JPH098004A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH098004A JPH098004A JP15581995A JP15581995A JPH098004A JP H098004 A JPH098004 A JP H098004A JP 15581995 A JP15581995 A JP 15581995A JP 15581995 A JP15581995 A JP 15581995A JP H098004 A JPH098004 A JP H098004A
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- Japan
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- gas
- wafer
- etching
- inert gas
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】メカクランプ機構を備えたドライエッチング装
置を用いてＳｉウェハー上に形成されたＳｉＯ2 膜をエ
ッチングする際、クランプリング近傍のエッチレートの
低下を防止する。 【構成】Ｈｅガスを含む不活性ガスを、ハロゲン化炭素
系ガスの１０倍以上を供給し、且つ不活性ガス中に含ま
れるＨｅガスの流量比を少なくとも２０％に設定する。
これによりウェハー周辺部まで均一にエッチングするこ
とが出来、ウェハーの収率が向上する。
置を用いてＳｉウェハー上に形成されたＳｉＯ2 膜をエ
ッチングする際、クランプリング近傍のエッチレートの
低下を防止する。 【構成】Ｈｅガスを含む不活性ガスを、ハロゲン化炭素
系ガスの１０倍以上を供給し、且つ不活性ガス中に含ま
れるＨｅガスの流量比を少なくとも２０％に設定する。
これによりウェハー周辺部まで均一にエッチングするこ
とが出来、ウェハーの収率が向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特にウェハークランプ機構を備えたドライエッ
チング装置を用いた酸化シリコン膜のエッチング方法に
関する。
に関し、特にウェハークランプ機構を備えたドライエッ
チング装置を用いた酸化シリコン膜のエッチング方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の形成工程において、シ
リコンウェハー（以下単にウェハーと記す）上の酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）膜をドライエッチングする場合に
は、平行平板型ドライエッチング装置やこれに磁場を加
えたマグネトロンＲＩＥ方式の装置、更には、磁場とマ
イクロ波の共鳴作用を利用したＥＣＲ方式の装置や誘導
ＲＦプラズマを利用した、ドライエッチング装置などが
使用されている。これらの装置を用いてドライエッチン
グする場合、ホトレジストの熱変質やエッチング時の選
択比の低下を防止する為に、エッチング中にウェハーを
冷却する場合が多い。
リコンウェハー（以下単にウェハーと記す）上の酸化シ
リコン（ＳｉＯ2 ）膜をドライエッチングする場合に
は、平行平板型ドライエッチング装置やこれに磁場を加
えたマグネトロンＲＩＥ方式の装置、更には、磁場とマ
イクロ波の共鳴作用を利用したＥＣＲ方式の装置や誘導
ＲＦプラズマを利用した、ドライエッチング装置などが
使用されている。これらの装置を用いてドライエッチン
グする場合、ホトレジストの熱変質やエッチング時の選
択比の低下を防止する為に、エッチング中にウェハーを
冷却する場合が多い。
【０００３】例えば、ＳｉＯ2 膜にコンタクトホールを
形成する場合は、高バイアスでエッチングする為にウェ
ハー温度が上昇し易く、ウェハーを冷却する必要があ
る。また、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒ
ａｉｎ）構造のＭＯＳ素子のゲート電極の側面にサイド
ウォールを形成する場合には、下地のＳｉ基板との選択
比を確保する為にウェハーを冷却する必要がある。ウェ
ハーを効率よく冷却する為には、冷却されたステージ上
にウェハーをのせ、ウェハー裏面とステージ間にＨｅガ
スを流すと共に、ウェハーが位置ずれを起こさない様に
