JPH0961651A - ハイブリッド光集積回路 - Google Patents
ハイブリッド光集積回路Info
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- JPH0961651A JPH0961651A JP15224796A JP15224796A JPH0961651A JP H0961651 A JPH0961651 A JP H0961651A JP 15224796 A JP15224796 A JP 15224796A JP 15224796 A JP15224796 A JP 15224796A JP H0961651 A JPH0961651 A JP H0961651A
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- Japan
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- integrated circuit
- optical waveguide
- clad
- optical
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低コストでかつ防湿性に優れた封止を可能と
する構造を備えたハイブリッド光集積回路を提供する。 【構成】 上部が平坦な埋め込み型光導波路22の一部
を底面長方形にエッチングして除去することにより切り
欠き部23を形成し、その底面23aに電極パタン24
を設けて半導体レーザ25を搭載し、該電極パタン24
及び半導体レーザ25と上部クラッド層22cの表面に
設けた電気配線パタン26及び27とをそれぞれ電気的
に接続し、切り欠き部23上を覆う如く上部クラッド層
22c上に封止蓋28を樹脂29を介して固定・封止す
ることにより、半導体レーザ25を局所的に気密封止す
る。
する構造を備えたハイブリッド光集積回路を提供する。 【構成】 上部が平坦な埋め込み型光導波路22の一部
を底面長方形にエッチングして除去することにより切り
欠き部23を形成し、その底面23aに電極パタン24
を設けて半導体レーザ25を搭載し、該電極パタン24
及び半導体レーザ25と上部クラッド層22cの表面に
設けた電気配線パタン26及び27とをそれぞれ電気的
に接続し、切り欠き部23上を覆う如く上部クラッド層
22c上に封止蓋28を樹脂29を介して固定・封止す
ることにより、半導体レーザ25を局所的に気密封止す
る。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光素子を用いた光
モジュール、特に経済性に優れた封止構造を有するハイ
ブリッド光集積回路に関するものである。
モジュール、特に経済性に優れた封止構造を有するハイ
ブリッド光集積回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】光素子、特に半導体光素子を用いた光モ
ジュールにおいては、湿度による劣化を防止するために
パッケージを気密封止をすることが必須である。
ジュールにおいては、湿度による劣化を防止するために
パッケージを気密封止をすることが必須である。
【0003】図2は従来の光モジュールの一例、ここで
は、金子 他著「1993年電子通信学会秋季大会予稿集C
−180」に記載された例を示すもので、図中、1は半
導体レーザ(LD)、2,3はレンズ、4はアイソレー
タ、5は光ファイバである。また、6a及び6bはモジ
ュールのパッケージ、7は光ファイバ5の保持筺体であ
る。通常、この種の光モジュールにおいてパッケージ6
a及び6bは金属で形成され、これらは半田で気密封止
され、また、光ファイバの保持筺体7はパッケージ6a
及び6bにYAG溶接されている。
は、金子 他著「1993年電子通信学会秋季大会予稿集C
−180」に記載された例を示すもので、図中、1は半
導体レーザ(LD)、2,3はレンズ、4はアイソレー
タ、5は光ファイバである。また、6a及び6bはモジ
ュールのパッケージ、7は光ファイバ5の保持筺体であ
る。通常、この種の光モジュールにおいてパッケージ6
a及び6bは金属で形成され、これらは半田で気密封止
され、また、光ファイバの保持筺体7はパッケージ6a
及び6bにYAG溶接されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の半導
体素子を用いた光モジュールでは、パッケージ内の防湿
のために半田または金属溶接等による気密封止を行うこ
とが一般的であった。しかし、これらの方法ではパッケ
ージのコストが上昇するという問題があった。即ち、半
田を用いるにはパッケージ表面に金属層が設けられてい
ることが必須となるため、安価なセラミックパッケージ
を使用することができず、金属パッケージまたは表面を
メタライズしたセラミックパッケージが必要となる。ま
た、金属溶接の場合にはパッケージが必ず金属でなけれ
ばならず、これらの要求を満足するためにパッケージコ
ストが高くなるという問題があった。
体素子を用いた光モジュールでは、パッケージ内の防湿
のために半田または金属溶接等による気密封止を行うこ
とが一般的であった。しかし、これらの方法ではパッケ
ージのコストが上昇するという問題があった。即ち、半
田を用いるにはパッケージ表面に金属層が設けられてい
ることが必須となるため、安価なセラミックパッケージ
を使用することができず、金属パッケージまたは表面を
メタライズしたセラミックパッケージが必要となる。ま
た、金属溶接の場合にはパッケージが必ず金属でなけれ
ばならず、これらの要求を満足するためにパッケージコ
ストが高くなるという問題があった。
【0005】ところで、図2のように半導体光素子から
の出力光をレンズを通して空間的に光ファイバと結合す
る構造の光モジュールでは、コストが高くなるものの半
田や溶接による気密封止が可能であった。しかし、光フ
ァイバと半導体光素子とを直接結合させるタイプの光モ
ジュールでは気密封止すること自体が難しいという問題
があった。
の出力光をレンズを通して空間的に光ファイバと結合す
る構造の光モジュールでは、コストが高くなるものの半
田や溶接による気密封止が可能であった。しかし、光フ
ァイバと半導体光素子とを直接結合させるタイプの光モ
ジュールでは気密封止すること自体が難しいという問題
があった。
【0006】図3は従来の光モジュールの他の例を示す
もので、同図(a)は封止前の分解斜視図、同図(b)は封止
後の要部断面図である。図中、11はLD、12は光フ
ァイバ、13は実装基板、14a及び14bはモジュー
ルのパッケージであり、パッケージ14aには溝状の光
ファイバ取り出し部14a’が形成されている。このよ
