JPH0982835A - 回路基板および多層回路基板 - Google Patents
回路基板および多層回路基板Info
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- JPH0982835A JPH0982835A JP23226995A JP23226995A JPH0982835A JP H0982835 A JPH0982835 A JP H0982835A JP 23226995 A JP23226995 A JP 23226995A JP 23226995 A JP23226995 A JP 23226995A JP H0982835 A JPH0982835 A JP H0982835A
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- Japan
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- circuit board
- via hole
- conductive material
- layer
- wiring pattern
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
- H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
- H05K3/4069—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in organic insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
- H05K3/4614—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards the electrical connections between the circuit boards being made during lamination
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線密度を高めることができ、また信頼性の
高い回路基板および多層回路基板を提供する。 【解決手段】 絶縁体層１４にビアホール１８が形成さ
れ、該ビアホール１８内に導電材料が充填され、該導電
材料と電気的に接続されて絶縁体層１４表面に配線パタ
ーン２２が形成された回路基板１０において、前記ビア
ホール１８に対応する前記配線パターン２２の部位にビ
アホール１８に連通してビアホール１８の径よりも小径
の小孔２４が形成されていることを特徴としている。
高い回路基板および多層回路基板を提供する。 【解決手段】 絶縁体層１４にビアホール１８が形成さ
れ、該ビアホール１８内に導電材料が充填され、該導電
材料と電気的に接続されて絶縁体層１４表面に配線パタ
ーン２２が形成された回路基板１０において、前記ビア
ホール１８に対応する前記配線パターン２２の部位にビ
アホール１８に連通してビアホール１８の径よりも小径
の小孔２４が形成されていることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は回路基板および多層
回路基板に関する。
回路基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】銅箔等の金属箔を表面に設けたポリイミ
ドフィルムを用いて多層回路基板に形成するものが知ら
れている。この場合表裏の配線パターン間の電気的導通
はポリイミドフィルムにビアホールを形成し、このビア
ホール内に導電材料を充填してなされる。ビアホール１
は、図６に示すように銅箔２まで貫通させる場合と、図
７に示すようにポリイミドフィルム３のみに設ける場合
とがある。
ドフィルムを用いて多層回路基板に形成するものが知ら
れている。この場合表裏の配線パターン間の電気的導通
はポリイミドフィルムにビアホールを形成し、このビア
ホール内に導電材料を充填してなされる。ビアホール１
は、図６に示すように銅箔２まで貫通させる場合と、図
７に示すようにポリイミドフィルム３のみに設ける場合
とがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ビアホール１を銅箔２
まで貫通して設けた場合、導電材料はスクリーン印刷等
によりビアホール１内に充填するのであるが、導電材料
が銅箔２の表面に滲みだすおそれがある。また、ビアホ
