプタごと交換する場合、サセプタが立体的であるほど
サセプタの交換機構が複雑になるという問題も生じる。
このような観点からは、基板に立てた法線は、サセプタ
がこのような問題を生じないような平坦な構造に近い範
囲にあることが好ましい。具体的には、基板に立てた法
線が水平面となす角が４５度以上９０度以下であること
が好ましく、さらに好ましくは６０度以上９０度以下、
特に好ましくは７５度以上９０度以下である。
るにしたがい、一般にサセプタ重量が増すまたは保持機
構が複雑になる等の問題が生じる。また、製造方法のス
ループットを向上させるため、基板またはウエファをサ
セプタごと交換する場合、サセプタが立体的であるほど
サセプタの交換機構が複雑になるという問題も生じる。
このような観点からは、基板に立てた法線は、サセプタ
がこのような問題を生じないような平坦な構造に近い範
囲にあることが好ましい。具体的には、基板に立てた法
線が水平面となす角が４５度以上９０度以下であること
が好ましく、さらに好ましくは６０度以上９０度以下、
特に好ましくは７５度以上９０度以下である。
【００１８】平坦に近い構造を持つサセプタを用いる場
合、原料の供給口は流れの均一性を得るためには、サセ
プタからある程度の距離を離すことで実現できる。この
場合の具体的な構造例を図３に示す。ただし、該化合物
半導体は、他の３−５族化合物半導体に比べて高温で成
長される。とくにＩｎを含まないものは１０００℃以上
という、非常な高温で成長するのが一般的である。この
ため、原料である有機金属は基板に到達する前に熱分解
し、成長に寄与する効率が低下する場合がある。このよ
うな問題を避けるためには、原料ガスの供給口と基板を
なるべく近付けることが好ましい。このため、原料ガス
の供給口は、複数の基板を載置した部分のほぼ中央に配
置するのが好ましい。具体的な構造例を図４に示す。原
料ガスの供給口がサセプタに対して図４の配置をとる場
合、サセプタ形状は平坦に近い構造である必要はない。
ただし、この構造では、原料ガスの供給口に近い部分の
成長速度が該供給口より離れた部分より大きくなるた
め、基板はいわゆる自公転運動をさせることが好まし
い。
合、原料の供給口は流れの均一性を得るためには、サセ
プタからある程度の距離を離すことで実現できる。この
場合の具体的な構造例を図３に示す。ただし、該化合物
半導体は、他の３−５族化合物半導体に比べて高温で成
長される。とくにＩｎを含まないものは１０００℃以上
という、非常な高温で成長するのが一般的である。この
ため、原料である有機金属は基板に到達する前に熱分解
し、成長に寄与する効率が低下する場合がある。このよ
うな問題を避けるためには、原料ガスの供給口と基板を
なるべく近付けることが好ましい。このため、原料ガス
の供給口は、複数の基板を載置した部分のほぼ中央に配
置するのが好ましい。具体的な構造例を図４に示す。原
料ガスの供給口がサセプタに対して図４の配置をとる場
合、サセプタ形状は平坦に近い構造である必要はない。
ただし、この構造では、原料ガスの供給口に近い部分の
成長速度が該供給口より離れた部分より大きくなるた
め、基板はいわゆる自公転運動をさせることが好まし
い。
【００１９】キャリアガスの膜厚分布等への依存性また
は成長温度の膜厚分布等への依存性を小さくするために
は、成長時の雰囲気の圧力を下げることが好ましい。好
ましい成長時の圧力範囲としては、０．８気圧以下が挙
げられ、０．８気圧以下０．００１気圧以上が好まし
く、さらに好ましくは、０．７気圧以下０．０１気圧以
上である。成長時の雰囲気の圧力が０．００１気圧より
小さい場合、該化合物半導体の結晶性が低下するので好
ましくない。
は成長温度の膜厚分布等への依存性を小さくするために
は、成長時の雰囲気の圧力を下げることが好ましい。好
ましい成長時の圧力範囲としては、０．８気圧以下が挙
げられ、０．８気圧以下０．００１気圧以上が好まし
く、さらに好ましくは、０．７気圧以下０．０１気圧以
上である。成長時の雰囲気の圧力が０．００１気圧より
小さい場合、該化合物半導体の結晶性が低下するので好
ましくない。
【００２０】本発明の化合物半導体の製造方法におい
て、化合物半導体を製造する場合の窒素原料としては、
アンモニア、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１、１−
ジメチルヒドラジン、１、２−ジメチルヒドラジン、ｔ
−ブチルアミン、エチレンジアミンなどが挙げられる。
これらは単独または混合して用いられる。これらの原料
のなかでは、アンモニアとヒドラジンは分子中に炭素原
子を含まないため、半導体中への炭素の汚染が小さく、
本発明において好適に用いることができる。
て、化合物半導体を製造する場合の窒素原料としては、
アンモニア、ヒドラジン、メチルヒドラジン、１、１−
ジメチルヒドラジン、１、２−ジメチルヒドラジン、ｔ
−ブチルアミン、エチレンジアミンなどが挙げられる。
