JPH1011277A

JPH1011277A - Computer device with electrically rewritable nonvolatile memory and nonvolatile semiconductor memory

Info

Publication number: JPH1011277A
Application number: JP8160010A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Iizuka; 豊飯塚
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1996-06-20
Filing date: 1996-06-20
Publication date: 1998-01-16

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To store a program for changing stored contents to be executed in a computer device without increasing the number of the points of parts at the time of rewriting an operation program stored in an electrically rewritable nonvolatile memory. SOLUTION: At the time of changing stored contents in flash ROM 3, an IPL program stored in the flash ROM 3 is transferred to RAM 4. After transferring the IPL program to RAM 4, a switch control circuit 5 switches the mapping of a memory to execute the IPL program stored in RAM 4. The stored contents in flash ROM 3 is erased by the IPL program to write an updated program supplied through an RS-232C interface 12 in flash ROM 3.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【０００１】[0001]

【発明が属する技術分野】本発明は、動作用プログラム
が書込まれる電気的書換え可能な不揮発性メモリを備え
るコンピュータ装置およびコンピュータ装置に好適に用
いられる不揮発性半導体メモリに関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a computer device having an electrically rewritable nonvolatile memory into which an operation program is written, and a nonvolatile semiconductor memory suitably used for the computer device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】コンピュータ装置では、電気的に書換え
可能な不揮発性半導体メモリや、書換え可能な不揮発性
半導体メモリの一種であるフラッシュＥＰＲＯＭなど
に、書き込まれているアプリケーションプログラムを書
換えるプログラムは、ＩＰＬプログラムと称され、専用
のＲＯＭに格納されている。2. Description of the Related Art In a computer, a program for rewriting an application program written in an electrically rewritable nonvolatile semiconductor memory or a flash EPROM which is a kind of rewritable nonvolatile semiconductor memory is an IPL. It is called a program and is stored in a dedicated ROM.

【０００３】上述のような装置の一例として、特開平６
−１３９０６４号公報に電子機器が示されている。電子
機器では、電気的に書換え可能な不揮発性メモリである
フラッシュＲＯＭに、機器の動作制御を行う制御プログ
ラムが格納されており、ＲＯＭにはＩＰＬプログラムが
格納されている。ＩＰＬプログラムには、電源ＯＮ時に
動作するシステム立上げプログラムなどと共にフラッシ
ュＲＯＭ書換え用のプログラムが含まれている。[0003] As an example of the above-described apparatus, Japanese Patent Application Laid-Open No.
Japanese Patent Application Publication No. 139064 discloses an electronic apparatus. In an electronic device, a control program for controlling the operation of the device is stored in a flash ROM, which is an electrically rewritable nonvolatile memory, and an IPL program is stored in the ROM. The IPL program includes a flash ROM rewriting program together with a system start-up program that operates when the power is turned on.

【０００４】フラッシュＲＯＭに記憶されている制御プ
ログラムにバグが発見されると、制御プログラムの書換
えのために、デバック済みの制御プログラムが記憶され
たＳＲＡＭメモリカードが、電子機器本体のメモリカー
ド接続部に接続される。ＳＲＡＭメモリカードが接続さ
れると、ＲＯＭのシステム立上げプログラムによって、
前記ＳＲＡＭメモリカードが制御プログラムを有するも
のと判別され、フラッシュＲＯＭ書換え用プログラムに
基づいてデバック済みの制御プログラムが内部ＲＡＭに
読込まれて格納される。フラッシュＲＯＭにデータ書換
え用電源が供給されると、フラッシュＲＯＭに記憶され
ている制御プログラムが消去され、内部ＲＡＭに格納さ
れたデバック済みの制御プログラムがフラッシュＲＯＭ
に書込まれる。When a bug is found in the control program stored in the flash ROM, the SRAM memory card storing the debugged control program is rewritten in order to rewrite the control program. Connected to. When the SRAM memory card is connected, the ROM system start-up program
It is determined that the SRAM memory card has the control program, and the debugged control program is read and stored in the internal RAM based on the flash ROM rewriting program. When power for rewriting data is supplied to the flash ROM, the control program stored in the flash ROM is erased, and the debugged control program stored in the internal RAM is replaced with the flash ROM.
Is written to.

【０００５】また、ＩＰＬプログラムを格納する専用の
ＲＯＭを設けずに、書換え可能な不揮発性半導体メモリ
やフラッシュＥＰＲＯＭにＩＰＬプログラムを格納する
装置も提案されている。ＩＰＬプログラムには、アプリ
ケーションプログラム変更用の書換えプログラムが含ま
れており、書換えプログラムをＲＡＭに転送して動作さ
せて、ＲＯＭの記憶内容を変更することができる。There has also been proposed an apparatus for storing an IPL program in a rewritable nonvolatile semiconductor memory or flash EPROM without providing a dedicated ROM for storing the IPL program. The IPL program includes a rewrite program for changing an application program. The rewrite program can be transferred to the RAM and operated to change the storage content of the ROM.

【０００６】フラッシュＥＰＲＯＭや書換え可能な不揮
発性半導体メモリなどの電気的に書換え可能なメモリに
アプリケーションプログラムおよびＩＰＬプログラムを
格納している装置では、静電気やノイズなどの外的要因
によってフラッシュＥＰＲＯＭに書込まれている記憶内
容が書換えられる可能性がある。アプリケーションプロ
グラムが異常となった場合には、ＩＰＬプログラムを動
作させて再びアプリケーションプログラムをＲＯＭに書
込むことができるけれども、ＩＰＬプログラムが異常と
なった場合には、装置に正常なプログラムを書込むこと
はできなくなるという不都合がある。In an apparatus in which an application program and an IPL program are stored in an electrically rewritable memory such as a flash EPROM or a rewritable nonvolatile semiconductor memory, writing to the flash EPROM is performed due to external factors such as static electricity and noise. The stored contents may be rewritten. If the application program becomes abnormal, the IPL program can be operated to write the application program into the ROM again, but if the IPL program becomes abnormal, the normal program must be written to the device. Is no longer possible.

【０００７】たとえば、特開平５−３４２０９４号公報
に示されるコンピュータ装置では、このような不都合を
解決する技術が用いられている。コンピュータ装置は、
アプリケーションプログラムおよびＩＰＬプログラムを
格納した電気的書換え可能なＲＯＭと、装置のリセット
時に前記ＲＯＭを選択するためのチップセレクト信号の
出力を抑止する抑止手段とを備えて構成されている。[0007] For example, in a computer device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-342094, a technique for solving such inconvenience is used. Computer equipment
The system comprises an electrically rewritable ROM storing an application program and an IPL program, and a suppressing means for suppressing output of a chip select signal for selecting the ROM when the device is reset.

【０００８】コンピュータ装置では、ＩＰＬプログラム
が異常となった場合、正常なＩＰＬプログラムが格納さ
れているメモリカードを機器に接続する。メモリカード
の接続後に機器をリセットすると、前記抑止手段からの
出力によってメモリカードが選択され、メモリカードに
格納されているＩＰＬプログラムから正常な記憶内容変
更用プログラムが実行される。記憶内容変更用プログラ
ムによって、アプリケーションプログラムおよびＩＰＬ
プログラムがコンピュータ装置のＲＯＭに書込まれる。In the computer, when the IPL program becomes abnormal, a memory card storing a normal IPL program is connected to the device. When the device is reset after the connection of the memory card, the memory card is selected by the output from the inhibiting means, and the normal storage content changing program is executed from the IPL program stored in the memory card. An application program and an IPL by a storage content changing program
The program is written into the ROM of the computer device.

【０００９】[0009]

【発明が解決しようとする課題】前記電子機器では、記
憶内容変更用プログラムを記憶するための専用ＲＯＭが
設けられることとなり、機器の部品点数が増え、部品コ
ストが上昇するという問題点がある。In the electronic device, a dedicated ROM for storing a storage content change program is provided, which causes a problem that the number of components of the device increases and the component cost increases.

【００１０】前記コンピュータ装置では、内部に記憶さ
れているＩＰＬプログラムが異常となった場合、ＩＰＬ
プログラムが記憶されているメモリカードを接続し、メ
モリカードからＩＰＬプログラムを読出し、アプリケー
ションプログラムおよびＩＰＬプログラムをＲＯＭに書
込んでいるので、装置内部にメモリカード専用のインタ
フェイスおよびメモリカード接続用のコネクタなどを設
ける必要があり、装置の基板サイズの大型化およびコネ
クタなどを設けることによるコストの上昇を招く。In the computer device, when an IPL program stored therein becomes abnormal, the IPL
Since the memory card storing the program is connected, the IPL program is read from the memory card, and the application program and the IPL program are written in the ROM, an interface dedicated to the memory card and a connector for connecting the memory card are provided inside the apparatus. It is necessary to provide such a device, which results in an increase in the size of the substrate of the device and an increase in cost due to the provision of the connector and the like.