うな光ファイバと半導体光素子とを直接光結合するタイ
プの光モジュールでは、パッケージに光ファイバ取り出
し部14a’を設ける必要が生ずるが、この際、光ファ
イバ12と取り出し部14a’との間に必ず間隙が生ず
る。このため、YAG溶接を行うことはできなかった。
もので、同図(a)は封止前の分解斜視図、同図(b)は封止
後の要部断面図である。図中、11はLD、12は光フ
ァイバ、13は実装基板、14a及び14bはモジュー
ルのパッケージであり、パッケージ14aには溝状の光
ファイバ取り出し部14a’が形成されている。このよ
うな光ファイバと半導体光素子とを直接光結合するタイ
プの光モジュールでは、パッケージに光ファイバ取り出
し部14a’を設ける必要が生ずるが、この際、光ファ
イバ12と取り出し部14a’との間に必ず間隙が生ず
る。このため、YAG溶接を行うことはできなかった。
【0007】また、半田による気密封止を実施するため
には、前記間隙を十分な厚さの半田で充填しなければな
らないが、光ファイバの材質はガラスであるため、その
ままでは半田で固定することができない。そこで、従来
は表面をメタライズした特殊な光ファイバを用いること
が必須であった。これに加えて、光ファイバは光ファイ
バ取り出し部14a’の中で厚い半田からの応力を強く
受けることになるため、光ファイバにマイクロベンディ
ングが発生し、光モジュールの損失が大きくなるという
問題もあった。
には、前記間隙を十分な厚さの半田で充填しなければな
らないが、光ファイバの材質はガラスであるため、その
ままでは半田で固定することができない。そこで、従来
は表面をメタライズした特殊な光ファイバを用いること
が必須であった。これに加えて、光ファイバは光ファイ
バ取り出し部14a’の中で厚い半田からの応力を強く
受けることになるため、光ファイバにマイクロベンディ
ングが発生し、光モジュールの損失が大きくなるという
問題もあった。
【0008】前述した問題を解決する方法として、図3
において光ファイバ取り出し部14a’と光ファイバ1
2との間隙に、半田に代えて樹脂15を充填することが
検討されている(後藤 他著「1994年電子情報通信学会
秋季大会予稿集C−188、参照)。樹脂を用いた場
合、従来のように光ファイバにメタライズを施す必要が
なくなり、通常の光ファイバが使用できるので、パッケ
ージコストの大幅な低減が可能となる。また、適当な硬
さの樹脂を選べば、光ファイバのマイクロベンディング
の問題も解決できる。
において光ファイバ取り出し部14a’と光ファイバ1
2との間隙に、半田に代えて樹脂15を充填することが
検討されている(後藤 他著「1994年電子情報通信学会
秋季大会予稿集C−188、参照)。樹脂を用いた場
合、従来のように光ファイバにメタライズを施す必要が
なくなり、通常の光ファイバが使用できるので、パッケ
ージコストの大幅な低減が可能となる。また、適当な硬
さの樹脂を選べば、光ファイバのマイクロベンディング
の問題も解決できる。
【0009】しかし、樹脂と半田とを比較すると、防湿
効果は半田の方が優れている。このため、半田を用いた
従来のパッケージにおいては、光ファイバ取り出し部と
光ファイバとの間の間隙を埋めるために多量の半田が充
填されていても十分な防湿効果が得られるが、同様の構
造で樹脂の量が多いと防湿効果が低下するという問題が
あった。
効果は半田の方が優れている。このため、半田を用いた
従来のパッケージにおいては、光ファイバ取り出し部と
光ファイバとの間の間隙を埋めるために多量の半田が充
填されていても十分な防湿効果が得られるが、同様の構
造で樹脂の量が多いと防湿効果が低下するという問題が
あった。
【0010】なお、これまでの説明では、光ファイバと
光素子とからなる光モジュールを例にあげて、それらの
問題点を述べたが、光ファイバと光導波路と光素子とか
らなる光モジュール、即ちハイブリッド光集積回路のパ
ッケージにおいても全く同様の問題があった。
光素子とからなる光モジュールを例にあげて、それらの
問題点を述べたが、光ファイバと光導波路と光素子とか
らなる光モジュール、即ちハイブリッド光集積回路のパ
ッケージにおいても全く同様の問題があった。
【0011】本発明の目的は、低コストでかつ防湿性に
優れた封止を可能とする構造を備えたハイブリッド光集
積回路を提供することにある。
優れた封止を可能とする構造を備えたハイブリッド光集
積回路を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の請求項1では、コア及び該コアより屈折率
が低くかつコアを囲むととも上部が平坦に形成されたク
ラッドよりなる埋め込み型光導波路と、該埋め込み型光
導波路の一部に少なくともコアを越える深さをもって設
けられた底面が平坦な切り欠き部と、該切り欠き部の底
面に設けられた電極パタンと、該電極パタン上に搭載さ
れた光素子と、前記クラッドの表面に設けられかつ前記
電極パタンと電気的に接続された電気配線パタンと、前
記クラッドの上部に前記切り欠き部を完全に覆う如く固
定剤を介して固定された封止蓋とよりなるハイブリッド
光集積回路を提案する。
め、本発明の請求項1では、コア及び該コアより屈折率
が低くかつコアを囲むととも上部が平坦に形成されたク
ラッドよりなる埋め込み型光導波路と、該埋め込み型光
導波路の一部に少なくともコアを越える深さをもって設
けられた底面が平坦な切り欠き部と、該切り欠き部の底
面に設けられた電極パタンと、該電極パタン上に搭載さ
れた光素子と、前記クラッドの表面に設けられかつ前記
電極パタンと電気的に接続された電気配線パタンと、前
記クラッドの上部に前記切り欠き部を完全に覆う如く固
定剤を介して固定された封止蓋とよりなるハイブリッド
光集積回路を提案する。
【0013】前記構成によれば、埋め込み型光導波路に
設けられた切り欠き部に電極パタンを介して光素子を搭
載し、該光素子及び電極パタンとクラッド表面に設けら
れた電気配線パタンとの接続部分を含めて、前記切り欠
き部を固定剤を介して封止蓋で覆うことにより、光素子
を局所的に封止することができる。
設けられた切り欠き部に電極パタンを介して光素子を搭
載し、該光素子及び電極パタンとクラッド表面に設けら
れた電気配線パタンとの接続部分を含めて、前記切り欠
き部を固定剤を介して封止蓋で覆うことにより、光素子
を局所的に封止することができる。
【0014】また、本発明の請求項2では、コア及び該
コアより屈折率が低くかつコアを囲むととも上部が平坦
に形成されたクラッドよりなる埋め込み型光導波路と、
該埋め込み型光導波路の一部に少なくともコアを越える
深さをもって設けられた底面が平坦な切り欠き部と、該
切り欠き部の底面に設けられた電極パタンと、該電極パ
タン上に搭載された光素子と、前記クラッドの表面に設
