JPH0982690A - Plasma etching method - Google Patents
Plasma etching methodInfo
- Publication number
- JPH0982690A JPH0982690A JP7241267A JP24126795A JPH0982690A JP H0982690 A JPH0982690 A JP H0982690A JP 7241267 A JP7241267 A JP 7241267A JP 24126795 A JP24126795 A JP 24126795A JP H0982690 A JPH0982690 A JP H0982690A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- plasma
- gas
- substrate
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はプラズマエッチング方法
に係り、特に、シリコン，多結晶シリコンまたはシリサ
イドのエッチングに好適なプラズマエッチング方法に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma etching method, and more particularly to a plasma etching method suitable for etching silicon, polycrystalline silicon or silicide.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、平塚豊著，「ドライプロセス装置
のチャンバクリーニング」，洗浄設計１９９２．Ｓｕｍ
ｍｅｒ，Ｐ４１−５３に記載のように、エッチング等の
プラズマプロセスでは、ウエハの粒子汚染を防止するた
めにクリーニングを行い、クリーニング後の処理室内の
残留物をなくすためにポストクリーニングを行ってい
る。ＳＦ6，ＮＦ3ガスをクリーニングに用いた場合には
Ｎ2，Ａｒ，Ｈ2，Ｏ2ガスプラズマがポストクリーニン
グに用いられている。2. Description of the Related Art Yutaka Hiratsuka, “Chamber Cleaning of Dry Process Equipment”, Cleaning Design 1992. Sum
As described in Mer., P41-53, in a plasma process such as etching, cleaning is performed to prevent particle contamination of a wafer, and post cleaning is performed to remove a residue in a processing chamber after cleaning. When SF 6 and NF 3 gases are used for cleaning, N 2 , Ar, H 2 and O 2 gas plasmas are used for post cleaning.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】従来のエッチング方法
では、クリーニング後の処理室内の残留物のエッチング
特性に及ぼす影響について考慮されておらず、クリーニ
ング後処理枚数とともにシリコン及び下地膜の酸化膜の
エッチング速度が減少し、下地酸化膜の残膜が変動する
という問題点があった。In the conventional etching method, the influence of the residue in the processing chamber after cleaning on the etching characteristics is not taken into consideration. There is a problem that the speed decreases and the residual film of the underlying oxide film fluctuates.
【０００４】本発明の目的は、クリーニング後のシリコ
ン及び酸化膜のエッチング速度の減少を抑制し下地酸化
膜の残膜の変動を防止し良好なウエハ間の均一性が得ら
れるエッチング方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide an etching method capable of suppressing a decrease in etching rate of silicon and an oxide film after cleaning, preventing fluctuation of a residual film of an underlying oxide film, and obtaining good uniformity between wafers. Especially.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的は、クリーニン
グ後にエッチングガスであるＣｌ2あるいはＣｌ2とＯ2
の混合ガスプラズマによりダミーのシリコン基板を用い
て馴らし放電（シーズニング）を行い、次に、馴らし放
電後にシリコン表面に酸化膜を形成したダミーのシリコ
ン基板或いは石英基板を用いてＣｌ2ガスプラズマ処理
（Ｃｌ2放電）を行ない、その後に所定のエッチング処
理を行なうようにすることにより、達成される。SUMMARY OF THE INVENTION The above object is to provide an etching gas such as Cl 2 or Cl 2 and O 2 after cleaning.
Acclimatization discharge (seasoning) using a dummy silicon substrate with the mixed gas plasma of, and then Cl 2 gas plasma treatment (dummy silicon substrate or quartz substrate with an oxide film formed on the silicon surface after the acclimatization discharge) It is achieved by performing Cl 2 discharge) and then performing a predetermined etching treatment.
【０００６】[0006]
【作用】まず、クリーニング後にエッチングガスである
Ｃｌ2あるいはＣｌ2とＯ2の混合ガスプラズマによって
馴らし放電（シーズニング）を行なうことにより、クリ
ーニング後の処理室内の残留フッ素の影響を減少させる
ことができ、次に馴らし放電後にＣｌ2ガスプラズマに
よってＣｌ2プラズマ処理を行なうことによって、馴ら
し放電後の処理室内のシリコンの反応生成物の影響を減
少させることができ、クリーニング後のシリコン及び酸
化膜のエッチング速度の減少を抑制し下地酸化膜の残膜
の変動を防止して良好なウエハ間の均一性を得られる。First, after cleaning, the influence of residual fluorine in the processing chamber after cleaning can be reduced by acclimatizing and discharging (seasoning) with Cl 2 or a mixed gas plasma of Cl 2 and O 2 which is an etching gas. By performing Cl 2 plasma treatment with Cl 2 gas plasma after acclimation discharge, the influence of reaction products of silicon in the treatment chamber after acclimation discharge can be reduced, and etching of silicon and oxide film after cleaning can be performed. It is possible to obtain a good wafer-to-wafer uniformity by suppressing the decrease in the speed and preventing the fluctuation of the residual film of the underlying oxide film.