【００１１】また、記憶内容変更用プログラムを記憶し
たメモリボードを機器に接続して記憶内容変更用プログ
ラムを書換える方法などがあるけれども、ボードの装着
スペースおよびボードを接続するためのコネクタも必要
となる。Although there is a method of connecting a memory board storing a storage content change program to a device and rewriting the storage content change program, a space for mounting the board and a connector for connecting the board are also required. Become.

【００１２】本発明の目的は、電気的に書換え可能な不
揮発性メモリに記憶されている動作プログラムに従って
動作するコンピュータ装置で、簡単でかつ信頼性が高く
動作プログラムを書換えるための記憶内容変更用プログ
ラムを実行させることができる電気的書換え可能な不揮
発性メモリを備えるコンピュータ装置を提供することで
ある。An object of the present invention is to provide a computer device which operates in accordance with an operation program stored in an electrically rewritable non-volatile memory, and which has a simple and highly reliable method for changing storage contents for rewriting an operation program. An object of the present invention is to provide a computer device including an electrically rewritable nonvolatile memory capable of executing a program.

【００１３】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明は、記憶内容変更
用のプログラムを含むコンピュータ装置の動作用プログ
ラムが書込まれ、電気的に書換え可能な不揮発性メモリ
と、記憶内容の書込みおよび読出しが可能なＲＡＭと、
不揮発性メモリから記憶内容変更用のプログラムをＲＡ
Ｍに転送するプログラム転送手段と、不揮発性メモリに
対する記憶内容の変更動作を指示する変更指示手段と、
変更指示手段からの記憶内容変更指示に応答し、プログ
ラム転送手段によって不揮発性メモリからＲＡＭに転送
された記憶内容変更用プログラムに従って、不揮発性メ
モリの記憶内容を電気的に書換えるように制御する制御
手段とを含むことを特徴とする電気的書換え可能な不揮
発性メモリを備えるコンピュータ装置である。本発明に
従えば、コンピュータ装置の電気的に書換え可能な不揮
発性メモリには、コンピュータ装置を動作させるための
動作プログラムが書込まれている。前記不揮発性メモリ
に記憶されている内容を変更する際には、変更指示手段
によって記憶内容の変更動作の開始を指示する。プログ
ラム転送手段は、記憶内容変更指示が与えられることに
よって、前記不揮発性メモリに記憶されている動作用プ
ログラムから記憶内容変更用のプログラムを読出してＲ
ＡＭに書込む。制御手段は、ＲＡＭに転送された記憶内
容変更用プログラムを実行して、前記不揮発性メモリの
記憶内容を電気的に書換える。したがって、電気的に書
換え可能な不揮発性メモリの記憶内容を変更する際に実
行されるプログラムは、動作用プログラムを書換えると
きに前記不揮発性メモリからＲＡＭに転送されて実行さ
れるので、記憶内容変更用のプログラムを記憶しておく
専用ＲＯＭなどをコンピュータ装置に設けなくても動作
用プログラムを書換えることができる。According to the present invention, there is provided an electrically rewritable nonvolatile memory in which a program for operating a computer including a program for changing storage contents is written, and a method for writing and reading storage contents. Possible RAM,
The program for changing the storage contents from the non-volatile memory
M; a program transfer unit for transferring the data to M;
Control for responding to a storage content change instruction from the change instruction means and electrically rewriting the storage content of the nonvolatile memory in accordance with the storage content change program transferred from the nonvolatile memory to the RAM by the program transfer means. And a computer device comprising an electrically rewritable non-volatile memory. According to the present invention, an operation program for operating the computer device is written in the electrically rewritable nonvolatile memory of the computer device. When changing the contents stored in the non-volatile memory, the change instructing means instructs the start of the operation of changing the stored contents. The program transfer means reads the storage content change program from the operation program stored in the non-volatile memory, and
Write to AM. The control means executes the storage content changing program transferred to the RAM, and electrically rewrites the storage content of the nonvolatile memory. Therefore, the program executed when changing the storage content of the electrically rewritable nonvolatile memory is transferred from the nonvolatile memory to the RAM when the operation program is rewritten, and is executed. The operation program can be rewritten without providing a dedicated ROM or the like for storing the change program in the computer device.

【００１４】また本発明は、前記プログラム転送手段に
よって、前記ＲＡＭに転送された記憶内容変更用のプロ
グラムに対する書込み保護を行う保護手段を有すること
を特徴とする。本発明に従えば、ＲＡＭに転送された記
憶内容変更用のプログラムは、保護手段によって保護さ
れており、書込みが行われない。したがって、不揮発性
メモリの記憶内容を書換えるために、ＲＡＭに記憶され
ている記憶内容変更用プログラムを実行しているとき
に、ノイズなどによってＲＡＭに記憶されている記憶内
容変更用プログラムが書換えられると、プログラムが暴
走する恐れがあるけれども、保護手段によってプログラ
ムの書換えが防止されているので、記憶内容変更用プロ
グラムを安定して動作させることができる。Further, the present invention is characterized in that it has a protection means for performing write protection on the program for changing the stored contents transferred to the RAM by the program transfer means. According to the present invention, the storage content changing program transferred to the RAM is protected by the protection means, and is not written. Therefore, in order to rewrite the storage content of the nonvolatile memory, when the storage content change program stored in the RAM is being executed, the storage content change program stored in the RAM is rewritten due to noise or the like. Although the program may run out of control, the rewriting of the program is prevented by the protection means, so that the storage content changing program can be operated stably.

【００１５】本発明の前記制御手段は、前記変更指示手
段によって変更動作が指示されないとき、前記不揮発性
メモリの予め定める記憶領域に書込まれているプログラ
ムに従って動作し、変更指示手段によって変更動作が指
示されるとき、前記プログラム転送手段によって記憶内
容変更用のプログラムが転送される前記ＲＡＭの記憶領
域に記憶されているプログラムに従って動作するプログ
ラム処理手段を有することを特徴とする。本発明に従え
ば、制御手段のプログラム処理手段は、変更指示手段に
よって変更動作が指示されていないときは、電気的に書
換え可能な不揮発性メモリの予め定める記憶領域に書込
まれているプログラムに従って動作する。また、変更指
示手段によって変更動作が指示されるときには、プログ
ラム転送手段によって記憶内容変更用のプログラムが転
送されているＲＡＭの記憶内容に従って動作する。した
がって、変更指示手段によって変更動作の指示が行われ
たかどうかによって前記不揮発性メモリの予め定める記
憶領域に書込まれているプログラムか、ＲＡＭに記憶さ
れている記憶内容変更用のプログラムかが選択されるの
で、所望の動作に応じて前記不揮発性メモリまたはＲＡ
Ｍの予め定める領域に記憶されているプログラムを読出
して実行させることができる。The control means of the present invention operates according to a program written in a predetermined storage area of the nonvolatile memory when the change instruction is not instructed by the change instructing means, and the change operation is performed by the change instructing means. When instructed, there is provided a program processing means which operates in accordance with a program stored in a storage area of the RAM to which a program for changing storage contents is transferred by the program transfer means. According to the present invention, the program processing means of the control means, when the change operation is not instructed by the change instructing means, according to the program written in the predetermined storage area of the electrically rewritable nonvolatile memory. Operate. When a change operation is instructed by the change instructing means, the operation is performed in accordance with the stored contents of the RAM to which the program for changing the stored contents is transferred by the program transferring means. Therefore, depending on whether or not a change operation is instructed by the change instructing means, a program written in a predetermined storage area of the nonvolatile memory or a program for changing storage contents stored in the RAM is selected. Therefore, according to a desired operation, the nonvolatile memory or RA
A program stored in a predetermined area of M can be read and executed.

【００１６】本発明の前記不揮発性メモリは、フラッシ
ュＥＰＲＯＭであることを特徴とする。本発明に従え
ば、コンピュータ装置における電気的に書換え可能な不
揮発性メモリは、フラッシュＥＰＲＯＭによって構成さ
れるので、メモリ領域全体あるいはメモリ領域を所定の
大きさに分割したブロック単位に書換えを行う場合であ
っても、確実に書換えを行うことができる。The nonvolatile memory according to the present invention is a flash EPROM. According to the present invention, the electrically rewritable non-volatile memory in the computer device is constituted by a flash EPROM. Therefore, when the entire memory area or the memory area is rewritten in blocks each having a predetermined size. Even if there is, rewriting can be performed reliably.

