JPH1012540A - 処理装置 - Google Patents
処理装置Info
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- JPH1012540A JPH1012540A JP17841696A JP17841696A JPH1012540A JP H1012540 A JPH1012540 A JP H1012540A JP 17841696 A JP17841696 A JP 17841696A JP 17841696 A JP17841696 A JP 17841696A JP H1012540 A JPH1012540 A JP H1012540A
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
給することによって欠陥のない処理が可能な基板の処理
装置を提供する。 【解決手段】 基板Sを載置させる載置台21と、この
載置台21に載置された基板Sの周囲を取り囲むように
装着されるケーシング50と、ケーシング50が装着さ
れた基板Sの表面に処理液を供給する処理液供給手段5
7を備えていることを特徴とする。
Description
や半導体ウェハのような基板の現像処理などを行う装置
に関する。
どの製造においては、基板であるLCD基板や半導体ウ
ェハの上面にレジスト膜パターンを形成させるために、
いわゆるリソグラフィ処理が行われる。このリソグラフ
ィ処理は、基板の洗浄、基板の表面へのレジスト膜の塗
布、そのレジスト膜の露光、現像など、種々の処理工程
を含んでいる。
現像処理を行う工程はリソグラフィ処理の中でも最も厳
密な制御を必要とする工程の一つである。レジスト膜の
現像を行うに際しては基板上にむらなく現像液が供給さ
れ、基板の全面にわたってレジストが均一に現像される
ことが重要である。基板上に現像液を供給する方法とし
ては、従来よりスキャニング方式、スピン方式、ディッ
プ方式、スプレー方式等が知られている。スキャニング
方式は、載置台に載置された基板上に多数のノズルを備
えたノズルユニットをスキャンさせて基板表面全体に現
像液を供給する方式である。スピン方式は、カップ内に
おいてスピンチャック上に吸着した基板を回転させるこ
とによって現像液を遠心力で拡散させる方式である。デ
ィップ方式は、現像液中に基板を浸漬させる方式であ
る。スプレー方式は、ポンプ等で加圧した現像液を噴霧
状にして基板上に吹き付ける方式である。そして、これ
ら各方式により現像液を供給して現像処理を終了した
後、リンス液を用いて基板をリンス洗浄している。
基板などにあっては薄いガラスの板で構成されているた
めに、載置台に載置した際にたわみを生じやすく、周縁
部が自重で垂れ下がって基板の中央よりも低くなってし
まう。このため、表面に塗布した現像液が基板端部では
傾斜によって下方に流れ落ちてしまうことが多い。ま
た、基板の表面に塗布されているレジスト膜はノボラッ
ク樹脂が一般で揮発性であり、他方、現像液は水にテト
ラメチルアンモニウムハイドロオキサイト(TMAH)
を2.38%溶解させた水溶性のTMAH水溶液が一般
であるため、両者のなじみが良くなく、基板の端部まで
均等に現像液を広げにくい。
なければ、現像が不十分になり、いわゆる現像の欠陥が
発生する。また、レジスト膜上に現像液の多い部分と少
ない部分ができると、現像の均一性が乱されるといった
問題も生ずる。
板の表面に均一に現像液の如き処理液を供給することに
よって欠陥のない処理が可能な基板の処理装置を提供す
ることにある。
を載置させる載置台と、この載置台に載置された基板の
周囲を取り囲むように装着されるケーシングと、該ケー
シングが装着された基板の表面に処理液を供給する処理
液供給手段を備えていることを特徴とする処理装置であ
る。この処理装置において基板とは、例えばLCD基板
や半導体ウェハなどである。そのような基板を載置台に
載置して基板の周囲を取り囲むようにケーシングを装着
する。そして、このケーシングが装着された基板の表面
に処理液を供給する。すると、周囲がケーシングで取り
囲まれているため、基板の表面に供給された処理液が基
板の周縁部から流れ落ちることなく、これにより、基板
の表面に処理液をむらなく供給することが可能となる。
項2に記載したように、前記ケーシングが載置台に載置
された基板に装着される下降位置と、前記ケーシングが
載置台に載置された基板の上方に退避した上昇位置と
に、前記ケーシングを昇降移動させる昇降手段を備えて
いることが好ましい。そうすれば、基板を載置台上に載