けられかつ前記電極パタンと電気的に接続された電気配
線パタンと、該電気配線パタン上を含む前記クラッドの
表面に形成された絶縁膜と、前記クラッドの上部に前記
切り欠き部を完全に覆う如く前記絶縁膜上に固定剤を介
して固定された封止蓋とよりなるハイブリッド光集積回
路を提案する。
コアより屈折率が低くかつコアを囲むととも上部が平坦
に形成されたクラッドよりなる埋め込み型光導波路と、
該埋め込み型光導波路の一部に少なくともコアを越える
深さをもって設けられた底面が平坦な切り欠き部と、該
切り欠き部の底面に設けられた電極パタンと、該電極パ
タン上に搭載された光素子と、前記クラッドの表面に設
けられかつ前記電極パタンと電気的に接続された電気配
線パタンと、該電気配線パタン上を含む前記クラッドの
表面に形成された絶縁膜と、前記クラッドの上部に前記
切り欠き部を完全に覆う如く前記絶縁膜上に固定剤を介
して固定された封止蓋とよりなるハイブリッド光集積回
路を提案する。
【0015】前記構成によれば、電気配線パタン上を含
む埋め込み型光導波路のクラッドの表面に絶縁膜を形成
したので、埋め込み型光導波路に設けられた切り欠き部
に電極パタンを介して光素子を搭載し、該光素子及び電
極パタンとクラッド表面に設けられた電気配線パタンと
の接続部分を含めて前記切り欠き部を固定剤を介して封
止蓋で覆う際、導電性・絶縁性を問わず、最適な固定剤
を用いて前記切り欠き部を封止蓋で覆い、光素子を局所
的に封止することができる。
む埋め込み型光導波路のクラッドの表面に絶縁膜を形成
したので、埋め込み型光導波路に設けられた切り欠き部
に電極パタンを介して光素子を搭載し、該光素子及び電
極パタンとクラッド表面に設けられた電気配線パタンと
の接続部分を含めて前記切り欠き部を固定剤を介して封
止蓋で覆う際、導電性・絶縁性を問わず、最適な固定剤
を用いて前記切り欠き部を封止蓋で覆い、光素子を局所
的に封止することができる。
【0016】また、前記構成において、固定剤として透
湿性のないガラス半田を用いれば、切り欠き部内を局所
的に気密封止できる。
湿性のないガラス半田を用いれば、切り欠き部内を局所
的に気密封止できる。
【0017】また、前記構成において、固定剤として樹
脂を用いれば、極めて低コストな封止が実現する。この
際、封止蓋は平坦なクラッド上部に固定され、封止蓋と
クラッドとの間隙を極めて薄く設定できるので、固定に
必要な樹脂の量を最小限にでき、樹脂を用いているにも
拘らず優れた防湿効果を発揮できる。
脂を用いれば、極めて低コストな封止が実現する。この
際、封止蓋は平坦なクラッド上部に固定され、封止蓋と
クラッドとの間隙を極めて薄く設定できるので、固定に
必要な樹脂の量を最小限にでき、樹脂を用いているにも
拘らず優れた防湿効果を発揮できる。
【0018】また、前記構成において、切り欠き部に樹
脂を充填すれば、防湿効果をより一層向上させることが
できる。
脂を充填すれば、防湿効果をより一層向上させることが
できる。
【0019】さらにまた、これまでの構成において、埋
め込み型光導波路及び封止蓋を同じ材質のガラスで構成
すれば、光素子を搭載する切り欠き部を囲むクラッドか
らなる側壁及び封止蓋自体を通して水分が拡散すること
がなく、封止効果が高まるととともに、光導波路と封止
蓋との熱膨張率も一致するので、温度変動に伴う封止蓋
の剥離の危険が著しく減少し、優れた信頼性が得られ
る。
め込み型光導波路及び封止蓋を同じ材質のガラスで構成
すれば、光素子を搭載する切り欠き部を囲むクラッドか
らなる側壁及び封止蓋自体を通して水分が拡散すること
がなく、封止効果が高まるととともに、光導波路と封止
蓋との熱膨張率も一致するので、温度変動に伴う封止蓋
の剥離の危険が著しく減少し、優れた信頼性が得られ
る。
【0020】
[第1の形態]図1は本発明のハイブリッド光集積回路
の第1の実施の形態を示すもので、同図(a)は封止前の
斜視図、同図(b)は封止後の斜視図である。図中、21
は基板、22は基板21上に形成された光導波路であ
る。光導波路22はコア22aと、該コア22aより屈
折率が低くかつこれを囲むように埋め込んだ下部クラッ
ド層22b及び上部クラッド層22cとからなり、その
上部、即ち上部クラッド層22cの表面は概ね平坦化さ
れた埋め込み型光導波路構造を備えている。
の第1の実施の形態を示すもので、同図(a)は封止前の
斜視図、同図(b)は封止後の斜視図である。図中、21
は基板、22は基板21上に形成された光導波路であ
る。光導波路22はコア22aと、該コア22aより屈
折率が低くかつこれを囲むように埋め込んだ下部クラッ
ド層22b及び上部クラッド層22cとからなり、その
上部、即ち上部クラッド層22cの表面は概ね平坦化さ
れた埋め込み型光導波路構造を備えている。
【0021】なお、本形態では、基板21としてSi基
板を用い、また、光導波路22として石英系光導波路を
用いている。また、下部クラッド層22b及び上部クラ
ッド層22cの厚さはともに30μm、コア22aの寸
法は幅6μm×高さ6μmである。
板を用い、また、光導波路22として石英系光導波路を
用いている。また、下部クラッド層22b及び上部クラ
ッド層22cの厚さはともに30μm、コア22aの寸
法は幅6μm×高さ6μmである。
【0022】また、23は切り欠き部であり、光導波路
22の一部を底面長方形にエッチングして除去すること
により形成したものである。この切り欠き部23は平坦
な底面23a及び側壁23bを有し、底面23a上には
電極パタン24が形成され、その上には光素子、ここで
は半導体レーザ(LD)25が活性層を下向きにしたジ
ャンクションダウンの状態で搭載・固定されている。な
お、切り欠き部23の深さは、底面23a上に形成され
た電極パタン24の上面からコア22aの中心までの高
さが、LD25の表面からその活性層の中心までの高さ
と概ね等しくなる如く設定してある。
22の一部を底面長方形にエッチングして除去すること
により形成したものである。この切り欠き部23は平坦
な底面23a及び側壁23bを有し、底面23a上には
電極パタン24が形成され、その上には光素子、ここで
は半導体レーザ(LD)25が活性層を下向きにしたジ
ャンクションダウンの状態で搭載・固定されている。な
お、切り欠き部23の深さは、底面23a上に形成され
た電極パタン24の上面からコア22aの中心までの高
さが、LD25の表面からその活性層の中心までの高さ
と概ね等しくなる如く設定してある。
【0023】また、切り欠き部23近傍の光導波路の表
面、即ち上部クラッド層22cの上面には電気配線パタ
ン26,27が形成されており、この電気配線パタン2
6と電極パタン24及び電気配線パタン27とLD25
はワイヤボンディングされ、電気的に接続されている。
