JPH0969377A - Large current connector - Google Patents
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- JPH0969377A JPH0969377A JP7245481A JP24548195A JPH0969377A JP H0969377 A JPH0969377 A JP H0969377A JP 7245481 A JP7245481 A JP 7245481A JP 24548195 A JP24548195 A JP 24548195A JP H0969377 A JPH0969377 A JP H0969377A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、大電流用の導電路
を他の回路等に接続する大電流コネクタに関し、特に磁
束及びインダクタンスを低く維持したまま接続できる大
電流コネクタに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a large-current connector for connecting a large-current conductive path to another circuit or the like, and more particularly to a large-current connector that can be connected while maintaining low magnetic flux and inductance.
【0002】[0002]
【従来の技術】今日、IGBT(絶縁ゲート・バイポー
ラ・トランジスタ)などの半回路導体は、10〜200
0Aの大電流を扱うことができるようになりつつある。
このような大きな電流を扱う導電路は、その電流容量を
大きくする必要がある。そのためには、幅を広げるか又
は厚さを厚くするかする必要がある。幅を広げるとコン
パクトにできないので、大電流用導電路には一般に適当
な厚さの金属板(銅板やアルミ板など)から打ち抜き加
工により得られた打ち抜き導電板が使用されている。2. Description of the Related Art Today, half-circuit conductors such as IGBTs (insulated gate bipolar transistors) are 10-200.
It is becoming possible to handle a large current of 0 A.
The conductive path handling such a large current needs to have a large current capacity. For that purpose, it is necessary to widen the width or increase the thickness. Since it cannot be made compact when the width is widened, a punched conductive plate obtained by punching from a metal plate (copper plate, aluminum plate, etc.) having an appropriate thickness is generally used for a large current conductive path.
【0003】従来の大電流コネクタは、接触抵抗の削減
に重点が置かれていた。しかしながら、IGBTをはじ
めとする半導体技術の進歩で、電流変化ΔI/Δtが1
000A/μsの高速大電流パルスが取り扱われえるよ
うになった。Conventional high-current connectors have focused on reducing contact resistance. However, due to the progress of semiconductor technology such as IGBT, the current change ΔI / Δt is 1
It has become possible to handle high-speed high-current pulses of 000 A / μs.
【0004】このような高速大電流パルスを伝達する導
電路では、インダクタンスLが低いことが非常に重要に
なる。これはインダクタンスLがあると急激な電流変化
(ΔI/Δt)があったときに、ΔV=L(ΔI/Δ
t)の関係にしたがって、サージ電圧ΔVが発生するか
らである。このサージ電圧は、回路内の素子等を破壊す
るなどの悪影響をもたらすことになる。例えば、電流変
化ΔI/Δtが1000A/μsもあれば、わずかなイ
ンダクタンスLが大きなサージ電圧を発生させることに
なる。In the conductive path for transmitting such a high-speed large-current pulse, it is very important that the inductance L is low. This is because when there is a rapid current change (ΔI / Δt) with the inductance L, ΔV = L (ΔI / Δt
This is because the surge voltage ΔV is generated according to the relationship of t). This surge voltage will cause adverse effects such as destruction of elements in the circuit. For example, if the current change ΔI / Δt is 1000 A / μs, even a slight inductance L will generate a large surge voltage.
