JPH0980401A - Liquid crystal display device and its production - Google Patents
Liquid crystal display device and its productionInfo
- Publication number
- JPH0980401A JPH0980401A JP7237490A JP23749095A JPH0980401A JP H0980401 A JPH0980401 A JP H0980401A JP 7237490 A JP7237490 A JP 7237490A JP 23749095 A JP23749095 A JP 23749095A JP H0980401 A JPH0980401 A JP H0980401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- film
- display device
- ultraviolet light
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はポリマーマトリクス
に液晶分散させた液晶マイクロカプセル層を光バルブと
して用いた液晶表示装置に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a liquid crystal display device using a liquid crystal microcapsule layer in which a liquid crystal is dispersed in a polymer matrix as a light valve.
【０００２】[0002]
【従来の技術】表示装置は、パソコン・ワープロ・ＥＷ
ＳなどのＯＡ用表示装置、電卓・電子ブック・電子手帳
・ＰＤＡ用の表示装置、携帯テレビ・携帯電話・携帯Ｆ
ＡＸなどの表示装置など多方面で用いられている。この
ような表示装置は、例えばバッテリー駆動する等の必要
から消費電力の小さな表示装置が求められており、液晶
表示装置は低消費電力であることから広く実用化されて
いる。とりわけ携帯用情報機器の表示装置としては、バ
ックライトのいらない反射型液晶表示装置が適してい
る。2. Description of the Related Art Display devices are personal computers, word processors, and EWs.
OA display devices such as S, calculators, electronic books, electronic notebooks, PDA display devices, mobile TVs, mobile phones, mobile phones F
It is used in various fields such as display devices such as AX. For such a display device, a display device with low power consumption is required because it needs to be driven by a battery, for example, and a liquid crystal display device has been widely put into practical use because of low power consumption. In particular, a reflective liquid crystal display device that does not require a backlight is suitable as a display device for portable information equipment.
【０００３】しかしながら従来の反射型液晶表示装置
は、反射率、コントラスト比を高くしようとすると消費
電力も高くなり、明るいペーパーホワイトな表示はでき
ず、また鮮やかなカラー表示もできなかった。However, in the conventional reflection type liquid crystal display device, if the reflectance and the contrast ratio are increased, the power consumption also increases, and bright paper white display cannot be performed and vivid color display cannot be performed.
【０００４】液晶マイクロカプセル層とは、高分子膜で
あるマイクロカプセル内に液晶が分散されたものであ
る。液晶マイクロカプセル層はこの液晶マイクロカプセ
ルを層状に形成したものである。The liquid crystal microcapsule layer is a polymer film in which liquid crystals are dispersed in microcapsules. The liquid crystal microcapsule layer is formed by layering the liquid crystal microcapsules.
【０００５】図１３はこのような液晶マイクロカプセル
を採用した従来の反射型液晶表示装置の構造の１例を示
す斜視図であり、１画素部分を取り出して示している。FIG. 13 is a perspective view showing an example of the structure of a conventional reflection type liquid crystal display device which employs such a liquid crystal microcapsule, and shows one pixel portion.
【０００６】一画素内にはカラー表示を可能にするため
の、例えばシアン、マゼンタ、イエロー色素を含有する
三層の液晶マイクロカプセル１３０１に対応して、３個
のＴＦＴ１３０２と、１本の走査線１３０３と、３本の
信号線１３０４とが形成されている。各信号線１３０４
に送られた信号は、ＴＦＴ１３０１、導体柱１３０５を
経て反射画素電極１３０６や透明画素電極１３０７に伝
えられ、光バルブである各液晶マイクロカプセル１３０
１に電圧を印加する。In order to enable color display within one pixel, for example, three TFTs 1302 and one scanning line are provided corresponding to a three-layer liquid crystal microcapsule 1301 containing cyan, magenta and yellow dyes. 1303 and three signal lines 1304 are formed. Each signal line 1304
The signal sent to the liquid crystal microcapsule 130, which is a light valve, is transmitted to the reflective pixel electrode 1306 and the transparent pixel electrode 1307 via the TFT 1301 and the conductor column 1305.
A voltage is applied to 1.
【０００７】このような液晶表示装置を製造する際に、
ＩＴＯ等の透明画素電極を成膜する手法としてはスパッ
タ法がよく知られている。しかし、例えば図１３に例示
した液晶表示装置を実際に製造しようとすると、真空中
での液晶マイクロカプセルから残留溶剤等の脱ガスによ
り、ＩＴＯ膜の光透過率の低下、白濁、密着性の低下等
の膜質の劣化するという問題がある。When manufacturing such a liquid crystal display device,
A sputtering method is well known as a method for forming a transparent pixel electrode such as ITO. However, for example, when actually manufacturing the liquid crystal display device illustrated in FIG. 13, degassing of the residual solvent and the like from the liquid crystal microcapsules in a vacuum causes a decrease in light transmittance of the ITO film, cloudiness, and a decrease in adhesion. There is a problem that the quality of the film deteriorates.
【０００８】また、スパッタ時や露光時などに紫外線お
よびプラズマからのダメージにより液晶マイクロカプセ
ル中の液晶分子或いは色素の特性が劣化してしまうとい
う問題がある。 また、ＩＴＯ膜は光透過率の低下を抑
えるため膜厚が薄くなっているため、画素電極形成の際
のマスク露光時の紫外線により液晶マイクロカプセルの
特性が劣化するという問題がある。Further, there is a problem that the characteristics of liquid crystal molecules or dyes in the liquid crystal microcapsules are deteriorated due to damage from ultraviolet rays and plasma during sputtering or exposure. Further, since the ITO film is thin in order to suppress the decrease of the light transmittance, there is a problem that the characteristics of the liquid crystal microcapsule are deteriorated by the ultraviolet light at the time of mask exposure at the time of forming the pixel electrode.
【０００９】さらに、ＩＴＯ加工時は酸性溶液等の薬液
を用いるか若しくはプラズマエッチングを行うため、こ
こでも液晶マイクロカプセルの特性が劣化するという問
題がある。Furthermore, since a chemical solution such as an acidic solution is used or plasma etching is performed during the processing of ITO, there is a problem that the characteristics of the liquid crystal microcapsules are deteriorated here as well.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題を解決するためになされたものである。すなわち特性
の優れた透明画素電極、液晶マイクロカプセル層を有す
る液晶表示装置を提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem. That is, an object is to provide a liquid crystal display device having a transparent pixel electrode and a liquid crystal microcapsule layer having excellent characteristics.
【００１１】本発明は特性の優れた透明画素電極、液晶
マイクロカプセル層を有する液晶表示装置の製造方法を
提供することを目的とする。An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a liquid crystal display device having a transparent pixel electrode and a liquid crystal microcapsule layer having excellent characteristics.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置
は、絶縁基板上に薄膜トランジスタと、信号線と、走査
線とが形成されたアレイ基板と、このアレイ基板上に形
成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、対応する前記
薄膜トランジスタのソース電極或いはドレイン電極の一
方と電気的に接続された所定形状の第１の画素電極と、
第１の画素電極の上側から前記絶縁膜上に形成された第
１の液晶マイクロカプセル層と、液晶マイクロカプセル
層上に形成された紫外線遮光膜と、紫外線遮光膜上に形
成され、対応する前記薄膜トランジスタのソース電極或
いはドレイン電極の他方と電気的に接続された所定形状
の第２の画素電極と、第２の画素電極の上側から前記紫
外線遮光膜上に形成された第２の液晶マイクロカプセル
層とを具備することを特徴とする。A liquid crystal display device according to the present invention comprises an array substrate having thin film transistors, signal lines and scanning lines formed on an insulating substrate, and an insulating film formed on the array substrate. A first pixel electrode having a predetermined shape, which is formed on the insulating film and electrically connected to one of a source electrode and a drain electrode of the corresponding thin film transistor,
A first liquid crystal microcapsule layer formed on the insulating film from the upper side of the first pixel electrode, an ultraviolet light shielding film formed on the liquid crystal microcapsule layer, and formed on the ultraviolet light shielding film. A second pixel electrode having a predetermined shape electrically connected to the other of the source electrode and the drain electrode of the thin film transistor, and a second liquid crystal microcapsule layer formed on the ultraviolet light shielding film from above the second pixel electrode. And is provided.