ウェハーの周囲を機械的に固定するメカクランプ方式が
用いられる。以下図面を用いて説明する。
形成する場合は、高バイアスでエッチングする為にウェ
ハー温度が上昇し易く、ウェハーを冷却する必要があ
る。また、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒ
ａｉｎ）構造のＭＯＳ素子のゲート電極の側面にサイド
ウォールを形成する場合には、下地のＳｉ基板との選択
比を確保する為にウェハーを冷却する必要がある。ウェ
ハーを効率よく冷却する為には、冷却されたステージ上
にウェハーをのせ、ウェハー裏面とステージ間にＨｅガ
スを流すと共に、ウェハーが位置ずれを起こさない様に
ウェハーの周囲を機械的に固定するメカクランプ方式が
用いられる。以下図面を用いて説明する。
【０００４】図５は一般的に用いられている平行平板型
ドライエッチング装置の処理室内の断面図である。その
要部は、外壁８により囲まれ内部が所定の真空度に維持
される処理室１と、ウェハーのステージを兼ねる下部電
極２と、反応ガスの吹き出し口を有する上部電極３と、
ウェハー４を保持するクランプリング５と、電極の周囲
を保護する絶縁リング６とにより構成されている。クラ
ンプリング５の材質は、プラズマを処理室１の内部にフ
ォーカスし且つ消耗を防ぐために、セラミックやベスペ
ル、アルミアルマイトの様な絶縁体が用いられる。
ドライエッチング装置の処理室内の断面図である。その
要部は、外壁８により囲まれ内部が所定の真空度に維持
される処理室１と、ウェハーのステージを兼ねる下部電
極２と、反応ガスの吹き出し口を有する上部電極３と、
ウェハー４を保持するクランプリング５と、電極の周囲
を保護する絶縁リング６とにより構成されている。クラ
ンプリング５の材質は、プラズマを処理室１の内部にフ
ォーカスし且つ消耗を防ぐために、セラミックやベスペ
ル、アルミアルマイトの様な絶縁体が用いられる。
【０００５】次に動作について説明する。ウェハー４
は、外部の温調機７によって温度コントロールされた下
部電極２上にロボットアーム（図示なし）等を介して設
置された後、下部電極２又はクランプリング５が上昇又
は下降することにより、ウェハー４の全周又は周辺数ヵ
所が数ｍｍの幅でクランプリング５により機械的に押さ
えられ保持される。次にウェハー４の裏面に下部電極２
からＨｅガスを流し、ウェハー４を効率よく冷却する。
その後、上部電極３からエッチングガスを導入した後、
下部電極２にＲＦを印加してエッチングを行う。
は、外部の温調機７によって温度コントロールされた下
部電極２上にロボットアーム（図示なし）等を介して設
置された後、下部電極２又はクランプリング５が上昇又
は下降することにより、ウェハー４の全周又は周辺数ヵ
所が数ｍｍの幅でクランプリング５により機械的に押さ
えられ保持される。次にウェハー４の裏面に下部電極２
からＨｅガスを流し、ウェハー４を効率よく冷却する。
その後、上部電極３からエッチングガスを導入した後、
下部電極２にＲＦを印加してエッチングを行う。
【０００６】ＳｉＯ2 膜をエッチングする為のエッチン
グガスとしては、ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3系ガスやＡｒ又はＨ
ｅガスを添加したＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒ系ガス及びＣ
Ｆ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｈｅ系ガス（特開昭６２−７３７２４
号公報）や、ＡｒとＨｅガスを同時に添加した、ＣＦ4
＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒ＋Ｈｅ系ガス（特開平１−２３８１２
号公報）が用いられている。
グガスとしては、ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3系ガスやＡｒ又はＨ
ｅガスを添加したＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒ系ガス及びＣ
Ｆ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｈｅ系ガス（特開昭６２−７３７２４
