JPH09318650A - Sensor device and its manufacture - Google Patents
Sensor device and its manufactureInfo
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- JPH09318650A JPH09318650A JP8131960A JP13196096A JPH09318650A JP H09318650 A JPH09318650 A JP H09318650A JP 8131960 A JP8131960 A JP 8131960A JP 13196096 A JP13196096 A JP 13196096A JP H09318650 A JPH09318650 A JP H09318650A
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- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
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- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、加速度センサや圧
力センサ等のセンサ装置及びその製造方法、あるいは、
プリント回路基板及びその製造方法に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a sensor device such as an acceleration sensor and a pressure sensor and a manufacturing method thereof, or
The present invention relates to a printed circuit board and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のこの種のものは特開平７−９２１
８５号公報に圧電型加速度センサが開示されている。図
２７は、従来例の製造工程における端子片、支持体及び
保持体を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ線側面断面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ
−Ｂ線正面断面図である。2. Description of the Related Art A conventional device of this kind is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 7-921.
No. 85 discloses a piezoelectric acceleration sensor. 27A and 27B are views showing a terminal piece, a support body, and a holding body in a manufacturing process of a conventional example, FIG. 27A is a plan view, FIG. 27B is a side sectional view taken along the line AA of FIG. c) is B in FIG.
It is a front sectional view taken on the line -B.
【０００３】図２８は、従来例の製造工程における端子
片、支持体、保持体及び圧電素子を示す図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線側面断
面図、（ｃ）は同図（ａ）のＢ−Ｂ線正面断面図であ
る。図２９は、従来例の製造工程における端子片、支持
体、圧電素子及びシールトケースを示す図であり、
（ａ）は一部破断した平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）
は同図（ａ）のＡ−Ａ線正面断面図である。図３０は、
従来例の圧電型加速度センサを示す図であり、（ａ）は
平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図である。FIG. 28 is a diagram showing a terminal piece, a support, a holder and a piezoelectric element in a manufacturing process of a conventional example,
(A) is a plan view, (b) is a side sectional view taken along the line AA in FIG. (A), and (c) is a front sectional view taken along the line BB in FIG. FIG. 29 is a diagram showing a terminal piece, a support, a piezoelectric element, and a shield case in a manufacturing process of a conventional example,
(A) is a partially broken plan view, (b) is a side view, and (c).
FIG. 2 is a front sectional view taken along line AA of FIG. FIG.
It is a figure which shows the piezoelectric acceleration sensor of a prior art example, (a) is a top view, (b) is a side view, (c) is a front view.
【０００４】図２７乃至図３０に示されるように、圧電
素子１０２とその一端部を支持する支持体１０７と、端
子片１０１の電極１０３と、圧電素子１０２を内装する
シールドケース１０４を具備し、これらを樹脂モールド
してモールド部１０６を形成した圧電型加速度センサの
製造方法は、まず端子片１０１をプレスで打ち抜き、曲
げ加工して、これにメッキを施す。As shown in FIGS. 27 to 30, a piezoelectric element 102, a support 107 for supporting one end thereof, an electrode 103 of a terminal piece 101, and a shield case 104 for accommodating the piezoelectric element 102 are provided. In the method of manufacturing the piezoelectric acceleration sensor in which these are resin-molded to form the mold portion 106, first, the terminal piece 101 is punched by a press, bent, and plated.
【０００５】次いで、支持体１０７に形成された挿入部
１０８と、支持体１０７に対向して設けられた保持体１
０９に形成された溝部１１０とに圧電素子１０２の端部
を挿入して導電接着剤で電極１０３を接合し、さらに接
着剤で接合して接合強度を強くした後、保持体１０９を
切断する。[0005] Next, the insertion portion 108 formed on the support 107 and the holder 1 provided opposite to the support 107 are provided.
The end of the piezoelectric element 102 is inserted into the groove 110 formed in the step 09, the electrode 103 is joined with a conductive adhesive, and further joined with an adhesive to increase the joining strength.
【０００６】次いで、シールドケース１０４を挿入して
アース端子１０５と接合し、次いで、シールドケース１
０４の上に樹脂モールドしてモールド部１０６を形成
し、その後に、端子を切断して曲げるという製造方法が
採用されている。Next, the shield case 104 is inserted and joined to the ground terminal 105.
A manufacturing method is adopted in which a molded portion 106 is formed by resin molding on the substrate 04, and then the terminal is cut and bent.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来例におい
ては、端子片１０１、シールドケース１０４等が必要で
あり、部品点数が多くなっていた。これに加えて、製造
工程数も多いため、製造方法が複雑になり安価に製造で
きないという問題があった。また、シールドケース１０
４の上に樹脂モールドしてモールド部１０６を形成する
構成であるため、センサを薄型化、小型化することがで
きないという不都合があった。本発明はこの点に鑑みて
なされたものであり、部品点数を少なくしてセンサを薄
型化、小型化することができるセンサ装置及びその製造
方法を提供し、更には、センサを安価に製造できるセン
サ装置及びその製造方法を提供することを目的とするも
のである。However, in the conventional example, the terminal piece 101, the shield case 104, and the like are required, and the number of components has been increased. In addition to this, since the number of manufacturing steps is large, there has been a problem that the manufacturing method is complicated and manufacturing cannot be performed at low cost. Also, the shield case 10
4, the molded portion 106 is formed by resin molding, so that the sensor cannot be reduced in thickness and size. The present invention has been made in view of this point, and provides a sensor device and a method of manufacturing the same that can reduce the number of parts and reduce the thickness and size of the sensor. Further, the sensor can be manufactured at low cost. It is an object of the present invention to provide a sensor device and a manufacturing method thereof.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
センサ装置は、箱状の成形基台に開放された凹所を形成
し、前記凹所の内面を含む成形基台の表面に所定のパタ
ーンの導電膜を形成し、前記凹所にセンサ用素子を接合
し、成形基台を蓋で密閉してなることを特徴とするもの
である。According to a first aspect of the present invention, there is provided a sensor device, wherein a box-shaped molding base is provided with an open recess, and the surface of the molding base including the inner surface of the recess is formed. It is characterized in that a conductive film having a predetermined pattern is formed, a sensor element is joined to the recess, and the molding base is sealed with a lid.
【０００９】本発明の請求項２記載のセンサ装置は、請
求項１記載のセンサ装置において、センサ用素子が加速
度センサ用素子であることを特徴とするものである。A sensor device according to a second aspect of the present invention is the sensor device according to the first aspect, wherein the sensor element is an acceleration sensor element.
【００１０】本発明の請求項３記載のセンサ装置は、請
求項１又は請求項２記載のセンサ装置において、蓋の裏
面にめっきを施してなることを特徴とするものである。A sensor device according to a third aspect of the present invention is the sensor device according to the first or second aspect, characterized in that the back surface of the lid is plated.
【００１１】本発明の請求項４記載のセンサ装置は、請
求項１又は請求項２記載のセンサ装置において、蓋に中
空部を形成し、該中空部の内面にめっきを施してなるこ
とを特徴とするものである。A sensor device according to a fourth aspect of the present invention is the sensor device according to the first or second aspect, wherein a hollow portion is formed in the lid, and the inner surface of the hollow portion is plated. It is what
【００１２】本発明の請求項５記載のセンサ装置は、請
求項１又は請求項２記載のセンサ装置において、蓋を、
その内面にめっきを施した筒状体で形成し、成形基台と
蓋とを嵌合してなることを特徴とするものである。A sensor device according to a fifth aspect of the present invention is the sensor device according to the first or second aspect, wherein the lid is
It is characterized in that it is formed of a cylindrical body having an inner surface plated, and a molding base and a lid are fitted to each other.
【００１３】本発明の請求項６記載のセンサ装置は、請
求項１又は請求項２記載のセンサ装置において、成形基
台の上面端部に嵌合部を設け、蓋裏面の端部に前記嵌合
部に嵌合する接合部を設けたことを特徴とするものであ
る。A sensor device according to a sixth aspect of the present invention is the sensor device according to the first or second aspect, wherein a fitting portion is provided at an end portion of an upper surface of the molding base and the fitting portion is provided at an end portion of a back surface of the lid. It is characterized in that a joint portion that fits into the joint portion is provided.
【００１４】本発明の請求項７記載のセンサ装置は、請
求項１又は請求項２記載のセンサ装置において、成形基
台の上面端部又は蓋裏面の端部の少なくとも一方に位置
合わせ用の凸部を設けたことを特徴とするものである。A sensor device according to a seventh aspect of the present invention is the sensor device according to the first or second aspect, in which at least one of an upper end portion of the molding base and an end portion of the rear surface of the lid has a protrusion for alignment. It is characterized in that a section is provided.
【００１５】本発明の請求項８記載のセンサ装置は、請
求項１又は請求項２記載のセンサ装置において、成形基
台の凹所の周囲に溝を設けたことを特徴とするものであ
る。The sensor device according to claim 8 of the present invention is characterized in that, in the sensor device according to claim 1 or 2, a groove is provided around the recess of the molding base.
【００１６】本発明の請求項９記載のセンサ装置は、開
放された凹所を形成する箱状の成形基台を成形する成形
工程、前記凹所の内面を含む成形基台の表面に所定のパ
ターンのシールドと通電のための導電膜を形成する工
程、前記凹所にセンサ用素子を接合すると共に、前記導
電膜とセンサ用素子を接続する接合工程及び成形基台に
蓋を接合する工程からなることを特徴とするものであ
る。In the sensor device according to claim 9 of the present invention, a molding step of molding a box-shaped molding base forming an open recess, and a predetermined surface on the molding base including the inner surface of the recess. From the step of forming a shield for the pattern and the conductive film for conducting electricity, the step of joining the sensor element to the recess and the step of joining the conductive film and the sensor element, and the step of joining the lid to the molding base. It is characterized by becoming.
【００１７】本発明の請求項１０記載のセンサ装置は、
開放された凹所を形成する箱状の成形基台を成形すると
同時に、前記凹所にセンサ用素子を接合して同時成形す
る成形工程、前記凹所の内面を含む成形基台の表面に所
定のパターンのシールドと通電のための導電膜を形成す
る工程、前記導電膜とセンサ用素子を接続する接合工程
及び成形基台に蓋を接合する工程からなることを特徴と
するものである。The sensor device according to claim 10 of the present invention is
A molding step of molding a box-shaped molding base that forms an open recess and at the same time molding a sensor element by bonding the sensor element to the recess, and a predetermined process on the surface of the molding base including the inner surface of the recess. The method comprises the steps of forming a shield of the pattern and a conductive film for energization, a bonding step of connecting the conductive film and the sensor element, and a step of bonding a lid to the molding base.
【００１８】本発明の請求項１１記載のセンサ装置は、
転写フィルムに所定のパターンの導電膜を形成する工
程、開放された凹所を形成する箱状の成形基台を成形す
ると同時に、前記凹所にセンサ用素子を接合して同時成
形すると共に、前記凹所の内面を含む成形基台の表面に
に前記導電膜を転写する成形工程、前記導電膜とセンサ
用素子を接続する接合工程及び成形基台に蓋を接合する
工程からなることを特徴とするものである。The sensor device according to claim 11 of the present invention comprises:
A step of forming a conductive film having a predetermined pattern on the transfer film, at the same time as molding a box-shaped molding base forming an open recess, and simultaneously molding the sensor element by bonding to the recess, and A molding step of transferring the conductive film to the surface of the molding base including the inner surface of the recess, a bonding step of connecting the conductive film and the sensor element, and a step of bonding a lid to the molding base. To do.
【００１９】本発明の請求項１２記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９、請求項１０又は請求項１１記載の
センサ装置の製造方法において、センサ用素子が加速度
センサ用素子であることを特徴とするものである。According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a sensor device according to the ninth, tenth or eleventh aspect, wherein the sensor element is an acceleration sensor element. It is a feature.
【００２０】本発明の請求項１３記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９、請求項１０、請求項１１又は請求
項１２記載のセンサ装置の製造方法において、成形基台
における蓋との接合面の表面を、回路部の形成時にレー
ザ加工により粗面化することを特徴とするものである。A method for manufacturing a sensor device according to a thirteenth aspect of the present invention is the method for manufacturing a sensor device according to any of the ninth, tenth, eleventh or twelfth aspects, wherein the molding base is joined to a lid. The surface of the surface is roughened by laser processing when the circuit portion is formed.
【００２１】本発明の請求項１４記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９記載のセンサ装置の製造方法におい
て、センサ素子が加速度センサ用素子であって、成形基
台の凹所に、前記加速度センサ用素子を支持する支持部
を設け、該支持部にテーパを形成することを特徴とする
ものである。A method for manufacturing a sensor device according to a fourteenth aspect of the present invention is the method for manufacturing a sensor device according to the ninth aspect, wherein the sensor element is an acceleration sensor element, and the sensor element is provided in a recess of the molding base. A support portion for supporting the acceleration sensor element is provided, and a taper is formed on the support portion.
【００２２】本発明の請求項１５記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９記載のセンサ装置の製造方法におい
て、センサ素子が加速度センサ用素子であって、成形基
台の凹所に、前記加速度センサ用素子を支持する支持部
を設け、該支持部に加速度センサ用素子を圧入すること
を特徴とするものである。A method for manufacturing a sensor device according to a fifteenth aspect of the present invention is the method for manufacturing a sensor device according to the ninth aspect, wherein the sensor element is an acceleration sensor element, and the sensor element is provided in a recess of a molding base. It is characterized in that a support portion for supporting the acceleration sensor element is provided, and the acceleration sensor element is press-fitted into the support portion.
【００２３】本発明の請求項１６記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９記載のセンサ装置の製造方法におい
て、センサ素子が加速度センサ用素子であって、素子固
定部品を備え、前記加速度センサ用素子を前記素子固定
部品に挿入した後に、成形基台の凹所に接合することを
特徴とするものである。A method of manufacturing a sensor device according to a sixteenth aspect of the present invention is the method of manufacturing a sensor device according to the ninth aspect, wherein the sensor element is an acceleration sensor element and includes an element fixing component. The element for use is inserted into the element fixing component and then joined to the recess of the molding base.
【００２４】本発明の請求項１７記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項１２記載のセンサ装置の製造方法にお
いて、センサ素子が加速度センサ用素子であって、成形
基台を多数個連続して接続した成形基台シートを成形
し、導電膜を形成し、加速度センサ用素子を接合し、蓋
を接合して多数個連続して接続したセンサ装置シートを
製造し、各々のセンサ装置に切断することを特徴とする
ものである。A method for manufacturing a sensor device according to a seventeenth aspect of the present invention is the method for manufacturing a sensor device according to the twelfth aspect, wherein the sensor element is an acceleration sensor element and a plurality of molding bases are continuously formed. The connected molding base sheet is molded, the conductive film is formed, the acceleration sensor element is bonded, and the lid is bonded to manufacture a sensor device sheet in which a large number of sensor devices are continuously connected and cut into individual sensor devices. It is characterized by that.
【００２５】本発明の請求項１８記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項１７記載のセンサ装置の製造方法にお
いて、成形基台を多数個連続して接続した成形基台シー
トを成形し、導電膜を形成し、加速度センサ用素子を接
合し、一枚の蓋を接合して多数個連続して接続したセン
サ装置シートを製造し、各々のセンサ装置に切断するこ
とを特徴とするものである。The method for manufacturing a sensor device according to claim 18 of the present invention is the method for manufacturing a sensor device according to claim 17, wherein a molding base sheet in which a large number of molding bases are connected in series is molded and the conductive base material is electrically conductive. The present invention is characterized in that a film is formed, an acceleration sensor element is joined, a lid is joined, and a large number of sensor device sheets connected in series are manufactured, and cut into individual sensor devices. .