ール１に対応する部位にパッドを形成する場合が多い
が、ビアホール１が銅箔２まで貫通しているための、い
わゆるランドをビアホール１を囲んで広く形成しなけれ
ばならず、高密度に配線できないという課題がある。こ
の点図 に示す場合は、導電材料が銅箔２の下に隠れる
ため、パッドの形成はビアホールの径とほぼ同径に形成
することができ、配線密度を高めることができる。しか
し、この場合にはビアホール１は盲孔となるため、導電
材料の充填時にエアが抜けきれず、図に示すようにエア
が銅箔２の付近に残り、そのため信頼性に欠けるという
課題がある。
まで貫通して設けた場合、導電材料はスクリーン印刷等
によりビアホール１内に充填するのであるが、導電材料
が銅箔２の表面に滲みだすおそれがある。また、ビアホ
ール１に対応する部位にパッドを形成する場合が多い
が、ビアホール１が銅箔２まで貫通しているための、い
わゆるランドをビアホール１を囲んで広く形成しなけれ
ばならず、高密度に配線できないという課題がある。こ
の点図 に示す場合は、導電材料が銅箔２の下に隠れる
ため、パッドの形成はビアホールの径とほぼ同径に形成
することができ、配線密度を高めることができる。しか
し、この場合にはビアホール１は盲孔となるため、導電
材料の充填時にエアが抜けきれず、図に示すようにエア
が銅箔２の付近に残り、そのため信頼性に欠けるという
課題がある。
【０００４】そこで、本発明は上記課題を解決すべくな
されたものであり、その目的とするところは、配線密度
を高めることができ、また信頼性の高い回路基板および
多層回路基板を提供するにある。
されたものであり、その目的とするところは、配線密度
を高めることができ、また信頼性の高い回路基板および
多層回路基板を提供するにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため次の構成を備える。すなわち、絶縁体層にビア
ホールが形成され、該ビアホール内に導電材料が充填さ
れ、該導電材料と電気的に接続されて絶縁体層表面に配
線パターンが形成された回路基板において、前記ビアホ
ールに対応する前記配線パターンの部位にビアホールに
連通してビアホールの径よりも小径の小孔が形成されて
いることを特徴としている。ビアホールが盲孔にならな
いため、導電材料を充填する際、エアが残ることがなく
信頼性を向上できると共に、滲みもなくすことができ、
さらに配線パターンの部位はビアホールよりも径の小さ
い小孔が存在するだけであるから、ビアホール上にビア
ホールとほぼ同一幅のパッドを作ることができ配線密度
を高くすることができる。
するため次の構成を備える。すなわち、絶縁体層にビア
ホールが形成され、該ビアホール内に導電材料が充填さ
れ、該導電材料と電気的に接続されて絶縁体層表面に配
線パターンが形成された回路基板において、前記ビアホ
ールに対応する前記配線パターンの部位にビアホールに
連通してビアホールの径よりも小径の小孔が形成されて
いることを特徴としている。ビアホールが盲孔にならな
いため、導電材料を充填する際、エアが残ることがなく
信頼性を向上できると共に、滲みもなくすことができ、
さらに配線パターンの部位はビアホールよりも径の小さ
い小孔が存在するだけであるから、ビアホール上にビア
ホールとほぼ同一幅のパッドを作ることができ配線密度
を高くすることができる。
【０００６】すなわち、前記小孔が形成された配線パタ
ーンの部位が前記ビアホールの径とほぼ同じ幅のパッド
部に形成することができる。また、前記絶縁体層の前記
配線パターンが形成された面と反対側の面に接着剤層を
形成しておくことにより、容易に多層化できる。この場
合前記絶縁体層に熱硬化性樹脂フィルムを用い、前記接
着剤層に熱可塑性樹脂層を用い、前記ビアホールに充填
される導電材料に、金属粒子を含有した熱可塑性樹脂を
用いることができる。特に導電材料に金属粒子を含有し
た熱可塑性樹脂を用いることにより、製造時の加熱処理
等において、熱硬化性樹脂のように原料成分の揮発によ
りガスが発生することがなく、これにより体積が減少し
たり、空隙が生じたりすることがなく、抵抗値が増大す
ることもないので信頼性の高い回路基板を提供できる。
ーンの部位が前記ビアホールの径とほぼ同じ幅のパッド
部に形成することができる。また、前記絶縁体層の前記
配線パターンが形成された面と反対側の面に接着剤層を
形成しておくことにより、容易に多層化できる。この場
合前記絶縁体層に熱硬化性樹脂フィルムを用い、前記接
着剤層に熱可塑性樹脂層を用い、前記ビアホールに充填
される導電材料に、金属粒子を含有した熱可塑性樹脂を