号公報）や、ＡｒとＨｅガスを同時に添加した、ＣＦ4
＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒ＋Ｈｅ系ガス（特開平１−２３８１２
号公報）が用いられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】半導体集積回路の高密
度化や高集積化に伴い、チップサイズが大きくなるとウ
ェハー１枚当りのショット数が減少する為、ウェハーの
最外周にまでチップを製造することが求められている。
しかし、図５に示したように、ウェハー冷却の為のクラ
ンプ機構が設けられていると、エッチングガスとしてＣ
Ｆ4 ＋ＣＨＦ3 系ガスや、ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒ系ガ
スを用いた場合、処理室１内に発生したプラズマがクラ
ンプリング５や、絶縁リング６により処理室内部にフォ
ーカスされ、クランプリング５の近傍で急激にプラズマ
密度が薄くなる為に、ＳｉＯ2 膜に対するエッチングレ
ートも極端に低下してしまうという問題があった。エッ
チングガスとしてＣＨ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｈｅ系ガスやＡｒ
とＨｅを同時に添加したＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒ＋Ｈｅ
系ガスの場合でも、同様の問題が発生した。
度化や高集積化に伴い、チップサイズが大きくなるとウ
ェハー１枚当りのショット数が減少する為、ウェハーの
最外周にまでチップを製造することが求められている。
しかし、図５に示したように、ウェハー冷却の為のクラ
ンプ機構が設けられていると、エッチングガスとしてＣ
Ｆ4 ＋ＣＨＦ3 系ガスや、ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒ系ガ
スを用いた場合、処理室１内に発生したプラズマがクラ
ンプリング５や、絶縁リング６により処理室内部にフォ
ーカスされ、クランプリング５の近傍で急激にプラズマ
密度が薄くなる為に、ＳｉＯ2 膜に対するエッチングレ
ートも極端に低下してしまうという問題があった。エッ
チングガスとしてＣＨ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ｈｅ系ガスやＡｒ
とＨｅを同時に添加したＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 ＋Ａｒ＋Ｈｅ
系ガスの場合でも、同様の問題が発生した。
【０００８】本発明の目的は、クランプ機構を有するエ
ッチング装置を用いてもウェハー端部まで酸化シリコン
膜を均一にエッチングできる半導体装置の製造方法を提
供することにある。
ッチング装置を用いてもウェハー端部まで酸化シリコン
膜を均一にエッチングできる半導体装置の製造方法を提
供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、ウェハーのクランプ機構を備えたドライエッ
チング装置を用いて、シリコンウェハー上に形成された
ＳｉＯ2 膜を加工する際、分子量の小さいＨｅガスを含
む不活性ガスをハロゲン化炭素系ガスの流量の１０倍以
上を供給するものであり、特に不活性ガス中に含まれる
Ｈｅガスの割合を少なくとも２０％に設定することを特
徴とする。
造方法は、ウェハーのクランプ機構を備えたドライエッ
チング装置を用いて、シリコンウェハー上に形成された
ＳｉＯ2 膜を加工する際、分子量の小さいＨｅガスを含
む不活性ガスをハロゲン化炭素系ガスの流量の１０倍以
上を供給するものであり、特に不活性ガス中に含まれる
Ｈｅガスの割合を少なくとも２０％に設定することを特
徴とする。
【００１０】
【作用】エッチングガスとしてのハロゲン化炭素系ガス
に分子量の小さい不活性ガスを多量に添加することによ
り、この不活性ガスがキャリアガスとなりエッチング作
用を及ぼすプラズマを中心部から外側に拡げる為、Ｓｉ
Ｏ2 膜のエッチングレートはウェハーの端部迄均一とな
る。
に分子量の小さい不活性ガスを多量に添加することによ
り、この不活性ガスがキャリアガスとなりエッチング作