【００２６】本発明の請求項１９記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９、請求項１０、請求項１１又は請求
項１２記載のセンサ装置の製造方法において、成形基台
における蓋との接合部及び、蓋における成形基台との接
合部にメッキを施してメッキ面を形成し、成形基台のめ
っき面と、蓋のめっき面とを接合することを特徴とする
ものである。A method for manufacturing a sensor device according to a nineteenth aspect of the present invention is the method for manufacturing a sensor device according to any one of the ninth, tenth, eleventh and twelfth aspects, wherein the molding base is joined to a lid. This is characterized in that the portion and the joint portion of the lid with the molding base are plated to form a plating surface, and the plating surface of the molding base and the plating surface of the lid are joined.
【００２７】本発明の請求項２０記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項１９記載のセンサ装置の製造方法にお
いて、成形基台のめっき面と、蓋のめっき面とを接合し
た後に、該接合部の外周に沿ってめっきを施すことを特
徴とするものである。A method for manufacturing a sensor device according to a twentieth aspect of the present invention is the method for manufacturing a sensor device according to the nineteenth aspect, wherein after the plating surface of the molding base and the plating surface of the lid are bonded, the bonding is performed. It is characterized in that plating is applied along the outer periphery of the portion.
【００２８】本発明の請求項２１記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９、請求項１０、請求項１１又は請求
項１２記載のセンサ装置の製造方法において、成形基台
に蓋を接合させた後に、成形基台の全面に防湿材を塗布
すると共に、回路部の表面を研磨してメッキ面を露出さ
せることを特徴とするものである。According to a twenty-first aspect of the present invention, there is provided a method for producing a sensor device according to the ninth, tenth, eleventh or twelfth aspect, wherein a lid is joined to the molding base. After that, a moistureproof material is applied to the entire surface of the molding base, and the surface of the circuit portion is polished to expose the plated surface.
【００２９】本発明の請求項２２記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項１７記載のセンサ装置の製造方法にお
いて、センサ装置シートを各々のセンサ装置に切断する
切断部に切断用溝部を設けることを特徴とするものであ
る。A method for manufacturing a sensor device according to a twenty-second aspect of the present invention is the method for manufacturing a sensor device according to the seventeenth aspect, wherein a cutting groove is provided in a cutting portion for cutting the sensor device sheet into each sensor device. It is characterized by.
【００３０】本発明の請求項２３記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項１７記載のセンサ装置の製造方法にお
いて、成形基台に蓋を接着剤で接合させたセンサ装置シ
ートを、レーザ加工により各々のセンサ装置に切断する
と共に、レーザ加工による切断時に、成形基台の側面に
溶け出した接着剤が接合面に溶着することを特徴とする
ものである。A method for manufacturing a sensor device according to a twenty-third aspect of the present invention is the method for manufacturing a sensor device according to the seventeenth aspect, wherein a sensor device sheet in which a lid is joined to a molding base by an adhesive is laser-processed. It is characterized in that each of the sensor devices is cut, and at the time of cutting by laser processing, the adhesive melted on the side surface of the molding base is welded to the joint surface.
【００３１】[0031]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第一実施形態で
あるセンサ装置の分解斜視図である。図１に示されるよ
うに、このセンサ装置は、箱状の成形基台に開放された
凹所１を形成し、前記凹所１の内面を含む成形基台の表
面に所定のパターンの導電膜を形成し、前記凹所１にセ
ンサ用素子としての加速度センサ用素子４を接合し、成
形基台１を蓋５で密閉してなるものである。1 is an exploded perspective view of a sensor device according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, in this sensor device, an open recess 1 is formed in a box-shaped molding base, and a conductive film having a predetermined pattern is formed on the surface of the molding base including the inner surface of the recess 1. Is formed, an acceleration sensor element 4 as a sensor element is joined to the recess 1, and the molding base 1 is sealed with a lid 5.
【００３２】以下に、図１に基づいて、このセンサ装置
の製造方法についてさらに詳しく説明する。まず、液晶
ポリマー、ＡＢＳ、ポリエーテルイミド、ＰＰＳ、ポリ
フタルアミド、エポキシ等の樹脂を射出成形して成形基
台２を形成する。次いで、過マンガン酸溶液、クロム酸
溶液等の強アルカリ溶液にて成形基台２の全面の樹脂表
面に凹凸を形成した後、パラジウムの核付けを行い、成
形基台２の全面に無電解銅めっきで金属導電薄膜を形成
する。The manufacturing method of this sensor device will be described in more detail below with reference to FIG. First, a molding base 2 is formed by injection molding a resin such as liquid crystal polymer, ABS, polyetherimide, PPS, polyphthalamide, or epoxy. Then, after forming irregularities on the resin surface on the entire surface of the molding base 2 with a strong alkaline solution such as a permanganate solution or a chromic acid solution, nucleation of palladium is performed, and electroless copper is formed on the entire surface of the molding base 2. A metal conductive thin film is formed by plating.
【００３３】次いで、金属導電薄膜上に、電着法で感光
性レジストを形成した後、平面マスクを用いて平行な光
を照射して、この光と感光性レジストとを反応させて、
パターンとなる部分の感光性レジストを除去して、無電
解銅めっきの層を露出させる。Then, a photosensitive resist is formed on the metal conductive thin film by an electrodeposition method, and then parallel light is irradiated using a plane mask to react the light with the photosensitive resist.
The photosensitive resist in the pattern area is removed to expose the electroless copper plating layer.
【００３４】次いで、パターンとなる部分を陰極とし
て、この部分に電磁気シールド層を形成するために、電
気銅めっき、次いで、電気ニッケルめっきを選択的に施
し、その後に、感光性レジストを剥離して、その後に、
ソフトエッチングにより無電解銅めっきの金属導電薄膜
を溶かすことにより除去して立体的な回路部３を完成さ
せる。Next, in order to form an electromagnetic shield layer on this portion using the pattern portion as a cathode, electrolytic copper plating and then electrical nickel plating are selectively applied, after which the photosensitive resist is peeled off. , Then,
The three-dimensional circuit portion 3 is completed by removing the electroconductive copper-plated metal conductive thin film by melting it by soft etching.
【００３５】次いで、セラミック圧電素子である加速度
センサ用素子４の一端を成形基台２の支持部６に挿入し
て、これを支持する。なお、この場合には、加速度セン
サ用素子４の中央部を成形基台２の支持部６に挿入し
て、これを支持してもよい。また、加速度センサ用素子
４としては、半導体素子を使用することもできる。Next, one end of the acceleration sensor element 4 which is a ceramic piezoelectric element is inserted into the support portion 6 of the molding base 2 to support it. In this case, the central portion of the acceleration sensor element 4 may be inserted into the support portion 6 of the molding base 2 to support it. A semiconductor element can also be used as the acceleration sensor element 4.
【００３６】次いで、セラミック圧電素子である加速度
センサ用素子４の電極と成形基台２の電極とを銀ペース
ト等の導電性接着剤で接合するために、前記導電性接着
剤を前記凹所１の端部１ａに充填して硬化させる。この
場合、機械的強度を上げるために、導電性接着剤の上か
ら非導電性接着剤を充填して硬化させる。Next, in order to bond the electrode of the acceleration sensor element 4 which is a ceramic piezoelectric element and the electrode of the molding base 2 with a conductive adhesive such as silver paste, the conductive adhesive is applied to the recess 1 The end portion 1a is filled and cured. In this case, in order to increase the mechanical strength, a non-conductive adhesive is filled on the conductive adhesive and cured.
【００３７】次いで、液晶ポリマー、ＡＢＳ、ポリエー
テルイミド、ＰＰＳ、ポリフタルアミド等の樹脂、セラ
ミック又は銅箔を除去したプリント基盤からなる蓋５
と、加速度センサ用素子４が支持された成形基台２とを
非導電性接着剤で接合することにより、このセンサ装置
を完成する。Next, a lid 5 made of a printed substrate from which a liquid crystal polymer, ABS, polyetherimide, PPS, polyphthalamide or the like resin, ceramic or copper foil is removed.
The sensor base is completed by joining the molded base 2 supporting the acceleration sensor element 4 with a non-conductive adhesive.
【００３８】この場合には、部品点数を少なくしてセン
サ装置を薄型化、小型化することができると共に、成形
基台２を蓋５で密閉することにより、耐ノイズ性を向上
することができる。In this case, the sensor device can be made thin and compact by reducing the number of parts, and noise resistance can be improved by sealing the molding base 2 with the lid 5. .
【００３９】図２は、本発明の第二実施形態であるセン
サ装置の分解斜視図である。図２に示されるセンサ装置
の、図１に示されるセンサ装置との相違点は、セラミッ
ク圧電素子である加速度センサ用素子４の支持されてい
ない端部を図１の場合に比べて傾斜させている点であ
る。傾斜角度は１°乃至４５°であり、例えば２５°に
傾斜させる。その他の構成は、図１に示されるセンサ装
置と同様である。この場合には、加速度センサ用素子４
の支持されていない端部を図１の場合に比べて傾斜させ
ていることにより、二軸検知用に使用することができ
る。なお、この場合には、図１に示されるセンサ装置と
同様の効果をも奏するものである。FIG. 2 is an exploded perspective view of the sensor device according to the second embodiment of the present invention. The sensor device shown in FIG. 2 is different from the sensor device shown in FIG. 1 in that the unsupported end of the acceleration sensor element 4, which is a ceramic piezoelectric element, is inclined as compared with the case of FIG. That is the point. The inclination angle is 1 ° to 45 °, and the inclination angle is, for example, 25 °. Other configurations are similar to those of the sensor device shown in FIG. In this case, the acceleration sensor element 4
By sloping the unsupported end of the shaft compared to the case of FIG. 1, it can be used for biaxial detection. In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIG. 1 can be obtained.
【００４０】図３は、本発明の第三実施形態であるセン
サ装置の分解斜視図である。図３に示されるセンサ装置
の、図１に示されるセンサ装置との相違点は、蓋５の裏
面にめっきを施している点である。その他の構成は、図
１に示されるセンサ装置と同様である。FIG. 3 is an exploded perspective view of the sensor device according to the third embodiment of the present invention. The sensor device shown in FIG. 3 is different from the sensor device shown in FIG. 1 in that the back surface of the lid 5 is plated. Other configurations are similar to those of the sensor device shown in FIG.
【００４１】この場合には、まず、液晶ポリマー、ＡＢ
Ｓ、ポリエーテルイミド、ＰＰＳ、ポリフタルアミド等
の樹脂を射出成形して成形基台２と蓋５を形成する。次
いで、過マンガン酸溶液、クロム酸溶液等の強アルカリ
溶液にて成形基台２と蓋５の全面の樹脂表面を粗化した
後、パラジウムの核付けを行い、成形基台２と蓋５の全
面に無電解銅めっきで金属導電薄膜を形成する。In this case, first, the liquid crystal polymer, AB
A molding base 2 and a lid 5 are formed by injection molding a resin such as S, polyetherimide, PPS, or polyphthalamide. Next, after roughening the resin surface of the entire surface of the molding base 2 and the lid 5 with a strong alkaline solution such as a permanganate solution or a chromic acid solution, nucleation of palladium is carried out to form the molding base 2 and the lid 5. A metal conductive thin film is formed on the entire surface by electroless copper plating.
【００４２】次いで、成形基台２の金属導電薄膜上に、
電着法で感光性レジストを形成した後、平面マスクを用
いて平行な光を照射して、この光と感光性レジストとを
反応させて、パターンとなる部分の感光性レジストを除
去して、無電解銅めっきを露出させる。同様にして、蓋
５の裏面の感光性レジストを除去して、無電解銅めっき
を露出させる。Next, on the metal conductive thin film of the molding base 2,
After forming a photosensitive resist by the electrodeposition method, a plane mask is used to irradiate parallel light, and the light is reacted with the photosensitive resist to remove the photosensitive resist in the pattern part, Expose the electroless copper plating. Similarly, the photosensitive resist on the back surface of the lid 5 is removed to expose the electroless copper plating.
【００４３】次いで、パターンとなる部分を陰極とし
て、この部分に電気銅めっき、次いで、電気ニッケルめ
っきを選択的に施し、その後に、感光性レジストを剥離
して、その後に、ソフトエッチングにより無電解銅めっ
きの金属導電薄膜を溶かすことにより除去して立体的な
回路部３を完成させる。同様にして、蓋５の裏面に電気
銅めっき、次いで、電気ニッケルめっきを選択的に施
す。なお、電気銅めっきの膜厚は２０μｍ、電気ニッケ
ルめっきの膜厚は１０μｍとする。Next, using a portion to be a pattern as a cathode, electrolytic copper plating and then electrical nickel plating are selectively applied to this portion, after which the photosensitive resist is peeled off, and thereafter, electroless plating is performed by soft etching. The metal conductive thin film of copper plating is melted and removed to complete the three-dimensional circuit portion 3. Similarly, electrolytic copper plating and then electrolytic nickel plating are selectively applied to the back surface of the lid 5. The thickness of electrolytic copper plating is 20 μm, and the thickness of electrolytic nickel plating is 10 μm.
【００４４】次いで、セラミック圧電素子である加速度
センサ用素子４の一端を成形基台２の支持部６に挿入し
て、これを支持する。なお、この場合には、加速度セン
サ用素子４の中央部を成形基台２の支持部６に挿入し
て、これを支持してもよい。また、加速度センサ用素子
４としては、半導体素子を使用することもできる。Next, one end of the acceleration sensor element 4, which is a ceramic piezoelectric element, is inserted into the supporting portion 6 of the molding base 2 to support it. In this case, the central portion of the acceleration sensor element 4 may be inserted into the support portion 6 of the molding base 2 to support it. A semiconductor element can also be used as the acceleration sensor element 4.
【００４５】次いで、セラミック圧電素子である加速度
センサ用素子４の電極と成形基台２の電極とを銀ペース
ト等の導電性接着剤で接合するために、前記導電性接着
剤を前記凹所１の端部１ａに充填して硬化させる。この
場合、機械的強度を上げるために、導電性接着剤の上か
ら非導電性接着剤を充填して硬化させる。Next, in order to join the electrode of the acceleration sensor element 4 which is a ceramic piezoelectric element and the electrode of the molding base 2 with a conductive adhesive such as silver paste, the conductive adhesive is applied to the recess 1 The end portion 1a is filled and cured. In this case, in order to increase the mechanical strength, a non-conductive adhesive is filled on the conductive adhesive and cured.
【００４６】次いで、蓋５と、加速度センサ用素子４が
支持された成形基台２とを非導電性接着剤で接合するこ
とにより、このセンサ装置を完成する。Next, the lid 5 and the molding base 2 on which the acceleration sensor element 4 is supported are joined with a non-conductive adhesive to complete the sensor device.
【００４７】この場合には、蓋５の裏面にめっきを施す
ことにより、センサ装置のシールド性を向上させること
ができる。なお、この場合には、図１に示されるセンサ
装置と同様の効果をも奏するものである。In this case, the shield property of the sensor device can be improved by plating the back surface of the lid 5. In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIG. 1 can be obtained.
【００４８】図４は、本発明の第四実施形態であるセン
サ装置の分解斜視図である。図４に示されるセンサ装置
の、図１に示されるセンサ装置との相違点は、蓋５が断
面略コ字型であり、その内部に中空部７を形成し、該中
空部７の内面にめっきを施している点である。この場合
には、まず、液晶ポリマー、ＡＢＳ、ポリエーテルイミ
ド、ＰＰＳ、ポリフタルアミド等の樹脂を射出成形して
成形基台２と蓋５を形成した後に、図１及び図３と同様
の方法で、蓋５の中空部７に電気銅めっき、次いで、電
気ニッケルめっきを選択的に施す。その他の構成は、図
１に示されるセンサ装置と同様である。FIG. 4 is an exploded perspective view of the sensor device according to the fourth embodiment of the present invention. The sensor device shown in FIG. 4 is different from the sensor device shown in FIG. 1 in that the lid 5 has a substantially U-shaped cross section, and a hollow portion 7 is formed therein, and the inner surface of the hollow portion 7 is formed. This is the point where plating is applied. In this case, first, a resin such as liquid crystal polymer, ABS, polyetherimide, PPS, polyphthalamide, etc. is injection-molded to form the molding base 2 and the lid 5, and then the same method as in FIGS. 1 and 3 is performed. Then, electrolytic copper plating and then electrolytic nickel plating are selectively applied to the hollow portion 7 of the lid 5. Other configurations are similar to those of the sensor device shown in FIG.
