JPH09311344A - Picture display device - Google Patents
Picture display deviceInfo
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- JPH09311344A JPH09311344A JP6130097A JP6130097A JPH09311344A JP H09311344 A JPH09311344 A JP H09311344A JP 6130097 A JP6130097 A JP 6130097A JP 6130097 A JP6130097 A JP 6130097A JP H09311344 A JPH09311344 A JP H09311344A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示装置に関
し、特に対向基板とアレイ基板との配置を改良した画像
表示装置に係わる。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image display device, and more particularly to an image display device having an improved arrangement of a counter substrate and an array substrate.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の画像表示装置は、例えば図２４に
示すように透光性基材１上の片面に透明導電材料からな
る共通電極２が形成された対向基板３と、透光性基材４
上に半導体素子及びその信号線５が形成されたアレイ基
板６との間隙に枠状シール部材７を形成し、この枠状シ
ール部材７内に液晶８を封入した構造を有する。前記対
向基板３とアレイ基板６との間には、それらの間隙を一
定に保つために、平均粒径の揃った樹脂ビーズようなス
ペーサ９を適量散布している。図２３に示す画像表示装
置において、大面積の透光性基材上で微細な半導体素子
を高精度に形成してアレイ基板を作製することは製造装
置の関係から制約を受け、結果的に画像表示装置の大画
面化を図ることが困難であった。2. Description of the Related Art A conventional image display device includes, for example, as shown in FIG. 24, a counter substrate 3 having a common electrode 2 made of a transparent conductive material formed on one surface of a transparent substrate 1, and a transparent substrate. Material 4
A frame-shaped seal member 7 is formed in a space between the semiconductor element and the array substrate 6 on which the signal line 5 is formed, and the liquid crystal 8 is enclosed in the frame-shaped seal member 7. An appropriate amount of spacers 9 such as resin beads having an average particle diameter are dispersed between the counter substrate 3 and the array substrate 6 in order to keep the gap between them constant. In the image display device shown in FIG. 23, forming an array substrate by forming fine semiconductor elements with high precision on a large-area translucent base material is restricted by the relation of the manufacturing device, and as a result, the image It was difficult to increase the screen size of the display device.
【０００３】このようなことから、図２５に示すように
対向電極３の共通電極２形成面に例えば２つのアレイ基
板６ａ、６ｂを隣接して配置し、それらの間隙に枠状シ
ール部材７ａ、７ｂをそれぞれ形成し、これらの枠状シ
ール部材７ａ、７ｂ内に液晶８ａ、８ｂをそれぞれ封入
して大面積の画像表示装置を実現することが行われてい
る。しかしながら、図２５に示す構造の画像表示装置に
おいては図２６に示すようにアレイ基板の隣接する枠状
シール部材７ａ、７ｂの端部およびそれらの間の隙間に
よる非表示領域１０が表示領域１１ａ、１１ｂを二分割
するように不可避的に存在する。このため、従来の画像
表示装置では大面積化の実現が困難であるという問題が
あった。For this reason, as shown in FIG. 25, for example, two array substrates 6a and 6b are arranged adjacent to each other on the common electrode 2 formation surface of the counter electrode 3, and the frame-shaped seal member 7a is arranged in the gap between them. 7b is formed, and liquid crystals 8a and 8b are enclosed in the frame-shaped sealing members 7a and 7b, respectively, to realize a large-area image display device. However, in the image display device having the structure shown in FIG. 25, as shown in FIG. 26, the non-display area 10 due to the ends of the adjacent frame-shaped seal members 7a and 7b of the array substrate and the gap between them is the display area 11a, Inevitably exists such that 11b is divided into two. Therefore, there is a problem that it is difficult to realize a large area in the conventional image display device.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、非表示領域
が表示面に存在されるのを皆無もしくは最小として大画
面化を達成した画像表示装置を提供しようとするもので
ある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an image display device which achieves a large screen by eliminating or minimizing a non-display area on the display surface.
【０００５】本発明は、非表示領域が表示面に存在され
るのを皆無もしくは最小として大画面化を達成し、かつ
平面的に見て内側に位置するアレイ基板の信号線を外部
に容易に引き回すことが可能な画像表示装置を提供しよ
うとするものである。The present invention achieves a large screen by eliminating or minimizing the presence of a non-display area on the display surface, and makes it easy to externally connect the signal lines of the array substrate located on the inner side in plan view to the outside. It is intended to provide an image display device that can be routed around.
【０００６】本発明は、非表示領域が表示面に存在され
るのを皆無もしくは最小として大画面化を達成し、平面
的に見て内側に位置するアレイ基板の信号線を外部に容
易に引き回すことが可能で、かつ信号線の引き回しに伴
う画質の低下を防止した画像表示装置を提供しようとす
るものである。The present invention achieves a large screen by eliminating or minimizing the presence of a non-display area on the display surface, and easily extends the signal lines of the array substrate located on the inner side in plan view to the outside. It is an object of the present invention to provide an image display device that is capable of preventing deterioration of image quality due to routing of signal lines.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明に係わる画像表示
装置は、透光性基材の両面に透明導電材料からなる共通
電極をそれぞれ形成した対向基板；透光性基材上に半導
体素子および信号線が形成されたアレイ基板であって、
複数の前記アレイ基板は前記対向基板の両面に前記各ア
レイ基板端部の表示領域が前記対向基板を挟んで互いに
向い合うように配置される；前記対向基板と前記各アレ
イ基板との間隙にそれぞれ介在される透光性樹脂からな
る枠状シール部材；および前記枠状シール部材で囲まれ
た前記対向基板と前記各アレイ基板との空間にそれぞれ
封入される液晶；を具備したことを特徴とするものであ
る。An image display device according to the present invention is directed to a counter substrate in which a common electrode made of a transparent conductive material is formed on both sides of a transparent base material; a semiconductor element and a semiconductor element on the transparent base material. An array substrate on which signal lines are formed,
The plurality of array substrates are arranged on both surfaces of the counter substrate such that the display regions at the ends of the array substrates face each other with the counter substrate interposed therebetween; and in the gaps between the counter substrate and the array substrates, respectively. A frame-shaped sealing member made of a translucent resin interposed therebetween; and a liquid crystal enclosed in the space between the counter substrate and each array substrate surrounded by the frame-shaped sealing member; It is a thing.
【０００８】本発明に係わる別の画像表示装置は、透光
性基材の両面に透明導電材料からなる共通電極が形成さ
れた対向基板；透光性基材上に半導体素子および信号線
が形成されたアレイ基板であって、複数の前記アレイ基
板は前記対向基板の両面に前記各アレイ基板端部の表示
領域が前記対向基板を挟んで互いに向い合うように配置
される；前記アレイ基板を挟んで反対側の前記対向基板
の面に形成された前記アレイ基板の前記信号線を引き回
すための複数の接続線；前記対向基板と前記各アレイ基
板との間隙にそれぞれ介在された透光性を有する樹脂か
らなる枠状シール部材；および前記枠状シール部材で囲
まれた前記対向基板と各アレイ基板との空間にそれぞれ
封入される液晶；を具備したことを特徴とするものであ
る。Another image display device according to the present invention is a counter substrate in which a common electrode made of a transparent conductive material is formed on both surfaces of a transparent base material; a semiconductor element and a signal line are formed on the transparent base material. The plurality of array substrates are arranged on both surfaces of the counter substrate such that the display regions at the ends of the array substrates face each other with the counter substrate sandwiched therebetween; A plurality of connection lines for routing the signal lines of the array substrate formed on the surface of the opposite substrate on the opposite side; and having a light-transmitting property interposed in the gap between the opposite substrate and each array substrate. A frame-shaped seal member made of resin; and liquid crystals enclosed in the spaces between the counter substrate and each array substrate surrounded by the frame-shaped seal member;
【０００９】本発明に係わるさらに別の画像表示装置
は、透光性基材の両面に透明導電材料からなる共通電極
をそれぞれ形成した対向基板；透光性基材上に半導体素
子および信号線が形成されたアレイ基板であって、複数
の前記アレイ基板は前記対向基板の両面に前記各アレイ
基板端部の表示領域が前記対向基板を挟んで互いに向い
合うように配置される；前記アレイ基板を挟んで反対側
の前記対向基板の面に絶縁層を挟んで配置された前記ア
レイ基板の信号線を引き回すための少なくとも１層の接
続線；前記アレイ基板近傍の前記接続線部分に介装され
た信号補正用回路；前記対向基板と前記各アレイ基板と
の間隙にそれぞれ介在される透光性樹脂からなる枠状シ
ール部材；および前記枠状シール部材で囲まれた前記対
向基板と前記各アレイ基板との空間にそれぞれ封入され
る液晶；を具備したことを特徴とするものである。Still another image display device according to the present invention is a counter substrate in which a common electrode made of a transparent conductive material is formed on both surfaces of a transparent base material; a semiconductor element and a signal line are formed on the transparent base material. In the formed array substrate, a plurality of the array substrates are arranged on both surfaces of the counter substrate so that display areas at the ends of the array substrates face each other with the counter substrate interposed therebetween. A connection line of at least one layer for arranging a signal line of the array substrate, which is arranged on the surface of the counter substrate on the opposite side of the array substrate with an insulating layer interposed therebetween; and is interposed in the connection line portion near the array substrate. A circuit for signal correction; a frame-shaped sealing member made of a translucent resin interposed in the gap between the counter substrate and each of the array substrates; and the counter substrate and each array surrounded by the frame-shaped seal member. It is characterized in that comprising a; liquid crystal to be sealed, respectively in a space between the substrates.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる画像表示装
置を詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The image display device according to the present invention will be described in detail below.
【００１１】本発明に係わる画像表示装置は、例えばガ
ラスからなる透光性基材の両面に例えばＩＴＯのような
透明導電材料からなる共通電極がそれぞれ形成された対
向基板と、例えばガラスからなる透光性基材上に薄膜ト
ランジスタのような半導体素子および一部が例えばＩＴ
Ｏのような透明導電材料からなる信号線が形成された複
数のアレイ基板とを備える。前記各アレイ基板は、前記
対向基板の両面に前記対向基板を挟んで前記各アレイ基
板端部の表示領域が互いに向い合うように配置されてい
る。つまり、前記各アレイ基板は前記対向基板の両面に
表示面から見た時に前記対向基板を挟んで前記アレイ基
板端部の表示領域が互いに一部が重なり合うように隣接
して配置されている。透光性樹脂からなる枠状シール部
材は、前記対向基板と前記各アレイ基板との間隙に介在
されている。液晶は、前記枠状シール部材で囲まれた前
記対向基板と前記各アレイ基板の空間内に封入されてい
る。The image display device according to the present invention comprises a transparent substrate made of, for example, glass, and a transparent substrate made of, for example, glass, and a counter substrate having a common electrode made of a transparent conductive material such as ITO formed on both sides thereof. A semiconductor element such as a thin film transistor and a part of it, for example, IT
And a plurality of array substrates on which signal lines made of a transparent conductive material such as O are formed. The array substrates are arranged on both surfaces of the counter substrate so that the display areas at the end portions of the array substrates face each other with the counter substrate interposed therebetween. That is, the array substrates are arranged adjacent to each other on both sides of the counter substrate such that the display regions at the ends of the array substrate partially overlap each other with the counter substrate interposed therebetween when viewed from the display surface. A frame-shaped sealing member made of translucent resin is interposed in the gap between the counter substrate and each array substrate. The liquid crystal is sealed in the space between the counter substrate and each array substrate surrounded by the frame-shaped sealing member.
【００１２】前記透光性樹脂としては、例えばエポキシ
樹脂等を用いることができる。特に、５００ｎｍから８
００ｎｍの波長の透過率が８０％以上である透光性樹脂
が好ましい。このような透光性樹脂としては、前記透光
性の他に耐熱性の優れたベンゾシクロブタン（ＢＣＢ）
樹脂、パーフルオロシクロブタン（ＰＦＣＢ）樹脂等を
挙げることができる。As the translucent resin, for example, epoxy resin or the like can be used. Especially from 500 nm to 8
A transparent resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 00 nm is preferable. Examples of such a light-transmitting resin include benzocyclobutane (BCB) which has excellent heat resistance in addition to the above-mentioned light-transmitting properties.
Resin, perfluorocyclobutane (PFCB) resin, etc. can be mentioned.
【００１３】前記対向基板と前記各アレイ基板との間隙
には、平均粒径の揃った樹脂ビーズようなスペーサを均
一に散布することを許容する。このようなスペーサは、
例えば例えばシリカ、ガラス、スチレン樹脂のような光
吸収率が３０％以下である低光吸収材料から作られるこ
とが好ましい。Spacers such as resin beads having a uniform average particle diameter are allowed to be uniformly dispersed in the gaps between the counter substrate and each array substrate. Such spacers are
For example, it is preferably made of a low light absorption material having a light absorption rate of 30% or less, such as silica, glass, or styrene resin.
【００１４】前述した本発明に係わる画像表示装置の製
造方法を以下に説明する。A method of manufacturing the above-described image display device according to the present invention will be described below.
【００１５】まず、例えばガラスからなる透光性基材の
両面に例えばＩＴＯのような透明導電材料からなる共通
電極をそれぞれ形成して対向基板を作製する。また、例
えばガラスからなる透光性基材上に例えば薄膜トランジ
スタのような半導体素子および一部が例えばＩＴＯのよ
うな透明導電材料からなる信号線を形成することにより
アレイ基板を複数枚作製する。First, a common electrode made of a transparent conductive material such as ITO is formed on both surfaces of a translucent base material made of, for example, glass to prepare a counter substrate. In addition, a plurality of array substrates are manufactured by forming a semiconductor element such as a thin film transistor and a signal line partially formed of a transparent conductive material such as ITO on a transparent base material made of glass, for example.
【００１６】次いで、前記各アレイ基板の半導体素子形
成面周縁に透光性樹脂を塗布し、未硬化の枠状シール部
材を形成する。つづいて、前記対向電極に前記各アレイ
基板を前記対向基板を挟んで前記アレイ基板の表示領域
が互いに向い合うように前記未硬化の枠状シール部材を
介して配置する。ひきつづき、前記対向基板と各アレイ
基板との間にスペーサを介在させて間隙を保ちながら前
記未硬化の枠状シール部材内に液晶を注入し、注入口を
樹脂で塞いで液晶を封入した後、加熱処理して前記未硬
化の枠状シール部材を硬化することにより画像表示装置
を製造する。Next, a translucent resin is applied to the peripheral edge of the semiconductor element forming surface of each array substrate to form an uncured frame-shaped sealing member. Subsequently, the array substrates are arranged on the counter electrode with the uncured frame-shaped seal member interposed therebetween so that the display areas of the array substrates face each other with the counter substrate interposed therebetween. Continuing, liquid crystal is injected into the uncured frame-shaped seal member while maintaining a gap by interposing a spacer between the counter substrate and each array substrate, and after closing the injection port with resin to seal the liquid crystal, An image display device is manufactured by heating and curing the uncured frame-shaped sealing member.
【００１７】なお、前述した画像表示装置の製造におい
て透光性樹脂からなる枠状シール部材をアレイ基板に形
成したが、対向基板の所定領域に枠状シール部材を形成
してもよい。Although the frame-shaped sealing member made of translucent resin is formed on the array substrate in the above-described manufacturing of the image display device, the frame-shaped sealing member may be formed on a predetermined region of the counter substrate.
【００１８】本発明に係わる画像表示装置において、前
記アレイ基板を挟んで反対側の前記対向基板の面に透光
性基材、つまり補助透光性基材を前記アレイ基板と面一
となるように配置し、かつ前記対向基板と前記透光性基
材の間に透光性を有するスペーサを介在することを許容
する。In the image display device according to the present invention, a translucent base material, that is, an auxiliary translucent base material is flush with the array substrate on the surface of the counter substrate opposite to the array substrate. It is allowed to interpose a light-transmitting spacer between the counter substrate and the light-transmitting substrate.
【００１９】以上説明した本発明に係わる画像表示装置
は、複数のアレイ基板を対向基板の両面に前記対向基板
を挟んで前記アレイ基板端部の表示領域が互いに向い合
うように配置する。つまり、前記各アレイ基板を前記対
向基板の両面に表示面から見た時に前記対向基板を挟ん
で前記アレイ基板端部の表示領域が互いに一部重なり合
うように隣接して配置している。また、前記対向基板と
各アレイ基板との間隙に透光性樹脂からなる枠状シール
部材が形成され、このシール部で囲まれた前記対向基板
と前記アレイ基板の間に液晶が封入された構造を有す
る。In the image display device according to the present invention described above, a plurality of array substrates are arranged on both sides of the counter substrate such that the display regions at the end portions of the array substrate face each other with the counter substrate interposed therebetween. That is, the array substrates are arranged adjacent to each other on both sides of the counter substrate such that the display regions at the ends of the array substrate partially overlap each other with the counter substrate sandwiched therebetween. Further, a frame-shaped seal member made of translucent resin is formed in a gap between the counter substrate and each array substrate, and liquid crystal is enclosed between the counter substrate and the array substrate surrounded by the seal portion. Have.
【００２０】このような構成の画像表示装置は、表示面
側に位置するアレイ基板の表示領域の周辺に非表示領域
となる枠状シール部材が存在しても、前記対向基板を挟
んで前記表示面と反対側にもう一方のアレイ基板を互い
に表示領域端部が重なるように配置される。また、前記
対向基板および枠状シール部材はいずれも透光性を有す
る。その結果、表示面側に位置するアレイ基板の非表示
領域として働く枠状シール部材にも前記対向基板に前記
シール部と投影的に重ねて配置されたもう一方のアレイ
基板の表示領域が表示される。つまり、表示面側に位置
するアレイ基板の前記枠状シール部材の表示性を前記も
う一方のアレイ基板の表示領域により補償することがで
きる。したがって、非表示領域が表示面に存在されるの
を皆無、もしくは問題の無い程度に縮小することが可能
となり、大画面の画像表示装置を容易に実現することが
できる。In the image display device having such a structure, even if a frame-shaped seal member, which is a non-display region, exists around the display region of the array substrate located on the display surface side, the display is sandwiched between the counter substrates. The other array substrate is arranged on the side opposite to the surface such that the display area ends overlap each other. Further, both the counter substrate and the frame-shaped sealing member have a light-transmitting property. As a result, the display area of the other array substrate, which is arranged as a non-display area of the array substrate located on the display surface side, is projected and overlapped with the seal portion on the counter substrate. It That is, the displayability of the frame-shaped sealing member of the array substrate located on the display surface side can be compensated by the display area of the other array substrate. Therefore, it is possible to reduce the non-display area from existing on the display surface to the extent that there is no problem, and it is possible to easily realize a large-screen image display device.
【００２１】また、ＢＣＢ樹脂のような５００ｎｍから
８００ｎｍの波長の透過率が８０％以上である透光性樹
脂により枠状シール部材を形成することによって、枠状
シール部材での透過性をより向上できる。また、前記Ｂ
ＣＢ樹脂からなる枠状シール部材は未硬化後に硬化させ
ることにより前記対向基板とアレイ基板を強固に密着で
きる。その結果、前記枠状シール部材の幅を１ｍｍ以下
に狭くしても前記対向基板とアレイ基板とを良好に接合
できる。このため、表示面において前記枠状シール部材
の透過性を向上できると共にその面積を縮小して表示性
をより向上できる。Further, by forming the frame-shaped seal member from a translucent resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm such as BCB resin, the transparency of the frame-shaped seal member is further improved. it can. Also, the B
By hardening the frame-shaped seal member made of CB resin after uncured, the counter substrate and the array substrate can be firmly adhered. As a result, even if the width of the frame-shaped sealing member is narrowed to 1 mm or less, the counter substrate and the array substrate can be bonded well. Therefore, it is possible to improve the transparency of the frame-shaped seal member on the display surface and reduce the area thereof to further improve the display property.
【００２２】次に、本発明に係わる別の画像表示装置を
詳細に説明する。Next, another image display device according to the present invention will be described in detail.
【００２３】この画像表示装置は、例えばガラスからな
る透光性基材の両面に例えばＩＴＯのような透明導電材
料からなる共通電極がそれぞれ形成された対向基板と、
例えばガラスからなる透光性基材上に薄膜トランジスタ
のような半導体素子および一部が例えばＩＴＯのような
透明導電材料からなる信号線が形成された複数のアレイ
基板とを備える。前記各アレイ基板は、前記対向基板の
両面に前記対向基板を挟んで前記アレイ基板端部の表示
領域が互いに向い合うように配置されている。つまり、
前記各アレイ基板は前記対向基板の両面に表示面から見
た時に前記対向基板を挟んで前記アレイ基板端部の表示
領域が互いに一部が重なり合うように隣接して配置され
ている。前記アレイ基板の前記信号線を引き回すための
複数の接続線は、前記アレイ基板を挟んで反対側の前記
対向基板の面に形成されている。透光性を有する樹脂か
らなる枠状シール部材は、前記対向基板と前記各アレイ
基板との間隙に介在されるている。液晶は、前記枠状シ
ール部材で囲まれた前記対向基板と前記各アレイ基板と
空間内に封入されている。In this image display device, a counter substrate in which a common electrode made of a transparent conductive material such as ITO is formed on both surfaces of a translucent substrate made of glass,
For example, a semiconductor element such as a thin film transistor and a plurality of array substrates in which signal lines are partially formed of a transparent conductive material such as ITO are provided on a transparent base material made of glass. Each of the array substrates is arranged on both surfaces of the counter substrate such that the display regions at the end portions of the array substrate face each other with the counter substrate interposed therebetween. That is,
The array substrates are arranged adjacent to each other on both sides of the counter substrate such that the display regions at the ends of the array substrate partially overlap each other with the counter substrate interposed therebetween when viewed from the display surface. A plurality of connection lines for routing the signal lines of the array substrate are formed on the surface of the opposite substrate on the opposite side with the array substrate interposed therebetween. A frame-shaped sealing member made of a translucent resin is interposed in the gap between the counter substrate and each array substrate. The liquid crystal is sealed in the space between the counter substrate and each array substrate surrounded by the frame-shaped sealing member.
【００２４】前記接続線は、例えば前記対向基板の前記
透明基材上に形成されている。また、前記接続線は、前
記対向基板上に絶縁層を挟んで配置された少なくとも１
層の配線層により形成されることを許容する。The connection line is formed on the transparent base material of the counter substrate, for example. Further, the connection line is at least 1 arranged on the counter substrate with an insulating layer interposed therebetween.
It is allowed to be formed by a wiring layer.
【００２５】前記透光性樹脂としては、例えばエポキシ
樹脂等を用いることができる。特に、５００ｎｍから８
００ｎｍの波長の透過率が８０％以上である透光性樹脂
が好ましい。このような透光性樹脂としては、前記透光
性の他に耐熱性の優れたベンゾシクロブタン（ＢＣＢ）
樹脂、パーフルオロシクロブタン（ＰＦＣＢ）樹脂等を
挙げることができる。As the translucent resin, for example, epoxy resin or the like can be used. Especially from 500 nm to 8
A transparent resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 00 nm is preferable. Examples of such a light-transmitting resin include benzocyclobutane (BCB) which has excellent heat resistance in addition to the above-mentioned light-transmitting properties.
Resin, perfluorocyclobutane (PFCB) resin, etc. can be mentioned.
