JPH1011365A - 不揮発性記憶装置の保護回路 - Google Patents
不揮発性記憶装置の保護回路Info
- Publication number
- JPH1011365A JPH1011365A JP8159423A JP15942396A JPH1011365A JP H1011365 A JPH1011365 A JP H1011365A JP 8159423 A JP8159423 A JP 8159423A JP 15942396 A JP15942396 A JP 15942396A JP H1011365 A JPH1011365 A JP H1011365A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- protection circuit
- supply voltage
- operation table
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電源の降下を早期に検知し、適切な保護動作
を行うことにより、不揮発性記憶装置のデータを保護す
る不揮発性記憶装置の保護回路を提供することを目的と
している。 【解決手段】 電源電圧検出回路を検出電圧であるアナ
ログ信号をデジタル信号に変換して出力するＡ／Ｄ変換
器６で構成し、同検出電圧に対応する動作プログラムを
記憶する動作テーブル７を設け、同動作テーブルに記憶
する動作プログラムに従って制御部１が書き込み、読み
出しの保護動作を行うように制御するようにしたので、
電源の降下を早期に検知し、適切な保護動作を行うこと
により、不揮発性記憶装置５のデータを保護する不揮発
性記憶装置の保護回路を提供することができる。
を行うことにより、不揮発性記憶装置のデータを保護す
る不揮発性記憶装置の保護回路を提供することを目的と
している。 【解決手段】 電源電圧検出回路を検出電圧であるアナ
ログ信号をデジタル信号に変換して出力するＡ／Ｄ変換
器６で構成し、同検出電圧に対応する動作プログラムを
記憶する動作テーブル７を設け、同動作テーブルに記憶
する動作プログラムに従って制御部１が書き込み、読み
出しの保護動作を行うように制御するようにしたので、
電源の降下を早期に検知し、適切な保護動作を行うこと
により、不揮発性記憶装置５のデータを保護する不揮発
性記憶装置の保護回路を提供することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電気的に書き換え
可能な不揮発性記憶装置の保護回路に係わり、とくに、
電圧低下時の書き込みデータの保護に関する。
可能な不揮発性記憶装置の保護回路に係わり、とくに、
電圧低下時の書き込みデータの保護に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は従来の不揮発性記憶装置（以下Ｅ
ＥＰＲＯＭと記す）を利用したエアコン等の装置の制御
回路の構成を示すブロック図である。図において、１は
制御部、２はプログラムの書き込まれたＰＲＯＭ、３は
ＲＡＭ、４は温度検出器４ａ、送風ファン等の駆動部４
ｂ等からなる被制御機器、５はＥＥＰＲＯＭ、６０は電
源電圧検出器である。通常電圧時には、前記制御部３が
ＰＲＯＭ１に書き込まれたプログラムに従って、温度検
出器４ａよりの検出データや、その時の動作モード等を
ＲＡＭ３に記憶し、同ＲＡＭ３の内容を参照しながら送
風ファン等の駆動部４ｂを制御するように動作してい
る。いま、動作中に何らかの原因で電源電圧が所定値以
下に降下すると、前記電源電圧検出器６０がこれを検出
し、制御部１が同検出信号を受信すると、前記ＲＡＭに
記憶される動作モード等のデータをＥＥＰＲＯＭ５に書
き込んで退避させるようにし、電源復帰時に、同ＥＥＰ
ＲＯＭ５に書き込まれたデータを読み出してＲＡＭ３に
書き込み、電源断前の動作を再開するようにしていた。
しかし、このような不揮発性記憶装置の保護回路では、
前記ＲＡＭ３に書き込まれているデータの量が多くなる
と、書き込み途中で電源電圧がＥＥＰＲＯＭ５の動作可
能電圧以下に降下して、ＲＡＭ３上のデータが全て書き
込みできないため、電源電圧が復帰したとき、ＲＡＭ３
上に一部のデータが欠如した、不完全なデータが書き込
まれるため、異常動作するという問題があった。このよ
