JPH09316149A - Resin composition, film thereof, and cured product thereof - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resin composition used for, e.g. a resistor pattern which can be developed with water or an aqueous alkali solution, having good precision, leaves little organic residues when baked by heating, and having excellent adhesion, a film thereof, and a cured product thereof. SOLUTION: This composition contains a polymer (A) obtained by reacting a polymer prepared from a compound (a) having one (meth)acryloyl or vinyl group and one glycidyl group in the molecule and an ethylenically unsaturated monomer copolymerizable with the compound (a) with an oligo- or poly-ethylene glycol (d) having an amino group at one terminal thereof and a compound (e) having one (meth)acryloyl or vinyl group and one carboxyl group in the molecule or a compound (A') obtained by allowing polymer A to enter into an addition reaction with a polycarboxylic anhydride, a diluent, a photopolymerization initiator, and at least one member selected among metal powder, metal oxides and glass.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イ、蛍光表示管及び電子部品等に用いる抵抗体パター
ン、導体回路パターン又は螢光体パターンあるいは隔壁
等の製造工程において好適に用いられ、紫外線による露
光、弱アルカリ水溶液又は水による現像後に４００〜１
０００℃で焼成することにより電流を安定的に流す為の
良好な抵抗体パターン、優れた導電性を有する回路パタ
ーン、螢光体パターンあるいは隔壁等を形成する樹脂組
成物、そのフィルム、その硬化物及び焼成成型物に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is preferably used in a manufacturing process of a resistor pattern, a conductor circuit pattern or a fluorescent substance pattern, a partition wall or the like used in a plasma display, a fluorescent display tube, an electronic component, etc. 400 to 1 after development with weak alkaline aqueous solution or water
A resin composition for forming a good resistor pattern, a circuit pattern having excellent conductivity, a fluorescent substance pattern, partition walls, or the like for stably flowing an electric current by firing at 000 ° C., a film thereof, and a cured product thereof. And a fired molded product.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、プラズマディスプレイ用の抵抗
体、螢光体及び隔壁、あるいは回路用導体は、抵抗体ペ
ースト（抵抗体をペースト状にしたもの）、螢光体ペー
スト（螢光体をペースト状にしたもの），隔壁ペースト
（隔壁用物質をペースト状にしたもの）及び導体ペース
ト（銅粉、銀粉等の導電物質をペースト状したもの）を
スクリーン印刷等によりパターン印刷し、次いで焼成す
ることにより抵抗体パターン、螢光体パターン及び隔壁
パターン、あるいは導体回路パターンを形成するものが
知られている。しかし、これらは近年の抵抗体パター
ン、螢光体パターン、隔壁パターン、あるいは導体回路
パターンの高密度、細線パターン化には対応できない。
さらに、基板にペーストを塗布する工程において、基板
が大型になると均一な膜厚で塗布することが困難である
ため、得られた抵抗体、蛍光体、隔壁及び導体の特性が
ばらつく傾向がある。また、従来の樹脂成分は熱分解温
度が比較的高く、焼成後の有機物の残渣のために、抵抗
体、導体、蛍光体及び隔壁の機能を十分に果たすことが
困難であった。2. Description of the Related Art Conventionally, resistors, phosphors and barrier ribs for plasma displays, or circuit conductors have been used as resistor pastes (resist pastes), fluorescent pastes (fluorescent pastes). Pattern), partition paste (paste of partition material) and conductor paste (paste of conductive material such as copper powder, silver powder) by pattern printing by screen printing and then firing. It is known that a resistor pattern, a fluorescent substance pattern, a partition pattern, or a conductor circuit pattern is formed by the above method. However, these cannot cope with the recent high density, fine line pattern of the resistor pattern, the fluorescent pattern, the partition pattern, or the conductor circuit pattern.
Further, in the step of applying the paste to the substrate, it is difficult to apply a uniform film thickness when the size of the substrate is large, and thus the characteristics of the obtained resistor, phosphor, partition and conductor tend to vary. Further, the conventional resin component has a relatively high thermal decomposition temperature, and it is difficult to sufficiently fulfill the functions of the resistor, the conductor, the phosphor and the partition wall due to the residue of the organic substance after firing.

【０００３】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の欠点
を改良し、細密なパターン作成が可能で紫外線で硬化
後、弱アルカリ水溶液（例えば、１％炭酸ソーダ水溶液
等）又は水で現像し、焼成工程では樹脂成分の熱分解温
度が低いために有機物の残渣が少なく、良好な抵抗体パ
ターン、螢光体パターン、隔壁パターンあるいは導体回
路パターンを形成する樹脂組成物及びその硬化物を提供
する。また、従来の印刷法に換えて、この組成物をフィ
ルム化し基板に張り付けることにより、均一な膜厚が確
保できる。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention improves the above-mentioned drawbacks and enables fine pattern formation. After curing with ultraviolet rays, development with a weak alkaline aqueous solution (eg, 1% sodium carbonate aqueous solution) or water is carried out. Provided are a resin composition which forms a good resistor pattern, a fluorescent substance pattern, a partition wall pattern or a conductor circuit pattern, and a cured product thereof, in which a residue of an organic substance is small due to a low thermal decomposition temperature of a resin component in a firing step. . Further, instead of the conventional printing method, a uniform film thickness can be secured by forming a film of this composition and applying it to a substrate.