【0005】インダクタンスを低減した高速大電流パル
ス導電路を形成する1つの方法は、1対の導電板を絶縁
層を介して対向して近接させ、その一方に電流信号の往
路を他方にこの電流信号の復路として使用する並行導電
路である。これによれば、1対の導電路で生じる磁束Φ
が互いに打ち消し合う。回路と交差する磁束Φは電流I
に比例し、Φ=LIの関係を有するので、磁束Φを低減
すれば導電路におけるインダクタンスLを小さくでき
る。One method of forming a high-speed high-current pulse conductive path with reduced inductance is to place a pair of conductive plates in close proximity to each other with an insulating layer in between, and to one of them the forward path of the current signal and to the other of this current. It is a parallel conductive path used as a signal return path. According to this, the magnetic flux Φ generated in the pair of conductive paths
Cancel each other out. The magnetic flux Φ that intersects the circuit is the current I
And has a relationship of Φ = LI, the inductance L in the conductive path can be reduced by reducing the magnetic flux Φ.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述のように2000
A程度までの高速大電流パルスを扱う回路ではインダク
タンスを常に低く維持する必要がある。しかし、上述し
たような低インダクタンスの並行導電路を使用したとし
ても、インダクタンスを低く保ったまま他の回路やデバ
イス等に接続できなければ、回路全体としてのインダク
タンスを低減することはできない。As described above, 2000
In a circuit that handles high-speed, large-current pulses up to about A, the inductance must always be kept low. However, even if the parallel conductive paths with low inductance as described above are used, the inductance of the circuit as a whole cannot be reduced unless it can be connected to another circuit or device while keeping the inductance low.
【0007】また、磁束が発生すると回路の他の部分に
悪影響を与え、例えば誤動作等の原因になる。そのため
パーマロイなど高透磁率材料によるシールドが必要とな
り、コスト削減及び小型化の妨げになっていた。更に、
高透磁率材料にようシールドは、鉄損として作用して熱
エネルギーとなり、高速大電流パルス回路にエネルギー
損失をもたらす。Further, when the magnetic flux is generated, it adversely affects other parts of the circuit and causes malfunctions, for example. Therefore, a shield made of a material with high magnetic permeability such as permalloy is required, which hinders cost reduction and size reduction. Furthermore,
Like a high-permeability material, the shield acts as iron loss to generate thermal energy, which causes energy loss in the high-speed, high-current pulse circuit.
【0008】そこで本発明は、磁束及びインダクタンス
を低く維持したままで並行導電路を他の回路等に接続で
きる安価な大電流コネクタを提供することを目的として
いる。これは、高透磁率材料によるシールドが必要性が
かなり低いか、又は必要なくなるので、鉄損などのエネ
ルギー損出も少なくすることができるものである。Therefore, an object of the present invention is to provide an inexpensive large-current connector which can connect a parallel conductive path to another circuit or the like while keeping the magnetic flux and the inductance low. This makes it possible to reduce energy loss such as iron loss because the shield made of a high magnetic permeability material is considerably less necessary or unnecessary.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明は、一方を信号の
往路とし他方を信号の復路とするとともに、絶縁層を介
して互いに並行して対向する第1及び第2導電路を有す
る並行導電路に接続される大電流コネクタであって、第
1及び第2接続導体並びに第1及び第2接続導体を保持
するソケットとを具えている。第1及び第2接続導体
は、絶縁層を介して互いに近接する並行部及び並行導電
路の第1又は第2導電路と接続されるコンタクト部を夫
々有する。このとき第1及び第2接続導体の並行部は、
一方が信号の往路となり他方が信号の復路となるので、
磁束及びインダクタンスの発生が低減されることにな
る。SUMMARY OF THE INVENTION According to the present invention, one side is a signal forward path and the other side is a signal return path, and a parallel conductive path having first and second conductive paths facing each other in parallel via an insulating layer. A high current connector for connection to a path, comprising first and second connection conductors and a socket holding the first and second connection conductors. The first and second connection conductors each have a parallel portion adjacent to each other via an insulating layer and a contact portion connected to the first or second conductive path of the parallel conductive path. At this time, the parallel portion of the first and second connection conductors is
One of them is the outward path of the signal, and the other is the return path of the signal.
The generation of magnetic flux and inductance will be reduced.
【0010】本発明では、より具体的には第1及び第2
接続導体夫々の並行部及びコンタクト部間に段差を設け
ることにより、第1及び第2接続導体の並行部を絶縁層
を介して互いに近接させること及びコンタクト部の第1
又は第2導電路との接続を実現している。つまり、この
段差で並行導電路を大電流コネクタに係合又は接続させ
る空間を確保できるようにしている。In the present invention, more specifically, the first and second
By providing a step between the parallel portion and the contact portion of each of the connection conductors, the parallel portions of the first and second connection conductors are brought close to each other via the insulating layer and the first portion of the contact portion is provided.