用を及ぼすプラズマを中心部から外側に拡げる為、Ｓｉ
Ｏ2 膜のエッチングレートはウェハーの端部迄均一とな
る。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。図４は本発明の一実施例を説明する為の半
導体チップの断面図である。
て説明する。図４は本発明の一実施例を説明する為の半
導体チップの断面図である。
【００１２】図４に示すように、拡散等により所定の素
子が形成されたＳｉウェハー１０上に、熱酸化等によ
り、ＳｉＯ2 膜１１を形成し、続いてその上にフォトレ
ジスト膜１２を形成し、パターニングして開口部１３を
形成する。次にこのＳｉウェハー１０を図５に示した平
行平板型ドライエッチング装置の下部電極２上に設置
し、エッチングガスとしてＣＨＦ3 ＋ＣＦ4 に不活性ガ
スとしてＡｒ＋Ｈｅを添加した混合ガスを上部電極３よ
り導入し、電極間に高周波電圧を印加してプラズマを発
生させ、ＳｉＯ2 膜１１をエッチングしコンタクト孔を
形成した。この時の混合ガスの流量は、ＣＨＦ3 ＝２０
ＳＣＣＭ，ＣＦ4 ＝２０ＳＣＣＭ，Ｈｅ７５％を含む不
活性ガス＝４００ＳＣＣＭである。
子が形成されたＳｉウェハー１０上に、熱酸化等によ
り、ＳｉＯ2 膜１１を形成し、続いてその上にフォトレ
ジスト膜１２を形成し、パターニングして開口部１３を
形成する。次にこのＳｉウェハー１０を図５に示した平
行平板型ドライエッチング装置の下部電極２上に設置
し、エッチングガスとしてＣＨＦ3 ＋ＣＦ4 に不活性ガ
スとしてＡｒ＋Ｈｅを添加した混合ガスを上部電極３よ
り導入し、電極間に高周波電圧を印加してプラズマを発
生させ、ＳｉＯ2 膜１１をエッチングしコンタクト孔を
形成した。この時の混合ガスの流量は、ＣＨＦ3 ＝２０
ＳＣＣＭ，ＣＦ4 ＝２０ＳＣＣＭ，Ｈｅ７５％を含む不
活性ガス＝４００ＳＣＣＭである。
【００１３】このエッチングガスを用いてＳｉＯ2 膜１
１をエッチングした結果、Ｓｉウェハー１０の周辺３ｍ
ｍ迄の面内のエッチングレートの均一性は従来の±１０
％から±２．２％に向上させることができた。尚、ＣＨ
Ｆ3 等のハロゲン化炭素系ガスに添加する不活性ガスの
割合は１０倍以上が、そして不活性ガス中のＨｅの割合
は２０％がよい。以下その理由について説明する。
１をエッチングした結果、Ｓｉウェハー１０の周辺３ｍ
ｍ迄の面内のエッチングレートの均一性は従来の±１０
％から±２．２％に向上させることができた。尚、ＣＨ
Ｆ3 等のハロゲン化炭素系ガスに添加する不活性ガスの
割合は１０倍以上が、そして不活性ガス中のＨｅの割合
は２０％がよい。以下その理由について説明する。
【００１４】図１は、図５に示した平行平板型ドライエ
ッチング装置を用い、クランプリング５でウェハー４の
全周を２ｍｍの幅でクランプし、ＣＨＦ3 ＋ＣＦ4 のエ
ッチングガスに不活性ガス（Ａｒ＋２０％Ｈｅ）を添加
してシリコンウェハー上に形成されたＳｉＯ2 膜をエッ
チングした場合のウェハー面内におけるＳｉＯ2 膜のエ
ッチングレートを示すものである。図１より不活性ガス
がエッチングガス（ＣＨＦ3 ＋ＣＦ4 ）の５倍の場合
は、エッチングレートは上に凸の分布を示しそのばらつ
きは大きいことが分る。不活性ガスの添加量が増加する
に従い、不活性ガス、特に分子量の小さいＨｅがキャリ
アガスとなりプラズマを外に拡げる為、エッチングレー
トの分布は下に凸へと変化し、不活性ガスの割合が約１
０倍でエッチングレートはウェハーの周辺部迄均一とな
る。図２にこの時のウェハー外周（端部）からの距離と
エッチングレートの面内均一性（ばらつき）との関係を
示す。図２に示されるように、不活性ガスの割合が５倍
の場合はクランプリングの影響を受け、ウェハー周辺部
のエッチングレートが低下する為、ウェハー周辺部３ｍ
ｍまでは±１０％以上ばらつくのに対し、不活性ガスの
割合が１０倍では±２．２％のばらつきとなる。
ッチング装置を用い、クランプリング５でウェハー４の
全周を２ｍｍの幅でクランプし、ＣＨＦ3 ＋ＣＦ4 のエ
ッチングガスに不活性ガス（Ａｒ＋２０％Ｈｅ）を添加
してシリコンウェハー上に形成されたＳｉＯ2 膜をエッ
チングした場合のウェハー面内におけるＳｉＯ2 膜のエ
ッチングレートを示すものである。図１より不活性ガス
がエッチングガス（ＣＨＦ3 ＋ＣＦ4 ）の５倍の場合
は、エッチングレートは上に凸の分布を示しそのばらつ
