JPH095711A - 強誘電性液晶表示素子およびその駆動方法 - Google Patents
強誘電性液晶表示素子およびその駆動方法Info
- Publication number
- JPH095711A JPH095711A JP19078496A JP19078496A JPH095711A JP H095711 A JPH095711 A JP H095711A JP 19078496 A JP19078496 A JP 19078496A JP 19078496 A JP19078496 A JP 19078496A JP H095711 A JPH095711 A JP H095711A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- period
- ferroelectric liquid
- voltage
- crystal display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コントラスト比が向上し、さらに階調表示
(中間調表示)が可能な大容量の液晶表示素子や液晶シ
ャッタを得る。 【解決手段】 一方の表面に電極と配向制御層とを有す
る透光性基板2枚を、配向制御層を対向させて配置し、
該基板間に強誘電性液晶を挟持する構造を有する強誘電
性液晶表示素子において、無電界時の液晶配向の安定状
態が一状態のみであり、印加電圧の値を変えることによ
り、透過光強度を調整する、または、無電界時において
表示状態が暗状態となるように、偏光板を組み合わせ
る。その駆動方法において、第1のフレームでは、第1
に短い期間、正のパルス電圧を印加し、第2に第1の期
間より長い期間、該パルス電圧より小さい正の電圧を印
加し、第2のフレームでは、第1に短い期間、負のパル
ス電圧を印加し、第2に第1の期間より長い期間、該パ
ルス電圧より小さい負の電圧を印加する。
(中間調表示)が可能な大容量の液晶表示素子や液晶シ
ャッタを得る。 【解決手段】 一方の表面に電極と配向制御層とを有す
る透光性基板2枚を、配向制御層を対向させて配置し、
該基板間に強誘電性液晶を挟持する構造を有する強誘電
性液晶表示素子において、無電界時の液晶配向の安定状
態が一状態のみであり、印加電圧の値を変えることによ
り、透過光強度を調整する、または、無電界時において
表示状態が暗状態となるように、偏光板を組み合わせ
る。その駆動方法において、第1のフレームでは、第1
に短い期間、正のパルス電圧を印加し、第2に第1の期
間より長い期間、該パルス電圧より小さい正の電圧を印
加し、第2のフレームでは、第1に短い期間、負のパル
ス電圧を印加し、第2に第1の期間より長い期間、該パ
ルス電圧より小さい負の電圧を印加する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子および
その駆動方法に関し、さらに詳しくは強誘電性液晶に関
するものであり、特に階調表示に用いるのに適した液晶
表示素子およびその駆動方法に関するものである。
その駆動方法に関し、さらに詳しくは強誘電性液晶に関
するものであり、特に階調表示に用いるのに適した液晶
表示素子およびその駆動方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ネマティック液晶を用いた液晶表示素子
や液晶シャッタでは、通常数10msecの応答速度で
あり、270°ツイストにより立ち下がり時間を改善し
たり、2周波駆動法を用いて、1msec程度の応答速
度としたものが知られている。しかしながら、さらに速
い応答時間を求めるには、1980年にClarkやL
agerwallによって提案された強誘電性液晶を用
いるのが適している。強誘電性液晶としては、一般に、
スメクチックC*相の液晶が用いられており、その応答
速度は常温ですでに数l0μsecの高速応答特性が得
られている。
や液晶シャッタでは、通常数10msecの応答速度で
あり、270°ツイストにより立ち下がり時間を改善し
たり、2周波駆動法を用いて、1msec程度の応答速
度としたものが知られている。しかしながら、さらに速
い応答時間を求めるには、1980年にClarkやL
agerwallによって提案された強誘電性液晶を用
いるのが適している。強誘電性液晶としては、一般に、
スメクチックC*相の液晶が用いられており、その応答
速度は常温ですでに数l0μsecの高速応答特性が得
られている。
【0003】Clarkらによって提案されたこの強誘
電性液晶は、ラセン構造をもつスメクチックC相で、液
晶を封入してあるセルのセル厚を非常に薄くしていく
と、配向制御層の影響により、ラセン構造が消失し、光
軸の異なる2つのドメインのみになる(双安定性)。
電性液晶は、ラセン構造をもつスメクチックC相で、液