Alternatively, the connection with the second conductive path is realized. In other words, this step makes it possible to secure a space for engaging or connecting the parallel conductive path to the high-current connector.
【0011】また、本発明では、第1及び第2接続導体
のコンタクト部を互いに対向させ、並行導電路の厚さに
対応して離間させることようにしている。これによっ
て、コンタクト部による並行導電路の第1又は第2導電
路との係合又は接続を実現できるようにしている。これ
らによって、第1及び第2接続導体のコンタクト部が夫
々対応する並行導電路の第1及び第2導電路と係合し、
電気的に接続される。Further, in the present invention, the contact portions of the first and second connecting conductors are made to face each other and are separated according to the thickness of the parallel conductive paths. This makes it possible to realize engagement or connection of the parallel conductive path with the first or second conductive path by the contact portion. By these, the contact portions of the first and second connection conductors engage with the corresponding first and second conductive paths of the parallel conductive paths, respectively.
It is electrically connected.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】図1は、第2並行導電路14が接
続された状態の本発明による大電流コネクタ10の実施
例の側面断面図である。図2は、大電流コネクタ10に
接続する第1並行導電路12の断面図である。図3は、
本発明の大電流コネクタ10の分解斜視図である。第1
並行導電路12は、絶縁層12cを介して第1及び第2
導電路12a及び12bを近接して対向させて構成され
る。第2導電路14も同様な構成であって、第3及び第
4導電路14a及び14bを絶縁層14cを介して近接
して対向させている。ここでは、コネクタ10に対して
第3及び第4導電路14a及び14bをねじ棒14d及
びナット14eを用いて固定する実施例を示すが、第2
並行導電路14も第1並行導電路12と同様に係合によ
り着脱可能に接続できるものであっても良い。第1並行
導電路12の第1及び第2導電路12a及び12bは、
絶縁層12cを介して絶縁性の保持部材12d及び12
eにより保持される。図4は、この実施例における大電
流コネクタ10並びに第1及び第2並行導電路12及び
14の分解斜視図を示す。1 is a side sectional view of an embodiment of a large current connector 10 according to the present invention with a second parallel conductive path 14 connected. FIG. 2 is a sectional view of the first parallel conductive path 12 connected to the high-current connector 10. FIG.
It is an exploded perspective view of the large current connector 10 of this invention. First
The parallel conductive path 12 has the first and second conductive layers 12c via the insulating layer 12c.
The conductive paths 12a and 12b are arranged close to each other and face each other. The second conductive path 14 also has a similar structure, and the third and fourth conductive paths 14a and 14b are closely opposed to each other via the insulating layer 14c. Here, an example is shown in which the third and fourth conductive paths 14a and 14b are fixed to the connector 10 using the screw rod 14d and the nut 14e.
Similarly to the first parallel conductive path 12, the parallel conductive path 14 may be detachably connectable by engagement. The first and second conductive paths 12a and 12b of the first parallel conductive path 12 are
Insulating holding members 12d and 12 via the insulating layer 12c
held by e. FIG. 4 shows an exploded perspective view of the high current connector 10 and the first and second parallel conductive paths 12 and 14 in this embodiment.
【0013】大電流コネクタ10は、絶縁層16を介し
て第1及び第2接続導体18a及び18bを対向させ、
第1及び第2接続導体18a及び18bをソケット20
a及び20bで保持した構成となっている。第1及び第
2接続導体18a及び18bは、大電流を扱える必要が
あるため、例えば、適当な肉厚の金属板を打ち抜き加工
することにより形成される。ソケット20a及び20b
に夫々ある突起22a及び22bは、第1及び第2接続
導体18a及び18bをソケットに対して夫々位置決め
するためのものである。図3を参照するとソケット20
a及び20bは、ソケット20aにあるねじ穴24a及
び24bにねじ26を螺合させることによって互いに固
定される。ソケット20a及び20bは、プラスチック
など絶縁性高分子樹脂で形成される。なお、図では、ソ
ケットは2つに分離されたものをねじで固定することに
よって接続導体18a及び18b並びに絶縁層16を保
持する例を示しているが、接続導体18a及び18b並
びに絶縁層16を保持した状態で一体形成するソケット
であっても良い。The high-current connector 10 has the first and second connecting conductors 18a and 18b opposed to each other with the insulating layer 16 in between.