【００２６】前記透光性を有する樹脂として、透光性の
異方性導電樹脂を用い、この異方性導電樹脂からなる枠
状シール部材により前記対向基板上の接続線と前記各ア
レイ基板の信号線とを電気的に接続することを許容す
る。前記透光性の異方性導電樹脂としては、例えばエポ
キシ樹脂を主成分とする紫外線硬化樹脂でＩＴＯ膜で表
面コートされたミクロンオーダの微細な樹脂ビーズを分
散させたもの等を用いることができる。As the light-transmitting resin, a light-transmitting anisotropic conductive resin is used, and a frame-like sealing member made of this anisotropic conductive resin is used to connect the connection line on the counter substrate and each array substrate. Allows electrical connection with signal lines. As the light-transmissive anisotropic conductive resin, for example, a resin in which fine resin beads of micron order whose surface is coated with an ITO film by an ultraviolet curable resin containing an epoxy resin as a main component is dispersed can be used. .
【００２７】前記対向基板上の接続線と前記各アレイ基
板の信号線は、例えば前記対向基板と前記各アレイ基板
との間隙の周辺部に配置されたＡｕ、Ａｌ、Ａｌ合金か
らなる複数の導電粒子またはＡｕ、Ａｌ、Ａｌ合金から
なる複数の導電突起片により接続することを許容する。
前記各導電粒子または前記各導電突起片は、前記枠状シ
ール部材内に配置されることを許容する。The connection lines on the counter substrate and the signal lines on each array substrate are made of, for example, a plurality of conductive materials made of Au, Al, or Al alloy, which are arranged around the gap between the counter substrate and each array substrate. It is allowed to connect by a plurality of conductive projection pieces made of particles or Au, Al, Al alloy.
The conductive particles or the conductive projection pieces are allowed to be arranged in the frame-shaped sealing member.
【００２８】前記対向基板と前記各アレイ基板との間隙
には、平均粒径の揃った樹脂ビーズようなスペーサを均
一に散布することを許容する。このようなスペーサは、
例えばシリカ、ガラス、スチレン樹脂のような光吸収率
が３０％以下である低光吸収材料から作られることが好
ましい。Spacers such as resin beads having a uniform average particle diameter are allowed to be uniformly dispersed in the gaps between the counter substrate and each array substrate. Such spacers are
It is preferably made of a low light absorption material having a light absorption rate of 30% or less, such as silica, glass, or styrene resin.
【００２９】次に、前述した本発明に係わる別の画像表
示装置、例えば異方性導電樹脂で対向基板の接続線とア
レイ基板の信号線を電気的に接続した画像表示装置、の
製造方法を以下に説明する。Next, a method of manufacturing another image display device according to the present invention described above, for example, an image display device in which the connection line of the counter substrate and the signal line of the array substrate are electrically connected by an anisotropic conductive resin. This will be described below.
【００３０】まず、例えばガラスからなる透光性基材の
両面に例えばＩＴＯのような透明導電材料からなる共通
電極をそれぞれ形成して対向基板を作製する。つづい
て、後述するアレイ基板を挟んで反対側の前記透光性基
材の面に接続線を形成する。First, a common electrode made of a transparent conductive material such as ITO is formed on both surfaces of a translucent base material made of glass, for example, to prepare a counter substrate. Subsequently, a connection line is formed on the surface of the translucent base material on the opposite side with the array substrate described later interposed therebetween.
【００３１】また、例えばガラスからなる透光性基材上
に例えば薄膜トランジスタのような半導体素子および一
部が例えばＩＴＯのような透明導電材料からなる信号線
を形成することによりアレイ基板を複数作製する。Further, a plurality of array substrates are manufactured by forming a semiconductor element such as a thin film transistor and a signal line partially made of a transparent conductive material such as ITO on a transparent base material made of glass, for example. .
【００３２】次いで、前記各アレイ基板の半導体素子形
成面周縁に異方性導電樹脂からなる枠状シール部材を形
成する。この異方性導電樹脂は、例えばエポキシ樹脂を
主成分とする紫外線硬化樹脂にＩＴＯ膜で表面コートさ
れた樹脂ビーズからなる平均粒径５μｍ程度の微細な導
電性粒子を分散させた組成を有する。つづいて、前記対
向電極に前記各アレイ基板をそれらの枠状シール部材が
前記対向電極に当接するように配置する。同時に前記各
アレイ基板を前記対向基板を挟んで前記アレイ基板の表
示領域が互いに向い合うように配置する。この時、前記
各アレイ基板の異方性導電樹脂からなる前記枠状シール
部材により前記対向基板上の接続線と前記アレイ基板の
信号線とを電気的に接続する。ひきつづき、前記枠状シ
ール部材内に液晶を注入した後、注入口を樹脂で塞いで
液晶を封入することにより画像表示装置を製造する。な
お、前記対向基板と各アレイ基板との間に予め例えば球
状の透光性樹脂からなる球状のスペーサを介在させて前
記対向基板と前記アレイ基板の間隙を保ちながら前記液
晶を前記枠状シール部材に注入してもよい。Next, a frame-shaped sealing member made of anisotropic conductive resin is formed on the periphery of the semiconductor element formation surface of each array substrate. This anisotropic conductive resin has, for example, a composition in which fine conductive particles having an average particle size of about 5 μm made of resin beads whose surface is coated with an ITO film are dispersed in an ultraviolet curable resin containing an epoxy resin as a main component. Subsequently, the array substrates are arranged on the counter electrode such that their frame-shaped seal members are in contact with the counter electrode. At the same time, the array substrates are arranged such that the display regions of the array substrates face each other with the counter substrate sandwiched therebetween. At this time, the connection line on the counter substrate and the signal line of the array substrate are electrically connected by the frame-shaped sealing member made of anisotropic conductive resin of each array substrate. Subsequently, after injecting the liquid crystal into the frame-shaped seal member, the injection port is closed with a resin to seal the liquid crystal to manufacture the image display device. In addition, a spherical spacer made of, for example, a spherical translucent resin is previously interposed between the counter substrate and each array substrate to keep the liquid crystal in the frame-shaped sealing member while maintaining a gap between the counter substrate and the array substrate. May be injected into.
【００３３】以上説明した本発明に係わる別の画像表示
装置は、複数のアレイ基板を対向基板の両面に前記対向
基板を挟んで前記アレイ基板端部の表示領域が互いに向
い合うように配置する。つまり、前記各アレイ基板を前
記対向基板の両面に表示面から見た時に前記対向基板を
挟んで前記アレイ基板端部の表示領域が互いに一部重な
り合うように隣接して配置している。また、前記アレイ
基板を挟んで反対側の前記対向基板には前記アレイ基板
の信号線を引き回すための接続線が形成されている。さ
らに、前記対向基板と各アレイ基板との間隙に透光性樹
脂からなる枠状シール部材が形成され、このシール部で
囲まれた前記対向基板と前記アレイ基板の間に液晶が封
入された構造を有する。In another image display device according to the present invention described above, a plurality of array substrates are arranged on both surfaces of the counter substrate such that the display regions at the end portions of the array substrate face each other with the counter substrate interposed therebetween. That is, the array substrates are arranged adjacent to each other on both sides of the counter substrate such that the display regions at the ends of the array substrate partially overlap each other with the counter substrate sandwiched therebetween. Further, a connection line for routing a signal line of the array substrate is formed on the opposite substrate on the opposite side of the array substrate. Further, a frame-shaped sealing member made of a translucent resin is formed in a gap between the counter substrate and each array substrate, and liquid crystal is enclosed between the counter substrate and the array substrate surrounded by the seal portion. Have.
【００３４】このような構成の画像表示装置は、前述し
た画像表示装置と同様、非表示領域が表示面に存在され
るのを皆無、もしくは問題の無い程度に縮小することが
可能となり、大画面の画像表示装置を容易に実現するこ
とができる。In the image display device having such a structure, as in the above-described image display device, the non-display area can be reduced to the extent that there is no non-display area on the display surface, or there is no problem, and a large screen is displayed. The image display device can be easily realized.
【００３５】また、前記アレイ基板の信号線に前記対向
基板上の接続線を電気的に接続することによって、平面
的に見てアレイ基板で囲まれた内側に位置するアレイ基
板でも、このアレイ基板に隣接する前記対向基板領域上
の接続線を通して外部に電気的に引き回すことができる
ため、アレイ基板で囲まれた内側に位置するアレイ基板
も良好に駆動することができる。Also, by electrically connecting the connection lines on the counter substrate to the signal lines on the array substrate, the array substrate located inside the array substrate when seen in plan view can also be used. Since it can be electrically routed to the outside through the connection line on the counter substrate region adjacent to, the array substrate located inside surrounded by the array substrate can be favorably driven.
【００３６】したがって、対向基板の両面に複数のアレ
イ基板を表示面から見た時に前記対向基板を挟んで前記
アレイ基板端部の表示領域が互いに一部重なり合うよう
に隣接して配置し、かつ前記対向基板の接続線と前記ア
レイ基板の信号線を電気的に接続することによって、駆
動系統に支障を来すことなく複数のアレイ基板の貼り合
わせが可能になり、大画面の画像表示装置を容易に実現
することができる。Therefore, when a plurality of array substrates are arranged on both sides of the counter substrate so that the display regions at the ends of the array substrate partially overlap each other with the counter substrate sandwiched between them, and the array substrates are arranged adjacent to each other. By electrically connecting the connection line of the counter substrate and the signal line of the array substrate, it is possible to bond a plurality of array substrates without disturbing the drive system, and it is easy to realize a large-screen image display device. Can be realized.
【００３７】前記アレイ基板の信号線と前記対向基板上
の接続線との電気的な接続は、例えば前記アレイ基板周
縁に配置した複数の導電粒子や導電突起片により行うこ
とが可能である。特に、異方性導電樹脂からなる枠状シ
ール部材、または透明樹脂からなる枠状シール部材内に
配置した導電粒子や導電突起片により前記信号線と接続
線を電気的に接続すれば、接続領域の配置に伴う表示面
の面積縮小を解消することが可能になる。The electrical connection between the signal line of the array substrate and the connecting line on the counter substrate can be made by, for example, a plurality of conductive particles or conductive projection pieces arranged on the periphery of the array substrate. In particular, if the signal line and the connection line are electrically connected by a frame-shaped seal member made of an anisotropic conductive resin, or conductive particles or conductive projection pieces arranged in the frame-shaped seal member made of a transparent resin, a connection region is formed. It is possible to eliminate the reduction in the area of the display surface due to the arrangement.
【００３８】また、ＢＣＢ樹脂のような５００ｎｍから
８００ｎｍの波長の透過率が８０％以上である透光性樹
脂により枠状シール部材を形成することによって、枠状
シール部材での透過性をより向上できる。また、前記Ｂ
ＣＢ樹脂からなる枠状シール部材は未硬化後に硬化させ
ることにより前記対向基板とアレイ基板を強固に密着で
きる。その結果、前記枠状シール部材の幅を１ｍｍ以下
に狭くしても前記対向基板とアレイ基板とを良好に接合
できる。このため、表示面において前記枠状シール部材
の透過性を向上できると共にその面積を縮小して表示性
をより向上できる。Further, by forming the frame-shaped seal member from a translucent resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm such as BCB resin, the transparency of the frame-shaped seal member is further improved. it can. Also, the B
By hardening the frame-shaped seal member made of CB resin after uncured, the counter substrate and the array substrate can be firmly adhered. As a result, even if the width of the frame-shaped sealing member is narrowed to 1 mm or less, the counter substrate and the array substrate can be bonded well. Therefore, it is possible to improve the transparency of the frame-shaped seal member on the display surface and reduce the area thereof to further improve the display property.
【００３９】さらに、前記接続線を絶縁層を挟んで配置
された少なくとも１層の配線層により形成する場合、前
記絶縁層をＢＣＢ樹脂のような５００ｎｍから８００ｎ
ｍの波長の透過率が８０％以上である透光性樹脂から作
ることが可能である。このようなＢＣＢ樹脂からなる絶
縁層に接続線（多層配線領域）を配置することによっ
て、前記多層配線領域が位置する表示領域での透過性よ
り改善することが可能になる。また、前記ＢＣＢ樹脂は
比誘電率が３．５以下であるため、前記接続線（多層配
線領域）での信号波形の劣化や遅延を防ぐことが可能に
なる。その結果、表示面の大型化に伴って信号線の引き
回しが長くなることによる弊害を抑制できる。Further, when the connection line is formed by at least one wiring layer arranged with an insulating layer sandwiched between them, the insulating layer is formed from 500 nm to 800 n like BCB resin.
It can be made of a translucent resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of m. By arranging the connection line (multilayer wiring region) on such an insulating layer made of BCB resin, it becomes possible to improve the transparency in the display region in which the multilayer wiring region is located. Further, since the relative permittivity of the BCB resin is 3.5 or less, it is possible to prevent the deterioration or delay of the signal waveform in the connection line (multilayer wiring region). As a result, it is possible to suppress the adverse effect caused by the length of the signal lines being extended as the display surface becomes larger.
【００４０】次に、本発明に係わるさらに別の画像表示
装置を詳細に説明する。Next, another image display device according to the present invention will be described in detail.
【００４１】この画像表示装置は、例えばガラスからな
る透光性基材の両面に例えばＩＴＯのような透明導電材
料からなる共通電極がそれぞれ形成された対向基板と、
例えばガラスからなる透光性基材上に薄膜トランジスタ
のような半導体素子および信号線が形成されたアレイ基
板とを備える。前記各アレイ基板は、前記対向基板の両
面に前記対向基板を挟んで前記アレイ基板端部の表示領
域が互いに向い合うように配置されている。つまり、前
記各アレイ基板は前記対向基板の両面に表示面から見た
時に前記対向基板を挟んで前記アレイ基板端部の表示領
域が互いに一部が重なり合うように隣接して配置されて
いる。前記アレイ基板を挟んで反対側の前記対向基板の
面には、絶縁層を挟んで前記アレイ基板の信号線を引き
回すための少なくとも１層の接続線が形成されている。
信号補正回路は、前記アレイ基板近傍の前記接続線部分
に介装されている。さらに、前記対向基板と各アレイ基
板との間隙に透光性樹脂からなる枠状シール部材が形成
され、このシール部で囲まれた前記対向基板と前記アレ
イ基板の間に液晶が封入された構造を有する。In this image display device, a counter substrate in which a common electrode made of a transparent conductive material such as ITO is formed on both surfaces of a transparent substrate made of glass, for example,
For example, the semiconductor device includes a semiconductor element such as a thin film transistor and an array substrate in which a signal line is formed on a transparent base material made of glass. Each of the array substrates is arranged on both surfaces of the counter substrate such that the display regions at the end portions of the array substrate face each other with the counter substrate interposed therebetween. That is, the array substrates are arranged adjacent to each other on both sides of the counter substrate such that the display regions at the ends of the array substrate partially overlap each other with the counter substrate interposed therebetween when viewed from the display surface. On the surface of the opposite substrate opposite to the array substrate, at least one layer of connection line for routing a signal line of the array substrate with an insulating layer in between is formed.
The signal correction circuit is interposed in the connection line portion near the array substrate. Further, a frame-shaped sealing member made of a translucent resin is formed in a gap between the counter substrate and each array substrate, and liquid crystal is enclosed between the counter substrate and the array substrate surrounded by the seal portion. Have.
【００４２】前記透光性樹脂としては、例えばエポキシ
樹脂等を用いることができる。特に、５００ｎｍから８
００ｎｍの波長の透過率が８０％以上である透光性樹脂
が好ましい。このような透光性樹脂としては、前記透光
性の他に耐熱性の優れたベンゾシクロブタン（ＢＣＢ）
樹脂、パーフルオロシクロブタン（ＰＦＣＢ）樹脂等を
挙げることができる。As the translucent resin, for example, epoxy resin or the like can be used. Especially from 500 nm to 8
A transparent resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 00 nm is preferable. Examples of such a light-transmitting resin include benzocyclobutane (BCB) which has excellent heat resistance in addition to the above-mentioned light-transmitting properties.
Resin, perfluorocyclobutane (PFCB) resin, etc. can be mentioned.
【００４３】前記透光性を有する樹脂として、透光性の
異方性導電樹脂を用い、この異方性導電樹脂からなる枠
状シール部材により前記対向基板上の接続線と前記各ア
レイ基板の信号線とを電気的に接続することを許容す
る。前記透光性の異方性導電樹脂としては、例えばエポ
キシ樹脂を主成分とする紫外線硬化樹脂でＩＴＯ膜で表
面コートされたミクロンオーダの微細な樹脂ビーズを分
散させたもの等を用いることができる。As the light-transmitting resin, a light-transmitting anisotropic conductive resin is used, and a frame-like sealing member made of this anisotropic conductive resin is used to connect the connection line on the counter substrate to each array substrate. Allows electrical connection with signal lines. As the light-transmissive anisotropic conductive resin, for example, a resin in which fine resin beads of micron order whose surface is coated with an ITO film by an ultraviolet curable resin containing an epoxy resin as a main component is dispersed can be used. .
【００４４】前記対向基板上の接続線と前記各アレイ基
板の信号線は、例えば前記対向基板と前記各アレイ基板
との間隙の周辺部に配置されたＡｕ、Ａｌ、Ａｌ合金か
らなる複数の導電粒子またはＡｕ、Ａｌ、Ａｌ合金から
なる複数の導電突起片により接続することを許容する。
前記各導電粒子または前記各導電突起片は、前記枠状シ
ール部材内に配置されることを許容する。The connection lines on the counter substrate and the signal lines on each array substrate are made of, for example, a plurality of conductive materials made of Au, Al, and Al alloys arranged in the peripheral portion of the gap between the counter substrate and each array substrate. It is allowed to connect by a plurality of conductive projection pieces made of particles or Au, Al, Al alloy.
The conductive particles or the conductive projection pieces are allowed to be arranged in the frame-shaped sealing member.
【００４５】前記対向基板と前記各アレイ基板との間隙
には、平均粒径の揃った樹脂ビーズようなスペーサを均
一に散布することを許容する。このようなスペーサは、
例えばシリカ、ガラス、スチレン樹脂のような光吸収率
が３０％以下である低光吸収材料から作られることが好
ましい。Spacers such as resin beads having a uniform average particle diameter are allowed to be uniformly dispersed in the gaps between the counter substrate and each array substrate. Such spacers are
It is preferably made of a low light absorption material having a light absorption rate of 30% or less, such as silica, glass, or styrene resin.
【００４６】以上説明した本発明に係わるさらに別の画
像表示装置は、複数のアレイ基板を対向基板の両面に前
記対向基板を挟んで前記アレイ基板端部の表示領域が互
いに向い合うように配置する。つまり、前記各アレイ基
板を前記対向基板の両面に表示面から見た時に前記対向
基板を挟んで前記アレイ基板端部の表示領域が互いに一
部重なり合うように隣接して配置している。また、前記
アレイ基板を挟んで反対側の前記対向基板の面には、絶
縁層を挟んで前記アレイ基板の信号線を引き回すための
少なくとも１層の接続線が形成され、かつ信号補正回路
は前記アレイ基板近傍の前記接続線部分に介装されてい
る。さらに、前記対向基板と各アレイ基板との間隙に透
光性樹脂からなる枠状シール部材が形成され、このシー
ル部で囲まれた前記対向基板と前記アレイ基板の間に液
晶が封入された構造を有する。In still another image display device according to the present invention described above, a plurality of array substrates are arranged on both surfaces of the counter substrate such that the display regions at the ends of the array substrate face each other with the counter substrate sandwiched therebetween. . That is, the array substrates are arranged adjacent to each other on both sides of the counter substrate such that the display regions at the ends of the array substrate partially overlap each other with the counter substrate sandwiched therebetween. Further, at least one layer of connection line for routing the signal line of the array substrate is formed on the surface of the counter substrate on the opposite side with the array substrate sandwiched, and the signal correction circuit is provided with the connection line. It is interposed in the connection line portion near the array substrate. Further, a frame-shaped sealing member made of a translucent resin is formed in a gap between the counter substrate and each array substrate, and liquid crystal is enclosed between the counter substrate and the array substrate surrounded by the seal portion. Have.
【００４７】このような構成の画像表示装置は、前述し
た画像表示装置と同様、非表示領域が表示面に存在され
るのを皆無、もしくは問題の無い程度に縮小することが
可能となり、大画面の画像表示装置を容易に実現するこ
とができる。In the image display device having such a configuration, as in the above-described image display device, the non-display area can be reduced to the extent that it does not exist on the display surface or there is no problem, and a large screen is displayed. The image display device can be easily realized.
【００４８】また、前記アレイ基板の信号線に前記対向
基板上の接続線を電気的に接続することによって、平面
的に見てアレイ基板で囲まれた内側に位置するアレイ基
板でも、このアレイ基板に隣接する前記対向基板領域上
の接続線を通して外部に電気的に引き回すことができる
ため、アレイ基板で囲まれた内側に位置するアレイ基板
も良好に駆動することができる。前記信号線で引き回さ
れた信号波形は、アレイ基板近傍に形成された信号補正
用回路によって補正される、例えば増幅されるため、ア
レイ基板の複数枚の貼り合わせにより引き回し配線が長
くなっても所期の波形を有する信号によってアレイ基板
を駆動することができる。Also, by electrically connecting the connection line on the counter substrate to the signal line on the array substrate, the array substrate located inside the array substrate when seen in plan view can also be used. Since it can be electrically routed to the outside through the connection line on the counter substrate region adjacent to, the array substrate located inside surrounded by the array substrate can be favorably driven. The signal waveform routed by the signal line is corrected, for example, amplified by a signal correction circuit formed in the vicinity of the array substrate, so that even if the routing wiring becomes long by bonding a plurality of array substrates together. The array substrate can be driven by a signal having a desired waveform.
【００４９】したがって、対向基板の両面に複数のアレ
イ基板を表示面から見た時に前記対向基板を挟んで前記
アレイ基板端部の表示領域が互いに一部重なり合うよう
に隣接して配置し、かつ前記対向基板の接続線と前記ア
レイ基板の信号線を電気的に接続することによって、駆
動系統に支障を来すことなく複数のアレイ基板の貼り合
わせが可能になり、大画面で良好な画質を有する画像表
示装置を容易に実現することができる。Therefore, when a plurality of array substrates are arranged on both surfaces of the counter substrate so that the display regions at the ends of the array substrate partially overlap with each other with the counter substrate sandwiched between them, and By electrically connecting the connection line of the counter substrate and the signal line of the array substrate, it is possible to bond a plurality of array substrates without disturbing the drive system, and have a good image quality on a large screen. The image display device can be easily realized.
【００５０】前記アレイ基板の信号線と前記対向基板上
の接続線（配線領域）との電気的な接続は、例えば前記
アレイ基板周縁に配置した複数の導電粒子や導電突起片
により行うことが可能である。特に、異方性導電樹脂か
らなる枠状シール部材、または透明樹脂からなる枠状シ
ール部材内に配置した導電粒子や導電突起片により前記
信号線と接続線を電気的に接続すれば、接続領域の配置
に伴う表示面の面積縮小を解消することが可能になる。The electrical connection between the signal line of the array substrate and the connection line (wiring region) on the counter substrate can be made by, for example, a plurality of conductive particles or conductive projection pieces arranged on the periphery of the array substrate. Is. In particular, if the signal line and the connection line are electrically connected by a frame-shaped seal member made of an anisotropic conductive resin, or conductive particles or conductive projection pieces arranged in the frame-shaped seal member made of a transparent resin, a connection region is formed. It is possible to eliminate the reduction in the area of the display surface due to the arrangement.
