JPH09306395A - 平面型表示装置およびその製造方法 - Google Patents
平面型表示装置およびその製造方法Info
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- JPH09306395A JPH09306395A JP12480096A JP12480096A JPH09306395A JP H09306395 A JPH09306395 A JP H09306395A JP 12480096 A JP12480096 A JP 12480096A JP 12480096 A JP12480096 A JP 12480096A JP H09306395 A JPH09306395 A JP H09306395A
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- display device
- panel display
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複雑な回路を設けることなく、電子ビームの
クロストークを防止するとともに、高輝度、高コントラ
ストを実現でき、しかも大型化が可能な平面型表示装置
を提供することを目的とする。 【解決手段】 複数の電界放出素子が形成されたカソー
ド基板と、前記電界放出素子に対向して配置された発光
体を有するアノード基板と、前記カソード基板及びアノ
ード基板間に画素を構成するように直交して配置される
黒色の絶縁物からなる障壁層と、前記障壁層により構成
される複数の画素の隣接する画素間を連通させる手段を
具備することを特徴とする。
クロストークを防止するとともに、高輝度、高コントラ
ストを実現でき、しかも大型化が可能な平面型表示装置
を提供することを目的とする。 【解決手段】 複数の電界放出素子が形成されたカソー
ド基板と、前記電界放出素子に対向して配置された発光
体を有するアノード基板と、前記カソード基板及びアノ
ード基板間に画素を構成するように直交して配置される
黒色の絶縁物からなる障壁層と、前記障壁層により構成
される複数の画素の隣接する画素間を連通させる手段を
具備することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電界電子放出素子
を用いた平面型表示装置に係り、特に、高輝度、高コン
トラストの大型化が可能な平面型表示装置およびその製
造方法に関する。
を用いた平面型表示装置に係り、特に、高輝度、高コン
トラストの大型化が可能な平面型表示装置およびその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子ビームを蛍光体層に照射し、
発光させて画像表示を行う画像表示装置としては、 （１）ＣＲＴ（陰極線管） （２）ＶＦＤ（真空蛍光表示管） （３）ＦＥＤ（電界放射型表示管） が知られている。これらの自家発光型の画像表示装置
は、高輝度で、視野角依存性がなく、特に、電子源とし
て半導体のマイクロテクノロジーを駆使して作られた電
界放射型カソードを用いたＦＥＤは、平面型画像表示装
置となり得ることから、最近注目を浴び、研究開発が盛
んに行われている。
発光させて画像表示を行う画像表示装置としては、 （１）ＣＲＴ（陰極線管） （２）ＶＦＤ（真空蛍光表示管） （３）ＦＥＤ（電界放射型表示管） が知られている。これらの自家発光型の画像表示装置
は、高輝度で、視野角依存性がなく、特に、電子源とし
て半導体のマイクロテクノロジーを駆使して作られた電
界放射型カソードを用いたＦＥＤは、平面型画像表示装
置となり得ることから、最近注目を浴び、研究開発が盛
んに行われている。
【０００３】このＦＥＤの代表的な構造例を図９に示
す。図９において、ＦＥＤは、アノード基板４１とカソ
ード基板４６とから構成され、そのうちカソード基板４
６は、次にようにして構成されている。即ち、Ｓｉ基板
４７上に、キャビティ５２を有するＳｉＯ2 膜４９が形
成され、キャビティ５２の周囲のＳｉＯ2 膜４９の上に
は、ＭｏやＴａ等からなるゲート電極５０が形成される
とともに、キャビティ５２の内部のＳｉ基板４７には、
Ｍｏ等からなるコーン状のカソード・チップ４８が形成
されている。
す。図９において、ＦＥＤは、アノード基板４１とカソ
ード基板４６とから構成され、そのうちカソード基板４
６は、次にようにして構成されている。即ち、Ｓｉ基板
４７上に、キャビティ５２を有するＳｉＯ2 膜４９が形
成され、キャビティ５２の周囲のＳｉＯ2 膜４９の上に
は、ＭｏやＴａ等からなるゲート電極５０が形成される
とともに、キャビティ５２の内部のＳｉ基板４７には、
Ｍｏ等からなるコーン状のカソード・チップ４８が形成
されている。
【０００４】このように構成されるカソード基板４６と
平行に、アノード基板４１が対向して配置されている。
アノード基板４１は、フラットなガラス板４２と、この
上に形成された透明電極３３及び蛍光体４５とから構成
される。カソード基板４６とアノード基板４１との間
は、真空に保たれた状態となっている。
平行に、アノード基板４１が対向して配置されている。
アノード基板４１は、フラットなガラス板４２と、この
上に形成された透明電極３３及び蛍光体４５とから構成
される。カソード基板４６とアノード基板４１との間
は、真空に保たれた状態となっている。
【０００５】ゲート電極５０とカソード電極５１は互い
に直交するように配置され、所定の電圧が印加された交
点部により電子放射を行わせ、これをアノード電極５３
に印加した電圧で引っ張り、蛍光体４５に衝突、発光さ
せるものである。
に直交するように配置され、所定の電圧が印加された交
点部により電子放射を行わせ、これをアノード電極５３
に印加した電圧で引っ張り、蛍光体４５に衝突、発光さ
せるものである。
【０００６】以上のように構成されたＦＥＤでは、アノ
ード電極５３はベタ膜であるため、電子ビームの広がり
により、発光させたい目的の画素にではなく、それに隣
接する画素に電子が衝突、発光してしまう、いわゆるク
ロストークが生じるといった問題があった。
ード電極５３はベタ膜であるため、電子ビームの広がり
により、発光させたい目的の画素にではなく、それに隣
接する画素に電子が衝突、発光してしまう、いわゆるク
ロストークが生じるといった問題があった。
【０００７】この問題を回避するため、特開昭６０−２
６４０２８号に示されるように、薄膜トランジスタを形
成し、この上にアノード電極、蛍光体層を形成し、目的
の画素だけに電圧が印加されるようにする方法、及び特
開平０２−６１９４６号に示されるように、アノード電
極をストライプ状に形成し、目的の画素には、所定の電
圧をかけ、電子ビームを引っ張り、他のアノードには、
電子が反発する電位をかける方法が提案されている。し
かし、これらの方法は、回路が複雑になるという問題が
あった。
６４０２８号に示されるように、薄膜トランジスタを形
成し、この上にアノード電極、蛍光体層を形成し、目的
の画素だけに電圧が印加されるようにする方法、及び特
開平０２−６１９４６号に示されるように、アノード電
極をストライプ状に形成し、目的の画素には、所定の電
圧をかけ、電子ビームを引っ張り、他のアノードには、
電子が反発する電位をかける方法が提案されている。し
かし、これらの方法は、回路が複雑になるという問題が
あった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したよ
うな問題を解決するためになされたものであり、複雑な
回路を設けることなく、電子ビームのクロストークを防
止するとともに、高輝度、高コントラストを実現でき、
しかも大型化が可能な平面型表示装置を提供することを
目的とする。
うな問題を解決するためになされたものであり、複雑な
回路を設けることなく、電子ビームのクロストークを防
止するとともに、高輝度、高コントラストを実現でき、
しかも大型化が可能な平面型表示装置を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明（請求項１）は、複数の電界放出素子が形成
されたカソード基板と、前記電界放出素子に対向して配
置された発光体を有するアノード基板と、前記カソード
基板及びアノード基板間に画素を構成するように直交し
て配置される黒色の絶縁物からなる障壁層と、前記障壁