うな問題を解決するため、一般に、この制御系の電源に
コンデンサ等を挿入して、電源電圧の降下を遅らせるよ
うにしていた。しかし、ＥＥＰＲＯＭ５に書き込むデー
タが多い場合は、書き込みに時間を要し、書き込みの間
に電圧が低下して、書き込み不良を起こす場合があっ
た。
ＥＰＲＯＭと記す）を利用したエアコン等の装置の制御
回路の構成を示すブロック図である。図において、１は
制御部、２はプログラムの書き込まれたＰＲＯＭ、３は
ＲＡＭ、４は温度検出器４ａ、送風ファン等の駆動部４
ｂ等からなる被制御機器、５はＥＥＰＲＯＭ、６０は電
源電圧検出器である。通常電圧時には、前記制御部３が
ＰＲＯＭ１に書き込まれたプログラムに従って、温度検
出器４ａよりの検出データや、その時の動作モード等を
ＲＡＭ３に記憶し、同ＲＡＭ３の内容を参照しながら送
風ファン等の駆動部４ｂを制御するように動作してい
る。いま、動作中に何らかの原因で電源電圧が所定値以
下に降下すると、前記電源電圧検出器６０がこれを検出
し、制御部１が同検出信号を受信すると、前記ＲＡＭに
記憶される動作モード等のデータをＥＥＰＲＯＭ５に書
き込んで退避させるようにし、電源復帰時に、同ＥＥＰ
ＲＯＭ５に書き込まれたデータを読み出してＲＡＭ３に
書き込み、電源断前の動作を再開するようにしていた。
しかし、このような不揮発性記憶装置の保護回路では、
前記ＲＡＭ３に書き込まれているデータの量が多くなる
と、書き込み途中で電源電圧がＥＥＰＲＯＭ５の動作可
能電圧以下に降下して、ＲＡＭ３上のデータが全て書き
込みできないため、電源電圧が復帰したとき、ＲＡＭ３
上に一部のデータが欠如した、不完全なデータが書き込
まれるため、異常動作するという問題があった。このよ
うな問題を解決するため、一般に、この制御系の電源に
コンデンサ等を挿入して、電源電圧の降下を遅らせるよ
うにしていた。しかし、ＥＥＰＲＯＭ５に書き込むデー
タが多い場合は、書き込みに時間を要し、書き込みの間
に電圧が低下して、書き込み不良を起こす場合があっ
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上述べた問
題点を解決し、電源の降下を早期に検知し、適切な保護
動作を行うことにより、不揮発性記憶装置のデータを保
護する不揮発性記憶装置の保護回路を提供することを目
的としている。
題点を解決し、電源の降下を早期に検知し、適切な保護
動作を行うことにより、不揮発性記憶装置のデータを保
護する不揮発性記憶装置の保護回路を提供することを目
的としている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するため、電源電圧を検出する電源電圧検出回路と、
制御部とで構成し、電源電圧が所定値以下に降下した時
は電気的に書き換え可能な不揮発性記憶装置の書き込み
および読み出しを中止するように制御される不揮発性記
憶装置の保護回路において、前記電源電圧検出回路を検
出電圧のアナログ信号をデジタル信号に変換して出力す
るＡ／Ｄ変換器で構成し、同検出電圧に対応する動作プ
ログラムを記憶する動作テーブルを設け、同動作テーブ
ルに記憶する動作プログラムに従って制御部が書き込
み、読み出しの保護動作を行うように制御するようにし
た。
決するため、電源電圧を検出する電源電圧検出回路と、
制御部とで構成し、電源電圧が所定値以下に降下した時
は電気的に書き換え可能な不揮発性記憶装置の書き込み
および読み出しを中止するように制御される不揮発性記
憶装置の保護回路において、前記電源電圧検出回路を検
出電圧のアナログ信号をデジタル信号に変換して出力す
るＡ／Ｄ変換器で構成し、同検出電圧に対応する動作プ
ログラムを記憶する動作テーブルを設け、同動作テーブ
ルに記憶する動作プログラムに従って制御部が書き込
み、読み出しの保護動作を行うように制御するようにし
た。
【０００５】
【発明の実施の形態】以上のように構成したので、本発
明の不揮発性記憶装置の保護回路においては、Ａ／Ｄ変
換器により電源電圧をデジタル信号に変換して制御部に
入力し、制御部が動作テーブルを参照して前記検出電圧
に対応する動作プログラムにより不揮発性記憶装置の書
き込みおよび読み出しの保護動作を行うようにしてい
る。
明の不揮発性記憶装置の保護回路においては、Ａ／Ｄ変
換器により電源電圧をデジタル信号に変換して制御部に
