JPH09325726A - Ｃｒｔ表示装置における漏洩電界低減装置 - Google Patents
Ｃｒｔ表示装置における漏洩電界低減装置Info
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- JPH09325726A JPH09325726A JP14414396A JP14414396A JPH09325726A JP H09325726 A JPH09325726 A JP H09325726A JP 14414396 A JP14414396 A JP 14414396A JP 14414396 A JP14414396 A JP 14414396A JP H09325726 A JPH09325726 A JP H09325726A
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- anode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特殊で高価なＣＲＴを用いることなく、輝度
変化などに応じても漏洩電界を的確に低減できるように
したＣＲＴ表示装置における漏洩電界低減装置を提供す
る。 【解決手段】 高電圧発生回路からＣＲＴ１のアノード
２に対してアノード電圧を供給するアノードリード２１
を主導体と、その主導体との間で一定の静電容量を生じ
させる副導体とで構成し、副導体に誘起される電圧信号
を基に輻射電界強度を検出して、ＣＲＴの所定箇所に設
けた相殺信号注入用電極５に相殺信号を注入する。
変化などに応じても漏洩電界を的確に低減できるように
したＣＲＴ表示装置における漏洩電界低減装置を提供す
る。 【解決手段】 高電圧発生回路からＣＲＴ１のアノード
２に対してアノード電圧を供給するアノードリード２１
を主導体と、その主導体との間で一定の静電容量を生じ
させる副導体とで構成し、副導体に誘起される電圧信号
を基に輻射電界強度を検出して、ＣＲＴの所定箇所に設
けた相殺信号注入用電極５に相殺信号を注入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、コンピュータの
表示装置やＴＶ受像機などに用いられるＣＲＴ表示装置
において、外部へ漏洩される電界を低減する漏洩電界低
減装置に関する。
表示装置やＴＶ受像機などに用いられるＣＲＴ表示装置
において、外部へ漏洩される電界を低減する漏洩電界低
減装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、ＣＲＴ表示装置の使用者や、
その付近にいる作業者の健康に与える影響を考慮して、
ＣＲＴから漏洩される電磁波の強度が一定基準を超えな
いような対策がとられている。
その付近にいる作業者の健康に与える影響を考慮して、
ＣＲＴから漏洩される電磁波の強度が一定基準を超えな
いような対策がとられている。
【０００３】ＣＲＴ表示装置から漏洩する電磁波の主な
発生源は、偏向ヨークやフライバックトランスであり、
これらの部品から輻射された電磁波がＣＲＴ表示装置の
外部へ漏洩しないように、各種シールドが施されてい
る。しかし、ＣＲＴの表示面は金属板等で覆うことがで
きないため、特にこのＣＲＴの表示面からの漏洩電界が
問題となる。
発生源は、偏向ヨークやフライバックトランスであり、
これらの部品から輻射された電磁波がＣＲＴ表示装置の
外部へ漏洩しないように、各種シールドが施されてい
る。しかし、ＣＲＴの表示面は金属板等で覆うことがで
きないため、特にこのＣＲＴの表示面からの漏洩電界が
問題となる。
【０００４】このようなＣＲＴ表示装置における漏洩電
界を低減する方法として、ＣＲＴの表示面に透明で導電
率の高い膜（いわゆるＡＲパネル）を貼付する方法、ベ
ズル内に金属板またはアンテナリードを張り巡らして、
輻射される電界に対して逆極性のパルス電圧を印加する
方法、或いはＣＲＴのアノードと接地間に大容量のコン
デンサを接続してアパーチャーグリル（シャドーマス
ク）の電界シールド効果を高くする方法などが採られて
いた。しかしながら、これらの方法では、高価で特殊な
ＣＲＴを用いたり、ＣＲＴ表示装置全体が複雑化して、
全体にコストが嵩む問題があった。そこで、特開平６−
２８９８０１号では、ＣＲＴ表示装置内の高圧発生回路
および偏向回路から輻射される電界を相殺するためのパ
ルス電圧を発生する回路と、高圧発生回路の出力電圧に
相殺パルスを重畳する回路を設けるようにした装置が提
案されている。
界を低減する方法として、ＣＲＴの表示面に透明で導電
率の高い膜（いわゆるＡＲパネル）を貼付する方法、ベ
ズル内に金属板またはアンテナリードを張り巡らして、
輻射される電界に対して逆極性のパルス電圧を印加する
方法、或いはＣＲＴのアノードと接地間に大容量のコン
デンサを接続してアパーチャーグリル（シャドーマス
ク）の電界シールド効果を高くする方法などが採られて
いた。しかしながら、これらの方法では、高価で特殊な
ＣＲＴを用いたり、ＣＲＴ表示装置全体が複雑化して、
全体にコストが嵩む問題があった。そこで、特開平６−
２８９８０１号では、ＣＲＴ表示装置内の高圧発生回路
および偏向回路から輻射される電界を相殺するためのパ
ルス電圧を発生する回路と、高圧発生回路の出力電圧に
相殺パルスを重畳する回路を設けるようにした装置が提
案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記特開平
６−２８９８０１号では、輻射電界を相殺するためのパ
ルスをフライバックトランスまたは水平出力トランスに
設けた巻線から取り、これを位相調整して高圧発生回路
の出力電圧に重畳するようにしているだけであるため、
次に述べるような理由で輻射電界の相殺がうまくいかな
いという問題があった。
６−２８９８０１号では、輻射電界を相殺するためのパ
ルスをフライバックトランスまたは水平出力トランスに
設けた巻線から取り、これを位相調整して高圧発生回路
の出力電圧に重畳するようにしているだけであるため、
次に述べるような理由で輻射電界の相殺がうまくいかな
いという問題があった。
【０００６】例えば表示画面の輝度が変化すれば、アノ
ード電流がそれに応じて変化し、また、アノード電圧安
定化回路を備えるものでは、輝度変化に応じてフライバ
ックトランスの２次側に発生するパルスの波高値が変化
し、これらの相互作用によって、フライバックトランス
の２次側に発生するパルスの電圧・電流が変動する。例
えば、フライバックトランスによるアノード電圧発生回
路はピーク整流であるため、低輝度時にはよく平滑化さ
れてアノード電圧に含まれる水平走査周波数のリップル
は少ないが、高輝度時にはアノード電流が大きくなるた
め平滑性が悪くなって、アノード電圧に含まれる水平走
査周波数のリップルが大きくなる。したがって、例えば
縦縞のような画像が表示されれば、水平走査中における
リップルの変化が生じ、また、横縞のような画像が表示
されれば、垂直走査にともなって上記リップルの量が変
化し、さらに例えば点滅画像などが表示されれば、その
点滅に応じて上記リップルの量が変動する。このため、
画面の表示内容および輝度変化に応じて、アノード電圧
に重畳されるパルス状電圧（以下「ＦＢＴパルス」とい
う。）が変化し、フライバックトランスの影響による輻
射電界に変化が生じる。また、偏向のために偏向ヨーク
に印加されるパルス電圧（「以下ＤＹパルス」とい
う。）も常に一定ではなく、例えば歪補正回路の作用な
どによって変化する。そのため、偏向ヨークまたは、そ
の偏向ヨークに静電容量結合する導体から輻射される電
界強度に変化が生じる。
ード電流がそれに応じて変化し、また、アノード電圧安
定化回路を備えるものでは、輝度変化に応じてフライバ
ックトランスの２次側に発生するパルスの波高値が変化
し、これらの相互作用によって、フライバックトランス
の２次側に発生するパルスの電圧・電流が変動する。例
えば、フライバックトランスによるアノード電圧発生回
路はピーク整流であるため、低輝度時にはよく平滑化さ
れてアノード電圧に含まれる水平走査周波数のリップル
は少ないが、高輝度時にはアノード電流が大きくなるた
め平滑性が悪くなって、アノード電圧に含まれる水平走
査周波数のリップルが大きくなる。したがって、例えば
縦縞のような画像が表示されれば、水平走査中における
リップルの変化が生じ、また、横縞のような画像が表示
されれば、垂直走査にともなって上記リップルの量が変
化し、さらに例えば点滅画像などが表示されれば、その
点滅に応じて上記リップルの量が変動する。このため、
画面の表示内容および輝度変化に応じて、アノード電圧
に重畳されるパルス状電圧（以下「ＦＢＴパルス」とい
う。）が変化し、フライバックトランスの影響による輻
射電界に変化が生じる。また、偏向のために偏向ヨーク
に印加されるパルス電圧（「以下ＤＹパルス」とい
う。）も常に一定ではなく、例えば歪補正回路の作用な
どによって変化する。そのため、偏向ヨークまたは、そ
の偏向ヨークに静電容量結合する導体から輻射される電
界強度に変化が生じる。
【０００７】したがって、輻射電界相殺パルスをフライ
バックトランスまたは水平出力トランスに設けた巻線か
ら取り、これを位相調整して高圧発生回路の出力電圧に
重畳するようにしただけでは輻射電界がうまく相殺され
ず、漏洩電界が生じることになる。
バックトランスまたは水平出力トランスに設けた巻線か
ら取り、これを位相調整して高圧発生回路の出力電圧に
重畳するようにしただけでは輻射電界がうまく相殺され
ず、漏洩電界が生じることになる。
【０００８】この発明の目的は、特殊で高価なＣＲＴを
用いることなく、輝度変化などに応じても漏洩電界を的
確に低減できるようにしたＣＲＴ表示装置における漏洩
電界低減装置を提供することにある。
用いることなく、輝度変化などに応じても漏洩電界を的
確に低減できるようにしたＣＲＴ表示装置における漏洩
電界低減装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明は、フライバッ
クトランスにより発生された高電圧をアノードリードを
介してＣＲＴのアノードに印加するＣＲＴ表示装置にお
いて、請求項１に記載の通り、アノードリードを、アノ
ード電圧を給電する主導体と該主導体との間で一定の静
電容量を生じさせる副導体とから構成し、前記副導体に
誘起される電圧信号を基に輻射電界強度を検出し、該輻
射電界を相殺する信号を発生してＣＲＴの所定箇所に設
けた電極に印加する手段を備える。
クトランスにより発生された高電圧をアノードリードを
介してＣＲＴのアノードに印加するＣＲＴ表示装置にお
いて、請求項１に記載の通り、アノードリードを、アノ
ード電圧を給電する主導体と該主導体との間で一定の静
電容量を生じさせる副導体とから構成し、前記副導体に
誘起される電圧信号を基に輻射電界強度を検出し、該輻
射電界を相殺する信号を発生してＣＲＴの所定箇所に設
けた電極に印加する手段を備える。
【００１０】このようにフライバックトランスにより発
生される高電圧をＣＲＴのアノードに導くためのアノー
ドリードを、例えば同軸シールド線のように、アノード
電圧を供給する主導体とこの主導体との間に一定の静電
容量を生じさせる副導体とから構成したため、この副導
体にはアノード電圧の変化分の信号が誘起される。アノ
ード電圧は上述したようにリップルを含み、また飛び込
みによってＦＢＴパルスおよびＤＹパルスが重畳されて
いるため、これらによって輻射される電界の強度が副導
体から検出される。したがって画面の輝度変化などがあ
っても、それに応じて相殺すべき輻射電界の強度が検出
され、ＣＲＴ表示装置からの漏洩電界が常に効果的に低
減されることになる。
生される高電圧をＣＲＴのアノードに導くためのアノー
ドリードを、例えば同軸シールド線のように、アノード
電圧を供給する主導体とこの主導体との間に一定の静電
容量を生じさせる副導体とから構成したため、この副導
体にはアノード電圧の変化分の信号が誘起される。アノ
ード電圧は上述したようにリップルを含み、また飛び込
みによってＦＢＴパルスおよびＤＹパルスが重畳されて
いるため、これらによって輻射される電界の強度が副導
体から検出される。したがって画面の輝度変化などがあ
っても、それに応じて相殺すべき輻射電界の強度が検出
され、ＣＲＴ表示装置からの漏洩電界が常に効果的に低
減されることになる。
【００１１】また、この発明は、請求項２に記載の通
り、アノードリードを、アノード電圧を給電する主導体
と該主導体との間で一定の静電容量を生じさせる副導体
とから構成し、ＣＲＴの所定箇所に電極を配置し、該電
極に誘起される電圧信号を基に輻射電界強度を検出し、
該輻射電界を相殺する信号を発生して前記アノードリー
ドの副導体に印加する手段を備える。
り、アノードリードを、アノード電圧を給電する主導体
と該主導体との間で一定の静電容量を生じさせる副導体
とから構成し、ＣＲＴの所定箇所に電極を配置し、該電
極に誘起される電圧信号を基に輻射電界強度を検出し、
該輻射電界を相殺する信号を発生して前記アノードリー
ドの副導体に印加する手段を備える。
【００１２】このようにＣＲＴの所定箇所に配置した電
極に誘起される電圧信号を基に輻射電界強度を検出する
ようにしたため、画面の輝度変化に応じて変動する輻射
電界強度が検出され、さらに、アノードリードを例えば
シールド線のように、主導体とその主導体との間で一定
の静電容量を生じさせる副導体とから構成し、輻射電界
を相殺する信号をアノードリードの副導体に印加するよ
うにしたため、フライバックトランス内のアノード電圧
を発生する回路に輻射電界相殺用の信号を注入するため
の回路を設ける必要がなく、単純な構造で低コストで構
成できるようになる。
極に誘起される電圧信号を基に輻射電界強度を検出する
ようにしたため、画面の輝度変化に応じて変動する輻射
電界強度が検出され、さらに、アノードリードを例えば
シールド線のように、主導体とその主導体との間で一定
