JPH0992805A - 光集積回路装置 - Google Patents
光集積回路装置Info
- Publication number
- JPH0992805A JPH0992805A JP7244825A JP24482595A JPH0992805A JP H0992805 A JPH0992805 A JP H0992805A JP 7244825 A JP7244825 A JP 7244825A JP 24482595 A JP24482595 A JP 24482595A JP H0992805 A JPH0992805 A JP H0992805A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- light
- outside
- integrated circuit
- optical integrated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 外部からの光照射による光電流の発生を生じ
ない光集積回路を提供する。 【解決手段】 受光部と、回路部とを有し、回路部上に
は遮光膜が被覆され、回路部より外部に導出され外部と
電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力端子
と、接地端子となる外部導出端子と、外部と電気的に接
続されることのない内部端子とを有し、内部端子に対す
る少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略した光
集積回路装置。
ない光集積回路を提供する。 【解決手段】 受光部と、回路部とを有し、回路部上に
は遮光膜が被覆され、回路部より外部に導出され外部と
電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力端子
と、接地端子となる外部導出端子と、外部と電気的に接
続されることのない内部端子とを有し、内部端子に対す
る少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省略した光
集積回路装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばリモコンセ
ンサー、赤外線通信等に用いられて好適な光集積回路装
置いわゆる光ＩＣ装置に係わる。
ンサー、赤外線通信等に用いられて好適な光集積回路装
置いわゆる光ＩＣ装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】例えばリモコンセンサーを構成する光集
積回路装置は、例えば図４に概略平面図を示し、図５に
概略断面図を示すように、フォトダイオードなどの受光
部１と、これによって受光した光信号例えば赤外線信号
による電気信号を、信号処理して所要の信号出力を取り
出す信号処理回路部等を有する回路部２とが、共通の半
導体チップ３もしくはそれぞれの半導体チップに形成さ
れて、例えばリードフレーム４上にマウントされる。
積回路装置は、例えば図４に概略平面図を示し、図５に
概略断面図を示すように、フォトダイオードなどの受光
部１と、これによって受光した光信号例えば赤外線信号
による電気信号を、信号処理して所要の信号出力を取り
出す信号処理回路部等を有する回路部２とが、共通の半
導体チップ３もしくはそれぞれの半導体チップに形成さ
れて、例えばリードフレーム４上にマウントされる。
【０００３】半導体チップ３の受光部１以外の回路部２
等の表面にはＡｌ膜等の遮光膜７が被覆される。一方、
半導体チップ３の例えば側縁部上には、遮光膜７外に、
回路部２から配線層８が導出されその先端部において端
子部となるパッド５が形成されて配列される。これらパ
ッド５は、それぞれ外部と接続される例えば電源Ｖｃｃ
が供給される電源端子５ｓと、信号出力端子５ｓｉｇ
と、接地端子５ｅ等の外部導出端子と、さらに外部と接
続されることがない例えば半導体チップに予め組み込ま
れた抵抗や容量等を信号処理回路等の回路部２に接続な
いしは遮断することによってこの回路部の回路特性等を
調整するために用いられる特性調整用端子等の内部端子
５ｃとよりなる。
等の表面にはＡｌ膜等の遮光膜７が被覆される。一方、
半導体チップ３の例えば側縁部上には、遮光膜７外に、
回路部２から配線層８が導出されその先端部において端
子部となるパッド５が形成されて配列される。これらパ
ッド５は、それぞれ外部と接続される例えば電源Ｖｃｃ
が供給される電源端子５ｓと、信号出力端子５ｓｉｇ
と、接地端子５ｅ等の外部導出端子と、さらに外部と接