晶を封入してあるセルのセル厚を非常に薄くしていく
と、配向制御層の影響により、ラセン構造が消失し、光
軸の異なる2つのドメインのみになる(双安定性)。
【0004】また、強誘電性液晶の液晶分子は自発分極
を持っており、直流パルスを印加することで、2つの光
軸を待ったドメイン間をスイッチングさせることがで
き、さらに、スイッチングパルス印加後、電圧を切って
もその状態を保持するといったメモリ効果があり、これ
らの特性を生かして3次元立体テレビ用シャッタや周波
数変調のできるストロボ、フラットパネルディスプレ
イ、空間光変調素子などに利用されている。
を持っており、直流パルスを印加することで、2つの光
軸を待ったドメイン間をスイッチングさせることがで
き、さらに、スイッチングパルス印加後、電圧を切って
もその状態を保持するといったメモリ効果があり、これ
らの特性を生かして3次元立体テレビ用シャッタや周波
数変調のできるストロボ、フラットパネルディスプレ
イ、空間光変調素子などに利用されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】強誘電性液晶を用いた
液晶表示素子や液晶シャッタにおいては、セル内におけ
る自発分極のため、Up、Downの2状態を有する液
晶分子が混在し、よって、光軸が2つ存在することとな
る。そして、一般には、電界印加により光軸をUpある
いはDownのどちらかに揃えることができる。しかし
ながら、配向欠陥であるジグザグ状のディスクリネーシ
ョンがあると、そのディスクリネーションを境として、
Up状態でより安定なドメインと、Down状態でより
安定なドメインが現われ、セルの光軸が一つに揃わなく
なった。
液晶表示素子や液晶シャッタにおいては、セル内におけ
る自発分極のため、Up、Downの2状態を有する液
晶分子が混在し、よって、光軸が2つ存在することとな
る。そして、一般には、電界印加により光軸をUpある
いはDownのどちらかに揃えることができる。しかし
ながら、配向欠陥であるジグザグ状のディスクリネーシ
ョンがあると、そのディスクリネーションを境として、
Up状態でより安定なドメインと、Down状態でより
安定なドメインが現われ、セルの光軸が一つに揃わなく
なった。
【0006】また、駆動方法としては、一般にON・O
FFの一定のくり返しのみの液晶表示素子などの場合、
矩形波を印加すればよいのだが、この波形の場合スイッ
チングした後にも、引き続き余分の高電圧DCが加わる
ため、セルの信頼性が著しく低下した。これは、配向の
乱れとなって現われる。
FFの一定のくり返しのみの液晶表示素子などの場合、
矩形波を印加すればよいのだが、この波形の場合スイッ
チングした後にも、引き続き余分の高電圧DCが加わる
ため、セルの信頼性が著しく低下した。これは、配向の
乱れとなって現われる。
【0007】また、メモリ波形を用いて駆動させると一
般にラビングなどを施して作ったセルは、ツイスト状態
をとったり、メモリ間の光軸の角度が液晶の持つチルト
角ほど動かなかったりして、高いコントラストが得られ
ない。そこでスイッチングパルス後に、光軸を維持させ
るための直流バイアスを加えることにより、メモリ間の
光軸を広げ、高いコントラストを得ることのできる駆動
方法が提案された。
般にラビングなどを施して作ったセルは、ツイスト状態
をとったり、メモリ間の光軸の角度が液晶の持つチルト
角ほど動かなかったりして、高いコントラストが得られ
ない。そこでスイッチングパルス後に、光軸を維持させ
るための直流バイアスを加えることにより、メモリ間の
光軸を広げ、高いコントラストを得ることのできる駆動
方法が提案された。
【0008】しかしながら、セルを構成する2枚のガラ
ス基板に設けられる配向膜を上下同質の配向膜で、かつ
ラビング処理をした場合、セルの光軸はUpとDown
でラビング軸に対してほぼ対称に位置し、上記駆動電圧
でスイッチングさせた場合、光軸を維持させるための直
流バイアス値の変化に伴い、セルの2つの光軸が変化し
てしまう欠点があった。この2つの光軸の変化は、偏光
板の設定を非常に困難にするとともに、安定した高コン
トラストが得られなかった。
ス基板に設けられる配向膜を上下同質の配向膜で、かつ
ラビング処理をした場合、セルの光軸はUpとDown
でラビング軸に対してほぼ対称に位置し、上記駆動電圧
でスイッチングさせた場合、光軸を維持させるための直
流バイアス値の変化に伴い、セルの2つの光軸が変化し
てしまう欠点があった。この2つの光軸の変化は、偏光
板の設定を非常に困難にするとともに、安定した高コン
トラストが得られなかった。
【0009】さらに、強誘電性液晶を用いた液晶表示素
子においては、階調表示が困難であるという欠点を有し
ている。そこで、この問題を解決するために、いろいろ
な発明がなされている。
子においては、階調表示が困難であるという欠点を有し