の静電容量を生じさせる副導体とから構成し、輻射電界
を相殺する信号をアノードリードの副導体に印加するよ
うにしたため、フライバックトランス内のアノード電圧
を発生する回路に輻射電界相殺用の信号を注入するため
の回路を設ける必要がなく、単純な構造で低コストで構
成できるようになる。
【００１３】
【発明の実施の形態】この発明の第１の実施形態である
ＣＲＴ表示装置における漏洩電界低減装置の構成を図１
〜図５を参照して以下に説明する。
ＣＲＴ表示装置における漏洩電界低減装置の構成を図１
〜図５を参照して以下に説明する。
【００１４】図１はＣＲＴ表示装置全体の構成を示すブ
ロック図である。図１においてＣＲＴ１の内面には内装
黒鉛膜３およびアパーチャーグリル（シャドーマスク）
４が設けられ、表面には外装黒鉛膜が設けられている。
ＣＲＴ１のネック部には偏向ヨーク６が取り付けられ、
この偏向ヨーク６とＣＲＴ１との間に相殺信号注入用電
極５を設けている。図１の高電圧発生回路１０はフライ
バックトランスなどからなり、アノードリード２１を介
してＣＲＴ１のアノード２に高電圧を供給する。偏向回
路１１は偏向ヨーク６に対して偏向パルス電圧を印加す
る。映像回路１２はＣＲＴ１のカソードに映像信号を与
える。電界レベル検出回路１３はアノードリード２１の
シールド導体（副導体）に誘起される電圧信号を、フラ
イバックトランスの影響による輻射電界強度として検出
する。相殺信号発生回路１４は電界レベル検出回路１３
の検出した電圧信号に応じて、ＣＲＴ表示装置内部で輻
射された電界を相殺するための相殺信号を発生し、これ
を相殺信号注入用電極５へ印加する。
ロック図である。図１においてＣＲＴ１の内面には内装
黒鉛膜３およびアパーチャーグリル（シャドーマスク）
４が設けられ、表面には外装黒鉛膜が設けられている。
ＣＲＴ１のネック部には偏向ヨーク６が取り付けられ、
この偏向ヨーク６とＣＲＴ１との間に相殺信号注入用電
極５を設けている。図１の高電圧発生回路１０はフライ
バックトランスなどからなり、アノードリード２１を介
してＣＲＴ１のアノード２に高電圧を供給する。偏向回
路１１は偏向ヨーク６に対して偏向パルス電圧を印加す
る。映像回路１２はＣＲＴ１のカソードに映像信号を与
える。電界レベル検出回路１３はアノードリード２１の
シールド導体（副導体）に誘起される電圧信号を、フラ
イバックトランスの影響による輻射電界強度として検出
する。相殺信号発生回路１４は電界レベル検出回路１３
の検出した電圧信号に応じて、ＣＲＴ表示装置内部で輻
射された電界を相殺するための相殺信号を発生し、これ
を相殺信号注入用電極５へ印加する。
【００１５】図２はフライバックトランスおよびアノー
ドリードの構成を示す斜視図であり、同図に示すよう
に、フライバックトランス２０のアノードリード２１を
同軸シールド線で構成し、その中心導体をＣＲＴのアノ
ード電圧を供給するための主導体として用い、シールド
導体を、主導体との間で一定の静電容量を有する副導体
として用い、そのフライバックトランス側の端部にアノ
ード副導体リード２２を接続している。
ドリードの構成を示す斜視図であり、同図に示すよう
に、フライバックトランス２０のアノードリード２１を
同軸シールド線で構成し、その中心導体をＣＲＴのアノ
ード電圧を供給するための主導体として用い、シールド
導体を、主導体との間で一定の静電容量を有する副導体
として用い、そのフライバックトランス側の端部にアノ
ード副導体リード２２を接続している。
【００１６】図３は図１に示した高電圧発生回路、偏向
回路、電界レベル検出回路および相殺信号発生回路の構
成を示す回路図である。図３においてトランジスタＱ１
はフライバックトランス２０の１次巻線の電流を駆動す
ることによって、フライバックトランス２０の２次巻線
から高電圧が発生され、これがアノードリード２１を介
してＣＲＴのアノードへ印加される。このアノード電圧
はＣＲＴの内装黒鉛膜と外装黒鉛膜間の静電容量および
フライバックトランス２０内に設けられる平滑用コンデ
ンサによって平滑される。フライバックトランス２０の
２次側出力の一方はＡＢＬ回路（オートブライトネスリ
ミッタ回路）へ接続している。また、図３において２５
は水平出力トランスであり、その１次側には駆動用トラ
ンジスタＱ２、ダンパダイオードＤｄ、偏向ヨーク６お
よび共振コンデンサＣｔ，Ｃｓを接続している。アノー
ドリード２１のシールド導体２３から引き出したアノー
ド副導体リード２４と接地との間にはコンデンサＣ１を
接続していて、増幅回路Ａ１は、アノードリード２１の
中心導体２２とシールド導体２３との間に生じる静電容