【００１３】すなわち本発明は、ポリマーマトリクス中
に液晶を分散させた液晶マイクロカプセル層とこの液晶
マイクロカプセル層に電圧を印加する画素電極の積層構
造を有する液晶表示装置であって、液晶マイクロカプセ
ル層上に形成された紫外線遮光性物質を含有した薄膜を
具備したことを特徴とする。That is, the present invention is a liquid crystal display device having a laminated structure of a liquid crystal microcapsule layer in which a liquid crystal is dispersed in a polymer matrix and a pixel electrode for applying a voltage to the liquid crystal microcapsule layer. It is characterized in that it comprises a thin film containing an ultraviolet light shielding material formed thereon.
【００１４】また本発明の液晶表示装置は、ポリマーマ
中に液晶を封入した液晶マイクロカプセルを層状に形成
した液晶マイクロカプセル層を光バルブに用いた液晶表
示装置であって、ポリマーマトリクスまたは前記液晶に
紫外線遮光性物質を含有した前記液晶マイクロカプセル
層を具備したことを特徴とする。Further, the liquid crystal display device of the present invention is a liquid crystal display device using a liquid crystal microcapsule layer in which a liquid crystal microcapsule in which a liquid crystal is encapsulated in a polymer is formed in a layer, in a polymer matrix or the liquid crystal. The liquid crystal microcapsule layer containing an ultraviolet light shielding material is provided.
【００１５】液晶マイクロカプセル層はＮＣＡＰ、ＰＤ
ＬＣ、ＬＣＰＣ、ＰＮＬＣなどの分散型液晶材料を用い
るようにしてもよい。またこれらの液晶マイクロカプセ
ル層は懸濁法で形成してもよいし、また溶媒相分離法、
熱相分離法、重合相分離法などの相分離法、乳化法、含
浸法などで形成するようにしてもよい。The liquid crystal microcapsule layer is NCAP, PD
Dispersion type liquid crystal materials such as LC, LCPC and PNLC may be used. Further, these liquid crystal microcapsule layers may be formed by a suspension method, a solvent phase separation method,
It may be formed by a phase separation method such as a thermal phase separation method or a polymerization phase separation method, an emulsification method, an impregnation method or the like.
【００１６】紫外線遮光膜、液晶マイクロカプセルを構
成するポリマーマトリクスまたは液晶が含有する紫外線
遮光性物質としてはベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベ
ンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、サリチル酸フェニル
系紫外線吸収剤、トリアジン系紫外線吸収剤、ニッケル
塩、ニッケル錯塩、サリチル酸ナトリウム、Ｆｅ3+、Ｚ
ｎ2+、Ｌａ3+、Ｃｅ3+、Ｐｒ3+、Ｎｄ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ
3+、Ｇｄ3+、Ｔｂ3+、Ｄｙ 3+ 、Ｈｏ3+、Ｅｒ3+、Ｔ
ｍ3+、Ｙｂ3+、Ｌｕ3+、Ｔｉ4+、Ｖ5+、Ｃｒ6+、Ｕ6+、
スルホン酸ナトリウム、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｅ2 Ｏ3 、Ｌａ
2 Ｏ3 、Ｃｅ2 Ｏ3 、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2
Ｏ3 、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ
3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ
2 Ｏ3 、Ｌｕ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＴｉＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｃ
ｒＯ3 、ＵＯ3 、サリチル酸誘導体、安息香酸誘導体、
ケイ皮酸誘導体、クマリン誘導体からなる群の少なくと
も１種を含有するようにしてもよい。また、これらの錯
体を用いるようにしてもよい。The ultraviolet light-shielding film, the polymer matrix forming the liquid crystal microcapsules or the ultraviolet light-shielding substance contained in the liquid crystal is a benzophenone-based UV absorber, a benzotriazole-based UV absorber, a phenyl salicylate-based UV absorber, or a triazine-based UV absorber. Agent, nickel salt, nickel complex salt, sodium salicylate, Fe 3+ , Z
n 2+ , La 3+ , Ce 3+ , Pr 3+ , Nd 3+ , Sm 3+ , Eu
3+ , Gd 3+ , Tb 3+ , Dy 3+ , Ho 3+ , Er 3+ , T
m 3+ , Yb 3+ , Lu 3+ , Ti 4+ , V 5+ , Cr 6+ , U 6+ ,
Sodium sulfonate, Fe 2 O 3 , Ce 2 O 3 , La
2 O 3 , Ce 2 O 3 , Pr 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sm 2
O 3 , Eu 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Tb 2 O 3 , Dy 2 O
3 , Ho 2 O 3 , Er 2 O 3 , Tm 2 O 3 , Yb
2 O 3 , Lu 2 O 3 , ZnO, TiO 2 , V 2 O 5 , C
rO 3 , UO 3 , salicylic acid derivative, benzoic acid derivative,
You may make it contain at least 1 sort (s) of the group which consists of a cinnamic acid derivative and a coumarin derivative. Moreover, you may make it use these complexes.
【００１７】また、液晶マイクロカプセルを着色する色
素として、ポリマ−マトリクスまたはこのポリマーマト
リクスの分散した液晶ドロップレットにに紫外線遮光性
物質を混入して用いるようにしてもよく、色素と紫外線
遮光性物質を組み合わせて用いるようにしてもよい。紫
外線遮光性を有する錯イオンをもちいるようにしてもよ
い。Further, as a dye for coloring the liquid crystal microcapsules, an ultraviolet light shielding substance may be mixed into a liquid crystal droplet in which a polymer matrix or a polymer matrix is dispersed, and the dye and the ultraviolet light shielding substance may be used. May be used in combination. You may make it use the complex ion which has a ultraviolet light shielding property.
【００１８】用いる液晶マイクロカプセル層は３層に限
らず必要に応じて用いるようにすればよい。また、色素
もシアン、マゼンタ、イエローに限らず例えばＲＧＢを
用いるなど必要に応じて設計するようにすればよい。The liquid crystal microcapsule layer used is not limited to three layers and may be used as needed. Further, the dyes are not limited to cyan, magenta, and yellow, but may be designed as needed by using RGB, for example.
【００１９】本発明の液晶表示装置の製造方法は、ポリ
マーマトリクス中に液晶を分散させた液晶マイクロカプ
セル層とこの液晶マイクロカプセル層に電圧を印加する
画素電極の積層構造を有する液晶表示装置の製造方法で
あって、液晶マイクロカプセル層を形成する工程と、液
晶マイクロカプセル層上に紫外線遮光膜を形成する工程
と、紫外線遮光膜上に画素電極を形成する工程とを有す
ることを特徴とする。すなわち、絶縁基板上にトランジ
スタアレイを形成する工程と、トランジスタアレイ上に
所定形状の絶縁保護膜を形成する工程と、絶縁保護膜の
前記トランジスタアレイを構成する各トランジスタのソ
ース電極に対応する位置に開口部を形成する工程と、開
口部に対応する位置に前記トランジスタのソース電極と
接続して所定高の導体柱を形成する工程と、対応する薄
膜トランジスタと前記導体柱を介して電気的に接続する
ように絶縁保護膜上に所定形状の反射画素電極を形成す
る工程と、反射画素電極の上から絶縁保護膜上に液晶マ
イクロカプセル層を形成する工程と、液晶マイクロカプ
セル層上に紫外線遮光膜を形成する工程と、紫外線遮光
膜の導体柱に対応する位置に所定形状のスルーホールを
形成する工程と、紫外線遮光膜上に所定形状の透明画素
電極を形成する工程と、透明画素電極の上から絶縁保護
膜上に液晶マイクロカプセル層を形成する工程とを有す
ることを特徴とする。The method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is a method of manufacturing a liquid crystal display device having a laminated structure of a liquid crystal microcapsule layer in which a liquid crystal is dispersed in a polymer matrix and a pixel electrode for applying a voltage to the liquid crystal microcapsule layer. The method is characterized by including a step of forming a liquid crystal microcapsule layer, a step of forming an ultraviolet light shielding film on the liquid crystal microcapsule layer, and a step of forming a pixel electrode on the ultraviolet light shielding film. That is, the step of forming a transistor array on an insulating substrate, the step of forming an insulating protective film of a predetermined shape on the transistor array, and the insulating protective film at a position corresponding to the source electrode of each transistor forming the transistor array. Forming an opening; connecting a source electrode of the transistor at a position corresponding to the opening to form a conductor pillar having a predetermined height; and electrically connecting the corresponding thin film transistor through the conductor pillar. Forming a reflective pixel electrode of a predetermined shape on the insulating protective film, forming a liquid crystal microcapsule layer on the insulating protective film from above the reflective pixel electrode, and forming an ultraviolet light shielding film on the liquid crystal microcapsule layer. A step of forming, a step of forming a through hole of a predetermined shape at a position corresponding to the conductor column of the ultraviolet light shielding film, and a predetermined step on the ultraviolet light shielding film. And having a step of forming a Jo transparent pixel electrode, and forming a liquid crystal microcapsule layer from the top of the transparent pixel electrode on the insulating protective film.
