JPH096442A - 電源回路 - Google Patents
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- JPH096442A JPH096442A JP7150090A JP15009095A JPH096442A JP H096442 A JPH096442 A JP H096442A JP 7150090 A JP7150090 A JP 7150090A JP 15009095 A JP15009095 A JP 15009095A JP H096442 A JPH096442 A JP H096442A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積回路の外部電源を二電源及び単電源のど
ちらにでも対応できるとともに、単電源の場合でも集積
回路内部の消費電力を極力削減できる。 【構成】 集積回路１１の高電圧電源使用回路部１２に
は、高電圧供給端子１４を介して高電圧源Ｖｈを供給す
る。高電圧源Ｖｈより電圧降下回路１５を介して電流供
給端子１６に適当な低電圧を接続し、能動素子部１７に
電流を供給する。能動素子部１７にはバイアス回路１８
により安定した基準電圧を供給し、能動素子部１７の出
力から安定した高電圧源Ｖｈより低電圧の電源を取り出
し、低電圧電源使用回路部１３に供給する。
ちらにでも対応できるとともに、単電源の場合でも集積
回路内部の消費電力を極力削減できる。 【構成】 集積回路１１の高電圧電源使用回路部１２に
は、高電圧供給端子１４を介して高電圧源Ｖｈを供給す
る。高電圧源Ｖｈより電圧降下回路１５を介して電流供
給端子１６に適当な低電圧を接続し、能動素子部１７に
電流を供給する。能動素子部１７にはバイアス回路１８
により安定した基準電圧を供給し、能動素子部１７の出
力から安定した高電圧源Ｖｈより低電圧の電源を取り出
し、低電圧電源使用回路部１３に供給する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高電圧及び低電圧の
電源を必要とする集積回路における電源回路に関する。
電源を必要とする集積回路における電源回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年の集積回路においては、アナログ回
路部やデジタル回路部を混在したものが多く出回ってい
る。このような集積回路では、アナログ回路部に高電圧
電源、デジタル回路部に低電圧電源が必要となる場合が
多い。
路部やデジタル回路部を混在したものが多く出回ってい
る。このような集積回路では、アナログ回路部に高電圧
電源、デジタル回路部に低電圧電源が必要となる場合が
多い。
【０００３】図６は、従来の高電圧及び低電圧電源の使
用回路を有する集積回路の電源回路の構成を示すもので
ある。集積回路１内に構成された２は、高電圧電源使用
回路部であり、高電圧供給端子４を介して高電圧源Ｖｈ
に接続する。また、同集積回路１内に構成された３は、
低電圧電源使用回路部であり、低電圧供給端子５を介し
て低電圧源Ｖｌに接続する。
用回路を有する集積回路の電源回路の構成を示すもので
ある。集積回路１内に構成された２は、高電圧電源使用
回路部であり、高電圧供給端子４を介して高電圧源Ｖｈ
に接続する。また、同集積回路１内に構成された３は、
低電圧電源使用回路部であり、低電圧供給端子５を介し
て低電圧源Ｖｌに接続する。
【０００４】図６の構成では、高電圧及び低電圧電源Ｖ
ｈ、Ｖｌの使用回路を有する集積回路１の電源回路とし
ては、外部に必ず高・低の２種類の電圧源を必要とする
ため、回路設計に当たって集積回路１の外部自由度のな
いものであった。
ｈ、Ｖｌの使用回路を有する集積回路１の電源回路とし
ては、外部に必ず高・低の２種類の電圧源を必要とする
ため、回路設計に当たって集積回路１の外部自由度のな
いものであった。
【０００５】図７を用い、三端子レギュレータを使用し
た従来の電源回路について説明する。この構成では、高
電圧源を利用し安定度の高い低電圧源を得るものであ
る。すなわち、集積回路１は図６と同様の構成で示し、
三端子レギュレータ６の電源端子を高電圧源Ｖｈに、出
力端子を低電圧供給端子５に、共通端子を接地点にそれ
ぞれ接続する。
た従来の電源回路について説明する。この構成では、高
電圧源を利用し安定度の高い低電圧源を得るものであ
る。すなわち、集積回路１は図６と同様の構成で示し、
三端子レギュレータ６の電源端子を高電圧源Ｖｈに、出
力端子を低電圧供給端子５に、共通端子を接地点にそれ
ぞれ接続する。
【０００６】三端子レギュレータ６は、一般に安定した
電圧源を供給する素子として使用されており、図７の構
成により、安定した低電圧源を低電圧使用回路部３に供
給することができる。
電圧源を供給する素子として使用されており、図７の構