これらは単独または混合して用いられる。これらの原料
のなかでは、アンモニアとヒドラジンは分子中に炭素原
子を含まないため、半導体中への炭素の汚染が小さく、
本発明において好適に用いることができる。
【００２１】次に、３族原料としては、トリメチルガリ
ウム［（ＣＨ3 ）3 Ｇａ、以下ＴＭＧと記すことがあ
る。］、トリエチルガリウム［（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ、以
下ＴＥＧと記すことがある。］等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3
Ｇａ（ここでＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3は低級アルキル基を示
す。）で表されるトリアルキルガリウム；トリメチルア
ルミニウム［（ＣＨ3 ）3 Ａｌ］、トリエチルアルミニ
ウム［（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｌ、以下ＴＥＡと記すことがあ
る。］、トリイソブチルアルミニウム［（ｉ−Ｃ
4Ｈ9 ）3 Ａｌ］等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ａｌ（ここで
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は前記の定義と同じである。）で表さ
れるトリアルキルアルミニウム；トリメチルアミンアラ
ン［（ＣＨ3 ）3 Ｎ：ＡｌＨ3 ］；トリメチルインジウ
ム［（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ、以下ＴＭＩと記すことがあ
る。］、トリエチルインジウム［（Ｃ2 Ｈ5 ）3Ｉｎ］
等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｉｎ（ここでＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3
は前記の定義と同じである。）で表されるトリアルキル
インジウム等が挙げられる。これらは単独または混合し
て用いられる。
ウム［（ＣＨ3 ）3 Ｇａ、以下ＴＭＧと記すことがあ
る。］、トリエチルガリウム［（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ｇａ、以
下ＴＥＧと記すことがある。］等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3
Ｇａ（ここでＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3は低級アルキル基を示
す。）で表されるトリアルキルガリウム；トリメチルア
ルミニウム［（ＣＨ3 ）3 Ａｌ］、トリエチルアルミニ
ウム［（Ｃ2 Ｈ5 ）3 Ａｌ、以下ＴＥＡと記すことがあ
る。］、トリイソブチルアルミニウム［（ｉ−Ｃ
4Ｈ9 ）3 Ａｌ］等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ａｌ（ここで
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 は前記の定義と同じである。）で表さ
れるトリアルキルアルミニウム；トリメチルアミンアラ
ン［（ＣＨ3 ）3 Ｎ：ＡｌＨ3 ］；トリメチルインジウ
ム［（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ、以下ＴＭＩと記すことがあ
る。］、トリエチルインジウム［（Ｃ2 Ｈ5 ）3Ｉｎ］
等の一般式Ｒ1 Ｒ2 Ｒ3 Ｉｎ（ここでＲ1 、Ｒ2 、Ｒ3
は前記の定義と同じである。）で表されるトリアルキル
インジウム等が挙げられる。これらは単独または混合し
て用いられる。
【００２２】該３−５族化合物半導体のｐ型ドーパント
として、２族元素が重要である。具体的にはＭｇ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂｅが挙げられるが、このなかでは低
抵抗のｐ型のものがつくりやすいＭｇが好ましい。Ｍｇ
ドーパントの原料としては、ビスシクロペンタジエニル
マグネシウム、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネ
シウム、ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウ
ム、ビスｎ- プロピルシクロペンタジエニルマグネシウ
ム、ビス−ｉ−プロピルシクロペンタジエニルマグネシ
ウム等の一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ（ただし、Ｒは水
素または炭素数１以上４以下の低級アルキル基を示
す。）で表される有機金属化合物が適当な蒸気圧を有す