【０００４】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、［１］１分子
中に（メタ）アクリロイル基又はビニル基とグリシジル
基を１つづつ有する化合物（ａ）と（ａ）と共重合可能
なエチレン性不飽和単量体（ｂ）の重合体（ｃ）にオリ
ゴ又はポリエチレングリコールの片末端アミノ化合物
（ｄ）及び１分子中に（メタ）アクリロイル基又はビニ
ル基とカルボキシル基を１つづつ有する化合物（ｅ）を
反応させて得られる重合体（Ａ）、希釈剤（Ｂ）、光重
合開始剤（Ｃ）、金属粉、金属酸化物又はガラスの中か
ら選択される１種又は２種以上（Ｄ）を含有することを
特徴とする樹脂組成物、［２］上記［２］記載の重合体
（Ａ）に多カルボン酸の酸無水物を付加させて得られる
化合物（Ａ’）、希釈剤（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）、
金属粉、金属酸化物又はガラスの中から選択される１種
又は２種以上（Ｄ）を含有することを特徴とする樹脂組
成物、［３］抵抗体パターン、導体パターン、螢光体パ
ターン又は隔壁パターン用の上記［１］及び［２］記載
のの樹脂組成物、［４］上記［１］、［２］及び［３］
記載の組成物から成るフィルム、［４］上記［１］、
［２］、［３］及び［４］記載の組成物の硬化物、
［６］上記［５］記載の硬化物を焼成して得られる抵抗
体、導体、蛍光体及び隔壁、に関する。MEANS FOR SOLVING THE PROBLEMS The present invention relates to [1] ethylene copolymerizable with compounds (a) and (a) each having one (meth) acryloyl group or vinyl group and one glycidyl group in one molecule. A compound (c) of a polyunsaturated monomer (b) and an amino compound (d) of one terminal of oligo or polyethylene glycol, and a compound having one (meth) acryloyl group or vinyl group and one carboxyl group in one molecule Polymer (A) obtained by reacting (e), diluent (B), photopolymerization initiator (C), metal powder, metal oxide, or one or more kinds selected from glass ( A resin composition containing D), [2] a compound (A ′) obtained by adding an acid anhydride of a polycarboxylic acid to the polymer (A) described in [2] above, a diluent (B), photopolymerization initiator (C),
A resin composition containing one or more kinds (D) selected from metal powder, metal oxides or glass, [3] resistor pattern, conductor pattern, phosphor pattern or The resin composition according to the above [1] and [2] for a partition pattern, [4] above [1], [2] and [3].
A film comprising the composition as described above, [4] above [1],
A cured product of the composition described in [2], [3] and [4],
[6] A resistor, a conductor, a phosphor, and a partition obtained by firing the cured product according to the above [5].

【０００５】[0005]

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
本発明で用いる重合体（ｃ）は、公知の重合方法、例え
ば、溶液重合やエマルジョン重合等によって得られる。
溶液重合の場合について説明すると、（ａ）及び（ｂ）
成分からなるエチレン性不飽和単量体混合物を、適用な
有機溶剤中で重合開始剤を添加して窒素気流下に好まし
くは５０〜１００℃で加熱攪拌する方法によって重合さ
せる。前記有機溶剤としては、例えば、エタノール、プ
ロパノール、イソプロパノール、ブタノール、イソブタ
ノール、２−ブタノール、ヘキサノール、エチレングリ
コール等のアルコール類、メチルエチルケトン、シクロ
ヘキサノン等のケトン類、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素類、セロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロ
ソルブ類、カルビトール、ブチルカルビトール等のカル
ビトール類、プロピレングリコールメチルエーテル等の
プロピレングリコールアルキルエーテル類、ジプロピレ
ングリコールメチルエーテル等のポリピロピレングリコ
ールアルキルエーテル類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セ
ロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチル
アセテート、ブチルカルビトールセテート等の酢酸エス
テル類、乳酸エチル、乳酸ブチル等の乳酸エステル類、
ジアルキルグリコールエーテル類等が挙げられる。これ
らの有機溶剤は単独又は混合して用いることかできる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described in detail below.
The polymer (c) used in the present invention can be obtained by a known polymerization method such as solution polymerization or emulsion polymerization.
Explaining the case of solution polymerization, (a) and (b)
The ethylenically unsaturated monomer mixture composed of the components is polymerized by adding a polymerization initiator in an applicable organic solvent and heating and stirring under a nitrogen stream, preferably at 50 to 100 ° C. Examples of the organic solvent include alcohols such as ethanol, propanol, isopropanol, butanol, isobutanol, 2-butanol, hexanol, and ethylene glycol, ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. , Cellosolves such as cellosolve and butyl cellosolve, carbitols such as carbitol and butyl carbitol, propylene glycol alkyl ethers such as propylene glycol methyl ether, polypyropyrene glycol alkyl ethers such as dipropylene glycol methyl ether, ethyl acetate Acetic acid esters such as butyl acetate, cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl acetate, butyl carbitol cetate, ethyl lactate, milk Lactic acid esters such as butyl,
Examples thereof include dialkyl glycol ethers. These organic solvents can be used alone or as a mixture.

【０００６】重合開始剤としては、例えば、過酸化ベン
ゾイル等の過酸化物、アゾビスイソブチロニトリル等の
アゾ化合物を用いることができる。As the polymerization initiator, for example, a peroxide such as benzoyl peroxide or an azo compound such as azobisisobutyronitrile can be used.

【０００７】（ａ）成分としては、グリシジルメタクリ
レート、グリシジルアクリレート等を挙げることができ
る。（ａ）成分は、重合体（ｃ）に使用する（ａ）及び
（ｂ）の不飽和単量体全量に対して１０〜１００重量％
が好ましく、特に好ましくは２０〜８０重量％である。Examples of the component (a) include glycidyl methacrylate and glycidyl acrylate. The component (a) is 10 to 100% by weight based on the total amount of the unsaturated monomers (a) and (b) used in the polymer (c).
Is preferable, and particularly preferably 20 to 80% by weight.