【００５１】また、前記接続線として配線層が配置され
る絶縁層を５００ｎｍから８００ｎｍの波長の透過率が
８０％以上である透光性樹脂から作ることが可能であ
る。このようなＢＣＢ樹脂からなる絶縁層に接続線（多
層配線領域）を配置することによって、前記多層配線領
域が位置する表示領域での透過性より改善することが可
能になる。また、前記ＢＣＢ樹脂は比誘電率が３．５以
下であるため、前記接続線（多層配線領域）での信号波
形の劣化や遅延を防ぐことが可能になる。その結果、表
示面の大型化に伴って信号線の引き回しが長くなること
による弊害を抑制できる。The insulating layer on which the wiring layer is arranged as the connection line can be made of a translucent resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm. By arranging the connection line (multilayer wiring region) on such an insulating layer made of BCB resin, it becomes possible to improve the transparency in the display region in which the multilayer wiring region is located. Further, since the relative permittivity of the BCB resin is 3.5 or less, it is possible to prevent the deterioration or delay of the signal waveform in the connection line (multilayer wiring region). As a result, it is possible to suppress the adverse effect caused by the length of the signal lines being extended as the display surface becomes larger.
【００５２】さらに、ＢＣＢ樹脂のような５００ｎｍか
ら８００ｎｍの波長の透過率が８０％以上である透光性
樹脂により枠状シール部材を形成することによって、枠
状シール部材での透過性をより向上できる。また、前記
ＢＣＢ樹脂からなる枠状シール部材は未硬化後に硬化さ
せることにより前記対向基板とアレイ基板を強固に密着
できる。その結果、前記枠状シール部材の幅を１ｍｍ以
下に狭くしても前記対向基板とアレイ基板とを良好に接
合できる。このため、表示面において前記枠状シール部
材の透過性を向上できると共にその面積を縮小して表示
性をより向上できる。Further, by forming the frame-shaped seal member from a translucent resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm such as BCB resin, the transparency of the frame-shaped seal member is further improved. it can. In addition, the frame-shaped sealing member made of the BCB resin can be firmly adhered to the counter substrate and the array substrate by curing the frame-shaped sealing member after uncuring. As a result, even if the width of the frame-shaped sealing member is narrowed to 1 mm or less, the counter substrate and the array substrate can be bonded well. Therefore, it is possible to improve the transparency of the frame-shaped seal member on the display surface and reduce the area thereof to further improve the display property.
【００５３】以下に、本発明の好ましい実施例を図面を
参照して詳細に説明する。Preferred embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.
【００５４】（実施例１）図１の（ａ）、（ｂ）は、本
発明の実施例１の画像表示装置の製造工程を示す概略断
面図、図２は得られた画像表示装置の平面図である。Example 1 (a) and (b) of FIG. 1 are schematic cross-sectional views showing the manufacturing process of the image display device of Example 1 of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the obtained image display device. It is a figure.
【００５５】まず、例えばガラスからなる厚さ０．７ｍ
ｍの透光性基材２１の両面にスパッタ法で厚さ３００ｎ
ｍのＩＴＯ膜をそれぞれ成膜した。このＩＴＯ膜上にロ
ールコータによるレジスト塗布、写真蝕刻法によるレジ
ストパターンの形成した。このレジストパターンをマス
クとして前記ＩＴＯ膜の選択的エッチングを行うことに
よって、前記透光性基材２１の両面に電極パターン（共
通電極）２２を形成して対向基板２３を作製した。First, the thickness is 0.7 m, which is made of glass, for example.
The thickness of the transparent substrate 21 having a thickness of 300 m is 300 n by a sputtering method.
m ITO film was formed. A resist pattern was formed on this ITO film by a roll coater and a photo-etching method. By selectively etching the ITO film using this resist pattern as a mask, electrode patterns (common electrodes) 22 were formed on both surfaces of the translucent base material 21 to prepare a counter substrate 23.
【００５６】また、例えばガラスからなる厚さ０．７ｍ
ｍの透光性基材２４の片面にスパッタ法で厚さ３００ｎ
ｍのＩＴＯを成膜した。このＩＴＯ膜上にロールコータ
によるレジスト塗布、写真蝕刻法によるレジストパター
ンの形成した。このレジストパターンをマスクとした前
記ＩＴＯ膜の選択的エッチングを行うことによって、前
記透光性基材２４の片面に信号線パターン２５を形成
し、さらに半導体素子としてのポリシリコンゲート型Ｔ
ＦＴ（図示せず）を形成して２枚のアレイ基板２６ａ、
（２６ｂ）を作製した。Further, the thickness is 0.7 m, which is made of glass, for example.
The thickness of the transparent substrate 24 having a thickness of 300 m is 300 n by a sputtering method.
m ITO film was formed. A resist pattern was formed on this ITO film by a roll coater and a photo-etching method. By selectively etching the ITO film using the resist pattern as a mask, a signal line pattern 25 is formed on one surface of the transparent base material 24, and a polysilicon gate type T as a semiconductor element is formed.
An FT (not shown) is formed to form two array substrates 26a,
(26b) was produced.
【００５７】次いで、前記対向基板２３表面上にディス
ペンサを用いて、エポキシ樹脂を主成分とする紫外線硬
化樹脂を塗布し、８０℃で仮乾燥することにより前記対
向基板２３の端部側に液晶注入用開口部を有する未硬化
の矩形枠状シール部材２７ａを形成した。つづいて、前
記未硬化の枠状シール部材２７ａで囲まれた前記対向基
板２３表面上にスチレン樹脂からなる平均粒径５μｍの
スペーサ２８ａを散布し、前記枠状シール部材２７ａお
よび前記スペーサ２８ａ上に予め作製した前記一方のア
レイ基板２６ａを位置合わせした。ひきつづき、前記ア
レイ基板２６ａ側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂
からなる前記未硬化の枠状シール部材２７ａを硬化し
た。硬化後の前記枠状シール部材２７ａは、厚さ５μ
ｍ、平均幅３０μｍで、その透過率が可視の波長領域に
亘って９０％以上であった。前記枠状シール部材２７ａ
の開口部を通して液晶２９ａを注入した後、同様な紫外
線硬化性樹脂で前記開口部を塞いで前記液晶２９ａを封
入した。このような工程により図１の（ａ）に示すよう
に表面側表示領域３０ａを作製した。Next, an ultraviolet curable resin containing an epoxy resin as a main component is applied onto the surface of the counter substrate 23 using a dispenser, and is temporarily dried at 80 ° C. to inject liquid crystal into the end portion of the counter substrate 23. An uncured rectangular frame-shaped seal member 27a having an opening for use was formed. Subsequently, spacers 28a made of styrene resin and having an average particle size of 5 μm are scattered on the surface of the counter substrate 23 surrounded by the uncured frame-shaped seal member 27a, and the spacers 28a are formed on the frame-shaped seal member 27a and the spacer 28a. The one array substrate 26a prepared in advance was aligned. Subsequently, the array substrate 26a side was irradiated with ultraviolet rays to cure the uncured frame-shaped sealing member 27a made of an ultraviolet curable resin. The frame-shaped seal member 27a after curing has a thickness of 5 μm.
m, the average width was 30 μm, and the transmittance was 90% or more over the visible wavelength range. The frame-shaped sealing member 27a
After injecting the liquid crystal 29a through the opening, the liquid crystal 29a was sealed by closing the opening with a similar ultraviolet curable resin. Through these steps, the front side display region 30a was produced as shown in FIG.
【００５８】次いで、前記アレイ基板２６ａと反対側の
前記対向基板２３の裏面上に、前述した表示領域３０ａ
の作製と同様な工程で液晶注入用開口部を有する未硬化
の枠状シール部材２７ｂを形成し、この枠状シール部材
２７ｂで囲まれた前記対向基板２３裏面上に透光性樹脂
からなる平均粒径５μｍのスペーサ２８ｂを散布した。
前記枠状シール部材２７ｂおよび前記スペーサ２８ｂ上
に、予め作製した前記他方のアレイ基板２６ｂを位置合
わせし、前記アレイ基板２６ｂ側から紫外線を照射して
紫外線硬化樹脂からなる前記未硬化の枠状シール部材２
７ｂを硬化した。硬化後の前記枠状シール部材２７ｂ
は、厚さ５μｍ、平均幅３０μｍで、その透過率が可視
の波長領域に亘って９０％以上であった。ひきつづき、
前記枠状シール部材２７ｂの開口部を通して液晶２９ｂ
を注入した後、同様な紫外線硬化性樹脂で前記開口部を
塞いで前記液晶２９ｂを封入した。このような工程によ
り図１Ｂに示すように裏面側表示領域３０ｂを作製し、
画像表示装置を製造した。Next, on the back surface of the counter substrate 23 opposite to the array substrate 26a, the above-mentioned display area 30a is formed.
An uncured frame-shaped seal member 27b having an opening for injecting liquid crystal is formed by the same process as in the production of 1. Spacers 28b having a particle size of 5 μm were dispersed.
The other array substrate 26b prepared in advance is positioned on the frame-shaped seal member 27b and the spacer 28b, and ultraviolet rays are irradiated from the array substrate 26b side to form the uncured frame-shaped seal made of an ultraviolet curable resin. Member 2
7b was cured. The frame-shaped sealing member 27b after curing
Had a thickness of 5 μm and an average width of 30 μm, and its transmittance was 90% or more over the visible wavelength range. Continued,
The liquid crystal 29b passes through the opening of the frame-shaped sealing member 27b.
Then, the liquid crystal 29b was sealed by closing the opening with a similar ultraviolet curable resin. The back side display area 30b is produced as shown in FIG.
An image display device was manufactured.
【００５９】本実施例１に係わる画像表示装置は、図１
の（ｂ）および図２に示すように厚さ０．７ｍｍの透光
性基材２１の両面に厚さ３００ｎｍのＩＴＯ共通電極２
２が形成された対向基板２３と、厚さ０．７ｍｍの透光
性基材２４片面上にポリシコンゲート型ＴＦＴ（図示せ
ず）および厚さ３００ｎｍのＩＴＯ信号線２５を形成し
たアレイ基板２６ａ、２６ｂとを備える。前記各アレイ
基板２６ａ、２６ｂは、前記対向基板２３の両面に前記
対向基板２３を挟んで前記アレイ基板２６ａ、２６ｂ端
部の表示領域が互いに向い合うように配置されている。
つまり、表示面から見た時、前記各アレイ基板２６ａ、
２６ｂは前記対向基板２３を挟んで一部が互いに重なる
ように隣接して配置されている。前記対向基板２３と各
アレイ基板２６ａ、２６ｂとの間隙には、スペーサ２８
ａ、２８ｂがそれぞれ介在されていると共に透光性樹脂
からなる枠状シール部材２７ａ、２７ｂがそれぞれ形成
されている。前記対向基板２３、アレイ基板２６ａおよ
び枠状シール部材２７ａで囲まれた空間には、液晶２９
ａが封入されている。また、前記対向基板２３、アレイ
基板２６ｂおよび枠状シール部材２７ｂで囲まれた空間
には液晶２９ｂが封入されている。The image display apparatus according to the first embodiment is shown in FIG.
As shown in (b) of FIG. 2 and FIG. 2, the ITO common electrode 2 having a thickness of 300 nm is formed on both surfaces of the transparent substrate 21 having a thickness of 0.7 mm.
2 and an array substrate 26a in which a polysilicon gate type TFT (not shown) and an ITO signal line 25 having a thickness of 300 nm are formed on one surface of a transparent substrate 24 having a thickness of 0.7 mm. , 26b. The array substrates 26a and 26b are arranged on both surfaces of the counter substrate 23 so that the display areas at the ends of the array substrates 26a and 26b face each other with the counter substrate 23 interposed therebetween.
That is, when viewed from the display surface, each array substrate 26a,
26b are arranged adjacent to each other with the counter substrate 23 interposed therebetween so as to partially overlap each other. A spacer 28 is provided in the gap between the counter substrate 23 and each array substrate 26a, 26b.
Frame-shaped seal members 27a and 27b made of translucent resin are formed with a and 28b interposed respectively. A liquid crystal 29 is provided in the space surrounded by the counter substrate 23, the array substrate 26a and the frame-shaped sealing member 27a.
a is enclosed. A liquid crystal 29b is enclosed in a space surrounded by the counter substrate 23, the array substrate 26b and the frame-shaped sealing member 27b.
【００６０】このような構成の画像表示装置は図１の
（ｂ）および図２に示すように表示面から見た時、対向
基板２３を挟んだ隣り合ったアレイ基板２６ａ、２６ｂ
は一部が互いに重複するように配置され、各表示領域３
０ａ、３０ｂ間に位置する一方の枠状シール部材２７ａ
は他方のアレイ基板２６ｂの表示領域３０ｂにより補わ
れて、他方の枠状シール部材２７ｂは一方のアレイ基板
２６ａの表示領域３０ａにより補われる。このため、表
示可能領域を２つのアレイ基板２６ａ、２６ｂを配置し
た領域（図２中、Ａ1 ×Ｂ1 ）に対応した大画面化を実
現することができる。In the image display device having such a configuration, when viewed from the display surface as shown in FIGS. 1B and 2, the array substrates 26a and 26b adjacent to each other with the counter substrate 23 sandwiched therebetween.
Are arranged so as to partially overlap each other, and each display area 3
One frame-shaped seal member 27a located between 0a and 30b
Is supplemented by the display area 30b of the other array substrate 26b, and the other frame-shaped sealing member 27b is supplemented by the display area 30a of the one array substrate 26a. Therefore, it is possible to realize a large screen corresponding to the displayable area (A 1 × B 1 in FIG. 2) in which the two array substrates 26a and 26b are arranged.
【００６１】なお、表示領域内には各表示領域３０ａ、
３０ｂ間に位置する枠状シール部材２７ａ、２７ｂが存
在するが、前記枠状シール部材２７ａ、２７ｂを可視の
波長領域において透光性を有する材料から形成すること
によって、反対側のアレイ基板が作る表示領域で補うこ
とができるため、表示領域内に非表示領域が形成される
のを皆無にすることができる。In the display area, each display area 30a,
Although there are frame-shaped seal members 27a and 27b located between 30b, the array substrate on the opposite side is formed by forming the frame-shaped seal members 27a and 27b from a material having a light-transmitting property in the visible wavelength region. Since it can be supplemented by the display area, it is possible to eliminate the formation of the non-display area in the display area.
【００６２】（実施例２）図３は、本発明の実施例２に
おける画像表示装置を示す概略断面図である。なお、前
述した実施例１で説明した図１の（ｂ）と同様な部材は
同符号を付して説明を省略する。(Embodiment 2) FIG. 3 is a schematic sectional view showing an image display device according to Embodiment 2 of the present invention. In addition, the same members as those in FIG. 1B described in the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【００６３】実施例２の画像表示装置は、図３に示すよ
うに透光性を有する補助基板３１ａ、３１ｂが対向基板
２３の表裏面に配置されている。前記補助基板３１ａ
は、前記対向基板２３の表面に前記アレイ基板２６ａと
隣接すると共に、前記アレイ基板２６ａと面一になるよ
うに透光性樹脂からなる枠状シール部材２７およびスチ
レン樹脂からなる球状スペーサ２８を介して固定されて
いる。前記補助基板３１ｂは、前記対向基板２３の裏面
にアレイ基板２６ｂと隣接すると共に、前記アレイ基板
２６ｂと面一になるように透光性樹脂からなる枠状シー
ル部材２７およびスチレン樹脂からなる球状スペーサ２
８を介して固定されている。In the image display device of the second embodiment, as shown in FIG. 3, translucent auxiliary substrates 31a and 31b are arranged on the front and back surfaces of the counter substrate 23. The auxiliary substrate 31a
Is adjacent to the array substrate 26a on the surface of the counter substrate 23, and a frame-shaped sealing member 27 made of a translucent resin and a spherical spacer 28 made of a styrene resin are provided so as to be flush with the array substrate 26a. It is fixed. The auxiliary substrate 31b is adjacent to the array substrate 26b on the back surface of the counter substrate 23, and has a frame-shaped sealing member 27 made of a translucent resin and a spherical spacer made of styrene resin so as to be flush with the array substrate 26b. Two
8 is fixed.
【００６４】このような構成によれば、前述した実施例
１と同様、表示領域内に非表示領域が形成されない大面
積の画像表示装置を実現できる。With this structure, a large-area image display device in which a non-display area is not formed in the display area can be realized as in the first embodiment.
【００６５】また、補助基板３１ａ、３１ｂの配置によ
り、対向基板２３の表裏面にアレイ基板２６ａ、２６ｂ
をずらして配置することに伴う段差を解消できるため、
高強度の画像表示装置を実現できる。The array substrates 26a and 26b are provided on the front and back surfaces of the counter substrate 23 by the arrangement of the auxiliary substrates 31a and 31b.
Since the step caused by arranging the staggered positions can be eliminated,
A high-strength image display device can be realized.
【００６６】なお、実施例２の画像表示装置において表
面側のアレイ基板２６ａおよび補助基板３１ａの表面に
薄い金属酸化膜または樹脂膜を反射防止層として形成
し、乱反射による見え難さを防止してもよい。In the image display device of the second embodiment, a thin metal oxide film or a resin film is formed as an antireflection layer on the surfaces of the array substrate 26a and the auxiliary substrate 31a on the front side to prevent the difficulty of viewing due to irregular reflection. Good.
【００６７】（実施例３）図４は、本発明の実施例３に
おける画像表示装置を示す概略断面図である。なお、前
述した実施例１で説明した図１の（ｂ）と同様な部材は
同符号を付して説明を省略する。(Third Embodiment) FIG. 4 is a schematic sectional view showing an image display device according to a third embodiment of the present invention. In addition, the same members as those in FIG. 1B described in the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【００６８】実施例３の画像表示装置は、図４に示すよ
うに例えば可視領域の波長において反射率４０〜９０％
の反射板３２ａ，３２ｂが表面側のアレイ基板２６ａに
対応する対向基板２３の裏面部分および裏面側のアレイ
基板２６ｂの透光性基材２４上にそれぞれ配置されてい
る。The image display apparatus of Example 3 has a reflectance of 40 to 90% at a wavelength in the visible region, as shown in FIG.
The reflecting plates 32a and 32b are arranged on the rear surface portion of the counter substrate 23 corresponding to the front surface side array substrate 26a and on the transparent base material 24 of the rear surface side array substrate 26b, respectively.
【００６９】このような構成によれば、前述した実施例
１と同様、表示領域内に非表示領域が形成されない大面
積の画像表示装置を実現できる。According to this structure, a large-area image display device in which a non-display area is not formed in the display area can be realized as in the first embodiment.
【００７０】また、反射板３２ａ、３２ｂの配置によ
り、高コントラスト比を有する画像表示装置を実現でき
る。Further, by disposing the reflection plates 32a and 32b, an image display device having a high contrast ratio can be realized.
【００７１】（実施例４）図５は、本発明の実施例４に
おける画像表示装置を示す概略断面図である。なお、前
述した実施例１で説明した図１の（ｂ）と同様な部材は
同符号を付して説明を省略する。(Fourth Embodiment) FIG. 5 is a schematic sectional view showing an image display device according to a fourth embodiment of the present invention. In addition, the same members as those in FIG. 1B described in the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
【００７２】実施例４の画像表示装置は、図５に示すよ
うに透光性を有する補助基板３１ａ、３１ｂが対向基板
２３の表裏面に配置されている。前記補助基板３１ａ
は、前記対向基板２３の表面にアレイ基板２６ａと隣接
すると共に、前記アレイ基板２６ａと面一になるように
透光性樹脂からなる枠状シール部材２７およびスチレン
樹脂からなる球状スペーサ２８を介して固定されてい
る。前記補助基板３１ｂは、前記対向基板２３の裏面に
アレイ基板２６ｂと隣接すると共に、前記アレイ基板２
６ｂと面一になるように透光性樹脂からなる枠状シール
部材２７およびスチレン樹脂からなる球状スペーサ２８
を介して固定されている。さらに、例えば可視領域の波
長において反射率４０〜９０％の反射板３２は、前記裏
面側のアレイ基板２６ｂの透光性基材２４および前記裏
面側の補助基板３１ｂ上に配置されている。In the image display device of Example 4, as shown in FIG. 5, translucent auxiliary substrates 31a and 31b are arranged on the front and back surfaces of the counter substrate 23. The auxiliary substrate 31a
Is adjacent to the array substrate 26a on the surface of the counter substrate 23, and through a frame-shaped sealing member 27 made of a translucent resin and a spherical spacer 28 made of styrene resin so as to be flush with the array substrate 26a. It is fixed. The auxiliary substrate 31b is adjacent to the array substrate 26b on the back surface of the counter substrate 23, and the array substrate 2 is provided.
A frame-shaped sealing member 27 made of a translucent resin and a spherical spacer 28 made of styrene resin so as to be flush with 6b.
Has been fixed through. Further, for example, the reflection plate 32 having a reflectance of 40 to 90% in the wavelength of the visible region is arranged on the translucent base material 24 of the array substrate 26b on the back surface side and the auxiliary substrate 31b on the back surface side.
【００７３】このような構成によれば、前述した実施例
１と同様、表示領域内に非表示領域が形成されない大面
積の画像表示装置を実現できる。According to this structure, a large-area image display device in which a non-display area is not formed in the display area can be realized as in the first embodiment.
【００７４】また、補助基板３１ａ、３１ｂの配置によ
り、対向基板２３の表裏面にアレイ基板２６ａ、２６ｂ
をずらして配置することに伴う段差を解消できるため、
高強度の画像表示装置を実現できる。さらに反射板３２
を配置することによって、高コントラスト比を有する画
像表示装置を実現できる。The array substrates 26a and 26b are provided on the front and back surfaces of the counter substrate 23 by the arrangement of the auxiliary substrates 31a and 31b.
Since the step caused by arranging the staggered positions can be eliminated,
A high-strength image display device can be realized. Furthermore, the reflector 32
By disposing, the image display device having a high contrast ratio can be realized.
【００７５】（実施例５）図６は本発明の実施例５にお
ける画像表示装置の表示領域を模式的に示した図であ
る。(Embodiment 5) FIG. 6 is a diagram schematically showing a display area of an image display device according to Embodiment 5 of the present invention.
【００７６】図６に示すように中央に位置するアレイ基
板２６a は、図示しない対向基板の表面側に配置されて
いる。２枚のアレイ基板２６b1、２６b2は、図示しない
対向基板の裏面に表示面から見た時、前記表面側のアレ
イ基板２６a の左右端に重なるように隣接して配置され
ている。前記対向基板と各アレイ基板２６a 、２６b1、
２６b2との間隙には、スペーサがそれぞれ介在されてい
ると共に透光性樹脂からなる枠状シール部材２７がそれ
ぞれ形成されている。前記対向基板、アレイ基板２６a
および枠状シール部材で囲まれた空間には、液晶が封入
されている。また、前記対向基板、アレイ基板２６b1、
２６b2および枠状シール部材２７で囲まれた空間には液
晶がそれぞれ封入されている。[0076] The array substrate 26 a located at the center as shown in FIG. 6 are arranged on the surface side of the counter substrate (not shown). The two array substrates 26 b1 and 26 b2 are arranged adjacent to each other so as to overlap the left and right ends of the array substrate 26 a on the front surface side when viewed from the display surface on the back surface of the counter substrate (not shown). The counter substrate and the array substrate 26 a, 26 b1,
Spacers are interposed and gap-shaped sealing members 27 made of a light-transmissive resin are formed in the gaps with 26 b2 . The counter substrate and the array substrate 26 a
Liquid crystal is enclosed in the space surrounded by the frame-shaped sealing member. In addition, the counter substrate, the array substrate 26 b1 ,
Liquid crystal is enclosed in the space surrounded by 26 b2 and the frame-shaped seal member 27.