置させる際にはケーシングを上昇退避させ、基板を載置
台上に載置させた後にケーシングを下降させることによ
って基板にケーシングを装着することができる。
板の表面に供給された処理液を吸引除去する吸引ノズル
を備えていても良い。そうすれば、処理の終了した処理
液をこの吸引ノズルから吸引除去することができるよう
になる。
ーシングが載置台に載置された基板の周囲を取り囲むよ
うに配置された側壁部と基板の上方を覆うように配置さ
れた天板部を備えており、該天板部には多数の通気孔が
形成されている構成としても良い。請求項5に記載した
ように、この通気孔を介してケーシングの内部に外部の
空気を送り込むことによって処理液を攪拌し、処理効率
を向上させることができるようになる。
本発明の好ましい実施の形態について説明する。
の一端側にカセットステーション3を備えている。この
カセットステーション3にはLCD用基板S(以下、
「基板S」という)を収容した複数のカセット2が載置
されている。カセットステーション3のカセット2の正
面側には基板Sの搬送及び位置決めを行うと共に、基板
Sを保持してメインアーム4との間で受け渡しを行うた
めの補助アーム5が設けられている。メインアーム4
は、処理システム1の中央部を長手方向に移動可能に、
二基直列に配置されており、その移送路の両側には、現
像装置6その他の各種処理装置が配置されている。
トステーション3側の側方には、基板Sをブラシ洗浄す
るためのブラシスクラバ7及び高圧ジェット水により洗
浄を施すための高圧ジェット洗浄機8等が並設されてい
る。また、メインアーム4の移送路を挟んで反対側に現
像装置6が二基並設され、その隣りに二基の加熱装置9
が積み重ねて設けられている。
フェースユニット10を介して、基板Sにレジスト膜を
塗布する前に基板Sを疎水処理するアドヒージョン装置
11が設けられ、このアドヒージョン装置11の下方に
は冷却用クーリング装置12が配置されている。また、
これらアドヒージョン装置11及びクーリング装置12
の側方に加熱装置13が二列に二個づつ積み重ねて配置
される。メインアーム4の移送路を挟んで反対側には基
板Sにレジスト液を塗布することによって基板Sの表面
にレジスト膜(感光膜)を形成するレジスト膜塗布装置
14が二台並設されている。図示はしないが、これらレ
ジスト膜塗布装置14の側部には、基板S上に形成され
たレジスト膜に所定の微細パターンを露光するための露
光装置等が設けられる。
機構、およびZ軸駆動機構を備えており(X軸、Y軸、
Z軸の各方向は図1に示す)、更に、Z軸を中心に回転
するθ回転駆動機構をそれぞれ備えている。このメイン
アーム4がレジスト処理システム1の中央通路に沿って
適宜走行して、各処理装置6、9、11〜13の間で基
板Sを搬送する。そして、メインアーム4は、各処理装
置6、9、11〜13内に処理前の基板Sを搬入し、ま
た、各処理装置6、9、11〜13内から処理後の基板
Sを搬出する。
にはカップ20が設けられ、カップ20の中には載置台
21が設けられている。この載置台21の上面には真空
吸着機構の吸引孔(図示せず)が開口しており、基板S
が載置台21の上面に吸着保持されるようになってい
る。載置台21の下面中央にはロッド22が取り付けら
れており、該ロッド22は、軸受23によって回転自在
かつ昇降自在に支持されている。また、このロッド22
の下端にエアシリンダ等で構成される昇降機構24を装
着すると共に、ロッド22に取り付けたプーリ25にモ
ータ26の回転動力をプーリ27およびベルト28を伝
達している。これにより、載置台21は昇降自在かつ回
転自在に構成されている。
4によって現像装置6内に搬入され、こうして搬入され
た基板Sを、昇降機構24の稼働で上昇した載置台21
で突き上げることにより、基板Sを載置台21上に載置
させることができる。図2において一点鎖線で示した基
板Sは、このように昇降機構24の稼働で上昇した載置
台21(一点鎖線で示す)で突き上げられたものを示し
ている。
板Sを受け取った後、メインアーム4は現像装置6外に
退出する。更にその後、昇降機構24の稼働で載置台2
1が下降することにより、基板Sをカップ20内に収納
することができる。図2において実線で示した基板S
は、このように昇降機構24の稼働で載置台21が下降
し、カップ20内に収納された状態を示している。
吸着保持された基板Sのまわりを取り囲むように環状に
設けられ、基板Sの表面に供給される現像液や洗浄水
(リンス液)の飛散を防止するようになっている。この
カップ22は耐食性の樹脂または金属で構成される。