【００２０】また本発明の液晶表示装置の製造方法は、
ポリマーマトリクス中に液晶を分散させた液晶マイクロ
カプセル層と画素電極の積層構造を有する液晶表示装置
の製造方法であって、液晶マイクロカプセル層を形成す
る工程と、液晶マイクロカプセル層上に絶縁保護膜を塗
布して形成する工程と、絶縁保護膜上に紫外線遮光膜を
形成する工程と、紫外線遮光膜上に所定形状のレジスト
を形成し紫外線遮光膜及び絶縁保護膜に所定形状の開口
部を形成する工程と、レジスト及び紫外線遮光膜を除去
する工程と、絶縁保護膜上に前記画素電極を形成する工
程とを有することを特徴とする。The method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention is
A method for manufacturing a liquid crystal display device having a laminated structure of a liquid crystal microcapsule layer in which a liquid crystal is dispersed in a polymer matrix and a pixel electrode, comprising a step of forming a liquid crystal microcapsule layer, and an insulating protective film on the liquid crystal microcapsule layer. And forming an ultraviolet light shielding film on the insulating protective film, forming a resist of a predetermined shape on the ultraviolet light shielding film and forming an opening of a predetermined shape on the ultraviolet light shielding film and the insulating protective film. And a step of removing the resist and the ultraviolet light shielding film, and a step of forming the pixel electrode on the insulating protective film.
【００２１】紫外線遮光膜としてはＡｌ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃなどからなる薄膜を用
いるようにしてもよい。As the ultraviolet light shielding film, Al, Cu, Zn,
A thin film made of Cr, Ti, W, Mo, Ta, C or the like may be used.
【００２２】また、絶縁保護膜は膜厚１０ｎｍ以上に形
成しこの上に透明画素電極を形成するようにしてもよ
い。The insulating protective film may be formed to have a film thickness of 10 nm or more, and the transparent pixel electrode may be formed thereon.
【００２３】本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、液晶マイクロカプセル層を形成した後、その特性が
劣化がしない方法、例えば湿式成膜法で透明絶縁膜を成
膜しておくことにより、ＩＴＯ膜をスパッタにより成膜
することができ、透明画素電極の加工も容易となる。According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, after the liquid crystal microcapsule layer is formed, the transparent insulating film is formed by a method in which its characteristics are not deteriorated, for example, a wet film formation method. The ITO film can be formed by sputtering, and the transparent pixel electrode can be easily processed.
【００２４】また、液晶マイクロカプセル層と、液晶マ
イクロカプセル層より後工程で形成される層との間に紫
外線遮光層を設けることにより通常のマスク露光が可能
となる。Further, by providing an ultraviolet light shielding layer between the liquid crystal microcapsule layer and a layer formed in a step subsequent to the liquid crystal microcapsule layer, ordinary mask exposure becomes possible.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２６】図１は本発明の液晶表示装置の１例の１画
素部分を示したものである。FIG. 1 shows one pixel portion of an example of the liquid crystal display device of the present invention.
【００２７】ガラス基板１０１上に複数のＴＦＴ１０
２、走査線１０３、信号線１０４からなるＴＦＴアレイ
が形成されているが、この実施例では１画素に３個のＴ
ＦＴ１０２、１本の走査線１０３、３本の信号線１０４
が形成されている。A plurality of TFTs 10 are formed on the glass substrate 101.
2, a TFT array composed of the scanning lines 103 and the signal lines 104 is formed, but in this embodiment, three Ts are formed in one pixel.
FT102, one scanning line 103, three signal lines 104
Are formed.
【００２８】これらＴＦＴアレイ上にＳｉＮｘ絶縁保護
膜１０５、反射画素電極１０６、液晶マイクロカプセル
層１０７、紫外線遮光膜１０８、透明画素電極１０９が
形成されており、この上に対向電極１１０が形成された
ガラス基板１１１が配設されている。A SiNx insulating protective film 105, a reflective pixel electrode 106, a liquid crystal microcapsule layer 107, an ultraviolet light shielding film 108, and a transparent pixel electrode 109 are formed on these TFT arrays, and a counter electrode 110 is formed thereon. A glass substrate 111 is arranged.
【００２９】図１に例示した液晶表示装置において用い
るＴＦＴは、例えば逆スタガード構造のＴＦＴを用いる
ようにしてもよく、また例えば正スタガード構造のＴＦ
Ｔなど他の構造のＴＦＴを用いるようにしてもよい。ま
たＴＦＴの半導体層は例えばａ−Ｓｉ、ｐ−Ｓｉ、Ｃｄ
Ｓｅなどを用いて形成するようにしてもよい。絶縁保護
膜は、ＳｉＯｘに限らずＳｉＮｘで形成するようにして
もよく、両者を積層して形成するようにしてもよい。The TFT used in the liquid crystal display device illustrated in FIG. 1 may be, for example, a TFT having an inverted staggered structure, or, for example, a TF having a positive staggered structure.
A TFT having another structure such as T may be used. The semiconductor layer of the TFT is, for example, a-Si, p-Si, Cd.
You may make it form using Se etc. The insulating protective film is not limited to SiOx and may be formed of SiNx or may be formed by stacking both.
【００３０】反射画素電極１０６、透明画素電極１０９
には、それぞれ対応するＴＦＴ１０２のソース電極と接
続する導体柱１１２が形成されている。Reflective pixel electrode 106, transparent pixel electrode 109
A conductor column 112 connected to the source electrode of the corresponding TFT 102 is formed on each side.
【００３１】反射画素電極１０６は例えば例えばアルミ
ニウム等の金属を用いてスパッタ法により形成するよう
にしてもよい。The reflective pixel electrode 106 may be formed by sputtering using a metal such as aluminum.
【００３２】３層の液晶マイクロカプセル層１０７はカ
ラー表示を行うために、それぞれシアン、マゼンタ、イ
エローの色素を含有している。The three-layer liquid crystal microcapsule layer 107 contains cyan, magenta, and yellow dyes, respectively, for performing color display.
【００３３】またこれらの液晶マイクロカプセル層１０
７は懸濁法で形成してもよいし、また溶媒相分離法、熱
相分離法、重合相分離法などの相分離法、乳化法、含浸
法などで形成するようにしてもよい。Further, these liquid crystal microcapsule layers 10
7 may be formed by a suspension method, or may be formed by a solvent phase separation method, a thermal phase separation method, a phase separation method such as a polymerization phase separation method, an emulsification method, an impregnation method, or the like.
【００３４】液晶マイクロカプセル層１０７上に形成す
る紫外線遮光膜１０８は、ベンゾフェノン系紫外線吸収
剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、サリチル酸フ
ェニル系紫外線吸収剤、トリアジン系紫外線吸収剤、ニ
ッケル塩、ニッケル錯塩、サリチル酸ナトリウム、Ｆｅ
3+、Ｚｎ2+、Ｌａ3+、Ｃｅ3+、Ｐｒ3+、Ｎｄ3+、Ｓ
ｍ3+、Ｅｕ3+、Ｇｄ3+、Ｔｂ3+、Ｄｙ 3+ 、Ｈｏ3+、Ｅｒ
3+、Ｔｍ3+、Ｙｂ3+、Ｌｕ3+、Ｔｉ4+、Ｖ5+、Ｃｒ6+、
Ｕ6+、スルホン酸ナトリウム、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｅ
2Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｃｅ2 Ｏ3 、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ｎｄ2
Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｅｕ2Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ
3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ
2Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｌｕ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＴｉＯ2 、
Ｖ2 Ｏ5 、ＣｒＯ3 、ＵＯ3 、サリチル酸誘導体、安息
香酸誘導体、ケイ皮酸誘導体、クマリン誘導体からなる
群の少なくとも１種や、また、これらの錯体をを含有さ
せた例えばＳＯＧ（スピン オン グラス）、サイトッ
プ等のＳｉＯｘを塗布して形成するようにしてもよい。
図１に例示した液晶表示装置では、ＳＯＧにサリチル酸
ナトリウムを混入して用いている。The ultraviolet light shielding film 108 formed on the liquid crystal microcapsule layer 107 is a benzophenone type ultraviolet absorber, a benzotriazole type ultraviolet absorber, a phenyl salicylate type ultraviolet absorber, a triazine type ultraviolet absorber, a nickel salt, a nickel complex salt, Sodium salicylate, Fe
3+ , Zn 2+ , La 3+ , Ce 3+ , Pr 3+ , Nd 3+ , S
m 3+ , Eu 3+ , Gd 3+ , Tb 3+ , Dy 3+ , Ho 3+ , Er
3+ , Tm 3+ , Yb 3+ , Lu 3+ , Ti 4+ , V 5+ , Cr 6+ ,
U 6+ , sodium sulfonate, Fe 2 O 3 , Ce
2 O 3 , La 2 O 3 , Ce 2 O 3 , Pr 2 O 3 , Nd 2
O 3, Sm 2 O 3, Eu 2 O 3, Gd 2 O 3, Tb 2 O
3 , Dy 2 O 3 , Ho 2 O 3 , Er 2 O 3 , Tm
2 O 3 , Yb 2 O 3 , Lu 2 O 3 , ZnO, TiO 2 ,
At least one member selected from the group consisting of V 2 O 5 , CrO 3 , UO 3 , salicylic acid derivatives, benzoic acid derivatives, cinnamic acid derivatives, and coumarin derivatives, and, for example, SOG (spin on glass) containing these complexes. ), And SiOx such as Cytop may be applied.
