JPH09320893A - 厚膜コンデンサと厚膜抵抗器との複合素子の製造方法 - Google Patents
厚膜コンデンサと厚膜抵抗器との複合素子の製造方法Info
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- JPH09320893A JPH09320893A JP8138134A JP13813496A JPH09320893A JP H09320893 A JPH09320893 A JP H09320893A JP 8138134 A JP8138134 A JP 8138134A JP 13813496 A JP13813496 A JP 13813496A JP H09320893 A JPH09320893 A JP H09320893A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一つの絶縁基板１に、厚膜コンデンサ８と、
厚膜抵抗器１０を設けた複合素子を、前記厚膜抵抗器１
０の抵抗値をトリミング調整することに使用するプロー
ブ接触用電極膜４ｃと他方の接続用電極膜３との間に電
気的なショートが発生しない形態にして製造する。 【手段】 前記厚膜コンデンサ８及び厚膜抵抗器１０を
覆う二次保護ガラス１１を形成する前において、前記の
トリミング調整を行ない、その後において、前記二次保
護ガラス１１を、厚膜コンデンサ８及び厚膜抵抗器１０
に加えて前記プローブ接触用電極膜４ｃを覆うように形
成したのち、全体に合成樹脂保護コート１２を形成す
る。
厚膜抵抗器１０を設けた複合素子を、前記厚膜抵抗器１
０の抵抗値をトリミング調整することに使用するプロー
ブ接触用電極膜４ｃと他方の接続用電極膜３との間に電
気的なショートが発生しない形態にして製造する。 【手段】 前記厚膜コンデンサ８及び厚膜抵抗器１０を
覆う二次保護ガラス１１を形成する前において、前記の
トリミング調整を行ない、その後において、前記二次保
護ガラス１１を、厚膜コンデンサ８及び厚膜抵抗器１０
に加えて前記プローブ接触用電極膜４ｃを覆うように形
成したのち、全体に合成樹脂保護コート１２を形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一つのチップ型絶
縁基板に、厚膜コンデンサと厚膜抵抗器とを形成して成
る複合素子の構造、及びその製造方法に関するものであ
る。
縁基板に、厚膜コンデンサと厚膜抵抗器とを形成して成
る複合素子の構造、及びその製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の複合素子は、図１１及
び図１２に示すように、セラミック等にてチップ型に形
成した絶縁基板１′の上面に、その左右両側に接続用の
電極膜２′，３′を形成すると共に、この両接続用電極
膜２′，３′の間にコンデンサ用下層電極膜４ａ′と抵
抗器用電極膜４ｂ′とをこれが一体的に繋がるように形
成し、このコンデンサ用下層電極膜４ａ′の部位に誘電
体膜５′をコンデンサ用下層電極膜４ａ′を覆うように
形成し、この誘電体膜５′の上面に、コンデンサ用上層
電極膜６′を、当該上層電極膜６′の一端が前記一方の
接続用電極膜２′に電気的に導通するように形成したの
ち、これらの全体を一次保護ガラス７′にて覆うことに
より、厚膜コンデンサ８′を構成する一方、前記抵抗器
用電極膜４ｂ′と他方の接続用電極膜３′との間に抵抗
膜９′を形成することにより、厚膜抵抗器１０′を構成
し、更に、前記厚膜コンデンサ８′及び厚膜抵抗器１
０′の全体を、二次保護ガラス１１′にて覆うことに加
えて、合成樹脂による保護コート１２′にて覆い、更
に、前記絶縁基板１′の左右両端面に、側面電極膜１
３′，１４′を形成すると言う構成にしている。
び図１２に示すように、セラミック等にてチップ型に形
成した絶縁基板１′の上面に、その左右両側に接続用の
電極膜２′，３′を形成すると共に、この両接続用電極
膜２′，３′の間にコンデンサ用下層電極膜４ａ′と抵
抗器用電極膜４ｂ′とをこれが一体的に繋がるように形
成し、このコンデンサ用下層電極膜４ａ′の部位に誘電
体膜５′をコンデンサ用下層電極膜４ａ′を覆うように
形成し、この誘電体膜５′の上面に、コンデンサ用上層
電極膜６′を、当該上層電極膜６′の一端が前記一方の