The first and second connection conductors 18a and 18b are connected to the socket 20.
The structure is held by a and 20b. Since the first and second connection conductors 18a and 18b are required to handle a large current, they are formed by punching a metal plate having an appropriate thickness, for example. Sockets 20a and 20b
The protrusions 22a and 22b, respectively, are for positioning the first and second connecting conductors 18a and 18b with respect to the socket, respectively. Referring to FIG. 3, the socket 20
The a and 20b are fixed to each other by screwing a screw 26 into the screw holes 24a and 24b in the socket 20a. The sockets 20a and 20b are formed of an insulating polymer resin such as plastic. In the figure, the socket is shown as an example in which the connection conductors 18a and 18b and the insulating layer 16 are held by fixing the two separated sockets with screws. It may be a socket that is integrally formed while being held.
【0014】図5は、第1並行導電路12を大電流コネ
クタ10に係合させて電気的及びメカ的に接続した状態
を示す断面図である。第1及び第2接続導体18a及び
18bには、夫々並行部30a及び30b並びにコンタ
クト部32a及び32bがある。破線で夫々示すコンタ
クト部32a及び32bは、夫々第1導電路12a及び
12bと夫々接触係合し電気的及びメカ的に接続され
る。接触子28a及び28bは、第1並行導電路12の
導電路12a及び12bとコンタクト部32a及び32
bとの接触を夫々確実にするためのもので、電気的接続
及びメカ的な係合を補助している。これは、例えば周知
の板ばね等で構成される。FIG. 5 is a sectional view showing a state in which the first parallel conductive path 12 is engaged with the large current connector 10 and electrically and mechanically connected. The first and second connection conductors 18a and 18b have parallel portions 30a and 30b and contact portions 32a and 32b, respectively. The contact portions 32a and 32b indicated by broken lines are in contact and engagement with the first conductive paths 12a and 12b, respectively, and are electrically and mechanically connected. The contacts 28a and 28b include the conductive paths 12a and 12b of the first parallel conductive path 12 and the contact portions 32a and 32.
It is for ensuring the contact with b respectively, and assists the electrical connection and the mechanical engagement. This is composed of, for example, a well-known leaf spring.
【0015】破線に示す第1接続導体18aの並行部3
0aは、第2接続導体18bの並行部30bと絶縁層1
6を介して並行に近接し、互いに対向している。上述の
従来例での説明と同じく、第1及び第2導電路12a及
び12bの一方を信号の往路とし他方を信号の復路とす
るように用いれば、第1及び第2接続導体18a及び1
8bの並行部30a及び30bは、その一方が信号の往
路となり他方が信号の復路となる。よって、並行部30
a及び30で発生する磁束は互いに打ち消し合って低減
され、これにともないインダクタンスも低減される。The parallel portion 3 of the first connecting conductor 18a shown by the broken line
0a is the parallel portion 30b of the second connection conductor 18b and the insulating layer 1
6 are close to each other in parallel and face each other. As in the case of the above-described conventional example, if one of the first and second conductive paths 12a and 12b is used as a signal outgoing path and the other is used as a signal return path, the first and second connection conductors 18a and 1b are used.
One of the parallel sections 30a and 30b of 8b serves as a signal outward path and the other serves as a signal return path. Therefore, the parallel part 30
The magnetic fluxes generated in a and 30 cancel each other and are reduced, and the inductance is also reduced accordingly.
