JPH0943275A - Wafer prober and probe card - Google Patents
Wafer prober and probe cardInfo
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- JPH0943275A JPH0943275A JP7212601A JP21260195A JPH0943275A JP H0943275 A JPH0943275 A JP H0943275A JP 7212601 A JP7212601 A JP 7212601A JP 21260195 A JP21260195 A JP 21260195A JP H0943275 A JPH0943275 A JP H0943275A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハプローバ及
びプローブカードに関し、更に詳細には、ＩＣ、特にリ
ニアセンサ用等の長尺ＩＣの特性試験に際し、試験誤差
が小さくなるようにしたウエハプローバ及びプローブカ
ードに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wafer prober and a probe card, and more particularly, to a wafer prober and a wafer prober which are designed to reduce a test error in the characteristic test of an IC, particularly a long IC for a linear sensor or the like. It relates to a probe card.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ウエハ上にチップとして形成された多数
個のＩＣ（集積回路）は、ウエハプロセス終了段階で、
即ちダイシング前に回路試験（以下、ウエハプロービン
グ試験と言う）が施され、ウエハプロセスで発生した不
良ＩＣチップが後に続く組み立て工程に移行しないよう
にしている。ウエハプロービング試験は、ウエハプロー
バを使用して自動的にウエハ毎に全ＩＣチップについて
行われる。ウエハプロービング試験は、一般に、直流特
性試験、交流特性試験及び機能試験の３種類に類別さ
れ、更にその類毎に種々の試験種目に細分されている。
ウエハプロービング試験は、その試験種目に特有のプロ
ーブカードをウエハプローバに装着して行われる。2. Description of the Related Art A large number of ICs (integrated circuits) formed as chips on a wafer are
That is, a circuit test (hereinafter referred to as a wafer probing test) is performed before dicing so that a defective IC chip generated in the wafer process does not shift to a subsequent assembly process. The wafer probing test is automatically performed on all IC chips for each wafer using a wafer prober. Wafer probing tests are generally classified into three types, a direct current characteristic test, an alternating current characteristic test, and a functional test, and further subdivided into various test categories.
The wafer probing test is performed by mounting a probe card specific to the test item on the wafer prober.
【０００３】ウエハプローバは、図３に示すように、オ
ートローダ（図示せず）と、プロービングステージ１２
と、その上方に設けられた長方形又は円板状の測定基板
１４と、測定基板の下側に取り付けられた、互換性の円
板状のプローブカード１６とを備えている。図４は、図
３のウエハプローバの平面図である。As shown in FIG. 3, the wafer prober includes an autoloader (not shown) and a probing stage 12.
And a rectangular or disk-shaped measurement board 14 provided above the measurement board, and a compatible disk-shaped probe card 16 attached to the lower side of the measurement board. FIG. 4 is a plan view of the wafer prober of FIG.
【０００４】ところで、リニアセンサ用の長尺ＩＣチッ
プ、例えば長さが５cmで幅が２００μm 〜５００μm の
長尺ＩＣチップについてウエハプロービング試験を施す
際に、従来から使用されているプローブカード１６は、
図５（ａ）及び（ｂ）に示すように、中央に円形開口部
１８を有する円板状の絶縁体で形成されている。円形開
口部１８の周囲から、プローブピン２０が下向きに伸び
て、被試験ＩＣのプロービング用パッド（以下、簡単に
電極と言う）に接触する。一方、プローブカード２０の
外縁領域には、多数本の結合ピン２２が上向きに直立し
て設けられ、プローブピン２０と結合ピン２２とは配線
２４により電気的に接続されている。測定基板１４は、
図３及び４に示すように、プローブカード１６の外径よ
り小さい内径を有する円形開口部２６を中央に、及びプ
ローブカード１６の結合ピン２２用のピン孔（図示せ
ず）を有する取り付け部２８を基板下面の開口部２６の
周囲に備え、かつ測定に必要な回路を基板上面に有す
る。プローブカード２０は、測定基板１４の取り付け座
２８に設けられたピン孔（図示せず）に結合ピン２０を
嵌合させ、測定基板１４に対して機械的及び電気的に結
合される。By the way, when performing a wafer probing test on a long IC chip for a linear sensor, for example, a long IC chip having a length of 5 cm and a width of 200 μm to 500 μm, the probe card 16 conventionally used is
As shown in FIGS. 5A and 5B, it is formed of a disc-shaped insulator having a circular opening 18 in the center. The probe pin 20 extends downward from the periphery of the circular opening 18 and comes into contact with the probing pad (hereinafter simply referred to as an electrode) of the IC under test. On the other hand, in the outer edge region of the probe card 20, a large number of coupling pins 22 are provided upright upright, and the probe pins 20 and the coupling pins 22 are electrically connected by wiring 24. The measurement board 14 is
As shown in FIGS. 3 and 4, a circular opening 26 having an inner diameter smaller than the outer diameter of the probe card 16 is provided at the center, and a mounting portion 28 having a pin hole (not shown) for the coupling pin 22 of the probe card 16 is provided. Is provided around the opening 26 on the lower surface of the substrate, and a circuit necessary for measurement is provided on the upper surface of the substrate. The probe card 20 is mechanically and electrically coupled to the measurement substrate 14 by fitting the coupling pin 20 into a pin hole (not shown) provided in the mounting seat 28 of the measurement substrate 14.