接続用電極膜２′に電気的に導通するように形成したの
ち、これらの全体を一次保護ガラス７′にて覆うことに
より、厚膜コンデンサ８′を構成する一方、前記抵抗器
用電極膜４ｂ′と他方の接続用電極膜３′との間に抵抗
膜９′を形成することにより、厚膜抵抗器１０′を構成
し、更に、前記厚膜コンデンサ８′及び厚膜抵抗器１
０′の全体を、二次保護ガラス１１′にて覆うことに加
えて、合成樹脂による保護コート１２′にて覆い、更
に、前記絶縁基板１′の左右両端面に、側面電極膜１
３′，１４′を形成すると言う構成にしている。
【０００３】また、従来は、前記した複合素子の製造に
際しては、以下に述べるように、 ．前記絶縁基板１′の上面に、先づ、図１３に示すよ
うに、左右一対の接続用電極膜２′，３′と、一体的に
繋がるコンデンサ用下層電極膜４ａ′と抵抗器用電極膜
４ｂ′とを、この抵抗器用電極膜４ｂ′にプロープ接触
用電極膜４ｃ′を一体的に設けて形成したのち、前記コ
ンデンサ用下層電極膜４ａ′の箇所に誘電体膜５′を形
成する。 ．図１４に示すように、コンデンサ用上層電極膜６′
と、これを覆う一次保護ガラス７′とを形成したのち、
抵抗膜９′を形成する。 ．図１５に示すように、二次保護ガラス１１′を、前
記プロープ接触用電極膜４ｃ′を除き、前記一次保護ガ
ラス７′及び抵抗膜９′を覆うように形成したのち、前
記他方の接続用電極膜３′と前記プロープ接触用電極膜
４ｃ′とに通電用のプローブＡ，Ｂを接触して、抵抗膜
９′に通電しながら当該抵抗膜９′にトリミング溝９
ａ′を刻設することにより、抵抗膜９′の抵抗値が所定
の値になるようにトリミング調整する。 ．そして、図１６に示すように、絶縁基板１′の上面
の略全体に合成樹脂による保護コート１２′したのち、
絶縁基板１′の左右両端面に側面電極膜１３′，１４′
を形成する。 と言う方法を採用している。
際しては、以下に述べるように、 ．前記絶縁基板１′の上面に、先づ、図１３に示すよ
うに、左右一対の接続用電極膜２′，３′と、一体的に
繋がるコンデンサ用下層電極膜４ａ′と抵抗器用電極膜
４ｂ′とを、この抵抗器用電極膜４ｂ′にプロープ接触
用電極膜４ｃ′を一体的に設けて形成したのち、前記コ
ンデンサ用下層電極膜４ａ′の箇所に誘電体膜５′を形
成する。 ．図１４に示すように、コンデンサ用上層電極膜６′
と、これを覆う一次保護ガラス７′とを形成したのち、
抵抗膜９′を形成する。 ．図１５に示すように、二次保護ガラス１１′を、前
記プロープ接触用電極膜４ｃ′を除き、前記一次保護ガ
ラス７′及び抵抗膜９′を覆うように形成したのち、前
記他方の接続用電極膜３′と前記プロープ接触用電極膜
４ｃ′とに通電用のプローブＡ，Ｂを接触して、抵抗膜
９′に通電しながら当該抵抗膜９′にトリミング溝９
ａ′を刻設することにより、抵抗膜９′の抵抗値が所定
の値になるようにトリミング調整する。 ．そして、図１６に示すように、絶縁基板１′の上面
の略全体に合成樹脂による保護コート１２′したのち、
絶縁基板１′の左右両端面に側面電極膜１３′，１４′
を形成する。 と言う方法を採用している。
【０００４】つまり、従来の複合素子においては、二次
保護ガラス１１′を、前記プロープ接触用電極膜４ｃ′
を除き、前記一次保護ガラス７′及び抵抗膜９′のみを
覆うように形成することにして、この状態で、前記プロ
ープ接触用電極膜４ｃ′と他方の接続用電極膜３′と
に、通電用プローブＡ，Ｂを接触して、抵抗膜９′にお
ける抵抗値を所定の値にするようにトリミング調整した
のち、これらの全体を、合成樹脂による保護コート１
２′にて覆うように構成している。
保護ガラス１１′を、前記プロープ接触用電極膜４ｃ′
を除き、前記一次保護ガラス７′及び抵抗膜９′のみを
覆うように形成することにして、この状態で、前記プロ
ープ接触用電極膜４ｃ′と他方の接続用電極膜３′と
に、通電用プローブＡ，Ｂを接触して、抵抗膜９′にお
ける抵抗値を所定の値にするようにトリミング調整した
のち、これらの全体を、合成樹脂による保護コート１
２′にて覆うように構成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】つまり、従来は、全体
を合成樹脂の保護コート１２′にて覆うようにしたもの
であるから、保護コート１２′をガラスにした場合より
も軽量化できると共に、低コストを図ることができ、且
つ、複合素子に対する衝撃を、前記合成樹脂の保護コー
ト１２′にて緩衝できる等に利点を有する。
を合成樹脂の保護コート１２′にて覆うようにしたもの
であるから、保護コート１２′をガラスにした場合より
も軽量化できると共に、低コストを図ることができ、且
つ、複合素子に対する衝撃を、前記合成樹脂の保護コー
ト１２′にて緩衝できる等に利点を有する。
【０００６】しかし、その反面、抵抗用電極膜４ｂ′に
プロープ接触用電極膜４ｃ′を一体的に設けて、このプ
ロープ接触用電極膜４ｃ′を覆わないように二次保護ガ
ラス１１′を形成し、この状態で抵抗膜９′における抵
抗値をトリミング調整したのち、全体を合成樹脂の保護
コート１２′にて覆うようにしたものであって、前記抵
抗膜９′の抵抗値をトリミング調整するために設けられ
るプロープ接触用電極膜４ｃ′は、前記合成樹脂の保護
コート１２′のみで覆うと言う構成になっているから、
この合成樹脂の保護コート１２′が、プリント基板等へ
の半田付け実装等に際して高い温度（約３５０℃）にさ
らされて劣化等することにより、この保護コート１２′
の内側に湿分が侵入したときに、前記プロープ接触用電
極膜４ｃ′と、他方の接続用電極膜３′との間が電気的
に短絡（ショート）することが多発すると言う問題を招
来するのであった。
プロープ接触用電極膜４ｃ′を一体的に設けて、このプ
ロープ接触用電極膜４ｃ′を覆わないように二次保護ガ
ラス１１′を形成し、この状態で抵抗膜９′における抵
抗値をトリミング調整したのち、全体を合成樹脂の保護
コート１２′にて覆うようにしたものであって、前記抵
抗膜９′の抵抗値をトリミング調整するために設けられ
るプロープ接触用電極膜４ｃ′は、前記合成樹脂の保護
コート１２′のみで覆うと言う構成になっているから、
この合成樹脂の保護コート１２′が、プリント基板等へ
の半田付け実装等に際して高い温度（約３５０℃）にさ
らされて劣化等することにより、この保護コート１２′
の内側に湿分が侵入したときに、前記プロープ接触用電
極膜４ｃ′と、他方の接続用電極膜３′との間が電気的
に短絡（ショート）することが多発すると言う問題を招
来するのであった。
【０００７】本発明は、このような問題を招来すること
がないようにした製造方法を提供することを技術的課題
とするものである。
がないようにした製造方法を提供することを技術的課題
とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「チップ型絶縁基板の上面に左右一対
の接続用電極膜を形成する工程、この両接続用電極膜の
間にコンデンサ用下層電極膜と抵抗用電極膜とを一体的
に繋がるようにして形成すると共に抵抗用電極膜に一体
的に繋がるプローブ接触用電極膜を形成する工程、前記
コンデンサ用下層電極膜を覆う誘電体膜を形成する工
程、この誘電体膜の上面にコンデンサ用上層電極膜を前
記一方の接続用電極膜に導通するように形成する工程、
前記コンデンサ用上層電極膜を覆う一次保護ガラスを形
成する工程、及び、前記抵抗用電極膜と他方の接続用電
極膜との間に抵抗膜を形成する工程を備え、更に、前記
抵抗膜に対してトリミング調整を施したのち、二次保護
ガラスをこの抵抗膜、前記プローブ接触用電極膜及び前
記一次保護ガラスを覆うように形成する工程を経て、こ
れらの全体を覆う合成樹脂の保護コートを形成すること
を特徴とする。」ものである。
るため本発明は、「チップ型絶縁基板の上面に左右一対
の接続用電極膜を形成する工程、この両接続用電極膜の
間にコンデンサ用下層電極膜と抵抗用電極膜とを一体的
に繋がるようにして形成すると共に抵抗用電極膜に一体
的に繋がるプローブ接触用電極膜を形成する工程、前記
コンデンサ用下層電極膜を覆う誘電体膜を形成する工
程、この誘電体膜の上面にコンデンサ用上層電極膜を前
記一方の接続用電極膜に導通するように形成する工程、
前記コンデンサ用上層電極膜を覆う一次保護ガラスを形
成する工程、及び、前記抵抗用電極膜と他方の接続用電
極膜との間に抵抗膜を形成する工程を備え、更に、前記
抵抗膜に対してトリミング調整を施したのち、二次保護
ガラスをこの抵抗膜、前記プローブ接触用電極膜及び前
記一次保護ガラスを覆うように形成する工程を経て、こ
れらの全体を覆う合成樹脂の保護コートを形成すること
を特徴とする。」ものである。
【０００９】
【発明の作用・効果】本発明は、従来のように、二次保
護ガラスを形成した後において抵抗膜のトリミング調整
を行うことに代えて、二次保護ガラスを形成する前にお
いて、プローブ接触用電極膜及び他方の接続用電極膜の
各々に通電用プローブを接触することによって抵抗膜の
トリミング調整を行ったのち、二次保護ガラスを、前記
抵抗膜、前記プローブ接触用電極膜及び前記一次保護ガ
ラスを覆うように形成し、最後に、全体に対して合成樹
脂の保護コートを形成するものであって、前記抵抗膜の
トリミング調整を行うためのプローブ接触用電極膜を、
二次保護ガラス及び合成樹脂の保護コートとで二重に覆
うことができるから、前記合成樹脂の保護コートが、プ
リント基板等への半田付けに際しての熱等で劣化したと
しても、前記プローブ接触用電極膜の箇所に湿分が侵入
することを前記二次保護ガラスによって確実に阻止する
ことができるのである。
護ガラスを形成した後において抵抗膜のトリミング調整
を行うことに代えて、二次保護ガラスを形成する前にお
いて、プローブ接触用電極膜及び他方の接続用電極膜の
各々に通電用プローブを接触することによって抵抗膜の
トリミング調整を行ったのち、二次保護ガラスを、前記
抵抗膜、前記プローブ接触用電極膜及び前記一次保護ガ
ラスを覆うように形成し、最後に、全体に対して合成樹
脂の保護コートを形成するものであって、前記抵抗膜の
トリミング調整を行うためのプローブ接触用電極膜を、
二次保護ガラス及び合成樹脂の保護コートとで二重に覆
うことができるから、前記合成樹脂の保護コートが、プ
リント基板等への半田付けに際しての熱等で劣化したと
しても、前記プローブ接触用電極膜の箇所に湿分が侵入
することを前記二次保護ガラスによって確実に阻止する
ことができるのである。
【００１０】しかも、本発明は、二次保護ガラスを形成
する工程と、抵抗膜のトリミング調整との順序を入れ換
えるだけであるから、コストのアップを招来することは
ないのである。従って、本発明によると、厚膜コンデン
サと厚膜抵抗器とから成る複合素子を、抵抗器に電気の
短絡（ショート）が発生することがない形態にして、安
価に製造できる効果を有する。
する工程と、抵抗膜のトリミング調整との順序を入れ換
えるだけであるから、コストのアップを招来することは
ないのである。従って、本発明によると、厚膜コンデン
サと厚膜抵抗器とから成る複合素子を、抵抗器に電気の
短絡（ショート）が発生することがない形態にして、安
価に製造できる効果を有する。
【００１１】特に、「請求項２」に記載したように、二
次保護ガラスの材料として、低温焼成型のガラスを使用
することにより、この二次保護ガラスをガラスペートの
塗着・焼成にて形成するときにおいて、低い温度で焼成
することができるから、トリミング調整した後における
抵抗値、及び厚膜コンデンサの容量値が、二次保護ガラ
スの形成によって変化することを確実に回避できる利点
を有する。
次保護ガラスの材料として、低温焼成型のガラスを使用
することにより、この二次保護ガラスをガラスペートの
塗着・焼成にて形成するときにおいて、低い温度で焼成
することができるから、トリミング調整した後における
抵抗値、及び厚膜コンデンサの容量値が、二次保護ガラ
スの形成によって変化することを確実に回避できる利点
を有する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
１〜図１０の図面について説明する。本発明による複合
素子は、以下に述べる順序で製造される。 ．先づ、図３に示すように、セラミック等にてチップ
型に構成した絶縁基板１の上面に、左右一対の接続用電
極膜２，３と、一体的に繋がるコンデンサ用下層電極膜
４ａと抵抗器用電極膜４ｂとを、この抵抗器用電極膜４
ｂにプロープ接触用電極膜４ｃを一体的に設けて形成す
る。 ．図４に示すように、前記コンデンサ用下層電極膜４
ａの箇所に誘電体膜５を、当該誘電体膜５にて、コンデ
ンサ用下層電極膜４ａを覆うように形成する。．図５
に示すように、前記誘電体膜５の上面に、コンデンサ用
上層電極膜６を、当該コンデンサ用上層電極膜６が、前
記一方の接続用電極膜２に電気的に導通するように形成
する。 ．図６に示すように、前記誘電体膜５の上面に、一次
保護ガラス７を、高温焼成型のガラスペーストの塗着及
び焼成にて、前記コンデンサ用上層電極膜６を覆うよう
に形成して、厚膜コンデンサ８を構成する。 ．図７に示すように、前記抵抗器用電極膜４ｂと前記
他方の接続用電極膜３との間に、抵抗膜９を形成するこ
とにより、厚膜抵抗器１０を構成する。 ．次いで、図８に示すように、前記他方の接続用電極
膜３と前記プロープ接触用電極膜４ｃとに通電用のプロ
ーブＡ，Ｂを接触して、抵抗膜９に通電しながら当該抵
抗膜９にトリミング溝９ａを刻設することにより、抵抗
膜９の抵抗値が所定の値になるようにトリミング調整す
る。 ．図９に示すように、二次保護ガラス１１を、約５０
０前後で焼成される低温焼成型ガラスペーストの塗着及
び焼焼にて、前記一次保護ガラス７及び抵抗膜９並びに
前記プロープ接触用電極膜４ｃを覆うように形成する。 ．図１０に示すように、合成樹脂の保護コート１２
を、絶縁基板１の全体にわたって前記二次保護ガラス１
１を覆うように形成する。 ．そして、図１及び図２に示すように、前記絶縁基板
１の左右両端面の各々に、側面電極膜１３，１４を形成
することにより、完成品にするのである。
１〜図１０の図面について説明する。本発明による複合
素子は、以下に述べる順序で製造される。 ．先づ、図３に示すように、セラミック等にてチップ
型に構成した絶縁基板１の上面に、左右一対の接続用電
極膜２，３と、一体的に繋がるコンデンサ用下層電極膜
４ａと抵抗器用電極膜４ｂとを、この抵抗器用電極膜４
ｂにプロープ接触用電極膜４ｃを一体的に設けて形成す
る。 ．図４に示すように、前記コンデンサ用下層電極膜４
ａの箇所に誘電体膜５を、当該誘電体膜５にて、コンデ
ンサ用下層電極膜４ａを覆うように形成する。．図５
に示すように、前記誘電体膜５の上面に、コンデンサ用
上層電極膜６を、当該コンデンサ用上層電極膜６が、前
記一方の接続用電極膜２に電気的に導通するように形成
する。 ．図６に示すように、前記誘電体膜５の上面に、一次
保護ガラス７を、高温焼成型のガラスペーストの塗着及
び焼成にて、前記コンデンサ用上層電極膜６を覆うよう
に形成して、厚膜コンデンサ８を構成する。 ．図７に示すように、前記抵抗器用電極膜４ｂと前記
他方の接続用電極膜３との間に、抵抗膜９を形成するこ
とにより、厚膜抵抗器１０を構成する。 ．次いで、図８に示すように、前記他方の接続用電極
膜３と前記プロープ接触用電極膜４ｃとに通電用のプロ
ーブＡ，Ｂを接触して、抵抗膜９に通電しながら当該抵
抗膜９にトリミング溝９ａを刻設することにより、抵抗
膜９の抵抗値が所定の値になるようにトリミング調整す
る。 ．図９に示すように、二次保護ガラス１１を、約５０
０前後で焼成される低温焼成型ガラスペーストの塗着及
び焼焼にて、前記一次保護ガラス７及び抵抗膜９並びに
前記プロープ接触用電極膜４ｃを覆うように形成する。 ．図１０に示すように、合成樹脂の保護コート１２
を、絶縁基板１の全体にわたって前記二次保護ガラス１
１を覆うように形成する。 ．そして、図１及び図２に示すように、前記絶縁基板
１の左右両端面の各々に、側面電極膜１３，１４を形成
することにより、完成品にするのである。
【００１３】ここに製造された複合素子においては、図
１及び図３に示すように、その抵抗膜９におけるトリミ
ング調整に際して使用されるプロープ接触用電極膜４ｃ
が、二次保護ガラス１１及び合成樹脂の保護コート１２
とで二重に覆われていることにより、前記合成樹脂の保
護コート１２が、複合素子のプリント基板への半田付け
に際しての熱等で劣化したとしても、前記プローブ接触
用電極膜４ｃの箇所に湿分が侵入することを前記二次保
護ガラス１１によって確実に阻止することができるので
ある。
１及び図３に示すように、その抵抗膜９におけるトリミ
ング調整に際して使用されるプロープ接触用電極膜４ｃ
が、二次保護ガラス１１及び合成樹脂の保護コート１２
とで二重に覆われていることにより、前記合成樹脂の保
護コート１２が、複合素子のプリント基板への半田付け
に際しての熱等で劣化したとしても、前記プローブ接触
用電極膜４ｃの箇所に湿分が侵入することを前記二次保
護ガラス１１によって確実に阻止することができるので
ある。
【００１４】また、前記二次保護ガラス１１の材料とし
て、低温焼成型のガラスを使用することにより、この二
次保護ガラス１１をガラスペートの塗着・焼成にて形成
するときにおいて、低い温度で焼成することができるか
ら、トリミング調整した後における抵抗値、及び厚膜コ
ンデンサの容量値が、二次保護ガラス１１の形成によっ
て変化することを確実に回避できるのである。
て、低温焼成型のガラスを使用することにより、この二
次保護ガラス１１をガラスペートの塗着・焼成にて形成
するときにおいて、低い温度で焼成することができるか
ら、トリミング調整した後における抵抗値、及び厚膜コ
ンデンサの容量値が、二次保護ガラス１１の形成によっ
て変化することを確実に回避できるのである。
【図１】本発明による複合素子の平面図である。
【図２】本発明による複合素子の縦断正面図である。
【図３】本は爪の方法において、絶縁基板に接続用電極
膜とコンデンサ用下層電極膜及び抵抗器用電極膜とを形
成した平面図である。
膜とコンデンサ用下層電極膜及び抵抗器用電極膜とを形
成した平面図である。
【図４】前記コンデンサ用下層電極膜に誘電体膜を形成
した平面図である。
した平面図である。
【図５】前記誘電体膜にコンデンサ用上層電極膜を形成
した平面図である。
した平面図である。
【図６】前記コンデンサ用上層電極膜に一次保護ガラス
を形成した平面図である。
を形成した平面図である。
【図７】前記絶縁基板に抵抗膜を形成した平面図であ
る。
る。
【図８】前記抵抗膜のトリミング調整を行っている状態
の平面図である。
の平面図である。
【図９】前記絶縁基板に二次保護ガラスを形成した平面
図である。
図である。
【図１０】前記絶縁基板の全体に保護コートを形成した
平面図である。
平面図である。
【図１１】従来の複合素子の平面図である。
【図１２】従来の複合素子の縦断正面図である。
【図１３】従来の方法において、絶縁基板に接続用電極
膜とコンデンサ用下層電極膜及び抵抗器用電極膜と誘電
体膜とを形成した平面図である。
膜とコンデンサ用下層電極膜及び抵抗器用電極膜と誘電
体膜とを形成した平面図である。
【図１４】コンデンサ用上層電極膜と二次保護ガラスと
抵抗膜とを形成した平面図である。
抵抗膜とを形成した平面図である。
【図１５】二次保護ガラスを形成した平面図である。
【図１６】合成樹脂の保護コートを形成した平面図であ
る。
る。
１ 絶縁基板 ２，３ 接続用電極膜 ４ａ コンデンサ用下層電極膜 ４ｂ 抵抗器用電極膜 ４ｃ プローブ接触用電極膜 ５ 誘電体膜 ６ コンデンサ用上層電極膜 ７ 一次保護ガラス ８ 厚膜コンデンサ ９ 抵抗膜 １０ 厚膜抵抗器 １１ 二次保護ガラス １２ 保護コート １３，１４ 側面電極膜
Claims (2)
- 【請求項１】チップ型絶縁基板の上面に左右一対の接続
用電極膜を形成する工程、この両接続用電極膜の間にコ
ンデンサ用下層電極膜と抵抗用電極膜とを一体的に繋が
るようにして形成すると共に抵抗用電極膜に一体的に繋
がるプローブ接触用電極膜を形成する工程、前記コンデ
ンサ用下層電極膜を覆う誘電体膜を形成する工程、この
誘電体膜の上面にコンデンサ用上層電極膜を前記一方の
接続用電極膜に導通するように形成する工程、前記コン
デンサ用上層電極膜を覆う一次保護ガラスを形成する工
程、及び、前記抵抗用電極膜と他方の接続用電極膜との
間に抵抗膜を形成する工程を備え、更に、前記抵抗膜に
対してトリミング調整を施したのち、二次保護ガラスを
この抵抗膜、前記プローブ接触用電極膜及び前記一次保
護ガラスを覆うように形成する工程を経て、これらの全
体を覆う合成樹脂の保護コートを形成することを特徴と
する厚膜コンデンサと厚膜抵抗器との複合素子の製造方
法。 - 【請求項２】前記「請求項１」において、前記二次保護
ガラスの材料として、低温焼成型のガラスを使用するこ
とを特徴とする厚膜コンデンサと厚膜抵抗器との複合素
子の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8138134A JPH09320893A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 厚膜コンデンサと厚膜抵抗器との複合素子の製造方法 |
| US08/864,969 US5898563A (en) | 1996-05-31 | 1997-05-29 | Chip composite electronic component with improved moisture resistance and method of manufacturing the same |