【０００７】[0007]
【実施例】まず、図４に、ＳＦ6ガスプラズマでクリー
ニングを行った後、Ｃｌ2ガスプラズマでシリコンをエ
ッチングした場合におけるＳｉＦ（波長４４１ｎｍ）の
発光スペクトルの処理枚数による変化を示す。シリコン
とフッ素の反応によって生成するＳｉＦの発光スペクト
ルの強度は処理枚数とともに減少しほぼ一定となる。こ
のことからフッ素を含むガスによるクリーニング後、処
理室内にはフッ素が残留していることが分かった。図
５、図６に、Ｃｌ2ガスにＳＦ6ガスを添加した場合のＳ
ｉＦの発光スペクトルとシリコン及び酸化膜のエッチン
グ速度の変化を示す。図５、図６に示すようにＳＦ6の
添加量の増加とともにＳｉＦ（波長４４１ｎｍ）の発光
スペクトルの強度は増加する。ＳＦ6の添加量の増加と
ともにシリコン及び酸化膜のエッチング速度は増加す
る。このことから残留フッ素によりシリコン及び酸化膜
のエッチング速度は変動し、残留フッ素の減少とともに
シリコン及び酸化膜のエッチング速度が低下することを
見出した。EXAMPLE First, FIG. 4 shows the change in the emission spectrum of SiF (wavelength 441 nm) depending on the number of processed wafers when cleaning was performed with SF 6 gas plasma and then silicon was etched with Cl 2 gas plasma. The intensity of the emission spectrum of SiF produced by the reaction of silicon and fluorine decreases with the number of processed wafers and becomes almost constant. From this, it was found that after cleaning with a gas containing fluorine, fluorine remained in the processing chamber. 5 and 6 show S when SF 6 gas was added to Cl 2 gas.
3 shows changes in the emission spectrum of iF and the etching rates of silicon and an oxide film. As shown in FIGS. 5 and 6, the intensity of the emission spectrum of SiF (wavelength 441 nm) increases as the amount of SF 6 added increases. The etching rate of silicon and oxide film increases as the amount of SF 6 added increases. From this, it was found that the etching rates of the silicon and the oxide film fluctuate due to the residual fluorine, and the etching rates of the silicon and the oxide film decrease as the residual fluorine decreases.
【０００８】前述のＣｌ2ガスプラズマによるシリコン
のエッチングは、クリーニング後の馴らし放電、すなわ
ち、シーズニングに相当する。シーズニング後の処理室
内にはシリコン系の反応生成物（ＳｉあるいはＳｉＣｌ
ｘ）が残留していることがＳｉの発光スペクトルからわ
かった。図７に、Ｃｌ2ガスにＳｉＣｌ4ガスを添加した
場合の酸化膜のエッチング速度の変化を示す。酸化膜の
エッチング速度はＳｉＣｌ4の添加量の増加とともに減
少する。このシリコン系の反応生成物のためにシーズニ
ング直後のシリコン酸化膜のエッチング速度が減少して
いることを見出した。The above-described etching of silicon by Cl 2 gas plasma corresponds to a conditioned discharge after cleaning, that is, seasoning. After the seasoning, the silicon-based reaction product (Si or SiCl
It was found from the emission spectrum of Si that x) remained. FIG. 7 shows a change in the etching rate of the oxide film when SiCl 4 gas is added to Cl 2 gas. The oxide film etching rate decreases as the amount of SiCl 4 added increases. It has been found that the etching rate of the silicon oxide film immediately after seasoning is reduced due to the silicon-based reaction product.