【０００８】（ｂ）成分の具体例としては、例えば、メ
チル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレー
ト、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）ア
クリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレー
ト、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリルアミド，Ｎ
−メチル（メタ）アクリルアミド、スチレン等を挙げる
ことができる。（ｂ）成分は、重合体（ｃ）に使用する
（ａ）及び（ｂ）の不飽和単量体全量に対して０〜９０
重量％が好ましく、特に好ましくは、２０〜８０％であ
る。また、重量体（ｄ）の分子量は約１００００〜２０
００００が好ましい。Specific examples of the component (b) include, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth) acryl. Acid, (meth) acrylamide, N
-Methyl (meth) acrylamide, styrene, etc. can be mentioned. The component (b) is 0 to 90 based on the total amount of the unsaturated monomers (a) and (b) used in the polymer (c).
Weight% is preferred, and particularly preferred is 20-80%. Moreover, the molecular weight of the weight body (d) is about 10,000 to 20.
0000 is preferred.

【０００９】本発明で用いる化合物（ｄ）としては、例
えば、メトキシエチレングリコール、メトキシジエチレ
ングリコール、メトキシポリエチレングリコール等にア
クリロニトリルを付加した後、水添した化合物（ＰＥＧ
−ＮＨ２）等が例示される。As the compound (d) used in the present invention, for example, a compound (PEG) obtained by adding acrylonitrile to methoxyethylene glycol, methoxydiethylene glycol, methoxypolyethylene glycol or the like and then hydrogenating the same.
-NH2) and the like are exemplified.

【００１０】化合物（ｇ）としては、アクリル酸、メタ
クリル酸及び多カルボン酸化合物の酸無水物（例えば、
無コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラヒ
ドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸等）の反
応物であるハーフエステル等が例示される。Examples of the compound (g) include acid anhydrides of acrylic acid, methacrylic acid and polycarboxylic acid compounds (for example,
Examples thereof include half esters, which are reaction products of succinic acid-free, maleic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, and the like.

【００１１】重合体（ｃ）に（ｄ）及び（ｅ）を反応さ
せ、本発明の重合体（Ａ）を得ることができる。（ｃ）
のエポキシ基１当量に対して（ｄ）は０．１〜０．９当
量、（ｅ）は０．１〜０．９当量を反応させるのが好ま
しい。反応を促進させるために反応触媒としてトリフェ
ニルホスフィン、トリフェニルスチビン、トリエチルア
ミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウ
ムクロライド、ベンジルトリエチルアンモニウムクロラ
イド、等の塩基性化合物を反応液中に０．１〜１％添加
するのが好ましい。反応中、重合を防止するために重合
禁止剤（例えば、メトキシフェノール、メチルハイドロ
キノン、ハイドロキノン、フェノチアジン等）を反応液
中、０．０５〜０．５％添加するのが好ましい。反応温
度は、９０〜１５０℃、反応時間は、５〜７０時間が好
ましい。The polymer (c) can be reacted with (d) and (e) to obtain the polymer (A) of the present invention. (C)
It is preferable to react 0.1 to 0.9 equivalent of (d) and 0.1 to 0.9 equivalent of (e) with 1 equivalent of the epoxy group. In order to accelerate the reaction, 0.1 to 1% of a basic compound such as triphenylphosphine, triphenylstibine, triethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium chloride, benzyltriethylammonium chloride as a reaction catalyst is added to the reaction solution. Preferably. During the reaction, it is preferable to add a polymerization inhibitor (for example, methoxyphenol, methylhydroquinone, hydroquinone, phenothiazine, etc.) in the reaction solution in an amount of 0.05 to 0.5% in order to prevent polymerization. The reaction temperature is preferably 90 to 150 ° C., and the reaction time is preferably 5 to 70 hours.

【００１２】本発明で用いる化合物（Ａ’）は、（Ａ）
に多カルボン酸の酸無水物を付加させて得られる。多カ
ルボン酸の酸無水物としては、無コハク酸、無水マレイ
ン酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ヘキ
サヒドロ無水フタル酸等が例示せれるが、特にこれらに
限定されない。また、反応温度は、６０〜１００℃、反
応時間は１〜２０時間が好ましい。The compound (A ') used in the present invention is (A)
It is obtained by adding an acid anhydride of polycarboxylic acid to. Examples of acid anhydrides of polycarboxylic acids include succinic acid-free, maleic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, and hexahydrophthalic anhydride, but are not particularly limited thereto. The reaction temperature is preferably 60 to 100 ° C., and the reaction time is preferably 1 to 20 hours.