面、即ち上部クラッド層22cの上面には電気配線パタ
ン26,27が形成されており、この電気配線パタン2
6と電極パタン24及び電気配線パタン27とLD25
はワイヤボンディングされ、電気的に接続されている。
【0024】また、28は封止蓋であり、前記切り欠き
部23を完全に覆う大きさを有するとともに前述したボ
ンディング部分を逃がすための凹部(図示せず)を備え
ている。該封止蓋28は前述した凹部を下向きとして、
図1(b)に示すように切り欠き部23をボンディング部
分を含めて覆う如く、光導波路の上部クラッド層22c
上に樹脂29を介して固定・封止されている。本形態で
は、封止蓋28を、樹脂との密着性に優れるとともに光
導波路22と同一の材質である石英ガラスで形成してあ
る。また、樹脂29としては耐湿性に優れる熱可塑性樹
脂を用いている。
部23を完全に覆う大きさを有するとともに前述したボ
ンディング部分を逃がすための凹部(図示せず)を備え
ている。該封止蓋28は前述した凹部を下向きとして、
図1(b)に示すように切り欠き部23をボンディング部
分を含めて覆う如く、光導波路の上部クラッド層22c
上に樹脂29を介して固定・封止されている。本形態で
は、封止蓋28を、樹脂との密着性に優れるとともに光
導波路22と同一の材質である石英ガラスで形成してあ
る。また、樹脂29としては耐湿性に優れる熱可塑性樹
脂を用いている。
【0025】このように本形態によれば、表面が概ね平
坦な埋め込み型光導波路を用い、かつ光素子を搭載する
切り欠き部の周囲を上部クラッド層からなる側壁で囲ま
れた凹部形状にしたため、封止が容易になし得るととも
に、封止蓋を搭載するに当たり、この封止蓋と上部クラ
ッド層の表面との間隙を極めて小さく設定でき、この結
果、この間隙を充填する樹脂の厚さを十分に薄く設定で
きるので、耐湿性の極めて高い封止を行うことができ
る。ちなみに、本形態ではこの樹脂の厚さは5μm以下
であった。
坦な埋め込み型光導波路を用い、かつ光素子を搭載する
切り欠き部の周囲を上部クラッド層からなる側壁で囲ま
れた凹部形状にしたため、封止が容易になし得るととも
に、封止蓋を搭載するに当たり、この封止蓋と上部クラ
ッド層の表面との間隙を極めて小さく設定でき、この結
果、この間隙を充填する樹脂の厚さを十分に薄く設定で
きるので、耐湿性の極めて高い封止を行うことができ
る。ちなみに、本形態ではこの樹脂の厚さは5μm以下
であった。
【0026】前述したハイブリッド光集積回路の封止構
造の効果を調べるために、高温高湿環境下での動作試験
を行った。試験条件は温度85゜C、湿度90%の環境
下でLDに動作電流60mAを流し続け、この時のLD
の発振しきい値の変化を測定した。この結果、試験開始
後3000時間を経過しても、しきい値の増加は10%
以下であった。
造の効果を調べるために、高温高湿環境下での動作試験
を行った。試験条件は温度85゜C、湿度90%の環境
下でLDに動作電流60mAを流し続け、この時のLD
の発振しきい値の変化を測定した。この結果、試験開始
後3000時間を経過しても、しきい値の増加は10%
以下であった。
【0027】図4は図1に示したハイブリッド光集積回
路のパッケージ構造の一例を示すものである。図中、3
1は筺体であり、前述したハイブリッド光集積回路、例
えば20を機械的に保護するとともに回路からの電極を
取り出す機能を果たす。また、32は光ファイバ、33
は光ファイバ筺体であり、ここでは紫外線硬化型接着剤
を用いてハイブリッド光集積回路20に接続されてい
る。従来、光ファイバを直接接続する光モジュールの封
止は容易ではなかったが、本形態によれば、図4に示す
ように光素子をハイブリッド光集積回路上で局所的に封
止することが容易となったので、光ファイバを直接接続
しても何ら問題は生じない。
路のパッケージ構造の一例を示すものである。図中、3
1は筺体であり、前述したハイブリッド光集積回路、例
えば20を機械的に保護するとともに回路からの電極を
取り出す機能を果たす。また、32は光ファイバ、33
は光ファイバ筺体であり、ここでは紫外線硬化型接着剤
を用いてハイブリッド光集積回路20に接続されてい
る。従来、光ファイバを直接接続する光モジュールの封
止は容易ではなかったが、本形態によれば、図4に示す
ように光素子をハイブリッド光集積回路上で局所的に封
止することが容易となったので、光ファイバを直接接続
しても何ら問題は生じない。
【0028】また、耐湿性に対する要求が厳しい場合に
は、図5に示すように、図4に示した構造全体を耐湿性
樹脂34によりモールドすることもできる。このように
構成すれば、たとえパッケージ全体が高湿環境に置かれ
ても、ハイブリッド光集積回路の光素子を搭載する切り
欠き部に到達する水分は極めてわずかである。従って、
図5の構造を用いることにより、樹脂を用いた封止であ
るにもかかわらず、従来の半田あるいはYAG溶接を用
いた気密封止と同等あるいはそれ以上の耐湿特性を得る
ことができ、しかも樹脂封止の採用により部品製作コス
トを大幅に低減することが可能となる。
は、図5に示すように、図4に示した構造全体を耐湿性
樹脂34によりモールドすることもできる。このように
構成すれば、たとえパッケージ全体が高湿環境に置かれ
ても、ハイブリッド光集積回路の光素子を搭載する切り
欠き部に到達する水分は極めてわずかである。従って、
図5の構造を用いることにより、樹脂を用いた封止であ
るにもかかわらず、従来の半田あるいはYAG溶接を用
いた気密封止と同等あるいはそれ以上の耐湿特性を得る
ことができ、しかも樹脂封止の採用により部品製作コス
トを大幅に低減することが可能となる。
【0029】なお、前記形態では光導波路として石英系
光導波路を用い、また、封止蓋として石英ガラスからな
るものを用いた例を示した。このように、石英ガラスを
代表とするガラス光導波路及びガラス製封止蓋を用いる
と、光素子を搭載する切り欠き部の周囲を囲む上部クラ
ッド層及び封止蓋自体を通しての水分の侵入はほとんど
発生しないので、高い信頼性が得られる。また、光導波
路と封止蓋とを同一材料で構成したことにより、両者の
熱膨張率の差による応力の発生を極めて少なくでき、光
導波路から封止蓋が剥離する危険をほとんどなくすこと
ができるので、さらに信頼性を向上させることができ
る。
光導波路を用い、また、封止蓋として石英ガラスからな
るものを用いた例を示した。このように、石英ガラスを
代表とするガラス光導波路及びガラス製封止蓋を用いる
と、光素子を搭載する切り欠き部の周囲を囲む上部クラ
ッド層及び封止蓋自体を通しての水分の侵入はほとんど
発生しないので、高い信頼性が得られる。また、光導波
路と封止蓋とを同一材料で構成したことにより、両者の