層により構成される複数の画素の隣接する画素間を連通
させる手段を具備することを特徴とする平面型表示装置
を提供する。
め、本発明（請求項１）は、複数の電界放出素子が形成
されたカソード基板と、前記電界放出素子に対向して配
置された発光体を有するアノード基板と、前記カソード
基板及びアノード基板間に画素を構成するように直交し
て配置される黒色の絶縁物からなる障壁層と、前記障壁
層により構成される複数の画素の隣接する画素間を連通
させる手段を具備することを特徴とする平面型表示装置
を提供する。
【００１０】本発明（請求項２）は、上記平面型表示装
置（請求項１）において、前記障壁層は、カソード基板
上に一方向に並設される複数の第１の障壁層と、アノー
ド基板上に前記第１の障壁層と直交する方向に並設され
る複数の第２の障壁層とからなることを特徴とする平面
型表示装置を提供する。
置（請求項１）において、前記障壁層は、カソード基板
上に一方向に並設される複数の第１の障壁層と、アノー
ド基板上に前記第１の障壁層と直交する方向に並設され
る複数の第２の障壁層とからなることを特徴とする平面
型表示装置を提供する。
【００１１】本発明（請求項３）は、上記平面型表示装
置（請求項２）において、前記第１の障壁層の端面と前
記第２の障壁層の端面の直交部は、接触していることを
特徴とする平面型表示装置を提供する。
置（請求項２）において、前記第１の障壁層の端面と前
記第２の障壁層の端面の直交部は、接触していることを
特徴とする平面型表示装置を提供する。
【００１２】本発明（請求項４）は、上記平面型表示装
置（請求項１）において、前記障壁層は、カソード基板
又はアノード基板の上に設けられた格子状障壁層である
ことを特徴とする平面型表示装置を提供する。
置（請求項１）において、前記障壁層は、カソード基板
又はアノード基板の上に設けられた格子状障壁層である
ことを特徴とする平面型表示装置を提供する。
【００１３】本発明（請求項５）は、上記平面型表示装
置（請求項４）において、前記格子状障壁層は、格子を
構成する直交する２つの列の高さが相互に異なることを
特徴とする平面型表示装置を提供する。
置（請求項４）において、前記格子状障壁層は、格子を
構成する直交する２つの列の高さが相互に異なることを
特徴とする平面型表示装置を提供する。
【００１４】本発明（請求項６）は、上記平面型表示装
置（請求項１）において、前記障壁層により構成される
複数の画素の隣接する画素間を連通させる手段は、カソ
ード基板及び／又はアノード基板の障壁層側に設けられ
た連通した凹部であることを特徴とする平面型表示装置
を提供する。
置（請求項１）において、前記障壁層により構成される
複数の画素の隣接する画素間を連通させる手段は、カソ
ード基板及び／又はアノード基板の障壁層側に設けられ
た連通した凹部であることを特徴とする平面型表示装置
を提供する。
【００１５】本発明（請求項７）は、上記平面型表示装
置（請求項１）において、前記障壁層を構成する黒色の
絶縁物は、無機の黒色顔料を含むガラスであることを特
徴とする平面型表示装置を提供する。
置（請求項１）において、前記障壁層を構成する黒色の
絶縁物は、無機の黒色顔料を含むガラスであることを特
徴とする平面型表示装置を提供する。
【００１６】本発明（請求項８〜１１）は、平面型表示
装置の製造方法を提供する。かかる方法では、障壁層が
下記に示す種々の方法により形成される。 （１）アノード基板に無機の黒色顔料を含有するガラス
ペ−ストを塗布する工程、ガラスペ−スト層上にレジス
トパタ−ンを形成する工程、全面にガラスブラストを行
い、露出するガラスペ−スト層を選択的に除去する工
程、前記レジストパタ−ンを除去する工程、及び前記選
択的に除去されたガラスペ−スト層を焼成し、障壁層を
形成する工程により形成する。
装置の製造方法を提供する。かかる方法では、障壁層が
下記に示す種々の方法により形成される。 （１）アノード基板に無機の黒色顔料を含有するガラス
ペ−ストを塗布する工程、ガラスペ−スト層上にレジス
トパタ−ンを形成する工程、全面にガラスブラストを行
い、露出するガラスペ−スト層を選択的に除去する工
程、前記レジストパタ−ンを除去する工程、及び前記選
択的に除去されたガラスペ−スト層を焼成し、障壁層を
形成する工程により形成する。
【００１７】（２）アノード基板上にレジストパタ−ン
を形成する工程、露出するアノード基板上に無機の黒色
顔料を含有するガラスペ−ストを塗布する工程、前記レ
ジストパタ−ンを除去する工程、及び前記ガラスペ−ス
ト層を焼成し、障壁層を形成する工程により形成する。
を形成する工程、露出するアノード基板上に無機の黒色
顔料を含有するガラスペ−ストを塗布する工程、前記レ
ジストパタ−ンを除去する工程、及び前記ガラスペ−ス
ト層を焼成し、障壁層を形成する工程により形成する。
【００１８】（３）アノード基板上に無機黒色顔料含有
ガラスを含むレジストを塗布する工程、このレジスト層
を所定のマスクを介して露光し、現像し、無機黒色顔料
含有ガラスを含むレジストパタ−ンを形成する工程、及
び前記レジストパタ−ンを焼成し、障壁層を形成する工
程により形成する。
ガラスを含むレジストを塗布する工程、このレジスト層
を所定のマスクを介して露光し、現像し、無機黒色顔料
含有ガラスを含むレジストパタ−ンを形成する工程、及
び前記レジストパタ−ンを焼成し、障壁層を形成する工
程により形成する。
【００１９】（４）アノード基板に、スクリ−ン印刷に
より無機の黒色顔料を含有するガラスペ−ストを所定の
パタ−ンに印刷する工程、及びこの印刷工程を、ガラス
ペ−スト層が所定の膜厚になるまで繰り返す工程、前記
ガラスペ−スト層を焼成し、障壁層を形成する工程によ
り形成する。
より無機の黒色顔料を含有するガラスペ−ストを所定の
パタ−ンに印刷する工程、及びこの印刷工程を、ガラス
ペ−スト層が所定の膜厚になるまで繰り返す工程、前記
ガラスペ−スト層を焼成し、障壁層を形成する工程によ
り形成する。
【００２０】本発明の平面型表示装置においては、カソ
ード基板及びアノ一ド基板間に、画素を構成するように
直交して黒色の障壁層を配置することにより、複雑な回
路を設けることなく、広がった電子ビームが対向する画
素の蛍光面に到達する間に隣接する画素の蛍光面に衝突
して不要な発光を引き起こす、いわゆるクロストークを
防止することが可能となる。
ード基板及びアノ一ド基板間に、画素を構成するように
直交して黒色の障壁層を配置することにより、複雑な回
路を設けることなく、広がった電子ビームが対向する画
素の蛍光面に到達する間に隣接する画素の蛍光面に衝突
して不要な発光を引き起こす、いわゆるクロストークを
防止することが可能となる。
【００２１】この場合、障壁層により構成される複数の
画素の隣接する画素間を連通させる手段が設けられてい
る。これは、カソード基板及びアノ一ド基板間が真空に
保たれる必要があるためである。すなわち、障壁層によ
り構成される画素内を真空に保つためには、画素内の気
体を除去する必要があり、このための真空引きをするた
めには、各画素間がその気体が除去できるように連通し
た状態である必要があるためである。また、連通した状
態では、障壁層を設けた場合においても画素間の圧力を
一定にすることが可能であり、均一な表示装置を得るこ
とができる。
画素の隣接する画素間を連通させる手段が設けられてい
る。これは、カソード基板及びアノ一ド基板間が真空に
保たれる必要があるためである。すなわち、障壁層によ
り構成される画素内を真空に保つためには、画素内の気
体を除去する必要があり、このための真空引きをするた
めには、各画素間がその気体が除去できるように連通し
た状態である必要があるためである。また、連通した状
態では、障壁層を設けた場合においても画素間の圧力を
一定にすることが可能であり、均一な表示装置を得るこ
とができる。
【００２２】本発明の平面型表示装置における障壁層の
構成を、図７の平面型表示装置を分解して示す概略斜視
図を用いて説明する。図７は障壁層の構成を説明するた
めのものであるため、その説明を容易にするために、ア
ノ一ド基板，カソード基板，透明電極，蛍光体，障壁層
以外の構成は省略していると共に、カソード基板とアノ
一ド基板間は離間させて記載している。
構成を、図７の平面型表示装置を分解して示す概略斜視
図を用いて説明する。図７は障壁層の構成を説明するた