るために好適である。
として、２族元素が重要である。具体的にはＭｇ、Ｚ
ｎ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ｂｅが挙げられるが、このなかでは低
抵抗のｐ型のものがつくりやすいＭｇが好ましい。Ｍｇ
ドーパントの原料としては、ビスシクロペンタジエニル
マグネシウム、ビスメチルシクロペンタジエニルマグネ
シウム、ビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウ
ム、ビスｎ- プロピルシクロペンタジエニルマグネシウ
ム、ビス−ｉ−プロピルシクロペンタジエニルマグネシ
ウム等の一般式（ＲＣ5 Ｈ4 ）2 Ｍｇ（ただし、Ｒは水
素または炭素数１以上４以下の低級アルキル基を示
す。）で表される有機金属化合物が適当な蒸気圧を有す
るために好適である。
【００２３】該３−５族化合物半導体のｎ型ドーパント
として、４族元素と６族元素が重要である。具体的には
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｏが挙げられるが、この中では低抵抗のｎ
型がつくりやすく、原料純度の高いものが得られるＳｉ
が好ましい。Ｓｉドーパントの原料としては、シラン
（ＳｉＨ4 ）、ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）、モノメチルシ
ラン（ＳｉＨ3 ＣＨ3 ）などが好適である。
として、４族元素と６族元素が重要である。具体的には
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｏが挙げられるが、この中では低抵抗のｎ
型がつくりやすく、原料純度の高いものが得られるＳｉ
が好ましい。Ｓｉドーパントの原料としては、シラン
（ＳｉＨ4 ）、ジシラン（Ｓｉ2 Ｈ6 ）、モノメチルシ
ラン（ＳｉＨ3 ＣＨ3 ）などが好適である。
【００２４】なお、図１の例では、３族原料と５族原料
が同一の供給口より基板に導かれるが、３族原料と５族
原料の供給口を分離してもよい。とくに、５族原料から
なる層流を通して３族原料を供給する構造では、３族原
料の前分解が低減でき、均一性も向上する場合があるた
め好適に用いることができる。このような方式の原料供
給口の構造例を図５、６に示す。
が同一の供給口より基板に導かれるが、３族原料と５族
原料の供給口を分離してもよい。とくに、５族原料から
なる層流を通して３族原料を供給する構造では、３族原
料の前分解が低減でき、均一性も向上する場合があるた
め好適に用いることができる。このような方式の原料供
給口の構造例を図５、６に示す。
【００２５】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。 実施例１ 図２に示した構造の方法を用いて３−５族化合物半導体
を作製した。サセプタは、ＳｉＣを表面にコートしたグ
ラファイト製であり、直径２インチの基板を６枚載置で
きる構造であり、加熱は基板の背面からのランプ加熱に
より行なった。有機洗浄したＣ面を主面とするサファイ
ア基板をサセプタに装着した。成長室の圧力が０．２５
気圧となるように排気バルブを調整しながら、キャリア
ガスを水素とし、６００℃でＴＭＧとアンモニアによ
り、ＧａＮの低温バッファ層を約５００Å、１１００℃
でＴＭＧとアンモニアにより、ノンドープのＧａＮ層を
９０分成長した。成長中は基板は自公転運動を行なっ
た。６枚の基板のうち１枚について成長膜の膜厚を基板
の直径方向に沿って測定したところ、基板の周囲４ｍｍ
を除いた部分で、平均膜厚が３．１μｍ、膜厚の最大と
最小の差は０．４μｍであった。他の５枚については平
均膜厚が３．２μｍから３．０μｍの間にあり、いずれ
の基板についても膜厚の最大と最小の差は０．４μｍで
あった。
に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。 実施例１ 図２に示した構造の方法を用いて３−５族化合物半導体
を作製した。サセプタは、ＳｉＣを表面にコートしたグ
ラファイト製であり、直径２インチの基板を６枚載置で
きる構造であり、加熱は基板の背面からのランプ加熱に
より行なった。有機洗浄したＣ面を主面とするサファイ
ア基板をサセプタに装着した。成長室の圧力が０．２５
気圧となるように排気バルブを調整しながら、キャリア
ガスを水素とし、６００℃でＴＭＧとアンモニアによ
り、ＧａＮの低温バッファ層を約５００Å、１１００℃
でＴＭＧとアンモニアにより、ノンドープのＧａＮ層を
９０分成長した。成長中は基板は自公転運動を行なっ
た。６枚の基板のうち１枚について成長膜の膜厚を基板
の直径方向に沿って測定したところ、基板の周囲４ｍｍ
を除いた部分で、平均膜厚が３．１μｍ、膜厚の最大と
最小の差は０．４μｍであった。他の５枚については平
均膜厚が３．２μｍから３．０μｍの間にあり、いずれ