熱膨張率の差による応力の発生を極めて少なくでき、光
導波路から封止蓋が剥離する危険をほとんどなくすこと
ができるので、さらに信頼性を向上させることができ
る。
【0030】本発明の構造は、光導波路として高分子導
波路を用いた場合でも採用することができ、一定の防湿
効果は認められる。しかし、高分子導波路の場合、光導
波路自体への水分の侵入が、わずかではあるが発生す
る。このため、本形態のようにガラス光導波路を用いた
場合と比較すると、その防湿効果が劣ることは避けられ
ない。
波路を用いた場合でも採用することができ、一定の防湿
効果は認められる。しかし、高分子導波路の場合、光導
波路自体への水分の侵入が、わずかではあるが発生す
る。このため、本形態のようにガラス光導波路を用いた
場合と比較すると、その防湿効果が劣ることは避けられ
ない。
【0031】[第2の形態]図6は本発明の第2の実施
の形態を示すもので、ここでは第1の実施の形態におい
て封止蓋の装着・固定に先立って切り欠き部に耐湿性樹
脂を充填した例を示す。即ち、図中、35は耐湿性樹脂
であり、切り欠き部23を全て満たす如く充填されてい
る。この耐湿性樹脂35としては、切り欠き部23内で
光素子を直接覆うことになるので該光素子に応力を加え
ないような柔らかい樹脂が望ましく、例えばシリコーン
樹脂が良い。このように、光素子を搭載する切り欠き部
に耐湿性樹脂を封入し、その後、封止蓋を装着・固定す
れば、耐湿性を一層向上させることができる。なお、そ
の他の構成・効果は第1の形態と同様である。
の形態を示すもので、ここでは第1の実施の形態におい
て封止蓋の装着・固定に先立って切り欠き部に耐湿性樹
脂を充填した例を示す。即ち、図中、35は耐湿性樹脂
であり、切り欠き部23を全て満たす如く充填されてい
る。この耐湿性樹脂35としては、切り欠き部23内で
光素子を直接覆うことになるので該光素子に応力を加え
ないような柔らかい樹脂が望ましく、例えばシリコーン
樹脂が良い。このように、光素子を搭載する切り欠き部
に耐湿性樹脂を封入し、その後、封止蓋を装着・固定す
れば、耐湿性を一層向上させることができる。なお、そ
の他の構成・効果は第1の形態と同様である。
【0032】[第3の形態]図7は本発明の第3の実施
の形態を示すもので、ここでは第1の実施の形態におい
て切り欠き部の底面に形成した電極パタンと上部クラッ
ド層の表面に形成した電気配線パタンとを金属パタンに
より直接接続した例を示す。即ち、図中、36は金属パ
タンであり、電極パタン24と電気配線パタン26とを
直接接続する如く切り欠き部23の側壁23b上に形成
されている。なお、側壁23bのような、ほぼ垂直な部
分に金属パタンを形成するには、バイアススパッタ法あ
るいはメッキ法を用いれば良い。
の形態を示すもので、ここでは第1の実施の形態におい
て切り欠き部の底面に形成した電極パタンと上部クラッ
ド層の表面に形成した電気配線パタンとを金属パタンに
より直接接続した例を示す。即ち、図中、36は金属パ
タンであり、電極パタン24と電気配線パタン26とを
直接接続する如く切り欠き部23の側壁23b上に形成
されている。なお、側壁23bのような、ほぼ垂直な部
分に金属パタンを形成するには、バイアススパッタ法あ
るいはメッキ法を用いれば良い。
【0033】前記構成によれば、切り欠き部底面上の電
極パタンと上部クラッド層上の電気配線パタンとの間の
ワイヤボンディングが不要となり、実装工程を簡略化す
ることができる。なお、その他の構成・効果は第1の形
態と同様である。
極パタンと上部クラッド層上の電気配線パタンとの間の
ワイヤボンディングが不要となり、実装工程を簡略化す
ることができる。なお、その他の構成・効果は第1の形
態と同様である。
【0034】[第4の形態]図8は本発明の第4の実施
の形態を示すもので、ここでは一つの基板に複数の光素
子、例えば2つの半導体レーザ(LD)を搭載するよう
になした例を示す。即ち、図中、41は基板、42は埋
め込み型光導波路であり、該光導波路42には2つのL
Dを収容し得る大きさの切り欠き部43が形成されてい
る。また、44,45はLDであり、切り欠き部43の
底面に形成された電極パタン46,47上にそれぞれ第
1の形態と同様に搭載・固定されている。
の形態を示すもので、ここでは一つの基板に複数の光素
子、例えば2つの半導体レーザ(LD)を搭載するよう
になした例を示す。即ち、図中、41は基板、42は埋
め込み型光導波路であり、該光導波路42には2つのL
Dを収容し得る大きさの切り欠き部43が形成されてい
る。また、44,45はLDであり、切り欠き部43の
底面に形成された電極パタン46,47上にそれぞれ第
1の形態と同様に搭載・固定されている。
【0035】LD44,45は電極パタン46,47と
ともに光導波路42の上部クラッド層の表面に形成され
た4つの電気配線パタンにそれぞれワイヤボンディング
され、電気的に接続されている。そして、ボンディング
部を含めて切り欠き部43全体が封止蓋48により樹脂
(図示せず)を介して一括して封止される如くなってい
る。
ともに光導波路42の上部クラッド層の表面に形成され
た4つの電気配線パタンにそれぞれワイヤボンディング
され、電気的に接続されている。そして、ボンディング
部を含めて切り欠き部43全体が封止蓋48により樹脂
(図示せず)を介して一括して封止される如くなってい
る。
【0036】図8では2つのLDが比較的近接して配置
される場合の例を示したが、2つのLDが離れた場所に
配置される場合の例を図9に示す。即ち、図9におい
て、43A,43Bは光導波路42に形成された切り欠
き部であり、それぞれその底面には電極パタン46,4
7が形成され、LD44,45が搭載・固定されてい
る。そして、切り欠き部43A,43Bは図示しない封
止蓋により樹脂49を介して個別に封止される如くなっ
ている。
される場合の例を示したが、2つのLDが離れた場所に
配置される場合の例を図9に示す。即ち、図9におい
て、43A,43Bは光導波路42に形成された切り欠
き部であり、それぞれその底面には電極パタン46,4
7が形成され、LD44,45が搭載・固定されてい
る。そして、切り欠き部43A,43Bは図示しない封
止蓋により樹脂49を介して個別に封止される如くなっ
ている。
【0037】このように一つの基板に複数の光素子を搭
載するようになした場合においても、光導波路の上部ク
ラッド層の表面と封止蓋との間を充填する樹脂の厚さを
5μm以下に設定でき、優れた耐湿性が得られる。
載するようになした場合においても、光導波路の上部ク
ラッド層の表面と封止蓋との間を充填する樹脂の厚さを
5μm以下に設定でき、優れた耐湿性が得られる。
【0038】[比較例]図10は本発明の効果を確認す
るために製作した比較例を示すものである。即ち、図