成により、安定した低電圧源を低電圧使用回路部３に供
給することができる。
【０００７】しかしながら、この電源回路では、外付け
された三端子レギュレータ６が高価であるため、集積回
路１１外部の負担が大きいという欠点があった。
された三端子レギュレータ６が高価であるため、集積回
路１１外部の負担が大きいという欠点があった。
【０００８】さらに、図８は電源回路を集積回路外部に
構成した従来例を説明するためのもので、集積回路１
は、図６、図７と同様の構成にしてある。また、集積回
路１の外にバイアス回路７及び低電圧源用のトランジス
タＱ１とにより電源回路を構成し、低電圧供給端子４を
介して低電圧電源使用回路部３に安定した低電圧源を供
給する。
構成した従来例を説明するためのもので、集積回路１
は、図６、図７と同様の構成にしてある。また、集積回
路１の外にバイアス回路７及び低電圧源用のトランジス
タＱ１とにより電源回路を構成し、低電圧供給端子４を
介して低電圧電源使用回路部３に安定した低電圧源を供
給する。
【０００９】このような構成において、バイアス回路７
は安定した定電位をトランジスタＱ１のベースに供給す
る。また、トランジスタＱ１のコレクタを高電圧源Ｖｈ
に接続し電流供給を得ることにより、トランジスタＱ１
のエミッタを出力とする安定した低電圧源を低電圧電源
使用回路部３に供給する。
は安定した定電位をトランジスタＱ１のベースに供給す
る。また、トランジスタＱ１のコレクタを高電圧源Ｖｈ
に接続し電流供給を得ることにより、トランジスタＱ１
のエミッタを出力とする安定した低電圧源を低電圧電源
使用回路部３に供給する。
【００１０】この手段でも、外付けで電源回路を構成す
るため、外付け部品数が多くなり、外付けが複雑になる
ばかりではなく、高価となり、集積回路外部の負担が大
きくなるという欠点があった。
るため、外付け部品数が多くなり、外付けが複雑になる
ばかりではなく、高価となり、集積回路外部の負担が大
きくなるという欠点があった。
【００１１】また、図９は電源回路を集積回路内部で構
成した従来の例を示すもので、集積回路１内に構成され
た２は、高電圧電源使用回路部であり、上記と同様、高
電圧供給端子４を介して高電圧源Ｖｈに接続する。同集
積回路１内の低電圧電源使用回路部３の電圧源は、バイ
アス回路７１及び集積回路１内で高電圧電源使用回路部
２にコレクタを接続した低電圧源用トランジスタＱ１１
で構成する電源回路により得る。
成した従来の例を示すもので、集積回路１内に構成され
た２は、高電圧電源使用回路部であり、上記と同様、高
電圧供給端子４を介して高電圧源Ｖｈに接続する。同集
積回路１内の低電圧電源使用回路部３の電圧源は、バイ
アス回路７１及び集積回路１内で高電圧電源使用回路部
２にコレクタを接続した低電圧源用トランジスタＱ１１
で構成する電源回路により得る。
【００１２】図９でのバイアス回路７１、トランジスタ
Ｑ１１は、図８同様の動作をし、低電圧電源使用回路部
３に安定した低電圧源を供給する。この構成では、集積
回路１外部の電源は単一で良いものの、集積回路１内部
でトランジスタＱ１１による高電圧からの電圧降下を生
じさせているため、集積回路１内の消費電力が大きくな
り、集積回路パッケージの熱容量の点で不利であるとい
う欠点があった。
Ｑ１１は、図８同様の動作をし、低電圧電源使用回路部
３に安定した低電圧源を供給する。この構成では、集積
回路１外部の電源は単一で良いものの、集積回路１内部
でトランジスタＱ１１による高電圧からの電圧降下を生
じさせているため、集積回路１内の消費電力が大きくな
り、集積回路パッケージの熱容量の点で不利であるとい
う欠点があった。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の電源回
路では、二電源方式にした場合、必ず集積回路外部で二
つの電源が必要となり集積回路外部の自由度がなく、高
電圧電源を利用し集積回路外部で電源回路を構成する場
合、外付け部品が高価となり、あるいは、外付け点数が
増えるため集積回路外部の負担が大きいという欠点があ
った。集積回路内部に電源回路を構成した単電源方式で
は、低電圧源用トランジスタによる消費電力が大きいた
め、集積回路内部での消費電力が大きくなり、集積回路
パッケージの熱容量の点で不利であるという欠点があっ
た。
路では、二電源方式にした場合、必ず集積回路外部で二
つの電源が必要となり集積回路外部の自由度がなく、高
電圧電源を利用し集積回路外部で電源回路を構成する場
合、外付け部品が高価となり、あるいは、外付け点数が
増えるため集積回路外部の負担が大きいという欠点があ
った。集積回路内部に電源回路を構成した単電源方式で
は、低電圧源用トランジスタによる消費電力が大きいた
め、集積回路内部での消費電力が大きくなり、集積回路