【００１７】本発明の前記不揮発性メモリは、製造時に
保護コードが格納されるレジスタと、記憶内容の変更時
にデータが入力される入力手段と、入力手段に入力され
るデータとレジスタに格納されている保護コードとを比
較し、一致しているときのみ、記憶内容の変更を許容す
る比較保護手段とを有することを特徴とする。本発明に
従えば、電気的に書換え可能な不揮発性メモリの記憶内
容を変更する際には、入力手段から入力されるデータ
と、レジスタに格納されている保護コードとが一致して
いるかどうかを比較保護手段が判断し、一致していると
きのみ書込みが許可され、記憶内容が書換えられる。し
たがって、保護コードと同一のデータを入力手段から入
力することができる場合のみ、前記不揮発性メモリの記
憶内容を変更することができ、前記不揮発性メモリの記
憶内容が不用意に書換えられることを防止することがで
きる。The nonvolatile memory according to the present invention includes a register in which a protection code is stored at the time of manufacture, input means for inputting data when the storage content is changed, and data input to the input means and stored in the register. And a comparison protection means for permitting a change in the stored content only when the protection codes are matched with each other. According to the present invention, when changing the storage content of the electrically rewritable nonvolatile memory, it is determined whether the data input from the input unit matches the protection code stored in the register. The determination is made by the comparison protection means, and writing is permitted only when they match, and the stored contents are rewritten. Therefore, the storage contents of the nonvolatile memory can be changed only when the same data as the protection code can be input from the input means, thereby preventing the storage contents of the nonvolatile memory from being rewritten carelessly. can do.

【００１８】本発明は、電気的書換え可能な不揮発性半
導体メモリにおいて、製造時に保護コードが格納される
レジスタと、記憶内容の変更時にデータが入力される入
力手段と、入力手段に入力されるデータとレジスタに格
納されている保護コードとを比較し、一致しているとき
のみ、記憶内容の変更を許容する比較保護手段とを含む
ことを特徴とする不揮発性半導体メモリである。本発明に従えば、電気的に書換え可能な不揮発性半導体
メモリの記憶内容を変更する際には、入力手段から入力
されるデータと、レジスタに格納されている保護コード
とが一致しているかどうかを比較保護手段が判断し、一
致しているときのみ書込みが許可され、記憶内容が書換
えられる。したがって、保護コードと同一のデータを入
力手段から入力することができる場合のみ、前記不揮発
性半導体メモリの記憶内容を変更することができ、前記
不揮発性半導体メモリの記憶内容が不用意に書換えられ
ることを防止することができる。The present invention relates to an electrically rewritable nonvolatile semiconductor memory, a register in which a protection code is stored at the time of manufacture, input means for inputting data when storage contents are changed, and data input to the input means. And a protection code that compares the protection code stored in the register and allows the storage contents to be changed only when they match. According to the present invention, when changing the storage content of the electrically rewritable nonvolatile semiconductor memory, it is determined whether the data input from the input unit matches the protection code stored in the register. Is determined by the comparison protection means, writing is permitted only when they match, and the stored contents are rewritten. Therefore, the storage content of the nonvolatile semiconductor memory can be changed only when the same data as the protection code can be input from the input means, and the storage content of the nonvolatile semiconductor memory can be rewritten carelessly. Can be prevented.

【００１９】[0019]

【発明の実施の形態】図１は、本発明の実施の第１の形
態であるリモートプリンタ１の構成を示すブロック図で
ある。リモートプリンタ１は、ＣＰＵ（中央処理装置）
２と、フラッシュＲＯＭ３と、ＲＡＭ４と、切換制御回
路５と、切換スイッチ６と、入力キー群７と、表示パネ
ル８と、ブザー９と、ＤＩＰスイッチ１０と、プリンタ
１１と、ＲＳ−２３２Ｃインタフェイス１２とを含んで
構成される。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a remote printer 1 according to a first embodiment of the present invention. The remote printer 1 is a CPU (Central Processing Unit)
2, a flash ROM 3, a RAM 4, a switching control circuit 5, a switching switch 6, an input key group 7, a display panel 8, a buzzer 9, a DIP switch 10, a printer 11, and an RS-232C interface. 12 are included.

【００２０】リモートプリンタ１は、電子式金銭登録機
などの情報処理装置の外部接続用プリンタとして使用さ
れるプリンタで、外部接続用インタフェイスであるＲＳ
２３２−Ｃインタフェイス１２を介して受信したコマン
ドおよびデータに基づいて、印字などの処理を行う。後
述するＤＩＰスイッチ１０の設定を切換えることによっ
て、情報処理装置の種類に応じて通信速度および通信デ
ータの様式の設定が可能である。The remote printer 1 is a printer used as an external connection printer of an information processing apparatus such as an electronic cash register, and an external connection interface RS
Processing such as printing is performed based on the command and data received via the 232-C interface 12. By switching the setting of a DIP switch 10 described later, it is possible to set the communication speed and communication data format according to the type of the information processing apparatus.

【００２１】ＣＰＵ２は、フラッシュＲＯＭ３、ＲＡＭ
４、入力キー群７、表示パネル８、ブザー９、プリンタ
１１、およびＲＳ−２３２Ｃインタフェイス１２などに
おける信号の入出力について制御を行う。また、ＲＳ−
２３２Ｃインタフェイス１２を介して、外部のコンピュ
ータ装置などから供給されるデータを処理して印字用の
データとしてプリンタ１１に供給する。The CPU 2 includes a flash ROM 3 and a RAM
4, control of input / output of signals in the input key group 7, the display panel 8, the buzzer 9, the printer 11, the RS-232C interface 12, and the like. Also, RS-
Data supplied from an external computer device or the like is processed through the 232C interface 12 and supplied to the printer 11 as print data.

【００２２】フラッシュＲＯＭ３は、電気的に書換え可
能な不揮発性半導体メモリの一種であり、記憶領域を所
定の大きさに分割したブロック単位での書換えが可能
で、電源ＯＦＦ時のメモリのバックアップが不要であ
る。またフラッシュＲＯＭ３は、後述する記憶内容変更
用プログラムを含むＩＰＬプログラムと動作プログラム
とを記憶している。ＩＰＬプログラムは、ＲＡＭ４にお
けるワークエリアの初期化などの初期化プログラムと、
フラッシュＲＯＭ３の記憶内容を書換える際に実行され
る記憶内容変更用プログラムとを含んで構成される。切
換スイッチ６は、たとえば動作プログラムの書換えを実
行させようとする操作者によって手動でＯＮ／ＯＦＦの
状態が切換えられ、ＯＮ／ＯＦＦの状態に応じて出力Ｏ
ＵＴの信号レベルが定められる。The flash ROM 3 is a kind of electrically rewritable nonvolatile semiconductor memory. The flash ROM 3 can be rewritten in units of blocks obtained by dividing a storage area into a predetermined size, and does not require backup of the memory when the power is turned off. It is. The flash ROM 3 stores an IPL program including an after-mentioned storage content changing program and an operation program. The IPL program includes an initialization program for initializing a work area in the RAM 4, and the like.
It is configured to include a storage content changing program executed when the storage content of the flash ROM 3 is rewritten. The ON / OFF state of the changeover switch 6 is manually switched by, for example, an operator who attempts to rewrite the operation program, and the output O is switched according to the ON / OFF state.
The signal level of the UT is determined.

【００２３】入力キー群７には、リモートプリンタ１の
状態を設定するためのキーが複数個設けられており、た
とえばジャーナルキー１６とレシートキー１７とオンラ
インキー１８とを含んで構成される。ジャーナルキー１
６は、プリンタ１１におけるジャーナル側紙送りを指示
し、レシートキー１７はプリンタ１１におけるレシート
側紙送りを指示する。オンラインキー１８は、ＲＳ−２
３２Ｃインタフェイス１２を介して外部のコンピュータ
装置と受信するときにはＯＮとされ、非通信時にはＯＦ
Ｆとされる。The input key group 7 is provided with a plurality of keys for setting the status of the remote printer 1, and includes, for example, a journal key 16, a receipt key 17, and an online key 18. Journal key 1
Reference numeral 6 designates a journal-side paper feed in the printer 11, and a receipt key 17 instructs a receipt-side paper feed in the printer 11. Online key 18 is RS-2
The signal is turned on when receiving data from an external computer via the 32C interface 12, and is turned off when communication is not performed.
F.