The liquid crystal display device illustrated in FIG. 1 uses SOG mixed with sodium salicylate.
【００３５】なお、紫外線遮光性物質が着色している場
合であっても、表示を損なわない範囲で用いることがで
きる。Even if the ultraviolet light-shielding substance is colored, it can be used within a range that does not impair the display.
【００３６】紫外線遮光膜１０８の導体柱１１２に対応
する位置には、コンタクトホ−ルが形成されており、こ
のコンタクトホールを通じて導体柱とＩＴＯ透明画素電
極とは電気的に接続している。A contact hole is formed at a position of the ultraviolet light shielding film 108 corresponding to the conductor column 112, and the conductor column and the ITO transparent pixel electrode are electrically connected through this contact hole.
【００３７】用いる液晶マイクロカプセル層は３層に限
らず必要に応じて用いるようにすればよい。また、色素
もシアンマ、ゼンタ、イエローに限らず必要に応じて用
いるようにすればよい。The liquid crystal microcapsule layer used is not limited to three layers and may be used as needed. Further, the dyes are not limited to cyan, zenta, and yellow, and may be used as needed.
【００３８】図２は、本発明の液晶表示装置の１例を概
略的に示す断面図であり、１画素に対応する部分を示し
ている。FIG. 2 is a sectional view schematically showing an example of the liquid crystal display device of the present invention, showing a portion corresponding to one pixel.
【００３９】図２に例示した液晶表示装置は、ポリマー
マトリクスまたはこのポリマーマトリクスの分散した液
晶ドロップレットに紫外線遮光性物質を含有した液晶マ
イクロカプセル層を用いたものである。The liquid crystal display device illustrated in FIG. 2 uses a liquid crystal microcapsule layer containing an ultraviolet light shielding substance in a polymer matrix or liquid crystal droplets in which the polymer matrix is dispersed.
【００４０】複数のＴＦＴ、走査線、図示しない信号線
からなるＴＦＴアレイが形成されたガラス基板２０１上
にＳｉＮｘ絶縁保護膜２０２、反射画素電極２０３、液
晶マイクロカプセル層２０４、透明画素電極２０５が形
成されており、この上に対向電極が形成されたガラス基
板２０６が配設されている。A SiNx insulating protective film 202, a reflective pixel electrode 203, a liquid crystal microcapsule layer 204, and a transparent pixel electrode 205 are formed on a glass substrate 201 on which a TFT array consisting of a plurality of TFTs, scanning lines and signal lines (not shown) is formed. The glass substrate 206 on which the counter electrode is formed is arranged on the glass substrate 206.
【００４１】図２に例示した液晶表示装置においては逆
スタガード構造のＴＦＴを用いているが、例えば正スタ
ガード構造のＴＦＴなど他の構造のＴＦＴを用いるよう
にしてもよい。またＴＦＴの半導体層はａ−Ｓｉに限ら
ず、例えばｐ−Ｓｉ、ＣｄＳｅを用いて形成するように
してもよい。絶縁保護膜２０２は、ＳｉＯｘに限らずＳ
ｉＮｘで形成するようにしてもよく、両者を積層するよ
うにしてもよい。In the liquid crystal display device illustrated in FIG. 2, the TFT having the inverted staggered structure is used, but the TFT having another structure such as the TFT having the positive staggered structure may be used. The semiconductor layer of the TFT is not limited to a-Si, but may be formed using p-Si or CdSe, for example. The insulating protective film 202 is not limited to SiOx, but S
It may be formed of iNx or may be laminated.
【００４２】反射画素電極２０３、透明画素電極２０５
にはそれぞれ対応するＴＦＴのソース電極２０６と接続
する導体柱２０７が形成されている。Reflective pixel electrode 203 and transparent pixel electrode 205
Conductor columns 207 connected to the source electrodes 206 of the corresponding TFTs are formed in each of them.
【００４３】図２に例示した液晶表示装置においては，
カラー表示のために、それぞれシアン、マゼンタ、イエ
ローの色素を含有した３層の液晶マイクロカプセル層２
０４を具備している。これらの液晶マイクロカプセル層
２０４は懸濁法で形成してもよいし、また相分離法、乳
化法、含浸法などで形成するようにしてもよい。In the liquid crystal display device illustrated in FIG. 2,
Three layers of liquid crystal microcapsule layers 2 containing cyan, magenta, and yellow dyes, respectively, for color display.
It has 04. The liquid crystal microcapsule layer 204 may be formed by a suspension method, or may be formed by a phase separation method, an emulsification method, an impregnation method, or the like.
【００４４】紫外線遮光性物質としては、前述同様に用
いるようにすればよい。また、液晶マイクロカプセル層
を着色する色素として、ポリマ−マトリクスまたはこの
ポリマーマトリクスの分散した液晶ドロップレットにに
紫外線遮光性物質を混入して用いるようにしてもよく、
色素と紫外線遮光性物質を組み合わせて用いるようにし
てもよい。紫外線遮光性を有する錯イオンを用いるよう
にしてもよい。The ultraviolet light-shielding substance may be used in the same manner as described above. Further, as a dye for coloring the liquid crystal microcapsule layer, an ultraviolet light shielding substance may be mixed and used in a liquid crystal droplet in which a polymer matrix or this polymer matrix is dispersed,
You may make it use combining a pigment | dye and a ultraviolet-shielding substance. You may make it use the complex ion which has an ultraviolet light shielding property.
【００４５】用いる液晶マイクロカプセル層２０４は３
層に限らず必要に応じて用いるようにすればよい。ま
た、色素もシアン、マゼンタ、イエローに限らず例えば
ＲＧＢを用いるなど必要に応じて設計するようにすれば
よい。The liquid crystal microcapsule layer 204 used is 3
Not limited to the layers, they may be used as needed. Further, the dyes are not limited to cyan, magenta, and yellow, but may be designed as needed by using RGB, for example.
【００４６】本発明の液晶表示装置の製造方法を図３〜
５により説明する。The method of manufacturing the liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIGS.
5 will be described.
【００４７】まず透明絶縁基板にＴＦＴアレイを形成す
る。ガラス基板３０１上にＭｏＴａ合金を厚さ３００ｎ
ｍでスパッタ法により形成しパターニングすることによ
り、ゲート電極３０２、図示しないアドレス線を形成す
る。First, a TFT array is formed on a transparent insulating substrate. MoTa alloy with a thickness of 300n on a glass substrate 301
Then, the gate electrode 302 and an address line (not shown) are formed by forming the gate electrode 302 by a sputtering method and patterning.
【００４８】ついで、プラズマＣＶＤ法により厚さ３５
０ｎｍのＳｉＯ２ゲート絶縁膜３０３、厚さ５０ｎｍの
ａ−Ｓｉ半導体膜３０４、厚さ２００ｎｍのＳｉＮｘ半
導体保護膜３０５を順次成膜して、半導体保護膜３０５
をパターニングする。パターニングの後プラズマＣＶＤ
法でｎ+ ａ−Ｓｉ膜３０６を厚さ５０ｎｍに成膜し、島
状のａ−Ｓｉ活性層を形成する。次にＭｏ等の所定の金
属配スパッタリングしパターニングすることにより、ソ
ース電極３０７、ドレイン電極３０８、図示しないデー
タ配線を同時に形成する。そして、ソース・ドレイン間
のｎ+ ａ−Ｓｉ膜を取り除いてＴＦＴ３０９とする。Then, a thickness of 35 is obtained by the plasma CVD method.
