JPH09324127A - 半導体素子用ダイボンド材およびそれを用いた半導体装置 - Google Patents

半導体素子用ダイボンド材およびそれを用いた半導体装置

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JPH09324127A
JPH09324127A JP8141402A JP14140296A JPH09324127A JP H09324127 A JPH09324127 A JP H09324127A JP 8141402 A JP8141402 A JP 8141402A JP 14140296 A JP14140296 A JP 14140296A JP H09324127 A JPH09324127 A JP H09324127A
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die
various
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graphite
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Masami Yokozawa
眞覩 横沢
Toru Nomura
徹 野村
Naomi Nishiki
直巳 西木
Wataru Okada
彌 岡田
Ryoji Sawada
良治 澤田
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の放熱性向上に対する高熱伝導性
のダイボンド材はなかった。 【解決手段】 高分子化合物として、各種ポリオキサジ
アゾール（ＰＯＤ）、ポリベンゾチアゾール（ＰＢ
Ｔ）、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢＢＴ）、ポリベ
ンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベンゾビスオキサゾ
ール（ＰＢＢＯ）、各種ポリイミド（ＰＩ）、各種ポリ
アミド（ＰＡ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾール
（ＰＢＩ）などの高分子材料の中から選択した少なくと
も１つの高分子材料を熱処理して得られる高熱導電性グ
ラファイトの粉末、粉砕片、裁断片を熱硬化性樹脂に添
加して構成したダイボンド材８を用いて、ダイパッド部
２と半導体素子３とをダイボンドしているので、半導体
素子３より発せられた熱を効率よく放熱させることがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子をリー
ドフレームのダイパッド上に接合する際に用いる半導体
素子用ダイボンド材およびそれを用いた半導体装置に関
するものであり、特に放熱性を高めたダイボンド材およ
びそれを用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置としては、半導体素子
がリードフレームなどの支持基材上に接合され、その外
囲が封止樹脂で封止されたものが主流となっている。こ
のような半導体装置とその製造方法について以下、図面
を参照しながら説明する。
【０００３】図４は従来の半導体装置を示す断面図であ
る。図４に示すように、リードフレーム１のダイパッド
部２上に半導体素子３が接合され、その接合は、銀（Ａ
ｇ）ペーストと称するダイボンド材４により行なわれて
いた。そして半導体素子３とリードフレーム１のインナ
ーリード部５とが金属細線６により結線され、電気的接
続がなされ、半導体素子３の外囲領域とインナーリード
部５の領域とが封止樹脂７により封止され、半導体装置
を構成していた。そして従来のダイボンド材４として、
エポキシ樹脂に対して、銀（Ａｇ）を総重量の８０重量
［％］添加したものであった。
【０００４】次にその製造方法について説明する。図５
〜図７は従来の半導体装置の製造方法を示す断面図であ
る。
【０００５】まず図５に示すように、ダイボンド工程と
して、リードフレーム１のダイパッド部２にダイボンド
材４を供給し、半導体素子３を接合する。
【０００６】次に図６に示すように、ワイヤーボンド工
程として、リードフレーム１のインナーリード部５と半
導体素子３の電極（図示せず）とを金属細線６で接続