用いることができる。特に導電材料に金属粒子を含有し
た熱可塑性樹脂を用いることにより、製造時の加熱処理
等において、熱硬化性樹脂のように原料成分の揮発によ
りガスが発生することがなく、これにより体積が減少し
たり、空隙が生じたりすることがなく、抵抗値が増大す
ることもないので信頼性の高い回路基板を提供できる。
【０００７】また前記熱硬化性樹脂フィルムに熱硬化性
ポリイミドフィルムを、前記熱可塑性樹脂層に熱可塑性
ポリイミド層を、前記ビアホールに充填される導電材料
に、金属粒子を含有した熱可塑性ポリイミド樹脂を用い
ることができ、これにより、熱膨張係数がほぼ一致する
ので、製造時あるいは使用時に種々の熱サイクルが加わ
っても熱膨張、熱収縮がマッチングし、熱変形に対して
３者が追随し、ビア（導電材料）に亀裂が入ったりする
ことがない。上記の回路基板を複数枚積層して多層回路
基板にすることができる。この場合、最下層の回路基板
の絶縁体層のビアホールは導電材料が充填されていない
端子ホールに形成しておき、半導体チップ等の電子部品
を実装した後、該端子ホールにバンプ等を形成して外部
接続部とすることができる。あるいはあらかじめ端子ホ
ールに外部接続用のバンプを形成した多層回路基板とす
ることもできる。
ポリイミドフィルムを、前記熱可塑性樹脂層に熱可塑性
ポリイミド層を、前記ビアホールに充填される導電材料
に、金属粒子を含有した熱可塑性ポリイミド樹脂を用い
ることができ、これにより、熱膨張係数がほぼ一致する
ので、製造時あるいは使用時に種々の熱サイクルが加わ
っても熱膨張、熱収縮がマッチングし、熱変形に対して
３者が追随し、ビア（導電材料）に亀裂が入ったりする
ことがない。上記の回路基板を複数枚積層して多層回路
基板にすることができる。この場合、最下層の回路基板
の絶縁体層のビアホールは導電材料が充填されていない
端子ホールに形成しておき、半導体チップ等の電子部品
を実装した後、該端子ホールにバンプ等を形成して外部
接続部とすることができる。あるいはあらかじめ端子ホ
ールに外部接続用のバンプを形成した多層回路基板とす
ることもできる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳細に説明する。図１は回路基板１０の
一例を示す断面図である。１２は単位基板として把握で
きる。単位基板１２は、厚さが１０〜２０μｍの樹脂フ
ィルム（絶縁体層）の片面に５〜２０μｍの厚さの銅箔
等からなる金属層が形成された基板材料にビアホール１
８が形成され、該ビアホール１８内に金、銀、銅、ニッ
ケル、鉛などの金属粒子入りの樹脂（導電材料）が充填
されたビア２０が形成されると共に、前記金属層がビア
２０と接続するように所要の配線パターン２２に形成さ
れてなる。
図面に基づいて詳細に説明する。図１は回路基板１０の
一例を示す断面図である。１２は単位基板として把握で
きる。単位基板１２は、厚さが１０〜２０μｍの樹脂フ
ィルム（絶縁体層）の片面に５〜２０μｍの厚さの銅箔
等からなる金属層が形成された基板材料にビアホール１
８が形成され、該ビアホール１８内に金、銀、銅、ニッ
ケル、鉛などの金属粒子入りの樹脂（導電材料）が充填
されたビア２０が形成されると共に、前記金属層がビア
２０と接続するように所要の配線パターン２２に形成さ
れてなる。
【０００９】この場合に配線パターン２２のビアホール
１８に対応する部位には、ビアホール１８よりも小径の
小孔２４が形成されている。樹脂フィルム（絶縁体層）
１４にビアホール１８を形成するには、エキシマレーザ
ーを用いて金属層に達しないように孔をあけるか、ある
いは樹脂フィルム１４をエッチングして形成するように
することができる。小孔２４は金属層をエッチングして
配線パターン２２に形成するときに同時に形成できる。
ビアホール１８内への導電材料の充填は、配線パターン
２２の形成されている面と反対側からスクリーンあるい
は適宜なメタルマスクを用いてペースト状の導電材料を
充填することができる。充填時、エアは小孔２４から外
部に排出されるので、ビアホール１８内に導電材料を密
に充填できる。
１８に対応する部位には、ビアホール１８よりも小径の
小孔２４が形成されている。樹脂フィルム（絶縁体層）
１４にビアホール１８を形成するには、エキシマレーザ
ーを用いて金属層に達しないように孔をあけるか、ある
いは樹脂フィルム１４をエッチングして形成するように
することができる。小孔２４は金属層をエッチングして
配線パターン２２に形成するときに同時に形成できる。
ビアホール１８内への導電材料の充填は、配線パターン
