JPH10112277A - イオン注入装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 低出力時でも均一なエネルギーのイオンビー
ムの引き出しが可能なイオン注入装置を提供する。 【解決手段】 本発明によれば、イオン引き出し電源１
２８を、並列に接続された高出力用電源１３２と低出力
用電源１３４とを入力整流部１３０に直列に接続した構
成とした。また、高出力用電源１３２は、第１インバー
タ部１３８、第１昇圧部１４０および第１出力整流部１
４２から成り、低出力用電源１３４は、第２インバータ
部１４４、第２昇圧部１４６および第２出力整流部１４
８から成っており、それぞれ切り替え可能な構成となっ
ている。従って、要求される高出力または低出力の直流
電力を適宜出力できるとともに、低出力時でも、いわゆ
るリップルの発生を防止できる。その結果、均一な直流
電力を引き出し電極１２４とイオン源１１２間に印加す
ることができ、所望のイオンビームを引き出すことがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より提案されているイオン注入装置
について概略的に説明すると、まずアークチャンバなど
から成るイオン源内において、所定のガスをプラズマ化
し、このプラズマ中の正イオンを引き出し電極により所
定のエネルギーで引き出すことにより、イオンビームを
得る。このイオンビームに対して質量分析器により質量
分析を行って所望のイオンを分離し、さらに分解スリッ
トによりイオンの分離を完全に行う。そして、分離され
た所望のイオンのイオンビームを加速器を通じて最終エ
ネルギーにまで加速した後、被処理体に照射することに
より、半導体ウェハなどの被処理体の被処理面内に所望
の不純物を導入することができる。

【０００３】ここで、イオン源内で生成したプラズマ中
の正イオンの引き出し、すなわちイオンビームの発生に
ついて説明する。イオン源内には、フィラメントが備え
られているとともに、その内部と連通するガス導入管を
介してガス源が接続されている。また、イオン源のイオ
ン引き出し方向の面には、開口部が備えられているとと
もに、その開口部と対向する位置には、引き出し電極が
備えられている。

【０００４】イオン注入処理時には、まず、イオン源内
に所定のガスを導入するとともに、イオン源内に備えら
れているフィラメントに対して、熱電子発生用電源から
所定の高電流、例えば１５０Ａの直流電力を印加する。
さらに、アーク放電発生用電源から所定の負電圧、例え
ば−１００Ｖの直流電力を印加する。これらの直流電力
により、イオン源内のフィラメントとアークチャンバ間
に放電が生じて所定の処理ガスが解離し、プラズマが生
成する。この際、イオン源と引き出し電極の間には、イ
オン引き出し用電源から所定の高電圧、例えば８０ｋＶ
の直流電力が印加されているため、この所定の直流電力
によって、イオン源内で生成したプラズマ中の正イオン
のみが、引き出し電極方向に引き出される。そして、こ
の引き出されたイオン、すなわちイオンビームは、質量
分析器や分離スリット部の通過など、種々の過程を経て
所望の状態にされた後、被処理体に照射される。

【０００５】ところで、イオン源および引き出し電極に
所定の直流電力を出力するイオン引き出し用電源は、以
下のように構成されている。すなわち、所定の交流電力
を所望の直流電力に変換する、例えばダイオードブリッ
ジなどから成る入力整流部、その直流電力から所望の状
態に制御された交流電力に変換するインバータ部、その
交流電力を所望の高電圧に昇圧する昇圧部、および高電
圧となった交流電力をイオン引き出し用の所望の高電圧
の直流電力に変換する出力整流部が順次接続されてる。

【０００６】従って、このイオン引き出し用電源を介す
ることにより、一般に供給されている交流電力から、イ
オン注入装置におけるイオン引き出し用の所望の高電圧
の直流電力を得ることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記イ
オン引き出し用電源は、比較的高エネルギーのイオンビ
ームを引き出す際に用いられる構成のため、最近の被処
理体、例えば半導体デバイスの超高集積化および小型化
に伴う超微細加工において要求される比較的低エネルギ
ーでのイオン注入処理には、あまり対応することができ
ない。

【０００８】すなわち、イオン引き出し用電源の出力整
流部からイオン源および引き出し電極に印加される所定
の高電圧の直流電力には、実際には若干の交流成分、い
わゆるリップル成分が混在している。しかし、比較的高
エネルギーのイオンビームを引き出す場合、つまり上記
直流電力の電圧が比較的高い場合には、その直流電力の
電圧に対する交流成分の電圧の割合が非常に少ないた
め、イオンの引き出しエネルギーはほぼ一定となる。従
って、イオンビームの照射方向を乱すことなく、被処理
体に対して効率的にイオン注入処理を施すことができ
る。

【０００９】ところが、比較的低エネルギーのイオンビ
ームを引き出す場合、つまり上記直流電力の電圧が比較
的低い場合には、その直流電力の電圧に対する交流成分
の電圧の割合が大きくなり、その割合に伴って直流電力
の電圧の乱れ、すなわちいわゆるリップルが顕著にな
る。その結果、イオンの引き出しエネルギーが交流成分
の電圧の変化に伴って変化し、イオンビームの照射方向
が乱されて、例えば分離スリット部などでの通過効率が
下がり、イオンビームの浪費になるとともにイオン注入
処理時間の延長につながる。

【００１０】本発明は、従来のイオン注入装置が有する
上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、イオ
ン引き出し用電源内に、相互に切り替え可能な高出力専
用電源と、低出力専用電源を備えて、必要に応じて各電
源を適宜切り替えることにより、所望のイオンビームを
引き出して、被処理体に効率的な処理を施すことが可能
な、新規かつ改良されたイオン注入装置を提供すること
を目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、イオン源より
引き出し電極により引き出されたイオンを質量分析して
所定のイオンを選択し、選択されたイオンを加速して被
処理体内に注入するイオン注入装置に適用されるもので
ある。そして、上記引き出し電極に対して出力電圧を印
加する引き出し電源は、少なくとも並列に接続された高
出力専用電源と低出力専用電源とを入力整流部に直列に
接続した構成とする。また、上記高出力専用電源は、少
なくとも第１インバータ部と第１昇圧部と第１出力整流
部とから成り、さらに上記低出力専用電源は、少なくと
も第２インバータ部と第２昇圧部と第２出力整流部とか
ら成る構成とする。

【００１２】さらに、上記第１インバータ部と上記第２
インバータ部は、相互に選択的に切り換え可能とし、上
記第１昇圧部の巻数比は、上記第２昇圧部の巻数比より
も高くするとともに、上記第１出力整流部の第１平滑コ
ンデンサの容量は、上記第２出力整流部の第２平滑コン
デンサの容量よりも小さく設定される。そして、かかる
構成により、イオン注入処理時において、高出力が要求
される場合には、上記高出力専用電源から上記引き出し
電極に高出力電圧を印加し、低出力が要求される場合に
は、上記低出力専用電源から上記引き出し電極に低出力
電圧を印加することが可能となる。

【００１３】このように、本発明によれば、引き出し電
源は相互に切り替え可能な高出力専用電源と低出力専用
電源から構成されているため、容易な切替により比較的
高エネルギーのイオンビームを引き出す際に求められる
高出力、すなわち高電圧の直流電力の出力、および比較
的低エネルギーのイオンビームを引き出す際に求められ
る低出力、すなわち低電圧の直流電力の出力の両方に対
応することができる。

【００１４】また、特に低電圧の直流電力が求められて
いる場合には、低出力専用電源を介して出力されるた
め、その低出力専用電源において、直流電力に混在する
交流成分の影響を緩衝することができる。従って、いわ
ゆるリップルの含有率が極めて少ない所望の直流電力
を、イオン源と引き出し電極間に印加することができる
ため、イオン源から均一なエネルギーでイオンビームを
引き出すことができる。その結果、質量分析が安定し、
そのイオンビームを効率よく所望の状態で被処理体に照
射することが可能となる。

【００１５】さらに、引き出し電源において、入力整流
部に高出力専用電源と低出力専用電源を直列に接続し、
かつこれら高出力専用電源および低出力専用電源のそれ
ぞれにインバータ部、昇圧部および出力整流部を備えて
いる。従って、要求される高出力の直流電力または低出
力の直流電力に応じて、高出力専用電源および低出力専
用電源の回路設計をそれぞれ別々に行うことができる。

【００１６】さらにまた、第１昇圧部の巻数比が、第２
昇圧部の巻数比よりも高いため、低出力専用電源よりも
高出力専用電源の方からより高電圧の直流電力を出力す
ることができる。そして、第２出力整流部の平滑コンデ
ンサの容量が、第１出力整流部の平滑コンデンサの容量
よりも大きいため、低出力、すなわち低電圧の直流電力
の出力時においても、その直流電力に混在する交流成分
の電圧を緩衝し、いわゆるリップルの発生を防止するこ
とができる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に添付図面を参照しながら、
本発明にかかるイオン引き出し電源をイオン注入装置に
適用した、実施の一形態について詳細に説明する。な
お、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有す
る構成要素については、同一番号を付することにより、
重複説明を省略することにする。

【００１８】まず、図１を参照しながら、本実施の形態
にかかるイオン注入装置１００の全体構成について概略
的に説明する。イオン注入装置１００は、イオンビーム
発生室１０２、質量分析器１０４、イオン分離室１０
６、加速器１０８および処理室１１０が順次接続されて
成る。

【００１９】また、イオンビーム発生室１０２、質量分
析器１０４、イオン分離室１０６、加速器１０８および
処理室１１０は、お互いに連通するとともに、それぞれ
気密に構成されており、不図示の真空引き手段により、
イオンビーム発生室１０２内等を所定の減圧雰囲気、例
えば５×１０^-6Ｔｏｒｒに保持することが可能なように
構成されている。

【００２０】以下、イオンビーム発生室１０２から順に
説明していくと、その内部には、略直方体状の筐体構造
を有する、アークチャンバなどから成るイオン源１１２
が設けられている。このイオン源１１２は、例えば４本
の略棒状の支持棒１１４を介して、略円盤状の支持板１
１６に支持されている。また、イオン源１１２は、支持
板１１６とともに脱着自在なように構成され、装着時に
は、イオン源１１２がイオンビーム発生室１０２の所定
の場所に配置されるとともに、イオンビーム発生室１０
２の内壁と接しないように構成されている。

【００２１】そして、支持板１１６は、絶縁部材である
ブッシング１１８を介して、イオンビーム発生容器１２
０に接続されている。これらの部材は、それぞれが脱着
可能なように構成されているため、支持板１１６に接続
されているイオン源１１２やブッシング１１８などのメ
ンテナンスを適宜行うことができる。なお、支持板１１
６のイオンビーム発生室１０２側の面に対して反対側の
面には、取っ手１１６ａが設けられており、支持板１１
６の着脱が容易なように構成されている。

【００２２】ところで、イオン源１１２には、不図示の
ガス導入管が接続されているとともに、その内壁面の対
向した面には、それぞれ例えばフィラメントから成る不
図示の電極が設けられている。また、この電極には、第
１配線部材１２２を介して不図示のプラズマ発生用電源
が接続されている。従って、ガス導入管からそのイオン
源１１２内に所定の処理ガス、例えばアルシンガスが導
入されるとともに、不図示のプラズマ発生用電源から第
１配線部材１２２を介してフィラメントに所定の高電
流、例えば１５０Ａおよび所定の負電圧、例えば−１０
０Ｖの直流電力が印加されると、処理ガスが解離してプ
ラズマが励起されるように構成されている。

【００２３】また、イオン源１１２の質量分析器１０４
側の面には、開口部が設けられているとともに、その開
口部と質量分析器１０４との間の所定の位置には、引き
出し電極１２４が設けられている。さらに、この引き出
し電極１２４およびイオン源１１２には、第２配線部材
１２６を介してイオン引き出し電源１２８が電気的に接
続されている。従って、イオン引き出し電源１２８から
第２配線部材１２６を介して、イオン源１１２および引
き出し電極１２４に所定の高電圧の直流電力が印加され
ると、イオン源１１２内に励起されたプラズマ中の正イ
オンのみが、質量分析器１０４方向に引き出され、これ
ら引き出されたイオンがイオンビームとなる。

【００２４】ここで、本実施の形態にかかる、イオン引
き出し電源１２８の構成について、図２を参照しながら
詳細に説明する。このイオン引き出し電源１２８は、入
力整流部１３０に高出力用電源１３２と低出力用電源１
３４を直列に接続した構成となっている。

【００２５】まず、入力整流部１３０は、例えばダイオ
ードブリッジから成る第１整流器Ｄ１、例えばコイルか
ら成るフィルタチョーク部Ｆ、および例えば０．２２μ
Ｆの第１平滑用コンデンサ部Ｃ１から構成されている。
従って、外部の交流電源１３６から所定の電圧、例えば
２０８Ｖの交流電力が入力整流部１３０に出力される
と、この交流電力は第１整流器Ｄ１により直流電力に変
換され、さらにフィルタチョーク部Ｆおよび平滑用コン
デンサ部Ｃ１を介することにより、その直流電力は整流
される。

【００２６】そして、入力整流部１３０から出力される
所定の直流電力は、高出力用電源１３２および低出力用
電源１３４に出力される。まず、高出力用電源１３２の
構成について説明すると、入力側から第１インバータ部
１３８、第１昇圧部１４０および第１出力整流部１４２
が順次接続されている。

【００２７】そして、第１インバータ部１３８は、例え
ば４個のＮチャネル型電解効果トランジスタＮ１１〜Ｎ
１４から構成されており、また第１昇圧部１４０は、後
述の低出力用電源１３４の第２トランスＴ２よりもコイ
ルの巻数比が大きい、第１トランス部Ｔ１から構成され
ている。

【００２８】さらに、第１出力整流部１４２は、例えば
ダイオードブリッジから成る第２整流器Ｄ２、後述の第
３平滑用コンデンサ部Ｃ３よりも静電容量の小さい、例
えば０．０１５μＦの第２平滑用コンデンサ部Ｃ２、例
えば６０ＭΩの第１抵抗器Ｒ１および例えば１０ｋΩの
出力抵抗器Ｒ２から構成されている。

【００２９】従って、入力整流部１３０から高出力用電
源１３２に出力された所定の直流電力は、不図示の制御
器により制御されている第１インバータ部１３８におい
てオン・オフ制御され、所望の状態、例えば２０ｋＨｚ
の交流電力に変換される。なお、第１インバータ部１３
８がオン・オフ制御されている間は、後述の低出力用電
源１３４の第２インバータ部１４４は常にオフの状態と
なっている。

【００３０】そして、この交流電力は、第１昇圧部１４
０の第１トランス部Ｔ１において、低出力用電源１３４
の第２昇圧部１４６での昇圧電圧よりも高い所望の高電
圧、例えば８０ｋＶまで昇圧され、第１出力整流部１４
２に出力される。

【００３１】この第１出力整流部１４２に出力された高
電圧の交流電力は、まず第２整流器Ｄ２において直流電
力に変換された後、第２平滑用コンデンサ部Ｃ２により
整流され、出力抵抗器Ｒ２および第２配線部材１２６を
介して、イオン源１１２と引き出し電極１２４間に出力
される。

【００３２】一方、本実施の形態にかかる、低出力用電
源１３４は、入力側から第２インバータ部１４４、第２
昇圧部１４６および第２出力整流部１４８が順次接続さ
れる構成となっている。まず、第２インバータ部１４４
は、第１インバータ部１３８と略同一の構成で、例えば
４個のＮチャネル型電解効果トランジスタＮ２１〜Ｎ２
４から構成されており、また第２昇圧部１４６は、高出
力用電源１３２の第１トランス部Ｔ１よりも巻数比の小
さい第２トランス部Ｔ２から構成されている。

【００３３】さらに、第２出力整流部１４８は、例えば
ダイオードブリッジから成る第２整流器Ｄ２、第２平滑
用コンデンサ部Ｃ２よりも静電容量の大きい、例えば１
μＦの第３平滑用コンデンサ部Ｃ３、例えば１ＭΩの第
３抵抗器Ｒ３から構成されているとともに、第１出力整
流部１４２に接続されている。

【００３４】従って、入力整流部１３０から低出力用電
源１３４に出力された所定の直流電力は、第１インバー
タ部１３８と同様に不図示の制御器により制御されてい
る第２インバータ部１４４においてオン・オフ制御さ
れ、所望の状態、例えば２０ｋＨｚの交流電力に変換さ
れる。なお、第２インバータ部１４４がオン・オフ制御
されている間は、高出力用電源１３２の第１インバータ
部１３８は常にオフの状態となっている。

【００３５】そして、この交流電力は、第２昇圧部１４
６の第２トランス部Ｔ２において、高出力用電源１３２
の第１昇圧部１４０での昇圧電圧よりも低い所望の高電
圧、例えば１０ｋＶまで昇圧された後、第２出力整流部
１４８に出力される。

【００３６】この第２出力整流部１４８に出力された高
電圧の交流電力は、まず第３整流器Ｄ３において高電圧
の直流電力に変換された後、高出力用電源１３２の第２
平滑用コンデンサ部Ｃ２の静電容量よりも大きい容量を
有する、本実施の形態にかかる第３平滑用コンデンサ部
Ｃ３により整流される。

【００３７】さらに、この第２出力整流部１４８は、高
出力用電源１３２の第１出力整流部１４２に直列に接続
されているため、出力抵抗器Ｒ２および第２配線部材１
２６を介して、イオン源１１２および引き出し電極１２
４に出力される。

【００３８】なお、前述したように、高出力用電源１３
２の第１インバータ部１３８および低出力用電源１３４
の第２インバータ部１４４は、不図示の制御器により制
御されている。従って、第１インバータ部１３８がオン
・オフ制御されている間は、第２インバータ部１４４は
常にオフの状態となって、高出力用電源１３２のみから
所定の高出力の直流電力が出力され、また第２インバー
タ部１４４がオン・オフ制御されている間は、第１イン
バータ部１３８は常にオフの状態となって、低出力用電
源１３４のみから所定の低出力の直流電力が出力され
る。

【００３９】このように、本実施の形態においては、イ
オン注入処理時に要求される出力、すなわち高出力また
は低出力の直流電力の出力に応じて、イオン引き出し電
源１２８の高出力用電源１３２と低出力用電源１３４と
を相互に切り替えが可能な構成となっている。従って、
高出力時のみ成らず低出力時にも、交流成分が混在して
いない、すなわちいわゆるリップルを生じない所望の直
流電力を、イオン源１１２と引き出し電極１２４間に印
加することができるため、イオン源１１２内から均一な
エネルギーでイオンビームを引き出すことができる。

【００４０】また、この引き出されたイオンビームのエ
ネルギーは、低出力時においても均一であるため、例え
ば後述の分離スリット１６２での透過性が向上するた
め、利用効率が向上する。その結果、イオンビームを、
効率よく被処理体、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェ
ハ」と称する。）Ｗに照射することが可能となる。さら
に、イオン引き出し電源１２８は、高出力用電源１３２
と低出力用電源１３４とから構成されているため、所望
の出力に応じた回路設計が可能である。

【００４１】再び図１に戻り、イオン源１１２の開口部
と引き出し電極１２４との間の所定の位置には、サプレ
ッション電極１５０が設けられている。このサプレッシ
ョン電極１５０には、第３配線部材１５２を介して可変
直流電源１５４が接続されているとともに、この可変直
流電源１５４は、イオン引き出し電源１２８とイオン引
き出し電極１２４との間の第２配線部材１２６に接続さ
れている。

【００４２】従って、イオン源１１２からイオンを引き
出す際に、引き出し電極１２４からイオン源１１２に向
かって放出される２次電子を、サプレッション電極１５
０が引き出し電極１２４に押し戻すことにより、その２
次電子による引き出し電源１２８の出力電流の増加を防
止することができる。

【００４３】また、イオンビーム発生室１０２内の引き
出し電極１２４と質量分析器１０４との間、すなわち引
き出し電極１２４により引き出されたイオンビームの下
流側には、スリットの幅を可変できる可変スリット部１
５６が設けられている機種もある。この可変スリット部
１５６は、スリットの幅を変更することにより、ウェハ
Ｗに到達するイオンの量を調整するために設けられてい
る。

【００４４】次に、質量分析器１０４について説明する
と、この質量分析器１０４は、ゲートバルブＧ１を介し
てイオンビーム発生室１０２に接続されており、イオン
ビーム発生室１０２内で発生したイオンビームの下流側
に配置されている。質量分析器１０４内には、質量分析
用マグネット１６０の鉄心の空隙部１５８が設けられて
おり、その空隙部１５８の凹に湾曲している方向および
上下方向の質量分析器１０４の外壁周辺部を、質量分析
用マグネット１６０が取り囲んでいる。

【００４５】従って、質量分析器１０４は、イオンビー
ム発生室１０２内から導入されたイオンビームを、空隙
部１５８内を通過させる際に、質量分析用マグネット１
６０から発生する磁界によってその軌道を曲げることに
より、イオンの質量に応じた曲がり方の程度の差を利用
して、所望のイオンのみを取り出すことが可能なように
構成されている。

【００４６】質量分析器１０４内を通過したイオンビー
ムは、質量分析器１０４により所定の方向に案内され、
所望のイオンのイオンビームのみが、質量分析器１０４
に接続されているイオン分離室１０６内に導入される。
イオン分離室１０６内には、分離スリット部１６２が設
けられており、導入されたイオンビームの中で、お互い
に質量が近く、質量分析器１０４において分離されなか
った不必要なイオンを、イオンビームから排除するよう
に構成されている。

【００４７】上記各過程を経ることにより、所望のイオ
ンのみとなったイオンビームは、イオン分離室１０６に
接続されている加速器１０８内に導入される。この加速
器１０８は、導入されるイオンビームに所定の加速電圧
を印加して、そのイオンビームを加速するように構成さ
れている。

【００４８】加速されたイオンビームは、ゲートバルブ
Ｇ２を介して加速器１０８に接続されている処理室１１
０内に導入される。ところで、処理室１１０内には、ウ
ェハＷを載置するための回転載置台１６４が設けられて
いる。この回転載置台１６４は、複数枚のウェハＷを周
方向に配置するとともに、不図示の回転駆動機構を作動
させることにより回転軸１６６を介して回転可能で、処
理室１１０内に導入されたイオンビームを、複数枚のウ
ェハＷが載置された周上で偏向（スキャン）させるよう
に構成されている。

【００４９】また、回転載置台１６４に対向する位置
で、処理室１１０内に導入されるイオンビームの周囲を
取り囲む位置には、イオン注入時に発生する２次電子を
外部に流出しないように閉じこめ、イオンビーム電流を
正確に測定するためのファラデーカップ１６８が設けら
れてる。また、ファラデーカップ１６８へのイオンビー
ム導入方向には、ビームゲート１７０が設けられてい
る。このビームゲート１７０は、ファラデーカップ１６
８側にイオンビームが不必要に照射されることを防止す
るとともに、ウェハＷに導入されるイオンビームを照射
前に調整する際の測定器として構成されている。

【００５０】以上、本発明の好適な実施の一形態につい
て、添付図面を参照しながら説明したが、本発明はかか
る構成に限定されない。特許請求の範囲に記載された技
術的思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更
例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及
び修正例についても本発明の技術的範囲に属するものと
了解される。

【００５１】例えば、上記実施の形態において、イオン
引き出し電源１２８を高出力用電源１３２と低出力用電
源１３４とから成る構成を例に挙げて説明したが、本発
明はかかる構成に限定されず、要求される出力の電力に
応じて、引き出し電源をさらに複数の電源から構成する
ことも可能である。

【００５２】また、上記実施の形態において、イオン引
き出し電源１２８の入力整流部１３０、高出力用電源１
３２および低出力用電源１３４の内部構成を説明する際
に、各構成部材の個数および接続順序などを具体的に挙
げて説明したが、本発明はかかる構成に限定されず、本
発明を適用する装置に応じて、適宜修正および変更する
ことが可能である。

【００５３】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
引き出し電源は相互に切り替え可能な高出力専用電源
と、低出力専用電源とから構成されているため、要求さ
れる高出力または低出力の直流電力の出力の両方に対応
することができる。また、低出力専用電源から低出力の
直流電力を出力する場合には、特に低出力時に顕著とな
る、いわゆるリップルの発生を防止することができ、均
一な直流電力をイオン源および引き出し電極に印加する
ことができる。その結果、高出力時のみ成らず、低出力
時でもイオン源から均一なエネルギーでイオンビームを
引き出すことができ、そのイオンビームを効率よく被処
理体に照射することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用可能なイオン注入装置の実施の一
形態を示す概略的な説明図である。

【図２】図１に示したイオン注入装置におけるイオン引
き出し電源の構成を表した概略的な説明図である。

【符号の説明】

１０２ イオンビーム発生室 １１０ 処理室 １１２ イオン源 １２４ 引き出し電極 １２８ イオン引き出し電源 １３０ 入力整流部 １３２ 高出力用電源 １３４ 低出力用電源 １３８ 第１インバータ部 １４０ 第１昇圧部 １４２ 第１出力整流部 １４４ 第２インバータ部 １４６ 第２昇圧部 １４８ 第２出力整流部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 イオン源より引き出し電極により引き出
   されたイオンを被処理体内に注入するイオン注入装置に
   おいて、 前記引き出し電極に出力電圧を印加する引き出し電源
   は、少なくとも並列に接続された高出力専用電源と低出
   力専用電源とを入力整流部に直列に接続して成り、前記
   高出力専用電源は少なくとも第１インバータ部と第１昇
   圧部と第１出力整流部とから成り、前記低出力専用電源
   は少なくとも第２インバータ部と第２昇圧部と第２出力
   整流部とから成り、前記第１インバータ部と前記第２イ
   ンバータ部は相互に選択的に切り換え可能であり、前記
   第１昇圧部の巻数比は前記第２昇圧部の巻数比よりも高
   く、前記第１出力整流部の第１平滑コンデンサの容量は
   前記第２出力整流部の第２平滑コンデンサの容量よりも
   小さく、高出力要求時には前記高出力専用電源から前記
   引き出し電極に高出力電圧を印加し、低出力要求時には
   前記低出力専用電源から前記引き出し電極に低出力電圧
   を印加するように構成されることを特徴とする、イオン
   注入装置。