きは大きいことが分る。不活性ガスの添加量が増加する
に従い、不活性ガス、特に分子量の小さいＨｅがキャリ
アガスとなりプラズマを外に拡げる為、エッチングレー
トの分布は下に凸へと変化し、不活性ガスの割合が約１
０倍でエッチングレートはウェハーの周辺部迄均一とな
る。図２にこの時のウェハー外周（端部）からの距離と
エッチングレートの面内均一性（ばらつき）との関係を
示す。図２に示されるように、不活性ガスの割合が５倍
の場合はクランプリングの影響を受け、ウェハー周辺部
のエッチングレートが低下する為、ウェハー周辺部３ｍ
ｍまでは±１０％以上ばらつくのに対し、不活性ガスの
割合が１０倍では±２．２％のばらつきとなる。
【００１５】このようにウェハー面内のエッチングレー
ト分布が平坦になる現像はエッチング処理における圧力
にも関係する為、ＳｉＯ2 膜のエッチング目的に応じた
処理圧力に対して不活性ガスの添加量やＨｅの割合を定
める必要がある。図３は、エッチングレートの面内均一
性（ばらつき）をウェハー周辺３ｍｍまで±２．２％以
内に維持する為の不活性ガスの割合と不活性ガス中のＨ
ｅの割合並びに圧力との関係を示したものである。例え
ば、ＬＤＤ構造のＭＯＳ素子のゲート電極側面にサイド
ウォール形成の為のＳｉＯ2 膜のエッチバックを行う場
合、Ｓｉ基板との選択比を確保する為に圧力を１０００
ｍＴｏｒｒとしてエッチングする場合、図３より不活性
ガスの割合を２０倍以上、不活性ガス中のＨｅの割合を
７０％以上に設定しなければならないことが分る。更に
通常のＳｉＯ2 膜のエッチングで使用される２０ｍＴｏ
ｒｒ以上の圧力領域では、不活性ガスの割合を１０倍以
上、不活性ガス中のＨｅの割合を２０％以上にする必要
があることが分る。これ以下の不活性ガスやＨｅの割合
ではエッチングレートの分布は平坦にならず、周辺部で
のエッチングレートのばらつきは大きくなる。
ト分布が平坦になる現像はエッチング処理における圧力
にも関係する為、ＳｉＯ2 膜のエッチング目的に応じた
処理圧力に対して不活性ガスの添加量やＨｅの割合を定
める必要がある。図３は、エッチングレートの面内均一
性（ばらつき）をウェハー周辺３ｍｍまで±２．２％以
内に維持する為の不活性ガスの割合と不活性ガス中のＨ
ｅの割合並びに圧力との関係を示したものである。例え
ば、ＬＤＤ構造のＭＯＳ素子のゲート電極側面にサイド
ウォール形成の為のＳｉＯ2 膜のエッチバックを行う場
合、Ｓｉ基板との選択比を確保する為に圧力を１０００
ｍＴｏｒｒとしてエッチングする場合、図３より不活性
ガスの割合を２０倍以上、不活性ガス中のＨｅの割合を
７０％以上に設定しなければならないことが分る。更に
通常のＳｉＯ2 膜のエッチングで使用される２０ｍＴｏ
ｒｒ以上の圧力領域では、不活性ガスの割合を１０倍以
上、不活性ガス中のＨｅの割合を２０％以上にする必要
があることが分る。これ以下の不活性ガスやＨｅの割合
ではエッチングレートの分布は平坦にならず、周辺部で
のエッチングレートのばらつきは大きくなる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、Ｓｉウェ
ハー上に形成されたＳｉＯ2 膜をエッチングする際、Ｈ
ｅガスを含む不活性ガスをエッチングガスとしてのハロ
ゲン化炭素ガスの１０倍以上供給し、且つ、不活性ガス
中に含まれるＨｅガスの割合を２０％以上に設定するこ
とにより、プラズマを周辺部に拡げられる為、ウェハー
の全周を２ｍｍの幅でメカクランプするドライエッチン
グ装置を用いた場合でもウェハー周辺３ｍｍまでのエッ
チングレートの均一性を向上させることができる。この
為ウェハーの収率を４％以上増加させることができる。
ハー上に形成されたＳｉＯ2 膜をエッチングする際、Ｈ
ｅガスを含む不活性ガスをエッチングガスとしてのハロ
ゲン化炭素ガスの１０倍以上供給し、且つ、不活性ガス
中に含まれるＨｅガスの割合を２０％以上に設定するこ
とにより、プラズマを周辺部に拡げられる為、ウェハー
の全周を２ｍｍの幅でメカクランプするドライエッチン
グ装置を用いた場合でもウェハー周辺３ｍｍまでのエッ
チングレートの均一性を向上させることができる。この
為ウェハーの収率を４％以上増加させることができる。
【図１】不活性ガスの割合とウェハー面内のエッチング
レートとの関係を示す図。