【０００５】オートローダは、カセットからウエハＷを
取り出してプロービングステージ１２上に位置決めして
載置する。プロービングステージ１２は、Ｘ、Ｙ及びＺ
方向に自在に動いてプローブカード１６のプローブピン
２０の先端が、丁度、ウエハＷの被試験ＩＣチップの被
測定箇所に接触するようにウエハＷをプローブカード１
６の下に位置決めする機能を備えている。The autoloader takes out the wafer W from the cassette, positions it on the probing stage 12, and places it. The probing stage 12 has X, Y and Z
The probe card 1 so that the tip of the probe pin 20 of the probe card 16 can freely move in any direction to come into contact with the measured position of the IC chip under test of the wafer W.
6 has the function of positioning below.
【０００６】ウエハプロセスが終了したウエハＷは、オ
ートローダによりカセットから取り出されプロービング
ステージ１２上に載置される。プロービングステージ１
２が移動してウエハＷの被試験ＩＣチップをプローブカ
ード１６の下に位置決めし、プローブピン２０がウエハ
Ｗの被試験ＩＣチップの被測定箇所に接触してウエハプ
ロービング試験を行う。被試験ＩＣチップの動作特性を
示す信号出力は、プローブピン２０、配線２４、結合ピ
ン２２を経由して測定基板１４の信号処理回路に入力さ
れ、そこで処理された後、、更にリード線３０を経てテ
スタ（図示せず）に送られる。After the wafer process is completed, the wafer W is taken out of the cassette by the autoloader and placed on the probing stage 12. Probing stage 1
2 moves to position the IC chip under test of the wafer W under the probe card 16, and the probe pin 20 contacts the measured position of the IC chip under test of the wafer W to perform the wafer probing test. The signal output indicating the operating characteristics of the IC chip under test is input to the signal processing circuit of the measurement substrate 14 via the probe pin 20, the wiring 24, and the coupling pin 22, and after being processed there, the lead wire 30 is further connected. Then, it is sent to a tester (not shown).
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、リニアセンサ
のように長さが幅に比べて極端に長い長尺ＩＣチップに
ついて、上述した従来のウエハプローバを使用して、ウ
エハプロービング試験を行った場合、試験の測定誤差が
大きく、試験結果が変動し、試験に対する信頼性が低く
なると言う問題があった。また、プローブピンが破損し
易く、そのためにプローブカードの使用寿命が短くなる
ので、試験費用が嵩むと言う問題もあった。However, when a long-distance IC chip such as a linear sensor whose length is extremely longer than its width is subjected to a wafer probing test using the conventional wafer prober described above. However, there is a problem that the measurement error of the test is large, the test result fluctuates, and the reliability of the test becomes low. In addition, the probe pin is easily damaged, which shortens the service life of the probe card, which increases the test cost.