【００１３】本発明では希釈剤（Ｂ）を使用する。
（Ｂ）成分の具体例としては、例えば、２−ヒドロキシ
エチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル
（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールモノ
（メタ）アクリレート、カルビトール（メタ）アクリレ
ート、アクリロイルモルホリン、水酸基含有（メタ）ア
クリレート（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）ア
クリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレ
ート、１，４−ブタンジオールモノ（メタ）アクリレー
ト等）と多カルボン酸化合物の酸無水物（例えば、無コ
ハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラヒドロ
無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸等）の反応物
であるハーフエステル，ポリエチレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メ
タ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メ
タ）アクリレート、トリメチロールプロパンポリエトキ
シトリ（メタ）アクリレート、グリセンポリプロポキシ
トリ（メタ）アクリレート、ヒドロキシビバリン酸ネオ
ペングリコールのε−カプロラクトン付加物のジ（メ
タ）アクリレート（例えば、日本化薬（株）製、ＫＡＹ
ＡＲＡＤ ＨＸ−２２０、ＨＸ−６２０、等）、ペンタ
エリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタ
エリスリトールとε−カプロラクトンの反応物のポリ
（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ
（メタ）アクリレート、モノ又はポリグリシジル化合物
（例えば、ブチルグリシジルエーテル、フェニルグリシ
ジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエ
ーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテ
ル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、
ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、グリセリ
ンポリグリシジルエーテル、グリセリンポリエトキシグ
リシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシ
ジルエーテル、トリメチロールプロパンポリエトキシポ
リグリシジルエーテル、等）と（メタ）アクリル酸の反
応物であるエポキシ（メタ）アクリレート、等の反応性
希釈剤（Ｂ−１）、エチレングリコールモノアルキルエ
ーテル類、エチレングリコールジアルキルエーテル類、
ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類、エチレングリコールモノアリールエーテル類、ポリ
エチレングリコールモノアリールエーテル類、アセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等の
ケトン類、酢酸エステル、酢酸ブチル等のエステル類、
トルエン、キシレン、ベンジルアルコール等の芳香族炭
化水素類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル
類、ジプロピレングリコールジアルキルエーテル類、プ
ロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、
γ−ブチロラクトン、ソルベントナフサ等の有機溶剤類
（Ｂ−２）等を挙げることができる。希釈剤は、単独で
用いても良く、２種類以上を混合して用いても良い。The diluent (B) is used in the present invention.
Specific examples of the component (B) include, for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 1,4-butanediol mono (meth) acrylate, carbitol (meth) acrylate, acryloyl Acid anhydride of morpholine, hydroxyl group-containing (meth) acrylate (for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 1,4-butanediol mono (meth) acrylate, etc.) and polycarboxylic acid compound (Eg, succinic anhydride, maleic anhydride, phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, etc.) half ester, polyethylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) Acrylate, Methylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane polyethoxytri (meth) acrylate, glycene polypropoxytri (meth) acrylate, di (meth) acrylate of ε-caprolactone adduct of neopyrene glycol hydroxybivalate (for example, KAY manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.
ARAD HX-220, HX-620, etc.), pentaerythritol tetra (meth) acrylate, poly (meth) acrylate of a reaction product of dipentaerythritol and ε-caprolactone, dipentaerythritol poly (meth) acrylate, mono or polyglycidyl Compounds (for example, butyl glycidyl ether, phenyl glycidyl ether, polyethylene glycol diglycidyl ether, polypropylene glycol diglycidyl ether, 1,6-hexanediol diglycidyl ether,
Epoxy which is a reaction product of (meth) acrylic acid with hexahydrophthalic acid diglycidyl ester, glycerin polyglycidyl ether, glycerin polyethoxyglycidyl ether, trimethylolpropane polyglycidyl ether, trimethylolpropane polyethoxypolyglycidyl ether, etc. Reactive diluents (B-1) such as meth) acrylates, ethylene glycol monoalkyl ethers, ethylene glycol dialkyl ethers,
Diethylene glycol monoalkyl ether acetates, ethylene glycol monoaryl ethers, polyethylene glycol monoaryl ethers, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, acetates, esters such as butyl acetate,
Toluene, xylene, aromatic hydrocarbons such as benzyl alcohol, propylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, ethylene carbonate, propylene carbonate,
Organic solvents (B-2) such as γ-butyrolactone and solvent naphtha can be exemplified. The diluents may be used alone or as a mixture of two or more.

【００１４】光重合開始剤（Ｃ）の具体例としては、例
えば、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロク
チキキサントン、イソプロピルチオキサントン、２−メ
チル−１−〔４−（メチルチオ）フェニル〕−２−モル
フォリノ−プロパン−１，２−ベンジル−２−ジメチル
アミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタ
ノン、４−ベンゾイル−４′−メチルジフェニルスルフ
ィド、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホ
スフィンオキサイド、ミヒラーズケトン、ベンジルジメ
チルケタール、２−エチルアンスラキノン等を挙げるこ
とができる。又、これら光重合開始剤（Ｂ）の促進剤と
しての光重合促進剤（例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ
安息香酸エチルエステル、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ安息
香酸イソアミルエステル等のアミン類）を併用すること
もできる。Specific examples of the photopolymerization initiator (C) include, for example, 2,4-diethylthioxanthone, 2-chlorocutixanthone, isopropylthioxanthone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl]-. 2-morpholino-propane-1,2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -1-butanone, 4-benzoyl-4'-methyldiphenyl sulfide, 2,4,6-trimethylbenzoyl Examples thereof include diphenylphosphine oxide, Michler's ketone, benzyl dimethyl ketal and 2-ethyl anthraquinone. Further, a photopolymerization accelerator (for example, amines such as N, N-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester, N, N-dimethylaminobenzoic acid isoamyl ester) as an accelerator of the photopolymerization initiator (B) is used in combination. You can also.

【００１５】金属粉、金属酸化物又はガラス（Ｄ）の具
体例としては、例えば、好ましくは粒径が１０μｍ以下
である酸化ルテニウム、酸化イットリウム、酸化ユーロ
ピウム、酸化サマリウム、酸化セリウム、酸化ランタ
ン、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、酸化ガドリニウ
ム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミ
ウム、酸化エルビウム、酸化ツリウム、等の金属酸化物
あるいは混合物、特に好ましくは、Ｙ₂ Ｏ₃ ：Ｅｕ、Ｙ
ＶＯ₄ ：Ｅｕ、（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ₃ ：Ｅｕ、ＢａＡｌ₁₂
Ｏ₁₉：Ｍｎ、Ｚｎ₂ ＳｉＯ₄ ：Ｍｎ、ＢａＭｇＡｌ₁₄Ｏ
₂₃：Ｅｕ、ＢａＭｇＡｌ₁₆Ｏ₂₇：Ｅｕ、ＭｇＯ、ＬａＢ
₆ 、Ａｌ、Ｌａ_0.5 Ｓｒ_0.5 ＣｏＯ₃ 、Ｌａ_0.7 Ｓｒ
_0.3 ：ＭｎＯ₃ 等、銅粉、銀粉、パラジウム粉、銀とパ
ラジウムの混合粉、表面処理された金粉、ランタン、セ
リウム、サマリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメ
チウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジ
スプロシウム、ホルミウム、ツリウム、エルビウム、ル
テニウム、イットリウム、スカンジウム等の金属粉ある
いは混合物、ガラス粉、ガラスビーズ等、を挙げること
ができる。これらが有する特性により，抵抗体用組成
物、導体回路用組成物、螢光体用組成物、隔壁用組成物
等に応用することができる。Specific examples of the metal powder, metal oxide or glass (D) include, for example, ruthenium oxide, yttrium oxide, europium oxide, samarium oxide, cerium oxide, lanthanum oxide, and oxide, which preferably have a particle size of 10 μm or less. Metal oxides or mixtures of praseodymium, neodymium oxide, gadolinium oxide, terbium oxide, dysprosium oxide, holmium oxide, erbium oxide, thulium oxide, etc., particularly preferably Y ₂ O ₃ : Eu, Y
VO ₄ : Eu, (Y, Gd) BO ₃ : Eu, BaAl ₁₂
O ₁₉ : Mn, Zn ₂ SiO ₄ : Mn, BaMgAl ₁₄ O
₂₃ : Eu, BaMgAl ₁₆ O ₂₇ : Eu, MgO, LaB
₆ , Al, La _0.5 Sr _0.5 CoO ₃ , La _0.7 Sr
_0.3 : MnO _3, etc., copper powder, silver powder, palladium powder, mixed powder of silver and palladium, surface-treated gold powder, lanthanum, cerium, samarium, praseodymium, neodymium, promethium, europium, gadolinium, terbium, dysprosium, holmium, thulium. , Erbium, ruthenium, yttrium, scandium, and other metal powders or mixtures thereof, glass powder, glass beads, and the like. Due to the characteristics possessed by them, they can be applied to a resistor composition, a conductor circuit composition, a phosphor composition, a partition composition, and the like.