中、51は基板、52は埋め込み型光導波路であり、該
光導波路52には同図(a) に示すように側壁の一つが基
板端部で開放状態となった切り欠き部53が形成されて
いる。また、切り欠き部53の底面には2つの電極パタ
ン54,55が形成されており、該電極パタン54上に
は半導体レーザ(LD)56が搭載されている。また、
LD56は電極パタン55とワイヤボンディングされ、
電気的に接続されている。そして、同図(b) に示すよう
に切り欠き部53の主要部を覆う封止蓋57が光導波路
52の上部クラッド層上に樹脂58を介して固定・封止
されている。
るために製作した比較例を示すものである。即ち、図
中、51は基板、52は埋め込み型光導波路であり、該
光導波路52には同図(a) に示すように側壁の一つが基
板端部で開放状態となった切り欠き部53が形成されて
いる。また、切り欠き部53の底面には2つの電極パタ
ン54,55が形成されており、該電極パタン54上に
は半導体レーザ(LD)56が搭載されている。また、
LD56は電極パタン55とワイヤボンディングされ、
電気的に接続されている。そして、同図(b) に示すよう
に切り欠き部53の主要部を覆う封止蓋57が光導波路
52の上部クラッド層上に樹脂58を介して固定・封止
されている。
【0039】この構造ではLD56への電気的接続のた
めのパタンを切り欠き部53の底面のみに形成すれば良
く、光導波路52の上部クラッド層上に電気配線パタン
を設ける必要がなく、ワイヤボンディングの本数を減ら
すこともできるので、製作が容易となる。しかし、封止
蓋57と切り欠き部53との間に大きな間隙、製作例で
は35μm以上の間隙を生じ、これを充填するために樹
脂58を厚さ35μm以上にわたって形成することが必
要となり、この厚い樹脂を通して水分が侵入してしま
い、本発明の各形態と比較して防湿効果がかなり劣ると
いう欠点がある。
めのパタンを切り欠き部53の底面のみに形成すれば良
く、光導波路52の上部クラッド層上に電気配線パタン
を設ける必要がなく、ワイヤボンディングの本数を減ら
すこともできるので、製作が容易となる。しかし、封止
蓋57と切り欠き部53との間に大きな間隙、製作例で
は35μm以上の間隙を生じ、これを充填するために樹
脂58を厚さ35μm以上にわたって形成することが必
要となり、この厚い樹脂を通して水分が侵入してしま
い、本発明の各形態と比較して防湿効果がかなり劣ると
いう欠点がある。
【0040】この比較例のハイブリッド光集積回路の耐
湿特性を、第1の実施の形態の場合と同様の条件で評価
したところ、温度85゜C、湿度90%の環境に300
0時間放置した後のLDの発振しきい値は初期状態から
50%も増加した。
湿特性を、第1の実施の形態の場合と同様の条件で評価
したところ、温度85゜C、湿度90%の環境に300
0時間放置した後のLDの発振しきい値は初期状態から
50%も増加した。
【0041】[第5の形態]前述した第1乃至第4の実
施の形態では、封止蓋を固定する固定剤として絶縁性の
樹脂を用いたが、ガラス半田を用いても良い。例えば、
第1の実施の形態において、樹脂29の代わりに融点3
50゜Cのガラス半田を用いて切り欠き部23を覆うよ
うに封止蓋28を固定すれば良い。
施の形態では、封止蓋を固定する固定剤として絶縁性の
樹脂を用いたが、ガラス半田を用いても良い。例えば、
第1の実施の形態において、樹脂29の代わりに融点3
50゜Cのガラス半田を用いて切り欠き部23を覆うよ
うに封止蓋28を固定すれば良い。
【0042】この際、ガラス半田には透湿性がないの
で、切り欠き部23内を気密封止することが可能とな
る。この結果、樹脂を用いた場合と比較してモジュール
の信頼性を一層向上させることができる。
で、切り欠き部23内を気密封止することが可能とな
る。この結果、樹脂を用いた場合と比較してモジュール
の信頼性を一層向上させることができる。
【0043】さらにまた、ガラス半田を用いて封止蓋を
固定するにあたっては、封止蓋の温度を融点以上に上げ
るだけで、ガラス半田が瞬時に溶融し、封止蓋の固定が
なされるので、樹脂を用いた場合と比較して作業時間を
短縮できるという利点がある。
固定するにあたっては、封止蓋の温度を融点以上に上げ
るだけで、ガラス半田が瞬時に溶融し、封止蓋の固定が
なされるので、樹脂を用いた場合と比較して作業時間を
短縮できるという利点がある。
【0044】ところで、樹脂やガラス半田の中には金属
との密着性が良好でないものがある。このような樹脂や
ガラスを前述した固定剤として用いると、クラッドの表
面に設けた電気配線パタンとの間で剥離を生じる恐れが
ある。以下、この点を考慮した実施の形態について説明
する。
との密着性が良好でないものがある。このような樹脂や
ガラスを前述した固定剤として用いると、クラッドの表
面に設けた電気配線パタンとの間で剥離を生じる恐れが
ある。以下、この点を考慮した実施の形態について説明
する。
【0045】[第6の形態]図11は本発明の第6の実
施の形態を示すもので、ここでは第1の実施の形態にお
いてクラッドの表面に絶縁膜を形成した例を示す。即
ち、図中、61は絶縁膜であり、電気配線パタン26,
27上を含む上部クラッド層22c上に形成されている
(但し、電気配線パタン26,27へのワイヤボンディ
ングを可能とするため、切り欠き部23近傍及び基板端
部近傍のボンディングパッド部上には形成していな
い。)。なお、ここでは、絶縁膜61としてスパッタ法
により形成した厚さ0.5μmのSiO2薄膜を用いて
いる。
施の形態を示すもので、ここでは第1の実施の形態にお
いてクラッドの表面に絶縁膜を形成した例を示す。即
ち、図中、61は絶縁膜であり、電気配線パタン26,
27上を含む上部クラッド層22c上に形成されている
(但し、電気配線パタン26,27へのワイヤボンディ
ングを可能とするため、切り欠き部23近傍及び基板端
部近傍のボンディングパッド部上には形成していな
い。)。なお、ここでは、絶縁膜61としてスパッタ法
により形成した厚さ0.5μmのSiO2薄膜を用いて
いる。
【0046】そして、封止蓋28は光導波路22の上部
クラッド層22c上に、前記絶縁膜61を間に挟み、樹
脂29を介して固定・封止される如くなっている。
クラッド層22c上に、前記絶縁膜61を間に挟み、樹
脂29を介して固定・封止される如くなっている。
【0047】前記構成によれば、固定剤としての樹脂
(またはガラス半田)が密着性の良好な絶縁膜を介して
電気配線パタンと接することになるため、該電気配線パ
タンとの間で界面剥離を生じる恐れがなくなり、信頼性
を向上させることができる。
(またはガラス半田)が密着性の良好な絶縁膜を介して
電気配線パタンと接することになるため、該電気配線パ