パッケージの熱容量の点で不利であるという欠点があっ
た。
【００１４】この発明は、集積回路の外部電源を二電源
及び単電源のどちらにでも対応できるとともに、単電源
の場合でも集積回路内部の消費電力を抑えることのでき
る電源回路を提供する。
及び単電源のどちらにでも対応できるとともに、単電源
の場合でも集積回路内部の消費電力を抑えることのでき
る電源回路を提供する。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明は、高電圧電源
を使用する第１の回路及び低電圧電源を使用する第２の
回路を有する集積回路において、前記第１の回路へ高電
圧電源を供給する第１の外部接続端子と、バイアス回路
と、前記バイアス回路から基準電圧の供給を受けて前記
第２の回路へ前記低電圧電源を供給する能動素子と、前
記能動素子の電源側から電流供給を受ける第２の外部接
続端子とからなることを特徴とする。
を使用する第１の回路及び低電圧電源を使用する第２の
回路を有する集積回路において、前記第１の回路へ高電
圧電源を供給する第１の外部接続端子と、バイアス回路
と、前記バイアス回路から基準電圧の供給を受けて前記
第２の回路へ前記低電圧電源を供給する能動素子と、前
記能動素子の電源側から電流供給を受ける第２の外部接
続端子とからなることを特徴とする。
【００１６】
【作用】上記した手段により、集積回路の外部電源を二
電源及び単電源のどちらでも選択可能で、集積回路外部
の自由度が増える。単一電源で使用の場合には、従来集
積回路内の低電圧源用能動素子で消費していた電力の大
部分を集積回路外で消費させることが可能で、集積回路
内部消費電力を極力削減でき、集積回路パッケージの熱
容量の点で有利である。
電源及び単電源のどちらでも選択可能で、集積回路外部
の自由度が増える。単一電源で使用の場合には、従来集
積回路内の低電圧源用能動素子で消費していた電力の大
部分を集積回路外で消費させることが可能で、集積回路
内部消費電力を極力削減でき、集積回路パッケージの熱
容量の点で有利である。
【００１７】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
にして詳細に説明する。図１はこの発明の一実施例を説
明するための回路構成図である。図１において、１１は
内部回路が異なる電圧により駆動される機能を備える集
積回路であり、高電圧電源使用回路部１２と低電圧電源
使用回路部１３を備える。この集積回路１１の高電圧供
給端子１４は高電圧電源Ｖｈに接続し、高電圧供給端子
１４は高電圧源使用回路部１２に接続する。また、高電
圧電源Ｖｈは電圧降下回路１５を介して集積回路１１の
電流供給端子１６に接続する。電流供給端子１６は、低
電圧源用の能動素子部１７の電流供給端に接続する。能
動素子部１７の基準電圧を受ける端子は、集積回路１１
内に構成されたバイアス回路１８に接続する。能動素子
部１７の出力は、低電圧電源使用回路部１３の低電圧電
源として接続する。
にして詳細に説明する。図１はこの発明の一実施例を説
明するための回路構成図である。図１において、１１は
内部回路が異なる電圧により駆動される機能を備える集
積回路であり、高電圧電源使用回路部１２と低電圧電源
使用回路部１３を備える。この集積回路１１の高電圧供
給端子１４は高電圧電源Ｖｈに接続し、高電圧供給端子
１４は高電圧源使用回路部１２に接続する。また、高電
圧電源Ｖｈは電圧降下回路１５を介して集積回路１１の
電流供給端子１６に接続する。電流供給端子１６は、低
電圧源用の能動素子部１７の電流供給端に接続する。能
動素子部１７の基準電圧を受ける端子は、集積回路１１
内に構成されたバイアス回路１８に接続する。能動素子
部１７の出力は、低電圧電源使用回路部１３の低電圧電
源として接続する。
【００１８】この構成では、バイアス回路１８により安
定した基準電圧を能動素子部１７に供給することによ
り、能動素子部１７の低電圧電源使用回路１３への電源
供給端の電位を安定にする。また、能動素子部１７の電
源側から電流供給を受ける電流供給端子１６に適当な低
電圧を接続し、能動素子部１７に電流供給し、低電圧電
源使用回路部１３に安定した低電圧源を供給する。
定した基準電圧を能動素子部１７に供給することによ
り、能動素子部１７の低電圧電源使用回路１３への電源
供給端の電位を安定にする。また、能動素子部１７の電
源側から電流供給を受ける電流供給端子１６に適当な低
電圧を接続し、能動素子部１７に電流供給し、低電圧電
源使用回路部１３に安定した低電圧源を供給する。
【００１９】この実施例による電源回路では、高電圧供
給端子１４に高電圧源Ｖｈを、能動素子部１７の電源側
から電流供給を受ける電流供給端子１６に、低電圧源を
接続することにより、二電源で使用できる。また、高電
圧供給端子１４に高電圧源を、高電圧供給端子１４と電