続されることがない例えば半導体チップに予め組み込ま
れた抵抗や容量等を信号処理回路等の回路部２に接続な
いしは遮断することによってこの回路部の回路特性等を
調整するために用いられる特性調整用端子等の内部端子
５ｃとよりなる。
【０００４】リードフレーム４は、例えば接地リードと
なるリード部４ｅが導出された半導体チップ３の載置部
４ｄを有し、これの上に、上述の半導体チップ３がボン
ディングされる。そして、接地リード部４ｅに、半導体
チップ３上の接地端子５ｅがリードワイヤ６によって電
気的に接続される。また、リードフレーム４には、例え
ばリード部４ｅと平行に、半導体チップ３上の電源端子
５ｓと信号出力端子５ｓｉｇとが、それぞれリードワイ
ヤ６によって電気的に接続されるリード部４ｓと４ｓｉ
ｇとを有してなる。
なるリード部４ｅが導出された半導体チップ３の載置部
４ｄを有し、これの上に、上述の半導体チップ３がボン
ディングされる。そして、接地リード部４ｅに、半導体
チップ３上の接地端子５ｅがリードワイヤ６によって電
気的に接続される。また、リードフレーム４には、例え
ばリード部４ｅと平行に、半導体チップ３上の電源端子
５ｓと信号出力端子５ｓｉｇとが、それぞれリードワイ
ヤ６によって電気的に接続されるリード部４ｓと４ｓｉ
ｇとを有してなる。
【０００５】そして、半導体チップ３を、リードフレー
ム４の半導体チップ３のマウント部、リードフレーム４
のワイヤ６のボンディング部を含んで樹脂モールド１０
によって包み込む。この樹脂モールド１０には、例えば
染料が混入され、この樹脂モールド１０によって可視光
が遮断され、赤外線のみが透過される構成とされる。ま
た、樹脂モールド１０は、例えば集束レンズ形状に構成
され、受光部１に赤外光が有効に入射されるようになさ
れる。
ム４の半導体チップ３のマウント部、リードフレーム４
のワイヤ６のボンディング部を含んで樹脂モールド１０
によって包み込む。この樹脂モールド１０には、例えば
染料が混入され、この樹脂モールド１０によって可視光
が遮断され、赤外線のみが透過される構成とされる。ま
た、樹脂モールド１０は、例えば集束レンズ形状に構成
され、受光部１に赤外光が有効に入射されるようになさ
れる。
【０００６】一方、例えば図６にその接続態様を示すよ
うに、例えば上述した信号出力端子５ｓｉｇと電源端子
５ｓとの間に第１の保護ダイオードｄ1 が接続され、接
地端子５ｅとの間に第２の保護ダイオードｄ2 が接続さ
れ、一方上述した特性調整用端子のパッド５ｃと電源端
子５ｓとの間に第３の保護ダイオードｄ3 が接続され、
接地端子５ｅとの間に第４の保護ダイオードｄ4 が接続
され、さらに電源端子５ｓと接地端子５ｅとの間に電源
端子用の保護ダイオードｄｓがそれぞれ接続されて、各
端子に不用意に外部から静電電圧が印加された場合にお
いても、信号処理回路等の回路部２に破損、誤動作が生
じないようになされている。
うに、例えば上述した信号出力端子５ｓｉｇと電源端子
５ｓとの間に第１の保護ダイオードｄ1 が接続され、接
地端子５ｅとの間に第２の保護ダイオードｄ2 が接続さ
れ、一方上述した特性調整用端子のパッド５ｃと電源端
子５ｓとの間に第３の保護ダイオードｄ3 が接続され、
接地端子５ｅとの間に第４の保護ダイオードｄ4 が接続
され、さらに電源端子５ｓと接地端子５ｅとの間に電源
端子用の保護ダイオードｄｓがそれぞれ接続されて、各
端子に不用意に外部から静電電圧が印加された場合にお
いても、信号処理回路等の回路部２に破損、誤動作が生
じないようになされている。
【０００７】これら保護ダイオードは、半導体チップ３
上の、遮光膜７によって覆われた部分に形成されてい
て、外光から遮断されてこれら保護ダイオードに光が照
射されることによって、図６中破線で示す光電流ｉを発
生させるような不都合が生じることがないようになされ
ている。
上の、遮光膜７によって覆われた部分に形成されてい
て、外光から遮断されてこれら保護ダイオードに光が照
射されることによって、図６中破線で示す光電流ｉを発
生させるような不都合が生じることがないようになされ
ている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述した構
成による光集積回路装置においては、実際には図４のＡ
−Ａ線上の一部の断面図を図７に示すように、配線層８
上には絶縁層９を介して遮光膜７が被覆されていること
から、遮光膜７の端縁下には光学的な空洞が生じ、これ
を通じて遮光膜７下に光が直接的にもしくは各部での反
射の繰り返しによって遮光膜７下にある保護ダイオード
に外光が伝搬されて実質的に保護ダイオードに光が照射
されてしまい上述した光電流ｉが発生してしまう不都合
が生じることが判明した。
成による光集積回路装置においては、実際には図４のＡ
−Ａ線上の一部の断面図を図７に示すように、配線層８
上には絶縁層９を介して遮光膜７が被覆されていること
から、遮光膜７の端縁下には光学的な空洞が生じ、これ
を通じて遮光膜７下に光が直接的にもしくは各部での反
射の繰り返しによって遮光膜７下にある保護ダイオード
に外光が伝搬されて実質的に保護ダイオードに光が照射
されてしまい上述した光電流ｉが発生してしまう不都合
が生じることが判明した。
【０００９】本発明は、このような不都合を回避するこ
とを目的とするものである。
とを目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による光集積回路
は、受光部と、これよりの受光信号による電気信号に対
し所要の信号処理を行う信号処理回路等の回路部とを有
し、この回路部上には遮光膜が被覆され、外部と電気的
に接続される少なくとも電源端子と、出力端子と、接地
端子となる外部導出端子とが上記回路部より外部に導出
され、このように外部と接続されることのない内部端子
については少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省
略する構成とする。言い換えれば、外部に導出される端
子のみに関してその所要の端子、例えば電源端子、ある
いは出力端子、またはその双方に関して保護ダイオード
の接続を行うものの、外部導出端子以外の内部端子につ
いては、少なくとも一部の保護ダイオードの接続を回避
する。
は、受光部と、これよりの受光信号による電気信号に対
し所要の信号処理を行う信号処理回路等の回路部とを有
し、この回路部上には遮光膜が被覆され、外部と電気的
に接続される少なくとも電源端子と、出力端子と、接地
端子となる外部導出端子とが上記回路部より外部に導出
され、このように外部と接続されることのない内部端子
については少なくとも一部の保護ダイオードの接続を省
略する構成とする。言い換えれば、外部に導出される端
子のみに関してその所要の端子、例えば電源端子、ある
いは出力端子、またはその双方に関して保護ダイオード
の接続を行うものの、外部導出端子以外の内部端子につ
いては、少なくとも一部の保護ダイオードの接続を回避
する。
【００１１】上述の本発明の構成によれば、外部に導出
される端子については、外部から不用意に電流、電圧が
印加されやすいことから、必要とする端子に保護ダイオ
ードの接続を行うものの、外部に導出されない端子につ
いては保護ダイオードの接続を回避するものであるが、
これは、完成された光集積回路装置において、実際には
このように外部に導出されない端子について保護ダイオ
ードの接続がなされずとも、事故の発生に問題が生じな
いことを見い出したことによるものであり、このような
保護ダイオードの接続を回避したことによって、冒頭に
述べた遮光膜端縁からの光の入り込みによって保護ダイ
オードに光照射がなされて生じた光電流による回路への
影響を問題が生じない程度に抑制できた。
される端子については、外部から不用意に電流、電圧が
印加されやすいことから、必要とする端子に保護ダイオ
ードの接続を行うものの、外部に導出されない端子につ
いては保護ダイオードの接続を回避するものであるが、
これは、完成された光集積回路装置において、実際には
このように外部に導出されない端子について保護ダイオ
ードの接続がなされずとも、事故の発生に問題が生じな
いことを見い出したことによるものであり、このような
保護ダイオードの接続を回避したことによって、冒頭に
述べた遮光膜端縁からの光の入り込みによって保護ダイ
オードに光照射がなされて生じた光電流による回路への
影響を問題が生じない程度に抑制できた。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、図１および図２を参照し
て本発明の光集積回路装置の一例について説明する。
て本発明の光集積回路装置の一例について説明する。
【００１３】この例では光集積回路（光ＩＣ）装置は図
１にその概略平面図を示し、図２に概略断面図を示すよ
うに、ｐｎ接合によるフォトダイオードなどの受光部１
と、これによって受光した光信号例えば赤外線信号によ
る電気信号を、信号処理して所要の信号出力を取り出す
信号処理回路部等を有する回路部２とが、共通の半導体
チップ３に形成されてリードフレーム４上にマウントさ
れてなる。
１にその概略平面図を示し、図２に概略断面図を示すよ
うに、ｐｎ接合によるフォトダイオードなどの受光部１