２２の形成されている面と反対側からスクリーンあるい
は適宜なメタルマスクを用いてペースト状の導電材料を
充填することができる。充填時、エアは小孔２４から外
部に排出されるので、ビアホール１８内に導電材料を密
に充填できる。
【００１０】また、ビアホール１８に対応する配線パタ
ーン２２の部位を図示のようにビアホール１８の径とほ
ぼ同じ径に形成してこの部位をパッド部に形成すること
ができる。配線パターン２２の他の部位はこのパッド部
よりも幅狭に形成できる。したがって配線パターン２２
を高密度にすることができる。樹脂フィルム１４には熱
硬化性樹脂フィルムを、また導電材料は、前記金属粒子
入りの熱可塑性樹脂を用いると好適である。特に導電材
料に金属粒子を含有した熱可塑性樹脂を用いることによ
り、製造時の加熱処理等において、熱硬化性樹脂のよう
に原料成分の揮発によりガスが発生することがなく、こ
れにより体積が減少したり、空隙が生じたりすることが
なく、抵抗値が増大することもないので信頼性の高い回
路基板を提供できる。また熱硬化性樹脂フィルムに熱硬
化性ポリイミドフィルムを、ビアホールに充填される導
電材料に、金属粒子を含有した熱可塑性ポリイミド樹脂
を用いることができ、これにより、熱膨張係数がほぼ一
致するので、製造時あるいは使用時に種々の熱サイクル
が加わっても熱膨張、熱収縮がマッチングし、熱変形に
対して追随し、ビア（導電材料）に亀裂が入ったりする
ことがない。
ーン２２の部位を図示のようにビアホール１８の径とほ
ぼ同じ径に形成してこの部位をパッド部に形成すること
ができる。配線パターン２２の他の部位はこのパッド部
よりも幅狭に形成できる。したがって配線パターン２２
を高密度にすることができる。樹脂フィルム１４には熱
硬化性樹脂フィルムを、また導電材料は、前記金属粒子
入りの熱可塑性樹脂を用いると好適である。特に導電材
料に金属粒子を含有した熱可塑性樹脂を用いることによ
り、製造時の加熱処理等において、熱硬化性樹脂のよう
に原料成分の揮発によりガスが発生することがなく、こ
れにより体積が減少したり、空隙が生じたりすることが
なく、抵抗値が増大することもないので信頼性の高い回
路基板を提供できる。また熱硬化性樹脂フィルムに熱硬
化性ポリイミドフィルムを、ビアホールに充填される導
電材料に、金属粒子を含有した熱可塑性ポリイミド樹脂
を用いることができ、これにより、熱膨張係数がほぼ一
致するので、製造時あるいは使用時に種々の熱サイクル
が加わっても熱膨張、熱収縮がマッチングし、熱変形に
対して追随し、ビア（導電材料）に亀裂が入ったりする
ことがない。
【００１１】単位基板１２は、このまま半導体チップ等
の電子部品実装用の回路基板として用いることができ
る。この場合ビア２０には電子部品実装後、あるいは実
装前にバンプ（図示せず）を形成して外部接続部とす
る。あるいは、この単位基板１２は、多層回路基板の単
位基板とすることができる。すなわち同様に形成した複
数枚の単位基板１２を接着剤により接着して多層に形成
するのである。
の電子部品実装用の回路基板として用いることができ
る。この場合ビア２０には電子部品実装後、あるいは実
装前にバンプ（図示せず）を形成して外部接続部とす
る。あるいは、この単位基板１２は、多層回路基板の単
位基板とすることができる。すなわち同様に形成した複
数枚の単位基板１２を接着剤により接着して多層に形成
するのである。
【００１２】図２は多層回路基板用の単位基板１２とし
て形成した回路基板１０を示す。図１と同一の部材は同
一符号を付して説明を省略する。本例では樹脂フィルム
１４の配線パターン２２が形成された面と反対側の面に
熱可塑性樹脂層からなる接着剤層１６を形成している。
図３は３枚の単位基板１２、１２、１２を積層して、加
熱、加圧することによって接着剤層（熱可塑性樹脂層）
１６により接着、一体化した多層回路基板１０を示す。
最下層のビア２０にははんだボールなどのバンプやリー
ドピン（図示せず）を形成して外部接続部とすることが
できる。最上層、最下層の各表面に形成された配線パタ
ーンには適宜保護膜（図示せず）を被覆する。特に半導
体素子を搭載するＢＧＡ型、ＰＧＡ型の回路基板として
用いる場合には、最上層に形成した素子と接続する配線
パターンの領域や、最下層に形成した外部接続端子（は
んだボール、リードピン）を接合する配線パターンの領
域を除いて最上層、最下層の表面にソルダーレジストな
どにより保護膜を形成することがある。
て形成した回路基板１０を示す。図１と同一の部材は同
一符号を付して説明を省略する。本例では樹脂フィルム