めのものであるため、その説明を容易にするために、ア
ノ一ド基板，カソード基板，透明電極，蛍光体，障壁層
以外の構成は省略していると共に、カソード基板とアノ
一ド基板間は離間させて記載している。
【００２３】まず、図７（ａ）は、カソード基板上に一
方向に並設される複数の第１の障壁層と、アノ一ド基板
上に前記第１の障壁層と直交する方向に並設される第２
の障壁層とからなる障壁層を説明する図である。カソー
ド基板７２上に画素の一辺を構成するよう一方向にスト
ラィプ状に並設して複数の第１の障壁層７６を形成して
いる。そして、アノ一ド基板７１上には透明電極層７３
を形成した後、カソード基板７２上の第１の障壁層７６
と直交するように、かつ画素の他方の一辺を構成するよ
う一方向にストライプ状に並設して複数の第２の障壁層
７５を形成している。アノ一ド基板７１側には蛍光体層
７４が形成されている。
方向に並設される複数の第１の障壁層と、アノ一ド基板
上に前記第１の障壁層と直交する方向に並設される第２
の障壁層とからなる障壁層を説明する図である。カソー
ド基板７２上に画素の一辺を構成するよう一方向にスト
ラィプ状に並設して複数の第１の障壁層７６を形成して
いる。そして、アノ一ド基板７１上には透明電極層７３
を形成した後、カソード基板７２上の第１の障壁層７６
と直交するように、かつ画素の他方の一辺を構成するよ
う一方向にストライプ状に並設して複数の第２の障壁層
７５を形成している。アノ一ド基板７１側には蛍光体層
７４が形成されている。
【００２４】このような構成において、第１の障壁層７
６と第２の障壁層７５とは接触していなくとも良いが、
その各障壁層の端面の直交部において接触するように構
成することにより、カソード基板７２とアノ一ド基板７
１の間隙を容易に一定にすることができる。この例にお
いては、一方の基板の障壁層の端面は他方の基板にまで
達していないため、その障壁層の高さ分の連通した部分
を得ることが可能となる。
６と第２の障壁層７５とは接触していなくとも良いが、
その各障壁層の端面の直交部において接触するように構
成することにより、カソード基板７２とアノ一ド基板７
１の間隙を容易に一定にすることができる。この例にお
いては、一方の基板の障壁層の端面は他方の基板にまで
達していないため、その障壁層の高さ分の連通した部分
を得ることが可能となる。
【００２５】次に、図７（ｂ）は、アノ一ド基板上の格
子状障壁層を説明する例である。アノ一ド基板７１上に
は透明電極層７３を形成した後、画素を構成するように
格子状障壁層７７を形成している。そして、アノ一ド基
板７１側には蛍光体層７４が形成されている。この場
合、カソード基板７２上には障壁層が形成されていな
い。このような構成において、カソード基板７２と障壁
層７７とは接触していなくとも良いが、障壁層７７がカ
ソード基板７２と接触するように構成することにより、
カソード基板７２とアノ一ド基板７１の間隙を容易に一
定にすることができる。 この例においては、障壁層７
７の格子を構成する直交する２つの列の高さが相互に異
なる、すなわち、画素の一方を構成する障壁層の高さを
他方の一辺を構成する障壁層の高さと異ならせることに
より、その障壁層の高さの違い分の連通した部分を得る
ことが可能となる。なお、本例においては、アノ一ド基
板７１上に格子状障壁層７７を形成したが、カソ一ド基
板７２上に格子状障壁層７７を構成しても良い。
子状障壁層を説明する例である。アノ一ド基板７１上に
は透明電極層７３を形成した後、画素を構成するように
格子状障壁層７７を形成している。そして、アノ一ド基
板７１側には蛍光体層７４が形成されている。この場
合、カソード基板７２上には障壁層が形成されていな
い。このような構成において、カソード基板７２と障壁
層７７とは接触していなくとも良いが、障壁層７７がカ
ソード基板７２と接触するように構成することにより、
カソード基板７２とアノ一ド基板７１の間隙を容易に一
定にすることができる。 この例においては、障壁層７
７の格子を構成する直交する２つの列の高さが相互に異
なる、すなわち、画素の一方を構成する障壁層の高さを
他方の一辺を構成する障壁層の高さと異ならせることに
より、その障壁層の高さの違い分の連通した部分を得る
ことが可能となる。なお、本例においては、アノ一ド基
板７１上に格子状障壁層７７を形成したが、カソ一ド基
板７２上に格子状障壁層７７を構成しても良い。
【００２６】次に、図８（ａ）は、アノ一ド基板上の格
子状障壁層を説明する他の例である。アノ一ド基板７１
上には透明電極層７３を形成した後、画素を構成するよ
うに格子状障壁層７８を形成している。そして、アノ一
ド基板７１側には蛍光体層７４が形成されている。この
場合、カソード基板７２上には障壁層を形成していな
い。この例においては、障壁層７７のカソード基板７２
と接触する部分に凹部７９を形成することにより、その
凹部７９により連通した部分を得ることが可能となる。
なお、本例においては、アノ一ド基板７１上に格子状障
壁層７７を形成したが、カソード基板７２上に格子状障
壁層７７を形成しても良い。また、本例においては、格
子状障壁層７７に凹部７９を形成したが、アノ一ド基板
７１またはカソード基板７２そのものに連通した凹部を
形成しても同様の効果を得ることが可能である。
子状障壁層を説明する他の例である。アノ一ド基板７１
上には透明電極層７３を形成した後、画素を構成するよ
うに格子状障壁層７８を形成している。そして、アノ一
ド基板７１側には蛍光体層７４が形成されている。この
場合、カソード基板７２上には障壁層を形成していな
い。この例においては、障壁層７７のカソード基板７２
と接触する部分に凹部７９を形成することにより、その
凹部７９により連通した部分を得ることが可能となる。
なお、本例においては、アノ一ド基板７１上に格子状障
壁層７７を形成したが、カソード基板７２上に格子状障
壁層７７を形成しても良い。また、本例においては、格
子状障壁層７７に凹部７９を形成したが、アノ一ド基板
７１またはカソード基板７２そのものに連通した凹部を
形成しても同様の効果を得ることが可能である。
【００２７】次に、図８（ｂ）は、カソード基板上の第
１の格子状障壁層と、アノ一ド基板上の第２の格子状障
壁層とからなる障壁層を説明する図である。アノ一ド基
板７１上には透明電極層７３を形成した後、画素を構成
するように第１の格子状障壁層８０を形成している。ま
た、カソード基板７２上には、同様に画素を構成するよ
うに格子状障壁層８１を形成している。そして、アノ一
ド基板７１側には蛍光体層７４が形成されている。この
場合、第１の格子状障壁層８０および第２の格子状障壁
層８１により障壁層を構成している。
１の格子状障壁層と、アノ一ド基板上の第２の格子状障
壁層とからなる障壁層を説明する図である。アノ一ド基
板７１上には透明電極層７３を形成した後、画素を構成
するように第１の格子状障壁層８０を形成している。ま
た、カソード基板７２上には、同様に画素を構成するよ
うに格子状障壁層８１を形成している。そして、アノ一
ド基板７１側には蛍光体層７４が形成されている。この
場合、第１の格子状障壁層８０および第２の格子状障壁
層８１により障壁層を構成している。
【００２８】この構成において、第１の格子状障壁層８
０と第２の格子状障壁層８１は接触していなくとも良い
が、各障壁層が接触するように構成することにより、カ
ソード基板７２およびアノ一ド基板７１の間隙を容易に
一定にすることができる。この例においては、第１の格
子状障壁層８０の格子を構成する直交する２つの列の高
さが相互に異なる、すなわち画素の一方を構成する障壁
層の高さを他方の一辺を構成する障壁層の高さと異なら
せることにより、その障壁層の高さの違い分の連通した
部分を得ることが可能となる。
０と第２の格子状障壁層８１は接触していなくとも良い
が、各障壁層が接触するように構成することにより、カ
ソード基板７２およびアノ一ド基板７１の間隙を容易に
一定にすることができる。この例においては、第１の格
子状障壁層８０の格子を構成する直交する２つの列の高
さが相互に異なる、すなわち画素の一方を構成する障壁
層の高さを他方の一辺を構成する障壁層の高さと異なら
せることにより、その障壁層の高さの違い分の連通した
部分を得ることが可能となる。
【００２９】なお、本例においては、第１の格子状障壁
層８０の格子を構成する２つの列の高さを異ならせた