流供給端子１６間に電圧降下回路１５を接続することに
より単電源で使用でき、集積回路１１の外付けされる回
路設計の自由度が増すことになる。単電源で使用した場
合には、集積回路１１外部の電圧降下回路１５で電力消
費するため、集積回路内の消費電力が不要に増大するこ
とはない。
給端子１４に高電圧源Ｖｈを、能動素子部１７の電源側
から電流供給を受ける電流供給端子１６に、低電圧源を
接続することにより、二電源で使用できる。また、高電
圧供給端子１４に高電圧源を、高電圧供給端子１４と電
流供給端子１６間に電圧降下回路１５を接続することに
より単電源で使用でき、集積回路１１の外付けされる回
路設計の自由度が増すことになる。単電源で使用した場
合には、集積回路１１外部の電圧降下回路１５で電力消
費するため、集積回路内の消費電力が不要に増大するこ
とはない。
【００２０】図２は、図１の能動素子部１７をＮＰＮ型
のトランジスタで実現した場合の構成図を示すものであ
る。すなわち、能動素子部１７である、ＮＰＮトランジ
スタＱとし、ベースをバイアス回路１８に接続してバイ
アス回路１８からの基準電圧の供給を受け、エミッタを
低電圧源使用回路部１３に接続して電流を供給し、コレ
クタを電流供給端子１６に接続する。
のトランジスタで実現した場合の構成図を示すものであ
る。すなわち、能動素子部１７である、ＮＰＮトランジ
スタＱとし、ベースをバイアス回路１８に接続してバイ
アス回路１８からの基準電圧の供給を受け、エミッタを
低電圧源使用回路部１３に接続して電流を供給し、コレ
クタを電流供給端子１６に接続する。
【００２１】バイアス回路１８より供給される安定した
基準電圧をトランジスタＱのベースに供給することで、
トランジスタＱのエミッタ電位は安定し、低電圧電源使
用回路部１３に安定した低電圧を供給する。また、トラ
ンジスタＱのコレクタを電流供給端子１６を介して適当
な低電圧に接続し、トランジスタＱへの電流供給を行う
ことで、トランジスタＱのエミッタから低電圧電源使用
回路部１３への電流供給ができ、集積回路１１内の消費
電力を不必要に増大させることなく安定した低電圧源を
得る。
基準電圧をトランジスタＱのベースに供給することで、
トランジスタＱのエミッタ電位は安定し、低電圧電源使
用回路部１３に安定した低電圧を供給する。また、トラ
ンジスタＱのコレクタを電流供給端子１６を介して適当
な低電圧に接続し、トランジスタＱへの電流供給を行う
ことで、トランジスタＱのエミッタから低電圧電源使用
回路部１３への電流供給ができ、集積回路１１内の消費
電力を不必要に増大させることなく安定した低電圧源を
得る。
【００２２】また、トランジスタＱは、ｐチャネル型Ｍ
ＯＳトランジスタあるいは、ｎチャネル型ＭＯＳトラン
ジスタとしてもよい。
ＯＳトランジスタあるいは、ｎチャネル型ＭＯＳトラン
ジスタとしてもよい。
【００２３】図３は、単電源で使用した場合の、この他
の実施例を説明するための回路構成図である。図３にお
いて図２と同一部分には同一の符号を付して説明する。
すなわち、バイアス回路１８は、高電圧供給端子１４と
基準電位間に抵抗Ｒ３１、Ｒ３２を直列接続し、抵抗Ｒ
３１、Ｒ３２の接続点にはコレクタを基準電位点に、エ
ミッタが抵抗Ｒ３３を介して高電圧供給端子１４に接続
されたトランジスタＱ３１のベースにそれぞれ接続して
構成する。バイアス回路１８のトランジスタＱ３１のエ
ミッタを、トランジスタＱのベースに接続する。電圧降
下回路１８は、高電圧供給端子１４と電流供給端子１６
間に、ツェナーダイオードＺ３１を接続して構成する。
の実施例を説明するための回路構成図である。図３にお
いて図２と同一部分には同一の符号を付して説明する。
すなわち、バイアス回路１８は、高電圧供給端子１４と
基準電位間に抵抗Ｒ３１、Ｒ３２を直列接続し、抵抗Ｒ
３１、Ｒ３２の接続点にはコレクタを基準電位点に、エ
ミッタが抵抗Ｒ３３を介して高電圧供給端子１４に接続
されたトランジスタＱ３１のベースにそれぞれ接続して
構成する。バイアス回路１８のトランジスタＱ３１のエ
ミッタを、トランジスタＱのベースに接続する。電圧降
下回路１８は、高電圧供給端子１４と電流供給端子１６
間に、ツェナーダイオードＺ３１を接続して構成する。
【００２４】このように、バイアス回路は抵抗Ｒ３１と
Ｒ３２の抵抗分割比で決まる電圧からトランジスタＱ３
１のＶｂｅ（ベース・エミッタ間電圧）分上がった電圧
を基準電圧として能動素子部１７であるトランジスタＱ
のベースに供給する。そのため、低電圧電源使用回路１
３への電源供給端であるトランジスタＱのエミッタ電位
も安定する。トランジスタＱは、コレクタから電流供給
を受けなければ低電圧電源使用回路部１３に電源供給で
きないので、トランジスタＱのコレクタを電流供給端子
１６に接続しなければならない。このとき、トランジス
タＱのコレクタには、電流供給端子１６を介して、高電