【０００８】そこで、本発明の目的は、ＩＣチップ、特
に長尺ＩＣの試験の信頼性が高く、しかも使用寿命が長
いように改良されたプローブカードを備える、長尺ＩＣ
の試験に適するウエハプローバを提供することである。Therefore, it is an object of the present invention to provide an IC chip, particularly a long IC, which is highly reliable in testing and has a probe card improved so as to have a long service life.
The purpose of the present invention is to provide a wafer prober suitable for the above test.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明者は、試験誤差の
発生の原因を調べた結果、従来のウエハプローバでは、
プローブピンの長さ自体及びプローブピンから結合ピン
までの配線の長さが長いために、抵抗（Ｒ）／静電容量
（Ｃ）／リアクタンス（Ｌ）成分が大きくなり、その結
果、試験誤差が発生することを突き止めた。また、従来
のウエハプローバでは、プローブピンの長さが長いため
に、被試験ＩＣチップの電極との接触及び解離を繰り返
すうちにプローブピンが機械的疲労を起こし易く、その
ためにプローブピンの破損する率が高いことも判った。As a result of investigating the cause of the occurrence of a test error, the present inventor found that in the conventional wafer prober,
Since the length of the probe pin itself and the length of the wiring from the probe pin to the coupling pin are long, the resistance (R) / electrostatic capacitance (C) / reactance (L) component becomes large, resulting in a test error. I have identified what will happen. Further, in the conventional wafer prober, since the probe pin is long, the probe pin is apt to cause mechanical fatigue during repeated contact and dissociation with the electrode of the IC chip under test, which causes damage to the probe pin. It was also found that the rate was high.
【００１０】特に、リニアセンサは、デバイスの電気的
特性を向上させるためにプロービング用パッドを長手方
向の両端部近傍に分離していることが多い。そのため
に、測定基板及びプローブカードの双方の円形開口部の
径が益々大きくなり、それに伴いプローブピン及び配線
の長さが長くなる。例えば、チップ長さが６cm程度のリ
ニアセンサの場合、測定基板の開口は、１３cmから１４
cm程度になる。また、リニアセンサが光センサである場
合には、仮に、電極を中央付近に集中して配置すること
が可能であるとしても、試験に際しては、リニアセンサ
の動作に光を必要とするため、チップサイズとほぼ同じ
寸法領域にわたって光を照射する開口を測定基板及びプ
ローブカードに設ける必要がある。そのため、必然的
に、測定基板及びプローブカードの双方の開口部の径が
大きくなり、従ってプローブピン及び配線の長さが長く
なると言う問題があった。そこで、本発明者は、プロー
ブカードに長尺ＩＣの形状に合わせて長方形の開口を設
けることに着目し、本発明を完成するに到った。Particularly, in a linear sensor, the probing pad is often separated near both ends in the longitudinal direction in order to improve the electrical characteristics of the device. Therefore, the diameters of the circular openings of both the measurement substrate and the probe card are further increased, and the lengths of the probe pins and the wiring are increased accordingly. For example, in the case of a linear sensor with a chip length of about 6 cm, the opening of the measurement board should be 13 cm to 14 cm.
It will be about cm. Also, if the linear sensor is an optical sensor, even if it is possible to dispose the electrodes centrally near the center, light is required for the operation of the linear sensor during the test, so the chip It is necessary to provide the measurement substrate and the probe card with an opening for irradiating light over a size region approximately the same as the size. Therefore, there is a problem that the diameters of the openings of both the measurement board and the probe card are inevitably increased, and thus the lengths of the probe pin and the wiring are increased. Therefore, the present inventor has completed the present invention by paying attention to providing a rectangular opening in the probe card according to the shape of the long IC.