ている。そこで、この問題を解決するために、いろいろ
な発明がなされている。
【0010】例えば、特開昭62−70815号には、
1つの画素を2つ以上の領域に分割し、画素内に局部的
に透過の領域と、非透過の領域を作ることにより、中間
調を得る発明が開示されている。しかし、前記発明の方
法によれば、多数の階調表示を得るために、画素を数多
く分割しなければならず、配線数の増加、開口率の低
下、生産コストの増加などの問題が生じてくる。
1つの画素を2つ以上の領域に分割し、画素内に局部的
に透過の領域と、非透過の領域を作ることにより、中間
調を得る発明が開示されている。しかし、前記発明の方
法によれば、多数の階調表示を得るために、画素を数多
く分割しなければならず、配線数の増加、開口率の低
下、生産コストの増加などの問題が生じてくる。
【0011】また、特開昭62−262022号には、
1つの画素内で厚さの異なる誘電体膜を設置し、電界強
度を異ならせることにより、強誘電性液晶の階調表示を
行う技術が開示されている。しかし、この方法では、厚
さの異なる複数の誘電体膜を形成するために、プロセス
が非常に繁雑となり、生産コストの増加という問題が生
じてくる。
1つの画素内で厚さの異なる誘電体膜を設置し、電界強
度を異ならせることにより、強誘電性液晶の階調表示を
行う技術が開示されている。しかし、この方法では、厚
さの異なる複数の誘電体膜を形成するために、プロセス
が非常に繁雑となり、生産コストの増加という問題が生
じてくる。
【0012】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、強誘電性液晶表示素子において、液晶分
子の光軸を一方向に揃えることが可能で、高いコントラ
スト比が得られる強誘電性液晶シャッタを提供し、さら
には、簡単な液晶表示素子構造で階調表示(中間調表
示)を可能とした液晶素子を提供するとともに、その駆
動方法を提供することを目的とする。
たものであり、強誘電性液晶表示素子において、液晶分
子の光軸を一方向に揃えることが可能で、高いコントラ
スト比が得られる強誘電性液晶シャッタを提供し、さら
には、簡単な液晶表示素子構造で階調表示(中間調表
示)を可能とした液晶素子を提供するとともに、その駆
動方法を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明のうち、請求項1
記載の発明は、一方の表面に透明電極と配向制御層とを
有する透光性基板2枚を、配向制御層を対向させて配置
し、該基板間に強誘電性液晶を狭持する構造を有する強
誘電性液晶表示素子において、無電界時の液晶配向の安
定状態が一状態のみであり、印加電圧の値を変えること
により、透過光強度が調整されることを特徴とする。
記載の発明は、一方の表面に透明電極と配向制御層とを
有する透光性基板2枚を、配向制御層を対向させて配置
し、該基板間に強誘電性液晶を狭持する構造を有する強
誘電性液晶表示素子において、無電界時の液晶配向の安
定状態が一状態のみであり、印加電圧の値を変えること
により、透過光強度が調整されることを特徴とする。
【0014】請求項2記載の発明は、一方の表面に透明
電極と配向制御層とを有する透光性基板2枚を、配向制
御層を対向させて配置し、該基板間に強誘電性液晶を挟
持する構造を有する強誘電性液晶表示素子において、無
電界時の液晶配向の安定状態が一状態のみであり、印加
電圧の値を変えることにより、透過光強度が調整され、
無電界時において表示状態が暗状態となるように、偏光
板を組み合わせることを特徴とする。
電極と配向制御層とを有する透光性基板2枚を、配向制
御層を対向させて配置し、該基板間に強誘電性液晶を挟
持する構造を有する強誘電性液晶表示素子において、無
電界時の液晶配向の安定状態が一状態のみであり、印加
電圧の値を変えることにより、透過光強度が調整され、
無電界時において表示状態が暗状態となるように、偏光
板を組み合わせることを特徴とする。
【0015】請求項3記載の発明は、一方の表面に透明
電極と配向制御層とを有する透光性基板2枚を、配向制
御層を対向させて配置し、該基板間に強誘電性液晶を狭
持する構造を有する強誘電性液晶表示素子であって、無
電界時の液晶配向の安定状態が一状態のみであり、印加
電圧の値を変えることにより、透過光強度が調整される
ことを特徴とする強誘電性液晶表示素子の駆動方法にお
いて、第1のフレームでは、第1期間に、所定の期間、
正のパルス電圧を印加し、第2期間に、第1期間より長
い期間、前記パルス電圧より小さい正の電圧を印加し、
第2のフレームでは、第1期間に、所定の期間、負のパ
ルス電圧を印加し、第2期間に、第1期間より長い期
間、前記パルス電圧より小さい負の電圧を印加すること
を特徴とする。
電極と配向制御層とを有する透光性基板2枚を、配向制