圧源ＶｈにツェナーダイオードＺ３１を接続する。ツェ
ナーダイオードＺ３１は電流を流すと、ある適当な電圧
降下を生じる。従って、トランジスタＱに流れる電流に
よる電力消費の大部分をツェナーダイオードＺ３１の電
圧降下による消費電力として集積回路外部で消費させる
ことができる。
Ｒ３２の抵抗分割比で決まる電圧からトランジスタＱ３
１のＶｂｅ（ベース・エミッタ間電圧）分上がった電圧
を基準電圧として能動素子部１７であるトランジスタＱ
のベースに供給する。そのため、低電圧電源使用回路１
３への電源供給端であるトランジスタＱのエミッタ電位
も安定する。トランジスタＱは、コレクタから電流供給
を受けなければ低電圧電源使用回路部１３に電源供給で
きないので、トランジスタＱのコレクタを電流供給端子
１６に接続しなければならない。このとき、トランジス
タＱのコレクタには、電流供給端子１６を介して、高電
圧源ＶｈにツェナーダイオードＺ３１を接続する。ツェ
ナーダイオードＺ３１は電流を流すと、ある適当な電圧
降下を生じる。従って、トランジスタＱに流れる電流に
よる電力消費の大部分をツェナーダイオードＺ３１の電
圧降下による消費電力として集積回路外部で消費させる
ことができる。
【００２５】この実施例では、集積回路内部での低電圧
源用トランジスタによる電力消費の大部分を、高電圧供
給端子１４と電流供給端子１６間の電圧降下による電力
消費として集積回路１１の外部側で消費できるため、集
積回路の内部に電源回路を構成したことによる不要な集
積回路１１の消費電力増大はなく、集積回路パッケージ
の熱容量の点でも有利となる。
源用トランジスタによる電力消費の大部分を、高電圧供
給端子１４と電流供給端子１６間の電圧降下による電力
消費として集積回路１１の外部側で消費できるため、集
積回路の内部に電源回路を構成したことによる不要な集
積回路１１の消費電力増大はなく、集積回路パッケージ
の熱容量の点でも有利となる。
【００２６】なお、電圧降下回路１８は、ツェナーダイ
オードに限らず、抵抗あるいは抵抗及びトランジスタで
構成するバイアス回路でもよい。
オードに限らず、抵抗あるいは抵抗及びトランジスタで
構成するバイアス回路でもよい。
【００２７】図４は、この発明の第２の他の実施例を説
明するための回路構成図であり、図１の実施例と同一の
構成部分には同一の符号を付して説明する。この実施例
は、集積回路１１のジャンクション温度を検出する温度
検出回路４１を集積回路１１内に設け、出力値を温度検
出回路４１の出力端子４２を介して出力する。高電圧供
給端子１４と電流供給端子１６間に接続した制御型の電
圧降下回路１５１の降下電圧は、出力端子４２の出力値
により制御したものである。
明するための回路構成図であり、図１の実施例と同一の
構成部分には同一の符号を付して説明する。この実施例
は、集積回路１１のジャンクション温度を検出する温度
検出回路４１を集積回路１１内に設け、出力値を温度検
出回路４１の出力端子４２を介して出力する。高電圧供
給端子１４と電流供給端子１６間に接続した制御型の電
圧降下回路１５１の降下電圧は、出力端子４２の出力値
により制御したものである。
【００２８】この構成で、温度検出回路４１は、そのと
きの集積回路１１のジャンクション温度に対応する検出
出力値を出力端子４２に出力する。また、高電圧供給端
子１４と電流供給端子１６間の電圧降下回路として制御
型の電圧降下回路１５１を設け、その降下電圧を温度検
出回路４１の検出出力値により制御する。このとき制御
型の電圧降下回路１５１は、集積回路１１のジャンクシ
ョン温度が高いときには降下電圧を大きくし、集積回路
内での消費電力を減らし、集積回路のジャンクション温
度が低いときには、降下電圧を小さくして集積回路内で
の消費電力を大きくするように設定しておけば、集積回
路のジャンクション温度を一定に保つことができる。
きの集積回路１１のジャンクション温度に対応する検出
出力値を出力端子４２に出力する。また、高電圧供給端
子１４と電流供給端子１６間の電圧降下回路として制御
型の電圧降下回路１５１を設け、その降下電圧を温度検
出回路４１の検出出力値により制御する。このとき制御
型の電圧降下回路１５１は、集積回路１１のジャンクシ
ョン温度が高いときには降下電圧を大きくし、集積回路
内での消費電力を減らし、集積回路のジャンクション温
度が低いときには、降下電圧を小さくして集積回路内で
の消費電力を大きくするように設定しておけば、集積回
路のジャンクション温度を一定に保つことができる。
【００２９】この実施例では、集積回路１１のジャンク
ション温度の変化で電圧降下回路１５１の降下電圧を変
化させ、トランジスタＱのコレクタ電圧を制御すること
で、そのときの温度の状態で集積回路１１内の消費電力
を増減させることができ、集積回路１１のジャンクショ
ン温度を一定に保つことができる。回路特性の温度変動
が大きいときに有利である。
ション温度の変化で電圧降下回路１５１の降下電圧を変
化させ、トランジスタＱのコレクタ電圧を制御すること
で、そのときの温度の状態で集積回路１１内の消費電力
を増減させることができ、集積回路１１のジャンクショ
ン温度を一定に保つことができる。回路特性の温度変動
が大きいときに有利である。
【００３０】図５は図４の温度検出回路４１及び電圧降
下回路１５１の具体例を説明するための回路構成図であ
る。温度検出回路４１は、高電圧供給端子１４と基準電
位点に抵抗Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３を直列接続し、エミ
ッタが基準電位点に、コレクタが抵抗Ｒ５１、Ｒ５２の
接続点に接続されたトランジスタＱ５１のベースを抵抗
Ｒ５２、Ｒ５３の接続点に接続し、抵抗Ｒ５１、Ｒ５２
の接続点より出力回路Ａ５１を介して出力端子４２に接
続して構成する。
下回路１５１の具体例を説明するための回路構成図であ
る。温度検出回路４１は、高電圧供給端子１４と基準電
位点に抵抗Ｒ５１、Ｒ５２、Ｒ５３を直列接続し、エミ
ッタが基準電位点に、コレクタが抵抗Ｒ５１、Ｒ５２の
接続点に接続されたトランジスタＱ５１のベースを抵抗
Ｒ５２、Ｒ５３の接続点に接続し、抵抗Ｒ５１、Ｒ５２
の接続点より出力回路Ａ５１を介して出力端子４２に接
続して構成する。
【００３１】また、電圧降下回路１５１はトランジスタ
Ｑ５２を用い、ベースを出力端子４２に、エミッタを電
流供給端子１６に、コレクタを高電圧供給端子１４にそ
れぞれ接続して構成する。
Ｑ５２を用い、ベースを出力端子４２に、エミッタを電
流供給端子１６に、コレクタを高電圧供給端子１４にそ
れぞれ接続して構成する。
【００３２】ここで、使用する温度検出回路４１は、ト
ランジスタＱ５１のＶｂｅの増倍回路であり、抵抗Ｒ５
２のトランジスタＱ５１のコレクタに接続された点の電
位Ｖは、 Ｖ＝Ｖｂｅ（１＋Ｒ５２／Ｒ５３） となる。トランジスタＱ５１のＶｂｅは、一般に−２ｍ
Ｖ／℃程度の負の温度係数を持つことから、電位Ｖは−
２（１＋Ｒ５２／Ｒ５３）ｍＶ／℃程度の温度係数をも
つ。この電位を出力回路Ａ５１により適当な値に増幅
し、出力端子４２を介して出力し、温度検出回路４１の
検出出力とする。この出力値を制御型の電圧降下回路１
５１であるトランジスタＱ５２の制御電圧として使用す
る。高電圧供給端子１４、電流供給端子１６間の降下電
圧はトランジスタＱ５２のＶｃｅ（コレクタ・エミッタ
間電圧）であり、出力端子４２より供給される制御電圧
の温係により、集積回路ジャンクション温度が高いとき
には端子１ｃの電位が低くなることから、トランジスタ
Ｑ５２のＶｃｅは大きくなり、集積回路１１内の消費電
力を少なくし集積回路ジャンクション温度を低くしよう
とする。集積回路のジャンクション温度が低いときには
その逆の状態となり、集積回路内の消費電力を大きくし
集積回路ジャンクション温度を高くしようとする。以上
の動作により、集積回路ジャンクション温度を一定に保
とうとする。
ランジスタＱ５１のＶｂｅの増倍回路であり、抵抗Ｒ５
２のトランジスタＱ５１のコレクタに接続された点の電
位Ｖは、 Ｖ＝Ｖｂｅ（１＋Ｒ５２／Ｒ５３） となる。トランジスタＱ５１のＶｂｅは、一般に−２ｍ
Ｖ／℃程度の負の温度係数を持つことから、電位Ｖは−
２（１＋Ｒ５２／Ｒ５３）ｍＶ／℃程度の温度係数をも
つ。この電位を出力回路Ａ５１により適当な値に増幅
し、出力端子４２を介して出力し、温度検出回路４１の
検出出力とする。この出力値を制御型の電圧降下回路１
５１であるトランジスタＱ５２の制御電圧として使用す
る。高電圧供給端子１４、電流供給端子１６間の降下電
圧はトランジスタＱ５２のＶｃｅ（コレクタ・エミッタ
間電圧）であり、出力端子４２より供給される制御電圧
の温係により、集積回路ジャンクション温度が高いとき
には端子１ｃの電位が低くなることから、トランジスタ
Ｑ５２のＶｃｅは大きくなり、集積回路１１内の消費電
力を少なくし集積回路ジャンクション温度を低くしよう
とする。集積回路のジャンクション温度が低いときには
その逆の状態となり、集積回路内の消費電力を大きくし
集積回路ジャンクション温度を高くしようとする。以上
の動作により、集積回路ジャンクション温度を一定に保
とうとする。
【００３３】このように、集積回路１１のジャンクショ
ン温度を一定に保つことができ、図４の実施例で説明し
たように、集積回路１１の内部の回路特性の温度変動が
大きいときに有利である。
ン温度を一定に保つことができ、図４の実施例で説明し
たように、集積回路１１の内部の回路特性の温度変動が
大きいときに有利である。
【００３４】以上説明したように、この発明の電源回路
では、高電圧源及び低電圧源が必要な集積回路におい
て、能動素子部の電流供給を受ける端子を独立に集積回
路外部に取り出すことにより、外部電源を二電源、単電
源の双方で使用可能でき、単電源で使用時には集積回路
内部の消費電力を極力削減できる。また、温度検出回路
及び制御型の電圧降下回路をさらに組み合わせることに
より集積回路のジャンクション温度を一定に保つ電源回
路を構成できる。
では、高電圧源及び低電圧源が必要な集積回路におい
て、能動素子部の電流供給を受ける端子を独立に集積回
路外部に取り出すことにより、外部電源を二電源、単電
源の双方で使用可能でき、単電源で使用時には集積回路
内部の消費電力を極力削減できる。また、温度検出回路
及び制御型の電圧降下回路をさらに組み合わせることに
より集積回路のジャンクション温度を一定に保つ電源回
路を構成できる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の電源回
路では、能動素子部の電流供給を受ける端子を独立に集
積回路外部に取り出すことにより、外部電源を二電源、
単電源の双方で使用可能となるばかりか、単電源使用時
には集積回路内部の消費電力を極力削減できる。
路では、能動素子部の電流供給を受ける端子を独立に集
積回路外部に取り出すことにより、外部電源を二電源、
単電源の双方で使用可能となるばかりか、単電源使用時
には集積回路内部の消費電力を極力削減できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例を説明するための回路構成
図。
図。
【図２】図１の実施例の能動素子部にＮＰＮトランジス
タを用いた場合の一実施例を説明するための回路構成
図。
タを用いた場合の一実施例を説明するための回路構成
図。
【図３】図２を単電源で使用した場合の一実施例を説明
するための回路構成図。
するための回路構成図。
【図４】他の実施例を説明するための回路構成図。
【図５】図４の一具体例を説明するための回路構成図。
【図６】従来の高電圧電源使用回路及び低電圧電源使用
回路を有する集積回路の電源回路の構成図。
回路を有する集積回路の電源回路の構成図。
【図７】三端子レギュレータを使用し電源回路を構成し
た一従来例を説明するための回路構成図。
た一従来例を説明するための回路構成図。
【図８】電源回路を集積回路外部で構成した一従来例を
説明するための回路構成図。
説明するための回路構成図。
【図９】電源回路を集積回路内部で構成した一従来例を
説明するための回路構成図。
説明するための回路構成図。
１１…集積回路、１２…高電圧電源使用回路部、１３…
低電圧電源使用回路部、１４…高電圧供給端子、１５、
１５１…電圧降下回路、１６…電流供給端子、１７…能
動素子部、１８…バイアス回路、４１…温度検出回路、
４２…出力端子、Ｖｈ…高電圧源、Ｖｌ…低電圧源。
低電圧電源使用回路部、１４…高電圧供給端子、１５、
１５１…電圧降下回路、１６…電流供給端子、１７…能
動素子部、１８…バイアス回路、４１…温度検出回路、
４２…出力端子、Ｖｈ…高電圧源、Ｖｌ…低電圧源。
Claims (7)
- 【請求項１】 高電圧電源を使用する第１の回路及び低
電圧電源を使用する第２の回路を有する集積回路におい
て、 前記第１の回路へ高電圧電源を供給する第１の外部接続
端子と、 バイアス回路と、 前記バイアス回路から基準電圧の供給を受けて前記第２
の回路へ前記低電圧電源を供給する能動素子と、 前記能動素子の電源側から電流供給を受ける第２の外部
接続端子とからなることを特徴とする電源回路。 - 【請求項２】 前記電源用能動素子をＮＰＮトランジス
タとし、そのベースを前記バイアス回路に接続し、その
エミッタを前記低電圧電源を使用する回路に接続し、そ
のコレクタを独立に外部接続端子に接続してなることを
特徴とする請求項１記載の電源回路。 - 【請求項３】 前記電源用能動素子は、ｐチャネル型Ｍ
ＯＳトランジスタとし、そのゲートを前記バイアス回路
に接続し、そのドレインを前記低電圧電源を使用する回
路に接続し、そのソースを独立に外部接続端子に接続し
てなることを特徴とする請求項１記載の電源回路。 - 【請求項４】 前記電源用能動素子は、ｎチャネル型Ｍ
ＯＳトランジスタとし、そのゲートを前記バイアス回路
に接続し、そのソースを前記低電圧電源を使用する回路
に接続し、そのドレインを独立に外部接続端子に接続し
てなることを特徴とする請求項１記載の電源回路。 - 【請求項５】 集積回路電源端子と前記電源用能動素子
の電源側から電流供給を受ける端子間に集積回路外部に
設けた電圧降下回路を備えることを特徴とする請求項１
記載の電源回路。 - 【請求項６】 集積回路内部にあり、その出力が外部接
続端子に導出される温度検出回路と、集積回路外部の、
集積回路電源端子と前記電源用能動素子の電源側から電
流供給を受ける端子間に電圧制御型の電圧降下回路を備
え、前記温度検出回路の出力値により、前記電圧降下回
路の出力電圧値を制御することを特徴とする請求項１記
載の電源回路。 - 【請求項７】 前記電圧制御型の電圧降下回路としてト
ランジスタを用い、そのベースを温度検出回路出力端子
に、そのコレクタを前記集積回路電源端子に、そのエミ
ッタを前記電源用能動素子の電源側から電流供給を受け
る端子に接続し、温度検出回路の出力値により前記電源
用能動素子の電源側から電流供給を受ける端子の電圧を
制御することを特徴とする請求項６記載の電源回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150090A JPH096442A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 電源回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7150090A JPH096442A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 電源回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH096442A true JPH096442A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15489299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7150090A Withdrawn JPH096442A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 電源回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH096442A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6798709B2 (en) | 2002-04-25 | 2004-09-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device having dual power ports and memory system including the same |
| JP2006332850A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 半導体装置及びシステム |
| JP2008009625A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 電源用集積回路 |
| CN105549671A (zh) * | 2014-10-24 | 2016-05-04 | 硅实验室公司 | 用于改善稳压器效用的***和装置以及相关方法 |
-
1995
- 1995-06-16 JP JP7150090A patent/JPH096442A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6798709B2 (en) | 2002-04-25 | 2004-09-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Memory device having dual power ports and memory system including the same |
| KR100456595B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2004-11-09 | 삼성전자주식회사 | 이중 전압 포트를 갖는 메모리 장치 및 이를 포함하는메모리 시스템 |
| JP2006332850A (ja) * | 2005-05-24 | 2006-12-07 | Toshiba Corp | 半導体装置及びシステム |
| JP4761833B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2011-08-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置及びシステム |
| JP2008009625A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 電源用集積回路 |
| CN105549671A (zh) * | 2014-10-24 | 2016-05-04 | 硅实验室公司 | 用于改善稳压器效用的***和装置以及相关方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020903 |