【００１６】本発明の樹脂組成物は（Ａ）、（Ｂ）、
（Ｃ）及び（Ｄ）の各成分を溶解、混合、混練すること
により調製することができる。本発明の樹脂組成物中、
各成分の使用割合は以下のようにすることができる（％
は重量％）。（Ａ）＋（Ｂ−１）＋（Ｃ）の合計した使
用量は組成物に対して５〜６０％が好ましく、特に好ま
しくは１０〜５０％である。（Ｄ）成分は、組成物中、
４０〜９５％が好ましく、特に好ましくは５０〜９０％
である。（Ａ）＋（Ｂ−１）＋（Ｃ）の合計量の中に占
める各成分の好ましい使用量は以下の通りとなる。すな
わち（Ａ）成分の使用量は、３０〜９０％、（Ｂ−１）
成分の使用量は、５〜６５％、（Ｃ）成分の使用量は、
５〜３０％である。有機溶剤（Ｂ−２）の使用量は、本
発明の組成物を使用するために適当な粘度調整等の目的
のために任意の割合で使用することができる。The resin composition of the present invention comprises (A), (B),
It can be prepared by dissolving, mixing and kneading the components (C) and (D). In the resin composition of the present invention,
The usage ratio of each component can be set as follows (%
Is% by weight). The total amount of (A) + (B-1) + (C) used is preferably from 5 to 60%, particularly preferably from 10 to 50%, based on the composition. The component (D) is contained in the composition,
40 to 95% is preferable, and 50 to 90% is particularly preferable.
It is. The preferable amount of each component used in the total amount of (A) + (B-1) + (C) is as follows. That is, the amount of the component (A) used is 30 to 90%, (B-1)
The amount of the component used is 5 to 65%, and the amount of the component (C) used is
5 to 30%. The amount of the organic solvent (B-2) can be used in any ratio for the purpose of adjusting the viscosity and the like suitable for using the composition of the present invention.

【００１７】本発明の樹脂組成物には、その性能を阻害
しない範囲で、レベリング剤、消泡剤、カップリング
剤、重合禁止剤、ワックス類、非反応性ポリマー（例え
ば、ポリエチレングリコール、ポリエチレングリコール
と多塩基酸又はその無水酸との反応物であるポリエステ
ル、アクリルポリマー、セルロース等）、その他等を使
用することもできる。The resin composition of the present invention contains a leveling agent, an antifoaming agent, a coupling agent, a polymerization inhibitor, waxes and non-reactive polymers (for example, polyethylene glycol, polyethylene glycol, etc.) as long as its performance is not impaired. It is also possible to use polyester, acrylic polymer, cellulose, etc., which is a reaction product of a polybasic acid or its anhydrous acid), and the like.

【００１８】本発明の樹脂組成物は、前述のように抵抗
体用組成物、螢光体用樹脂組成物、隔壁用樹脂組成物、
導体回路用樹脂組成物として用いることができ、これら
は、スクリーン印刷、カーテンフローコート、スプレー
コート等の方法により、各種基板（例えば、ガラス、セ
ラミック及び金属等）上の全面に塗布される。塗布後、
必要に応じて遠赤外線又は温風により５０〜２５０℃程
度にプリベークし、有機溶剤を除去した後、パターニン
グしたい部分だけ紫外線を通すようにしたネガマスクを
用いて紫外線を露光する。紫外線の露光量としては１０
〜１００００mJ/cm²が好ましい。次に液温１０〜６０℃
の希アルカリ水溶液（例えば、１％炭酸ソーダ水溶液、
１％苛性ソーダ水溶液等）又は水等の現像液を用い、ス
プレーなどの手段で現像を行ない、次いで、例えば、４
００〜１０００℃で１〜２４時間、焼成しパターンを形
成する。As described above, the resin composition of the present invention is a resistor composition, a phosphor resin composition, a partition resin composition,
It can be used as a resin composition for a conductive circuit, and these are applied to the entire surface of various substrates (for example, glass, ceramic, metal, and the like) by a method such as screen printing, curtain flow coating, or spray coating. After application,
If necessary, pre-baking is carried out at about 50 to 250 ° C. with far infrared rays or warm air to remove the organic solvent, and then the film is exposed to ultraviolet rays using a negative mask that allows only the portions to be patterned to pass ultraviolet rays. UV exposure is 10
It is preferably from 1 to 10,000 mJ / cm ² . Next, the liquid temperature is 10-60 ° C.
Dilute alkaline aqueous solution (for example, 1% sodium carbonate aqueous solution,
1% caustic soda solution or the like) or a developer such as water is used for development by means such as spraying, and then, for example, 4
A pattern is formed by baking at 00 to 1000 ° C. for 1 to 24 hours.