が、第２の格子状障壁層８１の格子を構成する２つの列
の高さを異らせても良く、あるいは第１および第２の格
子状障壁層８０，８１いずれも２つの列の高さを異らせ
る構成であっても良い。
層８０の格子を構成する２つの列の高さを異ならせた
が、第２の格子状障壁層８１の格子を構成する２つの列
の高さを異らせても良く、あるいは第１および第２の格
子状障壁層８０，８１いずれも２つの列の高さを異らせ
る構成であっても良い。
【００３０】また、本例においては、格子状障壁層８０
の格子を構成する２つの列の高さを異ならせたが、図８
（ｂ）と同様に障壁層８０，８１のいずれかまたは双方
に凹部を形成、あるいは、アノ一ド基板７１またはカソ
ード基板７２そのものに連通した凹部を形成しても、同
様の効果を得ることが可能である。また、本例において
は、第１の格子状障壁層および第２の格子状障壁層のい
ずれも格子状としたが、一方の障壁層は一方向に並設さ
れるものであっても良い。この構成によれば格子状障壁
層の格子を構成する２つの列の高さを異ならせる必要は
ない。なお、この場合は、アノ一ド基板側の障壁層を格
子状とすることがクロストークを防止する上では好まし
い。
の格子を構成する２つの列の高さを異ならせたが、図８
（ｂ）と同様に障壁層８０，８１のいずれかまたは双方
に凹部を形成、あるいは、アノ一ド基板７１またはカソ
ード基板７２そのものに連通した凹部を形成しても、同
様の効果を得ることが可能である。また、本例において
は、第１の格子状障壁層および第２の格子状障壁層のい
ずれも格子状としたが、一方の障壁層は一方向に並設さ
れるものであっても良い。この構成によれば格子状障壁
層の格子を構成する２つの列の高さを異ならせる必要は
ない。なお、この場合は、アノ一ド基板側の障壁層を格
子状とすることがクロストークを防止する上では好まし
い。
【００３１】本発明の平面型表示装置における障壁層を
構成する黒色の絶縁物としては、無機の黒色顔料を含む
ガラスを用いることが出来る。しかし、絶縁性が確保で
き、真空中でガス放出が少ない材料であれば、これに限
定されるものではない。黒色顔料を含むガラスとして
は、遷移金属酸化物を含む硼珪酸鉛系のガラス及び硼珪
酸亜鉛系ガラスを挙げることができる。遷移金属酸化物
としては、鉄、ニッケル、クロム、コバルト等の酸化物
を用いることが出来る。
構成する黒色の絶縁物としては、無機の黒色顔料を含む
ガラスを用いることが出来る。しかし、絶縁性が確保で
き、真空中でガス放出が少ない材料であれば、これに限
定されるものではない。黒色顔料を含むガラスとして
は、遷移金属酸化物を含む硼珪酸鉛系のガラス及び硼珪
酸亜鉛系ガラスを挙げることができる。遷移金属酸化物
としては、鉄、ニッケル、クロム、コバルト等の酸化物
を用いることが出来る。
【００３２】障壁層の高さは、カソード基板とアノード
基板の間のギャップの１／２以上であることが望ましい
が、電子ビームの遮断効果が認められる高さであれば、
これに限定されるものではない。
基板の間のギャップの１／２以上であることが望ましい
が、電子ビームの遮断効果が認められる高さであれば、
これに限定されるものではない。
【００３３】また、本発明の平面型表示装置は、カソー
ド基板上に、アノード基板に形成された黒色の絶縁物か
らなる障壁層と直交する方向に、絶縁物からなる障壁層
が形成され、前記アノード基板上に設けられた黒色の絶
縁物からなる障壁層と接している構成とすることが出来
る。このようなカソード基板としては、下記のような基
板を用いることが出来る。即ち、絶縁性基体の一主面に
錘状の凹部を設け、この上にカソード材料を積層し、こ
れをカソード基板と接合し、絶縁性基体の他の主面にマ
スクを設け、エッチングにより、カソード部を露出させ
るとともに、マスクの非開口部を障壁層として残す構成
である。
ド基板上に、アノード基板に形成された黒色の絶縁物か
らなる障壁層と直交する方向に、絶縁物からなる障壁層
が形成され、前記アノード基板上に設けられた黒色の絶
縁物からなる障壁層と接している構成とすることが出来
る。このようなカソード基板としては、下記のような基
板を用いることが出来る。即ち、絶縁性基体の一主面に
錘状の凹部を設け、この上にカソード材料を積層し、こ
れをカソード基板と接合し、絶縁性基体の他の主面にマ
スクを設け、エッチングにより、カソード部を露出させ
るとともに、マスクの非開口部を障壁層として残す構成
である。
【００３４】また、障壁層は、黒色であるため、ブラッ
クストライプとして用いることができ、それによって高
コントラストが得られる。また、このアノード上の障壁
層は一部カソード基板と接しているか、または対向する
ゲート電極上に、絶縁物からなる障壁層が設けられ、互
いに接しているので、これをスペーサーとして用いるこ
とで、容易に大型化が可能となる。更に、アノード基板
上に設けた、黒色の絶縁物からなる障壁層の、壁面にも
蛍光体を付着させることにより、蛍光体の面積が大きな
ものとされ、より高い輝度で発光が得られる。
クストライプとして用いることができ、それによって高
コントラストが得られる。また、このアノード上の障壁
層は一部カソード基板と接しているか、または対向する
ゲート電極上に、絶縁物からなる障壁層が設けられ、互
いに接しているので、これをスペーサーとして用いるこ
とで、容易に大型化が可能となる。更に、アノード基板
上に設けた、黒色の絶縁物からなる障壁層の、壁面にも
蛍光体を付着させることにより、蛍光体の面積が大きな
ものとされ、より高い輝度で発光が得られる。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施例について詳細に説明する。 （実施例１）図１は、本発明の第１の実施例に係る電界
放出型の平面型表示装置を分解して示す斜視図である。
図１において、参照符号１１はアノード基板を示し、ア
ノード基板１１は、青板ガラス、無アルカリガラス等か
らなる透光性基板１２上に、ＩＴＯ（インジウム・スズ
酸化物）やネサ（スズ酸化物）などの透明導電膜よりな
るアノード電極１３を形成し、後述するカソード導体の
ピッチに対応して、黒色のガラスからなる格子状の障壁
層１４を形成し、この障壁層１４の間に、Ｒ，Ｇ，Ｂに
発光する発光体層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを塗布するこ
とにより構成されている。
明の実施例について詳細に説明する。 （実施例１）図１は、本発明の第１の実施例に係る電界
放出型の平面型表示装置を分解して示す斜視図である。
図１において、参照符号１１はアノード基板を示し、ア
ノード基板１１は、青板ガラス、無アルカリガラス等か
らなる透光性基板１２上に、ＩＴＯ（インジウム・スズ
酸化物）やネサ（スズ酸化物）などの透明導電膜よりな
るアノード電極１３を形成し、後述するカソード導体の
ピッチに対応して、黒色のガラスからなる格子状の障壁
層１４を形成し、この障壁層１４の間に、Ｒ，Ｇ，Ｂに
発光する発光体層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂを塗布するこ
とにより構成されている。
【００３６】ここで、上記格子状の障壁層１４は、前述
の図７（ｂ）で示した格子状障壁層７７と同様に、格子
を構成する直交する２つの列の高さを相互に異ならせて
いる。すなわち、画素の一方を構成する障壁層の高さを
他方の一辺を構成する障壁層の高さと異ならせることに
より、その障壁層の高さの違い分の連通した部分を得て
いる。
の図７（ｂ）で示した格子状障壁層７７と同様に、格子
を構成する直交する２つの列の高さを相互に異ならせて
いる。すなわち、画素の一方を構成する障壁層の高さを
他方の一辺を構成する障壁層の高さと異ならせることに
より、その障壁層の高さの違い分の連通した部分を得て
いる。
【００３７】このアノード基板１１は、例えば図２〜図
５に示す４つの方法のいずれかにより作製することが出
来る。以下、それらの作製方法について説明する。 （１）第１の方法では、まず、透明性基板１２上に、ス
パッタ法やイオンプレーティング法を用いて、ＩＴＯの
透明電極膜１３を形成する（図２（ａ））。このＩＴＯ
膜１３のシート抵抗は、１０Ω／□であった。この上
に、Ｆｅ2 Ｏ3 やＮｉＯなどの遷移金属を添加した硼珪
酸鉛ガラスの粉末をエチルセルロース系のバインダーと