【０００９】上述のこれらにより、フッ素を含むプラズ
マによるクリーニング後にシーズニングを行い、クリー
ニング後の処理室内に残留するフッ素の除去を行うこと
により、シリコン及び酸化膜のエッチング速度の変動を
抑制でき、さらにシーズニング後にＣｌ2ガスを用いた
プラズマ処理、すなわち、Ｃｌ2放電を行い、シーズニ
ング後の処理室内に残留するシリコンの反応生成物の除
去を行うことにより、酸化膜のエッチング速度の変動を
抑制できることを見出した。[0009] With the above, by performing the seasoning after cleaning with the plasma containing fluorine and removing the fluorine remaining in the processing chamber after cleaning, fluctuations in the etching rate of the silicon and the oxide film can be suppressed, and the seasoning can be further suppressed. It was found that the fluctuation of the etching rate of the oxide film can be suppressed by performing plasma treatment using Cl 2 gas later, that is, performing Cl 2 discharge to remove the reaction product of silicon remaining in the treatment chamber after seasoning. It was
【００１０】以下、本発明の一実施例を図１ないし図３
により説明する。図３は、本発明の方法を実施するため
のプラズマ処理装置の一例であるマイクロ波プラズマエ
ッチング装置の概略を示した図である。マグネトロン１
から発振したマイクロ波は導波管２を伝播し石英製放電
管３を介して処理室４に導かれる。磁界発生用直流電源
５からソレノイドコイル６，７に供給される直流電流に
よって形成される磁界とマイクロ波電界によってエッチ
ングガス供給装置８から供給されるクリーニングガス
（ＳＦ6），シーズニングガス（Ｃｌ2ガス），Ｃｌ2放
電ガス（Ｃｌ2）及びエッチングガス（Ｃｌ2ガス）は、
それぞれのステップでプラズマ化される。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
This will be described below. FIG. 3 is a diagram schematically showing a microwave plasma etching apparatus which is an example of a plasma processing apparatus for carrying out the method of the present invention. Magnetron 1
The microwave oscillated from the microwave propagates through the waveguide 2 and is guided to the processing chamber 4 via the quartz discharge tube 3. A cleaning gas (SF 6 ), a seasoning gas (Cl 2 gas) supplied from the etching gas supply device 8 by a magnetic field and a microwave electric field formed by a direct current supplied from the DC power source 5 for generating a magnetic field to the solenoid coils 6, 7. ), Cl 2 discharge gas (Cl 2 ) and etching gas (Cl 2 gas) are
Plasma is formed in each step.
【００１１】まず、ＳＦ6ガスプラズマにより処理室４
のクリーニングが行われる。その後、シリコン基板を用
いてＣｌ2ガスプラズマにより処理室４のシーズニング
が行われる。さらにシリコン表面に酸化膜を形成したシ
リコン基板或いは石英基板を用いてＣｌ2放電が行われ
る。クリーニング、シーズニング、Ｃｌ2放電の後、Ｃ
ｌ2ガスにより載置電極９に載置されているウエハ１０
のエッチングが行われる。クリーニング、シーズニン
グ、Ｃｌ2放電及びエッチング時の圧力は真空排気装置
１１によって制御される。また、ウエハに入射するイオ
ンのエネルギは載置電極９に高周波電源１２から供給さ
れる高周波電力によって制御される。First, the processing chamber 4 is treated with SF 6 gas plasma.
Cleaning is performed. After that, the processing chamber 4 is seasoned with Cl 2 gas plasma using the silicon substrate. Further, Cl 2 discharge is performed using a silicon substrate or a quartz substrate having an oxide film formed on the silicon surface. After cleaning, seasoning and Cl 2 discharge, C
Wafer 10 mounted on mounting electrode 9 by l 2 gas
Etching is performed. The pressure during cleaning, seasoning, Cl 2 discharge and etching is controlled by the vacuum exhaust device 11. The energy of the ions incident on the wafer is controlled by the high frequency power supplied from the high frequency power supply 12 to the mounting electrode 9.