し、電気的接続を行なう。
【０００７】次に図７に示すように、封止工程として、
ダイパッド部２上の半導体素子３の外囲領域とインナー
リード部５の領域とを封止樹脂７により封止し、パッケ
ージ部を構成する。その後、リードフレーム１のアウタ
ーリード部を成形し、半導体装置を構成していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来のようにダイボン
ド工程で、リードフレームのダイパッド部と半導体素子
とを銀（Ａｇ）ペーストにより接合した場合、接合自体
には何等問題はないが、接合する半導体素子が発熱性の
高い素子である場合、放熱手段が必要となる。そこで従
来は封止樹脂に放熱性の高い樹脂を用いたり、またはダ
イパッド部にヒートシンクを接合して対応していた。し
かしながら、ダイボンド材に対して、放熱性を持たせる
ような手段はなく、熱伝導度のよい銀（Ａｇ）を添加す
る程度であった。
【０００９】本発明は、放熱性を高めた半導体装置用ダ
イボンド材およびそれを用いた半導体装置を提供するも
ので、特に熱伝導度の高いグラファイトを樹脂に添加し
て構成したダイボンド材と、それを用いた半導体装置を
提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】従来のような課題を解決
するために、本発明の半導体素子用ダイボンド材は、高
分子化合物として、各種ポリオキサジアゾール（ＰＯ
Ｄ）、ポリベンゾチアゾール（ＰＢＴ）、ポリベンゾビ
スチアゾール（ＰＢＢＴ）、ポリベンゾオキサゾール
（ＰＢＯ）、ポリベンゾビスオキサゾール（ＰＢＢ
Ｏ）、各種ポリイミド（ＰＩ）、各種ポリアミド（Ｐ
Ａ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾール（ＰＢＩ）、
ポリフェニレンベンゾビスイミダゾール（ＰＰＢＩ）、
ポリチアゾール（ＰＴ）、ポリパラフェニレンビニレン
（ＰＰＶ）からなる群の中から選択した少なくとも１つ
の高分子材料を熱処理して得られる高熱導電性のグラフ
ァイト材の粉末、粉砕片、裁断片を熱硬化性樹脂に添加
したものであり、その添加量としては、総重量の重量百
分率で３〜４０重量［％］添加したものである。
【００１１】また半導体装置は、リードフレーム内のダ
イパッド部に半導体素子がダイボンド材により接合され
てなる半導体装置であって、そのダイボンド材には、高
分子化合物として、各種ポリオキサジアゾール（ＰＯ
Ｄ）、ポリベンゾチアゾール（ＰＢＴ）、ポリベンゾビ
スチアゾール（ＰＢＢＴ）、ポリベンゾオキサゾール
（ＰＢＯ）、ポリベンゾビスオキサゾール（ＰＢＢ
Ｏ）、各種ポリイミド（ＰＩ）、各種ポリアミド（Ｐ
Ａ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾール（ＰＢＩ）、
ポリフェニレンベンゾビスイミダゾール（ＰＰＢＩ）、
ポリチアゾール（ＰＴ）、ポリパラフェニレンビニレン
（ＰＰＶ）からなる群の中から選択した少なくとも１つ
の高分子材料を熱処理して得られる高熱導電性のグラフ
ァイト材を熱硬化性樹脂に添加したダイボンド材を用い
たものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】前記構成の通り、本発明の半導体
素子用ダイボンド材は、従来のように、熱硬化性樹脂に
対して、銀などの導電性物質を添加したものではなく、
高熱伝導率を有するグラファイトの粉末グラファイト、
粉砕グラファイト、裁断グラファイトを熱硬化性樹脂に
添加して構成したものであるので、グラファイト材の高
配向性と高熱伝導性を利用して、半導体装置に利用する
ことにより、半導体装置の半導体素子より発せられる熱
を効率よく半導体装置外に放熱させることができるもの
である。またグラファイトを添加しているので、イオン
化はなく、マイグレーションの発生を防止できるダイボ
ンド材である。
【００１３】以下、本発明の一実施形態について説明す
る。まず本実施形態の半導体素子用ダイボンド材につい
て説明する。
【００１４】本実施形態のダイボンド材は、熱硬化性樹
脂に対して、高熱伝導のグラファイトの粉末、粉砕片、
裁断片を混合させたものである。そしてその熱硬化性樹
脂としては、エポキシ樹脂を用いるものである。
【００１５】ここで、本実施形態のダイボンド材に添加
する高熱伝導のグラファイトについて説明する。本実施
形態で用いるグラファイトは、高配向性グラファイト素
材であり、その高配向性グラファイト素材は、グラファ
イト結晶の配向方向がそろった高結晶グラファイト、特
にロッキング特性が２０度以下のグラファイトであれば
よく、炭化水素系ガスを用いＣＶＤ法によって炭素原子
を基板上に積層させてからアニリングして得られるも
の、特定の高分子化合物のフィルムをグラファイト化し
たものを挙げることができる。中でも、高分子化合物の
フィルムをグラファイト化したものを使用すると熱伝導
性が高いので好ましい。
【００１６】特定の高分子化合物として、各種ポリオキ
サジアゾール（ＰＯＤ）、ポリベンゾチアゾール（ＰＢ
Ｔ）、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢＢＴ）、ポリベ
ンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベンゾビスオキサゾ
ール（ＰＢＢＯ）、各種ポリイミド（ＰＩ）、各種ポリ
アミド（ＰＡ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾール
（ＰＢＩ）、ポリフェニレンベンゾビスイミダゾール
（ＰＰＢＩ）、ポリチアゾール（ＰＴ）、ポリパラフェ
ニレンビニレン（ＰＰＶ）からなる群の中から選択した
少なくとも１つを使用することができる。
【００１７】次にその高配向性グラファイト素材を形成
する方法について説明する。高分子化合物のフィルムを
グラファイト化する焼成条件は、特に限定されないが、
２，０００［℃］以上、好ましくは３，０００［℃］近
辺の温度域に達するように焼成すると、より高配向性が
優れたものができる。焼成は、通常、不活性ガス中で行
なわれる。焼成の際、処理雰囲気を加圧雰囲気にして、
グラファイト化の過程で発生するガスの影響を抑えるた
めには、高分子化合物のフィルム厚みが５［μｍ］以上
であるのが好ましい。焼成時の圧力は、フィルムの厚み
により異なるが、通常、０．１〜５０［ｋｇ／ｃｍ2］
の圧力が好ましい。最高温度が２，０００［℃］未満で
焼成する場合は、得られたグラファイトは硬くて脆くな
る傾向がある。焼成後、さらに必要に応じて圧延処理す
るようにしてもよい。高分子化合物のフィルムのグラフ
ァイト化は、例えば高分子化合物のフィルムを約１００
０枚程度積層してから焼成炉に入れ、３，０００［℃］
に昇温してグラファイト化するプロセスで製造される。
焼成後、さらに必要に応じて圧延処理される。
【００１８】このようにして得られる高配向性グラファ
イト素材は、フィルム状、シート状、板状のいずれの形
態でもよい。しかも、可撓性を有していても、可撓性の
ない硬いものでもいずれであってもよい。例えば、芳香
族ポリイミドを焼成して得られた可撓性のない高配向性
グラファイト素材は、比重が２．２５（Ａｌは２．６
７）、熱伝導性がＡＢ面方向で８６０［ｋｃａｌ／ｍ・
ｈ・℃］（Ｃｕの２．５倍、Ａｌの４．４倍）であり、
ＡＢ面方向の電気伝導性が２５，０００［Ｓ／ｃｍ］、
ＡＢ面方向の弾性率が８４，３００［ｋｇｆ／ｍｍ2］
である。
【００１９】可撓性を有する高配向性グラファイト素材
は、可撓性がない高配向性グラファイト素材より比重が
軽い（０．５〜１．５）が、熱伝導性はあまり変化せ
ず、任意の形状の伝熱配線、伝熱シート、放熱基板に使
用できるので好ましい。高配向性グラファイト素材とし
て、フィルム状のものを使用する場合は、原料の高分子
化合物のフィルムの厚さは４００［μｍ］以下の範囲で
あるのが好ましく、より好ましくは５〜２００［μｍ］
の範囲である。原料フィルムの厚さが４００［μｍ］を
超えると、熱処理過程時にフィルムが崩壊状態になり、
単独で良質の電極材料として使用することは難しい。
【００２０】しかし、崩壊状態のグラファイトも、例え
ば、いわゆるテフロンとして知られているポリテトラフ
ルオロエチレンのようなフッ素樹脂とのコンポジット体
とすれば使用可能なグラファイト面状体になる。コンポ
ジットの場合、グラファイトと高分子樹脂との割合（重
量比率）は、グラファイト：高分子樹脂＝５０：１〜２
の範囲が適当である。このコンポジット体を押し出し成
形すると、押し出し方向に直交する方向にカーボン結晶
が配向するので、その方向の熱伝導性が高くなる。
【００２１】本実施形態のダイボンド材は、以上のよう
な高配向性グラファイト素材のフィルム、すなわち、グ
ラファイトフィルムを粉末した粉末グラファイト、粒度
が前記の粉末グラファイトよりも粗い粉砕グラファイ
ト、またはフィルムを裁断した裁断グラファイトを熱硬
化性樹脂に添加して構成したものである。そして熱硬化
性樹脂に対するグラファイト材の添加量は、総重量百分
率１００［％］のダイボンド材に対して、そのうちグラ
ファイト材を３〜４０重量［％］添加したものであり、
好ましくは８〜３０重量［％］添加したものである。
【００２２】さらに、熱硬化性樹脂に対して、前記した
ようなグラファイト材の他、グラファイト材の添加量よ
りも少ない量で、金、銀、銅、白金、パラジウムのうち
のどれかの導電性材料を添加してダイボンド材を構成し
てもよい。また前記したようなグラファイト材の他、グ
ラファイト材の添加量よりも少ない量で、二酸化珪素、
窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、酸化
ジルコニウムのうちのどれかの高熱伝導性材料であって
絶縁性の物質を添加してダイボンド材を構成してもよ
い。
【００２３】以上のように、本実施形態に示したダイボ
ンド材は、高分子化合物として、各種ポリオキサジアゾ
ール（ＰＯＤ）、ポリベンゾチアゾール（ＰＢＴ）、ポ
リベンゾビスチアゾール（ＰＢＢＴ）、ポリベンゾオキ
サゾール（ＰＢＯ）、ポリベンゾビスオキサゾール（Ｐ
ＢＢＯ）、各種ポリイミド（ＰＩ）、各種ポリアミド
（ＰＡ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾール（ＰＢ
Ｉ）、ポリフェニレンベンゾビスイミダゾール（ＰＰＢ
Ｉ）、ポリチアゾール（ＰＴ）、ポリパラフェニレンビ
ニレン（ＰＰＶ）からなる群の中から選択した少なくと
も１つの高分子材料を熱処理して得られる高熱導電性グ
ラファイトの粉末、粉砕片、裁断片を熱硬化性樹脂、例
えばエポキシ樹脂に３〜４０重量［％］、好ましくは８
〜３０重量［％］添加することによって、そのグラファ
イト材の高配向性と高熱伝導性を利用して、半導体装置
に利用することにより、半導体装置の半導体素子より発
せられる熱を効率よく半導体装置外に放熱させることが
できるものである。
【００２４】また従来のような銀ペーストと称されるダ
イボンド材では、銀を含有したものであり、イオン化が
起こり、マイグレーションが発生する恐れがあったが、
本実施形態で示したダイボンド材では、イオン化はなく
マイグレーションの発生を防止できるものである。
【００２５】次に本実施形態で示した高熱伝導性のグラ
ファイトを添加したダイボンド材を半導体装置の組立工
程に利用した場合について説明する。
【００２６】図１は本実施形態の半導体装置の主要部を
示す断面図である。図１に示すように、支持基材である
リードフレーム１のダイパッド部２には、高熱伝導性の
グラファイトを添加したダイボンド材８により、半導体
素子３が接合され、リードフレーム１のインナーリード
部５と半導体素子３とは金属細線６により電気的に接続
されているものである。そして外囲を封止樹脂７により
封止されているものである。また本実施形態でのダイボ
ンド材８の厚みは、３０［μｍ］である。なお、図１で
は、外囲を封止樹脂で封止した樹脂封止型半導体装置を
例としているが、樹脂封止しない場合のダイボンドにも
本実施形態のダイボンド材を利用できるものである。
【００２７】本実施形態で示した半導体装置では、高熱
伝導性のグラファイトを添加したダイボンド材８を用い
て、ダイパッド部２と半導体素子３とをダイボンドして
いるので、半導体素子３より発せられた熱を効率よく放
熱させることができる。
【００２８】図２は、その放熱特性について示したもの
であり、図１のダイボンド材８中の高熱伝導性のグラフ
ァイトの添加量と熱伝導率との関係を示したものであ
る。図示するように、ダイボンドした際の接合力等のボ
ンド性を維持した状態で、放熱特性の効果を得るために
は、添加量として、３〜４０重量［％］の範囲であり、
好ましくは８〜３０重量［％］の範囲で添加するのがよ
いことがわかる。なお、図２で示したデータは、図１に
おけるダイボンド材８の厚みを３０［μｍ］として、添
加量を変化させていき、放熱特性と、ボンド性を評価し
たものである。
【００２９】次に本実施形態で示したダイボンド材の別
の実施形態について説明する。図３は、ダイボンド材の
構成を示す断面図である。ここで図３（ａ）〜図３
（ｃ）に示すダイボンド材は、高熱伝導性のグラファイ
トフィルム自体を放熱部材として用いて、導電ペースト
により半導体素子とリードフレームのダイパッドとを接
合するものである。
【００３０】まず、図３（ａ）に示すダイボンド材は、
前記の通り説明した高熱伝導性のグラファイトを一定厚
みでフィルム化したグラファイトフィルム９に対して、
従来使用されていた銀ペースト等の導電ペースト１０を
その一表面に形成したダイボンド材である。
【００３１】また図３（ｂ）に示すダイボンド材は、前
記の通り説明した高熱伝導性のグラファイトフィルム９
に対して、従来使用されていた銀ペースト等の導電ペー
スト１０をその表裏面に形成したダイボンド材である。
【００３２】また図３（ｃ）に示すダイボンド材は、前
記の通り説明した高熱伝導性のグラファイトフィルム９
に対して、従来使用されていた銀ペースト等の導電ペー
スト１０をその表裏面に形成し、さらに、導電ペースト
１０に粘着フィルム１１を形成したダイボンド材であ
る。
【００３３】以上、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示したよ
うなダイボンド材を半導体素子のダイボンド工程で用い
ることで、ダイボンドプロセスの簡素化ができる。すな
わち、グラファイトフィルムを使用しているので、ダイ
ボンド材としての厚さの管理は容易になり、一定厚さで
のダイボンドが可能となる。したがって、ダイボンド材
が一定厚みであるので、放熱特性も一定となり、安定し
た放熱効果を得ることができる。また従来のようにペー
スト自体を扱うことはなく、フィルム状のダイボンド材
を用いるので、プロセスの清浄化が実現し、今後、ダス
ト等の汚染防止条件が厳しくなる半導体製造プロセスに
おいては、有用なプロセスを実現できるものである。
【００３４】また図３（ａ）〜図３（ｃ）に示したよう
なダイボンド材を半導体素子のダイボンド工程に用いる
場合、その厚みとしては、グラファイトフィルム９の厚
みは、３００［μｍ］であり、導電ペースト１０の厚み
は、３０［μｍ］であり、粘着フィルム１１の厚みは
１．５［ｍｍ］である。このようにグラファイトフィル
ムを用いた場合、ダイボンド材としての厚みは、極めて
厚くなるが、ダイボンド材の厚みよりも、放熱性を優先
させる場合は、有用である。
【００３５】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体素子用ダ
イボンド材は、高分子化合物として、各種ポリオキサジ
アゾール（ＰＯＤ）、ポリベンゾチアゾール（ＰＢ
Ｔ）、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢＢＴ）、ポリベ
ンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベンゾビスオキサゾ
ール（ＰＢＢＯ）、各種ポリイミド（ＰＩ）、各種ポリ
アミド（ＰＡ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾール
（ＰＢＩ）、ポリフェニレンベンゾビスイミダゾール
（ＰＰＢＩ）、ポリチアゾール（ＰＴ）、ポリパラフェ
ニレンビニレン（ＰＰＶ）からなる群の中から選択した
少なくとも１つの高分子材料を熱処理して得られる高熱
導電性グラファイトの粉末、粉砕片、裁断片を熱硬化性
樹脂、例えばエポキシ樹脂に３〜４０重量［％］、好ま
しくは８〜３０重量［％］添加することによって、その
グラファイト材の高配向性と高熱伝導性を利用して、半
導体装置に利用することにより、半導体装置の半導体素
子より発せられる熱を効率よく半導体装置外に放熱させ
ることができるものである。
【００３６】また本発明は、単に放熱性向上のために、
熱伝導性の高いダイボンド材を用いたものではなく、ダ
イボンド材において、その材料の配向性を考慮し、横方
向に熱導電性の優れたグラファイトを添加することによ
ってダイボンド材を構成しているので、半導体装置にお
いては、半導体素子より発せられた熱をリードフレーム
のダイパッド部に伝え、効率よく放熱させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態の半導体装置を示す断面図
【図２】本発明の一実施形態の半導体素子用ダイボンド
材におけるグラファイトの添加量と熱伝導率との関係を
示した図
【図３】本発明の一実施形態の半導体素子用ダイボンド
材を示す断面図
【図４】従来の半導体装置を示す断面図
【図５】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図６】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【図７】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図
【符号の説明】
１ リードフレーム ２ ダイパッド部 ３ 半導体素子 ４ ダイボンド材 ５ インナーリード部 ６ 金属細線 ７ 封止樹脂 ８ ダイボンド材 ９ グラファイトフィルム １０ 導電ペースト １１ 粘着フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０８Ｋ 3/28 ＫＡＧ Ｃ０８Ｋ 3/34 ＫＡＨ 3/34 ＫＡＨ Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＫＵ // Ｃ０８Ｌ 63/00 ＮＫＵ Ｃ０４Ｂ 35/54 Ａ (72)発明者 岡田 彌 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 澤田 良治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高分子材料を熱処理して得られる高熱導
    電性のグラファイト材を熱硬化性樹脂に添加したことを
    特徴とする半導体素子用ダイボンド材。
  2. 【請求項２】 高分子化合物として、各種ポリオキサジ
    アゾール（ＰＯＤ）、ポリベンゾチアゾール（ＰＢ
    Ｔ）、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢＢＴ）、ポリベ
    ンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベンゾビスオキサゾ
    ール（ＰＢＢＯ）、各種ポリイミド（ＰＩ）、各種ポリ
    アミド（ＰＡ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾール
    （ＰＢＩ）、ポリフェニレンベンゾビスイミダゾール
    （ＰＰＢＩ）、ポリチアゾール（ＰＴ）、ポリパラフェ
    ニレンビニレン（ＰＰＶ）からなる群の中から選択した
    少なくとも１つの高分子材料を熱処理して得られる高熱
    導電性のグラファイト材を熱硬化性樹脂に添加したこと
    を特徴とする半導体素子用ダイボンド材。
  3. 【請求項３】 高分子化合物として、各種ポリオキサジ
    アゾール（ＰＯＤ）、ポリベンゾチアゾール（ＰＢ
    Ｔ）、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢＢＴ）、ポリベ
    ンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベンゾビスオキサゾ
    ール（ＰＢＢＯ）、各種ポリイミド（ＰＩ）、各種ポリ
    アミド（ＰＡ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾール
    （ＰＢＩ）、ポリフェニレンベンゾビスイミダゾール
    （ＰＰＢＩ）、ポリチアゾール（ＰＴ）、ポリパラフェ
    ニレンビニレン（ＰＰＶ）からなる群の中から選択した
    少なくとも１つの高分子材料を熱処理して得られる高熱
    導電性のグラファイト材を熱硬化性樹脂に対して、重量
    百分率で３〜４０重量［％］添加したことを特徴とする
    半導体素子用ダイボンド材。
  4. 【請求項４】 熱硬化性樹脂はエポキシ樹脂であること
    を特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半
    導体素子用ダイボンド材。
  5. 【請求項５】 グラファイト材の添加量よりも少ない量
    で、金、銀、銅、白金、パラジウムのうちの１つの導電
    性材料をグラファイト材に添加したことを特徴とする請
