JPH0961855A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH0961855A JPH0961855A JP21638995A JP21638995A JPH0961855A JP H0961855 A JPH0961855 A JP H0961855A JP 21638995 A JP21638995 A JP 21638995A JP 21638995 A JP21638995 A JP 21638995A JP H0961855 A JPH0961855 A JP H0961855A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 液晶表示装置において、リバースティルトの
発生を抑制することにより、光抜け等の光透過率異常を
低減しながら有効表示領域を拡大し、もって、コントラ
ストの低下や残像現象等の画質劣化なしに開口率を高め
る。 【構成】 アレイ基板にマトリクス状に形成されたゲー
ト線１とソース線２との各交点に画素電極３と、ゲート
線１の電位によりソース線及び画素電極間の導通を制御
する薄膜トランジスタ４とが形成され、対向電極が形成
された対向基板と前記アレイ基板との間に液晶が封入さ
れている液晶表示装置において、ソース線２と画素電極
３との間に形成される横電界強度が最大となる位置にお
ける液晶分子の配向方向と平行になるようにソース線２
が形成されている。
発生を抑制することにより、光抜け等の光透過率異常を
低減しながら有効表示領域を拡大し、もって、コントラ
ストの低下や残像現象等の画質劣化なしに開口率を高め
る。 【構成】 アレイ基板にマトリクス状に形成されたゲー
ト線１とソース線２との各交点に画素電極３と、ゲート
線１の電位によりソース線及び画素電極間の導通を制御
する薄膜トランジスタ４とが形成され、対向電極が形成
された対向基板と前記アレイ基板との間に液晶が封入さ
れている液晶表示装置において、ソース線２と画素電極
３との間に形成される横電界強度が最大となる位置にお
ける液晶分子の配向方向と平行になるようにソース線２
が形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高画質、高開口率
を実現する液晶表示装置に関するものである。
を実現する液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、近年、ワークステーシ
ョン、パーソナルコンピュータ、ポータブルテレビ等に
広く利用されており、さらに利用範囲は拡大する傾向に
ある。図３に従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の
アレイ基板の平面図を示す。図に示すように、ゲート線
１とソース線２とが互いに直交するように形成され、そ
の交点には、画素電極３、薄膜トランジスタ４、及び蓄
積容量５が形成されている。薄膜トランジスタ４はゲー
ト線１の電位によりソース線２と画素電極３との間の導
通を制御する。蓄積容量５は、画素電極３の一部分と、
隣接ゲート線１とが絶縁層を介して対向することによっ
て形成される。図中、６，７，及び８はそれぞれアレイ
基板、中間層、対向基板における電圧が印加されていな
い状態での液晶分子の配向方向である。
ョン、パーソナルコンピュータ、ポータブルテレビ等に
広く利用されており、さらに利用範囲は拡大する傾向に
ある。図３に従来の薄膜トランジスタ型液晶表示装置の
アレイ基板の平面図を示す。図に示すように、ゲート線
１とソース線２とが互いに直交するように形成され、そ
の交点には、画素電極３、薄膜トランジスタ４、及び蓄
積容量５が形成されている。薄膜トランジスタ４はゲー
ト線１の電位によりソース線２と画素電極３との間の導
通を制御する。蓄積容量５は、画素電極３の一部分と、
隣接ゲート線１とが絶縁層を介して対向することによっ
て形成される。図中、６，７，及び８はそれぞれアレイ
基板、中間層、対向基板における電圧が印加されていな
い状態での液晶分子の配向方向である。
【０００３】図３のＢ−Ｂ断面、すなわち、ソース線に
垂直な方向での断面を図４に示す。ゲート線１、ソース
線２、画素電極３、薄膜トランジスタ４、および蓄積容
量５はアレイ基板９上に形成され、その上に絶縁膜１０
および配向膜１１が形成されている。対向基板１３上に
は対向電極１２が形成され、その上に配向膜１１が形成
されている。そして、アレイ基板９と対向基板１３間に
液晶１４が封入されている。
垂直な方向での断面を図４に示す。ゲート線１、ソース
線２、画素電極３、薄膜トランジスタ４、および蓄積容
量５はアレイ基板９上に形成され、その上に絶縁膜１０
および配向膜１１が形成されている。対向基板１３上に
は対向電極１２が形成され、その上に配向膜１１が形成
されている。そして、アレイ基板９と対向基板１３間に