【００１２】図１、図２にシーズニングの無い場合とシ
ーズニングとＣｌ2放電を行った場合のシリコン及び酸
化膜のエッチング速度の変化の違いを示す。シーズニン
グはＣｌ2ガスプラズマにより行い、ＳｉＦの発光スペ
クトルを１０秒毎にモニタし時間ｔ(n)と時間ｔ(n-1)に
測定したスペクトルの発光強度比が１±０．００２にな
った時点でシーズニングを停止した。クリーニング後に
シーズニングを行うことによりクリーニング時に生成さ
れるフッ素の残留の影響を抑制しエッチング速度の変動
を防止できる。Ｃｌ2放電は高周波電力を印加せずＣｌ2
ガスプラズマによりシリコンの反応生成物の除去を行
う。Ｓｉの発光スペクトルを１０秒毎にモニタし時間ｔ
(n)と時間ｔ(n-1)に測定したスペクトルの発光強度比が
１±０．００２になった時点でＣｌ2放電を停止した。
シーズニング後にＣｌ2放電を行うことによりシーズニ
ング時に生成されるシリコンの反応生成物の残留の影響
を抑制し下地酸化膜のエッチング速度の変動を防止でき
る。FIGS. 1 and 2 show the difference in the change in the etching rate of silicon and oxide film when there is no seasoning and when seasoning and Cl 2 discharge are performed. The seasoning was performed by Cl 2 gas plasma, and the emission spectrum of SiF was monitored every 10 seconds, and the emission intensity ratio of the spectrum measured at time t (n) and time t (n-1) became 1 ± 0.002. Seasoning was stopped at that point. By performing the seasoning after the cleaning, it is possible to suppress the influence of the residual fluorine generated during the cleaning and prevent the fluctuation of the etching rate. Cl 2 discharges Cl 2 without applying a high-frequency power
The reaction product of silicon is removed by gas plasma. The emission spectrum of Si is monitored every 10 seconds and the time t
The Cl 2 discharge was stopped when the emission intensity ratio of the spectrum measured at (n) and time t (n−1) reached 1 ± 0.002.
By performing Cl 2 discharge after seasoning, it is possible to suppress the influence of residual reaction products of silicon generated during seasoning and prevent fluctuations in the etching rate of the underlying oxide film.
【００１３】本実施例によれば、クリーニング後の残留
フッ素の影響を抑制しシリコン及び酸化膜のエッチング
速度の変動を防止することができる。また、シーズニン
グ後のシリコンの反応生成物の影響を抑制し下地酸化膜
のエッチング速度の変動を防止することができる。According to this embodiment, it is possible to suppress the influence of residual fluorine after cleaning and prevent fluctuations in the etching rate of silicon and oxide films. Further, it is possible to suppress the influence of the reaction product of silicon after the seasoning and prevent the fluctuation of the etching rate of the underlying oxide film.
【００１４】本実施例ではマイクロ波プラズマエッチン
グ装置についてその効果を説明したが、他の放電方式例
えばプラズマエッチング（ＰＥ）、ヘリコン、ＴＣＰ
（Transformer Coupled Plasma)においても同様な効果
が得られる。Although the effect of the microwave plasma etching apparatus has been described in this embodiment, other discharge methods such as plasma etching (PE), helicon, TCP are used.
The same effect can be obtained in (Transformer Coupled Plasma).
【００１５】[0015]
【発明の効果】本発明によれば、クリーニング後の残留
フッ素及びシーズニング後のシリコンの反応生成物の影
響を抑制しシリコン及び酸化膜のエッチング速度の変動
を防止することができるという効果がある。According to the present invention, the effects of residual fluorine after cleaning and reaction products of silicon after seasoning can be suppressed and fluctuations in the etching rate of silicon and oxide films can be prevented.
【図１】本発明の一実施例におけるＳｉＯ2エッチング
速度の処理枚数依存性を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing the dependence of the SiO 2 etching rate on the number of processed wafers in an example of the present invention.
【図２】本発明の一実施例におけるＳｉエッチング速度
の処理枚数依存性を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing the dependency of the Si etching rate on the number of processed wafers in an example of the present invention.
【図３】本発明の方法を実施するための装置の一例を示
すマイクロ波プラズマエッチング装置の構成を示す図で
ある。FIG. 3 is a diagram showing the configuration of a microwave plasma etching apparatus showing an example of an apparatus for carrying out the method of the present invention.
【図４】ＳｉＦ発光強度の処理枚数依存性示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram showing the dependency of SiF emission intensity on the number of processed sheets.
【図５】ＳｉＦ発光強度のＳＦ6添加量依存性を示す図
である。FIG. 5 is a diagram showing dependency of SiF emission intensity on SF 6 addition amount.
【図６】Ｓｉ及びＳｉＯ2エッチング速度のＳＦ6添加量
依存性を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing dependence of Si and SiO 2 etching rates on SF 6 addition amount.
【図７】ＳｉＯ2エッチング速度のＳｉＣｌ4添加量依存
性を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing the dependency of SiO 2 etching rate on the amount of SiCl 4 added.