1を備えている。外カップ30は上カバー32と下カバ
ー33を有しており、これら上カバー32と下カバー3
3は、何れも上に行くに従って内側に絞られた形状にな
っている。下カバー33の上端開口部の直径は、基板S
を上方からカップ20内に挿入するのに十分な大きさを
有している。上カバー32の上端開口部の直径は、下カ
バー33の上端開口部の直径よりも更に大きく形成され
ている。
れたブラケット35にはシリンダ36のピストンロッド
37が接続されており、このシリンダ36の稼働によっ
て外カップ30は昇降する構成になっている。図2にお
いて実線で示される外カップ30は、シリンダ36の短
縮稼働によって下降した状態を示している。このように
外カップ30が下降しているときは、外カップ30の下
カバー33がカップ20内に収納された基板Sよりも下
側に位置し、上カバー32はカップ20内に収納された
基板Sよりも上側に位置するようになっている。一方、
図2において一点鎖線で示した上カバー32と下カバー
33は、シリンダ36の伸張稼働によって上昇した状態
を示している。図示のように、外カップ30が上昇した
ときは、外カップ30の下カバー33と上カバー32の
両方がカップ20内に収納された基板Sよりも上側に位
置するようになっている。
高さに固定されている。内カップ31には、カップ20
内に収納された基板Sの周縁部下方において外側に行く
に従って低くなるように傾斜したスロープ部40が形成
されており、このスロープ部40の周縁は環状の樋部4
1に接続されている。この樋部41の底面は水平面に対
して若干傾斜しており、その最も低い箇所に廃液管42
が接続されている。
方にはケーシング50が設けられている。このケーシン
グ50は現像装置6の上部に配置されたエアシリンダ5
1のピストンロッド52下端に支持されており、ケーシ
ング50はエアシリンダ51の稼働によって昇降するよ
うになっている。
Sの周囲を丁度取り囲むことができる大きさに形成され
た側壁部55と、この側壁部55の上方に配置された天
板部56を備えている。天板部56には、外部の空気を
取り込むための多数の通気孔59が全体に渡って形成さ
れている。これら通気孔59によって現像液の乱流を防
止でき、現像液を均一に供給することができる。また、
天板部56のほぼ中央には現像液の供給ノズル57が設
けられている。ケーシング50の側壁部55の適当な箇
所には、後述するように、現像処理の終了後において基
板Sの表面に残っている現像液を吸引除去する吸引ノズ
ル58が設けられている。また、これら通気孔59と吸
引ノズル58とによってケーシング50内の空気を一方
向に流すことができ、現像液の乱流をより良く防止で
き、現像液を均一に流すことができる。
は、エアシリンダ51の短縮稼働によって上昇した状態
である。この状態では、ケーシング50は載置台21に
載置されている基板Sの上方に退避している。このよう
にエアシリンダ51が短縮稼働したときは、ケーシング
50は、昇降機構24の稼働で上昇した載置台21によ
って突き上げられた基板S(図2において一点鎖線で示
される)よりも更に上方に位置している。
シング50は、エアシリンダ51の伸張稼働によって下
降した状態である。このように下降した際には、図4に
示すようにケーシング50の側壁部55の内側が、載置
台21上の基板Sの周囲を取り囲むように装着された状
態となる。
現像装置6内部に清浄な空気のダウンフローを形成する
ファンフィルタユニット60が配置されている。このフ
ァンフィルタユニット60によって作り出されたダウン
フローが、先に図4で説明したケーシング50の天板部
56に形成された通気孔59を通過して、ケーシング5
0の下方に流れ出ることができるように構成されてい
る。
載置台21上の基板Sにリンス液を供給するリンスノズ
ルや基板Sの乾燥用のドライガスを供給するドライガス
供給ノズル等を備えている。また、載置台21の下方に
も複数のリンスノズル(図示せず)が設けられており、
載置台21上の基板Sの裏面に対してリンス液を噴射し
て基板Sの裏面を洗浄するようになっている。
像処理する場合について説明すると、先ず、図1に示す
ようにカセットステーション3に載置されたカセット2
内から補助アーム5によって基板Sを取り出し、これを
メインアーム4に受け渡す。メインアーム4は基板Sを
ブラシスクラバ7に搬入し、ブラシスクラバ7はその基
板Sをブラシ洗浄処理する。この洗浄した基板Sをメイ
ンアーム4で加熱ユニット9内に搬入し、乾燥する。な
お、プロセスに応じて高圧ジェット洗浄機8内にて高圧
ジェット水により基板Sを洗浄するようにしてもよい。