タービネオール等の溶剤に混合、分散させたガラスペー
ストを、スクリ−ン印刷又はノズルコ−ト法により塗布
してガラス層１６を形成し、１００〜１５０℃で乾燥す
る（図２（ｂ））。
５に示す４つの方法のいずれかにより作製することが出
来る。以下、それらの作製方法について説明する。 （１）第１の方法では、まず、透明性基板１２上に、ス
パッタ法やイオンプレーティング法を用いて、ＩＴＯの
透明電極膜１３を形成する（図２（ａ））。このＩＴＯ
膜１３のシート抵抗は、１０Ω／□であった。この上
に、Ｆｅ2 Ｏ3 やＮｉＯなどの遷移金属を添加した硼珪
酸鉛ガラスの粉末をエチルセルロース系のバインダーと
タービネオール等の溶剤に混合、分散させたガラスペー
ストを、スクリ−ン印刷又はノズルコ−ト法により塗布
してガラス層１６を形成し、１００〜１５０℃で乾燥す
る（図２（ｂ））。
【００３８】次いで、ガラス層１６上に厚さ１５０μｍ
のレジストフィルム１７を熱ラミネートし、所定の開口
を有するマスクを用いて、露光・現像し、障壁層となる
部分のレジストフィルム１７を格子状に除去し、レジス
トパタ−ンを形成する（図２（ｃ））。次に、サンドブ
ラスト処理を行い（図２（ｄ））、露出するガラス層１
６を除去し、更に残留するガラス層１６上のレジストパ
タ−ン１７を除去する。最後に焼成することにより、障
壁層１４を形成し、アノード基板１１が得られる（図２
（ｄ））。
のレジストフィルム１７を熱ラミネートし、所定の開口
を有するマスクを用いて、露光・現像し、障壁層となる
部分のレジストフィルム１７を格子状に除去し、レジス
トパタ−ンを形成する（図２（ｃ））。次に、サンドブ
ラスト処理を行い（図２（ｄ））、露出するガラス層１
６を除去し、更に残留するガラス層１６上のレジストパ
タ−ン１７を除去する。最後に焼成することにより、障
壁層１４を形成し、アノード基板１１が得られる（図２
（ｄ））。
【００３９】（２）第２の方法では、まず、透明性基板
１２上に、スパッタ法やイオンプレーティング法を用い
て、ＩＴＯの透明電極膜１３を形成する。この上に厚さ
１５０μｍのレジストフィルム１７を熱ラミネートする
（図３（ａ））。次いで、所定の開口を有するマスクを
用いて、露光・現像し、障壁層となる部分のレジストフ
ィルム１７を格子状に除去し、レジストパタ−ンを形成
する（図３（ｂ））。
１２上に、スパッタ法やイオンプレーティング法を用い
て、ＩＴＯの透明電極膜１３を形成する。この上に厚さ
１５０μｍのレジストフィルム１７を熱ラミネートする
（図３（ａ））。次いで、所定の開口を有するマスクを
用いて、露光・現像し、障壁層となる部分のレジストフ
ィルム１７を格子状に除去し、レジストパタ−ンを形成
する（図３（ｂ））。
【００４０】次に、Ｆｅ2 Ｏ3 やＮｉＯなどの遷移金属
を添加した硼珪酸鉛ガラスの粉末をエチルセルロース系
のバインダーとタービネオール等の溶剤に混合、分散さ
せたガラスペーストを、スキージを用いて、レジストフ
ィルムが除去された部分に押し込む。その後、乾燥し、
溶剤を除去し、ガラス層１６を形成する（図３
（ｃ））。その後、レジストフィルム１７を取り除き、
ガラス層１６を焼成することにより、障壁層１４を形成
し、アノード基板１１が得られる（図３（ｄ））。
を添加した硼珪酸鉛ガラスの粉末をエチルセルロース系
のバインダーとタービネオール等の溶剤に混合、分散さ
せたガラスペーストを、スキージを用いて、レジストフ
ィルムが除去された部分に押し込む。その後、乾燥し、
溶剤を除去し、ガラス層１６を形成する（図３
（ｃ））。その後、レジストフィルム１７を取り除き、
ガラス層１６を焼成することにより、障壁層１４を形成
し、アノード基板１１が得られる（図３（ｄ））。
【００４１】（３）第３の方法では、まず、透明性基板
１２上に、スパッタ法やイオンプレーティング法を用い
て、ＩＴＯの透明電極膜１３を形成する。この上に、ス
クリ−ン印刷又はノズルコ−ト法により、ガラス含有レ
ジストフィルム１８を形成する（図４（ａ））。
１２上に、スパッタ法やイオンプレーティング法を用い
て、ＩＴＯの透明電極膜１３を形成する。この上に、ス
クリ−ン印刷又はノズルコ−ト法により、ガラス含有レ
ジストフィルム１８を形成する（図４（ａ））。
【００４２】このガラス含有レジストフィルム１８を、
所定の開口を有するマスク１９を用いて、露光する（図
４（ｂ））。次いで、現像し、焼成することにより、前
記ガラス含有レジストフィルム１８の樹脂成分のみを焼
失させ、ガラス成分を残置させ、それによって格子状の
障壁層１４を形成し、アノード基板１１が得られる（図
４（ｃ））。
所定の開口を有するマスク１９を用いて、露光する（図
４（ｂ））。次いで、現像し、焼成することにより、前
記ガラス含有レジストフィルム１８の樹脂成分のみを焼
失させ、ガラス成分を残置させ、それによって格子状の
障壁層１４を形成し、アノード基板１１が得られる（図
４（ｃ））。
【００４３】（４）第３の方法では、まず、透明性基板
１２上に、スパッタ法やイオンプレーティング法を用い
て、ＩＴＯの透明電極膜１３を形成する。この上に、ガ
ラスペーストをスクリ−ン印刷を繰り返すことにより、
ガラスペースト層２０を格子状に形成する。このガラス
ペースト層２０を焼成することにより、障壁層１４を形
成し、アノード基板１１が得られる（図５）。
１２上に、スパッタ法やイオンプレーティング法を用い
て、ＩＴＯの透明電極膜１３を形成する。この上に、ガ
ラスペーストをスクリ−ン印刷を繰り返すことにより、
ガラスペースト層２０を格子状に形成する。このガラス
ペースト層２０を焼成することにより、障壁層１４を形
成し、アノード基板１１が得られる（図５）。
【００４４】さらに、本発明の障壁層の形成方法とし
は、例えば特開平６−３６６８２号に開示されるよう
な、いわゆる転写法によるカソードの製造方法における
単結晶基板を利用することも可能である。すなわち、転
写法の製造方法の一例を説明すると、シリコンウェハー
などの単結晶基板上に異方性エッチングなどにより底部
を尖らせた凹部を形成し、その基板上に熱酸化絶縁膜を
形成する。そして、凹部内を埋めつつ熱酸化絶縁層上に
エミッター材料層を形成し、このエミッター材料層を形
成した単結晶基板とカソード基板となるガラス基板を接
合する。そして、単結晶基板のみをエッチングにより除
去し熱酸化絶縁層を露出させると共に、単結晶基板の凹
部内に充填されたエミッター材料に相当する凸部を突出
させる。露出された熱酸化絶縁層上にゲート電極層を形
成した後、凸部先端部が露出するように熱酸化層および
ゲート電極層の一部を除去することによりカソード・チ
ップを形成する。このような、転写法において、本発明
の障壁層を形成するためには、まず、上記単結晶基板と
カソード基板となるガラス基板を接合した後の単結晶基
板のみをエッチングにより除去し熱酸化絶縁層を露出さ
せる際に、前工程としてレジストフィルムを例えば熱ラ
ミネートし、所定の開口を有するマスクを用いて、露光
・現像し、障壁層となる部分レジストフィルムを格子状
あるいはストライプ状に除去し、レジストパターンを形
成する。その後、従来の転写法と同様に単結晶基板をエ
ッチングする。これにより、レジストパターンが形成さ
れた部分の単結晶基板はエッチングされずに残置するた
め、この残置した単結晶基板、すなわちシリコンを障壁
層として利用するのである。これによれば、従来転写法
においてエッチングにより除去していた単結晶基板を障
壁層として利用することが可能であると共に、繁雑な工
程を利用せずに容易に本発明の障壁層を形成できる。な
お、この場合に得られる障壁層は、単結晶基板を利用し
ているため、シリコン製であり、黒色に限定されるもの
ではない。
は、例えば特開平６−３６６８２号に開示されるよう
な、いわゆる転写法によるカソードの製造方法における
単結晶基板を利用することも可能である。すなわち、転
写法の製造方法の一例を説明すると、シリコンウェハー
などの単結晶基板上に異方性エッチングなどにより底部
を尖らせた凹部を形成し、その基板上に熱酸化絶縁膜を
形成する。そして、凹部内を埋めつつ熱酸化絶縁層上に
エミッター材料層を形成し、このエミッター材料層を形
成した単結晶基板とカソード基板となるガラス基板を接
合する。そして、単結晶基板のみをエッチングにより除
去し熱酸化絶縁層を露出させると共に、単結晶基板の凹
部内に充填されたエミッター材料に相当する凸部を突出