【００４９】この場合には、蓋５の中空部７にめっきを
施すことにより、センサ装置のシールド性を向上させる
ことができる。なお、この場合には、図１に示されるセ
ンサ装置と同様の効果をも奏するものである。In this case, the shielding property of the sensor device can be improved by plating the hollow portion 7 of the lid 5. In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIG. 1 can be obtained.
【００５０】図５は、本発明の第五実施形態であるセン
サ装置の分解斜視図である。図５に示されるセンサ装置
の、図１に示されるセンサ装置との相違点は、蓋５を、
その内面にめっきを施した筒状体で形成し、成形基台２
と蓋５とを嵌合した点である。この場合には、まず、液
晶ポリマー、ＡＢＳ、ポリエーテルイミド、ＰＰＳ、ポ
リフタルアミド等の樹脂を射出成形して成形基台２と蓋
５を形成した後に、過マンガン酸溶液、クロム酸溶液等
の強アルカリ溶液にて成形基台２の全面と蓋５の少なく
とも内面の樹脂表面を粗化した後、図１及び図３と同様
の方法で、蓋５の内面に電気銅めっき、次いで、電気ニ
ッケルめっきを選択的に施す。その他の構成は、図１に
示されるセンサ装置と同様である。FIG. 5 is an exploded perspective view of a sensor device according to a fifth embodiment of the present invention. The difference between the sensor device shown in FIG. 5 and the sensor device shown in FIG.
Formed by a cylindrical body with its inner surface plated, and forming base 2
This is the point where the lid 5 and the lid 5 are fitted together. In this case, first, a resin such as liquid crystal polymer, ABS, polyetherimide, PPS, polyphthalamide, etc. is injection molded to form the molding base 2 and the lid 5, and then a permanganate solution, a chromic acid solution, etc. After roughening the entire surface of the molding base 2 and at least the resin surface on the inner surface of the lid 5 with the strong alkaline solution, the inner surface of the lid 5 is electroplated with copper in the same manner as in FIGS. 1 and 3. Selective nickel plating. Other configurations are similar to those of the sensor device shown in FIG.
【００５１】この場合には、蓋５の内面にめっきを施す
ことにより、センサ装置のシールド性を向上させること
ができる。なお、この場合には、図１に示されるセンサ
装置と同様の効果をも奏するものである。In this case, the shielding property of the sensor device can be improved by plating the inner surface of the lid 5. In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIG. 1 can be obtained.
【００５２】図６は、本発明の第六実施形態であるセン
サ装置の製造方法の構成図であり、図６（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）は成形基台２の成形工程を示すものであ
り、図６（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）は回路部３の形成工程
を示すものであり、図６（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）は加速
度センサ用素子４の接合工程を示すものであり、図６
（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）は蓋５の接合工程を示すもので
ある。FIG. 6 is a block diagram of a method of manufacturing a sensor device according to a sixth embodiment of the present invention.
6B and 6C show the forming process of the forming base 2, and FIGS. 6D, 6E, and 6F show the forming process of the circuit unit 3. g), (h), and (i) show the steps of joining the acceleration sensor element 4, and FIG.
(J), (k), and (l) show the joining process of the lid 5.
【００５３】図６に示されるように、このセンサ装置の
製造方法は、開放された凹所１を形成する箱状の成形基
台２を成形する成形基台２の成形工程、前記凹所１の内
面を含む成形基台２の表面に所定のパターンのシールド
と通電のための導電膜を形成する回路部３の形成工程、
前記凹所１にセンサ用素子としての加速度センサ用素子
４を接合すると共に、前記導電膜と加速度センサ用素子
４を接続する加速度センサ用素子４の接合工程及び成形
基台２に蓋５を接合する蓋５の接合工程からなるもので
ある。As shown in FIG. 6, in this method of manufacturing a sensor device, a molding step for molding a molding base 2 for molding a box-shaped molding base 2 for forming an open recess 1, and the recess 1 A step of forming a circuit portion 3 for forming a shield having a predetermined pattern and a conductive film for conducting electricity on the surface of the molding base 2 including the inner surface of
An acceleration sensor element 4 as a sensor element is joined to the recess 1, and a step of joining the conductive film and the acceleration sensor element 4 is performed, and a lid 5 is joined to the molding base 2. This is a step of joining the lids 5 to each other.
【００５４】以下に、図６に基づいて、このセンサ装置
の製造方法について説明する。まず、ＡＢＳ、ポリエー
テルイミド、液晶ポリマー、ポリフタルアミド、ＰＰ
Ｓ、エポキシ等の樹脂を射出成形して成形基台２を形成
する。尚、成形基台２は、加速度センサ用素子４を支持
する支持部６と電磁気をシールドする空孔部である凹所
１と加速度センサ用素子４とを電気的に接合する電極部
１８を備えている。The manufacturing method of this sensor device will be described below with reference to FIG. First, ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, polyphthalamide, PP
A molding base 2 is formed by injection molding a resin such as S or epoxy. The molding base 2 includes a support portion 6 that supports the acceleration sensor element 4, a recess 1 that is a hole that shields electromagnetic waves, and an electrode portion 18 that electrically joins the acceleration sensor element 4. ing.
【００５５】次いで、成形基台２の表面を過マンガン酸
溶液、クロム酸溶液、水酸化カリウム溶液等で処理して
樹脂表面に凹凸を形成した後、パラジウムの核付けを行
う。次いで、めっきしない部分にＹＡＧレーザ等のレー
ザを照射する。この際に、レーザをレンズで集光して照
射し、成形基台２とレーザを相対的に移動して、めっき
しない部分の核付けされたパラジウムを除去してパター
ンを形成する。Then, the surface of the molding base 2 is treated with a permanganate solution, a chromic acid solution, a potassium hydroxide solution or the like to form irregularities on the resin surface, and then nucleation of palladium is performed. Then, a laser such as a YAG laser is applied to the portion that is not plated. At this time, a laser is focused by a lens and irradiated, and the molding base 2 and the laser are moved relative to each other to remove the palladium on which nucleation is not applied and form a pattern.
【００５６】この場合には、めっきしない部分のパター
ン幅と成形基台２の表面でのビーム径が一致するように
デフォーカス量をレンズの焦点距離又は成形基台２の位
置を調整することで制御する。太いビーム径では描画で
きないパターンの細部は焦点位置に成形基台２を一致さ
せて細いビーム径では描画する。なお、レーザの出力
は、例えば０．１乃至１Ｊ／cm2 となるように操作速度
またはレーザの発振強度を調整する。In this case, the defocus amount is adjusted by adjusting the focal length of the lens or the position of the molding base 2 so that the pattern width of the non-plated portion and the beam diameter on the surface of the molding base 2 match. Control. The details of the pattern which cannot be drawn with a thick beam diameter are drawn with a thin beam diameter by matching the molding base 2 with the focal position. The operation speed or the laser oscillation intensity is adjusted so that the laser output is, for example, 0.1 to 1 J / cm 2 .
【００５７】次いで、無電解銅めっき液に浸漬して、レ
ーザを照射していない成形基台２の表面に選択的にめっ
きを施し回路部３を形成する。尚、用途によっては、こ
の上に銅、ニッケル、金、銀、はんだ等の電気めっきを
施してもよい。Next, the circuit portion 3 is formed by immersing in the electroless copper plating solution and selectively plating the surface of the molding base 2 which is not irradiated with laser. Depending on the application, electroplating of copper, nickel, gold, silver, solder or the like may be applied on top of this.
【００５８】次いで、セラミック圧電素子である加速度
センサ用素子４の一端を成形基台２の支持部６に挿入し
て、これを支持する。加速度センサ用素子４の電極と成
形基台２の電極部７とを銀ペースト等の導電性接着剤で
接合するために、前記導電性接着剤を前記凹所１の端部
１ａに充填して硬化させる。この場合、機械的強度を上
げるために、導電性接着剤の上から非導電性接着剤を充
填して硬化させる。Next, one end of the acceleration sensor element 4, which is a ceramic piezoelectric element, is inserted into the support portion 6 of the molding base 2 to support it. In order to join the electrode of the acceleration sensor element 4 and the electrode portion 7 of the molding base 2 with a conductive adhesive such as silver paste, the conductive adhesive is filled in the end 1a of the recess 1. Let it harden. In this case, in order to increase the mechanical strength, a non-conductive adhesive is filled on the conductive adhesive and cured.
【００５９】次いで、ＡＢＳ、ポリエーテルイミド、液
晶ポリマー、ポリフタルアミド、ＰＰＳ、エポキシ等の
樹脂、金属、セラミック等の蓋５と、加速度センサ用素
子４が支持された成形基台２とを非導電性接着剤で接合
することにより、センサ装置を完成する。このような製
造方法によれば、製造方法が簡単であり、センサ装置を
安価に製造することができる。Then, the lid 5 made of resin such as ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, polyphthalamide, PPS, epoxy, etc., metal, ceramic, etc., and the molding base 2 supporting the acceleration sensor element 4 are not attached. The sensor device is completed by bonding with a conductive adhesive. According to such a manufacturing method, the manufacturing method is simple, and the sensor device can be manufactured at low cost.
【００６０】なお、この場合には、成形基台２に蓋５を
接合させた後に、成形基台２の全面に防湿材を塗布した
後に、回路部３の表面を研磨してめっき面を露出させて
導電性を確保することができ、これにより、このセンサ
装置の耐湿性を向上させることができる。In this case, after the lid 5 is joined to the molding base 2 and the moistureproof material is applied to the entire surface of the molding base 2, the surface of the circuit portion 3 is polished to expose the plated surface. By doing so, the conductivity can be secured, and thus the moisture resistance of the sensor device can be improved.
【００６１】図７は、本発明の第七実施形態であるセン
サ装置の製造方法の構成図であり、図７（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）は成形基台２の成形工程を示すものであ
り、図７（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）は回路部３の形成工程
を示すものであり、図７（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）は加速
度センサ用素子４の接合工程を示すものであり、図７
（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）は蓋５の接合工程を示すもので
ある。FIG. 7 is a block diagram of a method for manufacturing a sensor device according to a seventh embodiment of the present invention, which is shown in FIG.
7B and 7C show the forming process of the forming base 2, and FIGS. 7D, 7E, and 7F show the forming process of the circuit unit 3. g), (h), and (i) show the steps of joining the acceleration sensor element 4, and FIG.
(J), (k), and (l) show the joining process of the lid 5.
【００６２】図７に示されるように、このセンサ装置の
製造方法は、開放された凹所１を形成する箱状の成形基
台２を成形すると同時に、前記凹所１にセンサ用素子と
しての加速度センサ用素子４を接合して同時成形する成
形基台２成形工程、前記凹所１の内面を含む成形基台２
の表面に所定のパターンのシールドと通電のための導電
膜を形成する回路部３の形成工程、前記導電膜と加速度
センサ用素子４を接続する加速度センサ用素子４の接合
工程及び成形基台２に蓋５を接合する蓋５の接合工程か
らなるものである。As shown in FIG. 7, according to the method for manufacturing the sensor device, the box-shaped molding base 2 forming the open recess 1 is molded, and at the same time, the recess 1 serves as a sensor element. Molding base 2 for simultaneously molding the acceleration sensor element 4 by molding, molding base 2 including the inner surface of the recess 1
Of the circuit part 3 for forming a shield having a predetermined pattern and a conductive film for energization on the surface of the substrate, a step of joining the acceleration sensor element 4 for connecting the conductive film and the acceleration sensor element 4, and the molding base 2 This is a step of joining the lid 5 to the lid 5.
【００６３】以下に、図７に基づいて、このセンサ装置
の製造方法について説明する。まず、ＡＢＳ、ポリエー
テルイミド、液晶ポリマー、ポリフタルアミド、ＰＰ
Ｓ、エポキシ等の樹脂を加速度センサ用素子４をインサ
ート成形で同時射出成形し、成形と同時に加速度センサ
用素子４を支持する。The method of manufacturing this sensor device will be described below with reference to FIG. First, ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, polyphthalamide, PP
A resin such as S or epoxy is simultaneously injection-molded by insert molding of the acceleration sensor element 4, and the acceleration sensor element 4 is supported simultaneously with the molding.
【００６４】次いで、スッパタ装置で０．１μm の銅の
薄膜を形成し、めっきを施さない部分にエキシマレーザ
等のレーザを照射して銅の薄膜を除去する。この際に、
レーザをマスクを通して結像させて照射し、パターンを
形成する。なお、パターンの位置合わせは成形基台２を
移動させて調整する。Next, a copper thin film of 0.1 μm is formed by a spatter device, and a portion such as an excimer laser is irradiated on the non-plated portion to remove the copper thin film. At this time,
A laser is imaged through a mask and irradiated to form a pattern. The pattern alignment is adjusted by moving the molding base 2.
【００６５】次いで、電気シールド層（銅）及び電磁気
シールド層（銅等）の所定の厚みを形成するために、
０．１μm の銅の薄膜の上に無電解めっき又は銅めっき
を施すことにより回路部３を形成する。次いで、図６の
場合と同様にして、セラミック圧電素子である加速度セ
ンサ用素子４の一端を成形基台２の支持部６に挿入し
て、これを支持する。次いで、蓋５と、加速度センサ用
素子４が支持された成形基台２とを非導電性接着剤で接
合することにより、センサ装置を完成する。Then, in order to form a predetermined thickness of the electric shield layer (copper) and the electromagnetic shield layer (copper etc.),
The circuit portion 3 is formed by electroless plating or copper plating on a 0.1 μm copper thin film. Then, similarly to the case of FIG. 6, one end of the acceleration sensor element 4 which is a ceramic piezoelectric element is inserted into the support portion 6 of the molding base 2 to support it. Then, the lid 5 and the molding base 2 on which the acceleration sensor element 4 is supported are joined with a non-conductive adhesive to complete the sensor device.
【００６６】この場合には、加速度センサ用素子４の一
端を成形基台２の支持部６に挿入して、これを支持する
必要がないため、製造方法がさらに簡単であり、センサ
装置をさらに安価に製造することができる。In this case, since it is not necessary to insert one end of the acceleration sensor element 4 into the supporting portion 6 of the molding base 2 to support it, the manufacturing method is simpler and the sensor device can be further improved. It can be manufactured at low cost.
【００６７】図８は、本発明の第八実施形態であるセン
サ装置の製造方法の構成図であり、図８（ａ）は転写フ
ィルムの平面図である。図８（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は
成形基台２の成形工程を示すものであり、図８（ｅ）、
（ｆ）、（ｇ）は加速度センサ用素子４の接合工程を示
すものであり、図８（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）は蓋５の接
合工程を示すものである。FIG. 8 is a constitutional view of a method of manufacturing a sensor device according to an eighth embodiment of the present invention, and FIG. 8A is a plan view of a transfer film. 8 (b), (c), and (d) show a molding process of the molding base 2, and FIG.
8F and 8G show a joining process of the acceleration sensor element 4, and FIGS. 8H, 8I, and 8J show a joining process of the lid 5.
【００６８】図８に示されるように、このセンサ装置の
製造方法は、転写フィルム８に所定のパターンの導電膜
を形成する工程、開放された凹所１を形成する箱状の成
形基台２を成形すると同時に、前記凹所１にセンサ用素
子としての加速度センサ用素子４を接合して同時成形す
ると共に、前記凹所１の内面を含む成形基台２の表面に
に前記導電膜を転写する成形基台２の成形工程、前記導
電膜と加速度センサ用素子４を接続する加速度センサ用
素子４の接合工程及び成形基台２に蓋５を接合する蓋５
の接合工程からなるものである。As shown in FIG. 8, in the method of manufacturing the sensor device, a step of forming a conductive film having a predetermined pattern on the transfer film 8 and a box-shaped molding base 2 for forming the opened recess 1 are performed. Simultaneously with molding, the acceleration sensor element 4 as a sensor element is joined to the recess 1 and simultaneously molded, and the conductive film is transferred onto the surface of the molding base 2 including the inner surface of the recess 1. Forming step of the molding base 2, the step of joining the acceleration sensor element 4 for connecting the conductive film and the acceleration sensor element 4, and the lid 5 for joining the lid 5 to the molding base 2.