【００２４】表示パネル８は、リモートプリンタ１の状
態を表示するためのパネルであり、たとえば複数のＬＥ
Ｄ（発光ダイオード）によって構成される。表示パネル
８には、電源オン時には点灯し、オフ時には消灯するパ
ワーランプと、通信回線接続時に点灯し、非接続時には
消灯するオンラインランプと、フラッシュＲＯＭ３の書
換え時などにエラーが発生したとき点灯するエラーラン
プとを含んで構成される。ブザー９は、リモートプリン
タ１の状態を音によって報知するための装置であり、た
とえばフラッシュＲＯＭ３の書換え時に、正常に書換え
が終了したときにはブザー音を１回鳴らし、異常が生じ
た場合は間欠ブザー音を鳴らしてエラーが発生したこと
を報知する。The display panel 8 is a panel for displaying the status of the remote printer 1, and includes, for example, a plurality of LEs.
D (light emitting diode). The display panel 8 has a power lamp that is turned on when the power is turned on and is turned off when the power is off, an online lamp that is turned on when the communication line is connected and turned off when the communication line is not connected, and turned on when an error occurs when the flash ROM 3 is rewritten. And an error lamp. The buzzer 9 is a device for notifying the status of the remote printer 1 by sound. For example, at the time of rewriting the flash ROM 3, the buzzer sounds once when the rewriting is completed normally, and when the abnormality occurs, the intermittent buzzer sounds. To notify that an error has occurred.

【００２５】ＤＩＰスイッチ１０は、複数の状態設定用
スイッチによって構成されており、通信時の通信速度、
通信データの様式などの設定を行う。プリンタ１１は、
ＣＰＵ２から供給される印字用のデータに基づいて印字
を行う。また、リモートプリンタ１のテスト時、設定確
認時には、フラッシュＲＯＭ３などから読出される所定
の印字を行う。The DIP switch 10 is composed of a plurality of state setting switches.
Make settings such as communication data format. The printer 11
Printing is performed based on printing data supplied from the CPU 2. Further, at the time of testing the remote printer 1 and at the time of confirming the settings, predetermined printing read from the flash ROM 3 or the like is performed.

【００２６】図２は切換制御回路５の構成を示すブロッ
ク図であり、図３は切換制御回路５による切換え制御を
説明するための図である。切換制御回路５は、デコード
回路２１と、マッピング切換回路２２と、書込保護回路
２３とを含んで構成される。FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the switching control circuit 5, and FIG. 3 is a diagram for explaining switching control by the switching control circuit 5. The switching control circuit 5 includes a decoding circuit 21, a mapping switching circuit 22, and a write protection circuit 23.

【００２７】デコード回路２１は、ＣＰＵ２から与えら
れるアドレス信号に基づいてデコード信号ＡＲＥＡ１，
ＡＲＥＡ２をマッピング切換回路２２に出力する。マッ
ピング切換回路２２は、デコード信号ＡＲＥＡ１，ＡＲ
ＥＡ２と、切換スイッチ６の出力ＯＵＴとに基づいて、
ＣＰＵ２のリセット後にフラッシュＲＯＭ３とＲＡＭ４
とのいずれをＣＰＵ２が参照するかを示す信号を出力す
る。フラッシュＲＯＭ３にはフラッシュＲＯＭ用のチッ
プセレクト信号ＳＥＬＯが与えられ、ＲＡＭ４にはＲＡ
Ｍ用のチップセレクト信号ＳＥＬＡが与えられる。Decoding circuit 21 decodes signals AREA 1 and AREA 1 based on an address signal given from CPU 2.
AREA2 is output to the mapping switching circuit 22. The mapping switching circuit 22 outputs the decode signals AREA1, AR
Based on EA2 and the output OUT of the changeover switch 6,
Flash ROM 3 and RAM 4 after CPU 2 reset
And outputs a signal indicating which of the above is referred to by the CPU 2. The flash ROM 3 receives a chip select signal SELO for the flash ROM, and the RAM 4
A chip select signal SELA for M is applied.

【００２８】チップセレクト信号ＳＥＬＯ，ＳＥＬＡ
は、いずれか一方のみがハイレベルとなる。フラッシュ
ＲＯＭ３とＲＡＭ４とは、たとえば与えられる信号のレ
ベルがハイレベルであるとエリアＡＲ１に定められ、ロ
ーレベルであるとエリアＡＲ２に定められる。Chip select signals SELO, SELA
, Only one of them is at the high level. In the flash ROM 3 and the RAM 4, for example, the level of the applied signal is set to the area AR1 when the level is high, and is set to the area AR2 when the level is low.

【００２９】マッピング切換回路２２は、デコード回路
２１から与えられるアドレスデコード信号ＡＲＥＡ１，
ＡＲＥＡ２に対して、切換スイッチ６がＯＮであるかＯ
ＦＦであるかに応じて、フラッシュＲＯＭ３およびＲＡ
Ｍ４にチップセレクト信号ＳＥＬＯ，ＳＥＬＡを出力す
る。切換スイッチ６がＯＦＦであるときには、図３
（１）に示すようにエリアＡＲ１としてフラッシュＲＯ
Ｍ３が割当てられ、エリアＡＲ２としてＲＡＭ４が割当
てられる。また、切換スイッチ６がＯＮであるときに
は、図３（２）に示すようにエリアＡＲ１にＲＡＭ４が
割当てられ、エリアＡＲ２にフラッシュＲＯＭ３が割当
てられる。ＣＰＵ２は、エリアＡＲ１に割当てられてい
るメモリの先頭のアドレスを参照してプログラムを実行
する。The mapping switching circuit 22 has an address decode signal AREA1,
For AREA2, check if switch 6 is ON
Flash ROM 3 and RA
The chip select signals SELO and SELA are output to M4. When the changeover switch 6 is OFF, FIG.
As shown in (1), flash RO is set as area AR1.
M3 is allocated, and RAM4 is allocated as area AR2. When the changeover switch 6 is ON, the RAM 4 is allocated to the area AR1 and the flash ROM 3 is allocated to the area AR2 as shown in FIG. The CPU 2 executes the program with reference to the head address of the memory allocated to the area AR1.

【００３０】書込保護回路２３は、ＣＰＵ２からの書込
み信号ＷＲと、切換スイッチ６の出力ＯＵＴとが与えら
れている。ＣＰＵ２から供給される書込み信号ＷＲがハ
イレベルになってＲＡＭ４に対する書込みが要求された
場合、出力ＯＵＴがいずれの信号レベルであるかによっ
て、ＲＡＭ４に対する書込みを許可するか否かが定めら
れ、ＲＡＭ用書込み信号ＲＷＲの信号レベルが定められ
る。The write protection circuit 23 receives the write signal WR from the CPU 2 and the output OUT of the changeover switch 6. When the write signal WR supplied from the CPU 2 becomes high level and writing to the RAM 4 is requested, whether or not to permit writing to the RAM 4 is determined depending on which signal level of the output OUT is. The signal level of the write signal RWR is determined.

【００３１】切換スイッチ６の出力ＯＵＴによって、切
換スイッチ６がＯＦＦであると判断されるときには、Ｒ
ＡＭ４のＩＰＬプログラムがコピーされている領域に対
する書込みを許可しない。また、切換えスイッチ６の出
力ＯＵＴによって、切換スイッチ６がＯＮであると判断
されるときには、書込み信号ＷＲがハイレベルとなると
ＲＡＭ４に対する書込みを許可する。When it is determined from the output OUT of the changeover switch 6 that the changeover switch 6 is OFF, R
Writing is not permitted in the area where the AM4 IPL program is copied. When it is determined from the output OUT of the changeover switch 6 that the changeover switch 6 is ON, the writing to the RAM 4 is permitted when the write signal WR becomes high level.

【００３２】図４は、リモートプリンタ１におけるフラ
ッシュＲＯＭ３とＲＡＭ４とに記憶されているプログラ
ムの配置を示す。図４（１）は、ＩＰＬプログラムにお
ける記憶内容変更用のプログラムを実行する前のフラッ
シュＲＯＭ３とＲＡＭ４とを示す。フラッシュＲＯＭ３
の先頭の番地からの領域Ｒ１には、ＩＰＬプログラムが
格納されており、領域Ｒ２には動作プログラムが格納さ
れている。ＲＡＭ４の領域Ｒ３はすべてワークエリアと
なっている。ＲＡＭ４のワークエリアには、たとえば入
力キー群７を用いて入力されたキーを示すキーデータが
格納されるキーバッファが設定される。FIG. 4 shows an arrangement of programs stored in the flash ROM 3 and the RAM 4 in the remote printer 1. FIG. 4A shows the flash ROM 3 and the RAM 4 before executing a program for changing storage contents in the IPL program. Flash ROM3
The IPL program is stored in the area R1 from the first address of the above, and the operation program is stored in the area R2. The region R3 of the RAM 4 is a work area. In the work area of the RAM 4, for example, a key buffer for storing key data indicating a key input using the input key group 7 is set.