    求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体素子用ダイ
    ボンド材。
  6. 【請求項６】 グラファイト材の添加量よりも少ない量
    で、二酸化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化ア
    ルミニウム、酸化ジルコニウムのうちの１つの高熱伝導
    性材料であって絶縁性材料をグラファイト材に添加した
    ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載
    の半導体素子用ダイボンド材。
  7. 【請求項７】 高分子化合物として、各種ポリオキサジ
    アゾール（ＰＯＤ）、ポリベンゾチアゾール（ＰＢ
    Ｔ）、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢＢＴ）、ポリベ
    ンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベンゾビスオキサゾ
    ール（ＰＢＢＯ）、各種ポリイミド（ＰＩ）、各種ポリ
    アミド（ＰＡ）、ポリフェニレンベンゾイミダゾール
    （ＰＢＩ）、ポリフェニレンベンゾビスイミダゾール
    （ＰＰＢＩ）、ポリチアゾール（ＰＴ）、ポリパラフェ
    ニレンビニレン（ＰＰＶ）からなる群の中から選択した
    少なくとも１つの高分子材料を熱処理して得られる高熱
    導電性のグラファイト材をフィルム状にし、前記フィル
    ム状のグラファイト材の一表面に導電ペーストを形成し
    たことを特徴とする半導体素子用ダイボンド材。
  8. 【請求項８】 リードフレーム内のダイパッド部に半導
    体素子がダイボンド材により接合されてなる半導体装置
    であって、前記ダイボンド材は、高分子化合物として、
    各種ポリオキサジアゾール（ＰＯＤ）、ポリベンゾチア
    ゾール（ＰＢＴ）、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢＢ
    Ｔ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベンゾ
    ビスオキサゾール（ＰＢＢＯ）、各種ポリイミド（Ｐ
    Ｉ）、各種ポリアミド（ＰＡ）、ポリフェニレンベンゾ
    イミダゾール（ＰＢＩ）、ポリフェニレンベンゾビスイ
    ミダゾール（ＰＰＢＩ）、ポリチアゾール（ＰＴ）、ポ
    リパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）からなる群の中か
    ら選択した少なくとも１つの高分子材料を熱処理して得
    られる高熱導電性のグラファイト材を熱硬化性樹脂に添
    加したダイボンド材であることを特徴とする半導体装
    置。
  9. 【請求項９】 リードフレーム内のダイパッド部に半導
    体素子がダイボンド材により接合されてなる半導体装置
    であって、前記ダイボンド材は、高分子化合物として、
    各種ポリオキサジアゾール（ＰＯＤ）、ポリベンゾチア
    ゾール（ＰＢＴ）、ポリベンゾビスチアゾール（ＰＢＢ
    Ｔ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）、ポリベンゾ
    ビスオキサゾール（ＰＢＢＯ）、各種ポリイミド（Ｐ
    Ｉ）、各種ポリアミド（ＰＡ）、ポリフェニレンベンゾ
    イミダゾール（ＰＢＩ）、ポリフェニレンベンゾビスイ
    ミダゾール（ＰＰＢＩ）、ポリチアゾール（ＰＴ）、ポ
    リパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）からなる群の中か
    ら選択した少なくとも１つの高分子材料を熱処理して得
    られる高熱導電性のグラファイト材をフィルム状にし、
    前記フィルム状のグラファイト材の一表面に導電ペース
    トを形成し、前記半導体素子とダイパッドとを接合した
    ダイボンド材であることを特徴とする半導体装置。
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