の基板についても膜厚の最大と最小の差は０．４μｍで
あった。
【００２６】あらたに別の基板を用いて、上記の条件と
同様にして９０分ＧａＮを成長した後、キャリアガスを
窒素、成長温度を８００℃とし、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アン
モニアを用いてＩｎＧａＮを約１０００Å、ＧａＮを約
３００Å成長した。作製した試料の内１枚について、液
体窒素温度でフォトルミネッセンス（以下、ＰＬと記す
ことがある。）スペクトルを測定し、スペクトルのピー
ク波長からＩｎＮの混晶比を求めた。ＩｎＮ混晶比基板
の周辺４ｍｍを除く全面にわたり２５±２％であった。
他の５枚の基板についても同様の結果が得られた。
同様にして９０分ＧａＮを成長した後、キャリアガスを
窒素、成長温度を８００℃とし、ＴＭＧ、ＴＭＩ、アン
モニアを用いてＩｎＧａＮを約１０００Å、ＧａＮを約
３００Å成長した。作製した試料の内１枚について、液
体窒素温度でフォトルミネッセンス（以下、ＰＬと記す
ことがある。）スペクトルを測定し、スペクトルのピー
ク波長からＩｎＮの混晶比を求めた。ＩｎＮ混晶比基板
の周辺４ｍｍを除く全面にわたり２５±２％であった。
他の５枚の基板についても同様の結果が得られた。
【００２７】比較例１ 図２に示した装置と上下を逆にした反応炉を用いたこと
を除いては実施例１と同様にしてＧａＮを９０分成長し
た。６枚の基板のうち１枚について成長膜の厚さを基板
の直径方向に沿って測定したところ、基板の周囲４ｍｍ
を除いた部分で、平均膜厚が２．５μｍ、膜厚の最大と
最小の差は０．８μｍであった。他の５枚については平
均膜厚が２．４μｍから２．７μｍの間にあり、いずれ
の基板についても膜厚の最大と最小の差は０．８μｍで
あった。
を除いては実施例１と同様にしてＧａＮを９０分成長し
た。６枚の基板のうち１枚について成長膜の厚さを基板
の直径方向に沿って測定したところ、基板の周囲４ｍｍ
を除いた部分で、平均膜厚が２．５μｍ、膜厚の最大と
最小の差は０．８μｍであった。他の５枚については平
均膜厚が２．４μｍから２．７μｍの間にあり、いずれ
の基板についても膜厚の最大と最小の差は０．８μｍで
あった。
【００２８】あらたに別の基板を用いて、実施例１と同
様にしてＧａＮとＩｎＧａＮの積層膜成長した。作製し
た試料の内１枚について、液体窒素温度でＰＬスペクト
ルを測定し、ピーク波長からＩｎＮの混晶比を求めた。
ＩｎＮ混晶比基板の周辺４ｍｍを除く全面にわたり１７
±５％であった。他の５枚の基板についても同様の結果
が得られた。
様にしてＧａＮとＩｎＧａＮの積層膜成長した。作製し
た試料の内１枚について、液体窒素温度でＰＬスペクト
ルを測定し、ピーク波長からＩｎＮの混晶比を求めた。
ＩｎＮ混晶比基板の周辺４ｍｍを除く全面にわたり１７
±５％であった。他の５枚の基板についても同様の結果
が得られた。
【００２９】実施例２ 成長を０．５気圧で行なったことを除いては実施例１の
反応炉を用いて、以下述べるようにＬＥＤを作製した。
まず、実施例１と同様にして、ＧａＮ低温バッファ層、
つぎにＴＭＧ、アンモニアに加えてＳｉＨ4 を原料とし
て、１１００℃でＳｉをドープしたＧａＮ層を３μｍ成
長した。さらに、キャリアガスを窒素に切り替え、ＴＥ
Ｇ、ＴＭＩ、およびアンモニアを原料として８００℃で
Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ｎを５０Å、次にＴＥＧ、ＴＥＡおよ
びアンモニアを原料としてＧａ0. 8 Ａｌ0.2 Ｎを２５０
Å成長した。次に、１１００℃で、ＴＭＧ、アンモニア
およびビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウムを
用いてＭｇをドープしたＧａＮを５０００Å成長した。
反応炉を用いて、以下述べるようにＬＥＤを作製した。
まず、実施例１と同様にして、ＧａＮ低温バッファ層、
つぎにＴＭＧ、アンモニアに加えてＳｉＨ4 を原料とし
て、１１００℃でＳｉをドープしたＧａＮ層を３μｍ成
長した。さらに、キャリアガスを窒素に切り替え、ＴＥ
Ｇ、ＴＭＩ、およびアンモニアを原料として８００℃で
Ｉｎ0.25Ｇａ0.75Ｎを５０Å、次にＴＥＧ、ＴＥＡおよ
びアンモニアを原料としてＧａ0. 8 Ａｌ0.2 Ｎを２５０
Å成長した。次に、１１００℃で、ＴＭＧ、アンモニア
およびビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウムを
用いてＭｇをドープしたＧａＮを５０００Å成長した。
【００３０】成長終了後、基板を取り出し、窒素中８０
０℃で熱処理を行ないＭｇドープ層を低抵抗のｐ型層と
し、得られた試料のうち周辺部４ｍｍを除く部分から常
法に従い電極を形成しＬＥＤを作製した。電極の不良等
による不良品が２０％あり、不良品を除いたＬＥＤの２
０ｍＡでの輝度を調べたところ、全体の８５％が最も明