【００１９】又、フィルムとして使用するときは本発明
の樹脂組成物を、例えば、ワイヤーバー方式、ディッピ
ング方式、スピンコート方式、グラビア方式及びドクタ
ーブレード方式等を用いて離型フィルム等に塗布し、必
要に応じて遠赤外線又は温風により５０〜２５０℃で乾
燥し、さらに、必要に応じて離型フィルム等を張り付け
る。使用時は、離型フィルムをはがして基板に転写し、
上記と同様に露光、現像、焼成によりパターンを形成す
る。When used as a film, the resin composition of the present invention is applied to a release film or the like by using, for example, a wire bar method, a dipping method, a spin coating method, a gravure method, a doctor blade method, etc. If necessary, it is dried with far infrared rays or warm air at 50 to 250 ° C., and if necessary, a release film or the like is attached. When using, peel off the release film and transfer it to the substrate,
A pattern is formed by exposing, developing, and baking in the same manner as above.

【００２０】[0020]

【実施例】以下、実施例１〜８により本発明を説明す
る。例中、部とは重量部を表す。表１に示す組成にした
がって抵抗体用樹脂組成物を調製した。得られた樹脂組
成物を１５０メッシュのポリエステル製スクリーンを用
いてガラス基板上の全面に膜厚３５μｍ（乾燥膜厚）で
塗布し、８０℃で３０分間プリベークした後、ネガフィ
ルムを接触させ超高圧水銀灯により１５００mJ/cm²照射
し、次いで未露光部を１％炭酸水素ナトリウム水溶液又
は水（４０℃）を用いてスプレー圧２kg/cm²で２分間現
像した。現像後、空気中、４５０〜６００℃で１時間焼
成し、抵抗体及び蛍光体パターンを形成した。パターン
中の残存樹脂分、現像性、現像後のパターンの状態、焼
成後のガラス基板との密着性を評価した。EXAMPLES The present invention will be described below with reference to Examples 1-8. In the examples, “parts” means “parts by weight”. A resin composition for resistors was prepared according to the composition shown in Table 1. The obtained resin composition was applied on the entire surface of a glass substrate with a film thickness of 35 μm (dry film thickness) using a 150-mesh polyester screen, prebaked at 80 ° C. for 30 minutes, and then contacted with a negative film to achieve ultrahigh pressure. Irradiation was performed with a mercury lamp at 1500 mJ / cm ² , and then the unexposed area was developed with a 1% aqueous sodium hydrogen carbonate solution or water (40 ° C.) at a spray pressure of 2 kg / cm ² for 2 minutes. After development, it was baked in air at 450 to 600 ° C. for 1 hour to form a resistor and a phosphor pattern. The residual resin content in the pattern, the developability, the state of the pattern after development, and the adhesion to the glass substrate after firing were evaluated.

【００２１】（反応物（Ａ）の合成例） 合成例１ グリシジルメタクリレート９０部、メチルメタクリレー
ト１０部、ブチルカルビトールアセテート２００部、ア
ゾビスイソブチロニトリル２部を加え窒素気流下に加熱
し、７５℃において５時間重合を行ない、５０％重合体
（ｃ−１）溶液を得た。次いで、（ｃ−１）溶液３００
部にメトキシテトラエチレングリコールから成るＰＥＧ
−ＮＨ２を９９部を加え６０℃で３時間反応させ、さら
に、アクリル酸１８部、メチルハイドロキノン０．１６
部、トリフェニルホスフィン０．９部とを混合溶解し、
９５℃で３２時間反応させ（Ａ−１）溶液（固形分５２
％）を得た。反応物（Ａ−１）の平均分子量をＧＰＣで
測定したところ約８万であった。(Synthesis Example of Reactant (A)) Synthesis Example 1 90 parts of glycidyl methacrylate, 10 parts of methyl methacrylate, 200 parts of butyl carbitol acetate and 2 parts of azobisisobutyronitrile were added and heated under a nitrogen stream, Polymerization was carried out at 75 ° C for 5 hours to obtain a 50% polymer (c-1) solution. Then, (c-1) solution 300
Part consisting of methoxytetraethylene glycol
99 parts of -NH2 was added and reacted at 60 ° C for 3 hours, and further 18 parts of acrylic acid and 0.16 of methylhydroquinone were added.
And 0.9 parts of triphenylphosphine are mixed and dissolved,
The reaction was carried out at 95 ° C. for 32 hours (A-1) solution (solid content 52
%) Was obtained. When the average molecular weight of the reaction product (A-1) was measured by GPC, it was about 80,000.

【００２２】合成例２ 上記（ｃ−１）溶液３００部にメトキシノナエチレング
リコールから成るＰＥＧ−ＮＨ２を１５２部を加え６０
℃で３時間反応させ、さらに、アクリル酸２２．５部、
メチルハイドロキノン０．１６部、トリフェニルホスフ
ィン０．９部とを混合溶解し、９５℃で３２時間反応さ
せ（Ａ−２）溶液（固形分５８％）を得た。反応物（Ａ
−２）の平均分子量をＧＰＣで測定したところ約１２万
であった。Synthesis Example 2 To 300 parts of the above (c-1) solution was added 152 parts of PEG-NH2 consisting of methoxynonaethylene glycol, and 60 parts were added.
Reacted for 3 hours at ℃, 22.5 parts of acrylic acid,
0.16 parts of methylhydroquinone and 0.9 parts of triphenylphosphine were mixed and dissolved, and reacted at 95 ° C. for 32 hours to obtain a solution (A-2) (solid content 58%). Reaction product (A
The average molecular weight of -2) was about 120,000 as measured by GPC.