させる。露出された熱酸化絶縁層上にゲート電極層を形
成した後、凸部先端部が露出するように熱酸化層および
ゲート電極層の一部を除去することによりカソード・チ
ップを形成する。このような、転写法において、本発明
の障壁層を形成するためには、まず、上記単結晶基板と
カソード基板となるガラス基板を接合した後の単結晶基
板のみをエッチングにより除去し熱酸化絶縁層を露出さ
せる際に、前工程としてレジストフィルムを例えば熱ラ
ミネートし、所定の開口を有するマスクを用いて、露光
・現像し、障壁層となる部分レジストフィルムを格子状
あるいはストライプ状に除去し、レジストパターンを形
成する。その後、従来の転写法と同様に単結晶基板をエ
ッチングする。これにより、レジストパターンが形成さ
れた部分の単結晶基板はエッチングされずに残置するた
め、この残置した単結晶基板、すなわちシリコンを障壁
層として利用するのである。これによれば、従来転写法
においてエッチングにより除去していた単結晶基板を障
壁層として利用することが可能であると共に、繁雑な工
程を利用せずに容易に本発明の障壁層を形成できる。な
お、この場合に得られる障壁層は、単結晶基板を利用し
ているため、シリコン製であり、黒色に限定されるもの
ではない。
【００４５】次に、以上のようにして形成されたアノー
ド基板１１の障壁層１４の間に、蛍光体層１５Ｒ，１５
Ｇ，１５Ｂを形成する。即ち、Ｒ，Ｇ，Ｂに発光する発
光体、例えばＹ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ，ＺｎＯ：Ｚｎ，Ｙ2 Ｓ
ｉＯ5 ：Ｃｅをそれぞれエチルセルロース系のバインダ
ーとターピネオール等の溶剤に混合、分散させた各色の
蛍光体ペーストを、スクリーン印刷法を用いて障壁層１
４の間に印刷し、乾燥及び焼成することにより、蛍光体
層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが形成される。
ド基板１１の障壁層１４の間に、蛍光体層１５Ｒ，１５
Ｇ，１５Ｂを形成する。即ち、Ｒ，Ｇ，Ｂに発光する発
光体、例えばＹ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ，ＺｎＯ：Ｚｎ，Ｙ2 Ｓ
ｉＯ5 ：Ｃｅをそれぞれエチルセルロース系のバインダ
ーとターピネオール等の溶剤に混合、分散させた各色の
蛍光体ペーストを、スクリーン印刷法を用いて障壁層１
４の間に印刷し、乾燥及び焼成することにより、蛍光体
層１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂが形成される。
【００４６】一方、アノード基板１１に対向して配置さ
れるカソード基板２１は、次のようにして構成されてい
る。即ち、絶縁基板２２上にＭｏ等からなるカソード導
体２３が形成され、この上に、ＳｉＯ2 等からなる絶縁
層２４を介して、ゲート導体層２５が形成され、これら
絶縁基板２４及びゲート導体層２５には、カソード導体
層２３にまで貫通する複数のゲート孔２６が設けられて
おり、これらゲート孔２６の中には、コ−ン状のカソー
ド２７が形成されている。
れるカソード基板２１は、次のようにして構成されてい
る。即ち、絶縁基板２２上にＭｏ等からなるカソード導
体２３が形成され、この上に、ＳｉＯ2 等からなる絶縁
層２４を介して、ゲート導体層２５が形成され、これら
絶縁基板２４及びゲート導体層２５には、カソード導体
層２３にまで貫通する複数のゲート孔２６が設けられて
おり、これらゲート孔２６の中には、コ−ン状のカソー
ド２７が形成されている。
【００４７】このように構成されるアノード基板２１
は、例えば次のようにして形成される。即ち、まず、絶
縁基板２２上にカソード導体層２３となるＭｏ等からな
る金属層を形成し、これをフォトリソグラフィ−により
パターニングし、カソード導体層２３を形成する。次い
で、この上に、ＳｉＯ2 等からなる絶縁層２４を形成
し、更にその上にＭｏ，Ｔａ等からなるゲート導体層２
５を形成する。これら絶縁層２４及びゲート導体層２５
に、フォトリソ法で、カソード導体層２３まで貫通する
複数のゲート孔２６を形成する。
は、例えば次のようにして形成される。即ち、まず、絶
縁基板２２上にカソード導体層２３となるＭｏ等からな
る金属層を形成し、これをフォトリソグラフィ−により
パターニングし、カソード導体層２３を形成する。次い
で、この上に、ＳｉＯ2 等からなる絶縁層２４を形成
し、更にその上にＭｏ，Ｔａ等からなるゲート導体層２
５を形成する。これら絶縁層２４及びゲート導体層２５
に、フォトリソ法で、カソード導体層２３まで貫通する
複数のゲート孔２６を形成する。
【００４８】次に、これらゲート孔２６の中に回転蒸着
法で、Ｍｏ等からなる金属をコーン状に形成し、いわゆ
るスピント型の電界放出型のカソード２７を形成するこ
とにより、カソード基板２１が得られる。
法で、Ｍｏ等からなる金属をコーン状に形成し、いわゆ
るスピント型の電界放出型のカソード２７を形成するこ
とにより、カソード基板２１が得られる。
【００４９】以上説明したアノード基板１１とカソード
基板２１は、周辺をフリットガラスで封着し、内部を高
真空に排気し、チップオフすることにより、電界放出型
の平面型表示装置が完成する。なお、図１では、カソー
ド基板２１とアノード基板１１を離間して図示している
が、端部にある障壁層１４ｓはゲート導体層２５と接し
ており、平面型表示装置のギャップを形成している。本
実施例においては、自格子状の障壁層１４の画素の一方
を構成する障壁層の高さを他方の一辺を構成する障壁層
の高さを異ならせることにより、その障壁層の高さの違
い分の連通した部分を得ているため、内部を高真空に排
気する場合においても十分な排気が可能となる。
基板２１は、周辺をフリットガラスで封着し、内部を高
真空に排気し、チップオフすることにより、電界放出型
の平面型表示装置が完成する。なお、図１では、カソー
ド基板２１とアノード基板１１を離間して図示している
が、端部にある障壁層１４ｓはゲート導体層２５と接し
ており、平面型表示装置のギャップを形成している。本
実施例においては、自格子状の障壁層１４の画素の一方
を構成する障壁層の高さを他方の一辺を構成する障壁層
の高さを異ならせることにより、その障壁層の高さの違
い分の連通した部分を得ているため、内部を高真空に排
気する場合においても十分な排気が可能となる。
【００５０】スピント型電界放出カソードの場合、放出
される電子ビームの拡がりは２０°〜３０°であり、カ
ソード導体層２３の幅に対し、障壁層１４の高さを適切
に選択することにより、拡がった電子ビームが隣接する
蛍光体層に衝突するのを防止することができる。
される電子ビームの拡がりは２０°〜３０°であり、カ
ソード導体層２３の幅に対し、障壁層１４の高さを適切
に選択することにより、拡がった電子ビームが隣接する
蛍光体層に衝突するのを防止することができる。
【００５１】本実施例においては、一部の障壁層１４ｓ
がカソード基板２１と接している場合について述べた
が、ガラスビーズのようなギャップ調整機構を有し、全
ての障壁層１４がカソード基板２１と接していなくても
よい。 （実施例２）第２の実施例を、図６の平面型表示装置を
分解して示す斜視図を参照して説明する。アノード基板
１１は、障壁層１４の高さを実施例１の高さの半分にす
る以外は、実施例１と同様にして作製した。一方、カソ
ード基板３１は、次のようにして作製した。
がカソード基板２１と接している場合について述べた
が、ガラスビーズのようなギャップ調整機構を有し、全
ての障壁層１４がカソード基板２１と接していなくても
よい。 （実施例２）第２の実施例を、図６の平面型表示装置を
分解して示す斜視図を参照して説明する。アノード基板
１１は、障壁層１４の高さを実施例１の高さの半分にす
る以外は、実施例１と同様にして作製した。一方、カソ
ード基板３１は、次のようにして作製した。
【００５２】まず、（１００）Ｓｉ基板３２の一主面に
マスクを形成して選択的にエッチングし、Ｓｉ基板に錘
状の凹部を形成する。その後、熱酸化し、錘状の凹部内
面を含むＳｉ基板の一主面全体を熱酸化する。この上
に、スパッタリング法を用いて、ＬａＢ6 やＭｏからな
る金属層を形成し、これをパタ−ニングして凹部内にカ
ソ−ド３３を形成する。次いで図示していないが、全面
にＴａ2 Ｏ5 からなる抵抗層を形成し、更に、Ｍｏから