【0016】接続導体の並行部30aとコンタクト部3
2a、並行部30bとコンタクト部32b間には、夫々
段差部31a及び31bが設けられる。この段差部によ
る段差は、第1及び第2並行導電路12及び14の厚さ
を夫々考慮して定められる。これにより、互いに対向し
たコンタクト部32a及び32b間は、第1並行導電路
12の厚さに対応して離間し、これによって第1並行導
電路12を大電流コネクタ10に係合接続させる空間が
確保される。互いに対向したコンタクト部32c及び3
2d間についても同様で、第2並行導電路14の厚さに
対応して離間し、これによって第2並行導電路14を大
電流コネクタ10に係合させる空間が確保される。The parallel portion 30a of the connecting conductor and the contact portion 3
2a, step portions 31a and 31b are provided between the parallel portion 30b and the contact portion 32b, respectively. The step due to the step portion is determined in consideration of the thicknesses of the first and second parallel conductive paths 12 and 14, respectively. As a result, the contact portions 32a and 32b facing each other are separated from each other in accordance with the thickness of the first parallel conductive path 12, thereby providing a space for engaging and connecting the first parallel conductive path 12 with the large current connector 10. Reserved. Contact portions 32c and 3 facing each other
The same applies to between 2d, and spaces are provided in correspondence with the thickness of the second parallel conductive path 14 to secure a space for engaging the second parallel conductive path 14 with the high-current connector 10.
【0017】同様に接続導体の並行部30cとコンタク
ト部32c、並行部30dとコンタクト部32d間に
は、夫々段差部31c及び31cが設けられる。これら
段差部は、例えば、金属板を打ち抜き加工したものを屈
曲して形成すれば良い。Similarly, step portions 31c and 31c are provided between the parallel portion 30c and the contact portion 32c of the connection conductor and between the parallel portion 30d and the contact portion 32d, respectively. These stepped portions may be formed by bending a punched metal plate, for example.
【0018】図面においては、都合上、導電路や接続導
体に比較して絶縁層を比較的厚く描いているが、絶縁層
は耐圧を確保できる範囲で薄いほどインダクタンスの発
生する空間を小さくできるので良い。絶縁層には、例え
ば、ポリエステル、ポリイミドなどの絶縁性高分子樹脂
のシートを用いれば安価である。また、いわゆるパウダ
ーコーティングによって、ミクロン単位の薄い絶縁層を
接続導体に形成するようにしても良い。In the drawings, the insulating layer is drawn relatively thicker than the conductive paths and the connecting conductors for the sake of convenience. However, the thinner the insulating layer is, the smaller the space in which the inductance is generated is because the thinner the insulating layer is. good. It is inexpensive to use a sheet of an insulating polymer resin such as polyester or polyimide for the insulating layer. Further, a so-called powder coating may be used to form a thin insulating layer of a micron unit on the connection conductor.
【0019】第1又は第2並行導電は、何らかのデバイ
ス(又は装置)の端子であっても良い。例えば、図6
は、このようなデバイス例として大容量の電解コンデン
サ60を示す。電解コンデンサは、周知の如く比較的大
きな電荷を蓄積でき、従ってその端子には大電流が流れ
る。コンデンサ60の端子60a及び60bは、絶縁層
60cを介して近接して対向しており、これによって端
子で発生するインダクタンスを低減している。このコン
デンサ60の端子を、上述の例で言えば、第1並行導電
路12の第1及び第2導電路として用いて、本発明の大
電流コネクタと係合又は接続できるようにしても良い。
コンデンサに限らず、パッケージ化された大電流を扱う
装置又は回路の端子を並行導電路として形成し、本発明
の大電流コネクタと係合できるようにしても良い。The first or second parallel conductor may be a terminal of some device (or apparatus). For example, FIG.
Shows a large-capacity electrolytic capacitor 60 as an example of such a device. As is well known, an electrolytic capacitor can store a relatively large amount of electric charge, so that a large current flows through its terminals. The terminals 60a and 60b of the capacitor 60 closely oppose each other via the insulating layer 60c, thereby reducing the inductance generated at the terminals. In the above example, the terminals of the capacitor 60 may be used as the first and second conductive paths of the first parallel conductive path 12 so that they can be engaged with or connected to the high-current connector of the present invention.
Not limited to capacitors, terminals of a packaged device or circuit for handling a large current may be formed as parallel conductive paths so that they can be engaged with the large current connector of the present invention.