タンとの間で界面剥離を生じる恐れがなくなり、信頼性
を向上させることができる。
【0048】[第7の実施の形態]図12は本発明の第
7の実施の形態を示すもので、ここでは第6の実施の形
態において固定剤として金属半田を用いた例を示す。即
ち、図中、62は封止蓋28の縁に下地メタル薄膜(図
示せず)を介して形成された金属半田薄膜であり、ここ
では下地メタル薄膜としてAu薄膜、金属半田薄膜とし
て融点183゜CのSn−Pb半田を用いている。ま
た、絶縁膜61の封止蓋28が接する部分の上にはメタ
ルパタン(ここでは厚さ0.5μmのAu薄膜)63が
形成されている。
7の実施の形態を示すもので、ここでは第6の実施の形
態において固定剤として金属半田を用いた例を示す。即
ち、図中、62は封止蓋28の縁に下地メタル薄膜(図
示せず)を介して形成された金属半田薄膜であり、ここ
では下地メタル薄膜としてAu薄膜、金属半田薄膜とし
て融点183゜CのSn−Pb半田を用いている。ま
た、絶縁膜61の封止蓋28が接する部分の上にはメタ
ルパタン(ここでは厚さ0.5μmのAu薄膜)63が
形成されている。
【0049】封止蓋28の固定に当たっては、窒素雰囲
気中で封止蓋28を光導波路22上にかぶせ、約210
゜Cに加熱するだけで工程を完了した。この結果、切り
欠き部23を局所的に気密封止することができた。
気中で封止蓋28を光導波路22上にかぶせ、約210
゜Cに加熱するだけで工程を完了した。この結果、切り
欠き部23を局所的に気密封止することができた。
【0050】前記構成によれば、固定剤として、透湿性
がない点ではガラス半田と同様であるが、ガラス半田よ
り融点を低い温度に設定できる金属半田を用いたことに
より、作業時間を一層短縮できるとともに、切り欠き部
内に搭載された光素子への熱履歴の影響を大幅に低減で
き、さらに信頼性を向上させることができる。
がない点ではガラス半田と同様であるが、ガラス半田よ
り融点を低い温度に設定できる金属半田を用いたことに
より、作業時間を一層短縮できるとともに、切り欠き部
内に搭載された光素子への熱履歴の影響を大幅に低減で
き、さらに信頼性を向上させることができる。
【0051】
【発明の効果】以上述べたように請求項1の発明によれ
ば、埋め込み型光導波路に設けられた切り欠き部に電極
パタンを介して光素子を搭載し、該光素子及び電極パタ
ンとクラッド表面に設けられた電気配線パタンとの接続
部分を含めて、前記切り欠き部を固定剤を介して封止蓋
で覆うことにより、光素子を局所的に封止することがで
きる。
ば、埋め込み型光導波路に設けられた切り欠き部に電極
パタンを介して光素子を搭載し、該光素子及び電極パタ
ンとクラッド表面に設けられた電気配線パタンとの接続
部分を含めて、前記切り欠き部を固定剤を介して封止蓋
で覆うことにより、光素子を局所的に封止することがで
きる。
【0052】また、請求項2の発明によれば、電気配線
パタン上を含む埋め込み型光導波路のクラッドの表面に
絶縁膜を形成したので、埋め込み型光導波路に設けられ
た切り欠き部に電極パタンを介して光素子を搭載し、該
光素子及び電極パタンとクラッド表面に設けられた電気
配線パタンとの接続部分を含めて前記切り欠き部を固定
剤を介して封止蓋で覆う際、導電性・絶縁性を問わず、
最適な固定剤を用いて前記切り欠き部を封止蓋で覆い、
光素子を局所的に封止することができる。
パタン上を含む埋め込み型光導波路のクラッドの表面に
絶縁膜を形成したので、埋め込み型光導波路に設けられ
た切り欠き部に電極パタンを介して光素子を搭載し、該
光素子及び電極パタンとクラッド表面に設けられた電気
配線パタンとの接続部分を含めて前記切り欠き部を固定
剤を介して封止蓋で覆う際、導電性・絶縁性を問わず、
最適な固定剤を用いて前記切り欠き部を封止蓋で覆い、
光素子を局所的に封止することができる。
【0053】また、請求項3の発明によれば、固定剤と
して透湿性のないガラス半田を用いたことにより、切り
欠き部内を局所的に気密封止でき、しかも封止蓋の温度
をガラス半田の融点以上に上げるだけで瞬時に固定でき
るので、短い時間で封止作業を行うことができる。
して透湿性のないガラス半田を用いたことにより、切り
欠き部内を局所的に気密封止でき、しかも封止蓋の温度
をガラス半田の融点以上に上げるだけで瞬時に固定でき
るので、短い時間で封止作業を行うことができる。
【0054】また、請求項4の発明によれば、固定剤と
して樹脂を用いたことにより、極めて低コストな封止を
実現できる。この際、封止蓋は平坦なクラッド上部に固
定され、封止蓋とクラッドとの間隙を極めて薄く設定で
きるので、固定に必要な樹脂の量を最小限にでき、樹脂
を用いた場合でも優れた防湿効果を発揮でき、従来の半
田やYAG溶接によってパッケージ全体を気密封止して
いた光モジュールと比べて、封止にかかるコストが格段
に安くなり、低価格なモジュールが実現できる。
して樹脂を用いたことにより、極めて低コストな封止を
実現できる。この際、封止蓋は平坦なクラッド上部に固
定され、封止蓋とクラッドとの間隙を極めて薄く設定で
きるので、固定に必要な樹脂の量を最小限にでき、樹脂
を用いた場合でも優れた防湿効果を発揮でき、従来の半
田やYAG溶接によってパッケージ全体を気密封止して
いた光モジュールと比べて、封止にかかるコストが格段
に安くなり、低価格なモジュールが実現できる。
【0055】また、請求項5の発明によれば、切り欠き
部に充填した樹脂によって防湿効果をより一層向上させ
ることができる。
部に充填した樹脂によって防湿効果をより一層向上させ
ることができる。
【0056】また、請求項6の発明によれば、光導波路
と封止蓋とを同じ材質のガラスで構成したことにより、
光素子を搭載する切り欠き部を囲むクラッドからなる側
壁及び封止蓋自体を通して水分が拡散することがなく、
封止効果が高まるととともに、光導波路と封止蓋との熱
膨張率も一致するので、温度変動に伴う封止蓋の剥離の
危険が著しく減少し、優れた信頼性を得ることができ
る。
と封止蓋とを同じ材質のガラスで構成したことにより、
光素子を搭載する切り欠き部を囲むクラッドからなる側
壁及び封止蓋自体を通して水分が拡散することがなく、
封止効果が高まるととともに、光導波路と封止蓋との熱
膨張率も一致するので、温度変動に伴う封止蓋の剥離の
危険が著しく減少し、優れた信頼性を得ることができ
る。
【0057】さらにまた、本発明によれば、光導波路上
で光素子の搭載部分のみを局所的に封止できるので、光
ファイバを光導波路に直接接続する構造であるにもかか
わらず経済性に優れた封止が可能となり、経済性が要求
される加入者用光モジュール等への応用が期待される。
で光素子の搭載部分のみを局所的に封止できるので、光
ファイバを光導波路に直接接続する構造であるにもかか