A 0 nm SiO 2 gate insulating film 303, a 50 nm thick a-Si semiconductor film 304, and a 200 nm thick SiNx semiconductor protective film 305 are sequentially formed to form a semiconductor protective film 305.
Pattern. Plasma CVD after patterning
Then, an n + a-Si film 306 having a thickness of 50 nm is formed by a method to form an island-shaped a-Si active layer. Next, a source metal 307, a drain electrode 308, and a data wiring (not shown) are simultaneously formed by sputtering a predetermined metal such as Mo and patterning. Then, the n + a-Si film between the source and the drain is removed to form a TFT 309.
【００４９】このように形成したＴＦＴ３０９上に厚さ
２００ｎｍのＳｉＮｘからなる絶縁保護膜３１０をプラ
ズマＣＶＤ法により成膜する。ついで、絶縁保護膜３１
０上のＴＦＴのソース電極に対応する位置に、ソース電
極３０７とコンタクトをとるためのスルーホールを形成
する。このスルーホールに電解メッキプロセスによって
Ｃｕを用いた導体柱３１１を形成する。この導体柱３１
１の高さはレジスト工程と電界印加時間を制御すること
により各画素電極に対応した高さに形成するようにすれ
ばよい。この上に画素電極としてアルミニウム等の金属
をスパッタ法により３００ｎｍの膜厚で形成して反射画
素電極３１２とする。この反射画素電極３１２は反射特
性がなるべく完全拡散に近くなるように表面に凹凸をつ
けるようにしてもよい。また、完全拡散特性をもつ酸化
マグネシウムや硫酸マグネシウムなどの粉体を堆積する
ようにしてもよい。An insulating protective film 310 of SiNx having a thickness of 200 nm is formed on the thus formed TFT 309 by a plasma CVD method. Then, the insulating protective film 31
A through hole for making contact with the source electrode 307 is formed at a position corresponding to the source electrode of the TFT on 0. A conductor column 311 using Cu is formed in this through hole by an electrolytic plating process. This conductor post 31
The height of 1 may be formed to a height corresponding to each pixel electrode by controlling the resist process and the electric field application time. A metal such as aluminum is formed thereon as a pixel electrode by a sputtering method to have a film thickness of 300 nm to form a reflective pixel electrode 312. The surface of the reflective pixel electrode 312 may be roughened so that the reflective characteristics are as close to perfect diffusion as possible. Alternatively, powder of magnesium oxide or magnesium sulfate having a perfect diffusion characteristic may be deposited.
【００５０】反射画素電極３１２を形成後に、ペースト
状の、イエローのＧＨ液晶の入った液晶マイクロカプセ
ル層３１３を厚さ５〜１５μｍとなるように形成する。
液晶マイクロカプセル層３１３は、懸濁法により形成し
てもよいし、また溶媒相分離法、熱相分離法、重合相分
離法などの相分離法で形成するようにしてもよい。さら
に、場合によっては含浸法で形成するようにしてもよ
い。After forming the reflective pixel electrode 312, a paste-like liquid crystal microcapsule layer 313 containing yellow GH liquid crystal is formed to have a thickness of 5 to 15 μm.
The liquid crystal microcapsule layer 313 may be formed by a suspension method, or may be formed by a phase separation method such as a solvent phase separation method, a thermal phase separation method, or a polymerization phase separation method. Further, in some cases, it may be formed by an impregnation method.
【００５１】液晶マイクロカプセル層３１３形成後、紫
外線遮光性物質を混入したＳＯＧ（スピンオングラ
ス）、サイトップ等のＳｉＯｘを塗布して紫外線遮光膜
３１４を形成する。混入する紫外線遮光性物質としては
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系
紫外線吸収剤、サリチル酸フェニル系紫外線吸収剤、ト
リアジン系紫外線吸収剤、ニッケル塩、ニッケル錯塩、
サリチル酸ナトリウム、Ｆｅ3+、Ｚｎ2+、Ｌａ3+、Ｃｅ
3+、Ｐｒ3+、Ｎｄ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ3+、Ｇｄ3+、Ｔ
ｂ3+、Ｄｙ 3+ 、Ｈｏ3+、Ｅｒ3+、Ｔｍ3+、Ｙｂ3+、Ｌｕ
3+、Ｔｉ4+、Ｖ5+、Ｃｒ6+、、Ｕ6+、スルホン酸ナトリ
ウム、Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｃｅ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 Ｃｅ2 Ｏ3 、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｅ
ｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ
2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｌｕ2
Ｏ3 、ＺｎＯ、ＴｉＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｒＯ3 、Ｕ
Ｏ3 、サリチル酸誘導体、安息香酸誘導体、ケイ皮酸誘
導体、クマリン誘導体からなる群の少なくとも１種や、
また、これらの錯体などの１成分もしく複数成分を微量
含んでいればよい。After forming the liquid crystal microcapsule layer 313, an ultraviolet light shielding film 314 is formed by applying SiOx such as SOG (spin on glass) or Cytop mixed with an ultraviolet light shielding material. Examples of the ultraviolet light-shielding substance mixed in include benzophenone-based UV absorbers, benzotriazole-based UV absorbers, phenyl salicylate-based UV absorbers, triazine-based UV absorbers, nickel salts, nickel complex salts,
Sodium salicylate, Fe 3+ , Zn 2+ , La 3+ , Ce
3+ , Pr 3+ , Nd 3+ , Sm 3+ , Eu 3+ , Gd 3+ , T
b 3+ , Dy 3+ , Ho 3+ , Er 3+ , Tm 3+ , Yb 3+ , Lu
3+ , Ti 4+ , V 5+ , Cr 6+ , U 6+ , sodium sulfonate, Fe 2 O 3 , Ce 2 O 3 , La 2 O 3 Ce 2 O 3 , Pr 2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sm 2 O 3 , E
u 2 O 3 , Gd 2 O 3 , Tb 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Ho
2 O 3 , Er 2 O 3 , Tm 2 O 3 , Yb 2 O 3 , Lu 2
O 3 , ZnO, TiO 2 , V 2 O 5 , CrO 3 , U
At least one member selected from the group consisting of O 3 , salicylic acid derivative, benzoic acid derivative, cinnamic acid derivative, and coumarin derivative;
Further, it is sufficient that a small amount of one component or a plurality of components such as these complexes is contained.
【００５２】形成した紫外線遮光膜３１４の導体柱３１
１に対応する位置に、導体柱３１１と透明画素電極３１
５とを接続するためのコンタクトホ−ルを形成し、その
後スパッタ法によりＩＴＯを成膜して所定形状にパター
ニングして透明画素電極３１５を形成する（図４参
照）。紫外線遮光膜３１４を形成してあるので、コンタ
クトホールのパターニングを行う際にも液晶マイクロカ
プセル層３１３に紫外線が照射されることはない。ま
た、その上のＩＴＯパターン形成時にも、たとえＩＴＯ
が紫外線を透過するほどの薄膜であってもパターニング
時に液晶マイクロカプセル層が紫外線によりダメージを
受けることはない。同時にＩＴＯスパッタ時の残留溶剤
の脱ガスによるＩＴＯ膜の変質を抑える効果、スパッタ
時に発生する紫外線およびプラズマダメージの保護膜と
しての効果、ＩＴＯエッチング時の保護膜としての効果
もある。Conductor column 31 of the formed ultraviolet light shielding film 314
In the position corresponding to 1, the conductive pillar 311 and the transparent pixel electrode 31
5, a contact hole for connecting with 5 is formed, and then an ITO film is formed by a sputtering method and patterned into a predetermined shape to form a transparent pixel electrode 315 (see FIG. 4). Since the ultraviolet light shielding film 314 is formed, the liquid crystal microcapsule layer 313 is not irradiated with ultraviolet light when patterning the contact holes. Also, even when the ITO pattern is formed on the ITO
The liquid crystal microcapsule layer is not damaged by ultraviolet rays during patterning even if is a thin film that transmits ultraviolet rays. At the same time, it also has an effect of suppressing deterioration of the ITO film due to degassing of the residual solvent during ITO sputtering, an effect as a protective film against ultraviolet rays and plasma damage generated during sputtering, and an effect as a protective film during ITO etching.