なるカソード導体層３４を形成する。
マスクを形成して選択的にエッチングし、Ｓｉ基板に錘
状の凹部を形成する。その後、熱酸化し、錘状の凹部内
面を含むＳｉ基板の一主面全体を熱酸化する。この上
に、スパッタリング法を用いて、ＬａＢ6 やＭｏからな
る金属層を形成し、これをパタ−ニングして凹部内にカ
ソ−ド３３を形成する。次いで図示していないが、全面
にＴａ2 Ｏ5 からなる抵抗層を形成し、更に、Ｍｏから
なるカソード導体層３４を形成する。
【００５３】その後、ガラス基板３５にＳｉ基板のカソ
ード導体層３４の面を静電接着する。次に、Ｓｉ基板の
別の主面にレジストパタ−ンを形成し、これをマスクと
して用いてＳｉ基板をエッチング除去し、障壁層３６を
残す。この時、凹部内に形成された、表面に熱酸化Ｓｉ
Ｏ2 が形成されたカソード３３が露出する。その後、障
壁層３５の間にＭｏ，Ｔａからなるゲート電極層３７を
形成し、ケミカルドライエッチングにより、ゲートの開
口部を形成するとともに、カソード３３を露出させる。
ード導体層３４の面を静電接着する。次に、Ｓｉ基板の
別の主面にレジストパタ−ンを形成し、これをマスクと
して用いてＳｉ基板をエッチング除去し、障壁層３６を
残す。この時、凹部内に形成された、表面に熱酸化Ｓｉ
Ｏ2 が形成されたカソード３３が露出する。その後、障
壁層３５の間にＭｏ，Ｔａからなるゲート電極層３７を
形成し、ケミカルドライエッチングにより、ゲートの開
口部を形成するとともに、カソード３３を露出させる。
【００５４】その後、アノード基板１１とカソード基板
３１の周辺をフリットガラスで封着し、内部を高真空に
排気し、チップオフすることにより、電界放出型の平面
型表示装置が完成する。なお、図６に示す例では、カソ
ード基板１１とアノード基板３１を離間して図示してい
るが、実際にはカソード基板１１の障壁層１１と、アノ
ード基板３１の障壁層は互いに直交するように接し、平
面型表示装置のギャップを決めている。
３１の周辺をフリットガラスで封着し、内部を高真空に
排気し、チップオフすることにより、電界放出型の平面
型表示装置が完成する。なお、図６に示す例では、カソ
ード基板１１とアノード基板３１を離間して図示してい
るが、実際にはカソード基板１１の障壁層１１と、アノ
ード基板３１の障壁層は互いに直交するように接し、平
面型表示装置のギャップを決めている。
【００５５】上記実施例２においては、カソード基板３
１側のＳｉ基板３２を障壁層３６としても使用すること
ができ、別個に障壁層を形成する必要がなく、作業工程
の簡略化を図ることが可能となる。
１側のＳｉ基板３２を障壁層３６としても使用すること
ができ、別個に障壁層を形成する必要がなく、作業工程
の簡略化を図ることが可能となる。
【００５６】以上の実施例では、いずれも、アノ−ド基
板とカソ−ド基板との間に障壁層の列が直交して配置さ
れており、各画素が障壁層により区分されているため、
電子ビームの広がりによるクロストークを防止すること
が出来るとともに、高輝度、高コントラストが実現可能
な平面型表示装置を得ることが可能である。
板とカソ−ド基板との間に障壁層の列が直交して配置さ
れており、各画素が障壁層により区分されているため、
電子ビームの広がりによるクロストークを防止すること
が出来るとともに、高輝度、高コントラストが実現可能
な平面型表示装置を得ることが可能である。
【００５７】なお、以上の実施例では、障壁層は、アノ
−ド基板に、又はアノ−ド基板とカソ−ド基板に形成さ
れているが、本発明はこれに限らず、アノ−ド基板とカ
ソ−ド基板のいずれにも形成されることなく、両者の間
にはさまれた構成とすることも可能である。また、障壁
層は、アノ−ド基板及び／又はカソ−ド基板に接してい
ても、または接していなくてもよい。
−ド基板に、又はアノ−ド基板とカソ−ド基板に形成さ
れているが、本発明はこれに限らず、アノ−ド基板とカ
ソ−ド基板のいずれにも形成されることなく、両者の間
にはさまれた構成とすることも可能である。また、障壁
層は、アノ−ド基板及び／又はカソ−ド基板に接してい
ても、または接していなくてもよい。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
複雑な回路を設けることなく、電子ビームの広がりによ
るクロストークを防止するとともに、高輝度、高コント
ラストが実現可能な平面型表示装置を得ることができ
る。
複雑な回路を設けることなく、電子ビームの広がりによ
るクロストークを防止するとともに、高輝度、高コント
ラストが実現可能な平面型表示装置を得ることができ
る。
【００５９】また、アノード基板上及びカソード基板上
に設けた障壁層は、スペーサーを兼ねることが出来、大
型化が容易となる。更に、アノード基板上に設けた障壁
層の間だけでなく、壁面にも蛍光体を付着させた場合に
は、発光体の面積が大きなものとされ、より高い輝度で
発光が得ることが可能である。
に設けた障壁層は、スペーサーを兼ねることが出来、大
型化が容易となる。更に、アノード基板上に設けた障壁
層の間だけでなく、壁面にも蛍光体を付着させた場合に
は、発光体の面積が大きなものとされ、より高い輝度で
発光が得ることが可能である。
【図１】本発明の第１の実施例に係る平面型表示装置を
分解して示す斜視図。
分解して示す斜視図。
【図２】図１に示す平面型表示装置の障壁層の形成工程
の一例を示す断面図。
の一例を示す断面図。
【図３】図１に示す平面型表示装置の障壁層の形成工程
の他の例を示す断面図。
の他の例を示す断面図。
【図４】図１に示す平面型表示装置の障壁層の形成工程
の更に他の例を示す断面図。
の更に他の例を示す断面図。
【図５】図１に示す平面型表示装置の障壁層の形成工程
の更にまた他の例を示す断面図。
の更にまた他の例を示す断面図。
【図６】本発明の第２の実施例に係る平面型表示装置を
分解して示す斜視図。
分解して示す斜視図。
【図７】本発明の平面型表示装置の障壁層の構成を説明
するための、平面型表示装置を分解して示す概略斜視
図。
するための、平面型表示装置を分解して示す概略斜視
図。
【図８】本発明の平面型表示装置の障壁層の構成を説明
するための、平面型表示装置を分解して示す概略斜視
図。
するための、平面型表示装置を分解して示す概略斜視
図。
【図９】従来の平面型表示装置の一例を示す断面図。
【符号の説明】 １０…ゲート導体層、１１…アノード基板、１２…透明
性基板、１３…透明導電膜、１４…障壁層、１５…蛍光
体、２１，３１…カソード基板、２２，３５…絶縁基
板、２３，３４…カソード導体層、２４…絶縁層、２
５，３７…ゲート導体層、２６…ゲート孔、２７，３３
…カソード、３２…Ｓｉ基板、３６…障壁層。
性基板、１３…透明導電膜、１４…障壁層、１５…蛍光
体、２１，３１…カソード基板、２２，３５…絶縁基
板、２３，３４…カソード導体層、２４…絶縁層、２
５，３７…ゲート導体層、２６…ゲート孔、２７，３３
…カソード、３２…Ｓｉ基板、３６…障壁層。
Claims (11)
- 【請求項１】 複数の電界放出素子が形成されたカソー
ド基板と、前記電界放出素子に対向して配置された発光
体を有するアノード基板と、前記カソード基板及びアノ
ード基板間に画素を構成するように直交して配置される
黒色の絶縁物からなる障壁層と、前記障壁層により構成
される複数の画素の隣接する画素間を連通させる手段を
具備することを特徴とする平面型表示装置。 - 【請求項２】 前記障壁層は、カソード基板上に一方向
に並設される複数の第１の障壁層と、アノード基板上に
前記第１の障壁層と直交する方向に並設される複数の第
２の障壁層とからなることを特徴とする請求項１に記載
の平面型表示装置。 - 【請求項３】 前記第１の障壁層の端面と前記第２の障
壁層の端面の直交部は、接触していることを特徴とする
請求項２に記載の平面型表示装置。 - 【請求項４】 前記障壁層は、カソード基板又はアノー
ド基板の上に設けられた格子状障壁層であることを特徴
とする請求項１に記載の平面型表示装置。 - 【請求項５】 前記格子状障壁層は、格子を構成する直
交する２つの列の高さが相互に異なることを特徴とする
請求項４に記載の平面型表示装置。 - 【請求項６】 前記障壁層により構成される複数の画素
の隣接する画素間を連通させる手段は、カソード基板及
び／又はアノード基板の障壁層側に設けられた連通した