| TW086107573A TW463192B (en) | 1996-05-31 | 1997-05-30 | Chip composite electronic component and method of manufacturing the same |
| KR1019970022221A KR100477831B1 (ko) | 1996-05-31 | 1997-05-30 | 칩형복합전자소자및그의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8138134A JPH09320893A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 厚膜コンデンサと厚膜抵抗器との複合素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320893A true JPH09320893A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15214790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8138134A Pending JPH09320893A (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 厚膜コンデンサと厚膜抵抗器との複合素子の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5898563A (ja) |
| JP (1) | JPH09320893A (ja) |
| KR (1) | KR100477831B1 (ja) |
| TW (1) | TW463192B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10261547A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-09-29 | Rohm Co Ltd | 面実装型複合素子の構造及びその製造方法 |
| JPH1126204A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗器およびその製造方法 |
| JP4078042B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2008-04-23 | ローム株式会社 | 複数の素子を有するチップ型電子部品の製造方法 |
| JP6723938B2 (ja) * | 2017-01-31 | 2020-07-15 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、表示制御方法、及びプログラム |
-
1996
- 1996-05-31 JP JP8138134A patent/JPH09320893A/ja active Pending
-
1997
- 1997-05-29 US US08/864,969 patent/US5898563A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-30 KR KR1019970022221A patent/KR100477831B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-05-30 TW TW086107573A patent/TW463192B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970076927A (ko) | 1997-12-12 |
| KR100477831B1 (ko) | 2005-06-16 |
| US5898563A (en) | 1999-04-27 |
| TW463192B (en) | 2001-11-11 |
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