【００７７】このような構成によれば、図６中のＡ2 ×
Ｂ2 に相当する表示領域を有する大面積の画像表示装置
を実現できる。なお、表示領域内に枠状シール部材２７
が含まれているが、可視の波長領域において透光性を有
する樹脂からなる枠状シール部材２７を用いることによ
り、反対側のアレイ基板が作る表示領域で補うことがで
きるため、表示領域内に非表示領域が形成されるのを皆
無にすることができる。According to such a configuration, A 2 × in FIG.
A large-area image display device having a display region corresponding to B 2 can be realized. In addition, the frame-shaped seal member 27 is provided in the display area.
However, by using the frame-shaped sealing member 27 made of a resin having a light-transmitting property in the visible wavelength range, it can be supplemented by the display area formed by the array substrate on the opposite side. The non-display area can be completely eliminated.
【００７８】（実施例６）図７は、本発明の実施例６に
おける画像表示装置の表示領域を模式的に示した図であ
る。(Sixth Embodiment) FIG. 7 is a diagram schematically showing a display area of an image display device according to a sixth embodiment of the present invention.
【００７９】図７に示すように右上がり方向の対角線上
に位置する２枚のアレイ基板２６a1、２６a2は、図示し
ない対向基板の表面側にそれぞれ配置されている。左上
がり方向の対角線上に位置する２枚のアレイ基板２
６b1、２６b2のうち上側のアレイ基板２６b1は、図示し
ない対向基板の裏面に表示面から見た時、その右辺およ
び下辺が右上がり方向の対角線上に位置する前記表面側
のアレイ基板２６a1、２６a2に重なるように隣接して配
置されている。左上がり方向の対角線上に位置する２枚
のアレイ基板２６b1、２６b2のうち下側のアレイ基板２
６b2は、図示しない対向基板の裏面に表示面から見た
時、その左辺および上辺が右上がり方向の対角線上に位
置する前記表面側のアレイ基板２６a1、２６a2に重なる
ように隣接して配置されている。前記対向基板と各アレ
イ基板２６a1、２６a2、２６b1、２６b2との間隙には、
スペーサがそれぞれ介在されていると共に透光性樹脂か
らなる枠状シール部材２７がそれぞれ形成されている。
前記対向基板、アレイ基板２６a1、２６a2および枠状シ
ール部材で囲まれた空間には、液晶がそれぞれ封入され
ている。また、前記対向基板、アレイ基板２６b1、２６
b2および枠状シール部材２７で囲まれた空間には液晶が
それぞれ封入されている。As shown in FIG. 7, the two array substrates 26 a1 and 26 a2 located on the diagonal lines in the upward right direction are arranged on the front surface side of the counter substrate (not shown). Two array substrates 2 located on the diagonal line in the upward left direction
The upper array substrate 26 b1 of 6 b1 and 26 b2 is the array substrate 26 on the front side whose right and lower sides are located on the diagonal line in the upward right direction when viewed from the display surface on the back surface of the counter substrate (not shown). They are arranged adjacent to each other so as to overlap a1 and 26a2 . The lower array substrate 2 of the two array substrates 26 b1 and 26 b2 located on the diagonal line in the upward left direction
6 b2 is adjacent to the front surface side of the array substrates 26 a1 and 26 a2 so that the left side and the upper side thereof are located on the diagonal line in the upward right direction when viewed from the display surface on the back surface of the counter substrate (not shown). It is arranged. In the gap between the counter substrate and each array substrate 26 a1 , 26 a2 , 26 b1 , 26 b2 ,
Frame-like sealing members 27 made of a translucent resin are formed with the spacers respectively interposed.
Liquid crystal is enclosed in the space surrounded by the counter substrate, the array substrates 26 a1 and 26 a2, and the frame-shaped sealing member. In addition, the counter substrate and the array substrates 26 b1 and 26 b
Liquid crystal is enclosed in the space surrounded by b2 and the frame-shaped sealing member 27.
【００８０】このような構成によれば、図７中のＡ3 ×
Ｂ3 に相当する表示領域を有する大面積の画像表示装置
を実現できる。ただし、図示しない対向基板を挟んで枠
状シール部材２７同士が重なる中央付近が非表示領域と
なる。この場合、対向基板の一方の側で、例えばガラス
からなる透光性基材端面の切り出し精度を±１０μｍ程
度として、隣接する枠状シール２７同士の間隙をなくし
た場合でも、枠状シール部材２７の幅をＳとすると、２
Ｓ×２Ｓの面積を持つ非表示領域が表示領域内に存在す
ることになる。アレイ基板１枚当たりの表示領域の上限
を例えば３０インチ角とすると、実施例７の画像表示装
置の表示領域は６０インチ角程度の大型となり、このよ
うなな大型画面では１画素当たりの大きさが１ｍｍ角程
度でも十分に鮮明な画像が得られる。したがって、前記
寸法の画素で構成された画像表示装置の場合には枠状シ
ール部材２７の幅Ｓが５０μｍ程度でも、非表示領域は
１００μｍ角〜１２０μｍ角で１画素当たりの１．４％
程度の面積にしか相当せず、画像表示の観点から問題な
い大きさである。According to such a configuration, A 3 × in FIG.
A large-area image display device having a display area corresponding to B 3 can be realized. However, the non-display area is in the vicinity of the center where the frame-shaped sealing members 27 overlap each other with the counter substrate (not shown) interposed therebetween. In this case, on one side of the counter substrate, even if the gap between the adjacent frame seals 27 is eliminated by setting the cutting accuracy of the end face of the translucent base material made of glass to about ± 10 μm, the frame seal member 27 Let S be the width of 2
A non-display area having an area of S × 2S exists in the display area. If the upper limit of the display area per one array substrate is set to, for example, 30 inches square, the display area of the image display device of Example 7 becomes large, such as about 60 inches square, and such a large screen has a size per pixel. Is about 1 mm square, a sufficiently clear image can be obtained. Therefore, in the case of an image display device composed of pixels of the above size, even if the width S of the frame-shaped seal member 27 is about 50 μm, the non-display area is 100 μm square to 120 μm square and 1.4% per pixel.
The size corresponds to only a certain area, and is a size that poses no problem from the viewpoint of image display.
【００８１】なお、前記実施例１〜６の画像表示装置に
おいて、アレイ基板に形成されるポリシリコンＴＦＴ半
導体素子が形成される絶縁層をＢＣＢ樹脂前駆体溶液の
塗布、硬化により形成してもよい。このようなＢＣＢ樹
脂からなる絶縁層は５００〜８００ｎｍの波長域の透過
率が９８％と高い透過性を有するため、前記ＴＦＴ半導
体素子での表示性を改善することが可能になる。In the image display devices of Examples 1 to 6, the insulating layer on which the polysilicon TFT semiconductor elements formed on the array substrate are formed may be formed by applying and curing a BCB resin precursor solution. . Since the insulating layer made of such BCB resin has a high transmittance of 98% in the wavelength range of 500 to 800 nm, it is possible to improve the displayability of the TFT semiconductor element.
【００８２】また、前記枠状シール部材はエポキシ樹脂
に代えてＢＣＢ樹脂により枠状シール部材を形成しても
よい。このような枠状シール部材は、例えばＢＣＢ樹脂
前駆体溶液を対向基板またはアレイ基板に塗布、乾燥し
て未硬化の枠状シール部材を形成し、対向基板とアレイ
基板とを前記未硬化の枠状シール部材で張り合わせた
後、２５０℃、１時間、さらに３５０℃、３０分間のベ
ークを行うことにより形成される。ベーク後のＢＣＢ樹
脂からなる枠状シール部材は、５００〜８００ｎｍの波
長域の透過率が９５％と高い透過性を有する。このよう
な枠状シール部材を有する画像表示装置は、表示面に位
置する前記枠状シール部材での透過性をより向上でき
る。しかも、前記ＢＣＢ樹脂からなる枠状シール部材は
未硬化後に硬化させることにより前記対向基板とアレイ
基板を強固に密着できる。その結果、前記枠状シール部
材の幅を１ｍｍ以下に狭くしても前記対向基板とアレイ
基板とを良好に接合できる。このため、表示面において
前記枠状シール部材の透過性を向上できると共にその面
積を縮小して表示性をより向上できる。The frame-shaped sealing member may be formed of BCB resin instead of epoxy resin. In such a frame-shaped seal member, for example, a BCB resin precursor solution is applied to the counter substrate or the array substrate and dried to form an uncured frame-shaped seal member, and the counter substrate and the array substrate are formed into the uncured frame. It is formed by laminating with a sheet-shaped sealing member and then baking at 250 ° C. for 1 hour and further at 350 ° C. for 30 minutes. The frame-shaped seal member made of BCB resin after baking has a high transmittance of 95% in the wavelength range of 500 to 800 nm. The image display device having such a frame-shaped seal member can further improve the transparency of the frame-shaped seal member located on the display surface. Moreover, the frame-shaped seal member made of the BCB resin can be firmly adhered to the counter substrate and the array substrate by curing after curing. As a result, even if the width of the frame-shaped sealing member is narrowed to 1 mm or less, the counter substrate and the array substrate can be bonded well. Therefore, it is possible to improve the transparency of the frame-shaped seal member on the display surface and reduce the area thereof to further improve the display property.
【００８３】（実施例７）図の（ａ）〜（ｃ）は、本発
明の実施例７における画像表示装置の製造工程を示す概
略断面図、図９は得られた画像表示装置の部分切欠斜視
図である。(Embodiment 7) (a) to (c) of the figure are schematic cross-sectional views showing a manufacturing process of an image display device according to a seventh embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a partial cutaway of the obtained image display device. It is a perspective view.
【００８４】まず、例えばガラスからなる厚さ０．７ｍ
ｍの透光性基材４１の両面にスパッタ法で厚さ３００ｎ
ｍのＩＴＯ膜をそれぞれ成膜した。このＩＴＯ膜上にロ
ールコータによるレジスト塗布、写真蝕刻法によるレジ
ストパターンを形成した。このレジストパターンをマス
クとした前記ＩＴＯ膜の選択的エッチングを行うことに
よって図８の（ａ）に示すように前記透光性基材４１の
両面に電極パターン（共通電極）４２およびＸ方向に延
びる複数の接続線４３、Ｙ方向に延びる複数の接続線
（図示せず）をそれぞれ形成して対向基板４４を作製し
た。First, the thickness is 0.7 m, which is made of glass, for example.
The thickness of the transparent substrate 41 having a thickness of 300 m is 300 n by a sputtering method.
m ITO film was formed. A resist pattern was formed on the ITO film by a roll coater and a photo-etching method. By selectively etching the ITO film using this resist pattern as a mask, as shown in FIG. 8A, the electrode pattern (common electrode) 42 and the X-direction are formed on both surfaces of the transparent substrate 41. A plurality of connection lines 43 and a plurality of connection lines (not shown) extending in the Y direction were respectively formed to fabricate a counter substrate 44.
【００８５】また、例えばガラスからなる厚さ０．７ｍ
ｍの透光性基材４５の片面にスパッタ法で厚さ３００ｎ
ｍのＩＴＯを成膜した。このＩＴＯ膜上にロールコータ
によるレジスト塗布、写真蝕刻法によるレジストパター
ンを形成した。このレジストパターンをマスクとした前
記ＩＴＯ膜の選択的エッチングを行うことによって前記
透光性基材４５の片面にＸ方向に延びる複数の信号線４
６、Ｙ方向に延びる複数の信号線（図示せず）を形成
し、さらに半導体素子としてのポリシリコンゲート型Ｔ
ＦＴ（図示せず）を形成して３枚のアレイ基板４７a1、
４７a2、（４７b）をそれぞれ作製した。A thickness of 0.7 m made of glass, for example.
The thickness of the transparent substrate 45 having a thickness of 300 m is 300 n by a sputtering method.
m ITO film was formed. A resist pattern was formed on the ITO film by a roll coater and a photo-etching method. By selectively etching the ITO film using the resist pattern as a mask, a plurality of signal lines 4 extending in the X direction are formed on one surface of the transparent base material 45.
6, a plurality of signal lines (not shown) extending in the Y direction are formed, and a polysilicon gate type T as a semiconductor element is further formed.
An FT (not shown) is formed to form three array substrates 47 a1 ,
47 a2 and (47 b ) were produced respectively.
【００８６】次いで、前記対向基板４４表面上にディス
ペンサを用いて、異方性導電樹脂を塗布し、８０℃で仮
乾燥することにより前記対向基板４４の端部側に液晶注
入用開口部を有する未硬化の矩形枠状シール部材４
８a1、４８a2をそれぞれ形成した。なお、前記異方性導
電樹脂はエポキシ樹脂を主成分とする紫外線硬化樹脂に
表面がＩＴＯ膜でコートされた樹脂ビーズからなる平均
粒径５μｍ程度の微細な導電性粒子を分散した組成を有
する。つづいて、前記枠状シール部材４８a1、４８a2で
囲まれた前記対向基板４４表面上にスチレン樹脂からな
る平均粒径５μｍの球状スペーサ４９a1、４９a2をそれ
ぞれ散布し、前記枠状シール部材４８a1、４８a2および
前記スペーサ４９a1、４９a2上に予め作製した前記２つ
のアレイ基板４７a1、４７a2をそれぞれ位置合わせし
た。ひきつづき、前記アレイ基板４７a1、４７a2側から
紫外線を照射して未硬化の前記枠状シール部材４８a1、
４８a2を硬化した。硬化後の前記枠状シール部材４
８a1、４８a2は、厚さ５μｍ、平均幅３０μｍで、その
透過率が可視の波長領域に亘って８２％以上であった。
また、アレイ基板４７a1、４７a2上の複数の信号線４６
と前記対向基板４４上の複数の接続線４３とが前記異方
性導電樹脂からなる枠状シール部材４８a1、４８a2によ
りそれぞれ接続された。この接続抵抗は、１信号線当た
り３０ｍΩであり、電気的に良好な接続が得られた。こ
の後、前記枠状シール部材４８a1、４８a2の開口部を通
して液晶５０a1、５０a2をそれぞれ注入した後、同様な
紫外線硬化性樹脂で前記開口部を塞いで前記液晶５
０a1、５０a2を封入した。このような工程により図８の
（ｂ）に示すように表面側表示領域５１a1、５１a2を作
製した。Next, an anisotropic conductive resin is applied on the surface of the counter substrate 44 by using a dispenser, and is temporarily dried at 80 ° C. to have a liquid crystal injection opening on the end side of the counter substrate 44. Unhardened rectangular frame-shaped seal member 4
8 a1 and 48 a2 were formed, respectively. The anisotropic conductive resin has a composition in which fine conductive particles having an average particle size of about 5 μm and made of resin beads whose surface is coated with an ITO film are dispersed in an ultraviolet curable resin containing an epoxy resin as a main component. Subsequently, spherical spacers 49 a1 and 49 a2 made of styrene resin and having an average particle diameter of 5 μm are sprinkled on the surface of the counter substrate 44 surrounded by the frame-shaped seal members 48 a1 and 48 a2 , respectively. 48 a1 and 48 a2 and the two array substrates 47 a1 and 47 a2 previously formed on the spacers 49 a1 and 49 a2 were aligned with each other. Subsequently, the array substrate 47 a1 , 47 a2 is irradiated with ultraviolet rays to uncured the frame-shaped sealing member 48 a1 ,
48 a2 was cured. The frame-shaped seal member 4 after curing
8 a1 and 48 a2 had a thickness of 5 μm and an average width of 30 μm, and their transmittance was 82% or more over the visible wavelength range.
In addition, the plurality of signal lines 46 on the array substrates 47 a1 and 47 a2
And a plurality of connection lines 43 on the counter substrate 44 are connected by frame-shaped sealing members 48 a1 and 48 a2 made of the anisotropic conductive resin. This connection resistance was 30 mΩ per signal line, and good electrical connection was obtained. After that, liquid crystals 50 a1 and 50 a2 are injected through the openings of the frame-shaped sealing members 48 a1 and 48 a2 , respectively, and then the openings are closed with a similar UV curable resin to close the liquid crystal 5.
0 a1 and 50 a2 were enclosed. Through these steps, as shown in FIG. 8B, the front surface side display areas 51 a1 and 51 a2 were manufactured.
【００８７】次いで、前記アレイ基板４７a1、４７a2と
反対側の前記対向基板４４の裏面上に、前述した表面側
表示領域５１a1、５１a2の作製と同様な工程で透光性を
有する異方性導電樹脂からなり、液晶注入用開口部を有
する未硬化の枠状シール部材４８b を形成した。この枠
状シール部材４８b で囲まれた前記対向基板４４裏面上
に透明樹脂からなる平均粒径５μｍの球状スペーサ４９
b を散布し、前記枠状シール部材４８b および前記スペ
ーサ４９b 上に予め作製した前記アレイ基板４７b を位
置合わせした。前記アレイ基板４７b 側から紫外線を照
射して紫外線硬化型の前記異方性導電樹脂からなる前記
枠状シール部材４８b を硬化した。硬化後の前記枠状シ
ール部材４８b は、厚さ５μｍ、平均幅３０μｍで、そ
の透過率が可視の波長領域に亘って８２％以上であっ
た。また、アレイ基板４７b 上の複数の信号線４６と前
記対向基板４４上の複数の接続線４３とが前記異方性導
電樹脂からなる枠状シール部材４８b によりそれぞれ接
続された。この接続抵抗は、１信号線当たり３０ｍΩで
あり、電気的に良好な接続が得られた。ひきつづき、前
記枠状シール部材４８b の開口部を通して液晶５０b を
注入した後、同様な紫外線硬化性樹脂で前記開口部を塞
いで前記液晶５０b を封入した。このような工程により
図８の（ｃ）に示すように裏面側表示領域５１b が作製
され、画像表示装置が製造された。Then, on the back surface of the counter substrate 44 on the opposite side of the array substrates 47 a1 and 47 a2 , a different light-transmitting property is produced in the same process as the above-mentioned preparation of the front surface side display areas 51 a1 and 51 a2. An uncured frame-shaped seal member 48 b made of a directionally conductive resin and having a liquid crystal injection opening was formed. A spherical spacer 49 made of transparent resin and having an average particle diameter of 5 μm is formed on the back surface of the counter substrate 44 surrounded by the frame-shaped sealing member 48 b.
b was sprinkled, and the array substrate 47 b prepared in advance was aligned on the frame-shaped seal member 48 b and the spacer 49 b . Ultraviolet rays were irradiated from the array substrate 47 b side to cure the frame-shaped sealing member 48 b made of the ultraviolet-curable anisotropic conductive resin. The cured frame-shaped seal member 48 b had a thickness of 5 μm and an average width of 30 μm, and its transmittance was 82% or more over the visible wavelength range. Further, the plurality of signal lines 46 on the array substrate 47 b and the plurality of connecting lines 43 on the counter substrate 44 are connected by the frame-shaped sealing member 48 b made of the anisotropic conductive resin. This connection resistance was 30 mΩ per signal line, and good electrical connection was obtained. Subsequently, after injection of the liquid crystal 50 b through the opening of the frame-like sealing member 48 b, and sealing the liquid crystal 50 b closes the opening in the same ultraviolet-curing resin. Through these steps, the back surface side display region 51b was manufactured as shown in FIG. 8C, and the image display device was manufactured.
【００８８】本実施例７に係わる画像表示装置は、図８
の（ｃ）および図９に示すように厚さ０．７ｍｍの透光
性基材４１の両面に厚さ３００ｎｍのＩＴＯ共通電極４
２および複数の接続線４３が形成された対向基板４４
と、厚さ０．７ｍｍの透光性基材４５の片面上にポリシ
コンゲート型ＴＦＴ（図示せず）および厚さ３００ｎｍ
の複数のＩＴＯ信号線４６が形成されたアレイ基板４７
a1、４７a2、４７b とを備える。前記２つのアレイ基板
４７a1、４７a2は、前記対向基板４４の表面に所定の間
隔をあけて配置され、かつ前記アレイ基板４７b は前記
対向基板４４の裏面に前記アレイ基板４７b の両端部が
前記対向基板４４を挟んで前記表面側の各アレイ基板４
７a1、４７a2の対向する端部と向い合うように配置され
ている。つまり、表面側のアレイ基板４７a1、４７a2と
裏面側のアレイ基板４７b は表示面から見た時、表面側
のアレイ基板４７a1、４７a2の対向する端部と裏面側の
アレイ基板４７b の両端部が前記対向基板４４を挟んで
重なるように隣接して配置されている。The image display apparatus according to the seventh embodiment is shown in FIG.
As shown in FIG. 9C and FIG. 9, the ITO common electrode 4 having a thickness of 300 nm is formed on both surfaces of the transparent substrate 41 having a thickness of 0.7 mm.
Counter substrate 44 having two and a plurality of connection lines 43 formed therein
And a polysilicon gate TFT (not shown) and a thickness of 300 nm on one surface of the transparent substrate 45 having a thickness of 0.7 mm.
Array substrate 47 having a plurality of ITO signal lines 46 formed therein
a1 , 47 a2 , and 47 b . The two array substrates 47 a1 and 47 a2 are arranged on the surface of the counter substrate 44 with a predetermined space therebetween, and the array substrate 47 b is on the back surface of the counter substrate 44 at both ends of the array substrate 47 b . Each array substrate 4 on the front side with the counter substrate 44 interposed therebetween.
7 a1 and 47 a2 are arranged so as to face the opposite ends. That is, when viewed from the display surface, the front-side array substrates 47 a1 and 47 a2 and the back-side array substrate 47 b are arranged such that the opposite end portions of the front-side array substrates 47 a1 and 47 a2 and the back-side array substrate 47 a2. Both ends of b are arranged adjacent to each other so as to overlap each other with the counter substrate 44 interposed therebetween.
【００８９】スペーサ４９a1、４９a2は、前記対向基板
４４と各アレイ基板４７a1、４７a2との間隙にそれぞれ
介在されている。また、微細な導電性粒子を含む透光性
を有する異方性導電樹脂からなる矩形枠状シール部材４
８a1、４８a2は前記対向基板４４と各アレイ基板４
７a1、４７a2との間隙にそれぞれ形成され、前記枠状シ
ール部材４８a1、４８a2により前記アレイ基板４７a1、
４７a2上の複数の信号線４６と前記対向基板４４上の複
数の接続線４３とをそれぞれ接続している。つまり、前
記異方性導電樹脂からなる枠状シール部材４８a1、４８
a2は、前記アレイ基板４７a1、４７a2上の複数の信号線
４６と前記対向基板４４上の複数の接続線４３との当接
部分においてその厚さ方向に導電性を示し、厚さ方向と
直角方向（対向電極４４の面方向）への導電性を示さな
い。このため、前記枠状シール部材４８a1、４８a2は前
記当接部分のみで導電性を示し、前記アレイ基板４
７a1、４７a2上の複数の信号線４６と前記対向基板４４
上の複数の接続線４３とをそれぞれ独立して接続するこ
とが可能になる。液晶５０a1、５０a2は、前記枠状シー
ル部材４８a1、４８a2で囲まれた前記対向基板４４とア
レイ基板４７a1、４７a2との空間ないにそれぞれ封入さ
れている。The spacers 49 a1 and 49 a2 are interposed in the gaps between the counter substrate 44 and the array substrates 47 a1 and 47 a2 , respectively. Further, a rectangular frame-shaped seal member 4 made of a transparent anisotropic conductive resin containing fine conductive particles.