るいＬＥＤの８０％以上の輝度を示した。
０℃で熱処理を行ないＭｇドープ層を低抵抗のｐ型層と
し、得られた試料のうち周辺部４ｍｍを除く部分から常
法に従い電極を形成しＬＥＤを作製した。電極の不良等
による不良品が２０％あり、不良品を除いたＬＥＤの２
０ｍＡでの輝度を調べたところ、全体の８５％が最も明
るいＬＥＤの８０％以上の輝度を示した。
【００３１】比較例２ 比較例１の反応炉を用いたことを除いては実施例２と同
様にしてＬＥＤを作製した。電極の不良等による不良品
が２３％あり、不良品を除いたＬＥＤの２０ｍＡでの輝
度を調べたところ、最も明るいＬＥＤの輝度は実施例２
とほぼ同じであったが、全体の６５％しか最も明るいＬ
ＥＤの８０％以上の輝度を示さなかった。
様にしてＬＥＤを作製した。電極の不良等による不良品
が２３％あり、不良品を除いたＬＥＤの２０ｍＡでの輝
度を調べたところ、最も明るいＬＥＤの輝度は実施例２
とほぼ同じであったが、全体の６５％しか最も明るいＬ
ＥＤの８０％以上の輝度を示さなかった。
【００３２】実施例３ 図６に示した構造の装置を用いたことを除いては実施例
２と同様にして、ＬＥＤを作製した。電極の不良等によ
る不良品が１５％あり、不良品を除いたＬＥＤの２０ｍ
Ａでの輝度を調べたところ、最も明るいＬＥＤの輝度は
実施例２とほぼ同じであり、全体の８８％以上が最も明
るいＬＥＤの８０％以上の輝度を示した。
２と同様にして、ＬＥＤを作製した。電極の不良等によ
る不良品が１５％あり、不良品を除いたＬＥＤの２０ｍ
Ａでの輝度を調べたところ、最も明るいＬＥＤの輝度は
実施例２とほぼ同じであり、全体の８８％以上が最も明
るいＬＥＤの８０％以上の輝度を示した。
【００３３】
【発明の効果】本発明の化合物半導体の製造方法によ
り、原料効率が優れ、かつ得られる化合物半導体の膜
厚、組成の均一性に優れた高品質の３−５族化合物半導
体を得ることができる。該化合物半導体を用いて作製さ
れた発光素子は高い発光効率を示す。
り、原料効率が優れ、かつ得られる化合物半導体の膜
厚、組成の均一性に優れた高品質の３−５族化合物半導
体を得ることができる。該化合物半導体を用いて作製さ
れた発光素子は高い発光効率を示す。
【図１】本発明の化合物半導体の製造方法の１例を示す
概略図（基板の成長面方向への法線が水平に近い場
合）。
概略図（基板の成長面方向への法線が水平に近い場
合）。
【図２】本発明の化合物半導体の製造方法の１例を示す
概略図（基板の成長面方向への法線が鉛直の場合）。
概略図（基板の成長面方向への法線が鉛直の場合）。
【図３】本発明の化合物半導体の製造方法の１例を示す
概略図（ガスをサセプタの端部より導入する場合）。
概略図（ガスをサセプタの端部より導入する場合）。
【図４】本発明の化合物半導体の製造方法の１例を示す
概略図（ガスをサセプタの中心部より導入する場合）。
概略図（ガスをサセプタの中心部より導入する場合）。
【図５】図３の構造の製造方法において、ガスの供給を
複数の供給口から分けて行なう場合の概略図。
複数の供給口から分けて行なう場合の概略図。
【図６】図４の構造の製造方法において、ガスの供給を
複数の供給口から分けて行なう場合の概略図。
複数の供給口から分けて行なう場合の概略図。
１・・・サセプタ ２・・・基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｃ (72)発明者 乾 勝美 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内
Claims (4)
- 【請求項１】有機金属気相成長法によりサセプタに載置
された基板上に一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌz Ｎ（ただし、
０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝
１）で表わされる３−５族化合物半導体層を含む化合物
半導体を製造する方法において、該化合物半導体が成長
する方向に基板表面に立てた法線が水平面となす角が下
向きに０度以上９０度以下となるように、基板をサセプ
タに載置し、原料ガスの供給を基板より下方から行な
い、かつ該一般式Ｉｎx Ｇａy Ａｌ z Ｎ（ｘ、ｙ、ｚの
定義は、前記の定義と同じである。）で表わされる３−
５族化合物半導体層を成長させるときには、水素分圧が
０．１気圧以下であるキャリアガスを用いることを特徴
とする化合物半導体の製造方法。 - 【請求項２】サセプタは、２枚以上の基板を載置するこ
とができ、かつ該基板を自公転させる機構を有すること
を特徴とする請求項１記載の化合物半導体の製造方法。 - 【請求項３】原料ガスの供給口が２枚以上の基板のほぼ
中央に設置されていることを特徴とする請求項２記載の
化合物半導体の製造方法。 - 【請求項４】化合物半導体の成長を０．８気圧以下で行
なうことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
化合物半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16154296A JPH1012554A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 化合物半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16154296A JPH1012554A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 化合物半導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012554A true JPH1012554A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15737089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16154296A Pending JPH1012554A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 化合物半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012554A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11288886A (ja) * | 1998-04-03 | 1999-10-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体の作製方法 |
| JP2007134463A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Koha Co Ltd | 窒化物半導体成長基板及びその製造方法 |
| EP2131388A1 (en) * | 2007-03-28 | 2009-12-09 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gallium nitride epitaxial wafer, and method of fabricating gallium nitride semiconductor light emitting device |
| US7825012B2 (en) | 2008-09-24 | 2010-11-02 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for manufacturing nitride semiconductor device |
| EP2169732A3 (en) * | 2008-09-26 | 2010-11-03 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Gallium nitride-based epitaxial wafer and method of fabricating epitaxial wafer |
| US7923742B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-04-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Method for production of a nitride semiconductor laminated structure and an optical semiconductor device |
| US8216375B2 (en) | 2005-02-23 | 2012-07-10 | Bridgelux, Inc. | Slab cross flow CVD reactor |
| US8216419B2 (en) | 2008-03-28 | 2012-07-10 | Bridgelux, Inc. | Drilled CVD shower head |
| US8506754B2 (en) | 2007-04-26 | 2013-08-13 | Toshiba Techno Center Inc. | Cross flow CVD reactor |
| US8668775B2 (en) | 2007-10-31 | 2014-03-11 | Toshiba Techno Center Inc. | Machine CVD shower head |
-
1996
- 1996-06-21 JP JP16154296A patent/JPH1012554A/ja active Pending
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