JPH09330588A - 順次データ記憶装置 - Google Patents

順次データ記憶装置

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JPH09330588A
JPH09330588A JP8149008A JP14900896A JPH09330588A JP H09330588 A JPH09330588 A JP H09330588A JP 8149008 A JP8149008 A JP 8149008A JP 14900896 A JP14900896 A JP 14900896A JP H09330588 A JPH09330588 A JP H09330588A
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JP
Japan
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output
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Application number
JP8149008A
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English (en)
Inventor
Isao Nozaki
功 野崎
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数のデータが1組となって有意な情報を表
すデータを先入れ先出し又は先入れ後出し可能な順次デ
ータ記憶装置を得る。 【解決手段】 ライトポインタ7及びリードポインタ9
で管理された内部RAMアレイ5の入力側に入力RAM
アレイ1を設けて入力アドレスデコーダ2によりアドレ
ス指定を行い、出力側に出力RAMアレイ3を設けて出
力アドレスデコーダ2によりアドレス指定を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、データを順次に入
力して記憶し、記憶した順次データを所定の優先順位で
出力する順次データ記憶装置に関する。
【0002】
【従来の技術】かかる順次データ記憶装置の具体的な例
としては、記憶データの中で最初に書き込まれたものを
最初に読み出すことによりデータの読出しに優先順位を
設けるようにした所謂先入れ先出し (First-In First-O
ut) 方式のメモリ(以下「FIFOメモリ」と呼ぶ。)
や、逆に最後に書き込まれたものを最初に読み出すよう
に優先順位を定めた所謂先入れ後出し (First-In Last-
Out)方式のメモリ(以下「FILOメモリ」と呼ぶ。)
が知られている。
【0003】図2に従来の順次データ記憶装置の一般的
な構成を示す。
【0004】図2に示す順次データ記憶装置は、ライト
ポインタ57及びリードポインタ59でアクセス位置が
管理される記憶部として複数のランダムアクセスメモリ
(以下「RAM」と呼ぶ。)により構成された内部RA
Mアレイ55と、このRAMアレイ55へ書き込むデー
タD0〜Dn71を順次保持する入力レジスタ51と、RA
Mアレイ55から読み出したデータQ0〜Qn73を順次保
持する出力レジスタ53とを有する。
【0005】この装置は、ライトポインタ57をライト
コントロール回路56で制御し、WC(write control)
信号76により書込み系のタイミングをとる。またリー
ドポインタ59をリードコントロール回路58で制御
し、RC(read control)信号77により読出し系のタイ
ミングをとる。読み出したデータQ0〜Qn73の出力は、
出力バッファ60をOE(output enable) 信号78で駆
動して行う。必要に応じRST(reset) 信号79が出さ
れ、リセットコントロール回路61を駆動する。
【0006】FIFOメモリであるかFILOメモリで
あるかは、各ポインタ57,59の制御の方法により定
まる。
【0007】図3は特開平5-128839号公報に開示された
FIFOメモリの構成を示すブロック図であり、図4は
特開平5-159561号公報に開示されたFIFOメモリのブ
ロック図である。
【0008】図3のFIFOメモリは管理機構111を
備えた記憶部としてのメモリ101と、このメモリ10
1へのアクセスを調停する回路102とを有する。
【0009】この回路102は管理機構111と協働
し、データ端子103から入力された書込みデータを信
号端子104から受けた書込み信号に応じてメモリ10
1へ順次に書き込み、またメモリ101に記憶されたデ
ータを信号端子107から受けた読出し信号に応じて先
入れ先出し順に読み出し、データ端子106から出力す
る。データ書込み及び読出しのアドレスはそれぞれカウ
ンタ105及び108でカウントされ、カウント値はク
リア端子109及び110からの信号によりクリアされ
る。
【0010】上記回路102はさらに端子113,11
4及び115を用いて、メモリ101へのデータの挿入
及び削除を行い、そのためのアドレスは端子112から
指定される。
【0011】図4のFIFOメモリはライトポインタ2
04及びリードポインタ205で管理された記憶部とし
てのメモリセルのアレイ201と、このセルアレイ20
1へ入出力するデータ211及び216をそれぞれ一時
的に保持するバッファ202及び203とを有する。
【0012】ライトポインタ204はクロック212に
応じてシフトするポイント信号217を信号線221−
1〜221−32からセルアレイ201に供給してセル
列をシリアルに選択し、そこにデータ群214がシリア
ルに書き込まれる。リードポインタ205はクロック2
13に応じてシフトするポイント信号218を信号線2
22−1〜222−32からセルアレイ201に供給し
てセル列をシリアルに選択し、そこからデータ群215
がシリアルに読み出される。各ポイント信号217又は
218はテスト回路206又は207で処理され、外部
試験信号として利用される。
【0013】かかる従来の順次データ記憶装置は、その
入力側及び出力側でのデータ保持を1つのレジスタで行
っていた。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】このため1つのポイン
タで指定できるデータが1レジスタ分に限定され、複数
のデータが1組となって有意な情報を表すような場合に
は適用することが難しかった。
【0015】本発明はかかる点に鑑みなされたものであ
り、その目的とする処は、複数のデータが1組となって
有意な情報を表すようなデータの格納に適した順次デー
タ記憶装置を提供するにある。
【0016】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる順次デー
タ記憶装置は、その記憶部の入力側に第1のRAM手段
を有する。
【0017】本発明にかかる順次データ記憶装置は、前
記第1のRAM手段が複数のRAMからなり、該RAM
の1つを選択可能な第1のアドレスデコーダ手段をさら
に有している。
【0018】本発明にかかる順次データ記憶装置は、前
記第1のRAM手段に複数のデータを書込み可能であ
る。
【0019】本発明にかかる順次データ記憶装置は、前
記第1のRAM手段に書き込まれた複数のデータを1組
としてライトポインタ手段が示す前記記憶部内の位置へ
書き込む手段をさらに有している。
【0020】本発明にかかる順次データ記憶装置は、前
記記憶部の出力側に第2のRAM手段を有する。
【0021】また本発明にかかる順次データ記憶装置
が、その記憶部の出力側に第2のRAM手段を有してい
る。
【0022】本発明にかかる順次データ記憶装置は、リ
ードポインタ手段が示す前記記憶部内の位置に書き込ま
れた複数のデータを1組として前記第2のRAM手段へ
読み出す手段をさらに有している。
【0023】本発明にかかる順次データ記憶装置は、前
記第2のRAM手段は複数のRAMからなり、該RAM
の1つを選択可能な第2のアドレスデコーダ手段をさら
に有している。
【0024】本発明にかかる順次データ記憶装置は、前
記第2のRAM手段から複数のデータを読出し可能であ
る。
【0025】本発明にかかる順次データ記憶装置は前記
記憶部がRAMアレイからなる。
【0026】本発明にかかる順次データ記憶装置は、前
記記憶部が複数のデータを1組として先入れ先出しする
か、先入れ後出しする。
【0027】
【作用】従って本発明によれば、記憶部の入力側に第1
のRAM手段を備え出力側に第2のRAM手段を備えた
順次データ記憶装置が、前記記憶部に対し複数のデータ
を1組として先入れ先出し又は先入れ後出しする。
【0028】より詳細には、RAMアレイからなる記憶
部(例えば図1の内部RAMアレイ5)のデータ入力部
に複数のRAM(例えば入力RAMアレイ1)と第1の
アドレスデコーダ手段(例えば入力アドレスデコーダ
2)とを有し、これにより前記記憶部へ一組の複数デー
タの書込みを行う。
【0029】これら複数のデータはライトポインタ手段
(例えばライトポインタ7)が示す前記記憶部内の位置
へひとまとまりのデータとして書き込まれる。またリー
ドポインタ手段(例えばリードポインタ9)が示す前記
記憶部内の位置から、そこに書き込まれていた複数のデ
ータがひとまりのデータとして読み出される。
【0030】この点、前記順次データ記憶装置は、前記
記憶部のデータ出力部に複数のRAM(例えば出力RA
Mアレイ3)と第2のアドレスデコーダ手段(例えば出
力アドレスデコーダ4)とを有し、これにより前記記憶
部から一組の複数データの読出しが行われる。
【0031】従って本発明に係る順次データ記憶装置
は、複数の入力データを第1のアドレスデコーダ手段が
順次指定する第1のRAM手段内の複数のアドレスに保
持し、これら複数の保持データをライトポインタ手段が
指定する記憶部内の位置へ1組のデータとして書き込
み、また記憶部内に書き込まれている複数組のデータの
うち1組のデータの位置をリードポインタ手段で指定
し、この指定された位置の1組のデータを構成する複数
のデータを第2のアドレスデコーダ手段が順次指定する
第2のRAM手段内の複数のアドレスへ読み出して保持
し、これを出力データとする。
【0032】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を詳細に
説明する。
【0033】図1に本発明の好適な実施の形態に係る順
次データ記憶装置の構成をブロック図として示す。
【0034】図1の順次データ記憶装置は、ライトポイ
ンタ7及びリードポインタ9で管理された記憶部として
の内部RAMアレイ5と、その入力側に設けられた入力
RAMアレイ1と、出力側に設けられた出力RAMアレ
イ3とを有する。
【0035】ライトポインタ7はWC(write control)
信号26に応答するライトコントロール回路6で制御さ
れ、リードポインタ9はRC(read control)信号27に
応答するリードコントロール回路8で制御される。
【0036】入力RAMアレイ1は、入力アドレスデコ
ーダ2でアドレス指定され、WE(write enable)信号2
5に応じて入力データD0〜Dn21を書き込む。出力RA
Mアレイ3は、出力アドレスデコーダ4でアドレス指定
され、RC信号27に応じて読込みを行う。読み込まれ