The joining process of
【００６９】以下に、図８に基づいて、このセンサ装置
の製造方法について説明する。まず、銅箔付きポリイミ
ドフィルムである転写フィルム８に、立体形状での電極
部７と電磁気シールド層を平面的に展開したパターンを
エッチング法で形成する。The manufacturing method of this sensor device will be described below with reference to FIG. First, a pattern in which a three-dimensionally shaped electrode portion 7 and an electromagnetic shield layer are two-dimensionally developed is formed on a transfer film 8, which is a polyimide film with copper foil, by an etching method.
【００７０】次いで、パターンニングした転写フィルム
８と加速度センサ用素子４とを成形金型に挿入して成形
する。そして、成形と同時に加速度センサ用素子４を支
持し、パターンニングした転写フィルム８で電磁気シー
ルド層と加速度センサ用素子４とを電気的に接合する電
極部７を形成している。尚、成形樹脂は、ＡＢＳ、ポリ
エーテルイミド、液晶ポリマー、エポキシ、ポリフタル
アミド、ＰＰＳ等である。Next, the patterned transfer film 8 and the acceleration sensor element 4 are inserted into a molding die for molding. Simultaneously with the molding, the acceleration sensor element 4 is supported, and the patterned transfer film 8 forms the electrode portion 7 that electrically connects the electromagnetic shield layer and the acceleration sensor element 4. The molding resin is ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, epoxy, polyphthalamide, PPS or the like.
【００７１】次いで、ＡＢＳ、ポリエーテルイミド、液
晶ポリマー、ポリフタルアミド、ＰＰＳ、エポキシ等の
樹脂を加速度センサ用素子４をインサート成形で同時射
出成形し、成形と同時に加速度センサ用素子４を支持す
るとともに、前記凹所１の内面を含む成形基台２の表面
に前記導電膜を転写する。Next, a resin such as ABS, polyetherimide, liquid crystal polymer, polyphthalamide, PPS, or epoxy is injection-molded simultaneously with the acceleration sensor element 4 by insert molding to support the acceleration sensor element 4 simultaneously with the molding. At the same time, the conductive film is transferred onto the surface of the molding base 2 including the inner surface of the recess 1.
【００７２】次いで、スッパタ装置で０．１μm の銅の
薄膜を形成し、めっきを施さない部分にエキシマレーザ
等のレーザを照射して銅の薄膜を除去する。この際に、
レーザをマスクを通して結像させて照射し、パターンを
形成する。なお、パターンの位置合わせは成形基台２を
移動させて調整する。Next, a copper thin film of 0.1 μm is formed by a spatter device, and a portion such as an excimer laser is irradiated on the non-plated portion to remove the copper thin film. At this time,
A laser is imaged through a mask and irradiated to form a pattern. The pattern alignment is adjusted by moving the molding base 2.
【００７３】次いで、電気シールド層（銅）及び電磁気
シールド層（銅等）の所定の厚みを形成するために、
０．１μm の銅の薄膜の上に無電解めっき又は銅めっき
を施すことにより回路部３を形成する。次いで、図６の
場合と同様にして、セラミック圧電素子である加速度セ
ンサ用素子４の一端を成形基台２の支持部６に挿入し
て、これを支持する。次いで、蓋５と、加速度センサ用
素子４が支持された成形基台２とを非導電性接着剤で接
合することにより、センサ装置を完成する。Next, in order to form a predetermined thickness of the electric shield layer (copper) and the electromagnetic shield layer (copper etc.),
The circuit portion 3 is formed by electroless plating or copper plating on a 0.1 μm copper thin film. Then, similarly to the case of FIG. 6, one end of the acceleration sensor element 4 which is a ceramic piezoelectric element is inserted into the support portion 6 of the molding base 2 to support it. Then, the lid 5 and the molding base 2 on which the acceleration sensor element 4 is supported are joined with a non-conductive adhesive to complete the sensor device.
【００７４】この場合には、加速度センサ用素子４をめ
っきで劣化させることがなく、また加速度センサ用素子
４の一端を成形基台２の支持部６に挿入して、これを支
持する必要がないため、製造方法がさらに簡単であり、
センサ装置をさらに安価に製造することができる。In this case, the acceleration sensor element 4 is not deteriorated by plating, and it is necessary to insert one end of the acceleration sensor element 4 into the support portion 6 of the molding base 2 to support it. Since it is not, the manufacturing method is simpler,
The sensor device can be manufactured more inexpensively.
【００７５】図９は、本発明の第九実施形態であるセン
サ装置の製造方法の部分断面図である。図１０は、本発
明の第十実施形態であるセンサ装置の製造方法の部分断
面図である。図１１は、本発明の第十一実施形態である
センサ装置の製造方法の部分断面図である。FIG. 9 is a partial sectional view of a method of manufacturing a sensor device according to the ninth embodiment of the present invention. FIG. 10 is a partial cross-sectional view of the method for manufacturing the sensor device according to the tenth embodiment of the present invention. FIG. 11 is a partial cross-sectional view of the method for manufacturing the sensor device according to the eleventh embodiment of the present invention.
【００７６】図９乃至図１１に示されるセンサ装置の図
１に示されるセンサ装置との相違点は、成形基台２の上
面端部と蓋５裏面の端部を着設させた状態で、成形基台
２と蓋５とを蓋５の板厚方向に電気的に接合させている
点である。The sensor device shown in FIGS. 9 to 11 is different from the sensor device shown in FIG. 1 in that the upper end of the molding base 2 and the rear end of the lid 5 are attached. This is that the molding base 2 and the lid 5 are electrically joined in the plate thickness direction of the lid 5.
【００７７】図１０に示される場合は、成形基台２の凹
所１の周囲に沿って凹部９を設けておき、蓋５裏面に
は、成形基台２の凹部９と嵌合する嵌合凸部１０を成形
時に予め形成しておき、成形基台２の凹部９の表面と蓋
５裏面の嵌合凸部１０の外周部に、選択的に電気めっき
を施して、電磁気シールド層を形成し、成形基台２の板
厚方向の最も高い位置において非導電性接着剤で接着を
行う。In the case shown in FIG. 10, a concave portion 9 is provided along the periphery of the concave portion 1 of the molding base 2, and the back surface of the lid 5 is fitted with the concave portion 9 of the molding base 2. The convex portion 10 is formed in advance at the time of molding, and the outer peripheral portion of the fitting convex portion 10 on the front surface of the concave portion 9 of the molding base 2 and the rear surface of the lid 5 is selectively electroplated to form an electromagnetic shield layer. Then, the molding base 2 is bonded at the highest position in the plate thickness direction with a non-conductive adhesive.
【００７８】尚、図９に示されるように、成形基台２に
凹部９及び蓋５裏面に嵌合凸部１０を形成しなくても、
成形基台２の上面端部と蓋５裏面の端部を着設させた状
態で、成形基台２と蓋５とを蓋５の板厚方向に電気的に
接合させることができる。As shown in FIG. 9, it is possible to form the concave portion 9 on the molding base 2 and the fitting convex portion 10 on the rear surface of the lid 5,
The molding base 2 and the lid 5 can be electrically joined in the plate thickness direction of the lid 5 with the upper end of the molding base 2 and the end of the back surface of the lid 5 attached.
【００７９】図１１に示される場合は、成形基台２の凹
所１の周囲に沿って凹部９を設けておき、蓋５は、凹部
９と嵌合する寸法に形成しておき、成形基台２の凹部９
の表面と蓋５裏面の外周部に、選択的に電気めっきを行
って、電磁気シールド層を形成し、成形基台２の板厚方
向の中程の位置において非導電性接着剤で接着を行い、
電気的に接合させる。In the case shown in FIG. 11, a concave portion 9 is provided along the periphery of the concave portion 1 of the molding base 2 and the lid 5 is formed to have a size to fit with the concave portion 9 and the molding base is formed. The recess 9 of the table 2
Electrolytic plating is selectively performed on the outer surface of the front surface of the base and the back surface of the lid 5 to form an electromagnetic shield layer, and the molding base 2 is bonded with a non-conductive adhesive at an intermediate position in the plate thickness direction. ,
Electrically bond.
【００８０】図９乃至図１１に示されるセンサ装置の、
その他の構成は、図１に示されるセンサ装置と同様であ
る。この場合には、成形基台２と蓋５裏面との電気的な
接合面積を確保することができるため、成形基台２と蓋
５裏面との電気信頼性を向上させることができる。尚、
この場合には、図１に示されるセンサ装置と同様の効果
をも奏するものである。In the sensor device shown in FIGS. 9 to 11,
Other configurations are similar to those of the sensor device shown in FIG. In this case, the electrical bonding area between the molding base 2 and the back surface of the lid 5 can be secured, so that the electrical reliability between the molding base 2 and the back surface of the lid 5 can be improved. still,
In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIG. 1 can be obtained.
【００８１】図１２は、本発明の第十二実施形態である
センサ装置の断面図である。図１２に示されるセンサ装
置の図１に示されるセンサ装置との相違点は、成形基台
２の上面端部に嵌合部１１を設け、蓋５裏面の端部に前
記嵌合部１１に嵌合する接合部１２を設けている点であ
る。FIG. 12 is a sectional view of a sensor device according to the twelfth embodiment of the present invention. The difference between the sensor device shown in FIG. 12 and the sensor device shown in FIG. 1 is that a fitting portion 11 is provided at the upper end of the molding base 2 and the fitting portion 11 is provided at the end of the back surface of the lid 5. This is the point where the fitting portion 12 for fitting is provided.
【００８２】この場合には、成形基台２は、加速度セン
サ用素子４を支持する支持部６と、凹所１と、成形基台
２と加速度センサ用素子４とを電気的に接合する電極部
１８とを備え、凹所１の周囲には、蓋５裏面の接合部１
２と嵌合する逆テーパ状の嵌合部１１を形成している。
一方、蓋５裏面の端部には、嵌合部１１に嵌合する逆テ
ーパ状の接合部１２を形成している。In this case, the molding base 2 has a supporting portion 6 for supporting the acceleration sensor element 4, the recess 1, and an electrode for electrically connecting the molding base 2 and the acceleration sensor element 4 to each other. And the joint portion 1 on the back surface of the lid 5 around the recess 1.
An inversely tapered fitting portion 11 that fits with 2 is formed.
On the other hand, an end portion of the back surface of the lid 5 is formed with an inversely tapered joint portion 12 that fits into the fitting portion 11.
【００８３】そして、加速度センサ用素子４が支持され
た成形基台２に非導電性接着剤を塗布した後に、ＡＢ
Ｓ、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、ＰＰＳ、ポリ
フタルアミド等の樹脂、セラミック、金属からなる蓋５
の接合部１２を成形基台２の嵌合部１１に嵌合した後
に、非導電性接着剤で接合する。Then, after applying a non-conductive adhesive to the molding base 2 on which the acceleration sensor element 4 is supported, AB
Lid 5 made of S, polyetherimide, liquid crystal polymer, resin such as PPS, polyphthalamide, ceramic, metal 5
After fitting the joint portion 12 to the fitting portion 11 of the molding base 2, the joint portion 12 is joined with a non-conductive adhesive.
【００８４】その他の構成は、図１に示されるセンサ装
置と同様である。この場合には、成形基台２と蓋５裏面
とが確実に接合されるため、センサ装置の電磁気シール
ド性を向上させることができる。尚、この場合には、図
１に示されるセンサ装置と同様の効果をも奏するもので
ある。The other structure is similar to that of the sensor device shown in FIG. In this case, since the molding base 2 and the back surface of the lid 5 are reliably joined, the electromagnetic shielding property of the sensor device can be improved. In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIG. 1 can be obtained.
【００８５】図１３は、本発明の第十三実施形態である
センサ装置の製造方法の分解斜視図である。図１３に示
されるセンサ装置の図１に示されるセンサ装置との相違
点は、成形基台２の上面端部及び、蓋５裏面の端部に位
置合わせ用の凸部１３を設けた点である。FIG. 13 is an exploded perspective view of the method for manufacturing a sensor device according to the thirteenth embodiment of the present invention. The difference between the sensor device shown in FIG. 13 and the sensor device shown in FIG. 1 is that a positioning convex portion 13 is provided at the upper end of the molding base 2 and the rear end of the lid 5. is there.
【００８６】この場合には、成形基台２は、加速度セン
サ用素子４を支持する支持部６と、凹所１と、成形基台
２と加速度センサ用素子４とを電気的に接合する電極部
１８とを備え、成形基台２の上面の各側端部に凸部１３
ａを形成している。一方、蓋５裏面の各側端部に各々の
凸部１３ａを挟持する凸部１３ｂを形成している。In this case, the molding base 2 has a supporting portion 6 for supporting the acceleration sensor element 4, the recess 1, and an electrode for electrically connecting the molding base 2 and the acceleration sensor element 4 to each other. And a convex portion 13 on each side end of the upper surface of the molding base 2.
a. On the other hand, the convex portions 13b for sandwiching the respective convex portions 13a are formed at each side end portion of the back surface of the lid 5.
【００８７】そして、加速度センサ用素子４が支持され
た成形基台２に非導電性接着剤を塗布した後に、ＡＢ
Ｓ、ポリエーテルイミド、液晶ポリマー、ＰＰＳ、ポリ
フタルアミド、エポキシ等の樹脂からなる蓋５の各々の
凸部１３ｂで成形基台２の各々の凸部１３ａを挟持した
後に、非導電性接着剤で接合する。尚、凸部１３は、成
形基台２の上面端部又は、蓋５裏面の端部のいずれか一
方に形成されていてもよい。Then, after applying a non-conductive adhesive to the molding base 2 on which the acceleration sensor element 4 is supported, AB
After the protrusions 13b of the molding base 2 are clamped by the protrusions 13b of the lid 5 made of a resin such as S, polyetherimide, liquid crystal polymer, PPS, polyphthalamide, or epoxy, a non-conductive adhesive is used. Join with. The convex portion 13 may be formed on either one of the upper end portion of the molding base 2 and the rear end portion of the lid 5.
【００８８】その他の構成は、図１に示されるセンサ装
置と同様である。この場合には、成形基台２と蓋５とを
接合する際に、位置決めを容易にすることができる。
尚、この場合には、図１に示されるセンサ装置と同様の
効果をも奏するものである。The other structure is the same as that of the sensor device shown in FIG. In this case, when joining the molding base 2 and the lid 5, positioning can be facilitated.
In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIG. 1 can be obtained.
【００８９】図１４は、本発明の第十四実施形態である
センサ装置の製造方法の斜視図である。図１４に示され
るセンサ装置の製造方法の図１に示されるセンサ装置と
の相違点は、成形基台２の凹所１の周囲に溝１４を設け
た点である。FIG. 14 is a perspective view of the method for manufacturing the sensor device according to the fourteenth embodiment of the present invention. The manufacturing method of the sensor device shown in FIG. 14 differs from the sensor device shown in FIG. 1 in that a groove 14 is provided around the recess 1 of the molding base 2.
【００９０】この場合には、成形基台２は、加速度セン
サ用素子４を支持する支持部６と、凹所１と、成形基台
２と加速度センサ用素子４とを電気的に接合する電極部
７とを備え、凹所１の周囲に溝１４を設けている。そし
て、この溝１４に接着剤を流し込んで成形基台２と蓋５
とを接合する。溝１４はレーザ加工により形成してもよ
いし、成形基台２を成形する際に成形基台２の形状とし
て付加したものであってもよい。その他の構成は、図１
に示されるセンサ装置と同様である。In this case, the molding base 2 has a support portion 6 for supporting the acceleration sensor element 4, the recess 1, and an electrode for electrically connecting the molding base 2 and the acceleration sensor element 4 to each other. And a groove 14 is provided around the recess 1. Then, an adhesive is poured into the groove 14 to form the molding base 2 and the lid 5.