と、これによって受光した光信号例えば赤外線信号によ
る電気信号を、信号処理して所要の信号出力を取り出す
信号処理回路部等を有する回路部２とが、共通の半導体
チップ３に形成されてリードフレーム４上にマウントさ
れてなる。
【００１４】半導体チップ３の受光部１以外の回路部２
の表面には、Ａｌ膜からなる遮光膜７が被覆される。一
方、半導体チップ３の例えば側縁部上遮光膜７外に、回
路部２から配線層８が導出され、その先端部において端
子部となるパッド５が形成されて配列される。これらパ
ッド５は、それぞれ外部と接続される例えば電源Ｖｃｃ
が供給される電源端子５ｓと、信号出力端子５ｓｉｇ
と、接地端子５ｅと、さらに例えば半導体チップに予め
組み込まれた抵抗や容量等を信号処理回路等の回路部２
に接続ないしは遮断することによってこの回路部の回路
特性等を調整するために用いられる特性調整用端子等の
外部との接続がされない内部端子５ｃとよりなる。
の表面には、Ａｌ膜からなる遮光膜７が被覆される。一
方、半導体チップ３の例えば側縁部上遮光膜７外に、回
路部２から配線層８が導出され、その先端部において端
子部となるパッド５が形成されて配列される。これらパ
ッド５は、それぞれ外部と接続される例えば電源Ｖｃｃ
が供給される電源端子５ｓと、信号出力端子５ｓｉｇ
と、接地端子５ｅと、さらに例えば半導体チップに予め
組み込まれた抵抗や容量等を信号処理回路等の回路部２
に接続ないしは遮断することによってこの回路部の回路
特性等を調整するために用いられる特性調整用端子等の
外部との接続がされない内部端子５ｃとよりなる。
【００１５】リードフレーム４は、例えば接地リードと
なるリード部４ｅが導出された半導体チップ３の載置部
４ｄを有し、これの上に、上述の半導体チップ３がボン
ディングされる。そして、接地リード部４ｅに、半導体
チップ３上の接地端子のパッド５ｅがリードワイヤ６に
よって電気的に接続される。また、リードフレーム４に
は、例えばリード部４ｅと平行に、半導体チップ３上の
電源端子５ｓと信号出力端子５ｓｉｇとが、それぞれリ
ードワイヤ６によって電気的に接続されるリード部４ｓ
と４ｓｉｇとを有してなる。
なるリード部４ｅが導出された半導体チップ３の載置部
４ｄを有し、これの上に、上述の半導体チップ３がボン
ディングされる。そして、接地リード部４ｅに、半導体
チップ３上の接地端子のパッド５ｅがリードワイヤ６に
よって電気的に接続される。また、リードフレーム４に
は、例えばリード部４ｅと平行に、半導体チップ３上の
電源端子５ｓと信号出力端子５ｓｉｇとが、それぞれリ
ードワイヤ６によって電気的に接続されるリード部４ｓ
と４ｓｉｇとを有してなる。
【００１６】そして、半導体チップ３を、リードフレー
ム４の半導体チップ３のマウント部、リードフレーム４
のワイヤ６のボンディング部を含んで樹脂モールド１０
によって包み込む。この樹脂モールド１０には、例えば
染料が混入され、この樹脂モールド１０によって可視光
が遮断され、赤外線のみが透過される構成とされる。ま
た、樹脂モールド１０は、例えば集束レンズ形状に構成
され、受光部１に赤外光が有効に入射されるようになさ
れる。
ム４の半導体チップ３のマウント部、リードフレーム４
のワイヤ６のボンディング部を含んで樹脂モールド１０
によって包み込む。この樹脂モールド１０には、例えば
染料が混入され、この樹脂モールド１０によって可視光
が遮断され、赤外線のみが透過される構成とされる。ま
た、樹脂モールド１０は、例えば集束レンズ形状に構成
され、受光部１に赤外光が有効に入射されるようになさ
れる。
【００１７】そして、特に本発明装置の構成において
は、例えば図３にその接続態様を示すように、電気的に
外部と接続すべく導出されることのない各端子（パッ
ド）５ｃについては、保護ダイオードの接続を回避し
て、外部と接続される端子に関してのみ、すなわち例え
ば上述した信号出力端子５ｓｉｇと電源端子５ｓとの間
に第１の保護ダイオードｄ1 が接続され、接地端子５ｅ
との間に第２の保護ダイオードｄ2 が接続され、さらに
電源端子５ｓと接地端子５ｅとの間に電源端子用の保護
ダイオードｄｓがそれぞれ接続されて、各端子に不用意
に外部から静電電圧が印加された場合においても、信号
処理回路等の回路部２に破損、誤動作が生じないように
なされている。
は、例えば図３にその接続態様を示すように、電気的に
外部と接続すべく導出されることのない各端子（パッ
ド）５ｃについては、保護ダイオードの接続を回避し
て、外部と接続される端子に関してのみ、すなわち例え
ば上述した信号出力端子５ｓｉｇと電源端子５ｓとの間
に第１の保護ダイオードｄ1 が接続され、接地端子５ｅ
との間に第２の保護ダイオードｄ2 が接続され、さらに
電源端子５ｓと接地端子５ｅとの間に電源端子用の保護
ダイオードｄｓがそれぞれ接続されて、各端子に不用意
に外部から静電電圧が印加された場合においても、信号
処理回路等の回路部２に破損、誤動作が生じないように
なされている。
【００１８】すなわちこの光集積回路装置においては、
図６に示した従来の光集積回路装置の例の接続態様と比
較すると、特性調整用端子のパッド５ｃと電源端子５ｓ
との間の第３の保護ダイオードｄ3 と、接地端子５ｅと
の間の第４の保護ダイオードｄ4 とが接続されていない
構成である。
図６に示した従来の光集積回路装置の例の接続態様と比
較すると、特性調整用端子のパッド５ｃと電源端子５ｓ
との間の第３の保護ダイオードｄ3 と、接地端子５ｅと
の間の第４の保護ダイオードｄ4 とが接続されていない
構成である。
【００１９】因みに、光ＩＣではない通常の集積回路
（ＩＣ）においては、保護ダイオードが設けられない構
成をとるものもあるが、この場合光集積回路装置を構成
するものではないことから全体がパッケージ内に収容さ
れ、このパッケージはガラスフィラー入り樹脂等の光を
透過しない材料で構成されており、光が透過しないので
光電流が生じないことから、前述の光電流による内部回
路への影響を考慮した本発明構成とは本質的に異なる。
（ＩＣ）においては、保護ダイオードが設けられない構
成をとるものもあるが、この場合光集積回路装置を構成
するものではないことから全体がパッケージ内に収容さ
れ、このパッケージはガラスフィラー入り樹脂等の光を
透過しない材料で構成されており、光が透過しないので
光電流が生じないことから、前述の光電流による内部回
路への影響を考慮した本発明構成とは本質的に異なる。
【００２０】上述したように、本発明装置においては、
外部に導出されない特性調整用端子のパッド５ｃに保護
ダイオードを接続しないことにより、図６において見ら
れたような、光電流ｉの発生を抑制することができる。
外部に導出される端子については、外部から不用意に電
流、電圧が印加されやすいことから、必要とする端子に
保護ダイオードの接続を行うものである。
外部に導出されない特性調整用端子のパッド５ｃに保護
ダイオードを接続しないことにより、図６において見ら
れたような、光電流ｉの発生を抑制することができる。
外部に導出される端子については、外部から不用意に電
流、電圧が印加されやすいことから、必要とする端子に
保護ダイオードの接続を行うものである。
【００２１】上述の例では、特性調整用端子のパッド５
ｃに対して電源電位側と接地電位側の両方ともに保護ダ
イオードを設けない構成であったが、いずれか一方の保
護ダイオードを設けないで、もう一方の保護ダイオード
を配置する構成としても、図６に示した従来の場合と比
較して光電流による回路部の動作への影響を抑制するこ
とができる。
ｃに対して電源電位側と接地電位側の両方ともに保護ダ
イオードを設けない構成であったが、いずれか一方の保
護ダイオードを設けないで、もう一方の保護ダイオード
を配置する構成としても、図６に示した従来の場合と比
較して光電流による回路部の動作への影響を抑制するこ
とができる。
【００２２】尚、上述の例は本発明の一例であり、本発
明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得
る。
明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得
る。
【００２３】上述の例ではフォトダイオード等による受
光部６と信号処理回路部７とがモノリシックに形成配置
された例であったが、これらを別々チップにして接続し
同一のパッケージ内に収納する構成、いわゆるハイブリ
ッドな構成としてもよい。
光部６と信号処理回路部７とがモノリシックに形成配置
された例であったが、これらを別々チップにして接続し
同一のパッケージ内に収納する構成、いわゆるハイブリ
ッドな構成としてもよい。
【００２４】
【発明の効果】上述の本発明の光集積回路装置によれ
ば、保護ダイオードを設けないことにより、保護ダイオ
ードに外部から光が照射されて生じる光電流を抑制し、
これにより回路部の動作への影響を低減することができ
る。これにより、外部から照射される光の乱れに対し
て、安定した動作特性を有する光集積回路装置を実現す
ることができる。
ば、保護ダイオードを設けないことにより、保護ダイオ
ードに外部から光が照射されて生じる光電流を抑制し、
これにより回路部の動作への影響を低減することができ
る。これにより、外部から照射される光の乱れに対し
て、安定した動作特性を有する光集積回路装置を実現す
ることができる。
【図１】本発明の光集積回路装置の一例を示す概略平面
図である。
図である。
【図２】本発明の光集積回路装置の一例を示す概略断面
図である。
図である。
【図３】図１および図２に示した光集積回路装置の接続
態様を示す模式図である。
態様を示す模式図である。
【図４】従来の光集積回路装置を示す概略平面図であ
る。
る。
【図５】従来の光集積回路装置を示す概略断面図であ
る。
る。
【図６】図４および図５に示した光集積回路装置の接続
態様を示す模式図である。
態様を示す模式図である。
【図７】図４のＡ−Ａ線上の一部の断面図である。
１ 受光部 ２ 回路部 ３ 半導体チップ ４ リードフレーム ４ｄ 半導体チップ載置部 ４ｓ、４ｓｉｇ、４ｅ リード部 ５ パッド ５ｓ 電源端子 ５ｓｉｇ 信号出力端子 ５ｅ 接地端子 ５ｃ 特性調整用端子 ６ リードワイヤ ７ 遮光膜 ８ 配線層 ９ 絶縁膜 １０ 樹脂モールド ｄ1 、ｄ2 、ｄ3 、ｄ4 、ｄｓ 保護ダイオード ｉ 光電流
Claims (2)
- 【請求項１】 受光部と、 回路部とを有し、 該回路部上には遮光膜が被覆され、 上記回路部より外部に導出され、外部と電気的に接続さ
れる少なくとも電源端子と、出力端子と、接地端子とな
る外部導出端子と、 外部と電気的に接続されることのない内部端子とを有
し、 該内部端子に対する少なくとも一部の保護ダイオードの
接続を省略したことを特徴とする光集積回路装置。 - 【請求項２】 受光部と、 回路部とを有し、 該回路部上には遮光膜が被覆され、 外部と電気的に接続される少なくとも電源端子と、出力
端子と、接地端子となる外部導出端子が上記回路部より
外部に導出され、 上記外部導出端子の所要の端子に関してのみ保護ダイオ
ードが接続されることを特徴とする光集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7244825A JPH0992805A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 光集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7244825A JPH0992805A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 光集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0992805A true JPH0992805A (ja) | 1997-04-04 |
Family
ID=17124520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7244825A Pending JPH0992805A (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 光集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0992805A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444216B1 (ko) * | 2001-08-22 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 광신호처리용 칩 구조 및 그 칩을 이용한 광마우스장치 |
| JP2008130611A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2008267884A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Sharp Corp | 物体検出回路 |
| US9635297B2 (en) | 2013-10-22 | 2017-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Image capturing apparatus, solid-state image sensor, and camera that may suppress electrical interference |
-
1995
- 1995-09-22 JP JP7244825A patent/JPH0992805A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100444216B1 (ko) * | 2001-08-22 | 2004-08-16 | 삼성전기주식회사 | 광신호처리용 칩 구조 및 그 칩을 이용한 광마우스장치 |
| JP2008130611A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Nec Electronics Corp | 半導体レーザ装置 |
| JP2008267884A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Sharp Corp | 物体検出回路 |
| US9635297B2 (en) | 2013-10-22 | 2017-04-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Image capturing apparatus, solid-state image sensor, and camera that may suppress electrical interference |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6144507A (en) | Method of mounting a sealed assembly on a mounting substrate and optical transducer | |
| USRE35069E (en) | Optoelectronic device component package | |
| JP3734017B2 (ja) | 光モジュール | |
| US7663228B2 (en) | Electronic component and electronic component module | |
| JPH09284217A (ja) | 光通信用デバイス | |
| US5751009A (en) | Optical isolator having leadframe with non-planar mounting portions | |
| US6172351B1 (en) | Photoelectric integrated circuit device | |
| JPH0992805A (ja) | 光集積回路装置 | |
| US20070034784A1 (en) | Photosensitive device that easily achieves a required photosensitive response | |
| JP2000028872A (ja) | 光モジュール | |
| JP3676136B2 (ja) | 光結合素子 | |
| JP5802511B2 (ja) | 光センサモジュール及び光センサ | |
| JP2970580B2 (ja) | 半導体チップ、光受信モジュールおよび光受信モジュールの製造方法 | |
| US4996578A (en) | Semiconductor device | |
| JP2004328386A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPH0936394A (ja) | 赤外線受光装置 | |
| JPS6316682A (ja) | 樹脂封止型発光モジユ−ル | |
| JPH1187607A (ja) | 光モジュール | |
| JPH07335932A (ja) | 光学装置 | |
| JP2542746B2 (ja) | レ―ザダイオ―ド | |
| JPH01191481A (ja) | 受光素子 | |
| JP2547466B2 (ja) | レーザダイオード | |
| JP3048818B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| WO2021235143A1 (ja) | 電子機器 | |
| JP2523935B2 (ja) | レ―ザダイオ―ド |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040506 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040617 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20040806 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051020 |