たデータQ0〜Qn23は、OE(output enable) 信号28
に応答する出力バッファ10を介して出力される。11
はRST(reset) 信号29に応じてポインタリセット動
作を行うリセットコントロール回路である。
【0037】即ち、図1の順次データ記憶装置は、デー
タ21の入力部に入力RAMアレイ1及び入力アドレス
デコーダ2を設け、入力データ選択アドレスAI0 〜AIm
22を入力アドレスデコーダ2に入力してデータ21の
書き込み先を選択し、WE信号25を入力して入力デー
タ21を入力RAMアレイ1に書き込む。入力データ選
択アドレス22を変えながら、WE信号25を入力する
ことにより、複数データ21の書込みを行うことができ
る。
【0038】次にWC信号26を入力すると、入力RA
Mアレイ1の複数のデータをひとまとまりのデータとし
て、ライトポインタ7が示す内部RAMアレイ5内の位
置に転送する。このひとまとまりのデータが転送される
と、ライトコントロール回路11はライトポインタ7を
1つ進める。
【0039】さらに、データの出力部に出力RAMアレ
イ3及び出力アドレスデコーダ4が設けられており、リ
ードコントロール信号27を入力すると、内部RAMア
レイ5のひとまとまり複数のデータがリードポインタ9
により示される位置から出力RAMアレイ3に転送され
る。このひとまりのデータが転送されると、リードポイ
ンタ9を1つ進める。
【0040】次に、出力データ選択アドレスAO0 〜AOm
24を出力アドレスデコーダ4に入力してデータ23の
読出し先を選択し、OE信号28を入力して、出力デー
タ23を出力RAMアレイ3から出力バッファ10を通
して読み出す。出力データ選択アドレス24を変えなが
ら、OE信号28を入力することにより、複数データの
読出しを行うことができる。
【0041】またリセットコントロール回路111にR
ST信号29を入力することにより、ライトポインタ7
及びリードポインタ9をクリアすることができる。
【0042】次に4つの32ビットデータを1組のデー
タとして扱う場合に付き、図1の順次データ記憶装置の
詳細な動作説明を行う。
【0043】前記データの入力部には、4つのアレイか
らなる入力RAMアレイ1及び2つの入力データ選択ア
ドレス52のAI0 〜AI1 を4つの信号に分ける入力アド
レスデコーダ2を設けている。
【0044】入力データ選択アドレス52から“00”
を入力してWE信号25を入力することにより32ビッ
トの入力データ21のD0〜D31 を入力RAMアレイ1の
0番目のアレイに書き込む。
【0045】以下同様に入力データ選択アドレス22か
ら“01”,“10”及び“11”を入力してWE信号
25を入力することにより、32ビットの入力データ2
1のD0〜D31 を入力RAMアレイ1の1〜3番目のアレ
イに書き込む。
【0046】次にWC信号26を入力すると、入力RA
Mアレイ1の4つのデータをひとまとまりのデータとし
て内部RAMアレイ5のライトポインタ7が示す位置に
転送する。このひとまとまりのデータが転送されると、
ライトコンロール回路6がライトポインタ7を1つ進め
る。先入れ後出し方式の場合、ライトコントロール回路
6がリードポインタ9も1つ進める。
【0047】一方、前記データの出力部には、4つのア
レイからなる出力RAMアレイ3及び2つの出力データ
選択アドレス24のAO0 〜AO1 を4 つの信号に分ける出
力アドレスデコーダ4 を設けている。
【0048】RC信号27を入力すると内部RAMアレ
イ5のひとまとまりの4つのデータをリードポインタ9
が示す位置から出力RAMアレイ3に転送する。このひ
とまとまりのデータが転送されると、リードコンロール
回路8がリードポインタ9を1つ進める。先入れ後出し
方式の場合、リードコントロール回路8はリードポイン
タ9を1つ戻し、ライトポインタ7も1つ戻す。
【0049】次に出力データ選択アドレス24から“0
0”を入力してOE信号28を入力することにより32
ビットの入力データ23のQ0〜Q31 を出力RAMアレイ
3の0番目のアレイから出力バッファ10を通して読み
出す。
【0050】以下同様に出力データ選択アドレス24か
ら“01”,“10”及び“11”を入力してOE信号
28を入力することにより、32ビットの出力データ2
3のQ0〜Q31 を出力RAMアレイ3の1〜3番目のアレ
イから出力バッファ10を通して読み出す。
【0051】なお、入力RAMアレイ1の0番目のアレ
イは出力RAMアレイ3の0番目のアレイに対応し、ま
た各アレイの選択は0番目から順番に行う必要はなくラ
ンダムに行える。またリセットコントロール回路11に
RST信号29を入力することにより、ライトポインタ
7及びリードポインタ9をクリアすることができる。
【0052】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、記憶部の入力側及び出力側にRAM手段を設
け、複数のデータをひとまとまりのデータとして記憶部
に先入れ先出し又は先入れ後出しできるようにしたた
め、複数のデータが1組になって1つの情報を示す様な
データにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好適な実施の形態に係る順次データ記
憶装置の構成を示すブッロク図である。
【図2】従来の順次データ記憶装置の一般的な構成を示
すブッロク図である。
【図3】従来のFIFOメモリのブロック図である。
【図4】従来のFIFOメモリのブロック図である。
【符号の説明】
1 入力RAMアレイ 2 入力アドレスデコーダ 3 出力RAMアレイ 4 出力アドレスデコーダ 5 内部RAMアレイ 7 ライトポインタ 9 リードポインタ