【００３３】図３（１）に示すように、フラッシュＲＯ
Ｍ３がエリアＡＲ１に選択されていると、リセット直後
にはフラッシュＲＯＭ３の領域Ｒ１に格納されているＩ
ＰＬプログラムが読出されて実行される。ＩＰＬプログ
ラムによって、領域Ｒ２に記憶されている動作プログラ
ムが読出されて実行される。As shown in FIG. 3A, the flash RO
If M3 is selected as the area AR1, immediately after the reset, the I stored in the area R1 of the flash ROM 3
The PL program is read and executed. The operation program stored in region R2 is read and executed by the IPL program.

【００３４】図４（２）は、記憶内容変更用のプログラ
ムを実行しているときのフラッシュＲＯＭ３とＲＡＭ４
とを示す。記憶内容変更用プログラムが実行されると、
フラッシュＲＯＭ３の領域Ｒ１に格納されているＩＰＬ
プログラムが読出されて、ＲＡＭ４の先頭の番地からの
領域Ｒ４に格納される。領域Ｒ４に続く領域Ｒ５はワー
クエリアとなっている。FIG. 4B shows the flash ROM 3 and the RAM 4 when the program for changing the stored contents is executed.
And When the memory change program is executed,
IPL stored in area R1 of flash ROM3
The program is read and stored in the area R4 starting from the first address of the RAM4. An area R5 following the area R4 is a work area.

【００３５】ＲＡＭ４の領域Ｒ４にＩＰＬプログラムが
格納された後に、切換スイッチ６が切換えられて図３
（２）に示すように各エリアＡＲ１，ＡＲ２が定められ
る。エリアＡＲ１，ＡＲ２が定められた後に、たとえば
リセットされると、領域Ｒ４のＩＰＬプログラムが実行
される。After the IPL program is stored in the area R4 of the RAM 4, the changeover switch 6 is changed over to the state shown in FIG.
Each area AR1, AR2 is defined as shown in (2). When the areas AR1 and AR2 are determined and then reset, for example, the IPL program of the area R4 is executed.

【００３６】ＩＰＬプログラムが実行されている際に、
記憶内容変更用のプログラムの実行が指示されると、フ
ラッシュＲＯＭ３に格納されているＩＰＬプログラムお
よび動作プログラムが消去される。記憶内容変更用プロ
グラムは、フラッシュＲＯＭ３の各プログラムの消去
後、ＲＳ−２３２Ｃインタフェイス１２を介して供給さ
れる更新されたＩＰＬプログラムおよび動作プログラム
を、ＲＡＭ４における領域Ｒ５のワークエリアに確保さ
れたプログラムデータ受信バッファに格納する。更新さ
れたＩＰＬプログラムおよび動作プログラムは、記憶内
容変更用プログラムによってプログラムデータ受信バッ
ファから読出され、図４（３）に示すようにフラッシュ
ＲＯＭ３の領域Ｒ６，Ｒ７にそれぞれ格納される。When the IPL program is being executed,
When the execution of the program for changing the storage content is instructed, the IPL program and the operation program stored in the flash ROM 3 are erased. The storage contents changing program is a program that, after erasing each program in the flash ROM 3, updates the updated IPL program and the operation program supplied through the RS-232C interface 12 in the work area of the region R5 in the RAM 4. Store in the data reception buffer. The updated IPL program and operation program are read from the program data reception buffer by the storage content changing program, and are stored in the areas R6 and R7 of the flash ROM 3 as shown in FIG.

【００３７】図５は、リモートプリンタ１の動作を説明
するためのフローチャートである。ステップｓ１では、
電源スイッチなどがオンされて電源の供給が開始され
る。ステップｓ２では、電源の供給が開始されたことを
示すために表示パネル８のパワーランプを点灯させる。FIG. 5 is a flowchart for explaining the operation of the remote printer 1. In step s1,
The power switch and the like are turned on to start supplying power. In step s2, the power lamp of the display panel 8 is turned on to indicate that the power supply has started.

【００３８】ステップｓ３では、切換スイッチ６がＯＮ
であるかＯＦＦであるかが判断される。切換スイッチ６
がＯＮであるときにはステップｓ４に進む。切換スイッ
チ６がＯＮであるので、リセット直後にＣＰＵ２が読込
みにゆくのはフラッシュＲＯＭ３の領域Ｒ１となる。ス
テップｓ４では、入力キー群７から入力されたキーデー
タを読取り、ＲＡＭ４のワークエリアに確保されたキー
バッファにキーデータを格納する。キー処理プログラム
によって、キーデータに基づく処理が行われる。In step s3, the changeover switch 6 is turned on.
Or OFF. Changeover switch 6
Is ON, the process proceeds to step s4. Since the changeover switch 6 is ON, it is the area R1 of the flash ROM 3 that is read by the CPU 2 immediately after the reset. In step s4, key data input from the input key group 7 is read, and the key data is stored in a key buffer secured in the work area of the RAM 4. The processing based on the key data is performed by the key processing program.

【００３９】ステップｓ５では、入力キー群７から入力
されたキーデータがプログラム変更要求を示しているか
否かが判定される。プログラム変更要求ではない場合に
は、フラッシュＲＯＭ３の動作プログラムを読出して実
行する。プログラム変更要求である場合にはステップｓ
６に進む。At step s5, it is determined whether or not the key data input from the input key group 7 indicates a program change request. If the request is not a program change request, the operation program in the flash ROM 3 is read and executed. Step s if it is a program change request
Proceed to 6.

【００４０】ステップｓ６では、ＩＰＬプログラムの記
憶内容変更用プログラムを実行し、フラッシュＲＯＭ３
の領域Ｒ１に格納されているＩＰＬプログラムを読出し
て、ＲＡＭ４の領域Ｒ４に書込む。ステップｓ７では、
切換スイッチ６がＯＦＦであるか否かを判定する。切換
スイッチ６がＯＦＦであるときにはステップｓ８に進
む。切換スイッチ６がＯＮであるときにはステップｓ７
の処理を行う。In step s6, the program for changing the storage contents of the IPL program is executed, and the flash ROM 3
The IPL program stored in the area R1 is read and written into the area R4 of the RAM 4. In step s7,
It is determined whether or not the changeover switch 6 is OFF. When the changeover switch 6 is OFF, the process proceeds to step s8. Step S7 when the changeover switch 6 is ON.
Is performed.

【００４１】ステップｓ８では、切換スイッチ６がＯＦ
Ｆであることに基づいて、図３（２）に示すようにメモ
リマップを変更しエリアＡＲ１，ＡＲ２に割当てるメモ
リを切換える。ステップｓ８の処理によって、ＣＰＵ２
がリセット後に読込みにいくのはＲＡＭ４の領域Ｒ４と
なる。ステップｓ９では、ＲＡＭ４に記憶されているＩ
ＰＬプログラムのうちの記憶内容変更用プログラムを実
行する。In step s8, the changeover switch 6 is turned off.
Based on F, the memory map is changed as shown in FIG. 3 (2), and the memory assigned to areas AR1 and AR2 is switched. By the processing in step s8, the CPU 2
It is the region R4 of the RAM 4 that goes to read after reset. In step s9, the I stored in the RAM 4
The storage content changing program of the PL program is executed.

【００４２】ステップｓ１０では、実行中の記憶内容変
更用プログラムによって、フラッシュＲＯＭ３に格納さ
れているＩＰＬプログラムおよび動作プログラムが消去
される。ステップｓ１１では、たとえば外部のコンピュ
ータ装置から供給される更新されたＩＰＬプログラムお
よび動作プログラムを、ＲＳ−２３２Ｃインタフェイス
１２を介してＲＡＭ４のワークエリアに確保されたプロ
グラムデータ受信バッファに書込む。ステップｓ１２で
は、プログラムデータ受信バッファに書込まれたＩＰＬ
プログラムおよび動作プログラムを読出し、フラッシュ
ＲＯＭ３に書込む。In step s10, the IPL program and the operation program stored in the flash ROM 3 are erased by the currently executed storage content changing program. In step s11, for example, the updated IPL program and operation program supplied from the external computer device are written into the program data reception buffer secured in the work area of the RAM 4 via the RS-232C interface 12. In step s12, the IPL written in the program data reception buffer
The program and the operation program are read and written into the flash ROM 3.