入力し、制御部が動作テーブルを参照して前記検出電圧
に対応する動作プログラムにより不揮発性記憶装置の書
き込みおよび読み出しの保護動作を行うようにしてい
る。
【０００６】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明による不揮発性
記憶装置の保護回路を詳細に説明する。図１は本発明に
よる不揮発性記憶装置の保護回路の一実施例を示すブロ
ック図である。図において、図４と同じ機能には同一記
号を使用し、その説明を省略し、６はＡ／Ｄ変換器で、
電源電圧をデジタル信号に変換して制御部１に入力す
る。７は前記ＰＲＯＭ２の一部の領域に設けた動作テー
ブルで、同動作テーブル７には前記電源電圧に対応した
動作プログラムを記憶している。本実施例の場合、ＰＲ
ＯＭ２上に動作テーブル７の領域を設けたが、図示しな
いがＥＥＰＲＯＭ５上に動作テーブル７の領域を設けて
もよいことは理解出来よう。
記憶装置の保護回路を詳細に説明する。図１は本発明に
よる不揮発性記憶装置の保護回路の一実施例を示すブロ
ック図である。図において、図４と同じ機能には同一記
号を使用し、その説明を省略し、６はＡ／Ｄ変換器で、
電源電圧をデジタル信号に変換して制御部１に入力す
る。７は前記ＰＲＯＭ２の一部の領域に設けた動作テー
ブルで、同動作テーブル７には前記電源電圧に対応した
動作プログラムを記憶している。本実施例の場合、ＰＲ
ＯＭ２上に動作テーブル７の領域を設けたが、図示しな
いがＥＥＰＲＯＭ５上に動作テーブル７の領域を設けて
もよいことは理解出来よう。
【０００７】以上の構成において、つぎにその動作を説
明する。Ａ／Ｄ変換記６でデジタル変換された電源電圧
のデータは、常に制御部１に入力されており、制御部１
は一定時間間隔で、そのデータを監視し（ＳＴ０）、動
作テーブル７を参照してその動作を決定し、各部を制御
している。図２に動作テーブル７の一実施例、図３にそ
の動作フローを示しており、以下、同図に基づいて説明
する。電源源電圧が４〜５ボルトの場合は従来の項で説
明した通常動作の制御を行うようにしている。（ＳＴ
１）電源源電圧が３〜３．９ボルトになると、電源電圧
の監視を通常の１／２〜１／４の間隔で行うようにし
て、監視を強化し、電圧の降下を一早く知ることができ
るようにしている。（ＳＴ２）
明する。Ａ／Ｄ変換記６でデジタル変換された電源電圧
のデータは、常に制御部１に入力されており、制御部１
は一定時間間隔で、そのデータを監視し（ＳＴ０）、動
作テーブル７を参照してその動作を決定し、各部を制御
している。図２に動作テーブル７の一実施例、図３にそ
の動作フローを示しており、以下、同図に基づいて説明
する。電源源電圧が４〜５ボルトの場合は従来の項で説
明した通常動作の制御を行うようにしている。（ＳＴ
１）電源源電圧が３〜３．９ボルトになると、電源電圧
の監視を通常の１／２〜１／４の間隔で行うようにし
て、監視を強化し、電圧の降下を一早く知ることができ
るようにしている。（ＳＴ２）
【０００８】電源電圧が２．９ボルト以下に降下する
と、ＲＡＭ３の内容をＥＥＰＲＯＭ５に書き込むように
し（ＳＴ３）、書き込み中に電源電圧２．５ボルト以下
になると、ＲＡＭ３上にデータを無効としてリセットを
指示するデータを作成（ＳＴ４）した後、書き込みが完
了するまで書き込みを続行するようにしている。電源電
圧が２ボルト以下になると、ＲＡＭ３の必要なデータを
ＥＥＰＲＯＭ５に書き込み完了した場合は、正常終了と
して、再書き込み及び動作を中止するようにし（ＳＴ
５）、書き込みが完了していない場合は、前記作成した
リセットを指示するデータをＲＡＭ３よりＥＥＰＲＯＭ
５に書き込み（ＳＴ６）後、再書き込み及び動作を中止
するようにしている（ＳＴ５）。
と、ＲＡＭ３の内容をＥＥＰＲＯＭ５に書き込むように
し（ＳＴ３）、書き込み中に電源電圧２．５ボルト以下
になると、ＲＡＭ３上にデータを無効としてリセットを
指示するデータを作成（ＳＴ４）した後、書き込みが完
了するまで書き込みを続行するようにしている。電源電
圧が２ボルト以下になると、ＲＡＭ３の必要なデータを
ＥＥＰＲＯＭ５に書き込み完了した場合は、正常終了と
して、再書き込み及び動作を中止するようにし（ＳＴ
５）、書き込みが完了していない場合は、前記作成した
リセットを指示するデータをＲＡＭ３よりＥＥＰＲＯＭ
５に書き込み（ＳＴ６）後、再書き込み及び動作を中止