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 記憶部の入力側に第1のランダムアクセ
    スメモリ手段を有することを特徴とする順次データ記憶
    装置。
  2. 【請求項2】 前記第1のランダムアクセスメモリ手段
    は複数のランダムアクセスメモリからなり、該ランダム
    アクセスメモリの1つを選択可能な第1のアドレスデコ
    ーダ手段をさらに有している請求項1記載の順次データ
    記憶装置。
  3. 【請求項3】 前記第1のランダムアクセスメモリ手段
    に複数のデータを書込み可能な請求項1又は2に記載の
    順次データ記憶装置。
  4. 【請求項4】 前記第1のランダムアクセスメモリ手段
    に書き込まれた複数のデータを1組としてライトポイン
    タ手段が示す前記記憶部内の位置へ書き込む手段をさら
    に有している請求項1から3のいずれかに記載の順次デ
    ータ記憶装置。
  5. 【請求項5】 前記記憶部の出力側に第2のランダムア
    クセスメモリ手段を有している請求項1から4のいずれ
    かに記載の順次データ記憶装置。
  6. 【請求項6】 記憶部の出力側に第2のランダムアクセ
    スメモリ手段を有することを特徴とする順次データ記憶
    装置。
  7. 【請求項7】 リードポインタ手段が示す前記記憶部内
    の位置に書き込まれた複数のデータを1組として前記第
    2のランダムアクセスメモリ手段へ読み出す手段をさら
    に有している請求項5または6に記載の順次データ記憶
    装置。
  8. 【請求項8】 前記第2のランダムアクセスメモリ手段
    は複数のランダムアクセスメモリからなり、該ランダム
    アクセスメモリの1つを選択可能な第2のアドレスデコ
    ーダ手段をさらに有している請求項5から7のいずれか
    に記載の順次データ記憶装置。
  9. 【請求項9】 前記第2のランダムアクセスメモリ手段
    から複数のデータを読出し可能な請求項5から8のいず
    れかに記載の順次データ記憶装置。
  10. 【請求項10】 前記記憶部はランダムアクセスメモリ
    アレイからなる請求項1から9のいずれかに記載の順次
    データ記憶装置。
  11. 【請求項11】 前記記憶部は複数のデータを1組とし
    て先入れ先出しする請求項1から10のいずれかに記載
    の順次データ記憶装置。
  12. 【請求項12】 前記記憶部は複数のデータを1組とし
    て先入れ後出しする請求項1から10のいずれかに記載
    の順次データ記憶装置。
JP8149008A 1996-06-11 1996-06-11 順次データ記憶装置 Pending JPH09330588A (ja)

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JP8149008A JPH09330588A (ja) 1996-06-11 1996-06-11 順次データ記憶装置

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JP8149008A JPH09330588A (ja) 1996-06-11 1996-06-11 順次データ記憶装置

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JP8149008A Pending JPH09330588A (ja) 1996-06-11 1996-06-11 順次データ記憶装置

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03235285A (ja) * 1990-02-09 1991-10-21 Nec Corp Fifo型半導体メモリ

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03235285A (ja) * 1990-02-09 1991-10-21 Nec Corp Fifo型半導体メモリ

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19980623