３…石英製放電管、６，７…ソレノイドコイル、８…エ
ッチングガス供給装置、１０…ウエハ。3 ... Quartz discharge tube, 6, 7 ... Solenoid coil, 8 ... Etching gas supply device, 10 ... Wafer.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山崎 一男 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kazuo Yamazaki 5-20-1, Kamisuihonmachi, Kodaira-shi, Tokyo Hitachi, Ltd. Semiconductor Division
Claims (9)
ングを行い、クリーニング後、塩素ガス（Ｃｌ2）の単
独ガスあるいは塩素ガス（Ｃｌ2）と酸素ガス（Ｏ2）の
混合ガスをエッチングガスとして用い、ガス圧力２０ｍ
Ｔｏｒｒ以下でシリコン，多結晶シリコンまたはシリサ
イドのエッチングを行うエッチング装置において、クリ
ーニング後にシリコン（Ｓｉ）基板を用いてエッチング
ガスのプラズマで馴らし放電を行い、さらにＳｉ基板上
に酸化膜（ＳｉＯ2）を形成した基板を用いてＣｌ2プラ
ズマによる処理を行った後エッチングを開始することを
特徴とするプラズマエッチング方法。1. A Clean the gas plasma containing fluorine, used after the cleaning, a mixed gas of chlorine gas alone gas or chlorine gas (Cl 2) (Cl 2) and oxygen gas (O 2) as etching gas, Gas pressure 20m
In an etching device for etching silicon, polycrystalline silicon, or silicide below Torr, after cleaning, a silicon (Si) substrate is used to acclimate and discharge by plasma of an etching gas, and an oxide film (SiO 2 ) is further formed on the Si substrate. A plasma etching method, characterized in that etching is started after performing treatment with Cl 2 plasma using the formed substrate.
おいて、前記フッ素を含むガスプラズマによるクリーニ
ング，馴らし放電およびＣｌ2プラズマ処理を行った後
エッチングを開始する前に前記被処理基板と同一のパタ
ーンを形成したシリコン基板および酸化膜基板を１枚づ
つダミーエッチングするプラズマエッチング方法。2. The plasma etching method according to claim 1, wherein after the cleaning with the gas plasma containing fluorine, the acclimation discharge and the Cl 2 plasma treatment are performed, the same pattern as that of the substrate to be treated is formed before the etching is started. A plasma etching method in which the formed silicon substrate and oxide film substrate are dummy-etched one by one.
て、前記シリコン基板の処理時間をエッチング処理を行
う前記被処理基板のジャストエッチング時間とし、酸化
膜基板の処理時間をエッチング処理を行う前記被処理基
板のオーバーエッチング時間とするプラズマエッチング
方法。3. The dummy etching according to claim 2, wherein the processing time of the silicon substrate is a just etching time of the substrate to be subjected to etching processing, and the processing time of the oxide film substrate is to be subjected to etching processing. Plasma etching method with overetching time.
フッ化硫黄（ＳＦ6），三フッ化窒素（ＮＦ3），二フッ
化キセノン（ＸｅＦ2），フッ素（Ｆ2），三フッ化塩素
（ＣｌＦ3）の単独ガスあるいは混合ガスであるプラズ
マエッチング方法。4. The gas containing fluorine according to claim 1 is sulfur hexafluoride (SF 6 ), nitrogen trifluoride (NF 3 ), xenon difluoride (XeF 2 ), fluorine (F 2 ), trifluoride. A plasma etching method using chlorine fluoride (ClF 3 ) as a single gas or a mixed gas.
ＳｉＦの発光スペクトルをモニターし、該発光スペクト
ルの強度の時間変化が一定値以下になった時点で、馴ら
し放電を終了しエッチングを開始するプラズマエッチン
グ方法。5. The conditioned discharge according to claim 1, wherein
A plasma etching method in which the emission spectrum of SiF is monitored, and when the time change of the intensity of the emission spectrum becomes a certain value or less, the acclimation discharge is terminated and etching is started.
Ｓｉ表面に酸化膜（ＳｉＯ2）を形成した基板或いは石
英基板を用い、プロセスガスとしてＣｌ2とＳｉＣｌ4の
混合ガスを使用するプラズマエッチング方法。6. The conditioned discharge according to claim 1, wherein
A plasma etching method using a substrate having an oxide film (SiO 2 ) formed on the Si surface or a quartz substrate and using a mixed gas of Cl 2 and SiCl 4 as a process gas.
おいて、Ｓｉの発光スペクトルをモニターし、該発光ス
ペクトルの強度の時間変化が一定値以下になった時点
で、Ｃｌ2プラズマ処理を終了しエッチングを開始する
プラズマエッチング方法。7. The Cl 2 plasma treatment according to claim 1, wherein the emission spectrum of Si is monitored, and when the time change of the intensity of the emission spectrum is below a certain value, the Cl 2 plasma treatment is terminated. A plasma etching method for starting etching.