わらず経済性に優れた封止が可能となり、経済性が要求
される加入者用光モジュール等への応用が期待される。
【図1】本発明のハイブリッド光集積回路の第1の実施
の形態を示す斜視図
の形態を示す斜視図
【図2】従来の光モジュールの一例を示す説明図
【図3】従来の光モジュールの他の例を示す説明図
【図4】図1のハイブリッド光集積回路のパッケージ構
造の一例を示す斜視図
造の一例を示す斜視図
【図5】図1のハイブリッド光集積回路のパッケージ構
造の他の例を示す斜視図
造の他の例を示す斜視図
【図6】本発明のハイブリッド光集積回路の第2の実施
の形態を示す斜視図
の形態を示す斜視図
【図7】本発明のハイブリッド光集積回路の第3の実施
の形態を示す斜視図
の形態を示す斜視図
【図8】本発明のハイブリッド光集積回路の第4の実施
の形態を示す斜視図
の形態を示す斜視図
【図9】本発明のハイブリッド光集積回路の第4の実施
の形態の他の例を示す平面図
の形態の他の例を示す平面図
【図10】本発明の効果を調べるための比較例を示す斜
視図
視図
【図11】本発明のハイブリッド光集積回路の第6の実
施の形態を示す斜視図
施の形態を示す斜視図
【図12】本発明のハイブリッド光集積回路の第7の実
施の形態を示す斜視図
施の形態を示す斜視図
【符号の説明】 21,41…基板、22,42…埋め込み型光導波路、
22a…コア、22b…下部クラッド層、22c…上部
クラッド層、23,43,43A,43B…切り欠き
部、23a…底面、23b…側壁、24,46,47…
電極パタン、25,44,45…半導体レーザ、26,
27…電気配線パタン、28,48…封止蓋、29,4
9…樹脂、31…筺体、32…光ファイバ、33…光フ
ァイバ筺体、34,35…耐湿性樹脂、36…金属パタ
ン、61…絶縁膜、62…金属半田薄膜。
22a…コア、22b…下部クラッド層、22c…上部
クラッド層、23,43,43A,43B…切り欠き
部、23a…底面、23b…側壁、24,46,47…
電極パタン、25,44,45…半導体レーザ、26,
27…電気配線パタン、28,48…封止蓋、29,4
9…樹脂、31…筺体、32…光ファイバ、33…光フ
ァイバ筺体、34,35…耐湿性樹脂、36…金属パタ
ン、61…絶縁膜、62…金属半田薄膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石橋 重喜 東京都新宿区西新宿3丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 照井 博 東京都新宿区西新宿3丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 中須賀 好典 東京都新宿区西新宿3丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 橋本 俊和 東京都新宿区西新宿3丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内
Claims (6)
- 【請求項1】 コア及び該コアより屈折率が低くかつコ
アを囲むととも上部が平坦に形成されたクラッドよりな
る埋め込み型光導波路と、 該埋め込み型光導波路の一部に少なくともコアを越える
深さをもって設けられた底面が平坦な切り欠き部と、 該切り欠き部の底面に設けられた電極パタンと、 該電極パタン上に搭載された光素子と、 前記クラッドの表面に設けられかつ前記電極パタンと電
気的に接続された電気配線パタンと、 前記クラッドの上部に前記切り欠き部を完全に覆う如く
固定剤を介して固定された封止蓋とよりなることを特徴
とするハイブリッド光集積回路。 - 【請求項2】 コア及び該コアより屈折率が低くかつコ
アを囲むととも上部が平坦に形成されたクラッドよりな
る埋め込み型光導波路と、 該埋め込み型光導波路の一部に少なくともコアを越える
深さをもって設けられた底面が平坦な切り欠き部と、 該切り欠き部の底面に設けられた電極パタンと、 該電極パタン上に搭載された光素子と、 前記クラッドの表面に設けられかつ前記電極パタンと電
気的に接続された電気配線パタンと、 該電気配線パタン上を含む前記クラッドの表面に形成さ
れた絶縁膜と、 前記クラッドの上部に前記切り欠き部を完全に覆う如く
前記絶縁膜上に固定剤を介して固定された封止蓋とより
なることを特徴とするハイブリッド光集積回路。 - 【請求項3】 固定剤がガラス半田であることを特徴と
する請求項1または2記載のハイブリッド光集積回路。 - 【請求項4】 固定剤が樹脂であることを特徴とする請
求項1または2記載のハイブリッド光集積回路。 - 【請求項5】 切り欠き部に樹脂を充填したことを特徴
とする請求項4記載のハイブリッド光集積回路。 - 【請求項6】 埋め込み型光導波路及び封止蓋を同じ材
質のガラスで構成したことを特徴とする請求項1乃至5
いずれか記載のハイブリッド光集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15224796A JPH0961651A (ja) | 1995-06-14 | 1996-06-13 | ハイブリッド光集積回路 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7-147784 | 1995-06-14 | ||
JP14778495 | 1995-06-14 | ||
JP15224796A JPH0961651A (ja) | 1995-06-14 | 1996-06-13 | ハイブリッド光集積回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0961651A true JPH0961651A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=26478229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15224796A Pending JPH0961651A (ja) | 1995-06-14 | 1996-06-13 | ハイブリッド光集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0961651A (ja) |
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- 1996-06-13 JP JP15224796A patent/JPH0961651A/ja active Pending
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