JPH0943935A - 接触帯電部材、接触帯電装置、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 帯電音低減のために硬度を低めた接触帯電部
材、該帯電部材を用いた装置に関し、該帯電部材の圧接
放置によるニップ跡に起因する容量変動等の諸問題を解
消する。 【解決手段】 ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下で、被帯
電体１に接触させて配され、電圧が印加されて被帯電体
を帯電する帯電部材２であり、被帯電体との接触面で構
成するニップ内に放電可能な、凸部１６、網目状シー
ト、穴等の凹凸を接触面に有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、接触帯電部材、接
触帯電装置、画像形成装置、及びプロセスカートリッジ
に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、電子写真装置（複写機・プリン
タ・画像表示装置など）・静電記録装置等の画像形成装
置において、感光体・誘電体等の被帯電体としての像担
持体面を帯電処理（除電処理も含む）する手段としては
コロナ帯電器が従来より広く利用されている。

【０００３】コロナ帯電器は像担持体等の被帯電体面を
所定の極性・電位に均一に帯電処理する手段機器として
有効である。しかし所定の帯電電位を得るために高価な
高圧トランス（６〜８ＫＶ程度）を必要とすることや、
コロナ放電でオゾンが比較的多く発生するのでその対策
に工夫を要することなどの問題点を有している。

【０００４】このようなコロナ帯電器に対して、直流電
圧、あるいは直流と交流の重畳電圧を印加した帯電部材
を被帯電体面に接触させて被帯電体面を帯電処理する接
触帯電装置があり、これは電源の低電圧化が図れること
や、オゾンの発生は微量である等の長所を有しているこ
とから、例えば画像形成装置において感光体・誘電体等
の像担持体やその他の被帯電体面を帯電処理する、コロ
ナ帯電器に変わる手段機器として注目され、次第に利用
されるようになってきている。

【０００５】例えば、被帯電体としての感光体面に帯電
部材としての導電性ローラ（帯電ローラ）を接触させ
て、該ローラに数１００Ｖ〜２ＫＶ程度の正又は負の直
流電圧、或いはさらに交流電圧を重畳させて印加し、感
光体面を数１００Ｖ〜１．５ＫＶに帯電するものであ
る。

【０００６】接触帯電において、接触帯電部材に、直流
成分（ＤＣバイアス）と交流成分（ＡＣバイアス）を含
む振動電圧を印加して被帯電体を帯電処理するＡＣ印加
方式は（例えば特公平３−５２０５８号公報）、直流成
分のみを印加して被帯電体を帯電処理するＤＣ印加方式
よりも、帯電の均一性等がよくて有効である。

【０００７】即ち、交流成分を含んだ電圧を接触帯電部
材に印加するＡＣ印加方式の場合は、被帯電体の帯電が
不十分な時は、接触帯電部材から被帯電体へ放電し、被
帯電体が余分に帯電した（直流成分電圧値より高く帯電
した）時には、被帯電体から接触帯電部材に逆放電され
る。この放電・逆放電を交流電圧の周波数分だけ繰り返
えされることにより、被帯電体の表面電位は電源の直流
電圧値に集束する。

【０００８】接触帯電部材はローラ型の他にも、ブレー
ド型、ブラシ型、ベルト型等の形態のものとすることも
できる。

【０００９】また、接触帯電部材ないしは接触帯電装置
は高圧電源の低コスト化、オゾンフィルターの廃止等の
利点から、比較的低コストの画像形成装置に用いられる
ことが多く、使い捨てのプロセスカートリッジ内に組み
込まれることが期待されており、製品化されているもの
もある。

【００１０】しかしながら、接触帯電部材にＡＣバイア
スを印加すると「帯電音」と呼ばれる振動音が発生す
る。

【００１１】これはＡＣ電界のプラスとマイナスの繰り
返し反転に対応し、接触帯電部材が被帯電体面に引きつ
けられたり、元の位置に戻ったりする運動の繰り返しに
伴い、接触帯電部材が被帯電体を叩く振動音が発生する
ものである。

【００１２】この帯電音を防止するために、画像形成装
置にあっては、被帯電体としての感光体の内面に重り詰
めて感光体の振動を抑える方法が現在採用され製品化さ
れている。

【００１３】しかし、感光体を内包したプロセスカート
リッジが重くなることや、感光体の製造コストが上がる
ため、接触帯電部材自身を改良し帯電音を抑える検討が
進められている。

【００１４】具体的には、接触帯電部材の硬度を低くし
て該接触帯電部材が被帯電体の叩く振動を弱める方法
（特開平５−２１０２８１号公報）が考案されている。

【００１５】図１１は硬度を低めた接触帯電ローラ１１
の構成模型図である。この帯電ローラ１１は、芯金１２
と、該芯金に同心一体にローラ状に形成した導電発泡ゴ
ム層１３と、該導電発泡ゴム層の表面に設けた誘電層１
４からなり、ＡＳＫＥＲ（アスカー）−Ｃ ５５°以下
の低硬度を目標として作成される。該帯電ローラを以下
「スポンジローラ」と称すことにする。

【００１６】このスポンジローラ１１は芯金１２の両端
部をそれぞれ軸受３により回転自由に軸受け支持させ、
軸受３を加圧バネ４で被帯電体１方向へ加圧移動付勢す
ることで、スポンジローラ１１を該ローラの弾性に抗し
て被帯電体１の面に所定の押圧力で接触させてある。

【００１７】被帯電体１は本例では回転ドラム型の電子
写真感光体である。１ｂは該感光体１の円筒アルミニウ
ム基体、１ａは該基体の外周に形成した感光層である。
感光体１は矢示の方向に回転駆動されるものとする。帯
電ローラとしてのスポンジローラ１１は該感光体１の回
転駆動に従動して矢示の反時計方向に回転する。

【００１８】１０は帯電バイアス印加電源（高圧電源）
であり、該電源１０から所定の帯電バイアスが加圧バネ
４・軸受３・芯金１２を介してスポンジローラ１１に印
加されることで、回転感光体１の感光体層１ａの周面が
接触帯電により所定の極性電位に帯電処理される。

【００１９】接触帯電部材としてのスポンジローラ１１
をＡＳＫＥＲ−Ｃ ５５°以下の低硬度のものとするこ
とで、ＡＣ印加方式でも該ローラ１１が被帯電体として
の感光体１の叩く振動が弱まり、即ち帯電音が弱まる。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】上記のような低硬度の
帯電部材としてのスポンジローラ１１は堅い帯電部材と
比較して帯電音の低減化に効果がある。しかし、硬度が
低いためへたり変形を生じやすい。

【００２１】即ち、スポンジローラ１１は感光体１に加
圧バネ３により圧接され、回転中には感光体１との間に
図１１のように幅ｎ１のニップＡを形成しているが、静
止して長期放置されると硬度が低いため図１２のように
上記の幅ｎ１よりも幅広Ｎ１のニップを形成してへたり
変形してしまい、永久変形部あるいはすぐには自己弾性
復元しない変形部としての所謂「放置ニップ跡」Ｂを生
じやすい。

【００２２】また、この静止放置位置で感光体１を停止
させて該スポンジローラ１１にＡＣ電圧を印加し、感光
体に放電メモリーを形成した直後にハーフトーン画像を
印刷すると、スポンジローラ１１の放置によるニップ形
状を観測できる。これを図１３に示す。但し、この観測
においては、電圧降下の無い電源容量として充分大きな
外部電源を用いている。感光体１の外径はφ２４ｍｍ、
スポンジローラ１１の外径はφ１２ｍｍである。図１３
においてＴ_Dは感光体１の１回転分の周長（φ２４×π
ｍｍ）に対応する画像長さ領域である。

【００２３】図１３の画像において、スポンジローラ１
１の放置ニップ跡Ｂに対応する部分の両脇が停止中の過
剰放電により感光体１に放電メモリーとして残り、それ
が画像上で２本の白線部ｂとなる。２本の白線部ｂの間
のハーフトーンは、スポンジローラ１１が感光体と密着
して容量を形成するが放電できないため放電メモリーが
できない。つまり、この２本の白線部ｂ・ｂの間のハー
フトーン部が放置ニップ跡Ｂに対応する部分である。

【００２４】放置ニップ跡Ｂが生じたスポンジローラ１
１で感光体を帯電処理して画像形成を実行させると、放
置ニップ跡Ｂがスポンジローラ１１の回転周期で感光体
１を通過する。その放置ニップ跡Ｂの通過時は、感光体
との接触面積が多い分だけＡＣ電流が流れやすくなる
が、ＡＣ電流が増加分、電源１０の内部抵抗よりＡＣバ
イアスが減衰してしまう。

【００２５】このＡＣバイアスの変化を図１４に示す。
通常ＡＣバイアスは１６００Ｖppであるが、放置ニップ
跡Ｂが通過するごとに１５００Ｖppに低下し、スポンジ
ローラ１１の回転周期で１５００Ｖppに一瞬低下する。
この時、特に、交流波形において、高バイアス側のピー
ク間電圧Ｖpp_max が、低バイアス側のピーク間電圧Ｖpp
_min より変動しやすい。

【００２６】つまり、１６００Ｖppから１５００Ｖppへ
と１００Ｖpp狭まる時、Ｖpp_max は７５ｖ縮みＶpp_min
は２５ｖ縮んでいた。これにより、設定されていた直流
電圧−６５０Ｖ_DCから放置ニップ跡Ｂの通過時に一瞬−
６２５Ｖ_DCに低下する。

【００２７】すると、感光体１の表面電位も−６５０Ｖ
_DC→ー６２５Ｖ_DCに放置ニップ跡Ｂの通過時に一瞬低下
してしまい、反転現像系では、この部分に対応して図１
５に示すハーフトーンに濃度ムラが発生する。Ｔ_Rはス
ポンジローラ１１の１回転分の周長（φ１２×πｍｍ）
に対応する画像長さである。

【００２８】この現象は、従来の接触帯電装置に用いら
れているＡＣ定電流−ＤＣ定電圧制御電源において、Ａ
Ｃトランス及びＤＣトランスの２個のトランス系の能力
等を強化し、容量負荷に余裕のある高圧電源を用いれ
ば、ある程度防ぐことが可能である。

【００２９】しかし、簡易な高圧電源例えば、トランス
を１個しか持たない１トランス系のＡＣ定電圧−ＤＣ定
電圧電源１０においては、図１６に示すように、発振器
Ｈによる入力波形をトランスＴの巻き線比で昇圧したＡ
Ｃ電圧を定Ｖppとし、この定ＶppをダイオードＤで整流
してコンデンサーＣ１に充電し、コンデンサーＣ１に充
電されたＶ_DCを定Ｖppに重畳している。トランジスタＳ
ｉは周期的にスイッチとしてｏｎ、ｏｆｆし、コンデン
サーＣ１によるＶ_DCが効果的にＶppに重畳されるように
同調している。この回路においては、それ故、Ｖppの容
量負荷による変動は整流しているＶ_DCも変動させる。

【００３０】この高圧電源１０において、スポンジロー
ラ１１の放置ニップ跡Ｂの通過時によりＡＣ電流が増加
し、高バイアス側のピーク間電圧Ｖpp_max が減衰するた
め、直流電圧成分が２５Ｖ_DC低下し、ハーフトーンにお
いて濃度ムラが発生していた。

【００３１】そこで、現在は、帯電音を低減化できる低
硬度であって、しかも放置ニップ跡Ｂが残らないような
弾性力に富むスポンジローラの改良を進めているが、ス
ポンジローラの構成が限定されてしまう。つまり、スポ
ンジローラは低硬度（ＡＳＫＥＲ−Ｃ５５°以下）のも
のを目標とし作成するが、従来の制御方法では上記弊害
を克服するために、材料や製造条件等のスポンジローラ
自身の設計公差を狭めている。

【００３２】本発明は上記に鑑みてなされたもので、硬
度を低めた接触帯電部材の使用に関し、従来の堅い接触
帯電部材と比較して劣る問題点を克服するものである。

【００３３】即ち、硬度の低い接触帯電部材を簡易な高
圧電源で用いるための最適な接触帯電構成を提供するも
のである。

【００３４】スポンジローラのような低硬度の接触帯電
部材における、圧接放置によるニップ跡のような容量の
変動を受けにくく、同時に１トランスでＡＣとＤＣ両方
の電圧を重畳させる簡易な高圧電源においても、Ｖppを
整流して出力されている直流電圧成分の低下がなく、画
像形成装置にあってはハーフトーンの濃度ムラを防止で
きるようにしたものを提供するものである。

【００３５】低硬度接触帯電部材の圧接放置でのニップ
跡においても、容量変動が少なくなり、低硬度接触帯電
部材の製造面、材料面の設計公差を広げ、多種多様な低
硬度接触帯電部材の使用を可能とするものである。

【００３６】

【課題を解決するための手段】本発明は下記の構成を特
徴とする、接触帯電部材、接触帯電装置、画像形成装
置、及びプロセスカートリッジである。

【００３７】（１）ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下で、
被帯電体に接触させて配され、電圧が印加されて被帯電
体を帯電する帯電部材であり、被帯電体との接触面で構
成するニップ内に放電可能な凸部を接触面に有すること
を特徴とする接触帯電部材。

【００３８】（２）部材の一部に粒子が分散されてい
て、放電可能な凸部を接触面に有することを特徴とする
（１）に記載の接触帯電部材。

【００３９】（３）ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下で、
被帯電体に接触させて配され、電圧が印加されて被帯電
体を帯電する帯電部材であり、被帯電体との接触面で構
成するニップ内に放電可能な網目状シートを接触面に有
することを特徴とする接触帯電部材。

【００４０】（４）ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下で、
被帯電体に接触させて配され、電圧が印加されて被帯電
体を帯電する帯電部材であり、被帯電体との接触面で構
成するニップ内に放電可能な穴を接触面に有することを
特徴とする接触帯電部材。

【００４１】（５）ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下の帯
電部材を被帯電体に接触させ電圧を印加して被帯電体面
を帯電処理する接触式の帯電装置において、前記接触帯
電部材は被帯電体との接触面で構成するニップ内に放電
可能な凸部を接触面に有することを特徴とする接触帯電
装置。

【００４２】（６）前記接触帯電部材の一部に粒子が分
散されていて、放電可能な凸部を接触面に有することを
特徴とする（５）に記載の接触帯電装置。

【００４３】（７）前記接触帯電部材に電圧を印加する
電源のトランスは１個であることを特徴とする（５）ま
たは（６）に記載の接触帯電装置。

【００４４】（８）ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下の帯
電部材を被帯電体に接触させ電圧を印加して被帯電体面
を帯電処理する接触式の帯電装置において、前記接触帯
電部材は被帯電体との接触面で構成するニップ内に放電
可能な網目状シートを接触面に有することを特徴とする
帯電装置。

【００４５】（９）前記接触帯電部材に電圧を印加する
電源のトランスは１個であることを特徴とする（８）に
記載の接触帯電装置。

【００４６】（１０）ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下の
帯電部材を被帯電体に接触させ電圧を印加して被帯電体
面を帯電処理する接触式の帯電装置において、前記接触
帯電部材は被帯電体との接触面で構成するニップ内に放
電可能な穴を接触面に有することを特徴とする帯電装
置。

【００４７】（１１）前記接触帯電部材に電圧を印加す
る電源のトランスは１個であることを特徴とする（１
０）に記載の接触帯電装置。

【００４８】（１２）像担持体に、該像担持体を帯電す
る工程を含む作像プロセスを適用して画像形成する画像
形成装置において、前記帯電工程手段が、前記（１）乃
至（４）の何れか１つに記載の接触帯電部材、あるいは
（５）乃至（１１）の何れか１つに記載の接触帯電装置
であることを特徴とする画像形成装置。

【００４９】（１３）少なくとも、像担持体と、該像担
持体を帯電する手段を包含し、画像形成装置本体に対し
て着脱されるプロセスカートリッジにおいて、前記帯電
手段が、前記（１）乃至（４）の何れか１つに記載の接
触帯電部材、あるいは（５）乃至（１１）の何れか１つ
に記載の接触帯電装置であることを特徴とするプロセス
カートリッジ。

【００５０】即ち、帯電音の低減化のために硬度をＡＳ
ＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下に低め、そのためにニップ跡
の生じやすい低硬度の接触帯電部材でも、被帯電体との
接触面に、被帯電体との接触ニップ内に放電可能な、凸
部、網目状シート、穴、つまりギャップ間電圧と補正パ
ッシェンカーブとで決まる放電可能領域としての凹凸を
設けることにより、被帯電体との接触ニップ内でも帯電
に必要な放電を行うことが可能となり、放電良は多いの
で帯電が安定し、帯電性能を落とすことなく、簡易な高
圧電源に低硬度接触帯電部材の容量特性を調整でき、低
硬度接触帯電部材の圧接放置でのニップ跡においても、
容量変動が少なくなり、低硬度接触帯電部材の製造面、
材料面の設計公差を広げ、多種多様な低硬度接触帯電部
材の使用が可能となる。

【００５１】つまり、スポンジローラのような低硬度の
接触帯電部材における、圧接放置によるニップ跡のよう
な容量の変動を受けにくく、同時に１トランスでＡＣと
ＤＣ両方の電圧を重畳させる簡易な高圧電源において
も、Ｖppを整流して出力されている直流電圧成分の低下
がなく、画像形成装置にあってはハーフトーンの濃度ム
ラを防止できる。

【００５２】

【発明の実施の形態】

〈実施形態例１〉（図１〜図７） （１）画像形成装置例 図１は画像形成装置例の概略構成図である。本例の画像
形成装置は転写式電子写真プロセス利用の、接触帯電方
式、プロセスカートリッジ方式のレーザービームプリン
タである。

【００５３】１は像担持体（被帯電体）としての回転ド
ラム型の電子写真感光体である。本例の該感光体１は、
円筒アルミニウム基体１ａと、その外周面に形成した有
機光導電体層（ＯＰＣ）からなる感光体層（厚さ２１μ
ｍ）１ａからなり、外径φ２４ｍｍである。そして矢印
の時計方向に所定の所定のプロセススピード（周速
度）、例えば２４ｍｍ／ｓｅｃで回転駆動される。

【００５４】２は接触帯電部材としての帯電ローラであ
る。本例の該帯電ローラ２は低硬度のスポンジローラで
あり、該スポンジローラの構成は次の（２）項で詳述す
る。

【００５５】このスポンジローラ２は芯金１２の両端部
をそれぞれ軸受３により回転自由に軸受け支持させ、軸
受３を加圧バネ４で感光体１方向へ加圧移動付勢するこ
とで、スポンジローラ２を該ローラの弾性に抗して感光
体１の面に所定の押圧力で接触させてある。

【００５６】本例においては、加圧バネ４のバネ定数は
片側０．１２５ｋｇ／ｍｍであり、４．０ｍｍ縮めるこ
とにより、０．５ｋｇで加圧している。該スポンジロー
ラ２は感光体１の回転駆動に従動して矢示の反時計方向
に回転する。該スポンジローラ２を感光体１と周速差を
持たせて感光体１と順方向または逆方向に回転駆動させ
ることもできる。

【００５７】１０は帯電バイアス印加電源（高圧電源）
であり、該電源１０から所定の帯電バイアスが加圧バネ
４・軸受３・芯金１２を介してスポンジローラ２に印加
されることで、回転感光体１の感光体層１ａの周面が接
触帯電により所定の極性電位に帯電処理される。

【００５８】本例においては、ＡＣ印加方式による負帯
電処理であり、交流電圧の周波数は２４０Ｈｚに固定さ
れ、直流電圧成分Ｖ_DCは−６５０Ｖである。交流電圧値
としてのピーク間電圧Ｖｐｐは１６００Ｖｐｐである。

【００５９】スポンジローラ２により負の均一帯電を受
けた回転感光体１面に、レーザースキャナ５から出力さ
れる、目的の画像情報の時系列電気デジタル画素信号に
対応して変調されたレーザー光Ｌによる走査露光がなさ
れて、感光体面に目的の画像情報に対応した静電潜像が
形成される。５ａはレーザー光折り返しミラーである。

【００６０】次いで、その感光体面上に形成された静電
潜像に現像装置６の現像スリーブ６ａよりネガトナーが
供給されて潜像が反転現像される。

【００６１】一方、不図示の給紙部からガイド７を介し
て被記録材としての転写材Ｐが、感光体１と転写ローラ
８との当接ニップ部（転写部）へ感光体１面のトナー像
とタイミングを合わせて給送され、転写ローラ８により
感光体１面側のトナー像が転写材Ｐ面側へ順次に転移
（転写）されていく。

【００６２】転写部を通った転写材Ｐは感光体１面から
分離されて定着手段３０へ導入されて像定着を受けて、
画像形成物（プリント）として出力される。

【００６３】転写材分離後の感光体１面はクリーニング
装置９により転写残りトナー等の付着汚染物の除去を受
けて清浄面化されて繰り返して作像に供される。

【００６４】本例のプリンタにおいては、感光体１、接
触帯電部材としてのスポンジローラ２、現像装置６、ク
リーニング装置９の４つのプロセス機器を一括してプリ
ンタ本体に着脱交換自在のプロセスカートリッジ３１と
してある。３２・３２は該カートシッジの着脱案内・支
持部材である。

【００６５】（２）スポンジローラ２の構成 図２は本例で用いた低硬度接触帯電部材としてのスポン
ジローラ２の構成模型図である。なお、この構成模型図
は説明の便宜上、特徴構成を極めて誇張化・象徴化して
表したものであり、各構成層の層厚比率等は実寸比率と
一致するものではない。

【００６６】本例の低硬度な接触帯電部材としてのスポ
ンジローラ２は、導電性芯金１２と、その外周に同心一
体にローラ状に形成した導電性発泡部材層１３と、さら
にその外周に形成した、粒子１５を分散させて表面に数
多の凸部１６を具備させた誘電層１４からなる。このよ
うに表面に数多の凸部１６を具備させた本例のスポンジ
ローラ２を以下「凸スポンジローラ」と称す。

【００６７】この凸スポンジローラ２の外径はφ１２ｍ
ｍであり、硬度はＡＳＫＥＲ−Ｃで５０°である。

【００６８】芯金１２はφ６ｍｍである。

【００６９】導電性発泡部材層１３は、例えば、ポリス
チレン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリウレタ
ン、ポリアミド、ＥＰＤＭ、エピクロルヒドリンゴム系
等の発泡部材などであり、これらにカーボン、酸化錫等
の導電性粉体を分散配合して導電性を付与したものであ
ってもよい。

【００７０】誘電層１４は、ウレタンゴム、アクリル樹
脂、ナイロン樹脂、エピクロルヒドリンゴム等の１〜５
００μｍの薄層で、高抵抗層でもある。硬度はＡＳＫＥ
Ｒ−Ｃで５０°である。

【００７１】誘電層１４には１０〜５００μｍの粒子１
５が分散されている。粒子１５はウレタンゴム、アクリ
ル樹脂、ナイロン樹脂等を用いているが、少なくとも誘
電層１４に使用した材料よりは体積抵抗率の高いものを
使用している。

【００７２】誘電層１４に上記の粒子１５を分散させる
ことで、スポンジローラの外周表面には数多の凸部１６
が形成されたものとなり、この凸部１６が、凸スポンジ
ローラ２と感光体の接触ニップ内において放電可能な凸
部となる。

【００７３】（３）凸部１６の作用 本例の凸スポンジローラ２も前述従来のスポンジローラ
１０と同様に低硬度であることで帯電音の低減化効果を
有している。

【００７４】また、本例の凸スポンジローラ２も硬度が
低いためへたり変形を生じやすいことも前述従来のスポ
ンジローラ１０と同様である。即ち、該凸スポンジロー
ラ２は感光体１に加圧バネ３により圧接され、回転中に
は感光体１との間に図２のように幅ｎ１のニップＡを形
成しているが、静止して長期放置されると硬度が低いた
め図３のように上記の幅ｎ１よりも幅広Ｎ１のニップを
形成してへたり変形してしまい、永久変形部あるいはす
ぐには自己弾性復元しない変形部としての放置ニップ跡
Ｂを生じやすい。

【００７５】ところが、本例の凸スポンジローラ２の場
合には、誘電層１４中に分散された粒子１５によりロー
ラ外周表面には数多の凸部１６が形成されており、その
ために凸スポンジローラ２と感光体１との接触ニップの
間には隙間ｇが生じる。

【００７６】ここで、図２の凸スポンジローラ回転中
の、感光体１と凸スポンジローラ２とニップＡのみによ
るニップ容量をＣｎ^* する。また、ニップＡの両脇に形
成される空間部ａ・ａでの容量をＣａ^* ／２とすると、
凸スポンジローラ２と感光体１との全体の容量Ｃ^* は Ｃ^* ＝Ｃａ^* ／２＋Ｃｎ^* ＋Ｃａ^* ／２ ＝Ｃｎ^* ＋Ｃａ^* ・・・・・・・・（１） となる。

【００７７】一方、図３のように、凸スポンジローラ２
が回転を停止して長期放置された場合の該ローラのへた
りによりニップ部に生じる放置ニップ跡Ｂの幅Ｎ１は上
記ニップＡの幅ｎ１に比べ、大きくなり、 Ｎ１＞ｎ１ ・・・・・（２） の関係が成り立つ。

【００７８】（２）の代わりに Ｎ１＝（ｋ＋１）×ｎ１ 但しｋ＞０ ・・・・（３） の式で表わせば、凸スポンジローラ２と感光体１のニッ
プ部でのみ形成されるニップ容量Ｃｎ^* は、このニップ
幅に比例して大きくなる。

【００７９】つまり、放置ニップ跡Ｂでの全体の容量Ｃ
ｋ^* は Ｃｋ^* ＝（ｋ＋１）×Ｃｎ^* ＋Ｃａ^* ・・・・（４） となる。

【００８０】一方、前述の図１１・図１２の従来のスポ
ンジローラ１１において、回転中の該スポンジローラ１
０と感光体１とのニップＡのニップ容量をＣｎとする。

【００８１】また、該ニップＡの両脇に形成される空間
部ａ・ａでのニップ容量をＣａ／２とすると、スポンジ
ローラ１１と感光体１との全体のニップ容量Ｃは Ｃ＝Ｃａ／２＋Ｃｎ＋Ｃａ／２ ＝Ｃｎ＋Ｃａ ・・・・・・（５） となる。

【００８２】同様に、スポンジローラ１１と感光体１の
ニップ部でのみ形成されるニップ容量Ｃｎは、このニッ
プ幅に比例して大きくなる。

【００８３】つまり、放置ニップ跡Ｂでの全体の容量Ｃ
ｋは Ｃｋ＝（ｋ＋１）×Ｃｎ＋Ｃａ ・・・・・・（６） なる。

【００８４】さて、凸スポンジローラ２のニップ容量Ｃ
ｎ^* は従来のスポンジローラ１１のニップ容量Ｃｎに対
して、隙間ｇ広がっているため容量が少ない。即ち、粒
子１５の分散により増加し、隙間ｇによる容量Ｃｓを用
いると、 Ｃｎ^* ＝Ｃｓ×Ｃｎ／（Ｃｎ＋Ｃｓ） ・・・・・・（７） となる。よって、 Ｃｎ−Ｃｎ^* ＞０ ・・・・・・・（８） の関係があり、ニップ両脇の空間部ａ・ａでの容量も同
様に Ｃａ−Ｃａ^* ＞０ ・・・・・・・（９） の関係がある。

【００８５】よって、放置ニップ跡Ｂにおける、従来の
スポンジローラ１１と凸スポンジローラ２の容量差Ｐ
は、（８）式と（９）式より Ｐ＝Ｃｋ−Ｃｋ^* ＝（ｋ＋１）×（Ｃｎ−Ｃｎ^* ）＋（Ｃａ−Ｃａ^* ）＞０・・（１０） となり、凸スポンジローラ２の方が従来のスポンジロー
ラ１１より放置ニップ跡Ｂにおける容量は小さい。

【００８６】更に、凸スポンジローラ２のニップ跡Ｂと
ニップＡの容量変動△Ｃ^* は（４）−（１）より、 △Ｃ^* ＝Ｃｋ^* −Ｃ^* ＝ｋ×Ｃｎ^* ・・・・・・（１１） 従来のスポンジローラ１１の放置ニップ跡ＢとニップＡ
の容量変動△Ｃは（６）−（５）より、 △Ｃ＝Ｃｋ−Ｃ＝ｋ×Ｃｎ ・・・・・・・・（１２） よって、両ローラ１１と２の放置ニップ跡ＢとニップＡ
の容量変動の差Ｑは（１２）−（１１）と（８）より、 Ｑ＝△Ｃ−△Ｃ^* ＝ｋ×（Ｃｎ−Ｃｎ^* ）＞０ ・・・・・（１３） となり、凸スポンジローラ２の方が従来のスポンジロー
ラ１１より放置ニップ跡Ｂにおける容量変化が少ない。

【００８７】（１３）において、真空の誘電率ε０、ニ
ップＡの面積Ｓ、感光層の厚み及び比誘電率をｄ及びε
ｄ、スポンジローラの誘電層１４の厚み及び比誘電率を
ｔ及びεｔ、とすると、 Ｃｓ＝ε０×Ｓ／ｇ ・・・・・・・（１４） Ｃｎ＝ε０×Ｓ／（ｄ／εｄ＋ｔ／εｔ） ・・・・・・（１５） となり、（７）も代入して整理すると、 Ｑ＝ΔＣ−ΔＣ^* ＝ｋ×Ｃｎ×Ｃｎ／（Ｃｎ＋Ｃｇ） ＝k ×ε0 ×S ／［｛d/εd ＋t/εt}×{1＋( d/εd ＋t/εt)/g} ] ・・・・・・（１６） となる。

【００８８】本例での具体的な数値を代入すると、
（３）より、 ｎ１＝０．５３ｍｍ→Ｎ１＝１．０６ｍｍ と放置ニップ跡Ｂが２倍となるのはｋ＝１であり、スポ
ンジローラの長手Ｌ＝２２０ｍｍであるから、ニップＡ
の面積Ｓは Ｓ＝Ｌ×ｎ１＝１１７（ｍｍ² ）＝１１７×１０^-6（ｍ² ）・・（１７） となり、 ε０＝８．８５×１０^-12 （Ｆ／ｍ） ｇ＝１５×１０^-6（ｍ） εｔ＝６ ｔ＝１８×１０^-6（ｍ） εｄ＝３ ｄ＝２１×１０^-6（ｍ） ・・・・・・・・・（１８） を（１６）式に代入すると Ｑ＝△Ｃ−△Ｃ^* ＝k ×ε0 ×S ／［｛d/εd ＋t/εt}×{1＋( d/εd ＋t/εt)/g}] ＝６０×１０^-12 ＝６０ｐＦ ・・・・・・・・（１９） よって、粒子１５を誘電層１４に分散して隙間ｇを１５
μｍ広げることにより、容量変化は６０ｐＦ改良され
る。

【００８９】なお、図２の凸スポンジローラ２の容量
は、図１１・図１２の従来のスポンジローラ１１よりも
若干少ないが、粒子１５の分散によりニップＡ内部でも
放電が可能となり、放電量は多いので帯電が安定する。

【００９０】（４）スポンジローラの実測の容量と高圧
電源との関係 各スポンジローラの実測の容量と高圧電源１０との関係
を詳述する。

【００９１】ピーク間電圧１６００Ｖｐｐの周波数ｆ＝
２４０Ｈｚ印加においての容量ＣはＡＣ電流Ｉ_ACを測定
し、 Ｃ＝（２×√２×Ｉ_AC）／（２×π×ｆ×Ｖｐｐ） ・・・・（２０） の式により求めた。

【００９２】図４は高圧電源１０より出力されるｓｉｎ
波の容量負荷ｕｐによる波形の歪みを示したものであ
る。高圧電源１０及び負荷としてのスポンジローラと感
光体を合わせた時定数ＲＣのｕｐにより、ｓｉｎ波の立
ち上がりの傾きｍが寝始め、波形が歪み始める。特に、
高マイナス側のＶpp_max は−６５０Ｖ_DCを重畳している
ため、０Ｖに対して離れており絶対値が高いため、低プ
ラス側のＶpp_min に比べ、大きく歪みやすい。そこで、
波形のマイナス側（上側）の頂点であるＶpp_maxとプラ
ス側（下側）の谷点であるＶpp_min の中点が直流電圧Ｖ
_DCと定義すれば Ｖ_DC＝（Ｖpp_max ＋Ｖpp_min ）／２ となる。

【００９３】このＶ_DCと容量負荷の関係を図５に示す。

【００９４】容量負荷がｕｐすると高圧電源１０の内部
抵抗Ｒにより、単調にＶ_DCは低下していく。

【００９５】従来のスポンジローラ１１のニップＡと放
置ニップ跡ＢのＩ_AC電流を測定し 、式（２０）より、容
量を求めた。ニップＡでの容量Ｃは２００ｐＦ、放置ニ
ップ跡Ｂでの容量Ｃｋは３００ｐＦであった。よって、
△Ｃは１００ｐＦである。

【００９６】凸スポンジローラ２のニップＡと放置ニッ
プ跡Ｂについても同様に容量を求めた。ニップＡでの容
量Ｃ^* は１８０ｐＦ、放置ニップ跡Ｂでの容量Ｃｋ^* は
２２０ｐＦであった。よって、△Ｃ^* は４０ｐＦであ
る。

【００９７】従って、式（１３）のＱ＝△Ｃ−△Ｃ^* ＝
６０ｐＦ＞０となり、凸スポンジローラ２は従来のスポ
ンジローラ１１より容量変動は少ない。

【００９８】この容量変動の差の効果を図５の容量とＶ
_DC電圧の関係をもとに説明する。

【００９９】従来のスポンジローラ１１はＶ_DCが−６５
０Ｖ→−６２５Ｖと２５Ｖ_DCも低下したのに対して、凸
スポンジローラ２はＶ_DCが−６５５Ｖ→−６４５Ｖと１
０Ｖ_DCしか低下しなかった。

【０１００】図６は本例における反転現像系でのハーフ
トーン濃度ムラ△Ｄと感光体の表面電位差の関係を示し
たものである。これによれば、表面電位差が２０Ｖにな
ると濃度ムラが急に増え、△Ｄが０．１を越えて目立ち
やすくなる。

【０１０１】表面電位と直流電圧の関係は、従来の技術
で説明したように、表面電位はＶ_DCにＶppの振動電界に
より集束するので、表面電位とＶ_DCは等しくなる。これ
らより、高圧電源１０のＶ_DCが２０Ｖ低下するとハーフ
トーン濃度ムラが発生する。

【０１０２】以上より、凸スポンジローラ２は、放置ニ
ップ跡Ｂに対して容量変動が少なく、簡易な高圧電源、
例えば前述の図１６の電源のようにトランスＴを１個し
か持たない１トランス系のＡＣ定電圧−ＤＣ定電圧電源
１０においても、Ｖ_DCの変動が少なくなり、ハーフトー
ン濃度ムラを防ぐことができる。

【０１０３】また、本例の凸スポンジローラ２は誘電層
１４に粒子１５を分散することで、容量負荷の絶対値を
若干低下させている。

【０１０４】凸スポンジローラ２の静止放置位置で感光
体を停止させてＡＣ電圧を印加し、感光体に放電メモリ
ーを形成した直後にハーフトーン画像を印刷すると、放
置によるニップ形状を観察できる。但し、この観察にお
いては、電圧降下の無い電源容量として充分大きな外部
電源を用いている。これを図７に示す。Ｔ_Dは感光体１
回転分の周長（φ２４×πｍｍ）に対応する画像長さで
ある。

【０１０５】ニップ跡Ｂ及びその両脇全体が停止中の過
剰放電により感光体上に放電メモリーとして残り白帯Ｅ
となる。従来のスポンジローラ１１場合の前述の図１３
では２本に白線ｂの間のハーフトーンがあり、ニップ内
は放電していなかったが、図７は全体が幅広の白帯Ｅと
なっている。つまり、ニップ跡Ｂ内でも凸部１６により
空間ｇがあるため、放電し、放電メモリーとして白帯Ｅ
となるのである。

【０１０６】同様に凸部１６により空間ｇが常に確保さ
れているので、ニップＡ内でも帯電に必要な放電を行う
ことができるので、負荷容量の絶対値が若干低下し、ニ
ップ両脇の放電量がやや減っても、放電帯電性能を落と
すことなく、簡易な高圧電源にスポンジローラの容量特
性を調整できる。よって、誘電層１４や導電発泡ゴム層
１３を変更する必要がないので、特殊な製造条件や材料
を使用することなく、多種多様なスポンジローラの容量
調整に対応できる。

【０１０７】〈実施形態例２〉（図８） 図８は本例で用いた低硬度接触帯電部材としての凸スポ
ンジローラ２Ａの構成模型図である。なお、この構成模
型図も説明の便宜上、特徴構成を極めて誇張化・象徴化
して表したものであり、各構成層の層厚比率等は実寸比
率と一致するものではない。

【０１０８】即ち本例の凸スポンジローラ２Ａは、芯金
１２の外周に同心一体にローラ状に導電性発泡部材層１
３を発泡成型した後、その表面を荒削りに研磨すること
で、高さは約２０μｍの数多の凸部を形成し、次いでそ
の表面に誘電層１４を薄くコーティングして、表面に数
多の凸部１６を具備させた凸スポンジローラ２Ａとし
た。導電性発泡部材層１３の表面の凸部は誘電層１４の
コーティングによりやや緩和されて、凸スポンジローラ
２Ａの表面の凸部１６の高さは約１５μｍとなった。

【０１０９】該凸スポンジローラ２Ａの他の構成・材料
材質等、また装置構成は前記実施形態例１と同じである
から再度の説明を省略する。

【０１１０】本例の凸スポンジローラ２Ａも実施形態例
１の凸スポンジローラ２と同様に、従来のスポンジロー
ラ１１（図１１・図１２）より容量変動は少ない。

【０１１１】従来のスポンジローラ１１はＶ_DCが−６５
０Ｖ→−６２５Ｖと２５Ｖ_DCも低下したのに対して、本
例の凸スポンジローラ２ＡはＶ_DCが−６５５Ｖ→６４５
Ｖと１０Ｖ_DCしか低下しなかった。

【０１１２】以上より、本例の凸スポンジローラ２Ａ
も、放置ニップ跡Ｂに対して容量変動が少なく、簡易な
高圧電源、例えば前述図１６のようなトランスＴを１個
しか持たない１トランス系のＡＣ定電圧−ＤＣ定電圧電
源１０においても、Ｖ_DCの変動が少なくなり、ハーフト
ーン濃度ムラを防ぐことができる。

【０１１３】〈実施形態例３〉（図９） 図９の（ａ）は本例で用いた低硬度接触帯電部材として
のスポンジローラ２Ｂの構成模型図である。なお、この
構成模型図も説明の便宜上、特徴構成を極めて誇張化・
象徴化して表したものであり、各構成層の層厚比率等は
実寸比率と一致するものではない。

【０１１４】本例のスポンジローラ２Ｂは従来のスポン
ジローラ１１（図１１・図１２）の誘電層１４の表面に
更に網目状シート（メッシュシート）２１を巻いたもの
である。図９の（ｂ）は網目シート２１の一部の平面図
である。以下このスポンジローラ２Ｂを網目スポンジロ
ーラと称する。

【０１１５】網目シート２１はウレタンゴム、アクリル
樹脂、ナイロン樹脂等を用いているが、少なくとも誘電
層１４に使用した材料よりは体積低効率の高いものを使
用している。

【０１１６】網の太さは１５μｍで、網目スポンジロー
ラ２Ｂの表面には高さは１５μｍの凸が形成される。

【０１１７】本例の網目スポンジローラ２Ｂも実施形態
例１や２の凸スポンジローラ２や２Ａと同様に、従来の
スポンジローラ１１より容量変動は少ない。

【０１１８】従来のスポンジローラ１１のニップＡと放
置ニップ跡ＢのＩ_AC電流を測定し、式（２０）より容量
を求めた。ニップＡでの容量Ｃは２００ｐＦ、放置ニッ
プ跡Ｂでの容量Ｃｋは３００ｐＦであった。よって、△
Ｃは１００ｐＦである。

【０１１９】本例の網目スポンジローラ２ＢのニップＡ
と放置ニップ跡Ｂについて同様に容量を求めた。ニップ
Ａでの容量Ｃ^* は１８０ｐＦ、放置ニップ跡Ｂでの容量
Ｃｋ^* は２２０ｐＦであった。よって、△Ｃ* は４０ｐ
Ｆである。

【０１２０】従って、式（１３）のＱ＝△Ｃ−△Ｃ^* ＝
６０ｐＦ＞０となり、網目スポンジローラ２Ｂは従来の
スポンジローラ１１より容量変動は少ない。

【０１２１】従来のスポンジローラ１１はＶ_DCが−６５
０Ｖ→−６２５Ｖと２５Ｖ_DCも低下したのに対して、網
目スポンジローラ２ＢはＶ_DCが−６５５Ｖ→−６４５Ｖ
と１０Ｖ_DCしか低下しなかった。

【０１２２】以上より、網目スポンジローラ２Ｂは、放
置ニップ跡Ｂに対して容量変動が少なく、簡易な高圧電
源、例えば前述図１６のようなトランスＴを１個しか持
たない１トランス系のＡＣ定電圧ＤＣ−定電圧電源１０
においても、Ｖ_DCの変動が少なくなり、ハーフトーン濃
度ムラを防ぐことができる。

【０１２３】また、網目スポンジローラ２Ｂは従来のポ
ンジローラ１１に網目状シート２１を巻くことで容量負
荷の絶対値を若干低下させているが、図７で示したよう
にニップＡ内でも帯電に必要な放電を行うことができる
ので、帯電性能を落とすことなく、簡易な高圧電源にス
ポンジローラの容量特性を調整できる。

【０１２４】〈実施形態例４〉（図１０） 図１０の（ａ）は本例で用いた低硬度接触帯電部材とし
てのスポンジローラ２Ｃの構成模型図、（ｂ）は該ロー
ラの一端部側の平面模型図である。なお、この構成模型
図も説明の便宜上、特徴構成を極めて誇張化・象徴化し
て表したものであり、各構成層の層厚比率等は実寸比率
と一致するものではない。

【０１２５】本例のスポンジローラ２Ｃは従来のスポン
ジローラ１１（図１１・図１２）の誘電層１４の表面に
更に多数の２３を持つ凹誘電層２２を形成具備させたも
のである。以下このスポンジローラ２Ｃを凹スポンジロ
ーラと称する。

【０１２６】凹誘電層２２は、ウレタンゴム、アクリル
樹脂、ナイロン樹脂等の少なくとも誘電層１４に使用し
た材料よりは体積低効率の高い材料の分散液を誘電層１
４の表面に薄くコーティングして乾燥させて、分散液の
溶剤が揮発した跡が数多の穴２３となった層である。凹
誘電層２２の乾燥後の厚みは１５μｍとした。穴２３は
誘電材料分散液塗布層の乾燥工程で分散液の溶剤が揮発
した跡によるものなので、その穴径は１〜５００μｍに
ばらついている。

【０１２７】本例の凹スポンジローラ２Ｃも、従来のス
ポンジローラ１１より容量変動は少ない。

【０１２８】従来のスポンジローラ１１のニップＡと放
置ニップ跡ＢのＩ_AC電流を測定し、式（２０）より容量
を求めた。ニップＡでの容量Ｃは２００ｐＦ、放置ニッ
プ跡Ｂでの容量Ｃｋは３００ｐＦであった。よって、△
Ｃは１００ｐＦである。

【０１２９】本例の凹スポンジローラ２ＣのニップＡと
放置ニップ跡Ｂにいて同様に容量を求めた。ニップＡで
の容量Ｃ^* は１８０ｐＦ、放置ニップ跡Ｂでの容量Ｃｋ
^* は２２０ｐＦであった。よって、△Ｃ* は４０ｐＦで
ある。

【０１３０】従って、式（１３）のＱ＝△Ｃ−△Ｃ^* ＝
６０ｐＦ＞０となり、凹スポンジローラ２Ｃは従来のス
ポンジローラ１１より容量変動は少ない。

【０１３１】従来のスポンジローラ１１はＶ_DCが−６５
０Ｖ→−６２５Ｖと２５Ｖ_DCも低下したのに対して、凹
スポンジローラ２ＣはＶ_DCが−６５５Ｖ→６４５Ｖと１
０Ｖ_DCしか低下しなかった。

【０１３２】以上より、凹スポンジローラ２Ｃは、放置
ニップ跡Ｂに対して容量変動が少なく、簡易な高圧電
源、例えば例えば前述図１６のようなトランスＴを１個
しか持たない１トランス系のＡＣ定電圧−ＤＣ定電圧電
源１０においても、Ｖ_DCの変動が少なくなり、ハーフト
ーン濃度ムラを防ぐことができる。

【０１３３】また、本例の凹スポンジローラ２Ｃは従来
のスポンジローラ１１上に多数の穴を持つ凹誘電層２２
をコーティングしたことで、容量負荷の絶対値を若干低
下させているが、図７で示したようにニップＡ内でも帯
電に必要な放電を行うことができるので、帯電性能を落
とすことなく、簡易な高圧電源にスポンジローラの容量
特性を調整できる。

【０１３４】以上の各実施形態例においては接触帯電部
材はローラ型であるが、本発明はローラ型に限らず、ブ
レード型など他の形態の接触帯電部材にも適用できる。
低硬度構成は導電性発泡部材層１３を構成部材とするも
のに限られるものではない。

【０１３５】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、接触帯電
において、帯電音を低減化するスポンジローラのような
低硬度の接触帯電部材における、圧接放置によるニップ
跡のような容量の変動を受けにくく、同時に１トランス
でＡＣとＤＣ両方の電圧を重畳させる簡易な高圧電源に
おいても、Ｖｐｐを整流して出力されている直流電圧成
分の低下がなく、画像形成装置にあってはハーフトーン
の濃度ムラを防止できる。

【０１３６】また、接触帯電部材と被帯電体との接触ニ
ップ内でも帯電に必要な放電を行うことができるので、
帯電性能を落とすことなく、簡易な高圧電源に接触帯電
部材の容量特性を調整できる。

【０１３７】つまり、帯電音の低減化のために硬度をＡ
ＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下に低め、そのためにニップ
跡の生じやすい低硬度のスポンジローラ等の接触帯電部
材でも、被帯電体との接触面に、被帯電体との接触ニッ
プ内に放電可能な凸部・網目状シート・穴、つまり凹凸
を設けることにより、被帯電体との接触ニップ内でも帯
電に必要な放電を行うことができて帯電性能を落とすこ
となく、低硬度接触帯電部材の圧接放置でのニップ跡に
おいても容量変動が少なくなり、低硬度接触帯電部材の
製造面、材料面の設計公差を広げ、多種多様な低硬度接
触帯電部材の使用が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】画像形成装置の一例の概略構成図

【図２】低硬度接触帯電部材としての凸スポンジローラ
の構成模型図（回転中）

【図３】長期放置でニップ跡が生じた状態時の模型図

【図４】高圧波形の説明図

【図５】容量負荷と電圧降下の説明図

【図６】感光体表面電位差とハーフトーン濃度差の説明
図

【図７】凸スポンジローラのニップ内放電を表すハーフ
トーン画像の模式図

【図８】実施形態例２の凸スポンジローラの構成模型図
（回転中）

【図９】（ａ）は実施形態例３の網目スポンジローラの
構成模型図（回転中）、（ｂ）は網目シートの平面図

【図１０】（ａ）は実施形態例４の凹スポンジローラの
構成模型図（回転中）、（ｂ）は一端側の平面図

【図１１】従来のスポンジローラの構成模型図（回転
中）

【図１２】長期放置でニップ跡が生じた状態時の模型図

【図１３】従来のスポンジローラのニップ両脇での放電
跡を表すハーフトーン画像の模式図

【図１４】ＡＣ電圧の変動の説明図

【図１５】ハーフトーン濃度ムラ画像の模式図

【図１６】トランスが１個で構成される簡易な高圧電源
の回路

【符号の説明】

１ 感光体（被帯電体） ２・２Ａ 凸スポンジローラ（接触帯電部材） ２Ｂ 網目スポンジローラ（同） ２Ｃ 凹スポンジローラ（同） １０ 帯電バイアス印加電源 １２ 芯金 １３ 導電性発泡部材層 １４ 誘電層 １５ 粒子 １６ 凸部 ２１ 網目シート ２２ 凹誘電層 Ｂ 放置ニップ跡 ５ レーザースキャナ ６ 現像装置 ８ 転写ローラ ９ クリーニング装置 ３０ 定着装置 ３１ プロセスカートリッジ Ｐ 転写材（被記録材） Ｌ レーザービーム

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下で、被帯
   電体に接触させて配され、電圧が印加されて被帯電体を
   帯電する帯電部材であり、被帯電体との接触面で構成す
   るニップ内に放電可能な凸部を接触面に有することを特
   徴とする接触帯電部材。
2. 【請求項２】 部材の一部に粒子が分散されていて、放
   電可能な凸部を接触面に有することを特徴とする請求項
   １に記載の接触帯電部材。
3. 【請求項３】 ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下で、被帯
   電体に接触させて配され、電圧が印加されて被帯電体を
   帯電する帯電部材であり、被帯電体との接触面で構成す
   るニップ内に放電可能な網目状シートを接触面に有する
   ことを特徴とする接触帯電部材。
4. 【請求項４】 ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下で、被帯
   電体に接触させて配され、電圧が印加されて被帯電体を
   帯電する帯電部材であり、被帯電体との接触面で構成す
   るニップ内に放電可能な穴を接触面に有することを特徴
   とする接触帯電部材。
5. 【請求項５】 ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下の帯電部
   材を被帯電体に接触させ電圧を印加して被帯電体面を帯
   電処理する接触式の帯電装置において、 前記接触帯電部材は被帯電体との接触面で構成するニッ
   プ内に放電可能な凸部を接触面に有することを特徴とす
   る接触帯電装置。
6. 【請求項６】 前記接触帯電部材の一部に粒子が分散さ
   れていて、放電可能な凸部を接触面に有することを特徴
   とする請求項５に記載の接触帯電装置。
7. 【請求項７】 前記接触帯電部材に電圧を印加する電源
   のトランスは１個であることを特徴とする請求項５また
   は請求項６に記載の接触帯電装置。
8. 【請求項８】 ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下の帯電部
   材を被帯電体に接触させ電圧を印加して被帯電体面を帯
   電処理する接触式の帯電装置において、 前記接触帯電部材は被帯電体との接触面で構成するニッ
   プ内に放電可能な網目状シートを接触面に有することを
   特徴とする帯電装置。
9. 【請求項９】 前記接触帯電部材に電圧を印加する電源
   のトランスは１個であることを特徴とする請求項８に記
   載の接触帯電装置。
10. 【請求項１０】 ＡＳＫＥＲ−Ｃ硬度５５°以下の帯電
    部材を被帯電体に接触させ電圧を印加して被帯電体面を
    帯電処理する接触式の帯電装置において、 前記接触帯電部材は被帯電体との接触面で構成するニッ
    プ内に放電可能な穴を接触面に有することを特徴とする
    帯電装置。
11. 【請求項１１】 前記接触帯電部材に電圧を印加する電
    源のトランスは１個であることを特徴とする請求項１０
    に記載の接触帯電装置。
12. 【請求項１２】 像担持体に、該像担持体を帯電する工
    程を含む作像プロセスを適用して画像形成する画像形成
    装置において、前記帯電工程手段が、前記請求項１乃至
    請求項４の何れか１つに記載の接触帯電部材、あるいは
    請求項５乃至請求項１１の何れか１つに記載の接触帯電
    装置であることを特徴とする画像形成装置。
13. 【請求項１３】 少なくとも、像担持体と、該像担持体
    を帯電する手段を包含し、画像形成装置本体に対して着
    脱されるプロセスカートリッジにおいて、前記帯電手段
    が、前記請求項１乃至請求項４の何れか１つに記載の接
    触帯電部材、あるいは請求項５乃至請求項１１の何れか
    １つに記載の接触帯電装置であることを特徴とするプロ
    セスカートリッジ。