【0020】上述した実施例の説明では、第1並行導電
路12に関して主に説明したが、第2並行導電路14に
ついても同様に実施できる。In the above description of the embodiment, the first parallel conductive path 12 has been mainly described, but the second parallel conductive path 14 can be similarly implemented.
【0021】第1及び第2接続導体12a及び12bの
コンタクト部32a及び32bが夫々対応する並行導電
路12の第1及び第2導電路12a及び12bと係合す
ることによって電気的に接続されるが、このとき、並行
導電路12の第1及び第2導電路12a及び12bと夫
々対応する並行部30a及び30bは、同一平面にある
ことに注意されたい。これによって、2000A近い大
電流は、実際にはコンタクト部32a及び32bを介し
て流れるものの、見かけ上、その流れる進路がほぼ一直
線(一平面)上にあることになる。これによって、効果
的に磁束及びインダクタンスを低減できるものである。The contact portions 32a and 32b of the first and second connecting conductors 12a and 12b are electrically connected by engaging with the corresponding first and second conductive paths 12a and 12b of the parallel conductive path 12, respectively. However, it should be noted that, at this time, the parallel portions 30a and 30b corresponding to the first and second conductive paths 12a and 12b of the parallel conductive path 12 are in the same plane. As a result, a large current of approximately 2000 A actually flows through the contact portions 32a and 32b, but apparently the course of the current is substantially on a straight line (one plane). Thereby, the magnetic flux and the inductance can be effectively reduced.
【0022】以上説明したように、本発明によれば、電
流が流れる際の磁束が低減され、よってインダクタンス
が低減されるので、サージ電圧の発生を低減することが
できる。また、大電流が流れる際に発生する磁束をパー
マロイ等の高透磁率材料によってシールドする必要性が
大幅に低くなる、又は2000A程度まで大電流の高速
パルスを扱う場合でもシールドの必要がなくなるので、
低価格化及び小型化に適し、低エネルギー損失になる。As described above, according to the present invention, the magnetic flux when a current flows is reduced and the inductance is reduced, so that the generation of surge voltage can be reduced. Further, the need to shield the magnetic flux generated when a large current flows with a high magnetic permeability material such as permalloy is significantly reduced, or the shield is not necessary even when handling a large current high-speed pulse up to about 2000 A,
Suitable for low price and miniaturization, resulting in low energy loss.
【0023】実施にあたっては、第1及び第2接続導体
夫々の並行部及びコンタクト部間に段差を設けることに
よって、第1及び第2接続導体の並行部を絶縁層を介し
て互いに近接させるとともに、コンタクト部の第1又は
第2導電路への係合又は接続を可能にしても良い。ま
た、第1及び第2接続導体のコンタクト部は互いに対向
し、並行導電路の厚さに対応して離間するようにしたこ
とで、コンタクト部の第1又は第2導電路への係合又は
接続を可能にしても良い。In implementation, by providing a step between the parallel portion and the contact portion of each of the first and second connecting conductors, the parallel portions of the first and second connecting conductors are brought close to each other via the insulating layer, and It may be possible to engage or connect the contact portion to the first or second conductive path. Further, since the contact portions of the first and second connecting conductors face each other and are separated according to the thickness of the parallel conductive paths, engagement of the contact portions with the first or second conductive paths or It may be possible to connect.
【図1】本発明の好適実施例の側面断面図である。FIG. 1 is a side sectional view of the preferred embodiment of the present invention.
【図2】本発明による大電流コネクタに接続される並行
導電路の断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of parallel conductive paths connected to a high current connector according to the present invention.
【図3】本発明の好適実施例の分解斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of the preferred embodiment of the present invention.
【図4】本発明の好適実施例による大電流コネクタ並び
に第1及び第2並行導電路の分解斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view of a high current connector and first and second parallel conductive paths according to a preferred embodiment of the present invention.
【図5】第1並行導電路を大電流コネクタに係合させて
電気的に接続した状態を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which a first parallel conductive path is engaged with and electrically connected to a large current connector.
【図6】電解コンデンサの端子を並行導電路とした実施
例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an embodiment in which the terminals of the electrolytic capacitor are parallel conductive paths.