【００１１】よって、このような知見に基づき、上記目
的を達成するために、本発明に係るウエハプローバは、
自在に移動するプロービングステージと、その上方に設
けられた測定基板と、測定基板の下側に取り付けられた
板状のプローブカードとを備え、プロービングステージ
上に載置されたＩＣ形成ウエハの電極にプローブカード
のプローブピンを接触させてＩＣの特性を試験するウエ
ハプローバにおいて、プローブカードが、長方形の開口
部を有する板状体で形成され、かつ開口部の周辺から開
口部中央下方に向かって伸びるプローブピンを備え、測
定基板が、プローブカードの開口部より小さくない長方
形の開口部を備え、プローブカードの開口部と測定基板
の開口部とが重複するようにプローブカードが測定基板
に取り付けられていることを特徴としている。Therefore, based on such knowledge, in order to achieve the above object, the wafer prober according to the present invention is
A probing stage that moves freely, a measurement substrate provided above the probing stage, and a plate-shaped probe card attached to the lower side of the measurement substrate are provided for electrodes of an IC-formed wafer placed on the probing stage. In a wafer prober in which probe pins of a probe card are contacted to test the characteristics of an IC, the probe card is formed of a plate-like body having a rectangular opening, and extends from the periphery of the opening toward the lower center of the opening. The probe board is provided with a rectangular opening not smaller than the opening of the probe card, and the probe card is attached to the measuring board so that the opening of the probe card and the opening of the measurement board overlap. It is characterized by being.
【００１２】本発明では、プローブカードに設けられて
いる開口部がＩＣ、特に長尺ＩＣの形状に合わせて長方
形に形成されているので、長尺ＩＣ、例えばリニアセン
サの電極に接触するプローブピンの長さが従来のものに
比べて遙かに短くできる。これにより、接触／解離の繰
り返しに耐えてプローブピンの損傷発生が減少する。ま
た、測定基板が、プローブカードの開口部より小さくな
い長方形の開口部を備え、かつプローブカードの開口部
と測定基板の開口部とが重複するようにプローブカード
が測定基板に取り付けられているので、プローブピンと
結合ピンとを結ぶ配線の長さが短くなる。プローブピン
及び配線の双方の長さが短くなるので、Ｒ／Ｃ／Ｌ成分
の影響が小さくなり、試験誤差が小さくなる。In the present invention, since the opening provided in the probe card is formed in a rectangular shape in conformity with the shape of the IC, particularly the long IC, the probe pin that contacts the electrode of the long IC, for example, the linear sensor. The length can be much shorter than the conventional one. As a result, the occurrence of damage to the probe pin is reduced by withstanding repeated contact / dissociation. Further, since the measurement board has a rectangular opening not smaller than the opening of the probe card, and the probe card is attached to the measurement board so that the opening of the probe card and the opening of the measurement board overlap. The length of the wiring connecting the probe pin and the coupling pin is shortened. Since the lengths of both the probe pin and the wiring are short, the influence of the R / C / L component is small, and the test error is small.
【００１３】本発明の好適な実施態様は、プローブカー
ドの開口部の長手方向寸法は、特性試験するＩＣの長さ
より僅かに長く、開口部の長手方向に直交する寸法は、
開口部の対向する長縁辺の双方から開口部の中央下方に
向かって伸びるプローブピンの長さの和より僅かに長い
ことを特徴としている。本実施態様では、被検査光セン
サに対する光の必要照射領域を考慮した上で、プローブ
カードの開口部が必要最小限の大きさになるように、開
口部の長手方向の長縁辺の長さ、及び長手方向に直交す
る寸法、即ち開口部を区画する短縁辺の長さがそれぞれ
最短に設定されている。よって、プローブピンの長さを
最短の長さにすることができる。In a preferred embodiment of the present invention, the longitudinal dimension of the opening of the probe card is slightly longer than the length of the IC to be characteristic tested, and the dimension orthogonal to the longitudinal direction of the opening is
It is characterized in that it is slightly longer than the sum of the lengths of the probe pins extending downward from the center of the opening from both of the opposing long edges of the opening. In the present embodiment, the length of the long edge in the longitudinal direction of the opening is determined so that the opening of the probe card has the necessary minimum size in consideration of the necessary irradiation area of light with respect to the optical sensor to be inspected. And the dimension orthogonal to the longitudinal direction, that is, the length of the short edge that defines the opening is set to the shortest. Therefore, the length of the probe pin can be minimized.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照して本発
明を具体的かつ詳細に説明する。図１（ａ）は本発明に
係るウエハプローバに使用するプローブカードの一実施
例の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の線Ｉ−Ｉでの断
面図、及び図２は測定基板にプローブカードを取り付け
た時の平面図である。本実施例のウエハプローバは、測
定基板及びプローブカードの構成を除いて、図３に示す
従来のウエハプローバと同じ構成を備えている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below with reference to the accompanying drawings. 1A is a plan view of an embodiment of a probe card used in a wafer prober according to the present invention, FIG. 1B is a sectional view taken along line I-I of FIG. 1A, and FIG. It is a top view when a probe card is attached to a measurement board. The wafer prober of this embodiment has the same structure as the conventional wafer prober shown in FIG. 3 except for the structures of the measurement substrate and the probe card.