御層を対向させて配置し、該基板間に強誘電性液晶を狭
持する構造を有する強誘電性液晶表示素子であって、無
電界時の液晶配向の安定状態が一状態のみであり、印加
電圧の値を変えることにより、透過光強度が調整される
ことを特徴とする強誘電性液晶表示素子の駆動方法にお
いて、第1のフレームでは、第1期間に、所定の期間、
正のパルス電圧を印加し、第2期間に、第1期間より長
い期間、前記パルス電圧より小さい正の電圧を印加し、
第2のフレームでは、第1期間に、所定の期間、負のパ
ルス電圧を印加し、第2期間に、第1期間より長い期
間、前記パルス電圧より小さい負の電圧を印加すること
を特徴とする。
【0016】請求項4記載の発明は、一方の表面に透明
電極と配向制御層とを有する透光性基板2枚を、配向制
御層を対向させて配置し、該基板間に強誘電性液晶を挟
持する構造を有する強誘電性液晶表示素子であって、無
電界時の液晶配向の安定状態が一状態のみであり、印加
電圧の値を変えることにより、透過光強度が調整され、
無電界時において表示状態が暗状態となるように、偏光
板を組み合わせることを特徴とする強誘電性液晶表示素
子の駆動方法において、第1のフレームでは、第1期間
に、所定の期間、正のパルス電圧を印加し、第2期間
に、第1期間より長い期間、前記パルス電圧より小さい
正の電圧を印加し、第2のフレームでは、第1期間に、
所定の期間、負のパルス電圧を印加し、第2期間に、第
1期間より長い期間、前記パルス電圧より小さい負の電
圧を印加することを特徴とする。
電極と配向制御層とを有する透光性基板2枚を、配向制
御層を対向させて配置し、該基板間に強誘電性液晶を挟
持する構造を有する強誘電性液晶表示素子であって、無
電界時の液晶配向の安定状態が一状態のみであり、印加
電圧の値を変えることにより、透過光強度が調整され、
無電界時において表示状態が暗状態となるように、偏光
板を組み合わせることを特徴とする強誘電性液晶表示素
子の駆動方法において、第1のフレームでは、第1期間
に、所定の期間、正のパルス電圧を印加し、第2期間
に、第1期間より長い期間、前記パルス電圧より小さい
正の電圧を印加し、第2のフレームでは、第1期間に、
所定の期間、負のパルス電圧を印加し、第2期間に、第
1期間より長い期間、前記パルス電圧より小さい負の電
圧を印加することを特徴とする。
【0017】ここで、セル厚の薄いセルに強誘電性液晶
を挟持した液晶素子では、強誘電性液晶のラセンが解
け、双安定な2つの状態が出現し、電界によってこの2
つの状態をスイッチングさせられることは、従来より公
知である。しかし、本発明ではラセンが解けた分子の配
向状態のどちらか一方向だけを優先的に安定化するため
に、一方の透光性基板の配向膜と他方の透光性基板の配
向膜とがそれぞれ強誘電性液晶との接触によって生ずる
極性を相互に異にする高分子膜にて形成された配向膜を
上下の配向制御層に設けている。
を挟持した液晶素子では、強誘電性液晶のラセンが解
け、双安定な2つの状態が出現し、電界によってこの2
つの状態をスイッチングさせられることは、従来より公
知である。しかし、本発明ではラセンが解けた分子の配
向状態のどちらか一方向だけを優先的に安定化するため
に、一方の透光性基板の配向膜と他方の透光性基板の配
向膜とがそれぞれ強誘電性液晶との接触によって生ずる
極性を相互に異にする高分子膜にて形成された配向膜を
上下の配向制御層に設けている。
【0018】すなわち、極性の異なる高分子の配向膜
が、強誘電性液晶の液晶分子内の自発分極に作用し、液
晶分子の向きを一方向に揃える。そして、その高分子膜
としては、一方の高分子膜がベンゼン環を多数有しπ電
子が多数存在する芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミ
ド、ポリエステル、フェノール系樹脂など、他方の高分
子膜がアルキル鎖を多数有する脂肪族ポリアミド、ポリ
エチレン、セルロースアセテート、脂肪族ポリイミドな
どがそれぞれ好適である。
が、強誘電性液晶の液晶分子内の自発分極に作用し、液
晶分子の向きを一方向に揃える。そして、その高分子膜
としては、一方の高分子膜がベンゼン環を多数有しπ電
子が多数存在する芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミ
ド、ポリエステル、フェノール系樹脂など、他方の高分
子膜がアルキル鎖を多数有する脂肪族ポリアミド、ポリ
エチレン、セルロースアセテート、脂肪族ポリイミドな
どがそれぞれ好適である。
【0019】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施形態を図面にて
詳述するが、この発明は以下の実施形態に限定されるも
のではない。図1において、1は透光性基板で、例えば
フロートガラスなどのガラス基板の一方の表面に、IT