【００２３】合成例３ 上記（Ａ−１）溶液３００部に無水マレイン酸２０部を
加え、８０℃で６時間反応させ（Ａ’−１）溶液（固形
分５５％）を得た。反応物（Ａ’−１）の平均分子量を
ＧＰＣで測定したところ約８万であった。Synthesis Example 3 20 parts of maleic anhydride was added to 300 parts of the above (A-1) solution and reacted at 80 ° C. for 6 hours to obtain a (A′-1) solution (solid content 55%). The average molecular weight of the reaction product (A′-1) was about 80,000 as measured by GPC.

【００２４】[0024]

【表１】 表１ 実 施 例 １ ２ ３ ４ 合成例１で得た重合体溶液（Ａ−１） 24.6 12.3 合成例２で得た重合体溶液（Ａ−２） 24.6 11.0 テトラエチレングリコールジグリシジル 3.0 1.0 13.0 エーテルのジアクリレート ＫＡＹＡＲＡＤ ＰＥＧ４００ＤＡ＊１ 3.0 2.0 ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ ＊２ 3.0 2.0 ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＤＥＴＸ−Ｓ ＊３ 0.5 0.5 0.5 0.5 ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＥＰＡ ＊４ 0.5 0.5 0.5 0.5 酸化ルテニウム及びガラス粉末の混合物粉末 30 30 30 30 残存有機物（ｗｔ％） 0.2 0.3 0.1 0.15 現像性（１％炭酸水素ナトリウム水溶液） ○ ○ ○ ○ 現像後のパターンの状態 ○ ○ ○ ○ 密着性 ○ ○ ○ ○[Table 1] Table 1 Example 1 2 3 4 Polymer solution (A-1) 24.6 12.3 obtained in Synthesis Example 1 Polymer solution (A-2) 24.6 11.0 Tetraethylene glycol diglycidyl obtained in Synthesis Example 2 3.0 1.0 13.0 Diacrylate of ether KAYARAD PEG400DA * 1 3.0 2.0 KAYARAD DPHA * 2 3.0 2.0 KAYACURE DETX-S * 3 0.5 0.5 0.5 0.5 KAYACURE EPA * 4 0.5 0.5 0.5 0.5 Ruthenium oxide and glass powder mixture powder 30 30 30 30 Remaining Organic matter (wt%) 0.2 0.3 0.1 0.15 Developability (1% sodium hydrogen carbonate aqueous solution) ○ ○ ○ ○ Pattern condition after development ○ ○ ○ ○ Adhesion ○ ○ ○ ○

【００２５】[0025]

【表２】 表２ 実 施 例 ５ ６ ７ ８ 合成例１で得た重合体溶液（Ａ−１） 11.0 合成例２で得た重合体溶液（Ａ−２） 11.0 6.0 合成例３で得た重合体溶液（Ａ’−１） 11.0 Ｉｒｇ−６５１ ＊５ 0.3 0.3 0.15 0.3 蛍光体粉末 30 30 30 30 残存有機物（ｗｔ％） 0.2 0.3 0.1 0.1 現像性（水） ○ ○ ○ ○ 現像後のパターンの状態 ○ ○ ○ ○ 密着性 ○ ○ ○ ○[Table 2] Table 2 Example 5 6 7 8 Polymer solution (A-1) 11.0 obtained in Synthesis Example 1 Polymer solution (A-2) 11.0 6.0 obtained in Synthesis Example 2 Obtained in Synthesis Example 3 Polymer solution (A'-1) 11.0 Irg-651 * 5 0.3 0.3 0.15 0.3 Phosphor powder 30 30 30 30 Residual organic matter (wt%) 0.2 0.3 0.1 0.1 Developability (water) ○ ○ ○ ○ Pattern after development Condition ○ ○ ○ ○ Adhesion ○ ○ ○ ○

【００２６】注 ＊１ ＫＡＹＡＲＡＤ ＰＥＧ４００ＤＡ：日本化
薬（株）製、ポリエチレングリコールジアクリレート ＊２ ＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ：日本化薬（株）
製、ジペンタエリスリトールペンタ及びヘキサアクリレ
ート混合物 ＊３ ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＤＥＴＸ−Ｓ：日本化薬
（株）製、２，４−ジエチルチオキサントン、光重合開
始剤 ＊４ ＫＡＹＡＣＵＲＥ ＥＰＡ：日本化薬（株）
製、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチルエステル ＊５ Ｉｒｇ−６５１：チバ−ガイギー（株）製、
２，２−ジメチキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−
オンNote * 1 KAYARAD PEG400DA: manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., polyethylene glycol diacrylate * 2 KAYARAD DPHA: Nippon Kayaku Co., Ltd.
Mixture of dipentaerythritol penta and hexaacrylate * 3 KAYACURE DETX-S: Nippon Kayaku Co., Ltd., 2,4-diethylthioxanthone, photopolymerization initiator * 4 KAYACURE EPA: Nippon Kayaku Co., Ltd.
P-dimethylaminobenzoic acid ethyl ester * 5 Irg-651: manufactured by Ciba-Geigy Co., Ltd.
2,2-Dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-
on

【００２７】実施例９ 実施例７の樹脂組成物を乾燥後の膜厚が５０μｍになる
ように離型フィルムに塗布し、８０℃で３０分乾燥しフ
ィルムを得た。このフィルムをガラス基板に転写し、ネ
ガフィルムを接触させ超高圧水銀灯により１５００mJ/c
m²照射し、次いで未露光部を水を用いてスプレー圧２kg
/cm²で２分間現像した。現像後、空気中、５００℃で１
時間焼成し、抵抗体及び蛍光体パターンを形成した。パ
ターン中の残存樹脂分、現像性、現像後のパターンの状
態、焼成後のガラス基板との密着性はすべて○であっ
た。Example 9 The resin composition of Example 7 was applied to a release film so that the film thickness after drying would be 50 μm, and dried at 80 ° C. for 30 minutes to obtain a film. This film was transferred to a glass substrate and brought into contact with a negative film.
m ² irradiation, then spray the unexposed area with water to a spray pressure of 2 kg
Development was carried out at / cm ² for 2 minutes. After development, 1 at 500 ° C in air
It was fired for a time to form a resistor and a phosphor pattern. The residual resin content in the pattern, the developability, the state of the pattern after development, and the adhesion to the glass substrate after firing were all ○.

【００２８】（残存有機分）：４５０または６００℃で
３０分加熱焼成後の重量減少分を測定 （現像性）：１％炭酸水素ナトリウム水溶液又は水で、
液温４０℃でスプレー圧２kg/cm²で２分間現像し、以下
の様に評価した ○・・・・完全に現像できた △・・・・わずかに残渣がある ×・・・・現像されない部分がある （現像後のパターンので状態）： ○・・・・パターンは正確に維持されている △・・・・パターンの幅が細くなっている ×・・・・パターン部分の一部または、全部剥がれてい
る （密着性）：セロテープ剥離試験を行なった ○・・・・全く剥がれない △・・・・極一部剥がれがある ×・・・・剥がれの部分が多い(Residual organic content): Measure the weight loss after heating and baking at 450 or 600 ° C. for 30 minutes (Developability): 1% sodium hydrogen carbonate aqueous solution or water,
Development was performed at a liquid temperature of 40 ° C. and a spray pressure of 2 kg / cm ² for 2 minutes, and the evaluation was made as follows: ・ ・ ・ ・ Complete development was possible △ ・ ・ ・ ・ Slight residue was left × ・ ・ ・ ・ No development There is a portion (the state of the pattern after development): ○ ・ ・ ・ ・ The pattern is maintained accurately △ ・ ・ ・ ・ The width of the pattern is narrower × ・ ・ ・ ・ Part of the pattern portion or All are peeled off (adhesion): Cellotape peeling test was conducted ○ ・ ・ ・ ・ No peeling at all △ ・ ・ ・ ・ There is very little peeling × ・ ・ ・ ・ Many peeled portions

【００２９】実施例１〜９の結果から明らかなように、
本発明の樹脂組成物、フィルム及びその硬化物は、現像
性に優れ、現像後のパターン精度が良好で、焼成後の有
機物の残存が少なく、密着性に優れている。As is clear from the results of Examples 1 to 9,
The resin composition, film, and cured product thereof of the present invention have excellent developability, good pattern accuracy after development, little residual organic matter after firing, and excellent adhesion.

【００３０】[0030]

【発明の効果】本発明の樹脂組成物及びフィルムは、パ
ターンを形成したフィルムを通して選択的に紫外線によ
り露光し、未露光部分を現像することによる抵抗体、螢
光体、隔壁あるいは導体回路のパターン形成において、
現像性に優れ、現像後のパターン精度が良好で、低温に
て焼成しても有機物の残存が少なく、密着性に優れてい
る。The resin composition and film of the present invention are selectively exposed to ultraviolet light through a film on which a pattern is formed, and are developed by developing an unexposed portion to form a pattern of a resistor, a phosphor, a partition or a conductor circuit. In formation
Excellent developability, good pattern accuracy after development, little residual organic matter even when baked at low temperature, and excellent adhesion.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｊ 17/49 Ｈ０１Ｊ 17/49 Ｚ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. ⁶ Identification code Internal reference number FI Technical display location H01J 17/49 H01J 17/49 Z

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】１分子中に（メタ）アクリロイル基又はビ
ニル基とグリシジル基を１つづつ有する化合物（ａ）と
（ａ）と共重合可能なエチレン性不飽和単量体（ｂ）の
重合体（ｃ）にオリゴ又はポリエチレングリコールの片
末端アミノ化合物（ｄ）及び１分子中に（メタ）アクリ
ロイル基又はビニル基とカルボキシル基を１つづつ有す
る化合物（ｅ）を反応させて得られる重合体（Ａ）、希
釈剤（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）、金属粉、金属酸化物
又はガラスの中から選択される１種又は２種以上（Ｄ）
を含有することを特徴とする樹脂組成物。1. A compound (a) having one (meth) acryloyl group or one vinyl group and one glycidyl group in one molecule, and a copolymer of an ethylenically unsaturated monomer (b) copolymerizable with (a). Polymer obtained by reacting the compound (c) with an amino compound (d) having one terminal of oligo or polyethylene glycol and a compound (e) having one (meth) acryloyl group or vinyl group and one carboxyl group in one molecule. (A), diluent (B), photopolymerization initiator (C), one or more selected from metal powder, metal oxide or glass (D)
A resin composition comprising: 【請求項２】請求項１記載の重合体（Ａ）に多カルボン
酸の酸無水物を付加させて得られる化合物（Ａ’）、希
釈剤（Ｂ）、光重合開始剤（Ｃ）、金属粉、金属酸化物
又はガラスの中から選択される１種又は２種以上（Ｄ）
を含有することを特徴とする樹脂組成物。2. A compound (A ') obtained by adding an acid anhydride of a polycarboxylic acid to the polymer (A) according to claim 1, a diluent (B), a photopolymerization initiator (C), a metal. One or more selected from powder, metal oxide or glass (D)
A resin composition comprising: 【請求項３】抵抗体パターン、導体パターン、螢光体パ
ターン又は隔壁パターン用の請求項１及び２記載の樹脂
組成物。3. The resin composition according to claim 1, which is used for a resistor pattern, a conductor pattern, a phosphor pattern or a partition pattern. 【請求項４】請求項２及び３記載の樹脂組成物から成る
フィルム。4. A film comprising the resin composition according to claim 2 or 3. 【請求項５】請求項１、２、３及び４記載の樹脂組成物
の硬化物。5. A cured product of the resin composition according to claim 1, 2, 3, or 4. 【請求項６】請求項５記載の硬化物を焼成して得られる
抵抗体、導体、蛍光体及び隔壁。6. A resistor, a conductor, a phosphor and a partition wall obtained by firing the cured product according to claim 5.