And join. The groove 14 may be formed by laser processing, or may be added as the shape of the molding base 2 when molding the molding base 2. Other configurations are shown in FIG.
It is similar to the sensor device shown in FIG.
【００９１】この場合には、この溝１４により、成形基
台２と蓋５を非導電性接着剤で接合する際に、非導電性
接着剤が凹所１に流れ込むことを防止することができ
る。尚、この場合には、図１に示されるセンサ装置と同
様の効果をも奏するものである。In this case, the groove 14 can prevent the non-conductive adhesive from flowing into the recess 1 when the molding base 2 and the lid 5 are joined by the non-conductive adhesive. . In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIG. 1 can be obtained.
【００９２】図１５は、本発明の第十五実施形態である
センサ装置の製造方法の斜視図である。図１５に示され
るセンサ装置の製造方法の図６乃至図８に示されるセン
サ装置との相違点は、成形基台２における蓋５との接合
面の表面を、回路部３の形成時にレーザ加工により粗面
化して微細な凹凸を形成した点である。その他の構成
は、図６乃至図８に示されるセンサ装置と同様である。FIG. 15 is a perspective view of a method of manufacturing a sensor device according to the fifteenth embodiment of the present invention. The manufacturing method of the sensor device shown in FIG. 15 is different from the sensor device shown in FIGS. 6 to 8 in that the surface of the joint surface of the molding base 2 with the lid 5 is laser-processed when the circuit portion 3 is formed. It is the point that the surface is roughened and fine irregularities are formed. Other configurations are similar to those of the sensor device shown in FIGS. 6 to 8.
【００９３】この場合には、成形基台２における蓋５と
の接合面の表面を粗面化することにより、成形基台２と
蓋５裏面との接合強度を向上させることができる。尚、
この場合には、図６乃至図８に示されるセンサ装置と同
様の効果をも奏するものである。In this case, the joint strength between the molding base 2 and the back surface of the lid 5 can be improved by roughening the surface of the joint surface of the molding base 2 with the lid 5. still,
In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIGS. 6 to 8 can be obtained.
【００９４】図１６は、本発明の第十六実施形態である
センサ装置の製造方法の分解斜視図である。図１６に示
されるセンサ装置の製造方法の図６に示されるセンサ装
置との相違点は、成形基台２の凹所１に加速度センサ用
素子４を支持する支持部６を設け、該支持部６にテーパ
を形成した点である。FIG. 16 is an exploded perspective view of the method for manufacturing a sensor device according to the sixteenth embodiment of the present invention. The manufacturing method of the sensor device shown in FIG. 16 is different from the sensor device shown in FIG. 6 in that a support portion 6 for supporting the acceleration sensor element 4 is provided in the recess 1 of the molding base 2 and the support portion is provided. This is the point where a taper is formed at 6.
【００９５】この場合には、センサ素子が加速度センサ
用素子４であって、成形基台２の凹所１に加速度センサ
用素子４を支持する支持部６を設け、該支持部６には加
速度センサ用素子４（5 .78mm ×O.35mm×O.43mm) を支
持しやすいように、例えば約６０°のテーパを形成して
いる。その他の構成は、図６に示されるセンサ装置と同
様である。この場合には、支持部６に形成されたテーパ
で案内することにより、加速度センサ用素子４を支持部
６に容易に支持することができる。尚、この場合には、
図６に示されるセンサ装置と同様の効果をも奏するもの
である。In this case, the sensor element is the acceleration sensor element 4, and the supporting portion 6 for supporting the acceleration sensor element 4 is provided in the recess 1 of the molding base 2 and the supporting portion 6 is provided with the acceleration portion. For example, a taper of about 60 ° is formed so that the sensor element 4 (5.78 mm × O.35 mm × O.43 mm) can be easily supported. Other configurations are similar to those of the sensor device shown in FIG. In this case, the acceleration sensor element 4 can be easily supported by the support portion 6 by guiding with the taper formed on the support portion 6. In this case,
It also has the same effect as the sensor device shown in FIG.
【００９６】図１７は、本発明の第十七実施形態である
センサ装置の製造方法の分解斜視図である。図１７に示
されるセンサ装置の製造方法の図６に示されるセンサ装
置との相違点は、センサ素子が加速度センサ用素子４で
あって、成形基台２の凹所１に加速度センサ用素子４を
支持する支持部６を設け、該支持部６に加速度センサ用
素子４を圧入した点である。FIG. 17 is an exploded perspective view of the method for manufacturing the sensor device according to the seventeenth embodiment of the present invention. The difference between the method of manufacturing the sensor device shown in FIG. 17 and the sensor device shown in FIG. 6 is that the sensor element is the acceleration sensor element 4, and the acceleration sensor element 4 is provided in the recess 1 of the molding base 2. The point is that the support portion 6 for supporting the acceleration sensor element 4 is press-fitted into the support portion 6.
【００９７】この場合には、成形基台２の凹所１に加速
度センサ用素子４を支持する支持部６を設け、該支持部
６に加速度センサ用素子４の巾と略同一の間隔を隔てて
リブ１５を２本形成する。そして、加速度センサ用素子
４をリブ１５、１５の間に挟み込み、樹脂製であるリブ
１５、１５の弾性を利用して加速度センサ用素子４の片
側を支持して固定する。その他の構成は、図６に示され
るセンサ装置と同様である。In this case, a support portion 6 for supporting the acceleration sensor element 4 is provided in the recess 1 of the molding base 2, and the support portion 6 is spaced at substantially the same interval as the width of the acceleration sensor element 4. To form two ribs 15. Then, the acceleration sensor element 4 is sandwiched between the ribs 15 and 15, and one side of the acceleration sensor element 4 is supported and fixed by utilizing the elasticity of the resin ribs 15 and 15. Other configurations are similar to those of the sensor device shown in FIG.
【００９８】この場合には、加速度センサ用素子４の接
合工程において、リブ１５に回路部３が形成されてお
り、加速度センサ用素子４をリブ１５に挿入することの
みにより、銀ペースト等の導電性接着剤を用いることな
く、加速度センサ用素子４と成形基台２の接合が可能に
なり、加速度センサ用素子４の接合工程を簡略化でき
る。尚、この場合には、図６に示されるセンサ装置と同
様の効果をも奏するものである。In this case, the circuit portion 3 is formed on the rib 15 in the step of joining the acceleration sensor element 4, and only by inserting the acceleration sensor element 4 into the rib 15, a conductive material such as silver paste is formed. Since the acceleration sensor element 4 and the molding base 2 can be bonded to each other without using a conductive adhesive, the step of bonding the acceleration sensor element 4 can be simplified. In this case, the same effect as the sensor device shown in FIG. 6 can be obtained.
【００９９】図１８は、本発明の第十八実施形態である
センサ装置の製造方法の分解斜視図である。図１８に示
されるセンサ装置の製造方法の図６に示されるセンサ装
置との相違点は、センサ素子が加速度センサ用素子４で
あって、素子固定部品１６を備え、加速度センサ用素子
４を前記素子固定部品１６に挿入した後に、成形基台２
の凹所１に接合する点である。FIG. 18 is an exploded perspective view of a method for manufacturing a sensor device according to an eighteenth embodiment of the present invention. The difference between the method for manufacturing the sensor device shown in FIG. 18 and the sensor device shown in FIG. 6 is that the sensor element is the acceleration sensor element 4, and the element fixing component 16 is provided. After inserting into the element fixing component 16, the molding base 2
This is the point of joining to the recess 1.
【０１００】この場合には、成形基台２の凹所１は、電
磁気をシールドするとともに、素子固定部品１６を導入
するための空間をも備えている。そして、無電解銅めっ
き液に浸漬して、レーザを照射していない成形基台２の
表面に選択的にめっきを行い回路部３を形成した後に、
素子固定部品１６内に加速度センサ用素子４を支持す
る。この際に、銀ペースト等の導電性接着剤を凹所１に
充填して硬化させることにより、加速度センサ用素子４
の電極と素子固定部品１６の導通部を電気的に接続す
る。その他の構成は、図６に示されるセンサ装置と同様
である。In this case, the recess 1 of the molding base 2 shields electromagnetic waves and also has a space for introducing the element fixing component 16. Then, after immersion in an electroless copper plating solution to selectively plate the surface of the molding base 2 not irradiated with laser to form the circuit portion 3,
The acceleration sensor element 4 is supported in the element fixing component 16. At this time, the concave portion 1 is filled with a conductive adhesive such as silver paste and cured, so that the acceleration sensor element 4 is formed.
The electrode and the conducting portion of the element fixing component 16 are electrically connected. Other configurations are similar to those of the sensor device shown in FIG.
【０１０１】この場合には、加速度センサ用素子４の接
合工程において、加速度センサ用素子４の位置決めが不
要となり、成形基台２の形状を簡素化することができ
る。また、加速度センサ用素子４を素子固定部品１６に
傾けて挿入することにより、加速度センサ用素子４を傾
けた状態で容易に支持することができる。尚、この場合
には、図６に示されるセンサ装置と同様の効果をも奏す
るものである。In this case, it is not necessary to position the acceleration sensor element 4 in the step of joining the acceleration sensor element 4, and the shape of the molding base 2 can be simplified. Further, by inserting the acceleration sensor element 4 into the element fixing component 16 while tilting it, the acceleration sensor element 4 can be easily supported in a tilted state. In this case, the same effect as the sensor device shown in FIG. 6 can be obtained.
【０１０２】図１９は、本発明の第十九実施形態である
センサ装置の製造方法の構成図であり、図１９（ａ）は
成形工程を示すものであり、図１９（ｂ）は回路部３の
形成工程を示すものであり、図１９（ｃ）は加速度セン
サ用素子４の接合工程を示すものであり、図１９（ｄ）
は蓋５の接合工程を示すものであり、図１９（ｅ）は切
断工程を示すものである。FIG. 19 is a block diagram of a method for manufacturing a sensor device according to a nineteenth embodiment of the present invention, FIG. 19 (a) shows a molding step, and FIG. 19 (b) shows a circuit section. 19C shows a step of forming the acceleration sensor element 4, and FIG. 19C shows a step of forming the acceleration sensor element 4.
Shows the joining step of the lid 5, and FIG. 19 (e) shows the cutting step.
【０１０３】図１９に示されるように、このセンサ装置
の製造方法の、図６乃至図８に示されるようにセンサ装
置の製造方法との相違点は、センサ素子が加速度センサ
用素子４であって、成形基台２を多数個連続して接続し
た成形基台シートを成形し、回路部３を形成し、加速度
センサ用素子４を接合し、蓋５を接合して多数個連続し
て接続したセンサ装置シートを製造し、各々のセンサ装
置に切断する点である。その他の構成は、図６乃至図８
に示されるセンサ装置と同様である。この場合には、セ
ンサ装置をさらに安価に製造することができる。尚、こ
の場合には、図６乃至図８に示されるセンサ装置と同様
の効果をも奏するものである。As shown in FIG. 19, the sensor device manufacturing method is different from the sensor device manufacturing method shown in FIGS. 6 to 8 in that the sensor element is the acceleration sensor element 4. Then, a molding base sheet in which a large number of molding bases 2 are continuously connected is molded to form a circuit part 3, an acceleration sensor element 4 is bonded, and a lid 5 is bonded to connect a large number of them continuously. The point is to manufacture the above-mentioned sensor device sheet and cut it into each sensor device. Other configurations are shown in FIGS.
It is similar to the sensor device shown in FIG. In this case, the sensor device can be manufactured more inexpensively. In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIGS. 6 to 8 can be obtained.
【０１０４】図２０は、本発明の第二十実施形態である
センサ装置の製造方法の構成図であり、図２０（ａ）は
成形工程を示すものであり、図２０（ｂ）は回路部３の
形成工程を示すものであり、図２０（ｃ）は加速度セン
サ用素子４の接合工程を示すものであり、図２０（ｄ）
は蓋５の接合工程を示すものであり、図２０（ｅ）は切
断工程を示すものである。FIG. 20 is a diagram showing the structure of a method for manufacturing a sensor device according to the twentieth embodiment of the present invention. FIG. 20 (a) shows a molding process and FIG. 20 (b) shows a circuit section. FIG. 20C shows a step of forming the acceleration sensor element 4, and FIG. 20C shows a step of forming the acceleration sensor element 4.
Shows the joining process of the lid 5, and FIG. 20 (e) shows the cutting process.
【０１０５】図２０に示されるように、このセンサ装置
の製造方法の、図１９に示されるようにセンサ装置の製
造方法との相違点は、成形基台２を多数個連続して接続
した成形基台シートを成形し、回路部３を形成し、加速
度センサ用素子４を接合し、一枚の蓋５を接合して多数
個連続して接続したセンサ装置シートを製造し、各々の
センサ装置に切断する点である。その他の構成は、図１
９に示されるセンサ装置と同様である。この場合には、
センサ装置をさらに安価に製造することができる。尚、
この場合には、図１９に示されるセンサ装置と同様の効
果をも奏するものである。As shown in FIG. 20, the manufacturing method of this sensor device differs from the manufacturing method of the sensor device as shown in FIG. 19 in that molding bases 2 are connected in series. A base sheet is formed, a circuit portion 3 is formed, an acceleration sensor element 4 is joined, a lid 5 is joined, and a large number of consecutively connected sensor device sheets are manufactured. The point is to cut into. Other configurations are shown in FIG.
It is similar to the sensor device shown in FIG. In this case,
The sensor device can be manufactured more inexpensively. still,
In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIG. 19 is obtained.
【０１０６】図２１は、本発明の第二十一実施形態であ
るセンサ装置の製造方法の構成図であり、図２１（ａ）
は成形工程を示すものであり、図２１（ｂ）は回路部３
の形成工程を示すものであり、図２１（ｃ）は加速度セ
ンサ用素子４の接合工程を示すものであり、図２１
（ｄ）は蓋５の接合工程を示すものであり、図２１
（ｅ）は切断工程を示すものである。FIG. 21 is a constitutional view of a method for manufacturing a sensor device according to a twenty-first embodiment of the present invention, which is shown in FIG.
21B shows a molding step, and FIG.
21C shows a step of forming the acceleration sensor element 4, and FIG.
FIG. 21D shows a step of joining the lids 5, and FIG.
(E) shows a cutting process.
【０１０７】図２２は、本発明の第二十二実施形態であ
るセンサ装置の製造方法の構成図であり、図２２（ａ）
は蓋５の接合工程を示すものであり、図２２（ｂ）は切
断工程を示すものである。FIG. 22 is a diagram showing the construction of the method of manufacturing a sensor device according to the twenty-second embodiment of the present invention, which is shown in FIG.
Shows the joining step of the lid 5, and FIG. 22 (b) shows the cutting step.
【０１０８】図２１に示されるように、このセンサ装置
の製造方法の、図１９に示されるようにセンサ装置の製
造方法との相違点は、成形基台２を多数個連続して接続
した成形基台シートを成形し、回路部３を形成し、加速
度センサ用素子４を接合して多数個連続して接続したセ
ンサ装置シートを製造し、センサ装置の各々に蓋５を接
合し、蓋５に沿って、各々のセンサ装置に切断する点で
ある。その他の構成は、図１９に示されるセンサ装置と
同様である。この場合には、センサ装置をさらに安価に
製造することができる。尚、この場合には、図１９に示
されるセンサ装置と同様の効果をも奏するものである。As shown in FIG. 21, the difference between the method for manufacturing the sensor device and the method for manufacturing the sensor device as shown in FIG. 19 is that a plurality of molding bases 2 are continuously connected to each other. A base sheet is formed, the circuit portion 3 is formed, and a plurality of acceleration sensor elements 4 are joined to manufacture a sensor device sheet in which a large number of them are continuously connected, and a lid 5 is joined to each of the sensor devices. Along each of the points to cut into each sensor device. Other configurations are similar to those of the sensor device shown in FIG. In this case, the sensor device can be manufactured more inexpensively. In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIG. 19 can be obtained.