液晶１４が封入されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】薄膜トランジスタ液晶
表示装置の調光効果は画素電極３と対向電極１２間の液
晶分子配向を電界制御することで得られるが、均質な高
画質を得るためには均質な垂直電界が印加されることが
理想的である。ところが実際には、一般にソース線２と
画素電極３には異なる電位が印加され、両者の間隔が狭
いことから、大きな横電界１５が生じる。液晶分子は電
極周辺部では横電界の電気力線方向に配向しようとする
ために、プレティルトできまるティルト方向（ノーマル
ティルト）とは異なるティルト方向（リバースティル
ト）へ配向する部分が存在していた。ノーマルティルト
とリバースティルトの境界には、液晶分子配向が急激に
変化する部分が存在し、これは、しばしば光抜け等の光
透過率異常として観測され、コントラスト低下、残像現
象等の画質劣化、あるいは、この部分をブラックマトリ
クスで遮光することによる開口率の低下の一因となって
いた。
表示装置の調光効果は画素電極３と対向電極１２間の液
晶分子配向を電界制御することで得られるが、均質な高
画質を得るためには均質な垂直電界が印加されることが
理想的である。ところが実際には、一般にソース線２と
画素電極３には異なる電位が印加され、両者の間隔が狭
いことから、大きな横電界１５が生じる。液晶分子は電
極周辺部では横電界の電気力線方向に配向しようとする
ために、プレティルトできまるティルト方向（ノーマル
ティルト）とは異なるティルト方向（リバースティル
ト）へ配向する部分が存在していた。ノーマルティルト
とリバースティルトの境界には、液晶分子配向が急激に
変化する部分が存在し、これは、しばしば光抜け等の光
透過率異常として観測され、コントラスト低下、残像現
象等の画質劣化、あるいは、この部分をブラックマトリ
クスで遮光することによる開口率の低下の一因となって
いた。
【０００５】そこで、本発明は、リバースティルトの発
生を抑制することによりコントラスト低下、残像現象等
の画質劣化なしに高開口率を実現することを目的とす
る。
生を抑制することによりコントラスト低下、残像現象等
の画質劣化なしに高開口率を実現することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明による液晶表示装置は、第１の基板と第２の基
板との間に液晶が封入され、第１及び第２の基板のいず
れか一方または両方に、列状またはマトリクス状の電極
配線が形成されているものであって、その特徴は、前記
列状の電極配線が、または、マトリクス状の電極配線の
うちの一方が、基板面方向の電界強度が最大となる位置
における液晶分子の配向方向と平行である点にある。電
極配線と液晶の配向方向を平行にする方法としては、電
極配線の形成方向を変える方法、または、液晶配向方向
を変える方法のいずれでもよい。
の本発明による液晶表示装置は、第１の基板と第２の基
板との間に液晶が封入され、第１及び第２の基板のいず
れか一方または両方に、列状またはマトリクス状の電極
配線が形成されているものであって、その特徴は、前記
列状の電極配線が、または、マトリクス状の電極配線の
うちの一方が、基板面方向の電界強度が最大となる位置
における液晶分子の配向方向と平行である点にある。電
極配線と液晶の配向方向を平行にする方法としては、電
極配線の形成方向を変える方法、または、液晶配向方向
を変える方法のいずれでもよい。
【０００７】具体的な構造は、液晶表示装置が単純マト
リクス型かアクティブマトリクス（薄膜トランジスタ）
型かによって異なる。第１の基板上に走査線が形成さ
れ、第２の基板上に前記走査線と交差する方向の信号線
が形成された単純マトリクス液晶表示装置にあっては、
前記走査線または前記信号線を、基板面方向の電界強度
が最大となる位置における液晶分子の配向方向と平行に
する。
リクス型かアクティブマトリクス（薄膜トランジスタ）
型かによって異なる。第１の基板上に走査線が形成さ
れ、第２の基板上に前記走査線と交差する方向の信号線
が形成された単純マトリクス液晶表示装置にあっては、
前記走査線または前記信号線を、基板面方向の電界強度
が最大となる位置における液晶分子の配向方向と平行に
する。
【０００８】また、アレイ基板にマトリクス状に形成さ
れたゲート線とソース線との各交点に画素電極と、前記
ゲート線の電位により前記ソース線及び画素電極間の導
通を制御する薄膜トランジスタとが形成され、対向基板
に対向電極が形成され、前記アレイ基板と前記対向基板
との間に液晶が封入されている薄膜トランジスタ液晶表
示装置にあっては、前記ゲート線または前記ソース線
を、基板面方向の電界強度が最大となる位置における液
晶分子の配向方向と平行にする。
れたゲート線とソース線との各交点に画素電極と、前記
ゲート線の電位により前記ソース線及び画素電極間の導