量とコンデンサＣ１とにより分圧された電圧信号を入力
する。ＣＲＴのアノード電圧には偏向ヨークからの飛び
込みによりＤＹパルスが重畳されているので、増幅回路
Ａ１はこのＤＹパルスの重畳されたアノード電圧の変化
分の信号を反転増幅する。水平出力トランス２５の２次
側には増幅回路Ａ２を接続していて、この増幅回路Ａ２
は偏向ヨークに印加される信号に略等しい電圧信号を増
幅する。増幅回路Ａ３は増幅回路Ａ１およびＡ２の出力
電圧を合成して、相殺信号注入用電極へ相殺信号を供給
する。なお、増幅回路Ａ１，Ａ２，Ａ３のゲインは、フ
ライバックトランスの影響による輻射電界と偏向ヨーク
の影響による輻射電界との比およびＣＲＴ表面の導電率
のレベルに応じて設定する。これによって、フライバッ
クトランスの影響による輻射電界と偏向ヨークの影響に
よる輻射電界は相殺信号注入電極に注入される相殺信号
によって効果的に相殺され、ＣＲＴ表示装置からの漏洩
電界が低減される。
回路、電界レベル検出回路および相殺信号発生回路の構
成を示す回路図である。図３においてトランジスタＱ１
はフライバックトランス２０の１次巻線の電流を駆動す
ることによって、フライバックトランス２０の２次巻線
から高電圧が発生され、これがアノードリード２１を介
してＣＲＴのアノードへ印加される。このアノード電圧
はＣＲＴの内装黒鉛膜と外装黒鉛膜間の静電容量および
フライバックトランス２０内に設けられる平滑用コンデ
ンサによって平滑される。フライバックトランス２０の
２次側出力の一方はＡＢＬ回路（オートブライトネスリ
ミッタ回路）へ接続している。また、図３において２５
は水平出力トランスであり、その１次側には駆動用トラ
ンジスタＱ２、ダンパダイオードＤｄ、偏向ヨーク６お
よび共振コンデンサＣｔ，Ｃｓを接続している。アノー
ドリード２１のシールド導体２３から引き出したアノー
ド副導体リード２４と接地との間にはコンデンサＣ１を
接続していて、増幅回路Ａ１は、アノードリード２１の
中心導体２２とシールド導体２３との間に生じる静電容
量とコンデンサＣ１とにより分圧された電圧信号を入力
する。ＣＲＴのアノード電圧には偏向ヨークからの飛び
込みによりＤＹパルスが重畳されているので、増幅回路
Ａ１はこのＤＹパルスの重畳されたアノード電圧の変化
分の信号を反転増幅する。水平出力トランス２５の２次
側には増幅回路Ａ２を接続していて、この増幅回路Ａ２
は偏向ヨークに印加される信号に略等しい電圧信号を増
幅する。増幅回路Ａ３は増幅回路Ａ１およびＡ２の出力
電圧を合成して、相殺信号注入用電極へ相殺信号を供給
する。なお、増幅回路Ａ１，Ａ２，Ａ３のゲインは、フ
ライバックトランスの影響による輻射電界と偏向ヨーク
の影響による輻射電界との比およびＣＲＴ表面の導電率
のレベルに応じて設定する。これによって、フライバッ
クトランスの影響による輻射電界と偏向ヨークの影響に
よる輻射電界は相殺信号注入電極に注入される相殺信号
によって効果的に相殺され、ＣＲＴ表示装置からの漏洩
電界が低減される。
【００１７】図４の（Ａ）はＣＲＴを含めた漏洩電界低
減装置の等価回路図である。（Ｂ）は（Ａ）に示した各
コンデンサおよび抵抗とＣＲＴ各部との対応関係を示す
図である。また、（Ｃ）は相殺信号注入用電極の構成を
示す斜視図である。同図においてＣDYは偏向ヨークと相
殺信号注入用電極間の静電容量、Ｃｃは相殺信号注入用
電極とＣＲＴの内装黒鉛膜間の静電容量、ＲｉはＣＲＴ
の内装黒鉛膜抵抗である。またＣFBT およびＲFBT はフ
ライバックトランスによるコンデンサと抵抗の回路であ
り、ＣｇはＣＲＴの外装黒鉛膜と内装黒鉛膜間の静電容
量、ＲｇはＣＲＴの外装黒鉛膜抵抗である。また、Ｃｐ
はＣＲＴのアパーチャーグリル（シャドーマスク）とＣ
ＲＴ表面との間の静電容量、ＲｐはＣＲＴの表面抵抗で
ある。上記静電容量ＣDYを介してＤＹパルスが注入さ
れ、上記抵抗ＲｉにＦＢＴパルスが注入されることにな
る。ＣA はアノードリードの中心導体とシールド導体間
の静電容量であり、Ｃ１は図３に示したＣ１と同じ、ア
ノードリードのシールド導体と接地間に設けたコンデン
サである。ここでは、増幅回路Ａ１を、非反転入力端子
に基準電圧を入力したオペンアンプによる反転増幅回路
として表している。増幅回路Ａ２，Ａ３は図３に示した
ものと同じであり、増幅回路Ａ３から出力される相殺信
号は静電容量ＣDYとＣｃとの間に注入されることにな
る。増幅回路Ａ３から出力される相殺信号はＤＹパルス
およびＦＢＴパルスを相殺し、これらによる漏洩電界を
抑制する。なお、同図の（Ｃ）に示すように、相殺信号
注入用電極５には、渦電流の発生を防止するために、放
射状にスリットを設けている。
減装置の等価回路図である。（Ｂ）は（Ａ）に示した各
コンデンサおよび抵抗とＣＲＴ各部との対応関係を示す
図である。また、（Ｃ）は相殺信号注入用電極の構成を
示す斜視図である。同図においてＣDYは偏向ヨークと相
殺信号注入用電極間の静電容量、Ｃｃは相殺信号注入用
電極とＣＲＴの内装黒鉛膜間の静電容量、ＲｉはＣＲＴ
の内装黒鉛膜抵抗である。またＣFBT およびＲFBT はフ
ライバックトランスによるコンデンサと抵抗の回路であ
り、ＣｇはＣＲＴの外装黒鉛膜と内装黒鉛膜間の静電容
量、ＲｇはＣＲＴの外装黒鉛膜抵抗である。また、Ｃｐ
はＣＲＴのアパーチャーグリル（シャドーマスク）とＣ
ＲＴ表面との間の静電容量、ＲｐはＣＲＴの表面抵抗で
ある。上記静電容量ＣDYを介してＤＹパルスが注入さ
れ、上記抵抗ＲｉにＦＢＴパルスが注入されることにな
る。ＣA はアノードリードの中心導体とシールド導体間
の静電容量であり、Ｃ１は図３に示したＣ１と同じ、ア
ノードリードのシールド導体と接地間に設けたコンデン
サである。ここでは、増幅回路Ａ１を、非反転入力端子
に基準電圧を入力したオペンアンプによる反転増幅回路
として表している。増幅回路Ａ２，Ａ３は図３に示した
ものと同じであり、増幅回路Ａ３から出力される相殺信
号は静電容量ＣDYとＣｃとの間に注入されることにな
る。増幅回路Ａ３から出力される相殺信号はＤＹパルス
およびＦＢＴパルスを相殺し、これらによる漏洩電界を
抑制する。なお、同図の（Ｃ）に示すように、相殺信号
注入用電極５には、渦電流の発生を防止するために、放
射状にスリットを設けている。
【００１８】なお、上述の実施形態では、偏向ヨークと
ＣＲＴとの間に相殺信号注入用電極を設けたが、例えば
図５に示すようにＣＲＴ１の周辺部（枠部）に相殺信号
注入用電極７を設けて、これに相殺信号を印加するよう
にしてもよい。
ＣＲＴとの間に相殺信号注入用電極を設けたが、例えば
図５に示すようにＣＲＴ１の周辺部（枠部）に相殺信号
注入用電極７を設けて、これに相殺信号を印加するよう
にしてもよい。
【００１９】次に、第２の実施形態であるＣＲＴ表示装
置における漏洩電界低減装置の回路図を図６に示す。第
１の実施形態では、ＣＲＴ側に相殺信号注入用電極を設
けて、これに相殺信号を印加するようにしたが、この第
２の実施形態では、フライバックトランス内のアノード
電圧を発生する回路に相殺信号を重畳する。すなわち、
図６においてフライバックトランス２０の内部には平滑
用高圧コンデンサＣｈおよび放電抵抗Ｒｈを設けてい
て、増幅回路Ａ３より出力される相殺信号をコンデンサ
Ｃ２を介して印加している。その他の構成は図３に示し
たものと同様である。このようにフライバックトランス
内のアノード電圧を発生する回路に相殺信号を印加する
ことによって、ＣＲＴのアノードに対して相殺信号が重
畳され、ＦＢＴパルスおよびＤＹパルスによる輻射電界
が相殺される。
置における漏洩電界低減装置の回路図を図６に示す。第
１の実施形態では、ＣＲＴ側に相殺信号注入用電極を設
けて、これに相殺信号を印加するようにしたが、この第
２の実施形態では、フライバックトランス内のアノード
電圧を発生する回路に相殺信号を重畳する。すなわち、
図６においてフライバックトランス２０の内部には平滑
用高圧コンデンサＣｈおよび放電抵抗Ｒｈを設けてい
て、増幅回路Ａ３より出力される相殺信号をコンデンサ
Ｃ２を介して印加している。その他の構成は図３に示し
たものと同様である。このようにフライバックトランス
内のアノード電圧を発生する回路に相殺信号を印加する
ことによって、ＣＲＴのアノードに対して相殺信号が重
畳され、ＦＢＴパルスおよびＤＹパルスによる輻射電界
が相殺される。
【００２０】次に、この発明の第３の実施形態に係るＣ
ＲＴ表示装置における漏洩電界低減装置の回路図を図７
に示す。以上に示した各実施形態では、アノードリード
を輻射電界強度の検出のために用いたが、この第３の実
施形態では、逆にアノードリードを相殺信号の注入のた
めに用いる。すなわち図７において漏洩電界検出用電極
は、例えば図１において５で示したものと同様に、ＣＲ
Ｔ１と偏向ヨーク６との間に設けるか、図５において７
で示すものと同様にＣＲＴ１の周囲に設ける。増幅回路
Ａ１はこの漏洩電界検出用電極に誘起される電圧を反転
増幅する。水平偏向回路部分の構成は図３に示したもの
と同様であり、増幅回路Ａ２は偏向ヨークに印加される
信号に略等しい電圧信号を増幅する。増幅回路Ａ３は増
幅回路Ａ１およびＡ２の出力電圧を合成して、アノード
副導体リード２４を介してアノードリード２１のシール
ド導体２３に印加する。この場合、図３に示した場合と
異なり、アノードリードの中心導体２２とシールド導体
２３間の静電容量が、フライバックトランス内の平滑用
コンデンサの静電容量に比べて小さく、コンデンサ分圧
比が小さくなるので、相殺信号は高電圧を要する。この
ようにしてＣＲＴに対するアノード電圧に相殺信号が重
畳され、ＦＢＴパルスおよびＤＹパルスによる漏洩電界
が相殺される。
ＲＴ表示装置における漏洩電界低減装置の回路図を図７
に示す。以上に示した各実施形態では、アノードリード
を輻射電界強度の検出のために用いたが、この第３の実
施形態では、逆にアノードリードを相殺信号の注入のた
めに用いる。すなわち図７において漏洩電界検出用電極
は、例えば図１において５で示したものと同様に、ＣＲ
Ｔ１と偏向ヨーク６との間に設けるか、図５において７
で示すものと同様にＣＲＴ１の周囲に設ける。増幅回路
Ａ１はこの漏洩電界検出用電極に誘起される電圧を反転
増幅する。水平偏向回路部分の構成は図３に示したもの
と同様であり、増幅回路Ａ２は偏向ヨークに印加される
信号に略等しい電圧信号を増幅する。増幅回路Ａ３は増
幅回路Ａ１およびＡ２の出力電圧を合成して、アノード
副導体リード２４を介してアノードリード２１のシール
ド導体２３に印加する。この場合、図３に示した場合と
異なり、アノードリードの中心導体２２とシールド導体
２３間の静電容量が、フライバックトランス内の平滑用
コンデンサの静電容量に比べて小さく、コンデンサ分圧
比が小さくなるので、相殺信号は高電圧を要する。この
ようにしてＣＲＴに対するアノード電圧に相殺信号が重
畳され、ＦＢＴパルスおよびＤＹパルスによる漏洩電界
が相殺される。
【００２１】
【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、フライ
バックトランスにより発生される高電圧をＣＲＴのアノ
ードに導くためのアノードリードを、例えば同軸シール
ド線のように、アノード電圧を供給する主導体とこの主
導体との間に一定の静電容量を生じさせる副導体とから
構成し、この副導体に誘起される電圧信号を基に輻射電
界強度を検出するようにしたため、画面の輝度変化など
があっても、それに応じて相殺すべき輻射電界の強度が
検出され、ＣＲＴ表示装置からの漏洩電界が常に効果的
に低減されることになる。
バックトランスにより発生される高電圧をＣＲＴのアノ
ードに導くためのアノードリードを、例えば同軸シール
ド線のように、アノード電圧を供給する主導体とこの主
導体との間に一定の静電容量を生じさせる副導体とから
構成し、この副導体に誘起される電圧信号を基に輻射電
界強度を検出するようにしたため、画面の輝度変化など
があっても、それに応じて相殺すべき輻射電界の強度が
検出され、ＣＲＴ表示装置からの漏洩電界が常に効果的
に低減されることになる。
【００２２】請求項２に記載の発明によれば、ＣＲＴの
所定箇所に配置した電極に誘起される電圧信号を基に輻
射電界強度を検出するようにしたため、画面の輝度変化
等に応じて変動する輻射電界強度が検出され、さらに、
アノードリードを例えばシールド線のように、主導体と
その主導体との間で一定の静電容量を生じさせる副導体
とから構成し、輻射電界を相殺する信号をアノードリー
ドの副導体に印加するようにしたため、フライバックト
ランス内のアノード電圧を発生する回路に輻射電界相殺
用の信号を注入するための回路を設ける必要がなく、単
純な構造で低コストで構成できるようになる。
所定箇所に配置した電極に誘起される電圧信号を基に輻
射電界強度を検出するようにしたため、画面の輝度変化
等に応じて変動する輻射電界強度が検出され、さらに、
アノードリードを例えばシールド線のように、主導体と
その主導体との間で一定の静電容量を生じさせる副導体
とから構成し、輻射電界を相殺する信号をアノードリー
ドの副導体に印加するようにしたため、フライバックト
ランス内のアノード電圧を発生する回路に輻射電界相殺
用の信号を注入するための回路を設ける必要がなく、単
純な構造で低コストで構成できるようになる。
【図１】ＣＲＴ表示装置全体のブロック図である。
【図２】フライバックトランスおよびアノードリードの
構成を示す斜視図である。
構成を示す斜視図である。
【図３】漏洩電界低減装置の回路図である。
【図４】ＣＲＴを含めた漏洩電界低減装置の等価回路を
示す図であり、（Ａ）はその等価回路図、（Ｂ）は
（Ａ）における各要素とＣＲＴ各部との関係を示す図、
（Ｃ）は相殺信号注入用電極の構成を示す図である。
示す図であり、（Ａ）はその等価回路図、（Ｂ）は
（Ａ）における各要素とＣＲＴ各部との関係を示す図、
（Ｃ）は相殺信号注入用電極の構成を示す図である。
【図５】相殺信号注入用電極の他の構成例を示す図であ
る。
る。
【図６】第２の実施形態に係る漏洩電界低減装置の回路
図である。
図である。
【図７】第３の実施形態に係る漏洩電界低減装置の回路
図である。
図である。
【符号の説明】 １−ＣＲＴ ２−アノード ３−内装黒鉛膜 ４−アパーチャーグリル（シャドーマスク） ５，７−相殺信号注入用電極 ６−偏向ヨーク ２０−フライバックトランス ２１−アノードリード ２２−中心導体 ２３−シールド導体 ２４−アノード副導体リード ２５−水平出力トランス
Claims (2)
- 【請求項１】 フライバックトランスにより発生された
高電圧をアノードリードを介してＣＲＴのアノードに印
加するＣＲＴ表示装置において、 アノードリードを、アノード電圧を給電する主導体と該
主導体との間で一定の静電容量を生じさせる副導体とか
ら構成し、前記副導体に誘起される電圧信号を基に輻射
電界強度を検出し、該輻射電界を相殺する信号を発生し
てＣＲＴの所定箇所に設けた電極に印加する手段を備え
てなるＣＲＴ表示装置における漏洩電界低減装置。 - 【請求項２】 フライバックトランスにより発生された
高電圧をアノードリードを介してＣＲＴのアノードに印
加するＣＲＴ表示装置において、 アノードリードを、アノード電圧を給電する主導体と該
主導体との間で一定の静電容量を生じさせる副導体とか
ら構成し、ＣＲＴの所定箇所に電極を配置し、該電極に
誘起される電圧信号を基に輻射電界強度を検出し、該輻
射電界を相殺する信号を発生して前記アノードリードの
副導体に印加する手段を備えてなるＣＲＴ表示装置にお
ける漏洩電界低減装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14414396A JPH09325726A (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | Ｃｒｔ表示装置における漏洩電界低減装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14414396A JPH09325726A (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | Ｃｒｔ表示装置における漏洩電界低減装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09325726A true JPH09325726A (ja) | 1997-12-16 |
Family
ID=15355232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14414396A Pending JPH09325726A (ja) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | Ｃｒｔ表示装置における漏洩電界低減装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09325726A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100272041B1 (ko) * | 1996-11-28 | 2000-11-15 | 모리 가즈히로 | 음극선관장치 |
| JP2009124192A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-06-04 | Sony Corp | 通信装置、通信方法及び通信システム |
-
1996
- 1996-06-06 JP JP14414396A patent/JPH09325726A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100272041B1 (ko) * | 1996-11-28 | 2000-11-15 | 모리 가즈히로 | 음극선관장치 |
| JP2009124192A (ja) * | 2007-11-09 | 2009-06-04 | Sony Corp | 通信装置、通信方法及び通信システム |
| US8240562B2 (en) | 2007-11-09 | 2012-08-14 | Sony Corporation | Communication apparatus, communication method, antenna module and communication system |
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