【０１０９】また、この場合には、図２２に示されるよ
うに、連続した数個の成形基台２に対して一枚の蓋５を
接合し、蓋５に沿って、各々のセンサ装置に切断しても
よい。In this case, as shown in FIG. 22, one lid 5 is joined to several continuous molding bases 2, and each sensor device is attached along the lid 5. You may disconnect.
【０１１０】図２３（ａ）は、本発明の第二十三実施形
態であるセンサ装置の製造方法の分解斜視図であり、図
２３（ｂ）は、同実施形態であるセンサ装置の斜視図で
ある。図２３に示されるように、このセンサ装置の製造
方法の、図６乃至図８に示されるようにセンサ装置の製
造方法との相違点は、成形基台２における蓋５との接合
部及び、蓋５における成形基台２との接合部にメッキを
施してメッキ面を形成し、成形基台２のメッキ面と、蓋
５のメッキ面とを接合する点である。FIG. 23 (a) is an exploded perspective view of the method of manufacturing a sensor device according to the twenty-third embodiment of the present invention, and FIG. 23 (b) is a perspective view of the sensor device of the same embodiment. Is. As shown in FIG. 23, the difference between the method for manufacturing the sensor device and the method for manufacturing the sensor device as shown in FIGS. 6 to 8 is that a joint portion with the lid 5 in the molding base 2 and This is the point where the joint portion of the lid 5 with the molding base 2 is plated to form a plating surface, and the plating surface of the molding base 2 and the plating surface of the lid 5 are joined.
【０１１１】この場合には、成形基台２における蓋５と
の接合部及び、蓋５における成形基台２との接合部につ
いて、強アルカリ溶液にて樹脂表面に凹凸を形成した
後、パラジウムの核付けを行い、無電解銅めっきで金属
導電薄膜を形成する。In this case, at the joint portion of the molding base 2 with the lid 5 and the joint portion of the lid 5 with the molding base 2, unevenness was formed on the resin surface with a strong alkaline solution, and then palladium was used. Nucleation is performed and a metal conductive thin film is formed by electroless copper plating.
【０１１２】次いで、金属導電薄膜上に、電着法で感光
性レジストを形成した後、平面マスクを用いて平行な光
を照射して、この光と感光性レジストとを反応させて、
パターンとなる部分の感光性レジストを除去して、無電
解銅めっきの層を露出させる。次いで、パターンとなる
部分を陰極として、この部分に電気銅めっき、次いで、
電気ニッケルめっきを選択的に施し、その後に、感光性
レジストを剥離して、その後に、ソフトエッチングによ
り無電解銅めっきの金属導電薄膜を溶かすことにより除
去して立体的な回路部３を完成させる。次いで、ろう
材、拡散接合、溶接、導電性接着剤等で成形基台２のメ
ッキ面と、蓋５のメッキ面とを接合する。Next, a photosensitive resist is formed on the metal conductive thin film by an electrodeposition method, and then parallel light is irradiated using a plane mask to react the light with the photosensitive resist.
The photosensitive resist in the pattern area is removed to expose the electroless copper plating layer. Then, the portion to be a pattern is used as a cathode, and electrolytic copper plating is performed on this portion,
Electrolytic nickel plating is selectively applied, after which the photosensitive resist is peeled off, and then the metal conductive thin film of electroless copper plating is melted and removed by soft etching to complete the three-dimensional circuit section 3. . Next, the plated surface of the molding base 2 and the plated surface of the lid 5 are joined with a brazing material, diffusion joining, welding, a conductive adhesive or the like.
【０１１３】その他の構成は、図６乃至図８に示される
センサ装置と同様である。この場合には、センサ装置の
電磁気シールド性及び耐湿性を向上させることができ
る。尚、この場合には、図６乃至図８に示されるセンサ
装置と同様の効果をも奏するものである。The other structure is the same as that of the sensor device shown in FIGS. 6 to 8. In this case, the electromagnetic shielding property and moisture resistance of the sensor device can be improved. In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIGS. 6 to 8 can be obtained.
【０１１４】図２４（ａ）は、本発明の第二十四実施形
態であるセンサ装置の製造方法の分解斜視図であり、図
２４（ｂ）は、同実施形態であるセンサ装置の斜視図で
ある。図２４に示されるように、このセンサ装置の製造
方法の、図２３に示されるようにセンサ装置の製造方法
との相違点は、成形基台２のめっき面と、蓋５のめっき
面とを接合した後に、該接合部の外周に沿ってめっきを
施す点である。FIG. 24 (a) is an exploded perspective view of the method of manufacturing a sensor device according to the twenty-fourth embodiment of the present invention, and FIG. 24 (b) is a perspective view of the sensor device of the same embodiment. Is. As shown in FIG. 24, the difference between this sensor device manufacturing method and the sensor device manufacturing method as shown in FIG. 23 is that the plating surface of the molding base 2 and the plating surface of the lid 5 are different. After joining, it is a point to perform plating along the outer periphery of the joining portion.
【０１１５】この場合には、導電性接着剤等で成形基台
２のめっき面と、蓋５のめっき面とを接合した後に、両
接合部の外周に沿って膜厚１０μm の電気銅めっきを施
す。その他の構成は、図２３に示されるセンサ装置と同
様である。この場合には、センサ装置の電磁気シールド
性及び耐湿性をさらに向上させることができる。In this case, after the plating surface of the molding base 2 and the plating surface of the lid 5 are joined with a conductive adhesive or the like, electrolytic copper plating with a film thickness of 10 μm is performed along the outer periphery of both joints. Give. Other configurations are similar to those of the sensor device shown in FIG. In this case, the electromagnetic shielding property and moisture resistance of the sensor device can be further improved.
【０１１６】図２５は、本発明の第二十五実施形態であ
るセンサ装置の製造方法の分解斜視図である。図２５に
示されるように、このセンサ装置の製造方法の、図１９
に示されるようにセンサ装置の製造方法との相違点は、
センサ装置シートを各々のセンサ装置に切断する切断部
に切断用溝部１７を設けている点である。FIG. 25 is an exploded perspective view of a sensor device manufacturing method according to a twenty-fifth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 25, the method of manufacturing the sensor device shown in FIG.
The difference with the method of manufacturing the sensor device as shown in
This is that the cutting groove portion 17 is provided in the cutting portion for cutting the sensor device sheet into each sensor device.
【０１１７】この場合には、多数個連続して接続したセ
ンサ装置シートの各々のセンサ装置の間にＶ字型の切断
用溝部１７を形成しており、この切断用溝部１７に沿っ
て、各々のセンサ装置に切断する。尚、切断用溝部１７
はＶ字型のものに限られず、コ字型のものであってもよ
い。その他の構成は、図１９に示されるセンサ装置と同
様である。この場合には、センサ装置の切断時の切断性
を向上させることができる。尚、この場合には、図１９
に示されるセンサ装置と同様の効果をも奏するものであ
る。In this case, a V-shaped cutting groove portion 17 is formed between the respective sensor devices of the sensor device sheets which are continuously connected, and along the cutting groove portion 17, the V-shaped cutting groove portions 17 are formed. Disconnect to the sensor device. The cutting groove 17
Is not limited to the V-shape, but may be a U-shape. Other configurations are similar to those of the sensor device shown in FIG. In this case, the cuttability of the sensor device at the time of cutting can be improved. In this case, in FIG.
The same effect as the sensor device shown in FIG.
【０１１８】図２６は、本発明の第二十六実施形態であ
るセンサ装置の製造方法の部分断面図である。図２６に
示されるように、このセンサ装置の製造方法の、図１９
に示されるようにセンサ装置の製造方法との相違点は、
成形基台２に蓋５を接着剤で接合させたセンサ装置シー
トを、レーザ加工により各々のセンサ装置に切断すると
共に、レーザ加工による切断時に、成形基台２の溝１４
に溜まった接着剤が溶着して、切断と同時に成形基台２
と蓋５とを接合する点である。FIG. 26 is a partial cross-sectional view of the method of manufacturing a sensor device according to the twenty-sixth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 26, the method of manufacturing the sensor device shown in FIG.
The difference with the method of manufacturing the sensor device as shown in
The sensor device sheet in which the lid 5 is bonded to the molding base 2 with an adhesive is cut into each sensor device by laser processing, and at the time of cutting by laser processing, the groove 14 of the molding base 2 is cut.
The adhesive that has accumulated in
And the lid 5 are joined together.
【０１１９】この場合には、多数個連続して接続したセ
ンサ装置シートを二酸化炭素レーザ加工により各々のセ
ンサ装置に切断する。そして、レーザ照射時に発生する
熱により、接着剤が溶融し、成形基台２の凹所１の周囲
の溝１４から成形基台２と蓋５との接合面に接着剤が溶
けだして、成形基台２と蓋５との接着が完了すると共に
各々のセンサ装置の切断が完了する。その他の構成は、
図１９に示されるセンサ装置と同様である。この場合に
は、成形基台２と蓋５との接合面の接着強度を向上させ
ることができる。尚、この場合には、図１９に示される
センサ装置と同様の効果をも奏するものである。In this case, a plurality of sensor device sheets that are continuously connected are cut into respective sensor devices by carbon dioxide laser processing. Then, the heat generated during laser irradiation melts the adhesive, and the adhesive begins to melt from the groove 14 around the recess 1 of the molding base 2 to the joint surface between the molding base 2 and the lid 5 to form the molding base. The bonding between the base 2 and the lid 5 is completed, and the cutting of each sensor device is completed. Other configurations are
It is similar to the sensor device shown in FIG. In this case, the adhesive strength of the joint surface between the molding base 2 and the lid 5 can be improved. In this case, the same effect as that of the sensor device shown in FIG. 19 can be obtained.
【０１２０】[0120]
【発明の効果】本発明の請求項１記載のセンサ装置は、
部品点数を少なくしてセンサを薄型化、小型化すること
ができると共に、成形基台を蓋で密閉することにより、
耐ノイズ性を向上することができる。The sensor device according to claim 1 of the present invention comprises:
By reducing the number of parts and making the sensor thinner and smaller, by sealing the molding base with a lid,
The noise resistance can be improved.
【０１２１】本発明の請求項２記載のセンサ装置は、請
求項１記載のセンサ装置の効果に加えて、加速度センサ
用素子を使用することができる。In addition to the effects of the sensor device according to the first aspect, the sensor device according to the second aspect of the present invention can use the acceleration sensor element.
【０１２２】本発明の請求項３記載のセンサ装置は、請
求項１又は請求項２記載のセンサ装置の効果に加えて、
蓋の裏面にめっきを施すことにより、センサ装置のシー
ルド性を向上させることができる。The sensor device according to claim 3 of the present invention has the effect of the sensor device according to claim 1 or 2, and
By plating the back surface of the lid, the shielding property of the sensor device can be improved.
【０１２３】本発明の請求項４記載のセンサ装置は、請
求項１又は請求項２記載のセンサ装置の効果に加えて、
蓋の中空部にめっきを施すことにより、センサ装置のシ
ールド性を向上させることができる。According to a fourth aspect of the present invention, in addition to the effects of the first or second aspect of the sensor device,
By plating the hollow portion of the lid, the shield property of the sensor device can be improved.
【０１２４】本発明の請求項５記載のセンサ装置は、請
求項１又は請求項２記載のセンサ装置の効果に加えて、
蓋の内面にめっきを施すことにより、センサ装置のシー
ルド性を向上させることができる。According to a fifth aspect of the present invention, in addition to the effects of the first or second aspect of the sensor device,
By plating the inner surface of the lid, the shielding property of the sensor device can be improved.
【０１２５】本発明の請求項６記載のセンサ装置は、請
求項１又は請求項２記載のセンサ装置の効果に加えて、
成形基台と蓋裏面との接合面積を確保することができる
ため、成形基台と蓋との接合強度を向上させることがで
きる。The sensor device according to claim 6 of the present invention has the effect of the sensor device according to claim 1 or 2, and
Since the bonding area between the molding base and the back surface of the lid can be secured, the bonding strength between the molding base and the lid can be improved.
【０１２６】本発明の請求項７記載のセンサ装置は、請
求項１又は請求項２記載のセンサ装置の効果に加えて、
成形基台と蓋とを接合する際に、位置決めを容易にする
ことができる。The sensor device according to claim 7 of the present invention has the effect of the sensor device according to claim 1 or 2, and
Positioning can be facilitated when joining the molding base and the lid.
【０１２７】本発明の請求項８記載のセンサ装置は、請
求項１又は請求項２記載のセンサ装置の効果に加えて、
成形基台と蓋を非導電性接着剤で接合する際に、非導電
性接着剤が凹所に流れ込むことを防止することができ
る。The sensor device according to claim 8 of the present invention has, in addition to the effects of the sensor device according to claim 1 or claim 2,
When joining the molding base and the lid with the non-conductive adhesive, it is possible to prevent the non-conductive adhesive from flowing into the recess.
【０１２８】本発明の請求項９記載のセンサ装置の製造
方法は、製造方法が簡単であるため、センサ装置を安価
に製造することができる。Since the method of manufacturing the sensor device according to the ninth aspect of the present invention is simple, the sensor device can be manufactured at low cost.
【０１２９】本発明の請求項１０記載のセンサ装置の製
造方法は、加速度センサ用素子の一端を成形基台に挿入
して、これを支持する必要がないため、製造方法がさら
に簡単であるため、センサ装置をさらに安価に製造する
ことができる。In the method for manufacturing the sensor device according to the tenth aspect of the present invention, since it is not necessary to insert one end of the acceleration sensor element into the molding base and support it, the manufacturing method is simpler. The sensor device can be manufactured at a lower cost.
【０１３０】本発明の請求項１１記載のセンサ装置の製
造方法は、加速度センサ用素子をめっきで劣化させるこ
とがなく、また加速度センサ用素子の一端を成形基台の
支持部に挿入して、これを支持する必要がないため、製
造方法がさらに簡単であり、センサ装置をさらに安価に
製造することができる。In the method of manufacturing a sensor device according to the eleventh aspect of the present invention, the acceleration sensor element is not deteriorated by plating, and one end of the acceleration sensor element is inserted into the support portion of the molding base, Since it is not necessary to support this, the manufacturing method is simpler, and the sensor device can be manufactured more inexpensively.
【０１３１】本発明の請求項１２記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９、請求項１０又は請求項１１記載の
センサ装置の製造方法の効果に加えて、加速度センサ用
素子を使用することができる。The method of manufacturing a sensor device according to a twelfth aspect of the present invention uses an acceleration sensor element in addition to the effects of the method of manufacturing a sensor device according to the ninth, tenth or eleventh aspect. You can
【０１３２】本発明の請求項１３記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９、請求項１０、請求項１１又は請求
項１２記載のセンサ装置の製造方法の効果に加えて、成
形基台における蓋との接合面の表面を粗面化することに
より、成形基台と蓋との接合強度を向上させることがで
きる。The method of manufacturing a sensor device according to a thirteenth aspect of the present invention, in addition to the effects of the method of manufacturing a sensor device according to the ninth, tenth, eleventh or twelfth aspect, in addition to the effects of the molding base, By roughening the surface of the joint surface with the lid, the joint strength between the molding base and the lid can be improved.
【０１３３】本発明の請求項１４記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９記載のセンサ装置の製造方法の効果
に加えて、支持部に形成されたテーパで案内することに
より、加速度センサ用素子を支持部に容易に支持するこ
とができる。According to a fourteenth aspect of the present invention, in addition to the effects of the nineteenth aspect of the sensor device producing method, a sensor device for guiding an acceleration sensor is provided with a taper formed on a supporting portion. The element can be easily supported by the supporting portion.
【０１３４】本発明の請求項１５記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９記載のセンサ装置の製造方法の効果
に加えて、加速度センサ用素子の接合工程において、導
電性接着剤を用いることなく、加速度センサ用素子と成
形基台の接合が可能になり、加速度センサ用素子の接合
工程を簡略化できる。In the method for manufacturing a sensor device according to a fifteenth aspect of the present invention, in addition to the effects of the method for manufacturing a sensor device according to the ninth aspect, a conductive adhesive is used in the step of joining the acceleration sensor element. Therefore, the acceleration sensor element and the molding base can be joined to each other, and the step of joining the acceleration sensor element can be simplified.
【０１３５】本発明の請求項１６記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９記載のセンサ装置の製造方法の効果
に加えて、加速度センサ用素子の接合工程において、加
速度センサ用素子の位置決めが不要となり、成形基台の
形状を簡素化することができる。また、加速度センサ用
素子を傾けた状態で支持することができる。According to a sixteenth aspect of the present invention, in addition to the effect of the method for producing a sensor device according to the ninth aspect, the acceleration sensor element can be positioned in the step of joining the acceleration sensor element. It becomes unnecessary and the shape of the molding base can be simplified. Further, the acceleration sensor element can be supported in a tilted state.
【０１３６】本発明の請求項１７記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項１２記載のセンサ装置の製造方法の効
果に加えて、センサ装置をさらに安価に製造することが
できる。According to the seventeenth aspect of the present invention, in addition to the effects of the twelfth aspect of the method for producing a sensor device, the sensor device can be produced at a lower cost.
【０１３７】本発明の請求項１８記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項１７記載のセンサ装置の製造方法の効
果に加えて、センサ装置をさらに安価に製造することが
できる。According to the manufacturing method of the sensor device of the eighteenth aspect of the present invention, in addition to the effect of the manufacturing method of the sensor device of the seventeenth aspect, the sensor device can be manufactured at a lower cost.
【０１３８】本発明の請求項１９記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９、請求項１０、請求項１１又は請求
項１２記載のセンサ装置の製造方法の効果に加えて、セ
ンサ装置の電磁気シールド性及び耐湿性を向上させるこ
とができる。According to a nineteenth aspect of the present invention, in addition to the effects of the ninth, tenth, eleventh or twelfth aspect of the method of manufacturing a sensor device, the electromagnetic sensor of the sensor device can be manufactured. The shield property and the moisture resistance can be improved.
【０１３９】本発明の請求項２０記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項１９記載のセンサ装置の製造方法の効
果に加えて、センサ装置の電磁気シールド性及び耐湿性
をさらに向上させることができる。The method for manufacturing a sensor device according to a twentieth aspect of the present invention can further improve the electromagnetic shielding property and the moisture resistance of the sensor device, in addition to the effect of the method for manufacturing a sensor device according to the nineteenth aspect. .
【０１４０】本発明の請求項２１記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項９、請求項１０、請求項１１又は請求
項１２記載のセンサ装置の製造方法の効果に加えて、セ
ンサ装置の耐湿性を向上させることができる。The method of manufacturing a sensor device according to a twenty-first aspect of the present invention has the effect of the method of manufacturing a sensor device according to the ninth, tenth, eleventh or twelfth aspect, in addition to the moisture resistance of the sensor device. It is possible to improve the sex.
【０１４１】本発明の請求項２２記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項１７記載のセンサ装置の製造方法の効
果に加えて、センサ装置の切断時の切断性を向上させる
ことができる。The method for manufacturing a sensor device according to a twenty-second aspect of the present invention can improve the cuttability of the sensor device during cutting, in addition to the effect of the method for manufacturing a sensor device according to the seventeenth aspect.
【０１４２】本発明の請求項２３記載のセンサ装置の製
造方法は、請求項１７記載のセンサ装置の製造方法の効
果に加えて、成形基台と蓋との接合面の接着強度を向上
させることができる。The method for manufacturing a sensor device according to a twenty-third aspect of the present invention, in addition to the effect of the method for manufacturing a sensor device according to the seventeenth aspect, is to improve the adhesive strength of the joint surface between the molding base and the lid. You can
【図１】本発明の第一実施形態であるセンサ装置の分解
斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of a sensor device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第二実施形態であるセンサ装置の分解
斜視図である。FIG. 2 is an exploded perspective view of a sensor device according to a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明の第三実施形態であるセンサ装置の分解
斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of a sensor device according to a third embodiment of the present invention.
【図４】本発明の第四実施形態であるセンサ装置の分解
斜視図である。FIG. 4 is an exploded perspective view of a sensor device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第五実施形態であるセンサ装置の分解
斜視図である。FIG. 5 is an exploded perspective view of a sensor device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第六実施形態であるセンサ装置の製造
方法の構成図であり、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は成
形基台の成形工程を示すものであり、図６（ｄ）、
（ｅ）、（ｆ）は回路部の形成工程を示すものであり、
図６（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）は加速度センサ用素子の接
合工程を示すものであり、図６（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）
は蓋の接合工程を示すものである。FIG. 6 is a configuration diagram of a method for manufacturing a sensor device according to a sixth embodiment of the present invention, and FIGS. 6 (a), 6 (b) and 6 (c) show a forming process of a forming base, FIG. 6 (d),
(E) and (f) show a process of forming a circuit part,
6 (g), 6 (h) and 6 (i) show the steps of joining the acceleration sensor element, and FIGS. 6 (j), 6 (k) and 6 (l).
Shows the step of joining the lids.
【図７】本発明の第七実施形態であるセンサ装置の製造
方法の構成図であり、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は成
形基台の成形工程を示すものであり、図７（ｄ）、
（ｅ）、（ｆ）は回路部の形成工程を示すものであり、
図７（ｇ）、（ｈ）、（ｉ）は加速度センサ用素子の接
合工程を示すものであり、図７（ｊ）、（ｋ）、（ｌ）
は蓋の接合工程を示すものである。FIG. 7 is a configuration diagram of a method for manufacturing a sensor device according to a seventh embodiment of the present invention, wherein FIGS. 7 (a), (b), and (c) show a forming process of a forming base, 7 (d),
(E) and (f) show a process of forming a circuit part,
7 (g), (h), and (i) show the steps of joining the acceleration sensor element, and FIGS. 7 (j), (k), and (l).
Shows the step of joining the lids.
【図８】本発明の第八実施形態であるセンサ装置の製造
方法の構成図であり、図８（ａ）は転写フィルムの平面
図である。図８（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は成形基台２の
成形工程を示すものであり、図８（ｅ）、（ｆ）、
（ｇ）は加速度センサ用素子の接合工程を示すものであ
り、図８（ｈ）、（ｉ）、（ｊ）は蓋の接合工程を示す
ものである。FIG. 8 is a configuration diagram of a method for manufacturing a sensor device according to an eighth embodiment of the present invention, and FIG. 8A is a plan view of a transfer film. 8 (b), (c), and (d) show a molding process of the molding base 2, and FIGS. 8 (e), (f),
8 (g) shows a step of joining the acceleration sensor element, and FIGS. 8 (h), (i), and (j) show a step of joining the lid.
【図９】本発明の第九実施形態であるセンサ装置の製造
方法の部分断面図である。FIG. 9 is a partial cross-sectional view of the method for manufacturing the sensor device according to the ninth embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第十実施形態であるセンサ装置の製
造方法の部分断面図である。FIG. 10 is a partial cross-sectional view of the method for manufacturing the sensor device according to the tenth embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の第十一実施形態であるセンサ装置の
製造方法の部分断面図である。FIG. 11 is a partial cross-sectional view of the method for manufacturing the sensor device according to the eleventh embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の第十二実施形態であるセンサ装置の
製造方法の断面図である。FIG. 12 is a sectional view of the method for manufacturing the sensor device according to the twelfth embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の第十三実施形態であるセンサ装置の
製造方法の分解斜視図である。FIG. 13 is an exploded perspective view of the method for manufacturing the sensor device according to the thirteenth embodiment of the present invention.
【図１４】本発明の第十四実施形態であるセンサ装置の
製造方法の斜視図である。FIG. 14 is a perspective view of the method for manufacturing the sensor device according to the fourteenth embodiment of the present invention.
【図１５】本発明の第十五実施形態であるセンサ装置の
製造方法の斜視図である。FIG. 15 is a perspective view of the method for manufacturing the sensor device according to the fifteenth embodiment of the present invention.
【図１６】本発明の第十六実施形態であるセンサ装置の
製造方法の分解斜視図である。FIG. 16 is an exploded perspective view of the method for manufacturing the sensor device according to the sixteenth embodiment of the present invention.
【図１７】本発明の第十七実施形態であるセンサ装置の
製造方法の分解斜視図である。FIG. 17 is an exploded perspective view of the method for manufacturing the sensor device according to the seventeenth embodiment of the present invention.
【図１８】本発明の第十八実施形態であるセンサ装置の
製造方法の分解斜視図である。FIG. 18 is an exploded perspective view of the method for manufacturing the sensor device according to the eighteenth embodiment of the present invention.
【図１９】本発明の第十九実施形態であるセンサ装置の
製造方法の構成図であり、図１９（ａ）は成形工程を示
すものであり、図１９（ｂ）は回路部の形成工程を示す
ものであり、図１９（ｃ）は加速度センサ用素子の接合
工程を示すものであり、図１９（ｄ）は蓋５の接合工程
を示すものであり、図１９（ｅ）は切断工程を示すもの
である。FIG. 19 is a configuration diagram of a method for manufacturing a sensor device according to a nineteenth embodiment of the present invention, FIG. 19 (a) shows a molding step, and FIG. 19 (b) shows a circuit part forming step. 19 (c) shows a step of joining the acceleration sensor element, FIG. 19 (d) shows a step of joining the lid 5, and FIG. 19 (e) shows a cutting step. Is shown.
【図２０】本発明の第二十実施形態であるセンサ装置の
製造方法の構成図であり、図２０（ａ）は成形工程を示
すものであり、図２０（ｂ）は回路部の形成工程を示す
ものであり、図２０（ｃ）は加速度センサ用素子の接合
工程を示すものであり、図２０（ｄ）は蓋の接合工程を
示すものであり、図２０（ｅ）は切断工程を示すもので
ある。FIG. 20 is a configuration diagram of a method for manufacturing a sensor device according to a twentieth embodiment of the present invention, FIG. 20 (a) shows a molding step, and FIG. 20 (b) shows a circuit part forming step. 20 (c) shows a step of joining the acceleration sensor element, FIG. 20 (d) shows a step of joining the lid, and FIG. 20 (e) shows a cutting step. It is shown.
【図２１】本発明の第二十一実施形態であるセンサ装置
の製造方法の構成図であり、図２１（ａ）は成形工程を
示すものであり、図２１（ｂ）は回路部の形成工程を示
すものであり、図２１（ｃ）は加速度センサ用素子の接
合工程を示すものであり、図２１（ｄ）は蓋の接合工程
を示すものであり、図２１（ｅ）は切断工程を示すもの
である。FIG. 21 is a configuration diagram of a method for manufacturing a sensor device according to a twenty first embodiment of the present invention, FIG. 21 (a) shows a molding step, and FIG. 21 (b) shows formation of a circuit portion. 21 (c) shows a step of joining the acceleration sensor element, FIG. 21 (d) shows a step of joining the lid, and FIG. 21 (e) shows a cutting step. Is shown.
【図２２】本発明の第二十二実施形態であるセンサ装置
の製造方法の構成図であり、図２２（ａ）は蓋５の接合
工程を示すものであり、図２２（ｂ）は切断工程を示す
ものである。22A and 22B are configuration diagrams of a method for manufacturing a sensor device according to a twenty second embodiment of the present invention, FIG. 22A shows a joining step of the lid 5, and FIG. It shows a process.
【図２３】図２３（ａ）は、本発明の第二十三実施形態
であるセンサ装置の製造方法の分解斜視図であり、図２
３（ｂ）は、同実施形態であるセンサ装置の斜視図であ
る。23A is an exploded perspective view of the method for manufacturing the sensor device according to the twenty-third embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 3B is a perspective view of the sensor device according to the same embodiment.
【図２４】図２４（ａ）は、本発明の第二十四実施形態
であるセンサ装置の製造方法の分解斜視図であり、図２
４（ｂ）は、同実施形態であるセンサ装置の斜視図であ
る。24A is an exploded perspective view of the method for manufacturing the sensor device according to the twenty-fourth embodiment of the present invention, and FIG.
FIG. 4B is a perspective view of the sensor device according to the same embodiment.
【図２５】本発明の第二十五実施形態であるセンサ装置
の製造方法の分解斜視図である。FIG. 25 is an exploded perspective view of the method for manufacturing the sensor device according to the twenty-fifth embodiment of the present invention.
【図２６】本発明の第二十六実施形態であるセンサ装置
の製造方法の部分断面図である。FIG. 26 is a partial cross-sectional view of the method for manufacturing the sensor device according to the twenty-sixth embodiment of the present invention.
【図２７】従来例の製造工程における端子片、支持体及
び保持体を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は同
図（ａ）のＡ−Ａ線側面断面図、（ｃ）は同図（ａ）の
Ｂ−Ｂ線正面断面図である。27A and 27B are diagrams showing a terminal piece, a support and a holder in a manufacturing process of a conventional example, FIG. 27A is a plan view, FIG. 27B is a side sectional view taken along the line AA of FIG. FIG. 3C is a front sectional view taken along line BB of FIG.
【図２８】従来例の製造工程における端子片、支持体、
保持体及び圧電素子を示す図であり、（ａ）は平面図、
（ｂ）は同図（ａ）のＡ−Ａ線側面断面図、（ｃ）は同
図（ａ）のＢ−Ｂ線正面断面図である。FIG. 28 is a terminal piece, a support, in a manufacturing process of a conventional example.
It is a figure which shows a holding body and a piezoelectric element, (a) is a top view,
(B) is a side sectional view taken along the line AA in FIG. (A), and (c) is a front sectional view taken along the line BB in FIG. (A).
【図２９】従来例の製造工程における端子片、支持体、
圧電素子及びシールトケースを示す図であり、（ａ）は
一部破断した平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は同図
（ａ）のＡ−Ａ線正面断面図である。FIG. 29 shows a terminal piece, a support, in a manufacturing process of a conventional example.
It is a figure which shows a piezoelectric element and a shield case, (a) is a partially broken plan view, (b) is a side view, (c) is the AA line front sectional view of the same figure (a).
【図３０】従来例の圧電型加速度センサを示す図であ
り、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は正面図
である。30A and 30B are diagrams showing a conventional piezoelectric acceleration sensor, in which FIG. 30A is a plan view, FIG. 30B is a side view, and FIG.
１ 凹所 ２ 成形基台 ３ 回路部 ４ 加速度センサ用素子 ５ 蓋 ６ 支持部 ７ 中空部 ８ 転写フィルム １１ 嵌合部 １２ 接合部 １３ 凸部 １４ 溝 １６ 素子固定部品 １７ 切断用溝部 1 recess 2 molding base 3 circuit part 4 acceleration sensor element 5 lid 6 support part 7 hollow part 8 transfer film 11 fitting part 12 joint part 13 convex part 14 groove 16 element fixing part 17 cutting groove part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武藤 正英 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 中村 良光 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 森 秀夫 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 (72)発明者 小林 義信 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Masahide Muto 1048, Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Works Ltd. (72) Yoshimitsu Nakamura, 1048, Kadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Works Ltd. (72) 72) Inventor Hideo Mori 1048, Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Works Co., Ltd. (72) Yoshinobu Kobayashi, 1048, Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Works Co., Ltd.
Claims (23)
し、前記凹所の内面を含む成形基台の表面に所定のパタ
ーンの導電膜を形成し、前記凹所にセンサ用素子を接合
し、成形基台を蓋で密閉してなることを特徴とするセン
サ装置。1. A box-shaped molding base is provided with an open recess, a conductive film having a predetermined pattern is formed on the surface of the molding base including the inner surface of the recess, and the recess is used as a sensor. A sensor device in which elements are joined and a molding base is sealed with a lid.
ることを特徴とする請求項１記載のセンサ装置。2. The sensor device according to claim 1, wherein the sensor element is an acceleration sensor element.
徴とする請求項１又は請求項２記載のセンサ装置。3. The sensor device according to claim 1, wherein the back surface of the lid is plated.
めっきを施してなることを特徴とする請求項１又は請求
項２記載のセンサ装置。4. The sensor device according to claim 1, wherein a hollow portion is formed in the lid, and the inner surface of the hollow portion is plated.
で形成し、成形基台と蓋とを嵌合してなることを特徴と
する請求項１又は請求項２記載のセンサ装置。5. The sensor device according to claim 1 or 2, wherein the lid is formed of a tubular body having an inner surface plated, and the molding base and the lid are fitted to each other. .
裏面の端部に前記嵌合部に嵌合する接合部を設けたこと
を特徴とする請求項１又は請求項２記載のセンサ装置。6. The molding base according to claim 1, wherein a fitting portion is provided at an upper end portion of the molding base, and a joint portion which is fitted to the fitting portion is provided at an end portion of a back surface of the lid. The described sensor device.
少なくとも一方に位置合わせ用の凸部を設けたことを特
徴とする請求項１又は請求項２記載のセンサ装置。7. The sensor device according to claim 1, wherein a positioning projection is provided on at least one of an upper end portion of the molding base and an end portion of the lid back surface.
を特徴とする請求項１又は請求項２記載のセンサ装置。8. The sensor device according to claim 1, wherein a groove is provided around the recess of the molding base.
台を成形する成形工程、前記凹所の内面を含む成形基台
の表面に所定のパターンのシールドと通電のための導電
膜を形成する工程、前記凹所にセンサ用素子を接合する
と共に、前記導電膜とセンサ用素子を接続する接合工程
及び成形基台に蓋を接合する工程からなることを特徴と
するセンサ装置の製造方法。9. A molding step of molding a box-shaped molding base for forming an open recess, a shield having a predetermined pattern on the surface of the molding base including an inner surface of the recess, and a conductive film for conducting electricity. And a step of joining a sensor element to the recess, a step of joining the conductive film and the sensor element, and a step of joining a lid to a molding base. Method.
基台を成形すると同時に、前記凹所にセンサ用素子を接
合して同時成形する成形工程、前記凹所の内面を含む成
形基台の表面に所定のパターンのシールドと通電のため
の導電膜を形成する工程、前記導電膜とセンサ用素子を
接続する接合工程及び成形基台に蓋を接合する工程から
なることを特徴とするセンサ装置の製造方法。10. A molding step of molding a box-shaped molding base forming an open recess and simultaneously molding a sensor element in the recess, and a molding base including an inner surface of the recess. It is characterized by comprising a step of forming a shield having a predetermined pattern and a conductive film for conducting electricity on the surface of the table, a step of connecting the conductive film and the sensor element, and a step of bonding a lid to the molding base. Manufacturing method of sensor device.
膜を形成する工程、開放された凹所を形成する箱状の成
形基台を成形すると同時に、前記凹所にセンサ用素子を
接合して同時成形すると共に、前記凹所の内面を含む成
形基台の表面にに前記導電膜を転写する成形工程、前記
導電膜とセンサ用素子を接続する接合工程及び成形基台
に蓋を接合する工程からなることを特徴とするセンサ装
置の製造方法。11. A step of forming a conductive film having a predetermined pattern on a transfer film, the step of forming a box-shaped forming base for forming an open recess, and at the same time by joining a sensor element to the recess. From the molding step of molding and transferring the conductive film to the surface of the molding base including the inner surface of the recess, the bonding step of connecting the conductive film and the sensor element, and the step of bonding the lid to the molding base. A method for manufacturing a sensor device, comprising:
あることを特徴とする請求項９、請求項１０又は請求項
１１記載のセンサ装置の製造方法。12. The method for manufacturing a sensor device according to claim 9, 10 or 11, wherein the sensor element is an acceleration sensor element.
を、回路部の形成時にレーザ加工により粗面化すること
を特徴とする請求項９、請求項１０、請求項１１又は請
求項１２記載のセンサ装置の製造方法。13. The method according to claim 9, wherein the surface of the joint surface with the lid of the molding base is roughened by laser processing when forming the circuit portion. A method for manufacturing the described sensor device.
って、成形基台の凹所に、前記加速度センサ用素子を支
持する支持部を設け、該支持部にテーパを形成すること
を特徴とする請求項９記載のセンサ装置の製造方法。14. The acceleration sensor element is used as the sensor element, and a support portion for supporting the acceleration sensor element is provided in the recess of the molding base, and the support portion is tapered. The method for manufacturing the sensor device according to claim 9.
って、成形基台の凹所に、前記加速度センサ用素子を支
持する支持部を設け、該支持部に加速度センサ用素子を
圧入することを特徴とする請求項９記載のセンサ装置の
製造方法。15. The acceleration sensor element is used as the sensor element, and a support portion for supporting the acceleration sensor element is provided in the recess of the molding base, and the acceleration sensor element is press-fitted into the support portion. The method for manufacturing a sensor device according to claim 9, wherein the sensor device is manufactured.
って、素子固定部品を備え、前記加速度センサ用素子を
前記素子固定部品に挿入した後に、成形基台の凹所に接
合することを特徴とする請求項９記載のセンサ装置の製
造方法。16. A sensor element is an element for an acceleration sensor, which is provided with an element fixing component, and is inserted into the element fixing component and then joined to a recess of a molding base. The method for manufacturing a sensor device according to claim 9.
って、成形基台を多数個連続して接続した成形基台シー
トを成形し、導電膜を形成し、加速度センサ用素子を接
合し、蓋を接合して多数個連続して接続したセンサ装置
シートを製造し、各々のセンサ装置に切断することを特
徴とする請求項１２記載のセンサ装置の製造方法。17. The sensor element is an acceleration sensor element, and a molding base sheet in which a plurality of molding bases are continuously connected is molded, a conductive film is formed, the acceleration sensor element is joined, and a lid is formed. 13. The method for manufacturing a sensor device according to claim 12, wherein a plurality of sensor device sheets that are joined to each other are continuously manufactured to be cut, and the sensor device sheets are cut into the respective sensor devices.
形基台シートを成形し、導電膜を形成し、加速度センサ
用素子を接合し、一枚の蓋を接合して多数個連続して接
続したセンサ装置シートを製造し、各々のセンサ装置に
切断することを特徴とする請求項１７記載のセンサ装置
の製造方法。18. A molding base sheet in which a large number of molding bases are continuously connected to each other is molded, a conductive film is formed, an acceleration sensor element is joined, and a lid is joined to join a large number of them. 18. The method for manufacturing a sensor device according to claim 17, wherein the sensor device sheet connected by connecting the sensor devices is manufactured, and each of the sensor devices is cut.
蓋における成形基台との接合部にメッキを施してメッキ
面を形成し、成形基台のめっき面と、蓋のめっき面とを
接合することを特徴とする請求項９、請求項１０、請求
項１１又は請求項１２記載のセンサ装置の製造方法。19. A joint portion with a lid in a molding base,
11. The plating surface of the lid is joined to the molding base to form a plating surface, and the plating surface of the molding base and the plating surface of the lid are bonded to each other. Item 11. A method of manufacturing a sensor device according to claim 12.
とを接合した後に、該接合部の外周に沿ってめっきを施
すことを特徴とする請求項１９記載のセンサ装置の製造
方法。20. The method for manufacturing a sensor device according to claim 19, wherein after the plating surface of the molding base and the plating surface of the lid are bonded, plating is performed along the outer periphery of the bonding portion.
基台の全面に防湿材を塗布すると共に、回路部の表面を
研磨してメッキ面を露出させることを特徴とする請求項
９、請求項１０、請求項１１又は請求項１２記載のセン
サ装置の製造方法。21. The method according to claim 9, wherein after the lid is joined to the molding base, a moistureproof material is applied to the entire surface of the molding base and the surface of the circuit portion is polished to expose the plated surface. 13. The method for manufacturing a sensor device according to claim 10, claim 11, or claim 12.
に切断する切断部に切断用溝部を設けることを特徴とす
る請求項１７記載のセンサ装置の製造方法。22. The method of manufacturing a sensor device according to claim 17, wherein a cutting groove is provided in a cutting portion for cutting the sensor device sheet into each sensor device.
ンサ装置シートを、レーザ加工により各々のセンサ装置
に切断すると共に、レーザ加工による切断時に、成形基
台の側面に溶け出した接着剤が接合面に溶着することを
特徴とする請求項１７記載のセンサ装置の製造方法。23. A sensor device sheet having a lid bonded to a molding base with an adhesive is cut into each sensor device by laser processing, and the adhesive melted to the side surface of the molding base at the time of cutting by laser processing. The method of manufacturing a sensor device according to claim 17, wherein the agent is welded to the joint surface.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP8131960A JPH09318650A (en) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | Sensor device and its manufacture |
Publications (1)
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ID=15070247
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| JP8131960A Pending JPH09318650A (en) | 1996-05-27 | 1996-05-27 | Sensor device and its manufacture |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09318650A (en) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001194158A (en) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Microstone Corp | Method of manufacturing for sensor vibrator of piezoelectric motion sensor |
| US6578421B1 (en) | 1999-12-28 | 2003-06-17 | Fujitsu Limited | Acceleration sensor, acceleration sensor device, and method of fabricating an acceleration sensor |
| JP2004012326A (en) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Hiroaki Niitsuma | Physical quantity detector and its manufacturing method |
| US6823735B2 (en) | 2001-01-24 | 2004-11-30 | Fujitsu Limited | Acceleration sensor |
| JP2004537182A (en) * | 2000-11-28 | 2004-12-09 | ノウレス エレクトロニクス， リミテッド ライアビリティ カンパニー | Small silicon condenser microphone and method of manufacturing the same |
| US7381589B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-06-03 | Knowles Electronics, Llc | Silicon condenser microphone and manufacturing method |
| US7382048B2 (en) | 2003-02-28 | 2008-06-03 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic transducer module |
| JP2008209411A (en) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Silicon Micro Sensors Gmbh | Pressure sensor |
| US7439616B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-21 | Knowles Electronics, Llc | Miniature silicon condenser microphone |
| JP2009031048A (en) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Seiko Instruments Inc | Piezoelectric acceleration sensor |
| US7501703B2 (en) | 2003-02-28 | 2009-03-10 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic transducer module |
| JP2011238860A (en) * | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Nhk Spring Co Ltd | Electrical connection structure of piezoelectric element, and head suspension |
| JP2012117933A (en) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Denso Corp | Method of producing adhesion structure |
| US9040360B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-26 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port multi-part surface mount MEMS microphones |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| CN105004469A (en) * | 2015-06-09 | 2015-10-28 | 中北大学 | A passive high-temperature voltage sensor utilizing the microwave scattering principle, and a preparation method thereof |
| US9374643B2 (en) | 2011-11-04 | 2016-06-21 | Knowles Electronics, Llc | Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture |
| JP2017134014A (en) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 株式会社鷺宮製作所 | Pressure sensor |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
| JP2018155531A (en) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | Physical quantity detector, physical quantity detection device, electronic apparatus, and mobile body |
| JP2019060771A (en) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | セイコーインスツル株式会社 | Pressure sensor |
-
1996
- 1996-05-27 JP JP8131960A patent/JPH09318650A/en active Pending
Cited By (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6792806B2 (en) | 1999-12-28 | 2004-09-21 | Fujitsu Limited | Acceleration sensor device |
| US6578421B1 (en) | 1999-12-28 | 2003-06-17 | Fujitsu Limited | Acceleration sensor, acceleration sensor device, and method of fabricating an acceleration sensor |
| JP2001194158A (en) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Microstone Corp | Method of manufacturing for sensor vibrator of piezoelectric motion sensor |
| US9024432B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-05 | Knowles Electronics, Llc | Bottom port multi-part surface mount MEMS microphone |
| US7537964B2 (en) | 2000-11-28 | 2009-05-26 | Knowles Electronics, Llc | Method of fabricating a miniature silicon condenser microphone |
| JP2004537182A (en) * | 2000-11-28 | 2004-12-09 | ノウレス エレクトロニクス， リミテッド ライアビリティ カンパニー | Small silicon condenser microphone and method of manufacturing the same |
| US7242089B2 (en) | 2000-11-28 | 2007-07-10 | Knowles Electronics, Llc | Miniature silicon condenser microphone |
| US7381589B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-06-03 | Knowles Electronics, Llc | Silicon condenser microphone and manufacturing method |
| US9023689B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-05 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount MEMS microphone |
| US9040360B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-05-26 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port multi-part surface mount MEMS microphones |
| US7434305B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-14 | Knowles Electronics, Llc. | Method of manufacturing a microphone |
| US7439616B2 (en) | 2000-11-28 | 2008-10-21 | Knowles Electronics, Llc | Miniature silicon condenser microphone |
| US9338560B1 (en) | 2000-11-28 | 2016-05-10 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount silicon condenser microphone |
| US9133020B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-15 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port surface mount MEMS microphones |
| US9096423B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-08-04 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port multi-part surface mount MEMS microphones |
| US9156684B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-10-13 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port surface mount MEMS microphones |
| US9051171B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-06-09 | Knowles Electronics, Llc | Bottom port surface mount MEMS microphone |
| US9150409B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-10-06 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of bottom port surface mount MEMS microphones |
| US9148731B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-29 | Knowles Electronics, Llc | Top port surface mount MEMS microphone |
| US9006880B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-04-14 | Knowles Electronics, Llc | Top port multi-part surface mount silicon condenser microphone |
| US9067780B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-06-30 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port surface mount MEMS microphones |
| US9139422B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-22 | Knowles Electronics, Llc | Bottom port surface mount MEMS microphone |
| US9139421B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-09-22 | Knowles Electronics, Llc | Top port surface mount MEMS microphone |
| US8018049B2 (en) | 2000-11-28 | 2011-09-13 | Knowles Electronics Llc | Silicon condenser microphone and manufacturing method |
| US9061893B1 (en) | 2000-11-28 | 2015-06-23 | Knowles Electronics, Llc | Methods of manufacture of top port multi-part surface mount silicon condenser microphones |
| US6823735B2 (en) | 2001-01-24 | 2004-11-30 | Fujitsu Limited | Acceleration sensor |
| JP2004012326A (en) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Hiroaki Niitsuma | Physical quantity detector and its manufacturing method |
| US7501703B2 (en) | 2003-02-28 | 2009-03-10 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic transducer module |
| US7382048B2 (en) | 2003-02-28 | 2008-06-03 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic transducer module |
| US7633156B2 (en) | 2003-02-28 | 2009-12-15 | Knowles Electronics, Llc | Acoustic transducer module |
| JP2008209411A (en) * | 2007-02-23 | 2008-09-11 | Silicon Micro Sensors Gmbh | Pressure sensor |
| JP2009031048A (en) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Seiko Instruments Inc | Piezoelectric acceleration sensor |
| JP2011238860A (en) * | 2010-05-12 | 2011-11-24 | Nhk Spring Co Ltd | Electrical connection structure of piezoelectric element, and head suspension |
| JP2012117933A (en) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Denso Corp | Method of producing adhesion structure |
| US9374643B2 (en) | 2011-11-04 | 2016-06-21 | Knowles Electronics, Llc | Embedded dielectric as a barrier in an acoustic device and method of manufacture |
| US9078063B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-07-07 | Knowles Electronics, Llc | Microphone assembly with barrier to prevent contaminant infiltration |
| CN105004469A (en) * | 2015-06-09 | 2015-10-28 | 中北大学 | A passive high-temperature voltage sensor utilizing the microwave scattering principle, and a preparation method thereof |
| US9794661B2 (en) | 2015-08-07 | 2017-10-17 | Knowles Electronics, Llc | Ingress protection for reducing particle infiltration into acoustic chamber of a MEMS microphone package |
| JP2017134014A (en) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 株式会社鷺宮製作所 | Pressure sensor |
| JP2018155531A (en) * | 2017-03-16 | 2018-10-04 | セイコーエプソン株式会社 | Physical quantity detector, physical quantity detection device, electronic apparatus, and mobile body |
| CN108627675A (en) * | 2017-03-16 | 2018-10-09 | 精工爱普生株式会社 | Physical quantity detector, measuring physical, electronic equipment and moving body |
| JP2019060771A (en) * | 2017-09-27 | 2019-04-18 | セイコーインスツル株式会社 | Pressure sensor |
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