基板Sをアドヒージョン処理する。さらに、クーリング
ユニット12で基板Sを冷却した後に、コーティングユ
ニット14にてレジストを基板Sの表面に塗布する。そ
して、基板Sを加熱ユニット13でベーキング処理した
後に、露光装置(図示せず)でレジスト膜を露光処理す
る。そして、露光後の基板Sを現像装置6内へ搬入す
る。なお、この搬入の際にはエアシリンダ51の短縮稼
働により、ケーシング50は上方に退避した状態になっ
ている。
が上昇してメインアーム4から基板Sを受け取り、載置
台21上面に基板Sを吸着保持する。そして、載置台2
1の下降により基板Sはカップ20内に収納される。次
に、エアシリンダ51の伸張稼働により、ケーシング5
0が下降する。この下降により、図4に示すようにケー
シング50の側壁部55の内側が、載置台21上の基板
Sの周囲を取り囲むように装着された状態となる。な
お、このケーシング50の下降の際にはシリンダ36の
短縮稼働によって外カップ30は下降した状態になって
いるので、外カップ30の下カバー33がケーシング5
0の下降を妨げる心配はない。
給ノズル57から現像液を供給し、ケーシング50内部
において基板Sの表面の現像処理を開始する。この場
合、ケーシング50の側壁部55が基板Sの周囲を丁度
取り囲むように配置されているので、基板Sの表面に供
給された現像液が基板Sの周縁部から流れ落ちることな
く、これにより、図4に示すように基板Sの表面に現像
液の層61を形成することにより、むらなく現像処理す
ることが可能となる。
ァンフィルタユニット60によるダウンフローが、ケー
シング50の天板部56に形成した通気孔59を通過し
てケーシング50の内部に送り込まれることになる。こ
れにより、基板S表面の現像液層61内において現像液
が攪拌され、現像処理の効率が向上される。また、少量
の現像液で均等な現像処理ができ、現像時間も短縮でき
る。
にて基板Sの表面に残っている現像液を吸引除去する。
なお、この吸引除去した使用済みの現像液を再生して再
び使用すれば、無駄がなく経済的である。
1の短縮稼働によりケーシング50を再び上方に退避さ
せる。また、シリンダ36を伸張稼働させて外カップ3
0を上昇させ、外カップ30の下カバー33と上カバー
32が載置台21上の基板Sよりも上側に位置する状態
にする。
Sの表面にリンス液を供給し、リンス洗浄を開始する。
これにより基板S上に残留する現像液が洗い流される。
この際、超音波振動子などを用いてリンス液に超音波を
印加すると、基板Sの表面からパーティクルが離脱し易
くなるので、洗浄の処理効率が大幅に向上する。また、
このリンス液の供給と同時に、下方に配置されたノズル
(図示せず)から基板Sの裏面に向かって洗浄水を噴き
付け、基板Sの裏面を洗浄する。
働によって載置台21が回転を開始し、基板Sも回転す
る。これにより、基板Sに付着していたリンス液が遠心
力で周囲に吹き飛ばされ、基板Sが乾燥した状態とな
る。また、吹き飛ばされた排液は外カップ30の下カバ
ー33下面と内カップ31のスロープ部40上面との間
で捕捉され、その傾斜に従って流れ落ちて樋部41に溜
められる。そして、この樋部41に溜められた排液は廃
液管42を経て適宜廃棄されることになる。
1の上昇で持ち上げた基板Sをメインアーム4で現像装
置6から搬出し、その基板Sは加熱ユニット9で加熱さ
れ、さらにカセットステーション3のカセット2内に収
納される。
装着した基板の上面に現像液などの処理液を層状に供給
することによって均一な処理を行うことができ、欠陥の
ない性状の優れた製品を提供できるようになる。また、
本発明によれば、現像液などの処理液を周囲に飛散させ
ずに基板の上面に供給することができるので、周辺領域
を汚染しないクリーンな基板の処理を実施できる。
に、請求項2に記載したような昇降手段を設けると良
い。また、請求項3に記載したように、処理の終了した
処理液を吸引ノズルから吸引除去することも可能であ
る。この場合、その吸引除去した処理液を再生して再利
用すれば無駄を省くことができ、経済的である。更に、
請求項4に記載したように、ケーシングの天板部に形成
した通気孔を介して空気流を送ることにより処理液を攪
拌すれば、処理効率を向上させることができるようにな
る。
である。
ある。
しを示す斜視図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 基板を載置させる載置台と、この載置台
に載置された基板の周囲を取り囲むように装着されるケ
ーシングと、該ケーシングが装着された基板の表面に処