【００４３】ステップｓ１３では、フラッシュＲＯＭ３
に正確にＩＰＬプログラムおよび動作プログラムが書込
まれたか否かを判断する。フラッシュＲＯＭ３に書込ま
れたプログラムデータと、ＲＡＭ４に記憶されているプ
ログラムデータとを比較することによって、フラッシュ
ＲＯＭ３に正常に書込まれたか否かが判断される。プロ
グラムデータが正常に書込まれている場合にはステップ
ｓ１４に進む。ステップｓ１４では、正常終了処理とし
て、たとえば書換えが正常に終了したことを示すために
表示パネル８の所定の表示ランプを点灯させ、ブザー９
からブザー音を発する。In step s13, the flash ROM 3
It is determined whether the IPL program and the operation program have been accurately written. By comparing the program data written in the flash ROM 3 with the program data stored in the RAM 4, it is determined whether or not the data has been normally written in the flash ROM 3. If the program data has been normally written, the process proceeds to step s14. In step s14, as a normal end process, for example, a predetermined display lamp of the display panel 8 is turned on to indicate that the rewriting has been normally completed, and the buzzer 9
A buzzer sounds from.

【００４４】ステップｓ１５では、次の電源ＯＮ時にフ
ラッシュＲＯＭ３に書込まれた更新されたＩＰＬプログ
ラムを参照するように、切換スイッチ６がＯＮへと切換
えられる。切換スイッチ６がＯＮへと切換えられること
によって、マッピング切換回路２２の各出力の信号レベ
ルが切換わり、図３（１）に示すようなメモリマップに
定められて処理が終了する。切換スイッチ６がＯＮに切
換えられるので、次の電源ＯＮ時にＣＰＵ２が最初に参
照するアドレスはフラッシュＲＯＭ３の先頭アドレスと
なる。In step s15, the changeover switch 6 is turned on so as to refer to the updated IPL program written in the flash ROM 3 when the power is turned on next time. When the changeover switch 6 is turned on, the signal level of each output of the mapping changeover circuit 22 is changed, and the process is completed by defining a memory map as shown in FIG. Since the changeover switch 6 is turned ON, the first address to be referred to by the CPU 2 at the next power ON is the head address of the flash ROM 3.

【００４５】ステップｓ１３において、プログラムデー
タが正常に書込まれていないと判断されたときには、ス
テップｓ１６に進む。ステップｓ１６では、３回目のプ
ログラムデータの書込みエラーであるか否かを判定す
る。３回目のエラーであると判定された場合にはステッ
プｓ１７に進む。ステップｓ１７では、プログラムデー
タの書換えが正常に行われないとして、表示パネル８の
所定の表示ランプを点灯させ、ブザー９によって間欠的
にブザー音を発し、エラー終了であることを告知して処
理が終了する。ステップｓ１６において、書換えエラー
の回数が３回目未満であると判定された場合にはステッ
プｓ１０以降の処理を行う。If it is determined in step s13 that the program data has not been correctly written, the flow advances to step s16. In step s16, it is determined whether or not a third program data write error has occurred. If it is determined that this is the third error, the process proceeds to step s17. In step s17, it is determined that the rewriting of the program data is not performed normally, a predetermined display lamp of the display panel 8 is turned on, a buzzer 9 is intermittently sounded by the buzzer 9, and the end of the error is notified. finish. If it is determined in step s16 that the number of rewrite errors is less than the third time, the process from step s10 is performed.

【００４６】エラー終了であるときには、フラッシュＲ
ＯＭ３にはＩＰＬプログラムは書込まれていないので、
再びＲＡＭ４に記憶されているＩＰＬプログラムを起動
するためにＣＰＵ２をリセットする。エラー終了時に
は、切換スイッチ６はＯＦＦのまま切換えられないの
で、ＣＰＵ２のリセット後はステップｓ１８以降の処理
が行われる。If an error has occurred, the flash R
Since the IPL program is not written in OM3,
The CPU 2 is reset to start the IPL program stored in the RAM 4 again. At the end of the error, the changeover switch 6 remains OFF and cannot be changed over. Therefore, after the CPU 2 is reset, the processes after step s18 are performed.

【００４７】ステップｓ３において、切換スイッチ６が
ＯＦＦであると判断された場合にはステップｓ１８に進
む。ステップｓ１８では、切換スイッチ６の状態に基づ
いてメモリマップを変更する。ステップｓ１８における
処理によって、リセット時にＣＰＵ２はＲＡＭ４の領域
Ｒ４を参照するようになる。ステップｓ１９では、領域
Ｒ４に記憶されているＩＰＬプログラムにおける記憶内
容変更用プログラムを実行する。If it is determined in step s3 that the changeover switch 6 is OFF, the flow advances to step s18. In step s18, the memory map is changed based on the state of the changeover switch 6. By the processing in step s18, the CPU 2 comes to refer to the area R4 of the RAM 4 at the time of reset. In step s19, a storage content changing program in the IPL program stored in the area R4 is executed.

【００４８】ステップｓ２０では、実行中の記憶内容変
更用プログラムによって、フラッシュＲＯＭ３に記憶さ
れているＩＰＬプログラムおよび動作プログラムが消去
される。エラー終了後にリセットされて再び記憶内容変
更用プログラムが実行されている場合であってもフラッ
シュＲＯＭ３の消去動作は行われる。In step s20, the IPL program and the operation program stored in the flash ROM 3 are erased by the currently executed storage content changing program. Even when the program is reset after the end of the error and the storage content changing program is executed again, the erasing operation of the flash ROM 3 is performed.

【００４９】ステップｓ２１では、たとえば外部のコン
ピュータ装置から供給される更新されたＩＰＬプログラ
ムおよび動作プログラムを、ＲＳ−２３２Ｃインタフェ
イス１２を介してＲＡＭ４のワークエリアに確保された
プログラムデータ受信バッファに書込む。ＲＡＭ４にＩ
ＰＬプログラムおよび動作プログラムを書込んだ後はス
テップｓ１２以降の処理を行う。At step s21, the updated IPL program and operation program supplied from, for example, an external computer device are written to the program data reception buffer secured in the work area of the RAM 4 via the RS-232C interface 12. . I in RAM4
After the PL program and the operation program have been written, the processing after step s12 is performed.

【００５０】以上のように本実施の形態によれば、リモ
ートプリンタ１において、フラッシュＲＯＭ３に記憶さ
れているＩＰＬプログラムおよび動作プログラムを書換
える際には、入力キー群７における所定のキーを操作す
ることによって、記憶内容変更用のプログラムを含んで
いるＩＰＬプログラムがＲＡＭ４に書込まれる。ＲＡＭ
４に書込まれたＩＰＬプログラムから記憶内容変更用プ
ログラムを実行して、フラッシュＲＯＭ３の内容を消去
し、ＲＳ−２３２Ｃインタフェイス１２を介して与えら
れるプログラムをフラッシュＲＯＭ３に書込む。フラッ
シュＲＯＭ３の記憶内容を書換えるための記憶内容変更
用プログラムは、動作用プログラムが記憶されているフ
ラッシュＲＯＭ３に記憶されているので、記憶内容変更
用プログラムを記憶しておく専用ＲＯＭなどをリモート
プリンタ１に設けなくても動作用プログラムを書換える
ことができ、部品点数を削減することができる。As described above, according to the present embodiment, when rewriting the IPL program and the operation program stored in the flash ROM 3 in the remote printer 1, a predetermined key in the input key group 7 is operated. As a result, the IPL program including the program for changing the stored contents is written into the RAM 4. RAM
The program for changing the stored contents is executed from the IPL program written in 4 to erase the contents of the flash ROM 3, and the program given via the RS-232C interface 12 is written to the flash ROM 3. Since the storage content changing program for rewriting the storage content of the flash ROM 3 is stored in the flash ROM 3 in which the operation program is stored, a dedicated ROM for storing the storage content changing program is stored in a remote printer. 1, the operation program can be rewritten, and the number of components can be reduced.

【００５１】また、ＲＡＭ４に書込まれた記憶内容変更
用プログラムを実行する際には、書込み保護回路２３に
よって、ＩＰＬプログラムが格納されたＲＡＭ４の領域
に対する書込みは行われないので、プログラムが書換え
られて暴走することがなく、安定して書換え動作を行う
ことができる。When executing the storage content changing program written in the RAM 4, the write protection circuit 23 does not perform writing to the area of the RAM 4 in which the IPL program is stored. The rewriting operation can be performed stably without runaway.

【００５２】また、リセット後にＣＰＵ２が参照するメ
モリは、切換スイッチ６の状態に基づいてマッピング切
換回路２２の出力によって定められるので、記憶内容変
更用プログラムを実行している際に、エラーが生じても
リセットしてもう一度書換え処理を行うことができる。Since the memory referred to by the CPU 2 after the reset is determined by the output of the mapping switching circuit 22 based on the state of the changeover switch 6, an error occurs during execution of the storage content change program. Can be reset and the rewriting process can be performed again.

【００５３】図６は、本発明の実施の第２の形態である
リモートプリンタ３１に含まれるフラッシュＲＯＭ３３
の構成を示すブロック図である。リモートプリンタ３１
は、フラッシュＲＯＭ３がフラッシュＲＯＭ３３と置換
わったことを除いてはリモートプリンタ１と同一である
ので、同一の構成要素に同一の参照符を付して説明を省
略する。FIG. 6 shows a flash ROM 33 included in a remote printer 31 according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a block diagram showing the configuration of FIG. Remote printer 31
Is the same as the remote printer 1 except that the flash ROM 3 is replaced with the flash ROM 33, so that the same components are denoted by the same reference numerals and description thereof is omitted.

【００５４】フラッシュＲＯＭ３３は、フラッシュメモ
リセル４１とＩＤ格納レジスタ４２と、ＩＤ参照レジス
タ４３と、比較回路４４と、データ保護回路４５とを含
んで構成される。フラッシュメモリセル４１は、電気的
に書換えが可能となっており、データ保護回路４５から
供給される書込み許可信号ＷＲＡが、たとえばハイレベ
ルであるときのみデータバス１３から供給されるデータ
が書込まれる。The flash ROM 33 includes a flash memory cell 41, an ID storage register 42, an ID reference register 43, a comparison circuit 44, and a data protection circuit 45. The flash memory cell 41 is electrically rewritable, and data supplied from the data bus 13 is written only when the write enable signal WRA supplied from the data protection circuit 45 is at a high level, for example. .

【００５５】ＩＤ格納レジスタ４２は、ＰＲＯＭなどの
不揮発性メモリで構成され、一度だけデータの書込みを
行うことができる。ＩＤ格納レジスタ４２には、たとえ
ばフラッシュＲＯＭ３３を製造するメーカが予め定める
ＩＤ情報を書込む。メーカによって書込まれるＩＤ情報
を、以下「メーカＩＤ情報」と称する。The ID storage register 42 is composed of a non-volatile memory such as a PROM, and can write data only once. In the ID storage register 42, for example, ID information predetermined by a manufacturer of the flash ROM 33 is written. The ID information written by the manufacturer is hereinafter referred to as “maker ID information”.

【００５６】ＩＤ参照レジスタ４３は、ユーザによって
入力されるＩＤ情報が書込まれるレジスタであり、たと
えばＲＡＭなどの揮発性メモリで構成される。ユーザに
よって書込まれるＩＤ情報を、以下「ユーザＩＤ情報」
と称する。ユーザＩＤ情報は、ユーザがフラッシュメモ
リセル４１にデータを書込もうとする際に、入力キー群
７として設けられるたとえば数値キーを用いて入力され
る。The ID reference register 43 is a register in which ID information input by a user is written, and is formed of, for example, a volatile memory such as a RAM. The ID information written by the user is hereinafter referred to as “user ID information”.
Called. The user ID information is input by using, for example, numerical keys provided as input key group 7 when a user attempts to write data in flash memory cell 41.

【００５７】比較回路４４は、ＩＤ格納レジスタ４２と
ＩＤ参照レジスタ４３とに格納されている各ＩＤ情報を
比較する。各レジスタ４２，４３に格納されている各Ｉ
Ｄ情報が一致しているときは、一致検出信号ＳＡをデー
タ保護回路４５に供給する。データ保護回路４５は、一
致検出信号ＳＡが供給されている状態で、ＣＰＵ２から
書込み信号ＷＲが供給されると書込み許可信号ＷＲＡを
フラッシュメモリセル４１に出力する。The comparison circuit 44 compares each piece of ID information stored in the ID storage register 42 and the ID reference register 43. Each I stored in each register 42, 43
When the D information matches, the match detection signal SA is supplied to the data protection circuit 45. The data protection circuit 45 outputs the write enable signal WRA to the flash memory cell 41 when the write signal WR is supplied from the CPU 2 while the match detection signal SA is being supplied.

【００５８】図７は、フラッシュＲＯＭ３３に書込みを
行う際の処理を説明するためのフローチャートである。
フラッシュＲＯＭ３３に書込みを行う際には、ユーザは
ユーザＩＤ情報を入力する。入力されたユーザＩＤ情報
は、データバス１３を介してＩＤ参照レジスタ４３に格
納される。ステップａ１では、ＩＤ参照レジスタ４３に
ユーザＩＤ情報が格納される。比較回路４４は、ユーザ
ＩＤ情報と、ＩＤ格納レジスタ４２に格納されているメ
ーカＩＤ情報とを照合する。FIG. 7 is a flowchart for explaining a process when writing to the flash ROM 33.
When writing to the flash ROM 33, the user inputs user ID information. The input user ID information is stored in the ID reference register 43 via the data bus 13. In step a1, user ID information is stored in the ID reference register 43. The comparison circuit 44 compares the user ID information with the maker ID information stored in the ID storage register 42.

【００５９】ステップａ２では、ステップａ１における
照合の結果、ユーザＩＤ情報とメーカＩＤ情報とが一致
しているかどうかが判断される。ユーザＩＤ情報とメー
カＩＤ情報とが一致しているときにはステップａ３に進
む。ステップａ３では、比較回路４４からデータ保護回
路４５へと一致検出信号ＳＡが供給され、フラッシュメ
モリセル４１への書込みが許可されるようになる。In step a2, as a result of the comparison in step a1, it is determined whether or not the user ID information and the maker ID information match. When the user ID information and the maker ID information match, the process proceeds to step a3. In step a3, the match detection signal SA is supplied from the comparison circuit 44 to the data protection circuit 45, and writing to the flash memory cell 41 is permitted.

【００６０】ステップａ４では、データ保護回路４５に
は一致検出信号ＳＡが与えられており、ＣＰＵ２から書
込み信号ＷＲが供給されると、フラッシュメモリセル４
１に書込み許可信号ＷＲＡが供給され、フラッシュメモ
リセル４１の書込みが可能となる。At step a4, the coincidence detection signal SA is supplied to the data protection circuit 45, and when the write signal WR is supplied from the CPU 2, the flash memory cell 4
1 is supplied with a write enable signal WRA, and writing to the flash memory cell 41 becomes possible.

【００６１】以上のように本実施の形態によれば、ＩＤ
格納レジスタ４２に格納されているメーカＩＤ情報と等
しいデータを入力しなければ、フラッシュメモリセル４
１にデータの書込みを行うことができないので、不用意
にフラッシュメモリセル４１の内容が書換えられること
を防止することができる。As described above, according to the present embodiment, the ID
If data equal to the manufacturer ID information stored in the storage register 42 is not input, the flash memory cell 4
Since data cannot be written in the flash memory cell 1, the contents of the flash memory cell 41 can be prevented from being rewritten carelessly.

【００６２】[0062]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、不揮発性
メモリの記憶内容を変更する際に実行される記憶内容変
更用のプログラムは、動作用プログラムを書換えるとき
に不揮発性メモリからＲＡＭに転送されて実行されるの
で、記憶内容変更用のプログラムを記憶する専用の不揮
発性メモリをコンピュータ装置に設ける必要がなく、コ
ンピュータ装置の部品点数を削減し、製品のコストを抑
えることができる。As described above, according to the present invention, the program for changing the storage contents executed when changing the storage contents of the nonvolatile memory is changed from the nonvolatile memory to the RAM when the operation program is rewritten. Since the program is transferred and executed, it is not necessary to provide a dedicated non-volatile memory for storing a program for changing storage contents in the computer device, so that the number of parts of the computer device can be reduced and the cost of the product can be suppressed.

【００６３】また本発明によれば、前記ＲＡＭに転送さ
れた記憶内容変更用のプログラムは、保護手段によって
保護されており、書込みが行われないので、ＲＡＭに記
憶されている記憶内容変更用プログラムを実行している
ときに、ノイズなどによってＲＡＭに記憶されている記
憶内容変更用プログラムが書換えられて、プログラムが
暴走することを防止することができる。Further, according to the present invention, the storage content changing program transferred to the RAM is protected by the protection means and is not written, so that the storage content changing program stored in the RAM is not written. When the program is executed, it is possible to prevent the program for changing the storage content stored in the RAM from being rewritten due to noise or the like, thereby preventing the program from running away.

【００６４】さらに本発明によれば、変更指示手段によ
って変更動作の指示が行われたか否かで不揮発性メモリ
の予め定める記憶領域に書込まれているプログラムか、
ＲＡＭの記憶領域に記憶されている記憶内容変更用のプ
ログラムかが選択されるので、所望の動作に応じて不揮
発性メモリまたはＲＡＭの予め定める領域のプログラム
を読出して実行させることができる。Further, according to the present invention, whether a program is written in a predetermined storage area of the nonvolatile memory is determined by whether or not a change operation is instructed by the change instructing means.
Since a program for changing stored contents stored in the storage area of the RAM is selected, a program in a predetermined area of the nonvolatile memory or the RAM can be read and executed according to a desired operation.