レートとの関係を示す図。
【図２】不活性ガスの割合とウェハー面内の外周部にお
けるエッチングレートとの関係を示す図。
けるエッチングレートとの関係を示す図。
【図３】エッチングレートの割合を一定にする為の不活
性ガスの割合とＨｅの割合と圧力との関係を示す図。
性ガスの割合とＨｅの割合と圧力との関係を示す図。
【図４】本発明の一実施例を説明する為のＳｉウェハー
の断面図。
の断面図。
【図５】平行平板型ドライエッチング装置の断面図。
１ 処理室 ２ 下部電極 ３ 上部電極 ４ ウェハー ５ クランプリング ６ 絶縁リング ７ 温調機 ８ 外壁 １０ Ｓｉウェハー １１ ＳｉＯ2 膜 １２ フォトレジスト膜 １３ 開口部
Claims (4)
- 【請求項１】 ウェハーのクランプ機構を備えたドライ
エッチング装置を用いてシリコンウェハー上に形成され
た酸化シリコン膜をエッチングする半導体装置の製造方
法において、エッチングガスとしてハロゲン化炭素系ガ
スとこのハロゲン化炭素系ガスの１０倍以上の不活性ガ
スとの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項２】 不活性ガスは少くともヘリウム（Ｈｅ）
を含む請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 不活性ガス中のヘリウムの割合は２０％
以上である請求項２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 ドライエッチング装置は平行平板型であ
る請求項１記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15581995A JPH098004A (ja) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15581995A JPH098004A (ja) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098004A true JPH098004A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15614182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15581995A Pending JPH098004A (ja) | 1995-06-22 | 1995-06-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH098004A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002067313A1 (fr) * | 2001-02-23 | 2002-08-29 | Tokyo Electron Limited | Procede et dispositif de gravure au plasma |
| JP2002252213A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283391A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置 |
-
1995
- 1995-06-22 JP JP15581995A patent/JPH098004A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283391A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Tokyo Electron Ltd | エッチング装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002067313A1 (fr) * | 2001-02-23 | 2002-08-29 | Tokyo Electron Limited | Procede et dispositif de gravure au plasma |
| JP2002252213A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971028 |