通を制御する薄膜トランジスタとが形成され、対向基板
に対向電極が形成され、前記アレイ基板と前記対向基板
との間に液晶が封入されている薄膜トランジスタ液晶表
示装置にあっては、前記ゲート線または前記ソース線
を、基板面方向の電界強度が最大となる位置における液
晶分子の配向方向と平行にする。
【０００９】より具体的には、単純マトリクス液晶表示
装置の場合、第１の基板に接する部分における液晶分子
の配向方向に対して、走査線が、第２の基板により規定
される液晶のねじれ方向に、５度から４０度の範囲内の
角度を成すようにすることが好ましい。あるいは、第２
の基板に接する部分における液晶分子の配向方向に対し
て、信号線が、第１の基板により規定される液晶のねじ
れ方向に、５度から４０度の範囲内の角度を成すように
してもよい。
装置の場合、第１の基板に接する部分における液晶分子
の配向方向に対して、走査線が、第２の基板により規定
される液晶のねじれ方向に、５度から４０度の範囲内の
角度を成すようにすることが好ましい。あるいは、第２
の基板に接する部分における液晶分子の配向方向に対し
て、信号線が、第１の基板により規定される液晶のねじ
れ方向に、５度から４０度の範囲内の角度を成すように
してもよい。
【００１０】また、薄膜トランジスタ液晶表示装置の場
合は、アレイ基板に接する部分における液晶分子の配向
方向に対して、ゲート線またはソース線が、対向基板に
より規定される液晶のねじれ方向に、５度から４０度の
範囲内の角度を成すようにすることが好ましい。
合は、アレイ基板に接する部分における液晶分子の配向
方向に対して、ゲート線またはソース線が、対向基板に
より規定される液晶のねじれ方向に、５度から４０度の
範囲内の角度を成すようにすることが好ましい。
【００１１】液晶表示装置において左右対称の視角特性
を得るために、第１の基板に接する部分の液晶分子の配
向方向と第２の基板に接する部分の液晶分子の配向方向
とが直交するツイスト構造において、両基板の中間層の
液晶の配向方向が前後方向を向いている構成がしばしば
採用されるが、上記の具体的構成は、このような場合に
極めて有効である。
を得るために、第１の基板に接する部分の液晶分子の配
向方向と第２の基板に接する部分の液晶分子の配向方向
とが直交するツイスト構造において、両基板の中間層の
液晶の配向方向が前後方向を向いている構成がしばしば
採用されるが、上記の具体的構成は、このような場合に
極めて有効である。
【００１２】さらに、単純マトリクス液晶表示装置で
は、走査線と信号線が５０度から８５度の範囲内の角度
を成して交差していることが好ましい。同様に、薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置では、ゲート線とソース線が５
０度から８５度の範囲内の角度を成して交差しているこ
とが好ましい。
は、走査線と信号線が５０度から８５度の範囲内の角度
を成して交差していることが好ましい。同様に、薄膜ト
ランジスタ液晶表示装置では、ゲート線とソース線が５
０度から８５度の範囲内の角度を成して交差しているこ
とが好ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施形態
を図面に基づいて説明する。本実施形態は、アレイ基板
に接する部分の液晶分子の配向方向と対向基板に接する
部分の液晶分子の配向方向が直交しているツイスト構造
の薄膜トランジスタ液晶表示装置において、ゲート線と
ソース線とを斜めに交差させることにより、アレイ基板
に接する部分の液晶分子の配向方向に対して、ソース線
が、対向基板により規定される液晶のねじれ方向に、あ
る角度を成すように構成し、これによって、基板面方向
の電界強度が最大となる位置の液晶の配向方向とソース
線の方向とが平行になるようにしたものである。
を図面に基づいて説明する。本実施形態は、アレイ基板
に接する部分の液晶分子の配向方向と対向基板に接する
部分の液晶分子の配向方向が直交しているツイスト構造
の薄膜トランジスタ液晶表示装置において、ゲート線と
ソース線とを斜めに交差させることにより、アレイ基板
に接する部分の液晶分子の配向方向に対して、ソース線
が、対向基板により規定される液晶のねじれ方向に、あ
る角度を成すように構成し、これによって、基板面方向
の電界強度が最大となる位置の液晶の配向方向とソース
線の方向とが平行になるようにしたものである。
【００１４】図１に、本実施形態に係る液晶表示装置の
平面図を示す。図中、１はゲート線、２はソース線であ
り、両者は７５度の角度で交差している。ゲート線１と
ソース線２との各交点には、画素電極３、薄膜トランジ
スタ４、及び蓄積容量５が形成されている。薄膜トラン
ジスタ４はゲート線１の電位によりソース線２と画素電
極３との間の導通を制御する。蓄積容量５は、画素電極
３の一部分と、隣接ゲート線１とが絶縁層を介して重畳
することによって形成される。図中、６，７，及び８は