１４の配線パターン２２が形成された面と反対側の面に
熱可塑性樹脂層からなる接着剤層１６を形成している。
図３は３枚の単位基板１２、１２、１２を積層して、加
熱、加圧することによって接着剤層（熱可塑性樹脂層）
１６により接着、一体化した多層回路基板１０を示す。
最下層のビア２０にははんだボールなどのバンプやリー
ドピン（図示せず）を形成して外部接続部とすることが
できる。最上層、最下層の各表面に形成された配線パタ
ーンには適宜保護膜（図示せず）を被覆する。特に半導
体素子を搭載するＢＧＡ型、ＰＧＡ型の回路基板として
用いる場合には、最上層に形成した素子と接続する配線
パターンの領域や、最下層に形成した外部接続端子（は
んだボール、リードピン）を接合する配線パターンの領
域を除いて最上層、最下層の表面にソルダーレジストな
どにより保護膜を形成することがある。
【００１３】本例でも、特に導電材料に導電性熱可塑性
樹脂を用いれば、製造時の加熱処理等において、熱硬化
性樹脂のように原料成分の揮発によりガスが発生するこ
とがなく、これにより体積が減少したり、空隙が生じた
りすることがなく、抵抗値が増大することもないので信
頼性の高い多層回路基板１０を提供できる。また特に、
樹脂フィルム（熱硬化性樹脂フィルム）１４、接着剤層
（熱可塑性樹脂層）１６、ビアホール１８内の導電性熱
可塑性樹脂にすべてポリイミド樹脂を用いることによ
り、熱膨張係数がほぼ一致するので、製造時あるいは使
用時に種々の熱サイクルが加わっても熱膨張、熱収縮が
マッチングし、熱変形に対して３者が追随し、ビア２０
に亀裂が入ったりするおそれがない。多層回路基板１０
は、１または複数の半導体チップやその他の電子部品を
搭載する回路基板として好適に用いることができる。単
位基板１２の積層数には特に限定はない。
樹脂を用いれば、製造時の加熱処理等において、熱硬化
性樹脂のように原料成分の揮発によりガスが発生するこ
とがなく、これにより体積が減少したり、空隙が生じた
りすることがなく、抵抗値が増大することもないので信
頼性の高い多層回路基板１０を提供できる。また特に、
樹脂フィルム（熱硬化性樹脂フィルム）１４、接着剤層
（熱可塑性樹脂層）１６、ビアホール１８内の導電性熱
可塑性樹脂にすべてポリイミド樹脂を用いることによ
り、熱膨張係数がほぼ一致するので、製造時あるいは使
用時に種々の熱サイクルが加わっても熱膨張、熱収縮が
マッチングし、熱変形に対して３者が追随し、ビア２０
に亀裂が入ったりするおそれがない。多層回路基板１０
は、１または複数の半導体チップやその他の電子部品を
搭載する回路基板として好適に用いることができる。単
位基板１２の積層数には特に限定はない。
【００１４】図４は多層回路基板１０のさらに他の実施
の形態を示す。上記各実施例と同一の部材には同一符号
を付して説明を省略する。本実施の形態では、最下層の
単位基板１２のビアホールには導電性熱可塑性樹脂を充
填せず、単に端子ホール１８ａに形成している。このま
ま多層回路基板１０として流通する。あるいは端子ホー
ル１８ａにあらかじめはんだボール等のバンプ２３を形
成して多層回路基板１０として流通させることもでき
る。
の形態を示す。上記各実施例と同一の部材には同一符号
を付して説明を省略する。本実施の形態では、最下層の
単位基板１２のビアホールには導電性熱可塑性樹脂を充
填せず、単に端子ホール１８ａに形成している。このま
ま多層回路基板１０として流通する。あるいは端子ホー
ル１８ａにあらかじめはんだボール等のバンプ２３を形
成して多層回路基板１０として流通させることもでき
る。
【００１５】図５に多層回路基板１０の製造工程の一例
を示す。１２は図２に示す回路基板からなる単位基板で
あり、前記と同様にして形成する。まず、銅箔等の金属
層と接着剤層１６の形成された樹脂フィルム１４を用意
する。次に、樹脂フィルム１４、接着剤層１６にビアホ
ール１８をエキシマレーザーによりあるいはエッチング
加工して形成し、また、金属層をエッチング加工して配
線パターン２２を形成する際に、同時にビアホールより
も小径の小孔２４を形成し、スクリーン印刷等によりビ
アホール１８内に導電材料を充填して形成する。
を示す。１２は図２に示す回路基板からなる単位基板で
あり、前記と同様にして形成する。まず、銅箔等の金属
層と接着剤層１６の形成された樹脂フィルム１４を用意
する。次に、樹脂フィルム１４、接着剤層１６にビアホ
ール１８をエキシマレーザーによりあるいはエッチング
加工して形成し、また、金属層をエッチング加工して配
線パターン２２を形成する際に、同時にビアホールより
も小径の小孔２４を形成し、スクリーン印刷等によりビ
アホール１８内に導電材料を充填して形成する。
【００１６】ペースト状の導電材料を固化するには適宜
加熱処理して（例えば、溶剤がN-N-ジメチルアセトアミ
ド（沸点１６６℃）の場合では１５０℃で１時間加熱
し、さらに１８０℃で０．５時間加熱して乾燥させる）
溶媒を飛散させて熱可塑性樹脂ペーストを固化させ、ビ
ア２０に形成する。すなわち、溶剤の沸点よりも低い温
度で緩やかに乾燥し、その後、溶剤を完全に飛散させる
ために沸点よりも少し高い温度で乾燥させる。この際、
熱可塑性樹脂ペーストは溶媒の飛散量を見越して所要量
あらかじめ充填しておくことによりビアホール１８内に
隙間なくビア２０を形成することができる。導電材料に
金属粒子入りの熱可塑性樹脂を用いるようにすれば、熱
硬化性樹脂ペーストを熱硬化させる場合のようにガスが
発生することはなく、これによる体積減少もない。余分
な量の熱可塑性樹脂は固化後必要に応じて研摩して除去
すればよい。 なお、最下層の単位基板１２のビアホー
ル内には導電材料を充填せず、単に端子ホール１８ａと
している。また接着剤層も設けていない。
加熱処理して（例えば、溶剤がN-N-ジメチルアセトアミ
ド（沸点１６６℃）の場合では１５０℃で１時間加熱
し、さらに１８０℃で０．５時間加熱して乾燥させる）
溶媒を飛散させて熱可塑性樹脂ペーストを固化させ、ビ
ア２０に形成する。すなわち、溶剤の沸点よりも低い温
度で緩やかに乾燥し、その後、溶剤を完全に飛散させる
ために沸点よりも少し高い温度で乾燥させる。この際、
熱可塑性樹脂ペーストは溶媒の飛散量を見越して所要量
あらかじめ充填しておくことによりビアホール１８内に
隙間なくビア２０を形成することができる。導電材料に
金属粒子入りの熱可塑性樹脂を用いるようにすれば、熱
硬化性樹脂ペーストを熱硬化させる場合のようにガスが
発生することはなく、これによる体積減少もない。余分
な量の熱可塑性樹脂は固化後必要に応じて研摩して除去
すればよい。 なお、最下層の単位基板１２のビアホー
ル内には導電材料を充填せず、単に端子ホール１８ａと
している。また接着剤層も設けていない。
【００１７】次に適宜数の単位基板１２を位置あわせし
て積層し、加熱、加圧（加熱、加圧条件は２５０℃前後
で１０〜３０Kg/cm2）する。これにより接着剤層（熱可
塑性樹脂層）１６は軟化し、接着性を有するようにな
り、複数の単位基板１２が固着され、図４に示す多層回
路基板１０を製造することができる。その際、ビア２０
自体も熱可塑性樹脂からなるので軟化して接着性を示
し、かつ図５と図４の比較から明らかなようにビア２０
は圧縮されるので、配線パターン２２と良好に密着し、
かつ一体化される。
て積層し、加熱、加圧（加熱、加圧条件は２５０℃前後
で１０〜３０Kg/cm2）する。これにより接着剤層（熱可
塑性樹脂層）１６は軟化し、接着性を有するようにな
り、複数の単位基板１２が固着され、図４に示す多層回
路基板１０を製造することができる。その際、ビア２０
自体も熱可塑性樹脂からなるので軟化して接着性を示
し、かつ図５と図４の比較から明らかなようにビア２０
は圧縮されるので、配線パターン２２と良好に密着し、
かつ一体化される。
【００１８】以上本発明につき好適な実施例を挙げて種
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
々説明したが、本発明はこの実施例に限定されるもので
はなく、発明の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を
施し得るのはもちろんである。
【００１９】
【発明の効果】本発明に係る回路基板および多層回路基
板によれば、ビアホールが盲孔にならないため、導電材
料を充填する際、エアが残ることがなく信頼性を向上で
きると共に、滲みもなくすことができ、さらに配線パタ
ーンの部位はビアホールよりも径の小さい小孔が存在す
るだけであるから、ビアホール上にビアホールとほぼ同
一径のパッドを作ることができ配線密度を高くすること
ができる。また、特に導電材料に、金属粒子入りの導電
性熱可塑性樹脂を用いることにより、製造時の加熱処理
等において、熱硬化性樹脂のように原料成分の揮発によ
りガスが発生することがなく、これにより体積が減少し
たり、空隙が生じたりすることがなく、抵抗値が増大す
ることもないので信頼性の高い回路基板を提供できる。
また特に、熱硬化性樹脂フィルム、熱可塑性樹脂層、ビ
アホール内の導電性熱可塑性樹脂にすべてポリイミド樹
脂を用いることにより、熱膨張係数がほぼ一致するの
で、製造時あるいは使用時に種々の熱サイクルが加わっ
ても熱膨張、熱収縮がマッチングし、熱変形に対して３
者が追随し、ビアに亀裂が入ったりするおそれがない。
板によれば、ビアホールが盲孔にならないため、導電材
料を充填する際、エアが残ることがなく信頼性を向上で
きると共に、滲みもなくすことができ、さらに配線パタ
ーンの部位はビアホールよりも径の小さい小孔が存在す
るだけであるから、ビアホール上にビアホールとほぼ同
一径のパッドを作ることができ配線密度を高くすること
ができる。また、特に導電材料に、金属粒子入りの導電
性熱可塑性樹脂を用いることにより、製造時の加熱処理
等において、熱硬化性樹脂のように原料成分の揮発によ
りガスが発生することがなく、これにより体積が減少し
たり、空隙が生じたりすることがなく、抵抗値が増大す
ることもないので信頼性の高い回路基板を提供できる。
また特に、熱硬化性樹脂フィルム、熱可塑性樹脂層、ビ
アホール内の導電性熱可塑性樹脂にすべてポリイミド樹
脂を用いることにより、熱膨張係数がほぼ一致するの
で、製造時あるいは使用時に種々の熱サイクルが加わっ
ても熱膨張、熱収縮がマッチングし、熱変形に対して３
者が追随し、ビアに亀裂が入ったりするおそれがない。
【図１】回路基板の一例を示す断面図である。
【図２】回路基板の他の実施例を示す断面図である。
【図３】多層回路基板の一例を示す断面図である。
【図４】多層回路基板の他の例を示す断面図である。
【図５】製造工程を示す断面図である。
【図６】従来のビアホールの形成例を示す断面図であ
る。
る。
【図７】従来のビアホールの他の形成例を示す断面図で
ある。
ある。
１０ 回路基板、多層回路基板 １２ 単位基板 １４ 樹脂フィルム（熱硬化性樹脂フィルム） １６ 接着剤層（熱可塑性樹脂層） １８ ビアホール ２０ ビア ２２ 配線パターン ２４ 小孔
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁体層にビアホールが形成され、該ビ
アホール内に導電材料が充填され、該導電材料と電気的
に接続されて絶縁体層表面に配線パターンが形成された
回路基板において、 前記ビアホールに対応する前記配線パターンの部位にビ
アホールに連通してビアホールの径よりも小径の小孔が
形成されていることを特徴とする回路基板。 - 【請求項２】 前記小孔が形成された配線パターンの部
位が前記ビア径とほぼ同じ径のパッド部に形成されてい
ることを特徴とする請求項１記載の回路基板。 - 【請求項３】 前記絶縁体層の前記配線パターンが形成
された面と反対側の面に接着剤層が形成されていること
を特徴とする請求項１または２記載の回路基板。 - 【請求項４】 前記絶縁体層が熱硬化性樹脂フィルムか
らなり、前記接着剤層が熱可塑性樹脂層からなり、前記
ビアホールに充填される導電材料が金属粒子を含有する
熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求項３記載の
回路基板。 - 【請求項５】 前記熱硬化性樹脂フィルムが熱硬化性ポ
リイミドフィルムであり、前記熱可塑性樹脂層が熱可塑
性ポリイミド層であり、前記ビアホールに充填される導
電材料が、金属粒子を含有した熱可塑性ポリイミド樹脂
であることを特徴とする請求項４記載の回路基板。 - 【請求項６】 請求項１、２、３、４または５記載の回
路基板が複数枚積層されて形成されていることを特徴と
する多層回路基板。 - 【請求項７】 最下層の回路基板の絶縁体層のビアホー
ルは導電材料が充填されていない端子ホールに形成され
ていることを特徴とする請求項６記載の多層回路基板。 - 【請求項８】 前記端子ホールに外部接続用のバンプが
形成されていることを特徴とする請求項７記載の多層回
路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23226995A JPH0982835A (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 回路基板および多層回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23226995A JPH0982835A (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 回路基板および多層回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982835A true