JPH10101481A - ダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法 - Google Patents
ダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法Info
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- JPH10101481A JPH10101481A JP9231075A JP23107597A JPH10101481A JP H10101481 A JPH10101481 A JP H10101481A JP 9231075 A JP9231075 A JP 9231075A JP 23107597 A JP23107597 A JP 23107597A JP H10101481 A JPH10101481 A JP H10101481A
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- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
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- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明はダイアモンド薄膜のヘテロエピタク
シサイクリックテクスチャー成長法を提供する。 【解決手段】 基板上にダイアモンドを成長させるヘテ
ロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法であっ
て、基板の表面を炭化させる段階と、基板の表面に核を
生成する段階と、前記核を成長させる段階とを含み、前
記核生成段階は炭素含有ガスと水素ガスとが含まれた混
合ガスプラズマ状態と水素ガスによる水素ガスプラズマ
状態とが一定の周期で交代反復されるサイクリック方法
を適用させることにより、シリコン基板上のダイアモン
ド蒸着面積を著しく拡大させ、かつ、前記水素ガスを水
素プラズマ状態に作って前記水素プラズマ状態で保たれ
る時間の蝕刻時間と前記混合ガスを混合プラズマ状態に
作って前記混合プラズマ状態で保たれる時間の成長時間
とを特定関係に設定してダイアモンドの核生成密度、ダ
イアモンド薄膜の粒子の大きさ及び基板に対したダイア
モンド薄膜の配向度を増加させうる。
シサイクリックテクスチャー成長法を提供する。 【解決手段】 基板上にダイアモンドを成長させるヘテ
ロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法であっ
て、基板の表面を炭化させる段階と、基板の表面に核を
生成する段階と、前記核を成長させる段階とを含み、前
記核生成段階は炭素含有ガスと水素ガスとが含まれた混
合ガスプラズマ状態と水素ガスによる水素ガスプラズマ
状態とが一定の周期で交代反復されるサイクリック方法
を適用させることにより、シリコン基板上のダイアモン
ド蒸着面積を著しく拡大させ、かつ、前記水素ガスを水
素プラズマ状態に作って前記水素プラズマ状態で保たれ
る時間の蝕刻時間と前記混合ガスを混合プラズマ状態に
作って前記混合プラズマ状態で保たれる時間の成長時間
とを特定関係に設定してダイアモンドの核生成密度、ダ
イアモンド薄膜の粒子の大きさ及び基板に対したダイア
モンド薄膜の配向度を増加させうる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイアモンド薄膜
のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法に
係り、特にダイアモンド薄膜の核生成密度の向上とダイ
アモンドの蒸着面積を増加させうるダイアモンド薄膜の
ヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法に関
する。
のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法に
係り、特にダイアモンド薄膜の核生成密度の向上とダイ
アモンドの蒸着面積を増加させうるダイアモンド薄膜の
ヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ダイアモンド（ｄｉａｍｏｎｄ）薄膜を
用いて電子素子（ｅｌｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅ）を
製造するためには、まず良質のダイアモンド薄膜と共に
エピタクシ（ｅｐｉｔａｘｙ）によるダイアモンド薄膜
の成長法が最も重要である。一般に、ダイアモンドエピ
タクシ成長技術には、ダイアモンド基板上にダイアモン
ド薄膜を蒸着する技術のホモエピタクシ（ｈｏｍｏ ｅ
ｐｉｔａｘｙ）成長法とダイアモンドと異種の基板上に
ダイアモンド薄膜を蒸着する技術であるヘテロエピタク
シ（ｈｅｔｅｒｏ ｅｐｉｔａｘｙ）成長法とがある。
用いて電子素子（ｅｌｃｔｒｏｎｉｃｄｅｖｉｃｅ）を
製造するためには、まず良質のダイアモンド薄膜と共に
エピタクシ（ｅｐｉｔａｘｙ）によるダイアモンド薄膜
の成長法が最も重要である。一般に、ダイアモンドエピ
タクシ成長技術には、ダイアモンド基板上にダイアモン
ド薄膜を蒸着する技術のホモエピタクシ（ｈｏｍｏ ｅ
ｐｉｔａｘｙ）成長法とダイアモンドと異種の基板上に
ダイアモンド薄膜を蒸着する技術であるヘテロエピタク
シ（ｈｅｔｅｒｏ ｅｐｉｔａｘｙ）成長法とがある。
【０００３】一般に、ダイアモンド基板は価格面で非常
に不利なため、価格面で有利であり、既にその製造技術
が普遍化されているシリコン基板を使用してヘテロエピ
タクシ成長法を適用し、商業的に利用可能なダイアモン
ド薄膜が得られている。このようなヘテロエピタクシ成
長法によるダイアモンド薄膜を成長させる方法の１つで
ある従来のダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシサイク
リックテクスチャー成長（ｔｅｘｔｕｒｅ ｇｒｏｗｔ
ｈ）法は、ダイアモンドの結晶面のうち表面の粗度が最
も良好な｛１００｝面がシリコン（Ｓｉ）基板の蒸着面
（｛１００｝）と適合性を有し、面の一方に方向性を有
しながら成長させる技術（Ｋ． Ｋｏｂａｓｈｉ Ｎ．
Ｎｉｓｈｉｍｕｒａ、Ｙ． Ｋａｗａｔｅ、ａｎｄ
Ｔ．Ｈｏｒｉｕｃｈｉ、Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ．、 Ｂ，
３８，４０９７（１９８８）参照）である。
に不利なため、価格面で有利であり、既にその製造技術