【００６５】またさらに本発明によれば、コンピュータ
装置における電気的に書換え可能な不揮発性メモリは、
フラッシュＥＰＲＯＭによって構成されるので、メモリ
領域全体あるいは所定の大きさに分割したブロック単位
に書換えを行う場合であっても、確実に書換えを行うこ
とができる。According to the present invention, the electrically rewritable nonvolatile memory in the computer device is
Since the flash EPROM is used, rewriting can be reliably performed even when rewriting is performed in the entire memory area or in units of blocks divided into a predetermined size.

【００６６】またさらに本発明によれば、不揮発性メモ
リの記憶内容を変更する際には、入力手段から入力され
るデータと、レジスタに格納されている保護コードとが
一致しているかどうかを比較保護手段が判断して、一致
しているときのみ書込みを許可しているので、保護コー
ドと同一のデータを入力手段から入力することができる
場合のみ不揮発性メモリの記憶内容を変更することがで
き、記憶内容が不用意に書換えられることを防止するこ
とができる。Furthermore, according to the present invention, when changing the storage content of the nonvolatile memory, it is determined whether the data input from the input means matches the protection code stored in the register. Since the protection means determines and permits writing only when the password matches, the storage contents of the nonvolatile memory can be changed only when the same data as the protection code can be input from the input means. In addition, careless rewriting of the stored contents can be prevented.

【００６７】またさらに本発明によれば、不揮発性半導
体メモリの記憶内容を変更する際には、入力手段から入
力されるデータと、レジスタに格納されている保護コー
ドとが一致しているかどうかを比較保護手段が判断し
て、一致しているときのみ書込みを許可しているので、
保護コードと同一のデータを入力手段から入力すること
ができる場合のみ不揮発性半導体メモリの記憶内容を変
更することができ、記憶内容が不用意に書換えられるこ
とを防止することができる。Further, according to the present invention, when changing the storage content of the nonvolatile semiconductor memory, it is determined whether or not the data input from the input means matches the protection code stored in the register. Since the comparison and protection means judge and allow writing only when they match,
Only when the same data as the protection code can be input from the input means, the storage content of the nonvolatile semiconductor memory can be changed, and the storage content can be prevented from being rewritten carelessly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図１】本発明の実施の第１の形態であるリモートプリ
ンタ１の構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a remote printer 1 according to a first embodiment of the present invention.

【図２】切換制御回路５の構成を示すブロック図であ
る。FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a switching control circuit 5.

【図３】切換制御回路５による切換え制御を説明するた
めの図である。FIG. 3 is a diagram for explaining switching control by a switching control circuit 5;

【図４】リモートプリンタ１におけるフラッシュＲＯＭ
３とＲＡＭ４とに記憶されているプログラムの配置を示
す図である。FIG. 4 is a flash ROM in the remote printer 1.
FIG. 3 is a diagram showing an arrangement of programs stored in a RAM 3 and a RAM 4.

【図５】リモートプリンタ１の動作を説明するためのフ
ローチャートである。FIG. 5 is a flowchart for explaining the operation of the remote printer 1.

【図６】本発明の実施の第２の形態であるリモートプリ
ンタ３１に含まれるフラッシュＲＯＭ３３の構成を示す
ブロック図である。FIG. 6 is a block diagram showing a configuration of a flash ROM 33 included in a remote printer 31 according to a second embodiment of the present invention.

【図７】フラッシュＲＯＭ３３に書込みを行う際の処理
を説明するためのフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart for explaining processing when writing to a flash ROM 33;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１，３１リモートプリンタ２ＣＰＵ３，３３フラッシュＲＯＭ４ＲＡＭ５切換制御回路６切換スイッチ７入力キー群８表示パネル９ブザー１０ＤＩＰスイッチ１１プリンタ１２ＲＳ−２３２Ｃインタフェイス１３データバス 1, 31 Remote printer 2 CPU 3, 33 Flash ROM 4 RAM 5 Switching control circuit 6 Switching switch 7 Input key group 8 Display panel 9 Buzzer 10 DIP switch 11 Printer 12 RS-232C interface 13 Data bus

Claims

【特許請求の範囲】[Claims]

【請求項１】記憶内容変更用のプログラムを含むコン
ピュータ装置の動作用プログラムが書込まれ、電気的に
書換え可能な不揮発性メモリと、記憶内容の書込みおよび読出しが可能なＲＡＭと、不揮発性メモリから記憶内容変更用のプログラムをＲＡ
Ｍに転送するプログラム転送手段と、不揮発性メモリに対する記憶内容の変更動作を指示する
変更指示手段と、変更指示手段からの記憶内容変更指示に応答し、プログ
ラム転送手段によって不揮発性メモリからＲＡＭに転送
された記憶内容変更用プログラムに従って、不揮発性メ
モリの記憶内容を電気的に書換えるように制御する制御
手段とを含むことを特徴とする電気的書換え可能な不揮
発性メモリを備えるコンピュータ装置。An electrically rewritable nonvolatile memory in which an operation program of a computer device including a storage content changing program is written, a RAM capable of writing and reading storage content, and a nonvolatile memory From RA to RA
M: a program transfer unit for transferring data to M; a change instructing unit for instructing a change operation of the storage content in the nonvolatile memory; Control means for controlling the storage contents of the nonvolatile memory to be electrically rewritten in accordance with the stored contents changing program. A computer device comprising an electrically rewritable nonvolatile memory.

【請求項２】前記プログラム転送手段によって、前記
ＲＡＭに転送された記憶内容変更用のプログラムに対す
る書込み保護を行う保護手段を有することを特徴とする
請求項１記載の電気的書換え可能な不揮発性メモリを備
えるコンピュータ装置。2. The electrically rewritable nonvolatile memory according to claim 1, further comprising a protection unit that performs write protection on the program for changing storage contents transferred to the RAM by the program transfer unit. A computer device comprising:

【請求項３】前記制御手段は、前記変更指示手段によって変更動作が指示されないと
き、前記不揮発性メモリの予め定める記憶領域に書込ま
れているプログラムに従って動作し、変更指示手段によって変更動作が指示されるとき、前記
プログラム転送手段によって記憶内容変更用のプログラ
ムが転送される前記ＲＡＭの記憶領域に記憶されている
プログラムに従って動作するプログラム処理手段を有す
ることを特徴とする請求項１または２記載の電気的書換
え可能な不揮発性メモリを備えるコンピュータ装置。3. The control means operates according to a program written in a predetermined storage area of the nonvolatile memory when the change instruction is not instructed by the change instructing means, and the change instruction is instructed by the change instructing means. 3. A program processing means according to claim 1, further comprising a program processing means which operates according to a program stored in a storage area of said RAM to which a program for changing storage contents is transferred by said program transfer means. A computer device including an electrically rewritable nonvolatile memory.

【請求項４】前記不揮発性メモリは、フラッシュＥＰ
ＲＯＭであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか
に記載の電気的書換え可能な不揮発性メモリを備えるコ
ンピュータ装置。4. The nonvolatile memory according to claim 1, wherein said nonvolatile memory is a flash EP.
4. A computer device comprising an electrically rewritable nonvolatile memory according to claim 1, wherein the computer device is a ROM.

【請求項５】前記不揮発性メモリは、製造時に保護コードが格納されるレジスタと、記憶内容の変更時にデータが入力される入力手段と、入力手段に入力されるデータとレジスタに格納されてい
る保護コードとを比較し、一致しているときのみ、記憶
内容の変更を許容する比較保護手段とを有することを特
徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電気的書換え
可能な不揮発性メモリを備えるコンピュータ装置。5. The non-volatile memory includes a register in which a protection code is stored at the time of manufacture, input means for inputting data when the storage content is changed, and data input to the input means and stored in the register. The electrically rewritable nonvolatile memory according to any one of claims 1 to 4, further comprising a comparison protection means for comparing the protection code with the protection code and permitting change of the stored content only when the protection code matches. A computer device having a memory.

【請求項６】電気的書換え可能な不揮発性半導体メモ
リにおいて、製造時に保護コードが格納されるレジスタと、記憶内容の変更時にデータが入力される入力手段と、入力手段に入力されるデータとレジスタに格納されてい
る保護コードとを比較し、一致しているときのみ、記憶
内容の変更を許容する比較保護手段とを含むことを特徴
とする不揮発性半導体メモリ。6. An electrically rewritable nonvolatile semiconductor memory, a register in which a protection code is stored at the time of manufacture, input means for inputting data when storage contents are changed, and data and register input to the input means. A non-volatile semiconductor memory including a comparison protection unit that compares a protection code stored in a storage device and allows only a change in the stored content when the two match.