【００５３】同様の方法で、マゼンタＧＨ液晶の入った
液晶マイクロカプセル層３１３、紫外線遮光膜、透明画
素電極、シアンＧＨ液晶の入った液晶マイクロカプセル
層３１３を同様の方法で順次形成する。最後に、透明対
向電極を形成したガラス基板３１６を載せる（図５参
照）。By the same method, the liquid crystal microcapsule layer 313 containing the magenta GH liquid crystal, the ultraviolet light shielding film, the transparent pixel electrode, and the liquid crystal microcapsule layer 313 containing the cyan GH liquid crystal are sequentially formed by the same method. Finally, the glass substrate 316 having the transparent counter electrode formed thereon is placed (see FIG. 5).
【００５４】この液晶表示装置は、それぞれシアン・マ
ゼンタ・イエローの色素が入ったＧＨ液晶マイクロカプ
セル層をそれぞれ挟む４枚の電極に印加する電圧を制御
することにより各層での光の吸収・透過の割合を変化さ
せて階調表示を可能とする。This liquid crystal display device controls the voltage applied to the four electrodes sandwiching the GH liquid crystal microcapsule layers containing the cyan, magenta, and yellow dyes, respectively, to thereby absorb and transmit light in each layer. By changing the ratio, gradation display is possible.
【００５５】つぎに、本発明の液晶表示装置の製造方法
を図６〜１１に基づいて説明する。まず、ガラス基板上
にＴＦＴアレイを形成し、この上にＳｉＮｘ絶縁膜を形
成する。反射画素電極を形成し、さらにその上に液晶マ
イクロカプセル層６０１を形成する（図６参照）。Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIGS. First, a TFT array is formed on a glass substrate, and a SiNx insulating film is formed on this. A reflective pixel electrode is formed, and a liquid crystal microcapsule layer 601 is further formed thereon (see FIG. 6).
【００５６】液晶マイクロカプセル層６０１形成後、液
晶マイクロカプセル層６０１上に絶縁保護膜６０２を湿
式成膜法で形成する。絶縁保護膜６０２は、例えばＳＯ
Ｇ（スピン オン グラス）、サイトップ等を塗布する
ことにより形成するようにしてもよい。このように形成
すれば平坦化の作用もあり、ＩＴＯ膜による散乱を抑制
することもできる。さらに、絶縁保護膜６０２に紫外線
遮光膜としての機能を持たせるようにしてもよい。保護
絶縁膜６０２を塗布により形成し、この上に紫外線遮光
膜としてＡｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｗ等の
金属薄膜６０３を例えばスパッタ法により形成する。レ
ジスト６０４塗布後マスク露光して、ＳｉＯｘ保護絶縁
膜６０２の導体柱６０５に対応する位置に所定形状のコ
ンタクトホール６０６を形成する（図７参照）。After forming the liquid crystal microcapsule layer 601, an insulating protective film 602 is formed on the liquid crystal microcapsule layer 601 by a wet film forming method. The insulating protective film 602 is, for example, SO
It may be formed by applying G (spin on glass), Cytop, or the like. If formed in this way, it also has the function of flattening and can also suppress the scattering by the ITO film. Further, the insulating protective film 602 may have a function as an ultraviolet light shielding film. A protective insulating film 602 is formed by coating, and a metal thin film 603 of Al, Cu, Ti, Mo, Ta, Cr, W or the like is formed as an ultraviolet light shielding film on this by a sputtering method, for example. After applying the resist 604, mask exposure is performed to form a contact hole 606 having a predetermined shape at a position corresponding to the conductor column 605 of the SiOx protective insulating film 602 (see FIG. 7).
【００５７】コンタクトホール６０６形成の後、レジス
ト６０４と金属薄膜６０３を除去する（図８参照）。After forming the contact hole 606, the resist 604 and the metal thin film 603 are removed (see FIG. 8).
【００５８】レジスト６０４と金属薄膜６０３を除去し
た後、コンタクトホール６０６が形成されたＳｉＯｘ保
護絶縁膜６０２の上に、スパッタ法により透明画素電極
であるＩＴＯ膜６０７を形成する（図９参照）。After removing the resist 604 and the metal thin film 603, an ITO film 607 which is a transparent pixel electrode is formed on the SiOx protective insulating film 602 in which the contact hole 606 is formed by a sputtering method (see FIG. 9).
【００５９】ＩＴＯ膜６０７上に紫外線遮光膜６０８、
レジスト６０９を形成し、マスク露光してＩＴＯ膜６０
７を所定形状の透明画素電極に形成する（図１０参
照）。On the ITO film 607, an ultraviolet light shielding film 608,
A resist 609 is formed, mask exposure is performed, and the ITO film 60 is formed.
7 is formed on the transparent pixel electrode having a predetermined shape (see FIG. 10).
【００６０】透明画素電極形成後レジスト６０９と紫外
線遮光膜６０８を除去する（図１１参照）。After forming the transparent pixel electrode, the resist 609 and the ultraviolet light shielding film 608 are removed (see FIG. 11).
【００６１】以上の工程を繰り返して、画素電極、液晶
マイクロカプセル層、保護絶縁膜の積層構造を形成し、
最後に透明対向電極が形成されたガラス基板を液晶マイ
クロカプセル層の上に載せる。このような工程によれ
ば、液晶マイクロカプセル層が紫外線によりダメージを
受けることはない。By repeating the above steps, a laminated structure of a pixel electrode, a liquid crystal microcapsule layer, and a protective insulating film is formed,
Finally, the glass substrate on which the transparent counter electrode is formed is placed on the liquid crystal microcapsule layer. According to such a process, the liquid crystal microcapsule layer is not damaged by ultraviolet rays.
【００６２】本発明は図１２に示したような単純マトリ
クス駆動の液晶表示装置にも適用できる。例えば、透明
基板１２０１、配線１２０２、液晶層を液晶マイクロカ
プセル層１２０３で構成し、その上に絶縁膜１２０４を
介して透明配線１２０５を形成するようにしてもよい。
マスク露光の際に配線とのあわせずれが基板のあわせず
れよりも小さい。なお、パッシベーション絶縁膜１２０
６を成膜した後に対向基板と張り合わせるようにしても
よい。The present invention can also be applied to a simple matrix drive liquid crystal display device as shown in FIG. For example, the transparent substrate 1201, the wiring 1202, and the liquid crystal layer may be formed of the liquid crystal microcapsule layer 1203, and the transparent wiring 1205 may be formed thereover with the insulating film 1204 interposed therebetween.
Misalignment with the wiring during mask exposure is smaller than misalignment with the substrate. The passivation insulating film 120
You may make it adhere | attach with a counter substrate after forming 6 into a film.
【００６３】なお、以上説明した製造工程は１例であ
り、各層の材料、厚みや製造方法等は必要に応じて設計
するようにしてもよい。たとえば、ＩＴＯの成膜方法は
スパッタに限らずゾル・ゲル法等の湿式成膜法でもよ
い。また、ＴＦＴには他の構造のもの、例えばスタガー
ド型構造（トップゲート）のＴＦＴを用いることも可能
である。半導体層はａ−Ｓｉに限らず、ｐ−Ｓｉ、Ｃｄ
Ｓｅ等を用いて形成するようにしてもよい。また、デー
タ線上の絶縁膜は、ＳｉＯｘに限らずＳｉＮｘでもよ
く、両者の積層でもよい。The manufacturing process described above is only an example, and the material, thickness, manufacturing method, etc. of each layer may be designed as necessary. For example, the ITO film formation method is not limited to sputtering, but may be a wet film formation method such as a sol-gel method. Further, it is also possible to use a TFT having another structure, for example, a TFT having a staggered structure (top gate). The semiconductor layer is not limited to a-Si, but p-Si, Cd
You may make it form using Se etc. The insulating film on the data line is not limited to SiOx, but may be SiNx, or may be a laminate of both.
【００６４】[0064]
【発明の効果】本発明の液晶表示装置は、透明画素電極
であるＩＴＯ膜のスパッタ成膜時やエッチング時などの
ダメージ、およびマスク露光時の紫外線によるダメージ
による液晶マイクロカプセル層中の液晶分子の特性劣化
という問題を解決することができ、透過率の低下および
視角の低下を伴うことなく液晶層上に透明画素電極ＩＴ
Ｏを積層する構造の実現することができる。According to the liquid crystal display device of the present invention, the liquid crystal molecules in the liquid crystal microcapsule layer due to the damage during the sputtering film formation or etching of the ITO film, which is the transparent pixel electrode, and the damage due to the ultraviolet rays during the mask exposure. The problem of characteristic deterioration can be solved, and the transparent pixel electrode IT can be formed on the liquid crystal layer without lowering the transmittance and the viewing angle.