【００１５】本実施例のプローブカード４０は、長方形
の開口部４２を有する長方形の板状体４１で形成され、
複数本のプローブピン４４が、開口部４２を区画する対
向する長辺４２ａ、ｂから開口部中央下方に向かって伸
びている。プローブピン４４は、配線４６により結合ピ
ン４８に電気的に接続されている。プローブカード４０
及びプローブピン４４の材質は、従来のプローブカード
及びプローブピンと同じである。本実施例では、プロー
ブカード４０は、開口部４２を区画する長辺は被試験Ｉ
Ｃの長さより僅かに長く、短辺は開口部４２の対向する
長辺の双方から中央下方に向かって伸びるプローブピン
の長さの和より僅かに長い。The probe card 40 of this embodiment is formed of a rectangular plate 41 having a rectangular opening 42.
A plurality of probe pins 44 extend from the opposite long sides 42a, 42b that define the opening 42 toward the lower center of the opening. The probe pin 44 is electrically connected to the coupling pin 48 by the wiring 46. Probe card 40
The material of the probe pin 44 is the same as that of the conventional probe card and probe pin. In the present embodiment, the probe card 40 has a long side that defines the opening 42 to be tested I.
It is slightly longer than the length of C, and the short side is slightly longer than the sum of the lengths of the probe pins extending downward from the center from both of the opposite long sides of the opening 42.
【００１６】測定基板５０は、図２に示すように、プロ
ーブカード４０の開口部４２より大きな長方形の開口部
５２を有する長方形の板状体で形成されている。測定基
板５０は、更に従来のウエハプローバの場合と同様に、
試験に必要な処理回路を基板面上に備えている。また、
測定基板５０の材質は、従来の測定基板と同じである。
プローブカード４０は、結合ピン４８と取り付け部２８
に設けられたピン孔（図示せず）とを嵌合させることに
より、プローブカード４０の開口部４２の中心と測定基
板５０の開口部５２の中心とが一致するような配置で測
定基板５０に機械的及び電気的に結合される。As shown in FIG. 2, the measurement board 50 is formed of a rectangular plate having a rectangular opening 52 larger than the opening 42 of the probe card 40. The measurement substrate 50 is further similar to the case of the conventional wafer prober,
The processing circuit required for the test is provided on the substrate surface. Also,
The material of the measurement substrate 50 is the same as that of the conventional measurement substrate.
The probe card 40 includes a coupling pin 48 and a mounting portion 28.
By fitting a pin hole (not shown) provided on the measurement substrate 50 in such a manner that the center of the opening 42 of the probe card 40 and the center of the opening 52 of the measurement substrate 50 are aligned with each other. Mechanically and electrically coupled.
【００１７】具体例 本実施例では、具体例として、長尺ＩＣ、例えば長さが
６cm、幅が２〜３mmのリニアセンサ場合、プローブカー
ド４０の長辺の長さが１０cm、短辺の長さが４．５cm、
及び、開口部４２の長辺４２ａ、ｂの長さが約７cm、短
辺の長さが約１．５cmに設定できる。また、プローブピ
ンは、（図１（ｃ）に示すように、その長さＬが約１cm
で、下方に傾斜する角度θが約１０°である。これによ
り、プローブピンの長さ（プローブ長）は約１cm、配線
の長さ（パターン長）は約１cmとなり、計２cmである。
一方、従来のプローブカードでは、プローブ長が約４c
m、パターン長が約１〜３cm、計５cmから７cmになって
いた。これにより、本プローブカード４０を使用したウ
エハプローバの試験誤差を、従来のウエハプローバの試
験誤差の約５０％に低減することができた。 Specific Example In the present embodiment, as a specific example, in the case of a long IC, for example, a linear sensor having a length of 6 cm and a width of 2 to 3 mm, the probe card 40 has a long side length of 10 cm and a short side length. 4.5 cm
The length of the long sides 42a and 42b of the opening 42 can be set to about 7 cm, and the length of the short side can be set to about 1.5 cm. The probe pin has a length L of about 1 cm (as shown in Fig. 1 (c)).