理液を供給する処理液供給手段を備えていることを特徴
とする処理装置。 - 【請求項2】 前記ケーシングが載置台に載置された基
板に装着される下降位置と、前記ケーシングが載置台に
載置された基板の上方に退避した上昇位置とに、前記ケ
ーシングを昇降移動させる昇降手段を備えている請求項
1に記載の処理装置。 - 【請求項3】 前記基板の表面に供給された処理液を吸
引除去する吸引ノズルを備えている請求項1または2に
記載の処理装置。 - 【請求項4】 前記ケーシングが載置台に載置された基
板の周囲を取り囲むように配置された側壁部と基板の上
方を覆うように配置された天板部を備えており、該天板
部には多数の通気孔が形成されている請求項1、2また
は3に記載の処理装置。 - 【請求項5】 前記天板部に形成された通気孔は、外部
の空気をケーシング内に取り込むものである請求項4に
記載の処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17841696A JP3583552B2 (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 処理装置及び処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17841696A JP3583552B2 (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 処理装置及び処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1012540A true JPH1012540A (ja) | 1998-01-16 |
JP3583552B2 JP3583552B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=16048123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17841696A Expired - Fee Related JP3583552B2 (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | 処理装置及び処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3583552B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040012111A (ko) * | 2002-08-01 | 2004-02-11 | 주식회사 에이알티 | 다층 캐치컵 및 이를 구비한 반도체 웨이퍼 클리닝장치 |
US7237967B2 (en) | 2003-12-01 | 2007-07-03 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Developing apparatus and method |
KR20130046364A (ko) * | 2011-10-27 | 2013-05-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액 처리 장치, 액 처리 방법 및 기억 매체 |
JP2021057596A (ja) * | 2015-11-30 | 2021-04-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | フォトレジストウエハの露光後プロセスの方法及び装置 |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP17841696A patent/JP3583552B2/ja not_active Expired - Fee Related
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US11899366B2 (en) | 2015-11-30 | 2024-02-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers |
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---|---|
JP3583552B2 (ja) | 2004-11-04 |
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