A structure in which O is stacked can be realized.
【００６５】本発明の液晶表示装置の製造方法によれ
ば、特性の優れた透明画素電極、液晶マイクロカプセル
層を有する液晶表示装置を製造することができる。According to the method of manufacturing a liquid crystal display device of the present invention, it is possible to manufacture a liquid crystal display device having a transparent pixel electrode and a liquid crystal microcapsule layer having excellent characteristics.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の液晶表示装置の１例を概略的に示す斜
視図。FIG. 1 is a perspective view schematically showing an example of a liquid crystal display device of the present invention.
【図２】本発明の液晶表示装置の１例を概略的に示す断
面図。FIG. 2 is a sectional view schematically showing an example of a liquid crystal display device of the present invention.
【図３】本発明の液晶表示装置の製造工程の１例を概略
的に示す図。FIG. 3 is a diagram schematically showing an example of a manufacturing process of the liquid crystal display device of the present invention.
【図４】本発明の液晶表示装置の製造工程の１例を概略
的に示す図。FIG. 4 is a diagram schematically showing an example of a manufacturing process of the liquid crystal display device of the present invention.
【図５】本発明の液晶表示装置の製造工程の１例を概略
的に示す図。FIG. 5 is a diagram schematically showing an example of a manufacturing process of the liquid crystal display device of the present invention.
【図６】本発明の液晶表示装置の製造工程の１例を概略
的に示す図。FIG. 6 is a diagram schematically showing an example of a manufacturing process of the liquid crystal display device of the present invention.
【図７】本発明の液晶表示装置の製造工程の１例を概略
的に示す図。FIG. 7 is a diagram schematically showing an example of a manufacturing process of the liquid crystal display device of the present invention.
【図８】本発明の液晶表示装置の製造工程の１例を概略
的に示す図。FIG. 8 is a diagram schematically showing an example of a manufacturing process of the liquid crystal display device of the present invention.
【図９】本発明の液晶表示装置の製造工程の１例を概略
的に示す図。FIG. 9 is a diagram schematically showing an example of a manufacturing process of the liquid crystal display device of the present invention.
【図１０】本発明の液晶表示装置の製造工程の１例を概
略的に示す図。FIG. 10 is a diagram schematically showing an example of a manufacturing process of the liquid crystal display device of the present invention.
【図１１】本発明の液晶表示装置の製造工程の１例を概
略的に示す図。FIG. 11 is a diagram schematically showing an example of a manufacturing process of the liquid crystal display device of the present invention.
【図１２】本発明の液晶表示装置の１例を概略的に示す
断面図。FIG. 12 is a sectional view schematically showing an example of a liquid crystal display device of the present invention.
【図１３】従来の液晶表示装置の１例を概略的に示す断
面図。FIG. 13 is a sectional view schematically showing an example of a conventional liquid crystal display device.
１０１……ガラス基板、１０２……ＴＦＴ、１０３……
走査線 １０４……信号線、１０５……絶縁保護膜、１０６……
反射画素電極 １０７……液晶マイクロカプセル層、１０８……紫外線
遮光膜 １０９……透明画素電極、１１０……対向電極、１１１
……ガラス基板 １１２……導体柱、２０１……ガラス基板、２０２……
絶縁保護膜 ２０３……反射画素電極、２０４……液晶マイクロカプ
セル層 ２０５……透明画素電極、２０６……ソース電極、２０
７……導体柱 ３０１……ガラス基板、３０２……ゲート電極、３０３
……ゲート絶縁膜 ３０４……半導体膜、３０５……半導体保護膜、３０６
……ｎ+ 半導体膜 ３０７……ソース電極、３０８……ドレイン電極、３０
９……ＴＦＴ ３１０……絶縁保護膜、３１１……導体柱、３１２……
反射画素電極 ３１３……液晶マイクロカプセル層、３１４……紫外線
遮光膜 ３１５……透明画素電極、３１６……ガラス基板 ６０１……液晶マイクロカプセル層、６０２……絶縁保
護膜 ６０３……金属薄膜、６０４……レジスト、６０５……
導体柱 ６０６……コンタクトホール、６０７……ＩＴＯ膜、６
０８……紫外線遮光膜 ６０９……レジスト、１２０１……透明基板、１２０２
……配線 １２０３……液晶マイクロカプセル層、１２０４……絶
縁膜 １２０５……透明配線、１２０６……パッシベーション
絶縁膜 １３０１……液晶マイクロカプセル層、１３０２……Ｔ
ＦＴ １３０３……走査線、１３０４……信号線、１３０５…
…導体柱 １３０６……反射画素電極、１３０７……透明画素電極101 ... Glass substrate, 102 ... TFT, 103 ...
Scanning line 104 ... Signal line, 105 ... Insulating protective film, 106 ...
Reflection pixel electrode 107 ... Liquid crystal microcapsule layer, 108 ... UV light shielding film 109 ... Transparent pixel electrode, 110 ... Counter electrode, 111
...... Glass substrate 112 …… Conductor pillar, 201 …… Glass substrate, 202 ……
Insulating protective film 203 ... Reflecting pixel electrode, 204 ... Liquid crystal microcapsule layer 205 ... Transparent pixel electrode, 206 ... Source electrode, 20
7 ... Conductor pillar 301 ... Glass substrate, 302 ... Gate electrode, 303
...... Gate insulating film 304 …… Semiconductor film 305 …… Semiconductor protective film 306
... n + semiconductor film 307 ... source electrode, 308 ... drain electrode, 30
9 ... TFT 310 ... Insulation protective film, 311 ... Conductor column, 312 ...
Reflective pixel electrode 313 ... Liquid crystal microcapsule layer, 314 ... Ultraviolet light shielding film 315 ... Transparent pixel electrode, 316 ... Glass substrate 601, ... Liquid crystal microcapsule layer, 602 ... Insulation protective film 603 ... Metal thin film, 604 …… Registration, 605 ……
Conductor pillar 606 ... Contact hole, 607 ... ITO film, 6
08 ... UV light shielding film 609 ... Resist, 1201 ... Transparent substrate, 1202
...... Wiring 1203 ...... Liquid crystal microcapsule layer 1204 ...... Insulation film 1205 ...... Transparent wiring 1206 ...... Passivation insulation film 1301 ...... Liquid crystal microcapsule layer 1302 ...... T
FT 1303 ... scanning line, 1304 ... signal line, 1305 ...
... Conductor column 1306 ... Reflective pixel electrode, 1307 ... Transparent pixel electrode
フロントページの続き (72)発明者 内古閑 修一 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33 株式会 社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 大竹 利也 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33 株式会 社東芝生産技術研究所内Front page continuation (72) Inventor Shuichi Uchigo 33 Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Stock company Toshiba Institute of Industrial Technology (72) Inventor Toshiya Otake 33 Isogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Inside Toshiba Production Engineering Laboratory
Claims (5)
線と、走査線とが形成されたアレイ基板と、 前記アレイ基板上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜上に形成され、対応する前記薄膜トランジス
タのソース電極或いはドレイン電極の一方と電気的に接
続された第１の画素電極と、 前記第１の画素電極の上側から前記絶縁膜上に形成され
た第１の液晶マイクロカプセル層と、 前記液晶マイクロカプセル層上に形成された紫外線遮光
膜と、 前記紫外線遮光膜上に形成され、対応する前記薄膜トラ
ンジスタのソース電極或いはドレイン電極の他方と電気
的に接続された第２の画素電極と、 前記第２の画素電極の上側から前記紫外線遮光膜上に形
成された第２の液晶マイクロカプセル層とを具備するこ
とを特徴とする液晶表示装置。1. An array substrate having a thin film transistor, a signal line, and a scanning line formed on an insulating substrate, an insulating film formed on the array substrate, and a corresponding film formed on the insulating film. A first pixel electrode electrically connected to one of a source electrode and a drain electrode of a thin film transistor; a first liquid crystal microcapsule layer formed on the insulating film from above the first pixel electrode; An ultraviolet light shielding film formed on the liquid crystal microcapsule layer, a second pixel electrode formed on the ultraviolet light shielding film and electrically connected to the other of the corresponding source electrode or drain electrode of the thin film transistors, A liquid crystal display device comprising: a second liquid crystal microcapsule layer formed on the ultraviolet light shielding film from above the second pixel electrode.