The angle θ that inclines downward is about 10 °. As a result, the length of the probe pin (probe length) is about 1 cm, and the length of the wiring (pattern length) is about 1 cm, which is 2 cm in total.
On the other hand, the conventional probe card has a probe length of about 4c.
m, the pattern length was about 1 to 3 cm, and the total length was from 5 cm to 7 cm. As a result, the test error of the wafer prober using the present probe card 40 can be reduced to about 50% of the test error of the conventional wafer prober.
【００１８】また、本具体例のプローブピン４４はプロ
ーブ長が短いので、プローブカード４０の寿命が従来の
円形プローブカードに比べて約３０％以上長くなった。
加えて、プローブカード４４の開口部４２は、長尺ＩＣ
に相似した長方形に開口されているので、その面積が従
来のプローブカードの開口部の面積に比べて著しく小さ
くなるので、プローブカード自体の大きさも小さくな
り、従って測定基板の所要面積を小さくできる。例え
ば、従来のプローブカードを使用した場合、プローブカ
ードを装着するために、５４７cm2 の面積を測定基板上
に必要とするが、具体例のプローブカードを使用した場
合は、その面積を４５cm2 に大幅に削減することができ
る。Further, since the probe pin 44 of this example has a short probe length, the life of the probe card 40 is longer than that of the conventional circular probe card by about 30% or more.
In addition, the opening 42 of the probe card 44 has a long IC.
Since the opening is formed in a rectangular shape similar to, the area of the probe card is significantly smaller than the area of the opening of the conventional probe card, and the size of the probe card itself is also small, and therefore the required area of the measurement substrate can be reduced. For example, when the conventional probe card is used, an area of 547 cm 2 is required on the measurement substrate to mount the probe card, but when the probe card of the specific example is used, the area is set to 45 cm 2 . It can be reduced significantly.
【００１９】[0019]
【発明の効果】本発明に係るウエハプローバは、長方形
の開口部を有する板状体で形成され、かつ開口部の周辺
から開口部中央下方に向かって伸びるプローブピンを有
するプローブカードと、プローブカードの開口部より小
さくない長方形の開口部を有する測定基板とを備え、プ
ローブカードの開口部と測定基板の開口部とが重複する
ようにプローブカードを測定基板に取り付けることによ
り、プローブカードのＲ／Ｃ／Ｌ成分を著しく低減でき
るので、ウエハプロービング試験の信頼性を向上させる
ことができる。また、プローブピンの長さが短くなるの
で、プローブカードの寿命を長くなる。更には、プロー
ブカードの寸法が小さくなるので、測定基板自体の寸法
も小さくすることができる。The wafer prober according to the present invention is formed of a plate-shaped body having a rectangular opening, and has a probe card having a probe pin extending from the periphery of the opening toward the lower center of the opening, and a probe card. R of the probe card by mounting the probe card on the measurement substrate so that the opening of the probe card and the opening of the measurement substrate overlap each other. Since the C / L component can be significantly reduced, the reliability of the wafer probing test can be improved. Further, since the probe pins are shortened, the life of the probe card is extended. Furthermore, since the size of the probe card is reduced, the size of the measurement substrate itself can be reduced.
【図１】図１（ａ）は本発明に係るプローブカードの一
実施例の平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の線Ｉ−Ｉで
の断面図及び図１（ｃ）はプローブピンの拡大図であ
る。1A is a plan view of an embodiment of a probe card according to the present invention, FIG. 1B is a sectional view taken along line I-I of FIG. 1A, and FIG. [Fig. 3] is an enlarged view of a probe pin.
【図２】測定基板にプローブカードを取り付けた時の平
面図である。FIG. 2 is a plan view when a probe card is attached to a measurement board.
【図３】従来のウエハプローバの側面図である。FIG. 3 is a side view of a conventional wafer prober.