O膜からなる透明電極2を形成し、その上にSiO2 な
どの電極保護膜3を介して、配向膜4を積層形成させて
ある。この透光性基板1を2枚、配向膜4を対向させて
上下に配置し、スペーサ5を介してエポキシ樹脂6にて
貼り合せてセル7を形成する。その後、真空注入法によ
り強誘電性液晶8をセル7内に注入した後、注入口(図
示しない)を封止する。例えば、強誘電性液晶8として
は、カイラルスメクチックC(SmC*)相を示す材料
を用いればよい。
詳述するが、この発明は以下の実施形態に限定されるも
のではない。図1において、1は透光性基板で、例えば
フロートガラスなどのガラス基板の一方の表面に、IT
O膜からなる透明電極2を形成し、その上にSiO2 な
どの電極保護膜3を介して、配向膜4を積層形成させて
ある。この透光性基板1を2枚、配向膜4を対向させて
上下に配置し、スペーサ5を介してエポキシ樹脂6にて
貼り合せてセル7を形成する。その後、真空注入法によ
り強誘電性液晶8をセル7内に注入した後、注入口(図
示しない)を封止する。例えば、強誘電性液晶8として
は、カイラルスメクチックC(SmC*)相を示す材料
を用いればよい。
【0020】配向膜4は、上下の透光性基板1、1でパ
ラレルまたはアンチパラレル方向にラビング処理が施し
てある。また配向膜4は、強誘電性液晶8との接触によ
り生ずる接触電位である極性が上下の透光性基板1、1
で相互に異なる高分子膜、たとえばLQ1800(商品
名、日立化成エ業(株)製)とナイロン6・6、JR1
00S(商品名、日東電エ(株)製)と、ポリビニルア
ルコールあるいはJIB(商品名、日本合成ゴム(株)
製)膜を170℃と300℃にて焼成したものなどの組
み合わせによるものである。
ラレルまたはアンチパラレル方向にラビング処理が施し
てある。また配向膜4は、強誘電性液晶8との接触によ
り生ずる接触電位である極性が上下の透光性基板1、1
で相互に異なる高分子膜、たとえばLQ1800(商品
名、日立化成エ業(株)製)とナイロン6・6、JR1
00S(商品名、日東電エ(株)製)と、ポリビニルア
ルコールあるいはJIB(商品名、日本合成ゴム(株)
製)膜を170℃と300℃にて焼成したものなどの組
み合わせによるものである。
【0021】以上において、それぞれの配向膜4、4の
極性が異なり、したがって、その極性の差が大きくな
り、強誘電性液晶8の液晶分子内にある自発分極に作用
して、図2に示すように、液晶分子8aがほぼ一定方向
に揃い、液晶分子8aの長軸である光軸9が一方向とな
る。これによって液晶分子8aは電界印加後その電界を
取りさっても、より安定な光軸9方向に戻るというメモ
リ効果における片安定な特徴を呈するものである。
極性が異なり、したがって、その極性の差が大きくな
り、強誘電性液晶8の液晶分子内にある自発分極に作用
して、図2に示すように、液晶分子8aがほぼ一定方向
に揃い、液晶分子8aの長軸である光軸9が一方向とな
る。これによって液晶分子8aは電界印加後その電界を
取りさっても、より安定な光軸9方向に戻るというメモ
リ効果における片安定な特徴を呈するものである。
【0022】つぎに、この実施形態の液晶表示素子の動
作について図3乃至図6にしたがって説明する。図1に
示す強誘電性液晶の注入されたセル7のたとえば上面
に、図3に示すように、液晶分子8aの光軸9と略平行
に吸収軸Polをセットした偏光板を設け、この偏光板
の吸収軸Polと垂直に、吸収軸Anaをセットした偏
光板をセル7の上面に設ける。この偏光板の設定は、黒
レベルを安定にさせるものである。
作について図3乃至図6にしたがって説明する。図1に
示す強誘電性液晶の注入されたセル7のたとえば上面
に、図3に示すように、液晶分子8aの光軸9と略平行
に吸収軸Polをセットした偏光板を設け、この偏光板
の吸収軸Polと垂直に、吸収軸Anaをセットした偏
光板をセル7の上面に設ける。この偏光板の設定は、黒
レベルを安定にさせるものである。
【0023】図4は上記設定のセル7の駆動時における
光学特性と駆動電圧波形との関係を示すグラフである。
図4により明らかなように、たとえば1msecの負の
スイッチングパルス−PSWのあとの光軸9を維持するた
めの、例えば30msecのDCバイアスVB の値をた
とえばVI =0(V)、VII=1(V)、VIII=3
(V)と変化させても、上記した片安定の特徴から、透
過光強度LB はほぼ0%であり、安定した黒レベルを保
つことがかわる。
光学特性と駆動電圧波形との関係を示すグラフである。
図4により明らかなように、たとえば1msecの負の
スイッチングパルス−PSWのあとの光軸9を維持するた
めの、例えば30msecのDCバイアスVB の値をた
とえばVI =0(V)、VII=1(V)、VIII=3
(V)と変化させても、上記した片安定の特徴から、透