するようにしている（ＳＴ５）。
【０００９】つぎに、電源が復帰した場合の動作を説明
する。以上説明したように、ＲＡＭ３上の必要データが
ＥＥＰＲＯＭ５に完全に書き込まれた場合は、電源が復
帰して、正常電圧（４〜５ボルト）に達すると、ＥＥＰ
ＲＯＭ５の内容を制御部１が読み出してリセットを指示
するデータが書き込まれてないと、ＥＥＰＲＯＭ５の内
容をＲＡＭ３に書き込み、同ＲＡＭ３のデータに基づい
た電源断前の動作状態に戻るようにしている。また、書
き込みが完了する前に電源電圧２．５ボルト以下になっ
た場合は、電源が復帰して、正常電圧（４〜５ボルト）
に達すると、ＥＥＰＲＯＭ５に書き込まれたリセットを
指示するデータを制御部１が読み、予め、ＰＲＯＭ２上
に書き込まれた初期動作データをＲＡＭ３上に書き込
み、同初期動作データに基づいて制御するようにしてい
る。
する。以上説明したように、ＲＡＭ３上の必要データが
ＥＥＰＲＯＭ５に完全に書き込まれた場合は、電源が復
帰して、正常電圧（４〜５ボルト）に達すると、ＥＥＰ
ＲＯＭ５の内容を制御部１が読み出してリセットを指示
するデータが書き込まれてないと、ＥＥＰＲＯＭ５の内
容をＲＡＭ３に書き込み、同ＲＡＭ３のデータに基づい
た電源断前の動作状態に戻るようにしている。また、書
き込みが完了する前に電源電圧２．５ボルト以下になっ
た場合は、電源が復帰して、正常電圧（４〜５ボルト）
に達すると、ＥＥＰＲＯＭ５に書き込まれたリセットを
指示するデータを制御部１が読み、予め、ＰＲＯＭ２上
に書き込まれた初期動作データをＲＡＭ３上に書き込
み、同初期動作データに基づいて制御するようにしてい
る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による不揮
発性記憶装置の保護回路によれば、Ａ／Ｄ変換器により
電源電圧をデジタル信号に変換して制御部に入力し、制
御部が動作テーブルを参照して前記電源電圧に対応する
動作プログラムによりＥＥＰＲＯＭの書き込みおよび読
み出しの保護動作を行うように制御しているので、電源
の降下を早期に検知し、適切な保護動作を行うことによ
り、不揮発性記憶装置のデータを保護する不揮発性記憶
装置の保護回路を提供することができる。
発性記憶装置の保護回路によれば、Ａ／Ｄ変換器により
電源電圧をデジタル信号に変換して制御部に入力し、制
御部が動作テーブルを参照して前記電源電圧に対応する
動作プログラムによりＥＥＰＲＯＭの書き込みおよび読
み出しの保護動作を行うように制御しているので、電源
の降下を早期に検知し、適切な保護動作を行うことによ
り、不揮発性記憶装置のデータを保護する不揮発性記憶
装置の保護回路を提供することができる。
【図１】本発明による不揮発性記憶装置の保護回路の一
実施例を示すブロック図である。
実施例を示すブロック図である。
【図２】本発明による不揮発性記憶装置の保護回路の動
作テーブルの一実施例を示す図である。
作テーブルの一実施例を示す図である。
【図３】本発明による不揮発性記憶装置の保護回路の一
実施例の動作フローを示す図である。
実施例の動作フローを示す図である。
【図４】従来の不揮発性記憶装置の保護回路を示すブロ
ック図である。
ック図である。
１ 制御部 ２ ＰＲＯＭ ３ ＲＡＭ ４ 被制御機器 ５ ＥＥＰＲＯＭ（書き込み可能な不揮発性記憶装置） ６ Ａ／Ｄ変換器 ７ 動作テーブル
Claims (5)
- 【請求項１】 電源電圧を検出する電源電圧検出回路
と、制御部とで構成し、電源電圧が所定値以下に降下し
た時は電気的に書き換え可能な不揮発性記憶装置の書き
込みおよび読み出しを中止するように制御される不揮発
性記憶装置の保護回路において、前記電源電圧検出回路
を検出電圧であるアナログ信号をデジタル信号に変換し
て出力するＡ／Ｄ変換器で構成すると共に、同検出電圧
に対応する動作プログラムを記憶する動作テーブルを設
け、同動作テーブルに従って制御部が書き込み、読み出
しの動作を制御するようにしてなることを特徴とする不
揮発性記憶装置の保護回路。 - 【請求項２】 前記動作テーブルの領域を、前記不揮発
性記憶装置内に設けてなることを特徴とする請求項１記
載の不揮発性記憶装置の保護回路。 - 【請求項３】 前記動作テーブルの領域を、プログラム
ＲＯＭ内に設けてなることを特徴とする請求項１記載の