8 a1 and 48 a2 are the counter substrate 44 and each array substrate 4
7 a1 and 47 a2, and the array substrate 47 a1 and the frame-shaped seal members 48 a1 and 48 a2 , respectively.
A plurality of signal lines 46 on 47 a2 and a plurality of connection lines 43 on the counter substrate 44 are connected to each other. That is, the frame-shaped sealing members 48 a1 and 48 a1 made of the anisotropic conductive resin.
a2 is conductive in the thickness direction at the contact portion between the plurality of signal lines 46 on the array substrates 47a1 and 47a2 and the plurality of connection lines 43 on the counter substrate 44, and It does not show conductivity in the perpendicular direction (the surface direction of the counter electrode 44). Therefore, the frame-shaped seal members 48 a1 and 48 a2 show conductivity only in the contact portion, and the array substrate 4
A plurality of signal lines 46 on 7 a1 and 47 a2 and the counter substrate 44
It is possible to independently connect the plurality of connection lines 43 above. The liquid crystals 50 a1 and 50 a2 are enclosed in the space between the counter substrate 44 and the array substrates 47 a1 and 47 a2 surrounded by the frame-shaped sealing members 48 a1 and 48 a2 , respectively.
【００９０】スペーサ４９b は、前記対向基板４４とア
レイ基板４７b との間隙に介在されている。微細な導電
性粒子を含む透光性を有する異方性導電樹脂からなる枠
状シール部材４８b は、前記対向基板４４とアレイ基板
４７b との間隙に形成され、前記枠状シール部材４８b
により前記アレイ基板４７b 上の複数の信号線４６と前
記対向基板４４上の複数の接続線４３とを接続してい
る。また、液晶５０b は枠状シール部材４８b で囲まれ
た前記対向基板４４とアレイ基板４７b 都の空間ないに
封入されている。[0090] The spacer 49 b is interposed in a gap between the counter substrate 44 and the array substrate 47 b. A frame-shaped sealing member 48 b made of a transparent anisotropic conductive resin containing fine conductive particles is formed in a gap between the counter substrate 44 and the array substrate 47 b, and the frame-shaped sealing member 48 b is formed.
Thus, the plurality of signal lines 46 on the array substrate 47 b are connected to the plurality of connecting lines 43 on the counter substrate 44. The liquid crystal 50 b is sealed in space without the counter substrate 44 and the array substrate 47 b Prefecture surrounded by the frame-like sealing member 48 b.
【００９１】このような構成の画像表示装置は、図８の
（ｃ）および図９に示すように表示面から見た時、対向
基板２３を挟んで隣り合ったアレイ基板４７a1、４７a2
とアレイ基板４７b はそれらの端部が互いに重複するよ
うに配置されている。表面側表示領域５１a1、５１a2と
裏面側表示領域５２b の間に位置する表面側の枠状シー
ル部材４８a1、４８a2は、裏面側のアレイ基板４７b の
表示領域５１b により補われる。裏面側の枠状シール部
材４８b は、表面側のアレイ基板４７a1、４７a2の表示
領域５１a1、５１a2により補われる。このため、表示可
能領域を３つのアレイ基板４７a1、４７a2、４７b を配
置した領域に対応した大画面化が実現される。The image display device having such a configuration has array substrates 47 a1 and 47 a2 which are adjacent to each other with the counter substrate 23 interposed therebetween when viewed from the display surface as shown in FIGS.
The array substrate 47 b and the array substrate 47 b are arranged so that their ends overlap with each other. The front surface side frame-shaped sealing members 48 a1 and 48 a2 located between the front surface side display areas 51 a1 and 51 a2 and the rear surface side display area 52 b are supplemented by the display area 51 b of the rear surface side array substrate 47 b. . Frame-shaped sealing member 48 b of the rear surface side is compensated by the display area 51 a1, 51 a2 of the array substrate 47 of the surface side a1, 47 a2. Therefore, it is possible to realize a large screen corresponding to the displayable area in which the three array substrates 47 a1 , 47 a2 , and 47 b are arranged.
【００９２】なお、表示領域内には表面側表示領域５１
a1、５１a2と裏面側表示領域５１bの間に位置する枠状
シール部材４８a1、４８a2、４８b が存在するが、前記
枠状シール部材４８a1、４８a2、４８b を可視の波長領
域において透光性を有する異方性導電樹脂から形成する
ことによって、互いに対向するアレイ基板が作る表示領
域で補うことができるため、表示領域内に非表示領域が
形成されるのを皆無にすることができる。The front side display area 51 is included in the display area.
There is a frame-shaped sealing member 48 a1 , 48 a2 , 48 b located between a1 , 51 a2 and the back surface side display area 51 b , but the frame-shaped sealing members 48 a1 , 48 a2 , 48 b are set to a visible wavelength. Since the display regions formed by the array substrates facing each other can be compensated by forming the region from the light-transmitting anisotropic conductive resin, no non-display region is formed in the display regions. be able to.
【００９３】また、液晶５０a1、５０a2の封止を兼ねる
前記異方性導電樹脂からなる枠状シール部材４８a1、４
８a2を前記対向基板４４と表面側のアレイ基板４７a1、
４７a2との間隙にそれぞれ形成することにより、前記ア
レイ基板４７a1、４７a2上の複数の信号線４６と前記対
向基板４４上の複数の接続線４３とをそれぞれ接続して
いる。液晶５０b の封止を兼ねる異方性導電樹脂からな
る枠状シール部材４８b は、前記対向基板４４と裏面側
のアレイ基板４７b との間隙に形成することにより、前
記アレイ基板４７b 上の複数の信号線４６と前記対向基
板４４上の複数の接続線４３とを接続している。このた
め、前記対向基板４４上の接続線４３により端部で前記
アレイ基板４７a1、４７a2、４７b を駆動することが可
能な画像表示装置を実現することができる。Further, frame-shaped sealing members 48 a1 and 4 a4 made of the anisotropic conductive resin, which also serve to seal the liquid crystals 50 a1 and 50 a2.
8 a2 is the counter substrate 44 and the front side array substrate 47 a1 ,
By forming each of the gap between the 47 a2, and the array substrate 47 a1, on 47 a2 plurality of the signal lines 46 and a plurality of connection lines 43 on the counter substrate 44 are respectively connected. LCD 50 b frame-like sealing member 48 b made of anisotropic conductive resin serving as a seal by forming a gap between the array substrate 47 b of the opposing substrate 44 and the back side, the array substrate 47 b The plurality of signal lines 46 and the plurality of connection lines 43 on the counter substrate 44 are connected to each other. Therefore, it is possible to realize an image display device capable of driving the array substrates 47 a1 , 47 a2 , 47 b at the ends by the connecting lines 43 on the counter substrate 44.
【００９４】図１０は、実施例７の構造を有するアレイ
基板９枚（表面側５枚、裏面側４枚）の配置と信号線の
取り出し例を示した平面図である。このような構成の画
像表示装置において、４隅に位置する表面側のアレイ基
板４７1 〜４７4 はＸＹ方向に延びる複数の信号線をそ
れぞれ端部から取り出される。中央に位置するアレイ基
板４７5 は、このアレイ基板４７5 の左側および下側の
対向基板の空きスペースにそれぞれ配置されたＸ方向お
よびＹ方向に延びる複数の接続線を通って端部へ引き回
される。その結果、複数枚のアレイ基板を対交差部に張
り合わせても全てのアレイ基板を良好に駆動することが
可能になる。FIG. 10 is a plan view showing an arrangement of nine array substrates (five on the front side, four on the back side) having the structure of the seventh embodiment and an example of taking out signal lines. The image display device having such a structure, 4 array substrate 47 1-47 4 on the surface side located on the corner is taken a plurality of signal lines extending in XY directions from each end. The array substrate 47 5 positioned in the center, pulling times to end through a plurality of connection lines extending in the X and Y directions respectively disposed in the empty space of the opposing substrate of the left and lower side of the array substrate 47 5 To be done. As a result, even if a plurality of array substrates are attached to the pair intersection, all the array substrates can be driven well.
【００９５】（実施例８）図１１は、本発明の実施例８
における画像表示装置を示す概略断面図である。なお、
前述した実施例７で説明した図８の（ｃ）および図９と
同様な部材は同符号を付して説明を省略する。(Embodiment 8) FIG. 11 shows an embodiment 8 of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view showing the image display device in FIG. In addition,
The same members as those in FIG. 8C and FIG. 9 described in the above-described Embodiment 7 are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【００９６】例えば厚さ５００ｎｍのＳｉＯ2 からなる
絶縁層５２a は、表面側のアレイ基板４７a1、４７a2間
に位置する対向基板４４の共通電極４２部分上に被覆さ
れている。複数の接続線５３a は、前記絶縁層５２a 上
に形成されている。微細な導電性粒子が分散された透光
性を有する異方性導電樹脂からなる枠状シール部材４８
a1、４８a2は、前記対向基板４４と各アレイ基板４
７a1、４７a2との間隙にそれぞれ形成され、前記アレイ
基板４７a1、４７a2上の複数の信号線４６と前記対向基
板４４の絶縁層５２a 上の複数の接続線５３a とをそれ
ぞれ接続している。また、例えば厚さ５００ｎｍのＳｉ
Ｏ2 からなる絶縁層５２b は裏面側のアレイ基板４７b
の両端部に位置する対向基板４４の共通電極４２部分上
にそれぞれ被覆されている。複数の接続線５３b は、前
記絶縁層５２b 上にそれぞれを形成されている。微細な
導電性粒子を含む透光性で異方性導電樹脂からなる枠状
シール部材４８b は、前記対向基板４４と各アレイ基板
４７b との間隙に形成され、前記アレイ基板４７b 上の
複数の信号線４６と前記対向基板４４の絶縁層５２b 上
の複数の接続線５３b とをそれぞれ接続している。An insulating layer 52 a made of, for example, SiO 2 having a thickness of 500 nm is coated on the common electrode 42 portion of the counter substrate 44 located between the array substrates 47 a1 and 47 a2 on the front surface side. A plurality of connection lines 53 a is formed on the insulating layer 52 a. A frame-shaped sealing member 48 made of a transparent anisotropic conductive resin in which fine conductive particles are dispersed.
a1 and 48 a2 are the counter substrate 44 and each array substrate 4
7 a1 and 47 a2 , respectively, and connect a plurality of signal lines 46 on the array substrates 47 a1 and 47 a2 to a plurality of connection lines 53 a on the insulating layer 52 a of the counter substrate 44, respectively. are doing. Also, for example, Si with a thickness of 500 nm
The insulating layer 52 b made of O 2 is provided on the back surface side of the array substrate 47 b.
On the common electrode 42 portions of the counter substrate 44 located at both ends of each. A plurality of connection lines 53 b are formed respectively on the insulating layer 52 b. A frame-shaped sealing member 48 b made of a transparent and anisotropic conductive resin containing fine conductive particles is formed in the gap between the counter substrate 44 and each array substrate 47 b, and is placed on the array substrate 47 b . The plurality of signal lines 46 and the plurality of connection lines 53 b on the insulating layer 52 b of the counter substrate 44 are connected to each other.
【００９７】このような構成によれば、表示領域内に非
表示領域が形成されず、表示可能領域を３つのアレイ基
板４７a1、４７a2、４７b を配置した領域に対応した大
画面の画像表示装置を実現できる。With such a configuration, a non-display area is not formed in the display area, and a large-screen image corresponding to the displayable area in which the three array substrates 47 a1 , 47 a2 , 47 b are arranged. A display device can be realized.
【００９８】また、前記アレイ基板４７a1、４７a2上の
複数の信号線４６と前記対向基板４４の絶縁層５２a 上
の複数の接続線５３a とは異方性導電樹脂からなる枠状
シール部材４８a1、４８a2により接続され、かつ前記ア
レイ基板４７b 上の複数の信号線４６と前記対向基板４
４の絶縁層５２b 上の複数の接続線５３b とは、異方性
導電樹脂からなる枠状シール部材４８b により接続され
ている。その結果、前記対向基板４４上の接続線５
３a 、５３b により端部から前記アレイ基板４７a1、４
７a2、４７b を駆動することが可能な画像表示装置を実
現することができる。The plurality of signal lines 46 on the array substrates 47 a1 and 47 a2 and the plurality of connecting lines 53 a on the insulating layer 52 a of the counter substrate 44 are frame-shaped seals made of an anisotropic conductive resin. The plurality of signal lines 46 connected to the members 48 a1 and 48 a2 on the array substrate 47 b and the counter substrate 4
4 with the plurality of connection lines 53 b on the insulating layer 52 b, it is connected by a frame-shaped sealing member 48 b made of an anisotropic conductive resin. As a result, the connection line 5 on the counter substrate 44 is
3 a, 53 b from said end by the array substrate 47 a1, 4
It is possible to realize an image display device capable of driving 7 a2 and 47 b .
【００９９】（実施例９）図１２は、本発明の実施例９
における画像表示装置を示す概略断面図である。なお、
前述した実施例７で説明した図８の（ｃ）および図９と
同様な部材は同符号を付して説明を省略する。Example 9 FIG. 12 shows Example 9 of the present invention.
2 is a schematic cross-sectional view showing the image display device in FIG. In addition,
The same members as those in FIG. 8C and FIG. 9 described in the above-described Embodiment 7 are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【０１００】実施例９の画像表示装置は、図１２に示す
ように例えばガラスからなる補助基板６１a が対向基板
４４の表面にアレイ基板４７a1、４７a2と隣接すると共
に、前記アレイ基板４７a1、４７a2と面一になるように
スチレン樹脂からなる球状スペーサ４９を介して固定さ
れている。例えばガラスからなる補助基板６１b1、６１
b2は、前記対向基板４４の裏面にアレイ基板４７b と隣
接すると共に、前記アレイ基板４７b と面一になるよう
にスチレン樹脂からなる球状スペーサ６２を介して固定
されている。In the image display device of Example 9, as shown in FIG. 12, an auxiliary substrate 61 a made of glass, for example, is adjacent to the array substrates 47 a1 and 47 a2 on the surface of the counter substrate 44, and the array substrate 47 a1. , 47 a2 and a spherical spacer 49 made of styrene resin. Auxiliary substrates 61 b1 , 61 made of glass, for example
b2, together with the adjacent to the array substrate 47 b on the back surface of the counter substrate 44 are fixed through the spherical spacers 62 composed of a styrene resin to be the array substrate 47 b flush.
【０１０１】このような構成によれば、前述した実施例
７と同様、表示領域内に非表示領域が形成されない大面
積の画像表示装置を実現できる。また、内側に位置する
アレイ基板でも端部からの駆動が可能な画像表示装置を
実現することができる。According to this structure, a large-area image display device in which a non-display area is not formed in the display area can be realized as in the case of the above-described seventh embodiment. Further, it is possible to realize an image display device capable of being driven from the end even with the array substrate positioned inside.
【０１０２】さらに補助基板６１a 、６１b1、６１b2の
配置により、対向基板４４の表裏面にアレイ基板４
７a1、４７a2、４７b をずらして配置することに伴う段
差を解消できるため、高強度の画像表示装置を実現でき
る。Further, by disposing the auxiliary substrates 61 a , 61 b1 , 61 b2 , the array substrate 4 is formed on the front and back surfaces of the counter substrate 44.
Since the step caused by arranging 7 a1 , 47 a2 , and 47 b in a displaced manner can be eliminated, a high-strength image display device can be realized.
【０１０３】なお、実施例９の画像表示装置において表
示側のアレイ基板４７a1、４７a2および補助基板６１a
の表面に薄い金属酸化膜または樹脂膜を反射防止層とし
て形成し、乱反射による見え難さを防止してもよい。In the image display device of the ninth embodiment, the display-side array substrates 47 a1 and 47 a2 and the auxiliary substrate 61 a are arranged.
A thin metal oxide film or a resin film may be formed as an antireflection layer on the surface of to prevent the visibility from being diffused.
【０１０４】（実施例１０）図１３は、本発明の実施例
１０における画像表示装置を示す概略断面図である。な
お、前述した実施例７で説明した図８の（ｃ）および図
９と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。(Embodiment 10) FIG. 13 is a schematic sectional view showing an image display device according to Embodiment 10 of the present invention. The same members as those in FIG. 8C and FIG. 9 described in the above-described seventh embodiment are denoted by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.
【０１０５】実施例１０の画像表示装置は、図１３に示
すように例えばガラスからなる補助基板６１a が対向基
板４４の表面にアレイ基板４７a1、４７a2と隣接すると
共に、前記アレイ基板４７a1、４７a2と面一になるよう
にスチレン樹脂からなる球状スペーサ４９を介して固定
されている。例えばガラスからなる補助基板６１b1、６
１b2は、前記対向基板４４の裏面にアレイ基板４７b と
隣接すると共に、前記アレイ基板４７b と面一になるよ
うにスチレン樹脂からなる球状スペーサ６２を介して固
定されている。反射板６３は、前記対向基板４４裏面側
のアレイ基板４７b の透光性基材４５上および裏面側の
前記補助基板６１b1、６１b2にわたって配置されてい
る。In the image display device of the tenth embodiment, as shown in FIG. 13, an auxiliary substrate 61 a made of glass, for example, is adjacent to the array substrates 47 a1 and 47 a2 on the surface of the counter substrate 44, and the array substrate 47 a1. , 47 a2 and a spherical spacer 49 made of styrene resin. Auxiliary substrates 61 b1 and 6 made of glass, for example
1 b2, together with the adjacent to the array substrate 47 b on the back surface of the counter substrate 44 are fixed through the spherical spacers 62 composed of a styrene resin to be the array substrate 47 b flush. The reflecting plate 63 is arranged on the transparent substrate 45 of the array substrate 47 b on the back side of the counter substrate 44 and the auxiliary substrates 61 b1 and 61 b2 on the back side.
【０１０６】このような構成によれば、前述した実施例
７と同様、表示領域内に非表示領域が形成されない大面
積の画像表示装置を実現できる。また、内側に位置する
アレイ基板でも端部からの駆動が可能な画像表示装置を
実現することができる。With such a structure, a large-area image display device in which a non-display area is not formed in the display area can be realized as in the case of the above-described seventh embodiment. Further, it is possible to realize an image display device capable of being driven from the end even with the array substrate positioned inside.
【０１０７】さらに補助基板６１a 、６１b1、６１b2の
配置により、対向基板４４の表裏面にアレイ基板４
７a1、４７a2、４７b をずらして配置することに伴う段
差を解消できるため、高強度の画像表示装置を実現でき
る。Further, by disposing the auxiliary substrates 61 a , 61 b1 , 61 b2 , the array substrate 4 is formed on the front and back surfaces of the counter substrate 44.
Since the step caused by arranging 7 a1 , 47 a2 , and 47 b in a displaced manner can be eliminated, a high-strength image display device can be realized.
【０１０８】さらに、反射板６３の配置により、高コン
トラスト比を有する画像表示装置を実現できる。Further, by disposing the reflection plate 63, an image display device having a high contrast ratio can be realized.
【０１０９】（実施例１１）図１４の（ａ）〜（ｃ）
は、本発明の実施例１１における画像表示装置の製造工
程を示す概略断面図、図１５は得られた画像表示装置の
部分切欠斜視図である。(Embodiment 11) (a) to (c) of FIG.
FIG. 15 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing process of the image display device in Embodiment 11 of the present invention, and FIG. 15 is a partially cutaway perspective view of the obtained image display device.
【０１１０】まず、例えばガラスからなる厚さ０．７ｍ
ｍの透光性基材７１の両面にスパッタ法で厚さ３００ｎ
ｍのＩＴＯ膜をそれぞれ成膜して共通電極７２を有する
対向基板７３を形成した。つづいて、共通電極７２上に
感光性ＢＣＢ樹脂前駆体溶液をロールコータにより全面
塗布した。この塗膜を８０℃２０分で仮キュアした後、
マスクを通して紫外線を照射し、有機系専用現像液（ダ
ウケミカル社製商品名；ＤＳ−２１００）で不要部分を
除去して所望の樹脂パターンを形成した。この樹脂パタ
ーンを２５０℃で１時間ベークし、さらに３５０℃で３
０分ベークすることにより、厚さ１μｍで、５００ｎｍ
から８００ｎｍの波長の透過率が９８％の第１絶縁層７
４を形成した。この絶縁層７４上にスパッタ法によりＭ
ｏ膜およびＡｌ膜を連続して成膜した後、これらの金属
膜をパターニングすることによりＸ方向の端部に突起電
極接続部を有するＸ方向の第１接続線７５を形成した。
この接続線７５を含む前記第１絶縁層７４上に、前記第
１絶縁層７４と同様な方法によりＢＣＢ樹脂からなる第
２絶縁層７６を形成した。さらに、前記第２絶縁層７６
上に前記Ｘ方向の接続線７５と同様な方法によりＹ方向
の端部に突起電極接続部を有するＹ方向の第２接続線７
７を形成し、図１４の（ａ）に示すように多層配線領域
７８ａを形成した。前記対向基板７３の裏面に前述した
多層配線領域７８ａと同様な工程により多層配線領域７
８ｂを形成した。なお、前記多層配線領域７８ａ、７８
ｂは前記対向基板７３の表裏面に同時に形成してもよ
い。First, the thickness is 0.7 m, which is made of glass, for example.
The thickness of the transparent substrate 71 having a thickness of 300 m is 300 n by a sputtering method.
m ITO films were formed to form a counter substrate 73 having a common electrode 72. Subsequently, the photosensitive BCB resin precursor solution was applied on the entire surface of the common electrode 72 by a roll coater. After temporarily curing this coating film at 80 ° C for 20 minutes,
Ultraviolet rays were radiated through a mask, and unnecessary portions were removed with an organic-dedicated developer (trade name: DS-2100 manufactured by Dow Chemical Co.) to form a desired resin pattern. The resin pattern is baked at 250 ° C. for 1 hour and then at 350 ° C. for 3 hours.
By baking for 0 minutes, the thickness is 1 μm and 500 nm.
First insulating layer 7 having a transmittance of 98% from the wavelength of 800 nm to 800 nm
4 was formed. M is formed on the insulating layer 74 by the sputtering method.
After the o film and the Al film were continuously formed, these metal films were patterned to form the first connection line 75 in the X direction having the protruding electrode connection portion at the end in the X direction.
A second insulating layer 76 made of BCB resin was formed on the first insulating layer 74 including the connection line 75 by the same method as the first insulating layer 74. Further, the second insulating layer 76
The second connecting line 7 in the Y direction having the protruding electrode connecting portion at the end in the Y direction is formed by the same method as the connecting line 75 in the X direction above.
7 was formed, and a multilayer wiring region 78a was formed as shown in FIG. The multilayer wiring region 7 is formed on the back surface of the counter substrate 73 by the same process as the multilayer wiring region 78a described above.
8b was formed. The multilayer wiring regions 78a, 78
b may be simultaneously formed on the front and back surfaces of the counter substrate 73.
【０１１１】次いで、例えばガラスからなる厚さ０．７
ｍｍの透光性基材７９の片面に前記第１絶縁層と同様な
方法によりＢＣＢ樹脂からなる絶縁層（図示せず）を形
成した後、スパッタ法で厚さ３００ｎｍのＩＴＯを成膜
した。このＩＴＯ膜上にロールコータによるレジスト塗
布、写真蝕刻法によるレジストパターンを形成した。こ
のレジストパターンをマスクとした前記ＩＴＯ膜の選択
的エッチングを行うことによって前記透光性基材７９の
片面の絶縁層上にＸ方向に延びる複数の信号線８０、Ｙ
方向に延びる複数の信号線（図示せず）を形成し、さら
に半導体素子としてのポリシリコンゲート型ＴＦＴ（図
示せず）を形成して予め複数枚のアレイ基板８１a1、８
１a2、（８１b ）をそれぞれ作製した。つづいて、前記
各アレイ基板８１a1、８１a2、（８１b ）の各Ｘ方向、
Ｙ方向の信号線の端部に２５μｍ×２５μｍで、高さ４
μｍのＡｕボールバンプからなる複数の突起電極８２を
それぞれ形成した。前記突起電極８２は、先端が円錐形
状をなす。ひきつづき、前記対向基板７３の前記第１絶
縁層７４端部領域に位置するＸ方向の接続線７５部分お
よび前記第２絶縁層７６端部領域に位置するＹ方向の接
続線７７部分に、ＢＣＢ樹脂前駆体溶液をディスペンサ
を用いて塗布し、８０℃、２０分の仮キュアを施すこと
により図１４の（ｂ）に示すように幅５０μｍの未硬化
の枠状シール部材８３を形成した。なお、この未硬化の
枠状シール部材８３には後述する液晶を封入するための
開口部（図示せず）が形成されている。Then, a thickness of 0.7, for example, made of glass is used.
An insulating layer (not shown) made of BCB resin was formed on one surface of the light-transmissive substrate 79 having a thickness of mm by the same method as the first insulating layer, and then ITO having a thickness of 300 nm was formed by a sputtering method. A resist pattern was formed on the ITO film by a roll coater and a photo-etching method. By selectively etching the ITO film using the resist pattern as a mask, a plurality of signal lines 80, Y extending in the X direction are formed on the insulating layer on one surface of the translucent base material 79.
A plurality of signal lines (not shown) extending in the same direction are formed, and a polysilicon gate type TFT (not shown) as a semiconductor element is further formed to previously form a plurality of array substrates 81 a1 , 8 a.
1 a2 and (81 b ) were produced respectively. Next, the array substrates 81 a1 , 81 a2 , and (81 b ) in the respective X directions,
25 μm × 25 μm at the end of the signal line in the Y direction, height 4
A plurality of protruding electrodes 82 each made of a Au ball bump of μm were formed. The tip of the protrusion electrode 82 has a conical shape. Subsequently, the BCB resin is applied to the connecting line 75 portion in the X direction located in the end region of the first insulating layer 74 and the connecting line 77 portion in the Y direction located in the end region of the second insulating layer 76 of the counter substrate 73. The precursor solution was applied using a dispenser, and temporary curing was performed at 80 ° C. for 20 minutes to form an uncured frame-shaped seal member 83 having a width of 50 μm as shown in FIG. The uncured frame-shaped sealing member 83 has an opening (not shown) for enclosing a liquid crystal described later.
【０１１２】次いで、前記未硬化の枠状シール部材８３
より前記アレイ基板側に位置する前記対向基板７３上に
平均粒径５μｍの樹脂ビーズからなるスペーサ８４を散
布した。、前記対向基板７３の表面側にアレイ基板８１
a1、８１a2をそれらの突起電極８２が前記未硬化の枠状
シール部材８３に対向するように位置合わせした後、前
記対向基板７３にアレイ基板８１a1、８１a2を圧着し
た。この時、アレイ基板８１a1、８１a2の突起電極８２
は、未硬化で柔軟性を有するＢＣＢ樹脂からなる枠状シ
ール部材８３内に食い込み、前記対向基板７３上のＸ、
Ｙ方向の接続線７５、７７の電極取出部と接触して電気
的な接続がなされる。つづいて、２５０℃、１時間、さ
らに３５０℃、３０分のベークを行うことにより、前記
ＢＣＢ樹脂からなる枠状シール部材８３を硬化されて前
記アレイ基板８１a1、８１a2を前記対向基板７３に機械
的に固定した。同時に、Ａｕボールバンプからなる突起
電極８２と、前記多層配線領域７８ａのＹ方向の接続線
７７最上層のＡｌ膜（図示せず）とが固相拡散反応が進
行し、電気的にも信頼性の高い良好な接続が確保され
た。ベーク後の前記枠状シール部材８３は、５００ｎｍ
から８００ｎｍの波長の透過率が９５％であった。ひき
つづき、枠状シール部材８３に予め設けてあった開口部
（図示せず）から液晶８５を注入し、前記開口部にＢＣ
Ｂ樹脂前駆体を充填した後、２５０℃で１時間ベークし
て硬化させた。なお、必要に応じて前記開口部のＢＣＢ
樹脂充填物をベークする際、選択的に加熱ヘッドを接触
させ、局所的に加熱して前記ＢＣＢ樹脂充填物を硬化さ
せてもよい。ベーク後のＢＣＢ樹脂充填物は、５００ｎ
ｍから８００ｎｍの波長の透過率が８５％であった。前
記対向基板７３の裏面にも前述したアレイ基板８１a1、
８１a2と同様な方法によりアレイ基板８１b を固定し
た。このような工程により図１４の（ｃ）および図１５
に示す画像表示装置を製造した。Next, the uncured frame-shaped sealing member 83
Spacers 84 made of resin beads having an average particle diameter of 5 μm were scattered on the counter substrate 73 located closer to the array substrate. , The array substrate 81 on the surface side of the counter substrate 73.
After aligning the a1 and 81 a2 so that the protruding electrodes 82 face the uncured frame-shaped seal member 83, the array substrates 81 a1 and 81 a2 were pressure-bonded to the counter substrate 73. At this time, the protruding electrodes 82 of the array substrates 81 a1 and 81 a2
Is bitten into the frame-shaped seal member 83 made of uncured and flexible BCB resin, and X on the counter substrate 73,
The connection wires 75 and 77 in the Y direction are brought into contact with the electrode extraction portions to be electrically connected. Then, by baking at 250 ° C. for 1 hour and further at 350 ° C. for 30 minutes, the frame-shaped seal member 83 made of the BCB resin is cured and the array substrates 81 a1 and 81 a2 are transferred to the counter substrate 73. Mechanically fixed. At the same time, a solid phase diffusion reaction proceeds between the bump electrode 82 formed of an Au ball bump and the Al film (not shown) in the uppermost layer of the connection line 77 in the Y direction of the multilayer wiring region 78a, and the electrical reliability is improved. High good connection was secured. The frame-shaped sealing member 83 after baking has a thickness of 500 nm.
The transmittance at a wavelength of from 800 nm was 95%. Subsequently, the liquid crystal 85 is injected through an opening (not shown) previously provided in the frame-shaped seal member 83, and BC is injected into the opening.
After being filled with the B resin precursor, it was baked at 250 ° C. for 1 hour to be cured. In addition, if necessary, the BCB of the opening is
When baking the resin filling, a heating head may be selectively contacted to locally heat the resin filling to cure the BCB resin filling. The BCB resin filling after baking is 500 n
The transmittance at a wavelength of m to 800 nm was 85%. Also on the back surface of the counter substrate 73, the array substrate 81 a1 described above,
The array substrate 81 b was fixed by the same method as 81 a2 . Through such steps, FIG. 14C and FIG.
The image display device shown in FIG.
【０１１３】本実施例１１の画像表示装置は、図１４の
（ｃ）および図１５に示すように厚さ０．７ｍｍの透光
性基材７１の両面に厚さ３００ｎｍのＩＴＯ共通電極７
２が形成された対向基板７３と、厚さ０．７ｍｍの透光
性基材７９の片面のＢＣＢ樹脂からなる絶縁層（図示せ
ず）にポリシコンゲート型ＴＦＴ（図示せず）およびＸ
方向の信号線８０およびＹ方向の信号線（図示せず）が
形成されたアレイ基板８１a1、８１a2、８１b とを備え
る。前記２つのアレイ基板８１a1、８１a2は、前記対向
基板７３の表面に所定の間隔をあけて配置され、かつ前
記アレイ基板８１b は前記対向基板７３の裏面に前記ア
レイ基板８１b の両端部が前記対向基板７３を挟んで前
記表面側の各アレイ基板８１a1、８１a2の対向する端部
と向い合うように配置されている。つまり、表面側のア
レイ基板８１a1、８１a2と裏面側のアレイ基板８１b は
表示面から見た時、表面側のアレイ基板８１a1、８１a2
の対向する端部と裏面側のアレイ基板８１b の両端部が
前記対向基板７３を挟んで重なるように隣接して配置さ
れている。In the image display device of the eleventh embodiment, as shown in FIGS. 14 (c) and 15, the light transmitting base material 71 having a thickness of 0.7 mm is provided on both surfaces of the ITO common electrode 7 having a thickness of 300 nm.
Polysilicon gate type TFT (not shown) and X are formed on the opposite substrate 73 on which 2 is formed and the insulating layer (not shown) made of BCB resin on one surface of the transparent base material 79 having a thickness of 0.7 mm.
The array substrates 81 a1 , 81 a2 , and 81 b on which the signal lines 80 of the directional direction and the signal lines of the Y direction (not shown) are formed. The two array substrates 81 a1 and 81 a2 are arranged on the surface of the counter substrate 73 with a predetermined space therebetween, and the array substrate 81 b is disposed on the back surface of the counter substrate 73 at both ends of the array substrate 81 b . Are arranged so as to face the opposite ends of the array substrates 81 a1 and 81 a2 on the front surface side with the counter substrate 73 interposed therebetween. That is, the front surface side array substrates 81 a1 and 81 a2 and the back surface side array substrate 81 b are the front surface side array substrates 81 a1 and 81 a2 when viewed from the display surface.
And the opposite ends of the array substrate 81 b on the rear surface side are arranged adjacent to each other so as to overlap with each other with the counter substrate 73 interposed therebetween.
【０１１４】多層配線領域７８ａは、前記裏面側のアレ
イ基板８１b を挟んで前記対向基板７３の反対側の共通
電極７２面に配置されている。前記多層配線領域７８ａ
５００ｎｍから８００ｎｍの波長の透過率が８０％以上
のＢＣＢ樹脂からなる第１、第２の絶縁層７４、７６
と、前記第１絶縁層７４上に配置された複数のＸ方向接
続線７５と、前記第２絶縁層７６上に配置された複数の
Ｙ方向接続線７７とを備えている。５００ｎｍから８０
０ｎｍの波長の透過率が８０％以上のＢＣＢ樹脂からな
る枠状シール部材８３は、前記対向基板７３と各アレイ
基板８１a1、８１a2、８１a3との間隙にそれぞれ形成さ
れている。前記各アレイ基板８１a1、８１a2、８１a3に
形成された複数のＡｕバンプからなる突起電極８２は、
前記枠状シール部材８３内に位置し、前記多層配線領域
７８ａの第１、第２の接続線７５、７７に接続されてい
る。スペーサ８４は、前記対向基板７３と各アレイ基板
８１a1、８１a2との間隙にそれぞれ介在されている。液
晶８５は、前記枠状シール部材８３で囲まれた前記対向
基板７３とアレイ基板８１a1、８１a2との空間内にそれ
ぞれ封入されている。[0114] multi-layer wiring regions 78a are arranged on a common electrode 72 side of the opposite side of the counter substrate 73 across the array substrate 81 b of the back side. The multilayer wiring region 78a
First and second insulating layers 74 and 76 made of BCB resin having a transmittance of 80% or more for wavelengths of 500 nm to 800 nm
And a plurality of X-direction connecting lines 75 arranged on the first insulating layer 74 and a plurality of Y-direction connecting lines 77 arranged on the second insulating layer 76. 500 nm to 80
A frame-shaped seal member 83 made of BCB resin having a transmittance of 0% or more at a wavelength of 0 nm is formed in the gap between the counter substrate 73 and each array substrate 81 a1 , 81 a2 , 81 a3 . The protrusion electrodes 82 formed of a plurality of Au bumps formed on the array substrates 81 a1 , 81 a2 , and 81 a3 are
It is located inside the frame-shaped seal member 83 and is connected to the first and second connection lines 75 and 77 of the multilayer wiring region 78a. The spacers 84 are respectively provided in the gaps between the counter substrate 73 and the array substrates 81 a1 and 81 a2 . The liquid crystal 85 is enclosed in the space between the counter substrate 73 and the array substrates 81 a1 and 81 a2 surrounded by the frame-shaped seal member 83.
【０１１５】また、前記対向基板７３の裏面側には前述
した表面側と同様にアレイ基板８１b が枠状シール部材
８３により固定されている。前記アレイ基板８１b に形
成された複数のＡｕバンプからなる突起電極８２は、前
記枠状シール部材８３内に位置し、前記多層配線領域７
８ｂの第１、第２の接続線７５、７７に接続されてい
る。スペーサ８４は、前記対向基板７３と前記アレイ基
板８１b との間隙にそれぞれ介在されている。液晶８５
は、前記枠状シール部材８３で囲まれた前記対向基板７
３と前記アレイ基板８１b との空間内にそれぞれ封入さ
れている。The array substrate 81 b is fixed to the back surface side of the counter substrate 73 by the frame-shaped sealing member 83, similarly to the above-mentioned front surface side. The protruding electrodes 82 formed of a plurality of Au bumps formed on the array substrate 81 b are located inside the frame-shaped seal member 83, and
It is connected to the first and second connection lines 75 and 77 of 8b. The spacer 84 is interposed each in a gap between the array substrate 81 b and the counter substrate 73. Liquid crystal 85
Is the counter substrate 7 surrounded by the frame-shaped sealing member 83.
3 and the array substrate 81 b are enclosed in the space.
【０１１６】このような構成によれば、表示面から見た
時、対向基板７３を挟んで隣り合ったアレイ基板８
１a1、８１a2とアレイ基板８１b はそれらの端部が互い
に重複するように配置されている。表面側の枠状シール
部材８３は、裏面側のアレイ基板８１b の表示領域によ
り補われる。裏面側の枠状シール部材８３は、表面側の
アレイ基板８１a1、８１a2の表示領域により補われる。
また、多層配線領域７８ａ、７８ｂを構成する第１、第
２の絶縁層７４、７４ｂ、各アレイ基板８１a1、８
１a2、８１b の絶縁層（図示せず）および枠状シール部
材８３がいずれも５００ｎｍから８００ｎｍの波長の透
過率が８０％以上の透光性樹脂（例えばＢＣＢ樹脂；透
過率９５％以上）により形成されている。その結果、表
示領域内に非表示領域が形成されず、表示可能領域を複
数のアレイ基板を配置した領域に対応した大画面の画像
表示装置を実現できる。According to this structure, when viewed from the display surface, the array substrates 8 adjacent to each other with the counter substrate 73 interposed therebetween are provided.
1 a1 and 81 a2 and the array substrate 81 b are arranged so that their ends overlap with each other. The frame-shaped sealing member 83 on the front surface side is supplemented by the display area of the array substrate 81 b on the back surface side. The frame-shaped sealing member 83 on the back surface side is supplemented by the display areas of the array substrates 81 a1 and 81 a2 on the front surface side.
The first, second insulating layer 74,74B, each array substrate 81 a1, 8 constituting the multilayer wiring region 78a, a 78b
The insulating layers 1 a2 and 81 b (not shown) and the frame-shaped sealing member 83 all have a translucent resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm (for example, a BCB resin; a transmittance of 95% or more). It is formed by. As a result, a non-display area is not formed in the display area, and it is possible to realize a large-screen image display device corresponding to the displayable area in which a plurality of array substrates are arranged.
【０１１７】表面側のアレイ基板８１a1、８１a2のＸ方
向に延びる複数の信号線８０は、前記対向基板７３上の
多層配線領域７８ａのＸ方向に延びる複数の第１接続線
７５に突起電極８２を通して接続されて引き回され、Ｙ
方向に延びる複数の信号線８０´は、前記対向基板７３
上の多層配線領域７８ａのＹ方向に延びる複数の第２接
続線７７に突起電極８２を通して接続されて引き回され
る。裏面側のアレイ基板８１b のＸ、Ｙ方向に延びる複
数の信号線も同様に多層配線領域７８ｂの第１、第２の
接続線７５、７７によりそれぞれ引き回される。The plurality of signal lines 80 extending in the X direction of the array substrates 81 a1 and 81 a2 on the front surface side are connected to the plurality of first connecting lines 75 extending in the X direction of the multilayer wiring region 78 a on the counter substrate 73 by the protruding electrodes. Connected through 82 and routed, Y
The plurality of signal lines 80 'extending in the
The plurality of second connection lines 77 extending in the Y direction of the upper multilayer wiring region 78a are connected through the protruding electrodes 82 and routed. Similarly, a plurality of signal lines extending in the X and Y directions of the array substrate 81 b on the back side are also routed by the first and second connection lines 75 and 77 of the multilayer wiring region 78 b, respectively.
【０１１８】したがって、前記対向基板７３の両面に配
置された第１絶縁層７４上のＸ方向の第１接続線７５お
よび前記対向基板７３上に配置された第２絶縁層７６上
のＹ方向の第２接続線７７により端部から前記表面側の
アレイ基板８１a1、８１a2および裏面側のアレイ基板８
１b を駆動することが可能な画像表示装置を実現するこ
とができる。Therefore, the first connecting lines 75 in the X direction on the first insulating layer 74 disposed on both surfaces of the counter substrate 73 and the Y direction on the second insulating layer 76 disposed on the counter substrate 73 in the Y direction. The array substrate 81 a1 , 81 a2 on the front surface side and the array substrate 8 on the rear surface side from the end portion by the second connection line 77.
It is possible to realize an image display device capable of driving 1 b .
【０１１９】また、複数の突起電極８２を枠状シール部
材８３内に埋め込むことによって、対向基板７３と各ア
レイ基板８１a1、８１a2、８１b との間に封入する液晶
８５の封入面積を拡大することが可能になる。Further, by embedding a plurality of protruding electrodes 82 in the frame-shaped sealing member 83, the enclosed area of the liquid crystal 85 enclosed between the counter substrate 73 and each array substrate 81 a1 , 81 a2 , 81 b is enlarged. It becomes possible to do.
【０１２０】図１６は、実施例１１の構造を有するアレ
イ基板２５枚（表面側１３枚、裏面側１２枚）の配置と
信号線の取り出し例を示した平面図である。FIG. 16 is a plan view showing an arrangement of 25 array substrates (13 on the front side and 12 on the back side) having the structure of the eleventh embodiment and an example of taking out signal lines.
【０１２１】このような構成の画像表示装置において、
表面側のアレイ基板８１1 〜８１13のＸＹ方向に延びる
複数の信号線はいずれも実線の矢印で示す図示しない対
向基板上の第１絶縁層上のＸ方向に延びる複数の接続線
と点線の矢印で示す対向基板の第２絶縁層上のＹ方向に
延びる複数の接続線とに接続できる。このため、前記表
面側のアレイ基板８１1 〜８１13が周辺、内側等のいず
れに位置しようとも、前記Ｘ方向およびＹ方向の接続線
を通って端部へ引き回して駆動することができる。In the image display device having such a structure,
Any plurality of signal lines extending in the XY direction of the surface side of the array substrate 81 1-81 13 multiple extending to a 1 X direction on the insulating layer on the counter substrate (not shown) indicated by solid line arrow connecting line and dotted line It can be connected to a plurality of connection lines extending in the Y direction on the second insulating layer of the counter substrate shown by the arrow. Therefore, the array substrate 81 1-81 13 of the surface side peripheral, no matter located either inside the like, can be driven routed to the end through the X and Y directions of the connection lines.
【０１２２】（実施例１２）図１７の（ａ）〜（ｃ）お
よび図１８の（ｄ）、（ｅ）は、本発明の実施例１２に
おける画像表示装置の製造工程を示す概略断面図、図１
９は画像表示装置に組み込まれる信号補正用回路を示す
断面図、図２０は図１９の平面図、図２１は図２０のＸ
ＸＩ−ＸＸＩ線に沿う断面図である。(Embodiment 12) (a) to (c) of FIG. 17 and (d) and (e) of FIG. 18 are schematic cross-sectional views showing a manufacturing process of an image display device according to Embodiment 12 of the present invention. Figure 1
9 is a sectional view showing a signal correction circuit incorporated in the image display device, FIG. 20 is a plan view of FIG. 19, and FIG. 21 is X of FIG.
It is sectional drawing which follows the XI-XXI line.
【０１２３】(i) まず、例えばガラスからなる厚さ０．
７ｍｍの透光性基材１０１の両面にスパッタ法で厚さ３
００ｎｍのＩＴＯ膜をそれぞれ成膜して共通電極１０２
を有する対向基板１０３を形成した。つづいて、前記対
向基板１０３の片側の共通電極１０２上に感光性ＢＣＢ
樹脂前駆体溶液をロールコータにより全面塗布した。こ
の塗膜を８０℃２０分で仮キュアした後、マスクを通し
て紫外線を照射し、有機系専用現像液（ダウケミカル社
製商品名；ＤＳ−２１００）で不要部分を除去して所望
の樹脂パターンを形成した。この樹脂パターンを２５０
℃で１時間ベークし、さらに３５０℃で３０分ベークす
ることにより、厚さ１μｍで、５００ｎｍから８００ｎ
ｍの波長の透過率が９８％の第１絶縁層１０４を形成し
た。この絶縁層１０４上にスパッタ法によりＡｌ膜を成
膜した後、このＡｌ膜をパターニングすることにより上
面形状がＵ字形のゲート電極１０５を形成した。前記ゲ
ート電極１０５を含む第１絶縁層にスパッタ法によりＳ
ｉＯ2 膜を成膜し、パターニングすることにより前記ゲ
ート電極１０５を含む前記第１絶縁層１０４周囲にゲー
ト絶縁膜１０６を形成した。前記ゲート絶縁膜１０６を
含む前記第１絶縁層１０４上に低温ＣＶＤ法によりアモ
ルファスシリコン膜を成膜し、パターニングし、さらに
ｐ型、ｎ型の不純物をイオン注入することにより前記Ｕ
字形のゲート電極１０５の分岐された２箇所に対応する
前記ゲート絶縁膜１０６上にｐ型活性層１０７1 、ｎ型
活性層１０７2 をそれぞれ形成した。前記ゲート電極１
０５上の前記ゲート絶縁膜１０６を選択的にエッチング
除去してコンタクトホール１０８を開孔した。全面にス
パッタ法によりＡｌ膜を成膜した後、このＡｌ膜をパタ
ーニングすることにより図１７の（ａ）、図１９〜図２
１に示すように前記コンタクトホール１０８を通して前
記ゲート電極１０５に接続されるＹ方向入力配線１０
９、前記活性層１０７1 、１０７2 の対向する端部にそ
れぞれ重なるように配置されたＹ方向引き回し配線１１
０、この引き回し配線１１０を中心にして前記活性層１
０７1 、１０７2 の反対側の端部にそれぞれ重なるよう
に配置された電源線１１１、１１２を形成した。なお、
前記入力配線１０９の左端および前記引き回し線１１０
の右端には後述するスルホールと接続されるパッド部が
それぞれ形成されている。このような前記ゲート電極１
０５、ゲート絶縁膜１０６、活性層１０７1 、１０７2
および電源線１１１、１１２により信号補正用回路１１
３が構成される。また、前記工程により前記第１絶縁層
１０４上に前記入力配線１０９および引き回し配線１１
０がそれぞれ複数形成され、これらの入力配線１０９お
よび引き回し配線１１０に対応して前記信号補正用回路
１１３が前記絶縁層１０４上に複数形成される。(I) First, for example, glass having a thickness of 0.
The thickness of the transparent substrate 101 having a thickness of 7 mm is 3 by sputtering.
An ITO film having a thickness of 00 nm is formed to form the common electrode 102.
Was formed on the counter substrate 103. Then, a photosensitive BCB is formed on the common electrode 102 on one side of the counter substrate 103.
The resin precursor solution was applied over the entire surface by a roll coater. After the coating film is temporarily cured at 80 ° C. for 20 minutes, it is irradiated with ultraviolet rays through a mask, and an unnecessary portion is removed by an organic-dedicated developer (trade name: DS-2100 manufactured by Dow Chemical Co.) to form a desired resin pattern. Formed. 250 this resin pattern
By baking for 1 hour at 350 ° C and for 30 minutes at 350 ° C, the thickness is 1 μm and 500 nm to 800 n.
A first insulating layer 104 having a transmittance of 98% at a wavelength of m was formed. An Al film was formed on the insulating layer 104 by a sputtering method, and then the Al film was patterned to form a gate electrode 105 having a U-shaped top surface. The first insulating layer including the gate electrode 105 is sputtered with S.
A gate insulating film 106 was formed around the first insulating layer 104 including the gate electrode 105 by depositing and patterning an iO 2 film. An amorphous silicon film is formed on the first insulating layer 104 including the gate insulating film 106 by a low temperature CVD method, is patterned, and then p-type and n-type impurities are ion-implanted, so that the U
A p-type active layer 107 1 and an n-type active layer 107 2 were formed on the gate insulating film 106 corresponding to the two branched positions of the V-shaped gate electrode 105, respectively. The gate electrode 1
The gate insulating film 106 on 05 was selectively removed by etching to form a contact hole 108. After forming an Al film on the entire surface by a sputtering method, the Al film is patterned to form (a) of FIG. 17 and FIGS.
1, the Y direction input wiring 10 connected to the gate electrode 105 through the contact hole 108.
9. Y-direction wiring 11 arranged so as to overlap the opposite ends of the active layers 107 1 and 107 2 , respectively.
0, the active layer 1 with the lead wiring 110 as the center
Power supply lines 111 and 112 are formed so as to overlap with the opposite ends of 07 1 and 107 2 . In addition,
The left end of the input wiring 109 and the routing line 110
Pad portions connected to through holes, which will be described later, are formed at the right end of each. Such a gate electrode 1
05, gate insulating film 106, active layers 107 1 and 107 2
And the signal correction circuit 11 by the power supply lines 111 and 112.
3 are configured. In addition, the input wiring 109 and the leading wiring 11 are formed on the first insulating layer 104 by the above process.
A plurality of 0s are respectively formed, and a plurality of the signal correction circuits 113 are formed on the insulating layer 104 corresponding to the input wirings 109 and the leading wirings 110.
【０１２４】(ii)次いで、図１７の（ｂ）に示すように
前記信号補正用回路１１３を含む前記第１絶縁層１０４
上に前記第１絶縁層１０４と同様な方法によりＢＣＢ樹
脂からなる第２絶縁層１１４を形成した。さらに、前記
第２絶縁層１１４上に前述したのと同様な方法によりＸ
方向入力配線（図示せず）、Ｘ方向引き回し配線１１
５、および信号補正用回路（図示せず）を形成した。ま
た、前記第２絶縁層１１４に前記Ｙ方向入力配線１０９
および前記Ｙ方向引き回し配線１１０のパッド部とそれ
ぞれ接続されるＡｌからなる第１スルホール１１６を形
成した。(Ii) Next, as shown in FIG. 17B, the first insulating layer 104 including the signal correction circuit 113.
A second insulating layer 114 made of BCB resin was formed on the upper surface by the same method as the first insulating layer 104. Further, X is formed on the second insulating layer 114 by the same method as described above.
Direction input wiring (not shown), X-direction wiring 11
5 and a signal correction circuit (not shown) were formed. In addition, the Y-direction input wiring 109 is formed on the second insulating layer 114.
Further, the first through hole 116 made of Al and connected to the pad portion of the Y-direction routing wiring 110 is formed.
【０１２５】次いで、前記信号補正用回路を含む前記第
２絶縁層１１４上に前記第１絶縁層１０４と同様な方法
によりＢＣＢ樹脂からなる第３絶縁層１１７を形成し
た。前記第３絶縁層１１７に前記スルホール１１６、前
記Ｘ方向入力配線（図示せず）および前記Ｘ方向引き回
し配線１１５のパッド部と接続されるＡｌからなる第２
スルホール１１８をそれぞれ形成した。このような第１
〜第３の絶縁層１０４、１１４、１１７、Ｙ方向入力配
線１０９、Ｙ方向引き回し配線１１０、信号補正用回路
１１３、Ｘ方向入力配線（図示せず）、Ｘ方向引き回し
配線１１５、信号補正用回路（図示せず）を有する多層
配線領域１１９ａが作製される。つづいて、前記多層配
線領域１１９ａの前記各第２スルホール１１８の露出部
を含む前記第３絶縁層１１７上にＢＣＢ樹脂前駆体溶液
をディスペンサを用いて塗布し、８０℃、２０分の仮キ
ュアを施すことにより図１７の（ｃ）に示すように幅５
０μｍの未硬化の枠状シール部材１２０をそれぞれ形成
した。なお、前記枠状シール部材１２０はその１つの辺
が前記多層配線領域１１９ａの４つの辺にそれぞれ配置
される形成される。つまり、１つの前記多層配線領域１
１９ａに対して４つの枠状シール部材１２０が配置され
る。また、前記未硬化の枠状シール部材１２０には後述
する液晶を封入するための開口部（図示せず）が形成さ
れている。Then, a third insulating layer 117 made of BCB resin was formed on the second insulating layer 114 including the signal correction circuit by the same method as the first insulating layer 104. The second insulating layer 117 is made of Al and is connected to the through hole 116, the X-direction input wiring (not shown), and the pad portion of the X-direction routing wiring 115.
Through holes 118 were formed respectively. Such first
-Third insulating layers 104, 114, 117, Y direction input wiring 109, Y direction routing wiring 110, signal correction circuit 113, X direction input wiring (not shown), X direction routing wiring 115, signal correction circuit A multilayer wiring region 119a having (not shown) is produced. Subsequently, a BCB resin precursor solution is applied to the third insulating layer 117 including the exposed portions of the second through holes 118 of the multilayer wiring region 119a using a dispenser, and a temporary cure is performed at 80 ° C. for 20 minutes. As shown in (c) of FIG.
An uncured frame-shaped seal member 120 having a thickness of 0 μm was formed. The frame-shaped seal member 120 is formed such that one side thereof is arranged on each of four sides of the multilayer wiring region 119a. That is, one multi-layer wiring area 1
Four frame-shaped sealing members 120 are arranged for 19a. Further, the uncured frame-shaped seal member 120 is formed with an opening (not shown) for enclosing a liquid crystal described later.
【０１２６】(iii) 次いで、前記対向基板１０３の裏面
側に前記 (i)〜(ii)と同様な方法により図１８の（ｄ）
に示すように多層配線領域１１９ｂを作製した後、幅５
０μｍの未硬化の枠状シール部材１２０を形成した。(Iii) Next, on the back surface side of the counter substrate 103, by the same method as in (i) to (ii), (d) of FIG.
After forming the multilayer wiring region 119b as shown in FIG.
An uncured frame-shaped seal member 120 having a thickness of 0 μm was formed.
【０１２７】(iv)次いで、例えばガラスからなる厚さ
０．７ｍｍの透光性基材１２１の片面に前述した第１絶
縁層１０４と同様な方法によりＢＣＢ樹脂からなる絶縁
層（図示せず）を形成した後、スパッタ法で厚さ３００
ｎｍのＩＴＯを成膜した。このＩＴＯ膜上にロールコー
タによるレジスト塗布、写真蝕刻法によるレジストパタ
ーンを形成した。このレジストパターンをマスクとした
前記ＩＴＯ膜の選択的エッチングを行うことによって前
記透光性基材１２１の片面の絶縁層上にＹ方向に延びる
複数の信号線１２２、Ｘ方向に延びる複数の信号線（図
示せず）を形成し、さらに半導体素子としてのポリシリ
コンゲート型ＴＦＴ（図示せず）を形成して予め複数枚
のアレイ基板１２３a1、１２３a2、（１２３b ）をそれ
ぞれ作製した。つづいて、ＦＩＧ．１７Ｅに示すように
前記各アレイ基板１２３a1、１２３a2、（１２３b ）の
各Ｘ方向、Ｙ方向の信号線の端部に直径約４μｍのＡｕ
ボールからなる複数の突起電極１２４をそれぞれ形成し
た。(Iv) Next, an insulating layer made of BCB resin (not shown) is formed on one surface of the transparent base material 121 made of, for example, glass and having a thickness of 0.7 mm by the same method as the first insulating layer 104 described above. After forming the
nm of ITO was deposited. A resist pattern was formed on the ITO film by a roll coater and a photo-etching method. By selectively etching the ITO film using the resist pattern as a mask, a plurality of signal lines 122 extending in the Y direction and a plurality of signal lines extending in the X direction are formed on the insulating layer on one surface of the transparent base material 121. (Not shown) is further formed, and then a polysilicon gate type TFT (not shown) as a semiconductor element is formed to prepare a plurality of array substrates 123 a1 , 123 a2 , (123 b ) in advance. Next, FIG. As shown in FIG. 17E, Au having a diameter of about 4 μm is provided at the end of each X-direction and Y-direction signal line of each array substrate 123 a1 , 123 a2 , (123 b ).
A plurality of protruding electrodes 124 each made of a ball were formed.
【０１２８】(v) 次いで、前記対向基板１０３上に平均
粒径５μｍのスチレン樹脂からなるスペーサ１２５を散
布した。前記対向基板１０３の表面側にアレイ基板１２
３a1、１２３a2をそれらの突起電極１２４が前記多層配
線領域１１９ａの未硬化の枠状シール部材１２０に対向
するように位置合わせした後、前記対向基板１０３にア
レイ基板１２３a1、１２３a2を圧着した。この時、アレ
イ基板１２３a1、１２３a2の突起電極１２４は、未硬化
で柔軟性を有するＢＣＢ樹脂からなる枠状シール部材１
２０内に食い込み、前記多層配線領域１１９ａの第２ス
ルホール１１８と接触して電気的な接続がなされる。つ
づいて、２５０℃、１時間、さらに３５０℃、３０分の
ベークを行うことにより、前記ＢＣＢ樹脂からなる枠状
シール部材１２０を硬化されて前記アレイ基板１２
３a1、１２３a2を前記対向基板１０３上の多層配線領域
１１９ａに機械的に固定した。同時に、Ａｕボールから
なる突起電極１２４と前記多層配線領域１１９のＡｌか
らなる前記各第２スルホール１１８とが固相拡散反応が
進行し、電気的にも信頼性の高い良好な接続が確保され
た。ベーク後の前記枠状シール部材１２０は、５００ｎ
ｍから８００ｎｍの波長の透過率が９５％であった。ひ
きつづき、枠状シール部材１２０に予め設けた開口部
（図示せず）から液晶１２６を注入し、前記開口部にＢ
ＣＢ樹脂前駆体を充填した後、２５０℃で１時間ベーク
して硬化させた。ベーク後のＢＣＢ樹脂充填物は、５０
０ｎｍから８００ｎｍの波長の透過率が９５％であっ
た。前記対向基板１０３の裏面にも前述したのと同様な
方法によりアレイ基板８１b を固定した。このような工
程により図１８の（ｆ）に示す画像表示装置を製造し
た。(V) Next, spacers 125 made of styrene resin having an average particle size of 5 μm were scattered on the counter substrate 103. The array substrate 12 is provided on the surface side of the counter substrate 103.
3 a1 and 123 a2 are aligned such that their protruding electrodes 124 face the uncured frame-shaped sealing member 120 of the multilayer wiring region 119a, and then the array substrates 123 a1 and 123 a2 are pressure-bonded to the counter substrate 103. did. At this time, the protruding electrodes 124 of the array substrates 123a1 and 123a2 are the frame-shaped seal members 1 made of uncured and flexible BCB resin.
The bite 20 penetrates and contacts the second through hole 118 of the multi-layered wiring region 119a for electrical connection. Then, by baking at 250 ° C. for 1 hour and further at 350 ° C. for 30 minutes, the frame-shaped seal member 120 made of the BCB resin is cured to cure the array substrate 12.
3 a1 and 123 a2 were mechanically fixed to the multilayer wiring region 119a on the counter substrate 103. At the same time, the solid-phase diffusion reaction of the bump electrodes 124 made of Au balls and the second through holes 118 made of Al in the multilayer wiring region 119 proceeded, and good electrical reliability and good connection were secured. . The frame-shaped seal member 120 after baking is 500 n
The transmittance at a wavelength of m to 800 nm was 95%. Subsequently, the liquid crystal 126 is injected through an opening (not shown) previously provided in the frame-shaped seal member 120, and B is injected into the opening.
After filling the CB resin precursor, it was baked at 250 ° C. for 1 hour to be cured. The BCB resin filling after baking is 50
The transmittance at a wavelength of 0 nm to 800 nm was 95%. The array substrate 81 b was also fixed to the back surface of the counter substrate 103 by the same method as described above. The image display device shown in (f) of FIG. 18 was manufactured through these steps.
【０１２９】本実施例１１の画像表示装置は、図１８の
（ｆ）に示すように厚さ０．７ｍｍの透光性基材１０１
の両面に厚さ３００ｎｍのＩＴＯ共通電極１０２が形成
された対向基板１０３と、厚さ０．７ｍｍの透光性基材
１２１の片面のＢＣＢ樹脂からなる絶縁層（図示せず）
にポリシコンゲート型ＴＦＴ（図示せず）およびＹ方向
の信号線１２２およびＸ方向の信号線（図示せず）が形
成されたアレイ基板１２３a1、１２３a2、１２３b とを
備える。前記２つのアレイ基板１２３a1、１２３a2は、
前記対向基板１０３の表面に所定の間隔をあけて配置さ
れ、かつ前記アレイ基板１２３b は前記対向基板１０３
の裏面に前記アレイ基板１２３b の両端部が前記対向基
板１０３を挟んで前記表面側の各アレイ基板１２３a1、
１２３a2の対向する端部と向い合うように配置されてい
る。つまり、表面側のアレイ基板１２３a1、１２３a2と
裏面側のアレイ基板１２３b は表示面から見た時、表面
側のアレイ基板１２３a1、１２３a2の対向する端部と裏
面側のアレイ基板１２３bの両端部が前記対向基板１０
３を挟んで重なるように隣接して配置されている。In the image display device of the eleventh embodiment, as shown in FIG. 18 (f), the light-transmitting base material 101 having a thickness of 0.7 mm is used.
The opposite substrate 103 having the ITO common electrode 102 having a thickness of 300 nm formed on both surfaces thereof, and the insulating layer made of BCB resin on one surface of the translucent base material 121 having a thickness of 0.7 mm (not shown)
And a policy con gate type TFT (not shown) and the Y direction of the signal line 122 and the X-direction of the signal line array substrate 123 (not shown) is formed a1, 123 a2, 123 b on. The two array substrates 123 a1 and 123 a2 are
The array substrate 123 b is arranged on the surface of the counter substrate 103 with a predetermined space, and the array substrate 123 b is the counter substrate 103.
On the back surface of the array substrate 123 b , both ends of the array substrate 123 b sandwich the counter substrate 103, and each array substrate 123 a1 on the front surface side,
It is arranged so as to face the opposite ends of 123 a2 . That is, when viewed from the display surface, the array substrates 123 a1 and 123 a2 on the front surface side and the array substrate 123 b on the back surface side are opposite to the opposite end portions of the array substrate 123 a1 and 123 a2 on the front surface side and the array substrate 123 on the back surface side. Both ends of b are the opposite substrate 10
3 are arranged adjacent to each other so as to overlap each other.
【０１３０】多層配線領域１１９ａは、前記裏面側のア
レイ基板１２３b を挟んで前記対向基板１０３の反対側
の共通電極１０２面に配置されている。前記多層配線領
域１１９ａは、５００ｎｍから８００ｎｍの波長の透過
率が８０％以上のＢＣＢ樹脂からなる第１〜第３の絶縁
層１０４、１１４、１１７と、前記第１絶縁層１０４上
に形成されたＹ方向入力配線１０９、Ｙ方向引き回し配
線１１０および信号補正用回路１１３と、前記第２絶縁
層１１４上に形成されたＸ方向入力配線（図示せず）、
Ｘ方向引き回し配線１１５、信号補正用回路（図示せ
ず）とを備えている。[0130] multilayer wiring region 119a is disposed in the common electrode 102 side of the opposite side of the counter substrate 103 across the array substrate 123 b of the back side. The multilayer wiring region 119a is formed on the first to third insulating layers 104, 114 and 117 made of BCB resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm and on the first insulating layer 104. A Y-direction input wiring 109, a Y-direction routing wiring 110, a signal correction circuit 113, and an X-direction input wiring (not shown) formed on the second insulating layer 114,
The X-direction wiring 115 and a signal correction circuit (not shown) are provided.
【０１３１】前記第１絶縁層１０４に形成された信号補
正用回路１１３は、前述した図１９〜図２１に示すよう
に前記第１絶縁層１０４上に形成され、前記入力用配線
１０９がコンタクトホール１０８を通して接続されるＵ
字形のゲート電極１０５と、前記Ｕ字形のゲート電極１
０５の分岐された２箇所にゲート絶縁膜１０６を介して
配置され、Ｙ方向引き回し配線１１０が対向する端部に
それぞれ重なるように配置されたｐ型活性層１０７1 お
よびｎ型活性層１０７2 と、前記引き回し配線１１０を
中心にして前記活性層１０７1 、１０７2 の反対側の端
部にそれぞれ重なるように配置された電源線１１１、１
１２とから構成されている。前記信号補正用回路１１３
において、ｐ型活性層１０７1 に重なる電源線１１１に
プラス電圧、前記ｎ型活性層１０７2 に重なる電源線１
１２にマイナス電圧を印加した状態で前記入力配線１０
９から所定の電圧が前記コンタクトホール１０８を通し
て前記ゲート電極１０５に加わると、２つの前記活性層
１０７1 、１０７2 に跨がって配置された前記引き回し
配線１１０から増幅された電圧が出力される。このよう
な信号補正用回路１１３の等価回路を図２２に示す。な
お、前記第２絶縁層１１４に形成された信号補正用回路
（図示せず）も前述した図１９〜図２１と同様な構成を
有する。The signal correction circuit 113 formed on the first insulating layer 104 is formed on the first insulating layer 104 as shown in FIGS. 19 to 21, and the input wiring 109 is provided in the contact hole. U connected through 108
U-shaped gate electrode 105 and the U-shaped gate electrode 1
And a p-type active layer 107 1 and an n-type active layer 107 2, which are arranged at two branched portions of the insulating film 05 via the gate insulating film 106 so as to overlap the opposite ends of the Y-direction routing wiring 110, respectively. , The power supply lines 111, 1 arranged so as to overlap the opposite ends of the active layers 107 1 , 107 2 with the leading wiring 110 as the center.
12. The signal correction circuit 113
, A positive voltage is applied to the power supply line 111 overlapping the p-type active layer 107 1 and a power supply line 1 overlapping the n-type active layer 107 2
Input wiring 10 with a negative voltage applied to 12
When a predetermined voltage from 9 is applied to the gate electrode 105 through the contact hole 108, an amplified voltage is output from the lead wiring 110 arranged across the two active layers 107 1 and 107 2. . An equivalent circuit of such a signal correction circuit 113 is shown in FIG. The signal correction circuit (not shown) formed on the second insulating layer 114 also has the same configuration as that of FIGS.
【０１３２】５００ｎｍから８００ｎｍの波長の透過率
が８０％以上のＢＣＢ樹脂からなる枠状シール部材１２
０は、前記多層配線領域１１９ａと各アレイ基板１２３
a1、１２３a2との間隙にそれぞれ配置されている。前記
各アレイ基板１２３a1、１２３a2に形成された複数のＡ
ｕボールからなる突起電極１２４は、前記枠状シール部
材１２０内に位置し、前記多層配線領域１１９ａの第２
スルホール１１８に接続されている。前記アレイ基板１
２３a1に近接し、Ｘ方向に配列される前記第２スルホー
ル１１８は、前記第１スルホール１１６を通して前記Ｙ
方向入力配線１０９に接続されている。前記アレイ基板
１２３a2に近接し、Ｘ方向に配列される前記第２スルホ
ール１１８は、前記第１スルホール１１６を通して前記
Ｙ方向引き回し配線１１０に接続されている。図１８の
（ｆ）の紙面手前に配置されるアレイ基板（図示せず）
に近接し、Ｙ方向に配列される前記第２スルホール（図
示せず）は、前記第２絶縁層１１４上のＸ方向入力配線
（図示せず）に接続されている。図１８の（ｆ）の紙面
奥に配置されるアレイ基板（図示せず）に近接し、Ｙ方
向に配列される前記第２スルホール（図示せず）は、前
記第２絶縁層１１４上のＸ方向引き回し配線１１５に接
続されている。A frame-shaped seal member 12 made of BCB resin having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm.
0 indicates the multilayer wiring region 119a and each array substrate 123.
They are respectively disposed in the gap between the a1, 123 a2. A plurality of A's formed on each of the array substrates 123 a1 and 123 a2
The protruding electrode 124 made of a u-ball is located inside the frame-shaped sealing member 120, and is located in the second wiring region 119a.
It is connected to the through hole 118. The array substrate 1
The second through-holes 118 arranged in the X-direction adjacent to 23 a1 are connected to the Y-side through the first through-holes 116.
It is connected to the direction input wiring 109. The second through holes 118 arranged in the X direction near the array substrate 123 a2 are connected to the Y direction routing wiring 110 through the first through holes 116. An array substrate (not shown) arranged in front of the plane of FIG.
And the second through holes (not shown) arranged in the Y direction are connected to the X direction input wiring (not shown) on the second insulating layer 114. The second through holes (not shown) arranged in the Y direction, which are close to the array substrate (not shown) arranged in the back of the paper of FIG. 18F, are indicated by X on the second insulating layer 114. It is connected to the direction routing wiring 115.
【０１３３】例えばスチレン樹脂からなるスペーサ１２
５は、前記対向基板１０３と各アレイ基板１２３a1、１
２３a2との間隙にそれぞれ介在されている。液晶１２６
は、前記枠状シール部材１２０で囲まれた前記対向基板
１０３とアレイ基板１２３a1、１２３a2との空間内にそ
れぞれ封入されている。For example, the spacer 12 made of styrene resin
5 is the counter substrate 103 and each array substrate 123 a1 , 1
23 a2 and the gaps with each other. Liquid crystal 126
Are enclosed in the space between the counter substrate 103 and the array substrates 123 a1 and 123 a2 surrounded by the frame-shaped sealing member 120.
【０１３４】また、前記対向基板１０３の裏面側には前
述した表面側と同様にアレイ基板１２３b が枠状シール
部材１２０により固定されている。前記アレイ基板１２
３bに形成された複数のＡｕボールからなる突起電極１
２４は、前記枠状シール部材１２０内に位置し、前記多
層配線領域１１９ｂの第２スルホール１１８にそれぞれ
接続されている。スペーサ１２５は、前記対向基板１０
３と前記アレイ基板１２３b との間隙にそれぞれ介在さ
れている。液晶１２６は、前記枠状シール部材１２０で
囲まれた前記対向基板１０３と前記アレイ基板１２３b
との空間内に封入されている。[0134] Similarly, the array substrate 123 b and the surface side as described above on the backside of the opposing substrate 103 is fixed by a frame-shaped sealing member 120. The array substrate 12
Comprising a plurality of Au ball formed on the 3 b projecting electrodes 1
24 are located in the frame-shaped sealing member 120 and are connected to the second through holes 118 of the multilayer wiring region 119b, respectively. The spacer 125 is the counter substrate 10.
3 as being disposed respectively in a gap between the array substrate 123 b. The liquid crystal 126 includes the counter substrate 103 and the array substrate 123 b surrounded by the frame-shaped sealing member 120.
It is enclosed in the space with.
【０１３５】このような構成によれば、表示面から見た
時、対向基板１０３を挟んで隣り合ったアレイ基板１２
３a1、１２３a2とアレイ基板１２３b はそれらの端部が
互いに重複するように配置されている。表面側の枠状シ
ール部材１２０は、裏面側のアレイ基板１２３b の表示
領域により補われる。裏面側の枠状シール部材１２０
は、表面側のアレイ基板１２３a1、１２３a2の表示領域
により補われる。また、多層配線領域１１９ａ、１１９
ｂを構成する第１〜第３の絶縁層１０４、１１４、１１
７、各アレイ基板１２３a1、１２３a2、１２３b の絶縁
層（図示せず）および枠状シール部材１２０はいずれも
５００ｎｍから８００ｎｍの波長の透過率が８０％以上
の透光性樹脂（例えばＢＣＢ樹脂；透過率９５％以上）
により形成されている。その結果、表示領域内に非表示
領域が形成されず、表示可能領域を複数のアレイ基板を
配置した領域に対応した大画面の画像表示装置を実現で
きる。With such a structure, when viewed from the display surface, the array substrates 12 adjacent to each other with the counter substrate 103 interposed therebetween are provided.
3 a1 , 123 a2 and the array substrate 123 b are arranged so that their ends overlap each other. Frame-shaped sealing member 120 on the surface side is compensated by the display area of the back side of the array substrate 123 b. Frame-shaped sealing member 120 on the back side
Are complemented by the display areas of the array substrates 123 a1 and 123 a2 on the front side. In addition, the multilayer wiring regions 119a and 119
The first to third insulating layers 104, 114, and 11 that form b
7. The insulating layer (not shown) of each of the array substrates 123 a1 , 123 a2 , 123 b and the frame-shaped seal member 120 are all made of a transparent resin (for example, BCB) having a transmittance of 80% or more at a wavelength of 500 nm to 800 nm. Resin; transmittance of 95% or more)
It is formed by. As a result, a non-display area is not formed in the display area, and it is possible to realize a large-screen image display device corresponding to the displayable area in which a plurality of array substrates are arranged.
【０１３６】また、表面側のアレイ基板１２３a1、１２
３a2のＹ方向に延びる複数の信号線１２２は、前記突起
電極１２４および前記多層配線領域１１９ａの第２、第
１のスルホール１１８、１１６を通して接続された複数
のＹ方向入力配線１０９、信号補正回路１１３およびＹ
方向引き回し配線１１０により引き回される。また、前
記各アレイ基板１２３a1、１２３a2のＸ方向に延びる複
数の信号線（図示せず）は、前記突起電極１２４および
前記多層配線領域１１９ａの前記第２スルホール１１８
を通して接続される複数のＸ方向入力配線（図示せ
ず）、信号補正回路（図示せず）およびＸ方向引き回し
配線１１５により引き回される。裏面側のアレイ基板８
１b のＸ、Ｙ方向に延びる複数の信号線も同様に多層配
線領域１１９ｂの各配線によりそれぞれ引き回される。Also, the array substrates 123 a1 and 12 a on the front surface side
A plurality of signal lines 122 extending in the Y direction of 3 a2 include a plurality of Y direction input wirings 109 connected through the projecting electrode 124 and the second and first through holes 118 and 116 of the multilayer wiring region 119a, a signal correction circuit. 113 and Y
It is routed by the direction routing wiring 110. In addition, a plurality of signal lines (not shown) extending in the X direction of each of the array substrates 123 a1 and 123 a2 may include the protruding electrode 124 and the second through hole 118 of the multilayer wiring region 119a.
It is routed by a plurality of X-direction input wirings (not shown), a signal correction circuit (not shown), and an X-direction routing wiring 115 that are connected through. Array substrate 8 on the back side
1 b of X, a plurality of signal lines extending in the Y direction is also routed respectively by each wiring Similarly multi-layer wiring region 119b.
【０１３７】図２３に１６枚（表面側８枚、裏面側８
枚）のアレイ基板の信号線（Ｙ方向のみ）の引き回しを
模式的に示す。すなわち、対向基板の表面側に配置され
る複数のアレイ基板１２３1 、１２３3 、１２３6 、１
２３8 、１２３9 、１２３11、１２３14、１２３16およ
び裏面側に配置される複数のアレイ基板１２３2 、１２
３4 、１２３5 、１２３7 、１２３10、１２３12、１２
３13、１２３15の周辺には、Ｙ方向ドライバ回路１２７
およびＸ方向ドライバ回路１２８が配置されている。例
えばＹ方向ドライバ回路１２７からの信号線１２２は、
アレイ基板に接続され、かつアレイ基板の信号線は対向
基板上の多層配線領域を経由して別のアレイ基板に接続
される。このような構成において、例えばアレイ基板１
２３3 の信号線１２２は多層配線領域の入力配線１０９
および信号補正用回路１１３を通して引き回し配線１１
０に接続される。このため、前記Ｙ方向ドライバ回路１
２７のドライバ信号は、信号線１２２から前記信号補正
用回路１１３で増幅されて引き回し配線１１０を伝播さ
せることができる。その結果、複数のアレイ基板１２３
1 〜１２３16を対向基板に配置することにより引き回し
配線が長くなっても所期の波形を有する信号によって各
アレイ基板を駆動することが可能な画像表示装置を実現
することができる。FIG. 23 shows 16 sheets (8 on the front side, 8 on the back side)
The routing of the signal lines (only in the Y direction) of the (one) array substrate is schematically shown. That is, the plurality of array substrates 123 1 , 123 3 , 123 6 , 1 arranged on the front surface side of the counter substrate
23 8 , 123 9 , 123 11 , 123 14 , 123 16 and a plurality of array substrates 123 2 , 12 arranged on the back side.
3 4 , 123 5 , 123 7 , 123 10 , 123 12 , 12
The Y-direction driver circuit 127 is provided around 3 13 , 123 15.
And an X-direction driver circuit 128 is arranged. For example, the signal line 122 from the Y-direction driver circuit 127 is
The signal line of the array substrate is connected to the array substrate and is connected to another array substrate via the multilayer wiring region on the counter substrate. In such a configuration, for example, the array substrate 1
The signal line 122 of 23 3 is the input wiring 109 of the multilayer wiring area.
And the wiring 11 through the signal correction circuit 113
Connected to 0. Therefore, the Y direction driver circuit 1
The driver signal 27 is amplified by the signal correction circuit 113 from the signal line 122 and can be propagated through the routing wiring 110. As a result, the plurality of array substrates 123
1-123 16 it is possible to realize an image display apparatus capable of driving each array substrate by a signal having a desired waveform even lead wiring becomes long by arranging the counter substrate.
【０１３８】また、複数の突起電極１２４を枠状シール
部材１２０内に埋め込むことによって、対向基板１０３
と各アレイ基板１２３a1、１２３a2、１２３b との間に
封入される液晶１２６の封入面積を拡大することが可能
になる。Further, by embedding a plurality of protruding electrodes 124 in the frame-shaped seal member 120, the counter substrate 103 is formed.
It becomes possible to increase the enclosed area of the liquid crystal 126 enclosed between the array substrate 123 a1 , 123 a2 and 123 b .
【０１３９】なお、前述した実施例７〜１２ではアレイ
基板上の信号線と対向基板上の信号線との電気的接続
は、透光性を有する異方性導電樹脂からなる枠状シール
部材や突起電極により行ったが、これに限定されない。
例えば、ポリエステルフィルムに例えば厚み３００ｎｍ
の短冊状のＩＴＯ電極を形成した透光性を有するフレキ
配線板を用いてアレイ基板上の信号線と対向基板上の信
号線との電気的接続を行ってもよい。In Examples 7 to 12 described above, the signal lines on the array substrate and the signal lines on the counter substrate were electrically connected to each other by a frame-shaped sealing member made of an anisotropic conductive resin having a light-transmitting property. Although the projection electrode is used, the present invention is not limited to this.
For example, a polyester film with a thickness of 300 nm
The signal wiring on the array substrate and the signal line on the counter substrate may be electrically connected to each other by using the flexible wiring board having the translucency and having the strip-shaped ITO electrodes.
【０１４０】[0140]
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、複
数枚のアレイ基板を対向電極の両面に配置すると共に非
表示領域を皆無もしくは最小とした大画面の画像表示装
置を提供することができる。As described in detail above, according to the present invention, it is possible to provide a large-screen image display device in which a plurality of array substrates are arranged on both sides of a counter electrode, and a non-display area is eliminated or minimized. You can
【０１４１】また本発明によれば、複数枚のアレイ基板
を対向電極の両面に配置すると共に非表示領域を皆無も
しくは最小とし、さらに平面的に見て内側に位置するア
レイ基板の信号線を外部に容易に引き回すことが可能な
大画面の画像表示装置を提供することができる。Further, according to the present invention, a plurality of array substrates are arranged on both sides of the counter electrode, the non-display area is eliminated or minimized, and the signal lines of the array substrate located inside when viewed two-dimensionally are externally arranged. It is possible to provide a large-screen image display device that can be easily routed.
【０１４２】さらに本発明によれば、非表示領域が表示
面に存在されるのを皆無もしくは最小として大画面化を
達成し、平面的に見て内側に位置するアレイ基板の信号
線を外部に容易に引き回すことが可能で、かつ信号線の
引き回し配線の電圧を補正、例えば増幅して良好な画質
を有する画像表示装置を提供できる。Further, according to the present invention, the non-display area is not present or minimized on the display surface to achieve a large screen, and the signal lines of the array substrate located inside when viewed two-dimensionally are exposed to the outside. It is possible to provide an image display device that can be easily routed and that has a good image quality by correcting, for example, amplifying the voltage of the signal line routing wiring.
【図１】本発明の実施例１における画像表示装置の製造
工程を示す概略断面図。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a manufacturing process of an image display device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例１により製造された画像表示装
置の平面図。FIG. 2 is a plan view of the image display device manufactured according to the first embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例２における画像表示装置を示す
概略断面図。FIG. 3 is a schematic sectional view showing an image display device according to a second embodiment of the invention.
【図４】本発明の実施例３における画像表示装置を示す
概略断面図。FIG. 4 is a schematic sectional view showing an image display device according to a third embodiment of the invention.
【図５】本発明の実施例４における画像表示装置を示す
概略断面図。FIG. 5 is a schematic sectional view showing an image display device according to a fourth embodiment of the invention.
【図６】本発明の実施例５における画像表示装置の表示
領域を模式的に示す図。FIG. 6 is a diagram schematically showing a display area of an image display device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施例６における画像表示装置の表示
領域を模式的に示す図。FIG. 7 is a diagram schematically showing a display area of an image display device according to a sixth embodiment of the present invention.
【図８】本発明の実施例７における画像表示装置の製造
工程を示す概略断面図。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing the manufacturing process of the image display device according to the seventh embodiment of the present invention.
【図９】本発明の実施例７により得られた画像表示装置
の部分切欠斜視図。FIG. 9 is a partial cutaway perspective view of an image display device obtained according to a seventh embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の実施例７の構造を有するアレイ基板
の配置と信号線の取り出しを模式的に示す図。FIG. 10 is a diagram schematically showing arrangement of an array substrate having the structure of Example 7 of the present invention and extraction of signal lines.
【図１１】本発明の実施例８における画像表示装置を示
す概略断面図。FIG. 11 is a schematic sectional view showing an image display device according to an eighth embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の実施例９における画像表示装置を示
す概略断面図。FIG. 12 is a schematic sectional view showing an image display device according to a ninth embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の実施例１０における画像表示装置を
示す概略断面図。FIG. 13 is a schematic sectional view showing an image display device in Example 10 of the present invention.
【図１４】本発明の実施例１１における画像表示装置の
製造工程を示す断面図。FIG. 14 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the image display device in Embodiment 11 of the present invention.
【図１５】実施例１１により得られた画像表示装置の部
分切欠斜視図。FIG. 15 is a partially cutaway perspective view of the image display device obtained in Example 11.
【図１６】本発明の実施例１１の構造を有するアレイ基
板の配置と信号線の取出しを模式的に示す図。FIG. 16 is a diagram schematically showing the arrangement of an array substrate having the structure of Example 11 of the present invention and the extraction of signal lines.
【図１７】本発明の実施例１２における画像表示装置の
製造工程を示す断面図。FIG. 17 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the image display device in Embodiment 12 of the present invention.
【図１８】本発明の実施例１２における画像表示装置の
製造工程を示す断面図。FIG. 18 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the image display device in Embodiment 12 of the present invention.
【図１９】本発明の実施例１２の多層配線領域に形成さ
れる信号補正用回路を示す断面図。FIG. 19 is a sectional view showing a signal correction circuit formed in a multilayer wiring region according to a twelfth embodiment of the present invention.
【図２０】図１９の信号補正用回路を示す平面図。20 is a plan view showing the signal correction circuit of FIG.
【図２１】図２０のXXI −XXI 線に沿う断面図。21 is a cross-sectional view taken along line XXI-XXI of FIG.
【図２２】図１９の信号補正用回路の回路図。22 is a circuit diagram of the signal correction circuit of FIG.
【図２３】図１９の信号補正用回路を有する液晶表示装
置の駆動系を模式的に示す図。23 is a diagram schematically showing a drive system of a liquid crystal display device having the signal correction circuit shown in FIG.
【図２４】従来の画像表示装置を示す概略断面図。FIG. 24 is a schematic sectional view showing a conventional image display device.
【図２５】従来の２枚のアレイ基板を用いて大画面化し
た画像表示装置を示す概略断面図。FIG. 25 is a schematic cross-sectional view showing a conventional image display device having a large screen using two array substrates.
【図２６】従来の大画面化した画像表示装置の問題点を
説明するための平面図。FIG. 26 is a plan view for explaining a problem of a conventional image display device having a large screen.
２１、２４、４１、４５、７１、７９、１０１、１２
１、…透光性基材、 ２２、４２、７２、１０２…共通電極、 ２３、４４、７３、１０３…対向基板、 ２５、４６、８０、１２２…信号線、 ２６、２６ａ、２６ｂ、２６a 、２６a1、２６a2、２６
b1、２６b2、４７a1、４７a2、４７a3、４７b 、４７1
〜４７13、８１a1、８１a2、８１b 、８１1 〜８１13、
１２３a1、１２３a2、１２３b …アレイ基板、 ２７ａ、２７ｂ、４８a1、４８a2、４８b 、５８a1、５
８a2、５８b 、８３、１２０…枠状シール部、 ２９ａ、２９ｂ、５０a1、５０a2、５０b 、８５、１２
６…液晶、 ３１ａ、３１ｂ、６１a 、６１b1、６１b2…補助基板、 ３２ａ、３２ｂ、６３…反射板、 １１３…信号補正用回路。21, 24, 41, 45, 71, 79, 101, 12
1, ... translucent base, 22,42,72,102 ... common electrode, 23,44,73,103 ... counter substrate, 25,46,80,122 ... signal line, 26, 26a, 26b, 26 a , 26 a1 , 26 a2 , 26
b1 , 26 b2 , 47 a1 , 47 a2 , 47 a3 , 47 b , 47 1
~ 47 13 , 81 a1 , 81 a2 , 81 b , 81 1 to 81 13 ,
123 a1 , 123 a2 , 123 b ... Array substrate, 27 a, 27 b , 48 a1 , 48 a2 , 48 b , 58 a1 , 5
8 a2 , 58 b , 83, 120 ... Frame-shaped seal portion, 29 a, 29 b, 50 a1 , 50 a2 , 50 b , 85, 12
6 ... liquid crystal, 31a, 31b, 61 a, 61 b1, 61 b2 ... auxiliary substrate, 32a, 32 b, 63 ... reflective plate, 113 ... signal correction circuit.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 森 三樹 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 福田 由美 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 内田 竜朗 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 宮城 武史 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 木崎 幸男 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 (72)発明者 熱田 昌己 神奈川県横浜市磯子区新磯子町33番地 株 式会社東芝生産技術研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Miki Mori 33, Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture, Institute of Industrial Science and Technology, Toshiba Corporation (72) Inventor Yumi Fukuda 33, Isogo-cho, Isogo-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture Address Company, Toshiba Production Engineering Laboratory (72) Inventor Tatsuro Uchida 33, Shinisogo-cho, Isogo-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture In-house Toshiba Production Engineering Laboratory, (72) Incorporator Takeshi Miyagi Shin, Isogo-ku, Yokohama, Kanagawa 33 Isogocho, Ltd.Toshiba Institute of Industrial Technology, Inc. (72) Inventor Yukio Kizaki 33, Shinisogocho, Isogo-ku, Yokohama, Kanagawa Prefecture Incorporated, Toshiba Institute of Industrial Technology (72) Inventor, Masaki Atsuta Isogo, Yokohama, Kanagawa 33 Shin-Isogo-cho, Tokyo-shi Toshiba Corporation
Claims (3)
る共通電極をそれぞれ形成した対向基板；透光性基材上
に半導体素子および信号線が形成されたアレイ基板であ
って、複数の前記アレイ基板は前記対向基板の両面に前
記各アレイ基板端部の表示領域が前記対向基板を挟んで
互いに向い合うように配置される；前記対向基板と前記
各アレイ基板との間隙にそれぞれ介在される透光性樹脂
からなる枠状シール部材；および前記枠状シール部材で
囲まれた前記対向基板と前記各アレイ基板との空間にそ
れぞれ封入される液晶；を具備したことを特徴とする画
像表示装置。1. A counter substrate in which a common electrode made of a transparent conductive material is formed on both surfaces of a light-transmissive base material; an array substrate in which semiconductor elements and signal lines are formed on the light-transmissive base material. The array substrates are arranged on both surfaces of the counter substrate so that the display regions at the ends of the array substrates face each other with the counter substrate sandwiched therebetween; they are respectively provided in the gaps between the counter substrate and the array substrates. A frame-shaped seal member made of a translucent resin; and liquid crystals enclosed in the spaces between the counter substrate and the array substrates surrounded by the frame-shaped seal member, respectively. Display device.
る共通電極が形成された対向基板；透光性基材上に半導
体素子および信号線が形成されたアレイ基板であって、
複数の前記アレイ基板は前記対向基板の両面に前記各ア
レイ基板端部の表示領域が前記対向基板を挟んで互いに
向い合うように配置される；前記アレイ基板を挟んで反
対側の前記対向基板の面に形成された前記アレイ基板の
前記信号線を引き回すための複数の接続線；前記対向基
板と前記各アレイ基板との間隙にそれぞれ介在された透
光性を有する樹脂からなる枠状シール部材；および前記
枠状シール部材で囲まれた前記対向基板と各アレイ基板
との空間にそれぞれ封入される液晶；を具備したことを
特徴とする画像表示装置。2. A counter substrate in which a common electrode made of a transparent conductive material is formed on both surfaces of a transparent base material; an array substrate in which a semiconductor element and a signal line are formed on the transparent base material,
The plurality of array substrates are arranged on both surfaces of the counter substrate such that the display regions at the ends of the array substrates face each other with the counter substrate sandwiched therebetween; A plurality of connection lines for routing the signal lines of the array substrate formed on a surface; a frame-shaped sealing member made of a resin having a light-transmitting property, which is interposed in a gap between the counter substrate and each array substrate; And a liquid crystal enclosed in the space between the counter substrate and each array substrate surrounded by the frame-shaped sealing member, respectively.
る共通電極をそれぞれ形成した対向基板；透光性基材上
に半導体素子および信号線が形成されたアレイ基板であ
って、複数の前記アレイ基板は前記対向基板の両面に前
記各アレイ基板端部の表示領域が前記対向基板を挟んで
互いに向い合うように配置される；前記アレイ基板を挟
んで反対側の前記対向基板の面に絶縁層を挟んで配置さ
れた前記アレイ基板の信号線を引き回すための少なくと
も１層の接続線；前記アレイ基板近傍の前記接続線部分
に介装された信号補正用回路；前記対向基板と前記各ア
レイ基板との間隙にそれぞれ介在される透光性樹脂から
なる枠状シール部材；および前記枠状シール部材で囲ま
れた前記対向基板と前記各アレイ基板との空間にそれぞ
れ封入される液晶；を具備したことを特徴とする画像表
示装置。3. A counter substrate in which a common electrode made of a transparent conductive material is formed on both surfaces of a light-transmissive base material; an array substrate in which semiconductor elements and signal lines are formed on the light-transmissive base material. The array substrates are arranged on both surfaces of the counter substrate so that the display regions at the ends of the array substrates face each other with the counter substrate sandwiched therebetween; the surface of the counter substrate opposite to the array substrate sandwiched with each other. A connection line of at least one layer for arranging a signal line of the array substrate arranged with an insulating layer interposed therebetween; a signal correction circuit interposed in the connection line portion near the array substrate; the counter substrate and the A frame-shaped sealing member made of a light-transmissive resin interposed in a gap between each array substrate; and a liquid crystal enclosed in each space between the counter substrate and each array substrate surrounded by the frame-shaped sealing member; An image display device comprising:
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6130097A JPH09311344A (en) | 1996-03-18 | 1997-03-14 | Picture display device |
| KR1019970009154A KR100262920B1 (en) | 1996-03-18 | 1997-03-18 | Image display device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-61517 | 1996-03-18 | ||
| JP6151796 | 1996-03-18 | ||
| JP6130097A JPH09311344A (en) | 1996-03-18 | 1997-03-14 | Picture display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09311344A true JPH09311344A (en) | 1997-12-02 |
Family
ID=26402341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6130097A Pending JPH09311344A (en) | 1996-03-18 | 1997-03-14 | Picture display device |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09311344A (en) |
| KR (1) | KR100262920B1 (en) |
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| US10424632B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US10719284B2 (en) | 2014-11-11 | 2020-07-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and display device |
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- 1997-03-14 JP JP6130097A patent/JPH09311344A/en active Pending
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| US10359810B2 (en) | 2014-02-11 | 2019-07-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
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| US11647663B2 (en) | 2014-02-11 | 2023-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having at least four overlapping display panels |
| US10642314B2 (en) | 2014-02-11 | 2020-05-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device having multiple overlapping display panels |
| US11069747B2 (en) | 2014-02-11 | 2021-07-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device having multiple overlapping display panels |
| US11659636B2 (en) | 2014-07-31 | 2023-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US10159135B2 (en) | 2014-07-31 | 2018-12-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Flexible display device having first and second display panels overlapping each other and light transmitting layer therebetween |
| US10764973B2 (en) | 2014-07-31 | 2020-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US9854629B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
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| US11216138B2 (en) | 2014-11-11 | 2022-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display system and display device |
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| KR100262920B1 (en) | 2000-08-01 |
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