10 大電流コネクタ 12 第1並行導電路 12a 第1導電路 12b 第2導電路 12c 絶縁層 14 第2並行導電路 14a 第3導電路 14b 第4導電路 14c 絶縁層 16 絶縁層 18a 第1接続導体 18b 第2接続導体 20 ソケット 28 接触子 30 並行部 31 段差部 32 コンタクト部 60 デバイス(電解コンデンサ) 60a 端子 60b 端子 60c 絶縁層 10 Large Current Connector 12 First Parallel Conductive Path 12a First Conductive Path 12b Second Conductive Path 12c Insulating Layer 14 Second Parallel Conductive Path 14a Third Conductive Path 14b Fourth Conductive Path 14c Insulating Layer 16 Insulating Layer 18a First Connection Conductor 18b Second connection conductor 20 Socket 28 Contact 30 Parallel part 31 Step part 32 Contact part 60 Device (electrolytic capacitor) 60a terminal 60b terminal 60c Insulation layer
Claims (5)
復路とするとともに、絶縁層を介して互いに並行して対
向する第1及び第2導電路を有する並行導電路に接続さ
れる大電流コネクタであって、 絶縁層を介して互いに近接する並行部及び上記第1又は
第2導電路と接続されるコンタクト部を夫々有する第1
及び第2接続導体と、 該第1及び第2接続導体を保持するソケットとを具え、 上記第1及び第2接続導体の上記並行部は、一方を上記
信号の往路とし他方を上記信号の復路とし、磁束及びイ
ンダクタンスの発生を低減することを特徴とする大電流
コネクタ。1. A large current, one of which is a signal forward path and the other of which is a signal return path, and which is connected to a parallel conductive path having first and second conductive paths facing each other in parallel via an insulating layer. A first connector having parallel parts that are in close proximity to each other via an insulating layer and contact parts that are connected to the first or second conductive paths.
And a second connection conductor, and a socket for holding the first and second connection conductors, wherein the parallel portion of the first and second connection conductors has one of the forward path of the signal and the other of the return path of the signal. A high-current connector characterized by reducing the generation of magnetic flux and inductance.
行部及び上記コンタクト部間には段差があることを特徴
とする請求項1記載の大電流コネクタ。2. The high-current connector according to claim 1, wherein there is a step between the parallel portion and the contact portion of each of the first and second connection conductors.
クト部は互いに対向し、上記並行導電路の厚さに対応し
て離間していることを特徴とする請求項1記載の大電流
コネクタ。3. The high-current connector according to claim 1, wherein the contact portions of the first and second connection conductors face each other and are separated from each other in correspondence with the thickness of the parallel conductive paths. .
路と夫々対応する上記第1及び第2接続導体の上記並行
部が夫々同一平面上にあることを特徴とする請求項2又
は3記載の大電流コネクタ。4. The parallel portions of the first and second connecting conductors respectively corresponding to the first and second conductive paths of the parallel conductive path are on the same plane, respectively. The high-current connector described in 3.
クト部が夫々対応する上記並行導電路の上記第1及び第
2導電路と係合することによって電気的に接続されるこ
とを特徴とする請求項2、3又は4記載の大電流コネク
タ。5. The contact portions of the first and second connection conductors are electrically connected by engaging with the first and second conductive paths of the corresponding parallel conductive paths, respectively. The high current connector according to claim 2, 3 or 4.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7245481A JPH0969377A (en) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | Large current connector |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7245481A JPH0969377A (en) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | Large current connector |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0969377A true JPH0969377A (en) | 1997-03-11 |
Family
ID=17134307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7245481A Pending JPH0969377A (en) | 1995-08-30 | 1995-08-30 | Large current connector |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0969377A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10128625B2 (en) | 2014-11-18 | 2018-11-13 | General Electric Company | Bus bar and power electronic device with current shaping terminal connector and method of making a terminal connector |
-
1995
- 1995-08-30 JP JP7245481A patent/JPH0969377A/en active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10128625B2 (en) | 2014-11-18 | 2018-11-13 | General Electric Company | Bus bar and power electronic device with current shaping terminal connector and method of making a terminal connector |
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