【図４】図３のウエハプローバの平面図である。4 is a plan view of the wafer prober of FIG.
【図５】図５（ａ）は従来のプローブカードの平面図及
び図５（ｂ）は図５（ａ）の線II−IIでの断面図であ
る。5A is a plan view of a conventional probe card, and FIG. 5B is a cross-sectional view taken along line II-II of FIG. 5A.
１２ プロービングステージ １４ 測定基板 １６ プローブカード １８ 開口部 ２０ プローブピン ２２ 結合ピン ２４ 配線 ２６ ピン孔 ２８ 取り付け部 ３０ リード線 ４０ プローブカード ４１ 板状体 ４２ 長方形の開口部 ４２ａ、ｂ 開口部の対向する長辺 ４４ プローブピン ４６ 配線 ４８ 結合ピン ５０ 測定基板 ５２ 長方形の開口部 12 probing stage 14 measurement board 16 probe card 18 opening 20 probe pin 22 coupling pin 24 wiring 26 pin hole 28 attachment part 30 lead wire 40 probe card 41 plate-like body 42 rectangular opening 42a, b opposite length of opening Side 44 Probe pin 46 Wiring 48 Coupling pin 50 Measurement board 52 Rectangular opening
Claims (3)
と、その上方に設けられた測定基板と、測定基板の下側
に取り付けられた板状のプローブカードとを備え、プロ
ービングステージ上に載置されたＩＣ形成ウエハの電極
にプローブカードのプローブピンを接触させてＩＣの特
性を試験するウエハプローバにおいて、 プローブカードが、長方形の開口部を有する板状体で形
成され、かつ開口部の周辺から開口部中央下方に向かっ
て伸びるプローブピンを備え、 測定基板が、プローブカードの開口部より小さくない長
方形の開口部を備え、プローブカードの開口部と測定基
板の開口部とが重複するようにプローブカードが測定基
板に取り付けられていることを特徴とするウエハプロー
バ。1. An IC mounted on a probing stage, comprising a freely movable probing stage, a measurement substrate provided above the probing stage, and a plate-like probe card attached to the lower side of the measurement substrate. In a wafer prober in which probe pins of a probe card are brought into contact with electrodes of a formed wafer to test the characteristics of an IC, the probe card is formed of a plate-like body having a rectangular opening, and the periphery of the opening is centered on the opening. With a probe pin extending downward, the measurement board has a rectangular opening that is not smaller than the opening of the probe card, and the probe card measures so that the opening of the probe card and the opening of the measurement board overlap. A wafer prober mounted on a substrate.
は、特性試験する長尺ＩＣの長さより僅かに長く、開口
部の長手方向に直交する寸法は、開口部の対向する長縁
辺の双方から開口部の中央下方に向かって伸びるプロー
ブピンの長さの和より僅かに長いことを特徴とする請求
項１に記載の長尺ＩＣ用ウエハプローバ。2. The longitudinal dimension of the opening of the probe card is slightly longer than the length of the long IC to be characteristic-tested, and the dimension orthogonal to the longitudinal direction of the opening is measured from both opposing long edges of the opening. The wafer prober for a long IC according to claim 1, wherein the probe probe is slightly longer than the sum of the lengths of the probe pins extending downward from the center of the opening.
測定基板に取り付けられるプローブカードであって、 プローブカードが、長方形の開口部を有する板状体で形
成され、かつ開口部の周辺から開口部中央下方に向かっ
て伸びるプローブピンを備えていることを特徴とするプ
ローブカード。3. A probe card mounted on a measurement substrate of a wafer prober for testing the characteristics of an IC, wherein the probe card is formed of a plate-like body having a rectangular opening, and the opening extends from the periphery of the opening to the opening. A probe card having a probe pin extending downward in the center.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7212601A JPH0943275A (en) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | Wafer prober and probe card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7212601A JPH0943275A (en) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | Wafer prober and probe card |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0943275A true JPH0943275A (en) | 1997-02-14 |
Family
ID=16625401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7212601A Pending JPH0943275A (en) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | Wafer prober and probe card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0943275A (en) |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP7212601A patent/JPH0943275A/en active Pending
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