凹部であることを特徴とする請求項１に記載の平面型表
示装置。 - 【請求項７】 前記障壁層を構成する黒色の絶縁物は、
無機の黒色顔料を含むガラスであることを特徴とする請
求項１に記載の平面型表示装置。 - 【請求項８】 複数の電界放出素子が形成されたカソー
ド基板と、前記電界放出素子に対向して配置された発光
体を有するアノード基板と、前記カソード基板及びアノ
ード基板間に画素を構成するように直交して配置される
黒色の絶縁物からなる障壁層を具備する平面型表示装置
の製造方法であって、前記障壁層を、前記アノード基板
に無機の黒色顔料を含有するガラスペ−ストを塗布する
工程、ガラスペ−スト層上にレジストパタ−ンを形成す
る工程、全面にガラスブラストを行い、露出するガラス
ペ−スト層を選択的に除去する工程、前記レジストパタ
−ンを除去する工程、及び前記選択的に除去されたガラ
スペ−スト層を焼成し、障壁層を形成する工程により形
成することを特徴とする平面型表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 複数の電界放出素子が形成されたカソー
ド基板と、前記電界放出素子に対向して配置された発光
体を有するアノード基板と、前記カソード基板及びアノ
ード基板間に画素を構成するように直交して配置される
黒色の絶縁物からなる障壁層を具備する平面型表示装置
の製造方法であって、前記障壁層を、前記アノード基板
上にレジストパタ−ンを形成する工程、露出するアノー
ド基板上に無機の黒色顔料を含有するガラスペ−ストを
塗布する工程、前記レジストパタ−ンを除去する工程、
及び前記ガラスペ−スト層を焼成し、障壁層を形成する
工程により形成することを特徴とする平面型表示装置の
製造方法。 - 【請求項１０】 複数の電界放出素子が形成されたカソ
ード基板と、前記電界放出素子に対向して配置された発
光体を有するアノード基板と、前記カソード基板及びア
ノード基板間に画素を構成するように直交して配置され
る黒色の絶縁物からなる障壁層を具備する平面型表示装
置の製造方法であって、前記障壁層を、前記アノード基
板上に無機黒色顔料含有ガラスを含むレジストを塗布す
る工程、このレジスト層を所定のマスクを介して露光
し、現像し、無機黒色顔料含有ガラスを含むレジストパ
タ−ンを形成する工程、及び前記レジストパタ−ンを焼
成し、障壁層を形成する工程により形成することを特徴
とする平面型表示装置の製造方法。 - 【請求項１１】 複数の電界放出素子が形成されたカソ
ード基板と、前記電界放出素子に対向して配置された発
光体を有するアノード基板と、前記カソード基板及びア
ノード基板間に画素を構成するように直交して配置され
る黒色の絶縁物からなる障壁層を具備する平面型表示装
置の製造方法であって、前記障壁層を、前記アノード基
板に、スルリ−ン印刷により無機の黒色顔料を含有する
ガラスペ−ストを所定のパタ−ンに印刷する工程、及び
この印刷工程を、ガラスペ−スト層が所定の膜厚になる
まで繰り返す工程、前記ガラスペ−スト層を焼成し、障
壁層を形成する工程により形成することを特徴とする平
面型表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12480096A JPH09306395A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 平面型表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12480096A JPH09306395A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 平面型表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09306395A true JPH09306395A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14894446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12480096A Abandoned JPH09306395A (ja) | 1996-05-20 | 1996-05-20 | 平面型表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09306395A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001236907A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-31 | Samsung Sdi Co Ltd | 隔壁リブを用いた３極管カーボンナノチューブ電界放出素子及びその製造方法 |
| JP2008059799A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Noritake Co Ltd | 平面ディスプレイ |
| US7462088B2 (en) | 1998-02-27 | 2008-12-09 | Micron Technology, Inc. | Method for making large-area FED apparatus |
| US7564179B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-21 | Noritake Co., Ltd. | Flat panel display, gate electrode structure, and gate electrode structure manufacturing method |
| JP4590092B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2010-12-01 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
-
1996
- 1996-05-20 JP JP12480096A patent/JPH09306395A/ja not_active Abandoned
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7462088B2 (en) | 1998-02-27 | 2008-12-09 | Micron Technology, Inc. | Method for making large-area FED apparatus |
| JP4590092B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2010-12-01 | キヤノン株式会社 | 画像表示装置 |
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| JP4700200B2 (ja) * | 2000-02-15 | 2011-06-15 | 三星エスディアイ株式会社 | 隔壁リブを用いた３極管カーボンナノチューブ電界放出素子及びその製造方法 |
| US7564179B2 (en) | 2005-01-05 | 2009-07-21 | Noritake Co., Ltd. | Flat panel display, gate electrode structure, and gate electrode structure manufacturing method |
| JP2008059799A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Noritake Co Ltd | 平面ディスプレイ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20040929 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041005 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Effective date: 20041112 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 |