過光強度LB はほぼ0%であり、安定した黒レベルを保
つことがかわる。
【0024】また、これとは逆に、DCバイアスVB を
正のスイッチングパルス+PSWのあと上記のように変化
させると、透過光強度LW はそれぞのDCバイアスVB
に対応して図4中I、II、IIIにて示す透過光強度に調
整できるものである。すなわち、DCバイアスVB の値
を調整することにより、任意の階調表示(中間調表示)
が得られることが分かる。また、この場合、図4中、II
Iにて示す透過光強度LW と透過光強度LB とで得られ
たコントラスト比は500であった。
正のスイッチングパルス+PSWのあと上記のように変化
させると、透過光強度LW はそれぞのDCバイアスVB
に対応して図4中I、II、IIIにて示す透過光強度に調
整できるものである。すなわち、DCバイアスVB の値
を調整することにより、任意の階調表示(中間調表示)
が得られることが分かる。また、この場合、図4中、II
Iにて示す透過光強度LW と透過光強度LB とで得られ
たコントラスト比は500であった。
【0025】つぎに、白レベルを安定にさせるための偏
光板の設定について説明する。この場合、図5に示すよ
うに、一方の偏光板の吸収抽Polを液晶分子8aの光
軸9から角度θだけずらしてセットする。また他方の偏
光板の吸収軸Anaは上記同様吸収軸Polに対し垂直
にセットする。角度θは20°〜45°の範囲であれば
よく、この角度θが45°に設定された場合、最も明る
い白レベルとなる。
光板の設定について説明する。この場合、図5に示すよ
うに、一方の偏光板の吸収抽Polを液晶分子8aの光
軸9から角度θだけずらしてセットする。また他方の偏
光板の吸収軸Anaは上記同様吸収軸Polに対し垂直
にセットする。角度θは20°〜45°の範囲であれば
よく、この角度θが45°に設定された場合、最も明る
い白レベルとなる。
【0026】図6は、チルト角19°で一方の偏光板の
設定を角度θが30°となるように設定した場合の駆動
時における光学特性と駆動電圧波形との関係を示すグラ
フである。図6から明らかなように、負のスイッチング
パルス−PSWのあとのDCバイアスVB の値を、図4の
場合と同様にVIV=0(V)、VV =1(V)、VVI=
3(V)と変化させても、透過光強度LW は−定値とな
り、安定した白レベルを保つことがわかる。
設定を角度θが30°となるように設定した場合の駆動
時における光学特性と駆動電圧波形との関係を示すグラ
フである。図6から明らかなように、負のスイッチング
パルス−PSWのあとのDCバイアスVB の値を、図4の
場合と同様にVIV=0(V)、VV =1(V)、VVI=
3(V)と変化させても、透過光強度LW は−定値とな
り、安定した白レベルを保つことがわかる。
【0027】また、これとは逆に、DCバイアスVB を
正スイッチングパルス+PSWのあとに上記のように変化
させると、透過光強度LB はそれぞれの電圧VIV、V
V 、VVIに対応して、同図中IV、V、VIにて示すような
透過光強度に調整できるものである。
正スイッチングパルス+PSWのあとに上記のように変化
させると、透過光強度LB はそれぞれの電圧VIV、V
V 、VVIに対応して、同図中IV、V、VIにて示すような
透過光強度に調整できるものである。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、強誘電性液晶の液晶分
子の光軸を一方向に揃えることが可能で、かつその揃え
られた光軸が駆動電圧のスイッチングパルスに続く光軸
維持のためのDCバイアスでほとんど動かないものとな
るため、この光軸方向をもとに偏光板の設定が簡単にで
きるようになったとともに、コントラスト比が向上した
液晶表示素子や液晶シャッタなどを得ることが可能とな
った。
子の光軸を一方向に揃えることが可能で、かつその揃え
られた光軸が駆動電圧のスイッチングパルスに続く光軸
維持のためのDCバイアスでほとんど動かないものとな
るため、この光軸方向をもとに偏光板の設定が簡単にで
きるようになったとともに、コントラスト比が向上した
液晶表示素子や液晶シャッタなどを得ることが可能とな
った。
【0029】また、強誘電性液晶素子の透過光強度を調
整できるようになったため、階調表示(中間調表示)、
さらには無限階調表示が可能な液晶表示装置を得ること
が可能となった。
整できるようになったため、階調表示(中間調表示)、
さらには無限階調表示が可能な液晶表示装置を得ること
が可能となった。
【図1】実施形態の構成を示す縦断面図である。
【図2】実施形態における強誘電性液晶の液晶分子の配
向伏態を示す模式図である。
向伏態を示す模式図である。
【図3】黒レベルを安定とする偏光板設定の場合の液晶
分子の配向と偏光板の吸収軸との関係を示す図である。
分子の配向と偏光板の吸収軸との関係を示す図である。
【図4】図3の偏光板設定における液晶素子の動作の駆
動電圧と透過光強度との関係を示すグラフである。
動電圧と透過光強度との関係を示すグラフである。
【図5】白レベルを安定とする偏光板設定の場合の液晶
分子の配向と偏光板の吸収軸との関係を示す図である。
分子の配向と偏光板の吸収軸との関係を示す図である。
【図6】図5の偏光板設定における液晶素子の動作の駆
動電圧と透過光強度との関係を示すグラフである。
動電圧と透過光強度との関係を示すグラフである。
1 透光性基板 2 透明電極 3 電極保護膜 4 配向膜 5 スペーサ 6 エポキシ樹脂 7 セル 8 強誘電性液晶 8a 液晶分子 9 光軸
Claims (4)
- 【請求項1】 一方の表面に透明電極と配向制御層とを
有する透光性基板2枚を、配向制御層を対向させて配置
し、該基板間に強誘電性液晶を挟持する構造を有する強
誘電性液晶表示素子において、無電界時の液晶配向の安
定状態が一状態のみであり、印加電圧の値を変えること
により、透過光強度が調整されることを特徴とする強誘
電性液晶表示素子。 - 【請求項2】 一方の表面に透明電極と配向制御層とを
有する透光性基板2枚を、配向制御層を対向させて配置
し、該基板間に強誘電性液晶を挟持する構造を有する強
誘電性液晶表示素子において、無電界時の液晶配向の安
定状態が一状態のみであり、印加電圧の値を変えること
により、透過光強度が調整され、無電界時において表示
状態が暗状態となるように、偏光板を組み合わせること
を特徴とする強誘電性液晶表示素子。 - 【請求項3】 一方の表面に透明電極と配向制御層とを
有する透光性基板2枚を、配向制御層を対向させて配置
し、該基板間に強誘電性液晶を挟持する構造を有する強
誘電性液晶表示素子であって、無電界時の液晶配向の安
定状態が一状態のみであり、印加電圧の値を変えること
により、透過光強度が調整されることを特徴とする強誘
電性液晶表示素子の駆動方法において、第1のフレーム
では、第1期間に、所定の期間、正のパルス電圧を印加
し、第2期間に、第1期間より長い期間、前記パルス電
圧より小さい正の電圧を印加し、第2のフレームでは、
第1期間に、所定の期間、負のパルス電圧を印加し、第
2期間に、第1期間より長い期間、前記パルス電圧より
小さい負の電圧を印加することを特徴とする強誘電性液
晶表示素子の駆動方法。 - 【請求項4】 一方の表面に透明電極と配向制御層とを
有する透光性基板2枚を、配向制御層を対向させて配置
し、該基板間に強誘電性液晶を挟持する構造を有する強
誘電性液晶表示素子であって、無電界時の液晶配向の安
定状態が一状態のみであり、印加電圧の値を変えること
により、透過光強度が調整され、無電界時において表示
状態が暗状態となるように、偏光板を組み合わせること
を特徴とする強誘電性液晶表示素子において、第1のフ
レームでは、第1期間に、所定の期間、正のパルス電圧
を印加し、第2期間に、第1期間より長い期間、前記パ
ルス電圧より小さい正の電圧を印加し、第2のフレーム
では、第1期間に、所定の期間、負のパルス電圧を印加
し、第2期間に、第1期間より長い期間、前記パルス電
圧より小さい負の電圧を印加することを特徴とする強誘
電性液晶表示素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8190784A JP2665331B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 強誘電性液晶表示素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8190784A JP2665331B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 強誘電性液晶表示素子の駆動方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62335192A Division JPH01177016A (ja) | 1987-12-28 | 1987-12-28 | 強誘電性液晶シャッタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH095711A true JPH095711A (ja) | 1997-01-10 |
JP2665331B2 JP2665331B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=16263688
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8190784A Expired - Lifetime JP2665331B2 (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 強誘電性液晶表示素子の駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2665331B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9741300B2 (en) | 2013-07-11 | 2017-08-22 | Citizen Watch Co., Ltd. | Liquid crystal apparatus |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61151616A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Alps Electric Co Ltd | 液晶ライトバルブ |
JPS6278530A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-10 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP8190784A patent/JP2665331B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61151616A (ja) * | 1984-12-26 | 1986-07-10 | Alps Electric Co Ltd | 液晶ライトバルブ |
JPS6278530A (ja) * | 1985-10-02 | 1987-04-10 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2665331B2 (ja) | 1997-10-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5495351A (en) | Liquid crystal device with two monostable liquid crystal cells | |
JPH02118516A (ja) | 電気光学装置 | |
JPH01177016A (ja) | 強誘電性液晶シャッタ | |
US7123330B2 (en) | Liquid crystal panel substrate having alignment film and method for forming alignment film by varied evaporation angle | |
JP2003121882A (ja) | 反射形強誘電性液晶表示装置及びその駆動方法 | |
JP2665331B2 (ja) | 強誘電性液晶表示素子の駆動方法 | |
JPH0764056A (ja) | 反強誘電性液晶表示素子及び反強誘電性液晶表示素子の駆動方法 | |
JP3404467B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
US5638143A (en) | Ferroelectric liquid crystal display device with a particular angle between the polarizer optical axes and the molecular director | |
JP3094580B2 (ja) | 反強誘電性液晶ディスプレイ | |
JP2510823B2 (ja) | 光学変調素子の製造法 | |
JP2517549B2 (ja) | 光学変調素子 | |
JPS61241731A (ja) | スメクテイック液晶装置 | |
KR0161377B1 (ko) | 강유전성 액정표시소자 | |
JP3005936B2 (ja) | 液晶表示素子 | |
JPS6256933A (ja) | 液晶マトリツクス表示パネルの駆動法 | |
JPH0695179B2 (ja) | 液晶マトリックス表示パネルの駆動法 | |
JPS62125330A (ja) | 光学変調素子の駆動法 | |
JPS60262136A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
JPH0453293B2 (ja) | ||
JPH11279556A (ja) | 強誘電性液晶表示装置 | |
JPH01284833A (ja) | 液晶電気光学装置 | |
JPS60262134A (ja) | 液晶素子の駆動法 | |
JPH02204721A (ja) | 液晶表示素子 | |
JP2000336361A (ja) | 単安定強誘電液晶表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 11 |