それぞれアレイ基板、中間層、対向基板における電圧が
印加されていない状態での液晶分子の配向方向を示して
いる。アレイ基板に接する部分における液晶分子の配向
方向６と対向基板に接する部分における液晶分子の配向
方向８とは直交しており、層の中間部分における液晶分
子の配向方向７はそれらの配向方向の中間に位置する
（後方を向いている）。
平面図を示す。図中、１はゲート線、２はソース線であ
り、両者は７５度の角度で交差している。ゲート線１と
ソース線２との各交点には、画素電極３、薄膜トランジ
スタ４、及び蓄積容量５が形成されている。薄膜トラン
ジスタ４はゲート線１の電位によりソース線２と画素電
極３との間の導通を制御する。蓄積容量５は、画素電極
３の一部分と、隣接ゲート線１とが絶縁層を介して重畳
することによって形成される。図中、６，７，及び８は
それぞれアレイ基板、中間層、対向基板における電圧が
印加されていない状態での液晶分子の配向方向を示して
いる。アレイ基板に接する部分における液晶分子の配向
方向６と対向基板に接する部分における液晶分子の配向
方向８とは直交しており、層の中間部分における液晶分
子の配向方向７はそれらの配向方向の中間に位置する
（後方を向いている）。
【００１５】図２は図１のＡ−Ａ’断面、すなわち、ソ
ース線に垂直な方向での断面を示している。なお、ゲー
ト線とソース線とは直交していないので、断面とゲート
線とは平行ではない。ゲート線１、ソース線２、画素電
極３、薄膜トランジスタ４、及び蓄積容量５はアレイ基
板９上に形成され、その上に絶縁膜１０、さらにその上
に配向膜１１がそれぞれ形成されている。対向電極１２
は対向基板１３上に形成され、アレイ基板９と同様に、
その上に配向膜１１が形成されている。そしてアレイ基
板９と対向基板１３との間に液晶１４が封入されてい
る。
ース線に垂直な方向での断面を示している。なお、ゲー
ト線とソース線とは直交していないので、断面とゲート
線とは平行ではない。ゲート線１、ソース線２、画素電
極３、薄膜トランジスタ４、及び蓄積容量５はアレイ基
板９上に形成され、その上に絶縁膜１０、さらにその上
に配向膜１１がそれぞれ形成されている。対向電極１２
は対向基板１３上に形成され、アレイ基板９と同様に、
その上に配向膜１１が形成されている。そしてアレイ基
板９と対向基板１３との間に液晶１４が封入されてい
る。
【００１６】図２からわかるように、ソース線２と画素
電極３との間に形成された電気力線で示されている横電
界（基板面方向の電界）１５の強度が最大となる位置
は、ソース線２と画素電極３との中間で、アレイ基板９
（配向膜１１）の表面から少し離れた部分にある。そし
て、この位置における液晶分子１４の配向方向（長軸方
向）は紙面に垂直、つまりソース線２と平行である。し
たがって、液晶分子１４は横電界１５に直交することに
なる。
電極３との間に形成された電気力線で示されている横電
界（基板面方向の電界）１５の強度が最大となる位置
は、ソース線２と画素電極３との中間で、アレイ基板９
（配向膜１１）の表面から少し離れた部分にある。そし
て、この位置における液晶分子１４の配向方向（長軸方
向）は紙面に垂直、つまりソース線２と平行である。し
たがって、液晶分子１４は横電界１５に直交することに
なる。
【００１７】液晶表示装置に使われる正の誘電異方性を
もつ液晶材料は、分子配向方向を長軸とする回転楕円体
型の誘電率分布を持つため、電界と配向方向が直交して
いる場合には、電界による液晶分子に対するトルクはゼ
ロである。このとき、分子配向に作用する力は、隣接分
子の弾性力が支配的となる。画素電極上の大部分の液晶
分子はプレティルトできまるノーマルティルト方向に立
ち上がるので、これに追随して横電界部分の液晶分子も
ノーマルティルト方向に立ち上がる。したがって、リバ
ースティルトが発生せずに画素全体がノーマルティルト
方向に立ち上がることにより、均一な透過光特性が得ら
れる。
もつ液晶材料は、分子配向方向を長軸とする回転楕円体
型の誘電率分布を持つため、電界と配向方向が直交して
いる場合には、電界による液晶分子に対するトルクはゼ
ロである。このとき、分子配向に作用する力は、隣接分
子の弾性力が支配的となる。画素電極上の大部分の液晶
分子はプレティルトできまるノーマルティルト方向に立
ち上がるので、これに追随して横電界部分の液晶分子も
ノーマルティルト方向に立ち上がる。したがって、リバ
ースティルトが発生せずに画素全体がノーマルティルト
方向に立ち上がることにより、均一な透過光特性が得ら
れる。
【００１８】なお、本実施形態では、図１からわかるよ
うに、アレイ基板に接する部分の液晶分子の配向方向に
対してソース線は、対向基板により規定される液晶のね
じれ方向に３０（７５−４５）度の角度を成している
が、アレイ基板及び対向基板に接する部分の液晶分子の
配向方向を変化させて実験したところ、この角度は５度
から４０度までの範囲内で効果があり、特に１５度から
３０度までの範囲内で顕著な効果が得られた。また、本
実施形態では、薄膜トランジスタ液晶表示装置のソース
線について説明したが、ゲート線を横電界強度が最大と
なる位置における液晶分子の配向方向と平行にすること
によっても同様の効果が得られる。さらに、薄膜トラン
ジスタ（アクティブマトリクス）液晶表示装置に限ら
ず、単純マトリクス液晶表示装置の走査線と信号線につ
いても同様に本発明を適用することができる。
うに、アレイ基板に接する部分の液晶分子の配向方向に
対してソース線は、対向基板により規定される液晶のね
じれ方向に３０（７５−４５）度の角度を成している
が、アレイ基板及び対向基板に接する部分の液晶分子の
配向方向を変化させて実験したところ、この角度は５度
から４０度までの範囲内で効果があり、特に１５度から
３０度までの範囲内で顕著な効果が得られた。また、本
実施形態では、薄膜トランジスタ液晶表示装置のソース
線について説明したが、ゲート線を横電界強度が最大と
なる位置における液晶分子の配向方向と平行にすること
によっても同様の効果が得られる。さらに、薄膜トラン
ジスタ（アクティブマトリクス）液晶表示装置に限ら
ず、単純マトリクス液晶表示装置の走査線と信号線につ
いても同様に本発明を適用することができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リバースティルトの発生が抑制されることにより、ノー
マルティルトとリバースティルトとの境界の液晶分子配
向が急激に変化する部分における光抜け等の光透過率異
常が低減され、透過率が確実に制御される状態で有効表
示領域を拡大することができる。これにより、コントラ
ストの低下や残像現象等の画質劣化なしに開口率を高め
ることができる。
リバースティルトの発生が抑制されることにより、ノー
マルティルトとリバースティルトとの境界の液晶分子配
向が急激に変化する部分における光抜け等の光透過率異
常が低減され、透過率が確実に制御される状態で有効表
示領域を拡大することができる。これにより、コントラ
ストの低下や残像現象等の画質劣化なしに開口率を高め
ることができる。
【図１】本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタ液晶
表示装置のアレイ基板の平面図
表示装置のアレイ基板の平面図
【図２】図１の薄膜トランジスタ液晶表示装置のＡ−
Ａ’断面図
Ａ’断面図
【図３】従来例に係る薄膜トランジスタ液晶表示装置の
アレイ基板の平面図
アレイ基板の平面図
【図４】図３の薄膜トランジスタ液晶表示装置のＢ−
Ｂ’断面図
Ｂ’断面図
１ ゲート線 ２ ソース線 ３ 画素電極 ４ 薄膜トランジスタ ５ 蓄積容量 ６ アレイ基板に接する部分の液晶分子配向方向 ７ 層中間部分の液晶分子配向方向 ８ 対向基板に接する部分の液晶分子配向方向 ９ アレイ基板 １０ 絶縁膜 １１ 配向膜 １２ 対向電極 １３ 対向基板 １４ 液晶 １５ 横電界
Claims (9)
- 【請求項１】 第１の基板と第２の基板との間に液晶が
封入され、第１及び第２の基板のいずれか一方または両
方に、列状またはマトリクス状の電極配線が形成された
液晶表示装置であって、 前記列状の電極配線が、または、マトリクス状の電極配
線のうちの一方が、基板面方向の電界強度が最大となる
位置における液晶分子の配向方向と平行であることを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 第１の基板上に走査線が形成され、第２
の基板上に前記走査線と交差する方向の信号線が形成さ
れた単純マトリクス液晶表示装置であって、 前記走査線または前記信号線が、基板面方向の電界強度
が最大となる位置における液晶分子の配向方向と平行で
あることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 アレイ基板にマトリクス状に形成された
ゲート線とソース線との各交点に画素電極と、前記ゲー
ト線の電位により前記ソース線及び画素電極間の導通を
制御する薄膜トランジスタとが形成され、対向基板に対
向電極が形成され、前記アレイ基板と前記対向基板との
間に液晶が封入されている液晶表示装置であって、 前記ゲート線または前記ソース線が、基板面方向の電界
強度が最大となる位置における液晶分子の配向方向と平
行であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項４】 第１の基板に接する部分における液晶分
子の配向方向に対して、走査線が、第２の基板により規
定される液晶のねじれ方向に、５度から４０度の範囲内
の角度を成していることを特徴とする請求項２記載の液
晶表示装置。 - 【請求項５】 第２の基板に接する部分における液晶分
子の配向方向に対して、信号線が、第１の基板により規
定される液晶のねじれ方向に、５度から４０度の範囲内
の角度を成していることを特徴とする請求項２記載の液
晶表示装置。 - 【請求項６】 アレイ基板に接する部分における液晶分
子の配向方向に対して、ゲート線またはソース線が、対
向基板により規定される液晶のねじれ方向に、５度から
４０度の範囲内の角度を成していることを特徴とする請
求項３記載の液晶表示装置。 - 【請求項７】 第１の基板に接する部分における液晶分
子の配向方向と第２の基板に接する部分における液晶分
子の配向方向が直交するツイスト配列の構造を有するこ
とを特徴とする、請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項８】 前記走査線と信号線が５０度から８５度
の範囲内の角度を成して交差していることを特徴とする
請求項２記載の液晶表示装置。 - 【請求項９】 前記ゲート線とソース線が５０度から８
５度の範囲内の角度を成して交差していることを特徴と
する請求項３記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21638995A JPH0961855A (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21638995A JPH0961855A (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0961855A true JPH0961855A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16687809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21638995A Pending JPH0961855A (ja) | 1995-08-24 | 1995-08-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0961855A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6469765B1 (en) | 1999-06-16 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Liquid crystal display and method of performing display operation |
| JP2007193362A (ja) * | 2007-04-09 | 2007-08-02 | Nec Corp | 液晶パネルの駆動方法 |
| JP2008176343A (ja) * | 2008-04-07 | 2008-07-31 | Nec Corp | 液晶表示素子 |
| US8223287B2 (en) | 2006-10-11 | 2012-07-17 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device and electronic device |
| JP2012168553A (ja) * | 2012-04-23 | 2012-09-06 | Nlt Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
-
1995
- 1995-08-24 JP JP21638995A patent/JPH0961855A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6469765B1 (en) | 1999-06-16 | 2002-10-22 | Nec Corporation | Liquid crystal display and method of performing display operation |
| US8223287B2 (en) | 2006-10-11 | 2012-07-17 | Seiko Epson Corporation | Electrooptic device and electronic device |
| JP2007193362A (ja) * | 2007-04-09 | 2007-08-02 | Nec Corp | 液晶パネルの駆動方法 |
| JP2008176343A (ja) * | 2008-04-07 | 2008-07-31 | Nec Corp | 液晶表示素子 |
| JP2012168553A (ja) * | 2012-04-23 | 2012-09-06 | Nlt Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
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