不揮発性記憶装置の保護回路。 - 【請求項４】 前記動作テーブルに、電圧を監視するタ
イミングを指示する命令を記憶してなることを特徴とす
る請求項１記載の不揮発性記憶装置の保護回路。 - 【請求項５】 前記動作テーブルに、データの有効性を
示す保護データ作成命令を記憶してなることを特徴とす
る請求項１記載の不揮発性記憶装置の保護回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8159423A JPH1011365A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 不揮発性記憶装置の保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8159423A JPH1011365A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 不揮発性記憶装置の保護回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1011365A true JPH1011365A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15693427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8159423A Pending JPH1011365A (ja) | 1996-06-20 | 1996-06-20 | 不揮発性記憶装置の保護回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1011365A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005536784A (ja) * | 2002-01-19 | 2005-12-02 | ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電子ユニットに配置された少なくとも１つのメモリ素子の駆動準備完了の監視方法 |
| JP2015036988A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 慧榮科技股▲分▼有限公司 | データ記憶装置とその異常電圧からの保護方法 |
| KR20150018459A (ko) * | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 실리콘 모션 인코포레이티드 | 데이터 저장 디바이스 및 그의 전압 보호 방법 |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP8159423A patent/JPH1011365A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005536784A (ja) * | 2002-01-19 | 2005-12-02 | ローベルト ボッシュ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電子ユニットに配置された少なくとも１つのメモリ素子の駆動準備完了の監視方法 |
| JP2015036988A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 慧榮科技股▲分▼有限公司 | データ記憶装置とその異常電圧からの保護方法 |
| KR20150018459A (ko) * | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 실리콘 모션 인코포레이티드 | 데이터 저장 디바이스 및 그의 전압 보호 방법 |
| US9847134B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-12-19 | Silicon Motion, Inc. | Data storage device and voltage protection method thereof |
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