JPH0982835A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16936604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23226995A Pending JPH0982835A (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 回路基板および多層回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0982835A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001185653A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-07-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び基板の製造方法 |
| EP1484952A1 (en) * | 2002-02-22 | 2004-12-08 | Fujikura Ltd. | Multilayer wiring board, base for multilayer wiring board, printed wiring board, and its manufacturing method |
| KR100751470B1 (ko) * | 2003-02-13 | 2007-08-23 | 가부시키가이샤후지쿠라 | 다층 기판 및 그 제조 방법 |
| JP2008235368A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2020013980A (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | プリント回路基板 |
-
1995
- 1995-09-11 JP JP23226995A patent/JPH0982835A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001185653A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-07-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及び基板の製造方法 |
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| EP1484952A4 (en) * | 2002-02-22 | 2008-04-23 | Fujikura Ltd | MULTILAYER CONDUCTOR PLATE, BASE FOR A MULTIPLE PCB, PRINTED PCB AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| KR100751470B1 (ko) * | 2003-02-13 | 2007-08-23 | 가부시키가이샤후지쿠라 | 다층 기판 및 그 제조 방법 |
| US7421779B2 (en) | 2003-02-13 | 2008-09-09 | Fujikura Ltd. | Multilayer board manufacturing method |
| US8726495B2 (en) | 2003-02-13 | 2014-05-20 | Fujikura Ltd. | Multi-layer board manufacturing method thereof |
| JP2008235368A (ja) * | 2007-03-16 | 2008-10-02 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| US7872360B2 (en) | 2007-03-16 | 2011-01-18 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2020013980A (ja) * | 2018-07-13 | 2020-01-23 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | プリント回路基板 |
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