おいて、石英基板を用いるプラズマエッチング方法。8. A plasma etching method using a quartz substrate in the Cl 2 plasma treatment according to claim 1.
おいて、エッチング開始時の放電管の温度あるいは処理
室の温度を１００℃以上とするプラズマエッチング方
法。9. The plasma etching method according to claim 1, wherein the temperature of the discharge tube or the temperature of the processing chamber at the start of etching is 100 ° C. or higher.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24126795A JP3158993B2 (en) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | Plasma etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24126795A JP3158993B2 (en) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | Plasma etching method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982690A true JPH0982690A (en) | 1997-03-28 |
| JP3158993B2 JP3158993B2 (en) | 2001-04-23 |
Family
ID=17071719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24126795A Expired - Fee Related JP3158993B2 (en) | 1995-09-20 | 1995-09-20 | Plasma etching method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3158993B2 (en) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267121B1 (en) * | 1999-02-11 | 2001-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Process to season and determine condition of a high density plasma etcher |
| JP2002016042A (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching method and semiconductor device manufactured using the same |
| KR100415441B1 (en) * | 2002-04-24 | 2004-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | Deposition method of insulating material in the semiconductor device process |
| US6790374B1 (en) * | 1999-11-18 | 2004-09-14 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Plasma etch method for forming plasma etched silicon layer |
| US6899785B2 (en) | 2001-11-05 | 2005-05-31 | International Business Machines Corporation | Method of stabilizing oxide etch and chamber performance using seasoning |
| JP2007158230A (en) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Nec Electronics Corp | Cleaning method for plasma etching equipment and plasma etching equipment |
| JP2015088696A (en) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing method |
-
1995
- 1995-09-20 JP JP24126795A patent/JP3158993B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6267121B1 (en) * | 1999-02-11 | 2001-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Process to season and determine condition of a high density plasma etcher |
| US6790374B1 (en) * | 1999-11-18 | 2004-09-14 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Plasma etch method for forming plasma etched silicon layer |
| JP2002016042A (en) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma etching method and semiconductor device manufactured using the same |
| JP4551991B2 (en) * | 2000-06-27 | 2010-09-29 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Plasma etching method and semiconductor device manufactured using the same |
| US6899785B2 (en) | 2001-11-05 | 2005-05-31 | International Business Machines Corporation | Method of stabilizing oxide etch and chamber performance using seasoning |
| KR100415441B1 (en) * | 2002-04-24 | 2004-01-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | Deposition method of insulating material in the semiconductor device process |
| JP2007158230A (en) * | 2005-12-08 | 2007-06-21 | Nec Electronics Corp | Cleaning method for plasma etching equipment and plasma etching equipment |
| JP2015088696A (en) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | Plasma processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3158993B2 (en) | 2001-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI612578B (en) | Removal of polysilicon and native oxide with high selectivity | |
| US5382316A (en) | Process for simultaneous removal of photoresist and polysilicon/polycide etch residues from an integrated circuit structure | |
| US5681424A (en) | Plasma processing method | |
| US6902629B2 (en) | Method for cleaning a process chamber | |
| JPH05267256A (en) | Method of cleaning reaction chamber | |
| JPH0831451B2 (en) | Cleaning method for plasma reactor | |
| WO2002091453A1 (en) | High pressure wafer-less auto clean for etch applications | |
| JPH07153746A (en) | Dry etching chamber cleaning method | |
| JP3158993B2 (en) | Plasma etching method | |
| JP3559691B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JP3169759B2 (en) | Plasma etching method | |
| JPH07263408A (en) | Plasma etching method | |
| JPH0845903A (en) | Plasma etching method | |
| JP3067576B2 (en) | Plasma etching method | |
| JPS5839377B2 (en) | Silicon wafer processing method | |
| JP3612526B2 (en) | Seasoning method for plasma processing apparatus | |
| JP7485870B2 (en) | Three-phase pulsing system and method for plasma processing - Patents.com | |
| JP2948053B2 (en) | Plasma processing method | |
| JPH0817807A (en) | Plasma treatment method | |
| JPH09172004A (en) | Etching method | |
| JP2650626B2 (en) | Plasma processing method | |
| US20240145230A1 (en) | Semiconductor cleaning using plasma-free precursors | |
| JP2004273991A (en) | Semiconductor manufacturing method | |
| WO2022013938A1 (en) | Plasma treatment method | |
| JPH10147877A (en) | Gas cleaning method |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |