JPH0961853A

JPH0961853A - 液晶表示装置、及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0961853A
Application number: JP15068096A
Authority: JP
Inventors: Hideo Hirayama; 秀雄平山; Masayuki Dojiro; 政幸堂城; Makoto Shibusawa; 誠渋沢; Kaichi Fukuda; 加一福田; Nobuki Ibaraki; 伸樹茨木; Kiyotsugu Mizouchi; 清継溝内; Koji Hidaka; 浩二日高
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1995-06-12
Filing date: 1996-06-12
Publication date: 1997-03-07

Abstract

(57)【要約】【課題】画素電極と走査線または信号線との短絡、寄
生容量の発生を防止しつつ、開口率の高い液晶表示装
置、及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】薄膜トランジスタを含むアレイ基板上
に、層間絶縁膜として比誘電率の小さいパーフルオロア
ニルビニルエーテルまたはパーフルオロブテニルビニル
エーテルから誘導された繰り返し単位を持つフッ素環状
重合体を堆積させ、その上に画素電極を設けることによ
り、走査線と信号線とに囲まれた領域を、画素電極３が
無駄なく覆うことが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は開口率の向上を目的
とする液晶表示装置、及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、液晶表示装置の課題として、開口
率の向上が挙げられている。従来技術として、例えば特
開平６−１３０４１６号公報には、トランジスタのソー
ス電極、及びドレイン電極を覆う層間絶縁膜を設けるこ
とで、画素電極をゲート線、及び信号線上に重ねること
が可能な構造が示されている。

【０００３】この構成により、画素電極を走査線と信号
線とに囲まれる範囲いっぱいに形成することができ開口
率を向上させることが可能となった。しかしながら、従
来の層間絶縁膜は比誘電率が高く、走査線、信号線に電
圧がかかると、画素電極との間に寄生容量が発生し、表
示不良の原因となっていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記説明したように、
開口率を向上させるために画素電極の下層に層間絶縁膜
を設け、画素電極を走査線及び信号線に重ねることによ
り無駄なスペースのない構造としたが、その際の画素電
極との寄生容量により表示不良の問題があった。

【０００５】本発明は上に問題点に鑑みなされたもので
開口率を向上し、且つ表示に影響するような画素電極と
配線との寄生容量を発生させない液晶表示装置を提供す
ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、第一基板と、
前記第一基板上に形成された複数の走査線と、前記走査
線と直交するように形成された複数の信号線と、前記走
査線と前記信号線の交点部に形成された薄膜トランジス
タと、前記第一基板上全面に前記薄膜トランジスタを覆
うように形成されたアクリル系樹脂を主成分とする層間
絶縁膜と、前記薄膜トランジスタと電気的に接続され前
記層間絶縁膜上に形成された画素電極と、を有するアレ
イ基板と、第二基板と、前記第二基板上に形成された対
向電極と、を有する対向基板と、前記アレイ基板と前記
対向基板とに挟持された液晶と、を備えたことを特徴と
する液晶表示装置である。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図面を
参照して詳細に説明する。実施例１本実施例における液晶表示装置の断面図を図１に示す。
本発明の液晶表示装置におけるアレイ基板は、第一基板
としてのガラス基板８上にゲート電極１が形成され、全
面に第一のゲート絶縁膜９が形成され、ゲート電極上の
領域に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ＴｈｉｎＦｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）４が配置され、第一のゲート
絶縁膜上にＴＦＴ４を覆う高さまでアクリル系樹脂の層
間絶縁膜が堆積され、画素電極３がＴＦＴの一部と接触
した状態で層間絶縁膜上に形成され、配向膜２０ａが最
上層の全面に形成されている。

【０００８】次に対向基板として、第二基板であるガラ
ス基板２１上に赤、緑、青、のカラーフィルタ２２が形
成され、全面に対向電極が形成され、さらに全面に配向
膜２０ｂが形成されている。

【０００９】そして、これらアレイ基板と対向基板とが
それぞれの配向膜２０ａ、２０ｂを内側にしてスペーサ
ー２５とシール材２７とを介し液晶２４を挟持している
構造である。

【００１０】次に、図２に示すアレイ基板の平面図を用
いて、さらに詳しく説明する。ガラス基板８上に、ゲー
ト電圧を送る走査線１、信号電圧を送る信号線２とが互
いに立体交差するように配列されており、これらの走査
線１と信号線２とに囲まれた領域に画素電極３が形成さ
れており、走査線１と信号線２とが交差する位置に、画
素電極３に選択的に信号電圧を供給するためのＴＦＴ４
が配置されている。ＴＦＴ４のドレイン電極５は信号線
２と一体であり、ソース電極６は画素電極３の一部に接
続されている。ゲート電極は、本実施例では走査線１が
そのままＴＦＴ４のゲート電極の役割を果たしている。
また、画素電極３と走査線１とが重なる部分の画素電極
３の下層に、補助容量を担う電極７が設けられており、
この電極７と走査線１との間で補助容量を形成してい
る。

【００１１】次に、本実施例における液晶表示装置の製
造工程を説明する。図３（ａ）は、図１におけるＴＦＴ
４の拡大図であり、図２におけるアレイ基板をＡ−Ａ’
で切断したときの断面図でもある。同図（ｂ）は、図２
におけるＴＦＴ４の部分拡大図である。まず、ガラス基
板８上に、走査線１となるＭｏ・Ｗ（モリブデン・タン
グステン）、あるいはＭｏ・Ｔａ（モリブデン・タンタ
ル）合金をスパッタ法により、１０００〜３０００オン
グストロームの厚さに堆積し、エッチングによりパター
ン形成する。

【００１２】次に第一のゲート絶縁膜９として、ＳｉＯ
x をプラズマＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、４０００オングスト
ロームの厚さに堆積する。されに第二のゲート絶縁膜１
０として同様にプラズマＣＶＤ法により、５００オング
ストロームの厚さに堆積し、その上に半導体層１１とな
る非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉとする）を同じくプ
ラズマＣＶＤ法により５００オングストロームの厚さに
堆積する。そして第二のゲート絶縁膜１０とａ−Ｓｉを
同時にエッチングしパターン形成する。このとき、同図
（ｂ）に示すように、後述するソース電極６、及びドレ
イン電極５の向かい合う方向（以下、Ｘ方向とする）に
対する半導体層１１の幅ｄ₁ はソース電極６、及びドレ
イン電極５の幅よりも狭くなるようにパターニングす
る。

【００１３】続いて、エッチングストッパー層１２とし
て、ＳｉＮx をプラズマＣＶＤ法により、３０００オン
グストロームの厚さに堆積し、エッチングストッパー層
１２をエッチングする際のレジスト形成は、いわゆるセ
ルフアラインという方法を用いる。つまり、ポジ型のレ
ジストを全面に塗布し、ガラス基板の裏面から露光する
ことにより、走査線１がマスクとなってエッチングスト
ッパー層１２上に塗布されたレジストのうち、走査線１
の上部以外のレジストが軟化する。さらに走査線１の長
手方向のパターニングに関しては上面からマスクを介し
て露光する。この状態で現像を行うことにより、エッチ
ングストッパー層１２の位置と大きさを正確にすること
ができ、所望のトランジスタ特性が得られる。

【００１４】次に、オーミックコンタクト層１３とし
て、ｎ⁺ ａ−ＳｉをプラズマＣＶＤ法により５００オン
グストロームの厚さに堆積し、ゲート電極パッド部、及
び対向電位を供給するトランスファー部のｎ⁺ ａ−Ｓ
ｉ、ＳｉＯx の開口をケミカルドライエッチング、ある
いはウェットエッチング等の方法でＣＦ₄ 、Ｏ₂ あるい
はＨＦ、ＮＨ₄ Ｆ等により除去を行う。

【００１５】さらに、ソース電極６、及びドレイン電極
５となるＭｏ／Ａｌ／Ｍｏをそれぞれ３００オングスト
ローム、３５００オングストローム、７００オングスト
ローム、の厚さに堆積し、エッチングによりパターン形
成する。この状態では、ｎ⁺ａ−Ｓｉを介してソース電
極６とドレイン電極５は短絡されているので、ケミカル
ドライエッチングあるいはリアクティブイオンエッチン
グ、プラズマエッチングのいずれかを用い、使用ガス
は、ＳＦ₆ 、ＣＦ₄ 、Ｏ₂ 、Ｃｌ₂ 等を用いて間隔１４
となる領域のｎ⁺ ａ−Ｓｉを除去し、ＴＦＴ４が形成さ
れる。さらにこの工程で、補助容量を担う電極を形成す
る領域にもＭｏ／Ａｌ／Ｍｏの層を形成しておく。

【００１６】このとき、図３（ａ）に示すように、ソー
ス電極６、及びドレイン電極５が間隔１４を挟んで向き
合っており、ソース電極６、及びドレイン電極５の間隔
１４側の端部６ａ、５ａから、エッチングストッパー層
１２のＸ方向の端部１２ａまでの水平距離ｄ₂ が、約２
μｍとなるように設計する。この水平距離ｄ₂ は、本実
施例においては、間隔１４の領域から、ソース電極６ま
たはドレイン電極５がオーミックコンタクト層１３を介
して半導体層１１に接触している領域までの最短距離で
ある。また、同図（ｂ）に示すように、ソース電極６と
ドレイン電極５は、その間に形成される間隔１４以外
は、ソース電極６とドレイン電極５に覆われている状態
である。

【００１７】次に、層間絶縁膜１５として、パーフルオ
ロアニルビニルエーテル、またはパーフルオロブテニル
ビニルエーテルから誘導された繰り返し単位を持つフッ
素環状重合体からなる有機溶剤、商品名サイトップ（旭
硝子社）を、１μｍ以上の厚さに堆積する。なお、サイ
トップの比誘電率はおよそ２．１、固有粘度はおよそ
０．１Ｎｓ／ｍ² （ニュートン秒毎平方メートル）であ
る。この層間絶縁膜１５の形成方法は、まずシランカッ
プリング剤をスピンコート法、ディップ法、スプレー法
のいずれかを用いて形成し、２３０℃以下で焼成する。
続いてサイトップを同様に塗布して、例えばスピンコー
ト法であれば４０００ｒｐｍの回転速度で１分以上回転
させた後、後の工程でスルーホールを開口したときにそ
のエッヂ部が曲面状になるように層間絶縁膜１５の沸点
より低い温度で、且つ短時間の熱処理を行う。本実施例
では、１７０℃で７分程度とする。次に、スルーホール
の開口方法としてＡｒ＋ＣＦ₄ ＋Ｏ₂ ガスによるダウン
フロータイプのドライエッチング、あるいはリアクティ
ブエッチングを行い、この後Ｏ₂ によりライトアッシン
グを行う。このようにして、ソース電極６の上部、及び
補助容量を担う電極７を形成する領域の上部に堆積され
た層間絶縁膜１５を一部エッチングして、次の工程で堆
積される画素電極３と接触できるようにしておく。そし
てさらに、半導体層を劣化させない程度の温度、例えば
２７０℃以下で、少なくとも１時間以上の加熱処理を行
う。このように、スルーホール開口の前後の熱処理によ
り、スルーホールのエッヂ部が曲面状になり、画素電極
３のカバレッジが良くなり、断線を防ぐことができる。
なお、図４は図１におけるＢ−Ｂ’線での断面図であ
り、補助容量を担う電極を示している。

【００１８】次に、画素電極３として、透明導電膜であ
るＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）をスパッ
タ蒸着して１０００から２０００オングストロームの厚
さに堆積し、ここでＩＴＯのエッチング加工前にＩＴＯ
の光透過率を向上させるために１００〜１５０℃で１時
間程度の熱処理を行う。ここで、前工程で露出させたソ
ース電極６の一部と走査線１上部に相当する第一のゲー
ト絶縁膜上の補助容量を担う電極７とに画素電極３が接
触している。

【００１９】そして、前述したセルフアラインによりネ
ガレジストを用いてパターン形成を行う。その際、走査
線１、及び信号線２がマスクの役割を果たすことにな
る。このような方法により、画素電極３は基板を垂直上
方から見て、走査線１、信号線２に対して隙間のない大
きさとなる。

【００２０】さらに、最上層にポリイミドからなる配向
膜２０ａが設けられるが、その前処理として、シランカ
ップリング剤を例えばスピンコート法による方法では４
０００ｒｐｍの速度で塗布し１８０℃の温度で１５分以
内で焼成する。

【００２１】次に、前述した前処理を行った基板上に配
向膜２０ａとしてポリイミドを塗布し、１００〜１８０
℃の適当な温度で焼成し、ラビング処理を行う。このと
き、配向膜２０ａは通常の画素領域面積よりも大きな治
具を用いて塗布し、後述するシール剤２７での貼り合わ
せ工程で、シール剤２７が接着される領域に配向膜２０
ａが被覆されている状態にする。このようにしてアレイ
基板が得られる。

【００２２】次に対向基板の製造方法と、アレイ基板と
対向基板との貼り合わせについて、図１を参照しながら
説明する。対向基板は、第二の基板として厚さ１．１ｍ
ｍ程度のガラス基板２１を用意し、一方の面には、赤、
緑、青、のカラーフィルタ２２、ＩＴＯからなる対向電
極２３、及びポリイミドからなる配向膜２０ｂが順次積
層して設けられている。この配向膜２０ｂにもラビング
処理が施されており、ラビング方向は、アレイ基板と対
向基板を貼り合わせたときに、間に注入される液晶２４
が９０度ねじれて配向されるようにする。また、この対
向基板上の配向膜２０ｂも大きめに形成され、シール材
２７により接着される領域を配向膜２０ｂが被覆してい
る状態にする。

【００２３】次に、アレイ基板と対向基板とを、それぞ
れの配向膜２０ａ、２０ｂが内側となるように、液晶の
注入口を除いてシール材２７を用いて貼り合わせる。シ
ール材２７は例えば熱硬化型のエポキシ樹脂に、流れ止
めの充填材等を混合したものを用いる。このとき、シー
ル材２７は前述した配向膜２０ａ、２０ｂ上に設けるよ
うにする。

【００２４】次に、２枚の基板の間隔を保つためにスペ
ーサー２５を散布する。アルミナ等からなる粒径約１０
μｍの粒状のスペーサー２５を高電圧を印加し静電気等
の力によって散布するドライ散布法によって行う。

【００２５】この後、２枚の基板を精密に位置合わせし
て貼り合わせを行い、貼り合わせた基板を加圧しながら
熱を加え、シール材２７を硬化させる。このようにして
液晶表示セルの空セルが得られる。

【００２６】次に、液晶２４を注入する。注入方法とし
ては、空セルと液晶との入れた容器とを機密にセット
し、機密装置全体を真空に引いて、空セルの中まで真空
になったら空セルの注入口に液晶を浸し、全体に窒素ガ
ス等を流して大気圧に戻すと空セルに液晶が充填されて
いく。液晶の注入が終了してから注入が終了してから注
入口をシール材２７を用いて封止する。

【００２７】こうして得られた液晶セルの両面に、予め
粘着材が塗布された偏光板２６ａ、２６ｂを気泡を巻き
込まないようにゴムローラで抑えながら貼り付ける。偏
光板２６ａ、２６ｂの光軸は配向膜２０ａ、２０ｂのラ
ビング方向に合わせるようにする。

【００２８】次に、図５に示すように、駆動回路となる
ＴＡＢ−ＩＣ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄＢｏｎ
ｄｉｎｇ−ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔｓ）
３０、及びＰＣ（ＰｒｉｎｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）基
板３１を接続する。

【００２９】そして、この液晶セルの後方にバックライ
ト３２を取り付けて所望の液晶表示装置を得る。上記し
た実施例によれば、層間絶縁膜１５を設けることによ
り、走査線１と画素電極３、及び信号線２と画素電極３
との短絡を防止しつつ、画素電極３を走査線１、及び信
号線２で囲まれた領域に最大限の大きさで形成すること
ができ、液晶表示装置の開口率の向上を図ることができ
るとともに、層間絶縁膜１５に比誘電率の低い材質を使
ったことにより、従来、走査線１または信号線２と画素
電極３との間に発生していた寄生容量を、表示に影響を
及ぼさない程度まで減少させることができる。実験によ
ると、比誘電率がおよそ５．０以下の層間絶縁膜であれ
ば表示に影響を及ぼさない効果が認められた。これ以上
の比誘電率を持つ材料を層間絶縁膜に使用する場合には
膜厚を厚くする必要があり透過率が下がり実用上不適当
な明るさとなってしまう。

【００３０】さらに層間絶縁膜１５となるサイトップは
固有粘度が低いことから、表面が平坦であり画素電極３
の下地として適している。このように平坦な層間絶縁膜
１５上に形成された画素電極は、液晶にかかる電界強度
を均一にすることができ、表示ムラを抑えることができ
る。

【００３１】また、補助容量を担う電極７を走査線１の
上部に配置し、走査線１との間で補助容量を形成してい
ることにより、補助容量が画素領域の中に設けられてい
るものよりも開口率の向上を図ることができる。

【００３２】上記した本実施例の構成によれば、約８０
％の開口率を得ることができる。また、Ｘ方向に対する
半導体層１１の幅ｄ₁ を、ソース電極６の幅、及びドレ
イン電極５の幅より狭くすることで、基板裏面から照射
される光による半導体層１１の特性劣化を防止できる。
つまり、半導体層１１の幅ｄ₂ がソース電極６、及びド
レイン電極５の幅よりも大きい場合には、そのはみ出し
た部分に光が照射され、キャリアが発生することによっ
て、ソース電極６とドレイン電極５がオーミックコンタ
クト層１３を介して電気的につながってしまう状態とな
る。図３（ｂ）に示すように、半導体層１１の幅ｄ₁
を、ソース電極６、及びドレイン電極５の幅と同じか、
または狭くしておけば基板裏面側から照射される光が半
導体層１１に当たる領域は、走査線１の上部を除いた部
分のみとなる。この領域は、半導体層１１がソース電極
６、及びドレイン電極５と接触している部分なので、光
照射によって少数キャリアが発生しても半導体のスイッ
チング特性には影響を及ぼさない。

【００３３】また、図３（ａ）に示すように、間隔１４
の領域からソース電極６またはドレイン電極５がオーミ
ックコンタクト層１３を介して半導体層１１と接触して
いる領域までの最短距離であるｄ₂ をキャリアの拡散長
より長くとることにより、基板表面側から照射される光
による半導体層１１の特性劣化を防止することができ
る。つまり、基板表面側から照射される光が当たる半導
体層１１の領域は、ソース電極６、及びドレイン電極５
に覆われていない部分、つまり間隔１４の下に相当する
領域であり、この領域に発生したキャリアが、オーミッ
クコンタクト層１３と接触している部分まで拡散してソ
ース電極６とドレイン電極５が電気的につながってしま
うことを防止できる。

【００３４】さらに、層間絶縁膜１５上に前処理を施し
てから配向膜２０ａを形成し加熱することにより、Ｃ＝
Ｏ結合が充分に進んで強い接着力が得られる。そして、
アレイ基板と対向基板との貼り合わせにおいて、シール
材２７で接着される基板上の領域がシール材２７との接
着力の強い配向膜２０ａ、２０ｂで被覆されており、シ
ール材２７との接着力の弱い層間絶縁膜１５上にシール
材を設けたときに比べて、高い密着性を得ることができ
る。

【００３５】なお、本実施例において、画素電極３は垂
直上方から見て、走査線１及び信号線２と隙間なく形成
されているが、隣り合う画素電極と接触しない範囲で重
なっていてもかまわない。また、半導体層の幅ｄ₁ は、
ソース電極６の幅かドレイン電極５の幅のうち、狭い方
の幅と同じ幅でもかまわない。さらには、アレイ基板側
にカラーフィルタや遮光膜等の層が形成されることもあ
る。

【００３６】さらに対向基板上において、カラーフィル
タ２２と同層に必要に応じて遮光膜が形成されることも
ある。さらには、アレイ基板、及び対向基板のそれぞれ
の配向膜の下層に保護膜等が形成されることもある。さ
らにバックライトを用いない反射型の液晶表示装置にも
適用することができる。実施例２図６にこの実施例の液晶表示装置の断面図を示す。

【００３７】アレイ基板５１は、ガラス基板５２上に１
０００オングストローム厚のａ−Ｓｉからなる遮光膜５
３が形成されている。そして全面に１０００オングスト
ローム厚のＳｉＮx からなるアンダーコート膜５４が形
成されている。そしてアンダーコート膜５４上には半導
体層５５が５００オングストローム厚でパターン形成さ
れている。この半導体層５５はｐ−Ｓｉからなってい
る。そして半導体層５５を覆って全面にＳｉＮx または
ＳｉＯx 等からなるゲート絶縁膜５６が形成されてい
る。そして、ゲート絶縁膜５６上で半導体層上の一部領
域に２５００オングストロームのモリブデン・タングス
テンからなるゲート電極５７がパターン形成されてい
る。半導体層５５はこのゲート電極５７をマスクとして
イオンドープが施され、ソース領域５５ｓ、ドレイン領
域５５ｄ、及びゲート電極５７下のチャネル領域５５ｃ
に分かれている。そしてゲート電極を覆うように２５０
０オングストローム厚のＳｉＯx 等からなる絶縁膜５８
が形成されている。この絶縁膜５８は、ソース領域５５
ｓ上及びドレイン領域５５ｄ上にスルーホールが形成さ
れており、このスルーホールを介してソース領域５５
ｓ、ドレイン領域５５ｄと接続するようにそれぞれソー
ス電極５９、ドレイン電極６０が形成されている。

【００３８】そして、これらＴＦＴを覆うようにアクリ
ル系の樹脂であるＨＲＣ（日本合成ゴム社）が４μｍの
厚さで層間絶縁膜６１として形成されている。そして、
この層間絶縁膜６１にはソース電極５９に対応する領域
にスルーホールが形成されており、このスルーホールを
介して層間絶縁膜６１上に形成された画素電極６２がソ
ース電極５９に接続されている。さらに全面にポリイミ
ド等からなる配向膜６３ａが形成されている。

【００３９】一方、対向基板６４は、ガラス基板６５上
にカラーフィルタ６６が形成され、その上にＩＴＯから
なる共通電極６７が形成され、さらに全面にポリイミド
からなる配向膜６３ｂが形成されている。

【００４０】そして、これらアレイ基板５１と対向基板
６４とに液晶６８が挟持されている。本実施例におい
て、層間絶縁膜６１は前述したサイトップ等のアクリル
系樹脂を使ってもかまわない。また、層間絶縁膜６１の
スルーホール形成前後の熱処理等の製造工程は前実施例
に記載した方法が適用可能である。さらに本実施例の場
合に層間絶縁膜６１上にカラーフィルタを形成しても良
いし、層間絶縁膜６１を直接着色してカラーフィルタを
兼ねることも可能である。

【００４１】

【発明の効果】本発明によれば、液晶表示装置の層間絶
縁膜として比誘電率の小さいアクリル系樹脂を用い、そ
の上に画素電極を形成することによって、画素電極と走
査線または画素電極と信号線との間に発生する寄生容量
を抑えることができる。これにより、開口率が高くしか
も寄生容量による表示不良のない液晶表示装置を得るこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１における液晶表示装置の断面
図である。

【図２】本発明の実施例１におけるアレイ基板の一画素
分の平面図である。

【図３】（ａ）は図１におけるアレイ基板をＡ−Ａ’で
切断した断面図である。（ｂ）は図１における薄膜トラ
ンジスタの拡大図である。

【図４】図１におけるアレイ基板をＢ−Ｂ’で切断した
断面図である。

【図５】液晶表示装置の外観図である。

【図６】本発明の実施例２における液晶表示装置の断面
図である。

【符号の説明】

１…走査線２…信号線３、６２…画素電極４…薄膜トランジスタ５、６０…ドレイン電極６、５９…ソース電極７…補助容量を担う電極８、２１、５２、６５…ガラス基板９、１０、５６…ゲート絶縁膜１１、５５…半導体層１２…エッチングストッパー層１３…オーミックコンタクト層１４…間隔１５、６１…層間絶縁膜２０ａ、２０ｂ、６３ａ、６３ｂ…配向膜２３、６７…対向電極２４、６８…液晶２５…スペーサー２７…シール材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者福田加一神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者茨木伸樹神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内 (72)発明者溝内清継兵庫県姫路市余部区上余部50番地株式会社東芝姫路工場内 (72)発明者日高浩二神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝横浜事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第一基板と、前記第一基板上に形成された複数の走査線と、前記走査線と直交するように形成された複数の信号線
と、前記走査線と前記信号線の交点部に形成された薄膜トラ
ンジスタと、前記第一基板上全面に前記薄膜トランジスタを覆うよう
に形成されたアクリル系樹脂を主成分とする層間絶縁膜
と、前記薄膜トランジスタと電気的に接続され前記層間絶縁
膜上に形成された画素電極と、を有するアレイ基板と、第二基板と、前記第二基板上に形成された対向電極と、
を有する対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板とに挟持された液晶と、
を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】前記層間絶縁膜の比誘電率は５．０以下
であることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】前記層間絶縁膜は、パーフルオロアニル
ビニルエーテルから誘導された繰り返し単位を持つフッ
素環状重合体であることを特徴とする請求項１または２
いずれか記載の液晶表示装置。
【請求項４】前記層間絶縁膜は、パーフルオロブテニ
ルビニルエーテルから誘導された繰り返し単位を持つフ
ッ素環状重合体であることを特徴とする請求項１または
２いずれか記載の液晶表示装置。
【請求項５】各画素電極は前記走査線または前記信号
線上の領域にまで形成されていることを特徴とする請求
項１、２、３または４いずれか記載の液晶表示装置。
【請求項６】前記薄膜トランジスタは、前記第一基板
側からゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、エッチン
グストッパー層が積層され、前記エッチングストッパー
層上と前記半導体層上とに重なるように形成されたソー
ス電極、及びドレイン電極と、を有し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が前記エッチング
ストッパー層と重なる領域のうち、前記ソース電極と前
記ドレイン電極とが向き合う方向の長さは、光照射によ
り前記半導体層中に発生するキャリアの拡散長よりも長
いことを特徴とする請求項１、２、３または４いずれか
記載の液晶表示装置。
【請求項７】前記薄膜トランジスタは、前記第一基板
側からゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層、エッチン
グストッパー層が積層され、前記エッチングストッパー
層上と前記半導体層上とに重なるように形成されたソー
ス電極、及びドレイン電極と、を有し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極が前記エッチング
ストッパー層と重なる領域のうち、前記ソース電極と前
記ドレイン電極とが向き合う方向の長さは、２μｍ以上
であることを特徴とする請求項１、２、３または４いず
れか記載の液晶表示装置。
【請求項８】前記層間絶縁膜に形成されたスルーホー
ルはテーパー状であるか、またはスルーホールのエッヂ
部が曲面状であることを特徴とする請求項１、２、３ま
たは４いずれか記載の液晶表示装置。
【請求項９】前記アレイ基板と前記対向基板とはシー
ル材により接着されており、前記シール材は前記アレイ
基板上の配向膜が形成された領域に形成されていること
を特徴とする請求項１、２、３または４いずれか記載の
液晶表示装置。
【請求項１０】第一基板上に走査線、信号線、及び薄
膜トランジスタを形成する工程と、前記薄膜トランジス
タを含む第一基板上全面に層間絶縁膜を形成する工程
と、前記層間絶縁膜に第一の熱処理を施す工程と、前記
層間絶縁膜にスルーホールを形成する工程と、前記スル
ーホール形成後に前記層間絶縁膜に第二の熱処理を施す
工程と、を有するアレイ基板の製造工程と、第二基板上に対向電極を形成する工程を有する対向基板
の製造工程と、前記アレイ基板と前記対向基板とを貼り合わせ、その間
隙に液晶を注入する工程と、を有することを特徴とする
液晶表示装置の製造方法。