が普遍化されているシリコン基板を使用してヘテロエピ
タクシ成長法を適用し、商業的に利用可能なダイアモン
ド薄膜が得られている。このようなヘテロエピタクシ成
長法によるダイアモンド薄膜を成長させる方法の１つで
ある従来のダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシサイク
リックテクスチャー成長（ｔｅｘｔｕｒｅ ｇｒｏｗｔ
ｈ）法は、ダイアモンドの結晶面のうち表面の粗度が最
も良好な｛１００｝面がシリコン（Ｓｉ）基板の蒸着面
（｛１００｝）と適合性を有し、面の一方に方向性を有
しながら成長させる技術（Ｋ． Ｋｏｂａｓｈｉ Ｎ．
Ｎｉｓｈｉｍｕｒａ、Ｙ． Ｋａｗａｔｅ、ａｎｄ
Ｔ．Ｈｏｒｉｕｃｈｉ、Ｐｈｙｓ． Ｒｅｖ．、 Ｂ，
３８，４０９７（１９８８）参照）である。
【０００４】従来のダイアモンド薄膜のヘテロエピタク
シサイクリックテクスチャー成長法（Ｂ．Ｒ． Ｓｔｏ
ｎｅｒ、Ｓ．Ｒ． Ｓａｈａｉｄａ、Ｊ．Ｐ．Ｂａｄ
ｅ、Ｐ． Ｓｏｕｔｈｗｏｒｔｈ、ａｎｄ Ｐ．Ｊ．Ｅ
ｌｌｉｓ、Ｊ．Ｍａｓｔｅｒ．Ｒｅｓ．，８，１３３４
（１９９３）参照）では、水素と炭素含有ガスとが含ま
れる混合ガスがプラズマガスとして適用される。この方
法は、所定の温度で加熱された基板に所定のバイアス電
圧が印加された状態で行われ、水素と炭素含有ガスとの
濃度が適切に調節された混合ガスがダイアモンド薄膜の
成長過程に持続的に供給される。
シサイクリックテクスチャー成長法（Ｂ．Ｒ． Ｓｔｏ
ｎｅｒ、Ｓ．Ｒ． Ｓａｈａｉｄａ、Ｊ．Ｐ．Ｂａｄ
ｅ、Ｐ． Ｓｏｕｔｈｗｏｒｔｈ、ａｎｄ Ｐ．Ｊ．Ｅ
ｌｌｉｓ、Ｊ．Ｍａｓｔｅｒ．Ｒｅｓ．，８，１３３４
（１９９３）参照）では、水素と炭素含有ガスとが含ま
れる混合ガスがプラズマガスとして適用される。この方
法は、所定の温度で加熱された基板に所定のバイアス電
圧が印加された状態で行われ、水素と炭素含有ガスとの
濃度が適切に調節された混合ガスがダイアモンド薄膜の
成長過程に持続的に供給される。
【０００５】しかし、前記のような従来のダイアモンド
薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長
法は、ダイアモンド薄膜の核生成密度（ｇｒａｉｎ ｄ
ｅｎｓｉｔｙ）、蒸着された核（ｔｅｘｔｕｒｅｄ ｇ
ｒａｉｎ）の面積及び基板とダイアモンド薄膜との配向
度（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）を向上させるには工程上
の難点を有する。
薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長
法は、ダイアモンド薄膜の核生成密度（ｇｒａｉｎ ｄ
ｅｎｓｉｔｙ）、蒸着された核（ｔｅｘｔｕｒｅｄ ｇ
ｒａｉｎ）の面積及び基板とダイアモンド薄膜との配向
度（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏｎ）を向上させるには工程上
の難点を有する。
【０００６】
【発明が解決しょうとする課題】本発明は、前記のよう
な問題点を改善するため案出されたものであって、従来
ダイアモンド薄膜のヘテロサイクリックテクスチャー成
長法の工程段階のうち、サイクリックプロセス段階の蝕
刻時間と成長時間とを特定関係で設定することにより、
ダイアモンド薄膜の核生成密度と蒸着された核の面積及
び基板とダイアモンド薄膜との間の配向度を向上させう
るダイアモンド薄膜のヘテロサイクリックテクスチャー
成長法を提供することにその目的がある。
な問題点を改善するため案出されたものであって、従来
ダイアモンド薄膜のヘテロサイクリックテクスチャー成
長法の工程段階のうち、サイクリックプロセス段階の蝕
刻時間と成長時間とを特定関係で設定することにより、
ダイアモンド薄膜の核生成密度と蒸着された核の面積及
び基板とダイアモンド薄膜との間の配向度を向上させう
るダイアモンド薄膜のヘテロサイクリックテクスチャー
成長法を提供することにその目的がある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明によるダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシ
サイクリックテクスチャー成長法は、基板上にダイアモ
ンドを成長させるものであって、基板の表面を炭化させ
る段階と、基板の表面に核を生成する段階と、前記核を
成長させる段階とを含み、前記核生成段階は炭素含有ガ
スと水素ガスとが含まれた混合ガスプラズマ状態と水素
ガスによる水素ガスプラズマ状態とが一定の周期で交代
反復されるサイクリックプロセス段階を含む。
に、本発明によるダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシ
サイクリックテクスチャー成長法は、基板上にダイアモ
ンドを成長させるものであって、基板の表面を炭化させ
る段階と、基板の表面に核を生成する段階と、前記核を
成長させる段階とを含み、前記核生成段階は炭素含有ガ
スと水素ガスとが含まれた混合ガスプラズマ状態と水素
ガスによる水素ガスプラズマ状態とが一定の周期で交代
反復されるサイクリックプロセス段階を含む。
【０００８】また、前記目的を達成するため本発明によ
るダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテ
クスチャー成長法は、成長チャンバ内に基板を設ける基
板装着段階と、前記基板を加熱させて前記対象物の表面
の不純物を除去させる不純物除去段階と、前記成長チャ
ンバの内部圧力を一定の範囲で維持させる圧力維持段階
と、前記成長チャンバ内に炭素含有ガスと水素ガスとを
注入させて前記対象物の表面にプラズマを形成させる炭
化段階と、前記基板に所定のバイアス電圧を印加して前
記基板面にダイアモンド核を生成させ、前記成長チャン
バ内に水素ガス及び水素ガスと炭素含有ガスが混合され
た混合ガスを供給経路を介して交番に反復注入させ、水
素プラズマ状態及び混合ガスプラズマ状態を一定周期で
交番に繰返して保たせるサイクリックプロセス段階とを
含む核生成段階と、前記基板の上面に前記ダイアモンド
粒子を成長させる成長段階とを含む。
るダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテ
クスチャー成長法は、成長チャンバ内に基板を設ける基
板装着段階と、前記基板を加熱させて前記対象物の表面
の不純物を除去させる不純物除去段階と、前記成長チャ
ンバの内部圧力を一定の範囲で維持させる圧力維持段階
と、前記成長チャンバ内に炭素含有ガスと水素ガスとを
注入させて前記対象物の表面にプラズマを形成させる炭
化段階と、前記基板に所定のバイアス電圧を印加して前
記基板面にダイアモンド核を生成させ、前記成長チャン
バ内に水素ガス及び水素ガスと炭素含有ガスが混合され
た混合ガスを供給経路を介して交番に反復注入させ、水
素プラズマ状態及び混合ガスプラズマ状態を一定周期で
交番に繰返して保たせるサイクリックプロセス段階とを
含む核生成段階と、前記基板の上面に前記ダイアモンド
粒子を成長させる成長段階とを含む。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明によるダイアモンド
薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長
法の一実施例を、添付した図面に基づき詳しく説明す
る。図７は、本発明によるダイアモンド薄膜のヘテロエ
ピタクシサイクリックテクスチャー成長法の一実施例を
示す順序図である。
薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長
法の一実施例を、添付した図面に基づき詳しく説明す
る。図７は、本発明によるダイアモンド薄膜のヘテロエ
ピタクシサイクリックテクスチャー成長法の一実施例を
示す順序図である。
【００１０】本発明は図１のＭＰＥＣＶＤ装置を適用す
るので、以下、図１の装置に基づき、図７に示される本
発明によるダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシサイク
リックテクスチャー成長法の実施例を説明する。
るので、以下、図１の装置に基づき、図７に示される本
発明によるダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシサイク
リックテクスチャー成長法の実施例を説明する。
【００１１】１）成長チャンバ１内のモリブデン基板ホ
ルダ６に基板、例えばシリコン基板７を設ける。この
際、シリコン基板７の温度は通常的に成長チャンバ１の
上面に位置し、発熱体から出る赤外線を分析して温度を
測定するパイロメータ（ｐｙｒｏｍｅｔｅｒ、図示せ
ず）で測定する（４０１）。
ルダ６に基板、例えばシリコン基板７を設ける。この
際、シリコン基板７の温度は通常的に成長チャンバ１の
上面に位置し、発熱体から出る赤外線を分析して温度を
測定するパイロメータ（ｐｙｒｏｍｅｔｅｒ、図示せ
ず）で測定する（４０１）。
【００１２】２）反応初期に成長チャンバ１内をガス供
給手段１１を以って水素ガス雰囲気に作り、この雰囲気
下でシリコン基板７を加熱してシリコン基板７の表面の
不純物を除去する（４０２）。
給手段１１を以って水素ガス雰囲気に作り、この雰囲気
下でシリコン基板７を加熱してシリコン基板７の表面の
不純物を除去する（４０２）。
【００１３】３）外部の機械的ポンプを成長チャンバ１
の外側面に結合したガス出入口２２に結合して成長チャ
ンバ１の内部圧力をＴｏｒｒ以下に保ち、成長チャンバ
１内に水素ガスとメタンガスとを混合して注入する（４
０３）。
の外側面に結合したガス出入口２２に結合して成長チャ
ンバ１の内部圧力をＴｏｒｒ以下に保ち、成長チャンバ
１内に水素ガスとメタンガスとを混合して注入する（４
０３）。
【００１４】４）炭化段階（ｃａｒｂｕｒｉｚａｔｉｏ
ｎ ｓｔｅｐ）であって、成長チャンバ１の内部にメタ
ンガスと水素ガスを注入してシリコン基板７の表面にプ
ラズマを形成させてシリコンカーバイド（ｃａｒｂｉｄ
ｅ）層を形成させる。一般的にシリコン基板７上にスク
ラッチ（ｓｃｒａｔｃｈ）をつけない状態ではダイアモ
ンド核が生成しないため、プラズマ内で分解したカーボ
ンラジカルはシリコン基板７の表面でダイアモンド核を
生成しなく、シリコン基板７内に拡散して表面にシリコ
ンカーバイドを形成することになる。この際、メタンの
濃度は０．５％ないし５％の範囲、望ましくは２％に、
シリコン基板７の温度は８６０℃に保たせ、石英ウィン
ドウ８を通過させるマイクロウェーブ９のパワーは９０
０Ｗで２時間成長チャンバ１内に印加する（４０４）。
ｎ ｓｔｅｐ）であって、成長チャンバ１の内部にメタ
ンガスと水素ガスを注入してシリコン基板７の表面にプ
ラズマを形成させてシリコンカーバイド（ｃａｒｂｉｄ
ｅ）層を形成させる。一般的にシリコン基板７上にスク
ラッチ（ｓｃｒａｔｃｈ）をつけない状態ではダイアモ
ンド核が生成しないため、プラズマ内で分解したカーボ
ンラジカルはシリコン基板７の表面でダイアモンド核を
生成しなく、シリコン基板７内に拡散して表面にシリコ
ンカーバイドを形成することになる。この際、メタンの
濃度は０．５％ないし５％の範囲、望ましくは２％に、
シリコン基板７の温度は８６０℃に保たせ、石英ウィン
ドウ８を通過させるマイクロウェーブ９のパワーは９０
０Ｗで２時間成長チャンバ１内に印加する（４０４）。
【００１５】５）核生成段階（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ
ｓｔｅｐ）であって、基板７の表面にダイアモンド核を
生成させるためにシリコン基板７にＤＣ−２００ボルト
のマイナスバイアス電圧を印加する。そしてシリコン基
板７の温度とマイクロウェーブ９のパワーは各々８６０
℃と９００Ｗで保たせる（４０５）。
ｓｔｅｐ）であって、基板７の表面にダイアモンド核を
生成させるためにシリコン基板７にＤＣ−２００ボルト
のマイナスバイアス電圧を印加する。そしてシリコン基
板７の温度とマイクロウェーブ９のパワーは各々８６０
℃と９００Ｗで保たせる（４０５）。
【００１６】６）核生成段階のうち、サイクリックプロ
セス段階では、水素ガスを連続的に成長チャンバ内に注
入させ、ガス供給手段１１の第３弁１６をオンとオフを
一定の周期で反復的に作動させることにより、メタンガ
スを成長チャンバ１内に流入及び遮断させる。こうすれ
ば、成長チャンバ１内に０．５％ないし５％の範囲、望
ましくは２％のメタンガスが供給されると成長チャンバ
１の内部は水素ガスと混合されて混合プラズマに変わ
り、メタンガスの供給が遮断されると成長チャンバ１の
内部はただ水素プラズマ状態に変わる。そして、本プロ
セスにおいて重要なのは、メタンガスの供給が遮断され
ると、第３パイプライン１４を通して成長チャンバ１内
に流入されうる残留メタンガスをガス排出ポンプ２１で
排出させて成長チャンバ１内に前記残留メタンガスの流
入を阻止することである。
セス段階では、水素ガスを連続的に成長チャンバ内に注
入させ、ガス供給手段１１の第３弁１６をオンとオフを
一定の周期で反復的に作動させることにより、メタンガ
スを成長チャンバ１内に流入及び遮断させる。こうすれ
ば、成長チャンバ１内に０．５％ないし５％の範囲、望
ましくは２％のメタンガスが供給されると成長チャンバ
１の内部は水素ガスと混合されて混合プラズマに変わ
り、メタンガスの供給が遮断されると成長チャンバ１の
内部はただ水素プラズマ状態に変わる。そして、本プロ
セスにおいて重要なのは、メタンガスの供給が遮断され
ると、第３パイプライン１４を通して成長チャンバ１内
に流入されうる残留メタンガスをガス排出ポンプ２１で
排出させて成長チャンバ１内に前記残留メタンガスの流
入を阻止することである。
【００１７】本発明は、核生成段階時、成長時間と蝕刻
時間とが反復される過程であるサイクリックプロセスを
適用することを特徴とする。本発明におけるサイクリッ
クプロセスは、混合プラズマ状態から水素プラズマ状態
に終える。また、前記混合プラズマ状態が保たれる時間
をダイアモンドの薄膜を成長させる成長時間（ｇｒｏｗ
ｔｈ ｔｉｍｅ）と称し、前記水素プラズマ状態が保た
れる時間をダイアモンド薄膜の成長が中止される蝕刻時
間と称する（４０６）。
時間とが反復される過程であるサイクリックプロセスを
適用することを特徴とする。本発明におけるサイクリッ
クプロセスは、混合プラズマ状態から水素プラズマ状態
に終える。また、前記混合プラズマ状態が保たれる時間
をダイアモンドの薄膜を成長させる成長時間（ｇｒｏｗ
ｔｈ ｔｉｍｅ）と称し、前記水素プラズマ状態が保た
れる時間をダイアモンド薄膜の成長が中止される蝕刻時
間と称する（４０６）。
【００１８】７）成長段階（ｇｒｏｗｔｈ ｓｔｅｐ）
であって、成長チャンバ１内の温度とメタンの濃度は各
々７００℃と０．５％ないし５％の範囲、望ましくは２
％に保ち、マイクロウェーブの出力および圧力は各々１
０００Ｗと２５Ｔｏｒｒに高めてシリコン基板７上にダ
イアモンド薄膜を成長させる。これにより、シリコン基
板７上のダイアモンド薄膜の成長は完了される（４０
７）。
であって、成長チャンバ１内の温度とメタンの濃度は各
々７００℃と０．５％ないし５％の範囲、望ましくは２
％に保ち、マイクロウェーブの出力および圧力は各々１
０００Ｗと２５Ｔｏｒｒに高めてシリコン基板７上にダ
イアモンド薄膜を成長させる。これにより、シリコン基
板７上のダイアモンド薄膜の成長は完了される（４０
７）。
【００１９】本発明は、前記核生成段階時（４０６）、
成長時間と蝕刻時間とを特定関係で設定することによ
り、従来の蒸着法により成長されたダイアモンド薄膜
（図５Ａ参照）に比べて、ダイアモンド薄膜の核生成密
度、粒子密度、蒸着された核粒子の大きさ、基板に対す
るダイアモンド薄膜の配向度を向上させうる。
成長時間と蝕刻時間とを特定関係で設定することによ
り、従来の蒸着法により成長されたダイアモンド薄膜
（図５Ａ参照）に比べて、ダイアモンド薄膜の核生成密
度、粒子密度、蒸着された核粒子の大きさ、基板に対す
るダイアモンド薄膜の配向度を向上させうる。
【００２０】シリコン基板７上に蒸着されるダイアモン
ドの核生成密度を大きくするため、成長時間を蝕刻時間
より長くする。例えば、第３弁１６のオン／オフ作動に
より成長チャンバ１内はメタンと水素との混合プラズマ
状態及び水素プラズマ状態が各々１８０秒及び３０秒で
順次に繰返して７分間保たれるようにサイクリックプロ
セスを行わせる（図５Ｂ参照）。
ドの核生成密度を大きくするため、成長時間を蝕刻時間
より長くする。例えば、第３弁１６のオン／オフ作動に
より成長チャンバ１内はメタンと水素との混合プラズマ
状態及び水素プラズマ状態が各々１８０秒及び３０秒で
順次に繰返して７分間保たれるようにサイクリックプロ
セスを行わせる（図５Ｂ参照）。
【００２１】一方、シリコン基板７上に蒸着されるダイ
アモンドの蒸着核の粒子の大きさ（ｔｅｘｔｕｒｅｄ
ｇｒａｉｎ ｓｉｚｅ）を大きくするためには成長時間
を蝕刻時間より短くする。例えば、第３弁１６のオン／
オフ作動により成長チャンバ１内はメタンと水素との混
合プラズマ状態及び水素プラズマ状態が各々３０秒及び
１８０秒で順次に繰返して７分間保たれるようにサイク
リックプロセスを行わせ（図５Ｄは、これに対するダイ
アモンド薄膜の表面分布図である）、またシリコン基板
７とダイアモンド薄膜の配向度（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏ
ｎ）を向上させるためには成長時間と蝕刻時間とを同一
にする。例えば、第３弁１６のオン／オフ作動により、
成長チャンバ１内はメタンと水素との混合プラズマ状態
及び水素プラズマ状態が各々３０秒及び３０秒で順次繰
返して７分間保たれるようにサイクリックプロセスを行
わせる（図５Ｃは、これに対するダイアモンド薄膜の表
面分布図である）。
アモンドの蒸着核の粒子の大きさ（ｔｅｘｔｕｒｅｄ
ｇｒａｉｎ ｓｉｚｅ）を大きくするためには成長時間
を蝕刻時間より短くする。例えば、第３弁１６のオン／
オフ作動により成長チャンバ１内はメタンと水素との混
合プラズマ状態及び水素プラズマ状態が各々３０秒及び
１８０秒で順次に繰返して７分間保たれるようにサイク
リックプロセスを行わせ（図５Ｄは、これに対するダイ
アモンド薄膜の表面分布図である）、またシリコン基板
７とダイアモンド薄膜の配向度（ｏｒｉｅｎｔａｔｉｏ
ｎ）を向上させるためには成長時間と蝕刻時間とを同一
にする。例えば、第３弁１６のオン／オフ作動により、
成長チャンバ１内はメタンと水素との混合プラズマ状態
及び水素プラズマ状態が各々３０秒及び３０秒で順次繰
返して７分間保たれるようにサイクリックプロセスを行
わせる（図５Ｃは、これに対するダイアモンド薄膜の表
面分布図である）。
【００２２】前述したような過程において、それぞれの
ボンベ１７、１８から供給された水素及び炭素含有ガス
は別の第２、第３パイプライン１３、１４を各々通過し
た後、第１パイプライン１２を共に通過しながら混合さ
れてから成長チャンバ１に流入するが、場合によって前
記第２、第３パイプライン１３、１４を成長チャンバに
直接連結し、第２、第３パイプラインを通して供給され
た水素ガスと炭素含有ガスとを成長チャンバ１内で混合
させうる。
ボンベ１７、１８から供給された水素及び炭素含有ガス
は別の第２、第３パイプライン１３、１４を各々通過し
た後、第１パイプライン１２を共に通過しながら混合さ
れてから成長チャンバ１に流入するが、場合によって前
記第２、第３パイプライン１３、１４を成長チャンバに
直接連結し、第２、第３パイプラインを通して供給され
た水素ガスと炭素含有ガスとを成長チャンバ１内で混合
させうる。
【００２３】図２Ａは従来の方法により蒸着したダイア
モンド薄膜表面の蒸着面を示し、図２Ｂは本発明による
サイクリック過程を通して蒸着したダイアモンド薄膜の
表面を示した写真である。図２Ａと図２Ｂとを比較する
と、本発明によるダイアモンド薄膜の形成面積が従来の
方法による薄膜より相当広いことがわかる。
モンド薄膜表面の蒸着面を示し、図２Ｂは本発明による
サイクリック過程を通して蒸着したダイアモンド薄膜の
表面を示した写真である。図２Ａと図２Ｂとを比較する
と、本発明によるダイアモンド薄膜の形成面積が従来の
方法による薄膜より相当広いことがわかる。
【００２４】図３Ａは、従来の方法により核生成を経た
後、５分間成長段階を経た基板の薄膜面の粒子生成状態
を示したＡＦＭ（ａｔｏｍｉｃ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｙ）写真であり、図３Ｂは、本発明による核
生成段階を経てから５分間の成長段階を経た薄膜面の粒
子生成状態を示したＡＦＭ写真である。図３Ａと図３Ｂ
とを比較すると、本発明の方法によりさらに高密度の粒
子が形成することがわかる。
後、５分間成長段階を経た基板の薄膜面の粒子生成状態
を示したＡＦＭ（ａｔｏｍｉｃ ｆｏｒｃｅ ｍｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｙ）写真であり、図３Ｂは、本発明による核
生成段階を経てから５分間の成長段階を経た薄膜面の粒
子生成状態を示したＡＦＭ写真である。図３Ａと図３Ｂ
とを比較すると、本発明の方法によりさらに高密度の粒
子が形成することがわかる。
【００２５】図４Ａは従来の方法により核生成段階と９
時間の薄膜成長段階を経た薄膜面の電子顕微鏡写真であ
り、図４Ｂは本発明により核生成段階と薄膜成長段階と
を経た薄膜面の電子顕微鏡写真である。図４Ａと図４Ｂ
とを比較すると、本発明の方法によりさらに高密度の粒
子が形成でき、測定によれば密度が４倍くらい高いこと
がわかる。
時間の薄膜成長段階を経た薄膜面の電子顕微鏡写真であ
り、図４Ｂは本発明により核生成段階と薄膜成長段階と
を経た薄膜面の電子顕微鏡写真である。図４Ａと図４Ｂ
とを比較すると、本発明の方法によりさらに高密度の粒
子が形成でき、測定によれば密度が４倍くらい高いこと
がわかる。
【００２６】図５Ａと図５Ｂとの比較から分かるよう
に、前記サイクリックプロセス段階において成長時間を
蝕刻時間より長く設定すると、ダイアモンドの核生成密
度（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ ｄｅｎｓｉｔｙ）が大きく
なり、これにより粒子密度（ｇｒａｉｎ ｄｅｎｓｉｔ
ｙ）が増加することになる。図５Ａと図５Ｃとの比較に
おいて、前記サイクリックプロセス段階の成長時間を蝕
刻時間と同一に設定すると、｛１００｝面が形成された
シリコン基板７と前記ダイアモンド薄膜の配向度が向上
することがわかる。図５Ａと図５Ｄとを比較すると、前
記サイクリックプロセス段階の成長時間を徐々に減少さ
せて蝕刻時間より短く設定すると、ダイアモンドの核生
成密度の粒子密度は小さくなるがダイアモンドの蒸着さ
れた核粒子の大きさ（Ｔｅｘｔｕｒｅｄ ｇｒａｉｎ
ｓｉｚｅ）は大きくなることがわかる。
に、前記サイクリックプロセス段階において成長時間を
蝕刻時間より長く設定すると、ダイアモンドの核生成密
度（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ ｄｅｎｓｉｔｙ）が大きく
なり、これにより粒子密度（ｇｒａｉｎ ｄｅｎｓｉｔ
ｙ）が増加することになる。図５Ａと図５Ｃとの比較に
おいて、前記サイクリックプロセス段階の成長時間を蝕
刻時間と同一に設定すると、｛１００｝面が形成された
シリコン基板７と前記ダイアモンド薄膜の配向度が向上
することがわかる。図５Ａと図５Ｄとを比較すると、前
記サイクリックプロセス段階の成長時間を徐々に減少さ
せて蝕刻時間より短く設定すると、ダイアモンドの核生
成密度の粒子密度は小さくなるがダイアモンドの蒸着さ
れた核粒子の大きさ（Ｔｅｘｔｕｒｅｄ ｇｒａｉｎ
ｓｉｚｅ）は大きくなることがわかる。
【００２７】そして、図６は本発明のダイアモンド薄膜
のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法に
より｛１００｝面が形成されたシリコン基板に１８時間
成長させたダイアモンド薄膜のＸ線ロッキング曲線を示
す。ここで、横軸は単位が角度（ｄｅｇｒｅｅ）である
テータ（ｔｈｅｔａ）を示し、縦軸は単位が任意の単位
（ａｒｂｉｔｒａｒｙ ｕｎｉｔｓ）である強度（ｉｎ
ｔｅｎｓｉｔｙ）を示す。Ｘ線ロッキング曲線はシリコ
ン基板とダイアモンド薄膜との間の配向度（ｏｒｉｅｎ
ｔａｔｉｏｎ）を示すものであって、線幅のＦＷＨＭ
（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ）
値はシリコン基板とダイアモンド薄膜との間の配向度を
意味し、ＦＷＨＭが小さいほど配向度が良いものであ
る。図面に示されるように、曲線（ａ）はサイクリック
プロセスを適用しない混合ガスプラズマで核生成段階を
行った従来のテクスチャー方法とした場合、ＦＷＨＭが
約９．６°の曲線を示しており、曲線（ｂ）、曲線
（ｃ）及び曲線（ｄ）は本発明による一実施例のダイア
モンド薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャ
ー成長法のサイクリックプロセス段階で成長時間対蝕刻
時間を各々１８０秒：３０秒、３０秒：３０秒及び３０
秒：１８０秒に設定した場合、ＦＷＨＭの値は各々約
８．５°、約８．２°及び約１２．２°のものを示して
いる。従って、前記サイクリックプロセス段階において
成長時間：蝕刻時間を同一に設定した場合、ＦＷＨＭが
最小値となって｛１００｝面が形成されるシリコン基板
とダイアモンド薄膜との間の配向度が最適となる。
のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法に
より｛１００｝面が形成されたシリコン基板に１８時間
成長させたダイアモンド薄膜のＸ線ロッキング曲線を示
す。ここで、横軸は単位が角度（ｄｅｇｒｅｅ）である
テータ（ｔｈｅｔａ）を示し、縦軸は単位が任意の単位
（ａｒｂｉｔｒａｒｙ ｕｎｉｔｓ）である強度（ｉｎ
ｔｅｎｓｉｔｙ）を示す。Ｘ線ロッキング曲線はシリコ
ン基板とダイアモンド薄膜との間の配向度（ｏｒｉｅｎ
ｔａｔｉｏｎ）を示すものであって、線幅のＦＷＨＭ
（Ｆｕｌｌ Ｗｉｄｔｈ Ｈａｌｆ Ｍａｘｉｍｕｍ）
値はシリコン基板とダイアモンド薄膜との間の配向度を
意味し、ＦＷＨＭが小さいほど配向度が良いものであ
る。図面に示されるように、曲線（ａ）はサイクリック
プロセスを適用しない混合ガスプラズマで核生成段階を
行った従来のテクスチャー方法とした場合、ＦＷＨＭが
約９．６°の曲線を示しており、曲線（ｂ）、曲線
（ｃ）及び曲線（ｄ）は本発明による一実施例のダイア
モンド薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャ
ー成長法のサイクリックプロセス段階で成長時間対蝕刻
時間を各々１８０秒：３０秒、３０秒：３０秒及び３０
秒：１８０秒に設定した場合、ＦＷＨＭの値は各々約
８．５°、約８．２°及び約１２．２°のものを示して
いる。従って、前記サイクリックプロセス段階において
成長時間：蝕刻時間を同一に設定した場合、ＦＷＨＭが
最小値となって｛１００｝面が形成されるシリコン基板
とダイアモンド薄膜との間の配向度が最適となる。
【００２８】本発明は、前記実施例に限定されなく、当
業者の水準でその利用及び改良が可能である。例えば、
前記炭素含有ガスとして、メタン以外にアセチレン、メ
タノール、一酸化炭素、二酸化炭素または二硫化炭素な
どを使用しうる。そして、前記基板として、シリコン基
板以外にダイアモンドとのエピタクシ形成の可能な格子
定数の物質、例えば、Ｃｕ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ｎｉまた
は黒鉛基板を使用しうる。
業者の水準でその利用及び改良が可能である。例えば、
前記炭素含有ガスとして、メタン以外にアセチレン、メ
タノール、一酸化炭素、二酸化炭素または二硫化炭素な
どを使用しうる。そして、前記基板として、シリコン基
板以外にダイアモンドとのエピタクシ形成の可能な格子
定数の物質、例えば、Ｃｕ、ＳｉＣ、ＢｅＯ、Ｎｉまた
は黒鉛基板を使用しうる。
【００２９】
【発明の効果】前述したように、本発明のダイアモンド
薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長
法は、核生成段階にサイクリックプロセス段階を含み、
このサイクリックプロセス段階において成長時間と蝕刻
時間とを特定関係で設定させることにより、ダイアモン
ド薄膜の核生成密度及び粒子密度と蒸着した核粒子の大
きさ及び基板とダイアモンド薄膜との間の配向度を向上
させうる。
薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長
法は、核生成段階にサイクリックプロセス段階を含み、
このサイクリックプロセス段階において成長時間と蝕刻
時間とを特定関係で設定させることにより、ダイアモン
ド薄膜の核生成密度及び粒子密度と蒸着した核粒子の大
きさ及び基板とダイアモンド薄膜との間の配向度を向上
させうる。
【図１】ガス供給手段が結合されたものであって、本発
明によるダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシテクスチ
ャー成長法を行うためのＭＰＥＣＶＤ装置を示す構成図
である。
明によるダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシテクスチ
ャー成長法を行うためのＭＰＥＣＶＤ装置を示す構成図
である。
【図２】図２Ａは、従来のダイアモンド薄膜のヘテロエ
ピタクシテクスチャー成長法により形成されたダイアモ
ンド薄膜表面の光学顕微鏡写真である。図２Ｂは、本発
明のダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシテクスチャー
成長法により形成されたダイアモンド薄膜の表面写真で
ある。
ピタクシテクスチャー成長法により形成されたダイアモ
ンド薄膜表面の光学顕微鏡写真である。図２Ｂは、本発
明のダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシテクスチャー
成長法により形成されたダイアモンド薄膜の表面写真で
ある。
【図３】図３Ａは、従来のダイアモンド薄膜のヘテロエ
ピタクシテクスチャー成長法により成長させた図２Ａの
ダイアモンド薄膜の表面組織を示した原子間力顕微鏡写
真である。図３Ｂは、本発明によりダイアモンド薄膜の
成長時間：蝕刻時間を１８０秒：３０秒に設定してシリ
コン基板の表面に成長させたダイアモンド薄膜の核生成
密度が示された薄膜の表面組織を示した原子間力顕微鏡
写真である。
ピタクシテクスチャー成長法により成長させた図２Ａの
ダイアモンド薄膜の表面組織を示した原子間力顕微鏡写
真である。図３Ｂは、本発明によりダイアモンド薄膜の
成長時間：蝕刻時間を１８０秒：３０秒に設定してシリ
コン基板の表面に成長させたダイアモンド薄膜の核生成
密度が示された薄膜の表面組織を示した原子間力顕微鏡
写真である。
【図４】図４Ａは、従来の蒸着法による蒸着初期（９時
間成長後）のダイアモンド薄膜の表面粒子の生成密度を
示した電子顕微鏡写真である。図４Ｂは、本発明の蒸着
法による蒸着初期（９時間成長後）のダイアモンド薄膜
の表面粒子の生成密度を示した電子顕微鏡写真である。
間成長後）のダイアモンド薄膜の表面粒子の生成密度を
示した電子顕微鏡写真である。図４Ｂは、本発明の蒸着
法による蒸着初期（９時間成長後）のダイアモンド薄膜
の表面粒子の生成密度を示した電子顕微鏡写真である。
【図５】図５Ａは、従来の蒸着法によりシリコン基板面
１８時間成長させたダイアモンド薄膜の表面を示す電子
顕微鏡写真である。図５Ｂは、本発明によりダイアモン
ド薄膜の成長時間：蝕刻時間を１８０秒：３０秒に設定
してシリコン基板上に１８時間成長させたダイアモンド
薄膜の核生成密度を示した薄膜の電子顕微鏡写真であ
る。図５Ｃは、本発明によりダイアモンド薄膜の成長時
間：蝕刻時間を３０秒：３０秒に設定してシリコン基板
上に１８時間成長させたダイアモンド薄膜の配向度を示
した電子顕微鏡写真である。図５Ｄは、本発明によりダ
イアモンド薄膜の成長時間：蝕刻時間を３０秒：１８０
秒に設定してシリコン基板上に成長させたダイアモンド
薄膜の粒子の大きさを示した表面電子顕微鏡写真であ
る。
１８時間成長させたダイアモンド薄膜の表面を示す電子
顕微鏡写真である。図５Ｂは、本発明によりダイアモン
ド薄膜の成長時間：蝕刻時間を１８０秒：３０秒に設定
してシリコン基板上に１８時間成長させたダイアモンド
薄膜の核生成密度を示した薄膜の電子顕微鏡写真であ
る。図５Ｃは、本発明によりダイアモンド薄膜の成長時
間：蝕刻時間を３０秒：３０秒に設定してシリコン基板
上に１８時間成長させたダイアモンド薄膜の配向度を示
した電子顕微鏡写真である。図５Ｄは、本発明によりダ
イアモンド薄膜の成長時間：蝕刻時間を３０秒：１８０
秒に設定してシリコン基板上に成長させたダイアモンド
薄膜の粒子の大きさを示した表面電子顕微鏡写真であ
る。
【図６】本発明により１８時間Ｓｉ基板面に成長させた
ダイアモンド薄膜のＸ線ロッキング曲線である。
ダイアモンド薄膜のＸ線ロッキング曲線である。
【図７】本発明によるダイアモンド薄膜のテロエピタク
シサイクリックテクスチャー成長法を示す順序図であ
る。
シサイクリックテクスチャー成長法を示す順序図であ
る。
１…成長チャンバ ４…グラファイトサスセプタ（ｇｒａｐｈｉｔｅ ｓｕ
ｓｃｅｐｔｏｒ） ６…モリブデン基板ホルダ（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ ｓ
ｕｂｓｔｒａｔｅ ｈｏｌｄｅｒ） ７…シリコン基板 １０…観察窓 １１…ガス供給手段 １７…水素ガスボンベ １８…炭素含有ガスボンベ ２０…第１弁 ２１…ガス排出ポンプ ２２…ガス出入口
ｓｃｅｐｔｏｒ） ６…モリブデン基板ホルダ（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ ｓ
ｕｂｓｔｒａｔｅ ｈｏｌｄｅｒ） ７…シリコン基板 １０…観察窓 １１…ガス供給手段 １７…水素ガスボンベ １８…炭素含有ガスボンベ ２０…第１弁 ２１…ガス排出ポンプ ２２…ガス出入口
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 李 兆 遠 大韓民国京畿道水原市八達區梅灘洞810− １番地 現代アパート101棟104號
Claims (16)
- 【請求項１】 基板上にダイアモンドを成長させるヘテ
ロサイクリックテクスチャー成長法であって、基板の表
面を炭化させる段階と、基板の表面に核を生成する段階
と、前記核を成長させる段階とを含み、前記核生成段階
は炭素含有ガスと水素ガスとが含まれた混合ガスプラズ
マ状態と水素ガスによる水素ガスプラズマ状態とが一定
の周期で交代反復されるサイクリックプロセスにより行
われることを特徴とするダイアモンド薄膜のヘテロエピ
タクシサイクリックテクスチャー成長法。 - 【請求項２】 前記サイクリックプロセス段階は、前記
混合ガスプラズマ状態の維持時間が前記水素プラズマ状
態の維持時間より長くて蒸着するダイアモンドの核生成
密度を大きくすることを特徴とする請求項１に記載のダ
イアモンド薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクス
チャー成長法。 - 【請求項３】 前記混合ガスプラズマの維持時間は１８
０秒、前記水素プラズマの維持時間は３０秒であること
を特徴とする請求項２に記載のダイアモンド薄膜のヘテ
ロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法。 - 【請求項４】 前記サイクリックプロセス段階は、前記
混合ガスプラズマ状態の維持時間を前記水素プラズマ状
態の維持時間より短くしてダイアモンドの蒸着された核
を大きくすることを特徴とする請求項１に記載のダイア
モンド薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャ
ー成長法。 - 【請求項５】 前記混合ガスプラズマの維持時間は３０
秒、前記水素プラズマの維持時間は１８０秒であること
を特徴とする請求項４に記載のダイアモンド薄膜のヘテ
ロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法。 - 【請求項６】 前記サイクリックプロセス段階は、前記
混合ガスプラズマ状態の維持時間を前記水素プラズマ状
態の維持時間と同一にして前記対象物の｛１００｝結晶
面に対する前記ダイアモンド薄膜の平行性を向上させる
ことを特徴とする請求項１に記載のダイアモンド薄膜の
ヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法。 - 【請求項７】 前記混合ガスプラズマの維持時間は３０
秒、前記水素プラズマの維持時間は３０秒であることを
特徴とする請求項６に記載のダイアモンド薄膜のヘテロ
エピタクシサイクリックテクスチャー成長法。 - 【請求項８】 前記サイクリックプロセス段階におい
て、前記炭素含有ガスはメタンガスであることを特徴と
する請求項１に記載のダイアモンド薄膜のヘテロエピタ
クシサイクリックテクスチャー成長法。 - 【請求項９】 前記サイクリックプロセス段階におい
て、前記炭素含有ガスはアセチレン、エチレン、メタノ
ール、二硫化炭素、一酸化炭素のうち少なくとも何れか
一つを含むことを特徴とする請求項１に記載のダイアモ
ンド薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー
成長法。 - 【請求項１０】 前記サイクリックプロセス段階は、混
合ガスプラズマ状態から水素プラズマ状態に終了される
ことを特徴とする請求項１に記載のダイアモンド薄膜の
ヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法。 - 【請求項１１】 成長チャンバ内に基板を設ける基板装
着段階と、 前記基板を加熱して前記対象物の表面の不純物を除去さ
せる不純物除去段階と、 前記成長チャンバの内部圧力
を一定の範囲で維持する圧力維持段階と、 前記成長チャンバ内に炭素含有ガスと水素ガスとを注入
して前記対象物の表面にプラズマを形成させる炭化段階
と、 前記基板に所定のバイアス電圧を印加して前記基板面に
ダイアモンド核を生成させ、前記成長チャンバ内に水素
ガス及び水素ガスと炭素含有ガスが混合した混合ガスを
供給経路を介して交番に反復注入し、水素プラズマ状態
及び混合ガスプラズマ状態を一定周期で交番に繰返して
保たせるサイクリックプロセス段階とを含む核生成段階
と、 前記基板の上面に前記ダイアモンド核を成長させる成長
段階とを含むことを特徴とするダイアモンド薄膜のヘテ
ロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法。 - 【請求項１２】 前記サイクリックプロセス段階は、水
素ガスのみ供給される過程で前記炭素含有ガスの供給経
路に残留する炭素含有ガスを排出させて成長チャンバ内
に流入することを防止する段階をさらに含むことを特徴
とする請求項１１に記載のダイアモンド薄膜のヘテロエ
ピタクシサイクリックテクスチャー成長法。 - 【請求項１３】 前記サイクリックプロセス段階は、前
記水素ガスと炭素含有ガスを別の供給経路により前記成
長チャンバ内に供給させる段階をさらに含むことを特徴
とする請求項１１に記載のダイアモンド薄膜のヘテロエ
ピタクシサイクリックテクスチャー成長法。 - 【請求項１４】 前記サイクリックプロセス段階は、水
素ガスのみ供給される過程で前記炭素含有ガスの供給手
段に残留する炭素含有ガスを排出させて成長チャンバ内
に流入することを防止する段階をさらに含むことを特徴
とする請求項１３に記載のダイアモンド薄膜のヘテロエ
ピタクシサイクリックテクスチャー成長法。 - 【請求項１５】 前記基板装着段階では、前記対象物と
してシリコン基板を設置することを特徴とする請求項１
１に記載のダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシサイク
リックテクスチャー成長法。 - 【請求項１６】 前記基板装着段階では、前記基板とし
てＳｉＣ、Ｃｕ、ＢｅＯ、Ｎｉ、黒鉛のうち何れか１枚
の基板を設置することを特徴とする請求項１１に記載の
ダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテク
スチャー成長法。
Applications Claiming Priority (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR19960035885 | 1996-08-27 | ||
| KR1019960051444A KR19980017982A (ko) | 1996-08-27 | 1996-10-31 | 다이아몬드 박막의 헤테로 에피텍시 싸이클릭 텍스쳐 성장법 |
| KR96P51444 | 1997-08-01 | ||
| KR96P35885 | 1997-08-01 | ||
| KR97P36859 | 1997-08-01 | ||
| KR1019970036859A KR19980018299A (ko) | 1996-08-27 | 1997-08-01 | 다이아몬드 박막의 헤테로 에피텍시 싸이클릭 텍스쳐 성장법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10101481A true JPH10101481A (ja) | 1998-04-21 |
Family
ID=27349383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9231075A Withdrawn JPH10101481A (ja) | 1996-08-27 | 1997-08-27 | ダイアモンド薄膜のヘテロエピタクシサイクリックテクスチャー成長法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0826798A3 (ja) |
| JP (1) | JPH10101481A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7866343B2 (en) | 2002-12-18 | 2011-01-11 | Masco Corporation Of Indiana | Faucet |
| US8555921B2 (en) | 2002-12-18 | 2013-10-15 | Vapor Technologies Inc. | Faucet component with coating |
| US8220489B2 (en) | 2002-12-18 | 2012-07-17 | Vapor Technologies Inc. | Faucet with wear-resistant valve component |
| US7866342B2 (en) | 2002-12-18 | 2011-01-11 | Vapor Technologies, Inc. | Valve component for faucet |
| US20070026205A1 (en) | 2005-08-01 | 2007-02-01 | Vapor Technologies Inc. | Article having patterned decorative coating |
| KR100797775B1 (ko) * | 2006-07-27 | 2008-01-24 | 한국과학기술연구원 | 다이아몬드/탄소나노물질 하이브리드 막 및 그 제조방법 |
| US20200286732A1 (en) * | 2019-03-04 | 2020-09-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of pre-treating substrate and method of directly forming graphene using the same |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5261959A (en) * | 1988-05-26 | 1993-11-16 | General Electric Company | Diamond crystal growth apparatus |
| JPH03257098A (ja) * | 1990-03-05 | 1991-11-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンド薄膜の形成方法 |
| JP2780497B2 (ja) * | 1991-01-23 | 1998-07-30 | トヨタ自動車株式会社 | ＣＶＤ法によるＳｉ基板へのダイヤモンド膜形成方法 |
| US5397428A (en) * | 1991-12-20 | 1995-03-14 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Nucleation enhancement for chemical vapor deposition of diamond |
| DE4233085C2 (de) * | 1992-10-01 | 1996-10-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Herstellung heteroepitaktischer Diamantschichten |
| JP3176493B2 (ja) * | 1993-09-17 | 2001-06-18 | 株式会社神戸製鋼所 | 高配向性ダイヤモンド薄膜の形成方法 |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP9231075A patent/JPH10101481A/ja not_active Withdrawn
- 1997-08-27 EP EP97306534A patent/EP0826798A3/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0826798A2 (en) | 1998-03-04 |
| EP0826798A3 (en) | 1999-10-27 |
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