JPH1010558A - Electrode substrate - Google Patents
Electrode substrateInfo
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- JPH1010558A JPH1010558A JP18138196A JP18138196A JPH1010558A JP H1010558 A JPH1010558 A JP H1010558A JP 18138196 A JP18138196 A JP 18138196A JP 18138196 A JP18138196 A JP 18138196A JP H1010558 A JPH1010558 A JP H1010558A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、透明電極を表面に
形成させるための電極基板、特に液晶セル製造のための
電極基板に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrode substrate for forming a transparent electrode on a surface thereof, and more particularly to an electrode substrate for manufacturing a liquid crystal cell.
【０００２】[0002]
【従来の技術】現在の液晶表示パネル用基板にはガラス
基板が使用されており、携帯型情報端末機やパームトッ
プコンピューター等の表示部としての使用に適してい
る。しかし、ガラス基板は、重い、破損しやすい、薄型
にできない、曲がらない等の欠点を有しているので、軽
量化、薄型化、ペン入力時に破損しにくいといった要求
特性をすべて満足するのは難しい。そこで最近では、ガ
ラス基板に代わり、プラスチックフィルム基板を用いた
液晶表示パネルが実用化されつつある。2. Description of the Related Art At present, a glass substrate is used as a substrate for a liquid crystal display panel, and is suitable for use as a display section of a portable information terminal, a palmtop computer, or the like. However, the glass substrate has drawbacks such as being heavy, easily broken, being unable to be thin, and not being bent, so it is difficult to satisfy all the required characteristics such as weight reduction, thinning, and being hardly broken at the time of pen input. . Therefore, recently, a liquid crystal display panel using a plastic film substrate instead of a glass substrate has been put into practical use.
【０００３】液晶表示パネル用基板としてプラスチック
フィルム基板を用いる場合には以下の特性が要求され
る： 1.可視光領域において透明であること。 2.表面が平滑であり、かつ硬いこと。 3.光等方性を有すること。 4.液晶表示パネルの製造工程に耐えうる１００℃以上の
耐熱性を有すること。 5.液晶表示パネルの製造工程に使用する薬品に耐えるこ
と。 6.液晶表示パネルの製造工程中にかかるストレスに対し
て、層間剥離しないこと。 7.ガスバリア性が十分であること。 8.優れた防湿性を有すること。 9.耐液晶性を有すること。When a plastic film substrate is used as a substrate for a liquid crystal display panel, the following characteristics are required: 1. Be transparent in the visible light region. 2. The surface must be smooth and hard. 3. Have optical isotropy. 4. Heat resistance of 100 ° C. or more that can withstand the manufacturing process of the liquid crystal display panel. 5. Withstand chemicals used in the liquid crystal display panel manufacturing process. 6. Avoid delamination due to stress applied during the manufacturing process of the liquid crystal display panel. 7. Sufficient gas barrier properties. 8. Have excellent moisture resistance. 9. Have liquid crystal resistance.
【０００４】このような要求特性を満足するために、プ
ラスチックフィルムの少なくとも片面にアンカーコート
層を形成し、この上にエチレン−ビニルアルコール共重
合体もしくはポリビニルアルコールからなる層を形成
し、さらに硬化性樹脂硬化物層を積層した電極基板（特
開昭６１−８６２５２号公報）、プラスチックフィルム
の少なくとも片面に塩化ビニリデン樹脂からなる層を形
成し、さらに硬化性樹脂硬化物層を積層した電極基板
（特開昭６０−１３４２１５号公報）、プラスチックフ
ィルムの少なくとも片面に蒸着法によるＳｉＯｘ（ただ
し１＜ｘ＜２）薄膜層と硬化性樹脂硬化物層とを積層し
た電極基板（特開平６−１７５１４３号公報）等が提案
されている。In order to satisfy such required characteristics, an anchor coat layer is formed on at least one surface of a plastic film, a layer made of an ethylene-vinyl alcohol copolymer or polyvinyl alcohol is formed thereon, and An electrode substrate in which a cured resin layer is laminated (JP-A-61-86252), an electrode substrate in which a layer made of a vinylidene chloride resin is formed on at least one surface of a plastic film, and a cured resin layer is further laminated. JP-A-60-134215), an electrode substrate in which a thin film layer of SiOx (where 1 <x <2) and a cured layer of a curable resin are laminated on at least one side of a plastic film (JP-A-6-175143). ) Etc. have been proposed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開昭６１−８６２５２号公報や特開昭６０−１３４２
１５号公報に記載の電極基板は、高分子フィルム上にエ
チレン−ビニルアルコール共重合体や硬化性樹脂硬化物
をコーティングするため、それぞれの層間の密着力は不
十分である。そのため、液晶表示パネルの製造工程中に
かかるストレスにより、これらの電極基板は層間剥離を
生じてしまうことがあり、プラスチックフィルムを用い
た液晶表示パネル製造の歩留まりを低いものにしてい
た。However, the above-mentioned Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-86252 and Japanese Patent Application Laid-Open No.
In the electrode substrate described in Japanese Patent Publication No. 15, since an ethylene-vinyl alcohol copolymer or a cured curable resin is coated on a polymer film, the adhesion between the respective layers is insufficient. Therefore, these electrode substrates may cause delamination due to stress applied during the manufacturing process of the liquid crystal display panel, and the yield of manufacturing a liquid crystal display panel using a plastic film has been reduced.
【０００６】またエチレン−ビニルアルコール共重合体
もしくはポリビニルアルコールからなる層を用いたもの
は、ガスバリア性および防湿性が十分満足できるもので
はない。このような積層シートを用いた液晶表示パネル
は、液晶が劣化して駆動電力が増加したり、長時間使用
後に液晶表示部に黒色の泡が発生してしまい使用不可能
となることがあった。[0006] Further, those using a layer composed of an ethylene-vinyl alcohol copolymer or polyvinyl alcohol are not satisfactory in gas barrier properties and moisture-proof properties. In a liquid crystal display panel using such a laminated sheet, the liquid crystal is deteriorated, the driving power is increased, or a black bubble is generated in the liquid crystal display after a long use, so that the liquid crystal display panel becomes unusable. .
【０００７】またＳｉＯｘ（ただし１＜ｘ＜２）薄膜を
用いたものは、その着色のために液晶表示パネルには不
適である。さらに通常の蒸着法で作製したＳｉＯｘ（た
だし１＜ｘ＜２）薄膜は下地の高分子フィルムとの密着
力が十分でないため、この電極基板は層間剥離を生じて
しまうことがあり、やはりプラスチックフィルムを用い
た液晶表示パネル製造の歩留まりを低いものにしてい
た。Further, a device using a SiOx (1 <x <2) thin film is not suitable for a liquid crystal display panel because of its coloring. Furthermore, since the SiOx (1 <x <2) thin film produced by a normal vapor deposition method has insufficient adhesion to the underlying polymer film, this electrode substrate may cause delamination, and the plastic film is also The yield of manufacturing a liquid crystal display panel using the liquid crystal display device is low.
【０００８】本発明は、かかる従来技術の現状に鑑み創
案されたものであり、層間密着力およびガスバリア性を
顕著に改善した透明電極形成用の電極基板（特に液晶セ
ル製造のための電極基板）を提供することを目的とする
ものである。The present invention has been made in view of the current state of the art, and has been devised in view of the state of the art, and is an electrode substrate for forming a transparent electrode (in particular, an electrode substrate for manufacturing a liquid crystal cell) having remarkably improved interlayer adhesion and gas barrier properties. The purpose is to provide.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の電極基板は、高
分子製ベースシート１１の少なくとも片面にシリコンア
ルミニウム複合酸化物薄膜層１２を設けた積層シートに
おいて、該シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
の比重Ｄが下記式を満足することを特徴とするものであ
る。 Ｄ＝０．０１Ｗ＋Ｂ ２．０≦Ｂ≦２．２ Ｄ：シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２の比重 Ｗ：複合酸化物薄膜層１２中の酸化アルミニウムの重量
％According to the electrode substrate of the present invention, there is provided a laminated sheet in which a silicon-aluminum composite oxide thin film layer is provided on at least one surface of a polymer base sheet.
Satisfies the following expression. D = 0.01 W + B 2.0 ≦ B ≦ 2.2 D: Specific gravity of silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 W: Weight% of aluminum oxide in composite oxide thin film layer 12
【００１０】ベースシート１１としては、必要な機械的
強度を有する高分子フィルム、例えば、硬質ポリ塩化ビ
ニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリカー
ボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリエステ
ルフィルム、ポリ−４−メチルペンテンフィルム、ポリ
フェニレンオキサイドフィルム、ポリアミドイミドフィ
ルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリアリレート
フィルム、アモルファスポリオレフィン、ノルボルネン
系ポリマーフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、
エチレン−ビニルアルコール共重合体フィルム、セルロ
ースフィルム（セルローストリアセテート、セルロース
ジアセテート、セルロースアセテートブチレート等）な
どが用いられる。これらのベースシート１１は、単層の
みならず、複層であってもよい。As the base sheet 11, a polymer film having a necessary mechanical strength, for example, a rigid polyvinyl chloride film, a polyvinylidene chloride film, a polycarbonate film, a polystyrene film, a polyester film, a poly-4-methylpentene film, Polyphenylene oxide film, polyamide imide film, polyether sulfone film, polyarylate film, amorphous polyolefin, norbornene-based polymer film, polyvinyl alcohol film,
Ethylene-vinyl alcohol copolymer films, cellulose films (cellulose triacetate, cellulose diacetate, cellulose acetate butyrate, etc.) are used. These base sheets 11 may be not only a single layer but also multiple layers.
【００１１】これらの高分子フィルムからなるベースシ
ートは光等方性を有することが必要であるので、レタデ
ーション値が３０ｎｍ以下、殊に２０ｎｍ以下のフィル
ムであって、可視光線透過率が７５％以上のものが用い
られる。３０ｎｍを越える場合、液晶表示パネルに用い
た際、表示品位が良好でない。これらのベースシート
は、流延法により製膜することにより得られるが、レタ
デーション値および可視光線透過率が上記の条件を満足
していれば、押出法など他の成形法を採用することもで
きる。Since the base sheet made of such a polymer film is required to have optical isotropy, it is a film having a retardation value of 30 nm or less, particularly 20 nm or less, and a visible light transmittance of 75% or more. Is used. If it exceeds 30 nm, the display quality is not good when used for a liquid crystal display panel. These base sheets are obtained by forming a film by a casting method, but if the retardation value and the visible light transmittance satisfy the above conditions, other molding methods such as an extrusion method can be adopted. .
【００１２】またベースシート１１としては、前記高分
子フィルム以外に、一軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムも用いられる。この一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルム１１を液晶表示パネルに用いるに
は、レタデーション値が５０００ｎｍ以上、殊に８００
０ｎｍ以上のフィルムが好ましい。５０００ｎｍ以上あ
れば可視光領域において干渉縞の間隔が十分広がるた
め、光学的に等方であるのと同様になる。５０００ｎｍ
よりも小さい場合には、干渉縞が液晶表示パネルに表れ
て、表示品位が良好でない。可視光線透過率は７５％以
上のものが用いられる。一軸延伸ポリエチレンテレフタ
レートフィルムは、単層のみならず、複層であってもよ
い。なお、レタデーション値とはフィルム上の直交する
二軸の屈折率の異方性（△Ｎ＝Ｎｘ−Ｎｙ）とフィルム
厚ｄとの積（△Ｎ×ｄ）である。As the base sheet 11, a uniaxially stretched polyethylene terephthalate film is used in addition to the polymer film. In order to use this uniaxially stretched polyethylene terephthalate film 11 for a liquid crystal display panel, the retardation value is 5000 nm or more, especially 800
Films of 0 nm or more are preferred. If it is 5000 nm or more, the interval between the interference fringes is sufficiently widened in the visible light region, so that it is the same as optically isotropic. 5000 nm
If it is smaller, interference fringes appear on the liquid crystal display panel, and the display quality is not good. Those having a visible light transmittance of 75% or more are used. The uniaxially stretched polyethylene terephthalate film may be not only a single layer but also a multilayer. The retardation value is a product (ΔN × d) of anisotropy (ΔN = Nx−Ny) of a biaxial refractive index on the film and a film thickness d.
【００１３】ベースシート１１の厚さは、５０〜５００
μｍが適当である。５０μｍよりも薄い場合は機械的強
度が充分ではなく、５００μｍを越える場合は薄いとい
うプラスチックフィルムの利点がなくなる。The thickness of the base sheet 11 is 50 to 500.
μm is appropriate. If the thickness is less than 50 μm, the mechanical strength is not sufficient, and if it exceeds 500 μm, the advantage of the plastic film being thin is lost.
【００１４】本発明の電極基板が有するシリコンアルミ
ニウム複合酸化物薄膜層１２はフィルムにガスバリア性
を付与するための層である。本発明の電極基板は酸素透
過度が３ｃｃ／ｍ2 ・ａｔｍ・ｄａｙ以下であることが
好ましい。シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
は酸化アルミニウムと酸化シリコンとの混合物あるいは
化合物から成り立っていると考えられる。ここでいう酸
化アルミニウムとは、Ａｌ、ＡｌＯ、Ａｌ2 Ｏ3 などの
各種アルミニウム酸化物の混合物から成り立ち、酸化ア
ルミニウム内での各々の含有率などは作製条件で異な
る。酸化シリコンとは、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 などか
ら成り立っていると考えられ、これらの比率も作製条件
で異なる。本発明のシリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２中の酸化アルミニウムの含有率は２５〜９０重
量％であり、好ましくは３０〜８０重量％である。この
酸化アルミニウムの含有率が２５重量％未満の場合、本
発明の電極基板のガスバリア性が充分でなく、逆に９０
重量％を越える場合、可撓性が不充分となって好ましく
ない。なお本発明でいう酸化アルミニウムの含有率と
は、薄膜中のシリコンとアルミニウムの組成を原子吸光
分析で求め、シリコンとアルミニウムとが完全酸化物
（ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 ）であると仮定して、これらの
比重より完全酸化アルミニウムの含有率を算出した値で
ある。The silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 of the electrode substrate of the present invention is a layer for imparting gas barrier properties to the film. The electrode substrate of the present invention preferably has an oxygen permeability of 3 cc / m 2 · atm · day or less. Silicon aluminum composite oxide thin film layer 12
Is considered to consist of a mixture or compound of aluminum oxide and silicon oxide. The term “aluminum oxide” used herein includes a mixture of various aluminum oxides such as Al, AlO, and Al 2 O 3, and the content and the like in the aluminum oxide are different depending on manufacturing conditions. Silicon oxide is considered to be composed of Si, SiO, SiO 2, and the like, and their ratios also differ depending on manufacturing conditions. The content of aluminum oxide in the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 of the present invention is 25 to 90% by weight, preferably 30 to 80% by weight. When the aluminum oxide content is less than 25% by weight, the gas barrier properties of the electrode substrate of the present invention are not sufficient, and
If the amount exceeds 10% by weight, the flexibility becomes insufficient, which is not preferable. In the present invention, the content of aluminum oxide refers to the composition of silicon and aluminum in a thin film determined by atomic absorption spectrometry, and assumes that silicon and aluminum are complete oxides (SiO 2 , Al 2 O 3 ). It is a value obtained by calculating the content of complete aluminum oxide from these specific gravities.
【００１５】上記シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２中には、特性が損なわれない範囲で微量（全成分
に対して高々５重量％）の他の成分を含有してもよい。
これらの成分としては、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｂ、Ｃ、
Ｎ、Ｆ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗなどがあるが、これら
に限定されない。The silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 may contain a trace amount (at most 5% by weight based on all components) of other components as long as the characteristics are not impaired.
These components include He, Ar, Kr, B, C,
N, F, Mg, Ca, Ti, Fe, Ca, Ge, Y, Z
r, In, Sn, Hf, Ta, W, etc., but not limited thereto.
【００１６】上記シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２の厚さは、特に限定されるものではないが、ガス
バリア性および可撓性の点から、好ましくは３０〜８０
００Å、より好ましくは７０〜５０００Åである。この
厚さが３０Å未満の場合、本発明のフィルムのガスバリ
ア性が不充分となり、逆に８０００Åを越える場合、可
撓性が不充分となって好ましくない。また薄膜の結晶性
は、その特性を損なわない限り、光学的等方性の点で非
晶質状態であることが好ましい。The thickness of the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 is not particularly limited, but is preferably 30 to 80 in view of gas barrier properties and flexibility.
00 °, more preferably 70-5000 °. When the thickness is less than 30 °, the gas barrier property of the film of the present invention becomes insufficient, and when it exceeds 8000 °, the flexibility becomes insufficient, which is not preferable. Further, the crystallinity of the thin film is preferably in an amorphous state in terms of optical isotropy, as long as the characteristics are not impaired.
【００１７】かかるシリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２の製膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法などのＰＶＤ法（物理的蒸着
法）、あるいはＣＶＤ法（化学的蒸着法）などが用いら
れるが、生産性の点から真空蒸着法がよく、下地である
ベースシート１１との密着力向上のためには電子ビーム
蒸着法が好ましい。The silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 is formed by vacuum deposition, sputtering,
A PVD method (physical vapor deposition method) such as an ion plating method, or a CVD method (chemical vapor deposition method) is used, but a vacuum vapor deposition method is preferable in terms of productivity, and adhesion to the base sheet 11 serving as a base is preferred. An electron beam evaporation method is preferable for improving the force.
【００１８】電子ビーム蒸着法で製膜する際の圧力が３
×１０-4Ｔｏｒｒ以下であることが好ましく、さらに好
ましくはこの圧力中の水蒸気分圧は５×１０-5Ｔｏｒｒ
以下である。圧力が３×１０-4Ｔｏｒｒを越える時は、
複合酸化物薄膜の比重が低く、ガスバリア性が充分では
なく、また下地との密着力も不充分である。The pressure at the time of forming a film by the electron beam evaporation method is 3
It is preferably at most 10 × 10 −4 Torr, more preferably 5 × 10 −5 Torr at this pressure.
It is as follows. When the pressure exceeds 3 × 10 -4 Torr,
The specific gravity of the composite oxide thin film is low, the gas barrier property is not sufficient, and the adhesion to the base is insufficient.
【００１９】また下地との密着力を向上させるために
は、イオンビームを照射しながら電子ビーム蒸着を行う
のがよい。イオン種としては、アルゴン、ヘリウム、ク
リプトン等の希ガスや酸素等の反応性ガス等がよい。ま
たビーム電流密度は０．０２〜５．０ｍＡ／ｃｍ2 、ビ
ームエネルギーは３０〜５０００Ｖの範囲が好ましい。
ビーム電流密度が０．０２ｍＡ／ｃｍ2 未満の時は照射
の効果がなく、５．０ｍＡ／ｃｍ2 を越える時は照射量
が多すぎ、下地であるベースシート１１が熱変形してし
まう。またビームエネルギーが３０Ｖ未満の場合は照射
の効果がなく、５０００Ｖを越えるときは、エネルギー
が高すぎ、ベースシート１１が熱変形してしまう。In order to improve the adhesion to the base, electron beam evaporation is preferably performed while irradiating with an ion beam. As the ion species, rare gases such as argon, helium, and krypton, and reactive gases such as oxygen are preferable. The beam current density is preferably in the range of 0.02 to 5.0 mA / cm 2 , and the beam energy is preferably in the range of 30 to 5000 V.
When the beam current density is less than 0.02 mA / cm 2 , the irradiation effect is not obtained. When the beam current density exceeds 5.0 mA / cm 2 , the irradiation amount is too large, and the base sheet 11 serving as a base is thermally deformed. When the beam energy is less than 30 V, there is no irradiation effect. When the beam energy exceeds 5000 V, the energy is too high and the base sheet 11 is thermally deformed.
【００２０】以上のような条件で製膜すると、蒸着粒子
のエネルギーは非常に高く、ベースシート１１／シリコ
ンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２の界面に混合層が
形成される。この混合層が存在するために、ベースシー
ト１１とシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２の
密着力は非常に強く、３００ｇ／ｉｎｃｈ以上の値を示
す。When a film is formed under the above conditions, the energy of the deposited particles is very high, and a mixed layer is formed at the interface between the base sheet 11 and the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12. Due to the presence of this mixed layer, the adhesion between the base sheet 11 and the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 is very strong, exhibiting a value of 300 g / inch or more.
【００２１】電子ビーム蒸着法においてシリコンアルミ
ニウム複合酸化物薄膜層１２を製膜する際の蒸着材料と
しては、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 やＡｌとＳｉＯ2 等が用
いられる。また基板にバイアスを加えたり、基板を加熱
あるいは冷却してもよい。As a deposition material for forming the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 in the electron beam evaporation method, Al 2 O 3 and SiO 2 or Al and SiO 2 is used. Further, a bias may be applied to the substrate, or the substrate may be heated or cooled.
【００２２】本発明では、シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２上に硬化性樹脂硬化物を積層することが
できる。硬化性樹脂硬化物層１３としては、加熱硬化型
樹脂硬化物層（フェノキシエ−テル型架橋性樹脂、エポ
キシ系樹脂、アクリル系樹脂、アクリルシリコーン樹
脂、シリコーン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、メラミン
系樹脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹
脂等）、紫外線硬化型樹脂硬化物層（紫外線硬化型アク
リル系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ホスファゼン系
樹脂等）、電子線硬化型樹脂硬化物層などがあげられ
る。厚さは０．５〜５０μｍの範囲が好ましい。厚さが
０．５μｍ未満の場合は以下に述べるようなウエットプ
ロセスでは成膜するのが困難であり、５０μｍよりも厚
い場合は、電極基板全体の厚みが厚くなり過ぎ、プラス
チックフィルムの特徴である薄さが無くなってしまう。
この硬化性樹脂硬化物層１３も光等方性を有することが
必要である。In the present invention, a cured curable resin can be laminated on the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12. As the curable resin cured material layer 13, a heat-curable resin cured material layer (phenoxy ether type crosslinkable resin, epoxy resin, acrylic resin, acrylic silicone resin, silicone resin, polyamide imide resin, melamine resin, phenol Resins, urethane resins, rubber resins, etc.), UV-curable resin cured material layers (UV-curable acrylic resins, polyamideimide resins, phosphazene-based resins, etc.), and electron beam curable resin cured material layers. Can be The thickness is preferably in the range of 0.5 to 50 μm. When the thickness is less than 0.5 μm, it is difficult to form a film by a wet process described below, and when the thickness is more than 50 μm, the thickness of the entire electrode substrate becomes too thick, which is a characteristic of a plastic film. The thinness is gone.
This cured resin layer 13 also needs to have optical isotropy.
【００２３】硬化性樹脂硬化物層１３を形成させる場合
には、形成した硬化性樹脂硬化物層１３の表面粗度をＲ
ｍａｘで０．５μｍ以下、Ｒａで０．０１μｍ以下、好
ましくはＲｍａｘで０．２μｍ以下、Ｒａで０．００７
μｍ以下、さらに好ましくはＲｍａｘで０．１μｍ以
下、Ｒａで０．００５μｍ以下となるようにすることが
望ましい。When the curable resin cured material layer 13 is formed, the surface roughness of the formed curable resin cured material layer 13 is set to R
max: 0.5 μm or less, Ra: 0.01 μm or less, preferably Rmax: 0.2 μm or less, Ra: 0.007
μm or less, more preferably 0.1 μm or less in Rmax and 0.005 μm or less in Ra.
【００２４】硬化性樹脂硬化物層１３の表面粗度をこの
ように小さくする方法としては、例えば以下に述べる第
１または第２の方法が採用される。As a method for reducing the surface roughness of the cured resin layer 13 in this manner, for example, the first or second method described below is employed.
【００２５】第１の方法にあっては、まず、ベースシー
ト１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２と
平滑化鋳型材Ｆとの間隙に加熱硬化型樹脂組成物、紫外
線硬化型樹脂組成物または電子線硬化型樹脂組成物を供
給して該樹脂組成物が両者間に層状に挟持されるように
する。この場合、ベースシート１１／シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層１２が一つの製膜用ロールに、平
滑化鋳型材Ｆがもう一つの製膜用ロールにそれぞれ供給
されるようにしておき、両製膜ロール間の間隙は所定の
値に調整しておく。次いで、加熱、紫外線照射または電
子線照射により上記の挟持層を硬化させてベースシート
１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／硬
化型樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型材Ｆよりなる積層シ
ートが得られるので、その後の段階でその積層シートか
ら平滑化鋳型材Ｆを剥離除去する。In the first method, first, a heat-curable resin composition, an ultraviolet-curable resin composition or a heat-curable resin composition is placed in a gap between the base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 and the smoothing mold material F. An electron beam-curable resin composition is supplied so that the resin composition is sandwiched between them. In this case, the base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 is supplied to one film forming roll, and the smoothing mold material F is supplied to another film forming roll. The gap between the rolls is adjusted to a predetermined value. Next, the sandwiching layer is cured by heating, ultraviolet irradiation, or electron beam irradiation to form a laminated sheet composed of the base sheet 11, the silicon aluminum composite oxide thin film layer 12, the cured resin layer 13, and the smoothing mold material F. Since it is obtained, the smoothing mold material F is peeled off from the laminated sheet at a later stage.
【００２６】上記における平滑化鋳型材Ｆとしては、二
軸延伸ポリエチレンテレフタレートシート、二軸延伸ポ
リエチレンナフタレートシート等の二軸延伸ポリエステ
ルフィルムや、二軸延伸ポリプロピレンフィルム等が用
いられる。平滑化鋳型材Ｆとしては、その表面粗度が
０．１５μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以下、さら
には０．０１μｍ以下であるものを用いる。As the smoothing mold material F, a biaxially oriented polyester film such as a biaxially oriented polyethylene terephthalate sheet, a biaxially oriented polyethylene naphthalate sheet, or a biaxially oriented polypropylene film is used. As the smoothing mold material F, a material having a surface roughness of 0.15 μm or less, preferably 0.05 μm or less, and more preferably 0.01 μm or less is used.
【００２７】第２の方法は、ベースシート１１／シリコ
ンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２または平滑化鋳型
材Ｆの一方に加熱硬化型樹脂組成物、紫外線硬化型樹脂
組成物または電子線硬化型樹脂組成物を流延しておき、
該流延層に平滑化鋳型材Ｆまたはベースシート１１／シ
リコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２を被覆させな
がらロールの間隙により挟持層の厚さを制御しつつ、加
熱、紫外線照射または電子線照射によりその挟持層を硬
化させて硬化性樹脂硬化物層１３を形成する方法であ
る。In the second method, a heat-curable resin composition, an ultraviolet-curable resin composition, or an electron beam-curable resin composition is applied to one of the base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 and the smoothing mold material F. Cast the material,
While the casting layer is coated with the smoothing template material F or the base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12, the thickness of the sandwiching layer is controlled by the gap between the rolls, while heating, ultraviolet irradiation or electron beam irradiation. This is a method in which the sandwiched layer is cured to form the cured resin layer 13.
【００２８】以上のような手法で成膜した硬化性樹脂硬
化物層１３と本発明のシリコンアルミニウム複合酸化物
薄膜層１２とは３００ｇ／ｉｎｃｈ以上の非常に強い密
着力を有する。これは本発明のシリコンアルミニウム複
合酸化物薄膜層１２の表面に、通常の溶融急冷法で作製
した板ガラスと同様にシラノール基などの反応基が多数
存在するためである。すなわち、この表面反応基と硬化
性樹脂硬化物とが強固に化学結合するために、硬化性樹
脂硬化物層１３とシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２との密着力は極めて強い。The curable resin cured material layer 13 formed by the above method and the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 of the present invention have a very strong adhesion of 300 g / inch or more. This is because a large number of reactive groups such as silanol groups exist on the surface of the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 of the present invention, as in the case of a sheet glass produced by a usual melting and quenching method. In other words, since the surface reactive groups and the hardened curable resin are strongly chemically bonded, the adhesiveness between the hardened curable resin layer 13 and the silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 is extremely strong.
【００２９】しかしながら、複合酸化物薄膜中の酸化ア
ルミニウムの含有率が同じ薄膜においても、シリコンア
ルミニウム複合酸化物薄膜の比重が低下するに伴い、表
面反応基数が低下する。薄膜の比重が低下する物理的意
味合いは、単位体積中に存在するシリコン、アルミニウ
ムおよび酸素の原子数が少なくなることであり、表面に
おいてもシリコン、アルミニウムおよび酸素の原子数が
少なくなる。このためシリコン、アルミニウムおよび酸
素による三次元網目構造を終端しているシラノール反応
基の数が表面に少なくなる。つまり複合酸化物薄膜中の
酸化アルミニウムの含有率が同じでも比重が低くなるの
に伴い、薄膜層と硬化性樹脂硬化物層１３との密着力は
低下する。However, even in a thin film having the same aluminum oxide content in the composite oxide thin film, the number of surface reactive groups decreases as the specific gravity of the silicon aluminum composite oxide thin film decreases. The physical meaning of the decrease in the specific gravity of the thin film is that the number of silicon, aluminum, and oxygen atoms present in a unit volume decreases, and the number of silicon, aluminum, and oxygen atoms also decreases on the surface. Therefore, the number of silanol reactive groups terminating the three-dimensional network structure of silicon, aluminum and oxygen is reduced on the surface. That is, even if the content of aluminum oxide in the composite oxide thin film is the same, the adhesive force between the thin film layer and the cured curable resin layer 13 decreases as the specific gravity decreases.
【００３０】シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１
２の比重Ｄが下記式を満足する範囲内では、シリコンア
ルミニウム複合酸化物薄膜層１２と硬化性樹脂硬化物層
１３との密着力は３００ｇ／ｉｎｃｈ以上であり、充分
強い。 Ｄ＝０．０１Ｗ＋Ｂ ２．０≦Ｂ≦２．２ Ｄ：シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２の比重 Ｗ：薄膜層１２中の酸化アルミニウムの重量％Silicon-aluminum composite oxide thin film layer 1
When the specific gravity D of 2 satisfies the following expression, the adhesion between the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 and the cured curable resin layer 13 is 300 g / inch or more, which is sufficiently strong. D = 0.01 W + B 2.0 ≦ B ≦ 2.2 D: Specific gravity of the silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 W: Weight% of aluminum oxide in the thin film layer 12
【００３１】ここでＢ＝２．２の式で表されるシリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２の比重の値は、通常
の溶融急冷法で成形したアルミノシリケートガラスと同
じ比重であり、シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２上に成膜した硬化性樹脂硬化物層１３は１０００ｇ
／ｉｎｃｈ以上の非常に強い密着力を有する。Here, the value of the specific gravity of the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 represented by the equation of B = 2.2 is the same as that of the aluminosilicate glass formed by the ordinary melting and quenching method, 1000 g of the curable resin cured material layer 13 formed on the oxide thin film layer 12
It has a very strong adhesion of / inch or more.
【００３２】本発明でいう比重とは、ある温度で、ある
体積を占める物質の質量と、それと同体積の標準物質の
質量（４℃における水）との比をいう。比重の測定は、
通常物体の質量と体積を測り、同体積の４℃の水の質量
との比を求めればよいが、本発明の薄膜の測定では、体
積の測定が困難である。そこで、まずベースシート１１
のみを溶解することにより、薄膜のみからなる単独膜の
状態とした後、ＪＩＳＫ７１１２にあるような比重測定
法が望ましい。例えば、浮沈法では、試料を比重既知の
溶液の中に浸漬させ、その浮沈状態から薄膜の比重を測
定することができる。この溶液として、四塩化炭素とブ
ロモホルムまたはヨウ化メチレン等の混合液を用いるこ
とができる。また、連続的に密度勾配をもつ溶液中に単
独膜を浸漬させる密度勾配法によっても比重を測定でき
る。The specific gravity referred to in the present invention refers to the ratio of the mass of a substance occupying a certain volume at a certain temperature to the mass of a standard substance having the same volume (water at 4 ° C.). The measurement of specific gravity is
Normally, the mass and volume of the object may be measured, and the ratio of the mass to the same volume of water at 4 ° C. may be determined. Therefore, first, the base sheet 11
It is preferable to use a specific gravity measurement method as described in JIS K7112 after dissolving only a single film to form a single film consisting of only a thin film. For example, in the float-sink method, a sample is immersed in a solution having a known specific gravity, and the specific gravity of the thin film can be measured from the float-sink state. As this solution, a mixed solution of carbon tetrachloride and bromoform or methylene iodide can be used. The specific gravity can also be measured by a density gradient method in which a single film is continuously immersed in a solution having a density gradient.
【００３３】このようにして得られた本発明の電極基板
１の硬化性樹脂硬化物層１３上には、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法等の手段により
透明電極を形成することができる。透明電極の厚さは１
００〜３０００Åの範囲が好ましい。透明電極の厚さは
１００Å未満の場合は導電性が十分ではなく、３０００
Åを越える場合は、透明性が損なわれる。透明電極とし
てはインジウムスズ複合酸化物、インジウム亜鉛複合酸
化物、インジウムカドミウム複合酸化物が好適である
が、他の導電性金属酸化物を用いることもできる。A transparent electrode can be formed on the cured resin layer 13 of the thus obtained electrode substrate 1 of the present invention by means of a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method or the like. it can. The thickness of the transparent electrode is 1
The range is preferably from 00 to 3000 °. When the thickness of the transparent electrode is less than 100 °, the conductivity is not sufficient and
When the value exceeds Å, transparency is impaired. As the transparent electrode, indium tin composite oxide, indium zinc composite oxide, and indium cadmium composite oxide are preferable, but other conductive metal oxides can also be used.
【００３４】形成した透明電極の上からは、さらに必要
に応じた配向膜を形成させる。そしてこのようにして作
製した透明電極付きの電極基板２枚をそれぞれの透明電
極側が対向する状態で所定の間隔をあけて配設すると共
に、その間隙に液晶を封入すれば（周囲はシールしてお
く）、液晶セルが作製される。液晶としてはポリマー液
晶を用いることもできる。An alignment film is further formed on the formed transparent electrode as needed. Then, the two electrode substrates with the transparent electrodes manufactured in this manner are arranged at a predetermined interval with the transparent electrode sides facing each other, and liquid crystal is sealed in the gap (the periphery is sealed). ), A liquid crystal cell is manufactured. As the liquid crystal, a polymer liquid crystal can be used.
【００３５】液晶表示パネルは、この液晶セル片面に偏
光板、他面に位相差板を介して偏光板を積層することに
より作製する。位相差板を省略したり、位相差板に代え
て補償用液晶セルを用いることもある。なお上記の電極
基板は、偏光板または位相差板と一体とした一体型基板
とすることもできる。The liquid crystal display panel is manufactured by laminating a polarizing plate on one side of the liquid crystal cell and a polarizing plate on the other side via a retardation plate. The phase difference plate may be omitted, or a compensation liquid crystal cell may be used instead of the phase difference plate. Note that the electrode substrate may be an integrated substrate integrated with a polarizing plate or a retardation plate.
【００３６】[0036]
【実施例】次に実施例をあげて本発明をさらに説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。以下
「部」とあるのは重量部である。EXAMPLES The present invention will be further described with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples. Hereinafter, "parts" refers to parts by weight.
【００３７】図１は本発明の電極基板の一例を模式的に
示した断面図であり、透明電極２を付した状態を示して
いる。図２はその電極基板を用いて作製した液晶セルの
一例を模式的に示した断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing one example of the electrode substrate of the present invention, in which a transparent electrode 2 is provided. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing an example of a liquid crystal cell manufactured using the electrode substrate.
【００３８】実施例 １ ベースシート１１の一例としてポリアリレートフィルム
を用いた。このフィルムは、塩化メチレンを溶媒とする
２０重量％濃度の溶液から流延法により製膜されたもの
である。厚さは７５μｍ、レタデーション値は５ｎｍ、
可視光線透過率は９１％である。Example 1 As an example of the base sheet 11, a polyarylate film was used. This film was formed by a casting method from a 20% by weight solution using methylene chloride as a solvent. The thickness is 75 μm, the retardation value is 5 nm,
The visible light transmittance is 91%.
【００３９】このベースシート１１上に、シリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２を電子ビーム蒸着法で成
膜した。この時、蒸着材料として、３〜５ｍｍの大きさ
の粒子状のＡｌ2 Ｏ3 （純度９９．５％）とＳｉＯ2
（純度９９．９％）を用いた。これらの蒸着材料は混合
せずに、水冷銅ハース内を水冷した銅製の板で二つに仕
切り、加熱源として一台の電子銃を用い、Ａｌ2 Ｏ3 と
ＳｉＯ2 のそれぞれを時分割で加熱した。その時の電子
銃のエミッション電流は２．５Ａとし、薄膜中の酸化ア
ルミニウムの含有率を変化させるために、加熱時間比は
表１のようにした。また、酸素ガスを２０ｓｃｃｍ供給
し、センターロール温度は−１５℃、フィルム送り速度
は１２０ｍ／ｍｉｎ．とした。On this base sheet 11, a silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 was formed by an electron beam evaporation method. At this time, as a vapor deposition material, particulate Al 2 O 3 (purity 99.5%) having a size of 3 to 5 mm and SiO 2
(Purity 99.9%) was used. Without mixing these deposition materials, the inside of a water-cooled copper hearth is divided into two by a water-cooled copper plate, and one electron gun is used as a heating source, and each of Al 2 O 3 and SiO 2 is time-divided. Heated. The emission current of the electron gun at that time was 2.5 A, and the heating time ratio was as shown in Table 1 in order to change the content of aluminum oxide in the thin film. An oxygen gas was supplied at 20 sccm, the center roll temperature was -15 ° C, and the film feed speed was 120 m / min. And
【００４０】また真空排気装置として油拡散ポンプとク
ライオパネルを用いた。これにより蒸着時の圧力は２．
５×１０-4Ｔｏｒｒ、この時の水蒸気分圧は３×１０-5
Ｔｏｒｒであった。以上のような成膜条件で、膜厚２０
０Åのシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜を成膜し
た。またこの薄膜の比重を測定するために、上記サンプ
ルの一部を切り出し、下地であるベースシート１１を溶
解し、薄膜のみの単独膜を作製した。この単独膜の比重
をＪＩＳ Ｋ７１１２に記載の浮沈法で測定し、この結
果を表１に示した。An oil diffusion pump and a cryopanel were used as a vacuum exhaust device. Thereby, the pressure at the time of vapor deposition is 2.
5 × 10 -4 Torr, and the partial pressure of water vapor at this time is 3 × 10 -5
Torr. Under the above film forming conditions, a film thickness of 20
A 0 ° silicon-aluminum composite oxide thin film was formed. Further, in order to measure the specific gravity of the thin film, a part of the sample was cut out, and the base sheet 11 serving as a base was dissolved to prepare a single film consisting of only the thin film. The specific gravity of this single film was measured by the floatation / sedimentation method described in JIS K7112, and the results are shown in Table 1.
【００４１】わずかの間隔をあけて平行に配置した一対
の製膜ロールの一方に上記のポリアリレートフィルム上
にシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜を積層したシー
トを供給しながら走行させ、もう一方の製膜ロールには
平滑化鋳型材Ｆの一例として厚さ５０μｍ、表面粗度Ｒ
ａ＝０．００４μｍ、Ｒｍａｘ＝０．０５μｍのコロナ
処理していない二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム（東洋紡績（株）製：Ａ４１００）の平滑面が上
面となるように供給しながら走行させ、両製膜用ロール
の間隔に向けて、エポキシアクリル樹脂１００部にベン
ゾフェノン４部を加えた紫外線硬化型樹脂組成物を吐出
した。A sheet formed by laminating a silicon-aluminum composite oxide thin film on the above-mentioned polyarylate film is fed to one of a pair of film-forming rolls arranged in parallel at a slight interval, and the other film-forming film is formed. The roll has a thickness of 50 μm and a surface roughness R as an example of the smoothing mold material F.
a = 0.004 μm, Rmax = 0.05 μm Uncorona-treated biaxially stretched polyethylene terephthalate film (manufactured by Toyobo Co., Ltd .: A4100) is run while being supplied such that the smooth surface is on the top surface. An ultraviolet curable resin composition obtained by adding 4 parts of benzophenone to 100 parts of an epoxy acrylic resin was discharged toward the gap between the film rolls.
【００４２】吐出された紫外線硬化型樹脂組成物は、ポ
リアリレートフィルムのシリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２形成側の面と平滑化鋳型材Ｆの平滑面との
間に挟持されたので、この状態で走行させながら、高圧
水銀灯により、２００ｗ／ｃｍ2 、１灯、１０秒、距離
２００ｍｍの条件で紫外線照射した。これにより挟持層
は硬化し、厚さ２０μｍの硬化性樹脂硬化物層１３とな
った。The discharged ultraviolet curable resin composition was sandwiched between the surface of the polyarylate film on the side of the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 and the smooth surface of the smoothing mold material F. , Was irradiated with ultraviolet light from a high-pressure mercury lamp under the conditions of 200 w / cm 2 , 1 light, 10 seconds, and a distance of 200 mm. As a result, the sandwiching layer was cured to form a cured resin layer 13 having a thickness of 20 μm.
【００４３】上記の操作をポリアリレートフィルムの他
面に対しても実施し、厚さ２００Åのシリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層１２と厚さ２０μｍの硬化性樹脂
硬化物層１３を形成させた。The above operation was performed on the other surface of the polyarylate film to form a silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 having a thickness of 200 ° and a cured resin layer 13 having a thickness of 20 μm.
【００４４】これにより、平滑化鋳型材Ｆ／硬化性樹脂
硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型
材Ｆの層構成を有する積層シートが得られた。平滑化鋳
型材Ｆを剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層１３の表
面粗度は、触診式表面粗さ計による測定でＲａ＝０．０
０５μｍ以下、Ｒｍａｘ＝０．１μｍ以下であった。As a result, the smoothing mold material F / cured resin cured material layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / cured resin cured material layer 13 / A laminated sheet having the layer structure of the smoothing mold material F was obtained. The surface roughness of the curable resin cured material layer 13 after peeling and removing the smoothing mold material F was Ra = 0.0 by a palpation type surface roughness meter.
05 μm or less, and Rmax = 0.1 μm or less.
【００４５】上記で得た積層シートの層間密着力を測定
するために以下のような手法を用いた。まず積層シート
の両面の平滑化鋳型材Ｆを剥離除去し、露出した硬化性
樹脂硬化物層１３上に、ポリエステルポリウレタン系接
着剤（武田薬品（株）製：Ａ−３１０）１００部にイソ
シアネート系硬化剤（武田薬品（株）製：Ａ−３）１０
部を加えた熱硬化型接着剤を厚さ３μｍ塗布した。この
上にコロナ処理を施した厚さ１００μｍの二軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製：
Ｅ５１００）をラミネートし、４５℃４日間の条件で硬
化させた。このようにして作製した二軸延伸ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム／熱硬化型接着剤層／硬化性
樹脂硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複
合酸化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３からなる
積層シートにおいて二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムとそれ以外の部分をつかみ、ＪＩＳ Ｋ６８
５４に準拠した９０度Ｔ型剥離法にて剥離強度を測定し
た。この結果を表１に示す。いずれも充分強い剥離強度
を示し、また剥離界面は硬化性樹脂硬化物層１３／シリ
コンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。この
結果より、本発明の電極基板である硬化性樹脂硬化物層
１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／ベ
ースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２／硬化性樹脂硬化物層１３は充分強い層間密着力
を有していることがわかる。The following method was used to measure the interlayer adhesion of the laminated sheet obtained above. First, the smoothing mold material F on both sides of the laminated sheet was peeled off, and 100 parts of a polyester polyurethane-based adhesive (A-310, manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was applied on the exposed cured resin layer 13. Curing agent (A-3 manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) 10
The thermosetting adhesive to which the part was added was applied in a thickness of 3 μm. A 100 μm-thick biaxially stretched polyethylene terephthalate film having a corona treatment thereon (manufactured by Toyobo Co., Ltd .:
E5100) and cured at 45 ° C. for 4 days. The biaxially stretched polyethylene terephthalate film / thermosetting adhesive layer / curable resin cured material layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / A biaxially stretched polyethylene terephthalate film and other parts are grasped in a laminated sheet composed of the curable resin cured material layer 13, and the laminated sheet is subjected to JIS K68.
The peel strength was measured by a 90-degree T-type peeling method based on No. 54. Table 1 shows the results. All exhibited sufficiently strong peeling strength, and the peeling interface was the cured resin layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12. From this result, the curable resin cured product layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / cured resin cured product layer 13 which is the electrode substrate of the present invention is sufficient. It turns out that it has strong interlayer adhesion.
【００４６】本発明のガスバリア性を評価するために酸
素透過度測定装置（モダンコントロールズ社製、ＯＸ−
ＴＲＡＮ１００）を用いて測定した。測定条件は２５
℃、８０％ＲＨとした。測定結果は表１に示したとお
り、極めて高いガスバリア性を示した。In order to evaluate the gas barrier property of the present invention, an oxygen permeability measuring apparatus (OX-Made by Modern Controls) was used.
TRAN100). Measurement conditions are 25
° C and 80% RH. As shown in Table 1, the measurement results showed extremely high gas barrier properties.
【００４７】このようにして得られた電極基板１は、硬
化性樹脂硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウ
ム複合酸化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３の層
構成を有し、全体のレタデーション値は５ｎｍ、可視光
線透過率は８４％、厚さは１１５μｍであった。The electrode substrate 1 thus obtained is composed of a cured resin layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / cured resin cured product. The layer 13 had a layer configuration, the overall retardation value was 5 nm, the visible light transmittance was 84%, and the thickness was 115 μm.
【００４８】次いで片方の硬化性樹脂硬化物層１３の上
から、スパッタリング法により厚さ５００Åのインジウ
ムスズ複合酸化物からなる透明電極２を形成した。この
透明電極２の表面抵抗は１００Ω／□あり、以上のよう
な手法で透明電極２付きの電極基板１を得た。Next, a transparent electrode 2 made of indium tin composite oxide and having a thickness of 500 ° was formed on one of the cured resin layers 13 by a sputtering method. The surface resistance of the transparent electrode 2 was 100 Ω / □, and the electrode substrate 1 with the transparent electrode 2 was obtained by the method described above.
【００４９】液晶表示パネルは、上記の透明電極２付き
の電極基板１の透明電極２面に必要に応じて配向膜を形
成した後、図２のようにその透明電極２付きの電極基板
１を２枚それぞれの透明電極２が対向する状態で所定の
間隔を開けて配置すると共に、その間隙に液晶３を封入
することにより作製される。図２中の符号４はシールで
ある。In the liquid crystal display panel, after an alignment film is formed on the transparent electrode 2 surface of the electrode substrate 1 with the transparent electrode 2 as necessary, the electrode substrate 1 with the transparent electrode 2 is removed as shown in FIG. It is manufactured by arranging two transparent electrodes 2 facing each other at a predetermined interval in a state where they face each other, and sealing the liquid crystal 3 in the gap. Reference numeral 4 in FIG. 2 is a seal.
【００５０】液晶表示パネルは、この片面に偏光板、他
面に位相差板を介して偏光板を積層することにより作製
される。The liquid crystal display panel is manufactured by laminating a polarizing plate on one side and a polarizing plate on the other side via a phase difference plate.
【００５１】このようにして製作された液晶表示パネル
は、電極基板の層間密着力が充分強いため、製造プロセ
ス中に電極基板が層間剥離することはなかった。In the liquid crystal display panel manufactured in this manner, the electrode substrate did not peel off during the manufacturing process because the interlayer adhesion between the electrode substrates was sufficiently strong.
【００５２】比較例 １ 実施例１と同様のポリアリレートフィルムをベースシー
ト１１として用い、この上にシリコンアルミニウム複合
酸化物薄膜層１２を形成した。このシリコンアルミニウ
ム複合酸化物薄膜層１２を、真空排気装置としてクライ
オパネルを用いず、油拡散ポンプのみを用いた以外は実
施例１と同様にして製膜した。このとき圧力は５×１０
-4Ｔｏｒｒとなり、水蒸気分圧は１．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒであった。Comparative Example 1 The same polyarylate film as in Example 1 was used as a base sheet 11, and a silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 was formed thereon. This silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 was formed in the same manner as in Example 1 except that only the oil diffusion pump was used without using a cryopanel as a vacuum evacuation device. At this time, the pressure is 5 × 10
-4 Torr, and the partial pressure of steam 1.0 × 10 -4 Tor
r.
【００５３】このシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２の比重を表１に示した。The specific gravity of the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 is shown in Table 1.
【００５４】このベースシート１１／シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層１２を積層したものに、実施例１
と同様の硬化性樹脂硬化物層１３を形成した。Example 1 was obtained by laminating the base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12.
A curable resin cured material layer 13 similar to the above was formed.
【００５５】ポリアリレートフィルムの他の面にも上記
と同様の手法で、シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２と硬化性樹脂硬化物層１３を積層した。On the other side of the polyarylate film, a silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 and a cured curable resin layer 13 were laminated in the same manner as described above.
【００５６】以上のようにして作製した電極基板１の層
間密着力を実施例１と同様の手法で測定し、結果を表１
に示したが、いずれも３００ｇ／ｉｎｃｈ以下であっ
た。また剥離界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３／
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。The interlayer adhesion of the electrode substrate 1 manufactured as described above was measured in the same manner as in Example 1, and the results were shown in Table 1.
, But all were 300 g / inch or less. In addition, the peeling interface is a cured resin layer 13 /
The silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 was obtained.
【００５７】この電極基板の酸素透過度の測定結果を表
１に示すが、液晶表示パネルに使用するのには不十分で
あった。The measurement results of the oxygen permeability of this electrode substrate are shown in Table 1, but were insufficient for use in a liquid crystal display panel.
【００５８】上記のようにして作製した電極基板上に実
施例１と同様の透明電極２を成膜した後、実施例１と同
様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板１の層間密
着力が不十分であるため、製造プロセス中に電極基板が
層間剥離することがあった。After a transparent electrode 2 similar to that of Example 1 was formed on the electrode substrate manufactured as described above, a liquid crystal display panel was manufactured in the same manner as in Example 1. Is insufficient, the electrode substrate may be delaminated during the manufacturing process.
【００５９】[0059]
【表１】 [Table 1]
【００６０】実施例 ２ ベースシート１１の一例としてポリアミドイミドフィル
ムを用いた。厚さは１００μｍ、レタデーション値は５
ｎｍ、可視光線透過率は９０％である。Example 2 As an example of the base sheet 11, a polyamide imide film was used. Thickness is 100 μm, retardation value is 5
nm, visible light transmittance is 90%.
【００６１】このベースシート１１の片面に、シリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２をイオンビームを照
射しながら電子ビーム蒸着法で成膜した。この時、蒸着
材料として、３〜５ｍｍの大きさの粒子状のＡｌ2 Ｏ3
（純度９９．５％）とＳｉＯ2 （純度９９．９％）を用
いた。これらの蒸着材料は混合せずに、水冷銅ハース内
を水冷した銅製の板で二つに仕切り、加熱源として一台
の電子銃を用い、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 のそれぞれを時
分割で加熱した。その時の電子銃のエミッション電流は
２．６Ａとし、薄膜中の酸化アルミニウムの含有率を変
化させるために、加熱時間比は表２のようにした。ま
た、酸素ガスを５ｓｃｃｍ供給し、センターロール温度
は−１５℃、フィルム送り速度は１８０ｍ／ｍｉｎ．と
した。この時の圧力は４．５×１０-4Ｔｏｒｒ、水蒸気
分圧は８×１０-5Ｔｏｒｒであった。イオンビームのイ
オン種として、酸素イオンを用い、イオン電流密度１．
０ｍＡ／ｃｍ2 、ビームエネルギーを２００Ｖとした。
またベースシート１１への入射角は４５度とした。以上
のような製膜条件のもとで、３００Å厚のシリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２を積層した。On one surface of the base sheet 11, a silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 was formed by electron beam evaporation while irradiating with an ion beam. At this time, as a vapor deposition material, particulate Al 2 O 3 having a size of 3 to 5 mm is used.
(Purity 99.5%) and SiO 2 (purity 99.9%). Without mixing these deposition materials, the inside of a water-cooled copper hearth is divided into two by a water-cooled copper plate, and one electron gun is used as a heating source, and each of Al 2 O 3 and SiO 2 is time-divided. Heated. At that time, the emission current of the electron gun was 2.6 A, and the heating time ratio was as shown in Table 2 in order to change the content of aluminum oxide in the thin film. An oxygen gas was supplied at 5 sccm, the center roll temperature was -15 ° C, and the film feed speed was 180 m / min. And At this time, the pressure was 4.5 × 10 −4 Torr, and the partial pressure of steam was 8 × 10 −5 Torr. Oxygen ions were used as the ion species of the ion beam, and the ion current density was 1.
0 mA / cm 2 , and the beam energy was 200 V.
The angle of incidence on the base sheet 11 was 45 degrees. Under the above film forming conditions, a silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 having a thickness of 300 mm was laminated.
【００６２】このシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２の比重を測定するために、上記の積層シートの一
部を切り出し、ポリアミドイミドフィルムを溶解し薄膜
のみの単独膜を得て、浮沈法により比重測定を行った。
この結果を表２に示す。In order to measure the specific gravity of the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12, a part of the above-mentioned laminated sheet was cut out, and the polyamideimide film was dissolved to obtain a single thin film alone. Was done.
Table 2 shows the results.
【００６３】このシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２付きのベースシート１１を走行させながら、その
上から、フェノキシエーテル樹脂３５部、メチルエチル
ケトン３５部、セロソルブアセテート３０部、トリレン
ジイソシアネートとトリメチロールプロパンとのアダク
ト体の７５％溶液（日本ポリウレタン工業株式会社製の
コロネートＬ）５０部からなる組成の硬化性樹脂組成物
を用いて塗布し、１００℃で３分間乾燥してから、その
うえに実施例１で用いたのと同じ平滑化鋳型材Ｆを被覆
し、ロール群間を通して圧着しながら１５０℃で５分間
加熱した。これにより塗布層は硬化し、厚さ２０μｍの
硬化性樹脂硬化物層１３となった。While the base sheet 11 with the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 is running, 35 parts of phenoxy ether resin, 35 parts of methyl ethyl ketone, 30 parts of cellosolve acetate, 30 parts of tolylene diisocyanate and trimethylolpropane A 75% solution of an adduct body (Coronate L manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) was applied using a curable resin composition having a composition of 50 parts, dried at 100 ° C. for 3 minutes, and then used in Example 1. The same smoothing mold material F as above was coated, and heated at 150 ° C. for 5 minutes while being pressed between the roll groups. As a result, the coating layer was cured to form a cured resin layer 13 having a thickness of 20 μm.
【００６４】同様にしてシリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２付きのベースシート１１の他面にも、厚さ
３００Åのシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
と厚さ２０μｍの硬化性樹脂硬化物層１３を形成させ
た。Similarly, the other surface of the base sheet 11 with the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12
And a curable resin cured material layer 13 having a thickness of 20 μm.
【００６５】これにより、平滑化鋳型材Ｆ／硬化性樹脂
硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型
材Ｆの層構成を有する積層シートが得られた。平滑化鋳
型材Ｆを剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層１３の表
面粗度は、触診式表面粗さ計による測定で、いずれもＲ
ａ＝０．００４μｍ以下、Ｒｍａｘ＝０．１μｍ以下で
あった。両側の平滑化鋳型材Ｆを剥離除去した後の全体
のレタデーション値はいずれも５ｎｍ、可視光線透過率
は８２％、厚さは１４０μｍであった。As a result, the smoothing mold material F / cured resin cured material layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / cured resin cured material layer 13 / A laminated sheet having the layer structure of the smoothing mold material F was obtained. The surface roughness of the cured curable resin layer 13 after peeling and removing the smoothing mold material F is measured by a palpation type surface roughness meter.
a = 0.004 μm or less and Rmax = 0.1 μm or less. The whole retardation value after peeling and removing the smoothing mold material F on both sides was 5 nm, the visible light transmittance was 82%, and the thickness was 140 μm.
【００６６】この積層シートから両側の平滑化鋳型材Ｆ
を剥離除去した電極基板１の層間密着力を実施例１と同
様の方法で測定した。この結果を表２に示す。また剥離
界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３／シリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。この結果よ
り、本発明の電極基板である硬化性樹脂硬化物層１３／
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／ベースシ
ート１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
／硬化性樹脂硬化物層１３は充分に強い層間密着力を有
していることがわかるFrom this laminated sheet, both sides of the smoothing mold material F
The interlayer adhesion of the electrode substrate 1 from which the was peeled off was measured in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the results. The peeling interface was the cured resin layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12. From these results, the curable resin cured material layer 13 / the electrode substrate of the present invention was used.
Silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12
/ It can be seen that the cured resin layer 13 has a sufficiently strong interlayer adhesion.
【００６７】本発明のガスバリア性を評価するために酸
素透過度測定装置（モダンコントロールズ社製、ＯＸ−
ＴＲＡＮ１００）を用いて測定した。測定条件は２５
℃、８０％ＲＨとした。測定結果は表２に示すとおりで
あり、極めて高いガスバリア性を示した。In order to evaluate the gas barrier property of the present invention, an oxygen permeability measuring apparatus (OX-Made by Modern Controls) was used.
TRAN100). Measurement conditions are 25
° C and 80% RH. The measurement results are as shown in Table 2, and showed extremely high gas barrier properties.
【００６８】次いで片方の硬化性樹脂硬化物層１３の上
から、スパッタリング法により厚さ５００Åのインジウ
ムスズ複合酸化物からなる透明電極２を形成した。この
透明電極２の表面抵抗は８０Ω／□あり、以上のような
手法で透明電極２付きの電極基板１を得た。Next, a transparent electrode 2 made of indium tin composite oxide and having a thickness of 500 ° was formed on one of the cured resin layers 13 by a sputtering method. The surface resistance of the transparent electrode 2 was 80 Ω / □, and the electrode substrate 1 with the transparent electrode 2 was obtained by the method described above.
【００６９】この透明電極２付きの電極基板１を用い、
実施例１と同じ方法で液晶表示パネルを作製したが、い
ずれの電極基板１もプロセス中に層間剥離することはな
かった。Using the electrode substrate 1 with the transparent electrode 2,
A liquid crystal display panel was manufactured in the same manner as in Example 1, but none of the electrode substrates 1 was delaminated during the process.
【００７０】比較例 ２ 実施例２と同様のポリアミドイミドフィルムをベースシ
ート１１として用い、この上にシリコンアルミニウム複
合酸化物薄膜層１２を形成した。この時、イオンビーム
を用いなかった以外は同様にして３００Å厚のシリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２を積層した。この時
の薄膜比重を実施例１と同様の方法で測定した結果を表
２に示す。Comparative Example 2 A polyamide-imide film similar to that of Example 2 was used as a base sheet 11, and a silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 was formed thereon. At this time, a silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 having a thickness of 300 mm was laminated in the same manner except that the ion beam was not used. Table 2 shows the results of measuring the specific gravity of the thin film at this time in the same manner as in Example 1.
【００７１】このベースシート１１／シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層１２からなる積層シート上に実施
例２と同様の硬化性樹脂硬化物層１３を形成した。さら
に、ベースシート１１の他の面にも上記と同様の方法で
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２と硬化性樹
脂硬化物層１３を積層した。On the laminated sheet composed of the base sheet 11 and the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12, a cured resin layer 13 similar to that of Example 2 was formed. Further, the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 and the cured resin layer 13 were laminated on the other surface of the base sheet 11 in the same manner as described above.
【００７２】以上のようにして作製した電極基板１の層
間密着力を実施例１と同様の手法で測定した。結果を表
２に示す。剥離界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３
／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であっ
た。以上から層間密着力は不充分であった。The interlayer adhesion of the electrode substrate 1 manufactured as described above was measured in the same manner as in Example 1. Table 2 shows the results. The peeling interface is a curable resin cured material layer 13
/ Silicon aluminum composite oxide thin film layer 12. From the above, the interlayer adhesion was insufficient.
【００７３】この電極基板の酸素透過度の測定結果を表
２に示すが、いずれも液晶表示パネルに使用するのには
不十分であった。Table 2 shows the measurement results of the oxygen permeability of the electrode substrate, but none of them was sufficient for use in a liquid crystal display panel.
【００７４】上記のようにして作製した電極基板上に実
施例１と同様の透明電極２を成膜した後、実施例１と同
様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板１の層間密
着力が不十分であるため、製造プロセス中に電極基板が
層間剥離することがあった。After a transparent electrode 2 similar to that of Example 1 was formed on the electrode substrate produced as described above, a liquid crystal display panel was produced in the same manner as in Example 1. Is insufficient, the electrode substrate may be delaminated during the manufacturing process.
【００７５】[0075]
【表２】 [Table 2]
【００７６】実施例 ３ ベースシート１１の一例として厚さが１００μｍ、レタ
デーション値が１０２００ｎｍ、可視光線透過率が９１
％である一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
を用いた。この一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１
２を電子ビーム蒸着法で成膜した。この時、蒸着材料と
して、３〜５ｍｍの大きさの粒子状のＡｌ2 Ｏ3 （純度
９９．５％）とＳｉＯ2 （純度９９．９％）を用いた。
これらの蒸着材料は混合せずに、水冷銅ハース内を水冷
した銅製の板で二つに仕切り、加熱源として一台の電子
銃を用い、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 のそれぞれを時分割で
加熱した。その時の電子銃のエミッション電流は２．３
Ａとし、薄膜中の酸化アルミニウムの含有率を変化させ
るために、加熱時間比は表３のようにした。また、酸素
ガスを１５ｓｃｃｍ供給し、センターロール温度は−１
０℃、フィルム送り速度は１００ｍ／ｍｉｎ．とした。Example 3 An example of the base sheet 11 has a thickness of 100 μm, a retardation value of 10200 nm, and a visible light transmittance of 91.
% Uniaxially stretched polyethylene terephthalate film. On this uniaxially stretched polyethylene terephthalate film, a silicon aluminum composite oxide thin film layer 1
2 was formed by an electron beam evaporation method. At this time, Al 2 O 3 (purity 99.5%) and SiO 2 (purity 99.9%) in the form of particles having a size of 3 to 5 mm were used as the vapor deposition material.
Without mixing these deposition materials, the inside of a water-cooled copper hearth is divided into two by a water-cooled copper plate, and one electron gun is used as a heating source, and each of Al 2 O 3 and SiO 2 is time-divided. Heated. The emission current of the electron gun at that time was 2.3
A, and the heating time ratio was as shown in Table 3 in order to change the content of aluminum oxide in the thin film. Also, oxygen gas was supplied at 15 sccm, and the center roll temperature was -1.
0 ° C., and the film feed speed is 100 m / min. And
【００７７】また真空排気装置として油拡散ポンプとク
ライオパネルを用いた。これにより蒸着時の圧力は３．
０×１０-4Ｔｏｒｒ、この時の水蒸気分圧は２．５×１
０-5Ｔｏｒｒであった。以上のような成膜条件で、膜厚
２００Åのシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜を成膜
した。またこの薄膜の比重を測定するために、上記サン
プルの一部を切り出し、下地であるベースシート１１を
溶解し、薄膜のみの単独膜を作製した。この単独膜の比
重をＪＩＳ Ｋ７１１２に記載の浮沈法で測定し、この
結果を表３に示した。An oil diffusion pump and a cryopanel were used as a vacuum exhaust device. Thereby, the pressure at the time of vapor deposition is 3.
0 × 10 −4 Torr, the partial pressure of water vapor at this time is 2.5 × 1
0 -5 Torr. Under the conditions described above, a silicon-aluminum composite oxide thin film having a thickness of 200 ° was formed. Further, in order to measure the specific gravity of the thin film, a part of the sample was cut out, and the base sheet 11 serving as a base was dissolved to prepare a single film consisting of only the thin film. The specific gravity of this single film was measured by the floatation / sedimentation method described in JIS K7112, and the results are shown in Table 3.
【００７８】わずかの間隔をあけて平行に配置した一対
の製膜ロールの一方に上記の一軸延伸ポリエチレンテレ
フタレートフィルム上にシリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜を積層したシートを供給しながら走行させ、もう
一方の製膜ロールには平滑化鋳型材Ｆの一例として厚さ
７５μｍ、表面粗度Ｒａ＝０．００５μｍ、Ｒｍａｘ＝
０．０５μｍのコロナ処理していない二軸延伸ポリエチ
レンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製：Ａ４
１００）の平滑面が上面となるように供給しながら走行
させ、両製膜用ロールの間隔に向けて、エポキシアクリ
ル樹脂１００部にベンゾフェノン１部を加えた紫外線硬
化型樹脂組成物を吐出した。A sheet in which a silicon-aluminum composite oxide thin film is laminated on the above uniaxially stretched polyethylene terephthalate film is supplied to one of a pair of film-forming rolls arranged in parallel at a slight interval, and the other is run. The film forming roll has a thickness of 75 μm as an example of the smoothing mold material F, a surface roughness Ra = 0.005 μm, and Rmax =
Biaxially stretched polyethylene terephthalate film having a corona treatment of 0.05 μm (manufactured by Toyobo Co., Ltd .: A4
100) The ultraviolet curable resin composition in which 1 part of benzophenone was added to 100 parts of the epoxy acrylic resin was discharged toward the gap between the film forming rolls while supplying the flat surface of 100) to the upper surface.
【００７９】吐出された紫外線硬化型樹脂組成物は、一
軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムのシリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２形成側の面と平滑化
鋳型材Ｆの平滑面との間に挟持されたので、この状態で
走行させながら、高圧水銀灯により、２００ｗ／ｃｍ
2 、１灯、１０秒、距離２００ｍｍの条件で紫外線照射
した。これにより挟持層は硬化し、厚さ２５μｍの硬化
性樹脂硬化物層１３となった。The discharged ultraviolet curable resin composition was sandwiched between the surface of the uniaxially stretched polyethylene terephthalate film on the side of the silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 and the smooth surface of the smoothing mold material F. While running in this state, 200 w / cm
2. Ultraviolet irradiation was performed under the conditions of 1 light, 10 seconds, and a distance of 200 mm. As a result, the sandwiching layer was cured to form a cured resin layer 13 having a thickness of 25 μm.
【００８０】上記の操作を一軸延伸ポリエチレンテレフ
タレートフィルムの他面に対しても実施し、厚さ２００
Åのシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２と厚さ
２５μｍの硬化性樹脂硬化物層１３を形成させた。The above operation was carried out on the other side of the uniaxially stretched polyethylene terephthalate film, and a thickness of 200
The silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 and the cured resin layer 13 having a thickness of 25 μm were formed.
【００８１】これにより、平滑化鋳型材Ｆ／硬化性樹脂
硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型
材Ｆの層構成を有する積層シートが得られた。平滑化鋳
型材Ｆを剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層１３の表
面粗度は、触診式表面粗さ計による測定でＲａ＝０．０
０５μｍ以下、Ｒｍａｘ＝０．１μｍ以下であった。As a result, the smoothing mold material F / cured resin cured material layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / cured resin cured material layer 13 / A laminated sheet having the layer structure of the smoothing mold material F was obtained. The surface roughness of the curable resin cured material layer 13 after peeling and removing the smoothing mold material F was Ra = 0.0 by a palpation type surface roughness meter.
05 μm or less, and Rmax = 0.1 μm or less.
【００８２】上記で得た積層シートの層間密着力を測定
するために以下のような手法を用いた。まず積層シート
の両面の平滑化鋳型材Ｆを剥離除去し、露出した硬化性
樹脂硬化物層１３上に、ポリエステルポリウレタン系接
着剤（武田薬品（株）製：Ａ−３１０）１００部にイソ
シアネート系硬化剤（武田薬品（株）製：Ａ−３）１０
部を加えた熱硬化型接着剤を厚さ３μｍ塗布した。この
上にコロナ処理を施した厚さ１００μｍの二軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製：
Ｅ５１００）をラミネートし、４５℃４日間の条件で硬
化させた。このようにして作製した二軸延伸ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム／熱硬化型接着剤層／硬化性
樹脂硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複
合酸化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３からなる
積層シートにおいて二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムとそれ以外の部分をつかみ、ＪＩＳ Ｋ６８
５４に準拠した９０度Ｔ型剥離法にて剥離強度を測定し
た。この結果を表３に示す。いずれも充分強い剥離強度
を示し、また剥離界面は硬化性樹脂硬化物層１３／シリ
コンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。この
結果より、本発明の電極基板である硬化性樹脂硬化物層
１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／ベ
ースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２／硬化性樹脂硬化物層１３は充分強い層間密着力
を有していることがわかる。The following method was used to measure the interlayer adhesion of the laminated sheet obtained above. First, the smoothing mold material F on both sides of the laminated sheet was peeled off, and 100 parts of a polyester polyurethane-based adhesive (A-310, manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) was applied to the exposed curable resin cured material layer 13 on an exposed basis. Curing agent (A-3 manufactured by Takeda Pharmaceutical Co., Ltd.) 10
The thermosetting adhesive to which the part was added was applied in a thickness of 3 μm. A 100 μm-thick biaxially stretched polyethylene terephthalate film having a corona treatment thereon (manufactured by Toyobo Co., Ltd .:
E5100) and cured at 45 ° C. for 4 days. The biaxially stretched polyethylene terephthalate film / thermosetting adhesive layer / curable resin cured material layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / A biaxially stretched polyethylene terephthalate film and other parts are grasped in a laminated sheet composed of the curable resin cured material layer 13, and the laminated sheet is subjected to JIS K68.
The peel strength was measured by a 90-degree T-type peeling method based on No. 54. Table 3 shows the results. All exhibited sufficiently strong peeling strength, and the peeling interface was the cured resin layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12. From this result, the curable resin cured product layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / cured resin cured product layer 13 which is the electrode substrate of the present invention is sufficient. It turns out that it has strong interlayer adhesion.
【００８３】本発明のガスバリア性を評価するために酸
素透過度測定装置（モダンコントロールズ社製、ＯＸ−
ＴＲＡＮ１００）を用いて測定した。測定条件は２５
℃、８０％ＲＨとした。測定結果は表３に示したとお
り、極めて高いガスバリア性を示した。In order to evaluate the gas barrier properties of the present invention, an oxygen permeability measuring apparatus (OX-Made by Modern Controls) was used.
TRAN100). Measurement conditions are 25
° C and 80% RH. As shown in Table 3, the measurement results showed extremely high gas barrier properties.
【００８４】このようにして得られた電極基板１は、硬
化性樹脂硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウ
ム複合酸化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３の層
構成を有し、全体のレタデーション値は１０２００ｎ
ｍ、可視光線透過率は８２％、厚さは１５０μｍであっ
た。The electrode substrate 1 thus obtained is composed of the cured resin layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin layer 12 / cured resin cured product. The layer 13 has a layer configuration, and the entire retardation value is 10200 n.
m, the visible light transmittance was 82%, and the thickness was 150 μm.
【００８５】次いで片方の硬化性樹脂硬化物層１３の上
から、スパッタリング法により厚さ２００Åのインジウ
ムスズ複合酸化物からなる透明電極２を形成した。この
透明電極２の表面抵抗は８０Ω／□あり、以上のような
手法で透明電極２付きの電極基板１を得た。Next, a transparent electrode 2 made of indium tin composite oxide and having a thickness of 200 ° was formed on one of the cured resin layers 13 by a sputtering method. The surface resistance of the transparent electrode 2 was 80 Ω / □, and the electrode substrate 1 with the transparent electrode 2 was obtained by the method described above.
【００８６】液晶表示パネルは、上記の透明電極２付き
の電極基板１の透明電極２面に必要に応じて配向膜を形
成した後、図２のようにその透明電極２付きの電極基板
１を２枚それぞれの透明電極２が対向する状態で所定の
間隔を開けて配置すると共に、その間隙に液晶３を封入
することにより作製される。図２中の符号４はシールで
ある。In the liquid crystal display panel, after an alignment film is formed on the transparent electrode 2 surface of the electrode substrate 1 with the transparent electrode 2 as necessary, the electrode substrate 1 with the transparent electrode 2 is removed as shown in FIG. It is manufactured by arranging two transparent electrodes 2 facing each other at a predetermined interval in a state where they face each other, and sealing the liquid crystal 3 in the gap. Reference numeral 4 in FIG. 2 is a seal.
【００８７】液晶表示パネルは、この片面に偏光板、他
面に位相差板を介して偏光板を積層することにより作製
される。The liquid crystal display panel is manufactured by laminating a polarizing plate on one side and a polarizing plate on the other side via a retardation plate.
【００８８】このようにして製作された液晶表示パネル
は、電極基板の層間密着力が充分強いため、製造プロセ
ス中に電極基板が層間剥離することはなかった。In the liquid crystal display panel thus manufactured, the electrode substrate did not peel off during the manufacturing process because the interlayer adhesion between the electrode substrates was sufficiently strong.
【００８９】比較例 ３ 実施例３と同様の一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムをベースシート１１として用い、この上にシリ
コンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２を形成した。こ
のシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２を、真空
排気装置としてクライオパネルを用いず、油拡散ポンプ
のみを用いた以外は実施例３と同様にして製膜した。こ
のとき圧力は５．５×１０-4Ｔｏｒｒとなり、水蒸気分
圧は１．５×１０-4Ｔｏｒｒであった。Comparative Example 3 The same uniaxially stretched polyethylene terephthalate film as in Example 3 was used as a base sheet 11, and a silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 was formed thereon. This silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 was formed in the same manner as in Example 3 except that a cryopanel was not used as a vacuum evacuation apparatus and only an oil diffusion pump was used. At this time, the pressure was 5.5 × 10 −4 Torr, and the partial pressure of steam was 1.5 × 10 −4 Torr.
【００９０】このシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２の比重を表３に示した。Table 3 shows the specific gravity of the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12.
【００９１】このベースシート１１／シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層１２を積層したものに、実施例３
と同様の硬化性樹脂硬化物層１３を形成した。Example 3 was obtained by laminating this base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12.
A curable resin cured material layer 13 similar to the above was formed.
【００９２】一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムの他の面にも上記と同様の手法で、シリコンアルミ
ニウム複合酸化物薄膜層１２と硬化性樹脂硬化物層１３
を積層した。On the other side of the uniaxially stretched polyethylene terephthalate film, the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 and the cured resin layer 13 are formed in the same manner as described above.
Were laminated.
【００９３】以上のようにして作製した電極基板１の層
間密着力を実施例３と同様の手法で測定し、結果を表３
に示したが、いずれも３００ｇ／ｉｎｃｈ以下であっ
た。また剥離界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３／
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。The interlayer adhesion of the electrode substrate 1 manufactured as described above was measured in the same manner as in Example 3, and the results were shown in Table 3.
, But all were 300 g / inch or less. In addition, the peeling interface is a cured resin layer 13 /
The silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 was obtained.
【００９４】この電極基板の酸素透過度の測定結果を表
３に示すが、液晶表示パネルに使用するのには不十分で
あった。Table 3 shows the measurement results of the oxygen permeability of the electrode substrate, which was insufficient for use in a liquid crystal display panel.
【００９５】上記のようにして作製した電極基板上に実
施例３と同様の透明電極２を成膜した後、実施例３と同
様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板１の層間密
着力が不十分であるため、製造プロセス中に電極基板が
層間剥離することがあった。After forming a transparent electrode 2 in the same manner as in Example 3 on the electrode substrate manufactured as described above, a liquid crystal display panel was manufactured in the same manner as in Example 3. Is insufficient, the electrode substrate may be delaminated during the manufacturing process.
【００９６】[0096]
【表３】 [Table 3]
【００９７】実施例 ４ ベースシート１１の一例として、厚さが１２５μｍ、レ
タデーション値が１１５００ｎｍ、可視光線透過率が９
０％である一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィル
ムを用いた。Example 4 As an example of the base sheet 11, the thickness is 125 μm, the retardation value is 11500 nm, and the visible light transmittance is 9
A 0% uniaxially stretched polyethylene terephthalate film was used.
【００９８】この一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムの片面に、シリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２をイオンビームを照射しながら電子ビーム蒸着
法で成膜した。この時、蒸着材料として、３〜５ｍｍの
大きさの粒子状のＡｌ2 Ｏ3（純度９９．５％）とＳｉ
Ｏ2 （純度９９．９％）を用いた。これらの蒸着材料は
混合せずに、水冷銅ハース内を水冷した銅製の板で二つ
に仕切り、加熱源として一台の電子銃を用い、Ａｌ2 Ｏ
3 とＳｉＯ2 のそれぞれを時分割で加熱した。その時の
電子銃のエミッション電流は２．６Ａとし、薄膜中の酸
化アルミニウムの含有率を変化させるために、加熱時間
比は表４のようにした。また、酸素ガスを５ｓｃｃｍ供
給し、センターロール温度は−１５℃、フィルム送り速
度は１８０ｍ／ｍｉｎ．とした。この時の圧力は５．３
×１０-4Ｔｏｒｒ、水蒸気分圧は９×１０-5Ｔｏｒｒで
あった。イオンビームのイオン種として、酸素イオンを
用い、イオン電流密度１．５ｍＡ／ｃｍ2 、ビームエネ
ルギーを３００Ｖとした。また一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルムへの入射角は４５度とした。以上
のような製膜条件のもとで、３００Å厚のシリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２を積層した。On one surface of the uniaxially stretched polyethylene terephthalate film, a silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 was formed by electron beam evaporation while irradiating with an ion beam. At this time, Al 2 O 3 (purity: 99.5%) having a particle size of 3 to 5 mm and Si
O 2 (purity 99.9%) was used. Without these deposition materials mixing, the partition inside the water-cooled copper hearth in two with copper plate was water-cooled, with single electron gun as a heat source, Al 2 O
3 and SiO 2 were each heated in a time sharing manner. At that time, the emission current of the electron gun was 2.6 A, and the heating time ratio was as shown in Table 4 in order to change the content of aluminum oxide in the thin film. An oxygen gas was supplied at 5 sccm, the center roll temperature was -15 ° C, and the film feed speed was 180 m / min. And The pressure at this time is 5.3
× 10 -4 Torr and the partial pressure of water vapor were 9 × 10 -5 Torr. Oxygen ions were used as the ion species of the ion beam, the ion current density was 1.5 mA / cm 2 , and the beam energy was 300 V. The angle of incidence on the uniaxially stretched polyethylene terephthalate film was 45 degrees. Under the above film forming conditions, a silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 having a thickness of 300 mm was laminated.
【００９９】このシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２の比重を測定するために、上記の積層シートの一
部を切り出し、ポリアミドイミドフィルムを溶解し薄膜
のみの単独膜を得て、浮沈法により比重測定を行った。
この結果を表４に示す。In order to measure the specific gravity of the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12, a part of the above-mentioned laminated sheet was cut out, and the polyamideimide film was dissolved to obtain a single thin film alone. Was done.
Table 4 shows the results.
【０１００】このシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２付きの一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを走行させながら、その上から、フェノキシエーテ
ル樹脂４５部、メチルエチルケトン４５部、セロソルブ
アセテート１０部、トリレンジイソシアネートとトリメ
チロールプロパンとのアダクト体の７５％溶液（日本ポ
リウレタン工業株式会社製のコロネートＬ）５０部から
なる組成の硬化性樹脂組成物を用いて塗布し、１００℃
で５分間乾燥してから、そのうえに実施例３で用いたの
と同じ平滑化鋳型材Ｆを被覆し、ロール群間を通して圧
着しながら１５０℃で７分間加熱した。これにより塗布
層は硬化し、厚さ２５μｍの硬化性樹脂硬化物層１３と
なった。While running this uniaxially stretched polyethylene terephthalate film with the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12, 45 parts of phenoxy ether resin, 45 parts of methyl ethyl ketone, 10 parts of cellosolve acetate, 10 parts of tolylene diisocyanate and trimethylolpropane A curable resin composition having a composition of 50 parts of a 75% solution of an adduct body (Coronate L manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.) was applied at 100 ° C.
After drying for 5 minutes, the same smoothing mold material F as used in Example 3 was coated thereon, and heated at 150 ° C. for 7 minutes while being pressed between the roll groups. As a result, the coating layer was cured to form a cured resin layer 13 having a thickness of 25 μm.
【０１０１】同様にしてシリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２付きの一軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムの他面にも、厚さ３００Åのシリコンアルミ
ニウム複合酸化物薄膜層１２と厚さ２５μｍの硬化性樹
脂硬化物層１３を形成させた。Similarly, on the other side of the uniaxially stretched polyethylene terephthalate film provided with the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12, a 300-mm-thick silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 and a 25 μm-thick cured resin layer 13 was formed.
【０１０２】これにより、平滑化鋳型材Ｆ／硬化性樹脂
硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型
材Ｆの層構成を有する積層シートが得られた。平滑化鋳
型材Ｆを剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層１３の表
面粗度は、触診式表面粗さ計による測定で、いずれもＲ
ａ＝０．００４μｍ以下、Ｒｍａｘ＝０．１μｍ以下で
あった。両側の平滑化鋳型材Ｆを剥離除去した後の全体
のレタデーション値はいずれも１１５００ｎｍ、可視光
線透過率は８１％、厚さは１７５μｍであった。As a result, the smoothing mold material F / cured resin cured material layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / cured resin cured material layer 13 / A laminated sheet having the layer structure of the smoothing mold material F was obtained. The surface roughness of the cured curable resin layer 13 after peeling and removing the smoothing mold material F is measured by a palpation type surface roughness meter.
a = 0.004 μm or less and Rmax = 0.1 μm or less. The whole retardation value after peeling and removing the smoothing mold material F on both sides was 11,500 nm, the visible light transmittance was 81%, and the thickness was 175 μm.
【０１０３】この積層シートから両側の平滑化鋳型材Ｆ
を剥離除去した電極基板１の層間密着力を実施例３と同
様の方法で測定した。この結果を表４に示す。また剥離
界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３／シリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。この結果よ
り、本発明の電極基板である硬化性樹脂硬化物層１３／
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／ベースシ
ート１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
／硬化性樹脂硬化物層１３は充分に強い層間密着力を有
していることがわかるFrom this laminated sheet, the smoothing mold material F on both sides is obtained.
The interlayer adhesion of the electrode substrate 1 from which the was peeled off was measured in the same manner as in Example 3. Table 4 shows the results. The peeling interface was the cured resin layer 13 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12. From these results, the curable resin cured material layer 13 / the electrode substrate of the present invention was used.
Silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 / base sheet 11 / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12
/ It can be seen that the cured resin layer 13 has a sufficiently strong interlayer adhesion.
【０１０４】本発明のガスバリア性を評価するために酸
素透過度測定装置（モダンコントロールズ社製、ＯＸ−
ＴＲＡＮ１００）を用いて測定した。測定条件は２５
℃、８０％ＲＨとした。測定結果は表４に示すとおりで
あり、極めて高いガスバリア性を示した。In order to evaluate the gas barrier properties of the present invention, an oxygen permeability measuring apparatus (OX-modem manufactured by Modern Controls) was used.
TRAN100). Measurement conditions are 25
° C and 80% RH. The measurement results are as shown in Table 4, and showed extremely high gas barrier properties.
【０１０５】次いで片方の硬化性樹脂硬化物層１３の上
から、スパッタリング法により厚さ２５０Åのインジウ
ムスズ複合酸化物からなる透明電極２を形成した。この
透明電極２の表面抵抗は１５０Ω／□あり、以上のよう
な手法で透明電極２付きの電極基板１を得た。Next, a transparent electrode 2 made of indium tin composite oxide and having a thickness of 250 ° was formed on one of the cured resin layers 13 by a sputtering method. The surface resistance of the transparent electrode 2 was 150 Ω / □, and the electrode substrate 1 with the transparent electrode 2 was obtained by the method described above.
【０１０６】この透明電極２付きの電極基板１を用い、
実施例３と同じ方法で液晶表示パネルを作製したが、い
ずれの電極基板１もプロセス中に層間剥離することはな
かった。Using the electrode substrate 1 with the transparent electrode 2,
A liquid crystal display panel was manufactured in the same manner as in Example 3, but none of the electrode substrates 1 was delaminated during the process.
【０１０７】比較例 ４ 実施例４と同様の一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムをベースシート１１として用い、この上にシリ
コンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２を形成した。こ
の時、イオンビームを用いなかった以外は同様にして３
００Å厚のシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
を積層した。この時の薄膜比重を実施例３と同様の方法
で測定した結果を表４に示す。Comparative Example 4 The same uniaxially stretched polyethylene terephthalate film as in Example 4 was used as a base sheet 11, and a silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 was formed thereon. At this time, except that the ion beam was not used, 3
A silicon aluminum composite oxide thin film layer 12 having a thickness of 00
Were laminated. Table 4 shows the results of measuring the specific gravity of the thin film at this time in the same manner as in Example 3.
【０１０８】この一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルム／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
からなる積層シート上に実施例４と同様の硬化性樹脂硬
化物層１３を形成した。さらに、一軸延伸ポリエチレン
テレフタレートフィルムの他の面にも上記と同様の方法
でシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２と硬化性
樹脂硬化物層１３を積層した。This uniaxially stretched polyethylene terephthalate film / silicon aluminum composite oxide thin film layer 12
A curable resin cured material layer 13 similar to that of Example 4 was formed on a laminated sheet made of. Further, on the other surface of the uniaxially stretched polyethylene terephthalate film, a silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 and a cured resin layer 13 were laminated in the same manner as described above.
【０１０９】以上のようにして作製した電極基板１の層
間密着力を実施例３と同様の手法で測定した。結果を表
４に示す。剥離界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３
／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であっ
た。以上から層間密着力は不充分であった。The interlayer adhesion of the electrode substrate 1 manufactured as described above was measured in the same manner as in Example 3. Table 4 shows the results. The peeling interface is a curable resin cured material layer 13
/ Silicon aluminum composite oxide thin film layer 12. From the above, the interlayer adhesion was insufficient.
【０１１０】この電極基板の酸素透過度の測定結果を表
４に示すが、いずれも液晶表示パネルに使用するのには
不十分であった。The results of measuring the oxygen permeability of the electrode substrate are shown in Table 4, but none of them was sufficient for use in a liquid crystal display panel.
【０１１１】上記のようにして作製した電極基板上に実
施例３と同様の透明電極２を成膜した後、実施例３と同
様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板１の層間密
着力が不十分であるため、製造プロセス中に電極基板が
層間剥離することがあった。After forming a transparent electrode 2 similar to that of Example 3 on the electrode substrate manufactured as described above, a liquid crystal display panel was manufactured in the same manner as in Example 3. Is insufficient, the electrode substrate may be delaminated during the manufacturing process.
【０１１２】[0112]
【発明の効果】本発明の電極基板は上記のように構成さ
れているので、積層シートの層間密着力が極めて強く、
液晶表示パネル製造プロセス中に層間剥離することがな
い。また本発明の電極基板は金属酸化物であるシリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２をガスバリア層に用
いているため、ガスバリア性にも極めて優れている。Since the electrode substrate of the present invention is constructed as described above, the interlayer adhesion of the laminated sheet is extremely strong.
There is no delamination during the liquid crystal display panel manufacturing process. Further, since the electrode substrate of the present invention uses the silicon-aluminum composite oxide thin film layer 12 which is a metal oxide for the gas barrier layer, the electrode substrate is also extremely excellent in gas barrier properties.
【図１】本発明の電極基板の一例を模式的に示した断面
図であり、透明電極２を付した状態を示している。FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing one example of an electrode substrate of the present invention, showing a state where a transparent electrode 2 is provided.
【図２】図１の電極基板を用いて作製した液晶セルの一
例を模式的に示した断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a liquid crystal cell manufactured using the electrode substrate of FIG.
１ 電極基板 ２ 透明電極 ３ 液晶 ４ シール １１ ベースシート １２ シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層 １３ 硬化性樹脂硬化物層 Reference Signs List 1 electrode substrate 2 transparent electrode 3 liquid crystal 4 seal 11 base sheet 12 silicon aluminum composite oxide thin film layer 13 curable resin cured material layer
【表４】 [Table 4]
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０Ｚ ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Agency reference number FI Technical display location G02F 1/1333 500 G02F 1/1333 500 G09F 9/30 330 G09F 9/30 330Z
Claims (13)
とも片面にシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層（１
２）を設けた積層シートにおいて、該シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層（１２）の比重Ｄが下記式を満足
することを特徴とする電極基板。 Ｄ＝０．０１Ｗ＋Ｂ ２．０≦Ｂ≦２．２ Ｄ：シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層（１２）の
比重 Ｗ：複合酸化物薄膜層（１２）中の酸化アルミニウム含
有率（重量％）1. A silicon-aluminum composite oxide thin film layer (1) on at least one surface of a polymer base sheet (11).
An electrode substrate, wherein the specific gravity D of the silicon-aluminum composite oxide thin film layer (12) satisfies the following expression in the laminated sheet provided with 2). D = 0.01 W + B 2.0 ≦ B ≦ 2.2 D: Specific gravity of silicon aluminum composite oxide thin film layer (12) W: Aluminum oxide content (% by weight) in composite oxide thin film layer (12)
リレートフィルム、ポリアミドイミドフィルム、硬質ポ
リ塩化ビニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポ
リエステルフィルム、ポリ−４−メチルペンテンフィル
ム、ポリフェニレンオキサイドフィルム、ポリエーテル
スルホンフィルム、アモルファスポリオレフィン、ノル
ボルネン系ポリマーフィルム、ポリビニルアルコールフ
ィルム、エチレン−ビニルアルコール共重合体フィル
ム、セルロースフィルムから選択される少なくとも１種
のフィルムから構成されることを特徴とする請求項１記
載の電極基板。2. A polymer base sheet (11) comprising a polyarylate film, a polyamideimide film, a rigid polyvinyl chloride film, a polyvinylidene chloride film,
From polycarbonate film, polystyrene film, polyester film, poly-4-methylpentene film, polyphenylene oxide film, polyethersulfone film, amorphous polyolefin, norbornene-based polymer film, polyvinyl alcohol film, ethylene-vinyl alcohol copolymer film, cellulose film 2. The electrode substrate according to claim 1, comprising at least one selected film.
ーション値が３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求
項２記載の電極基板。3. The electrode substrate according to claim 2, wherein the retardation value of the polymer base sheet (11) is 30 nm or less.
伸ポリエチレンテレフタレートフィルムから構成される
ことを特徴とする請求項１記載の電極基板。4. The electrode substrate according to claim 1, wherein the polymer base sheet (11) is composed of a uniaxially stretched polyethylene terephthalate film.
ーション値が５０００ｎｍ以上であることを特徴とする
請求項４記載の電極基板。5. The electrode substrate according to claim 4, wherein the retardation value of the polymer base sheet (11) is 5000 nm or more.
ミニウムの含有率が２５〜９０重量％であることを特徴
とする請求項１〜５のいずれかに記載の電極基板。6. The electrode substrate according to claim 1, wherein the content of aluminum oxide in the composite oxide thin film layer (12) is 25 to 90% by weight.
（１２）の厚さが３０〜８０００Åであることを特徴と
する請求項１〜６のいずれかに記載の電極基板。7. The electrode substrate according to claim 1, wherein the silicon-aluminum composite oxide thin film layer has a thickness of 30 to 8000 °.
（１２）上に硬化性樹脂硬化物層（１３）を積層したこ
とを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電極基
板。8. The electrode substrate according to claim 1, wherein a cured resin layer (13) is laminated on the silicon-aluminum composite oxide thin film layer (12).
あることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の
電極基板。9. The electrode substrate according to claim 1, wherein the interlayer adhesion is 300 g / inch or more.
ｄａｙ以下であることを特徴とする請求項１〜９のいず
れかに記載の電極基板。10. An oxygen permeability of 3 cc / m 2 · atm ·
The electrode substrate according to any one of claims 1 to 9, wherein the length is not more than day.
層（１２）が電子ビーム蒸着法で製膜されていることを
特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の電極基
板。11. The electrode substrate according to claim 1, wherein the silicon-aluminum composite oxide thin film layer (12) is formed by an electron beam evaporation method.
層（１２）がイオンビームを照射しながら電子ビーム蒸
着法で製膜されていることを特徴とする請求項１１に記
載の電極基板。12. The electrode substrate according to claim 11, wherein the silicon-aluminum composite oxide thin film layer (12) is formed by electron beam evaporation while irradiating with an ion beam.
（２）を形成し、液晶表示パネル用電極基板に用いるこ
とを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の電極
基板。13. The electrode substrate according to claim 1, wherein a transparent electrode (2) is formed on the surface of the electrode substrate (1) and used as an electrode substrate for a liquid crystal display panel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18138196A JPH1010558A (en) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | Electrode substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18138196A JPH1010558A (en) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | Electrode substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1010558A true JPH1010558A (en) | 1998-01-16 |
Family
ID=16099743
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP18138196A Pending JPH1010558A (en) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | Electrode substrate |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH1010558A (en) |
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