ン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収
剤、サリチル酸フェニル系紫外線吸収剤、トリアジン系
紫外線吸収剤、ニッケル塩、ニッケル錯塩、サリチル酸
ナトリウム、Ｆｅ3+、Ｚｎ2+、Ｌａ3+、Ｃｅ3+、Ｐ
ｒ3+、Ｎｄ3+、Ｓｍ3+、Ｅｕ3+、Ｇｄ3+、Ｔｂ3+、Ｄｙ
3+、Ｈｏ3+、Ｅｒ3+、Ｔｍ3+、Ｙｂ3+、Ｌｕ3+、Ｔ
ｉ4+、Ｖ5+、Ｃｒ6+、Ｕ6+、スルホン酸ナトリウム、Ｆ
ｅ2 Ｏ3 、Ｃｅ2 Ｏ3 、Ｌａ2 Ｏ3 、Ｃｅ2 Ｏ3 、Ｐｒ
2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2
Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ
3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｌｕ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、Ｔ
ｉＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｒＯ3 、ＵＯ3 、サリチル酸誘導
体、安息香酸誘導体、ケイ皮酸誘導体及びクマリン誘導
体からなる群の少なくとも１種を含有することを特徴と
する請求項１に記載の液晶表示装置。2. The ultraviolet light-shielding substance is a benzophenone-based UV absorber, a benzotriazole-based UV absorber, a phenyl salicylate-based UV absorber, a triazine-based UV absorber, a nickel salt, a nickel complex salt, sodium salicylate, Fe 3+. , Zn 2+ , La 3+ , Ce 3+ , P
r 3+ , Nd 3+ , Sm 3+ , Eu 3+ , Gd 3+ , Tb 3+ , Dy
3+ , Ho 3+ , Er 3+ , Tm 3+ , Yb 3+ , Lu 3+ , T
i 4+ , V 5+ , Cr 6+ , U 6+ , sodium sulfonate, F
e 2 O 3 , Ce 2 O 3 , La 2 O 3 , Ce 2 O 3 , Pr
2 O 3 , Nd 2 O 3 , Sm 2 O 3 , Eu 2 O 3 , Gd 2
O 3 , Tb 2 O 3 , Dy 2 O 3 , Ho 2 O 3 , Er 2 O
3 , Tm 2 O 3 , Yb 2 O 3 , Lu 2 O 3 , ZnO, T
2. The liquid crystal according to claim 1, containing at least one selected from the group consisting of iO 2 , V 2 O 5 , CrO 3 , UO 3 , salicylic acid derivatives, benzoic acid derivatives, cinnamic acid derivatives and coumarin derivatives. Display device.
た液晶マイクロカプセル層とこの液晶マイクロカプセル
層に電圧を印加する画素電極の積層構造を有する液晶表
示装置の製造方法であって、 前記液晶マイクロカプセル層を形成する工程と、 前記液晶マイクロカプセル層上に紫外線遮光膜を形成す
る工程と、 前記紫外線遮光膜上に前記画素電極を形成する工程とを
有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。3. A method of manufacturing a liquid crystal display device having a laminated structure of a liquid crystal microcapsule layer in which a liquid crystal is dispersed in a polymer matrix and a pixel electrode for applying a voltage to the liquid crystal microcapsule layer, the liquid crystal microcapsule comprising: A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a step of forming a layer; a step of forming an ultraviolet light shielding film on the liquid crystal microcapsule layer; and a step of forming the pixel electrode on the ultraviolet light shielding film. .
た液晶マイクロカプセル層と画素電極の積層構造を有す
る液晶表示装置の製造方法であって、 前記液晶マイクロカプセル層を形成する工程と、 前記液晶マイクロカプセル層上に絶縁保護膜を塗布して
形成する工程と、 前記絶縁保護膜上に紫外線遮光膜を形成する工程と、 前記紫外線遮光膜上に所定形状のレジストを形成し前記
紫外線遮光膜及び前記絶縁保護膜に所定形状の開口部を
形成する工程と、 前記レジスト及び前記紫外線遮光膜を除去する工程と、 前記絶縁保護膜上に前記画素電極を形成する工程とを有
することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。4. A method for manufacturing a liquid crystal display device having a laminated structure of a liquid crystal microcapsule layer in which liquid crystal is dispersed in a polymer matrix and a pixel electrode, the method comprising the steps of forming the liquid crystal microcapsule layer: A step of applying an insulating protective film on the capsule layer, a step of forming an ultraviolet light shielding film on the insulating protective film, a resist of a predetermined shape is formed on the ultraviolet light shielding film, and the ultraviolet light shielding film and the A liquid crystal comprising a step of forming an opening of a predetermined shape in the insulating protective film, a step of removing the resist and the ultraviolet light shielding film, and a step of forming the pixel electrode on the insulating protective film. Manufacturing method of display device.
Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｃからなる薄膜であるこ
とを特徴とする請求項４記載の液晶表示装置の製造方
法。5. The ultraviolet light shielding film is made of Al, Cu, Zn,
The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 4, wherein the thin film is made of Cr, Ti, W, Mo, Ta, and C.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7237490A JPH0980401A (en) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | Liquid crystal display device and its production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7237490A JPH0980401A (en) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | Liquid crystal display device and its production |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0980401A true JPH0980401A (en) | 1997-03-28 |
Family
ID=17016103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7237490A Withdrawn JPH0980401A (en) | 1995-09-14 | 1995-09-14 | Liquid crystal display device and its production |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0980401A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002540591A (en) * | 1998-12-15 | 2002-11-26 | イー−インク コーポレイション | Method of printing transistor array on plastic substrate |
| US6628355B1 (en) | 1996-12-17 | 2003-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display panel including a light shielding film to control incident light |
| WO2016110274A1 (en) * | 2015-01-08 | 2016-07-14 | 江苏和成显示科技股份有限公司 | Liquid crystal display device and driving method thereof |
-
1995
- 1995-09-14 JP JP7237490A patent/JPH0980401A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6628355B1 (en) | 1996-12-17 | 2003-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Liquid crystal display panel including a light shielding film to control incident light |
| JP2002540591A (en) * | 1998-12-15 | 2002-11-26 | イー−インク コーポレイション | Method of printing transistor array on plastic substrate |
| WO2016110274A1 (en) * | 2015-01-08 | 2016-07-14 | 江苏和成显示科技股份有限公司 | Liquid crystal display device and driving method thereof |
| TWI608275B (en) * | 2015-01-08 | 2017-12-11 | Liquid crystal display device and its driving method | |
| US10451910B2 (en) | 2015-01-08 | 2019-10-22 | Jiangsu Hecheng Display Technology Co., Ltd. | Liquid crystal display device and driving method thereof |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3361029B2 (en) | Display device | |
| US9075280B2 (en) | Components and methods for use in electro-optic displays | |
| KR101640816B1 (en) | Electrophoretic display device and method for fabricating the same | |
| JP5308719B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
| CN101836167B (en) | Multi-layer sheet for use in electro-optic displays | |
| TWI289215B (en) | Liquid crystal display device and production method thereof | |
| US20060152473A1 (en) | Electrophoretic multi-color display device | |
| US11036101B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
| US20220146898A1 (en) | Liquid crystal cell and electronic device | |
| TW201205178A (en) | Electrophoretic display device and method for manufacturing the same | |
| JP2007298894A (en) | Display device, its manufacturing method and display system | |
| JPH1152415A (en) | Liquid crystal display element | |
| KR100710176B1 (en) | Reflective Type Liquid Crystal Display Device And Method For Fabricating The Same | |
| EP2711770B1 (en) | Electro-optic displays | |
| JPH0980401A (en) | Liquid crystal display device and its production | |
| TW512252B (en) | Liquid crystal display device and electronic equipment using the same | |
| JP3074101B2 (en) | Liquid crystal display | |
| US8270065B2 (en) | Colored electrophoretic display | |
| KR20090061470A (en) | Electrophoretic display device and method for fabricating the same | |
| JP3159804B2 (en) | Liquid crystal display | |
| CN114167656A (en) | Inorganic electrochromic device and display apparatus | |
| JPH08313939A (en) | Liquid crystal display device and its driving method | |
| CN1217222C (en) | Liquid-crystal display device and electronic apparatus | |
| JP2003186046A (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH1068969A (en) | Liquid crystal display element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |